JP2011109022A - 半導体チップの製造方法及び加工用フィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体チップの製造方法では、半導体ウェハ10の直径よりも大きい幅を有し、かつ基材フィルム2の厚みが50μm〜120μmである加工用フィルム1を半導体ウェハ10の回路面10aに貼り付ける。これにより、半導体ウェハ10の回路面10aからはみ出ている加工用フィルム1の余剰部分12を除去する際、作業効率を良好に保つことができると共に、加工用フィルム1の切断部分のバリや、切断屑の発生を抑制できる。また、反りを抑えた状態で半導体ウェハ10を薄化できるので、半導体ウェハ10を破損せずに平坦化してダイシングテープ16を貼り付けることが可能となり、製造の歩留まりを確保できる。
【選択図】図4
Description
G*={(G’)2+(G”)2}1/2 …(1)
η=G*/2πf …(2)
フェノキシ樹脂(InChem社製、商品名PKHC)25重量部、三次元架橋性樹脂としてエポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名1032H60)25重量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ樹脂(旭化成株式会社製、商品名HX−3941HP)50重量部及びシランカップリング剤(東レ・ダウコーニング社製、商品名SH6040)1重量部を用い、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解し、接着層用樹脂組成物のワニスを得た。
厚み120μmの基材フィルムと厚み10μmの粘着剤層を用いたこと以外は、実施例1と同様に加工用フィルムを得た。この加工用フィルムを半導体ウェハに貼り付け、カッターナイフにより余剰部分を切断したところ、切り損じやバリは観察されなかった。続いて、半導体ウェハを研削装置に配置し、厚みが50μmとなるまで半導体ウェハの反対面をバックグラインドした。この場合も、回路面側が凸となるような緩やかな反りのある半導体ウェハが得られたが、これをフラットな形状に戻した状態で破損せずにダイシングテープ上に配置できた。
厚み40μmの基材フィルムを用いたこと以外は、実施例1と同様に加工用フィルムを得た。この加工用フィルムを半導体ウェハに貼り付け、カッターナイフにより余剰部分を切断したところ、切り損じやバリは観察されなかった。続いて、半導体ウェハを研削装置に配置し、厚みが50μmとなるまで半導体ウェハの反対面をバックグラインドした。加工用フィルムを貼り付けた面の側に反りのある半導体ウェハを得た。この場合も、回路面側が凸となるような緩やかな反りのある半導体ウェハが得られたが、これをフラットな形状に戻そうとしたところ、半導体ウェハが割れてしまい、ダイシングテープ上に配置することができなかった。
厚み150μmの基材フィルムを用いたこと以外は、実施例1と同様に加工用フィルムを得た。この加工用フィルムを半導体ウェハに貼り付け、カッターナイフにより余剰部分を切断したところ、ウェハ外周にバリと切削屑の発生が確認された。続いて、半導体ウェハを研削装置に配置し、厚みが50μmとなるまで半導体ウェハの反対面をバックグラインドした。加工用フィルムを貼り付けた面の側に反りのある半導体ウェハを得たが、半導体ウェハの反りが実施例1,2及び比較例1に比べて非常に大きいものであった。
Claims (5)
- 基材フィルム上に接着剤層を形成してなる長尺の加工用フィルムを準備し、半導体ウェハの回路面に前記加工用フィルムの前記接着剤層を貼り付けるフィルム貼付工程と、
前記半導体ウェハの反対面をバックグラインドすることにより、前記半導体ウェハを薄化する薄化工程と、
薄化された前記半導体ウェハの前記反対面にダイシングテープを貼り付けた後、前記加工用フィルム側から前記半導体ウェハをダイシングし、個片化された半導体チップを得るチップ化工程と、を備え、
前記フィルム貼付工程において、前記半導体ウェハの直径よりも大きい幅を有し、かつ前記基材フィルムの厚みが50μm〜120μmである加工用フィルムを前記半導体ウェハの前記回路面に貼り付け、
前記薄化工程の実施前に、前記半導体ウェハの前記回路面からはみ出ている前記加工用フィルムの余剰部分を除去することを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 前記基材フィルムの厚みは、60μm〜110μmであることを特徴とする請求項1記載の半導体チップの製造方法。
- 前記薄化工程において、前記半導体ウェハの厚みと前記基材フィルムの厚みとの比が1:0.5〜2.5となるように前記半導体ウェハの反対面をバックグラインドすることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体チップの製造方法。
- 前記加工用フィルムは、前記基材フィルムと前記接着剤層との間に粘着剤層を有し、
前記チップ化工程の後、前記接着剤層を残して前記半導体チップの回路面から前記基材フィルム及び前記粘着剤層を除去した後、前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程を更に備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体チップの製造方法。 - 基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層されてなり、半導体ウェハの回路面に貼り付けられる長尺の加工用フィルムであって、
前記半導体ウェハの直径よりも大きい幅を有し、かつ前記基材フィルムの厚みが50μm〜120μmであることを特徴とする加工用フィルム。
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