JP2006156754A - ダイシングダイボンドテープ - Google Patents

Abstract

【課題】 ピックアップする際には半導体素子と接着剤層とを容易に粘着剤層から剥離して使用することができ、半導体素子のダイレクトダイボンディングを可能とするダイシングダイボンドテープを提供する。
【解決手段】 基材フィルムの破断伸び率が５００％以下、破断強度が１０〜４０ＭＰａである基材フィルムを使用し、更に粘着剤と接する基材フィルム層がエチレン−酢酸ビニル共重合体であることによって、ダイシング時の切削性が向上できることを特徴とする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、シリコンウエハ等の半導体装置を製造するにあたり、ウエハ等を固定しダイシングするとともに、ダイシング後にリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程にも使用される半導体ウエハダイシングダイボンドテープに関する。

ＩＣなどの半導体装置の組立工程においては、パターン形成後の半導体ウエハ等は個々のチップに切断分離（ダイシング）する工程と、チップを基板等にマウントする工程、さらに樹脂等で封止する工程からなっている。
ダイシング工程は、半導体ウエハをあらかじめダイシングテープに貼り付けて固定した後、チップ形状に沿ってダイシングを行う。その後マウント工程が行われるが、近年前記ダイシングテープの粘着層にチップを基板にマウントするのに適した接着剤があらかじめ塗工されるか、ダイシング工程とマウント工程の両工程に適した粘接着剤が塗工された、いわゆるダイシングダイボンドテープが開発されている。前者の場合は、粘着層と接着層の間で剥離することによってマウント工程に供されるのに対し、後者の場合は、粘接着層と基材層の間で剥離することによってマウント工程に供されるのが一般的である。

いずれの場合も、ダイシングする際にはウエハが剥離したりしない十分な粘着力を必要とし、ピックアップの際には容易に剥離できる性質が要求される。
また、マウント工程においては、チップ−チップ間およびチップ−基板間において十分な接着力が要求され、各種のダイシングダイボンドテープが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。

特開２００２−２２６７９６号公報 特開２００２−１５８２７６号公報 特開２００４−１２３９６３号公報

これらのダイシングダイボンドテープは、ダイシング後、チップ裏面に接着剤層を付けたままでピックアップし、基板等にマウントした後加熱などにより硬化接着させるいわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、接着剤の塗布工程を省略できるようにするものである。
しかしながら、これらのダイシングダイボンドテープに用いられているフィルム状接着剤はエポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、一般のダイシングテープに用いられている粘着剤層と比較すると、軟らかく切削性が劣る傾向がある。そのため、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑やフィルム状接着剤のバリが多く発生する、ダイシング後のピックアップ工程でピックアップ不良をおこしやすい、ＩＣなどの半導体装置組立工程でのチップの接着不良が生じやすい、あるいはＩＣ等の不良品が発生してしまうという問題点があった。

そこで、本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、基材フィルムの破断伸び率が５００％以下、破断強度が１０〜４０ＭＰａである基材フィルムを使用し、更に粘着剤と接する基材フィルム層にエチレン−酢酸ビニル共重合体を使用することによって、ダイシング時の切削性が向上できることを見出したものである。

すなわち本発明は、
（１）基材フィルム上に粘接着剤層が形成されたダイシングダイボンドテープであって、該基材フィルムの破断伸び率が５００％以下で、かつ破断強度が１０〜４０ＭＰａであることを特徴とするダイシングダイボンドテープ、
（２）前記粘接着剤層と接する基材フィルム層がエチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする（１）記載のダイシングダイボンドテープ、
（３）前記粘接着剤層と接する基材フィルム層の酢酸ビニル含量が３〜２０質量％であることを特徴とする（２）記載のダイシングダイボンドテープ、
（４）前記粘接着剤層のうち基材フィルム層に接する層は粘着剤層であって、該粘着剤層に直接または間接に接着剤層が積層されてなる（１）〜（３）のいずれか１項記載のダイシングダイボンドテープ、
（５）前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることを特徴とする（４）記載のダイシングダイボンドテープ、
（６）半導体装置を製造するにあたり、ダイシング時にはダイシング用フレームに固定されて、ウエハを固定しダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用されるダイシングダイボンドテープであって、ダイシング用フレームに貼合される部分には接着剤層がないことを特徴とする（４）または（５）に記載のダイシングダイボンドテープ、






























を提供するものである。

本発明のダイシングダイボンドテープは、半導体ウエハに貼合してダイシングの際にはダイシングテープとして使用することができ、ウエハをダイシングする際のヒゲ状切削屑等が少なく良好な切削性を得ることができるという効果を奏するとともに、ピックアップする際には半導体素子と接着剤層とを容易に粘着剤層から剥離して使用することができ、半導体素子のダイレクトダイボンディングを可能とするものである。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１には、ダイシング用リングフレーム１２に本発明のダイシングダイボンドテープ１０が貼り付けられ、該リングフレーム内側に露出した該テープの粘接着面に半導体ウエハ１１が貼合された様子が示されている。
図１における本発明のダイシングダイボンドテープ１０は、基材フィルム１上に粘着剤層２、接着剤層３が順次この順に設けられた構造を有している。図１にはこのように粘着剤層２と接着剤層３が積層されて、粘接着剤層が形成されている場合が記載されているが、このような場合だけでなく、１層で粘接着の両方の性質を有する場合でもよい。本発明においては、前者の場合は粘着剤層２と接着剤層３の積層されたものを、粘接着剤層と称する。

本発明のダイシングダイボンドテープは、使用工程や装置に合せて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよく、ウエハ等が貼合される前のダイシングダイボンドテープは粘接着剤層を保護するためにカバーフィルムが設けられていてもよい。また、本発明のダイシングダイボンドテープは、ウエハ１枚分ごとに切断されていてもよいし、これを長尺にしたロール状であってもよい。
図２には、ダイシング用リングフレーム１２部分には、基材フィルム上に粘着剤層が形成されているだけであるが、該リングフレーム内側の半導体ウエハ貼合部分にのみ該粘着剤層上に接着剤層が形成された本発明のダイシングダイボンド用粘接着テープが示されている。本実施形態では、リングフレームには粘着剤層が貼合されているだけで、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。
次に、本発明のダイシングダイボンドテープの構成について順に説明する。

（基材フィルム）
本発明のダイシングダイボンドテープを構成する基材フィルムについて説明する。基材フィルムは複層でもよいし、単層で構成されていてもよい。ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑やフィルム状接着剤のバリを少なくするために基材フィルムの破断伸び率が５００％以下、破断強度が１０〜４０ＭＰａであることが好ましく、更に好ましくは伸び率が２００〜５００％でかつ破断強度が２０〜３５ＭＰａである。基材フィルムを構成する樹脂組成物としては上記物性値の範囲内であれば特に限定されるものではなく、従来公知の各種プラスチック、ゴムなどを用いることができる。

更に粘接着剤層と接する層がエチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとする樹脂組成物で形成されていることが好ましい。このようなエチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとする層が形成されていることにより、ダイシング時にはヒゲ状の切削屑やフィルム状粘接着剤のバリを少なくすることができる。その効果を発揮するためには、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸エチル含量が３質量％以上であることが好ましい。エチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとする樹脂組成物層は従来公知の方法により形成されるが、厚み精度の点からキャスティング方式が好ましい。その場合には、酢酸エチル含量が２０質量％以下であることが好ましい。製膜中にローラーへフィルムが転着することなく製膜が可能であるという点で、粘着剤層と接するエチレン−酢酸ビニル共重合体層の酢酸ビニル含量のさらに好ましい範囲は５〜２０％である。

後述の粘接着剤層として、放射線照射により硬化して粘接着力の制御を行うタイプのものを使用する場合には、基材フィルムは放射線透過性であることが好ましく、粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択することが好ましい。このような基材としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用しても良い。

なお、半導体ウエハをダイシング後、素子をピックアップする際に、ダイボンドダイシング用粘接着テープはエキスパンドすることが行われることがあるが、そのような場合には、素子間隙を大きくするために、ネッキング（基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましい。そのような場合には、例えばポリウレタンのほか、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができるが、特にモノマー成分としてスチレンを有する共重合体を使用する場合には、分子量やスチレン含有量を適宜選択することが好ましい。ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを選択することが好ましい。

さらには基材フィルムの粘接着剤層が設けられる側の表面には、粘接着剤層との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。なお、基材フィルムの粘着剤層が塗布されない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることによって、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材フィルムのネッキング防止などの効果が得られ、好ましい。

（粘接着剤層）
以上のように基材フィルムが形成された後、基材フィルム上にさらに粘接着剤層が形成され、本発明のダイシングダイボンド用粘接着テープが製造される。以下、基材フィルム上に粘着剤、接着剤が順次形成される粘接着剤層が積層タイプの場合について説明する。

（粘着剤層）
粘着剤層は、基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造してよい。本発明のダイシングダイボンドテープを構成する粘着剤層に特に制限はなく、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。

粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。

上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。

このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。

単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
単量体（（1）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。

化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（1）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（(1)−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。

化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。

以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。

次に 、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。

また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。

（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．４〜３重量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。

また、本発明において、粘着剤層には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。

さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。

（接着剤層）
本発明の好ましい一実施態様である、ダイシングダイボンドテープとしては前記の粘着剤層に接着剤層が積層された構成とすることができる。
なお、ここで接着剤層とは半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。

本発明のダイシングダイボンド用粘接着テープにおいて、接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの（以下、接着フィルムと言う。）を、基材フィルム上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンド用粘接着テープのカバーフィルムとして使用し、ウエハ等を貼合する際に剥離してもよい。また、接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層してもよい。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、本発明のダイシングダイボンドテープの使用時において、ウエハが貼合される部分には接着剤層があり、ダイシング用のリングフレームが貼合される部分には接着剤層がなく、粘着剤層に貼合されて使用される。一般に接着剤層は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。

次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
下記のように粘着剤層組成物、接着フィルムを調整し、各種基材フィルムに粘着剤層組成物を乾燥膜厚が表１に示す厚さとなるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥し、粘着テープを作製した。これらの粘着テープの粘着剤層上に接着フィルム３Ａ〜３Ｃを貼合し、表１、表２に示すような実施例１〜７、比較例１〜３のダイシングダイボンドテープを作製した。実施例８については基材フィルムに粘接着剤層組成物を乾燥膜厚が表１に示す厚さとなるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥し、ダイシングダイボンドテープを作製した。この際に、実施例１〜７、比較例１〜３については基材フィルムと粘着剤との密着性を良好とするため基材フィルムの表面改質処理としてコロナ処理を行った。実施例８についてはダイシング後に基材フィルムからの粘接着剤の剥離を容易とするために表面改質処理を行わなかった。これら実施例１〜８、比較例１〜３のダイシングダイボンドフィルムで各種特性評価を行った。

使用した材料を下記に示す。
基材フィルム１Ａ：エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含量５質量％）の単層フィルム
基材フィルム１Ｂ：エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含量２０質量％）の単層フィルム
基材フィルム１Ｄ：エチレン−酢酸ビニル共重合体 酢酸ビニル含量 ５質量％の層（厚さ５０μｍ）とポリプロピレン５０μｍ（日本ポリケム社製商品名 ＦＷ３Ｅ）の層を積層した２層構成のフィルム
基材フィルム１Ｅ：エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製 商品名ハイミラン１７０６）の単層フィルム
基材フィルム１Ｆ：エチレン−メタクリル酸共重合体（三井デュポン・ケミカル製 ニュクレル ０９０３ＨＣ）の層（厚さ５０μｍ）とエチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製商品名ハイミラン１７０６）の層（厚さ５０μｍ）を積層した２層構成のフィルム
基材フィルム１Ｇ：ポリプロピレン（日本ポリケム社製商品名ＦＷ３Ｅ）と水素添加してなるスチレン・ブタジエン共重合体（ＪＳＲ社製商品名ダイナロン１３２０Ｐ）を７：３の割合で混合してなる単層フィルム
基材フィルム１Ｈ：水素添加してなるスチレン・ブタジエン共重合体（ＪＳＲ社製商品名ダイナロン１３２０Ｐ）の層を両側からポリプロピレン（日本ポリケム社製商品名 ＦＷ３Ｅ）の層で挟んだ３層構成のフィルム
基材フィルム１Ｉ：ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン社製商品名 テトロン）を使用した基材フィルム

粘着剤層組成物の調製
（粘着剤組成物２Ａ）
溶媒のトルエン４００ｇ中に、ｎ−ブチルアクリレート１２８ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート３０７ｇ、メチルメタアクリレート６７ｇ、メタクリル酸１．５ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物（１）の溶液を得た。
次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（２）として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した２−ヒドロキシエチルメタクリレート２．５ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、表１に示すヨウ素価、分子量、ガラス転移点をもつ放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）の溶液を得た。続いて、化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対してポリイソシアネート（Ｂ）として日本ポリウレタン社製：コロネートＬを１質量部を加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を０．５質量部、溶媒として酢酸エチル１５０質量部を化合物（Ａ）溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物２Ａを調製した。

（粘着剤組成物２Ｂ）
アクリル樹脂（質量平均分子量：６０万、ガラス転移温度−２０℃）１００質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン（株）製、商品名：コロネートＬ）１０質量部を混合して粘着剤組成物２Ｂを得た。

接着フィルムの作製
（接着フィルム３Ａ）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間混練した。
これにアクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５部、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）２．５部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
接着剤を厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が４０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルム３Ａを作製した。

（接着剤３Ｂ）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体１部とした以外は接着フィルム３Ａの作製と全く同様の操作を行い、接着フィルム３Ｂを作製した。

（接着剤３Ｃ）
硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部とし、キュアゾール２ＰＺにかえてキュアゾール２ＰＨＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニル-4,5−ジヒドロキシイミダゾール）２．５質量部とした以外は接着フィルム３Ａの作成と全く同様の操作を行い、接着フィルム３Ｃを作製した。

粘接着フィルムの作製
（粘接着フィルム１Ｄ）
エチルアクリレート、メタクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレートがモル比で８０：５：１５からなる重量平均分子量２３万のアクリル系共重合体に２−イソシアネートエチルメタクリレートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対してモル比で６０％付加反応させた紫外線硬化性アクリル系共重合体１００質量部とポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン（株）製、商品名コロネートＬ）３質量部、エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名エピコート１００２）３００質量部を攪拌混合し、真空脱気し、粘接着剤を得た。接着剤を厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が４０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた粘接着フィルム１Ｄを作製した。

特性評価
表１に示すような実施例１〜８、比較例１〜３のダイシングダイボンド用粘接着テープを作製し、破断伸び率、破断強度、チップ表面、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、ピックアップ成功率特性評価を下記のようにおこなった。

（基材フィルム破断伸び率、基材フィルム破断強度）
実施例および比較例に使用した基材フィルムを、ＪＩＳ Ｋ ７１２７（プラスチックフィルム及びシートの引張試験方法）の引張試験方法に準拠し、２３±２℃の温度、 ５０±５％の湿度、５０ｍｍの標線間距離及びつかみ間距離、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で試験を行ない、機械加工方向（ＭＤ）における測定値である。

（チップ表面のヒゲ状切削屑の数、および基材上のヒゲ状切削屑の数）
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ１００μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウエハを７０℃×１０秒で加熱貼合した後、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＡＤ３４０）を使用し回転数４００００ｒｐｍ、カットスピード１００ｍｍ/ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍにダイシングした。その後、シリコンウエハ中央部のチップ１００個分について、チップ表面のヒゲ状切削屑数を顕微鏡観察によりカウントし、チップ表面のヒゲ状切削屑の数とした。また、シリコンウエハ中央部の接着剤が転着したチップ１００個分を剥離後のテープ上のヒゲ状切削屑数をシリコンウエハ中央部のチップ１００個分について、顕微鏡観察によりカウントし、基材上のヒゲ状切削屑数とした。

（接着剤のバリの有無）
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚さ１００μｍ直径２００ｍｍのシリコンウエハを７０℃×１０秒で加熱貼合した後、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＡＤ３４０）を使用し回転数４００００ｒｐｍ、カットスピード１００ｍｍ/ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍにダイシングした。その後、ダイボンド剤が転着したチップの側面の接着剤のバリの有無をシリコンウエハ中央部のチップ２０個について、顕微鏡観察により接着剤のバリの有無を調査した。

（ピックアップ成功率）
実施例および比較例によって得られるダイシングダイボンドフィルムに厚み１００μｍのシリコンウエハを７０℃×１０秒で加熱貼合した後、１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングした。その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ²照射した後、シリコンウエハ中央部のチップ５０個についてダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製、商品名ＣＰＳ−１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。

それぞれの実施例、比較例における基材フィルム破断伸び率、基材フィルム破断強度、チップ表面、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、ピックアップ成功率を表１、表２にまとめた。

エチレン-酢酸ビニル共重合体を使用しなかった比較例１〜３のテープを使用した場合には、ダイシング時に接着剤のバリが生じた。さらに、比較例１〜３のテープを使用した場合にはチップ上、基材上のヒゲ切削屑の数が共に実施例に比べかなり多いものとなった。

実施例１〜８のダイシングダイボンドテープを用いてシリコンウエハをダイシングして得られた、５ｍｍ×５ｍｍの大きさのＩＣチップを、ダイボンダーを用いてリードフレーム上にダイレクトマウントした後、１７０℃、２時間の条件で加熱を行いリードフレームとＩＣチップとを強固に接着できていることを確認した。

本発明のダイシングダイボンドテープに半導体ウエハとダイシング用フレームが貼合された様子を示す図である。 本発明のその他の実施形態のダイシングダイボンドテープに半導体ウエハとダイシング用フレームが貼合された様子を示す図である。

符号の説明

１： 基材フィルム
２： 粘着剤層
３： 接着剤層
１０：ダイシングダイボンドテープ
１１：半導体ウエハ
１２：ダイシング用リングフレーム

Claims (6)

1. 基材フィルム上に粘接着剤層が形成されたダイシングダイボンドテープであって、該基材フィルムの破断伸び率が５００％以下で、かつ破断強度が１０〜４０ＭＰａであることを特徴とするダイシングダイボンドテープ。
2. 前記粘接着剤層と接する基材フィルム層がエチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする請求項１記載のダイシングダイボンドテープ。
3. 前記粘接着剤層と接する基材フィルム層の酢酸ビニル含量が３〜２０質量％であることを特徴とする請求項２記載のダイシングダイボンドテープ。
4. 前記粘接着剤層のうち基材フィルム層に接する層は粘着剤層であって、該粘着剤層に直接または間接に接着剤層が積層されてなる請求項１〜３のいずれか１項記載のダイシングダイボンドテープ。
5. 前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることを特徴とする請求項４記載のダイシングダイボンドテープ。
6. 半導体装置を製造するにあたり、ダイシング時にはダイシング用フレームに固定されて、ウエハを固定しダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用されるダイシングダイボンドテープであって、ダイシング用フレームに貼合される部分には接着剤層がないことを特徴とする請求項４または５に記載のダイシングダイボンドテープ。
   

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