TWI760315B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI760315B
TWI760315B TW105135245A TW105135245A TWI760315B TW I760315 B TWI760315 B TW I760315B TW 105135245 A TW105135245 A TW 105135245A TW 105135245 A TW105135245 A TW 105135245A TW I760315 B TWI760315 B TW I760315B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protective film
layer
thermosetting resin
semiconductor wafer
support sheet
Prior art date
Application number
TW105135245A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201735195A (zh
Inventor
山岸正憲
佐藤明徳
堀米克彦
Original Assignee
日商琳得科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商琳得科股份有限公司 filed Critical 日商琳得科股份有限公司
Publication of TW201735195A publication Critical patent/TW201735195A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI760315B publication Critical patent/TWI760315B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本發明之半導體裝置之製造方法具備：(I)將依序設置有第1支持片(23)和熱硬化性樹脂層(25)之第1保護膜形成用薄膜(20)，以將熱硬化性樹脂層(25)作為貼合面之方式，貼合在半導體晶圓(10)之設置有凸塊(11)之表面(10A)的工程；(II)從熱硬化性樹脂層(25)剝離第1支持片(23)的工程；(III)加熱熱硬化性樹脂層(25)並使硬化，形成保護膜的工程；及(IV)與熱硬化性樹脂層或保護膜同時切割半導體晶圓(10)的工程。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於半導體裝置之製造方法，詳細而言，關於使用以保護膜至少保護凸塊的半導體晶片的半導體裝置之製造方法。
以往，進行使用被稱為倒裝方式之安裝法的半導體裝置之製造。在倒裝方式中，在半導體晶片之表面形成被稱為凸塊的電極部，同時使其晶片表面與基板等相向，而在基板上搭載半導體晶片。
在倒裝方式中被使用之半導體晶圓或半導體晶片，為了各種目的，有在設置有凸塊之晶圓表面，設置持有各種功能的樹脂層之情形。再者，半導體晶圓一般係在背面被研削時，為了保護晶圓之表面，黏貼有背面研磨片。因此，以往，有使用將背面研磨片和各種樹脂層予以疊層而成為一體化的疊層片之情形。
專利文獻1中，作為如此之疊層片，揭示具備與電路面相接的熱硬化性樹脂層，和直接被疊層在該層上，具有柔軟性之熱可塑性樹脂層，和進一步被疊層在熱 可塑性樹脂層上，以樹脂薄膜等所構成之最外層者。該疊層片係於背面研削時被黏貼於半導體晶圓而保護半導體晶圓。再者，於背面研削後，熱可塑性樹脂層和最外層從熱硬化性樹脂層被剝離，另外，殘留在半導體晶圓上之熱硬化性樹脂層，係於半導體晶片被搭載於基板之後被硬化而當作密封樹脂而被使用。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2005-28734號公報
但是，被設置在晶圓表面之凸塊係應力集中於作為半導體晶圓和凸塊之連接部分的凸塊頸，而容易引起破損。因此，探討著與密封樹脂不同另外在晶圓表面形成保護膜。探討保護膜在對疊層於晶圓表面之熱硬化性樹脂層進行例如樹脂密封之前施予加熱硬化而形成。
但是，熱硬化性樹脂係藉由加熱使流動化，另外，其樹脂之流動由於凸塊被阻礙，有難以成為均勻之膜厚的情形。在保護膜之膜厚無法均勻之情況下，凸塊頸之埋入變得不充分，有無法適當地保護凸塊頸之情形。
本發明係鑑於上述問題點而研究出，本發明之課題在於提供一種半導體裝置之製造方法，其係在具有 凸塊之半導體晶圓中，藉由具有均勻膜厚之保護膜，確保凸塊頸之埋入性而可以適當地保護凸塊。
本發明者們找出藉由在半導體晶圓之設置有凸塊之表面(凸塊面)上，貼合被支持於支持片之熱硬化性樹脂層，並且在被支持於支持片之狀態下使熱硬化性樹脂層硬化，可以抑制加熱硬化時之熱硬化性樹脂之流動性而使樹脂層之厚度維持均勻之狀態，而完成以下之本發明。本發明提供以下的(1)~(8)。
(1)一種半導體裝置之製造方法，具備：(I)將依序設置有第1支持片和熱硬化性樹脂層之第1保護膜形成用薄膜，以將上述熱硬化性樹脂層作為貼合面之方式，貼合在半導體晶圓之設置有凸塊之表面的工程；(II)加熱上述熱硬化性樹脂層而使其硬化，形成保護膜的工程；(III)從使上述熱硬化性樹脂層硬化而形成的上述保護膜，剝離上述第1支持片的工程；及(IV)與上述保護膜同時切割上述半導體晶圓的工程。
(2)如上述(1)所記載之半導體裝置之製造方法，其中進一步具備： (A-1)在半導體晶圓之背面貼合第2保護膜形成層的工程；(A-2)加熱上述第2保護膜形成層，而形成第2保護膜的工程；及(A-3)在上述半導體晶圓之背面上之上述第2保護膜形成層，或第2保護膜之上面進一步貼合第2支持片的工程。
(3)如上述(1)所記載之半導體裝置之製造方法，其中進一步具備：(B-1)將具備第2支持片和被設置在上述第2支持片上之第2保護膜形成層的第2保護膜形成用薄膜，以使上述第2保護膜形成層成為貼合面之方式，貼合在上述半導體晶圓之背面的工程；和(B-2)加熱上述第2保護膜形成層，而形成第2保護膜的工程。
(4)如上述(2)或(3)所記載之半導體裝置之製造方法，其中同時加熱上述熱硬化性樹脂層及上述第2保護膜形成層，而使該些層予以熱硬化。
(5)如上述(1)~(4)中之任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述第1支持片於工程(II)之加熱後之接著力為10N/25mm未滿。
(6)如上述(1)~(5)中之任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述第1支持片具備第1基材和被 設置在上述第1基材之一方之表面上的第1黏著劑層，在上述第1黏著劑層之上面設置有上述熱硬化性樹脂層。
(7)如上述(6)所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度在向上述半導體晶圓貼合上述第1保護膜形成用薄膜之時的溫度下，為1×102Pa．S以上2×104Pa．S未滿，上述第1黏著劑層之剪切彈性率在向上述半導體晶圓貼合上述第1保護膜形成用薄膜之時的溫度下，為1×103Pa以上2×106Pa以下。
(8)如上述(1)~(7)中之任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述熱硬化性樹脂層具有凸塊高度之0.01~0.99倍的厚度。
在本發明中，提供使保護膜之膜厚均勻，並且藉由將凸塊頸埋入至保護膜內部，可以藉由保護膜保護凸塊之半導體裝置之製造方法。
10‧‧‧半導體晶圓
11‧‧‧凸塊
15‧‧‧半導體晶片
20‧‧‧第1保護膜形成用薄膜
21‧‧‧第1基材
22‧‧‧第1黏著劑層
23‧‧‧第1支持片
25‧‧‧熱硬化性樹脂層
25A‧‧‧保護膜
30‧‧‧第2保護膜形成用薄膜
31‧‧‧第2基材
32‧‧‧第2黏著劑層
33‧‧‧第2支持片
35‧‧‧第2保護膜形成層
35A‧‧‧第2保護膜
40‧‧‧晶片搭載用基板
圖1為表示在表面形成有凸塊之半導體晶圓的示意性剖面圖。
圖2為表示第1保護膜形成用薄膜的示意性剖面圖。
圖3為表示對黏貼有第1保護膜形成用薄膜之半導體 晶圓進行加熱之工程的示意性剖面圖。
圖4為表示第1支持片被剝離之後的半導體晶圓的示意性剖面圖。
圖5為表示進行切割之時的半導體晶圓的示意性剖面圖。
圖6為表示將進行個片化而成的半導體晶片載置在晶片搭載用基板之時之樣子的示意性剖面圖。
圖7為表示在表面形成保護膜，且在背面疊層第2保護膜形成層之半導體晶圓的示意剖面圖。
圖8為表示對分別在表面及背面形成有保護膜及第2保護膜之半導體晶圓進行切割之工程的示意圖。
圖9為表示對分別在表面及背面疊層第1保護膜形成用薄膜及第2保護膜形成層之半導體晶圓進行加熱之工程的示意圖。
圖10為表示第2保護膜形成用薄膜的示意性剖面圖。
圖11為表示在表面形成保護膜，且在背面貼合第2保護膜形成用薄膜之半導體晶圓的示意剖面圖。
圖12為表示對分別在表面及背面設置第1保護膜形成用薄膜及第2保護膜形成用薄膜之半導體晶圓進行加熱之工程的示意圖。
以下，針對本發明使用實施型態進行具體性 說明。
(第1實施型態)
在本製造方法中所使用之半導體晶圓10係如圖1所示般，在表面10A設置有凸塊11的具有凸塊之晶圓。凸塊11通常設置有複數。半導體晶圓10並不特別限定，即使為矽晶圓亦可，即使為陶瓷、玻璃、藍寶石系等之晶圓亦可。半導體晶圓10之厚度雖然不特別限定，但以0.625~0.825mm為佳。凸塊11之材料並不特別限定，使用各種金屬材料，以使用焊料為佳。再者，凸塊11之形狀並不特別限定，即使如圖1所示般為圓型亦可，即使為其他任何形狀亦可。再者，凸塊11之高度雖然不限定，但是通常為5~1000μm，以50~500μm為佳。
本發明之第1實施型態之半導體裝置之製造方法至少具有以下之工程。
(I)將依序設置有第1支持片和熱硬化性樹脂層的第1保護膜形成用薄膜，以將熱硬化性樹脂層作為貼合面之方式，貼合在半導體晶圓之設置有凸塊之表面的工程；(II)加熱熱硬化性樹脂層而使其硬化，形成保護膜的工程；及(III)從使上述熱硬化性樹脂層硬化而形成的上述保護膜，剝離上述第1支持片的工程；及(IV)與保護膜同時切割半導體晶圓的工程。
以下，針對本實施型態之製造方法對每工程 進行詳細說明。
〔工程(I)〕
在工程(I)中，首先如圖2所示般，準備具備有第1支持片23，和被設置在第1支持片23之上的熱硬化性樹脂層25的第1保護膜形成用薄膜20。而且，將第1保護膜形成用薄膜20，如圖3所示般，以將熱硬化性樹脂層25作為貼合面之方式，貼合於半導體晶圓10之表面(凸塊面)10A。
在此，在第1保護膜形成用薄膜20中，第1支持片23如圖2所示般，具備第1基材21，和被設置在第1基材21之一方之表面的第1黏著劑層22，同時雖然熱硬化性樹脂層25為被黏貼於第1黏著劑層22之上者亦可，但是即使為省略第1黏著劑層22，在第1基材21之上面直接黏貼熱硬化性樹脂層25者亦可。再者，即使第1基材21之一方之表面被進行表面處理，或是在第1支持片23設置有黏著劑層以外之層，隔著其層或表面處理面而被黏貼於熱硬化性樹脂層25亦可。而且，即使在第1黏著劑層22和第1基材21之間設置有中間層亦可。
再者，即使在第1保護膜形成用薄膜20之熱硬化性樹脂層25之上，進一步黏貼有剝離材(無圖示)亦可。剝離材係保護熱硬化性樹脂層25直至使用第1保護膜形成用薄膜20之時為止。剝離材係第1保護膜形成用薄膜20被黏貼於半導體晶圓10之前從第1保護膜形成 用薄膜20被剝離且被除去。
第1黏著劑層22雖然係從各種之黏著劑被形成，但是即使藉由利用照射能量線進行硬化，且相對於被著體的接著力下降的能量線硬化型黏著劑而形成亦可。
因此，第1支持片23以具有耐熱性為佳。即是，作為構成第1支持片23之第1基材21，以藉由工程(II)之加熱，不會熔融，或顯著收縮之基材為佳。再者，具有耐熱性之第1支持片23係即使在特定時進行加熱，相對於被著體之接著性也不會變高者。具體而言，具有耐熱性之第1支持片23係以工程(II)之加熱後之接著力成為10N/25mm未滿者。再者，為了使相對於加熱後之第1保護膜25A之接著力更適當，第1支持片23之工程(II)之加熱後之接著力以0.3~9.8N/25mm為佳，以0.5~9.5N/25mm為更佳。
另外，上述加熱後之接著力係指在以能量線硬化型黏著劑形成黏著劑層之情況下，以與被實施的製造方法相同之時序及條件，對黏著劑層照射能量線而進行硬化，並且以與被實施的製造方法相同之時序及條件，對黏著劑層進行加熱之時的接著劑之意。在被實施的製造方法中，於工程(II)之加熱後，在照射能量線之情況下，於加熱後，對黏著劑層照射能量線而測量接著力之時的值。另外，在被實施的製造方法中，於工程(II)之加熱前，在照射能量線之情況下，於加熱前，對黏著劑層照射能量線而測量接著力之時的值。再者，接著劑測量時之第1支 持片之加熱係在第1支持片黏著於作為被著體之熱硬化性樹脂層之狀態下進行，藉由其加熱，熱硬化性樹脂層被硬化而成為保護膜。接著力之測量方法之詳細如同在實施例之記載。
第1保護膜形成用薄膜20向半導體晶圓10的貼合，係以在貼合溫度30~150℃下被進行為佳，且在40~100℃下被進行為更佳。
再者，第1保護膜形成用薄膜20之黏貼係以一面進行加壓一面進行為佳，例如以一面藉由壓接輥等之推壓手段施予推壓一面進行為佳。或是，即使藉由真空層壓機，將第1保護膜形成用薄膜20壓接於半導體晶圓10亦可。
半導體晶圓10係當第1保護膜形成用薄膜20被黏貼時，如圖3所示般，凸塊11穿通熱硬化性樹脂層25而突出至第1支持片23側。如此一來，利用使凸塊11突出至第1支持片23側，藉由後述回焊，使凸塊11接觸於晶片搭載用基板上之電極等而進行固定成為容易。
但是，凸塊11係不突出至第1支持片23側，即使成為被埋入至熱硬化性樹脂層25之內部的狀態亦可。即使為如此之狀態，在工程(II)等，藉由加熱使熱硬化性樹脂層25流動而使凸塊11突出即可。
第1支持片23具備基材21，和被設置在基材21之一方之表面的第1黏著劑層22，在第1黏著劑層22之上面設置有熱硬化性樹脂層25之情況下，熱硬化性樹脂層25之熔融黏度在向半導體晶圓10貼合第1保護膜形 成用薄膜20之時的溫度(貼合溫度)下，為1×102Pa．S以上2×104Pa．S未滿，同時第1黏著劑層22之剪切彈性率在貼合溫度下，為1×103Pa．S以上2×106Pa．S以下為佳。再者，以熱硬化性樹脂層25之上述熔融黏度為1×103Pa．S以上1×104Pa．S未滿，第1黏著劑層22之上述剪切彈性率為1×104Pa以上5×105Pa以下為更佳。
在貼合溫度下，藉由將第1黏著劑層22之剪切彈性率，和熱硬化性樹脂層25之熔融黏度設為上述範圍內，藉由熱硬化性樹脂層25埋入作為凸塊11之根部部分的凸塊頸，並且容易使凸塊11之前端從熱硬化性樹脂層25突出。還有，也防止於後述之工程(II)之加熱時，熱硬化性樹脂層25過於流量之情形。
熱硬化性樹脂層25之熔融黏度例如能夠藉由變更後述的熱硬化性樹脂組成物中之各材料的摻合量或各材料之種類而做調整。另外，第1黏著劑層22之剪切彈性率能夠藉由變更黏著劑之種類而做調整。而且，第1黏著劑層22係在以能量線硬化型黏著劑形成之情況下，藉由將第1支持片33黏貼於半導體晶圓10之前，照射能量線，使其部分性地或完全硬化，能夠調整剪切彈性率。
另外，熱硬化性樹脂層之熔融黏度係使用流變儀(HAAKE公司製，RS-1)，藉由平行板測量出的值。更詳細而言，在間隙100μm、旋轉圓錐直徑20mm、旋轉速度10s-1之條件下，在室溫至250℃之範圍下進行測量之時的值。
再者，黏著劑層之剪切彈性率係形成厚度0.2mm之黏著劑層，且使用剪切彈性率測量裝置(Rheometric公司製造，ARES)而測量出者。具體而言，將温度設為與貼合温度相同的温度，在頻率1Hz、板徑7.9mm
Figure 105135245-A0202-12-0012-14
及歪斜1%之條件下測量剪切彈性率者。再者，於貼合時，在黏著劑層藉由能量線被硬化之情況下，在相同之條件下使黏著劑層硬化而測量剪切彈性率。
熱硬化性樹脂層25以具有凸塊11之高度(凸塊高度)之0.01倍~0.99倍之厚度為佳。藉由將熱硬化性樹脂層25之厚度設為凸塊高度之0.01倍以上，將凸塊頸埋入保護膜內部，成為容易防止凸塊頸之破損。再者，藉由設為0.99倍以下，成為容易使凸塊之前端從熱硬化性樹脂層25突出。從該些觀點可知，熱硬化性樹脂層25以具有凸塊高度之0.1倍~0.9倍之厚度為更佳。
另外，熱硬化性樹脂層25之厚度雖然不限定，但是通常為5~500μm，以10~100μm為佳。
〔工程(II)〕
於上述工程(I)之後，對被疊層在半導體晶圓10之表面10A的熱硬化性樹脂層25進行加熱(工程(II))。該加熱係如圖3所示般，以藉由將疊層有第1保護膜形成用薄膜20(即是，第1支持片23和熱硬化性樹脂層25)之半導體晶圓10，配置在例如加熱爐等之內部而進行加熱來進行為佳。由於熱硬化性樹脂層25含有 熱硬化性樹脂，故藉由上述加熱被熱硬化，成為保護膜25A(參照圖4)。
上述加熱條件若熱硬化性樹脂層25所含有的熱硬化性樹脂被硬化時則不特別限定，例如在80~200℃，30~300分鐘期間，最佳為100~180℃，60~200分鐘期間進行。
〔工程(III)〕
在工程(II)之加熱之後，在工程(III)中，從保護膜25A剝離被黏貼在半導體晶圓10之表面的第1支持片23。該剝離後，保護膜25A如圖4所示般，成為殘留在半導體晶圓10上的原樣。
在此，第1支持片23在如上述般具有耐熱性之情況下，即使加熱，也不會有相對於保護膜25A之接著力顯著提升之情形。因此，即使在工程(II)之加熱之後，第1支持片23亦能夠容易從保護膜25A剝離。
於第1黏著劑層22藉由能量線硬化型黏著劑被形成之情況下，在工程(III)中從半導體晶圓10剝離第1支持片23之前，對第1黏著劑層22照射能量線先使第1黏著劑層22硬化。第1黏著劑層22藉由能量線照射而進行硬化，由於接著力下降，故成為在與熱硬化性樹脂層25之界面可以容易剝離。
對第1黏著劑層22照射能量線而使其硬化之時序並不特別限定，即使於將第1支持片23黏貼於半導體晶圓 10之前事先使其硬化亦可。再者，即使在貼黏於半導體晶圓10之後亦可，例如即使在工程(II)和工程(III)之間進行亦可。再者，第1黏著劑層22即使例如將第1支持片23黏貼於半導體晶圓10之前，以不完全硬化之程度照射能量線而使接著劑下降，同時在黏貼於半導體晶圓10之後，進一步照射能量線使更進一步硬化，而使接著力更加下降亦可。
〔工程(IV)〕
接著，將在凸塊面形成有保護膜25A之半導體晶圓10如圖5所示般，藉由切割進行分割，而個片化成複數的半導體晶片15。在該工程中，保護膜25A與半導體晶圓10同時配合半導體晶片15之形狀而被分割。
作為切割方法，並不特別限定，可以使用刀刃切割、隱形雷射切割、雷射切割等之眾知的方法，例如藉由以貫通保護膜25A及半導體晶圓10之方式，設置切溝17而進行者。
切割係例如圖5所示般，藉由在半導體晶圓10之背面10B側黏貼第2支持片33而支持半導體晶圓10，同時從半導體晶圓10之表面10A側設置切溝17而進行。
第2支持片33在圖5之構成中，具備第2基材31，和被設置在第2基材31之一方之表面上的第2黏著劑層32，隔著第2黏著劑層32而被黏貼在半導體晶圓10。但是，第2支持片33即使省略第2黏著劑層32亦 可，被接著於第2基材31之半導體晶圓10之側的表面被進行表面處理，或是設置黏著劑層以外之層以取代黏著劑層，隔著其層或表面處理面而貼合於半導體晶圓10之背面側亦可。再者，即使在第2黏著劑層32和第2基材31之間進一步設置有中間層(無圖示)亦可。
第2支持片33係以較半導體晶圓10大一圈，並且其中央區域被黏貼在半導體晶圓10，同時外周區域不黏貼在半導體晶圓10，而被黏貼在支持構件13為佳。支持構件13可舉出在切割時等，用以支持第2支持片33之構件，例如環框架。
另外，第2支持片33向支持構件13的黏貼即使無須直接黏貼第2黏著劑層32，在第2支持片33之外周區域設置再剝離接著劑層等，而藉由其再剝離接著劑層等進行黏貼亦可。
第2黏著劑層32雖然從各種黏著劑形成，但是即使藉由能量線硬化型黏著劑形成亦可。於藉由能量線硬化型黏著劑形成之情況下，於後述的拾取之前，至少對貼合於第2黏著劑層32之半導體晶圓10之背面側的區域(中央區域)，事先照射能量線，而使第2黏著劑層32硬化而降低相對於半導體晶圓10之背面的接著力。照射能量線之時序並不特別限定，即使在貼合於半導體晶圓10之前進行亦可，即使於切割後，拾取之前進行亦可。
另外，即使外周區域不進行能量線照射亦可，即使以朝向支持構件13的接著為目的，先將接著劑維持在高的 狀態亦可。
在本實施型態中，於切割之後，拾取半導體晶片15，而藉由回焊安裝於晶片搭載用基板等之後，進一步經過藉由密封樹脂密封半導體晶片15和晶片搭載基板之間的間隙等之所需工程，製造半導體裝置。
在此，拾取之方法並不特別限定，例如有經由第2支持片33而藉由插銷等從背面側上推半導體晶片15，而從第2支持片33剝離半導體晶片15而藉由真空收集器等進行拾取之方法。
拾取的半導體晶片15例如以以下之方法安裝於晶片搭載用基板等。
即是，如圖6所示般，半導體晶片15係以其表面(即是，凸塊面)與晶片搭載用基板40相向之方式，被配置在晶片搭載用基板40之特定位置。而且，藉由回焊，凸塊11被固定在晶片搭載用基板40，半導體晶片15和晶片搭載用基板40被電性導通。另外，在回焊中，例如使被設置在基板40上之焊料等之導電材(無圖示)熔融，藉由其導電材，使凸塊11熔接於晶片搭載用基板40之電極等。
回焊係例如藉由將晶片搭載用基板40，和被配置在其基板40上之半導體晶片15配置在加熱爐之內部而進行加熱而進行。在回焊中之加熱係在例如120~300℃之氛圍下，且0.5~5分鐘，最佳為160~260℃之氛圍下，1~2分鐘下進行者。
在本實施型態之製造方法中，半導體晶圓10係以進行背面研削為佳。背面研削係在將第1支持片23黏貼於半導體晶圓10之表面10A側之狀態下進行。即是，半導體晶圓之背面研削係在工程(I)和工程(III)之間進行。依此，第1支持片23不僅係用以支持熱硬化性樹脂層25之薄片，也可當作於背面研削時保護凸塊面之背面研削片使用。再者，半導體晶圓10之背面研削在工程(I)和工程(II)之間進行為佳。
半導體晶圓之背面研削係藉由例如將黏貼有第1支持片23之半導體晶圓10的表面側，固定在夾具平台等之固定平台上，藉由研磨機等對背面10B進行研削而進行。晶圓10之研削後之厚度並不特別限定，通常為5~450μm，以20~400μm程度為佳。
接著，針對在本製造方法中所使用之各構件之材料進行詳細說明。
(熱硬化性樹脂層)
熱硬化性樹脂層25係至少包含熱硬化性樹脂，同時能夠接著於晶圓10，藉由在後述之加熱硬化工程中被加熱，成為保護膜25A。
作為熱硬化性樹脂層25所使用之熱硬化性樹脂，可舉出環氧樹脂、苯酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、矽氧樹脂、熱硬化聚醯亞胺樹脂等。熱硬化樹脂可以單獨或合併使用2種以上。作為熱硬化樹脂，尤 其以使半導體元件腐蝕之含離子性雜質等少的環氧樹脂為佳。再者，作為熱硬化性樹脂，也可以含有硬化劑，例如作為環氧樹脂之硬化劑，可以適合使用酚樹脂。
另外，在熱硬化性樹脂層25中，熱硬化樹脂相對於熱硬化性樹脂層(即是，熱硬化樹脂組成物)全量，較佳為5~70質量%，更佳為10~50質量%。
再者，熱硬化性樹脂層25除熱硬化性樹脂以外以由含有熱可塑性樹脂及填充材之熱硬化性樹脂組成物構成為佳。
作為熱可塑性樹脂，雖然可以使用丙烯酸系樹脂、聚脂樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸聚氨酯樹脂、矽氧樹脂、橡膠系聚合物、苯氧基樹脂等，但是該些中，以丙烯酸樹脂為佳。
在熱硬化性樹脂層中之熱硬化樹脂相對於熱硬化性樹脂層(即是，熱硬化樹脂組成物)全量，較佳為1~50質量%，更佳為5~40質量%。
再者，作為填充材，可舉出從二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼等之粉末，使該些成為球形化之圓珠、單結晶纖維及玻璃纖維等選擇出的無機填充物，在該些之中，以二氧化矽填充物或氧化鋁填充物為佳。
在熱硬化性樹脂層中之填充材相對於熱硬化性樹脂層(即是，熱硬化樹脂組成物)全量，較佳為5~75質量%，更佳為10~60質量%。
再者，熱硬化性樹脂組成物分別除了上述成分之外，即使含有硬化促進劑、耦合劑、顏料、染料等之著色劑之其他的添加劑亦可。
作為硬化促進劑並不特別限制，例如可以使用從胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等選擇出之至少一種。再者，作為耦合劑，能夠使用矽烷耦合劑。
(第1及第2基材)
作為第1基材21，雖然可以使用樹脂薄膜，但如上述般以使用具有耐熱性者為佳。構成第1基材21之樹脂薄膜即使為由一種樹脂薄膜所構成之單層薄膜亦可，即使為疊層複數樹脂薄膜的複層薄膜亦可。
作為具體的樹脂薄膜，可舉出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁稀薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-冰片稀共聚物薄膜、冰片稀樹脂薄膜等之聚烯烴系薄膜；乙烯-醋酸乙烯共聚薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等之乙烯系共聚物系薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等之聚氯乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜等之聚酯系薄膜；聚胺基甲酸酯系薄膜，聚酰亞胺系薄膜、聚醯胺系薄膜，聚縮醛膜系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚苯乙烯系薄膜、氟樹脂薄膜、改質聚氧化二甲苯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜，聚碸系薄膜等。再者，也使 用該些的架橋薄膜、離子聚合物般之改質薄膜。
在該些之中，作為第1基材21所使用之樹脂薄膜，以聚酯系薄膜、雙軸延伸聚丙烯薄膜、聚醯亞胺系薄膜、以及聚醯胺系薄膜為佳，以聚酯系薄膜為更佳，以聚對苯二甲酸乙二酯薄膜為最佳。該些樹脂薄膜由於具有耐熱性，並且剛性高，故防止在工程(II)中熱硬化性樹脂層23流動之情形，且防止膜厚成為不均勻之情形。
再者，作為第2支持片33所使用之第2基材31，以使用樹脂薄膜為佳。在第2基材33雖然能從上述樹脂薄膜適當選擇而加以使用，但是第2基材31不需要具有耐熱性，再者也無須使成為高剛性。另外，第1及第2基材31、33所使用之基材即使使用互相相同者亦可，即使使用不同者亦可。再者，第1及第2基材21、31係在分別構成第1及第2黏著材層22、23之黏著劑為能量線型硬化性黏著劑之情況下，以穿透能量線者為佳。
第1及第2基材21、31之厚度分別為例如10~300μm，較佳為15~200μm。
(第1及第2黏著劑層)
雖然分別形成第1及第2黏著劑層22、32之黏著劑並不特別限定，但是可以舉出丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、氨基甲酸酯系黏著劑、聚烯烴系黏著劑、乙烯烷基醚系黏合劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑、乙烯-二烯共聚物系黏著劑等，其中 以丙烯酸系黏著劑為佳。例如，當第1黏著劑層22使用丙烯酸系黏著劑時，容易將黏著劑層之剪切彈性率設為上述範圍。
黏著劑通常除了丙烯酸系樹脂、橡膠成分、矽氧系樹脂、聚酯系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、乙烯烷基醚系樹脂、聚醯胺系樹脂、氟系樹脂、乙烯-二烯共聚物等之黏著性成分(主要為聚合物)之外，有因應所需由交聯劑、具有黏著劑賦予劑、氧化防止劑、可塑劑、填充劑、帶電防止劑、光聚合起始劑、難燃劑等之成分的黏著劑組成物所構成者。另外，黏著性成分係也廣泛包含聚合物本身實質上雖然不具有黏著性，但藉由可塑化成分之添加等來表現黏著性之聚合物等的概念。
第1及第2黏著劑層22、32係如上述般，即使從能量線型硬化性黏著劑形成亦可，即使由就算照射能量線黏著劑也不會硬化之非能量線硬化型黏著劑所形成亦可。另外，能量線係電磁波或帶電粒子線中具有能量量子者，係指紫外線等之活性光或電子線等，但在本製造方法中，以使用紫外線為佳。另外，即使該些第1及第2黏著劑層22、32中之僅任一方由能量線型硬化性黏著劑形成亦可，即使雙方由能量線硬化性黏著劑形成亦可。
能量線硬化型黏著劑具體而言係由含有具有光聚合性不飽合基之成分的能量線硬化型黏著劑所構成者。作為能量線硬化型黏著劑，雖然不特別限定，但是可舉出在黏著劑之主聚合物(例如，丙烯酸系聚合物)本身(例如，主 聚合物之側鏈)被導入雙鍵結等之光聚合性不飽合基者。
再者，作為能量線硬化型黏著劑，即使為與主聚合物(例如，丙酸酸系聚合物)不同，摻合具有光聚合性不飽合基之能量線聚合性化合物者亦可。在此情況下，主聚合物即使為導入光聚合性不飽合基者亦可，即使為不導入亦可。
第1支持片23係如上述般具有耐熱性為佳，因此，用以形成第1黏著劑層22之黏著劑具有耐熱性為佳。具有耐熱性之黏著劑如上述般，若為即使加熱後也維持在低接著力者時，則不特別限定，具體而言，可舉出能量線硬化型丙烯酸系黏著既(A)、水分散型丙烯酸系黏著劑(B)。在該些之中，以能量線硬化型丙烯酸系黏著劑(A)為佳。另外，能量線硬化型丙烯酸系黏著劑(A)係藉由在工程(II)之加熱前，照射能量線且使其硬化，而成為容易使耐熱性發揮。
作為能量線硬化型丙烯酸系黏著劑(A)之一例，可舉出以在側鏈具有光聚合性不飽合基之能量線硬化型丙烯酸系聚合物(A1)為主成分者。另外，主成分之構成一般而言係構成黏著劑層之黏著劑全成分的50質量%以上者，較佳為70質量%以上。
作為能量線硬化型丙烯酸系聚合物(A1)，可舉出使在聚合物鏈導入-COOH、-NCO、環氧基、-OH、-NH2之(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)之活性點，反應具有光聚合物不飽和基之化合物(以下，也稱為含不飽和基化合 物(X))者。
上述活性點導入至(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)，係於聚合該(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)之時，若使用具有-COOH、-NCO、環氧基、-OH、-NH2等之官能基的單體即可。
另外，在本說明書中，(甲基)丙烯酸係當作表示「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之雙方的用語使用，即使針對其他類似用語也相同。
(甲基)作為丙酸酸酯系共聚物(A2)，具體而言，可舉出烷基之碳數為1~20的(甲基)丙烯酸烷基酯，和其他單體的共聚物。
作為烷基之碳數為1~20的(甲基)丙烯酸烷基酯之例，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)十六酯、(甲基)丙烯酸十八酯等。該些即使單獨使用亦可，即使組合2種以上使用亦可。
再者，在該些之中，以使用烷基之碳數為6~14的(甲基)丙烯酸烷基酯為佳。在此，烷基之碳數為6~14的(甲基)丙烯酸烷基酯相對於構成(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)之單體全量，為50~97質量%為 佳，以70~95質量%為更佳。再者，烷基之碳數為6~14的(甲基)丙烯酸烷基酯，係以烷基之碳數為8~12為佳，具體而言，以(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二酯為更佳。如此一來，藉由使用烷基之碳數為6~14的(甲基)丙烯酸烷基酯，容易提升黏著劑之耐熱性，即使在高溫下加熱，接著力也難以上升。
再者，作為被使用於(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)的其他單體，可舉出具有上述-COOH、-NCO、環氧基、-OH、-NH2等之官能基的單體。
在此，作為具官能基之單體的例，可舉出(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等之(甲基)丙烯酸羥烷酯；(甲基)丙烯酸單甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸單乙胺基乙酯、(甲基)丙烯酸單甲胺基丙酯、(甲基)丙烯酸單乙胺基丙酯等之(甲基)丙烯酸單烷胺基烷酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、順丁烯二酸、亞丁基二酸、順甲基丁烯二酸等之乙烯性不飽和羧酸；(甲基)異氰酸丙烯醯基氧基乙酯等的含有異氰酸酯(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環氧丙酯、β-甲基環氧丙酯(甲基)丙烯酸、(3,4-環氧環己基)(甲基)丙烯酸酯、3-環氧基-2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯等的含環氧基(甲基)丙烯酸酯等，該些之中，以使用(甲基)丙烯酸羥烷酯為佳。
即使單獨使用具有該些官能基之單體亦可，即使組合2種以上而予以使用亦可。在此，具有官能基之單體係以相對於構成(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)的單體全量，為3~40質量%為佳，以5~30質量%為更佳。
再者，作為其他單體，即使使用乙烯酯類、烯烴類、鹵化烯烴類、苯乙烯系單體，二烯系單體、腈系單體，N,N-二烷基置換丙烯醯胺類等亦可。
再者，作為使上述活性點反應的含不飽和基化合物(X)，可以因應活性點之種類，從例如具有(甲基)異氰酸丙烯醯基氧基乙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、季戊四醇單(甲基)丙烯酸、二季戊四醇單(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷單(甲基)丙烯酸等之光聚合性結合的化合物中適當選擇而予以使用。
再者，含不飽和基化合物(X)以反應於(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)之官能基(活性點)之一部分為佳，具體而言，使含不飽和基化合物(X)反應於(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)所具有的官能基之50~90莫耳為佳，反應55~85莫耳%為更佳。
如此一來，在能量線硬化型丙烯酸系聚合物(A1)中，官能基之一部分不與含不飽和基化合物(X)反應而殘存，依此容易藉由後述之交聯劑被交聯。另外，不反應而殘存之官能基以具有-COOH、-OH、-NH2之活性氫的官能基為佳，其中也以-OH為更佳。
再者，能量線硬化型丙稀酸系黏著劑(A)除 了在上述側鏈具有光聚合性不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系聚合物(A1)外，即使含有在側鏈不具有光聚合性不飽和基的非能量線硬化型之(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)亦可。在此情況下，(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)雖然能夠使用與在上述中說明相同者，但是以具有如上述般持有-OH等之活性氫的官能基為最佳。
再者，作為能量線硬化型丙烯酸系黏著劑(A)之另外的例，可以舉出以丙酸系聚合物為主成分，且摻合從能量線聚合性低聚物及能量線聚合性單體選擇出的能量線聚合性化合物(Y)者。
在此，作為丙烯酸系共聚物，雖然通常使用上述說明的在側鏈不具有光聚合性不飽和基之(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)，但是亦可使用在側鏈具有聚合性不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系聚合物(A1)，即使併用該些(A2)和(A1)亦可。
作為能量線聚合性低聚物，可舉出例如聚酯丙烯酸酯系、環氧丙烯酸酯系、聚氨酯丙烯酸酯系、多元醇丙烯酸酯系、醯亞胺(甲基)丙烯酸和含乙烯性不飽和基單體之共聚物的共聚合低聚物等。再者，作為能量線聚合性單體，可舉出各種單官能(甲基)丙烯酸類、多官能性(甲基)丙烯酸類。另外，作為該些能量線聚合性低聚物及能量線聚合性單體之具體例，能夠使用被記載於日本專利第4679896號公報之內容。
該些能量線聚合性低聚物或能量線聚合性單體之使用 量藉由能量線之照射，被選定成具有上述耐熱性。
能量線硬化型丙烯酸系黏著劑以含有交聯劑為佳。由於藉由含有交聯劑，容易使丙烯酸系聚合物交聯，故容易提升耐熱性。作為交聯劑，並不特別限制，可以從在以往丙烯酸系黏著劑中當作交聯劑被習慣使用者，適當選擇任意者而使用。作為交聯劑，可舉出力如聚異氰酸酯化合物、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、二醛類、羥甲基聚合物、氮丙啶系化合物、金屬螯合化合物、金屬醇鹽、金屬鹽等。以使用聚異氰酸酯化合物為佳。
作為聚異氰酸酯化合物之例，可以舉出甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族聚異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯的脂環族多異氰酸酯等，及該些的縮二脲體、異氰脲酸酯體、還有乙二醇體、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、與蓖麻油等之低分子含活性氫化合物的反應物之加成體等。
交聯劑即使單獨使用1種亦可，即使組合2種以上使用亦可。再者，其使用量雖然依交聯劑之種類不同而有差異，但是相對於該黏著劑中之丙烯酸系聚合物100質量份，通常為0.01~20質量份，較佳在0.1~10質量份之範圍下被選定。另外，丙烯酸系聚合物係指黏著劑含有的能量線硬化型丙烯系聚合物(A1)，及(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)等之非能量線硬化型丙烯酸系聚合物之雙方。
能量線硬化型丙烯酸系黏著劑(A)以含有光聚合起使劑為佳。作為光聚合起始劑，可舉出二苯甲酮系、苯偶姻系、苯乙酮系、噻噸酮系、醯基膦氧化物系、二茂鈦系之光聚合起始劑。該些即使使用1種亦可，即使組合2種以上亦可，再者，其摻合量係相對於具有黏著劑之光聚合起始劑之成份(即是，能量線聚合性化合物(Y)及能量線硬化型丙烯酸系聚合物(A1)之合計量)100質量份，通常在0.2~20質量部之範圍被選定，以0.5~10質量份為佳。
再者，在不損及本發明之目的的範圍下，可以在能量線硬化型丙烯酸系黏著劑中，依所需添加通常被使用於丙烯酸系黏著劑的各種添加劑，例如黏著賦予劑、氧化防止劑、紫外線吸收劑、光安定劑、軟化劑、填充劑等。
再者，被使用於能量線硬化型丙烯酸系黏著劑的丙烯酸系聚合物係以其重量平均分子量為30萬以上為佳，以40萬~100萬程度為佳。另外，重量平均分子量係以GPC法測量的標準聚苯乙烯換算的值，具體而言，係藉由後述的實施例所測量的方法。
另外，在能量線硬化型丙烯酸系黏著劑中，丙烯酸系聚合物若含有可以對黏著劑賦予黏著劑的量即可，通常以相對於黏著劑全量為50質量%以上，以75質量%以上為較佳。
再者，作為水分散型丙烯酸系黏著劑(B)，可舉出含有以烷基之碳數為4~12的(甲基)丙烯酸烷基 酯為主成分，並且在乳化劑之存在下對含有含羧基單體而構成的單體進行乳化聚合而所取得的共聚合物乳劑者。在此，作為烷基之碳數為4~12的丙烯酸烷基酯之具體例，從上述(甲基)丙烯酸烷基酯適當被選擇。再者，作為含羧基單量，從乙烯不飽和羧酸適當選擇出。
再者，共聚物乳劑即使為對又含有(甲基)丙烯酸烷基酯及含羧基單體以外的單體進行乳化聚合者亦可，作為如此之單體，從能夠使用於上述(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)的各種單體適當選擇。
即使使用水分散型丙烯酸系黏著劑(B)之時，黏著劑以含有交聯劑為佳，再者，因應所需，即使摻合其他添加劑亦可。
雖然第1黏著劑層22之厚度因應凸塊高度而被適當調整，但是較佳為5~500μm，更佳為10~100μm。再者，第2黏著劑層32之厚度較佳為5~500μm，更佳為10~100μm。另外，第1及第2黏著劑層22、32即使由相同材料形成亦可，即使由不同材料形成亦可。
第1及第2黏著劑層22、32例如若有需要藉由稀釋液稀釋上述黏著劑，並且直接塗佈於第1及第2支持片23、33，或是塗佈於剝離材，進行加熱、乾燥而形成。另外，黏著劑層係在被形成在剝離材之上的情況下，又被貼合在第1及第2支持片23、33。
(中間層)
在第1及第2支持片23、33中所使用之中間層以使包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之硬化性材料硬化而構成者為佳。藉由硬化性材料包含胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯，能夠緩和作用於第1及第2支持片23、33之應力。因此，在各工程中，能夠吸收在第1及第2支持片23、33產生的振動等。
上述硬化性材料除胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯以外，即使含有丙烯酸系單體等之單體成分亦可。作為丙烯酸系單體，理想上以異冰片(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸等之脂環族化合物為佳。另外，上述硬化性材料以被能量線硬化為佳。另外，硬化性材料在被能量線硬化之情況下，以含有光聚合起始劑為佳。
在第1及第2支持片23、33中之任一者具有中間層之情況下，即使該些所使用之材料為相同亦可，即使為不同亦可。中間層之厚度例如5~1000μm，較佳為10~500μm。
若藉由上述說明的第1實施型態之製造方法時，對熱硬化性樹脂層25進行加熱而使其應化之時，如圖3所示般，在熱硬化性樹脂層25之上面疊層第1支持片23。因此，於對熱硬化性樹脂層25進行加熱而使其硬化之時，熱硬化性樹脂之流動性藉由第1支持片23被抑制，防止保護膜25A之膜厚成為不均勻。因此，由於作為熱硬化性樹脂層25之硬化物的保護膜25A在具有均勻的膜厚之狀態下，以埋入凸塊頸之方式，被疊層在半導體晶 圓10之表面10A上，故能夠適當保護凸塊11。
而且，雖然藉由工程(II)之加熱，第1支持片23對熱硬化性樹脂層25的接著力變重，有產生在工程(III)無法從保護膜25A剝離第1支持片23之剝離不良之虞，但是如上述般，藉由第1黏著劑層22使用具有耐熱性者，防止如此的剝離不良。
<第2實施型態>
接著，針對第2實施型態，說明與第1實施型態不同點。
第2實施型態之製造工程除了在上述第1實施型態中說明的工程(I)~(IV)外，還具有工程(A-1)、(A-2)及(A-3)。
(A-1)在半導體晶圓之背面貼合第2保護膜形成層的工程
(A-2)加熱第2保護膜形成層，而形成第2保護膜的工程
(A-3)在被形成於半導體晶圓之背面上的第2保護膜之上面進一步貼合第2支持片的工程
〔工程(A-1)〕
在本實施型態中，與第1實施型態相同，於實施工程(I)及(II)之後(即是，進行熱硬化，在半導體晶圓10之表面10A形成保護膜25A之後)，在半導體晶圓之 背面10B(與凸塊面相反側之面)，如圖7所示般，貼合第2保護膜形成層35。第2保護膜形成層35至少包含熱硬化性樹脂，如後述般，藉由被加熱而成為第2保護膜35A。
在本工程中，若將由第2保護膜形成層35所構成之薄膜狀者，黏貼於半導體晶圓10之背面10B即可，但是即使例如將被設置在支持基材(無圖示)之一方之表面上的第2保護膜形成層35黏貼在半導體晶圓10之背面10B亦可。另外，支持基材係於將第2保護膜形成層35黏貼於半導體晶圓10之背面之後，從第2保護膜形成層35被剝離除去。另外，作為支持基材，能夠使用與第1及第2基材21、31相同之樹脂薄膜。
第2保護膜形成層35與熱硬化性樹脂層25相同，除熱硬化性樹脂以外以由含有熱可塑性樹脂及填充材之熱硬化性樹脂組成物構成為佳。再者，即使熱硬化性樹脂組成物進一步含有硬化促進劑、耦合劑、顏料、染料等之著色劑之其他的添加劑亦可。另外，第2保護膜形成層35所使用之各材料及摻合量等之詳細由於與在第1實施型態中說明的熱硬化性樹脂層25相同，故省略其說明。第2保護膜形成層35即使由與熱硬化性樹脂層25相同之材料形成亦可，即使由不同的材料形成亦可。第2保護膜形成層35之厚度例如為5~500μm，較佳為10~100μm。
在工程(A-1)中，與第1實施型態相同，從保護膜 25A剝離被黏貼在半導體晶圓10之表面的第1支持片23(工程(III))。
〔工程(A-2)〕
之後，加熱第2保護膜形成層35而使其硬化，形成第2保護膜35A(工程(A-2))。第2保護膜形成層35之加熱，係例如藉由將在表面10A側形成保護膜25A，並且在背面10B側疊層有第2保護膜形成層35之半導體晶圓10，配置在加熱爐等內部，而進行加熱為佳。另外，本工程(A-2)中之加熱條件由於係與在工程(II)中說明的加熱條件同樣的條件，故省略其說明。
〔工程(A-3)〕
於工程(A-2)之後，如圖8所示般，在半導體晶圓10之背面側，即是第2保護膜35A上，貼合第2支持片33。另外，第2支持片33之構成與第1實施型態相同。即是，雖然在圖8中，第2支持片33係隔著第2黏著劑層32而被黏貼於第2保護膜35A之態樣，但是即使省略第2黏著劑層而將第1基材31直接接著於第2保護膜35A亦可，即使在第1基材31進行表面處理，或是設置黏著劑層以外之層，隔著其層或表面處理面而被黏貼於第2保護膜35A亦可。再者，即使在第2黏著劑層32和第2基材31之間進一步設置有中間層亦可。
〔工程(IV)〕
接著，形成有保護膜25A及第2保護膜35A之半導體晶圓10如圖8所示般，進行切割而個片化成複數的半導體晶片15。在本實施型態之工程(IV)中，保護膜25A及第2保護膜35B也與半導體晶圓10同時被切割，配合半導體晶片15之形狀而被分割。由於切割工程之詳細與第1實施型態相同，故省略其說明。
於切割工程之後，與第1實施型態相同，於拾取半導體晶片15，而藉由回焊安裝於晶片搭載用基板等之後，經由例如藉由密封樹脂密封半導體晶片15和晶片搭載基板40之間的間隙等之所需工程，製造半導體裝置。
即使在以上之第2實施型態中，也與第1實施型態相同，以熱硬化性樹脂難以流動，而能夠藉由保護膜25A適當保護凸塊11。再者，藉由第2保護膜35A，也能夠保護半導體晶片15之背面。
另外，在以上之第2實施型態中，即使對被形成在晶圓之背面上的第2保護膜35A或第2保護膜形成層35，進行雷射印字亦可。藉由進行雷射印字，能夠在半導體晶片15之背面側，顯示各種標記、文字等。
另外，在以上之第2實施型態中，在工程(A-2)和工程(A-3)之間，被硬化的第2保護膜35A露出。因此，以對露出於工程(A-2)和工程(A-3)之間的第2保護膜35A，進行雷射印字為佳。藉由對被硬化之第2保護 膜35A進行印字，比起在硬化前之第2保護膜形成層35進行印字之情況，印字性較良好。再者，由於半導體晶圓10被個片化之前被印字，故能夠對複數的半導體晶片進行整批印字。而且，藉由對露出之第2保護膜35A進行雷射印字，能夠有效率地進行印字。但是，即使藉由隔著第2支持片33對不露出(即是，藉由第2支持片33被覆蓋)之第2保護膜35A或第2保護膜形成層35，照射雷射，而進行雷射印字亦可。
另外，在上述第2實施型態中，雖然表示依序進行工程(A-1)、(A-2)及(A-3)的態樣，但是即使取代此，依序進行工程(A-1)、(A-3)及(A-2)亦可。
具體而言，實施工程(I)、(II)、(A-1)及(III)，且在表面10A形成保護膜25A，將第2保護膜形成層35貼合在半導體晶圓10之背面10B，接著，從保護膜25A剝離第1支持片23。之後，在被疊層於背面10B上之硬化前的第2保護膜形成層35之上面，進一步貼合第2支持片33(工程(A-3))。
而且，於貼合第2支持片33之後，藉由加熱使第2保護膜形成層35硬化，而形成第2保護膜35A(工程(A-2)，之後藉由切割使半導體晶圓10個片化，而製造出半導體裝置。
但是，在依序進行(A-1)、(A-3)及(A-2)之情況下，第2保護膜35A藉由硬化被形成之後，被第2支持 片33覆蓋直至切割結束為止不會露出。因此，對被硬化之第2保護膜35A進行的雷射印字，通常隔著第2支持片33照射雷射而進行。
而且，當依序進行(A-1)、(A-3)及(A-2)時，第2支持片33在工程(A-2)係在被黏貼於第2保護膜形成層35之狀態下被進行加熱。因此，在依照此順序進行之情況下，第2支持片33以具有耐熱性為佳。即是，作為第2支持片33之第2基材31，以藉由工程(A-2)之加熱，不會熔融，或顯著收縮之基材為佳。
再者，具有耐熱性之第2支持片33係即使在特定時進行加熱，相對於被著體之接著性也不會變高者。具體而言，具有耐熱性之第2支持片33係以工程(A-2)之加熱後之接著力成為10N/25mm未滿者為佳。再者，該接著力以0.3~9.8N/25mm為較佳，以0.5~9.5N/25mm為更佳。另外，第2支持片之接著力的測量方法雖然與第1支持片相同，但是被著體成為第2保護膜形成層。
第2支持片33藉由如此般在加熱後的接著力比較低，難以產生於從第2支持片33拾取半導體晶片15之時，半導體晶片15無法拾取的剝離不良。
作為具有耐熱性之第2支持片33，為具備第2基材31和第2黏著劑層32者，並且第2黏著劑層32與上述第1黏著劑層31相同，以由例如能量線硬化型丙烯酸系黏著劑，或水分散系丙烯酸系黏著劑等所形成為佳。藉由使用該些黏著劑，可以提升即使在加熱後也難以 提升接著力的第2支持片31。另外，第1及第2黏著劑層22、32中之任一者具有耐熱性之情況下，即使由互相相同的黏著劑形成亦可，即使由不同的黏著劑形成亦可。
而且，於依(A-1)、(A-3)及(A-2)之順序進行工程之情況下，加熱硬化(工程(A-2))無須於切割之前進行，即使在切割之後進行亦可。
具體而言，與上述相同，依序進行工程(I)、(II)、(A-1)、(III)、(A-3)，之後，不進行工程(A-2)，進行切割(工程(IV))。因此，在此情況下，切割係對在表面10A形成被硬化的保護膜25A，且於背面10B疊層硬化前之第2保護膜形成層35的半導體晶圓10進行。而且，於切割後，第2保護膜形成層35進行加熱而使其硬化(工程(A-2))。
在此情況下，第2保護膜形成層35之加熱硬化係於拾取之後進行為佳，尤其藉由回焊時之加熱進行為佳。
於拾取後，當進行第2保護膜形成層35之硬化，於加熱時，半導體晶片15(半導體晶圓10)已經從第2支持片33被剝離。因此，第2支持片33即使如上述般不具有耐熱性亦可，不會有由於工程(A-2)之加熱而使得支持片33之接著力變重而產生剝離不良之情形。而且，當藉由回焊時之加熱，使第2保護膜形成層35硬化時，由於無須另外設置用以使第2保護膜形成層35硬化之工程，故可以簡化工程。
<第3實施型態>
接著，針對第3實施型態，說明與第2實施型態不同點。
在上述第2實施型態中，對熱硬化性樹脂層25和第2保護膜形成層35進行加熱而使其硬化之時序各自不同，但是在第3實施型態中，同時對該些進行加熱而使其硬化。即是，在上述第2實施型態中，工程(II)和工程(A-2)係以各自不同的時序來進行，對此在本實施型態中，工程(II)和工程(A-2)係在相同的時序整批進行。
具體而言，在本實施型態中，於實施工程(I)之後(即是，將第1保護膜形成用薄膜20黏貼在半導體晶圓之後)，不進行工程(II)及(III)，進行工程(A-1)，將第2保護膜形成層35貼合在半導體晶圓10之背面10B。
之後，如圖9所示般，藉由對硬化前之熱硬化性樹脂層25及第2保護膜形成層35被疊層在兩面，並且在熱硬化性樹脂層25之上面疊層第1支持片23的半導體晶圓10進行加熱，使熱硬化性樹脂層25及第2保護膜形成層35硬化，而形成保護膜25A及第2保護膜35A(工程(II)和工程(A-2))。另外，加熱係將表面疊層有熱硬化性樹脂層25及第1支持片23，在背面疊層有第2保護膜形成層35之半導體晶圓10配置在例如加熱爐內部進行。加熱方法及加熱條件由於與在上述第1實施型態中說 明的工程(II)相同，故省略其說明。
之後，與第2實施型態相同，從保護膜25A剝離被疊層在保護膜25A上之第1支持片23(工程(III))。
接著，在工程(A-3)中，在第2保護膜35A之上面，貼合第2支持片33，接著在工程(IV)中進行切割。在本實施型態之工程(IV)中，對在兩面形成有硬化後之保護膜25A及第2保護膜35A之半導體晶圓10進行切割。切割後，即使在本實施型態中，也與上述各實施型態相同，製造半導體裝置。
即使在以上的第3實施型態中，也與上述第2實施型態相同，能夠藉由保護膜25A適當地保護凸塊，同時藉由第2保護膜35A，也保護半導體晶片15之背面。再者，在本實施型態中，由於同時加熱熱硬化性樹脂層25和第2保護膜形成層35而使其硬化，故能夠使工程簡化。
而且，熱硬化性樹脂層25及第2保護膜形成層35係於進行熱硬化之時，有產生熱收縮，且藉由其熱收縮在半導體晶圓10產生翹曲之情形。但是，在本實施型態中，藉由該些熱硬化性樹脂層25及第2保護膜形成層35整批被加熱硬化，在硬化時產生的熱收縮所致之力被抵銷。因此，在本實施型態中，可以降低在使表面保護膜用樹脂層25或第2保護膜用樹脂層35進行熱硬化之時所產生的晶圓之翹曲。
〔第4實施型態〕
接著，針對第4實施型態，說明與第1實施型態不同點。
第4實施型態之製造工程除了在上述第1實施型態中說明的工程(I)~(IV)外，還具備工程(B-1)及(B-2)。
(B-1)將具備第2支持片和被設置在第2支持片上之第2保護膜形成層的第2保護膜形成用薄膜，以使第2保護膜形成層成為貼合面之方式，貼合在半導體晶圓之背面的工程
(B-2)加熱第2保護膜形成層，而形成第2保護膜的工程
即是，在上述第2~第3實施型態中，雖然表示第2保護膜形成層、第2支持片分別被黏貼於半導體晶圓之背面側的態樣，但是在本實施型態中，該些作為第2保護膜形成用薄膜整批被黏貼在半導體晶圓之背面側。
〔工程(B-1)〕
在本實施型態中，與第1實施型態相同，於實施工程(I)及(II)之後(即是，進行熱硬化，在半導體晶圓10之上面形成保護膜25A之後)，在半導體晶圓之背面10B(與凸塊面相反側之面)，如圖11所示般，貼合第2保護膜形成用薄膜30。第2保護膜形成用薄膜30如圖10所示般，具備第2支持片33，和被設置在第2支持片33 上之第2保護膜形成層35，將第2保護膜形成層35貼合在半導體晶圓10之背面10B。
在此，作為第2支持片33之具體例，雖然可以舉出如圖10、11所示般，具備第2基材31，和被形成在第2基材31之一方之表面上的第2黏著劑層32，且在第2黏著劑層32之上面形成第2保護膜形成層35者，但是即使如在第1實施型態中說明般，具有其他構成亦可。
再者，第2支持片33如第1實施型態中說明般，例如圖10、11所示般被形成較第2保護膜形成層35大一圈，以使外周區域可以接著於環狀板等之支持構件13。
但是，即使第2支持片33之尺寸與第2保護膜形成層35相同亦可。第2支持片33之尺寸與第2保護膜形成層35相同之情況下，若第2保護膜形成層35及第2支持片33中之任一者被形成較半導體晶圓10大一圈，在被接著於半導體晶圓10之第2保護膜形成層35之外周區域上設置用以接著於支持構件13之雙面膠帶等之接著構件即可。
工程(B-1)之後，與第1實施型態相同，從保護膜25A剝離被黏貼在半導體晶圓10之表面的第1支持片23(工程(III))。
〔工程(B-2)〕
之後，加熱第2保護膜形成層35而使其硬化，形成第2保護膜35A(工程(B-2))。第2保護膜形成層35 之加熱，係例如藉由將在表面10A側形成保護膜25A，並且在背面10B側疊層有第2保護膜形成層35之半導體晶圓10，配置在加熱爐等內部，而進行加熱為佳。另外，本工程(B-2)中之加熱條件由於係與在第1實施型態之工程(III)中說明的加熱條件同樣的條件，故省略其說明。
接著，切割在兩面形成有保護膜25A及第2保護膜35A之半導體晶圓10(工程(IV))。切割後，拾取半導體晶片15，與上述各實施型態相同製造半導體裝置。
另外，在本實施型態中，於加熱第2保護膜形成層35而使其硬化之時，第2支持片33被黏貼於第2保護膜形成層35。因此，於工程(B-2)之加熱時，為了防止第2支持片33之接著力變重，第2支持片33具有耐熱性為佳。具有耐熱性之第2支持片33由於如同上述說明般，故省略其說明。
即使在以上之第4實施型態中，能夠藉由保護膜25A適當地保護凸塊11，同時藉由第2保護膜35A保護半導體晶圓10(半導體晶片15)之背面。而且，在本實施型態中，第2保護膜形成層35，和第2支持片33由於作為第2保護膜形成用薄膜30整批被黏貼於半導體晶圓10之背面，故能夠簡化工程。
再者，在上述第4實施型態之說明中，雖然表示在切割(工程(IV)之前進行工程(B-2)之例，但 是工程(B-2)不一定要於切割之前進行，即使於切割之後進行亦可。
具體而言，依序進行工程(I)、(II)、(B-1)及(III)之後，實施切割(工程(IV)。即是，切割係對在表面10A形成保護膜25A，且在背面10B疊層第2保護膜形成用薄膜30(即是，第2保護膜形成層35和第2支持片33)之半導體晶圓10進行。其切割後，進行加熱對第2保護膜形成層35而使其硬化的工程(B-2)。在此情況下，第2保護膜形成層35之硬化與第2實施型態相同，於拾取之後進行為佳，尤其藉由回焊時之加熱進行硬化為佳。
〔第5實施型態〕
接著，針對第5實施型態，說明與第4實施型態不同點。
在上述第4實施型態中，對熱硬化性樹脂層25和第2保護膜形成層35進行加熱而使其硬化之時序各自不同，但是在第5實施型態中，同時對該些進行加熱而使其硬化。即是，在上述第4實施型態中，工程(II)和工程(B-2)係以各自不同的時序來進行，而在本實施型態中，工程(II)和工程(B-2)係在相同的時序整批進行。
即是，在本實施型態中，於實施工程(I)之後，不進行工程(II)及(III)，進行工程(B-1)。如 此一來，在本實施型態中，如圖12所示般，在半導體晶圓10之表面10A，疊層第1保護膜形成用薄膜20(即是，熱硬化性樹脂層25及第1支持片23)，同時在背面10B疊層第2保護膜形成用薄膜30(即是，第2保護膜形成層35和第2支持片33)。
而且，如圖12所示般，藉由如此地對硬化前之熱硬化性樹脂層25及第2保護膜形成層35被疊層在兩面之半導體晶圓10進行加熱，使熱硬化性樹脂層25及第2保護膜形成層35硬化，而形成保護膜25A及第2保護膜35A(工程(II)和工程(B-2))。
於加熱硬化後，被黏貼於保護膜25A之第1支持片23從保護膜25A被剝離(工程(III))。之後，被第2支持片33之半導體晶圓10藉由切割，被個片化成保護膜25A與第2保護膜35A，取得在兩面形成保護膜25A和第2保護膜35A之半導體晶片15(工程(IV))。接著，拾取半導體晶片15，與上述各實施型態相同製造半導體裝置。
另外，在本實施型態中，由於在第2支持片33被黏貼於第2保護膜形成層35上之狀態下，進行第2保護膜形成層35之加熱硬化，故除第1支持片外，也以第2支持片33具有耐熱性為佳。具有耐熱性之第2支持片的構成由於如同上述說明般，故省略其說明。
即使在以上之第5實施型態中，能夠適當保護凸塊11及晶圓背面，並且簡化工程，而且防止產生在半導體 晶圓(半導體晶圓)的翹曲。
另外，在上述各實施型態中，第1支持片23被剝離的工程(III)若在工程(II)和工程(IV)之間進行時，被實施的時序則不特別限定。例如，在第2實施型態中，雖然在工程(A-1)和(A-2)之間進行，但是即使在工程(A-1)之前進行亦可，即使在其他時序進行亦可。
再者，即使在第3實施型態中，工程(III)即使在工程(A-3)之前被進行，但是即使工程(A-3)之後，即是在工程(A-3)和工程(IV)之間實施亦可。
而且，在第4實施型態中，工程(III)雖然在工程(B-1)和(B-2)之間被進行，但是只要在工程(II)和(IV)之間被進行，即使在工程(B-1)之前進行亦可，即使在工程(B-2)之後進行亦可。
再者，在上述第2~第5實施型態中，針對半導體晶圓之背面研削，雖然無特別提及，但是於進行半導體晶圓之背面研削之情況下，若與第1實施型態相同，在工程(I)和工程(III)之間實施即可，但以在工程(I)和工程(II)之間進行為佳。但是，背面研削係在第2保護膜形成層35被黏貼於半導體晶圓10之背面10B之情況下，於第2保護膜形成層35之黏貼前進行。
再者，即使在第3~第5實施型態中，與第2實施型態相同，對第2保護膜35A，或第2保護膜用形成層35，進行雷射印字亦可。另外，在第3實施型態中，在工程 (II)及工程(A-2)，和工程(A-3)之間，露出被硬化的第2保護膜35A。因此，在第3實施型態中，以在工程(II)及(A-2)和工程(A-3)之間對其露出之第2保護膜35A進行雷射印字為佳。
〔實施例〕
以下，根據實施例更詳細說明本發明，但本發明並非藉由該些例而被限制。
在本實施例、比較例中，藉由以下方法測量各種物性，同時評估第1保護膜形成用薄膜。
〔丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)〕
丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)係在以下之測量條件藉由GPC法進行測量，而以標準聚乙烯換算而求出。
在東曹股份有限公司製造的高速GPC裝置「HLC-8120GPC」依序連結高速柱「TSKguardcolumn HXL-H」、「TSKGel GMHXL」、「TSKGelG2000 HXL」(以上，全為東曹股份有限公司製造)而進行測量。柱溫度為40℃，送液速度為1.0mL/分鐘，檢測器為折射率偵檢器。
〔接著力測量〕
首先，準備由剝離材/熱硬化性樹脂層/剝離材所構成之疊層體，從該疊層體剝離一方的剝離材，在常溫下於第 1支持片之第1黏著劑層側之表面貼合熱硬化性樹脂層，取得由第1支持片/熱硬化性樹脂層/剝離材所構成之疊層體(第1保護膜形成用薄膜)。將該疊層體射為寬度25mm，長度150mm之長條狀。
另外，該些各構件使用與在實施例中所使用者相同者。
接著，從長條狀之疊層體剝開剝離材，以熱硬化性樹脂層面和SUS面相接之方式，使用2Kg之橡膠輥在70℃下黏貼於SUS304，且以照度200mW/cm2、光量160mJ/cm2之條件下，對第1支持片照射紫外線。接著，在130℃，2小時之條件下對黏貼有第1支持片之被著體進行加熱，且使熱硬化性樹脂層硬化使成為保護膜之後，測量第1支持片對保護膜的接著力。接著力的測量係在溫度23℃、濕度50%RH之條件下，以剝離角度180°、剝離速度300mm/分鐘，從被著體剝離第1支持片而進行。
另外，本接著力之測量係於第1保護膜形成用薄膜被黏貼於半導體晶圓之後，熱硬化樹脂層被加熱硬化之前，假設能量線被照射至第1支持片而進行者。
〔實施例1〕
在丙酸酸2-源自羥乙基的羥基100莫耳%基準下，以添加率成為80莫耳%之方式，對作為丙烯酸2-乙基己基80質量份，及丙烯酸2-羥乙基20質量份之共聚物的丙烯酸酯系共聚物，添加2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而所取 得的能量線硬化型丙烯酸系聚合物(重量平均分子量(Mw)：600,000)100質量份，摻合光聚合起始劑(產品名：ESACURE KIP150，SiberHegner公司製造)3質量份，及甲苯二異氰酸酯交聯劑(產品名：BHS-8515，東洋油墨公司製造)0.5質量份而調整能量線硬化型丙烯酸系黏著劑。在後述的條件下，照射紫外線之後的能量線硬化型丙烯酸系黏著劑之70℃中的剪切彈性率為40,000Pa。
接著，在由對苯二甲酸乙二酯薄膜所構成之基材(產品名：COSMOSHINE，東洋紡股份有限公司製造，厚度：50μm)之一方之表面，設置由對包含氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯之硬化性材料進行能量線硬化而所構成的厚度200μm之中間層，且在其中間層之上面，以厚度成為10μm之方式，塗佈能量線硬化型丙烯酸系黏著劑，而形成第1黏著劑層，取得第1支持片。該第1支持片之第1黏著劑層係以照度150mW/cm2，光量300mJ/cm2之條件照射紫外線而使其硬化。
再者，在剝離材之上面，塗佈環氧樹脂系熱硬性樹脂組成物，且在剝離材上形成厚度100μm之熱硬化性樹脂層。在熱硬化性樹脂層(環氧樹脂系熱硬化性樹脂組成物)之70℃中的熔融黏度為5,000Pa．S。再者，熱硬化性樹脂層之硬化後(即是，保護膜)之剪切強度(對Cu)為200N/2mm。
將該具有剝離材之熱硬化性樹脂層疊層在第1支持片 之第1黏著劑層上，取得由基材/中間層/第1黏著劑層/熱硬化性樹脂層/剝離材所構成之第1保護膜形成用薄膜。
之後，以在70℃熱硬化性樹脂層成為貼合面之方式，將剝離材剝離後之第1保護膜形成用薄膜，貼合在設置有凸塊(凸塊高度：210μm)之半導體晶圓(WALTS股份有限公司，尺寸：8吋(20.32cm)，厚度：730μm)之表面(工程(I))。接著，在130℃以2小時對貼合有第1保護膜形成用薄膜之半導體晶圓進行加熱，使熱硬化樹脂層硬化，形成保護膜(工程(II))。之後，從保護膜剝離第1支持片(工程(III))。
於第1支持片剝離後，觀察被形成的保護膜之結果，保護膜之膜厚成為均勻。再者，凸塊之前端從保護膜突出，並且凸塊頸藉由保護膜被適當埋入。因此，在實施例1中，在貼合有第1支持片之狀態下，使熱硬化性樹脂層硬化，依此可以藉由具有均勻膜厚的保護膜適當保護凸塊。
〔比較例1〕
除了替換工程(III)和工程(II)而進行之外，其他與實施例1相同實施。
即是，在比較例1中，在將第1保護膜形成用薄膜貼合在半導體晶圓之表面之後(工程(I))，從熱硬化性樹脂層剝離第1支持片(工程(III)，接著，在與實施例1相同之加熱條件下對在表面疊層熱硬化性樹脂層之半導 體晶圓進行加熱，依此形成保護膜(工程(II))。
在保護膜形成後，觀察所形成的保護膜之結果，可以理解在比較例1中，保護膜之膜厚成為不均勻，無法適當地保護凸塊。
〔實施例2〕
針對以與實施例1相同之方法所製作出的第1支持片，依循上述接著力測量，測量出接著力。將其結果表示於表1。
〔實施例3〕
除了將交聯劑之摻合量變更成1.5質量份，製作能量線硬化型丙烯酸系黏著劑之點外，其他與實施例2相同實施。
〔實施例4〕
除了將交聯劑之摻合量變更成4.5質量份，製作能量線硬化型丙烯酸系黏著劑之點外，其他與實施例2相同實施。
〔實施例5〕
除了將交聯劑之摻合量變更成7.5質量份，製作能量線硬化型丙烯酸系黏著劑之點外，其他與實施例2相同實施。
〔實施例6〕
除了將所使用之能量線硬化型丙烯酸系聚合物，變更成在羥基從丙烯酸2-源自羥乙基之羥基100莫耳%基準下，以添加率成為80莫耳%之方式，對作為丙烯酸十二酯80質量份，及丙烯酸2-羥乙基20質量份之共聚物的丙烯酸酯系共聚物，添加2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而所取得的能量線硬化型丙烯酸系聚合物(重量平均分子量(Mw)：600,000)之外，其他與實施例2相同實施。
〔實施例7〕
除了將所使用之能量線硬化型丙烯酸系聚合物，變更成在羥基從丙烯酸2-源自羥乙基之羥基100莫耳%基準下，以添加率成為60莫耳%之方式，對作為丙烯酸2-乙基己基90質量份，及丙烯酸2-羥乙基10質量份之共聚物的丙烯酸酯系共聚物，添加2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而所取得的能量線硬化型丙烯酸系聚合物(重量平均分子量(Mw)：600,000)100質量份，摻合光聚合起始劑3質量份，及交聯劑1質量份而取得的能量線硬化型丙烯酸系黏著劑之點外，其他與實施例2相同實施。
〔參考例1〕
除了將所使用之能量線硬化型丙烯酸系聚合物，變更成在羥基從丙烯酸2-源自羥乙基之羥基100莫耳%基準 下，以添加率成為90莫耳%之方式，對作為丙烯酸丁基50質量份、甲基丙烯酸甲酯20質量份及丙烯酸2-羥乙基30質量份之共聚物，添加2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯而所取得的能量線硬化型丙烯酸系聚合物(重量平均分子量(Mw)：600,000)100質量份，摻合光聚合起始劑3質量份，及交聯劑1.0質量份而取得的能量線硬化型丙烯系酸黏著劑之點外，其他與實施例2相同實施。
Figure 105135245-A0202-12-0052-1
在以上實施例2~7中，將第1支持片所使用的黏著劑設為能量線硬化性丙烯酸系黏著劑，同時從特定之單體聚合(甲基)丙烯酸酯系共聚物(A2)，依此可以設成具有即使加熱第1支持片接著力也不會變重的耐熱性者。因此，如本發明般，即使保持將第1支持片黏貼在熱硬化性樹脂層之狀態下，加熱半導體晶圓而使熱硬化性樹脂層硬化，亦能夠良好地維持第1支持片之剝離性。
對此，在參考例1中，當加熱第1支持片時，由於接著力上升，故在將第1支持片黏貼於熱硬化性樹脂層之狀態下，當加熱半導體晶圓，使熱硬化性樹脂層硬化時，無 法良好地維持第1支持片之剝離性，比起實施例2~7，可預期作業性下降。
10‧‧‧半導體晶圓
10A‧‧‧表面
10B‧‧‧背面
11‧‧‧凸塊
20‧‧‧第1保護膜形成用薄膜
21‧‧‧第1基材
22‧‧‧第1黏著劑層
23‧‧‧第1支持片
25‧‧‧熱硬化性樹脂層

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，具備：(I)將依序設置有第1支持片和熱硬化性樹脂層之第1保護膜形成用薄膜，以將上述熱硬化性樹脂層作為貼合面之方式，貼合在半導體晶圓之設置有凸塊之表面的工程；(II)加熱上述熱硬化性樹脂層而使其硬化，形成保護膜的工程；(III)從使上述熱硬化性樹脂層硬化而形成的上述保護膜，剝離上述第1支持片的工程；及(IV)與上述保護膜同時切割上述半導體晶圓的工程。
  2. 如請求項1所記載之半導體裝置之製造方法，其中進一步具備：(A-1)在半導體晶圓之背面貼合第2保護膜形成層的工程；(A-2)加熱上述第2保護膜形成層，而形成第2保護膜的工程；及(A-3)在上述半導體晶圓之背面上之上述第2保護膜形成層，或第2保護膜之上面進一步貼合第2支持片的工程。
  3. 如請求項2所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述工程(A-2)中之上述第2保護膜形成層之硬化，和在上述工程(II)中之上述熱硬化性樹脂層之硬化同時被 進行。
  4. 如請求項1所記載之半導體裝置之製造方法，其中進一步具備：(B-1)將具備第2支持片和被設置在上述第2支持片上之第2保護膜形成層的第2保護膜形成用薄膜，以使上述第2保護膜形成層成為貼合面之方式，貼合在上述半導體晶圓之背面的工程；和(B-2)加熱上述第2保護膜形成層，而形成第2保護膜的工程。
  5. 如請求項4所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述工程(B-2)中之上述第2保護膜形成層之硬化，和在上述工程(II)中之上述熱硬化性樹脂層之硬化同時被進行。
  6. 如請求項1至5中之任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述第1支持片於工程(II)中加熱後之接著力為10N/25mm未滿。
  7. 如請求項1至5中之任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述第1支持片具備第1基材和被設置在上述第1基材之一方之表面上的第1黏著劑層，在上述第1黏著劑層之上面設置有上述熱硬化性樹脂層。
  8. 如請求項7所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述第1支持片至少由上述第1基材、中間層、第1 黏著劑層之三層構成。
  9. 如請求項8所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述中間層包含胺基甲酸酯丙烯酸酯。
  10. 如請求項7所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述熱硬化性樹脂層之熔融黏度在向上述半導體晶圓貼合上述第1保護膜形成用薄膜之時的溫度下，為1×102Pa．S以上2×104Pa．S未滿，上述第1黏著劑層之剪切彈性率在向上述半導體晶圓貼合上述第1保護膜形成用薄膜之時的溫度下，為1×103Pa以上2×106Pa以下。
  11. 如請求項1至5中之任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中上述熱硬化性樹脂層具有凸塊高度之0.01~0.99倍的厚度。
TW105135245A 2015-11-04 2016-10-31 半導體裝置之製造方法 TWI760315B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-216649 2015-11-04
JP2015216649 2015-11-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201735195A TW201735195A (zh) 2017-10-01
TWI760315B true TWI760315B (zh) 2022-04-11

Family

ID=58663069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105135245A TWI760315B (zh) 2015-11-04 2016-10-31 半導體裝置之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6950907B2 (zh)
TW (1) TWI760315B (zh)
WO (1) WO2017077957A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7317482B2 (ja) * 2018-10-16 2023-07-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2020085220A1 (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
WO2021132678A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JPWO2021132679A1 (zh) * 2019-12-27 2021-07-01
JPWO2021171898A1 (zh) 2020-02-27 2021-09-02
JP7374039B2 (ja) 2020-03-30 2023-11-06 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
JP2022034898A (ja) 2020-08-19 2022-03-04 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR20240025547A (ko) * 2021-06-28 2024-02-27 린텍 가부시키가이샤 보호막이 형성된 칩의 제조 방법
JP2023017595A (ja) * 2021-07-26 2023-02-07 株式会社レゾナック 離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258239A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁接着シート
WO2015162808A1 (ja) * 2014-04-22 2015-10-29 デクセリアルズ株式会社 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3717899B2 (ja) * 2002-04-01 2005-11-16 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5144433B2 (ja) * 2008-08-28 2013-02-13 古河電気工業株式会社 チップ保護用フィルム
JP5048815B2 (ja) * 2010-07-20 2012-10-17 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、及び、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5666335B2 (ja) * 2011-02-15 2015-02-12 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
JP2012244115A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Sekisui Chem Co Ltd バックグラインド−アンダーフィル一体型テープ、及び、半導体チップの実装方法
JP5976573B2 (ja) * 2013-03-13 2016-08-23 日東電工株式会社 補強シート及び二次実装半導体装置の製造方法
JP6328987B2 (ja) * 2014-04-22 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258239A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁接着シート
WO2015162808A1 (ja) * 2014-04-22 2015-10-29 デクセリアルズ株式会社 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201735195A (zh) 2017-10-01
JP6950907B2 (ja) 2021-10-13
JPWO2017077957A1 (ja) 2018-08-30
WO2017077957A1 (ja) 2017-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI760315B (zh) 半導體裝置之製造方法
JP6336905B2 (ja) フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法
JP6274588B2 (ja) 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP4804921B2 (ja) 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法
JP5740303B2 (ja) 硬化性組成物、硬化前のシート、ダイシング−ダイボンディングテープ、接続構造体及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
WO2015064574A1 (ja) 半導体接合用接着シートおよび半導体装置の製造方法
CN110272696B (zh) 背面研磨用粘着胶带
JP6424205B2 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
KR20150018782A (ko) 접착성 수지층이 부착된 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6239498B2 (ja) チップ用樹脂膜形成用シート
JP5580631B2 (ja) 硬化性組成物、ダイシング−ダイボンディングテープ、接続構造体及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
TWI729796B (zh) 半導體裝置之製造方法
JPWO2015133420A6 (ja) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
TWI616332B (zh) 保護膜形成用複合膜片、保護膜形成用複合膜片之製造方法以及具有保護膜之晶片的製造方法
TWI801527B (zh) 半導體裝置的製造方法
CN113396057A (zh) 保护膜形成用片及基板装置的制造方法
KR102140470B1 (ko) 칩용 수지막 형성용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2011151110A (ja) 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法
CN111748298B (zh) 透明粘接片及带有剥离材料的透明粘接片
JP5727811B2 (ja) 半導体チップのピックアップ方法および半導体装置の製造方法
KR102549654B1 (ko) 점착 시트
TW202334358A (zh) 黏著帶
JP5531818B2 (ja) 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法