JP2009049385A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 第1の基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
前記バッファ層上において前記微結晶半導体膜の前記チャネル形成領域と重なる領域に形成されたチャネル保護層と、
前記チャネル保護層及び前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域上のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極とを有し、
第2の基板上のスペーサ及び突起を有し、
前記スペーサは、遮光膜及び着色層上に形成され、
前記スペーサと前記突起は高さが異なることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記チャネル保護層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極を覆う絶縁膜を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2において、
前記画素電極は、前記突起と交互にかみ合うように配置されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記バッファ層は、非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記バッファ層は、窒素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記バッファ層は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記ゲート電極と重畳して設けられる前記微結晶半導体膜の端部は、前記ゲート電極の端部より内側に位置することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項において、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の端部よりも延びており、前記ソース領域と前記ドレイン領域間の距離は、前記ソース電極と前記ドレイン領域間の距離よりも短いことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項において、
前記バッファ層の膜厚は、10nm以上50nm以下の範囲であることを特徴とする液晶表示装置。
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---|---|---|---|---|
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US8101444B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101484297B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 표시장치의 제작방법 |
JP5395384B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2014-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
TWI521712B (zh) * | 2007-12-03 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 薄膜電晶體,包括該薄膜電晶體的顯示裝置,和其製造方法 |
WO2010032640A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5361651B2 (ja) | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101667622B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 |
KR20100067612A (ko) * | 2008-12-11 | 2010-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 |
TWI474408B (zh) | 2008-12-26 | 2015-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN103730515B (zh) * | 2009-03-09 | 2016-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
JP5558916B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
US8344378B2 (en) * | 2009-06-26 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
WO2011007675A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN110908203A (zh) * | 2009-10-16 | 2020-03-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备 |
WO2011048925A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101678687B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2016-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
JP5752447B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5752446B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101630022B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2016-06-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2012111427A1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP6004308B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2016-10-05 | Nltテクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス |
US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
KR101894329B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2018-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN103189990A (zh) | 2011-10-28 | 2013-07-03 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜半导体器件及其制造方法 |
TWI584383B (zh) * | 2011-12-27 | 2017-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
CN102629611B (zh) * | 2012-03-29 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 |
KR20150007000A (ko) | 2013-07-10 | 2015-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR102192592B1 (ko) | 2013-07-22 | 2020-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2015179247A (ja) | 2013-10-22 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6206104B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2017-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 信号処理回路、回路基板、及び、プロジェクター |
CN103760721A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-04-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN103995381A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-08-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种像素结构、液晶面板及其工艺方法 |
WO2015181679A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI624874B (zh) | 2014-12-03 | 2018-05-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 一種垂直型電晶體及其製作方法 |
KR20170087568A (ko) * | 2016-01-20 | 2017-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US10848127B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-11-24 | Intel Corporation | Film bulk acoustic resonator (FBAR) RF filter having epitaxial layers |
JP7155128B2 (ja) * | 2017-09-01 | 2022-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び表示装置 |
JP2020004860A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
US10989946B2 (en) * | 2019-02-21 | 2021-04-27 | Innolux Corporation | Electronic modulating device |
CN111403541A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-07-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电探测器与显示基板 |
CN112735272B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-05-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122123A (en) | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiamorphous semiconductor |
JPS6098680A (ja) | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電界効果型薄膜トランジスタ |
JPS6187371A (ja) | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置 |
US4990981A (en) * | 1988-01-29 | 1991-02-05 | Hitachi, Ltd. | Thin film transistor and a liquid crystal display device using same |
JP2893114B2 (ja) * | 1989-06-12 | 1999-05-17 | チノン株式会社 | 画像記録装置 |
US5084777A (en) * | 1989-11-14 | 1992-01-28 | Greyhawk Systems, Inc. | Light addressed liquid crystal light valve incorporating electrically insulating light blocking material of a-SiGe:H |
JPH03278466A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
DE69120574T2 (de) | 1990-03-27 | 1996-11-28 | Toshiba Kawasaki Kk | Ohmscher Kontakt-Dünnschichttransistor |
JP2726738B2 (ja) | 1990-07-13 | 1998-03-11 | 三菱重工業株式会社 | 超伝導ヘリカルウィグラ |
EP0473988A1 (en) | 1990-08-29 | 1992-03-11 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a thin film transistor having amorphous/polycrystalline semiconductor channel region |
JP2791422B2 (ja) | 1990-12-25 | 1998-08-27 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置およびその作製方法 |
US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US7115902B1 (en) | 1990-11-20 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US7098479B1 (en) | 1990-12-25 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US7576360B2 (en) | 1990-12-25 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same |
JP3255942B2 (ja) | 1991-06-19 | 2002-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法 |
JPH0669505A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
DE69428387T2 (de) * | 1993-02-15 | 2002-07-04 | Semiconductor Energy Lab | Herstellungsverfahren für eine kristallisierte Halbleiterschicht |
US6997985B1 (en) | 1993-02-15 | 2006-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same |
JPH0713191A (ja) | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
CN1161646C (zh) * | 1994-06-02 | 2004-08-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器和电光元件 |
US5796116A (en) * | 1994-07-27 | 1998-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility |
TW303526B (ja) | 1994-12-27 | 1997-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPH08195492A (ja) | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
TW345654B (en) * | 1995-02-15 | 1998-11-21 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Active matrix display device |
US5831292A (en) * | 1996-04-24 | 1998-11-03 | Abb Research Ltd. | IGBT having a vertical channel |
JP3640224B2 (ja) | 1996-06-25 | 2005-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
KR100272266B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2000-11-15 | 김영환 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
KR100257158B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2000-05-15 | 김영환 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
JP2000081541A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-03-21 | Yazaki Corp | 光ファイバコネクタ |
JP4008133B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2007-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US6506635B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method of forming the same |
JP4215905B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2009-01-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US7821065B2 (en) | 1999-03-02 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same |
US7122835B1 (en) * | 1999-04-07 | 2006-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and a method of manufacturing the same |
US6639265B2 (en) * | 2000-01-26 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
US7023021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
TW495854B (en) * | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7098084B2 (en) * | 2000-03-08 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2001311963A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Toshiba Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
JP4211250B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | トランジスタ及びそれを備える表示装置 |
JP2002246605A (ja) | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用薄膜トランジスタの製造方法 |
SG116443A1 (en) | 2001-03-27 | 2005-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Wiring and method of manufacturing the same, and wiring board and method of manufacturing the same. |
SG143063A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4248306B2 (ja) | 2002-06-17 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100840326B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판 |
JP2004146691A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Chi Mei Electronics Corp | 微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
TW577176B (en) | 2003-03-31 | 2004-02-21 | Ind Tech Res Inst | Structure of thin-film transistor, and the manufacturing method thereof |
JP4748954B2 (ja) | 2003-07-14 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
TWI336921B (en) | 2003-07-18 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
JP4712332B2 (ja) | 2003-08-28 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
WO2005022262A1 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method for thin film transistor and manufacturing method for display device |
US7314785B2 (en) * | 2003-10-24 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR101030056B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2011-04-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시장치 제조방법 |
JP2005167051A (ja) | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
KR20050060963A (ko) * | 2003-12-17 | 2005-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
TWI366701B (en) * | 2004-01-26 | 2012-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing display and television |
JP4221314B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2009-02-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示装置およびその薄膜トランジスタの製造方法 |
SG115733A1 (en) * | 2004-03-12 | 2005-10-28 | Semiconductor Energy Lab | Thin film transistor, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
EP1624333B1 (en) * | 2004-08-03 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method thereof, and television set |
US7247529B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
EP2246836A1 (en) | 2004-12-16 | 2010-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active Matrix Substrate, Method For Fabricating Active Matrix Substrate, Display Device, Liquid Cyrstal Display Device, And Television Device |
CN100342552C (zh) * | 2004-12-21 | 2007-10-10 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管与其制作方法 |
JP4752266B2 (ja) | 2004-12-24 | 2011-08-17 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
US8068200B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-11-29 | Casio Computer Co., Ltd. | Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions |
JP5229765B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2013-07-03 | 三星ディスプレイ株式會社 | 液晶表示装置 |
TWI283483B (en) * | 2005-02-01 | 2007-07-01 | Innolux Display Corp | TFT LCD and fabricating method thereof |
KR100793357B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2008-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터와 평판표시장치 및 그의 제조 방법 |
KR101216688B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2012-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
US7579220B2 (en) * | 2005-05-20 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method |
JP4577114B2 (ja) | 2005-06-23 | 2010-11-10 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 |
JP2007035964A (ja) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Sony Corp | 薄膜トランジスタとその製造方法、及び表示装置 |
JP4753373B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
CN101313346B (zh) | 2005-11-24 | 2011-05-04 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板、液晶面板、显示装置、电视接收器以及这些基板和面板的修正方法和制造方法 |
WO2007063809A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Fujifilm Corporation | 液晶表示装置用基板、液晶表示素子、及び液晶表示装置 |
TWI268619B (en) * | 2005-11-30 | 2006-12-11 | Tpo Displays Corp | Systems and methods involving thin film transistors |
CN102176299B (zh) * | 2005-12-02 | 2013-07-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件的驱动方法 |
KR101383714B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2014-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US8212953B2 (en) * | 2005-12-26 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2007074556A1 (ja) | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機、アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
JP4932823B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2012-05-16 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、表示装置及びテレビジョン受像機 |
KR101277606B1 (ko) * | 2006-03-22 | 2013-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7847907B2 (en) * | 2006-05-24 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate, method of fabricating the same, and liquid crystal display device having the same |
US7863612B2 (en) * | 2006-07-21 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
CN100444009C (zh) * | 2006-07-25 | 2008-12-17 | 友达光电股份有限公司 | 阵列基板的形成方法 |
JP2007049171A (ja) * | 2006-08-30 | 2007-02-22 | Chi Mei Electronics Corp | 微結晶薄膜トランジスタを用いた画像表示装置 |
US8022466B2 (en) * | 2006-10-27 | 2011-09-20 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile memory cells having a polysilicon-containing, multi-layer insulating structure, memory arrays including the same and methods of operating the same |
US8921858B2 (en) * | 2007-06-29 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US9176353B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US7738050B2 (en) * | 2007-07-06 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal display device |
TWI521292B (zh) * | 2007-07-20 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
JP2009049384A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US7611930B2 (en) * | 2007-08-17 | 2009-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
US8030655B2 (en) * | 2007-12-03 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device having thin film transistor |
WO2010032640A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
-
2008
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