JP2008270763A5 - - Google Patents
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- 第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を被覆する前記有機物を分解し、
前記表面側に位置するナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物に活性酸素を晒し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物にオゾン雰囲気下で紫外線を照射し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物に空気中で波長２４０ｎｍ以下の紫外線を照射し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物に空気中で波長１７５ｎｍ以下の紫外線を照射し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 請求項３又は請求項４において、
低圧水銀ランプを用いて前記紫外線を照射することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
エキシマランプを用いて前記紫外線を照射することを特徴とする記憶素子の作製方法。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記有機物は、アミン系化合物、アルコール類、アルカンチオール類、ジチオール類、グリコール類、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、アニオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、又は、ポリエチレンイミンとポリエチレンオキサイドとを有する共重合体であることを特徴とする記憶素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008063862A JP5255870B2 (ja) | 2007-03-26 | 2008-03-13 | 記憶素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007078348 | 2007-03-26 | ||
| JP2007078348 | 2007-03-26 | ||
| JP2008063862A JP5255870B2 (ja) | 2007-03-26 | 2008-03-13 | 記憶素子の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008270763A JP2008270763A (ja) | 2008-11-06 |
| JP2008270763A5 true JP2008270763A5 (ja) | 2011-04-21 |
| JP5255870B2 JP5255870B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=39795182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008063862A Expired - Fee Related JP5255870B2 (ja) | 2007-03-26 | 2008-03-13 | 記憶素子の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7829473B2 (ja) |
| JP (1) | JP5255870B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534648B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-05-19 | Intel Corporation | Aligned nanotube bearing composite material |
| KR20090075058A (ko) * | 2008-01-03 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 검사 장치의 접촉 단자 |
| JP2010147180A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| WO2010098463A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 日産化学工業株式会社 | 有機スイッチング素子及びその製造方法 |
| JP2010251630A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録素子及び情報記録装置並びにその製造方法 |
| US8211782B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-07-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Printed material constrained by well structures |
| JP2012033750A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| TWI584485B (zh) * | 2011-10-29 | 2017-05-21 | 西瑪奈米技術以色列有限公司 | 於基材上對齊的網路 |
| JP6275441B2 (ja) | 2013-09-30 | 2018-02-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ |
| CN105810587B (zh) * | 2014-12-31 | 2019-07-12 | 清华大学 | N型薄膜晶体管的制备方法 |
| US11430512B2 (en) * | 2020-06-29 | 2022-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconducting metal oxide memory device using hydrogen-mediated threshold voltage modulation and methods for forming the same |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3501416B2 (ja) | 1994-04-28 | 2004-03-02 | 忠弘 大見 | 半導体装置 |
| US5583819A (en) | 1995-01-27 | 1996-12-10 | Single Chip Holdings, Inc. | Apparatus and method of use of radiofrequency identification tags |
| JP2001015472A (ja) | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hoya Schott Kk | 紫外光照射方法及び装置 |
| JP2001237380A (ja) | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変抵抗素子およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2002026277A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Seiko Epson Corp | メモリデバイス及びその駆動方法 |
| JP2002223016A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 量子素子の製造方法 |
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| JP4263581B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2009-05-13 | ハンヤン ハク ウォン カンパニー，リミテッド | 金属薄膜または金属粉末を利用した金属酸化物量子点形成方法 |
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| US7393081B2 (en) | 2003-06-30 | 2008-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Droplet jetting device and method of manufacturing pattern |
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| WO2005041310A1 (en) | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same, and television receiver |
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| JP3933138B2 (ja) | 2004-03-01 | 2007-06-20 | 住友電気工業株式会社 | インクジェット用金属インク |
| KR101215119B1 (ko) | 2004-03-01 | 2012-12-24 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 금속콜로이드용액 및 잉크젯용 금속잉크 |
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| US7247529B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
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| JP4466853B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2010-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 |
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| JP4293181B2 (ja) | 2005-03-18 | 2009-07-08 | セイコーエプソン株式会社 | 金属粒子分散液、金属粒子分散液の製造方法、導電膜形成基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 |
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| JP2006269660A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Nara Institute Of Science & Technology | 半導体装置およびその製造方法 |
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| JP5305148B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2013-10-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、それを用いた電子部品装置およびその製造方法 |
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| KR100768632B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2007-10-18 | 삼성전자주식회사 | 나노입자의 분산방법 및 이를 이용한 나노입자 박막의제조방법 |
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-
2008
- 2008-03-13 JP JP2008063862A patent/JP5255870B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-18 US US12/050,687 patent/US7829473B2/en not_active Expired - Fee Related
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