JP4466853B2 - 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 - Google Patents
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第1の薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、
ソース・ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタと、下部電極、有機強誘電体層及び上部電極を有し、かつ前記ソース・ドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続されている強誘電体キャパシタと、を含むメモリセル部と、
を含み、
前記メモリセル部は、前記駆動回路部の上方に積層されている。本発明によれば、メモリセル部が駆動回路部の上方に積層されているので、平面面積の拡大を防止し、メモリの小型化・大容量化を実現することができる。また、強誘電体キャパシタには有機強誘電体層を用い、第2の薄膜トランジスタには有機半導体層を用いているので、例えばメモリセル部全体として150℃以下の低温プロセスが可能になる。そのため、メモリを形成するための基板の耐熱性の制約が緩和され、基板の選択自由度が向上する。また、有機強誘電体材料は液相プロセスによる低エネルギーによる処理が可能であるので、製造プロセスの容易化を図ることができる。さらに、重金属による環境負荷の問題がなく、容易に廃棄可能であり取り扱いが簡単である。なお、本発明において、特定のA層の上方にB層が設けられているとは、A層上に直接B層が設けられている場合と、A層上に他の層を介してB層が設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
(2)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記強誘電体キャパシタは、前記第2の薄膜トランジスタよりも上層に配置されていてもよい。
(3)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記ソース・ドレイン電極の上方には、前記有機半導体層が形成され、
前記有機半導体層の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記ゲート電極が形成されていてもよい。
(4)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機半導体層の上方には、前記ソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記ゲート電極が形成されていてもよい。
(5)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記ゲート電極の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記ソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極の上方には、前記有機半導体層が形成されていてもよい。
(6)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記ゲート電極の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記有機半導体層が形成され、
前記有機半導体層の上方には、前記ソース・ドレイン電極が形成されていてもよい。
(7)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機半導体層は、フルオレン−チオフェン共重合体により形成されていてもよい。
(8)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記下部電極及び前記上部電極の少なくともいずれか一方は、導電性有機材料により形成されていてもよい。これによれば、導電性有機材料は通常の金属よりも柔軟性を有するので、強誘電体キャパシタのヒステリシス特性が良好になる。
(9)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)、ポリフッ化ブニリデン、(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)コオリゴマー、フッ化ビニリデンオリゴマー、及び奇数ナイロンのいずれかにより形成されていてもよい。
(10)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記第1の薄膜トランジスタは、低温ポリシリコン薄膜トランジスタであってもよい。
(11)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記第1の薄膜トランジスタは、有機半導体薄膜トランジスタであってもよい。
(12)本発明に係る有機強誘電体メモリの製造方法は、
(a)第1の薄膜トランジスタを形成すること、
(b)ソース・ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタを形成すること、
(c)前記ソース・ドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続し、下部電極、有機強誘電体層及び上部電極を有する強誘電体キャパシタを形成すること、
を含み、
前記第2の薄膜トランジスタ及び前記強誘電体キャパシタを含むメモリセル部を、前記第1の薄膜トランジスタを含む駆動回路部の上方に積層する。本発明によれば、メモリセル部を駆動回路部の上方に積層するので、平面面積の拡大を防止し、メモリの小型化・大容量化を実現することができる。また、強誘電体キャパシタには有機強誘電体層を用い、第2の薄膜トランジスタには有機半導体層を用いているので、例えばメモリセル部全体として150℃以下の低温プロセスが可能になる。そのため、メモリを形成するための基板の耐熱性の制約が緩和され、基板の選択自由度が向上する。また、有機強誘電体材料は液相プロセスによる低エネルギーでの成膜が可能であるので、製造プロセスの容易化を図ることができる。さらに、重金属による環境負荷の問題がなく、容易に廃棄可能であり取り扱いが簡単である。
(13)この有機強誘電体メモリの製造方法において、
前記(a)工程で、前記第1の薄膜トランジスタを低温ポリシリコンプロセスにより形成してもよい。
(14)この有機強誘電体メモリの製造方法において、
前記(b)及び(c)工程を液相プロセスにより行ってもよい。これにより、安価かつ容易な製造プロセスを実現することができる。
(15)
この有機強誘電体メモリにおいて、
前記(b)工程で、前記ソース・ドレイン電極、前記有機半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極のそれぞれを液滴吐出法により所定のパターンに形成してもよい。これにより、直接的にパターンを形成することができるので、製造プロセスの容易化を図ることができる。
(16)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記(c)工程で、前記下部電極、前記有機強誘電体層及び前記上部電極のそれぞれを液滴吐出法により所定のパターンに形成してもよい。これにより、直接的にパターンを形成することができるので、製造プロセスの容易化を図ることができる。
(17)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記(c)工程で、前記上部電極を所定のパターンを有するように形成し、前記所定のパターンを有する前記上部電極をマスクとして前記有機強誘電体層をアッシングすることにより、前記有機強誘電体層をパターニングしてもよい。これによれば、上部電極をマスクとして利用することにより、有機強誘電体層をパターニングするためのマスクを形成する必要がなくなり、製造プロセスの容易化を図ることができる。
(18)この有機強誘電体メモリにおいて、
前記(a)工程後に、前記第1の薄膜トランジスタの上方に第1の絶縁層を形成することをさらに含み、
前記(b)工程後に、前記第2の薄膜トランジスタの上方に第2の絶縁層を形成することをさらに含み、
前記第2の絶縁層の成膜温度は、前記第1の絶縁層の成膜温度よりも低くてもよい。これによれば、例えば有機半導体層の熱によるダメージを低減することができる。
(19)この有機強誘電体メモリにおいて、
少なくとも前記(a)を含む工程を第1の基板に対して行い、前記第1の基板の上方に前記駆動回路部を含む被転写層を形成し、
少なくとも1回の転写工程により、前記被転写層を第2の基板に転写させることをさらに含んでもよい。これによれば、製造プロセスに要求される条件(プロセス耐性など)及び完成品に要求される条件(フレキシブル性など)の両方を満たすととともに、基板の選択自由度の向上を図ることができる。
本実施の形態では、蓄積容量型(例えばいわゆる1トランジスタ1キャパシタ型)の有機強誘電体メモリを製造する。有機強誘電体メモリの製造方法は、駆動回路部180の形成工程と、メモリセル部182の形成工程と、を含む。
こうして、図21に示すように、有機強誘電体メモリ1000を形成することができる。この有機強誘電体メモリ1000は、駆動回路部180と、メモリセル部182と、を含む。それらの詳細は、上述した製造方法において説明した通りである。
図23〜図25は、本実施の形態の第1の変形例を示す図であり、有機強誘電体メモリ及びその製造方法を説明する図である。図24及び図25は、第2の薄膜トランジスタの部分のみを示している。本変形例では、第2の薄膜トランジスタの構造が上述と異なっている。
図26及び図27は、本実施の形態の第2の変形例を示す図であり、有機強誘電体メモリ及びその製造方法を説明する図である。
図28は、本実施の形態の第3の変形例を示す図であり、有機強誘電体メモリの回路図である。上述の内容では、1トランジスタ1キャパシタ型の例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、いわゆる2トランジスタ2キャパシタ型の有機強誘電体メモリについて適用することができる。このメモリ構造によれば、上述した効果に加え、動作余裕度が高く、製造工程等に起因する特性ばらつきに対して強いという特徴がある。あるいは、上述の1T1C型、2T2C型とは別の他の蓄積容量型について本発明の内容を適用してもよい。
図29〜図32は、本実施の形態の第4の変形例を示す図であり、有機強誘電体メモリの製造方法を示す図である。本変形例では、強誘電体キャパシタ160のパターニング方法が上述と異なっている。
上述の製造方法では転写技術を適用した例を説明したが、完成品としての基板(第2の基板200)上に対して駆動回路部及びメモリセル部を直接形成してもよい。その場合に、使用する基板は、駆動回路部及びメモリセル部の形成工程に対して耐熱性を有することが好ましい。
140…ソース電極 142…ドレイン電極 144…有機半導体層
146…ゲート絶縁層 148…ゲート電極 150…第2の薄膜トランジスタ
152…第2の絶縁層 160…強誘電体キャパシタ 162…下部電極
164…有機強誘電体層 166…上部電極 170…第3の絶縁層
180…駆動回路部 182…メモリセル部 190…被転写層 200…第2の基板
240…ソース電極 242…ドレイン電極 244…有機半導体層
246…ゲート絶縁層 248…ゲート電極 250…第2の薄膜トランジスタ
282…メモリセル部 342…ドレイン電極 346…ゲート絶縁層
348…ゲート電極 350…第2の薄膜トランジスタ 442…ドレイン電極
444…有機半導体層 446…ゲート絶縁層 450…第2の薄膜トランジスタ
510…第1の薄膜トランジスタ 518…ゲート電極 580…駆動回路部
Claims (19)
- 第1の薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、
ソース・ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタと、下部電極、有機強誘電体層及び上部電極を有し、かつ前記ソース・ドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続されている強誘電体キャパシタと、を含むメモリセル部と、
を含み、
前記メモリセル部は、前記駆動回路部の上方に積層されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記強誘電体キャパシタは、前記第2の薄膜トランジスタよりも上層に配置されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1又は請求項2記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記ソース・ドレイン電極の上方には、前記有機半導体層が形成され、
前記有機半導体層の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記ゲート電極が形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1又は請求項2記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機半導体層の上方には、前記ソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記ゲート電極が形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1又は請求項2記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記ゲート電極の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記ソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極の上方には、前記有機半導体層が形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1又は請求項2記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記ゲート電極の上方には、前記ゲート絶縁層が形成され、
前記ゲート絶縁層の上方には、前記有機半導体層が形成され、
前記有機半導体層の上方には、前記ソース・ドレイン電極が形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機半導体層は、フルオレン−チオフェン共重合体により形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記下部電極及び前記上部電極の少なくともいずれか一方は、導電性有機材料により形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記有機強誘電体層は、ポリ(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)、ポリフッ化ブニリデン、(フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン)コオリゴマー、フッ化ビニリデンオリゴマー及び奇数ナイロンのいずれかにより形成されている、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記第1の薄膜トランジスタは、低温ポリシリコン薄膜トランジスタである、有機強誘電体メモリ。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記第1の薄膜トランジスタは、有機半導体薄膜トランジスタである、有機強誘電体メモリ。 - (a)第1の薄膜トランジスタを形成すること、
(b)ソース・ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタを形成すること、
(c)前記ソース・ドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続し、下部電極、有機強誘電体層及び上部電極を有する強誘電体キャパシタを形成すること、
を含み、
前記第2の薄膜トランジスタ及び前記強誘電体キャパシタを含むメモリセル部を、前記第1の薄膜トランジスタを含む駆動回路部の上方に積層する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12記載の有機強誘電体メモリの製造方法において、
前記(a)工程で、前記第1の薄膜トランジスタを低温ポリシリコンプロセスにより形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12又は請求項13記載の有機強誘電体メモリの製造方法において、
前記(b)及び(c)工程を液相プロセスにより行う、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12から請求項14のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記(b)工程で、前記ソース・ドレイン電極、前記有機半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極のそれぞれを液滴吐出法により所定のパターンに形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12から請求項15のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記(c)工程で、前記下部電極、前記有機強誘電体層及び前記上部電極のそれぞれを液滴吐出法により所定のパターンに形成する、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12から請求項15のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記(c)工程で、前記上部電極を所定のパターンを有するように形成し、前記所定のパターンを有する前記上部電極をマスクとして前記有機強誘電体層をアッシングすることにより、前記有機強誘電体層をパターニングする、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12から請求項17のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
前記(a)工程後に、前記第1の薄膜トランジスタの上方に第1の絶縁層を形成することをさらに含み、
前記(b)工程後に、前記第2の薄膜トランジスタの上方に第2の絶縁層を形成することをさらに含み、
前記第2の絶縁層の成膜温度は、前記第1の絶縁層の成膜温度よりも低い、有機強誘電体メモリの製造方法。 - 請求項12から請求項18のいずれかに記載の有機強誘電体メモリにおいて、
少なくとも前記(a)を含む工程を第1の基板に対して行い、前記第1の基板の上方に前記駆動回路部を含む被転写層を形成し、
少なくとも1回の転写工程により、前記被転写層を第2の基板に転写させることをさらに含む、有機強誘電体メモリの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005072578A JP4466853B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005072578A JP4466853B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261178A JP2006261178A (ja) | 2006-09-28 |
JP4466853B2 true JP4466853B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=37100130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005072578A Active JP4466853B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4466853B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI763356B (zh) * | 2020-06-18 | 2022-05-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 具有記憶體裝置的半導體結構及其形成方法 |
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---|---|---|---|---|
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KR20100018156A (ko) | 2008-08-06 | 2010-02-17 | 삼성전자주식회사 | 적층형 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8054673B2 (en) * | 2009-04-16 | 2011-11-08 | Seagate Technology Llc | Three dimensionally stacked non volatile memory units |
KR101473684B1 (ko) | 2009-12-25 | 2014-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2013009285A (ja) * | 2010-08-26 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 信号処理回路及びその駆動方法 |
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TWI572009B (zh) * | 2011-01-14 | 2017-02-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶裝置 |
JP5981711B2 (ja) | 2011-12-16 | 2016-08-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR102056867B1 (ko) | 2013-03-04 | 2020-01-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
KR102458660B1 (ko) | 2016-08-03 | 2022-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
CN107154407A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-09-12 | 厦门天马微电子有限公司 | 复合薄膜晶体管器件及其制造方法、显示面板和显示装置 |
JP7264894B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2023-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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2005
- 2005-03-15 JP JP2005072578A patent/JP4466853B2/ja active Active
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US11980036B2 (en) | 2020-06-18 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure having memory device and method of forming the same |
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---|---|
JP2006261178A (ja) | 2006-09-28 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070801 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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