JP2008235872A - 液浸リソグラフィにおけるinsituレンズクリーニングのためのシステムおよび方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】液浸リソグラフィシステムで使用されるレンズのinsituクリーニングのためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】露光ゾーン内に液体の流れを生成する液浸液供給デバイス230および液浸液放出デバイスを含むシャワーヘッドと、液浸液に接触した投影光学システムの部分をクリーニングガスによってクリーニングするクリーニングデバイスとを含む液浸リソグラフィ装置が提供される。クリーニングデバイスは、露光ゾーンに入るクリーニングガスの流れを生成するガス供給デバイス250およびガス放出デバイス260を含む。液浸リソグラフィシステムの露光ゾーンに液浸流体を提供する液浸流体シャワーヘッドを有する液浸リソグラフィシステム内で、最終レンズ要素136をinsituクリーニングする。
【選択図】図2

Description

[0001] 本発明は液浸リソグラフィに、特に液浸リソグラフィシステムにおけるinsituレンズクリーニングのための方法を提供することに関する。
[0002] リソグラフィは、基板の表面にフィーチャを生成するために使用するプロセスである。このような基板は、フラットパネルディスプレイ(例えば液晶ディスプレイ)、半導体ウェーハ、回路基板、様々な集積回路、印刷ヘッド、マクロ/ナノ流体基板などの製造に使用できるものを含むことができる。リソグラフィ中に、基板ステージ上に配置された基板は、リソグラフィ装置内に配置された露光光学系によって、基板の表面に投影される像に露光される。
[0003] 投影された像は、基板の表面に配置されたフォトレジストなどの層の性質に変化を生じさせる。これらの変化は、露光中に基板に投影されたフィーチャに対応する。露光後に、層をエッチングするか、他の方法で処理して、パターン付き層を生成することができる。パターンは露光中に基板に投影されるこれらのフィーチャに対応する。次に、パターン付き層を使用して、導電層、半導体層または絶縁層などの基板内の下にある構造層の露光部分を除去するか、さらに処理する。このプロセスを、所望のフィーチャが基板の表面、または様々な層に形成されるまで、他のステップとともに繰り返す。
[0004] 液浸リソグラフィの分野では、露光作業は、投影光学系の最終レンズ要素と基板の間の通常水である液浸液とともに実行される。最終レンズ要素の表面は、溶剤を使用して定期的に手作業でクリーニングされる。除去される残留物は通常、処理中の基板上のフォトレジストを紫外線で露光することによるレジスト浸出に伴う処理から生じる。このレンズクリーニング方法は、レンズを通常は取り外さなければならないので、時間がかかる。さらに、この方法は、新しい液浸リソグラフィ露光システムにはそれほど適切ではない。新しい液浸リソグラフィシステムは、屈折率が高い液浸流体を使用する。屈折率が高い液浸流体は有機質で、紫外線露光で分解して、炭素付着物を生成し、これは手作業では容易にはレンズ表面からクリーニングされない。
[0005] 必要とされているのは、屈折率が高い液浸流体とともに動作する液浸リソグラフィシステムで使用されるレンズのinsituクリーニングのための方法である。
[0006] 本発明は、エネルギ源と、投影光学システムと、上に置かれた基板を動かすステージと、投影光学システムと基板の間に液体の流れを生成する液浸液供給デバイスおよび液浸液放出デバイスを含むシャワーヘッドと、液浸液に接触した投影光学システムの部分をクリーニングガスによってクリーニングするクリーニングデバイスとを含む液浸リソグラフィ装置を対象にする。実施形態では、クリーニングデバイスはガス供給デバイスおよびガス放出デバイスを含む。ガス供給デバイスは、投影光学システムの最終レンズ要素とステージの間にクリーニングガスの流れを生成する。最終レンズ要素は液浸流体と接触し、ウェットレンズ要素と呼ぶこともできる。実施形態では、装置は最終レンズ要素のクリーニングが必要な時を判断するドーズセンサを含むウェーハステージを含む。ウェーハステージは、紫外線光源、またはクリーニングされている最終レンズ要素の表面に紫外線光を反射するために使用される1つまたは複数のミラーも含むことができる。実施形態では、システムのエネルギ源は、クリーニング用紫外線光を提供する。
[0007] 本発明は、液浸リソグラフィシステムの露光ゾーンに液浸流体を提供する液浸流体シャワーヘッドを有する液浸リソグラフィシステム内にて最終レンズ要素をinsituクリーニングする方法も提供する。方法は、最終レンズ要素にクリーニングが必要であることを判断することを含む。この判断をすると、液浸流体がシャワーヘッドおよび露光ゾーンから排出される。次に、クリーニングガスが、シャワーヘッドを通して、液浸流体に曝された最終レンズ要素表面の向こう側までにわたって送られる。あるいは、ガスはシャワーヘッド以外の手段を通ることができる。最終レンズ要素がクリーニングガスに曝されている間、最終レンズ要素は、紫外線光にも曝されている。紫外線光が存在する状態で、クリーニングガスがウェットレンズの表面の汚染物質と反応し、レンズから汚染物質/デブリを除去する。反応によって蒸発したデブリは、流れるクリーニングガスによって掃き取られ、それによって最終レンズ要素をクリーニングする。
[0008] 別の実施形態では、ガスデリバリシステム内でオゾンを発生する。このような実施形態では、オゾンおよび他のガス、例えば酸素および窒素を含むクリーニングガス混合物が、ガスデリバリシステム内で生成される。次に、ガス混合物が、クリーニングのためにウェットレンズ要素へと届けられる。この実施形態では、紫外線光源が必要ない。
[0009] 本発明は、最終レンズ要素を損傷せず、レンズの取外しおよび再配置という骨の折れる作業も必要としない最終レンズ要素のinsituクリーニングのための効率的なシステムおよび方法を提供する。
[00010] 本発明を添付図面を参照しながら説明する。図面では、同様の参照番号は同一の、または機能的に類似した要素を示す。要素が最初に現れた図が、対応する参照番号の最左桁で示される。
[00016] 本明細書では本発明を特定の用途の例示的実施形態に関して説明しているが、本発明がそれに制限されないことを理解されたい。本明細書で与えられる教示に触れた当業者には、その範囲内で追加的な変更、応用および実施形態、ならびに本発明が極めて有用となる追加の領域が認識される。
[00017] 液浸リソグラフィシステムでは、投影光学システムの出口窓と加工中の基板表面との間の空間に液体が注入される。図1は、液浸リソグラフィシステム100のブロック図である。システム100はエネルギ源110、パターンジェネレータ120、および投影光学システム130を含む。エネルギ源110は、加工中の基板150などの基板にパターンを生成するために使用されるエネルギ露光ドーズを生成する。パターンジェネレータ120は、基板150に生成すべきパターンを生成する。
[00018] 投影光学システム130は光学要素132、光学要素134、および出口POS要素または最終レンズ要素とも呼ばれる光学要素136を含む。投影光学システム130は、エネルギ源110によって提供されたエネルギを調節して、これを基板150に適切に集束し、所望のパターンを生成する。
[00019] 基板150は、ウェーハステージ160の表面に固定される。ウェーハステージ160は、リソグラフィ機械に機械的に結合され、パターンが生成されている基板の区域に応じて、投影光学系の下方で基板の位置を調節するように動く。当業者に知られているように、投影光学系は数とタイプの両方で、広範囲の光学要素を有することができる。投影光学システム130は、例示的目的で単純化した例が提供され、本発明の範囲を制限するものではない。
[00020] 液浸液140は、露光ゾーンと呼ばれる基板150と最終レンズ要素136との間の空間を充填する。液浸リソグラフィシャワーヘッド(図示せず)は、加工中の基板の区域全体に液浸液140の流れを提供する。時間が経過すると、紫外線露光プロセスおよび液浸液の不純物の結果である付着物が、最終レンズ要素136の表面に形成される。これらの付着物は、液浸リソグラフィ装置の性能を損ない、定期的にクリーニングする必要がある。
[00021] レンズ要素136のレンズ表面のクリーニングは、重大な難問を提起する。例えば、クリーニングプロセスは、レンズを損傷してはならない。残念ながら、多くのクリーニング溶液は、レンズ要素に使用される材料にとって腐食性であり、レンズ表面を荒らす。また、レンズ要素はツール内に埋め込まれるので、クリーニング温度が高くなりすぎてはならない。これらの制限があるので、レンズを清浄に維持するには、最終レンズ要素間の距離を調節し、液浸流体の高い流量を維持して、デブリがレンズ表面に沈殿するのを防止するなど、細心の注意が要る。また、紫外線透過率を高く維持するために、液浸流体の精製も実行される。これらのステップはデブリおよび紫外線で活性化した付着物を減少させることができるが、無くなることはない。したがって、往々にしてクリーニングのためにレンズ要素にアクセスするか、外さねばならず、これも望ましくない。というのは、レンズを外し、交換するために時間がかかり、取り外しプロセス中にレンズを損傷する可能性が高まるからである。
[00022] 最近の研究で、過酸化水素とオゾンを試験して、その組合せが有機汚染物質を酸化できるか調べた。研究は、酸化体が汚染物質を除去するには弱すぎるという結論になった。研究は、イオンおよびアニオンを含む様々な種類の界面活性剤も試みたが、明快な改善はなかったいうことも示した。Changその他のDevelopment of Cleaning Process for Immersion Lithography(Proc. of SPIE, Vol. 6154 (2006))(「Changの研究」)を参照されたい。
[00023] 「Liquid Immersion Optical Tool Method for Cleaning Liquid Immersion Optical Tool, and Method for Manufacturing Semiconductor Device」と題され、2005年9月2日にHigashikiによって出願された米国特許出願第11/217,464号は、クリーニング溶液を使用して最終レンズ要素をクリーニングする装置について説明している。クリーニング溶液が最終レンズ要素を通過し、レンズからデブリをクリーニングする。オゾン水、イオン化水、炭酸水、または過酸化水などの機能水を、クリーニング溶液として使用する。あるいは、酸をクリーニング溶液として使用する。また、水蒸気を使用してクリーニングを実行することができる。Higashikiの特許出願の段落39。超音波、噴射水またはキャビテーションジェットを使用して、クリーニング溶液中に空隙を生成し、クリーニングすべき区域を溶液が通過するにつれ、洗浄作用を提供することができる。専門のノズルを使用する。同上の段落40−41。クリーニングプロセスがすすぎプロセスを通して終了すると、クリーニング溶液が排出される。同上の段落48。
[00024] Higashikiの特許出願およびChangの研究結果に記載された上記のシステムとは対照的に、本発明は紫外線で活性化した酸素に基づいたガスのクリーニングプロセス(ultra-violet activated oxygen based gaseous cleaning process)を使用して、レンズ136のウェットレンズ表面に吸着した付着物を定期的に除去することによって、レンズ136などの最終レンズ要素のクリーニングに対処する。Higashikiの特許出願の場合のように、クリーニング溶液を使用するのではなく、本発明は、紫外線光によって活性化した酸素に基づいたガスを使用して、クリーニング作用を提供する。
[00025] 図2は、本発明の実施形態による液浸リソグラフィ装置200の線図を提供する。液浸リソグラフィ装置100の場合のように、液浸リソグラフィ装置200はエネルギ源110、パターンジェネレータ120、および投影光学システム130を含む。エネルギ源110は、加工中の基板150などの基板にパターンを生成するために使用されるエネルギ露光ドーズを生成する。パターンジェネレータ120は、基板150に生成すべきパターンを生成する。
[00026] 液浸リソグラフィ装置200は、最終レンズ要素136と基板150の間に液体140の流れを生成する液浸液供給デバイス230および液浸液放出デバイス240も含む。液浸液140は供給管210を通って流れ、露光ゾーンと呼ばれる最終レンズ要素136と基板150の間の区域を横切って、放出管220を通って出て、液浸液放出デバイス240に入る。液浸液供給デバイス230、液浸液放出デバイス240、供給管210および放出管220は、シャワーヘッドの主な要素を示すためのものである。本発明は、記載されたようなシャワーヘッドでの使用に制限されず、当業者は、本明細書の教示に基づいて、本発明を他のタイプのシャワーヘッド設計で使用可能にすることができる。実施形態では、液浸液供給デバイス230と液浸液排出デバイス240のいずれか、または両方が、クリーニングプロセスを実行する場合のための準備で、液浸液を完全に排出するベントまたは他の手段を含む。
[00027] 液浸リソグラフィ装置200は、投影光学システムの一部をクリーニングするクリーニングデバイスも含む。クリーニングデバイスは、ガス供給デバイス250およびガス放出デバイス260を含む。ガス供給デバイス250は、最終レンズ要素136とステージ160の間にクリーニングガスの流れを生成する。この実施形態では、ガス供給デバイス250は、ガス供給管(図示せず)を取り付けることができるベントである。同様に、ガス放出デバイス260は、クリーニングガスを除去するために、ガス放出管(図示せず)を取り付けることができるベントである。ガス供給デバイス250およびガス放出デバイス260は、ガスの流れを生成できる任意のタイプのデバイスまたは装置を含むことができる。クリーニングガスは、例えば空気、酸素増強空気(oxygen enhanced air)または酸化希ガス(oxygenated noble gases)を含むことができる。
[00028] 代替実施形態、または追加特徴がある実施形態では、ガス供給デバイス250が、Absolute Systems, Inc.が製造したAE13MC Concentration Unitなどのオゾンジェネレータに結合される。ガス供給デバイス250は、これでクリーニングガスを最終レンズ要素136の向こう側まで押しやる。この実施形態では、クリーニングのために紫外線光源が必要ではない。別の実施形態では、放電を使用して、オゾンを発生させることができる。ガス供給デバイス250とガス放出デバイス260の一方または両方が、シャワーヘッド内に含まれる。ガス供給デバイス250とガス放出デバイス260の一方または両方を、シャワーヘッドに取り付けることができる。
[00029] 基板150は、ウェーハステージ205の表面に固定される。ウェーハステージ205は、リソグラフィ機械に機械的に結合され、パターンが生成されている基板の区域に応じて、投影光学系の下方で基板の位置を調節するように動く。他の実施形態では、ウェーハステージ205を以下で検討するように、ウェーハステージ160またはウェーハステージ405で置換することができる。
[00030] また、実施形態ではウェーハステージ205がドーズセンサ270および紫外線光源280を含む。ドーズセンサ270は、最終レンズ要素136の下方に配置して、レンズのクリーニングが必要か判断することができる。ドーズセンサ270は、投影光学系130を通して送られ、受け取ったエネルギを感知する。感知したエネルギが特定の閾値より低い、または露光ゾーンの均一性が許容可能なレベルより下まで劣化した場合、レンズクリーニングの表示が提供される。閾値は、エネルギ源110のタイプ、エネルギドーズ、投影光学システム130および使用されている液浸流体のタイプによって変化する。
[00031] 紫外線光源280は、クリーニングプロセス中に最終レンズ要素136の部分の照明に使用される紫外線光を生成する。クリーニングプロセスを開始すると、ウェーハステージ160は、紫外線光源280がクリーニング中の区域の下方に配置されるように配置される。ウェーハステージ160は、紫外線光が最終レンズ要素136に当たることができるようにする透明な表面の開口を含む。実施形態では、エネルギ源110は、クリーニングを支持するために必要な紫外線光を提供することができる。
[00032] 図4を参照すると、ウェーハステージ405も液浸リソグラフィ装置200の実施形態で、ウェーハステージ205の代替物として使用することができる。ウェーハステージ405を使用すると、紫外線光源420が紫外線光を、ウェーハステージ405の底部に装着されているミラー410に送る。ミラー410は、紫外線光を誘導して、クリーニング中の光学要素、通常は最終レンズ要素126に当てる。
[00033] 図5は、本発明の実施形態により液浸リソグラフィシステム内で最終レンズ要素をinsituクリーニングする方法500のフローチャートを提供する。方法500はステップ510で開始する。ステップ510で、最終レンズ要素はクリーニングが必要であるという指示を判断する。以上で検討したように、炭素付着物が、最終レンズ要素の表面に堆積している。1つの実施形態では、ドーズセンサ270などのドーズセンサを使用して、最終レンズ要素136などの最終レンズ要素にクリーニングが必要であるか、判断することができる。あるいは、液浸流体のタイプおよび流体処理装置のクリーニングに基づいて、最終レンズ要素をクリーニングする時であるかを判断することができる。
[00034] ステップ520で、液浸流体を排出する。例えば、液浸流体140は、液浸液供給デバイス230および液浸液放出デバイス240から排出することができる。実施形態では、液浸液放出デバイスは、クリーニングプロセスの準備で液浸液を完全に排出するベントまたは他の手段を含む。
[00035] ステップ530で、クリーニングガスを最終レンズ要素の向こう側まで通す。実施形態では、クリーニングガスは、空気、酸素増強空気または酸化希ガスを含むことができる。クリーニングガス供給デバイス250は、クリーニングガスを例えば最終レンズ要素135とウェーハステージ205の間の区域に強制的に入れる。クリーニングガス放出デバイス240は、最終レンズ要素135を越えて押しやられているガスを受ける。実施形態では、ガス放出デバイス240は、クリーニングガスを抽出する真空を含むことができる。外部ガスポンプおよび真空を、ガス供給デバイス230およびガス放出デバイス240に取り付けることができる。実施形態では、ガス供給デバイス230およびガス放出デバイス240は、外部供給および放出装置に結合されたベントである。クリーニングプロセス中に最終レンズ要素を紫外線光に露光する前に、最終レンズ要素を乾燥しなければならない。実施形態では、ステップ530は、最終レンズ要素が乾燥していることを保証するのに必要なほど十分長く行われる。代替実施形態では、ステップ520の後で、ステップ530にてクリーニングガスを導入する前に、別個の乾燥ガスを最終レンズ要素の向こう側まで通す。乾燥ガスは、クリーニングすべき最終レンズ要素の表面が乾燥していることを保証するのに必要なほど十分長い時間、最終レンズ要素の向こう側まで送られる。乾燥は、数秒から数時間の間で実行することができる。継続時間は可能な限り短いことが望ましく、レンズおよび/または乾燥プロセスに敏感な周囲のフィーチャに損傷を引き起こさないことが好ましい。
[00036] ステップ540で、乾燥している最終レンズ要素を、最終レンズ要素を通るクリーニングガスが存在する状態で、紫外線光に露光する。ステップ530および540の継続時間は、最終レンズ要素に累積したデブリの厚さに基づいて、数秒から数時間の範囲でよい。紫外線光がクリーニングガス中の酸素に及ぼす作用は、オゾンを生成することであり、これは最終レンズ要素の表面に形成された誘起/炭素付着物を除去する。ステップ540の間に、オゾンまたは他のクリーニングガスによってデブリを蒸発させ、CO2および水蒸気を生成する。紫外線光は、エネルギ源110によって、紫外線光源280によって、または紫外線光源420によって生成することができる。
[00037] 代替的または追加的特徴がある別の実施形態では、ガスデリバリシステムによってオゾンを生成する。一例のオゾン生成システムは、例えばAbsolute Systems, Inc.が製造したAE13MC Concentration Unitである。ガスデリバリシステムは、通常酸素、窒素およびオゾンを組み合わせたクリーニングガス混合物を生成する。クリーニングガス混合物は、炭素付着物除去率および安全性に基づいて決定される。
[00038] 実施形態では、オゾンが活性腐食剤であるので、オゾン濃度は可能な限り高い。通常、オゾンの濃度は、オゾンが最終レンズ要素のクリーニングに効果的であるが、オゾンに対して敏感なレンズの周囲の他の特徴を損傷しないように選択される。クリーニングガスはクリーニングすべき最終レンズ要素の表面を通過させられ、このクリーニングガスの通過は有機/炭素付着物を除去する。したがって、レンズに接触するようにクリーニングガスが最終レンズ要素上を流れる継続時間は、汚染付着物を除去するのに十分である。継続時間は、オゾンによって損傷されるような周囲の特徴に損傷が生じないように制限される。クリーニングガスを使用するクリーニングの継続時間は、クリーニングガスに対して敏感な特長によって決定される。継続時間は、最終レンズ要素に累積し得る付着物の厚さによって決定される。継続時間は、数秒から数時間続いてよい。継続時間は、可能な限り短いことが望ましい。
[00039] この実施形態では、紫外線光源は必要ないことがある。というのは、ガスデリバリシステムでオゾンが生成されるからである。
[00040] ステップ550で、以前のステップで蒸発したデブリを、流れるクリーニングガスによって洗い流す。ステップ560で、方法500が終了する。クリーニングプロセスの後、液浸液を液浸液供給デバイス230および液浸液放出デバイス240に再導入する。
結論
[00041] 本発明の例示的実施形態を提示してきた。本発明は、これらの例に制限されない。これらの例は、制限ではなく、例示のために提示されたものである。代替物(本明細書で説明したものの等価物、拡張、変形、逸脱など)が、本明細書に含まれる教示に基づいて、当業者には明白になる。このような代替物は、本発明の範囲および精神に含まれる。
[00011] 液浸リソグラフィシステムのブロック図である。 [00012] 本発明の実施形態による液浸リソグラフィシステムのブロック図である。 [00013] 本発明の実施形態により、最終レンズ要素のクリーニングのために紫外線光源が配置された液浸リソグラフィシステムのブロック図である。 [00014] 本発明の実施形態により、最終レンズ要素のクリーニングのために紫外線光を反射するようミラーが配置された液浸リソグラフィシステムのブロック図である。 [00015] 本発明の実施形態により、事前較正(プレキャリブレーション)した収差情報を使用して液浸リソグラフィシステムの露光ゾーン全体で液浸流体の露光エネルギの加熱効果を補償する方法のフローチャートである。

Claims (24)

  1. エネルギ源と、
    投影光学システムと、
    上に置かれた基板を動かすステージと、
    前記投影光学システムと前記基板の間に液体の流れを生成する液浸液供給デバイスおよび液浸液放出デバイスを含むシャワーヘッドと、
    前記液浸液に接触した前記投影光学システムの部分をクリーニングガスによってクリーニングするクリーニングデバイスと、
    を含む液浸リソグラフィ装置。
  2. 前記クリーニングデバイスが、
    ガス供給デバイスと、
    ガス放出デバイスとを含み、前記ガス供給デバイスが、前記投影光学システムと前記ステージの間にクリーニングガスの流れを生成する、
    請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
  3. 前記ガス供給デバイスがオゾン生成ユニットを備える、請求項2に記載の液浸リソグラフィ装置。
  4. 前記ガス供給デバイスおよびガス放出デバイスが前記シャワーヘッドに取り付けられる、請求項2に記載の液浸リソグラフィ装置。
  5. 前記ガス供給デバイスが、前記液浸液供給デバイスに配置されたガス供給ベント、および前記液浸液放出デバイスに配置されたガス放出ベントを含む、請求項4に記載の液浸リソグラフィ装置。
  6. 前記クリーニングデバイスがさらに、クリーニングプロセス中に液浸液に曝されている前記投影光学レンズシステムの部分を照明する紫外線光源を備える、請求項2に記載の液浸リソグラフィ装置。
  7. 前記紫外線光源は、クリーニングガスが前記投影光学システムと前記ステージの間を流れている間に、クリーニングすべき前記投影光学システム要素に当たる紫外線光を送る、請求項6に記載の液浸リソグラフィ装置。
  8. 前記ウェーハステージが、前記紫外線光源からの光をクリーニングすべき表面に送れるようにする領域を含む。請求項6に記載の液浸リソグラフィ装置。
  9. ウェーハステージが、紫外線光源からの光を反射して、前記紫外線光源からの光をクリーニングすべき表面に送れるようにする前記ウェーハステージの領域に通すミラーを含む、請求項6に記載の液浸リソグラフィ装置。
  10. 前記エネルギ源は、クリーニングガスが前記投影光学システムと前記ステージの間を流れている間に、前記投影光学システム要素に当たる紫外線光を送る、請求項6に記載の液浸リソグラフィ装置。
  11. 前記クリーニングガスが空気、酸素増強空気または酸化希ガスを含む、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
  12. さらに、最終レンズ要素を通って送られたエネルギドーズレベルを感知して、最終レンズ要素のクリーニングが必要か判断するドーズセンサを備える、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
  13. 前記ドーズセンサが前記ステージに配置される、請求項12に記載の液浸リソグラフィ装置。
  14. 最終レンズ要素を通して送られたエネルギドーズレベルを感知して、前記最終レンズ要素のクリーニングが必要か判断するドーズセンサと、
    前記最終レンズ要素に当たる紫外線光を生成する紫外線ランプと、
    を備える液浸リソグラフィウェーハステージ。
  15. さらに、前記紫外線ランプからの光を前記最終レンズ要素に反射するミラーシステムを備える、請求項14に記載の液浸リソグラフィウェーハステージ。
  16. 液浸リソグラフィシステムの露光ゾーンに液浸流体を提供する液浸流体シャワーヘッドを有する液浸リソグラフィシステム内で、最終レンズ要素をinsituクリーニングする方法であって、
    (a)前記シャワーヘッドおよび前記露光ゾーンから前記液浸流体を排出し、
    (b)クリーニングガスを、前記シャワーヘッドを通して、前記液浸流体に曝された前記最終レンズ要素表面の向こう側まで送り、
    (c)前記最終レンズ要素が乾燥した後、前記最終レンズ要素から除去された汚染物質からデブリを生成するステップ(b)にて送られている前記クリーニングガスが存在する状態で、前記最終レンズ要素を紫外線光に曝し、
    (d)前記最終レンズ要素から、ステップ(c)にて発生した前記デブリを洗い流す
    ことを含む方法。
  17. さらに、ステップ(a)とステップ(b)の間に、乾燥ガスを、前記シャワーヘッドを通して、前記液浸流体に曝された前記最終レンズ要素表面の向こう側まで送るステップを含む、請求項16に記載の方法。
  18. 前記クリーニングガスが空気、酸素増強空気、酸化希ガス、またはオゾンを含む、請求項16に記載の方法。
  19. ステップ(b)および(c)の継続時間が、前記最終レンズ要素に累積したデブリの厚さに基づいて、数秒から数時間の範囲である、請求項16に記載の方法。
  20. 前記最終レンズ要素を紫外線光に曝すことが、前記液浸リソグラフィシステムを通して前記紫外線光を送ることを含む、請求項16に記載の方法。
  21. 前記最終レンズ要素を紫外線光に曝すことが、前記最終レンズ要素の下から前記紫外線光を送ることを含む、請求項16に記載の方法。
  22. 液浸リソグラフィシステムの露光ゾーンに液浸流体を提供する液浸流体シャワーヘッドを有する液浸リソグラフィシステム内で、最終レンズ要素をinsituクリーニングする方法であって、
    (a)前記シャワーヘッドおよび前記露光ゾーンから前記液浸流体を排出し、
    (b)前記最終レンズ要素を乾燥し、
    (c)クリーニングガスを、前記シャワーヘッドを通して、前記最終レンズ要素から除去された汚染物質からデブリを生成する前記液浸流体に曝された前記最終レンズ要素の向こう側まで送り、
    (d)ステップ(c)にて発生したデブリを前記最終レンズ要素から洗い流す
    ことを含む方法。
  23. 前記クリーニングガスがオゾンを含む、請求項22に記載の方法。
  24. ステップ(b)および(c)の継続時間が、前記最終レンズ要素に累積したデブリの厚さに基づいて、数秒から数時間の範囲である、請求項22に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010093245A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011151058A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Nikon Corp 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8339572B2 (en) * 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3447581A1 (en) * 2017-08-23 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. A clear-out tool, a lithographic apparatus and a device manufacturing method

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JP2001284224A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US20060028628A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lens cleaning module
JP2006073951A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Toshiba Corp 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006165502A (ja) * 2004-06-21 2006-06-22 Nikon Corp 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
JP2006179909A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置とデバイス製造方法
JP2006310706A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Nikon Corp 光学部品の洗浄方法、液浸投影露光装置および露光方法
WO2007005362A2 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
JP2007123882A (ja) * 2005-10-24 2007-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 液浸リソグラフィ装置及び方法

Family Cites Families (215)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US236634A (en) * 1881-01-11 Granulated laundry-bluing
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4468120A (en) 1981-02-04 1984-08-28 Nippon Kogaku K.K. Foreign substance inspecting apparatus
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US5257128A (en) 1988-06-22 1993-10-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Freezing/perfusion microscope stage
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JP3158446B2 (ja) 1990-12-13 2001-04-23 株式会社ニコン 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP2002511934A (ja) 1997-06-18 2002-04-16 ウルリッヒ・ジェイ・クルール 核酸バイオセンサ診断装置
US5973764A (en) * 1997-06-19 1999-10-26 Svg Lithography Systems, Inc. Vacuum assisted debris removal system
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11224839A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
JP2001121063A (ja) 1999-10-26 2001-05-08 Tokyo Electron Ltd フィルタ装置及び液処理装置
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2000323396A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
TW563002B (en) * 1999-11-05 2003-11-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6571057B2 (en) * 2000-03-27 2003-05-27 Nikon Corporation Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices
JP2001272604A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
US6466365B1 (en) 2000-04-07 2002-10-15 Corning Incorporated Film coated optical lithography elements and method of making
JP3531914B2 (ja) * 2000-04-14 2004-05-31 キヤノン株式会社 光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
US6301055B1 (en) 2000-08-16 2001-10-09 California Institute Of Technology Solid immersion lens structures and methods for producing solid immersion lens structures
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002236111A (ja) 2001-02-09 2002-08-23 Masahiro Nishikawa 液体ポンプの気泡検出方法及びその装置
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
EP1446703A2 (en) * 2001-11-07 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101349876B (zh) 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) * 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4423559B2 (ja) 2002-12-03 2010-03-03 株式会社ニコン 汚染物質除去方法
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4179283B2 (ja) 2002-12-10 2008-11-12 株式会社ニコン 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN101424883B (zh) 2002-12-10 2013-05-15 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP4035510B2 (ja) * 2003-02-12 2008-01-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI474380B (zh) * 2003-05-23 2015-02-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4835155B2 (ja) 2003-07-09 2011-12-14 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
JP2005072404A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
WO2005031820A1 (ja) 2003-09-26 2005-04-07 Nikon Corporation 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100555083C (zh) * 2003-12-23 2009-10-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于浸入式光刻的可除去薄膜
JP2005191393A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
US7145641B2 (en) 2003-12-31 2006-12-05 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101309242B1 (ko) 2004-01-14 2013-09-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US7557900B2 (en) 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2005236047A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Canon Inc 露光装置及び方法
JP2005236079A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 露光装置及び露光方法
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
JP4510494B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
KR101342303B1 (ko) * 2004-06-21 2013-12-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조 방법
US7057702B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004033208B4 (de) 2004-07-09 2010-04-01 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv
US7307263B2 (en) 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
US7476491B2 (en) 2004-09-15 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, gas supply system, method for purging, and device manufacturing method and device manufactured thereby
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
JP2006120674A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Canon Inc 露光装置及び方法、デバイス製造方法
JP2006134999A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Sony Corp 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法
JP2006133661A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Minebea Co Ltd カラーホイールおよびその製造方法と製造用治具
US7362412B2 (en) 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
US20060250588A1 (en) 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7315033B1 (en) * 2005-05-04 2008-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
JP5124452B2 (ja) * 2005-06-21 2013-01-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照射ユニット光学面の二段階クリーニング方法
US20070002296A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
JP2007029973A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Sony Corp レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法
JP2007088328A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Toshiba Corp 液浸型露光装置の洗浄方法
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
CN1955848A (zh) * 2005-10-24 2007-05-02 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法
JP2007142217A (ja) 2005-11-18 2007-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法
JP2007150102A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Fujitsu Ltd 露光装置及び光学素子の洗浄方法
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7462850B2 (en) 2005-12-08 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus
US7405417B2 (en) 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US20070146658A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7522263B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP4704221B2 (ja) 2006-01-26 2011-06-15 株式会社Sokudo 基板処理装置および基板処理方法
JP2007227543A (ja) 2006-02-22 2007-09-06 Toshiba Corp 液浸光学装置、洗浄方法及び液浸露光方法
JP2007227580A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Sony Corp 液浸型露光装置および液浸型露光方法
JP2007266074A (ja) 2006-03-27 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム
JP2007294817A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
US7628865B2 (en) 2006-04-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
TW200815933A (en) 2006-05-23 2008-04-01 Nikon Corp Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP2007317987A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Sokudo:Kk 基板処理装置および基板処理方法
US8564759B2 (en) * 2006-06-29 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US7841352B2 (en) 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7916269B2 (en) * 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US9019466B2 (en) * 2007-07-24 2015-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP5017232B2 (ja) 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
US8339572B2 (en) * 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009212313A (ja) 2008-03-04 2009-09-17 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JP2001284224A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006165502A (ja) * 2004-06-21 2006-06-22 Nikon Corp 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
US20060028628A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lens cleaning module
JP2006073951A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Toshiba Corp 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006179909A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置とデバイス製造方法
JP2006310706A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Nikon Corp 光学部品の洗浄方法、液浸投影露光装置および露光方法
WO2007005362A2 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
JP2007123882A (ja) * 2005-10-24 2007-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 液浸リソグラフィ装置及び方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010093245A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011151058A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Nikon Corp 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法

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