JP4704221B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に露光処理を行う露光装置に隣接して配置され、基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置およびその装置を使用した基板処理方法に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、露光処理はレチクル（焼き付けのためのマスク）のパターンをレジスト塗布された基板に転写する処理であり、いわゆるフォトリソグラフィー処理の中核となる処理である。通常、パターンは極めて微細であるため、基板全面に一括露光せずに、数チップずつ分けて繰り返し露光を行ういわゆるステップ露光が行われる。

一方、近年、半導体デバイス等の急速な高密度化に伴って、マスクのパターンをさらに微細化することが強く要望されている。このため、露光処理を行う露光装置の光源としては旧来の紫外線ランプに代えて比較的波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源といった遠紫外線光源（Deep UV）が主流を占めつつある。ところが、最近のさらなる微細化要求に対してはＡｒＦエキシマレーザ光源でさえも十分ではない。これに対応するためには、より波長の短い光源、例えばＦ２レーザ光源を露光装置に採用することも考えられるが、コスト面の負担を低減しつつさらなるパターン微細化を可能にする露光技術として液浸露光処理法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

液浸露光処理法は、投影光学系と基板との間に屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で「液浸露光」を行うことにより、開口率を大きくして解像度を向上させる技術である。この液浸露光処理法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）をそのまま流用したとしても、その等価波長を１３４ｎｍにすることができ、コスト負担増を抑制しつつレジストマスクのパターンを微細化することができる。

このような液浸露光処理法においても、従来のドライ露光と同様に、マスクのパターン像と基板上の露光領域とを正確に位置合わせすることが重要である。このため、液浸露光処理法に対応する露光装置においても、基板ステージの位置やレチクル位置を校正してパターン像の露光位置を調整するアライメント処理が行われる。ところが、液浸露光処理対応の露光装置では、アライメント処理時に基板ステージ内部に液体（液浸液）が侵入することによって不具合が生じるおそれがあるため、特許文献２には基板ステージにダミー基板を配置してアライメント処理を行うことが開示されている。このようにすれば、ステージ凹部が通常の露光処理時と同様にダミー基板によって塞がれるため、ステージ内部への液体の侵入が防止されるのである。

国際公開９９／４９５０４号パンフレット 特開２００５−２６８７４７号公報

しかしながら、特許文献２に開示されるアライメント処理においては、ステージ内部への液体の侵入は防止されるものの、ダミー基板自体には液体が接触してアライメント処理後も基板上に液滴として残留する可能性がある。このような液滴はパーティクルのような異物を吸着することがあり、液が乾燥した後にダミー基板に異物のみが汚染として付着した状態となるおそれがある。そして、このようにして汚染されたダミー基板を使用してアライメント処理を行うと、基板ステージやその周辺を汚すという問題が生じる。

また、通常の基板（レジスト膜が形成された半導体デバイス製造用の基板）に液浸露光処理を行うときにも、特に基板の周縁部近傍のパターン露光を行うときには液浸液の一部が基板ステージに接触することがある。このときに、基板表面上に付着していたパーティクルが液浸液によって押し流され、基板ステージまで運ばれてそのまま残留し、基板ステージを汚染するという問題を生じる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、露光装置内の機構の汚染を低減することができる基板処理技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接して配置され、基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置において、前記露光装置内の調整作業に使用される露光機用調整基板を格納する格納部と、前記露光機用調整基板を洗浄する洗浄部と、前記露光装置に対して露光機用調整基板の受け渡しを行うとともに、前記格納部と前記洗浄部との間で露光機用調整基板の搬送を行う搬送手段と、を備える。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理装置において、前記露光装置内の調整作業の直前または直後に露光機用調整基板を洗浄するように前記搬送手段および前記洗浄部を制御する洗浄制御手段をさらに備える。

また、請求項３の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理装置において、前記露光機用調整基板を定期的に洗浄するように前記搬送手段および前記洗浄部を制御する洗浄制御手段をさらに備える。

また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる基板処理装置において、未処理基板の搬入を行うとともに処理済み基板の搬出を行うインデクサ部をさらに備え、前記格納部を前記インデクサ部に設置している。

また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明にかかる基板処理装置において、前記洗浄部に、前記露光機用調整基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備える。

また、請求項６の発明は、基板処理装置にてレジスト塗布処理が行われた基板を露光装置に搬送してパターン露光を行った後に、当該基板を前記基板処理装置に戻して現像処理を行う基板処理方法であって、前記露光装置内の調整作業に使用される露光機用調整基板を前記基板処理装置から前記露光装置に渡す送出工程と、前記露光装置にて露光機用調整基板を使用した調整作業を行う調整工程と、調整作業後の露光機用調整基板を前記露光装置から前記基板処理装置に渡す帰還工程と、前記基板処理装置にて露光機用調整基板を洗浄する洗浄工程と、を備える。

また、請求項７の発明は、請求項６の発明にかかる基板処理方法において、前記洗浄工程を、前記送出工程の直前または前記帰還工程の直後に実行している。

また、請求項８の発明は、請求項６の発明にかかる基板処理方法において、前記洗浄工程を定期的に実行している。

また、請求項９の発明は、請求項６から請求項８のいずれかの発明にかかる基板処理方法において、前記洗浄工程に、前記露光機用調整基板にフッ酸を供給して表面処理を行う工程を含ませている。

なお、「露光機用調整基板」とは、露光装置内にてパターン像の露光位置の調整に使用するダミー基板および露光装置内にて基板ステージの洗浄に使用するステージ洗浄用基板の双方を含む。

請求項１の発明によれば、露光装置内の調整作業に使用される露光機用調整基板を格納する格納部と、露光機用調整基板を洗浄する洗浄部と、露光装置に対して露光機用調整基板の受け渡しを行うとともに、格納部と洗浄部との間で露光機用調整基板の搬送を行う搬送手段と、を備えるため、基板処理装置側にて洗浄された清浄な露光機用調整基板を使用して露光装置内の調整作業を行うことができ、露光装置内の機構の汚染を低減することができる。

また、請求項２の発明によれば、露光装置内の調整作業の直前または直後に露光機用調整基板を洗浄するようにしているため、露光装置内の機構の汚染をより確実に低減することができる。

また、請求項３の発明によれば、露光機用調整基板を定期的に洗浄するようにしているため、露光装置内の機構の汚染を安定して低減することができる。

また、請求項４の発明によれば、格納部をインデクサ部に設置しているため、格納部のための追加の平面スペースを確保する必要がない。

また、請求項５の発明によれば、洗浄部に、露光機用調整基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備えるため、シリコン酸化膜を剥離して露光機用調整基板の撥水性を回復することができる。

また、請求項６の発明によれば、露光装置内の調整作業に使用される露光機用調整基板を基板処理装置から露光装置に渡す送出工程と、露光装置にて露光機用調整基板を使用した調整作業を行う調整工程と、調整作業後の露光機用調整基板を露光装置から基板処理装置に渡す帰還工程と、基板処理装置にて露光機用調整基板を洗浄する洗浄工程と、を備えるため、基板処理装置側にて洗浄された清浄な露光機用調整基板を使用して露光装置内の調整作業を行うことができ、露光装置内の機構の汚染を低減することができる。

また、請求項７の発明によれば、洗浄工程を、送出工程の直前または帰還工程の直後に実行しているため、露光装置内の機構の汚染をより確実に低減することができる。

また、請求項８の発明によれば、洗浄工程を定期的に実行しているため、露光装置内の機構の汚染を安定して低減することができる。

また、請求項９の発明によれば、洗浄工程に、露光機用調整基板にフッ酸を供給して表面処理を行う工程を含ませているため、シリコン酸化膜を剥離して露光機用調整基板の撥水性を回復することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

基板処理装置ＳＰは、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。

本実施形態の基板処理装置ＳＰは、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５にはレジスト塗布された基板の露光処理を行う露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。つまり、基板処理装置ＳＰは露光ユニットＥＸＰに隣接して配置されている。また、本実施形態の基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線を経由して接続されている。

インデクサブロック１は、装置外から未処理基板を搬入してバークブロック２やレジスト塗布ブロック３に払い出すとともに、現像処理ブロック４から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、経路ＴＰに沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

また、基板移載機構１２が移動可能な経路ＴＰの上方の一部にはダミー基板ＤＷを格納するダミー基板格納部９１が設けられている。ダミー基板格納部９１は多段の棚構造を有しており、複数枚のダミー基板ＤＷを収納することが可能である。ダミー基板ＤＷは、液浸対応の露光ユニットＥＸＰにおいて、ステージ位置校正等のパターン像の露光位置を調整するアライメント処理を行うときに基板ステージ内部への純水の侵入を防止するために使用されるものである。ダミー基板ＤＷは、通常の（半導体デバイス製造用の）基板Ｗとほぼ同一の形状および大きさを有する。ダミー基板ＤＷの材質は、通常の基板Ｗと同じ材料（例えばシリコン）であってもよいが、液浸露光処理時に液体への汚染物の溶出が無い素材であれば良い。また、ダミー基板ＤＷの表面に撥水性が付与されていても良い。撥水性を付与する手法としては、フッ素化合物やシリコン化合物、或いはアクリル樹脂やポリエチレン等の撥水性を有する材料を使用したコーティング処理が挙げられる。また、ダミー基板ＤＷ自体を上記撥水性を有する材料にて形成するようにしても良い。通常の露光処理時等、アライメント処理を行わないときにはダミー基板ＤＷは不要であるため、インデクサブロック１のダミー基板格納部９１に格納されている。なお、ダミー基板格納部９１へのダミー基板ＤＷの搬出入も基板移載機構１２が行う。すなわち、可動台１２ａが経路ＴＰに沿って移動し、保持アーム１２ｂが昇降動作および進退動作を行うことによってダミー基板格納部９１へのダミー基板ＤＷの搬出入を実行する。

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。また、基板移載機構１２はダミー基板格納部９１から取り出したダミー基板ＤＷも基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗまたはダミー基板ＤＷを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３、スピンチャック２２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（バークブロック２ではホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

図５は、バークブロック２に設けられた搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。

搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。

また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。

このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている（図４参照）。

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にレジスト液を吐出する塗布ノズル３３、スピンチャック３２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。

各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。

ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。なお、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は後述する現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と概ね同様の構成（図８）を備えている。

このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対して直接に基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１，３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている（図４参照）。

現像処理ブロック４は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。また、現像処理ブロック４においては、液浸露光処理が行われた基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことも可能である。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、液浸露光処理後の基板Ｗに対する洗浄処理および乾燥処理を行う洗浄処理部ＳＯＡＫと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤ，洗浄処理部ＳＯＡＫおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。

現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた４つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４を下から順に積層配置して構成されている。なお、４つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４、スピンチャック４３を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

洗浄処理部ＳＯＡＫは１台の洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１を備える。図２に示すように、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１は、現像処理ユニットＳＤ１の下側に配置される。洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１の構成は後述する洗浄処理ユニットＳＵの構成とほぼ同様である。洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１は、回転する基板Ｗに洗浄液（例えば、純水）を供給する洗浄処理、表面処理液（例えば、フッ酸）を供給する表面処理および不活性ガス（例えば、窒素ガス）を吹き付ける乾燥処理を行うことが可能である。

また、図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。

一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１４とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。

図８は、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ７の概略構成を示す図である。図８（ａ）は加熱部ＰＨＰ７の側断面図であり、（ｂ）は平面図である。なお、同図には加熱部ＰＨＰ７を示しているが、加熱部ＰＨＰ８〜ＰＨＰ１２についても全く同様の構成である。加熱部ＰＨＰ７は、基板Ｗを載置して加熱処理する加熱プレート７１０と、当該加熱プレート７１０から離れた上方位置または下方位置（本実施形態では上方位置）に基板Ｗを載置する基板仮置部７１９と、加熱プレート７１０と基板仮置部７１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構７２０とを備えている。加熱プレート７１０には、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン７２１が設けられている。加熱プレート７１０の上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋７２２が設けられている。基板仮置部７１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン７２３が設けられている。

ローカル搬送機構７２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持プレート７２４を備え、この保持プレート７２４がネジ送り駆動機構７２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構７２６によって進退移動されるように構成されている。保持プレート７２４には、これが加熱プレート７１０の上方や基板仮置部７１９に進出したときに、可動支持ピン７２１や固定支持ピン７２３と干渉しないように複数本のスリット７２４ａが形成されている。

また、ローカル搬送機構７２０は、加熱プレート７１０から基板仮置部７１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板Ｗを冷却する冷却手段を備えている。この冷却手段は、図８（ｂ）に示すように、保持プレート７２４の内部に冷却水流路７２４ｂを設け、この冷却水流路７２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。なお、冷却手段としては、保持プレート７２４の内部に例えばペルチェ素子等を設けるようにしても良い。

上述したローカル搬送機構７２０は、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９よりも装置背面側（つまり（＋Ｙ）側）に設置されている。また、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９の（＋Ｘ）側にはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が、（−Ｙ）側には現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が、それぞれ配置されている。そして、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９を覆う筐体７２７の上部、すなわち基板仮置部７１９を覆う部位には、その（＋Ｘ）側に搬送ロボットＴＲ４の進入を許容する開口部７１９ａが、その（＋Ｙ）側にはローカル搬送機構７２０の進入を許容する開口部７１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体７２７の下部、すなわち加熱プレート７１０を覆う部位は、その（＋Ｘ）側および（−Ｙ）側が閉塞（つまり、搬送ロボットＴＲ３および搬送ロボットＴＲ４に対向する面が閉塞）される一方、（＋Ｙ）側にローカル搬送機構７２０の進入を許容する開口部７１９ｃが設けられている。

上述した加熱部ＰＨＰ７に対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が露光後の基板Ｗを保持して、基板仮置部７１９の固定支持ピン７２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構７２０の保持プレート７２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン７２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート７２４は筐体７２７から退出して、加熱プレート７１０に対向する位置まで下降する。このとき加熱プレート７１０の可動支持ピン７２１は下降しているとともに、上蓋７２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート７２４は加熱プレート７１０の上方に進出する。可動支持ピン７２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持プレート７２４が退出する。続いて、可動支持ピン７２１が下降して基板Ｗを加熱プレート７１０上に載せるととともに、上蓋７２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋７２２が上昇するとともに、可動支持ピン７２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持プレート７２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン７２１が下降することにより、基板Ｗが保持プレート７２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート７２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部７１９に搬送する。この搬送過程で保持プレート７２４に支持された基板Ｗが、保持プレート７２４が有する冷却手段によって冷却される。保持プレート７２４は、冷却した（概ね常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部７１９の固定支持ピン７２３上に移載する。この基板Ｗを搬送ロボットＴＲ４が取り出して搬送する。

搬送ロボットＴＲ４は、基板仮置部７１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレート７１０に対して直接基板Ｗの受け渡しをしないので、搬送ロボットＴＲ４が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレート７１０に基板Ｗを出し入れするための開口部７１９ｃが、ローカル搬送機構７２０の側のみに形成されているので、開口部７１９ｃから漏洩した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ３および搬送ロボットＴＲ４が温度上昇することがなく、また現像処理部ＳＤおよび洗浄処理部ＳＯＡＫが開口部７１９ｃから漏れ出た熱雰囲気によって悪影響を受けることもない。

以上のように、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。

また、熱処理タワー４２の最上段には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

次に、露光ユニットＥＸＰと接続するためのインターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗをレジスト塗布ブロック３から受け取って露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４に渡すブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷ１と、ダミー基板ＤＷおよびステージ洗浄用基板ＣＷを洗浄するための洗浄処理ユニットＳＵと、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２、クールプレートＣＰ１４およびエッジ露光ユニットＥＥＷ１，洗浄処理ユニットＳＵに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。エッジ露光ユニットＥＥＷ１，洗浄処理ユニットＳＵと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えている。

エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６や、このスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。

図６は、洗浄処理ユニットＳＵの構成を説明するための図である。洗浄処理ユニットＳＵは、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック４２１を備える。

スピンチャック４２１は、図示を省略する電動モータによって回転される回転軸４２５の上端に固定されている。また、スピンチャック４２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック４２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック４２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック４２１の側方には、第１の回動モータ４６０が設けられている。第１の回動モータ４６０には、第１の回動軸４６１が接続されている。また、第１の回動軸４６１には、第１のアーム４６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム４６２の先端に洗浄処理用ノズル４５０が設けられている。第１の回動モータ４６０の駆動により第１の回動軸４６１が回転するとともに第１のアーム４６２が回動し、洗浄処理用ノズル４５０がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に移動する。

本実施形態の洗浄処理用ノズル４５０は、気体中に液滴を混合して吐出する二流体ノズルである。洗浄処理用ノズル４５０には洗浄用供給管４６３の先端が連通接続されている。洗浄用供給管４６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒｌおよび表面処理液供給源Ｒ２に連通接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄用供給管４６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。すなわち、バルブＶａを開くことにより洗浄用供給管４６３に洗浄液（本実施形態では、純水）を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより洗浄用供給管４６３に表面処理液（本実施形態では、フッ酸）を供給することができる。洗浄液供給源Ｒｌまたは表面処理液供給源Ｒ２から供給された洗浄液または表面処理液は、洗浄用供給管４６３を介して洗浄処理用ノズル４５０に送給される。

また、洗浄処理用ノズル４５０には気体供給管４７４の先端も連通接続されている。気体供給管４７４の基端部側は不活性ガス供給源Ｒ３（例えば工場ユーティリティ）に連通接続されている。気体供給管４７４の経路途中にはバルブＶｄが介挿されている。バルブＶｄを開放することにより洗浄処理用ノズル４５０に所定圧の不活性ガス（本実施形態では、窒素ガス）が送給される。

図７は、二流体ノズルたる洗浄処理用ノズル４５０の構造の一例を示す概略断面図である。洗浄処理用ノズル４５０は、不活性ガス供給源Ｒ３および洗浄液供給源Ｒｌからそれぞれ供給される窒素ガスおよび純水をノズル内部にて混合することによりミスト状の純水液滴を生成して基板Ｗに対して吐出するいわゆる内部混合型の二流体ノズルである。図７に示すように、洗浄処理用ノズル４５０は純水が供給される洗浄液導入管５６５内に、窒素ガスが供給されるガス導入管５６６が挿入された二重管構造となっている。また、洗浄液導入管５６５内のガス導入管５６６端部より下流側は、窒素ガスと純水とが混合される混合部５６７となっている。

加圧された窒素ガスと純水とが混合部５６７において混合されることによりミスト状の純水液滴を含む混合流体が形成される。形成された混合流体は、混合部５６７の下流側の加速管５６８によって加速され、吐出口５６９から吐出される。なお、洗浄処理用ノズル４５０は、窒素ガスおよび純水をノズル外部の開放空間にて衝突させて混合することによりミスト状の純水の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出するいわゆる外部混合型の二流体ノズルであっても良い。また、洗浄処理用ノズル４５０にフッ酸を送給したときには、気体中にミスト状のフッ酸液滴を含む混合流体を形成して基板Ｗに吐出することとなる。

図６に戻り、上記とは異なるスピンチャック４２１の側方には、第２の回動モータ４７０が設けられている。第２の回動モータ４７０には、第２の回動軸４７１が接続されている。また、第２の回動軸４７１には、第２のアーム４７２が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム４７２の先端に乾燥処理用ノズル４５１が設けられている。第２の回動モータ４７０の駆動により第２の回動軸４７１が回転するとともに第２のアーム４７２が回動し、乾燥処理用ノズル４５１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に移動する。

乾燥処理用ノズル４５１には乾燥用供給管４７３の先端が連通接続されている。乾燥用供給管４７３は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に連通接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥用供給管４７３に供給する窒素ガスの供給量を調整することができる。

不活性ガス供給源Ｒ３から供給された窒素ガスは、乾燥用供給管４７３を介して乾燥処理用ノズル４５１に送給される。それにより、乾燥処理用ノズル４５１から基板Ｗの表面へ窒素ガスを吹き付けることができる。

基板Ｗの表面へ洗浄液または表面処理液を供給する際には、洗浄処理用ノズル４５０がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に位置するとともに、乾燥処理用ノズル４５１が所定の位置に退避する。逆に、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、図６に示すように、乾燥処理用ノズル４５１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの上方に位置するとともに、洗浄処理用ノズル４５０が所定の位置に退避する。

スピンチャック４２１に保持された基板Ｗは、処理カップ４２３によって囲繞される。処理カップ４２３の内側には、円筒状の仕切壁４３３が設けられている。また、スピンチャック４２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液または表面処理液）を排液するための排液空間４３１が仕切壁４３３の内側に形成されている。さらに、排液空間４３１を取り囲むように、処理カップ４２３の外壁と仕切壁４３３との間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間４３２が形成されている。

排液空間４３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管４３４が接続され、回収液空間４３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管４３５が接続されている。

処理カップ４２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード４２４が設けられている。このスプラッシュガード４２４は、回転軸４２５に対して回転対称な形状とされている。スプラッシュガード４２４の上端部の内面には、断面くの字形状の排液案内溝４４１が環状に形成されている。また、スプラッシュガード４２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４４２が形成されている。回収液案内部４４２の上端付近には、処理カップ４２３の仕切壁４３３を受け入れるための仕切壁収納溝４４３が形成されている。

このスプラッシュガード４２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）によって鉛直方向に沿って昇降駆動される。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード４２４を、回収液案内部４４２がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む回収位置と、排液案内溝４４１がスピンチャック４２１に保持された基板Ｗの端縁部を取り囲む排液位置との問で昇降させる。スプラッシュガード４２４が回収位置（図６に示す位置）にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散した処理液が回収液案内部４４２により回収液空間４３２に導かれ、回収管４３５を介して回収される。一方、スプラッシュガード４２４が排液位置にある場合には、基板Ｗの端縁部から飛散した処理液が排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４を介して排液される。このようにして、処理液の排液および回収を切り換えて実行可能とされている。なお、表面処理液としてフッ酸などを使用する場合には、その雰囲気が装置内に漏れ出さないように、厳重に雰囲気管理を行う必要がある。また、現像処理ブロック４の洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１は、洗浄処理用ノズル４５０が処理液を気体と混合することなくそのまま吐出するストレートノズルである点を除いては洗浄処理ユニットＳＵと同様の構成を備えている。

図２および図９を参照してさらに説明を続ける。図９は、インターフェイスブロック５を（＋Ｘ）側から見た側面図である。洗浄処理ユニットＳＵの下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。

図９に示すように、搬送機構５５の可動台５５ａは螺軸５２２に螺合される。螺軸５２２は、その回転軸がＹ軸方向に沿うように２つの支持台５２３によって回転自在に支持される。螺軸５２２の一端部にはモータＭ１が連結されており、このモータＭ１の駆動により螺軸５２２が回転し、可動台５５ａがＹ軸方向に沿って水平移動する。

また、可動台５５ａにはハンド支持台５５ｂが搭載されている。ハンド支持台５５ｂは、可動台５５ａに内蔵された昇降機構および旋回機構によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降可能とされるとともに、鉛直方向軸周りに旋回可能とされている。さらに、ハンド支持台５５ｂ上には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５９ａ，５９ｂが上下に並ぶように設けられている。２つの保持アーム５９ａ，５９ｂは、可動台５５ａに内蔵されたスライド駆動機構によって、それぞれ独立にハンド支持台５５ｂの旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。なお、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。

また、インターフェイスブロック５において、センドバッファＳＢＦの下側にはステージ洗浄用基板ＣＷを格納する洗浄用基板格納部９２が設けられている。洗浄用基板格納部９２は多段の棚構造を有しており、複数枚のステージ洗浄用基板ＣＷを収納することが可能である。ステージ洗浄用基板ＣＷは、液浸対応の露光ユニットＥＸＰにおいて、基板ステージを洗浄するために使用されるものである。ステージ洗浄用基板ＣＷは、通常の（半導体デバイス製造用の）基板Ｗとほぼ同一の形状および大きさを有する。ステージ洗浄用基板ＣＷの材質は、通常の基板Ｗと同じ材料（例えばシリコン）であってもよいが、液浸液への汚染物の溶出が無い素材であれば良い。また、ダミー基板ＤＷと同様に、ステージ洗浄用基板ＣＷの表面に撥水性が付与されていても良い。通常の露光処理時等、基板ステージの洗浄処理を行わないときにはステージ洗浄用基板ＣＷは不要であるため、洗浄用基板格納部９２に格納されている。洗浄用基板格納部９２へのステージ洗浄用基板ＣＷの搬出入は搬送機構５５が行う。

また、図２および図９に示すように、洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１の（＋Ｘ）側には開口部５８が形成されている。このため、搬送機構５５は、開口部５８を介して洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に対しても基板Ｗの授受を行うことができる。

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。

一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１の基板移載機構１２やインターフェイスブロック５の搬送機構５５も含まれる。

本実施形態の基板処理装置ＳＰには、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、機械的に分割した単位であるバークブロック２と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と結果として同じ構成になっている。

一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。また、洗浄処理部ＳＯＡＫの洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に対してはインターフェイスブロック５の搬送機構５５がアクセスするため、洗浄処理部ＳＯＡＫも現像処理セルに含まれない。これらの点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。

また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光ユニットＥＥＷ１と搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルは、露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５、洗浄処理部ＳＯＡＫおよび洗浄処理ユニットＳＵを含んで構成されている。このインターフェイスセルは、現像処理ブロック４に位置する洗浄処理部ＳＯＡＫを含むとともに、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光ユニットＥＥＷ１を含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、洗浄処理ユニットＳＵの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

また、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置ＳＰにてレジスト塗布された基板Ｗの露光処理を行う。本実施形態の露光ユニットＥＸＰは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くする「液浸露光処理法」に対応する液浸露光装置であり、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う。

次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図１０は、基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰの制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線１０１を介して接続されている。基板処理装置ＳＰは、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置ＳＰの全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドやパラメータを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしても良い。

第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順に従って循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニット、現像処理ユニットおよび洗浄処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。具体的には、ベークコントローラは、例えばホットプレートに内蔵されたヒータを制御してプレート温度等を調整する。

一方、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置ＳＰの制御機構から独立した別個の制御部たるコントローラＥＣが設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣは、ハードウェア構成としては一般的なコンピュータと同様の構成を有しており、露光ユニットＥＸＰ内での露光処理を制御する他に基板処理装置ＳＰとの基板受け渡し動作をも制御する。

また、ホストコンピュータ１００は、基板処理装置ＳＰに設けられた３階層からなる制御階層および露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣの上位の制御機構として位置するものである。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、本実施形態の基板処理装置ＳＰや露光ユニットＥＸＰが通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰに処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置ＳＰのメインコントローラＭＣおよび露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。

次に、本実施形態の基板処理装置ＳＰの動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置ＳＰにおける通常の基板Ｗの循環搬送の概略手順について説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容に従ってメインコントローラＭＣが下位のコントローラに指示を与えて各機構部を制御することにより実行されるものである。

まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１に搬入される。続いて、インデクサブロック１から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３では、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送するようにしても良い。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理してレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。密着強化処理が行われた基板Ｗには反射防止膜を形成しないため、冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって直接基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に脱水処理を行うようにしても良い。この場合はまず、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに単に脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。脱水のための加熱処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送され、加熱処理によって基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。さらにその後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却された後、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。

レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、レジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光ユニットＥＥＷ１に搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷ１においては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入される。このときには、搬送機構５５が保持アーム５９ａを使用して基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光ユニットＥＸＰに搬送する。露光ユニットＥＸＰ内に搬入されたレジスト塗布済みの基板Ｗはパターン露光処理に供される。

本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。また、露光ユニットＥＸＰにおいては、基板Ｗに液浸露光処理が行われるため、従来からの光源や露光プロセスをほとんど変更することなく高解像度を実現することができる。なお、エッジ露光処理が終了した基板Ｗを露光ユニットＥＸＰに搬入する前に、搬送ロボットＴＲ４によってクールプレート１４に搬入して冷却処理を行うようにしても良い。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは、搬送機構５５によって取り出されることにより、露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスセルに戻される。その後、露光後の基板Ｗは搬送機構５５によって洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に搬入される。このときには、搬送機構５５が保持アーム５９ｂを使用して基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１に搬送する。液浸露光処理後の基板Ｗには液体が付着している場合もあるが、露光前の基板Ｗの搬送には保持アーム５９ａが用いられ、露光後の基板Ｗの搬送には保持アーム５９ｂが専ら用いられるため、少なくとも保持アーム５９ａに液体が付着することは無く、露光前の基板Ｗに液体が転写されることも防止される。

洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１においては、回転する基板Ｗに純水を供給する洗浄処理が行われ、引き続いて高速回転する基板Ｗに窒素ガスを吹き付ける乾燥処理が行われる。洗浄および乾燥処理が終了した基板Ｗは、搬送機構５５によって洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。なお、このときには搬送機構５５が保持アーム５９ａを使用して基板Ｗを洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１から基板載置部ＰＡＳＳ１０に搬送する。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２における処理動作は上述した通りのものである。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、冷却機構を備えたローカル搬送機構７２０によって搬送されることにより冷却され、上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送する。クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３においては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３から基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。

その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

既述したように、本実施形態の露光ユニットＥＸＰは液浸露光処理を行うものである。図１４は、露光ユニットＥＸＰ内にて基板Ｗに液浸露光処理が行われている様子を示す図である。基板Ｗを載置する基板ステージ１５０は投影光学系１６０の下に位置している。なお、投影光学系１６０の上方には図示を省略する照明光学系およびマスクが設けられている。投影光学系１６０およびマスクは水平面内に沿ってスライド移動可能とされている。液体供給ノズル１７０から液浸液（本実施形態では純水）ＥＬを供給するとともに、その液浸液ＥＬを液体回収ノズル１８０によって回収することにより、投影光学系１６０と基板ステージ１５０に保持された基板Ｗとの間に液浸液ＥＬの流れを形成して常時安定して液浸液ＥＬで満たす。この状態にて、露光光を照射してマスクのパターン像を投影光学系１６０を介して基板Ｗ上に投影露光する。このときに、投影光学系１６０と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液浸液ＥＬ（純水の場合、屈折率ｎ＝１．４４）が満たされているため、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くすることができる。

また、露光処理を行うときには、マスクと基板ステージ１５０とを互いに逆向きに同期移動させつつマスクに形成されたパターンを数チップずつ分けて順次に露光する（ステップ露光）。このステップ露光において、基板Ｗの周縁部近傍のパターン露光を行うときには、基板ステージ１５０が大きく移動しており、液浸液ＥＬが基板Ｗの端部を超えて基板ステージ１５０に接触することもある。すると、基板Ｗ上に僅かにパーティクルが付着していたとしても、それが液浸液ＥＬによって押し流されて基板ステージ１５０に付着することもある。よって、基板ステージ１５０のうち載置する基板Ｗの周辺近傍は特に汚染され易い。

このため、本実施形態においては、以下のようにして基板ステージ１５０を洗浄するようにしている。図１１は、基板ステージ洗浄の手順の一例を示すフローチャートである。この処理手順は、メインコントローラＭＣが下位のコントローラに指示を与えて搬送機構５５や洗浄処理ユニットＳＵなどの各機構部を制御することにより実行されるものである。

まず、ステージ洗浄用基板ＣＷを基板処理装置ＳＰから露光ユニットＥＸＰに搬送する（ステップＳ１１）。すなわち、インターフェイスブロック５の洗浄用基板格納部９２から搬送機構５５がステージ洗浄用基板ＣＷを取り出して露光ユニットＥＸＰに搬送する。露光ユニットＥＸＰは基板処理装置ＳＰから受け取ったステージ洗浄用基板ＣＷを基板ステージ１５０に載置し、その基板ステージ１５０を投影光学系１６０の下に移動させる。そして、液体供給ノズル１７０から純水を供給するとともに、その純水を液体回収ノズル１８０によって回収することにより、投影光学系１６０とステージ洗浄用基板ＣＷとの間に純水の流れを形成する。その結果、図１４に示したのと同様の状態が得られる。

投影光学系１６０とステージ洗浄用基板ＣＷとの間に純水の流れを形成した状態を維持しつつ、基板ステージ１５０をスライド移動させて当該純水の流れがステージ洗浄用基板ＣＷの周辺近傍の基板ステージ１５０上面を洗うようにする。このようにして、露光ユニットＥＸＰ内におけるステージ洗浄処理が進行する（ステップＳ１２）。

ステージ洗浄用基板ＣＷの周辺全域に渡って洗浄処理が完了した後、露光ユニットＥＸＰから基板処理装置ＳＰに洗浄処理後のステージ洗浄用基板ＣＷを搬送して帰還させる（ステップＳ１３）。すなわち、露光ユニットＥＸＰ内にて基板ステージ１５０からステージ洗浄用基板ＣＷが取り出されて基板処理装置ＳＰのインターフェイスブロック５に向けて搬送される。洗浄処理後のステージ洗浄用基板ＣＷは基板ステージ１５０の汚染を吸着しているため、汚染物を洗浄しなければならない。このため基板処理装置ＳＰ側では、搬送機構５５がステージ洗浄用基板ＣＷを受け取って、それをそのまま洗浄処理ユニットＳＵに搬送する。そして、洗浄処理ユニットＳＵにてステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理が実行される（ステップＳ１４）。

洗浄処理ユニットＳＵにおいては、ステージ洗浄用基板ＣＷの搬入時には、スプラッシュガード４２４が下降するとともに、搬送機構５５がステージ洗浄用基板ＣＷをスピンチャック４２１上に載置する。スピンチャック４２１に載置されたステージ洗浄用基板ＣＷは、スピンチャック４２１により水平姿勢にて吸着保持される。

次に、スプラッシュガード４２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル４５０がステージ洗浄用基板ＣＷの中心部上方に移動する。その後、回転軸４２５が回転を開始し、それにともなってスピンチャック４２１に保持されているステージ洗浄用基板ＣＷが回転する。その後、バルブＶａおよびバルブＶｄを開放して洗浄処理用ノズル４５０から窒素ガスと純水とを混合して形成されるミスト状の純水液滴を含む混合流体をステージ洗浄用基板ＣＷの上面に吐出するとともに、洗浄処理用ノズル４５０をステージ洗浄用基板ＣＷの回転中心直上位置と端縁部上方位置との間で往復移動（スキャン）させる。これにより、ステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理が進行し、ステージ洗浄用基板ＣＷに付着していた水分や汚染物が洗い流される。回転するステージ洗浄用基板ＣＷから遠心力によって飛散した液体は排液案内溝４４１により排液空間４３１に導かれ、排液管４３４から排液される。

所定時間経過後、洗浄処理用ノズル４５０からの混合流体の吐出が停止され、洗浄処理用ノズル４５０が所定の位置に退避するとともに、乾燥処理用ノズル４５１がステージ洗浄用基板ＣＷの中心部上方に移動する。その後、バルブＶｃを開放して乾燥処理用ノズル４５１からステージ洗浄用基板ＣＷの上面中心部近傍に窒素ガスを吐出するとともに、乾燥処理用ノズル４５１をステージ洗浄用基板ＣＷの回転中心直上位置と端縁部上方位置との間で往復移動（スキャン）させる。また、回転軸４２５の回転数を上昇させる。これにより、ステージ洗浄用基板ＣＷ上に残留していた水膜に大きな遠心力が作用するとともに、ステージ洗浄用基板ＣＷの表面全面に窒素ガスを吹き付けることができるので、ステージ洗浄用基板ＣＷ上の水分を確実に取り除いて乾燥させることができる。

その後、窒素ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル４５１が所定の位置に退避するとともに、回転軸４２５の回転が停止する。そして、スプラッシュガード４２４が下降するとともに、搬送機構５５がステージ洗浄用基板ＣＷを洗浄処理ユニットＳＵから搬出する。これにより、洗浄処理ユニットＳＵにおけるステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるスプラッシュガード４２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

洗浄処理ユニットＳＵにおける洗浄および乾燥処理が終了したステージ洗浄用基板ＣＷは搬送機構５５によって洗浄用基板格納部９２に戻され、元の収納位置に格納される（ステップＳ１５）。このようにして基板ステージ１５０の洗浄作業が完了する。

以上のようにすれば、基板処理装置ＳＰにてステージ洗浄用基板ＣＷを常に保持しておき、露光ユニットＥＸＰにて基板ステージ１５０の洗浄作業を行うときには基板処理装置ＳＰから受け取った洗浄済みの清浄なステージ洗浄用基板ＣＷを使用することができるため、基板ステージ１５０の汚染を低減することができる。

また、第１実施形態では露光ユニットＥＸＰにおける基板ステージ１５０の洗浄作業の直後、つまりステージ洗浄用基板ＣＷが汚れた直後に洗浄処理ユニットＳＵにてステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行っている。基板ステージ１５０の洗浄作業の後、汚れたステージ洗浄用基板ＣＷをそのまま放置すると液浸液が乾燥して汚れが強固に付着し、汚染物の除去が困難になることがある。第１実施形態のように基板ステージ１５０の洗浄作業の直後にステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行うようにすれば、ステージ洗浄用基板ＣＷの汚染を容易かつ確実に除去することができる。

＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰの構成並びに通常の基板Ｗの処理手順は第１実施形態と同じである。第２実施形態においては、基板ステージ１５０洗浄作業の手順が異なる。図１２は、基板ステージ洗浄の手順の他の例を示すフローチャートである。

図１２の手順では、まず搬送機構５５が洗浄用基板格納部９２からステージ洗浄用基板ＣＷを取り出してそのまま洗浄処理ユニットＳＵに搬送し、最初に洗浄処理ユニットＳＵにてステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を実行している（ステップＳ２１）。洗浄処理ユニットＳＵにおけるステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理および乾燥処理内容は上記第１実施形態と同じである。

洗浄および乾燥処理が終了したステージ洗浄用基板ＣＷは搬送機構５５によって洗浄処理ユニットＳＵから搬出され、そのまま露光ユニットＥＸＰに搬送される（ステップＳ２２）。そして、第１実施形態と同様にしてステージ洗浄用基板ＣＷを使用した基板ステージ１５０の洗浄作業が実行される（ステップＳ２３）。

基板ステージ１５０の洗浄処理が完了した後、露光ユニットＥＸＰから基板処理装置ＳＰに洗浄処理後のステージ洗浄用基板ＣＷを搬送する（ステップＳ２４）。第２実施形態では、ステージ洗浄用基板ＣＷを受け取った搬送機構５５がそのまま洗浄用基板格納部９２に搬送して元の収納位置に格納する（ステップＳ２５）。

すなわち、第１実施形態では露光ユニットＥＸＰにおける基板ステージ１５０の洗浄作業の直後にステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行っていたのに対して、第２実施形態では基板ステージ１５０の洗浄作業の直前に洗浄処理ユニットＳＵにてステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行っているのである。洗浄用基板格納部９２にて格納している間にステージ洗浄用基板ＣＷにパーティクル等が付着するおそれもあるが、第２実施形態のように基板ステージ１５０の洗浄作業の直前にステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行うようにすれば、洗浄直後の清浄なステージ洗浄用基板ＣＷを使用して基板ステージ１５０の洗浄作業を行うことができ、基板ステージ１５０の汚染をより確実に除去することができる。

＜３．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装置ＳＰおよび露光ユニットＥＸＰの構成並びに通常の基板Ｗの処理手順は第１実施形態と同じである。但し、第３実施形態においては、露光ユニットＥＸＰにてダミー基板ＤＷを使用したアライメント処理を行っている。図１３は、露光ユニットＥＸＰにおけるアライメント処理の手順の一例を示すフローチャートである。

まず、ダミー基板ＤＷを基板処理装置ＳＰから露光ユニットＥＸＰに搬送する（ステップＳ３１）。すなわち、インデクサブロック１のダミー基板格納部９１から基板移載機構１２がダミー基板ＤＷを取り出し、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４からインターフェイスブロック５の搬送機構５５へと順にダミー基板ＤＷを受け渡して最終的に搬送機構５５が露光ユニットＥＸＰに搬入する。この受け渡しのときに、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ９が使用される。露光ユニットＥＸＰは基板処理装置ＳＰから受け取ったダミー基板ＤＷを基板ステージ１５０に載置し、その基板ステージ１５０を投影光学系１６０の下に移動させる。

露光ユニットＥＸＰは液浸露光処理を行うものであり、パターン像の露光位置を調整するアライメント処理を行うときには基板ステージ内部への純水の侵入を防止するためにダミー基板ＤＷを使用する。具体的には、基板ステージ１５０のステージ凹部にダミー基板ＤＷを嵌めてアライメント処理を行う（ステップＳ３２）。このようにすれば、基板ステージ１５０内部への液体の侵入を防止できる。

アライメント処理が終了した後、露光ユニットＥＸＰから基板処理装置ＳＰにアライメント処理後のダミー基板ＤＷを搬送して帰還させる（ステップＳ３３）。すなわち、露光ユニットＥＸＰ内にて基板ステージ１５０からダミー基板ＤＷが取り出されて基板処理装置ＳＰのインターフェイスブロック５に向けて搬送される。ダミー基板ＤＷを使用してアライメント処理を行うことにより、基板ステージ１５０内部への液体の侵入を防止できるものの、ダミー基板ＤＷに液体が付着して液滴として残留する可能性があり、このような液滴を放置すると乾燥して汚染源となるおそれがある。このため基板処理装置ＳＰ側では、搬送機構５５がダミー基板ＤＷを受け取って、それをそのまま洗浄処理ユニットＳＵに搬送する。そして、洗浄処理ユニットＳＵにてダミー基板ＤＷの洗浄処理が実行される（ステップＳ３４）。洗浄処理ユニットＳＵにおけるダミー基板ＤＷの洗浄処理および乾燥処理内容は上記第１実施形態にて説明したステージ洗浄用基板ＣＷのそれと同じである。

洗浄処理ユニットＳＵにおける洗浄および乾燥処理が終了したステージ洗浄用基板ＣＷは搬送機構５５によって取り出され、搬送ロボットＴＲ４，ＴＲ３，ＴＲ２，ＴＲ１からインデクサブロック１の基板移載機構１２へと順に受け渡され、最終的に基板移載機構１２によってダミー基板格納部９１に戻され、元の収納位置に格納される（ステップＳ３５）。なお、帰還時の受け渡しのときには、基板載置部ＰＡＳＳ１０，ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ２が使用される。

このようにすれば、基板処理装置ＳＰにてダミー基板ＤＷを常に保持しておき、露光ユニットＥＸＰにてステージ位置校正等のアライメント作業を行うときには基板処理装置ＳＰから受け取った洗浄済みの清浄なダミー基板ＤＷを使用することができるため、基板ステージ１５０の汚染を低減することができる。すなわち、露光ユニットＥＸＰ内の調整作業（基板ステージ１５０の洗浄作業、アライメント作業）に使用される露光機用調整基板（ステージ洗浄用基板ＣＷ、ダミー基板ＤＷ）を洗浄処理ユニットＳＵを備えた基板処理装置ＳＰにて保持しておき、露光ユニットＥＸＰにて所定の調整作業を行うときには清浄な露光機用調整基板を使用した作業ができるため、基板ステージ１５０の汚染を低減することができるのである。

また、第３実施形態では露光ユニットＥＸＰにおけるアライメント作業の直後、つまりダミー基板ＤＷが液浸液が付着して汚れた直後に洗浄処理ユニットＳＵにてダミー基板ＤＷの洗浄処理を行っている。アライメント作業の後、汚れたダミー基板ＤＷをそのまま放置すると液浸液が乾燥して汚れが強固に付着し、汚染物の除去が困難になることがある。第３実施形態のようにアライメント作業の直後にダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うようにすれば、ダミー基板ＤＷの汚染を容易かつ確実に除去することができる。

また、ダミー基板ＤＷが撥水性を有している場合には、汚染によって撥水性が劣化することもあるが、上記洗浄処理によって汚染物が除去されることにより基板表面の撥水性が回復することとなる。その結果、アライメント作業時にもダミー基板ＤＷによって液浸液を確実に保持することができる。また、撥水性の劣化したダミー基板ＤＷを逐一交換するのと比較すれば著しくコストを下げることができる。

＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第３実施形態においては、露光ユニットＥＸＰにおけるアライメント作業の直後に洗浄処理ユニットＳＵにてダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うようにしていたが、これをアライメント作業の直前に洗浄処理ユニットＳＵにてダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うようにしてもよい。このようにすれば、洗浄直後の清浄なダミー基板ＤＷを使用してアライメント作業を行うことができ、基板ステージ１５０の汚染を防止することができる。

また、第１および第２実施形態のように露光ユニットＥＸＰにおける基板ステージ１５０の洗浄作業の直前または直後のいずれか一方にステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行うことに限定されず、基板ステージ１５０の洗浄作業の直前および直後の双方にてステージ洗浄用基板ＣＷの洗浄処理を行うようにしても良い。同様に、露光ユニットＥＸＰにおけるアライメント作業の直前および直後の双方にダミー基板ＤＷの洗浄処理を行うようにしてもよい。このようにすれば、基板ステージ１５０の汚染をより確実に低減することができる。

また、ステージ洗浄用基板ＣＷおよび／またはダミー基板ＤＷ（露光機用調整基板）を所定間隔で定期的に洗浄処理するように予めスケジューリングしておいてもよい。具体的には、基板処理装置ＳＰのメインコントローラＭＣが実行するアプリケーションソフトウェアに予め設定された間隔にて露光機用調整基板の定期洗浄を行うモジュールを含ませ、そのアプリケーションソフトウェアを実行するメインコントローラＭＣが定期的に搬送機構５５等および洗浄処理ユニットＳＵに露光機用調整基板の洗浄処理を実行させる。定期的に露光機用調整基板を洗浄すれば露光機用調整基板の表面状体を安定して常に一定に維持することができ、その結果、露光ユニットＥＸＰ内の機構の汚染を安定して低減することができる。

定期的に露光機用調整基板の洗浄処理を行うタイミングとしては、例えば基板処理装置ＳＰの定期メンテナンス時が挙げられる。定期メンテナンス時にメンテナンス作業の一つして露光機用調整基板の洗浄処理を実行すれば、通常基板Ｗの処理と干渉するおそれがないため、洗浄や搬送の制御が容易となる。もっとも、露光ユニットＥＸＰ内の調整作業（基板ステージ１５０の洗浄作業、アライメント作業）の直前に露光機用調整基板の洗浄処理を実行した方が洗浄直後のより清浄な露光機用調整基板を使用して調整作業を行うことができ、また調整作業の直後に露光機用調整基板の洗浄処理を行えば付着した液体が乾燥する前に確実に汚染を除くことができる。なお、定期的に露光機用調整基板の洗浄を行う間隔をメインパネルＭＰやキーボードＫＢからメインコントローラＭＣに入力しても良いし、ホストコンピュータ１００がメインコントローラＭＣに指示を与えて定期洗浄を実行させるようにしても良い。

また、上記各実施形態において、露光機用調整基板を使用した調整作業は、露光ユニットＥＸＰのコントローラＥＣから基板処理装置ＳＰのメインコントローラＭＣに露光機用調整基板要求信号を送信することによって開始するようにしてもよいし、逆にメインコントローラＭＣからコントローラＥＣに調整作業開始要求信号を送信することによって開始するようにしてもよい。さらには、より上位のコントローラであるホストコンピュータ１００からメインコントローラＭＣおよびコントローラＥＣに調整作業開始信号を送信することによって、露光機用調整基板を使用した調整作業を開始するようにしても良い。

また、上記各実施形態においては、露光機用調整基板を洗浄する洗浄処理ユニットＳＵをインターフェイスブロック５に配置するようにしていたが、これを別の配置位置に配置するようにしても良い。例えば、現像処理ブロック４の洗浄処理ユニットＳＯＡＫ１とインターフェイスブロック５の洗浄処理ユニットＳＵの位置を入れ替えるようにしても良い。さらには、１つの洗浄処理ユニットにて、通常の露光後基板Ｗの洗浄および露光機用調整基板の洗浄の両方を実行するようにしても良い。もっとも、化学増幅型レジストを塗布した露光直後の基板Ｗはアルカリ雰囲気に極めて影響され易いため、洗浄処理ユニットにて表面処理液を使用した処理を行う場合には露光機用調整基板専用の洗浄処理ユニットを設ける方が好ましい。

また、上記各実施形態においては、インデクサブロック１にダミー基板格納部９１を設けるとともに、インターフェイスブロック５に洗浄用基板格納部９２を設けるようにしていたが、これに限定されるものではなく、ダミー基板格納部９１および洗浄用基板格納部９２の設置位置は基板処理装置ＳＰ内の任意の位置とすることができる。例えば、ダミー基板格納部９１および洗浄用基板格納部９２の双方をインデクサブロック１に設けるようにしても良い。また、１つの多段基板格納部にステージ洗浄用基板ＣＷおよびダミー基板ＤＷの双方を格納するようにしてもよい。

また、上記各実施形態では洗浄処理用ノズル４５０として二流体ノズルを使用していたが、これに代えて、送給された純水等の洗浄液またはフッ酸等の表面処理液をそのまま吐出するストレートノズルを使用するようにしても良い。さらに、洗浄処理用ノズル４５０としては上記以外にも超音波が付与された洗浄液または表面処理液を吐出する超音波洗浄ノズルや高圧にて洗浄液等を吐出する高圧洗浄ノズルを採用することができる。さらに、洗浄処理用ノズル４５０に代えて、或いは付加して、基板に当接または近接して洗浄処理を行う洗浄ブラシを設けるようにしても良い。これらストレートノズル、超音波洗浄ノズル、高圧洗浄ノズル、洗浄ブラシとしては既に公知のものを使用することができる。なお、洗浄ブラシを設ける場合には、基板表面を洗浄する表面洗浄処理ユニットと基板裏面を洗浄する裏面洗浄処理ユニットとを個別に設けるとともに、両ユニットに搬送する途中で基板を反転させる反転ユニットを設ける方が好ましい。

また、洗浄処理ユニットＳＵにて露光機用調整基板の洗浄処理を行うのに代えて、または洗浄処理を行った後に、露光機用調整基板に表面処理液（薬液）を供給して表面処理を行うようにしてもよい。洗浄処理ユニットＳＵでは表面処理液として例えばフッ酸を供給する。露光機用調整基板が通常の基板Ｗと同じくシリコンウェハである場合には、表面にシリコン酸化膜（自然酸化膜）が形成されて親水性となる。これに表面処理液としてフッ酸を供給することによりシリコン酸化膜を剥離してシリコン基材が露出することとなり、露光機用調整基板の表面に撥水性を付与することができる。すなわち、表面処理液供給によって露光機用調整基板の表面に撥水性を付与（または回復）するのである。具体的には、スピンチャック４２１に保持した露光機用調整基板を回転させつつ、バルブＶｂおよびバルブＶｄを開放して洗浄処理用ノズル４５０に表面処理液供給源Ｒ２からフッ酸を送給するとともに不活性ガス供給源Ｒ３から窒素ガスを送給し、洗浄処理用ノズル４５０から窒素ガスとフッ酸とを混合して形成されるミスト状のフッ酸液滴を含む混合流体を露光機用調整基板の上面に吐出する。なお、露光機用調整基板に供給する表面処理液はフッ酸に限定されるものではなく、露光機用調整基板の材質に応じて例えばフッ素化合物やアクリル樹脂等の材料を供給し、洗浄処理ユニットＳＵにて撥水性付与のためのコーティング処理を行うようにしてもよい。

また、上記各実施形態においては、露光ユニットＥＸＰが液浸露光対応のものであったが、露光ユニットＥＸＰとしては露光処理時に液浸液を使用しない形式のものであっても良い。このようなドライ露光タイプの露光ユニットＥＸＰであったとしても、基板処理装置ＳＰ側にて洗浄した清浄なステージ洗浄用基板ＣＷを使用して基板ステージの洗浄を行うことにより、露光ユニットＥＸＰ内の機構の汚染を低減することができる。

また、本発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、複数の処理部に対して搬送ロボットによって基板Ｗを循環搬送することによって該基板Ｗに所定の処理を行うような形態であれば種々の変形が可能である。例えば、レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間に、露光時にレジストが溶解しないように、レジスト膜上にカバー膜を形成するカバー膜塗布ブロックを設けるようにしてもよい。なお、レジスト膜上にカバー膜を形成するカバー膜塗布処理部をレジスト塗布ブロック３の一部に設けるようにしても良い。

本発明に係る基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の液処理部の正面図である。 熱処理部の正面図である。 基板載置部の周辺構成を示す図である。 搬送ロボットを説明するための図である。 洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。 二流体ノズルの構造の一例を示す概略断面図である。 基板仮置部付きの加熱部の概略構成を示す図である。 インターフェイスブロックの側面図である。 基板処理装置および露光ユニットの制御機構の概略を示すブロック図である。 基板ステージ洗浄の手順の一例を示すフローチャートである。 基板ステージ洗浄の手順の他の例を示すフローチャートである。 露光ユニットにおけるアライメント処理の手順の一例を示すフローチャートである。 露光ユニット内にて基板に液浸露光処理が行われている様子を示す図である。

符号の説明

１ インデクサブロック
２ バークブロック
３ レジスト塗布ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェイスブロック
１２ 基板移載機構
２１，３１，４１，４２ 熱処理タワー
５５ 搬送機構
９１ ダミー基板格納部
９２ 洗浄用基板格納部
１００ ホストコンピュータ
４５０ 洗浄処理用ノズル
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３ 塗布処理ユニット
ＣＣ セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１４ クールプレート
ＣＷ ステージ洗浄用基板
ＤＷ ダミー基板
ＥＣ コントローラ
ＥＸＰ 露光ユニット
ＨＰ１〜ＨＰ１１ ホットプレート
ＭＣ メインコントローラ
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＳＯＡＫ１，ＳＵ 洗浄処理ユニット
ＳＰ 基板処理装置
ＴＣ 搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ４ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板に露光処理を行う露光装置に隣接して配置され、基板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置であって、
   前記露光装置内の調整作業に使用される露光機用調整基板を格納する格納部と、
   前記露光機用調整基板を洗浄する洗浄部と、
   前記露光装置に対して露光機用調整基板の受け渡しを行うとともに、前記格納部と前記洗浄部との間で露光機用調整基板の搬送を行う搬送手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記露光装置内の調整作業の直前または直後に露光機用調整基板を洗浄するように前記搬送手段および前記洗浄部を制御する洗浄制御手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記露光機用調整基板を定期的に洗浄するように前記搬送手段および前記洗浄部を制御する洗浄制御手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   未処理基板の搬入を行うとともに処理済み基板の搬出を行うインデクサ部をさらに備え、
   前記格納部は前記インデクサ部に設置することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記洗浄部は、前記露光機用調整基板にフッ酸を供給する薬液供給部を備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 基板処理装置にてレジスト塗布処理が行われた基板を露光装置に搬送してパターン露光を行った後に、当該基板を前記基板処理装置に戻して現像処理を行う基板処理方法であって、
   前記露光装置内の調整作業に使用される露光機用調整基板を前記基板処理装置から前記露光装置に渡す送出工程と、
   前記露光装置にて露光機用調整基板を使用した調整作業を行う調整工程と、
   調整作業後の露光機用調整基板を前記露光装置から前記基板処理装置に渡す帰還工程と、
   前記基板処理装置にて露光機用調整基板を洗浄する洗浄工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項６記載の基板処理方法において、
   前記洗浄工程は、前記送出工程の直前または前記帰還工程の直後に実行されることを特徴とする基板処理方法。
8. 請求項６記載の基板処理方法において、
   前記洗浄工程は定期的に実行されることを特徴とする基板処理方法。
9. 請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記洗浄工程は、前記露光機用調整基板にフッ酸を供給して表面処理を行う工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
   

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