JP2008204591A - メモリ素子の読み出し方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マルチレベルセルを含むメモリ素子の読み出し方法であって、第1読み出し命令によるデータ読み出しを行う工程と、前記読み出されたデータのエラー補正についてその可否を判断する工程と、エラー補正が困難であると判断した場合は第2読み出し命令によるデータ読み出しを行う工程と、前記第2読み出し命令に基づいて読み出されたデータのエラー補正の可否を判断する工程と、エラー補正が困難であると判断した場合は第N(N≧3、整数)読み出し命令によるデータ読み出しを行う工程と、を含む。
【選択図】 図2
Description
1〜 第1しきい電圧分布〜
PV1〜 第1検証電圧〜
Claims (18)
- マルチレベルセルを含むメモリ素子の読み出し方法において、
第1読み出し命令によるデータ読み出しを行う工程と、
前記読み出されたデータのエラー補正についてその可否を判断する工程と、
エラー補正が困難であると判断した場合は第2読み出し命令によるデータ読み出しを行う工程と、
前記第2読み出し命令に基づいて読み出されたデータのエラー補正の可否を判断する工程と、
エラー補正が困難であると判断した場合は第N(N≧3、整数)読み出し命令によるデータ読み出しを行う工程と、
を含むことを特徴とするメモリ素子の読み出し方法。 - 前記第1読み出し命令は、前記マルチレベルセルがしきい電圧の分布に対してそれぞれ定義される第1読み出し電圧群による読み出し動作を行うようにすることを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記第2読み出し命令は、前記マルチレベルセルのしきい電圧の分布に対してそれぞれ定義される第2読み出し電圧群による読み出し動作を行うようにすることを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記第1読み出し電圧群は、前記第2読み出し電圧群よりも高い電圧であることを特徴とする請求項2または3に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記エラー補正は、ECC方式を利用することを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記エラー補正の可否判断は、エラーが設定以上の回数で発生したか否かに基づくものであることを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記第N読み出し命令に基づいて読み出されたデータのエラー補正の可否を判断する工程と、
エラー補正が困難と判断した場合は当該メモリブロックに対するフェール処理を行う工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。 - 前記第N読み出し命令に基づいて当該メモリブロックの全データを読み出した後、当該メモリブロックに格納されたデータを他のメモリブロックに複写するブロックコピー動作を行う工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記第1N読み出し命令を実行するにあっては、
前記マルチレベルセルがしきい電圧の分布に対してそれぞれ定義される第N読み出し電圧群による読み出し動作を行うようにすること特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。 - 前記第1読み出し電圧群>第2読み出し電圧群>第N読み出し電圧群の電圧レベルであることを特徴とする請求項2または3または9のいずれか1項に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記エラー補正の可否判断は、エラーが発生したセルの個数を計数して設定以上である場合はエラー補正を実行できないと判断することを特徴とする請求項1に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- マルチレベルセルを含むメモリ素子の読み出し方法において、
優先順位に従って定義された複数の読み出し命令語のいずれか一つを入力する工程と、
データ読み出しを行う前記マルチレベルセルのアドレス情報を入力する工程と、
前記入力された読み出し命令に対して格納された読み出し電圧群をロードする工程と、
前記ロードされた読み出し電圧群を用いてデータ読み出しを行う工程と、
を含むことを特徴とするメモリ素子の読み出し方法。 - 前記読み出しを行って出力されるデータのエラー補正の可否を判断する工程と、
前記エラー補正が不可能と判断した場合は自動的に次の順序の読み出し命令語を行う工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ素子の読み出し方法。 - 前記多数の読み出し命令語は、当該読み出し命令語に定義される読み出し電圧群の大きさに応じて優先順位を与えることを特徴とする請求項13に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記エラー補正の可否判断は、エラーの発生したセルの個数が設定個数以上か否かを判断することによることを特徴とする請求項13に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記エラー補正は、ECC方式を利用することを特徴とする請求項13に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記多数の読み出し命令語のうち、最下位の優先順位を持つ読み出し命令語を実行した結果、エラーに対する補正を行うことができない場合は当該メモリブロックをフェール処理することを特徴とする請求項12に記載のメモリ素子の読み出し方法。
- 前記多数の読み出し命令語のうち、最下位の優先順位を持つ読み出し命令語を実行して当該メモリブロックの全データを読み出した後、当該メモリブロックに格納されたデータを他のメモリブロックにコピーするブロックコピー動作を行う工程を含むことを特徴とする請求項12に記載のメモリ素子の読み出し方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070017927A KR100865830B1 (ko) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | 메모리 소자의 독출 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008204591A true JP2008204591A (ja) | 2008-09-04 |
Family
ID=39670216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007186799A Pending JP2008204591A (ja) | 2007-02-22 | 2007-07-18 | メモリ素子の読み出し方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7518913B2 (ja) |
JP (1) | JP2008204591A (ja) |
KR (1) | KR100865830B1 (ja) |
CN (1) | CN101252020B (ja) |
DE (1) | DE102007031027B4 (ja) |
TW (1) | TWI338897B (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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