JP2007126652A - 共重合体およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】発光材料や電荷輸送材料として有用で、発光開始電圧が低い等素子特性に優れる共重合体を提供する。
【解決手段】下記式（１）で示される繰り返し単位および下記式（２）で示される繰り返し単位を含む共重合体。

（１）〔式中、Ａ環およびＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ− 等。〕

（２）〔式中、Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ− 等である。〕
【選択図】なし

Description

本発明は、共重合体およびそれを用いた高分子発光素子（高分子ＬＥＤ）に関する。

溶媒に可溶な高分子量の発光材料や電荷輸送材料は塗布法により発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）における有機層を形成できることから種々検討されており、その例として、フルオレンジイル基とフェノキサジンジイル基とからなる共重合体が知られている（特許文献１）。

特開２００４−１３７４５６

しかしながら上記の共重合体を用いてエレクトロルミネッセンス素子を作成した場合、その発光開始電圧が高い等素子特性が必ずしも十分でないという問題があった。
本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、発光開始電圧が低い等素子特性に優れる共重合体を提供することにある。

本発明は、下記式（１）で示される繰り返し単位および下記式（２）で示される繰り返し単位を含む共重合体を提供するものである。

（１）

〔式中、Ａ環およびＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｐ（Ｒ₁）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁）₂−、または −Ｎ＝Ｃ（Ｒ₁）−であり、Ｒ₁は置換基を表す。Ｒ₁が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

（２）

〔式中、Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ− または −Ｃ（＝Ｏ）−である。Ａｒ₁は、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の複素環基を表すが、該Ａｒ₁の環を構成している原子のうち、式中の窒素原子と結合している原子の隣接位の原子には置換基は結合しない。Ｒ₂は置換基を表し、ｎは０から３の整数を表す。Ｒ₂が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

本発明の共重合体は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、エレクトロルミネッセンス素子（高分子ＬＥＤ）を作成した場合の素子特性に優れる。したがって、本発明の共重合体を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。

本発明の共重合体は、前記式（１）で示される繰り返し単位を含む。

前記式（１）において、Ａ環およびＢ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環を表し、該芳香環としては、芳香族炭化水素環、芳香族複素環があげられる。芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、芳香族複素環としては、チオフェン環、ピリジン環があげられる。モノマーの合成の行いやすさや素子特性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましい。
また、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｐ（Ｒ₁）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁）₂−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ₁）−であり、Ｒ₁は置換基を表す。
Ｒ₁としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。

アリールチオ基は、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピルシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。

アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。

前記式（１）で示される繰り返し単位の具体的構造としては、下記式（１−４）〜（１−５９）で示される構造があげられる。なお、下記式（１−４）〜（１−５９）は置換基を有していてもよく、溶解性の観点から置換基を１個以上有していることが好ましく、２個以上有していることがより好ましい。また、式中のＲ₁は前述と同様の意味を表す。

前記式（１）で示される繰り返し単位において、素子特性、蛍光強度等の観点から、下記式（１−１）、（１−２）、（１−３）で示される繰り返し単位が好ましく、式（１−１）、（１−２）で示される繰り返し単位がより好ましい。

（１−１） （１−２） （１−３）

［式中、Ｘは前記と同じ意味を表し、Ｒ₃は置換基を表す。ｍ１は０から３の整数を表し、ｍ２は０から５の整数を表す。複数のｍ1およびｍ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ₃が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。］

前記式（１−１）、（１−２）、（１−３）で示される繰り返し単位において、モノマーの合成の行いやすさ、素子特性、蛍光強度等の観点から、下記式（１−Ａ）、（１−Ｂ）、（１−Ｃ）で示される繰り返し単位が好ましい。

（１−Ａ） （１−Ｂ） （１−Ｃ）

［式中、Ｘ、Ｒ₃、ｍ１、ｍ２は前記と同じ意味を表す。］

前記式（１）、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−Ａ）、（１−Ｂ）、（１−Ｃ）において、蛍光強度の観点や素子特性の観点から、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁）₂−であることが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁）₂−であることがより好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−であることがさらに好ましい。

前記式（１）のＡ環およびＢ環が有する置換基、前記式（１−１）〜（１−３）および（１−Ａ）〜（１−Ｃ）のＲ₃は、有機溶媒への溶解性、素子特性、モノマーの合成の行いやすさ等の観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。

前記式（１−１）〜（１−３）および（１−Ａ）〜（１−Ｃ）におけるｍ１、ｍ２は、溶解性の観点から、ｍ１とｍ２の和が１以上であることが好ましく、２以上であることがより好ましい。

本発明の共重合体は、上記式（1）の繰り返し単位に加え、上記式（2）の繰り返し単位を含む。
上記式（2）において、Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ− または −Ｃ（＝Ｏ）−である。Ｙの中では、高分子化合物の蛍光強度の観点から、−Ｏ−または−Ｓ−が好ましい。Ａｒ₁は、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の複素環基を表すが、該Ａｒ₁の環を構成している原子のうち、式中の窒素原子と結合している原子の隣接位の原子には置換基は結合しない。Ｒ₂は置換基を表し、ｎは０から３の整数を表す。複数のｎは同一でも異なっていてもよい。Ｒ₂が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ₂としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の具体例としては、Ｒ₁の具体例として挙げた前述の基が例示される。これらの置換基の中では、溶解性、素子特性の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基がより好ましい。

ｎとしては、モノマーの合成の行いやすさの観点から、０または１であることが好ましい。

前記式（２）で示される繰り返し単位の具体的構造としては、下記式（２−２）〜（２−１５）で示される構造があげられる。なお、下記式（２−２）〜（２−１５）において、窒素原子と結合しているアリール基もしくはヘテロアリール基は置換基を有していてもよい。ただし、アリール基もしくはヘテロアリール基の環を構成している原子のうち、式中の窒素原子と結合している原子の隣接位の原子には置換基は結合しない。
具体的には、下図で、＊を付した位置には置換基を有さない。
溶解性の観点から、該アリール基もしくはヘテロアリール基が置換基を１個以上有していることが好ましい。また、式中のＲ₂およびｎは前述と同様の意味を表す。

前記式（２）の中では、モノマーの合成の行いやすさ、溶解性、素子特性等の観点から、下記式（２−１）で示される構造が好ましい。

（２−１）
〔式中、Ｙ、Ｒ₂、ｎは前記と同じ意味を表し、Ｒ₄は置換基を表す。〕

Ｒ₄としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の具体例としては、Ｒ₁の具体例として挙げた前述の基が例示される。これらの置換基の中では、溶解性、素子特性の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基がより好ましい、アルキル基がさらに好ましい。

本発明の共重合体としては、蛍光強度、素子特性の観点から、前記式（１）で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の１０モル％以上であることが好ましく、３０モル％以上であることがより好ましく、５０モル％以上であることがさらに好ましく、６０モル％以上であることがより好ましい。また、蛍光強度、素子特性等の観点から、前記式（２）で示される繰り返し単位は、全繰り返し単位の１モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましい。また、前記式（１）で示される繰り返し単位の前記式（１）で示される繰り返し単位と前記式（２）で示される繰り返し単位の合計に対する比率は、素子特性の観点からは、４０〜９９モル％が好ましく、６０〜９０モル％がより好ましい。

本発明の共重合体は、前記式（１）、（２）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。

前記式（１）、（２）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、下記式（３）で示される繰り返し単位があげられる。
−Ａｒ₂−
（３）
〔式中、Ａｒ₂は、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。〕

ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下式１〜３）、ナフタレンジイル基（下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下式２６〜２８）、縮合環化合物基（下式２９〜３５）、フルオレン−ジイル基（下式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下式３９〜４２）、ジスチルベン−ジイル（下式４３、４４）などが例示される。

式１〜４４中、Ｒは水素原子または置換基を表し、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の具体例としては、前述のＲ₁の具体例と同じ基があげられる。溶解性、素子特性の観点から、少なくとも１つのＲが水素原子以外であることが好ましい。また、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基がより好ましい。

２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。

２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下式４５〜５０）、ジアザフェニレン基（下式５１〜５４）、キノリンジイル基（下式５５〜６９）、キノキサリンジイル基（下式７０〜７４）、アクリジンジイル基（下式７５〜７８）、ビピリジルジイル基（下式７９〜８１）、フェナントロリンジイル基（下式８２〜８４）、など。
カルバゾール構造を有する基（下式８５〜８７）。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下式８８〜９２）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下式９３〜１０３）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下式１０４〜１０５）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下式１０６〜１１２）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下式１１３〜１１８）が挙げられる。

式中のＲの定義、具体例は前記と同じである。

２価の芳香族アミン基としては、芳香族第三級アミンから誘導される化合物の芳香環から水素原子を２個除いて得られる原子団があげられる。２価の芳香族アミン基の中では、下記式（４）で示される繰り返し単位が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点から好ましい。

〔式中、Ａｒ₃、Ａｒ₄、Ａｒ₅およびＡｒ₆はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ₇、Ａｒ₈およびＡｒ₉はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ₃、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆、Ａｒ₇、Ａｒ₈およびＡｒ₉は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または正の整数を示す。〕

寿命等の素子特性やモノマーの合成の行いやすさから、ｘは０〜２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。また、寿命等の素子特性やモノマーの合成の行いやすさから、ｙは０〜２であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。

前記式（４）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の（式１１９〜１２６）で示されるものが挙げられる。

式中のＲの定義、具体例は前記と同じである。

金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、その例としては、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。

金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の（１２７〜１３３）が例示される。

式中のＲの定義、具体例は前記と同じである。

本発明の共重合体は、さらに下記式（５）で示される繰り返し単位を含んでいてもよい。

−Ｘ₁− （５）

式中、Ｘ₁は−ＣＲ₅＝ＣＲ₆−、−Ｃ≡Ｃ−を示す。Ｒ₅およびＲ₆は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。アルキル基、アリール基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の具体例は前述のＲ₁の具体例と同じ基が例示される。

なお、本発明の共重合体は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、前記式（１）〜(５)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒはヘテロ原子（酸素、硫黄、窒素、珪素、硼素、燐、セレン）を含んでいてもよい炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。

式中のＲの定義、具体例は前記と同じである。

また、本発明の共重合体は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光またはりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

本発明の共重合体のポリスチレン換算の数平均分子量は通常１０³〜１０⁸程度であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は通常３×１０³〜１０⁸程度であり、成膜性の観点および素子にした場合の効率の観点から、好ましくは５×１０⁴以上であり、１０⁵以上がさらに好ましい。また、溶解性の観点からは、１０⁵〜５×１０⁶であることが好ましい。好ましい範囲の共重合体は、単独で素子に用いた場合でも２種類以上を混合して素子に用いた場合でも高効率になる。また、同じく高分子化合物の成膜性を向上させる観点から、分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が３以下であることが好ましい。

また、本発明の共重合体の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていることが好ましい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

本発明の共重合体においてはその分子鎖末端の少なくとも一方を、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基またはアリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、共重合体にさまざまな特性を付加することが期待される。具体的には、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、共重合体間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等などがあげられる。

本発明の共重合体に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

本発明の共重合体は、蛍光強度や素子特性等の観点から、蛍光量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらに好ましい。

次に本発明の共重合体の製造方法について説明する。
式（１）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物は、例えば、式（６）で示される化合物と、式（７）で示される化合物を原料として用いて重合させることにより製造することができる。

（６）

〔式中、Ｙ₁およびＹ₂は重合に関与する脱離基を表し、Ａ環および/またはＢ環に結合している。Ａ環、Ｂ環およびＸは前述と同様である。〕

（７）
〔式中、Ｙ₉およびＹ₁₀は重合に関与する脱離基を表す。Ｙ、Ｒ₂、ｎ、Ａｒ₁は前述と同様である。〕

（６）としては、式（６−１）、（６−２）、（６−３）の化合物を

（６−１） （６−２） （６−３）

〔式中、Ｙ₃、Ｙ₄、Ｙ₅、Ｙ₆、Ｙ₇およびＹ₈は重合に関与する脱離基を表す。Ｘ、Ｒ₃、ｍ１、ｍ２は前述と同様である。〕
用いることにより、式（１−１）、（１−２）、（１−３）で示される繰り返し単位を有する共重合体を得ることができる。

また、（７）として、式（７−１）の化合物を用いることにより、式（２−１）で示される繰り返し単位を有する共重合体を得ることができる。

（７−１）

〔式中、Ｙ₁₁およびＹ₁₂は重合に関与する脱離基を表す。Ｙ、Ｒ₂、ｎ、Ｒ₄は前述と同様である。〕で示される化合物を原料の一つとして用いて重合させることにより製造することができる。

また、本発明の共重合体が、前記式（１）および（２）以外の繰り返し単位を有する場合には、前記式（１）および（２）以外の繰り返し単位となる、２個の重合に関与する置換基を有する化合物を共存させて重合させればよい。

本発明の共重合体の中で、末端を封止した共重合体は、例えば、前記式（６）、（６−１）〜（６−３）、（７）、（７−１）に加えて下記式（８）、（９）で示される化合物を原料として用いて重合することにより製造することができる。

Ｅ₁−Ｙ₁₃ （８）
Ｅ₂−Ｙ₁₄ （９）

（Ｅ１、Ｅ２は１価の複素環、置換基を有するアリール基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基を表し、Ｙ₁₃、Ｙ₁₄はそれぞれ独立に重合に関与しうる脱離基を表す。）

重合に関与する脱離基Ｙ₁〜Ｙ₁₄としては、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、または−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）で示される基があげられる。

ここに、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、よう素原子があげられ、塩素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子が最も好ましい。 アルキルスルホニルオキシ基は、フッ素原子で置換されていてもよく、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等があげられる。 アリールスルホニルオキシ基は、アルキル基で置換されていてもよく、フェニルスルホニルオキシ基、トリスルホニルオキシ基等があげられる。

−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂で示される基において、Ｒ₁₁は、水素原子またはアルキル基である。アルキル基としては、炭素数は、通常１〜２０程度であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などが挙げられる。また、アルキル基どうしは、つながって環を形成していてもよい。

−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂で示される基として、具体的には、

が挙げられ、

が好ましい。

一般式（８）および（９）単量体の仕込み量の合計は、一般式（６）、（６−１）〜（６−３）、（７）、（７−１）の単量体の仕込み量の合計に対して、一般的には０．１〜２０モル％であり、０．２〜１０モル％が好ましい。

本発明の共重合体の製造方法としては、例えば上述した該当する単量体を用いてからＳｕｚｕｋｉ反応により重合する方法（ケミカル レビュー(Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．)，第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、４３２−３頁）、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ ポリマー サイエンス（Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．）,第１７巻,１１５３−１２０５頁，１９９２年）、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法（丸善、実験化学講座第４版、２８巻、３３９−３４０頁）などが例示される。

Ｓｕｚｕｋｉ反応を用いる場合について説明する。この場合、例えば、Ｙ₁およびＹ₂がそれぞれ独立に−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）で示される基であり、Ｙ₃およびＹ₄がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基であり、Ｙ₇が−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）で示される基であり、Ｙ₈がハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基である単量体を用い、これらの単量体をＰｄ（０）触媒の存在下反応させることにより製造できる。

なおこの場合、反応に供する、２個の脱離基を有する２種以上の単量体のうち、少なくとも1種が−Ｂ（ＯＲ₁₁）₂（ここで、Ｒ₁₁は水素原子またはアルキル基である）を２個有する単量体であり、少なくとも1種が、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を２個有する単量体であることを要する反応は、通常、式（６）、（６−１）〜（６−３）、（７）、（７−１）で表される単量体を１〜１００時間程度反応させた後、その後系内に単量体（９）を添加して０．５〜５０時間程度反応させ、その後、単量体（８）を系内に添加して０．５〜５０時間程度反応させる。

Ｐｄ（０）触媒として、例えばパラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、（例えば、酢酸パラジウムをトリフェニルホスフィン誘導体で還元した触媒系）などを用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。なお、重合反応は、通常アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下、Ｐｄ（０）触媒が死活しない反応系で行う。

山本重合法を用いる場合について説明する。この場合、例えば、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄、Ｙ₇およびＹ₈がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基である単量体を用い、これらの単量体をＮｉ（０）錯体の存在下反応させることにより製造することができる。 反応は、通常は、単量体（６）、（６−１）〜（６−３）、（７）、（７−１）、（８）、（９）全てを混合して実施する。

重合は、Ｎｉ（０）錯体（ゼロ価ニッケル錯体）存在下行われる。ニッケル錯体としては、ゼロ価ニッケルをそのまま使う方法と、ニッケル塩を還元剤の存在下で反応させ、系内でゼロ価ニッケルを生成させ、反応させる方法がある。 ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、中でも、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が、汎用性で安価という観点で好ましい。 また、中性配位子を添加することが、収率向上の観点から好ましい。 ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。 特に、重合体の収率向上の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に、中性配位子として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。系内でゼロ価ニッケルを反応させる方法においては、ニッケル塩として塩化ニッケル、酢酸ニッケル等が挙げられる。還元剤としては、亜鉛，水素化ナトリウム，ヒドラジンおよびその誘導体、リチウムアルミニウムハイドライドなどが上げられ、必要に応じて添加物として、よう化アンモニウム、よう化リチウム、よう化カリウム等が用いられる。 重合溶媒としては、重合を阻害しないものであれば特に限定されないが、１種類以上の芳香族炭化水素系溶媒および／またはエーテル系溶媒を含むものが好ましい。 ここに芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ブチルベンゼン、ナフタリン、テトラリン、等が挙げられ、トルエン、キシレン、テトラリン、テトラメチルベンゼンが好ましい。 また、エーテル系溶媒としては、例えば、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等が挙げられ、高分子化合物に対する良溶媒である、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどが好ましい。溶媒の中では、テトラヒドロフランが最も好ましい。 また、重合性、溶解性を改良する観点から、溶媒としては、重合反応を阻害しないものであれば、芳香族炭化水素系溶媒および／またはエーテル系溶媒と芳香族炭化水素系溶媒およびエーテル系溶媒以外の溶媒との混合溶媒を用いてもよい

反応操作等は、例えば、特開２０００−４４５４４号公報に記載の方法に準じて行うことができる。 山本重合法においては、例えば、重合反応は、通常アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下、テトラヒドロフラン溶媒中、６０℃の温度で、ゼロ価のニッケル錯体、中性配位子の存在下行われる。重合時間は、通常０．５〜１００時間程度であるが、製造コストの点から、１０時間以内が好ましい。重合温度は、通常０〜２００℃程度であるが、高収率、低加熱費の点から、２０〜１００℃が好ましい。

また、中性配位子を使用する場合には、その使用量としては、反応収率とコストの点からゼロ価のニッケル錯体１モルに対して、０．５〜１０モル程度が好ましく、０．８〜１．５モルがより好ましく、０．９〜１.１モルがさらに好ましい。

ゼロ価のニッケル錯体の使用量は、重合反応を阻害しない程度ならば、特には限定されないが、使用量が過少だと分子量が低い傾向にあり、使用量が過大であると後処理が繁雑になる傾向がある。そのため、モノマー１モルに対して、０．１〜１０モルが好ましく、1〜５モルがより好ましく、１．７〜３.５モルがさらに好ましい。

本発明の共重合体を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。本発明の高分子化合物の中では、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法により製造されたものが、高分子ＬＥＤの寿命、発光開始電圧、電流密度、駆動時の電圧上昇等の素子特性、または耐熱性等の観点から好ましい。

本発明の高分子組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の共重合体とを含有することを特徴とする。正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよい。

混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料は公知の低分子化合物、三重項発光錯体、または高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。 高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）₃、Ｂｔｐ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）₃ｐｈｅｎ等が挙げられる。

三重項発光錯体として具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）などに記載されている。

次いで本発明の溶液について説明する。本発明の溶液（インク組成物）を用いて、高分子ＬＥＤ用の薄膜を印刷法等で成膜することができる。本発明の溶液には、少なくとも１種類の本発明の共重合体が含有されていればよく、また本発明の共重合体以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の共重合体の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において２〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましく、７〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがさらに好ましい。

本発明の溶液は、本発明の共重合体の他に、粘度および／または表面張力を調節するための添加剤を含有していても良い。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すれば良い。

前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良い。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、あるいは本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すれば良い。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。

また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の共重合体の他に、酸化防止剤を含有していても良い。酸化防止剤としては、本発明の共重合体と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良く、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。

本発明の溶液に含まれる溶媒としては、本発明の共重合体を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。

溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましい。

溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましい。

溶液中に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。

本発明の溶液には、水、金属およびその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的にはリチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等があげられる。また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。

本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。

次いで、本発明の薄膜について説明する。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることがさらに好ましい。

有機半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０^-5ｃｍ²／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０^-3ｃｍ²／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０^-1ｃｍ²／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ２などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作成することができる。

次に本発明の共重合体の用途について説明する。
本発明の共重合体は、通常は、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光材料)として用いることができる。
また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の共重合体はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。

次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の共重合体を含むことを特徴とする。
有機層（有機物を含む層）は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。

ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料または発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光および／または燐光を示す材料のことをさす。
本発明の共重合体と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料および／または電子輸送性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の高分子化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。

本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上がより好ましい。

また、本発明の高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤ）としては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。

例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔輸送層および／または電子輸送層に含まれているものも含む。
本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が正孔輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、芳香族アミンとの共重合体、スチルベンとの共重合体などが例示される。
また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が電子輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、オキサジアゾールとの共重合体、トリアゾールとの共重合体、キノリンとの共重合体、キノキサリンとの共重合体、ベンゾチアジアゾールとの共重合体などが例示される。

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。

また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタとしても用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極およびドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。

高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板の材質としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。高分子を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

高分子電界効果トランジスタを作成後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
封止する方法としては、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などがあげられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作成後封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中など）行うことが好ましい。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極

本発明の高分子ＬＥＤとしては、前述のとおり、本発明の高分子化合物が正孔輸送層および／または電子輸送層に含まれているものも含む。
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔注入層および／または電子注入層に含まれているものも含む。本発明の高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入などの方法がある。

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹以下がさらに好ましい。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
本発明の高分子ＬＥＤは、上記ａ)〜ａｂ）に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の高分子
化合物を含むものがあげられる。

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（数平均分子量および重量平均分子量）
ここで、数平均分子量および重量平均分子量については、ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

合成例１ （ＤＢＦの合成）
ＤＢＦは特開２００４−５９８９９記載の以下の方法で合成することができた。
不活性雰囲気下の三つ口フラスコにベンゾフランを入れ、室温で撹拌、溶かした後、７５℃まで昇温した。昇温後、臭素を酢酸で希釈したものを滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま３時間撹拌し、放冷した。ＴＬＣで原料の消失を確認した後、チオ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で１時間撹拌した。撹拌後、ろ過を行いケーキをろ別し、さらにチオ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。得られた粗生成物をヘキサンにて再結晶し、化合物Ａ−１を得た。

化合物Ａ−１

不活性雰囲気下で四つ口フラスコに化合物Ａ−１とテトラヒドロフランを入れ、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム＜１．６ ｍｏｌ／Ｌ ヘキサン溶液＞を滴下した後、温度を保持したまま１時間撹拌した。この反応液を、不活性雰囲気下で四つ口フラスコにトリメトキシボロン酸とテトラヒドロフランを入れ、−７８℃まで冷却したものに滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、２時間室温で撹拌した。反応終了マスを、ビーカーに濃硫酸と水をいれたものに、注入し、反応を終了させた。トルエンを加え、有機層を抽出し、さらに水を加えて洗浄した。溶媒を留去後、それらと酢酸エチルを四つ口フラスコにいれ、つづいて３０％過酸化水素水を加え、４０℃で２時間撹拌した。この反応液を、ビーカーに硫酸アンモニウム鉄（ＩＩ）と水の水溶液に注入した。撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。溶媒を除去することにより、化合物Ａ−２を得た。

化合物Ａ−２

不活性雰囲気下で四つ口フラスコに化合物Ａ−２とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸カリウムを入れ１００℃まで昇温した。昇温後、臭化ｎ−オクチルをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで希釈したものを滴下した。滴下終了後、６０℃まで昇温し、温度を保持したまま２時間撹拌した。水を加え反応を終了させ、つづいてトルエンを加え、有機層を抽出し、有機層を水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ａ−３を得た。

化合物Ａ−３

不活性雰囲気下四つ口フラスコに化合物Ａ−３とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌、溶かした後、氷浴で冷却した。冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミドをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで希釈したものを滴下した。滴下終了後、氷浴で１時間、室温で１８．５時間、４０℃まで昇温し、温度を保持したまま６．５時間撹拌した。溶媒を除去し、トルエンを加え溶解した後、有機層を水で３回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムおよび液体クロマトグラフィー分取で精製することにより、ＤＢＦを得た。

（単量体 ＤＢＦ）

合成例２ （ＰＯＺの合成）
ＰＯＺはＷＯ２００４／６０９７０号パンフレット記載の以下の方法で合成することができた。
三口丸底フラスコに酢酸パラジウム、トリ−ｏ−トリルホスフィンおよびトルエンを入れ、室温で２０分間攪拌した。そして、フェノキサジン、１−ブロモ−４−ブチルベンゼン、ナトリウム−ｔ−ブトキシドおよびトルエンを加え、オイル浴中で加熱し、１５時間還流した。冷却後、濃塩酸を加えて１時間攪拌し、次いで溶液を中性のアルミナカラムに通した。カラムはトルエンで洗い、溶媒をロータリーエバポレーターを用いて除去し、黄色の固体を得た。固体をトルエン／メタノールから再結晶し、Ｎ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンを得た。

三口丸底フラスコにＮ−（４−ｎ−ブチルフェニル）フェノキサジンとメチレンクロリドを入れ、氷浴中で保持した。混合溶液に、ジメチルホルムアミド中のＮ−ブロモスクシイミド溶液を滴下した。反応混合物を室温にし、２時間攪拌した。反応混合物を２Ｎの塩酸で３回洗い、中性のアルミナカラムに通した。カラムはトルエンで洗い、溶媒をロータリーエバポレーターを用いて除去し、黄色の固体を得た。固体をヘキサンを用いて３回再結晶し、ＰＯＺを得た。

（単量体 ＰＯＺ）

実施例１
＜高分子化合物１の合成＞
特開２００４−５９８９９記載の方法に準じて製造したＤＢＦ ０．７９ｇとＷＯ２００４／６０９７０号パンフレット記載の方法に準じて製造したＰＯＺ ０．０７１ｇと２、２’−ビピリジル０．５６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．０ｇ加え、６０℃で４時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルエン溶液を、１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、約５％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．２９ｇを得た。この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。得られた高分子化合物１のポリスチレン換算重量平均分子量は、１．０ｘ１０⁵であり、数平均分子量は、４．４ｘ１０⁴であった。

＜高分子化合物の蛍光特性評価＞
高分子化合物１の０．８ｗｔ％トルエン溶液を石英板上にスピンコートして高分子化合物の薄膜を作製した。この薄膜の蛍光スペクトルを蛍光分光高度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ―ＳＰＥＸ社製 Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用い、励起波長３５０ｎｍで測定することにより行った。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製 Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
高分子化合物１の蛍光ピーク波長は４６８ｎｍ、蛍光強度は３．９であった。

（ＥＬ素子の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物１をキシレンに１．８ｗｔ％の濃度で溶解させた溶液を用いて、スピンコートにより２４００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４８０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また該素子は４．９Ｖから発光開始が見られた。

比較例１
＜高分子化合物２の合成＞
２，７−ジブロムー９，９−ジオクチルフルオレン０．４６ｇと２，７−ジブロムー９，９−ジイソペンチルフルオレン０．１０ｇとＰＯＺ ０．２１ｇと２、２’−ビピリジル０．５６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．０ｇ加え、室温で４０時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液に、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルエン溶液を、１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、約５％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収、次に、このトルエン溶液を水洗し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．３０ｇを得た。この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。得られた高分子化合物２のポリスチレン換算重量平均分子量は、９．４ｘ１０⁴であり、数平均分子量は、２．５ｘ１０⁴であった。
高分子化合物２の蛍光ピーク波長は４６３ｎｍ、蛍光強度は３．３であった。

（ＥＬ素子の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物２をキシレンに１．８ｗｔ％の濃度で溶解させた溶液を用いて、スピンコートにより２２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４７０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また該素子は６．０Ｖから発光開始が見られた。

＜合成例３＞（化合物Ｃの合成）
（１）化合物Ｃ−１の合成
不活性雰囲気下１ｌの四つ口フラスコに、２，８−ジブロモジベンゾチオフェン７ｇとＴＨＦ ２８０ｍｌを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム ２９ｍｌ（１．６モルヘキサン溶液）を滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま２時間撹拌し、トリメトキシボロン酸 １３ｇを滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻した。３時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。５重量％硫酸 １００ｍｌを加えて反応を終了させ、室温で１２時間撹拌した。水を加えて洗浄し、有機層を抽出した。溶媒を酢酸エチルに置換した後、３０重量％過酸化水素水 ５ｍｌを加え、４０℃で５時間撹拌した。その後、有機層を抽出し、１０重量％硫酸アンモニウム鉄（ＩＩ）水溶液で洗浄後、乾燥し、溶媒を除去することにより、下記式：

化合物Ｃ−１

で表される化合物Ｃ−１（茶色の固体）を４．４３ｇ得た。ＬＣ−ＭＳ測定結果から、二量体等の副生成物も生成しており、化合物Ｃ−１の純度は７７％であった（ＬＣ面積百分率）。

（２）化合物Ｃ−２の合成
不活性雰囲気下で２００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｃ−１ ４．４３ｇ、臭化ｎ−オクチル ２５．１ｇ、及び炭酸カリウム １２．５ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒としてメチルイソブチルケトン ５０ｍｌを加えて１２５℃で６時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を留去し、クロロホルムと水で分離することにより有機層を抽出し、さらに水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン／シクロヘキサン＝１／１０（容積比））で精製することにより、下記式：

化合物Ｃ−２

で表される化合物Ｃ−２を８．４９ｇ（ＬＣ面積百分率９７％、収率９４％）得た。

（３）化合物Ｃ−３の合成
１００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｃ−２ ６．６７ｇと酢酸 ４０ｍｌを入れ、オイルバスでバス温度１４０℃まで昇温した。次いで、３０重量％過酸化水素水 １３ｍｌを冷却管から加え、１時間強く撹拌した後、冷水１８０ｍｌに注いで反応を終了させた。クロロホルムで抽出し、乾燥した後、溶媒を除去することによって、下記式：

化合物Ｃ−３

で表される化合物Ｃ−３を６．９６ｇ（ＬＣ面積百分率９０％、収率９７％）得た。

（４）化合物Ｃ−４の合成
不活性雰囲気下２００ｍｌ四つ口フラスコに化合物Ｃ−３ ３．９６ｇと酢酸／クロロホルム＝１：１（容積比）混合液 １５ｍｌを加え、７０℃で撹拌し、溶解させた。次いで、臭素 ６．０２ｇを上記の溶媒 ３ｍｌに溶解して加え、３時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて未反応の臭素を除去し、クロロホルムと水で分離し、有機層を抽出し、乾燥した。次いで、溶媒を除去し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／４（容積比））で精製することにより、下記式：

化合物Ｃ−４

で表される化合物Ｃ−４を４．４６ｇ（ＬＣ面積百分率９８％、収率８４％）得た。

（５）化合物Ｃの合成
不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｃ−４ ３．９ｇとジエチルエーテル ５０ｍｌを入れ、４０℃まで昇温、撹拌した。水素化アルミニウムリチウム １．１７ｇを少量ずつ加え、５時間反応させた。水を少量ずつ加えることによって過剰な水素化アルミニウムリチウムを分解し、３６重量％塩酸 ５．７ｍｌで洗浄した。クロロホルム、水で分離し、有機層を抽出した後、乾燥した。シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／５（容積比））で精製することにより、下記式：

化合物Ｃ
で表される化合物Ｃを１．８ｇ（ＬＣ面積百分率９９％、収率４９％）得た。

＜合成例４＞（高分子化合物４の合成）
ジムロートを接続した２００ｍＬ三つ口丸底フラスコに、化合物Ｄ １．３８ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、化合物Ｅ １．６０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、トルエン２３ｍｌを加える。窒素雰囲気下、モノマー溶液を加熱し５０℃で酢酸パラジウム １．２ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン ９．５ｍｇ、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液 １０．２ｇを注加する。１０５℃に加熱した後、４時間攪拌する。次にトルエン１．５ｍＬに溶解したｔ−ブチルフェニルホウ酸 ２６７ｍｇを加え１０５℃で２時間攪拌する。更にＮ，Ｎ−ジエチルチオカルバミド酸ナトリウム三水和物 ０．６ｇ、イオン交換水 ９ｍＬを加え６５℃で２時間攪拌する。有機層を水層と分離した後、有機層を２Ｍ塩酸 約７０ｍＬ（１回）、１０重量％酢酸ナトリウム水溶液 約７０ｍＬ（１回）、イオン交換水 約７０ｍＬ（３回）の順番で洗浄する。有機層をメタノール 約８００ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し固体を得る。この固体をトルエン 約９０ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液し、この溶液をメタノール 約８００ｍＬに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物を濾過後乾燥し、高分子化合物４を得た。
得られた高分子化合物４のポリスチレン換算重量平均分子量は、３．０ｘ１０⁵であった。

化合物Ｄ 化合物Ｅ

高分子化合物４は、仕込み原料から、下記構造式：

で示される繰り返し単位を、１：１（モル比）で有してなるものと推測される。

＜合成例５＞ （３，３’−ジブロム−４，４’−ジオクチルオキシビフェニル合成）
（４，４’−ジオクチルオキシビフェニルの合成）
４，４’−ジヒドロキシビフェニル ５６ｇを、エタノール ５００ｇに溶解した。この溶液に、水酸化カリウム ４０ｇを加え、反応させた。次に、この溶液を昇温し、７０℃で、１−ブロムオクタン １２８ｇを滴下し、引き続き７０℃で７時間反応させた。なお、反応は、窒素雰囲気下で行った。反応後、この溶液を冷却し、生成した沈殿を、ろ過し、回収した。次に、この沈殿を、メタノール ５００ｍｌで洗浄し、次いで、メタノール ５００ｍｌ／イオン交換水 ３００ｍｌ混合溶媒で洗浄し、さらに、アセトン ５００ｍｌ／イオン交換水 ３００ｍｌ混合溶媒で洗浄した。この沈殿を減圧乾燥して、下記構造式：

で表される４，４’−ジオクチルオキシビフェニル １０５ｇを得た。

（３，３’−ジブロム−４，４’−ジオクチルオキシビフェニル合成）
４,４’−ジオクチルオキシビフェニル ２０．５ｇをクロロホルム ６５０ｇに溶解した。この溶液に、臭素 １６．８ｇを、３０℃以下で滴下した。滴下後、引き続き、室温で４５時間反応した。反応後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、未反応臭素を処理した。次に、この溶液を静置し、分液して、クロロホルム溶液を回収した。このクロロホルム溶液を、イオン交換水で３回洗浄後、ろ過して、不溶物を除去した。この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、この溶液から、減圧下、溶媒を留去し、粗生成物を得た。この生成物を、トルエン１００ｇ／メタノール８５ｇ混合溶媒を用いて、再結晶精製した。得られた沈殿を減圧乾燥して、下記構造式：

で表される３，３’−ジブロム−４，４’−ジオクチルオキシビフェニル ２０ｇを得た。

実施例２
＜高分子化合物３の合成＞
３，３’−ジブロム−４，４’−ジオクチルオキシビフェニル０．０８５ｇと化合物Ｃ ０．５４ｇとＰＯＺ ０．２１ｇと２、２’−ビピリジル０．６３ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．１１ｇ加え、室温で２１時間反応させた。なお、反応は、窒素ガス雰囲気下で行った。
反応後、この溶液に、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、約５％酢酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、４％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通し、精製した。次に、このトルエン溶液をメタノール中にそそぎ込み、再沈殿物を生成させた。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．１９ｇを得た。この重合体を高分子化合物３と呼ぶ。得られた高分子化合物３のポリスチレン換算重量平均分子量は、１．１ｘ１０⁵であり、数平均分子量は、１．３ｘ１０⁴であった。
高分子化合物３の蛍光ピーク波長は４７３ｎｍ、蛍光強度は６．８であった。

仕込みから推定される高分子化合物３に含まれる繰り返し単位の構造は、下記のとおりであり、仕込みから推定されるモル比は、繰り返し単位（３−Ａ）／繰り返し単位（３−Ｂ）／繰り返し単位（３−Ｃ）＝６／３／１である。

繰り返し単位（３−Ａ） 繰り返し単位（３−Ｂ） 繰り返し単位（３−Ｃ）

（ＥＬ素子の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約６０ｎｍであった。その後、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、高分子化合物４をキシレンに０．５ｗｔ％の濃度で溶解させた溶液を用いてスピンコートにより１０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で１８０℃、１５分乾燥した。次に、高分子化合物３をキシレンに１．８ｗｔ％の濃度で溶解させた溶液を用いて、スピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約６５ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４７５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また該素子は４．２Ｖから発光開始が見られた。

Claims (19)

1. 下記式（１）で示される繰り返し単位および下記式（２）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする共重合体。
   
   

   

   （１）
   
   〔式中、Ａ環およびＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｓｉ（Ｒ₁）₂−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｐ（Ｒ₁）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁）₂−、または −Ｎ＝Ｃ（Ｒ₁）−であり、Ｒ₁は置換基を表す。Ｒ₁が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
   
   

   

   （２）
   
   〔式中、Ｙは、−Ｏ−、−Ｓ− または −Ｃ（＝Ｏ）−である。Ａｒ₁は、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の複素環基を表すが、該Ａｒ₁の環を構成している原子のうち、式中の窒素原子と結合している原子の隣接位の原子には置換基は結合しない。Ｒ₂は置換基を表し、ｎは０から３の整数を表す。Ｒ₂が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
2. 式（１）が下記式（１−１）、（１−２）または（１−３）で示されることを特徴とする請求項１記載の共重合体。
   
   

   

   （１−１） （１−２） （１−３）
   
   ［式中、Ｘは前記と同じ意味を表し、Ｒ₃は置換基を表す。ｍ１は０から３の整数を表し、ｍ２は０から５の整数を表す。複数のｍ1およびｍ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ₃が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。］
3. 式（２）が下記式（２−１）で示されることを特徴とする請求項１または２記載の共重合体。
   

   

   （２−１）
   
   〔式中、Ｙ、Ｒ₂、ｎは前記と同じ意味を表し、Ｒ₄は置換基を表す。〕
4. さらに下記式（３）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の共重合体。
   
   −Ａｒ₂−
   
   （３）
   〔Ａｒ₂は、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。〕
5. ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の共重合体。
6. ポリスチレン換算の重量平均分子量が３×１０³〜１０⁸であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の共重合体。
7. 正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜６のいずれかに記載の共重合体とを含有することを特徴とする高分子組成物。
8. 請求項１〜６のいずれかに記載の共重合体または請求項７に記載の高分子組成物と溶媒とを含有することを特徴とする溶液。
9. 請求項１〜６のいずれかに記載の共重合体または請求項７に記載の高分子組成物を含有する薄膜。
10. 請求項９記載の薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
11. 陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜６のいずれかに記載の共重合体または請求項７に記載の高分子組成物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
12. 有機層が発光層であることを特徴とする請求項１１記載の高分子発光素子。
13. 発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項１２記載の高分子発光素子。
14. 陽極および陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項１〜６のいずれかに記載の共重合体または請求項７記載の高分子組成物を含むことを特徴とする請求項１１記載の高分子発光素子。
15. 陽極および陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項１〜６のいずれかに記載の共重合体または請求項７に記載の高分子組成物を含むことを特徴とする請求項１１記載の高分子発光素子。
16. 請求項１１〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
17. 請求項１１〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
18. 請求項１１〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
19. 請求項１１〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。