JP2004145300A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 第１の端子と第２の端子と第１の制御用端子とを備えた第１のトランジスタと、
   第３の端子と第４の端子とを備え、前記第３の端子が前記第１の端子に接続された第２のトランジスタと、
   第５の端子と第６の端子とを備え、前記第５の端子が前記第１の端子に接続された電子素子と、
   前記第１の端子と前記第１の制御用端子との電気的接続を制御する第３のトランジスタと、を含む単位回路を複数有し、
   前記第６の端子は複数の電位に設定可能であるか、または、所定電位に電気的に接続可能であるとともに前記所定電位から電気的に切断されることが可能となっていること、
   を特徴とする電子回路。
2. 第１の端子と第２の端子と第１の制御用端子とを備えた第１のトランジスタと、
   第３の端子と第４の端子とを備え、前記第３の端子が前記第１の端子に接続された第２のトランジスタと、
   第５の端子と第６の端子とを備え、前記第５の端子が前記第１の端子に接続された電子素子と、
   前記第１の端子と前記第１の制御用端子との電気的接続を制御する第３のトランジスタと、
   を含む単位回路を複数有し、
   前記第６の端子は電位制御線に接続され、前記電位制御線を複数の電位に設定する、あるいは、前記電位制御線と所定電位との電気的接続及び電気的切断を制御する制御回路を備えていることを特徴とする電子回路。
3. 電子素子と、
   第１の端子と第２の端子と第１の制御用端子とを備えた第１のトランジスタと、
   第３の端子と第４の端子とを備え、前記第３の端子が前記第１の端子に接続された第２のトランジスタと、を含む単位回路を複数有し、
   第１の期間に、前記第１の制御用端子の電圧が、前記第２のトランジスタを通過するデータ電流により前記データ電流に対応する電圧に設定され、
   第２の期間に、前記第１の期間で設定された前記第１の制御用端子の電圧に対応する電流レベルを有する駆動電流が前記電子素子に供給され、
   前記第１の期間は前記電子素子は非順バイアス状態又は逆バイアス状態であること、
   を特徴とする電子回路。
4. 電子素子と、
   第１の端子と第２の端子と第１の制御用端子とを備えた第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタに接続された第２のトランジスタと、を含む単位回路を複数有し、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを含む第１の電流経路に電流が流れる期間は、前記電子素子は非順バイアス状態または逆バイアス状態であり、
   前記第１のトランジスタ及び前記電子素子を含む第２の電流経路に電流が流れる期間は、前記電子素子は順バイアス状態にあること、
   を特徴とする電子回路。
5. 請求項３又は４に記載の電子回路において、
   さらに前記複数の単位回路の各々は、前記第１の端子と前記第１の制御用端子との電気的接続を制御する第３のトランジスタを有すること、
   を特徴とする電子回路。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の電子回路において、
   前記単位回路の各々に含まれるトランジスタは、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタのみであること、
   を特徴とする電子回路。
7. 請求項１又は２に記載の電子回路において、
   前記制御回路は、第９の端子と第１０の端子とを備えた第４のトランジスタであり、
   前記第９の端子は前記電位制御線を介して前記第６の端子に接続されるとともに、前記第１０の端子は前記複数の電位、または、前記所定電位を供給する供給線に接続されていることを特徴とする電子回路。
8. 請求項１乃至７のいずれか１つに記載の電子回路において、 前記電子素子は電流駆動素子であることを特徴とする電子回路。
9. 電子素子と、
   第１の端子と第２の端子と制御用端子とを備え、前記第１の端子が前記電子素子の一端に接続され、前記電子素子に供給する電流レベルを導通状態によって制御する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタに接続された第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを含む第１の電流経路に電流が流れる期間は前記電子素子に流れないようにし、
   前記第２のトランジスタがオフされた状態において、前記第１のトランジスタ及び前記電子素子を含む第２の電流経路に電流を流すように制御する制御回路と、を含むこと、
   を特徴とする電子回路。
10. 電子素子と、
    第１の端子と第２の端子と制御用端子とを備え、前記第１の端子が前記電子素子に接続された第１のトランジスタと、
    前記制御用端子に接続された容量素子と、
    前記第１の端子に接続された第２のトランジスタと
    を含む電子回路の駆動方法であって、
    前記電子素子に電流が流れないような電位に設定するとともに、少なくとも前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを含む第１の電流経路に電流を供給して、前記第１の電流経路を通過する電流の電流レベルに応じた電荷量を前記容量素子に蓄積する第１のステップと、
    前記電子素子に前記電荷量に応じた電流レベルの駆動電流を供給する第２のステップと、を含み、
    前記第１のステップにおいて、前記電子素子は非順バイアスまたは逆バイアス状態にされ、
    前記第２のステップにおいて、前記電子素子は順バイアス状態とされること、
    を特徴とする電子回路の駆動方法。
11. 複数の第１の信号線と、複数の第２の信号線と、複数の単位回路と、を備えた電子装置であって、
    前記複数の単位回路の各々は、
    電子素子と、
    前記電子素子に接続され、前記電流レベルを導通状態によって制御する第１のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタと接続するとともに、前記複数の第１の信号線のうち１つの第１の信号線から供給される制御信号に応じてオン状態となることにより、前記複数の第２の信号線のうち一つの第２の信号線と前記第１のトランジスタとを電気的に接続する第２のトランジスタと、
    前記一つの第２の信号線から供給される電流信号に応じた電荷量を保持し、前記第１のトランジスタの導通状態を決定する容量素子と、を含み、
    少なくとも前記第２のトランジスタがオン状態である期間は、前記電子素子は非順バイアス又は逆バイアス状態とされていること、
    を特徴とする電子装置。
12. 複数の第１の信号線と、複数の第２の信号線と、複数の単位回路と、を備えた電子装置であって、
    前記複数の単位回路の各々は、
    電子素子と、
    前記電子素子に接続され、前記電流レベルを導通状態によって制御する第１のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタに接続されるとともに、前記複数の第１の信号線のうち１つの第１の信号線から供給される制御信号に応じてオン状態となることにより、前記複数の第２の信号線のうち一つの第２の信号線と前記第１のトランジスタとを電気的に接続する第２のトランジスタと、
    前記第２の信号線から供給される電流信号に応じた電荷量を保持し、前記第１のトランジスタの導通状態を決定する容量素子とを含み、
    少なくとも前記第２のトランジスタがオン状態である期間は、前記第２の電極の電位は前記電子素子に電流が流れないように設定されるか、あるいは、前記第２の電極は電源電位から電気的に切り離されることを特徴とする電子装置。
13. 請求項１１又は１２に記載の電子装置において、
    さらに前記複数の第１の信号線を駆動する第１の駆動回路と、前記複数の第２の信号線を駆動する第２の駆動回路と、を含み、
    前記第２の駆動回路は、ＩＣチップに形成されていること、
    を特徴とする電子装置。
14. 請求項１１乃至１３のいずれかに記載の電子装置において、
    前記電子素子は電気光学素子であること、
    を特徴とする電子装置。
15. 請求項１１乃至１４のいずれかに記載の電子装置において、
    さらに前記複数の第２の信号線に交差する複数の電圧供給線を備え、
    前記複数の電圧供給線のうち一つの電圧供給線が前記第１のトランジスタに接続されていること、
    を特徴とする電子装置。
16. 請求項１４に記載の電子装置において、
    前記複数の第１の信号線は複数の走査線であり、
    前記複数の第２の信号線は複数のデータ線であり、
    前記複数の走査線のうち一つの走査線に沿って同色の電気光学素子が配置されていること、
    を特徴とする電子装置。
17. 請求項１４に記載の電子装置において、
    前記電気光学素子は発光層が有機材料で構成されたＥＬ素子であること、
    を特徴とする電子装置。
18. 複数のデータ線と、複数の走査線と、複数の単位回路と、を含み、
    前記複数の単位回路の各々は、
    第１の電極と第２の電極との間の電位差に応じて光学機能を発現する電気光学素子と、
    第１の端子と第２の端子と第１の制御用端子とを備え、前記第１の端子が前記第１の電極に接続された第１のトランジスタと、
    前記第１の制御用端子に接続された容量素子と、
    第３の端子と第４の端子と第２の制御用端子とを備え、前記第３の端子が前記第１の端子に接続され、前記第４の端子が前記複数のデータ線のうちの１つデータ線に接続され、
    前記第２の制御用端子が前記複数の走査線のうち１つ走査線に接続された第２のトランジスタと、を備えている電気光学装置の駆動方法であって、
    前記電気光学素子を非順バイアス又は逆バイアス状態として、前記第２の制御用端子に前記複数の走査線のうちの一つの走査線を介して走査信号を供給して前記第２のトランジスタをオン状態とし、前記一つのデータ線から前記第２のトランジスタを介して前記第１のトランジスタに電流として供給されるデータ信号を供給し、前記データ信号に応じた電荷量を前記容量素子に蓄積する第１のステップと、
    前記一つの走査線を介して前記第２の制御用端子に走査信号を供給して前記第２のトランジスタをオフ状態にするとともに、前記容量素子に蓄積された前記電荷量に応じて設定された前記第１のトランジスタの導通状態に応じた電圧レベルを有する駆動電圧または電流レベルを有する駆動電流を前記第１の電極を介して前記電気光学素子に供給する第２のステップとを含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
19. 請求項１乃至９のいずれか１つに記載の電子回路を実装したことを特徴とする電子機器。
20. 請求項１１乃至１６のいずれか１つに記載の電子装置を実装したことを特徴とする電子機器。