JP2004075862A - 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 407
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 244
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 75
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 55
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 47
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 19
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 17
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 12
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 claims description 7
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 6
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract description 48
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 18
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-yl)butanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2N(C(C(O)=O)CC(=O)O)N=NC2=C1 JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKZLYSXRFUGBPI-UHFFFAOYSA-N 2-[benzotriazol-1-ylmethyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CN(CCO)CCO)N=NC2=C1 WKZLYSXRFUGBPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIXTJQLKOLKTQ-UHFFFAOYSA-N 3-(benzotriazol-1-yl)propane-1,2-diol Chemical compound C1=CC=C2N(CC(O)CO)N=NC2=C1 WVIXTJQLKOLKTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- NDDKLKJHJDYMAC-UHFFFAOYSA-N C(C(C)C)C(C#CC(O)(O)C)(C)CC(C)C Chemical compound C(C(C)C)C(C#CC(O)(O)C)(C)CC(C)C NDDKLKJHJDYMAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005502 peroxidation Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- H01L21/321—After treatment
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Abstract
【解決手段】表面に凹部12が設けられた絶縁体層11上に形成されたバリア層14と、少なくとも凹部12が完全に埋まるようにバリア層14上に形成された導体層13とを有し、第1の工程として、研磨材Aと研磨促進剤Bと水とを含む主研磨用組成物及び過酸化水素を含有する研磨用組成物を用いて導体層13を研磨する。次に第2の工程として、主研磨用組成物と有機化合物Cと腐食防止剤Dと過酸化水素とを含む研磨用組成物を用い、バリア層14が露出するまで導体層13を研磨する。続いて第3の工程として、研磨材Aと酸E又はアルカリFと腐食防止剤Dと水とを含む研磨用組成物を用い、絶縁体層11が露出するまでバリア層14及び凹部12に対応する箇所の導体層13を研磨する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置等における配線構造を形成するための研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物に関するものである。より詳しくは、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置等の配線構造は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いた方法等によって形成されている。CMP法を用いた配線構造の形成方法では、まず表面に凹部が形成された絶縁体層上に、タンタルや窒化タンタル等のタンタル含有化合物により形成されているバリア層を形成した後、銅を含有する金属材料により形成されている導体層を、少なくとも凹部内が完全に埋まるようにバリア層上に形成する。次いで、凹部以外の箇所の絶縁体層が露出するまで導体層及びバリア層を研磨し、凹部内に配線部を形成する。
【0003】
従来の研磨方法では、まず導体層を高効率で研磨することができる研磨用組成物を用い、凹部以外の箇所のバリア層が露出するまで導体層を高い研磨速度で研磨する。次いで、主にバリア層を高効率で研磨することができる研磨用組成物を用い、凹部以外の箇所の絶縁体層が露出するまでバリア層を高い研磨速度で研磨することにより、凹部内に配線部が形成されていた(第1の従来構成)。
【0004】
また、バリア層上に導体層を形成した後、導体層を高効率で研磨することができる研磨用組成物を用い、凹部以外の箇所のバリア層が露出する前に研磨が終了するように、導体層を高い研磨速度で研磨する。次いで、導体層及びバリア層を高効率で研磨することができる研磨用組成物を用い、凹部以外の箇所の絶縁体層が露出するまでバリア層を研磨することにより、凹部内に配線部が形成されていた(第2の従来構成)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、第1の従来構成においては、導体層を高い研磨速度で研磨するために、導体層が過剰に研磨されることによって絶縁体層の表面に比べて配線部の表面が内方へ後退する現象、即ちディッシング及びエロージョンが発生するという問題があった。一方、第2の従来構成においては、導体層及びバリア層を研磨するときに、導体層とバリア層との間で電気化学的な反応が進行して導体層が選択的に研磨される。このため、ディッシングが発生するという問題があった。
【0006】
本発明は、上記のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明の研磨方法は、表面に凹部が設けられた絶縁体層上に形成されているバリア層と、銅を含有する金属材料により少なくとも凹部内が完全に埋まるようにバリア層上に形成されている導体層とを有し、バリア層が露出する前に研磨を終了するように導体層を研磨する第1の工程と、バリア層が露出するまで導体層を研磨する第2の工程と、バリア層を研磨する第3の工程とを備え、前記第1の工程において、二酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種の研磨材A、グリシン及びα−アラニンから選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤B及び水を含有する主研磨用組成物と、過酸化水素とを含む研磨用組成物を用いて導体層を研磨し、第2の工程において、研磨材Aと、研磨促進剤Bと、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル及び下記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体から選ばれる少なくとも一種の有機化合物Cと、ベンゾトリアゾール及びその誘導体から選ばれる少なくとも一種の腐食防止剤Dと、過酸化水素と、水とを含む研磨用組成物を用いて導体層を研磨し、第3の工程において、研磨材Aと、硝酸、塩酸、乳酸、リン酸、硫酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸及びフマル酸から選ばれる少なくとも一種の酸E、又は水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及び水酸化ナトリウムから選ばれる少なくとも一種のアルカリFと、腐食防止剤Dと、水とを含む研磨用組成物を用いてバリア層を研磨するものである。
【0008】
【化2】
(但し、式中のR1〜R6は水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基をそれぞれ表し、X及びYはエチレンオキシ基又はプロピレンオキシ基をそれぞれ表し、m及びnは1〜20の数をそれぞれ表す。)
請求項2に記載の発明の研磨方法は、請求項1に記載の発明において、前記主研磨用組成物と、有機化合物C、腐食防止剤D及び水を含有する第1副組成物と、酸E又はアルカリF、腐食防止剤D及び水を含有する第2副組成物とを別々に調製し、第2の工程で用いられる研磨用組成物は、主研磨用組成物と、第1副組成物と、過酸化水素とを含有し、第3の工程で用いられる研磨用組成物は、主研磨用組成物と、第2副組成物とを含有するものである。
【0009】
請求項3に記載の発明の研磨方法は、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記第3の工程で用いられる研磨用組成物は、さらに過酸化水素を含有するものである。
【0010】
請求項4に記載の発明の研磨用組成物は、請求項1に記載の第1の工程で用いられ、前記主研磨用組成物を含有し、用いられるときには過酸化水素が混合されるものである。
【0011】
請求項5に記載の発明の研磨用組成物は、請求項1に記載の第2の工程で用いられ、前記主研磨用組成物を含有するとともに、有機化合物Cと、腐食防止剤Dと、水とを含む副組成物を含有し、用いられるときには過酸化水素が混合されるものである。
【0012】
請求項6に記載の発明の研磨用組成物は、請求項1に記載の第3の工程で用いられ、前記主研磨用組成物を含有するとともに、酸E又はアルカリFと、腐食防止剤Dと、水とを含む副組成物を含有するものである。
【0013】
請求項7に記載の発明の研磨用組成物は、請求項6に記載の発明において、用いられるときには過酸化水素が混合されるものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0015】
半導体装置の配線構造を形成するときには、図1(a)に示すように、まず図示しない半導体基板上の絶縁体層11の表面に、回路設計に基づく所定のパターンの凹部12を形成する。この凹部12の形成は、公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術によって行われる。絶縁体層11の具体例としては、TEOS(テトラエトキシシラン)等を用いたCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって形成されるSiO2膜、SiOF膜、SiOC膜等が挙げられる。凹部12が形成される前の絶縁体層11の表面はできるだけ平坦であることが望ましい。
【0016】
次に、後述する導体層13中の銅が絶縁体層11に拡散するのを防止するために、スパッタリング法等によって、凹部12が形成された絶縁体層11上にバリア層14を一定の厚みで形成する。このとき、バリア層14の表面において、凹部12に対応する箇所は凹部12によって凹状に形成される。このバリア層14は、タンタルや窒化タンタル等のタンタル含有化合物により形成される。続いて、少なくとも凹部12内が完全に埋まるように、銅を含有する金属材料により形成される導体層13をバリア層14上に形成する。
【0017】
銅を含有する金属材料の具体例としては、銅、銅−アルミニウム合金、銅−チタン合金等が挙げられる。導体層13の表面において、凹部12に対応する箇所には、一般に初期段差と呼ばれる凹部12由来の初期凹溝15がそれぞれ形成される。そして、凹部12以外の箇所の絶縁体層11が露出するまで、CMP法によって導体層13及びバリア層14を研磨して凹部12内に配線部を形成する。
【0018】
次に、研磨方法について説明する。
本実施形態の研磨方法では、図1(b)に示すように、まず第1の工程として導体層13を研磨する。第1の工程における導体層13に対する研磨速度は、研磨時間を短縮するために、好ましくは5000〜10000Å/min、より好ましくは7000〜9000Å/minである。5000Å/min未満では研磨時間が長くなりやすい。一方、10000Å/minを超えると、研磨速度を制御しにくい。第1の工程における研磨は、バリア層14が露出する前に終了される。研磨が終了したときには初期凹溝はほとんど完全に解消されるのが好ましく、具体的には導体層13の表面における各凹溝16の深さは、好ましくは500Å以下、より好ましくは200Å以下である。
【0019】
次に、図1(c)に示すように、第2の工程として、凹部12以外の箇所のバリア層14が露出するまで導体層13を研磨する。第2の工程における導体層13に対する研磨速度は、研磨時間を短縮するために、好ましくは1000〜4000Å/min、より好ましくは2000〜3000Å/minである。1000Å/min未満では、研磨時間が長くなりやすい。一方、4000Å/minを超えると、ディッシング及びエロージョンが発生しやすい。
【0020】
また、第2の工程においては、露出したバリア層14が研磨されないように研磨速度を調整するのが好ましい。具体的には、導体層13に対する研磨速度は、バリア層14に対する研磨速度に対して好ましくは100〜10000倍、より好ましくは200〜800倍である。100倍未満ではディッシング及びエロージョンが発生しやすい。一方、10000倍を超えると、第2の工程に用いる研磨用組成物を調製しにくい。
【0021】
第2の工程における研磨が終了したときには、例えば10μm幅の配線部におけるディッシング量は、好ましくは500Å以下、より好ましくは300Å以下である。ここで、図2(a)に示すように、ディッシング量d1とは、バリア層14の凹部12以外の箇所の表面と導体層13の表面との深さ方向の距離(高さの差)のことである。
【0022】
さらに、例えば90%の高密度配線部におけるエロージョン量は、好ましくは500Å以下、より好ましくは300Å以下である。ここで、図2(b)に示すように、エロージョンとは、凹部12が密に形成された領域において、隣り合う凹部12間のバリア層14及び導体層13が研磨されることによって、他の領域のバリア層14の凹部12以外の表面に比べて該領域の表面が内方へ後退する現象をいう。そして、エロージョン量e1とは、凹部12が密に形成された領域の表面と、他の領域のバリア層14の凹部12以外の箇所の表面との深さ方向の距離(高さの差)のことである。また、90%の高密度配線部とは、例えば9μm幅の凹部12が1μmの間隔毎に凹設されている領域等、凹部12の面積が領域全体の面積の90%を占める領域のことをいう。
【0023】
続いて、図1(d)に示すように、第3の工程として、凹部12以外の箇所の絶縁体層11が露出するまでバリア層14を研磨する。第3の工程における研磨速度は、露出した絶縁体層11が研磨されるのを抑制するために、バリア層14に対しては、好ましくは500〜1500Å/min、より好ましくは700〜1000Å/minである。また、絶縁体層11に対しては、好ましくは100Å/min以下、より好ましくは50Å/min以下である。バリア層14に対して500Å/min未満では、研磨時間が長くなりやすい。一方、1500Å/minを超えると、研磨速度を制御しにくい。また、絶縁体層11に対して100Å/minを超えると、露出した絶縁体層11が研磨されやすい。
【0024】
さらに、第2の工程で除去すべき導体層13が完全に除去されている場合には、導体層13を研磨する必要がないために、第3の工程で用いられる研磨用組成物は過酸化水素を含有しない。その場合、導体層13に対しては、好ましくは100Å/min以下、より好ましくは50Å/min以下である。導体層13に対して100Å/minを超えると、ディッシング及びエロージョンが発生しやすい。
【0025】
また、第2の工程で除去すべき導体層13が完全に除去されていない場合には、導体層13を研磨する必要があるために、第3の工程で用いられる研磨用組成物は過酸化水素を含有するのが好ましい。その場合、導体層13に対しては、好ましくは100〜300Å/min、より好ましくは150〜250Å/minである。導体層13に対して100Å未満では、除去すべき導体層13が十分に研磨されないおそれがある。一方、導体層13に対して300Å/minを超えると、ディッシング及びエロージョンが発生しやすい。
【0026】
第3の工程における研磨が終了したときには、図3(a)に示すように、ディッシング量d2は、絶縁体層11の凹部12以外の箇所の表面と導体層13の表面との深さ方向の距離を示す。一方、図3(b)に示すように、エロージョン量e2は、凹部12が密に形成された領域の表面と、他の領域の絶縁体層11の凹部12以外の箇所の表面との深さ方向の距離を示す。
【0027】
各工程での研磨時間は、凹部12内に配線部17を形成する効率を向上させるために、それぞれ同程度であることが好ましい。よって、例えば第1及び第2の工程において、各工程での研磨時間を合わせるために、研磨される導体層13の量又は研磨速度をそれぞれ調整するのが好ましい。また、第3の工程でバリア層14を研磨するのに要する研磨時間から、各工程における研磨速度を調整するのが好ましい。
【0028】
第1の工程で用いられる研磨用組成物(以下、第1研磨用組成物ともいう)には、二酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種の研磨材A、グリシン及びα−アラニンから選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤B及び水を含む主研磨用組成物と、過酸化水素とが含有されている。
【0029】
研磨材Aは、その機械的研磨作用により、被研磨面を研磨するために含有される。研磨材Aの中でも、安定性が高いことから二酸化ケイ素が好ましい。二酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等の製造方法や結晶形態が異なる種々のものが知られているが、これらの中でも被研磨面に欠陥が発生するのを抑制することができることから、コロイダルシリカが好ましい。
【0030】
研磨材Aの粒子径は、十分な研磨速度を維持するとともに被研磨面に欠陥が発生するのを抑制するために、BET法により測定した表面積から求められる平均粒子径で好ましくは3〜100nm、より好ましくは5〜60nm、さらに好ましくは10〜50nmである。3nm未満では十分な研磨速度が得られにくい。一方、100nmを超えると被研磨面に欠陥が発生しやすい。
【0031】
研磨材Aの含有量は、十分な研磨速度を維持するために、第1研磨用組成物に対して、好ましくは1〜100g/リットル、より好ましくは2〜50g/リットルである。1g/リットル未満では、研磨材Aの量が少ないために十分な研磨速度が得られにくい。一方、100g/リットルを超えると、第1研磨用組成物における研磨材Aの濃度が高くなるために、研磨材Aが凝集しやすくなり、組成物の調製が困難になりやすい。さらに、研磨後の被研磨面に傷等の欠陥を生じさせるおそれがある。
【0032】
研磨促進剤Bは、研磨中に導体層中の銅とキレート結合することによって研磨を促進するために含有される。研磨促進剤Bの中でも、良好な研磨面とする効果が高いことから、α−アラニンが好ましい。研磨促進剤Bの含有量は、研磨を促進するために、第1研磨用組成物に対して、好ましくは2〜30g/リットル、さらに好ましくは5〜20g/リットルである。2g/リットル未満では研磨を促進しにくい。一方、30g/リットルを超えると、研磨が促進されすぎることによって導体層に対する研磨速度が高くなりすぎるために研磨を制御しにくい。
【0033】
水は、研磨材A及び研磨促進剤Bを分散又は溶解させるために含有される。水は、研磨材A等の作用を阻害するのを防止するために不純物をできるだけ含有しないものが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルターを通して異物を除去したものや蒸留水が好ましい。
【0034】
過酸化水素は、導体層に対する研磨速度を向上させるために含有される。過酸化水素の含有量は、導体層に対する研磨速度を向上させるために、第1研磨用組成物に対して、好ましくは1〜20g/リットル、より好ましくは3〜10g/リットルである。1g/リットル未満では、導体層に対して十分な研磨速度が得られにくい。一方、20g/リットルを超えると、導体層に対する研磨速度は促進されずにむしろ抑制されるため、不経済であるばかりか、導体層に対する十分な研磨速度が得られないおそれがある。
【0035】
第2の工程で用いられる研磨用組成物(以下、第2研磨用組成物ともいう)は、さらに有機化合物Cと、腐食防止剤Dとを含有し、研磨促進剤Bの含有量が第2研磨用組成物に対して好ましくは2〜20g/リットル、さらに好ましくは3〜10g/リットルである。さらに、過酸化水素の含有量が第2研磨用組成物に対して好ましくは1〜15g/リットル、より好ましくは2〜10g/リットルである以外は、第1研磨用組成物と同じである。
【0036】
有機化合物Cは、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制するために含有される。この有機化合物Cは、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル及び下記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体から選ばれる少なくとも一種である。
【0037】
【化3】
(但し、式中のR1〜R6は水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基をそれぞれ表し、X及びYはエチレンオキシ基又はプロピレンオキシ基をそれぞれ表し、m及びnは1〜20の数をそれぞれ表す。)
上記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体は、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制する効果が高いことから、下記一般式(2)で表されるジアルキルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテルが好ましい。下記一般式(2)で表されるジアルキルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテルは、銅表面への化学的エッチングに対する表面保護作用に優れている。
【0038】
【化4】
(但し、式中のR5及びR6は炭素数1〜10のアルキル基をそれぞれ表し、m及びnの値は1〜20の数をそれぞれ表す。)
さらに、銅表面への化学的エッチングに対する表面保護作用により優れているために、有機化合物Cは、上記一般式(2)で表されるジアルキルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテルと、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルとを含むのがより好ましい。
【0039】
ここで、ポリエチレンオキサイドは一般的にはポリエチレングリコールと呼ばれ、下記一般式(3)で表される。また、ポリプロピレンオキサイドは一般的にはポリプロピレングリコールと呼ばれ、下記一般式(4)で表される。尚、下記一般式(3)及び一般式(4)において、式中のnはエチレングリコールの数平均重合度を表し、mはプロピレングリコールの数平均重合度を表す。
【0040】
H−(OCH2CH2)n−OH …(3)
H−(OCH(CH3)CH2)m−OH …(4)
ポリエチレンオキサイド及びポリプロピレンオキサイドの分子量は、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制するとともに、水に容易に溶解されるために、平均分子量で好ましくは100〜10000、より好ましくは200〜1000である。100未満ではディッシング及びエロージョンの発生を抑制しにくい。一方、10000を超えると水に溶解されにくい。
【0041】
ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、直鎖状又は分岐状の高級アルコールに酸化エチレンを付加重合させることにより得られ、下記一般式(5)で表される。また、ポリオキシプロピレンアルキルエーテルは、直鎖状又は分岐状の高級アルコールに酸化プロピレンを付加重合させることにより得られ、下記一般式(6)で表される。尚、下記一般式(5)及び(6)において、式中のRはアルキル基を表す。さらに、nはエチレングリコールの数平均重合度を表し、mはプロピレングリコールの数平均重合度を表す。
【0042】
R−O−(CH2CH2O)n−H …(5)
R−O−(CH2CH(CH3)O)m−H …(6)
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルは、直鎖状又は分岐状の高級アルコールに酸化プロピレン及び酸化エチレンを付加重合させることにより得られ、下記一般式(7)で表される。尚、下記一般式(7)において、Rはアルキル基を表す。さらに、nはエチレングリコールの数平均重合度を表し、mはプロピレングリコールの数平均重合度を表す。
【0043】
R−O−(CH2CH(CH3)O)m−(CH2CH2O)n−H …(7)
ポリオキシエチレンアルキルエーテル及びポリオキシプロピレンアルキルエーテルは、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制する効果が高いことから、分子内における親水基、即ちエチレンオキサイドの割合はそれぞれ好ましくは10〜80%である。さらに、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル及び上記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体も上述と同様に、分子内における親水基、即ちエチレンオキサイドの割合はそれぞれ好ましくは10〜80%である。10%未満及び80%を超えると、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制しにくい。
【0044】
ポリオキシエチレンアルキルエーテル及びポリオキシプロピレンアルキルエーテルの分子量は、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制するとともに水に容易に溶解されるために、平均分子量で好ましくは1000〜30000、より好ましくは2000〜20000である。さらに、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル及び上記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体の分子量も上述と同様に、平均分子量で好ましくは1000〜30000、より好ましくは2000〜20000である。1000未満ではディッシング及びエロージョンの発生を抑制しにくい。一方、30000を超えると水に溶解されにくい。
【0045】
有機化合物Cの含有量は、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制するために、第2研磨用組成物に対して、好ましくは2〜30g/リットル、より好ましくは4〜20g/リットルである。2g/リットル未満では、有機化合物Cの量が少ないためにディッシング及びエロージョンの発生を抑制しにくい。一方、30g/リットルを超えると、研磨が抑制されるために十分な研磨速度が得られにくい。
【0046】
腐食防止剤Dは、研磨中及び研磨後の銅表面を保護してその腐食を防止するとともに、有機化合物Cと同じ機能発現のために含有される。この腐食防止剤Dは、ベンゾトリアゾール及びその誘導体から選ばれる少なくとも一種である。ベンゾトリアゾール及びその誘導体は下記一般式(8)で表される。
【0047】
【化5】
上記一般式(8)において、R7〜R10は水素原子又はアルキル基をそれぞれ表し、R11は水素原子、又は水酸基若しくはカルボキシル基を有してもよいアルキル基を表す。また、4位、5位、6位又は7位の炭素原子を窒素原子に置換してもよいし、3位の窒素原子を炭素原子に置換してもよい。
【0048】
ベンゾトリアゾールの誘導体の具体例としては、1−(2,3−ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール等が挙げられる。ベンゾトリアゾール及びその誘導体の中でも、銅表面を保護することによって銅が腐食されるのを防止する効果が高いことから、ベンゾトリアゾールが好ましい。
【0049】
腐食防止剤Dの含有量は、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制するために、第2研磨用組成物に対して、好ましくは0.01〜0.1g/リットル、より好ましくは0.02〜0.06g/リットルである。0.01g/リットル未満ではディッシング及びエロージョンの発生を抑制しにくい。一方、0.1g/リットルを超えると、銅に対する研磨が抑制されるため、導体層に対して十分な研磨速度が得られにくい。また、研磨が不均一になりやすい。
【0050】
第3の工程で用いられる研磨用組成物(以下、第3研磨用組成物ともいう)は、研磨材Aと、酸E又はアルカリFと、腐食防止剤Dと、水とを含有する。さらに、腐食防止剤Dの含有量が第3研磨用組成物に対して好ましくは0.01〜0.1g/リットル、より好ましくは0.02〜0.06g/リットルである以外は、第1研磨用組成物と同じである。
【0051】
酸E又はアルカリFは、バリア層を研磨するために含有される。酸Eは、硝酸、塩酸、乳酸、リン酸、硫酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸及びフマル酸から選ばれる少なくとも一種である。これら酸Eの中でも、バリア層中のタンタル含有化合物を高効率で研磨することができることから、乳酸又は硝酸が好ましい。一方、アルカリFは、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及び水酸化ナトリウムから選ばれる少なくとも一種である。これらのアルカリFの中でも、バリア層中のタンタル含有化合物を高効率で研磨することができることから、水酸化カリウムが好ましい。
【0052】
酸E及びアルカリFの含有量は、バリア層に対する研磨速度を向上させるために、第3研磨用組成物に対してそれぞれ好ましくは1〜20g/リットル、より好ましくは2〜10g/リットルである。1g/リットル未満ではバリア層に対して十分な研磨速度が得られにくい。一方、20g/リットルを超えると、第3研磨用組成物のpHが低くなるために、またpHが高くなるために、第3研磨用組成物の取り扱いに注意が必要になりやすい。
【0053】
第3研磨用組成物は、上述の機能発現のために、第1研磨用組成物と同様に研磨促進剤Bを含有するのが好ましい。第3研磨用組成物のpHは、第3研磨用組成物の取り扱いを容易にするために、酸Eを含有するときには好ましくは2〜4であり、アルカリFを含有するときには好ましくは9〜11である。第3研磨用組成物のpHが2未満又は11を超えると、第3研磨用組成物のpHが高すぎる、又は低すぎるために取り扱いに注意が必要になりやすい。一方、pHが4を超えると又は9未満では、バリア層に対して十分な研磨速度が得られにくい。
【0054】
第3研磨用組成物は、第3の工程において、第2の工程で除去すべき導体層の一部が残っているときには、残っている導体層を研磨するために、過酸化水素を含有するのが好ましい。第3研磨用組成物に対する過酸化水素の含有量は、導体層に対する研磨速度を向上させるために、第3研磨用組成物に対して、好ましくは0.5〜20g/リットル、より好ましくは1〜10g/リットルである。0.5g/リットル未満では導体層に対して十分な研磨速度が得られにくい。一方、20g/リットルを超えると、導体層に対する研磨速度が高くなりすぎるため、ディッシング及びエロージョンが発生しやすい。
【0055】
第2研磨用組成物において、調製を容易にするとともに管理を容易にするために、研磨材A、研磨促進剤B及び水を含有する主研磨用組成物と、有機化合物C、腐食防止剤D及び水を含有する第1副組成物とを別々に調製するのが好ましい。一方、第3研磨用組成物においても、第3研磨用組成物が研磨促進剤Bを含有するときには、主研磨用組成物と、酸E又はアルカリF、腐食防止剤D及び水を含有する第2副組成物とを別々に調製するのが好ましい。そして、第2研磨用組成物が研磨に用いられるときには、主研磨用組成物と、第1副組成物と、過酸化水素とを混合するように構成するのが好ましい。一方、第3研磨用組成物が研磨に用いられるときには、主研磨用組成物と、第2副組成物とを混合するように構成するのが好ましい。
【0056】
さらに、主研磨用組成物及び各副組成物は、それらの管理を容易にするとともに輸送コストを低減するために、濃縮された状態で保管されるとともに、研磨に用いられるときには水が混合されて希釈されるように構成されるのが好ましい。ここで、過剰の濃縮では、研磨材Aの分散安定性や各成分の溶解安定性が低下しやすい。このため、第1研磨用組成物においては、濃縮された主研磨用組成物と混合される水との体積比は、好ましくは濃縮された主研磨用組成物:混合される水=1:2〜20、より好ましくは濃縮された主研磨用組成物:混合される水=1:5〜15である。
【0057】
一方、第2研磨用組成物においては、濃縮された主研磨用組成物と、濃縮された第1副組成物と、混合される水との体積比は、好ましくは濃縮された主研磨用組成物:濃縮された第1副組成物:水=1:1〜9:1〜10程度である。また、第3研磨用組成物においては、濃縮された主研磨用組成物と、濃縮された第2副組成物と、混合される水との体積比は、好ましくは濃縮された主研磨用組成物:濃縮された第2副組成物:水=1:1〜7:1〜16程度である。
【0058】
各研磨用組成物は、上述の体積比よりも少ない量の水が混合されるように構成されるときには、希釈に用いる水の量が少ないために、濃縮の度合いが低くなりやすい。一方、上述の体積比よりも多い量の水が混合されるように構成されるときには、希釈に用いる水の量が多いために、希釈後に濃度を均一にするのに時間がかかりやすい。
【0059】
以上詳述した本実施形態によれば、次のような効果が発揮される。
・ 第1の実施形態の研磨方法においは、第2研磨用組成物は、有機化合物C及び腐食防止剤Dを含有する。一方、第3研磨用組成物は腐食防止剤Dを含有する。ここで、有機化合物Cはノニオンタイプであり、第2研磨用組成物の電気伝導度が高くなるのを抑制することができる。このため、第2研磨用組成物が電解質として働くのを抑制し、導体層とバリア層との間で電気化学的な反応が進行して導体層が選択的に研磨されるのを抑制することができる。また、腐食防止剤Dは、銅に対する過剰の研磨を抑制することができる。従って、導体層を高い研磨速度で研磨するためにディッシング及びエロージョンが発生する従来の研磨方法に比べて、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる。
【0060】
・ 第1及び第2研磨用組成物は、研磨材Aと研磨促進剤Bとを含有する。このため、研磨材Aによる機械的研磨作用と、研磨促進剤Bの促進作用とが相乗的に作用することにより、導体層に対する研磨速度をそれぞれ向上させることができる。
【0061】
・ 第3研磨用組成物は、酸E又アルカリFを含有する。酸E及びアルカリFは、化学的研磨作用によってタンタル含有化合物を高効率でそれぞれ研磨することができるために、バリア層に対する研磨速度を向上させることができる。
【0062】
・ 第3研磨用組成物が研磨促進剤Bを含有するときには、主研磨用組成物と、各副組成物とを別々に調製し、必要に応じて主研磨用組成物に第1又は第2副組成物を混合するのが好ましい。このため、保存するときの管理が煩雑な研磨材Aを含有する主研磨用組成物を一つにすることができる。よって、主研磨用組成物に第1又は第2副組成物が混合された状態で保存するときに比べて、管理する主研磨用組成物の数を減らすことができる。このため、各研磨用組成物の調製を容易にすることができるとともに管理を容易にすることができる。
【0063】
・ 主研磨用組成物及び各副組成物は、濃縮された状態で保管されるとともに、研磨に用いられるときには水が混合されて希釈されるように構成されるのが好ましい。このため、それらの管理を容易にすることができるとともに輸送コストを低減することができる。
【0064】
・ 第1及び第2研磨用組成物は過酸化水素をそれぞれ含有する。また、第3研磨用組成物は、第3の工程において第2の工程で除去すべき導体層の一部が残っているときには、過酸化水素を含有するのが好ましい。過酸化水素は酸化剤として作用し、銅を酸化することによって銅に対する研磨速度を向上させることができる。このため、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
【0065】
・ 前記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体は、上記一般式(2)で表されるジアルキルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテルが好ましい。このため、ディッシング及びエロージョンの発生をより確実に抑制することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
【0066】
第2の実施形態の第1研磨用組成物は、第1の実施形態の研磨方法での第1の工程に係るものであり、主研磨用組成物を含有し、研磨に用いられるときには過酸化水素が混合される。従って、第2の実施形態の第1研磨用組成物においては、研磨材Aによる機械的研磨作用と、研磨促進剤Bによる研磨の促進作用とが相乗的に作用するとともに、過酸化水素が混合されることにより、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
【0067】
第3の実施形態の第2研磨用組成物は、第1の実施形態の研磨方法での第2の工程に係るものであり、主研磨用組成物と、第1副組成物とを含有し、研磨に用いられるときには過酸化水素が混合される。従って、第3の実施形態の第2研磨用組成物においては、有機化合物C及び腐食防止剤Dを含有することによりディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる。さらに、過酸化水素が混合されることにより、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
【0068】
第4の実施形態の第3研磨用組成物は、第1の実施形態の研磨方法での第3の工程に係るものであり、主研磨用組成物と、第2副組成物とを含有する。そして、研磨に用いられるときには過酸化水素が混合されるのが好ましい。従って、第4の実施形態の第3研磨用組成物においては、酸E又はアルカリFを含有することにより、バリア層に対する研磨速度を向上させることができる。
【0069】
なお、前記実施形態を次のように変更して構成することもできる。
・ 各実施形態の研磨方法において、主研磨用組成物は腐食防止剤Dを含有してもよい。このとき、主研磨用組成物が第1研磨用組成物に含有されるときには、銅に対する研磨速度が著しく損なわれない範囲内の量で含有される。一方、第2又は第3研磨用組成物が腐食防止剤Dを含む主研磨用組成物を含有するときには、各研磨用組成物における腐食防止剤Dの含有量は、主研磨用組成物に含有される腐食防止剤Dの含有量と各副組成物に含有される腐食防止剤Dの含有量との合計となる。このように構成した場合は、第1の工程において、銅に対する過剰の研磨を抑制することができるために、導体層が主研磨用組成物に長時間曝されたときにも、導体層が過剰に研磨されるのを抑制するこができる。
【0070】
【実施例】
次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
<第1の工程>
(実施例1〜11及び比較例1〜3)
実施例1においては、まず研磨材Aとしての平均粒子径が35nmのコロイダルシリカと、研磨促進剤Bとしてのα−アラニンと、腐食防止剤Dとしてのベンゾトリアゾールと、水とを混合して主研磨用組成物を調製した。次いで、主研磨用組成物と、水と、濃度が30%の過酸化水素の水溶液とを混合して第1研磨用組成物を調製した。主研磨用組成物における各成分の含有量、主研磨用組成物と水との体積比、及び第1研磨用組成物における各成分の含有量を表1に示す。
【0071】
実施例2〜11及び比較例1〜3においては、各成分の含有量及びの主研磨用組成物に対する体積比を表1に示すように変更した以外は、実施例1と同様にして第1研磨用組成物を調製した。ここで、実施例9〜11においては、α−アラニンをグリシンに変更した。
【0072】
実施例1〜11及び比較例1〜3の各例の第1研磨用組成物を用いて、銅ブランケットウエハを下記の研磨条件1で1分間研磨した。そして、銅ブランケットウエハの研磨前と研磨後の膜厚を、シート抵抗機(VR−120;国際電気システムサービス株式会社製)を用いて測定し、膜厚差を算出した後にその値から銅ブランケットウエハに対する研磨速度を求めた。
【0073】
一方、各例の第1研磨用組成物を用いて、銅パターンウエハを下記の研磨条件1で初期膜厚の80%(8000Å)を研磨した後、接触式の表面測定装置であるプロフィラ(HRP340;ケーエルエー・テンコール社製)を用いて90%の高密度配線部の凹溝の深さを測定した。それらの結果を表1に示す。尚、表1において、α−アラニンをAで示すとともに、グリシンをGで示す。
【0074】
<研磨条件1>
研磨機:片面CMP用研磨機(Mirra;アプライドマテリアルズ社製)、被研磨物:銅ブランケットウエハ(電解メッキ法により銅を成膜された8インチシリコンウエハ)又は銅パターンウエハ(SEMATECH社製、854マスクパターン、成膜厚さ10000Å、初期凹溝8000Å)、研磨パッド:ポリウレタン製の積層研磨パッド(IC−1000/Suba400;ロデール社製)、研磨加工圧力:2.5psi(=約17.3kPa)、定盤回転数:90rpm、研磨用組成物の供給速度:200ml/min、キャリア回転数:90rpm
【0075】
【表1】
表1に示すように、実施例1〜実施例11においては、銅ブランケットウエハに対する研磨速度及び凹溝の深さにおいて優れた値となった。一方、比較例1〜3においては、研磨材A、研磨促進剤B又は過酸化水素を含有しないために銅ブランケットウエハに対する研磨速度が小さい値となった。さらに、銅パターンウエハの膜厚を80%以上研磨することができず、凹溝の深さを測定することができなかった。
<第2の工程>
(実施例12〜23及び比較例4〜6)
実施例12においては、まず実施例1と同様にして主研磨用組成物を調製するとともに、有機化合物Cと、ベンゾトリアゾールと、水とを混合して第1副組成物を調製した。ここで、有機化合物Cは、下記式(9)で表すジイソブチルジメチルブチンジオールポリオキシエチレングリコールエーテル(A)とポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル(B;分子量8000)とが重量比でA:B=2:1の割合で混合されたものを用いた。
【0076】
【化6】
次いで、主研磨用組成物と、第1副組成物と、水と、濃度が30%の過酸化水素の水溶液とを混合して第2研磨用組成物を調製した。主研磨用組成物及び第1副組成物における各成分の含有量、主研磨用組成物と第1副組成物と水との体積比及び第2研磨用組成物における各成分の含有量を表2に示す。実施例13〜23及び比較例4〜6においては、主研磨用組成物及び第1副組成物における各成分の含有量、主研磨用組成物と第1副組成物と水との体積比及び第2研磨用組成物における過酸化水素の含有量を表2に示すように変更した以外は、実施例12と同様にして第2研磨用組成物を調製した。
【0077】
以上の実施例12〜23及び比較例4〜6の各例の第2研磨用組成物を用いて、銅ブランケットウエハを下記の研磨条件2で1分間研磨した。また、各例の第2研磨用組成物を用いて、タンタルブランケットウエハ又は酸化ケイ素ブランケットウエハを下記の研磨条件2で1分間研磨した。ここで、研磨条件2については、研磨条件1と異なる条件のみを記載する。
【0078】
次いで、上述と同様にして銅ブランケットウエハ及びタンタルブランケットウエハに対する研磨速度を求めた。また、酸化ケイ素ブランケットウエハの研磨前と研磨後の膜厚を、光学式膜厚測定器(VM−2030;大日本スクリーン株式会社製)を用いて測定し、膜厚差を算出した後にその値から酸化ケイ素ブランケットウエハに対する研磨速度を求めた。
【0079】
一方、各例の第2研磨用組成物を用いて、銅パターンウエハを下記の研磨条件2で、エンドポイントシグナルが開始してから時間にして50%オーバーの研磨を実施した。そして、接触式の表面測定装置であるプロフィラ(HRP340;ケーエルエー・テンコール社製)を用いて、10μm幅の孤立配線部におけるディッシング量及び90%の高密度配線部におけるエロージョン量の測定を行った。それらの結果を表3に示す。
【0080】
<研磨条件2>
被研磨物:銅ブランケットウエハ(電解メッキ法により銅を成膜された8インチシリコンウエハ)、タンタルブランケットウエハ(スパッタリング法によりタンタルを成膜された8インチシリコンウエハ)、酸化ケイ素ブランケットウエハ(CVD法により酸化ケイ素を成膜された8インチシリコンウエハ)又は銅パターンウエハ(SEMATECH社製、854マスクパターン、第1の工程の研磨として、表3に示す各例の研磨用組成物を用いるとともに研磨条件1で約8000Åの銅膜が研磨されており、約2000Åの銅の残膜がある状態。)、研磨パッド:ポリウレタン製の積層研磨パッド(IC−1400;ロデール社製)、研磨加工圧力:2psi(=約13.8kPa)
【0081】
【表2】
【0082】
【表3】
表3に示すように、実施例12〜23においては、各研磨速度、ディッシング量及びエロージョン量において優れた値となった。このため、実施例12〜23の研磨用組成物を用いると、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる。
【0083】
一方、比較例4及び比較例5においては、有機化合物C又は腐食防止剤Dを含有しないために、ディッシング量及びエロージョン量が高い値となった。このため、比較例4及び比較例5の研磨用組成物を用いると、ディッシング及びエロージョンが発生する。比較例6においては、過酸化水素を含有しないために研磨速度が小さく、銅パターンウエハを研磨することができなかった。このため、ディッシング量及びエロージョン量を測定することができなかった。
<第3の工程>
(実施例24〜45、比較例7〜10)
実施例24においては、まず実施例1と同様にして主研磨用組成物を調製するとともに、酸Eとしての乳酸と、ベンゾトリアゾールと、水とを混合して第2副組成物を調製した。次いで、主研磨用組成物と、第2副組成物と、水とを混合して第3研磨用組成物を調製した。主研磨用組成物及び第2副組成物における各成分の含有量、主研磨用組成物と第2副組成物と水との体積比及び第3研磨用組成物における各成分の含有量を表4に示す。
【0084】
実施例25〜45及び比較例7〜10においては、主研磨用組成物及び第2副組成物における各成分の含有量、主研磨用組成物と第2副組成物と水との体積比を表4に示すように変更した以外は、実施例24と同様にして第3研磨用組成物を調製した。ここで、実施例33、実施例34、実施例44及び実施例45においては、主研磨用組成物と、第2副組成物と、水と、濃度が30%の過酸化水素の水溶液とを混合して第3研磨用組成物を調製した。実施例35〜45及び比較例10においては、乳酸をアルカリFとしての水酸化カリウムに変更した。
【0085】
実施例24〜45及び比較例7〜10の各例の第3研磨用組成物を用いて、銅ブランケットウエハを下記の研磨条件3で1分間研磨した。また、各例の第3研磨用組成物を用いて、タンタルブランケットウエハ又は酸化ケイ素ブランケットウエハを下記の研磨条件3で1分間研磨した。ここで、研磨条件3については、研磨条件1と異なる条件のみを記載する。
【0086】
次いで、上述と同様にして銅ブランケットウエハ、タンタルブランケットウエハ及び酸化ケイ素ブランケットウエハに対する各研磨速度を求めた。一方、各例の第3研磨用組成物を用いて銅パターンウエハを下記の研磨条件3で研磨した。ここで、研磨時間については、タンタルブランケットウエハに対する研磨速度から換算し、タンタル膜厚の2倍の厚みが研磨できる時間とした。そして、上述と同様にして10μm幅の孤立配線部におけるディッシング量及び90%の高密度配線部におけるエロージョン量の測定を行った。それらの結果を表5に示す。
【0087】
<研磨条件3>
被研磨物:銅ブランケットウエハ(電解メッキ法により銅を成膜された8インチシリコンウエハ)、タンタルブランケットウエハ(スパッタリング法によりタンタルを成膜された8インチシリコンウエハ)、酸化ケイ素ブランケットウエハ(CVD法により酸化ケイ素を成膜された8インチシリコンウエハ)又は銅パターンウエハ(SEMATECH社製、854マスクパターン、第1工程の研磨として、表5に示す各例の研磨用組成物を用いるとともに研磨条件1で研磨された後、第2工程の研磨として、表5に示す各例の研磨用組成物を用いるとともに研磨条件2で除去すべき銅膜が全て研磨されている状態。)
【0088】
【表4】
【0089】
【表5】
表5に示すように、実施例24〜45においては、各研磨速度、ディッシング量及びエロージョン量において優れた値となった。このため、実施例24〜45の研磨用組成物を用いると、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる。
【0090】
一方、比較例7及び比較例8においては、酸E又はアルカリFを含有しないためにタンタルブランケットウエハに対する研磨速度が小さく、銅パターンウエハを研磨することができなかった。このため、ディッシング量及びエロージョン量を測定することができなかった。比較例9及び比較例10においては、腐食防止剤Dを含有しないために、ディッシング量及びエロージョン量が高い値となった。このため、比較例9及び比較例10の研磨用組成物を用いると、ディッシング及びエロージョンが発生する。
(比較例11)
比較例11においては、1種類の研磨用組成物のみを用いて、第1及び第2の工程を連続して行った。具体的には、実施例2の研磨用組成物を用いて、銅パターンウエハを下記の研磨条件4で、エンドポイントシグナルが開始してから時間にして50%オーバーの研磨を実施した。そして、上述と同様にして10μm幅の孤立配線部におけるディッシング量及び90%の高密度配線部におけるエロージョン量の測定を行った。この結果、実施例2の研磨用組成物は有機化合物Cを含有していないために、ディッシング量及びエロージョン量が650Åという高い値となった。このため、比較例11の研磨用組成物を用いると、ディッシング及びエロージョンが発生する。ここで、研磨条件4については、研磨条件2と異なる条件のみを記載する。
【0091】
<研磨条件4>
被研磨物:銅パターンウエハ(SEMATECH社製、854マスクパターン、成膜厚さ10000Å、初期凹溝8000Å)
次に、前記実施形態から把握できる技術的思想について以下に記載する。
【0092】
・ 請求項1に記載の研磨方法に用いられ、主研磨用組成物と、有機化合物C、腐食防止剤D及び水を含有する第1副組成物と、酸E又はアルカリF、腐食防止剤D及び水を含有する第2副組成物とがそれぞれ濃縮された状態で別々に調製され、第1の工程で用いられるときには、濃縮された主研磨用組成物に過酸化水素及び水が混合されて構成され、第2の工程で用いられるときには、濃縮された主研磨用組成物及び第1副組成物に、過酸化水素及び水が混合されて構成され、第3の工程で用いられるときには、濃縮された主研磨用組成物及び第2副組成物に水が混合されて構成されることを特徴とする研磨用組成物。この構成によれば、主研磨用組成物及び各副組成物を濃縮することにより、管理及び輸送コストを低減することができる。
【0093】
【発明の効果】
本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
請求項1に記載の発明の研磨方法によれば、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができる。
【0094】
請求項2に記載の発明の研磨方法によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え、各研磨用組成物の調製を容易にすることができるとともに管理を容易にすることができる。
【0095】
請求項3に記載の発明の研磨方法によれば、請求項1又は請求項2に記載の発明の効果に加え、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
請求項4に記載の発明の研磨用組成物によれば、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
【0096】
請求項5に記載の発明の研磨用組成物によれば、ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができるとともに、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
【0097】
請求項6に記載の発明の研磨用組成物によれば、バリア層に対する研磨速度を向上させることができる。
請求項7に記載の発明の研磨用組成物によれば、請求項6に記載の発明の効果に加え、導体層に対する研磨速度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)から(d)は第1の実施形態の研磨方法を模式的に示すための要部拡大端面図。
【図2】(a)は第2の工程における研磨が終了したときのディッシングを模式的に示すための要部拡大端面図、(b)は第2の工程における研磨が終了したときのエロージョンを模式的に示すための要部拡大端面図。
【図3】(a)は第3の工程における研磨が終了したときのディッシングを模式的に示すための要部拡大端面図、(b)は第3の工程における研磨が終了したときのエロージョンを模式的に示すための要部拡大端面図。
【符号の説明】
11…絶縁体層、12…凹部、13…導体層、14…バリア層。
Claims (7)
- 表面に凹部が設けられた絶縁体層上に形成されているバリア層と、銅を含有する金属材料により少なくとも凹部内が完全に埋まるようにバリア層上に形成されている導体層とを有し、バリア層が露出する前に研磨を終了するように導体層を研磨する第1の工程と、バリア層が露出するまで導体層を研磨する第2の工程と、バリア層を研磨する第3の工程とを備え、
前記第1の工程において、二酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種の研磨材A、グリシン及びα−アラニンから選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤B及び水を含有する主研磨用組成物と、過酸化水素とを含む研磨用組成物を用いて導体層を研磨し、第2の工程において、研磨材Aと、研磨促進剤Bと、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル及び下記一般式(1)で表される炭素三重結合(C≡C)を有するポリオキシアルキレン付加重合体から選ばれる少なくとも一種の有機化合物Cと、ベンゾトリアゾール及びその誘導体から選ばれる少なくとも一種の腐食防止剤Dと、過酸化水素と、水とを含む研磨用組成物を用いて導体層を研磨し、第3の工程において、研磨材Aと、硝酸、塩酸、乳酸、リン酸、硫酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸及びフマル酸から選ばれる少なくとも一種の酸E、又は水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及び水酸化ナトリウムから選ばれる少なくとも一種のアルカリFと、腐食防止剤Dと、水とを含む研磨用組成物を用いてバリア層を研磨することを特徴とする研磨方法。
- 前記主研磨用組成物と、有機化合物C、腐食防止剤D及び水を含有する第1副組成物と、酸E又はアルカリF、腐食防止剤D及び水を含有する第2副組成物とを別々に調製し、第2の工程で用いられる研磨用組成物は、主研磨用組成物と、第1副組成物と、過酸化水素とを含有し、第3の工程で用いられる研磨用組成物は、主研磨用組成物と、第2副組成物とを含有する請求項1に記載の研磨方法。
- 前記第3の工程で用いられる研磨用組成物は、さらに過酸化水素を含有する請求項1又は請求項2に記載の研磨方法。
- 請求項1に記載の第1の工程で用いられ、前記主研磨用組成物を含有し、用いられるときには過酸化水素が混合されることを特徴とする研磨用組成物。
- 請求項1に記載の第2の工程で用いられ、前記主研磨用組成物を含有するとともに、有機化合物Cと、腐食防止剤Dと、水とを含む副組成物を含有し、用いられるときには過酸化水素が混合されることを特徴とする研磨用組成物。
- 請求項1に記載の第3の工程で用いられ、前記主研磨用組成物を含有するとともに、酸E又はアルカリFと、腐食防止剤Dと、水とを含む副組成物を含有することを特徴とする研磨用組成物。
- 用いられるときには過酸化水素が混合される請求項6に記載の研磨用組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002238596A JP4083502B2 (ja) | 2002-08-19 | 2002-08-19 | 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 |
US10/642,929 US20040084414A1 (en) | 2002-08-19 | 2003-08-18 | Polishing method and polishing composition used for polishing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002238596A JP4083502B2 (ja) | 2002-08-19 | 2002-08-19 | 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004075862A true JP2004075862A (ja) | 2004-03-11 |
JP4083502B2 JP4083502B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=32021964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002238596A Expired - Fee Related JP4083502B2 (ja) | 2002-08-19 | 2002-08-19 | 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
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- 2002-08-19 JP JP2002238596A patent/JP4083502B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4083502B2 (ja) | 2008-04-30 |
US20040084414A1 (en) | 2004-05-06 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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