JP2003347190A

JP2003347190A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2003347190A
Application number: JP2002150919A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kitazawa; 裕之北澤; Yoshiyuki Nakagawa; 良幸中川
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-05-24
Filing date: 2002-05-24
Publication date: 2003-12-05
Anticipated expiration: 2022-05-24
Also published as: JP3987378B2

Abstract

(57)【要約】【課題】装置構成を複雑化させることなく、簡易に処
理状況を確認することができる基板処理装置を提供す
る。【解決手段】基板処理装置１の架橋構造４のうち基板
の表面と対向する位置に、所定の方向の存在物との間の
距離を検出するギャップセンサ４２を取り付ける。基板
に対するレジスト液の塗布処理を開始する前に、リニア
モータ５０，５１により、架橋構造４をＸ軸方向に移動
させ、ギャップセンサ４２による基板の表面とのギャッ
プを検出する。さらに、レジスト液の塗布処理が終了し
た時点で、同様にギャップセンサ４２による走査を行
い、レジスト膜の表面とのギャップを検出する。それぞ
れ検出したギャップの差を計算して、レジスト膜の厚さ
寸法を求め、所定値と比較することにより、塗布処理の
状況を判定し、判定結果を表示部に表示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して所定
の処理を行う基板処理装置における技術に関する。より
詳しくは、基板に所定の処理液を塗布し、当該処理が適
切に行われたか否かの判定を行う検査技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板の表面に対してレジスト液などの所
定の処理液を塗布する場合、保持台上の所定の位置に基
板を保持しておき、スリットノズルによって処理液を吐
出しつつ基板の表面を走査するスキャンコーティングが
行われる。例えば、特開平１１−１６５１１１号公報に
は、モータによってボールネジを回転させ、スリットノ
ズルの両端に剛性結合された２つの移動台を移動させる
ことにより、スキャンコーティングを行う基板処理装置
に関する技術が提案されている。このような技術は、処
理対象となる基板が大型である場合や、角形の基板であ
る場合には、スピンコーティング（基板を回転させつつ
塗布する手法）による均一な薬液塗布が難しいため、特
に有効である。

【０００３】しかし、このように塗布処理に有効なスキ
ャンコーティングにおいても、スリットノズルの吐出不
良など、種々の原因によって基板の表面上に形成される
べき処理液の層が均一に形成されない場合がある。これ
らの不良基板は、製品として出荷すべきでないことか
ら、従来より、後工程において、塗布処理が行われた後
の基板に対して、塗布処理により形成された処理液の層
の検査が行われ、不良基板の検出を行い、当該不良基板
の再処理または破棄が行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、後工程にお
ける前述の検査によって、不良基板の選別を行うことは
できるものの、不良基板が検出されるのは、基板が後工
程に搬送され、検査された後である。したがって、塗布
不良となる原因が基板処理装置において発生していても
迅速な対応ができず、その間に処理された基板が同じ原
因により、不良基板となってしまうという問題があっ
た。

【０００５】また、上記問題を解決するために、例え
ば、後工程における検査と同等の検査を行うための構成
を基板処理装置に設けるとすれば、装置構成がいたずら
に複雑化するという問題があった。

【０００６】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、装置構成を複雑化させることなく、簡易に処理状
況を確認することができる基板処理装置を提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板を保持する保持台と、前記
基板に対して所定の処理液を吐出するスリットノズル
と、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造
と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向
に移動させる移動手段と、を備え、前記移動手段が、前
記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリ
ットノズルによって前記基板の表面を走査することによ
り、前記基板の表面に対して前記所定の処理液の層（形
成層）を形成する基板処理装置において、前記基板を前
記保持台に保持した状態で前記形成層の厚さ寸法を検出
する検出手段と、前記検出手段により検出された前記形
成層の厚さ寸法に基づいて、前記基板に対する処理の良
否を判定する判定手段とをさらに備える。

【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記検出手段が、前記架
橋構造のうち前記基板の表面と対向する位置に取り付け
られ、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセン
シング手段と、前記センシング手段の検出結果に基づい
て前記形成層の厚さ寸法を算出する算出手段とを有す
る。

【０００９】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記センシング手段が、
前記形成層が形成される前後において、前記基板の表面
との間の第１距離と前記形成層の表面との間の第２距離
とを検出し、前記算出手段が、前記第１距離と前記第２
距離との差を計算することにより、前記形成層の厚さ寸
法を算出する。

【００１０】また、請求項４の発明は、請求項２または
３の発明に係る基板処理装置において、前記センシング
手段が、前記所定の方向にレーザ光を投光し、前記存在
物の表面により反射された前記レーザ光のうちの正反射
光を受光素子配列で受光することにより、前記存在物と
の間の距離を検出するレーザ式変位計である。

【００１１】また、請求項５の発明は、請求項２ないし
４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
スリットノズルを昇降させる昇降手段と、前記昇降手段
を制御する制御手段とをさらに備え、前記制御手段が、
前記センシング手段の検出結果に基づいて、前記昇降手
段を制御する。

【００１２】また、請求項６の発明は、請求項１ないし
５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
検出手段が、所定の方向にレーザ光を投光し、前記レー
ザ光のうち、前記形成層の表面により反射された第１正
反射光と、前記基板の表面により反射された第２正反射
光とを同時に受光素子配列上に受光し、前記第１正反射
光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと、
前記第２正反射光により受光素子配列上に現れる強度分
布のピークとの受光素子配列上における距離に基づい
て、前記形成層の厚さ寸法を検出する。

【００１３】また、請求項７の発明は、請求項１ないし
６のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
基板がフラットパネルディスプレイ用の基板であり、前
記所定の処理液がレジスト液である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

【００１５】＜１．実施の形態＞＜１．１構成の説明＞図１は、本発明の実施の形態で
ある基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２
は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図であ
る。また、図３および図４は、本体２の正面図および側
面図である。

【００１６】基板処理装置１は、本体２と制御系６とに
大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための
角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０
の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングす
るプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗
布する塗布装置として構成されている。したがって、こ
の実施の形態では、スリットノズル４１は基板９０に対
してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基
板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでな
く、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基
板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用する
こともできる。

【００１７】本体２は、被処理基板９０を載置して保持
するための保持台として機能するとともに、付属する各
機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステ
ージ３は直方体形状の一体の石製であり、その上面（保
持面３０）および側面は平坦面に加工されている。

【００１８】ステージ３の上面は水平面とされており、
基板９０の保持面３０となっている。保持面３０には多
数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装
置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着す
ることにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。

【００１９】この保持面３０のうち基板９０の保持エリ
ア（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、
略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固
設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に
固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の
移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架
橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを
構成する。

【００２０】ステージ３の上方には、このステージ３の
両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けら
れている。架橋構造４は、カーボンファイバ樹脂を骨材
とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機
構４３，４４とから主に構成される。

【００２１】ノズル支持部４０には、スリットノズル４
１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。

【００２２】水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１に
は、スリットノズル４１へ薬液（レジスト液）を供給す
る配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）
が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用
ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走
査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以
下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジスト液を
吐出する。

【００２３】ギャップセンサ４２は、架橋構造４のノズ
ル支持部４０に基板９０の表面と対向する位置に取り付
けられ、所定の方向（−Ｚ方向）の存在物（例えば、基
板９０やレジスト膜）との間の距離（ギャップ）を検出
して、検出結果を制御系６に伝達する。

【００２４】図５は、ギャップセンサ４２に用いられる
レーザ変位計の原理を示す図である。ギャップセンサ４
２は、ＣＣＤ（一般には、受光素子配列）４２０および
受光レンズ４２１を備え、図示しない投光部から所定の
方向にレーザ光を発射（投光）する。投光部から発射さ
れたレーザ光（入射光）は、存在物の表面ＳＦ１で反射
され、当該反射されたレーザ光のうちの正反射光が受光
レンズ４２１を通して、ＣＣＤ４２０で受光される。

【００２５】ここで、ギャップセンサ４２において、投
光部、基準面ＳＦ０、およびＣＣＤ４２０の各位置関係
は既知であり、投光部が発射するレーザ光の発射方向お
よび受光レンズ４２１の焦点位置も既知である。したが
って、ギャップセンサ４２は、受光したレーザ光のＣＣ
Ｄ４２０上における強度分布（ＣＣＤ４２０上の受光位
置を示す）から三角測量法の原理に基づいて、基準面Ｓ
Ｆ０と存在物の表面ＳＦ１との間の距離（ギャップ）Ｄ
を検出する機能を有している。

【００２６】このように、ギャップセンサ４２が、存在
物の表面で反射されるレーザ光のうち、正反射光を受光
して当該存在物との間の距離の検出を行うことにより、
例えば、拡散反射光を受光する場合に比べて、分解能を
向上させることができるため、存在物の表面との間の距
離を精度よく測定することができる。

【００２７】また、ノズル支持部４０にスリットノズル
４１とギャップセンサ４２とが取り付けられることによ
り、これらの相対的な位置関係が固定される。したがっ
て、制御系６は、ギャップセンサ４２の検出結果に基づ
いて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を
検出することができる。なお、本実施の形態における基
板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備えてい
るが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られるもので
はなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備えてい
てもよい。

【００２８】昇降機構４３，４４はスリットノズル４１
の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノ
ズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４はスリ
ットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリッ
トノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも
用いられる。

【００２９】架橋構造４の両端部には、ステージ３の両
側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレス
リニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略す
る。）５０，５１が、それぞれ固設される。

【００３０】リニアモータ５０は、固定子（ステータ）
５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子
５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方
向（基板９０の表面に沿った方向）に移動させるための
駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５
０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御
信号により制御可能となっている。なお、リニアモータ
５１もほぼ同様の機能、構成を有する。

【００３１】リニアエンコーダ５２，５３は、それぞれ
スケール部および検出子（図示せず）を備え、スケール
部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御系６
に伝達する。各検出子は架橋構造４の両端部にそれぞれ
固設されており、リニアエンコーダ５２，５３は架橋構
造４の位置検出を行う機能を有している。

【００３２】制御系６は、プログラムに従って各種デー
タを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保
存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オ
ペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力す
るための操作部６２、および各種データを表示する表示
部６３を備える。

【００３３】制御系６は、図示しないケーブルにより本
体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２お
よび各種センサなどからの信号に基づいて、ステージ
３、架橋構造４、昇降機構４３，４４、およびリニアモ
ータ５０，５１などの各構成を制御する。

【００３４】特に制御系６は、この実施の形態では、ギ
ャップセンサ４２の検出結果に基づいて、スリットノズ
ル４１の基板９０に対する姿勢および高さを制御し、ま
た、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、基板９
０の表面に形成されたレジスト膜の厚さ寸法を算出し、
算出した厚さ寸法に基づいて、基板９０に対するレジス
ト塗布処理の良否を判定する。なお、判定結果は、表示
部６３に表示させる。

【００３５】制御系６の具体的な構成としては、記憶部
６１はデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用
のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬
性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、
およびそれらの読み取り装置などであってもよい。ま
た、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボー
ドやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネル
ディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたも
のであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや
各種ランプなどが該当する。

【００３６】＜１．２動作の説明＞次に、基板処理装
置１の動作について説明する。基板処理装置１では、オ
ペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置
に基板９０が搬送されることによって、レジスト塗布処
理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、
基板９０の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部
６２を操作することにより入力されてもよい。

【００３７】まず、ステージ３が保持面３０上の所定の
位置に基板９０を吸着して保持する。続いて、制御系６
からの制御信号に基づいて、昇降機構４３，４４が、ノ
ズル支持部４０に取り付けられたギャップセンサ４２を
基板９０の厚み分よりも高い所定の高度（以下、「測定
高度」と称する。）に移動させる。

【００３８】ギャップセンサ４２が測定高度にセットさ
れると、リニアモータ５０，５１が、架橋構造４をＸ方
向に移動させることにより、ギャップセンサ４２をレジ
スト塗布領域の上方まで移動させる。ここで、レジスト
塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗
布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積
から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。
このとき、制御系６は、リニアエンコーダ５２，５３の
検出結果に基づいて、それぞれのリニアモータ５０，５
１に制御信号を与えることにより、ギャップセンサ４２
のＸ軸方向の位置を制御する。

【００３９】次に、ギャップセンサ４２が基板９０表面
のレジスト塗布領域における基板９０表面とスリットノ
ズル４１とのギャップの測定を開始する。測定が開始さ
れると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をさらに
Ｘ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジス
ト塗布領域を走査し、走査中の測定結果を制御系６に伝
達する。このとき、制御系６は、ギャップセンサ４２の
測定結果を、リニアエンコーダ５２，５３によって検出
される水平位置と関連づけて記憶部６１に保存する。

【００４０】架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通
過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、
制御系６は、架橋構造４をその位置で停止させ、ギャッ
プセンサ４２からの検出結果に基づいて、スリットノズ
ル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリッ
トノズル４１とレジスト塗布領域との間隔がレジスト液
を塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正
姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算
出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，
４４に制御信号を与える。その制御信号に基づいて、そ
れぞれの昇降機構４３，４４がノズル支持部４０をＺ軸
方向に移動させ、スリットノズル４１を適正姿勢に調整
する。

【００４１】このように、基板処理装置１では、レジス
ト液の均一な塗布を実現するために、スリットノズル４
１と基板９０の表面との距離を厳密に調整する必要があ
るが、制御系６が、ギャップセンサ４２の検出結果に基
づいて、昇降機構４３，４４を制御する。

【００４２】さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構
造４を−Ｘ方向に移動させ、スリットノズル４１を吐出
開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、レ
ジスト塗布領域の一辺にスリットノズル４１がほぼ沿う
位置である。

【００４３】スリットノズル４１が吐出開始位置まで移
動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５
１およびレジスト用ポンプ（図示せず）に与える。その
制御信号に基づいて、リニアモータ５０，５１が架橋構
造４を−Ｘ方向に移動させることでスリットノズル４１
が基板９０の表面を走査し、そのスリットノズル４１の
走査中にレジスト用ポンプを運転することでスリットノ
ズル４１にレジスト液が送られ、スリットノズル４１が
レジスト塗布領域にレジスト液を吐出する。これによ
り、基板９０の表面上にレジスト液の層が形成される。

【００４４】スリットノズル４１が吐出終了位置まで移
動すると、制御系６が制御信号をレジスト用ポンプ、昇
降機構４３，４４およびリニアモータ５０，５１に与え
る。その制御信号に基づいて、レジスト用ポンプが停止
することによってスリットノズル４１からのレジスト液
の吐出が停止し、昇降機構４３，４４がギャップセンサ
４２を測定高度に移動させる。

【００４５】次に、リニアモータ５０，５１が架橋構造
４をＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレ
ジスト塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレジ
スト膜とのギャップを測定して制御系６に伝達する。制
御系６は、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基
板９０の表面との間の距離）と、レジスト塗布後に測定
したギャップの値（レジスト膜の表面との間の距離）と
の差を計算することにより、基板９０上に形成されたレ
ジスト膜の厚さ寸法を算出する。

【００４６】さらに、算出した厚さ寸法に応じて、許容
される厚さ寸法の範囲として予め設定されている所定値
と比較することにより、基板９０に対して行われた塗布
処理の良否を判定し、判定結果を表示部６３に表示す
る。

【００４７】これにより、基板９０の表面上に処理液の
層（レジスト膜）を形成した後、速やかに良否判定を行
うことができることことから、表示部６３に表示された
判定結果に基づいて、例えば、オペレータなどが処理状
況に迅速に対応できる。また、当該判定は、ギャップセ
ンサ４２を設けるだけで行うことができることから、装
置構成をいたずらに複雑にすることなく簡易に検査をす
ることができる。

【００４８】なお、ギャップセンサ４２を用いた検査で
は、主にＸ軸方向の異常の検出を行うことができること
から、例えば、レジスト液が塗布されていない（レジス
ト液の不足）、吐出開始位置や吐出終了位置がずれてい
る、塗布終了位置において厚膜化現象が生じているとい
った異常を検出することができる。このような異常は、
個々の基板９０毎に起きるというよりも、同じ状態で処
理されるすべての基板９０において生じる可能性が高
く、後工程において異常を検出していたのでは、その間
にも不良基板が発生してしまうことになる。したがっ
て、基板処理装置１のように、迅速に対応することによ
る効果は大きい。また、当該判定により、基板９０に対
する処理に異常が検出された場合には、判定結果を表示
するのみならず、その程度に応じて処理を停止してノズ
ル洗浄を行うなど自動的に回復処理を行うようにしても
よい。

【００４９】レジスト膜の検査が終了すると、ステージ
３は基板９０の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機
構が基板９０を保持面３０から取り上げ、次の処理工程
に搬送する。

【００５０】以上のように、基板処理装置１では、レジ
スト液を塗布する前後において、それぞれギャップセン
サ４２による走査を行い、基板９０の表面との間の距離
と、レジスト膜の表面との間の距離とを検出し、それら
の差を計算することにより、基板９０の表面に形成され
たレジスト膜の厚さ寸法を算出して、基板９０に対する
処理の良否を判定することにより、基板９０の表面上に
処理液の層を形成した後、速やかに良否判定を行うこと
ができることことから、異常状態が発生している場合に
迅速に対応できる。また、レジスト膜厚測定専用のセン
サを必要としないため、装置構成を複雑にすることなく
簡易に検査をすることができる。

【００５１】また、制御系６が、ギャップセンサ４２の
検出結果に基づいて、スリットノズルを昇降させる昇降
機構４３，４４を制御することにより、スリットノズル
４１の姿勢および高さの検出とレジスト膜厚の測定とを
ギャップセンサ４２で兼用することができ、別途、スリ
ットノズルの高さ位置を検出するため、専用の構成を設
ける必要がなく、装置構成を簡素化することができる。

【００５２】＜２．第２の実施の形態＞第１の実施の
形態では、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基
板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定した
ギャップの値（レジスト膜の表面との距離）との差を求
めることにより、レジスト膜の厚さ寸法を検出して、塗
布処理の良否を判定すると説明したが、レジスト膜の厚
さ寸法を検出する手法は、これに限られるものではな
く、レジスト膜の厚さ寸法を直接検出するように構成し
てもよい。

【００５３】図６は、このような原理に基づいて構成し
た第２の実施の形態におけるギャップセンサ４６の原理
を説明する図である。なお、第２の実施の形態における
基板処理装置１は、ギャップセンサ４６以外の構成は第
１の実施の形態とほぼ同様であるため説明を省略する。

【００５４】図６に示すように、ギャップセンサ４６
は、第１の実施の形態におけるギャップセンサ４２と同
様に、ＣＣＤ４６０および受光レンズ４６１を備えるレ
ーザ変位計であり、ギャップセンサ４２が有する機能を
同様に有している。さらに、ギャップセンサ４６は、投
光したレーザ光（入射光）のうち、第１反射光（表面Ｓ
Ｆ２で反射されたレーザ光）と、第２反射光（表面ＳＦ
３で反射されたレーザ光）とを同時にＣＣＤ４６０上に
受光し、第１反射光によりＣＣＤ４６０上に現れる強度
分布のピークと、第２反射光によりＣＣＤ４６０上に現
れる強度分布のピークとのＣＣＤ４６０上における距離
δに基づいて、表面ＳＦ２と表面ＳＦ３との間の距離ｄ
を検出する機能を有する。すなわち、ギャップセンサ４
６は、表面ＳＦ２が基板９０の表面に形成されたレジス
ト膜の表面であり、表面ＳＦ３が基板９０の表面である
場合に、直接、レジスト膜の厚さ寸法（距離ｄ）を検出
することができる。

【００５５】検出したレジスト膜の厚さ寸法は、制御系
６に伝達され、第１の実施の形態と同様に、制御系６に
よる判定が行われる。

【００５６】以上により、第２の実施の形態における基
板処理装置１においても、第１の実施の形態と同様の効
果を得ることができる。また、ギャップセンサ４６が、
直接、レジスト膜の厚さ寸法を検出することにより、制
御系６がレジスト膜の厚さ寸法を算出する必要がなく、
基板処理装置１における演算量を削減することができ
る。

【００５７】＜３．変形例＞以上、本発明の実施の形
態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく様々な変形が可能である。

【００５８】例えば、同時に２つの面からの反射光を検
出する機能を有するギャップセンサを用いて、レジスト
膜の表面と基準面ＳＦ０との間の距離、および基板の表
面と基準面ＳＦ０との間の距離を一回の走査で同時に求
め、それらの差を算出することにより、レジスト膜の厚
さ寸法を検出してもよい。

【００５９】また、上記実施の形態では、塗布処理に対
する判定結果は表示部６３に表示するとしたが、判定結
果を確認する手段はこれに限られるものではない。例え
ば、プリンタなどにより印刷されてもよいし、オペレー
タのいる位置が離れている場合などには、判定結果をネ
ットワークを介して遠隔地へ送信する、あるいは、警告
音を発生させるなどの手段を用いてもよい。

【００６０】

【発明の効果】請求項１ないし７に記載の発明では、検
出手段により検出された形成層の厚さ寸法に基づいて、
基板に対する処理の良否を判定することにより、基板の
表面上に処理液の層を形成した後、速やかに良否判定を
行うことができることことから、処理状況に迅速に対応
できる。

【００６１】請求項２に記載の発明では、検出手段が、
架橋構造のうち基板の表面と対向する位置に取り付けら
れ、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセンシ
ング手段の検出結果に基づいて前記形成層の厚さ寸法を
算出することにより、装置構成を複雑にすることなく簡
易に検査をすることができる。

【００６２】請求項４に記載の発明では、センシング手
段が、存在物にレーザ光を投光し、存在物の表面により
反射されたレーザ光のうちの正反射光を受光素子配列で
受光することにより、存在物との間の距離を検出するレ
ーザ式変位計であることにより、存在物との間の距離を
精度よく検出することができる。

【００６３】請求項５に記載の発明では、制御手段が、
センシング手段の検出結果に基づいて、昇降手段を制御
することにより、別途、スリットノズルと基板の表面と
の距離を検出するための構成を設ける必要がなく、装置
構成を簡素化することができる。

【００６４】請求項６に記載の発明では、測定手段が、
形成層の表面により反射された第１正反射光と、基板の
表面により反射された第２正反射光とを同時に受光素子
配列上に受光し、第１正反射光により受光素子配列上に
現れる強度分布のピークと、第２正反射光により受光素
子配列上に現れる強度分布のピークとの受光素子配列上
における距離に基づいて、形成層の厚さ寸法を測定する
ことにより、演算量を削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における基板処理装
置の概略を示す斜視図である。

【図２】基板処理装置の本体を上方から見た平面図であ
る。

【図３】本体の正面図である。

【図４】本体の側面図である。

【図５】第１の実施の形態におけるギャップセンサの原
理を説明する図である。

【図６】第２の実施の形態におけるギャップセンサの原
理を説明する図である。

【符号の説明】

１基板処理装置３ステージ３０保持面４架橋構造４０ノズル支持部４１スリットノズル４２ギャップセンサ４２０ＣＣＤ４３，４４昇降機構４６ギャップセンサ４６０ＣＣＤ５０，５１リニアモータ５０ａ固定子５０ｂ移動子６制御系６０演算部６１記憶部９０基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川良幸京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H096 AA27 AA28 CA13 DA00 4F041 AA02 AA05 AB01 BA05 BA22 BA56 CA02 CA18 CA22 4F042 AA02 AA06 AB00 BA25 CB03 DD44 DF07 5F046 JA02 JA21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を保持する保持台と、前記基板に対して所定の処理液を吐出するスリットノズ
ルと、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移
動させる移動手段と、を備え、前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動
させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面
を走査することにより、前記基板の表面に対して前記所
定の処理液の層（形成層）を形成する基板処理装置にお
いて、前記基板を前記保持台に保持した状態で前記形成層の厚
さ寸法を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記形成層の厚さ寸法に
基づいて、前記基板に対する処理の良否を判定する判定
手段と、をさらに備えることを特徴する基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記検出手段が、前記架橋構造のうち前記基板の表面と対向する位置に取
り付けられ、所定の方向の存在物との間の距離を検出す
るセンシング手段と、前記センシング手段の検出結果に基づいて前記形成層の
厚さ寸法を算出する算出手段と、を有することを特徴と
する基板処理装置。
【請求項３】請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記センシング手段が、前記形成層が形成される前後において、前記基板の表面
との間の第１距離と前記形成層の表面との間の第２距離
とを検出し、前記算出手段が、前記第１距離と前記第２距離との差を計算することによ
り、前記形成層の厚さ寸法を算出することを特徴とする
基板処理装置。
【請求項４】請求項２または３に記載の基板処理装置
において、前記センシング手段が、前記所定の方向にレーザ光を投光し、前記存在物の表面
により反射された前記レーザ光のうちの正反射光を受光
素子配列で受光することにより、前記存在物との間の距
離を検出するレーザ式変位計であることを特徴とする基
板処理装置。
【請求項５】請求項２ないし４のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記スリットノズルを昇降させる昇降手段と、前記昇降手段を制御する制御手段と、をさらに備え、前記制御手段が、前記センシング手段の検出結果に基づ
いて、前記昇降手段を制御することを特徴とする基板処
理装置。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記検出手段が、所定の方向にレーザ光を投光し、前記レーザ光のうち、
前記形成層の表面により反射された第１正反射光と、前
記基板の表面により反射された第２正反射光とを同時に
受光素子配列上に受光し、前記第１正反射光により受光
素子配列上に現れる強度分布のピークと、前記第２正反
射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと
の受光素子配列上における距離に基づいて、前記形成層
の厚さ寸法を検出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の基
板処理装置において、前記基板がフラットパネルディスプレイ用の基板であ
り、前記所定の処理液がレジスト液であることを特徴と
する基板処理装置。