JP4091378B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4091378B2 JP4091378B2 JP2002248473A JP2002248473A JP4091378B2 JP 4091378 B2 JP4091378 B2 JP 4091378B2 JP 2002248473 A JP2002248473 A JP 2002248473A JP 2002248473 A JP2002248473 A JP 2002248473A JP 4091378 B2 JP4091378 B2 JP 4091378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing apparatus
- back surface
- thickness
- detection sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ、液晶用ガラス基板およびPDP用ガラス基板などの被処理基板に対し、所定の処理液を塗布する技術に関する。より詳しくは、所定の処理液を塗布する際の基板の厚さを測定する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、基板の大型化に伴い、基板を保持しつつ、その基板に対して直線的形状をしたローラ、ブレードまたは直線状のスリットを有するノズルなどの処理ツールを基板上において相対的に平行移動させることにより、大型の基板に対して塗布液(処理液)を均一に塗布する方法(スリットコーティング)が一般化しつつある。このようなスリットコーティングによって基板を処理する塗布装置(スリットコータ)では、塗布する基板に対する処理ツールの姿勢が塗布される処理液の厚みに大きく影響を与える。
【0003】
そこで従来より、スリットコータでは、塗布処理を行う前に個々の基板に対して厚さ測定を行い、当該測定結果に基づいて処理ツールの姿勢を制御することが行われている。例えば、特2852923号公報には、基板の厚さ測定を行う測定ヘッドを設け、当該測定ヘッドからの測定結果に基づいて処理ツールとしての塗布ヘッドの昇降位置を制御する塗布装置が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記公報に記載の塗布装置の測定ヘッドは、塗布処理の際に用いるテーブルに保持されている基板に対して厚さ測定を行うことから、厚さ測定を行っている間は、基板に対する塗布処理を行うことができず、塗布処理に要する時間(タクト)が長くなるという問題があった。
【0005】
また、測定ヘッドが基板の厚さを計測している間、塗布ヘッドが待機状態におかれるため、塗布ヘッドの先端において処理液が乾燥するという問題があった。処理液が乾燥した状態の塗布ヘッドにより塗布処理を行うと、例えば塗布面に「畝」とよばれるすじ状の厚膜部分ができてしまうなど、塗布ムラを生じ、基板上に形成される処理液の膜が不均一となる。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、塗布処理に要する時間を短縮させるとともに、塗布ムラなどを抑制する基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に対して所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、前記基板を保持する第1保持手段と、前記基板を前記第1保持手段に搬送する搬送手段と、前記搬送手段に設けられ、前記基板を保持するハンドと、前記搬送手段に設けられ、前記基板の厚さを測定する測定手段と、前記第1保持手段に保持された前記基板の表面に前記所定の処理液を吐出する吐出手段と、前記測定手段の測定結果に基づいて、前記吐出手段と前記第1保持手段に保持された前記基板の表面との相対位置を制御する制御手段とを備え、前記測定手段が、前記基板が前記第1保持手段に保持される前に、前記ハンドに保持された前記基板に対して前記基板の厚さ測定を行う。
【0012】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記測定手段が、前記基板の表面位置を検出する検出センサと、前記基板の裏面位置を規定する位置決め手段と、前記検出センサにより検出された前記基板の表面位置と、前記位置決め手段により規定された前記基板の裏面位置とに基づいて前記基板の厚さを演算する演算手段とを有する。
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る基板処理装置であって、前記検出センサと前記位置決め手段とが、対向する位置にそれぞれ設けられている。
【0013】
また、請求項4の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記測定手段が、前記基板の表面位置を検出する表面検出センサと、前記基板の裏面位置を検出する裏面検出センサと、前記表面検出センサにより検出された前記基板の表面位置と、前記裏面検出センサにより検出された前記基板の裏面位置とに基づいて前記基板の厚さを演算する演算手段とを有する。
また、請求項5の発明は、請求項4の発明に係る基板処理装置であって、前記表面検出センサと前記裏面検出センサとが、対向する位置にそれぞれ配置されている。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【0015】
<1. 第1の実施の形態>
図1は、本発明に係る第1の実施の形態における基板処理装置1を示す概略斜視図である。基板処理装置1は、カセットステーション2、搬送部3、塗布部4、および制御部5とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル45はレジスト液を吐出するようになっている。
【0016】
なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。また、図1では、被処理基板として矩形の基板90を例に示しているが、円形の基板であってもよい。
【0017】
カセットステーション2は、いわゆるインデクサーとしての機能を有しており、図1に示すようにカセット20が所定の位置に載置される。カセット20は、複数の基板90を収容するための容器であり、前面に搬送シャトル30が内部に収容されている基板90にアクセスすることができるように開口部が設けられている。なお、図1では、カセットステーション2に載置される1つのカセット20のみを図示しているが、カセットステーション2に載置されるカセット20の数は、複数であってもよい。また、その場合、塗布部4において処理が行われる前の基板90と、処理後の基板90とを別々に収容するようにしてもよい。
【0018】
搬送部3は、搬送シャトル30、走行レール31、および昇降機構32を備え、カセットステーション2と塗布部4との間で基板90を搬送する。なお、図1では、搬送シャトル30を1つだけ示しているが、より具体的には、搬送部3は上下に配置された2つの搬送シャトル30を有しており、例えば、一方の搬送シャトル30が塗布部4から基板90を搬出する動作に続いて、他方の搬送シャトル30が保持している次に処理すべき基板90を塗布部4に搬入する動作を行うことができるようにされている。
【0019】
搬送シャトル30は、カセット20内の基板90および保持面40aが保持している基板90に対し、略水平方向に進退することにより直接アクセスして、当該基板90を保持する。なお、搬送シャトル30は、Z軸に平行な回転軸を中心に略水平面内で回転が可能とされており、これにより基板90にアクセスする際の進退方向が調整できるようにされている。
【0020】
図2は、搬送シャトル30の詳細を示す図である。なお、前述のように、搬送シャトル30はXY平面に略平行な面内で適宜回転するため、図2に示すXYZ軸方向に固定的に配置されているわけではない。以下、図3および図4においても同様である。
【0021】
搬送シャトル30は、搬送シャトル30の各構成を所定の位置に取り付けるための支持部材300、基板90を水平姿勢で保持する機構として、前後ハンド301および左右ハンド302を備えている。また、前後ハンド301のY軸方向の間隔を調整する前後ハンドスライド機構303と、左右ハンド302のX軸方向の間隔を調整する左右ハンドスライド機構304とを備えている。
【0022】
前後ハンド301は、Y軸方向に対向するように前後に配置された一対のハンド部材から構成され、図2に示すように、前後ハンドスライド機構303がそれぞれのハンド部材をY軸方向にスライドさせることによって、基板90のY軸方向の幅に応じた間隔に調整される。
【0023】
また、左右ハンド302は、X軸方向に対向するように左右に配置された一対のハンド部材から構成され、図2に示すように、左右ハンドスライド機構304がそれぞれのハンド部材をX軸方向にスライドさせることによって、基板90のX軸方向の幅に応じた間隔に調整される。
【0024】
このような機構を備えることにより、搬送シャトル30は、図2に二点鎖線で示すように、基板90を所定の位置に保持することができる。したがって、搬送部3は、図示しない移動機構により、基板90を保持した状態の搬送シャトル30を走行レール31に沿って移動させることにより基板90を搬送する。
【0025】
図3は、第1の実施の形態における左右ハンド302において、基板90に当接する部分(先端部)を示す図である。左右ハンド302の先端部には、位置決めピン305および物理センサ60が設けられている。
【0026】
位置決めピン305は、先端において基板90の裏面(レジスト液が塗布される面に対向する面)と当接することにより、基板90を所定の位置に裏面から支持する機能を有する。また、図3では左右ハンド302の位置決めピン305のみ示しているが、位置決めピン305は左右ハンド302のみならず前後ハンド301にも同様に設けられており、それらの位置決めピン305が基板90を支持することにより、基板90の裏面位置(搬送シャトル30に対するZ軸方向の位置)が規定される。
【0027】
なお、位置決めピン305により規定される基板90の裏面位置は、位置決めピン305が搬送シャトル30に固定されているため既知であり、予め制御部5にデータとして記憶されている。また、図2に示すように、各位置決めピン305が基板90に当接する位置は、当接による傷などの悪影響を製品に与えないように基板90の端部とすることが好ましい。
【0028】
物理センサ60は、測定部(先端部)がZ軸方向に進退し、搬送シャトル30に保持された基板90の表面に当接することによって基板90の表面位置を検出する一般的な接触型センサであり、検出した基板90の表面位置を制御部5に伝達する。物理センサ60の原理を簡単に説明すると、基板90の表面に当接したときの押し込み量(距離)を測定し、物理センサ60の固定部内に規定されている基準位置(以下、単に「基準位置」と称する)からの相対距離を算出することによって基板90の表面位置(基準位置からの位置)を検出する。
【0029】
なお、物理センサ60の固定部は搬送シャトル30に固定されているため、基準位置は搬送シャトル30に対する位置が既知であり、予め制御部5にデータとして記憶されている。また、本実施の形態において物理センサ60は各位置決めピン305に対向する位置にそれぞれ設けられており、複数の物理センサ60から得られた値の平均値が基板90の表面位置とされるが、基板90の表面位置を取得するためには、搬送シャトル30が少なくとも1つ以上の物理センサ60を備えていればよい。
【0030】
基板90の表面位置と裏面位置とが取得されると、制御部5がそれらの相対距離を求めることにより基板90の厚さWDを求める。なお、位置決めピン305が保持している基板90には、多少の撓みが生じることから、物理センサ60が測定を行う位置によっては基板90の表面位置に誤差が生じる場合がある。この誤差を最小にするためには、できる限り基板90の表面と裏面とが共にXY平面に平行となっている位置で測定することが望ましい。したがって、物理センサ60のXY平面における配置位置(測定位置)は、本実施の形態における基板処理装置1のように位置決めピン305と対向する位置とすることが好ましい。また、図3に示すように、本実施の形態に用いられる物理センサ60は接触型であり基板90に当接するため、位置決めピン305と同様に、当接による悪影響を製品に与えないように、その配置位置は基板90の端部(塗布範囲外)とすることが好ましい。また、物理センサ60の配置位置を基板90の対角位置として測定するようにしてもよい。
【0031】
図1に戻って、昇降機構32は、一般的なシリンダ機構により搬送シャトル30をZ軸方向に進退させることが可能とされており、制御部5からの制御信号に基づいて、搬送シャトル30のZ軸方向の位置を調節する。カセット20内において各基板90の収容位置はZ軸方向に配列されており、各基板90のZ軸方向の位置はそれぞれ異なっている。しかし、必要に応じて昇降機構32が、搬送シャトル30のZ軸方向の位置調整を行うため、搬送シャトル30は搬送する基板90の収容位置に応じて基板90に直接アクセスすることができる。また、昇降機構32は、図示しない移動機構により、搬送シャトル30とともに走行レール31上をY軸方向に移動する。
【0032】
塗布部4は、被処理基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ40を備える。ステージ40は直方体形状の一体の石製であり、その上面(保持面40a)および側面は平坦面に加工されている。
【0033】
ステージ40の上面は水平面とされており、基板90を保持するための保持面40aとなっている。保持面40aには多数の真空吸着口が分布して形成されており、塗布部4において塗布処理を行う間、基板90を吸着することにより、所定の水平位置に保持する。
【0034】
この保持面40aのうち基板90の保持エリア(基板90が保持される領域)を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール41aが固設される。走行レール41aは、架橋構造42の両端部に固設される支持ブロック41bとともに、架橋構造42の移動を案内し(移動方向を所定の方向に規定する)、架橋構造42を保持面40aの上方に支持するリニアガイドを構成する。
【0035】
ステージ40の上方には、このステージ40の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造42が設けられている。架橋構造42は、スリットノズル45と、その両端を支持する昇降機構43,44とから主に構成される。
【0036】
水平Y方向に伸びる直線状のスリットノズル45には、スリットノズル45へ薬液を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構(図示せず)が接続されている。スリットノズル45は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板90の表面を走査することにより、保持面40aに保持された基板90の表面の所定の領域(以下、「塗布領域」と称する。)にレジスト液を吐出する。
【0037】
昇降機構43,44はスリットノズル45の両側に分かれて連結されている。昇降機構43,44は主に図示しないACサーボモータおよびボールネジからなり、制御部5からの制御信号に基づいて、架橋構造42の昇降駆動力を生成する。これにより昇降機構43,44は、スリットノズル45を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル45のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【0038】
架橋構造42の両端部には、ステージ40の両側の縁側に沿って別れて配置され、それぞれ固定子(ステータ)46aと移動子46bおよび固定子47aと移動子47bを備える一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)46,47が、それぞれ固設され、架橋構造42を基板90の表面に沿った略水平方向に移動させる。
【0039】
また、架橋構造42の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ48,49が、それぞれ固設される。これにより、制御部5は、リニアエンコーダ48,49からの検出結果に基づいて、リニアモータ46,47の位置を検出することができ、当該検出結果に基づいてリニアモータ46,47を位置制御することができる。
【0040】
制御部5は、ステージ40の内部に設けられており、プログラムや各種データを保存(記憶)するとともに、当該プログラムに従って各種データを処理する一般的なマイクロコンピュータとしての機能を有する。制御部5は、図示しないケーブルにより基板処理装置1に付属する各機構と接続されており、前述のプログラムなどに従って制御信号を生成し、ステージ40、昇降機構43,44、リニアモータ46,47、および物理センサ60などの各構成の動作を制御する。例えば、物理センサ60の測定結果に基づいて、昇降機構43,44およびリニアモータ46,47を制御することによって、スリットノズル45と保持面40aに保持された基板90の表面との相対位置を制御する。
【0041】
以上が、主に、基板処理装置1の構成の説明である。次に、このような構成を備える基板処理装置1が基板90を処理することによって、基板90の表面にレジスト液を塗布する動作について説明する。
【0042】
基板90を収容したカセット20が、オペレータまたは図示しない搬送機構によりカセットステーション2に載置されると、基板処理装置1では制御部5がそれを検知することによって一連の動作が開始される。すなわち、所定の初期設定などが行われた後、搬送部3による基板90の搬送処理が開始される。
【0043】
搬送処理では、まず、搬送シャトル30が昇降機構32と共に走行レール31上を、カセット20内の基板90にアクセスする位置まで(−Y)方向に移動する。この動作に伴って(あるいは前後して)、アクセスする基板90の収容位置に応じて昇降機構32が搬送シャトル30のZ軸方向の位置を調整するとともに、搬送シャトル30がXY平面内で所定の角度分回転することにより搬送シャトル30の進出方向の調整を行う。
【0044】
次に、搬送シャトル30の前後ハンドスライド機構303および左右ハンドスライド機構304により、前後ハンド301および左右ハンド302の位置調整が行われる。
【0045】
さらに、搬送シャトル30が(−Y)方向(カセット20の存在方向)に進出することにより、カセット20の前面に設けられた開口部から内部に進入し、カセット内に収容されている基板90を1枚保持する。
【0046】
搬送シャトル30により基板90が保持された時点で、基板90の厚さ測定処理が行われる。まず、物理センサ60の測定部が(−Z)方向(基板90の存在方向)に進出し、基準位置に対する基板90の表面位置を測定して制御部5に伝達する。制御部5は、予め記憶している基準位置および基板90の裏面位置(位置決めピン305により規定される裏面位置)に基づいて、当該基板90の表面位置と裏面位置との相対距離を演算して、基板90の厚さWDを求める。求めた厚さWDは、制御部5に一時的に記憶され、後の処理に利用される。
【0047】
このように、基板処理装置1では、基板90がステージ40の保持面40aに保持される前に、基板90の厚さ測定を行うことにより、従来の装置のように塗布装置において厚さ測定を行う場合に比べて、塗布部4における処理時間を短縮することができる。
【0048】
また、搬送部3により搬送中の(搬送シャトル30が保持している)基板90に対して厚さ測定を行うことにより、例えば、塗布部4が他の基板90に対して塗布処理を行っている間に、予め次の基板90の厚さ測定を行っておくことができる。また、別途、厚さ測定のための時間(工程)を設ける必要がなく、基板処理装置1における処理時間を短縮することができる。
【0049】
さらに、基板処理装置1は物理センサ60により検出された基板90の表面位置と位置決めピン305により規定された基板90の裏面位置とに基づいて基板90の厚さWDを演算することができ、このような構成によれば、基板処理装置1の装置構成を簡素化することができる。
【0050】
基板90の厚さ測定処理が終了すると、搬送シャトル30が基板90を保持した状態で、(+Y)方向に退出し、カセット20から基板90を搬出する。
【0051】
基板90がカセット20から搬出されると、搬送シャトル30が昇降機構32と共に走行レール31上を、塗布部4のステージ40に基板90を搬入する位置まで(+Y)方向に移動する。この動作に伴って(あるいは前後して)、保持面40aの位置に応じて昇降機構32が搬送シャトル30のZ軸方向の位置を調整するとともに、搬送シャトル30がXY平面内で所定の角度分回転することにより搬送シャトル30の進出方向の調整を行う。
【0052】
次に、搬送シャトル30が(−X)方向(保持面40aの存在方向)に進出して保持している基板90を保持面40aの所定の位置に搬入する。さらに、保持面40aが基板90の吸着を開始することにより、塗布部4による塗布処理が開始される。
【0053】
なお、より詳しくは、搬送シャトル30が塗布部4に基板90を搬入する際には、ステージ40に設けられた複数のリフトピン(図示せず)が(+Z)方向に進出しており、搬送シャトル30は当該リフトピン上に基板90を搬入する。その後、各リフトピンが連動して(−Z)方向に退出(ステージ40内に埋没)することにより、基板90が保持面40aの所定の位置に配置される。基板90の搬入後、搬送シャトル30は(+X)方向に退出する。
【0054】
塗布処理では、まず、制御部5が、前述の処理において記憶しておいた基板90の厚さWDに基づいて昇降機構43,44を制御することにより、スリットノズル45の姿勢を制御する。すなわち、基板90に塗布されるレジスト液の膜が、所望の膜厚となる位置にスリットノズル45を移動させる。このように、処理する個々の基板90の厚さに応じてスリットノズル45の位置を制御することにより、基板処理装置1は高い精度で塗布処理を行うことができる。
【0055】
次に、リニアエンコーダ48,49の検出結果に基づいて、制御部5がリニアモータ46,47を制御することにより、架橋構造42を(+X)方向に移動させ、スリットノズル45を吐出開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、基板90上のレジスト液を塗布する領域の一辺にスリットノズル45がほぼ沿う位置である。
【0056】
スリットノズル45が吐出開始位置に移動すると、スリットノズル45がレジスト液の吐出を開始する。制御部5がリニアモータ46,47を制御することにより、スリットノズル45が(+X)方向に基板90の表面を走査しつつレジスト液の吐出を継続する。このようにして、基板90の表面にレジスト液が塗布される。
【0057】
スリットノズル45が吐出終了位置に移動すると、制御部5がスリットノズル45の(+X)方向の移動を停止させるとともに、レジスト液の吐出を停止させる。さらに、昇降機構43,44がスリットノズル45を所定の位置に上昇させた後、リニアモータ46,47が架橋構造42を(−X)方向に待機位置(図1に示す位置)まで移動させる。これにより、塗布部4による塗布処理が終了する。
【0058】
塗布処理が終了すると、保持面40aが吸着を停止するとともに、再び、前述のリフトピンが(+Z)方向に進出して、基板90を(+Z)方向に移動させる。さらに、搬送シャトル30が(+X)方向に進出して当該基板90を保持し、(−X)方向に退出することにより、塗布部4から基板90を搬出する。
【0059】
搬送シャトル30により塗布部4から搬出された基板90は、前述の説明と逆の経路により、再び、カセット20内の所定の収容位置に戻される。基板処理装置1では、カセット20に収容されているすべての基板90に対して上記の処理が終了するまで処理を繰り返す。
【0060】
以上により、第1の実施の形態における基板処理装置1では、基板90がステージ40の保持面40aに保持される前に、基板90の厚さ測定を行うことによって、従来の装置のように塗布装置において厚さ測定を行う場合に比べて、塗布部4における処理時間を短縮することができる。
【0061】
また、スリットノズル45の待機時間が短縮されるため、スリットノズル45におけるレジスト液の乾燥を抑制することができることから、高い精度で塗布処理を行うことができる。
【0062】
また、搬送部3により搬送中の(搬送シャトル30が保持している)基板90に対して厚さ測定を行うことにより、例えば、塗布部4が他の基板90に対して塗布処理を行っている間に、予め次の基板90の厚さ測定を行っておくことができる。また、別途、厚さ測定のための時間(工程)を設ける必要がなく、基板処理装置1における処理時間を短縮することができる。
【0063】
さらに、基板処理装置1は物理センサ60により検出された基板90の表面位置と位置決めピン305により規定された基板90の裏面位置とに基づいて基板90の厚さWDを演算することができ、このような構成によれば、基板処理装置1の装置構成を簡素化することができる。
【0064】
なお、本実施の形態における基板処理装置1では、基板90の表面位置を検出するために、接触型の物理センサ60を用いているが、検出センサの種類はこれに限られるものではなく、例えば、非接触型のレーザセンサやエアセンサなどを用いてもよい。すなわち、基板90の表面位置を検出することができるものであれば、どのような周知の原理による検出センサが用いられてもよい。また、以下の実施の形態において示す検出センサについても、同様にそれぞれ例示であって、他の検出センサに置き換えて利用することができる。
【0065】
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、基板の表面位置のみ検出センサで測定し、裏面位置については位置決め部材(位置決めピン305)が基板に当接する位置を裏面位置であるとみなして基板の厚さを求めていたが、基板の表面位置だけでなく、裏面位置も検出センサによって測定するようにしてもよい。
【0066】
図4は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における左右ハンド302の先端部の構成を示す図である。図4に示すように、本実施の形態における左右ハンド302には、Z軸方向に対向するように配置された一対のレーザセンサ61,62が設けられている。
【0067】
レーザセンサ61,62は、それぞれ図示しないレーザ投射部と受光部とを備える一般的なギャップセンサである。レーザセンサ61,62は、レーザ投射部から発射したレーザ光の反射光を受光部で受光することによって、センサ内の基準位置と所定の方向の存在物(本実施の形態では基板90の表面および裏面)とのギャップを測定し、当該測定結果を制御部5に伝達する。すなわち、レーザセンサ61により基板90の表面位置、レーザセンサ62により基板90の裏面位置がそれぞれ検出されて制御部5に伝達される。
【0068】
このように、本実施の形態では、基板90の表面位置および裏面位置を検出するセンサとして非接触型のレーザセンサ61,62を用いており、基板90に直接センサが当接することなく測定を行うことができるため、基板90の表面に傷や跡が残ることがない。
【0069】
制御部5では、第1の実施の形態と同様に、レーザセンサ61,62から得られた値(位置)に基づいて基板90の厚さWDを演算して記憶しておき、塗布部4における塗布処理において、スリットノズル45の姿勢制御に利用する。
【0070】
以上により、本実施の形態においても第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態では、基板90の裏面位置について個々の基板90ごとにセンサによる測定を行うことから、より正確な裏面位置を取得することができる。したがって、基板90の厚さWDを正確に測定することができ、塗布処理の精度を向上させることができる。
【0071】
なお、対象とする基板90がガラスなどの光透過性材料による基板である場合には、基板90の表面により反射されるレーザ光、および基板90の裏面により反射されるレーザ光のそれぞれを受光して、それぞれのレーザ光(反射光)の光学的な経路差を計算することにより、基板90の厚さWDを直接測定することができるレーザセンサを用いてもよい。その場合は、必ずしも2つの検出センサを対向する位置に配置する必要はなく、例えば、基板90の表面側(あるいは裏面側)に1つ設けるだけでよい。さらに、その場合は、制御部5が厚さWDを演算する必要がなく、制御部5は当該レーザセンサから得られた厚さWDを記憶しておくだけでよい。
【0072】
<3. 第3の実施の形態>
上記実施の形態では、搬送シャトルによって基板が搬送される例について説明したが、基板処理装置の構成あるいは配置状況などにより、基板を比較的長距離搬送しなければならない場合などにおいては、いわゆるコロ搬送と呼ばれる搬送手法が用いられることも多い。
【0073】
図5は、一般的なコロ搬送機構33によって基板90を搬送する搬送部3の例を示す図である。コロ搬送機構は、基板90の搬送方向に垂直な方向を回転軸とした円筒状のコロ330を複数設け、モータなどからなる駆動機構331によりコロ330を所定の方向に回転させ、コロ330の上面に載置された基板90を所定の方向に搬送する機構である。このような搬送部3では、上記実施の形態と同様の搬送シャトル30および昇降機構32をコロ搬送機構33の上流および下流にそれぞれ設けておき、カセット20または塗布部4とコロ搬送機構33との間で基板90の受け渡しを行う。本発明は、このようなコロ搬送機構33によって基板90が搬送される場合にも、もちろん利用することができる。
【0074】
図6は、このような原理に基づいて構成した第3の実施の形態における搬送部3のコロ搬送機構33の一部を示した概略図である。コロ搬送機構33は、コロ330の間に少なくとも一対の物理センサ63,64を備えており、図6に示すように、それぞれの物理センサ63,64が基板90に当接することにより、基板90の表面位置および裏面位置を検出して制御部5に伝達する。
【0075】
なお、本実施の形態における搬送部3では、制御部5が駆動機構331を制御することにより、物理センサ63,64による基板90の測定中は、各コロ330の回転を停止する。これにより、基板90に当接した物理センサ63,64によって、基板90が傷つくことを抑制することができる。
【0076】
以上により、本実施の形態における搬送部3を用いても上記実施の形態と同様に、塗布処理を開始するまでの処理時間を短縮することができ、レジスト液の塗布を開始するまでにスリットノズル45が乾燥してしまうことを抑制することができることから、高い精度で塗布を行うことができる。
【0077】
なお、本実施の形態においても接触型の物理センサ63,64の代わりに非接触型のレーザセンサやエアセンサを用いることができるが、この場合には、検出センサによる測定中にコロ330を停止させることなく回転を継続させることにより、基板90の表面を走査することができ、一対の検出センサのみであっても、より正確な測定を行うことができる。
【0078】
また、搬送中の基板90の裏面位置は、コロ330により規定されることから、コロ330の上面位置を基板90の裏面位置とみなして、当該コロ330と対向する位置に物理センサ63を配置し、基板90の表面位置についてのみ個々の基板90毎に測定するようにしてもよい。
【0079】
<4. 第4の実施の形態>
上記実施の形態においては、検出センサによる測定が搬送部において行われていたが、測定を行う位置は搬送部に限られるものではなく、基板90が塗布部4に搬入される前であればどこで測定が行われてもよい。すなわち、処理基板を待機させている間に測定してもよい。
【0080】
図7は、このような原理に基づいて構成した第4の実施の形態におけるカセット20を示す図である。カセット20は、前述のように開口部を有する略箱状の筐体200の内部に、各基板90を支持するために棚状に配置された支持部材201、各支持部材201の上方に基板90を保持する位置決めピン202、および位置決めピン202と対向する位置に配置されたエアセンサ65を備える。
【0081】
カセット20内に収容されている基板90の収容位置は、図7に示すように、各支持部材201および位置決めピン202によってZ軸方向に所定の間隔で配列され、それぞれの基板90は、搬送シャトル30により1枚ずつ取り出し可能とされている。
【0082】
位置決めピン202は、各支持部材201の上面にY軸方向に所定の間隔で配列しており、その上端に基板90が載置される。これにより、基板90の裏面に位置決めピン202が当接する。すなわち、カセット20内において、各基板90の裏面位置は、その基板90の収容位置毎に当接する位置決めピン202によって規定されており、これらの裏面位置は予め制御部5に記憶されている。
【0083】
エアセンサ65は、Z軸方向に移動自由な検出子、当該検出子の位置を測定する測定部、およびエアを供給する供給部(いずれも図示せず)から構成され、上記実施の形態と同様に、基板90の表面位置を検出するための検出センサとして用いられる。その原理を簡単に説明すると、エアセンサ65は、測定対象物に向けて(−Z)方向にエアを噴出して、当該測定対象物から跳ね返ってくるエアの圧力によって検出子を(+Z)方向に移動させる。エアの噴出量を一定にしておけば検出子に対するエアの圧力は、測定対象物との距離に依存することとなることから、測定部が検出子の位置を測定することによって、測定対象物との距離を測定することができる。
【0084】
エアセンサ65による検出結果は、上記実施の形態と同様に制御部5に伝達される。なお、このとき、検出結果がいずれの基板90のものであるかを識別するために、各エアセンサ65から得られた検出結果にそれぞれの基板90の識別子が付加されて、制御部5に伝達される。
【0085】
以上により、本実施の形態においても上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、エアセンサ65による測定が基板90を待機させているカセット20内で行われることから、複数の基板90に対する測定をほぼ同時に行うことができ、さらに、処理時間を短縮することができる。また、静止した状態の基板90を測定することから、正確な測定を行うことができる。
【0086】
<5. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【0087】
例えば、第1の実施の形態では、搬送シャトル30がカセット20内で基板90を保持した時点で厚さ測定を行っているが、測定タイミングはこれに限られるものではなく、搬送シャトル30が昇降機構32と共に移動している間に測定を行ってもよい。すなわち、基板90が塗布部4に搬入される前であれば、どのタイミングで予め測定を行ってもよい。その場合、基板90に何らかの膜がすでに形成されている状態であれば、基板端部(膜の形成されていない部分)の測定を行うようにすればよい。
【0088】
また、第1の実施の形態では、搬送中に基板90の厚さ測定を行うために、物理センサ60などの測定機構を搬送シャトル30に直接設けているが、例えば、基板90の搬送経路の途中にそのような測定機構を設け、搬送中の搬送シャトル30が所定の位置で一旦停止し、その間に当該測定機構が厚さ測定を行うように構成してもよい。
【0089】
【発明の効果】
請求項1ないし5に記載の発明では、搬送手段に設けられた測定手段が、基板が第1保持手段に保持される前に、基板の厚さ測定を行うことにより、処理時間を短縮することができる。また、吐出手段の待機時間が短縮されるため、吐出手段において処理液が乾燥することを抑制することができ、高い精度で塗布を行うことができる。
【0090】
また、測定手段が、搬送手段のハンドに保持した基板に対して基板の厚さ測定を行うことにより、さらに、処理時間を短縮することができる。
【0092】
請求項2に記載の発明では、測定手段が、検出センサにより検出された基板の表面位置と、位置決め手段により規定された基板の裏面位置とに基づいて基板の厚さを演算することにより、装置構成を簡素化することができる。
【0093】
請求項4に記載の発明では、測定手段が、表面検出センサにより検出された基板の表面位置と、裏面検出センサにより検出された基板の裏面位置とに基づいて基板の厚さを演算することにより、基板の厚さを正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施の形態における基板処理装置1を示す概略斜視図である。
【図2】第1の実施の形態における搬送シャトルの詳細を示す図である。
【図3】第1の実施の形態における左右ハンドにおいて、基板に当接する部分(先端部)を示す図である。
【図4】第2の実施の形態における左右ハンドの先端部の構成を示す図である。
【図5】コロ搬送によって基板を搬送する搬送部の例を示す図である。
【図6】第3の実施の形態における搬送部のコロ搬送機構の一部を示した概略図である。
【図7】第4の実施の形態におけるカセットを示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
2 カセットステーション
20 カセット(待機手段)
202 位置決めピン
3 搬送部
30 搬送シャトル
305 位置決めピン
33 コロ搬送機構
330 コロ
331 駆動機構
4 塗布部
40 ステージ
40a 保持面
43,44 昇降機構
45 スリットノズル
5 制御部
60,63,64 物理センサ
61,62, レーザセンサ
65 エアセンサ
90 基板
WD 厚さ
Claims (5)
- 基板に対して所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
前記基板を保持する第1保持手段と、
前記基板を前記第1保持手段に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段に設けられ、前記基板を保持するハンドと、
前記搬送手段に設けられ、前記基板の厚さを測定する測定手段と、
前記第1保持手段に保持された前記基板の表面に前記所定の処理液を吐出する吐出手段と、
前記測定手段の測定結果に基づいて、前記吐出手段と前記第1保持手段に保持された前記基板の表面との相対位置を制御する制御手段と、
を備え、
前記測定手段が、
前記基板が前記第1保持手段に保持される前に、前記ハンドに保持された前記基板に対して前記基板の厚さ測定を行うことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記測定手段が、
前記基板の表面位置を検出する検出センサと、
前記基板の裏面位置を規定する位置決め手段と、
前記検出センサにより検出された前記基板の表面位置と、前記位置決め手段により規定された前記基板の裏面位置とに基づいて前記基板の厚さを演算する演算手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記検出センサと前記位置決め手段とが、対向する位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記測定手段が、
前記基板の表面位置を検出する表面検出センサと、
前記基板の裏面位置を検出する裏面検出センサと、
前記表面検出センサにより検出された前記基板の表面位置と、前記裏面検出センサにより検出された前記基板の裏面位置とに基づいて前記基板の厚さを演算する演算手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記表面検出センサと前記裏面検出センサとが、対向する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002248473A JP4091378B2 (ja) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002248473A JP4091378B2 (ja) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004087906A JP2004087906A (ja) | 2004-03-18 |
JP4091378B2 true JP4091378B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=32055847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002248473A Expired - Fee Related JP4091378B2 (ja) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4091378B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009165942A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR200463459Y1 (ko) * | 2008-01-23 | 2012-11-05 | 세크론 주식회사 | 반도체 소자 두께 측정 유닛을 구비하는 수지 몰딩 장치 |
JP6023440B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-11-09 | 東レエンジニアリング株式会社 | 塗布装置 |
JP6306998B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、吐出量計測方法及び記録媒体 |
JP6689539B2 (ja) * | 2016-08-12 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | 判定装置 |
JP6907281B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2021-07-21 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布装置、高さ検出方法および塗布方法 |
-
2002
- 2002-08-28 JP JP2002248473A patent/JP4091378B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004087906A (ja) | 2004-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9508573B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR100367963B1 (ko) | 처리액도포용도포장치 | |
JP4578381B2 (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
KR20110085888A (ko) | 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 | |
KR20220045084A (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
US7596425B2 (en) | Substrate detecting apparatus and method, substrate transporting apparatus and method, and substrate processing apparatus and method | |
JP5771432B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP5933920B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JP4091378B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5847661B2 (ja) | 基板の位置調整装置、基板の位置調整方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR101117380B1 (ko) | 도포장치 및 도포방법 | |
JP5349770B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JP6333065B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP2003347190A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4523516B2 (ja) | 塗布膜のむら検出方法、塗布膜のむら検出用プログラム、基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4599728B2 (ja) | 非接触膜厚測定装置 | |
JP2003243286A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6907281B2 (ja) | 塗布装置、高さ検出方法および塗布方法 | |
JPH11253869A (ja) | 塗布装置 | |
JP2005263336A (ja) | 基板搬送機構および塗布膜形成装置 | |
JP2018147977A (ja) | 浮上量算出装置、塗布装置および塗布方法 | |
JP5470474B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP6738373B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3586534B2 (ja) | 基板評価装置 | |
JP2004087798A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071221 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080228 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |