JP2003347190A - Substrate treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して所定
の処理を行う基板処理装置における技術に関する。より
詳しくは、基板に所定の処理液を塗布し、当該処理が適
切に行われたか否かの判定を行う検査技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology of a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate. More specifically, the present invention relates to an inspection technique for applying a predetermined processing liquid to a substrate and determining whether or not the processing has been appropriately performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】基板の表面に対してレジスト液などの所
定の処理液を塗布する場合、保持台上の所定の位置に基
板を保持しておき、スリットノズルによって処理液を吐
出しつつ基板の表面を走査するスキャンコーティングが
行われる。例えば、特開平１１−１６５１１１号公報に
は、モータによってボールネジを回転させ、スリットノ
ズルの両端に剛性結合された２つの移動台を移動させる
ことにより、スキャンコーティングを行う基板処理装置
に関する技術が提案されている。このような技術は、処
理対象となる基板が大型である場合や、角形の基板であ
る場合には、スピンコーティング（基板を回転させつつ
塗布する手法）による均一な薬液塗布が難しいため、特
に有効である。2. Description of the Related Art When a predetermined processing liquid such as a resist solution is applied to a surface of a substrate, the substrate is held at a predetermined position on a holding table, and the processing liquid is ejected by a slit nozzle. Scan coating is performed to scan the surface. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-165111 proposes a technique relating to a substrate processing apparatus that performs scan coating by rotating a ball screw by a motor and moving two movable tables rigidly connected to both ends of a slit nozzle. ing. Such a technique is particularly effective when the substrate to be processed is large or square, because it is difficult to apply a uniform chemical solution by spin coating (a method of applying while rotating the substrate). It is.
【０００３】しかし、このように塗布処理に有効なスキ
ャンコーティングにおいても、スリットノズルの吐出不
良など、種々の原因によって基板の表面上に形成される
べき処理液の層が均一に形成されない場合がある。これ
らの不良基板は、製品として出荷すべきでないことか
ら、従来より、後工程において、塗布処理が行われた後
の基板に対して、塗布処理により形成された処理液の層
の検査が行われ、不良基板の検出を行い、当該不良基板
の再処理または破棄が行われる。However, even in the scan coating effective for the coating process, a layer of the processing liquid to be formed on the surface of the substrate may not be formed uniformly due to various causes such as defective discharge of a slit nozzle. . Since these defective substrates should not be shipped as products, conventionally, in a post-process, the substrate after the coating process is performed is inspected for the layer of the processing liquid formed by the coating process. Then, a defective substrate is detected, and the defective substrate is reprocessed or discarded.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、後工程にお
ける前述の検査によって、不良基板の選別を行うことは
できるものの、不良基板が検出されるのは、基板が後工
程に搬送され、検査された後である。したがって、塗布
不良となる原因が基板処理装置において発生していても
迅速な対応ができず、その間に処理された基板が同じ原
因により、不良基板となってしまうという問題があっ
た。However, although the defective board can be selected by the above-described inspection in the post-process, the defective board is detected only when the substrate is transported to the post-process and inspected. Later. Therefore, even if the cause of the coating failure occurs in the substrate processing apparatus, it is not possible to quickly respond, and there is a problem that the substrate processed during that time becomes a defective substrate due to the same cause.
【０００５】また、上記問題を解決するために、例え
ば、後工程における検査と同等の検査を行うための構成
を基板処理装置に設けるとすれば、装置構成がいたずら
に複雑化するという問題があった。In order to solve the above problem, for example, if a structure for performing an inspection equivalent to an inspection in a later process is provided in a substrate processing apparatus, there is a problem that the apparatus configuration is unnecessarily complicated. Was.
【０００６】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、装置構成を複雑化させることなく、簡易に処理状
況を確認することができる基板処理装置を提供すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus capable of easily checking a processing state without complicating the apparatus configuration.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板を保持する保持台と、前記
基板に対して所定の処理液を吐出するスリットノズル
と、前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造
と、前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向
に移動させる移動手段と、を備え、前記移動手段が、前
記略水平方向に前記架橋構造を移動させつつ、前記スリ
ットノズルによって前記基板の表面を走査することによ
り、前記基板の表面に対して前記所定の処理液の層（形
成層）を形成する基板処理装置において、前記基板を前
記保持台に保持した状態で前記形成層の厚さ寸法を検出
する検出手段と、前記検出手段により検出された前記形
成層の厚さ寸法に基づいて、前記基板に対する処理の良
否を判定する判定手段とをさらに備える。According to a first aspect of the present invention, there is provided a holding table for holding a substrate, a slit nozzle for discharging a predetermined processing liquid to the substrate, and A cross-linking structure that is stretched substantially horizontally above the table, and a moving unit that moves the cross-linking structure in a substantially horizontal direction along the surface of the substrate, and the moving unit includes the moving unit that moves in the substantially horizontal direction. In a substrate processing apparatus for forming a layer (formation layer) of the predetermined processing solution on the surface of the substrate by scanning the surface of the substrate with the slit nozzle while moving the cross-linking structure, Detecting means for detecting the thickness dimension of the formation layer held by the holding table, and determining whether or not processing of the substrate is acceptable based on the thickness dimension of the formation layer detected by the detection means hand Further comprising a door.
【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記検出手段が、前記架
橋構造のうち前記基板の表面と対向する位置に取り付け
られ、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセン
シング手段と、前記センシング手段の検出結果に基づい
て前記形成層の厚さ寸法を算出する算出手段とを有す
る。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the detecting means is attached to a position facing the surface of the substrate in the bridge structure, and is provided in a predetermined direction. The sensing device includes sensing means for detecting a distance to an object, and calculating means for calculating a thickness dimension of the formation layer based on a detection result of the sensing means.
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理装置において、前記センシング手段が、
前記形成層が形成される前後において、前記基板の表面
との間の第１距離と前記形成層の表面との間の第２距離
とを検出し、前記算出手段が、前記第１距離と前記第２
距離との差を計算することにより、前記形成層の厚さ寸
法を算出する。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect, the sensing means comprises:
Before and after the formation layer is formed, a first distance to the surface of the substrate and a second distance to the surface of the formation layer are detected, and the calculation unit calculates the first distance and the Second
By calculating the difference from the distance, the thickness dimension of the formation layer is calculated.
【００１０】また、請求項４の発明は、請求項２または
３の発明に係る基板処理装置において、前記センシング
手段が、前記所定の方向にレーザ光を投光し、前記存在
物の表面により反射された前記レーザ光のうちの正反射
光を受光素子配列で受光することにより、前記存在物と
の間の距離を検出するレーザ式変位計である。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second or third aspect, the sensing means emits a laser beam in the predetermined direction and reflects the laser beam on the surface of the object. A laser displacement meter that detects a distance between the laser beam and the object by receiving a regular reflection light of the laser light by the light receiving element array.
【００１１】また、請求項５の発明は、請求項２ないし
４のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
スリットノズルを昇降させる昇降手段と、前記昇降手段
を制御する制御手段とをさらに備え、前記制御手段が、
前記センシング手段の検出結果に基づいて、前記昇降手
段を制御する。According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the second to fourth aspects, the lifting and lowering means for raising and lowering the slit nozzle and the control means for controlling the lifting and lowering means are further provided. Wherein the control means comprises:
The elevating unit is controlled based on a detection result of the sensing unit.
【００１２】また、請求項６の発明は、請求項１ないし
５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
検出手段が、所定の方向にレーザ光を投光し、前記レー
ザ光のうち、前記形成層の表面により反射された第１正
反射光と、前記基板の表面により反射された第２正反射
光とを同時に受光素子配列上に受光し、前記第１正反射
光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと、
前記第２正反射光により受光素子配列上に現れる強度分
布のピークとの受光素子配列上における距離に基づい
て、前記形成層の厚さ寸法を検出する。According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the detecting means emits a laser beam in a predetermined direction, and Receiving the first regular reflection light reflected by the surface of the formation layer and the second regular reflection light reflected by the surface of the substrate on a light receiving element array at the same time; Intensity distribution peaks appearing on the array,
A thickness dimension of the formation layer is detected based on a distance on the light receiving element array from a peak of an intensity distribution appearing on the light receiving element array by the second regular reflection light.
【００１３】また、請求項７の発明は、請求項１ないし
６のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記
基板がフラットパネルディスプレイ用の基板であり、前
記所定の処理液がレジスト液である。According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the substrate is a substrate for a flat panel display, and the predetermined processing liquid is a resist liquid. is there.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００１５】＜１． 実施の形態＞
＜１．１ 構成の説明＞図１は、本発明の実施の形態で
ある基板処理装置１の概略を示す斜視図である。図２
は、基板処理装置１の本体２を上方から見た平面図であ
る。また、図３および図４は、本体２の正面図および側
面図である。<1. Embodiment><1.1 Description of Configuration> FIG. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG.
Is a plan view of the main body 2 of the substrate processing apparatus 1 as viewed from above. 3 and 4 are a front view and a side view of the main body 2.
【００１６】基板処理装置１は、本体２と制御系６とに
大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための
角形ガラス基板を被処理基板９０としており、基板９０
の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングす
るプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗
布する塗布装置として構成されている。したがって、こ
の実施の形態では、スリットノズル４１は基板９０に対
してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基
板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでな
く、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基
板に処理液（薬液）を塗布する装置として変形利用する
こともできる。The substrate processing apparatus 1 is roughly divided into a main body 2 and a control system 6, and uses a square glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device as a substrate 90 to be processed.
In a process of selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, the coating apparatus is configured as a coating apparatus for coating a resist liquid on the surface of the substrate 90. Therefore, in this embodiment, the slit nozzle 41 discharges the resist liquid to the substrate 90. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be modified and used as an apparatus for applying a processing liquid (chemical liquid) to various substrates for flat panel displays, in addition to glass substrates for liquid crystal displays.
【００１７】本体２は、被処理基板９０を載置して保持
するための保持台として機能するとともに、付属する各
機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステ
ージ３は直方体形状の一体の石製であり、その上面（保
持面３０）および側面は平坦面に加工されている。The main body 2 has a stage 3 which functions as a holding table for mounting and holding the substrate 90 to be processed and also as a base for the attached mechanisms. The stage 3 is made of a solid rectangular parallelepiped stone, and its upper surface (holding surface 30) and side surfaces are processed into flat surfaces.
【００１８】ステージ３の上面は水平面とされており、
基板９０の保持面３０となっている。保持面３０には多
数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装
置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着す
ることにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。The upper surface of the stage 3 is a horizontal surface,
It serves as a holding surface 30 for the substrate 90. A large number of vacuum suction ports are formed on the holding surface 30 in a distributed manner. The substrate 90 is held at a predetermined horizontal position by sucking the substrate 90 while the substrate processing apparatus 1 processes the substrate 90.
【００１９】この保持面３０のうち基板９０の保持エリ
ア（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、
略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１ａが固
設される。走行レール３１ａは、架橋構造４の両端部に
固設される支持ブロック３１ｂとともに、架橋構造４の
移動を案内し（移動方向を所定の方向に規定する）、架
橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを
構成する。At both ends of the holding surface 30 across the holding area of the substrate 90 (the area where the substrate 90 is held),
A pair of running rails 31a extending in a substantially horizontal direction are fixedly provided. The traveling rail 31a guides the movement of the bridging structure 4 together with the support blocks 31b fixed to both ends of the bridging structure 4 (the moving direction is defined in a predetermined direction), and holds the bridging structure 4 above the holding surface 30. A linear guide to be supported.
【００２０】ステージ３の上方には、このステージ３の
両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けら
れている。架橋構造４は、カーボンファイバ樹脂を骨材
とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機
構４３，４４とから主に構成される。Above the stage 3, there is provided a bridging structure 4 which extends substantially horizontally from both sides of the stage 3. The cross-linking structure 4 mainly includes a nozzle support portion 40 made of carbon fiber resin as an aggregate, and elevating mechanisms 43 and 44 supporting both ends thereof.
【００２１】ノズル支持部４０には、スリットノズル４
１とギャップセンサ４２とが取り付けられている。The nozzle support 40 has a slit nozzle 4
1 and a gap sensor 42 are attached.
【００２２】水平Ｙ方向に伸びるスリットノズル４１に
は、スリットノズル４１へ薬液（レジスト液）を供給す
る配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構（図示せず）
が接続されている。スリットノズル４１は、レジスト用
ポンプによりレジスト液が送られ、基板９０の表面を走
査することにより、基板９０の表面の所定の領域（以
下、「レジスト塗布領域」と称する。）にレジスト液を
吐出する。A slit nozzle 41 extending in the horizontal Y direction has a discharge mechanism (not shown) including a pipe for supplying a chemical solution (resist liquid) to the slit nozzle 41 and a resist pump.
Is connected. The slit nozzle 41 is supplied with a resist liquid by a resist pump, and scans the surface of the substrate 90 to discharge the resist liquid to a predetermined area on the surface of the substrate 90 (hereinafter, referred to as a “resist coating area”). I do.
【００２３】ギャップセンサ４２は、架橋構造４のノズ
ル支持部４０に基板９０の表面と対向する位置に取り付
けられ、所定の方向（−Ｚ方向）の存在物（例えば、基
板９０やレジスト膜）との間の距離（ギャップ）を検出
して、検出結果を制御系６に伝達する。The gap sensor 42 is attached to the nozzle supporting portion 40 of the cross-linking structure 4 at a position facing the surface of the substrate 90, and is provided with an object (for example, the substrate 90 or a resist film) in a predetermined direction (-Z direction). Is detected, and the detection result is transmitted to the control system 6.
【００２４】図５は、ギャップセンサ４２に用いられる
レーザ変位計の原理を示す図である。ギャップセンサ４
２は、ＣＣＤ（一般には、受光素子配列）４２０および
受光レンズ４２１を備え、図示しない投光部から所定の
方向にレーザ光を発射（投光）する。投光部から発射さ
れたレーザ光（入射光）は、存在物の表面ＳＦ１で反射
され、当該反射されたレーザ光のうちの正反射光が受光
レンズ４２１を通して、ＣＣＤ４２０で受光される。FIG. 5 is a diagram showing the principle of a laser displacement meter used for the gap sensor 42. Gap sensor 4
Reference numeral 2 includes a CCD (generally, a light receiving element array) 420 and a light receiving lens 421, and emits (projects) laser light in a predetermined direction from a light projecting unit (not shown). The laser light (incident light) emitted from the light projecting unit is reflected on the surface SF1 of the object, and the specularly reflected light of the reflected laser light is received by the CCD 420 through the light receiving lens 421.
【００２５】ここで、ギャップセンサ４２において、投
光部、基準面ＳＦ０、およびＣＣＤ４２０の各位置関係
は既知であり、投光部が発射するレーザ光の発射方向お
よび受光レンズ４２１の焦点位置も既知である。したが
って、ギャップセンサ４２は、受光したレーザ光のＣＣ
Ｄ４２０上における強度分布（ＣＣＤ４２０上の受光位
置を示す）から三角測量法の原理に基づいて、基準面Ｓ
Ｆ０と存在物の表面ＳＦ１との間の距離（ギャップ）Ｄ
を検出する機能を有している。Here, in the gap sensor 42, the positional relationship between the light projecting portion, the reference surface SF0, and the CCD 420 is known, and the emitting direction of the laser light emitted from the light emitting portion and the focal position of the light receiving lens 421 are also known. It is. Therefore, the gap sensor 42 detects the CC of the received laser light.
From the intensity distribution on D420 (indicating the light receiving position on CCD 420), the reference plane S is determined based on the principle of triangulation.
Distance (gap) D between F0 and the surface SF1 of the entity
Has the function of detecting
【００２６】このように、ギャップセンサ４２が、存在
物の表面で反射されるレーザ光のうち、正反射光を受光
して当該存在物との間の距離の検出を行うことにより、
例えば、拡散反射光を受光する場合に比べて、分解能を
向上させることができるため、存在物の表面との間の距
離を精度よく測定することができる。As described above, the gap sensor 42 receives the regular reflection light from the laser light reflected on the surface of the object and detects the distance between the laser beam and the object.
For example, the resolution can be improved as compared with the case of receiving diffuse reflection light, so that the distance between the object and the surface can be accurately measured.
【００２７】また、ノズル支持部４０にスリットノズル
４１とギャップセンサ４２とが取り付けられることによ
り、これらの相対的な位置関係が固定される。したがっ
て、制御系６は、ギャップセンサ４２の検出結果に基づ
いて、基板９０の表面とスリットノズル４１との距離を
検出することができる。なお、本実施の形態における基
板処理装置１では２つのギャップセンサ４２を備えてい
るが、ギャップセンサ４２の数はこれに限られるもので
はなく、さらに、多くのギャップセンサ４２を備えてい
てもよい。The relative positional relationship between the slit nozzle 41 and the gap sensor 42 is fixed by attaching the slit nozzle 41 and the gap sensor 42 to the nozzle support portion 40. Therefore, the control system 6 can detect the distance between the surface of the substrate 90 and the slit nozzle 41 based on the detection result of the gap sensor 42. In addition, although the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes the two gap sensors 42, the number of the gap sensors 42 is not limited to this, and may include more gap sensors 42. .
【００２８】昇降機構４３，４４はスリットノズル４１
の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノ
ズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４はスリ
ットノズル４１を並進的に昇降させるとともに、スリッ
トノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも
用いられる。The lifting mechanisms 43 and 44 are provided with a slit nozzle 41.
Are connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support portion 40. The elevating mechanisms 43 and 44 are used to move the slit nozzle 41 up and down in translation, and also to adjust the attitude of the slit nozzle 41 in the YZ plane.
【００２９】架橋構造４の両端部には、ステージ３の両
側の縁側に沿って別れて配置された一対のＡＣコアレス
リニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略す
る。）５０，５１が、それぞれ固設される。At both ends of the bridge structure 4, a pair of AC coreless linear motors (hereinafter simply referred to as "linear motors") 50 and 51 are separately arranged along both side edges of the stage 3. , Respectively.
【００３０】リニアモータ５０は、固定子（ステータ）
５０ａと移動子５０ｂとを備え、固定子５０ａと移動子
５０ｂとの電磁的相互作用によって架橋構造４をＸ軸方
向（基板９０の表面に沿った方向）に移動させるための
駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ５
０による移動量および移動方向は、制御系６からの制御
信号により制御可能となっている。なお、リニアモータ
５１もほぼ同様の機能、構成を有する。The linear motor 50 includes a stator (stator).
50 a and a moving element 50 b are provided, and a driving force for moving the bridge structure 4 in the X-axis direction (a direction along the surface of the substrate 90) is generated by electromagnetic interaction between the stator 50 a and the moving element 50 b. It is a motor. In addition, the linear motor 5
The moving amount and moving direction by 0 can be controlled by a control signal from the control system 6. The linear motor 51 has almost the same function and configuration.
【００３１】リニアエンコーダ５２，５３は、それぞれ
スケール部および検出子（図示せず）を備え、スケール
部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御系６
に伝達する。各検出子は架橋構造４の両端部にそれぞれ
固設されており、リニアエンコーダ５２，５３は架橋構
造４の位置検出を行う機能を有している。Each of the linear encoders 52 and 53 includes a scale unit and a detector (not shown), detects a relative positional relationship between the scale unit and the detector, and controls the control system 6.
To communicate. Each detector is fixed to both ends of the bridge structure 4, and the linear encoders 52 and 53 have a function of detecting the position of the bridge structure 4.
【００３２】制御系６は、プログラムに従って各種デー
タを処理する演算部６０、プログラムや各種データを保
存する記憶部６１を内部に備える。また、前面には、オ
ペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力す
るための操作部６２、および各種データを表示する表示
部６３を備える。The control system 6 includes an arithmetic unit 60 for processing various data in accordance with a program, and a storage unit 61 for storing programs and various data. Further, on the front surface, there are provided an operation unit 62 for an operator to input necessary instructions to the substrate processing apparatus 1 and a display unit 63 for displaying various data.
【００３３】制御系６は、図示しないケーブルにより本
体２に付属する各機構と接続されており、操作部６２お
よび各種センサなどからの信号に基づいて、ステージ
３、架橋構造４、昇降機構４３，４４、およびリニアモ
ータ５０，５１などの各構成を制御する。The control system 6 is connected to each mechanism attached to the main body 2 by a cable (not shown). Based on signals from the operation unit 62 and various sensors, the stage 3, the bridge structure 4, the lifting mechanism 43, 44 and the respective components such as the linear motors 50 and 51 are controlled.
【００３４】特に制御系６は、この実施の形態では、ギ
ャップセンサ４２の検出結果に基づいて、スリットノズ
ル４１の基板９０に対する姿勢および高さを制御し、ま
た、ギャップセンサ４２の検出結果に基づいて、基板９
０の表面に形成されたレジスト膜の厚さ寸法を算出し、
算出した厚さ寸法に基づいて、基板９０に対するレジス
ト塗布処理の良否を判定する。なお、判定結果は、表示
部６３に表示させる。In particular, in this embodiment, the control system 6 controls the attitude and height of the slit nozzle 41 with respect to the substrate 90 based on the detection result of the gap sensor 42, and controls the attitude and height of the slit nozzle 41 based on the detection result of the gap sensor 42. And the substrate 9
Calculate the thickness dimension of the resist film formed on the surface of No. 0,
Based on the calculated thickness, the quality of the resist coating process on the substrate 90 is determined. The determination result is displayed on the display unit 63.
【００３５】制御系６の具体的な構成としては、記憶部
６１はデータを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用
のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当し、可搬
性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、
およびそれらの読み取り装置などであってもよい。ま
た、操作部６２は、ボタンおよびスイッチ類（キーボー
ドやマウスなどを含む。）などであるが、タッチパネル
ディスプレイのように表示部６３の機能を兼ね備えたも
のであってもよい。表示部６３は、液晶ディスプレイや
各種ランプなどが該当する。As a specific configuration of the control system 6, the storage unit 61 includes a RAM for temporarily storing data, a read-only ROM, a magnetic disk device, and the like. Storage media such as
And their reading devices. The operation unit 62 includes buttons and switches (including a keyboard and a mouse). However, the operation unit 62 may have a function of the display unit 63 such as a touch panel display. The display unit 63 corresponds to a liquid crystal display, various lamps, and the like.
【００３６】＜１．２ 動作の説明＞次に、基板処理装
置１の動作について説明する。基板処理装置１では、オ
ペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置
に基板９０が搬送されることによって、レジスト塗布処
理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、
基板９０の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部
６２を操作することにより入力されてもよい。<1.2 Description of Operation> Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described. In the substrate processing apparatus 1, the resist coating process is started by transporting the substrate 90 to a predetermined position by an operator or a transport mechanism (not shown). The instruction to start the processing is
When the transfer of the substrate 90 is completed, the input may be made by operating the operation unit 62 by the operator.
【００３７】まず、ステージ３が保持面３０上の所定の
位置に基板９０を吸着して保持する。続いて、制御系６
からの制御信号に基づいて、昇降機構４３，４４が、ノ
ズル支持部４０に取り付けられたギャップセンサ４２を
基板９０の厚み分よりも高い所定の高度（以下、「測定
高度」と称する。）に移動させる。First, the stage 3 sucks and holds the substrate 90 at a predetermined position on the holding surface 30. Subsequently, the control system 6
Based on the control signal from, the elevating mechanisms 43 and 44 move the gap sensor 42 attached to the nozzle support 40 to a predetermined altitude higher than the thickness of the substrate 90 (hereinafter, referred to as “measurement altitude”). Move.
【００３８】ギャップセンサ４２が測定高度にセットさ
れると、リニアモータ５０，５１が、架橋構造４をＸ方
向に移動させることにより、ギャップセンサ４２をレジ
スト塗布領域の上方まで移動させる。ここで、レジスト
塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗
布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積
から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。
このとき、制御系６は、リニアエンコーダ５２，５３の
検出結果に基づいて、それぞれのリニアモータ５０，５
１に制御信号を与えることにより、ギャップセンサ４２
のＸ軸方向の位置を制御する。When the gap sensor 42 is set at the measurement altitude, the linear motors 50 and 51 move the bridge structure 4 in the X direction, thereby moving the gap sensor 42 above the resist application area. Here, the resist application area is an area on the surface of the substrate 90 where the resist liquid is to be applied, and is usually an area obtained by removing an area having a predetermined width along an edge from the entire area of the substrate 90. It is.
At this time, the control system 6 controls the respective linear motors 50, 5 based on the detection results of the linear encoders 52, 53.
1 to the gap sensor 42
Is controlled in the X-axis direction.
【００３９】次に、ギャップセンサ４２が基板９０表面
のレジスト塗布領域における基板９０表面とスリットノ
ズル４１とのギャップの測定を開始する。測定が開始さ
れると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４をさらに
Ｘ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレジス
ト塗布領域を走査し、走査中の測定結果を制御系６に伝
達する。このとき、制御系６は、ギャップセンサ４２の
測定結果を、リニアエンコーダ５２，５３によって検出
される水平位置と関連づけて記憶部６１に保存する。Next, the gap sensor 42 starts measuring the gap between the slit nozzle 41 and the surface of the substrate 90 in the resist coating area on the surface of the substrate 90. When the measurement is started, the linear motors 50 and 51 further move the bridge structure 4 in the X direction, so that the gap sensor 42 scans the resist application area, and transmits the measurement result during the scanning to the control system 6. At this time, the control system 6 stores the measurement result of the gap sensor 42 in the storage unit 61 in association with the horizontal position detected by the linear encoders 52 and 53.
【００４０】架橋構造４が基板９０の上方をＸ方向に通
過して、ギャップセンサ４２による走査が終了すると、
制御系６は、架橋構造４をその位置で停止させ、ギャッ
プセンサ４２からの検出結果に基づいて、スリットノズ
ル４１のＹＺ平面における姿勢が、適切な姿勢（スリッ
トノズル４１とレジスト塗布領域との間隔がレジスト液
を塗布するために適切な間隔となる姿勢。以下、「適正
姿勢」と称する。）となるノズル支持部４０の位置を算
出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構４３，
４４に制御信号を与える。その制御信号に基づいて、そ
れぞれの昇降機構４３，４４がノズル支持部４０をＺ軸
方向に移動させ、スリットノズル４１を適正姿勢に調整
する。When the bridge structure 4 passes above the substrate 90 in the X direction and the scanning by the gap sensor 42 is completed,
The control system 6 stops the bridge structure 4 at that position, and based on the detection result from the gap sensor 42, adjusts the posture of the slit nozzle 41 in the YZ plane to an appropriate posture (the distance between the slit nozzle 41 and the resist application area). The position of the nozzle support portion 40 is determined to be an appropriate distance for applying the resist liquid. Hereinafter, this position is referred to as an “appropriate position”.
A control signal is given to 44. Based on the control signal, the respective lifting / lowering mechanisms 43 and 44 move the nozzle support 40 in the Z-axis direction, and adjust the slit nozzle 41 to an appropriate posture.
【００４１】このように、基板処理装置１では、レジス
ト液の均一な塗布を実現するために、スリットノズル４
１と基板９０の表面との距離を厳密に調整する必要があ
るが、制御系６が、ギャップセンサ４２の検出結果に基
づいて、昇降機構４３，４４を制御する。As described above, in the substrate processing apparatus 1, in order to realize uniform application of the resist liquid, the slit nozzle 4
Although it is necessary to strictly adjust the distance between 1 and the surface of the substrate 90, the control system 6 controls the lifting mechanisms 43 and 44 based on the detection result of the gap sensor 42.
【００４２】さらに、リニアモータ５０，５１が架橋構
造４を−Ｘ方向に移動させ、スリットノズル４１を吐出
開始位置に移動させる。ここで、吐出開始位置とは、レ
ジスト塗布領域の一辺にスリットノズル４１がほぼ沿う
位置である。Further, the linear motors 50 and 51 move the bridge structure 4 in the -X direction, and move the slit nozzle 41 to the discharge start position. Here, the ejection start position is a position at which the slit nozzle 41 is substantially along one side of the resist application region.
【００４３】スリットノズル４１が吐出開始位置まで移
動すると、制御系６が制御信号をリニアモータ５０，５
１およびレジスト用ポンプ（図示せず）に与える。その
制御信号に基づいて、リニアモータ５０，５１が架橋構
造４を−Ｘ方向に移動させることでスリットノズル４１
が基板９０の表面を走査し、そのスリットノズル４１の
走査中にレジスト用ポンプを運転することでスリットノ
ズル４１にレジスト液が送られ、スリットノズル４１が
レジスト塗布領域にレジスト液を吐出する。これによ
り、基板９０の表面上にレジスト液の層が形成される。When the slit nozzle 41 moves to the discharge start position, the control system 6 sends a control signal to the linear motors 50 and 5.
1 and a resist pump (not shown). The linear motors 50 and 51 move the bridging structure 4 in the −X direction based on the control signal, so that the slit nozzle 41 is moved.
Scans the surface of the substrate 90, and operates the resist pump during scanning of the slit nozzle 41, whereby the resist liquid is sent to the slit nozzle 41, and the slit nozzle 41 discharges the resist liquid to the resist coating region. As a result, a layer of a resist solution is formed on the surface of the substrate 90.
【００４４】スリットノズル４１が吐出終了位置まで移
動すると、制御系６が制御信号をレジスト用ポンプ、昇
降機構４３，４４およびリニアモータ５０，５１に与え
る。その制御信号に基づいて、レジスト用ポンプが停止
することによってスリットノズル４１からのレジスト液
の吐出が停止し、昇降機構４３，４４がギャップセンサ
４２を測定高度に移動させる。When the slit nozzle 41 moves to the discharge end position, the control system 6 supplies a control signal to the resist pump, the lifting / lowering mechanisms 43 and 44, and the linear motors 50 and 51. When the resist pump is stopped based on the control signal, the discharge of the resist liquid from the slit nozzle 41 is stopped, and the lifting mechanisms 43 and 44 move the gap sensor 42 to the measurement altitude.
【００４５】次に、リニアモータ５０，５１が架橋構造
４をＸ方向に移動させることでギャップセンサ４２がレ
ジスト塗布領域を走査し、基板９０上に形成されたレジ
スト膜とのギャップを測定して制御系６に伝達する。制
御系６は、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基
板９０の表面との間の距離）と、レジスト塗布後に測定
したギャップの値（レジスト膜の表面との間の距離）と
の差を計算することにより、基板９０上に形成されたレ
ジスト膜の厚さ寸法を算出する。Next, when the linear motors 50 and 51 move the bridge structure 4 in the X direction, the gap sensor 42 scans the resist coating area and measures the gap with the resist film formed on the substrate 90. It is transmitted to the control system 6. The control system 6 calculates the difference between the value of the gap (distance to the surface of the substrate 90) measured before applying the resist and the value of the gap (distance to the surface of the resist film) measured after applying the resist. By the calculation, the thickness dimension of the resist film formed on the substrate 90 is calculated.
【００４６】さらに、算出した厚さ寸法に応じて、許容
される厚さ寸法の範囲として予め設定されている所定値
と比較することにより、基板９０に対して行われた塗布
処理の良否を判定し、判定結果を表示部６３に表示す
る。Further, the quality of the coating process performed on the substrate 90 is determined by comparing the calculated thickness dimension with a predetermined value that is set in advance as an allowable thickness dimension range. Then, the determination result is displayed on the display unit 63.
【００４７】これにより、基板９０の表面上に処理液の
層（レジスト膜）を形成した後、速やかに良否判定を行
うことができることことから、表示部６３に表示された
判定結果に基づいて、例えば、オペレータなどが処理状
況に迅速に対応できる。また、当該判定は、ギャップセ
ンサ４２を設けるだけで行うことができることから、装
置構成をいたずらに複雑にすることなく簡易に検査をす
ることができる。As a result, the pass / fail judgment can be made immediately after the layer (resist film) of the processing liquid is formed on the surface of the substrate 90, and therefore, based on the judgment result displayed on the display section 63, For example, an operator or the like can quickly respond to a processing situation. In addition, since the determination can be performed only by providing the gap sensor 42, the inspection can be easily performed without unnecessarily complicating the device configuration.
【００４８】なお、ギャップセンサ４２を用いた検査で
は、主にＸ軸方向の異常の検出を行うことができること
から、例えば、レジスト液が塗布されていない（レジス
ト液の不足）、吐出開始位置や吐出終了位置がずれてい
る、塗布終了位置において厚膜化現象が生じているとい
った異常を検出することができる。このような異常は、
個々の基板９０毎に起きるというよりも、同じ状態で処
理されるすべての基板９０において生じる可能性が高
く、後工程において異常を検出していたのでは、その間
にも不良基板が発生してしまうことになる。したがっ
て、基板処理装置１のように、迅速に対応することによ
る効果は大きい。また、当該判定により、基板９０に対
する処理に異常が検出された場合には、判定結果を表示
するのみならず、その程度に応じて処理を停止してノズ
ル洗浄を行うなど自動的に回復処理を行うようにしても
よい。In the inspection using the gap sensor 42, since abnormality can be mainly detected in the X-axis direction, for example, when the resist liquid is not applied (insufficient resist liquid), the discharge start position, It is possible to detect abnormalities such as a shift in the ejection end position and an occurrence of a thickening phenomenon at the application end position. Such an anomaly
Rather than occurring for each individual substrate 90, it is more likely to occur for all substrates 90 processed in the same state, and if an abnormality is detected in a later process, a defective substrate will be generated during that time. Will be. Therefore, as in the case of the substrate processing apparatus 1, the effect of responding quickly is great. In addition, when an abnormality is detected in the processing on the substrate 90 by the determination, not only the determination result is displayed, but also the recovery processing is automatically performed, such as stopping the processing and performing nozzle cleaning according to the degree. It may be performed.
【００４９】レジスト膜の検査が終了すると、ステージ
３は基板９０の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機
構が基板９０を保持面３０から取り上げ、次の処理工程
に搬送する。When the inspection of the resist film is completed, the stage 3 stops the suction of the substrate 90, and the operator or the transport mechanism picks up the substrate 90 from the holding surface 30 and transports it to the next processing step.
【００５０】以上のように、基板処理装置１では、レジ
スト液を塗布する前後において、それぞれギャップセン
サ４２による走査を行い、基板９０の表面との間の距離
と、レジスト膜の表面との間の距離とを検出し、それら
の差を計算することにより、基板９０の表面に形成され
たレジスト膜の厚さ寸法を算出して、基板９０に対する
処理の良否を判定することにより、基板９０の表面上に
処理液の層を形成した後、速やかに良否判定を行うこと
ができることことから、異常状態が発生している場合に
迅速に対応できる。また、レジスト膜厚測定専用のセン
サを必要としないため、装置構成を複雑にすることなく
簡易に検査をすることができる。As described above, in the substrate processing apparatus 1, before and after the application of the resist solution, scanning is performed by the gap sensor 42, and the distance between the surface of the substrate 90 and the surface of the resist film is determined. By detecting the distance and calculating the difference between them, the thickness of the resist film formed on the surface of the substrate 90 is calculated, and the quality of the processing on the substrate 90 is determined. Since a pass / fail judgment can be made immediately after the layer of the processing liquid is formed thereon, it is possible to quickly cope with the occurrence of an abnormal state. In addition, since a sensor dedicated to resist film thickness measurement is not required, the inspection can be easily performed without complicating the apparatus configuration.
【００５１】また、制御系６が、ギャップセンサ４２の
検出結果に基づいて、スリットノズルを昇降させる昇降
機構４３，４４を制御することにより、スリットノズル
４１の姿勢および高さの検出とレジスト膜厚の測定とを
ギャップセンサ４２で兼用することができ、別途、スリ
ットノズルの高さ位置を検出するため、専用の構成を設
ける必要がなく、装置構成を簡素化することができる。The control system 6 controls the elevating mechanisms 43 and 44 for raising and lowering the slit nozzle based on the detection result of the gap sensor 42, thereby detecting the attitude and height of the slit nozzle 41 and detecting the resist film thickness. Can be shared by the gap sensor 42, and the height position of the slit nozzle is separately detected, so that there is no need to provide a dedicated configuration, and the device configuration can be simplified.
【００５２】＜２． 第２の実施の形態＞第１の実施の
形態では、レジスト塗布前に測定したギャップの値（基
板９０の表面との距離）と、レジスト塗布後に測定した
ギャップの値（レジスト膜の表面との距離）との差を求
めることにより、レジスト膜の厚さ寸法を検出して、塗
布処理の良否を判定すると説明したが、レジスト膜の厚
さ寸法を検出する手法は、これに限られるものではな
く、レジスト膜の厚さ寸法を直接検出するように構成し
てもよい。<2. Second Embodiment> In the first embodiment, the gap value (distance from the surface of the substrate 90) measured before applying the resist and the gap value (distance between the resist film surface and the resist film surface) measured after applying the resist are measured. Distance), the thickness of the resist film is detected to determine the quality of the coating process. However, the method of detecting the thickness of the resist film is not limited to this. Instead, the thickness of the resist film may be directly detected.
【００５３】図６は、このような原理に基づいて構成し
た第２の実施の形態におけるギャップセンサ４６の原理
を説明する図である。なお、第２の実施の形態における
基板処理装置１は、ギャップセンサ４６以外の構成は第
１の実施の形態とほぼ同様であるため説明を省略する。FIG. 6 is a view for explaining the principle of the gap sensor 46 according to the second embodiment constructed based on such a principle. Note that the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment is substantially the same as that of the first embodiment except for the gap sensor 46, and thus the description is omitted.
【００５４】図６に示すように、ギャップセンサ４６
は、第１の実施の形態におけるギャップセンサ４２と同
様に、ＣＣＤ４６０および受光レンズ４６１を備えるレ
ーザ変位計であり、ギャップセンサ４２が有する機能を
同様に有している。さらに、ギャップセンサ４６は、投
光したレーザ光（入射光）のうち、第１反射光（表面Ｓ
Ｆ２で反射されたレーザ光）と、第２反射光（表面ＳＦ
３で反射されたレーザ光）とを同時にＣＣＤ４６０上に
受光し、第１反射光によりＣＣＤ４６０上に現れる強度
分布のピークと、第２反射光によりＣＣＤ４６０上に現
れる強度分布のピークとのＣＣＤ４６０上における距離
δに基づいて、表面ＳＦ２と表面ＳＦ３との間の距離ｄ
を検出する機能を有する。すなわち、ギャップセンサ４
６は、表面ＳＦ２が基板９０の表面に形成されたレジス
ト膜の表面であり、表面ＳＦ３が基板９０の表面である
場合に、直接、レジスト膜の厚さ寸法（距離ｄ）を検出
することができる。As shown in FIG. 6, the gap sensor 46
Is a laser displacement meter including a CCD 460 and a light receiving lens 461, similarly to the gap sensor 42 in the first embodiment, and has the same function as the gap sensor 42. Further, the gap sensor 46 detects the first reflected light (surface S) of the projected laser light (incident light).
F2) and second reflected light (surface SF)
3) on the CCD 460, and the peak of the intensity distribution that appears on the CCD 460 due to the first reflected light and the peak of the intensity distribution that appears on the CCD 460 due to the second reflected light. Based on the distance δ, the distance d between the surface SF2 and the surface SF3
Has the function of detecting That is, the gap sensor 4
Reference numeral 6 denotes a case in which the thickness dimension (distance d) of the resist film is directly detected when the surface SF2 is the surface of the resist film formed on the surface of the substrate 90 and the surface SF3 is the surface of the substrate 90. it can.
【００５５】検出したレジスト膜の厚さ寸法は、制御系
６に伝達され、第１の実施の形態と同様に、制御系６に
よる判定が行われる。The detected thickness of the resist film is transmitted to the control system 6, and the control system 6 makes a determination as in the first embodiment.
【００５６】以上により、第２の実施の形態における基
板処理装置１においても、第１の実施の形態と同様の効
果を得ることができる。また、ギャップセンサ４６が、
直接、レジスト膜の厚さ寸法を検出することにより、制
御系６がレジスト膜の厚さ寸法を算出する必要がなく、
基板処理装置１における演算量を削減することができ
る。As described above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained in the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment. Further, the gap sensor 46
By directly detecting the thickness of the resist film, the control system 6 does not need to calculate the thickness of the resist film.
The amount of calculation in the substrate processing apparatus 1 can be reduced.
【００５７】＜３． 変形例＞以上、本発明の実施の形
態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく様々な変形が可能である。<3. Modifications> While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-discussed preferred embodiments, but allows various modifications.
【００５８】例えば、同時に２つの面からの反射光を検
出する機能を有するギャップセンサを用いて、レジスト
膜の表面と基準面ＳＦ０との間の距離、および基板の表
面と基準面ＳＦ０との間の距離を一回の走査で同時に求
め、それらの差を算出することにより、レジスト膜の厚
さ寸法を検出してもよい。For example, the distance between the surface of the resist film and the reference surface SF0 and the distance between the surface of the substrate and the reference surface SF0 are measured using a gap sensor having a function of detecting reflected light from two surfaces at the same time. The thickness of the resist film may be detected by calculating the distances of the resist films simultaneously in one scan and calculating the difference between them.
【００５９】また、上記実施の形態では、塗布処理に対
する判定結果は表示部６３に表示するとしたが、判定結
果を確認する手段はこれに限られるものではない。例え
ば、プリンタなどにより印刷されてもよいし、オペレー
タのいる位置が離れている場合などには、判定結果をネ
ットワークを介して遠隔地へ送信する、あるいは、警告
音を発生させるなどの手段を用いてもよい。In the above-described embodiment, the result of the determination for the coating process is displayed on the display 63, but the means for confirming the result of the determination is not limited to this. For example, it may be printed by a printer or the like, and when the position of the operator is far away, the determination result is transmitted to a remote place via a network, or a means for generating a warning sound is used. You may.
【００６０】[0060]
【発明の効果】請求項１ないし７に記載の発明では、検
出手段により検出された形成層の厚さ寸法に基づいて、
基板に対する処理の良否を判定することにより、基板の
表面上に処理液の層を形成した後、速やかに良否判定を
行うことができることことから、処理状況に迅速に対応
できる。According to the first to seventh aspects of the present invention, based on the thickness dimension of the formation layer detected by the detection means,
By determining the quality of the processing on the substrate, the quality of the processing liquid can be determined immediately after the layer of the processing liquid is formed on the surface of the substrate, so that it is possible to quickly respond to the processing situation.
【００６１】請求項２に記載の発明では、検出手段が、
架橋構造のうち基板の表面と対向する位置に取り付けら
れ、所定の方向の存在物との間の距離を検出するセンシ
ング手段の検出結果に基づいて前記形成層の厚さ寸法を
算出することにより、装置構成を複雑にすることなく簡
易に検査をすることができる。According to the second aspect of the present invention, the detecting means comprises:
Attached at a position facing the surface of the substrate in the bridge structure, by calculating the thickness dimension of the formation layer based on the detection result of the sensing means that detects the distance between the entity in a predetermined direction, The inspection can be performed easily without complicating the device configuration.
【００６２】請求項４に記載の発明では、センシング手
段が、存在物にレーザ光を投光し、存在物の表面により
反射されたレーザ光のうちの正反射光を受光素子配列で
受光することにより、存在物との間の距離を検出するレ
ーザ式変位計であることにより、存在物との間の距離を
精度よく検出することができる。According to the fourth aspect of the present invention, the sensing means emits a laser beam to the object, and receives the regular reflection light of the laser light reflected by the surface of the object by the light receiving element array. Accordingly, the distance from the object can be accurately detected by using the laser displacement meter that detects the distance from the object.
【００６３】請求項５に記載の発明では、制御手段が、
センシング手段の検出結果に基づいて、昇降手段を制御
することにより、別途、スリットノズルと基板の表面と
の距離を検出するための構成を設ける必要がなく、装置
構成を簡素化することができる。According to the fifth aspect of the present invention, the control means includes:
By controlling the lifting / lowering means based on the detection result of the sensing means, there is no need to separately provide a configuration for detecting the distance between the slit nozzle and the surface of the substrate, and the device configuration can be simplified.
【００６４】請求項６に記載の発明では、測定手段が、
形成層の表面により反射された第１正反射光と、基板の
表面により反射された第２正反射光とを同時に受光素子
配列上に受光し、第１正反射光により受光素子配列上に
現れる強度分布のピークと、第２正反射光により受光素
子配列上に現れる強度分布のピークとの受光素子配列上
における距離に基づいて、形成層の厚さ寸法を測定する
ことにより、演算量を削減することができる。In the invention according to claim 6, the measuring means comprises:
The first regular reflection light reflected by the surface of the formation layer and the second regular reflection light reflected by the surface of the substrate are simultaneously received on the light receiving element array, and appear on the light receiving element array by the first regular reflection light. The amount of calculation is reduced by measuring the thickness dimension of the formation layer based on the distance on the light receiving element array between the peak of the intensity distribution and the peak of the intensity distribution appearing on the light receiving element array due to the second regular reflection light. can do.
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板処理装
置の概略を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】基板処理装置の本体を上方から見た平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of a main body of the substrate processing apparatus as viewed from above.
【図３】本体の正面図である。FIG. 3 is a front view of the main body.
【図４】本体の側面図である。FIG. 4 is a side view of the main body.
【図５】第１の実施の形態におけるギャップセンサの原
理を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating the principle of the gap sensor according to the first embodiment.
【図６】第２の実施の形態におけるギャップセンサの原
理を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the principle of a gap sensor according to a second embodiment.
１ 基板処理装置 ３ ステージ ３０ 保持面 ４ 架橋構造 ４０ ノズル支持部 ４１ スリットノズル ４２ ギャップセンサ ４２０ ＣＣＤ ４３，４４ 昇降機構 ４６ ギャップセンサ ４６０ ＣＣＤ ５０，５１ リニアモータ ５０ａ 固定子 ５０ｂ 移動子 ６ 制御系 ６０ 演算部 ６１ 記憶部 ９０ 基板 1 Substrate processing equipment 3 stage 30 Holding surface 4 Crosslinked structure 40 nozzle support 41 slit nozzle 42 Gap sensor 420 CCD 43,44 lifting mechanism 46 Gap sensor 460 CCD 50,51 linear motor 50a stator 50b mover 6 Control system 60 arithmetic unit 61 Memory 90 substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 良幸 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA27 AA28 CA13 DA00 4F041 AA02 AA05 AB01 BA05 BA22 BA56 CA02 CA18 CA22 4F042 AA02 AA06 AB00 BA25 CB03 DD44 DF07 5F046 JA02 JA21 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Yoshiyuki Nakagawa 4-chome Tenjin that rises in Horikawa-dori temple in Kamigyo-ku, Kyoto 1 Kitamachi 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. In the formula company F term (reference) 2H096 AA27 AA28 CA13 DA00 4F041 AA02 AA05 AB01 BA05 BA22 BA56 CA02 CA18 CA22 4F042 AA02 AA06 AB00 BA25 CB03 DD44 DF07 5F046 JA02 JA21
Claims (7)
ルと、 前記保持台の上方に略水平に掛け渡された架橋構造と、 前記架橋構造を前記基板の表面に沿った略水平方向に移
動させる移動手段と、を備え、 前記移動手段が、前記略水平方向に前記架橋構造を移動
させつつ、前記スリットノズルによって前記基板の表面
を走査することにより、前記基板の表面に対して前記所
定の処理液の層（形成層）を形成する基板処理装置にお
いて、 前記基板を前記保持台に保持した状態で前記形成層の厚
さ寸法を検出する検出手段と、 前記検出手段により検出された前記形成層の厚さ寸法に
基づいて、前記基板に対する処理の良否を判定する判定
手段と、をさらに備えることを特徴する基板処理装置。1. A holding table for holding a substrate, a slit nozzle for discharging a predetermined processing liquid to the substrate, a cross-linking structure extending substantially horizontally above the holding table, and a cross-linking structure. Moving means for moving in a substantially horizontal direction along the surface of the substrate, wherein the moving means scans the surface of the substrate by the slit nozzle while moving the bridge structure in the substantially horizontal direction. In the substrate processing apparatus for forming a layer (formation layer) of the predetermined treatment liquid on the surface of the substrate, the thickness of the formation layer is detected while the substrate is held on the holding table A substrate processing apparatus further comprising: means for determining whether or not processing of the substrate is satisfactory based on a thickness dimension of the formation layer detected by the detection means.
て、 前記検出手段が、 前記架橋構造のうち前記基板の表面と対向する位置に取
り付けられ、所定の方向の存在物との間の距離を検出す
るセンシング手段と、 前記センシング手段の検出結果に基づいて前記形成層の
厚さ寸法を算出する算出手段と、を有することを特徴と
する基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the detection means is attached to a position of the bridge structure facing the surface of the substrate, and measures a distance between the bridge structure and an object in a predetermined direction. A substrate processing apparatus comprising: sensing means for detecting; and calculating means for calculating a thickness dimension of the formation layer based on a detection result of the sensing means.
て、 前記センシング手段が、 前記形成層が形成される前後において、前記基板の表面
との間の第１距離と前記形成層の表面との間の第２距離
とを検出し、 前記算出手段が、 前記第１距離と前記第２距離との差を計算することによ
り、前記形成層の厚さ寸法を算出することを特徴とする
基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the sensing unit is configured to determine a first distance between a surface of the substrate and a surface of the formation layer before and after the formation layer is formed. A second distance between the first distance and the second distance, and calculating a difference between the first distance and the second distance to calculate a thickness dimension of the formation layer. apparatus.
において、 前記センシング手段が、 前記所定の方向にレーザ光を投光し、前記存在物の表面
により反射された前記レーザ光のうちの正反射光を受光
素子配列で受光することにより、前記存在物との間の距
離を検出するレーザ式変位計であることを特徴とする基
板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the sensing unit emits a laser beam in the predetermined direction, and the laser beam is reflected from the surface of the object. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is a laser displacement meter that detects a distance from the object by receiving regular reflection light with a light receiving element array.
板処理装置において、 前記スリットノズルを昇降させる昇降手段と、 前記昇降手段を制御する制御手段と、 をさらに備え、 前記制御手段が、前記センシング手段の検出結果に基づ
いて、前記昇降手段を制御することを特徴とする基板処
理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: elevating means for elevating and lowering the slit nozzle, and control means for controlling the elevating means. A substrate processing apparatus, comprising: controlling the elevating means based on a detection result of the sensing means.
板処理装置において、 前記検出手段が、 所定の方向にレーザ光を投光し、前記レーザ光のうち、
前記形成層の表面により反射された第１正反射光と、前
記基板の表面により反射された第２正反射光とを同時に
受光素子配列上に受光し、前記第１正反射光により受光
素子配列上に現れる強度分布のピークと、前記第２正反
射光により受光素子配列上に現れる強度分布のピークと
の受光素子配列上における距離に基づいて、前記形成層
の厚さ寸法を検出することを特徴とする基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said detecting means emits a laser beam in a predetermined direction, and
The first regular reflection light reflected by the surface of the formation layer and the second regular reflection light reflected by the surface of the substrate are simultaneously received on a light receiving element array, and the light receiving element array is received by the first regular reflection light. Detecting a thickness dimension of the formation layer based on a distance in the light receiving element array between a peak of the intensity distribution appearing above and a peak of the intensity distribution appearing on the light receiving element array by the second regular reflection light. Characteristic substrate processing equipment.
板処理装置において、 前記基板がフラットパネルディスプレイ用の基板であ
り、前記所定の処理液がレジスト液であることを特徴と
する基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said substrate is a substrate for a flat panel display, and said predetermined processing liquid is a resist liquid. apparatus.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150919A JP3987378B2 (en) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | Substrate processing equipment |
| KR1020030018098A KR100567236B1 (en) | 2002-03-28 | 2003-03-24 | Substrate Processing Apparatus |
| TW092106787A TW579456B (en) | 2002-03-28 | 2003-03-26 | Substrate treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150919A JP3987378B2 (en) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347190A true JP2003347190A (en) | 2003-12-05 |
| JP3987378B2 JP3987378B2 (en) | 2007-10-10 |
Family
ID=29768654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002150919A Expired - Fee Related JP3987378B2 (en) | 2002-03-28 | 2002-05-24 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3987378B2 (en) |
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- 2002-05-24 JP JP2002150919A patent/JP3987378B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3987378B2 (en) | 2007-10-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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