JPH0861949A - 定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置 - Google Patents

定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置

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JPH0861949A
JPH0861949A JP22245294A JP22245294A JPH0861949A JP H0861949 A JPH0861949 A JP H0861949A JP 22245294 A JP22245294 A JP 22245294A JP 22245294 A JP22245294 A JP 22245294A JP H0861949 A JPH0861949 A JP H0861949A
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JP
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polishing pad
measuring
plate
polishing
surface plate
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JP22245294A
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Shiyunji Hakomori
駿二 箱守
Tamotsu Kurita
保 栗田
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SpeedFam Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポリシング研磨装置の定盤及び定盤に貼られ
た研磨パッドの表面形状を同時に測定する表面形状測定
装置を提供する。 【構成】 研磨パッド3が貼り付けられた定盤1を備え
たポリシング装置の研磨パッド及び定盤の表面形状を測
定する装置15において、研磨パッド3から離間して研
磨パッド3までの距離を測定するレーザ変位センサ8
と、研磨パッド3から離間して定盤1までの距離を測定
する渦電流変位センサ9がスライダ7に固定されてい
る。スライダ7をレール4に沿ってステッピングモータ
で駆動して真直に移動させることにより、レーザ変位セ
ンサ8は研磨パッド表面を、渦電流センサ9は定盤1の
表面を一直線に走査する。これによって、定盤1に研磨
パッド3を貼り付けた状態で定盤1と研磨パッド3の平
面度を同時に測定することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面形状測定装置、特
に半導体ウエハ等のポリシング研磨装置の定盤に貼られ
た研磨パッド及び定盤の表面形状を測定する測定装置に
関する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】シリコン等の半導体ウエ
ハ基板は、ポリシング加工により鏡面加工が施され、そ
の後、このシリコン基板上に種々の回路が形成される。
ポリシング加工は、円盤状の定盤に貼られた研磨パッド
を用いて、ケミカル・メカニカル・ポリシングと称され
る方法により行われる。
【0003】LSIの高密度化に伴い、ポリシング加工
後のウエハ基板に要求される厚さ変位LTV(Loca
l thickness variation)、すな
わち平面度は1μm以下と厳しいものとなっており、こ
のため、ポリシング装置は、その定盤の平面度が厳しく
管理されている。
【0004】従来、前記定盤の平面度は、真直度計を定
盤の所定の測定を必要とする箇所に置いて人間が測定す
るか、該真直度計を利用した定盤表面形状測定装置等に
よって測定されている。特に後者の定盤表面形状測定装
置は、真直な基準ガイドを定盤に平行に置き、この基準
ガイドに沿って真直に移動するスライダに電気マイクロ
メータ等の変位計を取り付け、該変位計のプローブが定
盤に接触するようにしてスライダを移動させ、このとき
の定盤までの変位を計測していくことにより、真直度を
測定し、これを定盤の全面にわたって行うことで平面形
状を測定するものである。
【0005】一方、前記接触型の平面度測定装置に対
し、非接触型の平面度測定装置も提案されている。例え
ば、定盤に対して、直線状に配列した複数の距離センサ
ーからの出力信号と、これら各距離センサーの位置関係
と、定盤の回転角度とを対応ずけした処理を行うことに
より、定盤の平面形状精度を測定するものである(特開
昭63ー204110号公報)。
【0006】ところで、ポリシングに際して使用する研
磨パッドは、裏面に一様に塗布された粘着剤によって定
盤に貼り付けられているが、前記のようにポリシング加
工に要求される精度が厳しくなるのにつれて、定盤の平
面度を管理するだけでは十分とは言えず、研磨パッドを
含めた平面度管理が必要となってきている。
【0007】即ち、研磨パッドが定盤に一様に貼られて
いるか、研磨パッドの厚みが一様であるか、またドレッ
シングをしながらパッドを使用していく際に、パッドの
厚みがどのように変化していくか等を含めた総合的な平
面度管理が必要になってきている。
【0008】また、ULSIの高密度配線に対してリソ
グラフィやエッチングを適用するには、ウエハ基板に載
せられた下地の絶縁膜を平坦化(プララリゼーション)
する必要があるが、この平坦度を広域にわたって確保す
る手段の一つとしてケミカル・メカニカル・ポリシング
(chemical mechanical poli
shing)が用いられている。
【0009】この平坦化での前記ケミカル・メカニカル
・ポリシング用の研磨装置も、前記ポリシング装置と同
様に研磨パッドが定盤に貼り付けられた構成を採ってお
り、更に、平坦化では取り代(仕上げ代)が、数100
Åと非常に少なく、且つ要求される精度もより厳しいも
のである。
【0010】特に、前記平坦化で要求されているような
ポリシング加工の場合、定盤に要求される平面度は非常
に高いものであり、これとともに定盤に貼り付けられた
状態におけるパッドの表面についても非常に高い平面度
が要求され、且つパッド表面が金属等によって汚染され
ないことも要求される。このため、パッド表面及び定盤
の平面度を測定するに際しては、非接触にて測定するの
が望ましい。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記要
求があるにもかかわらず、従来、定盤の平面度を測定す
る測定装置や手段は前記したように種々提案されている
が、定盤に研磨パッドが貼り付けられた状態でのパッド
の表面形状を定盤の表面形状(平面度)と共に、同時に
容易に測定するのに好適な測定装置は提案されていな
い。本発明は、このような問題点に鑑み、研磨パッドが
定盤に貼り付けられた状態でのパッドの表面形状を、定
盤の表面形状(平面度)と共に、容易に測定でき且つ安
価な測定装置を提供する点にある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明定盤及び研磨パッ
ドの表面形状測定装置は、研磨パッド面から離間して研
磨パッドまでの距離を測定するレーザ変位センサと、前
記研磨パッド面から離間して定盤までの距離を測定する
渦電流変位センサと、前記レーザ変位センサと前記渦電
流変位センサとを前記定盤に平行な平面内で真直に移動
させる移動手段とを備え、前記研磨パッド及び定盤の表
面形状を同時に測定することを特徴とする。前記定盤及
び研磨パッドの表面形状測定装置は、前記レーザ変位セ
ンサ及び渦電流変位センサが測定した距離情報及び前記
レーザ変位センサ及び渦電流変位センサの測定位置情報
に基づいて表面形状を求める信号処理手段を備えてい
る。
【0013】
【実施例】本発明の測定装置の一例を図1、図2に基づ
いて説明する。図1は測定装置の全体斜視図を、図2は
測定手段の要部拡大図を示している。図1及び図2にお
いて、1は回転軸2に支持された定盤、3は前記定盤1
に貼り付けられた研磨パッドである。とくに、前記研磨
パッドはケミカル・メカニカル・ポリシングに適したパ
ッドである。
【0014】4はレールであって、該レール4はその両
端部において支持体5、6に支持されている。7はレー
ル4に沿って左右にスライドできるスライダで、該スラ
イダ7の側板7aには、研磨パッド3の平面度を測定す
るレーザ変位センサ8及び定盤1の平面度を測定する渦
電流変位センサ9が固定されている。また、前記スライ
ダ7の上板両側面には、該スライダ7を左右に移動させ
るベルト10の一端が固定されている。該ベルト10の
他端はパルスモータに連結されている。11及び12は
支持台であって、これら支持台11、12上に振動防止
用のピン13、14を介して前記支持体5、6が直立し
ている。
【0015】以下、前記構成を備える測定手段15を用
いて定盤1及び研磨パッド3の平面度を測定する測定回
路を図3に基づいて説明する。15は前記測定手段で、
該測定手段15はスライダ位置決め駆動用ステッピング
モータ16(以下、ステッピングモータ16という。)
で駆動されて、各測定手段から定盤1の面及び研磨パッ
ド3の面までの距離を測定する。前記測定手段のうち、
定盤1までの距離を測定する渦電流変位センサ9からの
出力は、対数増幅回路(ログ・アンプ)17で増幅さ
れ、該増幅された距離信号はアナログ・デジタル変換回
路18にてデジタル信号に変換され、パーソナルコンピ
ュータ19へパラレルインターフェース19aを経て入
力される。
【0016】一方、前記研磨パッド3までの距離を測定
するレーザ変位センサ8の出力信号は、レーザ変位セン
サ制御回路20が内蔵するアナログ・デジタル変換回路
にて、デジタル信号に変換され、前記制御回路20に付
属するパラレルインターフェース20a、パラレルイン
ターフェース19aを経てパーソナルコンピュータ19
へ入力される。前記パーソナルコンピュータ19に入力
された各測定点における各距離情報信号は、所定の信号
処理を経て、パーソナルコンピュータ19に付属するC
RTディスプレイ21に数字またはグラフで表示され
る。また、必要があれば、付属するプリンタでプリント
出力するようにしても良い。このように、各測定点での
距離情報及び測定位置情報に基づいて、その全体をプロ
ットアウトすることにより、定盤1及び研磨パッド3の
平面度を知ることができる。
【0017】22はステッピングモータ用コントローラ
であって、パーソナルコンピュータ19からの指令によ
りパルス数が制御され、該パルスによりステッピングモ
ータドライバ23でステッピングモータ16が駆動され
て前記スライダ7がパルス数に比例して測定開始位置か
ら測定終了位置に向けてスライドされる。このパルス数
を前記パーソナルコンピュータ19が計数することによ
り、前記各測定点での位置情報を特定することができ
る。
【0018】以上、前記測定手段による測定結果を信号
処理する方法の一例を説明したが、次に前記測定手段に
ついて詳述する。前記研磨パッド3の平面度を測定する
レーザ変位センサ8は、図4に示すように、パッド表面
に付着している塵埃、水分を除去する除去手段を備えた
レーザ変位センサを用いるのが好適である。塵埃や水分
が付着していると、レーザ光の反射率が変化し、距離の
測定に誤差を生じることになる。
【0019】前記レーザ変位センサとして、例えば特開
平5ー309559号公報に記載のように、エアを噴射
して付着物を除去し、エアの噴流内において除去した部
分にレーザビームを投射して反射ビームを受光して距離
を測定し、該距離に基づいて平面度を求めるレーザ変位
センサを用いる。図4において、25は半導体レーザ駆
動回路を含む半導体レーザ、26は投光レンズ、27は
受光レンズ、28は反射光位置検出素子で、これらの構
成は一般的なレーザ変位センサを変わらない構成を備え
ている。
【0020】そして、前記投光側にはエアノズル29が
設けられており、該エアノズル29へパイプ30を通し
て圧縮空気を送り込み、研磨パッド3の表面に付着した
水分24を除去しレーザ光を照射する。これによって、
水分等による反射率の変化による影響を防止でき、距離
を精確に測定することができる。
【0021】前記レーザ変位センサ8を用いた時のスラ
イダの移動速度と測定しようとするパッドの一例につい
て説明する。研磨パッドのモデルとしては、繊維径が、
φ10〜30μm、またはピット径が約φ20μmを用
いる。前記レーザ変位センサ8として、研磨パッド面に
照射するレーザ光が16kHzで強度変調したもの使用
する。このことからサンプリング周波数16kHz
(0.0625msec=62.5μsec)でφ10
μmの繊維径が測定可能なように前記スライダ7の移動
速度を決めることができる。
【0022】スライダ7の移動速度を20mm/sec
とすると、一回のサンプリング毎にスライダ7は1.2
5μm移動する。すると、前記繊維径の最小繊維径がφ
10μm程度なので、10/2=5μm以下であれば、
サンプリング定理を満足し、平面度を精確に検出するこ
とが可能となる。
【0023】前記研磨パッド3の平面度の測定について
は、前記レーザ変位センサに限らず、空気マイクロメー
タ、超音波センサ等の非接触型の距離センサを用いるこ
とができる。
【0024】次に、定盤の平面度を測定するセンサとし
て渦電流センサを使用する。このセンサは、例えば、高
周波コイルからなるプローブを使用し、このプローブコ
イル磁界内に定盤1が近付いた時、定盤内に発生する渦
電流に伴う磁界により、プローブコイルのインダクタン
スが変化する。この渦電流に伴う磁界の大きさはプロー
ブコイルと定盤との距離により変化するから、定盤表面
の変位をインダクタンスの変化により検出することがで
きる。
【0025】ところで、前記測定装置を用いて実際に定
盤及び研磨パッドの平面度を測定するに際し、前記スラ
イダ7の上下変位も考慮しなけらばならない。そこで図
5に示すように鋳物で構成された基準定盤31上に装置
を載せ、この状態でスライダ7を走らせて較正値を求め
る。図6に示すデータは、実際にスライダを50回繰り
返し走らせて渦電流変位センサの出力を平均化処理した
もので、これをスライダ7を走らせた時の真直度の補正
データとして以後の測定に利用する。
【0026】このデータは、前記図3のブロック図にお
いて、パーソナルコンピュータ19のRAM等の記憶装
置に書き込んでおき、実際の平面度測定の際、同じ位置
における測定値と該補正データ値との演算を行って、補
正された平面度を求める。なお、前記データにおいて、
真直度は、測定開始点と測定終了点とを結ぶ直線を基準
にした際の各測定点における上下振れを示している。
【0027】図7には、本発明装置を用いてパッドを貼
り付けた定盤のそれぞれの平面度を同時に測定した時の
データの一例を示している。データの中央部はマイナス
の最大値が連続しているのは、定盤の中央部が抜けてド
ーナッツ形状をしているためである。なお、このデータ
において横軸は定盤直径方向の測定位置(mm)を、縦
軸の左側の目盛りはパッドの平面度(μm)を、右側の
目盛りは定盤の平面度(μm)をそれぞれ表している。
【0028】このように、本発明測定装置を利用するこ
とにより、定盤及び研磨パッドの平面度を同時に測定す
ることができる。その結果、加工終了後に研磨パッド及
び定盤の平面度を同時に測定し、特にパッドの平面度、
定盤の平面度及び加工されるウエハの平面度の相関を調
べることが可能となる。したがって、従来は定盤の平面
度の管理のみであったものを、実際にパッドを貼り付け
た状態で定盤及び研磨パッドの平面度を測定することに
より、両者の平面度の相関を調べ、平面度を管理するこ
とにより、より精確な平面度管理を行うことができる。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、平坦化を必要とする研
磨パッド表面形状の情報と研磨パッドが貼られた定盤の
形状情報とを非接触で同時に測定できる表面形状測定シ
ステムが得られる。そして、測定に際し、研磨パッドを
剥がしたり、研磨パッド表面のスラリーを除去したりす
ることなく定盤の表面形状情報を知ることができる。こ
の結果、定盤のみならず、定盤に研磨パッドを貼り付け
た状態での平面度の管理を行うことができ、より精度の
高いポリシング加工を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例に斜視図である。
【図2】本発明測定装置の要部拡大図である。
【図3】本発明測定手段の信号処理ブロック回路であ
る。
【図4】本発明に使用するレーザ変位センサの一例を示
す図である。
【図5】本発明装置を較正する装置の一例を示す図であ
る。
【図6】較正値データを示すグラフである。
【図7】本発明を使用して測定したパッド及び定盤の平
面度のグラフである。
【符号の説明】
1 定盤 3 研磨パッド 4 レール 7 スライダ 8 レーザ変位センサ 9 渦電流変位センサ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨パッドが貼り付けられた定盤を備え
    たポリッシング装置の研磨パッド及び定盤の表面形状を
    測定する定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置におい
    て、研磨パッド面から離間して研磨パッド面までの距離
    を測定する第1の測定手段と、前記研磨パッド面から離
    間して定盤面までの距離を測定する第2の測定手段と、
    前記第1の測定手段と前記第2の測定手段とを前記定盤
    面に平行な平面内で真直に移動させる移動手段とを備
    え、前記研磨パッド及び定盤の表面形状を同時に測定す
    ることを特徴とする定盤及び研磨パッドの表面形状測定
    装置。
  2. 【請求項2】 前記研磨パッド及び定盤の表面形状は、
    研磨パッド及び定盤の平面度であることを特徴とする請
    求項1記載の研磨パッド及び定盤の表面形状測定装置。
  3. 【請求項3】 研磨パッドが貼り付けられた定盤を備え
    たポリッシング装置の研磨パッド及び定盤の表面形状を
    測定する定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置におい
    て、研磨パッド面から離間して研磨パッド面までの距離
    を測定する第1の測定手段と、前記研磨パッド面から離
    間して定盤面までの距離を測定する第2の測定手段と、
    前記第1の測定手段と前記第2の測定手段とを前記定盤
    面に平行な平面内で真直に移動させる移動手段と、前記
    第1及び第2の測定手段が測定した距離情報及び前記第
    1及び第2の測定手段の測定位置情報に基づいて表面形
    状を求める信号処理手段とを備えことを特徴とする定盤
    及び研磨パッドの表面形状測定装置。
  4. 【請求項4】 前記第1の測定手段は、レーザ変位セン
    サであり、前記第2の測定手段は、渦電流変位センサで
    あることを特徴とする請求項1又は3記載の定盤及び研
    磨パッドの表面形状測定装置。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0829327A1 (en) * 1996-09-11 1998-03-18 Speedfam Co., Ltd. Polishing pad control method and apparatus
EP0914908A2 (en) * 1997-11-05 1999-05-12 Aplex, Inc. Polishing apparatus and method
EP0924029A1 (de) * 1997-12-18 1999-06-23 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Verfahren zum Erzielen eines möglichst linearen Verschleissverhaltens und Werkzeug mit möglichst linearem Verschleissverhalten
CN1067205C (zh) * 1997-04-14 2001-06-13 鸿友科技股份有限公司 图像处理装置
SG88734A1 (en) * 1996-08-09 2002-05-21 Memc Electronic Materials Method and apparatus for controlling flatness of polished semiconductor wafer
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
CN100357704C (zh) * 2004-10-25 2007-12-26 恩益禧电子股份有限公司 可移动型平面度测量装置
KR100789842B1 (ko) * 2006-04-27 2007-12-28 부산대학교 산학협력단 연마 패드의 형상을 측정하는 장치와, 이를 이용한 연마패드 형상 보정 방법 및 이를 이용한 화학적 기계적 연마장치
JP2008304471A (ja) * 2000-03-28 2008-12-18 Toshiba Corp 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体
JP2010173052A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Sumco Corp 研磨パッド厚測定方法、および研磨パッド厚測定装置
CN104677325A (zh) * 2015-02-14 2015-06-03 浙江大学 复杂回转件轮廓测量仪及其测量方法
JP2017072583A (ja) * 2015-08-26 2017-04-13 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute 表面測定装置及びその方法
JP2017173032A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社日進製作所 骨部材用nc加工装置
US9835449B2 (en) 2015-08-26 2017-12-05 Industrial Technology Research Institute Surface measuring device and method thereof
JP2017223633A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 住友金属鉱山株式会社 コンクリートパネル内に埋設された鉄筋の状態を測定する装置及び方法
US9970754B2 (en) 2015-08-26 2018-05-15 Industrial Technology Research Institute Surface measurement device and method thereof

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG88734A1 (en) * 1996-08-09 2002-05-21 Memc Electronic Materials Method and apparatus for controlling flatness of polished semiconductor wafer
US6040244A (en) * 1996-09-11 2000-03-21 Speedfam Co., Ltd. Polishing pad control method and apparatus
EP0829327A1 (en) * 1996-09-11 1998-03-18 Speedfam Co., Ltd. Polishing pad control method and apparatus
CN1067205C (zh) * 1997-04-14 2001-06-13 鸿友科技股份有限公司 图像处理装置
EP0914908A2 (en) * 1997-11-05 1999-05-12 Aplex, Inc. Polishing apparatus and method
EP0914908A3 (en) * 1997-11-05 2002-07-24 Aplex, Inc. Polishing apparatus and method
EP0924029A1 (de) * 1997-12-18 1999-06-23 Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Verfahren zum Erzielen eines möglichst linearen Verschleissverhaltens und Werkzeug mit möglichst linearem Verschleissverhalten
US6129609A (en) * 1997-12-18 2000-10-10 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Method for achieving a wear performance which is as linear as possible and tool having a wear performance which is as linear as possible
JP2008304471A (ja) * 2000-03-28 2008-12-18 Toshiba Corp 膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
CN100357704C (zh) * 2004-10-25 2007-12-26 恩益禧电子股份有限公司 可移动型平面度测量装置
KR100789842B1 (ko) * 2006-04-27 2007-12-28 부산대학교 산학협력단 연마 패드의 형상을 측정하는 장치와, 이를 이용한 연마패드 형상 보정 방법 및 이를 이용한 화학적 기계적 연마장치
JP2010173052A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Sumco Corp 研磨パッド厚測定方法、および研磨パッド厚測定装置
CN104677325A (zh) * 2015-02-14 2015-06-03 浙江大学 复杂回转件轮廓测量仪及其测量方法
CN104677325B (zh) * 2015-02-14 2017-05-17 浙江大学 复杂回转件轮廓测量仪及其测量方法
JP2017072583A (ja) * 2015-08-26 2017-04-13 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute 表面測定装置及びその方法
US9835449B2 (en) 2015-08-26 2017-12-05 Industrial Technology Research Institute Surface measuring device and method thereof
US9970754B2 (en) 2015-08-26 2018-05-15 Industrial Technology Research Institute Surface measurement device and method thereof
JP2019049549A (ja) * 2015-08-26 2019-03-28 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute 表面測定装置及びその方法
JP2020144148A (ja) * 2015-08-26 2020-09-10 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute 表面測定装置及びその方法
JP2017173032A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社日進製作所 骨部材用nc加工装置
JP2017223633A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 住友金属鉱山株式会社 コンクリートパネル内に埋設された鉄筋の状態を測定する装置及び方法

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