JP2003304004A - 光伝送チップ及び取付構造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ基板上に光デバイスや電子デバイスを
効率よく配置することで、チップ基板の平面寸法を削減
し、小型化する情報通信機器に搭載できる光伝送チップ
を提供することである。 【解決手段】 チップ基板２２，３２の表面側２２ａ，
３２ａにＬＥＤ２６やＰＤ３６等からなる光デバイス部
２３，３３を構成し、前記チップ基板２２，３２の裏面
側２２ｂ，３２ｂにＩＣ２８，３８等からなる電子デバ
イス部２４，３４とを構成することによって、マザーボ
ード２０に実装する平面スペースを抑えた送信側の光伝
送チップ２１及び受信側の光伝送チップ３１を形成し
た。
効率よく配置することで、チップ基板の平面寸法を削減
し、小型化する情報通信機器に搭載できる光伝送チップ
を提供することである。 【解決手段】 チップ基板２２，３２の表面側２２ａ，
３２ａにＬＥＤ２６やＰＤ３６等からなる光デバイス部
２３，３３を構成し、前記チップ基板２２，３２の裏面
側２２ｂ，３２ｂにＩＣ２８，３８等からなる電子デバ
イス部２４，３４とを構成することによって、マザーボ
ード２０に実装する平面スペースを抑えた送信側の光伝
送チップ２１及び受信側の光伝送チップ３１を形成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイス部と電
子デバイス部とを単一のチップ基板上に構成した光伝送
チップ及びその取付構造に関するものである。
子デバイス部とを単一のチップ基板上に構成した光伝送
チップ及びその取付構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光を媒介として高速通信を行うた
めの光伝送モジュール１は、図６に示すように、送信側
の光伝送チップ２と受信側の光伝送チップ３とで構成さ
れている。前記送信側の光伝送チップ２及び受信側の光
伝送チップ３は、共にガラスエポキシ等のチップ基板４
ａ，４ｂ上に光デバイス部７，１３と電子デバイス部１
０，１６をそれぞれ形成している。前記送信側の光デバ
イス部７は、発光ダイオード（ＬＥＤ５）及びこのＬＥ
Ｄ５の周囲を囲むように配設されている反射鏡６等を備
える一方、受信側の光デバイス部１３は、フォトダイオ
ード（ＰＤ１２）を備えている。また、送信側の電子デ
バイス部１０は、光を高速に伝送出力するための回路や
信号整形機能を有する増幅回路等を集積した集積回路
（ＩＣ８）及びコンデンサ等の受動部品９等を備え、一
方の受信側の電子デバイス部１６は、前記光伝送チップ
２から送出される信号を受信し、増幅や信号整形を行う
集積回路（ＩＣ１４）及びコンデンサ等の各種受動部品
１５等を備えている。そして、前記光デバイス部７，１
３及び電子デバイス部１０，１６を透明な樹脂体１１，
１７で封止している。
めの光伝送モジュール１は、図６に示すように、送信側
の光伝送チップ２と受信側の光伝送チップ３とで構成さ
れている。前記送信側の光伝送チップ２及び受信側の光
伝送チップ３は、共にガラスエポキシ等のチップ基板４
ａ，４ｂ上に光デバイス部７，１３と電子デバイス部１
０，１６をそれぞれ形成している。前記送信側の光デバ
イス部７は、発光ダイオード（ＬＥＤ５）及びこのＬＥ
Ｄ５の周囲を囲むように配設されている反射鏡６等を備
える一方、受信側の光デバイス部１３は、フォトダイオ
ード（ＰＤ１２）を備えている。また、送信側の電子デ
バイス部１０は、光を高速に伝送出力するための回路や
信号整形機能を有する増幅回路等を集積した集積回路
（ＩＣ８）及びコンデンサ等の受動部品９等を備え、一
方の受信側の電子デバイス部１６は、前記光伝送チップ
２から送出される信号を受信し、増幅や信号整形を行う
集積回路（ＩＣ１４）及びコンデンサ等の各種受動部品
１５等を備えている。そして、前記光デバイス部７，１
３及び電子デバイス部１０，１６を透明な樹脂体１１，
１７で封止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光伝送モジュール１を構成する送信側の光伝送チップ２
及び受信側の光伝送チップ３にあっては、光デバイス部
７，１３及び電子デバイス部１０，１６が一枚のチップ
基板４ａ，４ｂ面上に配置されているため、広い実装ス
ペースを必要としていた。特に、光伝送スピードの向上
に伴ってチップ基板４ａ，４ｂ上に形成される光デバイ
ス部７，１３や電子デバイス部１０，１６の構成要素で
ある集積回路やその他の電子部品点数が増加し、サイズ
の大きなチップ基板４ａ，４ｂを用意しなければならな
くなる。このため、携帯情報機器のように小型化の要請
に適合できなくなるおそれがあった。
光伝送モジュール１を構成する送信側の光伝送チップ２
及び受信側の光伝送チップ３にあっては、光デバイス部
７，１３及び電子デバイス部１０，１６が一枚のチップ
基板４ａ，４ｂ面上に配置されているため、広い実装ス
ペースを必要としていた。特に、光伝送スピードの向上
に伴ってチップ基板４ａ，４ｂ上に形成される光デバイ
ス部７，１３や電子デバイス部１０，１６の構成要素で
ある集積回路やその他の電子部品点数が増加し、サイズ
の大きなチップ基板４ａ，４ｂを用意しなければならな
くなる。このため、携帯情報機器のように小型化の要請
に適合できなくなるおそれがあった。
【０００４】そこで、本発明の第１の目的は、チップ基
板上に光デバイスや電子デバイスを効率よく配置するこ
とで、チップ基板の平面寸法を削減し、小型化する情報
通信機器に搭載できる光伝送チップを提供することであ
る。
板上に光デバイスや電子デバイスを効率よく配置するこ
とで、チップ基板の平面寸法を削減し、小型化する情報
通信機器に搭載できる光伝送チップを提供することであ
る。
【０００５】また、本発明の第２の目的は、光伝送チッ
プを実装基板に取付けたときに、実装基板から突出する
高さができるだけ薄くなるような取付構造を提供するこ
とである。
プを実装基板に取付けたときに、実装基板から突出する
高さができるだけ薄くなるような取付構造を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に係る光伝送チップは、チップ基
板と、このチップ基板の表面側に形成される光デバイス
部と、前記チップ基板の裏面側に形成される電子デバイ
ス部とを備えたことを特徴とする。
に、本発明の請求項１に係る光伝送チップは、チップ基
板と、このチップ基板の表面側に形成される光デバイス
部と、前記チップ基板の裏面側に形成される電子デバイ
ス部とを備えたことを特徴とする。
【０００７】この発明によれば、チップ基板の表面側及
び裏面側に光デバイス部及び電子デバイス部を分けて実
装しているので、従来の同一面上に光デバイス部と電子
デバイス部とを混在させて実装していたものに比べて、
チップ基板のサイズを約半分以下に抑えることができ
る。このため、実装基板（マザーボード）上に設置する
面積が小さく抑えられ、小型の情報通信機器に搭載可能
となる。
び裏面側に光デバイス部及び電子デバイス部を分けて実
装しているので、従来の同一面上に光デバイス部と電子
デバイス部とを混在させて実装していたものに比べて、
チップ基板のサイズを約半分以下に抑えることができ
る。このため、実装基板（マザーボード）上に設置する
面積が小さく抑えられ、小型の情報通信機器に搭載可能
となる。
【０００８】また、電子デバイス部をチップ基板の裏面
側に形成し、発光ダイオードやフォトダイオードのよう
な広角な指向性が要求される光デバイス部を表面側に形
成したので、光伝送効率が低下することなく送受信を行
うことができる。
側に形成し、発光ダイオードやフォトダイオードのよう
な広角な指向性が要求される光デバイス部を表面側に形
成したので、光伝送効率が低下することなく送受信を行
うことができる。
【０００９】また、予め厚板状に形成されたチップ基板
の裏面側に大きめの凹部を設け、この凹部内に電子デバ
イス部を没入させることもできる。その場合にはチップ
基板の裏面を直接にマザーボードに実装できるので、光
デバイス部及び電子デバイス部をチップ基板に立体的に
実装することが容易となる。また、チップ基板の側面が
広くなっているので、チップ基板とマザーボードとを接
続させるための側面電極の形成が容易である。
の裏面側に大きめの凹部を設け、この凹部内に電子デバ
イス部を没入させることもできる。その場合にはチップ
基板の裏面を直接にマザーボードに実装できるので、光
デバイス部及び電子デバイス部をチップ基板に立体的に
実装することが容易となる。また、チップ基板の側面が
広くなっているので、チップ基板とマザーボードとを接
続させるための側面電極の形成が容易である。
【００１０】本発明の請求項５に係る光伝送チップの取
付構造は、光伝送チップの実装基板に電子デバイス部を
落とし込む孔部を設けておき、この孔部に電子デバイス
部を落とし込むと共に孔部の周囲にチップ基板の裏面を
当接保持させることで、薄型化に対応した実装が可能と
なる。
付構造は、光伝送チップの実装基板に電子デバイス部を
落とし込む孔部を設けておき、この孔部に電子デバイス
部を落とし込むと共に孔部の周囲にチップ基板の裏面を
当接保持させることで、薄型化に対応した実装が可能と
なる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る光伝送チップの実施形態を詳細に説明する。図１
は本発明の送信側及び受信側の各光伝送チップの第１実
施形態を示す断面図であり、図２は前記送信側の光伝送
チップを示す斜視図である。
に係る光伝送チップの実施形態を詳細に説明する。図１
は本発明の送信側及び受信側の各光伝送チップの第１実
施形態を示す断面図であり、図２は前記送信側の光伝送
チップを示す斜視図である。
【００１２】この実施形態に係る光伝送チップは、図１
（ａ）に示すように、発信機能を備えた送信側の光伝送
チップ２１と、図１（ｂ）に示すように、受信機能を備
えた受信側の光伝送チップ３１との二種類がある。前記
送信側の光伝送チップ２１は、チップ基板２２の表面２
２ａに光デバイス部２３、裏面２２ｂに電子デバイス部
２４を形成している。前記チップ基板２２は、ガラスエ
ポキシやＢＴレジン（Bismaleimide Triazine Resin）
等で形成され、その表面２２ａ及び裏面２２ｂにそれぞ
れの電極パターンが形成されている。前記光デバイス部
２３は、ボンディングワイヤ１９を介して前記電極パタ
ーンと接続される発光ダイオード（ＬＥＤ２６）と、こ
のＬＥＤ２６を囲むように配置された反射鏡２７と、コ
ンデンサ等の受動部品３０とを備えた構造となってい
る。電子デバイス部２４は、光を高速に伝送制御する送
信回路（ＩＣ２８）を中心として、コンデンサや抵抗等
の受動部品が配置されている。なお、前記チップ基板２
２の表面２２ａに実装されているＬＥＤ２６等とチップ
基板２２の裏面２２ｂに実装されているＩＣ２８等と
は、後述する側面電極２９を介して接続されている。な
お、前記光デバイス部２３及び電子デバイス部２４はそ
れぞれ樹脂体２５ａ，２５ｂで封止されるが、前記樹脂
体２５ａについては光透過性を損なわないように、透明
な樹脂材が使用される。
（ａ）に示すように、発信機能を備えた送信側の光伝送
チップ２１と、図１（ｂ）に示すように、受信機能を備
えた受信側の光伝送チップ３１との二種類がある。前記
送信側の光伝送チップ２１は、チップ基板２２の表面２
２ａに光デバイス部２３、裏面２２ｂに電子デバイス部
２４を形成している。前記チップ基板２２は、ガラスエ
ポキシやＢＴレジン（Bismaleimide Triazine Resin）
等で形成され、その表面２２ａ及び裏面２２ｂにそれぞ
れの電極パターンが形成されている。前記光デバイス部
２３は、ボンディングワイヤ１９を介して前記電極パタ
ーンと接続される発光ダイオード（ＬＥＤ２６）と、こ
のＬＥＤ２６を囲むように配置された反射鏡２７と、コ
ンデンサ等の受動部品３０とを備えた構造となってい
る。電子デバイス部２４は、光を高速に伝送制御する送
信回路（ＩＣ２８）を中心として、コンデンサや抵抗等
の受動部品が配置されている。なお、前記チップ基板２
２の表面２２ａに実装されているＬＥＤ２６等とチップ
基板２２の裏面２２ｂに実装されているＩＣ２８等と
は、後述する側面電極２９を介して接続されている。な
お、前記光デバイス部２３及び電子デバイス部２４はそ
れぞれ樹脂体２５ａ，２５ｂで封止されるが、前記樹脂
体２５ａについては光透過性を損なわないように、透明
な樹脂材が使用される。
【００１３】前記光伝送チップ２１は、図２に示すよう
に、電子デバイス部２４を封止した樹脂体２５ｂの底面
をマザーボード２０上に載置し、チップ基板２２の側面
から樹脂体２５ｂの側面に沿って下方に延ばした側面電
極２９によってマザーボード２０上に形成されている電
極部１８と半田接合される。
に、電子デバイス部２４を封止した樹脂体２５ｂの底面
をマザーボード２０上に載置し、チップ基板２２の側面
から樹脂体２５ｂの側面に沿って下方に延ばした側面電
極２９によってマザーボード２０上に形成されている電
極部１８と半田接合される。
【００１４】図１（ｂ）は前記送信側の光伝送チップ２
１から送出された光による情報を受け取る受信側の光伝
送チップ３１の構造を示したものである。電極パターン
が形成されたチップ基板３２の表面３２ａにフォトダイ
オード（ＰＤ３６）を備えた光デバイス部３３を形成
し、裏面３２ｂには前記光デバイス部３３で受信する光
情報を格納及び処理する受信回路（ＩＣ３８）を備えた
電子デバイス部３４が形成されている。その他の構成要
素は前記送信側の光伝送チップ２１と同様であり、マザ
ーボード２０の電極部１８との電気的接合も前記図２と
同様にチップ基板３２の下方に延びる側面電極３９を介
して行われる。
１から送出された光による情報を受け取る受信側の光伝
送チップ３１の構造を示したものである。電極パターン
が形成されたチップ基板３２の表面３２ａにフォトダイ
オード（ＰＤ３６）を備えた光デバイス部３３を形成
し、裏面３２ｂには前記光デバイス部３３で受信する光
情報を格納及び処理する受信回路（ＩＣ３８）を備えた
電子デバイス部３４が形成されている。その他の構成要
素は前記送信側の光伝送チップ２１と同様であり、マザ
ーボード２０の電極部１８との電気的接合も前記図２と
同様にチップ基板３２の下方に延びる側面電極３９を介
して行われる。
【００１５】上記図１及び図２に示された構造の光伝送
チップ２１，３１によれば、光デバイス部２３，３３と
電子デバイス部２４，３４とを分けてチップ基板２２，
３２の表面２２ａ，３２ａ及び裏面２２ｂ，３２ｂに形
成しているので、チップ基板２２，３２の平面サイズを
従来の略半分以下に小さくすることができる。このた
め、小型の情報通信機器等にも搭載可能となる。また、
光デバイス部２３，３３をチップ基板２２，３２の表面
２２ａ，３２ａ側に形成しているので、発光及び受光面
積が広く取れて、光伝送効率を低下させることがない。
このような構造からなる光伝送チップ２１，３１をマザ
ーボード２０に実装する場合は、チップ基板２２の側面
から電子デバイス部２４の樹脂体２５ｂの側面に繋がる
側面電極２９を形成することで容易となる。なお、前記
光デバイス部２３，３３の樹脂体２５ａ，３５ａの表面
には集光性を高めるための凸レンズ部３７が形成されて
いる。
チップ２１，３１によれば、光デバイス部２３，３３と
電子デバイス部２４，３４とを分けてチップ基板２２，
３２の表面２２ａ，３２ａ及び裏面２２ｂ，３２ｂに形
成しているので、チップ基板２２，３２の平面サイズを
従来の略半分以下に小さくすることができる。このた
め、小型の情報通信機器等にも搭載可能となる。また、
光デバイス部２３，３３をチップ基板２２，３２の表面
２２ａ，３２ａ側に形成しているので、発光及び受光面
積が広く取れて、光伝送効率を低下させることがない。
このような構造からなる光伝送チップ２１，３１をマザ
ーボード２０に実装する場合は、チップ基板２２の側面
から電子デバイス部２４の樹脂体２５ｂの側面に繋がる
側面電極２９を形成することで容易となる。なお、前記
光デバイス部２３，３３の樹脂体２５ａ，３５ａの表面
には集光性を高めるための凸レンズ部３７が形成されて
いる。
【００１６】図３は本発明の第２実施形態に係る光伝送
チップ４１を示したものである。この光伝送チップ４１
は、厚板状に形成されたチップ基板４２の裏面の略中央
部に大きな凹部５０を形成し、この凹部５０内に電子デ
バイス部４４を没入させた状態で形成すると共に、凹部
５０の周縁部の裏面４２ｂをマザーボード２０の上面に
当接させて直接保持させた構造となっている。前記凹部
５０は厚く形成されたチップ基板４２の裏面を切削する
か、あるいは成形金型等を用いて一体形成される。この
ようにして形成されたチップ基板４２の凹部５０内には
ＩＣ４８やその他の受動部品類が実装され、その上を樹
脂体４５ｂで封止することによって電子デバイス部４４
が形成される。樹脂体４５ｂの上面はチップ基板４２の
裏面４２ｂと同一面にしてある。一方、チップ基板４２
の表面４２ａには前記第１実施形態の光伝送チップ２
１，３１と同様に、ＬＥＤ４６や反射鏡４７、コンデン
サ等の受動部品４９が実装され、その上方を樹脂体４５
ａで封止することによって光デバイス部４３が形成され
る。また、図４に示すように、チップ基板４２の左右両
側部にはスルーホールを含む側面電極５１が形成されて
いる。
チップ４１を示したものである。この光伝送チップ４１
は、厚板状に形成されたチップ基板４２の裏面の略中央
部に大きな凹部５０を形成し、この凹部５０内に電子デ
バイス部４４を没入させた状態で形成すると共に、凹部
５０の周縁部の裏面４２ｂをマザーボード２０の上面に
当接させて直接保持させた構造となっている。前記凹部
５０は厚く形成されたチップ基板４２の裏面を切削する
か、あるいは成形金型等を用いて一体形成される。この
ようにして形成されたチップ基板４２の凹部５０内には
ＩＣ４８やその他の受動部品類が実装され、その上を樹
脂体４５ｂで封止することによって電子デバイス部４４
が形成される。樹脂体４５ｂの上面はチップ基板４２の
裏面４２ｂと同一面にしてある。一方、チップ基板４２
の表面４２ａには前記第１実施形態の光伝送チップ２
１，３１と同様に、ＬＥＤ４６や反射鏡４７、コンデン
サ等の受動部品４９が実装され、その上方を樹脂体４５
ａで封止することによって光デバイス部４３が形成され
る。また、図４に示すように、チップ基板４２の左右両
側部にはスルーホールを含む側面電極５１が形成されて
いる。
【００１７】前記構成の光伝送チップ４１をマザーボー
ド２０に実装する場合には、チップ基板４２の裏面４２
ｂをマザーボード２０の所定箇所に載置し、マザーボー
ド２０に設けられている電極部５３と前記チップ基板４
２の側面電極５１とを半田接合することによって行われ
る。上記説明した光伝送チップ４１は送信側の構成であ
るが、これとセットで用いられる受信側の光伝送チップ
（図示せず）の構成も略同様であり、ＬＥＤ４６や反射
鏡４７がフォトダイオード（ＰＤ）に置き換わった構成
となる。
ド２０に実装する場合には、チップ基板４２の裏面４２
ｂをマザーボード２０の所定箇所に載置し、マザーボー
ド２０に設けられている電極部５３と前記チップ基板４
２の側面電極５１とを半田接合することによって行われ
る。上記説明した光伝送チップ４１は送信側の構成であ
るが、これとセットで用いられる受信側の光伝送チップ
（図示せず）の構成も略同様であり、ＬＥＤ４６や反射
鏡４７がフォトダイオード（ＰＤ）に置き換わった構成
となる。
【００１８】図５は本発明の第３実施形態に係る光伝送
チップ６１の構成及び取付構造を示したものである。こ
の光伝送チップ６１は、チップ基板６２に対して表面側
の光デバイス部６３及び裏面側の電子デバイス部６４を
小さ目に形成し、チップ基板の６２の外周部を露出させ
た構成となっている。また、光伝送チップ６１を実装す
るマザーボード２０には前記電子デバイス部６４の樹脂
体６５ｂが嵌り込む孔部６９が開設されている。さら
に、チップ基板６２に設けられる光デバイス部６３及び
電子デバイス部６４の外部電極７０は、チップ基板６２
の裏面６２ｂにも回り込むようにして設けられている。
このような構成からなる光伝送チップ６１は、電子デバ
イス部６４の樹脂体６５ｂをマザーボード２０に開設さ
れた孔部６９に落とし込み、チップ基板６２の裏面６２
ｂを前記孔部６９の外周縁に当接保持し、マザーボード
２０に設けられている電極部７１と前記チップ基板６２
の外部電極７０とを半田接合して実装される。このよう
な取付構造によって、光デバイス部６３がマザーボード
２０から突出する高さを極力抑えることができ、薄型の
情報通信機器等にも搭載可能となると共に、チップ基板
６２に安定した状態で実装できる。なお、マザーボード
２０に開設される孔部６９は、電子デバイス部６４の形
状や大きさによって適宜設定される。
チップ６１の構成及び取付構造を示したものである。こ
の光伝送チップ６１は、チップ基板６２に対して表面側
の光デバイス部６３及び裏面側の電子デバイス部６４を
小さ目に形成し、チップ基板の６２の外周部を露出させ
た構成となっている。また、光伝送チップ６１を実装す
るマザーボード２０には前記電子デバイス部６４の樹脂
体６５ｂが嵌り込む孔部６９が開設されている。さら
に、チップ基板６２に設けられる光デバイス部６３及び
電子デバイス部６４の外部電極７０は、チップ基板６２
の裏面６２ｂにも回り込むようにして設けられている。
このような構成からなる光伝送チップ６１は、電子デバ
イス部６４の樹脂体６５ｂをマザーボード２０に開設さ
れた孔部６９に落とし込み、チップ基板６２の裏面６２
ｂを前記孔部６９の外周縁に当接保持し、マザーボード
２０に設けられている電極部７１と前記チップ基板６２
の外部電極７０とを半田接合して実装される。このよう
な取付構造によって、光デバイス部６３がマザーボード
２０から突出する高さを極力抑えることができ、薄型の
情報通信機器等にも搭載可能となると共に、チップ基板
６２に安定した状態で実装できる。なお、マザーボード
２０に開設される孔部６９は、電子デバイス部６４の形
状や大きさによって適宜設定される。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光伝
送チップによれば、一枚のチップ基板の表裏両面を使用
して発光ダイオードやフォトダイオード等を備えた光デ
バイス部及びＩＣやその他の受動部品からなる電子デバ
イス部を立体的に実装しているので、チップ基板サイズ
の小型化が実現できる。このため、前記光伝送チップを
マザーボード等の実装基板に実装する際の占有面積が小
さく抑えられる。
送チップによれば、一枚のチップ基板の表裏両面を使用
して発光ダイオードやフォトダイオード等を備えた光デ
バイス部及びＩＣやその他の受動部品からなる電子デバ
イス部を立体的に実装しているので、チップ基板サイズ
の小型化が実現できる。このため、前記光伝送チップを
マザーボード等の実装基板に実装する際の占有面積が小
さく抑えられる。
【００２０】また、前記チップ基板の表面に発光ダイオ
ードやフォトダイオードのような光デバイス部を形成し
ているので、透光性が十分確保でき、光伝送効率が低下
することがない。
ードやフォトダイオードのような光デバイス部を形成し
ているので、透光性が十分確保でき、光伝送効率が低下
することがない。
【００２１】さらに、本発明に係る光伝送チップの取付
構造によれば、光伝送チップの実装基板に電子デバイス
部を落とし込む孔部を設け、この孔部に電子デバイス部
を落とし込むようにして実装したので、光デバイス部が
実装基板から突出する高さを極力抑えることができ、薄
型化に対応した実装が可能となった。
構造によれば、光伝送チップの実装基板に電子デバイス
部を落とし込む孔部を設け、この孔部に電子デバイス部
を落とし込むようにして実装したので、光デバイス部が
実装基板から突出する高さを極力抑えることができ、薄
型化に対応した実装が可能となった。
【図１】本発明に係る送信側及び受信側の光伝送チップ
の第１実施形態の断面図である。
の第１実施形態の断面図である。
【図２】上記図１の送信側の光伝送チップの斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る送信側の光伝送チップの第２実施
形態の断面図である。
形態の断面図である。
【図４】上記図３の送信側の光伝送チップの斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る送信側の光伝送チップの第３実施
形態の断面図である。
形態の断面図である。
【図６】従来の送信側及び受信側の光伝送チップの断面
図である。
図である。
２０ マザーボード
２１，３１，４１，６１ 光伝送チップ
２２，３２，４２，６２ チップ基板
２２ａ，３２ａ 表面
２２ｂ，３２ｂ 裏面
２３，３３，４３，６３ 光デバイス部
２４，３４，４４，６４ 電子デバイス部
２６，４６，６６ ＬＥＤ（発光ダイオード）
３６ ＰＤ（フォトダイオード）
２８，３８，４８，６８ ＩＣ
２９，３９，５１ 側面電極
５０ 凹部
６９ 孔部
Claims (5)
- 【請求項１】 チップ基板と、このチップ基板の表面側
に形成される光デバイス部と、前記チップ基板の裏面側
に形成される電子デバイス部とを備えたことを特徴とす
る光伝送チップ。 - 【請求項２】 前記光デバイス部は、反射鏡に取り囲ま
れた発光ダイオードを備えた光送信部材で構成されてい
る請求項１記載の光伝送チップ。 - 【請求項３】 前記光デバイス部は、フォトダイオード
を備えた光受信部材で構成されている請求項１記載の光
伝送チップ。 - 【請求項４】 前記電子デバイス部は、チップ基板の裏
面に形成された凹部内に没入された状態で形成されてな
る請求項１記載の光伝送チップ。 - 【請求項５】 請求項１記載の光伝送チップを取付ける
ための実装基板に孔部を開設し、この孔部に光伝送チッ
プの電子デバイス部を落とし込むと共に孔部の周囲にチ
ップ基板の裏面を当接保持させてなる光伝送チップの取
付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002109556A JP2003304004A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 光伝送チップ及び取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002109556A JP2003304004A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 光伝送チップ及び取付構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003304004A true JP2003304004A (ja) | 2003-10-24 |
Family
ID=29392986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002109556A Pending JP2003304004A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 光伝送チップ及び取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003304004A (ja) |
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-
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- 2002-04-11 JP JP2002109556A patent/JP2003304004A/ja active Pending
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