JP2003249842A - 分波器及びこれを用いた電子装置 - Google Patents
分波器及びこれを用いた電子装置Info
- Publication number
- JP2003249842A JP2003249842A JP2002134770A JP2002134770A JP2003249842A JP 2003249842 A JP2003249842 A JP 2003249842A JP 2002134770 A JP2002134770 A JP 2002134770A JP 2002134770 A JP2002134770 A JP 2002134770A JP 2003249842 A JP2003249842 A JP 2003249842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- duplexer
- layer
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
- H03H9/0066—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel
- H03H9/0076—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel the balanced terminals being on opposite sides of the tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0085—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
- H03H9/6476—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the tracks being electrically parallel
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
波フィルタを用いて耐電力性とフィルタ特性の両方を改
善した分波器を実現する。 【解決手段】 異なる帯域中心周波数を有する2つの弾
性表面波フィルタ(32、33)と、該2つの弾性表面
波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とを
有する分波器において、一方の弾性表面波フィルタはラ
ダー型弾性表面波フィルタ(32)で、他方の弾性表面
波フィルタは並列に接続された複数の2重モード型弾性
表面波フィルタ(33)で構成される。
Description
表面波フィルタを用いて構成される分波器に関する。
て携帯電話、携帯情報端末等が急速に普及しており、こ
れら端末の小型・高性能化の競争が各メーカ間で行なわ
れている。また、携帯電話のシステムもアナログとディ
ジタルの両方が用いられ、使用周波数も800MHz〜
1GHz帯と1.5GHz〜2.0GHz帯と多岐にわ
たっている。
テムの多様化によりデュアルモード(アナログとディジ
タルの併用、ディジタルのTDMA:時間分割変調方
式、とCDMAコード分割変調方式の併用)あるいはデ
ュアルバンド(800MHz帯と1.9GHz帯、90
0MHz帯と1.8GHz帯又は1.5GHz帯の併
用)化を行なうことで端末を高機能化することが行なわ
れている。これらに用いられる部品も高機能化が求めら
れいろいろな開発がなされている。一方、機能以外に小
型且つ低コスト化の要求も当然のように求められてい
る。
岐、生成する目的で分波器が用いられる。分波器は一般
に、フィルタとインピーダンス整合回路とを具備する。
フィルタは誘電体を用いた帯域通過フィルタ、帯域阻止
フィルタ、あるいはこれらの組み合わせにより構成され
たものが多い。しかしながら、最近は、より小型化、高
性能化のために弾性表面波フィルタを用いたものが研
究、開発されている。
て、同図(a)は分波器の構成を示すブロック図、同図
(b)は分波器の周波数特性を示す図である。なお、図
(b)の横軸は周波数(右に向かって周波数が高くな
る)、縦軸は通過強度(上に向かって高くなる)であ
る。図(a)に示すように、分波器10は2つのフィル
タ12、13、インピーダンス整合回路(以下、単に整
合回路という)11、共通端子14、及び個別端子15
及び16を有する。フィルタ12と13は弾性表面波フ
ィルタで構成され、夫々互いに異なる通過帯域中心周波
数F1、F2を持つ(F2>F1)。例えば、フィルタ
12は送信用フィルタであり、フィルタ13は受信用フ
ィルタである(以下、フィルタ12と13を夫々送信用
フィルタ及び受信用フィルタを称する場合がある)。例
えば、1.9GHz帯の分波器では、F1とF2の周波
数差は約100MHzである。
ィルタ特性を互いに劣化させないようにするために設け
られている。今、共通端子14からフィルタ12を見た
場合の特性インピーダンスをZ1、フィルタ13を見た
場合の特性インピーダンスをZ2とする。整合回路11
の作用により、共通端子14から入力する信号の周波数
がF1の場合はフィルタ12側の特性インピーダンスZ
1は共通端子14の特性インピーダンス値と一致し、フ
ィルタ13側の特性インピーダンスは無限大であってか
つ反射係数は1となる。また、信号の周波数がF2の場
合はフィルタ12側の特性インピーダンスは無限大かつ
反射係数は1、フィルタ13の特性インピーダンスZ2
は共通端子14の特性インピーダンスと一致する。
開平10−126213号公報、特開2001−267
881号公報に、弾性表面波フィルタを用いた分波器の
記載がある。このうち、特開平6−310979号公
報、特開平10−126213号公報には、整合回路に
関する改善が提案されている。また、特開2001−2
67881号公報には、ラダー型弾性表面波フィルタや
2重モード型弾性表面波フィルタ、更には分波器を有す
る無線装置の高周波回路について記載がある。また、分
波器ではなくデュアルバンドフィルタとして、ラダー型
弾性表面波フィルタと2重モード型弾性表面波フィルタ
を組み合わせて用いることが特開平11−340772
号に開示されている。
側ともラダー型弾性表面波フィルタを使用した分波器も
知られている。ラダー型弾性表面波フィルタを構成する
各共振器20は1ポート弾性表面波共振器であって、イ
ンターディジタルトランスデューサ21と、その両側に
設けた反射器22、23とからなる。
6−310979号公報、特開平10−126213号
公報には整合回路についての改善は説明されているもの
の、分波器の送信側及び受信フィルタの詳細については
説明されていない。また、特開2001−267881
号公報には、ラダー型弾性表面波フィルタや2重モード
型弾性表面波フィルタの説明がされているものの、分波
器として求められる耐電力性と弾性表面波フィルタとの
関係や、分波器の送信帯域及び受信帯域と弾性表面波フ
ィルタとの関係については記載されていない。
の弾性表面波フィルタは、2つの通過中心周波数が2倍
や4倍と大きく異なる場合を前提としており、一方のフ
ィルタ特性立ち上がり(又は立ち下り)が他方のフィル
タ特性の立ち下り(又は立ち上がり)に影響を与える分
波器を前提とするものではない。
楕円部分に示すように、送信フィルタ12の通過帯域と
重なる受信フィルタ13の低周波数側抑圧度が高いとは
言えず、送信帯域に干渉してしまう。
波フィルタを用いて耐電力性とフィルタ特性の両方を改
善した分波器を実現することを目的とする。
に、本発明は請求項1に記載のように、異なる帯域中心
周波数を有する2つの弾性表面波フィルタと、該2つの
弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用
回路とを有する分波器において、一方の弾性表面波フィ
ルタはラダー型弾性表面波フィルタで、他方の弾性表面
波フィルタは並列に接続された複数の2重モード型弾性
表面波フィルタであることを特徴とする。ラダー型弾性
表面波フィルタは耐電力性に優れかつ立下りが急峻であ
る。これに対し、2重モード型弾性表面波フィルタは立
ち上がりが急峻であるという本来の特性に加え、2重モ
ード型弾性表面波フィルタを複数個並列に接続している
ため、挿入損失及び耐電力性が大幅に改善された良好な
分波器のフィルタ特性を実現することができる。特に、
耐電力性の向上により、2重モード型弾性表面波はフィ
ルタを分波器のフロントエンド(共通端子に接続する初
段のフィルタ)に配置することが可能になる。
求項1に記載の前記複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタは単一の出力を有する。
請求項1に記載の前記複数の2重モード型弾性表面波フ
ィルタはバランス出力を有する。バランス出力により、
分波器の後段の電子回路を含め、分波器が搭載される電
子機器の設計が容易になる。
1から3のいずれか一項記載の分波器において、前記ラ
ダー型弾性表面波デバイスを送信側に設け、前記複数の
2重モード型弾性表面波デバイスを受信側に設ける。こ
れにより、送信フィルタの通過帯域の立下りが急峻で、
受信フィルタの通過帯域の立ち上がりが急峻でかつ挿入
損失及び耐電力性が大幅に改善された分波器のフィルタ
特性を実現することができる。
異なる帯域中心周波数を有する2つの弾性表面波フィル
タと、該2つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合さ
せる位相整合用回路とを有する分波器において、一方の
弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタであ
り、他方の弾性表面波フィルタは並列に接続された複数
の2重モード型弾性表面波フィルタを複数段カスケード
接続したことを特徴とする。カスケード接続により、受
信フィルタの低周波数側の抑圧及び耐電力性を更に改善
することができる。
終段の並列接続された複数の2重モード型弾性表面波フ
ィルタは、単一の出力を有する。
請求項5に記載の分波器において、最終段の並列接続さ
れた複数の2重モード型弾性表面波フィルタはバランス
出力を有する。
求項5から8のいずれか一項記載の分波器において、前
記ラダー型弾性表面波デバイスを送信側に設け、前記複
数段カスケード接続した前記複数の2重モード型弾性表
面波デバイスを受信側に設ける。
1から9のいずれか一項記載の分波器において、前記分
波器の共通端子に接続された前記ラダー型弾性表面波フ
ィルタの共振器は、直列共振器であることを特徴とす
る。これにより、送信フィルタの受信帯域のインピーダ
ンスが大きくなり、受信フィルタの挿入損失を向上する
ことができる。
前記2つの弾性表面波フィルタの通過帯域の一方の立ち
上がりの少なくとも一部と他方の立下りの少なくとも一
部が、重なり合っている。2つの弾性表面波フィルタの
通過帯域の関係の一例である。
に、異なる帯域中心周波数を有する2つの弾性表面波フ
ィルタと、該2つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整
合させる位相整合用回路を積層パッケージに収容し、一
方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタ
で、他方の弾性表面波フィルタは並列に接続された複数
の2重モード型弾性表面波フィルタを少なくとも1段含
むことを特徴とする分波器である。
請求項12に記載の分波器において、前記位相整合用回
路は線路パターンである。線路パターンは製造上のばら
つきが少ないので、安定したフィルタ特性を得ることが
できる。
請求項12記載の分波器において、前記他の弾性表面波
フィルタに対する前記位相整合用回路は線路パターンで
あり、その長さは0.25λ〜0.34λ(ただし、λ
は前記2重モード型弾性表面波フィルタを伝搬する弾性
表面波の波長)の範囲内である。
請求項12記載の分波器において、前記他方の弾性表面
波フィルタは、前記並列に接続された複数の2重モード
型弾性表面波フィルタを2段カスケード接続した構成を
有し、2重モード型弾性表面波フィルタのグランドを共
通化は、前記積層パッケージ内の中間層以外で形成され
る。これにより、帯域外抑圧を向上させることができ
る。
請求項12記載の分波器において、前記他方の弾性表面
波フィルタは、前記並列に接続された複数の2重モード
型弾性表面波フィルタを2段カスケード接続した構成を
有し、前記積層パッケージ内のワイヤボンディングパッ
ド層は、1段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグ
ランドにワイヤボンディングで接続される第1のパッド
と、2段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグラン
ドにワイヤボンディングで接続される第2のパッドとを
有し、前記第1及び第2のパッドは前記ワイヤボンディ
ングパッド層において独立したグランドである。これに
より、帯域外抑圧を向上させることができる。
請求項12記載の分波器において、前記他方の弾性表面
波フィルタは、前記並列に接続された複数の2重モード
型弾性表面波フィルタを2段カスケード接続した構成を
有し、1段目と2段目の2重モード型弾性表面波フィル
タのグランドは、前記積層パッケージ上面を形成する第
1の層及び共通グランドを形成する第2の層とで共通化
される。これにより、帯域外抑圧を向上させることがで
きるとともに、外部ノイズの影響を受け難くくすること
ができる。
請求項12記載の分波器において、前記他方の弾性表面
波フィルタは、前記並列に接続された複数の2重モード
型弾性表面波フィルタを2段カスケード接続した構成を
有し、1段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグラ
ンドにワイヤボンディングで接続される第1のパッド
と、2段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグラン
ドにワイヤボンディングで接続される第2のパッドはそ
れぞれ、前記積層パッケージの外面に形成される複数の
外部接続端子に接続されている。これにより、分波器の
グランドが強化され、インダクタンス成分を減少させる
ことができ、帯域外抑圧を向上させることができる。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
を構成する各層は、前記積層パッケージの外面に形成さ
れるグランド端子に接続されるグランドパターンを有す
る。これにより、分波器のグランドが強化され、インダ
クタンス成分を減少させることができ、帯域外抑圧を向
上させることができる。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
内の中間層はそれぞれ、前記積層パッケージの外面に形
成されるグランド端子に接続されるグランドパターンを
有し、各グランドパターンは前記積層パッケージに形成
される信号線パターン及び該信号線パターンに接続する
ボンディングパッドと重ならないように配置されてい
る。これにより、キャパシタンス成分を減少させ、イン
ピーダンスマッチングを向上させることができる。
請求項12記載の分波器において、前記異なる帯域中心
周波数を有する2つの弾性表面波フィルタは1つのチッ
プ上に形成され、前記他方の弾性表面波フィルタは前記
並列に接続された複数の2重モード型弾性表面波フィル
タを2段カスケード接続した構成を有し、各段のグラン
ドは前記チップ以外で共通化されている。これにより、
帯域外抑圧を向上させることができる。
請求項12記載の分波器において、前記分波器は前記一
方の弾性表面波フィルタを形成する第1のチップと、前
記他方の弾性表面波フィルタを形成する第2のチップと
を有し、前記他方の弾性表面波フィルタは前記並列に接
続された複数の2重モード型弾性表面波フィルタを2段
カスケード接続した構成を有し、各段のグランドは前記
チップ以外で共通化されている。これにより、帯域外抑
圧を向上させることができる。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
は共通グランドを形成する層を含み、該共通グランドは
前記積層パッケージの側面に形成された複数の接続路及
び前記積層パッケージ内に形成された複数のビアを介し
て、前記積層パッケージの外面に形成されている複数の
外部接続端子に接続されている。これにより、分波器の
グランドが強化され、インダクタンス成分を減少させ、
帯域外抑圧を向上させることができる。なお、本請求項
に係る発明の一実施形態は、後述する第6実施形態であ
る。
請求項12記載の分波器において、前記他方の弾性表面
波フィルタは、前記並列に接続された複数の2重モード
型弾性表面波フィルタを2段カスケード接続した構成を
有し、前記積層パッケージは共通グランド層を含み、該
共通グランド層は前記他の弾性表面波フィルタの1段目
のグランド面を形成する第1の共通グランドパターン
と、2段目のグランド面を形成する第2の共通グランド
パターンを有する。これにより、帯域外抑圧を減少させ
ることができるとともに、外部ノイズの影響を受け難く
することができる。なお、本請求項に係る発明の一実施
形態は、後述する第7実施形態である。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
はワイヤボンディングパッドを有する第1の層と、該第
1の層の上部に設けられ、かつリング状のグランドパタ
ーンを有する第2の層とを有し、前記ワイヤボンディン
グパッドのうちグランドとなるパッドと前記リング状の
グランドパターンとは前記積層パッケージ内に形成され
た複数のビアで接続される。分波器のグランドがより強
化され、インダクタンス成分が減少して、帯域外抑圧を
より一層向上することができる。なお、本請求項に係る
発明の一実施形態は、後述する第8実施形態である。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
はワイヤボンディングパッドを有する第1の層と、前記
位相整合用回路が形成される第2の層とを有し、前記第
1の層は更に別の位相整合用回路を有し、該別の位相整
合用回路は前記積層パッケージ内に形成されたビアを介
して前記第2の層に形成された前記位相整合用回路に接
続される。これにより、分波器のインピーダンスを複数
箇所で調整することができ、インピーダンスマッチング
を向上させることができる。この結果、分波器の挿入損
失は向上する。なお、本請求項に係る発明の一実施形態
は、後述する第9実施形態である。
請求項26記載の分波器において、前記別の位相整合用
回路は、前記分波器の共通端子と前記2つの弾性表面波
フィルタとの間に接続されている。
請求項12記載の分波器において、前記別の位相整合用
回路は線路パターンを有し、前記ビアは前記線路パター
ンの途中に形成されている。これにより、分波器のイン
ピーダンスを複数箇所で調整することができ、インピー
ダンスマッチングを向上させることができる。この結
果、分波器の挿入損失は向上する。なお、本請求項に係
る発明の一実施形態は、後述する第10実施形態であ
る。
請求項12記載の分波器において、前記積層パターン
は、前記位相整合用回路が形成される第1の層と、共通
グランドが形成される第2の層とを有し、該共通グラン
ドは前記位相整合用回路全体を覆うように配置されてい
る。これにより、分波器の特性インピーダンスを容易に
所望の値に設定することができる。なお、本請求項に係
る一実施形態は、後述する第11実施形態である。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
は、ワイヤボンディングパッドを有する第1の層と、前
記位相整合用回路を形成する位相整合用線路パターンが
形成される第2の層とを有し、前記ワイヤボンディング
パッドは前記積層パッケージに形成された複数のビアを
介して前記位相整合用線路パターンの両端に接続される
ワイヤボンディングパッドを含む。これにより、ビアの
抵抗値を全体として低減させることができ、分波器の挿
入損失は低減する。なお、本請求項に係る一実施形態
は、後述する第12実施形態である。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
は、前記2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダイア
タッチ部が形成される層を有し、該ダイアタッチ部は前
記2つの弾性表面波フィルタが形成される少なくとも1
つのチップの面積よりも広い面積を有する。これによ
り、チップの位置ずれがあってもチップの搭載面全面に
グランド面を提供することができる。なお、本請求項に
係る一実施形態は、後述する第13実施形態である。
請求項31記載の分波器において、前記ダイアタッチ部
は複数の引き出しパターンを有し、該複数の引き出しパ
ターンは前記積層パッケージの側面に形成された接続路
に接続され、かつ200μm以上の幅を有する。これに
よりグランドが一層強化され、帯域外抑圧がより一層向
上する。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
は、ワイヤボンディングパッドを有する第1の層と、前
記2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダイアタッチ
部が形成される第2の層を有し、前記ダイアタッチ部は
前記積層パッケージに形成された複数のビア及び前記積
層パッケージの側面に形成された複数の接続路を介し
て、前記ワイヤボンディングパッドのうちのグランドに
係るワイヤボンディングパッドに接続されている。これ
によりグランドが一層強化され、帯域外抑圧がより一層
向上する。なお、本請求項に係る一実施形態は、後述す
る第14実施形態である。
請求項12記載の分波器において、前記積層パッケージ
は、前記2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダイア
タッチ部が形成される第1の層と、共通グランドが形成
される第2の層とを有し、前記ダイアタッチ部は前記積
層パッケージに形成された複数のビア及び前記積層パッ
ケージの側面に形成された複数の接続路を介して、前記
共通グランドに接続されている。これによりグランドが
一層強化され、帯域外抑圧がより一層向上する。なお、
本請求項に係る一実施形態は、後述する第15実施形態
である。
項12から34のいずれか一項記載の分波器において、
前記他方の弾性表面波フィルタの最終段は、バランス出
力を有する。
に、アンテナと、これに接続される分波器と、該分波器
に接続される送信系及び受信系回路とを具備し、前記分
波器は請求項1から35のいずれか一項記載の分波器で
ある。
図面を参照して説明する。
施形態による分波器を示す図である。なお、図4中、前
述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付し
てある。図示する分波器は、ラダー型弾性表面波フィル
タ32と縦結合2重モード型弾性表面波フィルタ33を
有する。ラダー型弾性表面波フィルタ32は分波器の送
信フィルタであり、縦結合2重モード型弾性表面波フィ
ルタ33は受信フィルタである。これらのフィルタ32
と33は異なる帯域中心周波数を有する。ラダー型弾性
表面波フィルタ32の一端は共通端子14に接続され、
他端は個別端子(送信側端子)15に接続されている。
同様に、縦結合2重モード型弾性表面波フィルタ33の
一端は整合回路11を介して共通端子14に接続され、
他端は個別端子(受信側端子)16に接続されている。
が複数の1ポート弾性表面波共振器20をラダー型に接
続したラダー型弾性表面波フィルタ32であるのに対
し、受信フィルタが縦結合2重モード型弾性表面波フィ
ルタ33で構成されている点にある。以下、ラダー型弾
性表面波フィルタ32を送信フィルタといい、縦結合2
重モード型弾性表面波フィルタ33を受信フィルタとい
う。
弾性表面波フィルタ(図4の実施形態では、2つの2重
モード型弾性表面波フィルタ34と35:以下、DMS
(Dual Mode SAW)フィルタと略す)を並
列に接続した回路構成である。DMSフィルタ34と3
5の各々は、例えば、3つのインターディジタルトラン
スデューサ(以下、IDTと略す)36、37及び38
と、2つの反射器39と40を有する。なお、便宜上、
DMSフィルタ35の各部の参照番号を省略してある。
IDT36、37及び38は弾性表面波の伝搬方向に隣
り合うように配置される。反射器39と40は例えばグ
レーティング反射器であって、IDT39と40に隣り
合うように配置されている。DMSフィルタ35も同様
に構成されている。
ように並列に接続されている。DMSフィルタ34と3
5の夫々のIDT36の一方のすだれ状電極(くしの歯
状電極などとも呼ばれる)は共通に接続され、整合回路
11の一端に接続されており、他方のすだれ状電極は接
地されている。DMSフィルタ34のIDT37と38
の夫々の一方のすだれ状電極は相互に接続され、更に同
様に接続されたDMSフィルタ35のIDT37と38
の夫々の一方のすだれ状電極に接続されているととも
に、受信側端子16に接続されている。IDT37と3
8の他方の電極は接地されている。
ルタを2個並列に接続した構成との特性の違いを説明す
る図である。DMSフィルタはラダー型フィルタに比べ
IDTの対数が極端に少なく、IDT電極指の抵抗によ
る挿入損失の増大が顕著に現れる。特に、周波数が高い
(図示の例では1.9GHz帯)場合、電極幅が0.5
μmと微細になるため、挿入損失は極めて大きい。そこ
で、図に示すように、開口長を半分にしたDMSフィル
タを2個並列に接続することで、電極指の抵抗値が1/
4に低減し、挿入損失を1.2dB低減することができ
た。一般に、開口長を1/NにしたものをN個並列接続
すれば、電極指抵抗は1/(N×N)になるので、抵抗
による挿入損失の増加が見えなくなるまで並列接続する
個数を増やせばよい。
成例では2個)並列に接続することによって高電力を分
散させ、DMSフィルタ1個のかかる電力を低減し、分
波器に十分適用できる耐電力性を確保することができ
る。なお、耐電力性については、更に後述する。更に、
共通端子14に接続される送信フィルタ32の弾性表面
波共振器は、直列腕に設けられた直列共振器なので、送
信フィルタの受信帯域のインピーダンスが大きくなり、
受信フィルタの挿入損失を向上することができる。
心周波数F1と受信フィルタ33の帯域中心周波数F2
とはF1<F2であって、ラダー型弾性表面波フィルタ
を用いた送信フィルタ32の通過帯域の立ち下がりと、
受信フィルタ33の立ち上がりの少なくとも一部が重な
り合っているものであった。これに対し、F1>F2の
関係であっても受信フィルタ33の挿入損失及び耐電力
性が大幅に改善された分波器を実現することができる。
2つに限定されるものではなく、3個以上のDMSフィ
ルタを並列に接続する構成であっても良い。この点は、
更に後述する。
の圧電材料を所定の角度で切り出した基板(例えば42
°YカットX伝搬)上に、Alを主成分とする合金やそ
の多層膜をスパッタにより形成し、露光、エッチングに
よりパターンを形成したものである。基板は送信フィル
タ32と受信フィルタ33と別々であってもよいし、共
通であってもよい。上記の点は、他の実施形態について
も同様である。
施形態に係る分波器を示す図である。図中、前述した構
成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
図6に示す分波器は、第1実施形態に係る分波器の受信
フィルタ33をバランス(差動)出力となるように接続
を変えたものである。この受信フィルタを、図6では受
信フィルタ45として示す。図4で接地されていたID
T37のすだれ状電極をDMSフィルタ34と35間で
相互に接続するとともに、新たに設けた受信側端子46
に接続する。この受信側端子46ともう一つの受信側端
子16とを介して、バランス出力が得られる。
である。図6の分波器を、図7では分波器100として
示してある。図7に受信信号1、受信信号2として示す
ように、バランス出力は同振幅で逆位相の信号出力であ
る。バランス出力により、携帯電話などの電子機器の電
気回路設計が容易になる。特に、分波器は後段のICに
接続されるため、位相が180°異なる2つの受信信号
を出力できる構成は単一出力よりも有利である。
施形態に係る分波器を示す図である。図中、前述した構
成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
本実施形態の受信フィルタ50は、並列に接続された
複数のDMSフィルタを複数段カスケード接続した構成
の一実施形態である。図8の例では、受信フィルタ50
は並列に接続された2つのDMSフィルタ34、35を
2段カスケード接続したものである。図8では、2段目
の並列に接続された2つのDMSフィルタを参照番号5
1、52で示してある。DMSフィルタ34と51のす
だれ状電極37同士が図示するように接続され、すだれ
状電極38同士が図示するように接続されている。な
お、便宜上、DMSフィルタ34のDMSフィルタのみ
参照番号を付してある。また同様にして、IDT35と
52のすだれ状電極同士が図示するように接続されてい
る。
波器のフィルタ特性を示す。図示する特性は、送信フィ
ルタ32の帯域中心周波数F1と受信フィルタ50の帯
域中心周波数F2とがF1<F2の関係にある場合の特
性である。公知のように、ラダー型弾性表面波フィルタ
は耐電力性に優れかつ立下りが急峻である。これに対
し、本実施形態のDMSフィルタは立ち上がりが急峻で
あるというDMSフィルタ本来の特性に加え、DMSフ
ィルタを複数個並列に接続しかつカスケード接続してい
るため、挿入損失及び耐電力性を大幅に改善することが
できる。このため、図9に示すように、受信フィルタ3
3の通過帯域の立ち上がり(低周波数側)がラダー型弾
性表面波フィルタを用いた場合にくらべ急峻で、しかも
挿入損失を改善しつつ送信フィルタ32側の抑圧を改善
することができる。
心周波数F1と受信フィルタ50の帯域中心周波数F2
とはF1<F2であって、送信フィルタ32の通過帯域
の立ち上がりと、DMSフィルタ50の立下りの少なく
とも一部が重なり合っているものであった。これに対
し、F1>F2の関係であっても受信フィルタ50の挿
入損失及び耐電力性が大幅に改善された分波器を実現す
ることができる。
を増やすことによる耐電力性の向上について、図10を
参照して説明する。
験を行った。実験では、送信端子15から電力を印加し
て、共通端子14から出力信号を取り出した。送信フィ
ルタ32に電力をかけているので、正常な耐電力試験で
は、ある程度の時間が経てば、先に送信フィルタ32が
破壊される(正常な耐電力試験結果)。しかし、図8に
示す構成で耐電力試験を行ったところ、受信フィルタ5
0が先に破壊してしまった(図10(a))。これは、
送信フィルタ32と受信フィルタ50との間のわずかな
インピーダンスの不整合により、受信フィルタ50にも
電力がもれ、この漏れた電力により、受信フィルタ50
が先に破壊してしまったことを意味する。
させるために、3個並列接続にしたDMSフィルタをカ
スケード接続した。各DMSフィルタの開口長は単体D
MSフィルタの1/3倍である。この結果、DMSフィ
ルタ1個にかかる電力が低減し、耐電力性が向上した
(図10(b))。
フィルタに用いる場合は、少なくとも単体DMSフィル
タ又は単体DMSフィルタのカスケード接続では耐電力
性の面から不適切で、複数個並列接続する必要があると
いえる。
実施形態に係る分波器を示す図である。図中、前述した
構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してあ
る。図11に示す分波器は、第3実施形態に係る分波器
の受信フィルタ50をバランス(差動)出力となるよう
に接続を変えたものである。この受信フィルタを、図1
1では受信フィルタ55として示す。図8で接地されて
いたIDT36のすだれ状電極をDMSフィルタ51と
52間で相互に接続するとともに、新たに設けた受信側
端子46に接続する。この受信側端子46ともう一つの
受信側端子16とを介して、バランス出力が得られる。
第5実施形態による分波器の縦断面図、図12(b)は
図12(a)に示すキャップ67を取り外した分波器の
平面図である。本実施形態は、上記第1〜第5実施形態
の構成のいずれかを持つ分波器をパッケージ化したもの
である。以下に説明するパッケージは、上記第1〜第5
実施形態の構成以外の分波器にも同様に適用できるもの
である。
ージ60、チップ69、位相整合用線路パターン72及
びキャップ67を有する。積層パッケージ60は、5つ
の層61〜65が図示するように積層されている。層6
1はキャップ搭載層である。層62はワイヤボンディン
グパッド層である。層63はダイアタッチ層である。層
64は位相整合用線路パターン層である。層65は共通
グランド/フットパッド層である。これらの層61〜6
5の各々は、例えば比誘電率(ε)が9.5程度のアル
ミナやガラスセラミクスの材料で作製されている。キャ
ップ搭載層61とワイヤボンディングパッド層62と
は、パッケージ内部に階段状部分を形成する。この階段
状の空間が、チップ69を収容する凹部を形成してい
る。チップ69は、この凹部内に収容されている。チッ
プ69は単一の場合と複数(例えば2つ)の場合があ
る。単一の場合には、送信側と受信側のフィルタが単一
の圧電基板上に形成される。これに対し、例えば2つの
チップ69を用いた場合には、一方のチップに送信側フ
ィルタが形成され、他方のチップに受信側フィルタが形
成される。以下、第5実施形態は単一のチップ69を用
いているものとして説明する。チップ69は、接着剤と
して機能する導電性接着剤71を用いてダイアタッチ層
63上に形成されたダイアタッチ部70上に固定されて
いる。ダイアタッチ部70はチップ搭載面を形成し、例
えばAlなどの導電性材料で作製されている。なお、積
層パッケージの寸法は例えば、約5mm×5mm×1.
5mm又は、3.8mm×3.8mm×1.5mmであ
る(1.5mmはパッケージの高さ(厚み)である)。
が取り付けられている。図13(a)は、図12
(a)、(b)に示す分波器の平面図である。キャップ
67は、チップ69を密封封止する。キャップ67はA
uメッキあるいはNiメッキなどの金属材料で作られて
いる。また、積層パッケージ60の側面には、半円状の
溝83が形成されている。図示する例では、この溝83
は一側面当り3つ形成されている。これらの溝は、キャ
ップ搭載層61から共通グランド/フットパッド層65
まで連続している。溝83には導電層が設けられ、接続
路(サイドキャステレーション)75(図12(a))
が形成されている。接続路75は層間の導通を形成する
とともに、外部接続端子としても用いることができる。
なお、図示されている[GND共通化]については後述
する。
67を外した状態の平面図である。キャップ67を外す
と、チップ69、キャップ搭載層61及びワイヤボンデ
ィングパッド層62の一部が現れる。図12(b)に示
すように、キャップ搭載層61上には、Alなどの導電
材料で形成されたシールリング74が形成されている。
キャップ67はシールリング74上に搭載される。ま
た、キャップ搭載層61は中央に開口部73を有する。
この開口部73は、チップ69を収容するキャビティを
形成する。シールリング74は、積層パッケージ60の
各側面の中央に位置する合計4つの接続路75を除く各
接続路75に接続されている。
ー型弾性表面波フィルタとDMSフィルタとを形成す
る。例えば、チップ69は、図8に示すラダー型弾性表
面波フィルタ32とDMSフィルタ50を形成する。例
えば、ラダー型弾性表面波フィルタ32は送信フィルタ
であり、DMSフィルタ50は受信フィルタである。参
照番号77で示す複数個のブロックがラダー型弾性表面
波フィルタ32の共振器(電極及び反射器のパターン)
を模式的に示し、参照番号78で示す複数個のブロック
がDMSフィルタ50の共振器(電極及び反射器のパタ
ーン)を模式的に示す。これらの共振器は、基板上に形
成された配線パタ−ンを介して図8に示すように配線さ
れるとともに、チップ69の基板上に形成された複数の
ワイヤボンディングパッド79に接続されている。基板
材料は例えば、LiTaO3(例えば42°YカットX
伝搬)などの圧電単結晶で作製されている。基板上に形
成される電極は例えば、Alを主成分とする合金(Al
−Cu、Al−Mgなど)及びその多層膜(例えば、A
l−Cu/Cu/Al−Cu、Al/Cu/Al、Al
/Mg/Al、Al−Mg/Mg/Al−Mg)をスパ
ッタにより形成し、露光、エッチングによりパターンニ
ングして形成する。
ィングワイヤ68を用いて、ワイヤボンディングパッド
層62上に形成された複数のワイヤボンディングパッド
80に接続されている。ボンディングワイヤ68は例え
ば、Al−Siで形成されている。また、いくつかのワ
イヤボンディングパッド79には、他の層との電気的接
続を形成するためのビア861〜864が設けられてい
る。
ィングパッド層62は、その中央に開口部84を有す
る。開口部84は、キャップ搭載層61の開口部73よ
りも小さい。開口部84の対向する2辺にそって、それ
ぞれ複数のワイヤボンディングパッド79が配列されて
いる。ワイヤボンディングパッド79にはまた、図示す
る配線パターンが形成されている。
グパッド層62との接続関係を示す平面図である。図1
4に示す参照番号751〜7512は、12個の接続路
(サイドキャステレーション)75を示す。なお、参照
番号751〜7512に添付の語句は、対応する接続路の
機能を説明している。接続路751と752は、DMSフ
ィルタ50の1段目(図8のDMSフィルタ34と35
で形成される段)のグランドを形成する。接続路753
は、図8に示す送信側端子15のフットキャステレーシ
ョン(後述するフットパッドで形成される)との接続を
形成する。接続路754は、ラダー型弾性表面波フィル
タ32のグランドを形成する。接続路755は、DMS
フィルタ50の1段目のグランド、又はラダー型弾性表
面波フィルタ32のグランドを形成する。接続路756
は、図8に示す共通端子(アンテナ端子)14のフット
キャステレーションとの接続を形成する。接続路757
と758は、DMSフィルタ50の2段目(図8のDM
Sフィルタ51と52で形成される段)のグランドを形
成する。接続路759は、図8に示す受信側端子16の
フットキャステレーションとの接続を形成する。接続路
7510と7511は、DMSフィルタ50の2段目のグラ
ンドを形成する。接続路7512は、ワイヤボンディング
パッド層62のパターンには接続されていない。
目のグランドは複数の接続路(換言すれば、後述するフ
ットパッドで形成される外部接続端子)751、75
2(75 5を含めてもよい)に接続され、またDMSフ
ィルタ50の2段目のグランドは別の複数の接続路(外
部接続端子)757、758、7510、7511に接続さ
れている。これによりグランドを強化して、インダクタ
ンス成分を低減し、帯域外抑圧を向上させることができ
る。また、上記グランドを構成する接続路751、7
52、757、758、7510、7511(755を含め
てもよい)は、キャップ搭載層61に形成されたシール
リング74と共通グランド/フットパッド層65の上面
に形成された共通グランドパターン層76で共通化され
ている。換言すれば、中間層62,63及び64で共通
化されていない。これにより、分波器の帯域外抑圧を飛
躍的に大きくすることが可能になる。この点について
は、図16を参照して後述する。
引き出し配線を介して対応するワイヤボンディングパッ
ド80に接続されている。ワイヤボンディングパッド8
0のうち、参照番号801は位相整合用線路パターン7
2の入り口(一端)のワイヤボンディングパッドであ
り、参照番号802は位相整合用線路パターン72の出
口(他端)のワイヤボンディングパッドを示している。
これらのパッド801、802はそれぞれ、ビア861、
862を介して位相整合用線路パターン層64に形成さ
れた位相整合用線路パターン72の入り口及び出口に接
続されている。
すように構成されている。ダイアタッチ層63上には、
グランドパターンを形成するダイアタッチ部70が形成
されている。ダイアタッチ部70には、チップ69と接
する4つのブロック状の厚塗り部が形成されている。4
つの厚塗り部は、ダイアタッチ部70を形成する際に、
この部分を厚く塗ることで形成される。図12(a)に
示すように、導電性接着剤71を用いて、チップ26が
ダイアタッチ部70上に取り付けられている。4つの厚
塗り部は、導電性接着剤71がチップ69の底面全体に
行き渡るように作用する。ダイアタッチ部70は、引き
出しパターン87を介して、グランドとして機能する導
通部751、752及び755に接続されている。ダイア
タッチ部70は、図14に示すDMSフィルタの2段目
のグランドを形成する導通部75 7、758、7510、7
511には接続されていない。つまり、DMSフィルタの
1段目と2段目とは、共通化されていない。後述するよ
うに、上記GND構成によりフィルタの抑圧度を向上さ
せることができるからである。
す位相整合用線路パターン層64の上に設けられてい
る。図13(d)に示すように、位相整合用線路パター
ン層64上には、位相整合用線路パターン72が形成さ
れている。位相整合用線路パターン72は、所望の長さ
を確保するために、折れ曲がったパターンで形成されて
いる。位相整合用線路パターン72は例えば、銅(C
u)、銀(Ag)、タングステン(W)などを主成分と
する導電材料で作製されている。位相整合用線路パター
ン72は、位相整合用線路パターン層64上に導電膜を
形成し、これをレーザトリミングなどの手法でパターニ
ングすることで形成される。位相整合用線路パターン層
64の両端は、前述したビア861と862に接続されて
いる。位相整合用線路パターン72は例えば、約80μ
m〜120μm幅のストリップ線路パターンである。位
相整合用線路パターン72の上下に位置するグランド電
位のパターンがストリップ線路のグランドを形成する。
位相整合用線路パターン72は回路部品のような製造ば
らつきがほとんど無いので、安定したフィルタ特性を得
ることができる。
する。図15は、図2に示す従来の分波器(受信フィル
タにラダー型弾性表面波フィルタ13を使用)と、図8
に示す本発明の分波器(受信フィルタにDMSフィルタ
50を使用)の受信フィルタのインピーダンスを比較す
るためのグラフである。図15(a)に示すように、ラ
ダー型弾性表面波フィルタ13とDMSフィルタ50の
位相回転前のインピーダンス特性は異なる。送信帯域の
位相回転後のインピーダンスを無限大に近づけるために
は、図15(b)に示すように、DMSフィルタ50に
接続される位相整合用線路パターン72を0.28λ〜
0.34λの長さに設定することが好ましい。ここで、
λはDMSフィルタ50を伝搬する弾性表面波の波長で
ある。他方、ラダー型弾性表面波フィルタ13の場合に
は、0.2λ〜0.25λ(λ/4)程度の位相整合用
線路パターンを設けることで、送信帯域の位相回転後の
インピーダンスを無限大に近づけることができる(λは
ラダー型弾性表面波フィルタ13を伝搬する弾性表面波
の波長)。
は、グランドパターン88、89が図示するように形成
されている。グランドパターン88はビア863及び8
64を介してワイヤボンディングパッド層62の対応す
るワイヤボンディングパッド80に接続されている。ま
た、グランドパターン89は、対応する接続路75に接
続されている。位相整合用線路パターン層64にもグラ
ンドパターンを88、89を形成したため、グランドを
強化し、インダクタンス成分を低減し、抑圧を向上させ
ることができる。
る層の信号線及びこれらに接続されるボンディングパッ
ドと重ならないように形成されている。例えば、グラン
ドパターン88、89は図14に示す接続路753(送
信信号)、756(送受信信号)及び759(受信信号)
に接続するパターン及びワイヤボンディングパッド80
に重ならないように形成されている。この配置により、
信号とグランド間の容量成分が低減し、インピーダンス
整合を向上させることができる。この結果、分波器の挿
入損失が低減する。
共通グランド/フットパッド層65が設けられている。
図13(e)は共通グランド/フットパッド層65の上
面を示す図、図13(f)は下面(底面)をこの上面か
ら透かして見た場合の図である。共通グランド/フット
パッド層65の上面には、共通グランドパターン76が
形成されている。共通グランドパターン76は上面の略
全面に形成されている。共通グランドパターン76は、
信号系の接続路753、756、759以外の各接続路に
接続されているとともに、ビア863と864を介して、
図13(d)のグランドパターン88、及び図13
(b)に示すワイヤボンディングパッド80のうちの対
応するパッドに接続されている。これにより、グランド
を強化してインダクタンス成分を減少させ、抑圧を向上
させることができる。
は、分波器の実装面である。実装面を配線基板上に向け
て、分波器を配線基板上に実装する。図13(f)に示
すように、この実装面には、各接続路751〜7512に
それぞれ接続されるフットパッド(フットキャステレー
ション)661〜6612が形成されている。フットパッ
ド661〜6612は外部接続端子として機能し、配線基
板上の対応する電極に接触して電気的接続が形成され
る。フットパッド661、662はDMSフィルタ50の
1段目のグランド端子である。フットパッド663は、
分波器の送信側端子15である。フットパッド66
4は、ラダー型弾性表面波フィルタ32のグランド端子
である。フットパッド665は、DMSフィルタの1段
目のグランド端子又はラダー型弾性表面波フィルタ32
のグランド端子である。フットパッド666は、アンテ
ナが接続可能な共通端子14である。フットパッド66
7、668はDMSフィルタ50の2段目のグランド端子
として機能する。フットパッド669は、受信側端子1
6である。フットパッド6610、6611はそれぞれ、D
MSフィルタ50の2段目のグランド端子である。フッ
トパッド6612は、共通グランドパターン76に接続さ
れたグランド端子である。なお,図12では、上記フッ
トパッドをフットパッド66として示してある。
ンドの構成に着目して整理すると、次の通りである。
複数の2重モード型弾性表面波フィルタ34と35及び
51と52を2段カスケード接続した構成を有し、積層
パッケージ60内の中間層62、63及び64は各段の
2重モード型弾性表面波フィルタのグランドを共通化す
るパターンを具備していない。これにより、DMSフィ
ルタ50の帯域外抑圧を向上させることができる。
複数の2重モード型弾性表面波フィルタ34と35及び
51と52を2段カスケード接続した構成を有し、積層
パッケージ60内のワイヤボンディングパッド層62
は、1段目の2重モード型弾性表面波フィルタ34、3
5のグランドにボンディングワイヤ68で接続される第
1のパッド(接続路751と752(755を含めてもよ
い)に接続するワイヤボンディングパッド80)と、2
段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグランドにワ
イヤボンディングで接続される第2のパッド(接続路7
57、758、7510、7511に接続するワイヤボン
ディングパッド80)とを有し、これらの第1及び第2
のパッドはワイヤボンディングパッド層62において独
立したグランドである(共通化していない)。
目のグランドと2段目のグランドをワイヤボンディング
パッドで共通化した場合(つまり、ワイヤボンディング
パッド層62で共通化した場合)のDMSフィルタの特
性と、上記構成のようにDMSフィルタ50の1段目の
グランドと2段目のグランドをワイヤボンディングパッ
ド80で共通化しない場合のDMSフィルタ50のフィ
ルタ特性を示すグラフである。図16から、グランドを
共通化しないDMSフィルタ50の帯域外抑圧は飛躍的
に改善されていることが分かる。図16に示す効果を得
るためには、チップ69上でも、DMSフィルタ50の
1段目のグランドと2段目のグランドを共通化しないこ
とが要求される。
複数の2重モード型弾性表面波フィルタ34と35及び
51と52を2段カスケード接続した構成を有し、1段
目と2段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグラン
ドは、積層パッケージ60の上面を形成する第1の層6
1及び共通グランド76を形成する第2の層65とで共
通化され、他の中間層62、63及び64では共通化さ
れていない。この構成により、帯域外抑圧を向上させる
ことができ、また外部ノイズの影響をより受け難くする
ことができる。
複数の2重モード型弾性表面波フィルタ34と35及び
51と52を2段カスケード接続した構成を有し、1段
目の2重モード型弾性表面波フィルタ34、35のグラ
ンドにワイヤボンディングで接続される第1のパッド
(接続路751と752(755を含めてもよい)に接続
するワイヤボンディングパッド80)と、2段目の2重
モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンデ
ィングで接続される第2のパッド(接続路757、7
58、7510、7511に接続するワイヤボンディン
グパッド80)はそれぞれ、積層パッケージ60の外面
(第5実施形態では底面)に形成される複数の外部接続
端子(フットパッド)66に接続されている。この構成
により、グランドが強化され、インダクタンス成分を減
少させ、帯域外抑圧を向上させることができる。
65は、前記積層パッケージの外面に形成されるグラン
ド端子(663、666、669以外のフットパッド)に
接続されるグランドパターン(キャップ搭載層61のシ
ールリング74、層62のボンディングパッド80、層
63のダイアタッチ部70、層64のグランドパターン
88、89及び層65の共通グランドパターン76)を
有する。この構成により、グランドが強化され、インダ
クタンス成分を減少させ、帯域外抑圧を向上させること
ができる。
は、積層パッケージの外面に形成されるグランド端子
(663、666、669以外のフットパッド)に接続さ
れるグランドパターン(層62のボンディングパッド8
0、層63のダイアタッチ部70、層64のグランドパ
ターン88、89)を有し、各グランドパターンは前記
積層パッケージに形成される信号線パターン(接続路7
53、756、759に接続される信号線パターン)及び
信号線パターンに接続するボンディングパッドと重なら
ないように配置されている。この構成により、キャパシ
タンス成分を減少させることができ、インピーダンスマ
ッチングを改善することができる。従って、分波器の挿
入損失を低減させることができる。
第5実施形態の様々な変形例が構成可能である。例え
ば、積層パッケージ60は5層に限定されず、任意の数
の層(例えば6層)を含むものであってもよい。チップ
69は単一の圧電材料で形成された基板を用いているの
で分波器の小型化を可能とするが、ラダー型弾性表面波
フィルタ32とDMSフィルタ50とをそれぞれ別の基
板で形成してもよい。分波器の各部の材料は前述したも
のに限定されるものではなく、適宜任意の材料を選択す
ることができる。更に、ラダー型弾性表面波フィルタ3
2及びDMSフィルタ50は、上述した段数に限定され
ない。更に、ラダー型弾性表面波フィルタ32及びDM
Sフィルタ50に代えて、前述した他の実施形態のラダ
ー型弾性表面波フィルタ及びDMSフィルタを用いるこ
とができる。
実施形態に係る分波器の共通グランド/フットパッド層
65Aの下面(底面)をこの上面から透かして見た場合
の図である。図中、前述した構成要素と同一のものには
同一の参照番号を付してある。本実施形態は、共通グラ
ンド/フットパッド層65Aの構成以外は、前述した第
5実施形態に係る分波器と同様に構成されている。グラ
ンド端子であるフットパッド661、662、664、6
65、667、668、6610〜6612はそれぞれ、ビ
ア92を介して共通グランドパターン76に接続されて
いる。この構成により、分波器のグランドが強化され、
インダクタンス成分を減少させ、帯域外抑圧を向上させ
ることができる。
実施形態に係る分波器の積層パッケージを構成する各層
を示す図である。図中、前述した構成要素と同一のもの
には同一の参照番号を付してある。第7実施形態と前述
の第5実施形態とは、共通グランド/フットパッド層の
構成が相違する。図18に示す共通グランド/フットパ
ッド層65Bの上面に形成された共通グランドは、狭い
幅の分割溝93を介して2つの共通グランドパターン7
6A、76Bに分割されている。共通グランドパターン
76Aは接続路751、752に接続されており、DMS
フィルタ50の1段目のグランドを形成する。また、共
通グランドパターン76Bは接続路757、758、7
5 10、7511に接続されており、DMSフィルタ50の
2段目のグランドを形成する。共通グランドパターン7
6Aは、ラダー型弾性表面波フィルタ32のグランドを
接続する接続路754に接続されていない。また、接続
路755をDMSフィルタ50の1段目のグランドとす
ることで、共通グランドパターン76AはDMSフィル
タ50のみの共通グランドとして作用する。このよう
に、DMSフィルタ50の1段目の共通グランドと2段
目の共通グランドを完全に分離することで、外部ノイズ
の影響をより受け難い分波器を実現することができる。
実施形態に係る分波器のキャップ搭載層61Aとワイヤ
ボンディングパッド層62の平面図である。図中、前述
した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付して
ある。第8実施形態と前述の第5実施形態とは、キャッ
プ搭載層の構成が相違する。キャップ搭載層61Aに形
成されているシールリング74は、前述したビア863
及び864を介して、接続路755及び752にそれぞれ
接続されたワイヤボンディングパッド80に接続されて
いる。これにより、分波器のグランドがより強化され、
インダクタンス成分が減少して、帯域外抑圧をより一層
向上することができる。
第9実施形態に係る分波器200の回路構成を示す図、
図20(b)は分波器200のワイヤボンディングパッ
ド層62Aの平面図である。図中、前述した構成要素と
同一のものには同一の参照番号を付してある。第9実施
形態と前述の第5実施形態とは、整合回路の構成が異な
る。図20(a)に示すように、分波器200は2つの
整合回路111と112を有する。整合回路111は2つ
のフィルタ32と50の間に設けられ、これらの位相を
調整する。また、整合回路112はDMSフィルタ50
の出力側に設けられている。
波器200は図20(b)に示すワイヤボンディングパ
ッド層62Aを有する。図示するように、線路パターン
94と95が設けられている。線路パターン94は整合
回路111の一部を構成し、線路パターン95は整合回
路112を構成する。共通端子14とラダー型弾性表面
波フィルタ32との間の整合回路111は線路パターン
94で形成され、共通端子とDMSフィルタ50との間
は、線路パターン94と図13(d)に示す位相整合用
線路パターン72とで形成される。線路パターン94
は、ビア861を介して位相整合用線路パターン72の
一端に接続されている。線路パターン95は、DMSフ
ィルタ50の受信側端子16にワイヤボンディングされ
るワイヤボンディングパッド804と、受信側端子16
に対応するフットパッド669に接続される接続路759
との間に形成されている。これにより、分波器200の
インピーダンスを複数箇所で調整することができ、イン
ピーダンスマッチングを向上させることができる。この
結果、分波器200の挿入損失は向上する。なお、線路
パターン94は直線状であり、線路パターン95は屈曲
しているが、次に示すように、他の形状のパターンを用
いることができる。
の第10実施形態に係る分波器210の回路構成を示す
図、図21(b)〜(d)は分波器210のワイヤボン
ディングパッド層の形態を示す平面図である。図中、前
述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付し
てある。図21(a)に示すように、分波器210は図
20(a)に示す分波器210と同一の回路構成であ
る。
ッド層62Bは、線路パターン94の途中にビア96が
形成されている。ビア96は、図13(d)の位相整合
用線路パターン72に接続されている。ビア96の位置
を調整することで、共通端子14とDMSフィルタ50
との間に設けられる位相整合用線路パターンの線路長を
調整することができる。また、図21(b)に示す線路
パターン97は直線状である。
ッド層62Cは、整合回路111を構成する線路パター
ン98の長さを変化させることで、線路長を調整する構
成である。線路パターン98は複数箇所で屈曲してお
り、図21(b)に示す線路パターン94よりも長い。
図21(d)に示すやワイヤボンディングパッド層62
Dは、図21(b)の直線状の線路パターン97に代え
て、屈曲した線路パターン95を用いた構成である。
波器210のインピーダンスを複数箇所で行え、インピ
ーダンスマッチングを向上させることができる。この結
果、分波器210の挿入損失は向上する。
は、本発明の第11実施形態に係る分波器を示す図であ
る。図22A、22B中、前述した構成要素と同一のも
のには同一の参照番号を付してある。本実施形態と前述
の第5実施形態とは、ダイアタッチ層63Aの構成が異
なる。図22A(c)に、第11実施形態で用いられる
ダイアタッチ層63Aを示す。図22A(a)、
(b)、(d)〜(f)は図13(a)、(b)、
(d)〜(f)と同一である。また、図22Bには、第
11実施形態に係る分波器の断面図を示す。
チ層63Aにはグランドパターン101が形成されてい
る。グランドパターン101は、図22A(d)に示す
位相整合用線路パターン72を覆うように形成されてい
る。グランドパターン101と図22A(e)に示す共
通グランドパターン76とは、位相整合用線路パターン
72を上下から挟むように設けられている。グランドパ
ターン101は4つの厚塗り部102を有し、この上に
チップ69が取り付けられる。位相整合用線路パターン
72に接続するビア861と862にグランドパターン1
01が接触しないように、ホール103がビア861と
862の周囲に形成されている。
ンドパターン101、76で挟むように構成することに
よって、インピーダンスマッチングが向上し、挿入損失
が向上する。この理由は次の通りである。特性インピー
ダンスは次の簡易式で表される。
イアタッチ部70とグランドパターン76で挟まれてい
る部分と、キャップ67と共通グランドパターン76で
挟まれている部分(線路パターンの両端近傍部分)とを
持つ。キャップ67と位相線路調整用パターン72との
距離が離れている。つまり、位相線路調整パターン72
はグランドから離れている。よって、この部分で形成さ
れる容量は、他の部分に比べて小さい。上記式から分か
るように、Cが小さくなると特性インピーダンスが大き
くなる。50Ωを所望の特性インピーダンスとした場
合、位相整合用線路パターン72の特性インピーダンス
は50Ωを超えてしまう可能性がある。これに対し、図
22A、22Bに示す構成では、位相線路調整用パター
ン72は全長にわたり、共通グランドパターン76とダ
イアタッチ層63Aに形成されたグランドパターン10
1で挟まれている。よって、位相線路調整用パターン7
2はどの位置においてもグランドに近く、この結果特性
インピーダンスを容易に所望の50Ωに設定することが
できる。
ている位相整合用線路パターン72の特性インピーダン
スの安定度、及び比較例の特性インピーダンスの安定度
を示すグラフである。図23に示すグラフの横軸は位相
整合用線路パターン72の長さ(mm)を示し、縦軸は
特性インピーダンス(Ω)を示す。比較例は図24に示
す構成の分波器である。比較例のダイアタッチ層(図2
4(c))は、第11実施形態のダイアタッチ層63A
と異なり、位相線路調整用パターン72の中央部分のみ
を覆う大きさである。また、図24(g)に示すよう
に、位相整合用線路パターン72の端部近傍はキャップ
67で覆われている。なお、図24(c)のダイアタッ
チ層の構成は図13に示す構成と異なり、ダイアタッチ
部は1つの接続路にのみ接続されている。また、図24
(b)に示すワイヤボンディング層は図22A(b)や
図13(b)に示す構成は異なる。図23に示すよう
に、第11実施形態では、位相整合用線路パターン72
の長さにかかわらず特性インピーダンスはほぼ50Ωで
安定している。これに対し、比較例では、矢印で示すよ
うに、特性インピーダンスが50Ωを超えるところがあ
り(最大で65Ω程度)、不安定である。50Ωを超え
ると、インピーダンスマッチングが劣化して、分波器の
挿入損失が大きくなってしまう。
られている受信フィルタ(DMSフィルタ)単体の反射
特性を示し、図25(b)は図22A、22Bに示す第
11実施形態で用いられている受信フィルタ(DMSフ
ィルタ50)単体の反射特性を示す。受信フィルタ単体
とは、分波器の送信フィルタを共通端子14に接続して
いない状態である。比較例では、特性インピーダンスが
約65Ωまで高くなってしまうため、通過帯域のインピ
ーダンスマッチングが50Ωから離れてしまう。このた
め、図26に示すように、受信フィルタの挿入損失が大
きい。これに対し、第11実施形態では図23に示すよ
うに、位相整合用線路パターン72の特性インピーダン
スがほぼ50Ωで安定しているため、図25(b)に示
すように、受信フィルタ50単体の反射特性において通
過帯域が50Ω近辺にあり、インピーダンスマッチング
が良い。このため、図26に示すように、受信フィルタ
の挿入損失は小さい。特に、800MHzよりも高い1
900MHz帯の分波器になると、前述したような誘電
率の低いパッケージ材料が使用されるため、位相整合用
線路パターン72が図22A、22Bに示すように上下
からグランド面で覆われていないと、特性インピーダン
スの変動が顕著になる。つまり、図22A、22Bに示
す構成は800MHzを超える高周波帯域での使用に特
に適している。
12実施形態に係る分波器を示す図である。図中、前述
した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付して
ある。本実施形態は、位相整合用線路パターンとパッケ
ージ側のワイヤボンディングパッドとを複数のビアで接
続して、ビアの抵抗を減少させ、挿入損失を改善するこ
とを特徴の一つとする。図27(b)に示すように、ワ
イヤボンディングパッド層62Aのパッド801には2
つのビア8610、8611が形成され、パッド802には
2つのビア8612、8613が形成されている。ダイアタ
ッチ層63B及び位相整合用線路パターン層64Aに
も、上記ビア8610、8611、8612、8613が形成さ
れている。ビア8610、8611は位相整合用線路パター
ン72Aの入力側部分に接続されている。また、ビア8
612、8613は位相整合用線路パターン72Aの出力側
部分に接続されている。上記ビアは3つの層をまたがっ
て形成されているので、ビア1つ1つは受信フィルタの
挿入損失に影響を与えるような比較的大きな抵抗値を持
つ。このようなビアを複数本、位相整合用線路パターン
72Aの各端部に設けることにより、ビアの抵抗値を減
少させることができる。
(DMSフィルタ)と第12実施形態の受信フィルタ
(DMSフィルタ)の挿入損失を示す図である。第5実
施形態では位相整合用線路パターン72の両端にそれぞ
れ1つずつビア861、862が設けられているのに対
し、第12実施形態ではそれぞれ2つずつビアが設けら
れている。図示の通り、第12実施形態の挿入損失は第
5実施形態に比べ改善されている(0.4dB程度の改
善)。
端部に複数個のビアを設けることで、遷移領域も改善す
ることができる。図29は遷移領域を説明する図であ
る。例えば、フィルタ特性の仕様が、挿入損失−4d
B、帯域外抑圧−50dBの場合、これら2つの減衰量
の値が何MHzで遷移するか、つまりこれらの減衰量の
周波数幅が遷移領域である。この遷移領域の値が小さい
ほど、角形が良い急峻なフィルタである。特に、190
0MHzのフィルタでは、送信側帯域と受信側帯域とが
近接しているため、遷移領域の小さい急峻なフィルタ特
性を持つフィルタが望まれている。遷移領域が小さい
と、製造プロセスにおける周波数ずれの許容範囲が広が
り、製造歩留りが大幅に向上する。
なため、遷移領域が小さくなる。図30に、第5実施形
態と第12実施形態の遷移領域(MHz)を示す。図3
0では、第5実施形態及び第12実施形態のそれぞれに
ついて、2個のサンプルを測定した。平均値で比較する
と、第12実施形態では約0.65MHzも遷移領域が
小さくなっているため、製造歩留り向上に大きく寄与し
ていることが分かる。
3実施形態に係る分波器のダイアタッチ層63C、及び
比較例として第5実施形態のダイアタッチ層63を示す
図である。いずれの分波器も、2つのチップ691と6
92を用いている。チップ691はラダー型弾性表面波フ
ィルタ32を形成し、チップ692はDMSフィルタ5
0を形成する。第5実施形態では、ダイアタッチ部70
上に導電性接着剤71を塗布し、その上にチップ6
91、692の下面を接着する。導電性接着剤71はダイ
アタッチ部70が存在しない十字状部分にも塗布される
ので、チップ691、692下面のグランドは強化されて
いる。これに対し、第13実施形態のダイアタッチ層6
3Cは、一層強化されたグランドを有する。ダイアタッ
チ層63C上のグランドパターン105はダイアタッチ
部70よりも広い面積で、2つのチップ691と692の
底面の合計面積よりも広い。この点は、図22A(c)
に示すグランドパターン101と同様である。このグラ
ンドパターン105上に、導電性接着剤71を用いてチ
ップ691、692を固定する。固定する際、チップ69
1、692の接着が所定の位置からずれても、グランドパ
ターン105は広い面積を有するので、チップ691、
692の下面がグランドパターン105からはみ出すよ
うなことはない。導電性接着剤71はグランドパターン
105が存在しない十字状部分にも塗布されるので、チ
ップ691、692下面のグランドは強化されている。こ
の結果、チップ691、692に位置ずれがあっても、全
面にグランド面を確実に形成することができる。また、
グランド強化のために、第13実施形態の引き出しパタ
ーン87aは、第5実施形態の引き出しパターン87よ
りも幅広である。好ましくは、引き出しパターン87a
は約200μm以上の幅を有する。
に係る分波器の高周波側の帯域外抑圧を示す図である。
第13実施形態ではグランドがより一層強化されている
ので、帯域外抑圧がより一層向上する。
4実施形態に係る分波器のワイヤボンディング層62、
ダイアタッチ層63D及び分波器の断面、並びに比較例
として第5実施形態のワイヤボンディング層62、ダイ
アタッチ層63及び分波器の断面を示す。第14実施形
態は、第5実施形態のダイアタッチ層63をダイアタッ
チ層63Dに置き換えた構成である。ダイアタッチ層6
3D上に形成されたグランドパターン108は、第5実
施形態のダイアタッチ部70に引き出しパターン10
6、107を設けた構成である。引き出しパターン10
6、107はそれぞれワイヤボンディングパッドに接続
しているビア863、864に接続されている。これによ
り、グランドパターン108は複数の接続路のみならず
複数のビアを介して複数のグランドの外部接続端子(サ
イドキャステレーション)に接続されるため、チップ6
9下面のグランドをより一層強化することができる。こ
のように、外部接続端子に接続される経路が多いこと
や、グランドパターンに多く接続していることによっ
て、チップ69の下面のグランドは強化される。
に係る分波器の高周波側の帯域外抑圧を示す図である。
第14実施形態ではグランドがより一層強化されている
ので、帯域外抑圧がより一層向上する。
15実施形態に係る分波器のダイアタッチ層63E、共
通グランド/フットパッド層65の上面及び断面、並び
に比較例として第5実施形態のダイアタッチ層63、共
通グランド/フットパッド層65の上面及び断面を示す
図である。第15実施形態は、第5実施形態のダイアタ
ッチ層63をダイアタッチ層63Eで置き換えた構成で
ある。ダイアタッチ層63E上に形成されたグランドパ
ターン110は、第5実施形態のダイアタッチ部70に
複数の引き出しパターン111を設けた構成である。引
き出しパターン106、107はそれぞれ対応するビア
112に接続されている。このビアは位相整合用線路パ
ターン層64にも形成され、その一端は共通グランドパ
ターン76に接続されている。これにより、グランドパ
ターン110は複数のビア112を介して共通グランド
パターン76に接続されるため、チップ69下面のグラ
ンドをより一層強化することができる。共通グランドパ
ターン76はべたグランド面であって、複数の外部接続
端子に接続路751などを介して接続されるため、チッ
プ69の下面のグランドは強化される。
に係る分波器の高周波側の帯域外抑圧を示す図である。
第15実施形態ではグランドがより一層強化されている
ので、帯域外抑圧がより一層向上する。
16実施形態に係る分波器のチップ69とワイヤボンデ
ィングパッド層62Eとの接続関係を示す平面図であ
る。図中、前述した構成要素と同一のものには同一の参
照番号を付してある。前述の第5〜第15実施形態は、
図8に示す単一出力構成のDMSフィルタ50を備える
分波器であった。これに対し、第16実施形態に係る分
波器は、図11に示す構成の分波器である。つまり、本
実施形態の分波器は、バランス出力構成のDMSフィル
タ55を備える。バランス出力を実現するために、図1
4に示す接続関係を図37に示す接続関係に変更する。
図14において接続路7510、7511に接続されるチッ
プ側のワイヤボンディングは2分割されている。また、
接続路758、759、7510をそれぞれ、図16に示す
受信側端子16との接続、DMSフィルタ55の2段目
(DMSフィルタ51と52で構成される段)のグラン
ド、及び受信側端子46との接続を形成する。図14で
接続路7510、7511に接続されるチップ側のワイヤ本
ディングパッドは2分割されている。これにより、図1
3(f)に示すフットパッド668は受信側端子16、
フットパッド669はグランド端子、及びフットパッド
6610は受信側端子46となる。
器の別の構成例である。この分波器のワイヤボンディン
グパッド層62Fを有する。接続関係は、図14に示す
接続関係を次の通り変更したものである。図14におい
て接続路7510、7511に接続されるチップ側のワイヤ
ボンディングは2分割されている。また、接続路75 12
は図11に示す受信側端子46との接続を形成する。
器の更に別の構成例である。この分波器のワイヤボンデ
ィングパッド層62Gを有する。接続関係は、図14に
示す接続関係を以下の通り変更したものである。図14
において接続路7510、75 11に接続されるチップ側の
ワイヤボンディングは2分割されている。また、接続路
759及び7510はそれぞれ、図16に示す受信側端子
16及び46との接続を形成する。更に、接続路7511
と7512はDMSフィルタ55の2段目のグランドを形
成する。
いて、前述した第6〜第15実施形態の特徴を有するよ
うに変形できることは勿論である。
17実施形態による電子装置のブロック図である。この
電子装置は携帯電話であって、図40はその送受信系を
示している。携帯電話の音声処理系などその他の構成
は、便宜上省略してある。図40に示す携帯電話に、前
述した分波器が用いられている。
調器171及びIF(中間周波数)部172を有する。
RF部はアンテナ173、分波器174、ローノイズア
ンプ183、段間フィルタ184、ミキサ(乗算器)1
75、局部発振器176、段間フィルタ177、ミキサ
(乗算器)178、段間フィルタ179及びパワーアン
プ180を有する。音声処理系からの音声信号は変調器
171で変調され、RF部170のミキサ178で局部
発振器176の発振信号を用いて周波数変換(混合)さ
れる。ミキサ178の出力は段間フィルタ179及びパ
ワーアンプ180を通り、分波器174に与えられる。
分波器174は、送信フィルタ1741と受信フィルタ
1742と、図示を省略してある整合回路とを有し、本
発明の分波器である。パワーアンプ180からの送信信
号は、分波器174を通りアンテナ173に供給され
る。
74の受信フィルタ1742を通り、ローノイズアンプ
183、段間フィルタ184を経て、ミキサ175に与
えられる。ミキサ175は、局部発振器176の発振周
波数を段間フィルタ177を介して受け取り、受信信号
の周波数を変換して、IF部172に出力する。IF部
172は、この信号をIFフィルタ181を介して受け
取り、復調器182で復調して図示しない音声処理系に
復調した音声信号を出力する。
具備しているため、優れたフィルタ特性を持った高耐電
力の通信装置を提供することができる。
説明した。本発明は上記実施形態に限定されるものでは
はく、他の様々な実施形態を含む。
耐電力性とフィルタ特性の両方を改善した分波器及びこ
れを用いた電子装置を実現することができる。
図である。
例を示す図である。
る。
ある。
列に接続した場合の特性の違いを説明するための図であ
る。
ある。
出力を説明するための図である。
ある。
特性を示す図である。
とによる耐電力性の向上を説明するための図である。
タ特性を示す図である。
面図(a)と、キャップを取り外した状態の平面図
(b)である。
ッケージを分解した各層を示す図である。
とワイヤボンディングパッド層との接続関係を示す図で
ある。
タのインピーダンスを説明するためのグラフである。
す図である。
ランド/フットパッド層の下面をこの上面から透かして
見た場合の図である。
ッケージを構成する各層を示す図である。
プ搭載層(a)と、ワイヤボンディングパッド層(b)
の平面図である。
成を示す図(a)、及び分波器のワイヤボンディングパ
ッド層の平面図(b)である。
構成を示す図(a)、及び分波器のワイヤボンディング
パッド層の形態を示す平面図(b)〜(d)である。
層パッケージを分解した各層の平面図(a)〜(e)及
び底面図(f)である。
面図である。
相整合用線路パターンの特性インピーダンスの安定度、
及び比較例の特性インピーダンスの安定度を示すグラフ
である。
す図である。
フィルタ単体の反射特性(a)と、図22に示す第11
実施形態で用いられているDMSフィルタ単体の反射特
性(b)を示す図である。
比較例の受信フィルタの挿入損失を比較する図である。
図である。
態の受信フィルタの挿入損失を示す図である。
(MHz)を示す図である。
アタッチ層、及び比較例として第5実施形態のダイアタ
ッチ層を示す図である。
の高周波側の帯域外抑圧を示す図である。
ヤボンディング層、ダイアタッチ層及び分波器の断面、
並びに比較例として第5実施形態のワイヤボンディング
層、ダイアタッチ層及び分波器の断面を示す図である。
る分波器の高周波側の帯域外抑圧を示す図である。
アタッチ層、共通グランド/フットパッド層の上面及び
断面、並びに比較例として第5実施形態のダイアタッチ
層、共通グランド/フットパッド層の上面及び断面を示
す図である。
の高周波側の帯域外抑圧を示す図である。
プとワイヤボンディングパッド層との接続関係を示す平
面図である。
プとワイヤボンディングパッド層との別の接続関係を示
す平面図である。
プとワイヤボンディングパッド層との更に別の接続関係
を示す平面図である。
である。
T) 22、23 反射器 32 ラダー型弾性表面波フィルタ 33 縦結合2重モード弾性表面波フィルタ(DM
S) 34 2重モード弾性表面波フィルタ(DMS) 35 2重モード弾性表面波フィルタ(DMS) 36、37、38 インターディジタルトランスデュ
ーサ(IDT) 39、40 反射器 45 2重モード弾性表面波フィルタ(DMS) 46 受信側端子 50、51、52、55 2重モード弾性表面波フィ
ルタ(DMS) 60 積層パッケージ 61、61A キャップ搭載層 62、62A〜62G ワイヤボンディングパッド層 63、63A〜63E ダイアタッチ層 64、64A 位相整合用線路パターン層 65、65A、65B 共通グランド/フットパッド
層 66、661〜6612 フッドパッド(外部接続端
子) 67 キャップ 68 ボンディングワイヤ 69、691、692 チップ 70 ダイアタッチ部 71 導電性接着剤 72 位相整合用線路パターン 73 開口部 74 シールリング 75、751〜7512 接続路(サイドキャステレー
ション) 76、76A、76B 共通グランドパターン 77 ラダー型弾性表面波フィルタ32の共振器(電
極及び反射器のパターン)を模式的に示すブロック 78 DMSフィルタ50の共振器(電極及び反射器
のパターン)を模式的に示すブロック 79 ワイヤボンディングパッド(チップ側) 80 ワイヤボンディングパッド(パッケージ側) 83 溝 84 開口部 861〜864 ビア 87 引き出しパターン 88、89 グランドパターン 92 ビア 93 分割溝 94、95 線路パターン 96 ビア 97、98 線路パターン 100、200、210 分波器 101 グランドパターン 102 厚塗り部 105 グランドパターン 106、107 引き出しパターン 108、110 グランドパターン 111 引き出しパターン 112 ビア
Claims (36)
- 【請求項1】 異なる帯域中心周波数を有する2つの弾
性表面波フィルタと、該2つの弾性表面波フィルタ同士
の位相を整合させる位相整合用回路とを有する分波器に
おいて、 一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィル
タで、他方の弾性表面波フィルタは並列に接続された複
数の2重モード型弾性表面波フィルタを含むことを特徴
とする分波器。 - 【請求項2】 前記複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタは単一の出力を有することを特徴とする請求項1記
載の分波器。 - 【請求項3】 前記複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタはバランス出力を有することを特徴とする請求項1
記載の分波器。 - 【請求項4】 前記ラダー型弾性表面波デバイスを送信
側に設け、前記複数の2重モード型弾性表面波デバイス
を受信側に設けたことを特徴とする請求項1から3のい
ずれか一項記載の分波器。 - 【請求項5】 異なる帯域中心周波数を有する2つの弾
性表面波フィルタと、該2つの弾性表面波フィルタ同士
の位相を整合させる位相整合用回路とを有する分波器に
おいて、 一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィル
タであり、他方の弾性表面波フィルタは並列に接続され
た複数の2重モード型弾性表面波フィルタを複数段カス
ケード接続したことを特徴とする分波器。 - 【請求項6】 前記他方の弾性表面波フィルタは並列に
接続された2つの2重モード型弾性表面波フィルタを2
段カスケード接続したことを特徴とする請求項5記載の
分波器。 - 【請求項7】 最終段の並列接続された複数の2重モー
ド型弾性表面波フィルタは、単一の出力を有することを
特徴とする請求項5又は6記載の分波器。 - 【請求項8】 最終段の並列接続された複数の2重モー
ド型弾性表面波フィルタは、バランス出力を有すること
を特徴とする請求項5又は6記載の分波器。 - 【請求項9】 前記ラダー型弾性表面波デバイスを送信
側に設け、前記複数段カスケード接続した前記複数の2
重モード型弾性表面波デバイスを受信側に設けたことを
特徴とする請求項5から8のいずれか一項記載の分波
器。 - 【請求項10】 前記分波器の共通端子に接続された前
記ラダー型弾性表面波フィルタの共振器は、直列共振器
であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項
記載の分波器。 - 【請求項11】 前記2つの弾性表面波フィルタの通過
帯域の一方の立ち上がりの少なくとも一部と他方の立下
りの少なくとも一部が、重なり合っていることを特徴と
する請求項1から10のいずれか一項記載の分波器。 - 【請求項12】 異なる帯域中心周波数を有する2つの
弾性表面波フィルタと、該2つの弾性表面波フィルタ同
士の位相を整合させる位相整合用回路を積層パッケージ
に収容し、一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表
面波フィルタで、他方の弾性表面波フィルタは並列に接
続された複数の2重モード型弾性表面波フィルタを少な
くとも1段含むことを特徴とする分波器。 - 【請求項13】 前記位相整合用回路は線路パターンで
あることを特徴とする請求項12に記載の分波器。 - 【請求項14】 前記他の弾性表面波フィルタに対する
前記位相整合用回路は線路パターンであり、その長さは
0.25λ〜0.34λ(ただし、λは前記2重モード
型弾性表面波フィルタを伝搬する弾性表面波の波長)の
範囲内であることを特徴とする請求項12記載の分波
器。 - 【請求項15】 前記他方の弾性表面波フィルタは、前
記並列に接続された複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタを2段カスケード接続した構成を有し、各段の2重
モード型弾性表面波フィルタのグランドを共通化するパ
ターンは、前記積層パッケージ内の中間層以外で形成さ
れることを特徴とする請求項12記載の分波器。 - 【請求項16】 前記他方の弾性表面波フィルタは、前
記並列に接続された複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタを2段カスケード接続した構成を有し、前記積層パ
ッケージ内のワイヤボンディングパッド層は、1段目の
2重モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボ
ンディングで接続される第1のパッドと、2段目の2重
モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンデ
ィングで接続される第2のパッドとを有し、前記第1及
び第2のパッドは前記ワイヤボンディングパッド層にお
いて独立したグランドであることを特徴とする請求項1
2記載の分波器。 - 【請求項17】 前記他方の弾性表面波フィルタは、前
記並列に接続された複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタを2段カスケード接続した構成を有し、1段目と2
段目の2重モード型弾性表面波フィルタのグランドは、
前記積層パッケージ上面を形成する第1の層及び共通グ
ランドを形成する第2の層とで共通化されていることを
特徴とする請求項12記載の分波器。 - 【請求項18】 前記他方の弾性表面波フィルタは、前
記並列に接続された複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタを2段カスケード接続した構成を有し、1段目の2
重モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボン
ディングで接続される第1のパッドと、2段目の2重モ
ード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンディ
ングで接続される第2のパッドはそれぞれ、前記積層パ
ッケージの外面に形成される複数の外部接続端子に接続
されていることを特徴とする請求項12記載の分波器。 - 【請求項19】 前記積層パッケージを構成する各層
は、前記積層パッケージの外面に形成されるグランド端
子に接続されるグランドパターンを有することを特徴と
する請求項12記載の分波器。 - 【請求項20】 前記積層パッケージ内の中間層はそれ
ぞれ、前記積層パッケージの外面に形成されるグランド
端子に接続されるグランドパターンを有し、各グランド
パターンは前記積層パッケージに形成される信号線パタ
ーン及び該信号線パターンに接続するボンディングパッ
ドと重ならないように配置されていることを特徴とする
請求項12記載の分波器。 - 【請求項21】 前記異なる帯域中心周波数を有する2
つの弾性表面波フィルタは1つのチップ上に形成され、
前記他方の弾性表面波フィルタは前記並列に接続された
複数の2重モード型弾性表面波フィルタを2段カスケー
ド接続した構成を有し、各段のグランドは前記チップ以
外で共通化されていることを特徴とする請求項12記載
の分波器。 - 【請求項22】 前記分波器は前記一方の弾性表面波フ
ィルタを形成する第1のチップと、前記他方の弾性表面
波フィルタを形成する第2のチップとを有し、前記他方
の弾性表面波フィルタは前記並列に接続された複数の2
重モード型弾性表面波フィルタを2段カスケード接続し
た構成を有し、各段のグランドは前記チップ以外で共通
化されていることを特徴とする請求項12記載の分波
器。 - 【請求項23】 前記積層パッケージは共通グランドを
形成する層を含み、該共通グランドは前記積層パッケー
ジの側面に形成された複数の接続路及び前記積層パッケ
ージ内に形成された複数のビアを介して、前記積層パッ
ケージの外面に形成されている複数の外部接続端子に接
続されていることを特徴とする請求項12記載の分波
器。 - 【請求項24】 前記他方の弾性表面波フィルタは、前
記並列に接続された複数の2重モード型弾性表面波フィ
ルタを2段カスケード接続した構成を有し、前記積層パ
ッケージは共通グランド層を含み、該共通グランド層は
前記他の弾性表面波フィルタの1段目のグランド面を形
成する第1の共通グランドパターンと、2段目のグラン
ド面を形成する第2の共通グランドパターンを有するこ
とを特徴とする請求項12記載の分波器。 - 【請求項25】 前記積層パッケージはワイヤボンディ
ングパッドを有する第1の層と、該第1の層の上部に設
けられ、かつリング状のグランドパターンを有する第2
の層とを有し、前記ワイヤボンディングパッドのうちグ
ランドとなるパッドと前記リング状のグランドパターン
とは前記積層パッケージ内に形成された複数のビアで接
続されることを特徴とする請求項12記載の分波器。 - 【請求項26】 前記積層パッケージはワイヤボンディ
ングパッドを有する第1の層と、前記位相整合用回路が
形成される第2の層とを有し、前記第1の層は更に別の
位相整合用回路を有し、該別の位相整合用回路は前記積
層パッケージ内に形成されたビアを介して前記第2の層
に形成された前記位相整合用回路に接続されることを特
徴とする請求項12記載の分波器。 - 【請求項27】 前記別の位相整合用回路は、前記分波
器の共通端子と前記2つの弾性表面波フィルタとの間に
接続されていることを特徴とする請求項26記載の分波
器。 - 【請求項28】 前記別の位相整合用回路は線路パター
ンを有し、前記ビアは前記線路パターンの途中に形成さ
れていることを特徴とする請求項26記載の分波器。 - 【請求項29】 前記積層パターンは、前記位相整合用
回路が形成される第1の層と、共通グランドが形成され
る第2の層とを有し、該共通グランドは前記位相整合用
回路全体を覆うように配置されていることを特徴とする
請求項12記載の分波器。 - 【請求項30】 前記積層パッケージは、ワイヤボンデ
ィングパッドを有する第1の層と、前記位相整合用回路
を形成する位相整合用線路パターンが形成される第2の
層とを有し、前記ワイヤボンディングパッドは前記積層
パッケージに形成された複数のビアを介して前記位相整
合用線路パターンの両端に接続されるワイヤボンディン
グパッドを含むことを特徴とする請求項12記載の分波
器。 - 【請求項31】 前記積層パッケージは、前記2つの弾
性表面波フィルタが搭載されるダイアタッチ部が形成さ
れる層を有し、該ダイアタッチ部は前記2つの弾性表面
波フィルタが形成される少なくとも1つのチップの面積
よりも広い面積を有することを特徴とする請求項12記
載の分波器。 - 【請求項32】 前記ダイアタッチ部は複数の引き出し
パターンを有し、該複数の引き出しパターンは前記積層
パッケージの側面に形成された接続路に接続され、かつ
200μm以上の幅を有することを特徴とする請求項3
1記載の分波器。 - 【請求項33】 前記積層パッケージは、ワイヤボンデ
ィングパッドを有する第1の層と、前記2つの弾性表面
波フィルタが搭載されるダイアタッチ部が形成される第
2の層を有し、前記ダイアタッチ部は前記積層パッケー
ジに形成された複数のビア及び前記積層パッケージの側
面に形成された複数の接続路を介して、前記ワイヤボン
ディングパッドのうちのグランドに係るワイヤボンディ
ングパッドに接続されていることを特徴とする請求項1
2記載の分波器。 - 【請求項34】 前記積層パッケージは、前記2つの弾
性表面波フィルタが搭載されるダイアタッチ部が形成さ
れる第1の層と、共通グランドが形成される第2の層と
を有し、前記ダイアタッチ部は前記積層パッケージに形
成された複数のビア及び前記積層パッケージの側面に形
成された複数の接続路を介して、前記共通グランドに接
続されていることを特徴とする請求項12記載の分波
器。 - 【請求項35】 前記他方の弾性表面波フィルタの最終
段は、バランス出力を有することを特徴とする請求項1
2から34のいずれか一項記載の分波器。 - 【請求項36】 アンテナと、これに接続される分波器
と、該分波器に接続される送信系及び受信系回路とを具
備し、前記分波器は請求項1から35のいずれか一項記
載の分波器であることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002134770A JP3833569B2 (ja) | 2001-12-21 | 2002-05-10 | 分波器及びこれを用いた電子装置 |
US10/474,513 US7135944B2 (en) | 2001-12-21 | 2002-10-17 | Branching filter having both saw ladder and dual mode filters, and electronic apparatus using the branching filter |
PCT/JP2002/010781 WO2003055067A1 (fr) | 2001-12-21 | 2002-10-17 | Filtre de derivation |
CNB028109597A CN100426669C (zh) | 2001-12-21 | 2002-10-17 | 双工器和使用其的电子设备 |
EP02805469A EP1465337A4 (en) | 2001-12-21 | 2002-10-17 | BRANCH FILTER AND ELECTRONIC EQUIPMENT THUS EQUIPPED |
KR1020037015471A KR100593355B1 (ko) | 2001-12-21 | 2002-10-17 | 분파기 및 이것을 이용한 전자 장치 |
TW091133738A TWI311858B (en) | 2001-12-21 | 2002-11-19 | Duplexer and electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001390706 | 2001-12-21 | ||
JP2001-390706 | 2001-12-21 | ||
JP2002134770A JP3833569B2 (ja) | 2001-12-21 | 2002-05-10 | 分波器及びこれを用いた電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003249842A true JP2003249842A (ja) | 2003-09-05 |
JP3833569B2 JP3833569B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=26625227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002134770A Expired - Lifetime JP3833569B2 (ja) | 2001-12-21 | 2002-05-10 | 分波器及びこれを用いた電子装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7135944B2 (ja) |
EP (1) | EP1465337A4 (ja) |
JP (1) | JP3833569B2 (ja) |
KR (1) | KR100593355B1 (ja) |
CN (1) | CN100426669C (ja) |
TW (1) | TWI311858B (ja) |
WO (1) | WO2003055067A1 (ja) |
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074749A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器 |
WO2006038421A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 電子デバイス及びこれに用いるパッケージ |
WO2006040923A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器 |
WO2006040927A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器 |
JP2006157174A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | アンテナ分波器およびアンテナ分波器用表面弾性波フィルタ |
KR100638780B1 (ko) | 2003-04-25 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
KR100638778B1 (ko) | 2003-04-28 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
JP2007104052A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JP2007189390A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ装置及び分波器 |
WO2007083432A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
WO2007116760A1 (ja) | 2006-04-06 | 2007-10-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | デュプレクサ |
WO2007129548A1 (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
WO2007145049A1 (ja) | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
WO2007148510A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
KR100790699B1 (ko) | 2006-09-07 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 듀플렉서 |
KR100793544B1 (ko) | 2006-09-07 | 2008-01-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 듀플렉서 |
EP1885064A2 (en) | 2006-07-27 | 2008-02-06 | Fujitsu Media Devices Limited | Filter having multiple surface acoustic wave filters connected in parallel |
WO2008078496A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波装置 |
KR100847737B1 (ko) | 2007-02-07 | 2008-07-23 | 주식회사 아이.티.에프 | Rf 중계기에서의 저 형상 필터 |
JP2008533779A (ja) * | 2005-03-08 | 2008-08-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 改善された電磁適合性を有するデュプレクサ |
US7425878B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-09-16 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and duplexer using the same |
US7446629B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same |
JP2008271230A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Fujitsu Ltd | アンテナ分波器 |
WO2008146552A1 (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
WO2008146525A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | デュプレクサ及び弾性波装置 |
US7479846B2 (en) | 2004-11-02 | 2009-01-20 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
WO2009013974A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Kyocera Corporation | 弾性表面波装置及び通信装置 |
WO2009044516A1 (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Panasonic Corporation | 共用器 |
WO2009063559A1 (ja) * | 2007-11-15 | 2009-05-22 | Fujitsu Limited | 弾性波デバイス、それを用いたデュープレクサおよびそのデュープレクサを用いた通信機 |
JP2009284554A (ja) * | 2009-09-03 | 2009-12-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波装置、通信用フィルタ及び移動通信装置 |
JP2009290606A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Kyocera Corp | 分波器および無線通信機器 |
JPWO2008038459A1 (ja) * | 2006-09-25 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波フィルタ装置 |
DE102009046270A1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Verzweigungsfilter |
JPWO2008108113A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2010-06-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
US7821360B2 (en) | 2008-08-28 | 2010-10-26 | Northrop Grumman Systems Corporation | Multi-channel surface acoustic wave filter device with voltage controlled tunable frequency response |
JP4588116B1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | 分波器、通信用モジュール部品、及び通信装置 |
EP2254244A2 (en) | 2006-08-30 | 2010-11-24 | Fujitsu Media Devices Limited | Balance filter and duplexer |
WO2011077773A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
JP2011139316A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kyocera Corp | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
WO2011092876A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
WO2013031726A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR101270078B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-05-31 | 에프코스 아게 | 인접 채널 억압 특성이 개선된 hf 필터 |
DE112011103586T5 (de) | 2010-10-26 | 2013-10-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Demultiplexer für elastische Wellen |
US8587389B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-11-19 | Kyocera Corporation | Electronic device |
JP2014060806A (ja) * | 2011-01-31 | 2014-04-03 | Kyocera Corp | 分波器、分波器モジュールおよび通信装置 |
JP2014225909A (ja) * | 2014-07-28 | 2014-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
US9118297B2 (en) | 2012-08-02 | 2015-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and duplexing device |
US9136823B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-09-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Duplexer |
JPWO2015080045A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
WO2018012367A1 (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 京セラ株式会社 | 受信フィルタ、分波器および通信装置 |
US9912318B2 (en) | 2013-06-13 | 2018-03-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter device and duplexer |
WO2019172032A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
CN112511131A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-03-16 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器 |
KR20210123342A (ko) | 2019-03-13 | 2021-10-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 필터 장치 및 멀티플렉서 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3778902B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2006-05-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器及び電子装置 |
JP3967289B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2007-08-29 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器及び電子装置 |
JP2005235977A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP4303178B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2009-07-29 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP2007074698A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Fujitsu Media Device Kk | 分波器及びラダー型フィルタ |
JP5035430B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2012-09-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びデュプレクサ |
WO2012108254A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP6017868B2 (ja) * | 2011-11-04 | 2016-11-02 | 太陽誘電株式会社 | 分波器、フィルタ及び通信モジュール |
JP5933355B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-06-08 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ及びデュプレクサ |
JP6112654B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2017-04-12 | 太陽誘電株式会社 | モジュール |
JP5796604B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2015-10-21 | 株式会社村田製作所 | 分波装置 |
DE102014111901B4 (de) * | 2014-08-20 | 2019-05-23 | Snaptrack, Inc. | Duplexer |
JP2019054216A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
JP7344662B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-09-14 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
DE102019119239A1 (de) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | RF360 Europe GmbH | Multiplexer |
CN112532201B (zh) * | 2021-02-07 | 2021-08-17 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 |
RU205909U1 (ru) * | 2021-03-18 | 2021-08-12 | Общество с ограниченной ответственностью "БУТИС" | Дуплексерный фильтр на поверхностных акустических волнах |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH053417A (ja) | 1991-04-19 | 1993-01-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フイルタ |
JP3388475B2 (ja) | 1991-12-16 | 2003-03-24 | 富士通株式会社 | 分波器 |
JP3259459B2 (ja) | 1993-08-23 | 2002-02-25 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
JPH07226607A (ja) | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Hitachi Ltd | 分波器、分波器モジュールおよび無線通信装置 |
JP3239064B2 (ja) | 1996-05-28 | 2001-12-17 | 富士通株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3186604B2 (ja) | 1996-10-09 | 2001-07-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ装置 |
JP3222072B2 (ja) | 1996-10-15 | 2001-10-22 | 富士通株式会社 | 分波器パッケージ |
JP3224202B2 (ja) | 1996-11-28 | 2001-10-29 | 富士通株式会社 | 弾性表面波装置 |
JPH10261936A (ja) | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波フィルタ |
DE19818038B4 (de) | 1998-04-22 | 2004-07-22 | Epcos Ag | Dualmode-Oberflächenwellenfilter |
JP3206548B2 (ja) | 1998-05-14 | 2001-09-10 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ、共用器、通信機装置 |
JP4199847B2 (ja) | 1998-05-22 | 2008-12-24 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP3487414B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2004-01-19 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ装置 |
JP3484090B2 (ja) | 1998-12-22 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末 |
JP2001189639A (ja) * | 1998-12-29 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
JP3419339B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2003-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 |
JP2000349591A (ja) | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタを用いた分波器 |
JP2001049965A (ja) | 1999-08-10 | 2001-02-20 | Sekisui House Ltd | 面格子の取付構造 |
JP2001148616A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
JP3246906B2 (ja) | 2000-01-01 | 2002-01-15 | 富士通株式会社 | 分波器 |
JP3520413B2 (ja) | 2000-02-14 | 2004-04-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ装置 |
JP3391346B2 (ja) * | 2000-04-18 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ |
JP3375936B2 (ja) | 2000-05-10 | 2003-02-10 | 富士通株式会社 | 分波器デバイス |
ATE362674T1 (de) * | 2002-05-16 | 2007-06-15 | Tdk Corp | Antennenweiche |
JP3764731B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2006-04-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器 |
-
2002
- 2002-05-10 JP JP2002134770A patent/JP3833569B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-17 EP EP02805469A patent/EP1465337A4/en not_active Withdrawn
- 2002-10-17 CN CNB028109597A patent/CN100426669C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-17 US US10/474,513 patent/US7135944B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-17 KR KR1020037015471A patent/KR100593355B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-17 WO PCT/JP2002/010781 patent/WO2003055067A1/ja active Application Filing
- 2002-11-19 TW TW091133738A patent/TWI311858B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100638780B1 (ko) | 2003-04-25 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
KR100638778B1 (ko) | 2003-04-28 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
US7701311B2 (en) | 2004-08-04 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same |
US7446629B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same |
JP2006074749A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器 |
JP4504278B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2010-07-14 | パナソニック株式会社 | アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器 |
WO2006038421A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 電子デバイス及びこれに用いるパッケージ |
WO2006040927A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器 |
WO2006040923A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器 |
US7479846B2 (en) | 2004-11-02 | 2009-01-20 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer |
JP4541853B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-09-08 | 日本電波工業株式会社 | アンテナ分波器およびアンテナ分波器用表面弾性波フィルタ |
JP2006157174A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | アンテナ分波器およびアンテナ分波器用表面弾性波フィルタ |
KR101237337B1 (ko) * | 2005-03-08 | 2013-02-28 | 에프코스 아게 | 출력 호환성이 개선된 듀플렉서 |
JP2008533779A (ja) * | 2005-03-08 | 2008-08-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 改善された電磁適合性を有するデュプレクサ |
US7425878B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-09-16 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and duplexer using the same |
KR101270078B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-05-31 | 에프코스 아게 | 인접 채널 억압 특성이 개선된 hf 필터 |
JP2007104052A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JP2007189390A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ装置及び分波器 |
JP4534990B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2010-09-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ装置及び分波器 |
US7425879B2 (en) | 2006-01-12 | 2008-09-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter apparatus and branching filter |
JP4670872B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JPWO2007083432A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
WO2007083432A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
WO2007116760A1 (ja) | 2006-04-06 | 2007-10-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | デュプレクサ |
JP4725647B2 (ja) * | 2006-04-06 | 2011-07-13 | 株式会社村田製作所 | デュプレクサ |
EP2219292A1 (en) | 2006-04-06 | 2010-08-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Duplexer |
JPWO2007116760A1 (ja) * | 2006-04-06 | 2009-08-20 | 株式会社村田製作所 | デュプレクサ |
WO2007129548A1 (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
CN101438495A (zh) * | 2006-05-08 | 2009-05-20 | 株式会社村田制作所 | 弹性波滤波装置和双工器 |
JP5068255B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2012-11-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
JPWO2007129548A1 (ja) * | 2006-05-08 | 2009-09-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
JPWO2007145049A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2009-10-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
JP4720908B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2011-07-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
WO2007145049A1 (ja) | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
CN101467349B (zh) * | 2006-06-12 | 2011-06-01 | 株式会社村田制作所 | 弹性波分波器 |
WO2007148510A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
JPWO2007148510A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
JP4735717B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2011-07-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
US7795999B2 (en) | 2006-07-27 | 2010-09-14 | Fujitsu Media Devices Limited | Filter having multiple surface acoustic wave filters connected in parallel |
EP1885064A2 (en) | 2006-07-27 | 2008-02-06 | Fujitsu Media Devices Limited | Filter having multiple surface acoustic wave filters connected in parallel |
EP2254244A2 (en) | 2006-08-30 | 2010-11-24 | Fujitsu Media Devices Limited | Balance filter and duplexer |
US7915972B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-03-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Balance filter and duplexer |
KR100793544B1 (ko) | 2006-09-07 | 2008-01-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 듀플렉서 |
KR100790699B1 (ko) | 2006-09-07 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 듀플렉서 |
JPWO2008038459A1 (ja) * | 2006-09-25 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波フィルタ装置 |
GB2457392B (en) * | 2006-12-25 | 2011-07-20 | Murata Manufacturing Co | Acoustic wave device |
JP4867997B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-02-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
GB2457392A (en) * | 2006-12-25 | 2009-08-19 | Murata Manufacturing Co | Elastic wave device |
WO2008078496A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波装置 |
JPWO2008078496A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-04-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR100847737B1 (ko) | 2007-02-07 | 2008-07-23 | 주식회사 아이.티.에프 | Rf 중계기에서의 저 형상 필터 |
JPWO2008108113A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2010-06-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
JP2008271230A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Fujitsu Ltd | アンテナ分波器 |
WO2008146525A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | デュプレクサ及び弾性波装置 |
US7924118B2 (en) | 2007-05-28 | 2011-04-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Duplexer and elastic wave device |
KR101027593B1 (ko) | 2007-05-29 | 2011-04-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 분파기 |
JPWO2008146552A1 (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
WO2008146552A1 (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
US7804380B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave duplexer |
JP4868064B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-02-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
CN101682312B (zh) * | 2007-05-29 | 2013-01-23 | 株式会社村田制作所 | 弹性波分波器 |
WO2009013974A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Kyocera Corporation | 弾性表面波装置及び通信装置 |
JP5110611B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及び通信装置 |
US8427258B2 (en) | 2007-07-26 | 2013-04-23 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and communication device |
US8587389B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-11-19 | Kyocera Corporation | Electronic device |
US8368486B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-02-05 | Panasonic Corporation | Duplexer |
JP5178729B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2013-04-10 | パナソニック株式会社 | 共用器 |
WO2009044516A1 (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Panasonic Corporation | 共用器 |
US8330553B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-12-11 | Panasonic Corporation | Duplexer |
USRE48129E1 (en) | 2007-11-15 | 2020-07-28 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic wave device, duplexer using the same, and communication apparatus using the duplexer |
US8049577B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-11-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic wave device, duplexer using the same, and communication apparatus using the duplexer |
WO2009063559A1 (ja) * | 2007-11-15 | 2009-05-22 | Fujitsu Limited | 弾性波デバイス、それを用いたデュープレクサおよびそのデュープレクサを用いた通信機 |
JP2009290606A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Kyocera Corp | 分波器および無線通信機器 |
JP2011010317A (ja) * | 2008-07-30 | 2011-01-13 | Kyocera Corp | 分波器、通信用モジュール部品、及び通信装置 |
JP2011010278A (ja) * | 2008-07-30 | 2011-01-13 | Kyocera Corp | 分波器、通信用モジュール部品、及び通信装置 |
JP4588116B1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | 分波器、通信用モジュール部品、及び通信装置 |
US7821360B2 (en) | 2008-08-28 | 2010-10-26 | Northrop Grumman Systems Corporation | Multi-channel surface acoustic wave filter device with voltage controlled tunable frequency response |
US8362852B2 (en) | 2008-10-30 | 2013-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter |
DE102009046270A1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Verzweigungsfilter |
JP2009284554A (ja) * | 2009-09-03 | 2009-12-03 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波装置、通信用フィルタ及び移動通信装置 |
WO2011077773A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
US8416036B2 (en) | 2009-12-25 | 2013-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter |
JP5170262B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-03-27 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
JP2011139316A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kyocera Corp | 弾性波装置および弾性波装置の製造方法 |
JP5168360B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-03-21 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
US8791774B2 (en) | 2010-01-28 | 2014-07-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter |
WO2011092876A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
US9013247B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave demultiplexer |
DE112011103586B4 (de) * | 2010-10-26 | 2017-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Demultiplexer für elastische Wellen |
DE112011103586T5 (de) | 2010-10-26 | 2013-10-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Demultiplexer für elastische Wellen |
US9136823B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-09-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Duplexer |
US9641155B2 (en) | 2011-01-19 | 2017-05-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Duplexer |
JP2014060806A (ja) * | 2011-01-31 | 2014-04-03 | Kyocera Corp | 分波器、分波器モジュールおよび通信装置 |
WO2013031726A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR20140037269A (ko) | 2011-09-01 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
US9595938B2 (en) | 2011-09-01 | 2017-03-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
JP5423928B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US9118297B2 (en) | 2012-08-02 | 2015-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and duplexing device |
US9912318B2 (en) | 2013-06-13 | 2018-03-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter device and duplexer |
JPWO2015080045A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
US9882548B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Splitter |
JP2014225909A (ja) * | 2014-07-28 | 2014-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
US11115001B2 (en) | 2016-07-13 | 2021-09-07 | Kyocera Corporation | Receiving filter, multiplexer, and communication apparatus |
WO2018012367A1 (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 京セラ株式会社 | 受信フィルタ、分波器および通信装置 |
WO2019172032A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
US11777473B2 (en) | 2018-03-08 | 2023-10-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device |
KR20210123342A (ko) | 2019-03-13 | 2021-10-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 필터 장치 및 멀티플렉서 |
US11855605B2 (en) | 2019-03-13 | 2023-12-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave filter device and multiplexer |
CN112511131A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-03-16 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器 |
CN112511131B (zh) * | 2021-02-05 | 2021-05-25 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100426669C (zh) | 2008-10-15 |
EP1465337A4 (en) | 2009-11-11 |
KR100593355B1 (ko) | 2006-06-28 |
EP1465337A1 (en) | 2004-10-06 |
US20040155730A1 (en) | 2004-08-12 |
JP3833569B2 (ja) | 2006-10-11 |
TW200301617A (en) | 2003-07-01 |
CN1513229A (zh) | 2004-07-14 |
KR20040075707A (ko) | 2004-08-30 |
TWI311858B (en) | 2009-07-01 |
US7135944B2 (en) | 2006-11-14 |
WO2003055067A1 (fr) | 2003-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3833569B2 (ja) | 分波器及びこれを用いた電子装置 | |
US7038551B2 (en) | Antenna duplexer | |
US7283016B2 (en) | Balanced acoustic wave filter and acoustic wave filter | |
JP4255959B2 (ja) | バランスフィルタおよび分波器 | |
US6380823B1 (en) | Antenna duplexer with receiving, transmitting, and antenna terminal groups separated planarly | |
US6744333B2 (en) | Surface acoustic wave filter device with balanced and unbalanced terminals | |
US7486159B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
US7053731B2 (en) | Duplexer using surface acoustic wave filters | |
JP4000960B2 (ja) | 分波器、通信装置 | |
US7659796B2 (en) | Surface acoustic wave device and duplexer and communication device using the same | |
US9013247B2 (en) | Elastic wave demultiplexer | |
EP1737126A1 (en) | Balanced type surface acoustic wave filter | |
JP3967289B2 (ja) | 分波器及び電子装置 | |
JP2000261344A (ja) | 弾性表面波フィルタ、それを用いた通信機装置 | |
JP2003163570A (ja) | 分波器及びこれを用いた電子装置 | |
JP3743341B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3478260B2 (ja) | 弾性表面波フィルタおよび通信機装置 | |
JP2007006274A (ja) | インピーダンス整合回路および分波器 | |
US20030137365A1 (en) | Surface acoustic wave device and communication apparatus including the same | |
JP2003179464A (ja) | アンテナ分波器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060719 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3833569 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061004 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130728 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |