JP2001189639A - 弾性表面波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 弾性表面波装置のマルチチップパッケージの
作製を容易とし、小型の多機能あるいはマルチモードの
フィルタを得る。 【解決手段】 一主面に導体が形成されたベースを有す
るパッケージと、圧電性基板の一主面上に形成された複
数のインターディジタルトランスデューサ、該圧電性基
板上の相対する辺に配置された信号端子、及び該圧電性
基板上に配置された接地端子とを有する複数の弾性表面
波チップとを具備し、前記複数の弾性表面波チップは、
前記信号端子及び前記接地端子において、前記導体にフ
ェイスダウンでボンディングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上に形成
されたインターディジタルトランスデューサ（以下ＩＤ
Ｔと略称する）を有する弾性表面波装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、弾性表面波装置は、小型化、
高性能化及び高信頼化を満たすことから、多くの分野で
用いられている。例えば携帯電話等の無線通信の分野で
は、弾性表面波装置は、送信用バンドパスフィルタ、受
信用バンドパスフィルタ等として使われている。

【０００３】ところで、このような無線通信の分野で
は、周波数帯域の異なる二つ以上のシステムが共存する
傾向にある。例えば、北米等では１．９ＧＨｚ帯のＰＣ
Ｓと８００ＭＨｚ帯のＡＭＰＳの二つのシステムが共存
しており、欧州等では１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳと９００
ＭＨｚ帯のＧＳＭの二つのシステムが共存しており、日
本国内では１．９ＧＨｚ帯のＰＨＳと１．５ＧＨｚ帯の
ＰＤＣ１．５Ｇと８００ＭＨｚ帯のＰＤＣ８００の複数
のシステムが共存している。

【０００４】このため、最近では周波数の異なる二つ以
上のシステムにおける通信を同一の機器で実現するデュ
アルタイプの無線通信機が望まれる傾向にある。このよ
うなデュアルタイプの無線通信機では、各種の部品を共
通化できるので、異なるシステム毎に無線通信機を用意
する場合に比べれば、トータルコストや大きさの点で相
当のメリットがある。

【０００５】このデュアルタイプの無線通信機に対応す
る弾性表面波装置として、互いに異なる周波数帯域で動
作する複数の弾性表面波チップを一つのパッケージに収
納したものを用いることができる。その結果、弾性表面
波装置の小型化、低コスト化が可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】弾性表面波装置では、
通常弾性表面波チップの搭載領域を囲む形で、ＩＤＴに
外部から入力信号や接地電位の供給、あるいは出力信号
の取り出しを行うためのボンディングパッドが設けられ
る。そしてこれらのボンディングパッドとＩＤＴの端子
とがボンディングワイヤにより結線される。

【０００７】ところが上記のように複数の弾性表面波チ
ップを一つのパッケージ内に収納し、いわゆるマルチチ
ップパッケージを作製しようとした場合、各チップの一
辺側のボンディングパッドにＩＤＴの端子を結線するこ
ととなる。このため、ＩＤＴの端子の位置によってボン
ディングワイヤの長さが異なることとなる。

【０００８】この結果、特に縦モード結合共振子フィル
タのように複数のＩＤＴを表面波の主伝搬方向に沿って
並べるような場合、ボンディングワイヤに寄生する容量
成分やインダクタンス成分の影響がＩＤＴ毎に異なって
しまい、周波数特性の調整が困難となるおそれがある。
さらにはボンディングワイヤがＩＤＴを跨ぐような場合
は、ボンディングワイヤとＩＤＴとの間に電磁的結合が
生じ易いという問題があった。

【０００９】本発明は、弾性表面波装置を改良せんとす
るもので、以下を目的とする。 （１）マルチチップによるパッケージ化が容易な弾性表
面波装置を提供する。 （２）ＩＤＴ（インターディジタルトランスデューサ）
毎の寄生容量成分、インダクタンス成分を均一化し、特
性の揃ったＩＤＴを有する弾性表面波装置を提供する。 （３）ボンディングワイヤとＩＤＴとの電磁的結合によ
る信号、ノイズの混入を防止する。 （４）小型の弾性表面波装置を提供する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る弾性表面波装置は、一主面に導体が形
成されたベースを有するパッケージと、圧電性基板の一
主面上に形成された複数のインターディジタルトランス
デューサ、該圧電性基板上の相対する辺に配置された信
号端子、及び該圧電性基板上に配置された接地端子とを
有する複数の弾性表面波チップとを具備し、前記複数の
弾性表面波チップは、前記信号端子及び前記接地端子に
おいて、前記導体にフェイスダウンでボンディングされ
ていることを特徴とする。

【００１１】本発明に係る弾性表面波装置では、マルチ
チップの各ＩＤＴ端子への給電及び出力の取り出しはベ
ース上の導体を介して行われる。このため、ＩＤＴ端子
の位置による寄生容量成分やインダクタンス成分の影響
の違いや電磁的結合の影響を軽減できる。その結果、マ
ルチチップパッケージの作製が容易となる。

【００１２】またベース上にチップの複数の信号端子に
対応した信号導体を形成し、隣接するこれら信号導体の
間の領域に接地導体の一部を形成させてもよい。

【００１３】これにより隣接する信号導体間の電磁結合
を、その間に介在させた接地導体でシールドすることが
でき、信号導体間の電磁的結合の影響を軽減できる。

【００１４】また、インターディジタルトランスデュー
サの全てが前記接地導体と対向していてもよい。

【００１５】このようにすると、インターディジタルト
ランスデューサへの電気信号、ノイズの混入を防止でき
る。

【００１６】また弾性表面波チップの少なくとも一つ
を、縦続接続された複数の弾性表面波フィルタで構成し
てもよい。

【００１７】また弾性表面波チップの少なくとも一つ
を、縦モード結合型弾性表面波素子で構成してもよい。

【００１８】その一例である縦モード結合型弾性表面波
共振子フィルタは、通常複数のＩＤＴ及びこれらＩＤＴ
を挟む形で両端に配置された反射器が圧電基板上の一弾
性表面波伝搬方向に沿って列設されて構成されている。

【００１９】このため、弾性表面波の基本波に加えて高
次モードを取り出すことが可能となる。その結果、フィ
ルタが広帯域化される。

【００２０】この縦モード結合型弾性表面波共振子をマ
ルチチップとして組み込む場合、本発明によればＩＤＴ
毎の寄生容量値やインダクタンス値のばらつきが軽減さ
れているため、効率よく高次モードの弾性表面波を取り
出すことができる。

【００２１】また本発明の弾性表面波装置においては、
複数の弾性表面波チップのいずれかに選択的に入力信号
を供給する外部選択回路を設け、スイッチャブルフィル
タを構成してもよい。

【００２２】また弾性表面波チップの少なくともいずれ
か一つのチップの圧電性基板の伝搬特性を他の弾性表面
波チップのそれと異ならせてもよい。

【００２３】また基板の伝搬特性に限らず、電極指厚さ
や電極指の構成材料（組成または層構造を含む）、ある
いは電極指のデューティー比（電極指幅／電極指中心間
距離）を他の弾性表面波チップのそれと異ならせてもよ
い。

【００２４】また、弾性表面波チップの少なくともいず
れか一つのチップの外形寸法を他のチップのそれと異な
らせてもよい。

【００２５】これによりチップの識別が容易となる。こ
こで、圧電性基板の寸法をそれぞれのフィルタに要求さ
れる最小のものとすることにより、低コスト化や小型軽
量化が可能となる。

【００２６】外形寸法として、圧電性基板の厚さを弾性
表面波チップの種類に応じて異ならせておけば、チップ
の実装時及び実装後に識別が容易となり好都合である。
識別のためには、基板厚さの差が２０μｍ以上であるこ
とが好ましい。

【００２７】また、パッケージへの実装時に基板の厚さ
の薄いチップから順に実装すれば、実装に用いるツール
と弾性表面波チップとの干渉を防ぐことができ、容易に
実装することができる。

【００２８】弾性表面波チップの少なくともいずれか一
つのチップの圧電性基板の厚さを他の弾性表面波チップ
のそれと異ならせる場合は、それぞれの弾性表面波素子
に要求される帯域幅や急峻性に応じた最適な圧電性基板
厚を用いることができる。

【００２９】また、弾性表面波チップの少なくともいず
れか一つのチップの裏面粗さを他のチップと異ならせて
もよい。これによりチップの識別が容易となる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
形態を説明する。

【００３１】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態に係る弾性表面波装置１を表す分解斜視図であ
る。本実施形態は弾性表面波装置１を低域側バンドパス
フィルタ、高域側バンドパスフィルタと２つのフィルタ
を持つデュアルフィルタとして構成している。

【００３２】この図に示すように２つの弾性表面波チッ
プ１０，２０が、外形が直方体状のパッケージ３０の内
部に収納されている。ここで、弾性表面波チップ１０、
２０はそれぞれ低域側バンドパスフィルタ、高域側バン
ドパスフィルタを構成する。

【００３３】パッケージ３０は、それぞれパッケージ３
０の底部、側壁、上板を構成するベース３１、外周部３
２，蓋３３からなっている。

【００３４】パッケージ３０は、ベース３１、外周部３
２、蓋３３を接着して、密封することができる。その結
果、弾性表面波チップ１０、２０はパッケージ３０の内
部に気密状態で保護される。

【００３５】図２は、図１に示した弾性表面波装置１の
蓋３３を外した状態を示す断面図である。

【００３６】セラミックまたはプラスチックのベース３
１に外周部３２が接合されている。ベース３１上に弾性
表面波チップ１０、２０がそのＩＤＴ（インターディジ
タルトランスデューサ）の形成面を下側にして（フェイ
スダウン）、マウントされている。

【００３７】そしてＩＤＴの端子はバンプ３５を介して
ベース３１上面に形成された導体４０に接合されてい
る。このフリップチップ実装におけるバンプ３５の材料
は金を用い、超音波で接合できる。

【００３８】ここで、バンプ３５の材料としてハンダも
使用できる。導体４０は、スルーホールを介してベース
３１の裏面に至る電気配線に接続されている。

【００３９】本実施形態の詳細を図３、図４に表す。

【００４０】図３Ａは、ベース３１の導体４０が形成さ
れた導体形成面を表す平面図である。また、図３Ｂは、
弾性表面波チップ１０、２０の電極が形成された電極形
成面を表す平面図である。

【００４１】図４は弾性表面波チップ１０，２０を内蔵
したパッケージ３０を、チップ１０，２０を目立たせた
状態で、裏面から透視した図である。図４は、図３Ａの
上下をひっくり返した状態で、図３Ａと図３Ｂとを重ね
合わせた図となっている。

【００４２】図１〜図４に示すとおり、ベース３１は、
四角の板状である。ベース３１は、セラミックまたはプ
ラスチックで形成される。ここで、ベース３１には、４
隅、及び各辺の中央にスルーホールが形成されている。

【００４３】ベース３１のチップ搭載面***付近に
は、金属導体膜からなる導体４０が形成されている。導
体４０は、信号導体４１〜４４及び接地導体４５から構
成されている。信号導体４１，４２は信号が入力される
入力信号導体であり、信号導体４３，４４は信号が出力
される出力信号導体である。これらの導体４１〜４５は
互いに同一の層からなり、導体が形成されていないスリ
ット４６Ａ〜４６Ｄによって平面的に絶縁分離されてい
る。

【００４４】信号導体４１〜４４は導体４０全体の四隅
に形成されている。また、接地導体４５は十字形状に形
成されており、その一部が信号導体４１〜４４の間に挟
まれるように配置されている。このように、信号導体４
１〜４４同士の間の領域に接地導体４５が存在すること
で、信号導体４１〜４４がそれぞれシールドされる。そ
の結果、信号導体４１〜４４上の信号が互いに混入する
ことを防止できる。

【００４５】信号導体４１〜４４はそれぞれ配線４７Ａ
〜４７Ｄによって、スルーホール中に形成された導体と
電気的に接続されている。接地導体４５には配線４７Ｅ
〜４７Ｈが接続される。配線４７Ｅ〜４７Ｈはそれぞれ
スルーホール中に形成された導体と電気的に接続されて
いる。

【００４６】図１〜図４に示すように弾性表面波チップ
１０、２０はそれぞれの１辺が略平行になるようにベー
ス３１上に配置されている。この弾性表面波チップ１
０、２０はそれぞれ低域側バンドパスフィルタ、高域側
バンドパスフィルタを構成する。

【００４７】低域側バンドパスフィルタは、縦モード結
合型弾性表面波共振子フィルタ１１、１２が縦続接続さ
れて構成される。一方高域側バンドパスフィルタは、縦
モード結合型弾性表面波共振子フィルタ２１、２２が縦
続接続されてなる。

【００４８】ここで、縦モード結合型弾性表面波共振子
フィルタ１１、１２は３つのＩＤＴが一弾性表面波伝搬
方向に列設され、その列の両端部に反射器を配したいわ
ゆる３ＩＤＴ構成である。縦モード結合型弾性表面波共
振子フィルタ２１、２２は７つのＩＤＴが一弾性表面波
伝搬方向に列設され、その列の両端部に反射器を配した
いわゆる７ＩＤＴ構成である。そして、それぞれの弾性
表面波チップ１０，２０上において、これらのＩＤＴは
弾性表面波の主伝搬方向が互いに平行となるように配置
されている。

【００４９】縦モード結合型弾性表面波共振子フィルタ
１１、１２には、それぞれ信号端子１３，１４が接続さ
れ、また両者に接地端子１５が接続されている。縦モー
ド結合型弾性表面波共振子フィルタ２１、２２には、そ
れぞれ信号端子２３，２４が接続され、また両者に接地
端子２５が接続されている。ここで、信号端子１３，２
３は信号を入力する入力信号端子であり、信号端子１
４，２４は信号を出力する出力信号端子である。

【００５０】信号端子１３，２３と信号端子１４，２４
とは、それぞれベース３１の対向する二辺に並ぶように
配置され、信号端子１３，２３の配列と信号端子１４，
２４の配列とがほぼ並行となっている。

【００５１】二つのチップの入力信号端子１３，２３ま
たは出力信号端子１４，２４がそれぞれベース３１の同
一辺側となるように配置されていることは、外部選択回
路との接続を容易にする。

【００５２】尚、これらのフィルタをパッケージ内でシ
リアルに接続するような場合は、一方のフィルタの入力
信号端子と他方のフィルタの出力信号端子がベース３１
の同じ側に並ぶように配置し、ベース上の導体で接続し
てもよい。

【００５３】弾性表面波チップ１０，２０は、ベース３
１上に、フェイスダウンの状態でボンディングされるこ
とにより、実装されている。即ち、弾性表面波チップ１
０、２０の信号端子１３，２３、１４，２４はそれぞれ
信号導体４１〜４４に接続されている。また、弾性表面
波チップ１０、２０の接地端子１５，２５はいずれも接
地導体４５に接続されている。

【００５４】信号端子１３，２３，１４，２４及び接地
端子１５，２５と信号導体４１〜４４及び接地導体４５
との接続は、前述のようにいずれもバンプ接合によって
行われている。

【００５５】ここで、図４に示されるように、全てのＩ
ＤＴ、ひいては縦モード結合型弾性表面波共振子フィル
タ１１，１２．２１，２２は接地導体４５に対向して形
成されている。即ち、全てのＩＤＴは平面上信号導体４
１〜４４と重なり合うことがない。この結果、それぞれ
のＩＤＴに電気的な信号が混入することが防止される。
仮に、信号導体４１〜４４のいずれかに対向したＩＤＴ
があると、互いに対向した信号導体とＩＤＴの間で直接
電磁的な結合を生じることになり、信号の混入が生じや
すくなる。

【００５６】また、ベース３１上に形成される接地導体
４５を十字形状として、隣接する信号導体４１〜４４の
間にその延在部が挟まれるように配置している。そのた
め、例えばデュアルモードフィルタにおいて、一方のフ
ィルタへの入力中に他方のフィルタへの入力を遮断して
いるような場合でも、一方のフィルタの信号導体と他方
のフィルタの信号導体との間の電磁結合を接地導体４５
により遮蔽できる。この結果、信号導体４１〜４４間で
の電磁的な結合の影響を軽減し、挿入損失の少ない弾性
表面波装置を得ることができる。

【００５７】本実施形態に係る弾性表面波装置において
は、このように縦モード型共振子フィルタを有する二つ
の弾性表面波チップ１０，２０をベース３１上にフェイ
スダウンでボンディングして、実装している。

【００５８】このため、縦モード型共振子フィルタの個
々のＩＤＴに寄生する寄生容量値やインダクタンス値の
ばらつきを軽減することができる。この結果、高次モー
ドの弾性表面波を効率よく取り出すことができ、広帯域
のフィルタを得ることができる。

【００５９】（第２の実施形態）図５Ａ，Ｂは、それぞ
れ導体の形状を変更したベース３１Ａ，３１Ｂの平面状
態を表した平面図である。これらの図に表されたベース
３１Ａ，３１Ｂは、それぞれ本発明の第２の実施形態に
係る弾性表面波装置の一部を構成する。

【００６０】図５Ａに示されるように、ベース３１Ａ上
には信号導体４１Ａ〜４４Ａ及び接地導体４５Ａからな
る導体４０Ａが形成されている。ここで、ベース３１Ａ
上の配線は記載を省略し、導体４０Ａのみを示してい
る。

【００６１】図５Ａを図３Ａと比較すれば判るように、
接地導体４５Ａには十字の一部をなす紙面縦方向の四角
形の４隅それぞれに４角形状の欠けがある。この欠けが
あっても弾性表面波チップ１０、２０を設置したとき
に、全てのＩＤＴ、ひいては縦モード結合型弾性表面波
共振子フィルタ１１，１２，２１，２２が接地導体４５
Ａに対向することに変わりはない。

【００６２】この結果、第１の実施形態と同様、接地導
体４５が縦モード結合型弾性表面波共振子フィルタ１
１，１２，２１，２２をシールドして、ノイズの混入が
防止される。

【００６３】その他の点は、第１の実施形態と相違する
点はないので、説明を省略する。

【００６４】図５Ｂに示されるように、ベース３１Ｂ上
に四角形状の信号導体４１Ｂ〜４４Ｂが互いに離れて形
成され、信号導体４１Ｂ〜４４Ｂ間の領域に接地導体４
５Ｂが存在する。ここでも、ベース３１Ｂ上の配線は記
載を省略し、導体４０Ｂのみを示している。

【００６５】信号導体４１Ｂ〜４４Ｂはそれぞれ、四角
形の１辺を除いた他の３辺が接地電極４５Ｂに隣接して
いる。即ち、信号導体４１Ｂ〜４４Ｂは接地導体４５Ｂ
に外周をほぼ囲われており、他からの雑音、信号の混入
を第１の実施形態よりも強く防止することができる。

【００６６】このとき、接地導体４５Ｂは、十字の形状
の導体に一点鎖線で区切られた４つの４角形の導体４５
１〜４５４を付加したものと考えることもできる。

【００６７】以上図３Ｂ、図５Ａ、図５Ｂに示されたよ
うに、接地導体の基本的形状は十字であるが、十字に多
少の形状が付加、あるいは削除されていても差し支えな
い。また十字を構成する縦横の四角形の幅が同一でなく
ても差し支えない。

【００６８】（第３の実施形態）第３の実施形態の弾性
表面波装置においては、１チップ上に一つの縦モード型
共振子フィルタを形成している。そして、この縦モード
型共振子フィルタの複数をベースに設置して、マルチチ
ップパッケージ化している。

【００６９】図６は、縦モード結合型弾性表面波共振子
フィルタの例としての５ＩＤＴ構造の構成を示す平面図
である。例えば、この縦モード結合型弾性表面波共振子
フィルタを、図３Ｂに示した弾性表面波チップ１０の縦
モード結合型弾性表面波共振子フィルタ１１，１２と同
様に、縦続接続することでフィルタを構成できる。

【００７０】圧電性基板５０の一主面上に５つのＩＤＴ
５１〜５５が並んで設置されている。そして、５つのＩ
ＤＴ５１〜５５が設置された両端部に反射器５６、５７
が配置されている。これは、いわゆる５ＩＤＴ構造であ
る。これらのＩＤＴの電極指及び反射器を構成する金属
ストリップはともに同一の金属層、例えばＡｌを主材料
とする合金ストリップにより形成されている。

【００７１】この構成により、縦モード結合型弾性表面
波共振子フィルタは、弾性表面波の基本波とともに三
次、五次モードの波を取り出すことが可能となり、広帯
域のフィルタとして動作させることができる。

【００７２】ＩＤＴ５２、５３の図中右側の電極指は入
力信号端子６１に共通接続され、ＩＤＴ５１、５４、５
５の図中左側の電極指は出力信号端子６２に共通接続さ
れる。また、ＩＤＴ５１、５４、５５の図中右側の電極
指とＩＤＴ５２、５３の図中左側の電極指はそれぞれ接
地端子６３〜６７に接続されている。

【００７３】本実施形態において、接地端子６３〜６７
は、それぞれ端子として分離して形成されている。その
結果、チップ単体での検査によりどのＩＤＴが不良であ
るかを検出することが容易となる。尚、接地端子６３〜
６７はチップ上で一体接続して構成してもよい。

【００７４】接地端子６３〜６７をフィルタの配列方向
からずらして配置することにより、ボンディングパッド
を大きく形成することができる。その結果、接地端子６
３〜６７と接地導体４５との接続の信頼性が向上する。

【００７５】（第４の実施形態）図７は、本発明の第４
の実施形態に係る弾性表面波装置を表す斜視図である。
本図に示されるように、ベース３１上に圧電性基板の厚
さの異なる二つのチップ７１、７２を形成して弾性表面
波装置が構成される。このように構成することにより特
性の異なった表面弾性波チップをマルチチップとするこ
とができる。

【００７６】このような厚さの異なるチップの実装方法
としては、図８に示す実装方法が好適である。即ち、ま
ず基板厚さの薄い（例えば０．３５ｍｍ）のチップ７１
をツール８０によってフリップチップ実装し、しかる後
に基板厚さの厚い（例えば０．５ｍｍ）チップ７２を実
装する。このとき、一例として、バンプは約３０μｍの
Ａｕバンプ、チップサイズは１ｍｍ×１．５ｍｍであ
り、ツールは先端が１．５ｍｍφである。

【００７７】このツール８０は、先端部がチップ上部の
全体を覆い得る寸法になっている。このようなサイズの
ツール８０をチップに位置合わせして接触させる。

【００７８】その結果、ツール角接触によるチップかけ
は生じない。尚、チップに加わる力は均一でありバンプ
接合のむらも生じない。

【００７９】この実施形態で用いる直径３０μｍのＡｕ
バンプは接合時に２０μｍ程度につぶれる。ここで、２
番目にフリップチップ実装する基板厚さ０．５ｍｍのチ
ップ７２と最初に接合した基板厚さ０．３５ｍｍチップ
７１との厚さの差は０．１５ｍｍである。

【００８０】従って、チップ７２を実装する際に、ウェ
ハー厚の公差２０μｍ及びバンプの交差を考慮しても、
ツール８０とチップ７１との間に十分な間隔を保持でき
る。

【００８１】このため、２番目のチップ７２をフリップ
チップ実装する際にもツール８０先端がすでに実装して
あるチップ７１に触れることがない。従い、すでに実装
してあるチップの接合を損なうことがない。

【００８２】（第５の実施形態）図９は本発明の第５の
実施形態に係る無線通信機を表すブロック図である。本
実施形態では、弾性表面波装置を無線通信機に組み込
み、２つの周波数帯域を含む電波信号を取り扱う。

【００８３】アンテナ１１０を介して入力された信号
は、デュープレクサ１２０を介して受信ライン側に入力
され、それぞれの周波数帯域に対応するアンプ１３０を
介して受信フィルタ１４０に入力される。受信フィルタ
１４０より出力された信号は、スイッチ１５０により一
方の帯域の信号が選択され、選択された信号はミキサ１
６０により中間周波数に落とされ信号処理部１７０に入
力される。

【００８４】一方、信号処理部１８０から出力された信
号はミキサ１９０により送信周波数の信号にされ、スイ
ッチ２００により一方の帯域の信号が選択され、送信フ
ィルタ２１０に入力される。送信フィルタ２１０から出
力された信号は、それぞれの周波数帯域に対応するアン
プ２２０及びデュープレクサ１２０を介してアンテナ１
１０より出力される。本実施形態におけるスイッチ１５
０，２００は、外部選択回路を構成する。

【００８５】ここで、シンセサイザ２３０から出力され
た発振信号は、フィルタ２４０またはフィルタ２５０を
介して、ミキサ１６０、または１９０に入力される。

【００８６】本実施形態では、上記の受信フィルタ１４
０及び送信フィルタ２１０において二つの周波数帯域の
信号を扱うことになる。このため、各周波数帯域におけ
るバンドパスフィルタとして、第１の実施形態等に示し
た弾性表面波装置を用いる。

【００８７】尚、本発明に係る弾性表面波装置は、デュ
ープレクサ１２０として用いることも可能である。

【００８８】（その他の実施形態）本発明の実施形態は
以上の実施形態に限られず、本発明の技術的思想の範囲
内で拡張、変更することが可能である。この拡張、変更
した実施形態も本発明の範囲に含まれる。

【００８９】拡張、変更した実施形態には例えば以下の
ものがあげられる。

【００９０】（１）上に述べた実施形態では２つのチッ
プを用いて弾性表面波装置を構成したが、３つ以上のチ
ップを用いてもよい。

【００９１】このときにもそれぞれのチップ上のＩＤＴ
はその全てがベース３１上の接地導体４５と対向してい
ることが信号、ノイズの混入を防止する上で好ましい。

【００９２】また、ベース３１上の信号導体４１〜４４
間の領域に接地導体４５の一部が存在していることが好
ましい。更に、信号導体４１〜４４は、その１辺もしく
は１端を除き、接地導体４５によって隣接した状態で囲
まれていることが好ましい。

【００９３】（２）弾性表面波チップとして特性が互い
に異なるチップを用いる場合、特性を異ならせる方法と
して例えば以下が考えられる。

【００９４】ａ．圧電性基板の基板材、あるいは基板材
のカット面をそれぞれのチップに要求される特性にあわ
せて異ならせる。

【００９５】例えばＬｉＮｂＯ３の４１Ｙ、６４Ｙ及び
ＬｉＴａＯ３の３６Ｙ、４２Ｙ、Ｘ−１１２Ｙ、または
水晶、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ５などの圧電性基板の中から好適な
ものの組み合わせを選ぶことができる。

【００９６】ｂ．チップの外形サイズを異ならせる。こ
の場合チップ長の異なる複数のチップを用いてもよくま
たチップ幅の異なるものを用いてもよい。

【００９７】ｃ．またそれぞれのチップに要求される特
性に合わせて、電極指の厚さや材料、あるいは層数を異
なせる。

【００９８】ｄ．電極指のデューティー比（電極指幅／
電極指ピッチ）を異ならせる。

【００９９】（３）基板裏面の粗さを異ならせてもよ
い。この場合、チップの識別を容易にすることができ
る。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波装置では、マルチチップの各ＩＤＴ端子への給電
及び出力の取り出しはベース上の導体を介して行われ
る。このため、ＩＤＴ端子の位置による寄生容量成分や
インダクタンス成分の影響の違いや電磁的結合の影響を
軽減できる。その結果、マルチチップパッケージの作製
が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波装置を
表す分解斜視図である。

【図２】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波装置を
表す断面図である。

【図３】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波装置の
ベース及び弾性表面波チップの導体形成面を表す平面図
である。

【図４】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波装置
を、弾性表面波チップを目立たせた状態で、パッケージ
の裏面から透視した透視図である。

【図５】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波装置の
ベースの導体形成面を表す平面図である。

【図６】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波チップ
の電極形成面を表す平面図である。

【図７】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波装置を
表す斜視図である。

【図８】 本発明の１実施形態に係る弾性表面波チップ
の実装工程を表す斜視図である。

【図９】 本発明の１実施形態に係る無線通信機のブロ
ック図である。

【符号の説明】

１ 弾性表面波装置 １０，２０ 弾性表面波チップ １１，１２ 縦モード結合型弾性表面波共振子フィルタ １３，１４ 信号端子 １５ 接地端子 ２１、２２ 縦モード結合型弾性表面波共振子フィルタ ２３，２４ 信号端子 ２５ 接地端子 ３０ パッケージ ３１、３１Ａ、３１Ｂ ベース ３２ 外周部 ３３ 蓋 ３５ バンプ ４０、４０Ａ、４０Ｂ 導体 ４１、４１Ａ、４１Ｂ 信号導体 ４２，４３，４４ 信号導体 ４５、４５Ａ、４５Ｂ 接地導体 ４５１ 導体 ４６Ａ スリット ４７Ａ 配線 ４７Ｅ 配線 ５０ 圧電性基板 ５６ 反射器 ６１ 入力信号端子 ６２ 出力信号端子 ６３ 接地端子 ７１、７２ 弾性表面波チップ ８０ ツール １１０ アンテナ １２０ デュープレクサ １３０ アンプ １４０ 受信フィルタ １５０ スイッチ １６０ ミキサ １７０ 信号処理部 １８０ 信号処理部 １９０ ミキサ ２００ スイッチ ２１０ 送信フィルタ ２２０ アンプ ２３０ シンセサイザ ２４０、２５０ フィルタ

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一主面に導体が形成されたベースを有す
   るパッケージと、 圧電性基板の一主面上に形成された複数のインターディ
   ジタルトランスデューサ、該圧電性基板上の相対する辺
   に配置された信号端子、及び該圧電性基板上に配置され
   た接地端子とを有する複数の弾性表面波チップとを具備
   し、 前記複数の弾性表面波チップは、前記信号端子及び前記
   接地端子において、前記導体にフェイスダウンでボンデ
   ィングされていることを特徴とする弾性表面波装置。
2. 【請求項２】 前記弾性表面波チップは、前記信号端子
   が配置されていない前記弾性表面波チップの隣り合う辺
   同士が略平行となるように配置され、 前記信号端子は、前記相対する辺にそれぞれ配置された
   信号端子の列が互いに略平行となるように配置されてい
   ることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
3. 【請求項３】 前記導体は、前記信号端子に接続される
   複数の信号導体と、前記接地端子に接続される接地導体
   を有し、 隣接する前記信号導体の間の領域に前記接地導体の一部
   が形成されていることを特徴とする請求項２記載の弾性
   表面波装置。
4. 【請求項４】 前記信号導体が、その１辺を除き、前記
   接地導体の一部と隣接した状態で囲われていることを特
   徴とする請求項３記載の弾性表面波装置。
5. 【請求項５】 前記接地導体の少なくとも一部が十字の
   形状であることを特徴とする請求項３記載の弾性表面波
   装置。
6. 【請求項６】 前記インターディジタルトランスデュー
   サの全てが前記接地導体と対向していることを特徴とす
   る請求項２記載の弾性表面波装置。
7. 【請求項７】 前記弾性表面波チップの少なくともいず
   れか一つのチップは、縦続接続された複数の弾性表面波
   素子を有することを特徴とする請求項２記載の弾性表面
   波装置。
8. 【請求項８】 前記弾性表面波チップの少なくともいず
   れか一つのチップは、縦モード結合型弾性表面波素子を
   有することを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装
   置。
9. 【請求項９】 縦モード結合型弾性表面波素子が同一形
   状の複数のインターディジタルトランスデューサを有す
   ることを特徴とする請求項８記載の弾性表面波装置。
10. 【請求項１０】 前記複数の弾性表面波チップのいずれ
    かに選択的に入力信号を供給する外部選択回路を有する
    ことを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。
11. 【請求項１１】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップの圧電性基板の伝搬特性が、他の弾
    性表面波チップの圧電性基板の伝搬特性と異なることを
    特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。
12. 【請求項１２】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップのインターディジタルトランスデュ
    ーサを構成する電極指厚さが、他の弾性表面波チップを
    構成する電極指厚さと異なることを特徴とする請求項２
    記載の弾性表面波装置。
13. 【請求項１３】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップのインターディジタルトランスデュ
    ーサを構成する電極指材料が、他の弾性表面波チップを
    構成する電極指材料と異なることを特徴とする請求項２
    記載の弾性表面波装置。
14. 【請求項１４】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップのインターディジタルトランスデュ
    ーサを構成する電極指のデューティー比が、他の弾性表
    面波チップを構成する電極指のデューティー比と異なる
    ことを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。
15. 【請求項１５】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップの外形寸法が、他の弾性表面波チッ
    プの外形寸法と異なることを特徴とする請求項２記載の
    弾性表面波装置。
16. 【請求項１６】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップの圧電性基板の厚さが、他の弾性表
    面波チップの圧電性基板の厚さと異なることを特徴とす
    る請求項１５記載の弾性表面波装置。
17. 【請求項１７】 前記弾性表面波チップの少なくともい
    ずれか一つのチップの圧電性基板の裏面粗さが、他の弾
    性表面波チップの圧電性基板の裏面粗さと異なることを
    特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。