JP2003151963A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents
ドライエッチング方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｐｔ上のシリコン酸化膜のドライエッチング
時に発生する、反応室壁材料による汚染を抑制する。 【解決手段】 白金膜上に堆積されたシリコン酸化膜も
しくはシリコン窒化膜を、壁面が石英で覆われた反応室
内でドライエッチングする。オーバーエッチングにより
白金がプラズマに曝され、プラズマ中のラジカルやイオ
ンと反応して副成物を生成しても、その副成物によって
石英から、デバイスの特性を劣化させる不純物が放出さ
れることはない。
時に発生する、反応室壁材料による汚染を抑制する。 【解決手段】 白金膜上に堆積されたシリコン酸化膜も
しくはシリコン窒化膜を、壁面が石英で覆われた反応室
内でドライエッチングする。オーバーエッチングにより
白金がプラズマに曝され、プラズマ中のラジカルやイオ
ンと反応して副成物を生成しても、その副成物によって
石英から、デバイスの特性を劣化させる不純物が放出さ
れることはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＤＲＡＭの容量素子部では、容量
絶縁膜としてＯＮＯ（Ｏｘｉｄｅ−Ｎｉｔｒｉｄｅ−Ｏ
ｘｉｄｅ）膜が使用されている。そしてこれまで、デバ
イスの微細化に対して、容量電極の表面積を大きくする
ことで容量が確保されてきた。
絶縁膜としてＯＮＯ（Ｏｘｉｄｅ−Ｎｉｔｒｉｄｅ−Ｏ
ｘｉｄｅ）膜が使用されている。そしてこれまで、デバ
イスの微細化に対して、容量電極の表面積を大きくする
ことで容量が確保されてきた。
【０００３】しかし、ＯＮＯ膜は誘電率ε=７〜8であ
り、より微細化、高集積化が要求されるデバイスに対し
て十分な容量を得るのは困難になってきた。そのため、
４ＧｂｉｔＤＲＡＭ以降のＤＲＡＭ等の容量素子部で
は、誘電率ε=２００〜２５０である（Ｂａ，Ｓｒ）Ｔ
ｉＯ3 （以後、ＢＳＴと略す）のような多元素系酸化物
からなる膜を容量絶縁膜として用いることが検討されて
いる。
り、より微細化、高集積化が要求されるデバイスに対し
て十分な容量を得るのは困難になってきた。そのため、
４ＧｂｉｔＤＲＡＭ以降のＤＲＡＭ等の容量素子部で
は、誘電率ε=２００〜２５０である（Ｂａ，Ｓｒ）Ｔ
ｉＯ3 （以後、ＢＳＴと略す）のような多元素系酸化物
からなる膜を容量絶縁膜として用いることが検討されて
いる。
【０００４】ＢＳＴ膜を容量絶縁膜として用いる場合、
容量電極材料としてＰｔ（白金）、Ｉｒ（イリジウム）
が使用される。そこで、０．１３μmルール（４Ｇｂｉ
ｔＤＲＡＭに相当）のデバイスを実現するには、上記し
たＰｔ、Ｉｒといった貴金属を精度よく微細加工するこ
とが必要となる。
容量電極材料としてＰｔ（白金）、Ｉｒ（イリジウム）
が使用される。そこで、０．１３μmルール（４Ｇｂｉ
ｔＤＲＡＭに相当）のデバイスを実現するには、上記し
たＰｔ、Ｉｒといった貴金属を精度よく微細加工するこ
とが必要となる。
【０００５】白金を下部電極とする容量電極として、ス
タック型構造容量が提案されている。スタック型構造容
量の形成工程を、図６および図７を用いて説明する。ま
ず、図６（ａ）に示すように、半導体基板（Ｓｉ基板）
１の上にＰｔ膜（白金膜）２，シリコン酸化膜３を順次
に堆積し、リソグラフィー法によってフォトレジスト４
をパターニングする。
タック型構造容量が提案されている。スタック型構造容
量の形成工程を、図６および図７を用いて説明する。ま
ず、図６（ａ）に示すように、半導体基板（Ｓｉ基板）
１の上にＰｔ膜（白金膜）２，シリコン酸化膜３を順次
に堆積し、リソグラフィー法によってフォトレジスト４
をパターニングする。
【０００６】次に、図６（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト４をマスクとして、シリコン酸化膜３をドライエ
ッチングする。このシリコン酸化膜３のドライエッチン
グは一般に、Ｃ4Ｆ8，Ｏ2，Ａｒの混合ガスを用いて、
２周波励起型ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）方式のド
ライエッチング装置にて行なう。
ジスト４をマスクとして、シリコン酸化膜３をドライエ
ッチングする。このシリコン酸化膜３のドライエッチン
グは一般に、Ｃ4Ｆ8，Ｏ2，Ａｒの混合ガスを用いて、
２周波励起型ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）方式のド
ライエッチング装置にて行なう。
【０００７】次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト４を除去し、パターニングされたシリコン酸化膜
３をマスクとして、Ｐｔ膜２のドライエッチングを行な
う。Ｐｔのドライエッチングには一般に、Ａｒ，Ｃｌ2
の混合ガスを用いる。このようなガスを用いたドライエ
ッチング時には、（Ｐｔ／フォトレジスト）選択比が
０．１〜０．２程度となるので、Ｐｔエッチ時のマスク
材料として通常、上記したシリコン酸化膜３（もしくは
シリコン窒化膜）を用いるのである。
ジスト４を除去し、パターニングされたシリコン酸化膜
３をマスクとして、Ｐｔ膜２のドライエッチングを行な
う。Ｐｔのドライエッチングには一般に、Ａｒ，Ｃｌ2
の混合ガスを用いる。このようなガスを用いたドライエ
ッチング時には、（Ｐｔ／フォトレジスト）選択比が
０．１〜０．２程度となるので、Ｐｔエッチ時のマスク
材料として通常、上記したシリコン酸化膜３（もしくは
シリコン窒化膜）を用いるのである。
【０００８】次に、図６（ｄ）に示すように、マスクと
して用いたシリコン酸化膜３を除去し、ＢＳＴ膜５，Ｐ
ｔ膜６を堆積し、堆積したＢＳＴ膜５，Ｐｔ膜６をリソ
グラフィー，ドライエッチングによってパターニングす
ることにより、ＢＳＴ膜５を容量絶縁膜とした、Ｐｔ膜
６からなる上部電極を形成する。
して用いたシリコン酸化膜３を除去し、ＢＳＴ膜５，Ｐ
ｔ膜６を堆積し、堆積したＢＳＴ膜５，Ｐｔ膜６をリソ
グラフィー，ドライエッチングによってパターニングす
ることにより、ＢＳＴ膜５を容量絶縁膜とした、Ｐｔ膜
６からなる上部電極を形成する。
【０００９】図７は、上記した２周波励起型ＲＩＥ（Re
active Ion Etching）方式のドライエッチング装置の構
成を示す。給気系および排気系（図示せず）を設けた反
応室１１の内部に、上部電極１２と処理対象の半導体基
板１３を設置する下部電極１４とを配置し、反応室１１
の外部に各電極１２，１４に接続する高周波電源１５，
１６を配置している。反応室１１を構成する少なくとも
側壁の内面は、プラズマ耐性の強い（すなわち硬度が高
い）保護膜、ここではＹ2Ｏ3膜（イットリア膜）１７で
コーティングされている。
active Ion Etching）方式のドライエッチング装置の構
成を示す。給気系および排気系（図示せず）を設けた反
応室１１の内部に、上部電極１２と処理対象の半導体基
板１３を設置する下部電極１４とを配置し、反応室１１
の外部に各電極１２，１４に接続する高周波電源１５，
１６を配置している。反応室１１を構成する少なくとも
側壁の内面は、プラズマ耐性の強い（すなわち硬度が高
い）保護膜、ここではＹ2Ｏ3膜（イットリア膜）１７で
コーティングされている。
【００１０】上記したシリコン酸化膜３のドライエッチ
ング条件は以下に示す通りである。 （ドライエッチング条件１） Ｃ4Ｆ8流量 ２０ml/ 分 Ｏ2流量 １５ml/ 分 Ａｒ流量 ５００ml/ 分 圧力 ５Pa 投入電力（上部） １０００W 投入電力（下部） １０００W 基板温度 ２０℃
ング条件は以下に示す通りである。 （ドライエッチング条件１） Ｃ4Ｆ8流量 ２０ml/ 分 Ｏ2流量 １５ml/ 分 Ａｒ流量 ５００ml/ 分 圧力 ５Pa 投入電力（上部） １０００W 投入電力（下部） １０００W 基板温度 ２０℃
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うにしてスタック型構造容量を形成する工程では、図６
(b) に示すようにシリコン酸化膜３をオーバーエッチン
グする際に、Ｐｔ膜２の表面がＣ4Ｆ8/Ｏ2/Ａｒプラズ
マに曝されることになる。
うにしてスタック型構造容量を形成する工程では、図６
(b) に示すようにシリコン酸化膜３をオーバーエッチン
グする際に、Ｐｔ膜２の表面がＣ4Ｆ8/Ｏ2/Ａｒプラズ
マに曝されることになる。
【００１２】そこで、Ｐｔ膜２の表面がフッ素系プラズ
マに曝されることによる影響を調べるために、シリコン
酸化膜３のオーバーエッチング（したがってＰｔエッ
チ）の前後の反応室１１の内部の不純物を分析した。具
体的には、反応室１１の壁に、デバイス特性に影響を与
えると考えられるＹを含むＹ2Ｏ3膜１７でコーティング
が施されていることを考慮して、Ｐｔ，Ｙに着目して、
半導体基板１に付着したＰｔ，Ｙの原子数をＩＣＰ質量
分析法で分析した。
マに曝されることによる影響を調べるために、シリコン
酸化膜３のオーバーエッチング（したがってＰｔエッ
チ）の前後の反応室１１の内部の不純物を分析した。具
体的には、反応室１１の壁に、デバイス特性に影響を与
えると考えられるＹを含むＹ2Ｏ3膜１７でコーティング
が施されていることを考慮して、Ｐｔ，Ｙに着目して、
半導体基板１に付着したＰｔ，Ｙの原子数をＩＣＰ質量
分析法で分析した。
【００１３】結果は図８に示す通りであり、Ｐｔ処理前
として示したオーバーエッチ前には反応室１１のＹ汚染
は観察されなかったが（検出限界以下）、Ｐｔ処理後と
して示したオーバーエッチ後には反応室１１のＹ汚染が
観察された（Ｙ：６×１０11atoms/cm2）。図中、Ｅ＋
ｎは１０のｎ乗を示す。
として示したオーバーエッチ前には反応室１１のＹ汚染
は観察されなかったが（検出限界以下）、Ｐｔ処理後と
して示したオーバーエッチ後には反応室１１のＹ汚染が
観察された（Ｙ：６×１０11atoms/cm2）。図中、Ｅ＋
ｎは１０のｎ乗を示す。
【００１４】これは、次のような理由に拠るものと考え
られる。プラズマから供給されたフッ素イオンもしくは
フッ素ラジカルとＰｔとが反応して、ＰｔＦ4，ＰｔＦ6
等が生成する。これらの反応生成物ＰｔＦｘは強力なル
イス酸であり、反応性が非常に強いため、反応室１１の
壁面のコーティングに用いられているＹ2Ｏ3を還元し、
それにより放出されたＹ（イットリウム）が半導体基板
１に供給される。
られる。プラズマから供給されたフッ素イオンもしくは
フッ素ラジカルとＰｔとが反応して、ＰｔＦ4，ＰｔＦ6
等が生成する。これらの反応生成物ＰｔＦｘは強力なル
イス酸であり、反応性が非常に強いため、反応室１１の
壁面のコーティングに用いられているＹ2Ｏ3を還元し、
それにより放出されたＹ（イットリウム）が半導体基板
１に供給される。
【００１５】また、シリコン酸化膜３のオーバーエッチ
中にエッチングされたＰｔがスパッタ効果により反応室
１１の壁面に付着し、触媒効果を発揮して、プラズマ中
の粒子と前記壁面のＹ2Ｏ3との反応を容易にし、それに
より放出されたＹが半導体基板１に供給される、という
メカニズムも存在すると考えられる。
中にエッチングされたＰｔがスパッタ効果により反応室
１１の壁面に付着し、触媒効果を発揮して、プラズマ中
の粒子と前記壁面のＹ2Ｏ3との反応を容易にし、それに
より放出されたＹが半導体基板１に供給される、という
メカニズムも存在すると考えられる。
【００１６】このようにして供給されたＹは半導体基板
１に打ち込まれ、トランジスタの特性の劣化を引き起こ
すことになる。反応室１１の壁面のコーティングに用い
られるプラズマ耐性の強い材料としては、上記したＹ2
Ｏ3の他に、Ａｌ2Ｏ3（アルマイト）、ＳｉＣ（炭化ケ
イ素）等があるが、これらによってコーティングされた
反応室１１でも半導体基板１の汚染が同様に観測され
る。
１に打ち込まれ、トランジスタの特性の劣化を引き起こ
すことになる。反応室１１の壁面のコーティングに用い
られるプラズマ耐性の強い材料としては、上記したＹ2
Ｏ3の他に、Ａｌ2Ｏ3（アルマイト）、ＳｉＣ（炭化ケ
イ素）等があるが、これらによってコーティングされた
反応室１１でも半導体基板１の汚染が同様に観測され
る。
【００１７】本発明は上記問題点に鑑み、Ｐｔ上のシリ
コン酸化膜のドライエッチング時に発生する反応室壁材
料による汚染を抑制することを目的とするものである。
コン酸化膜のドライエッチング時に発生する反応室壁材
料による汚染を抑制することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、Ｐｔ上のシリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜をドライエッチングする際に、壁面が石英で覆
われた反応室を用いることで、Ｐｔと壁材料との反応を
抑制するようにしたものである。
めに本発明は、Ｐｔ上のシリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜をドライエッチングする際に、壁面が石英で覆
われた反応室を用いることで、Ｐｔと壁材料との反応を
抑制するようにしたものである。
【００１９】請求項１記載の発明は、白金膜上に堆積さ
れたシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を、壁面が
石英で覆われた反応室内でドライエッチングすることを
特徴とするもので、オーバーエッチングにより白金がプ
ラズマに曝され、プラズマ中のラジカルやイオンと反応
しても、その副生成物によって石英から、デバイスの特
性を劣化させる不純物が放出されることはなく、反応室
の被覆材料による汚染を防止あるいは低減できる。
れたシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を、壁面が
石英で覆われた反応室内でドライエッチングすることを
特徴とするもので、オーバーエッチングにより白金がプ
ラズマに曝され、プラズマ中のラジカルやイオンと反応
しても、その副生成物によって石英から、デバイスの特
性を劣化させる不純物が放出されることはなく、反応室
の被覆材料による汚染を防止あるいは低減できる。
【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載のド
ライエッチング方法において、エッチングガスとしてフ
ッ素系ガスを使用することを特徴とするもので、白金に
対して一般に用いられるフッ素系ガスによれば、ＰｔＦ
ｘで示される強力なルイス酸が副成物として生成する
が、そのルイス酸によって石英から、デバイスの特性を
劣化させる不純物が放出されることはなく、石英自体の
侵食も生じにくい。このことから逆に、フッ素系ガスを
好適に使用可能となる。
ライエッチング方法において、エッチングガスとしてフ
ッ素系ガスを使用することを特徴とするもので、白金に
対して一般に用いられるフッ素系ガスによれば、ＰｔＦ
ｘで示される強力なルイス酸が副成物として生成する
が、そのルイス酸によって石英から、デバイスの特性を
劣化させる不純物が放出されることはなく、石英自体の
侵食も生じにくい。このことから逆に、フッ素系ガスを
好適に使用可能となる。
【００２１】請求項３記載の発明は、請求項１記載のド
ライエッチング方法において、白金膜とシリコン酸化膜
もしくはシリコン窒化膜との間に、窒化チタンアルミニ
ウム、窒化チタンシリコン、窒化チタンの内の一種であ
る密着層が形成されていることを特徴とするもので、こ
のような密着層に対してはシリコン酸化膜もしくはシリ
コン窒化膜を選択的にエッチングできるので、密着層の
上でエッチングをストップさせることが可能であり、白
金とプラズマとから、汚染源となる副生成物が生成する
のを回避できる。
ライエッチング方法において、白金膜とシリコン酸化膜
もしくはシリコン窒化膜との間に、窒化チタンアルミニ
ウム、窒化チタンシリコン、窒化チタンの内の一種であ
る密着層が形成されていることを特徴とするもので、こ
のような密着層に対してはシリコン酸化膜もしくはシリ
コン窒化膜を選択的にエッチングできるので、密着層の
上でエッチングをストップさせることが可能であり、白
金とプラズマとから、汚染源となる副生成物が生成する
のを回避できる。
【００２２】請求項４記載の発明は、請求項１記載のド
ライエッチング方法において、白金膜上に、窒化チタン
アルミニウム、窒化チタンシリコン、窒化チタンの内の
一種である密着層を介して、シリコン酸化膜もしくはシ
リコン窒化膜が堆積されたウエハについて、前記シリコ
ン酸化膜もしくはシリコン窒化膜と密着層とを順次にド
ライエッチングするに際して、少なくとも前記シリコン
酸化膜もしくはシリコン窒化膜のドライエッチングを、
壁面が石英で覆われた反応室内で行なうことを特徴とす
る。これによれば、密着層をエッチングする際には白金
がプラズマに曝され副成物が生成するので、壁面が石英
で覆われた反応室を用いる必要があるが、シリコン酸化
膜もしくはシリコン窒化膜のエッチングは密着層の存在
を利用してその上でストップさせるようにすれば、白金
がプラズマに曝され汚染源となる副成物が生成するのを
回避できるので、必ずしも壁面が石英で覆われた反応室
を用いる必要はない。よって、反応室の選択幅が広が
る。
ライエッチング方法において、白金膜上に、窒化チタン
アルミニウム、窒化チタンシリコン、窒化チタンの内の
一種である密着層を介して、シリコン酸化膜もしくはシ
リコン窒化膜が堆積されたウエハについて、前記シリコ
ン酸化膜もしくはシリコン窒化膜と密着層とを順次にド
ライエッチングするに際して、少なくとも前記シリコン
酸化膜もしくはシリコン窒化膜のドライエッチングを、
壁面が石英で覆われた反応室内で行なうことを特徴とす
る。これによれば、密着層をエッチングする際には白金
がプラズマに曝され副成物が生成するので、壁面が石英
で覆われた反応室を用いる必要があるが、シリコン酸化
膜もしくはシリコン窒化膜のエッチングは密着層の存在
を利用してその上でストップさせるようにすれば、白金
がプラズマに曝され汚染源となる副成物が生成するのを
回避できるので、必ずしも壁面が石英で覆われた反応室
を用いる必要はない。よって、反応室の選択幅が広が
る。
【００２３】請求項５記載の発明は、請求項４記載のド
ライエッチング方法において、シリコン酸化膜もしくは
シリコン窒化膜のドライエッチングをフッ素系ガスによ
り行うことを特徴とするもので、フッ素系ガスを用いる
ことにより、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を
速やかにエッチングできる。
ライエッチング方法において、シリコン酸化膜もしくは
シリコン窒化膜のドライエッチングをフッ素系ガスによ
り行うことを特徴とするもので、フッ素系ガスを用いる
ことにより、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を
速やかにエッチングできる。
【００２４】請求項６記載の発明は、請求項４記載のド
ライエッチング方法において、密着層のドライエッチン
グを塩素系ガスにより行なうことを特徴とするもので、
塩素系ガスを用いることにより、フッ素系ガスを用いる
場合のような強力なルイス酸の生成、それによる石英の
侵食を回避できる。よって、反応室のメンテナンス周期
の延長、メンテナンス性の向上を図ることが可能とな
る。
ライエッチング方法において、密着層のドライエッチン
グを塩素系ガスにより行なうことを特徴とするもので、
塩素系ガスを用いることにより、フッ素系ガスを用いる
場合のような強力なルイス酸の生成、それによる石英の
侵食を回避できる。よって、反応室のメンテナンス周期
の延長、メンテナンス性の向上を図ることが可能とな
る。
【００２５】請求項７記載の発明は、請求項２または請
求項５のいずれかに記載のドライエッチング方法におい
て、フッ素系ガスがＣＦ4，ＣＨＦ3，ＣＨ2Ｆ2，Ｃ
2Ｆ6，Ｃ 4Ｆ6，Ｃ5Ｆ8，Ｃ4Ｆ8の内の少なくとも１種を
含むことを特徴とする。
求項５のいずれかに記載のドライエッチング方法におい
て、フッ素系ガスがＣＦ4，ＣＨＦ3，ＣＨ2Ｆ2，Ｃ
2Ｆ6，Ｃ 4Ｆ6，Ｃ5Ｆ8，Ｃ4Ｆ8の内の少なくとも１種を
含むことを特徴とする。
【００２６】請求項８記載の発明は、請求項６記載のド
ライエッチング方法において、塩素系ガスがＣｌ2，Ｈ
Ｃｌ，ＢＣｌ3の内の少なくとも１種を含むことを特徴
とする。
ライエッチング方法において、塩素系ガスがＣｌ2，Ｈ
Ｃｌ，ＢＣｌ3の内の少なくとも１種を含むことを特徴
とする。
【００２７】請求項９記載の発明は、白金膜上に、窒化
チタンアルミニウム、窒化チタンシリコン、窒化チタン
の内の一種である密着層を介して、シリコン酸化膜もし
くはシリコン窒化膜が堆積されたウエハのためのドライ
エッチング装置であって、少なくとも一方が石英によっ
て壁面が覆われ、前記石英で覆われた一方において前記
シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜のドライエッチ
ングを行ない、他方において前記密着層のドライエッチ
ングを行なうように構成された２つの反応室と、前記石
英で覆われた一方の反応室から他方の反応室へウエハを
搬送する真空搬送手段とを備えたことを特徴とする。
チタンアルミニウム、窒化チタンシリコン、窒化チタン
の内の一種である密着層を介して、シリコン酸化膜もし
くはシリコン窒化膜が堆積されたウエハのためのドライ
エッチング装置であって、少なくとも一方が石英によっ
て壁面が覆われ、前記石英で覆われた一方において前記
シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜のドライエッチ
ングを行ない、他方において前記密着層のドライエッチ
ングを行なうように構成された２つの反応室と、前記石
英で覆われた一方の反応室から他方の反応室へウエハを
搬送する真空搬送手段とを備えたことを特徴とする。
【００２８】これによれば、密着層のエッチングは、壁
面が石英で覆われた反応室で行なうことで、壁材料に基
づく汚染を抑制できる。シリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜のエッチングは、石英でもよいが、石英以外の
コーティング材料で覆われた反応室で行なうことで、エ
ッチングに寄与するラジカルの石英による消費を回避
し、エッチング速度の低下、選択比の変動を防止し、反
応室のメンテナンス周期の延長、メンテナンス性の向上
を図ることが可能となる。また真空搬送手段によって、
２つの反応室間の移載時におけるウエハへの異物の付
着、それによる歩留まり低下、大気搬送時に起こる水分
の付着を抑制できる。
面が石英で覆われた反応室で行なうことで、壁材料に基
づく汚染を抑制できる。シリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜のエッチングは、石英でもよいが、石英以外の
コーティング材料で覆われた反応室で行なうことで、エ
ッチングに寄与するラジカルの石英による消費を回避
し、エッチング速度の低下、選択比の変動を防止し、反
応室のメンテナンス周期の延長、メンテナンス性の向上
を図ることが可能となる。また真空搬送手段によって、
２つの反応室間の移載時におけるウエハへの異物の付
着、それによる歩留まり低下、大気搬送時に起こる水分
の付着を抑制できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１におけるドライ
エッチング方法を説明する。このドライエッチング方法
は、先に図６を用いて説明したスタック型構造容量の形
成工程で実施されるが、ドライエッチング工程のみ、図
面を用いて説明する。
て、図面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１におけるドライ
エッチング方法を説明する。このドライエッチング方法
は、先に図６を用いて説明したスタック型構造容量の形
成工程で実施されるが、ドライエッチング工程のみ、図
面を用いて説明する。
【００３０】図１は、この実施の形態１のドライエッチ
ング方法を実施するためのドライエッチング装置を示
す。このドライエッチング装置は先に図６を用いて説明
した従来装置とほぼ同様の構成を有しており、反応室１
１の側壁（好ましくは天部および底部も）の内面が石英
ウォール１８で覆われている点で従来装置と相違してい
る。石英ウォール１８中には、デバイスの性能を劣化さ
せる汚染源となるＹ，Ａｌ等の元素は含まれていない。
ング方法を実施するためのドライエッチング装置を示
す。このドライエッチング装置は先に図６を用いて説明
した従来装置とほぼ同様の構成を有しており、反応室１
１の側壁（好ましくは天部および底部も）の内面が石英
ウォール１８で覆われている点で従来装置と相違してい
る。石英ウォール１８中には、デバイスの性能を劣化さ
せる汚染源となるＹ，Ａｌ等の元素は含まれていない。
【００３１】エッチング対象は、図２（ａ）に示すよう
な、半導体基板１上に白金膜２，シリコン酸化膜３を堆
積し、フォトレジスト４をパターニングしたウエハであ
る。このウエハに対して、図２（ｂ）に示すように、フ
ォトレジスト４をマスクとして、シリコン酸化膜３をド
ライエッチングする。ドライエッチング条件は、上述し
たドライエッチング条件１と同一であり、Ｃ4Ｆ8，
Ｏ2，Ａｒの混合ガスを用いる。
な、半導体基板１上に白金膜２，シリコン酸化膜３を堆
積し、フォトレジスト４をパターニングしたウエハであ
る。このウエハに対して、図２（ｂ）に示すように、フ
ォトレジスト４をマスクとして、シリコン酸化膜３をド
ライエッチングする。ドライエッチング条件は、上述し
たドライエッチング条件１と同一であり、Ｃ4Ｆ8，
Ｏ2，Ａｒの混合ガスを用いる。
【００３２】このため、シリコン酸化膜３のオーバーエ
ッチ時に、上述したのと同様に、シリコン酸化膜３の下
地のＰｔ膜２がプラズマに曝され、プラズマ中のフッ素
ラジカルやイオンと反応してＰｔＦ4，ＰｔＦ6等が生成
するが、生成したＰｔＦ4，ＰｔＦ6等は反応室１１の壁
面を覆っている石英ウォール１８の成分と反応するもの
の、この石英ウォール１８から、デバイスの性能を劣化
させる汚染元素が半導体基板１に供給されることはな
い。よって、従来は発生していた反応室１１の壁材料に
よる汚染を抑制できる。
ッチ時に、上述したのと同様に、シリコン酸化膜３の下
地のＰｔ膜２がプラズマに曝され、プラズマ中のフッ素
ラジカルやイオンと反応してＰｔＦ4，ＰｔＦ6等が生成
するが、生成したＰｔＦ4，ＰｔＦ6等は反応室１１の壁
面を覆っている石英ウォール１８の成分と反応するもの
の、この石英ウォール１８から、デバイスの性能を劣化
させる汚染元素が半導体基板１に供給されることはな
い。よって、従来は発生していた反応室１１の壁材料に
よる汚染を抑制できる。
【００３３】石英ウォール１８を用いることによる汚染
抑制効果を評価するために、上述した評価方法と同様に
して、シリコン酸化膜３のオーバーエッチ（したがって
Ｐｔエッチ）の前後で、半導体基板１に付着した不純物
をＩＣＰ質量分析法で分析した。結果は図３に示す通り
であり、不純物としてＰｔは検出されたが、反応室の壁
材料に起因すると考えられる汚染元素は検出されなかっ
た。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２におけるドライ
エッチング方法を説明する。このドライエッチング方法
は、シリコン酸化膜とＰｔ膜とを密着させるために窒化
チタンシリコン（ＴｉＳｉＮ）を用いたスタック型構造
容量の形成工程で実施される。
抑制効果を評価するために、上述した評価方法と同様に
して、シリコン酸化膜３のオーバーエッチ（したがって
Ｐｔエッチ）の前後で、半導体基板１に付着した不純物
をＩＣＰ質量分析法で分析した。結果は図３に示す通り
であり、不純物としてＰｔは検出されたが、反応室の壁
材料に起因すると考えられる汚染元素は検出されなかっ
た。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２におけるドライ
エッチング方法を説明する。このドライエッチング方法
は、シリコン酸化膜とＰｔ膜とを密着させるために窒化
チタンシリコン（ＴｉＳｉＮ）を用いたスタック型構造
容量の形成工程で実施される。
【００３４】図４は、上記したスタック型構造容量を形
成する工程断面図である。まず、図４（ａ）に示すよう
に、半導体基板１上にＰｔ膜２，ＴｉＳｉＮ膜７，シリ
コン酸化膜３を順次に堆積し、リソグラフィー法によっ
てフォトレジスト４のパターニングを行う。
成する工程断面図である。まず、図４（ａ）に示すよう
に、半導体基板１上にＰｔ膜２，ＴｉＳｉＮ膜７，シリ
コン酸化膜３を順次に堆積し、リソグラフィー法によっ
てフォトレジスト４のパターニングを行う。
【００３５】このようにして形成されたウエハをエッチ
ング対象として、上述した図１のドライエッチング装置
を用いて、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト４
をマスクとして、シリコン酸化膜３をドライエッチング
する。ドライエッチング条件は上述したドライエッチン
グ条件１と同一であり、Ｃ4Ｆ8，Ｏ2，Ａｒの混合ガス
を用いる。
ング対象として、上述した図１のドライエッチング装置
を用いて、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト４
をマスクとして、シリコン酸化膜３をドライエッチング
する。ドライエッチング条件は上述したドライエッチン
グ条件１と同一であり、Ｃ4Ｆ8，Ｏ2，Ａｒの混合ガス
を用いる。
【００３６】このようなフッ化炭素ガスを主体としたプ
ラズマでドライエッチングを行なう際には、 （シリコン酸化膜のエッチ速度）＞（ＴｉＳｉＮのエッ
チ速度） となり、選択比（シリコン酸化膜/ＴｉＳｉＮ）に基づ
き、図示したようにＴｉＳｉＮ膜７の上でエッチングを
ストップさせることが可能である。よって、Ｐｔがプラ
ズマに曝されることに起因する問題は回避できる。
ラズマでドライエッチングを行なう際には、 （シリコン酸化膜のエッチ速度）＞（ＴｉＳｉＮのエッ
チ速度） となり、選択比（シリコン酸化膜/ＴｉＳｉＮ）に基づ
き、図示したようにＴｉＳｉＮ膜７の上でエッチングを
ストップさせることが可能である。よって、Ｐｔがプラ
ズマに曝されることに起因する問題は回避できる。
【００３７】次に、図４（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト４，シリコン酸化膜３をマスクとして、ＴｉＳｉ
Ｎ膜７をドライエッチングする。ドライエッチング条件
は以下ドライエッチング条件２であり、Ｃｌ2，Ａｒの
混合ガスを用いる。
ジスト４，シリコン酸化膜３をマスクとして、ＴｉＳｉ
Ｎ膜７をドライエッチングする。ドライエッチング条件
は以下ドライエッチング条件２であり、Ｃｌ2，Ａｒの
混合ガスを用いる。
【００３８】（ドライエッチング条件２）
Ｃｌ2 流量 ２０ml/ 分
Ａｒ流量 ５００ml/ 分
圧力 ５Pa
投入電力（上部） ５００W
投入電力（下部） ２５０W
基板温度 ２０℃
このような塩素系ガスを主体としたプラズマでシリコン
酸化膜３の下地のＴｉＳｉＮ膜７をドライエッチングす
る際には、オーバーエッチによってＰｔ膜２が露出して
も、フッ素系ガスを用いる時に発生するＰｔＦｘのよう
な強力なルイス酸は発生せず、当然ながらＰｔＦｘによ
る石英ウォール１８の侵食は生じない。よって、反応室
１１のメンテナンス周期の延長、メンテナンス性の向上
が可能となる。
酸化膜３の下地のＴｉＳｉＮ膜７をドライエッチングす
る際には、オーバーエッチによってＰｔ膜２が露出して
も、フッ素系ガスを用いる時に発生するＰｔＦｘのよう
な強力なルイス酸は発生せず、当然ながらＰｔＦｘによ
る石英ウォール１８の侵食は生じない。よって、反応室
１１のメンテナンス周期の延長、メンテナンス性の向上
が可能となる。
【００３９】ドライエッチングの終了後には、従来と同
様にして、ＢＳＴ膜５を容量絶縁膜とした、Ｐｔ膜６か
らなる上部電極を形成する。なお、シリコン酸化膜３の
エッチ時には、上記したように下地のＴｉＳｉＮ膜７の
上でエッチングをストップさせることが可能であるた
め、つまりオーバーエッチングにならないようにストッ
プさせることが可能であるため、このシリコン酸化膜３
のエッチングについては、壁面がＹ2Ｏ3などでコーティ
ングされた別途の反応室を用いることも可能である。 （実施の形態３）本発明の実施の形態３におけるドライ
エッチング方法を説明する。このドライエッチング方法
は、上記した実施の形態２で説明したスタック型構造容
量の形成工程で実施するので、図４を援用して説明す
る。
様にして、ＢＳＴ膜５を容量絶縁膜とした、Ｐｔ膜６か
らなる上部電極を形成する。なお、シリコン酸化膜３の
エッチ時には、上記したように下地のＴｉＳｉＮ膜７の
上でエッチングをストップさせることが可能であるた
め、つまりオーバーエッチングにならないようにストッ
プさせることが可能であるため、このシリコン酸化膜３
のエッチングについては、壁面がＹ2Ｏ3などでコーティ
ングされた別途の反応室を用いることも可能である。 （実施の形態３）本発明の実施の形態３におけるドライ
エッチング方法を説明する。このドライエッチング方法
は、上記した実施の形態２で説明したスタック型構造容
量の形成工程で実施するので、図４を援用して説明す
る。
【００４０】図５は、この実施の形態３のドライエッチ
ング方法を実施するためのドライエッチング装置の構成
を示す。このドライエッチング装置では、ウエハ１９を
格納するためのカセット室２０とウエハ移載室２１とが
接続して配置され、ウエハ移載室２１の両側に、壁面が
Ｙ2Ｏ3で覆われた（以下、Ｙ2Ｏ3被覆されたという）第
１反応室２２と壁面が石英ウォールで覆われた（以下、
石英被覆されたという）第２反応室２３とが接続されて
いて、ウエハ移載室２１，真空搬送機構２４により、ウ
エハ１９を大気にさらすことなく第１反応室２２と第２
反応室２３との間を移載することが可能である。
ング方法を実施するためのドライエッチング装置の構成
を示す。このドライエッチング装置では、ウエハ１９を
格納するためのカセット室２０とウエハ移載室２１とが
接続して配置され、ウエハ移載室２１の両側に、壁面が
Ｙ2Ｏ3で覆われた（以下、Ｙ2Ｏ3被覆されたという）第
１反応室２２と壁面が石英ウォールで覆われた（以下、
石英被覆されたという）第２反応室２３とが接続されて
いて、ウエハ移載室２１，真空搬送機構２４により、ウ
エハ１９を大気にさらすことなく第１反応室２２と第２
反応室２３との間を移載することが可能である。
【００４１】ドライエッチングの対象のウエハ１９は、
図４（ａ）に示したような、半導体基板１上に白金膜
２，ＴｉＳｉＮ膜７，シリコン酸化膜３を順次に堆積
し、フォトレジスト４をパターニングしたものである。
このウエハ１９は、ドライエッチング装置の前工程で作
成しておく。
図４（ａ）に示したような、半導体基板１上に白金膜
２，ＴｉＳｉＮ膜７，シリコン酸化膜３を順次に堆積
し、フォトレジスト４をパターニングしたものである。
このウエハ１９は、ドライエッチング装置の前工程で作
成しておく。
【００４２】そして、図５に示したドライエッチング装
置を用いて、図４（ｂ），（ｃ）の工程と同様にして、
シリコン酸化膜３、ＴｉＳｉＮ膜７のドライエッチング
を行う。
置を用いて、図４（ｂ），（ｃ）の工程と同様にして、
シリコン酸化膜３、ＴｉＳｉＮ膜７のドライエッチング
を行う。
【００４３】その際には、真空搬送機構によりウエハ１
９を、カセット室２０から移載室２１を経由して、Ｙ2
Ｏ3被覆された第１反応室２２に搬入し、この第１反応
室２２内でウエハ１９のシリコン酸化膜３を上述したド
ライエッチング条件１にてドライエッチングする。
９を、カセット室２０から移載室２１を経由して、Ｙ2
Ｏ3被覆された第１反応室２２に搬入し、この第１反応
室２２内でウエハ１９のシリコン酸化膜３を上述したド
ライエッチング条件１にてドライエッチングする。
【００４４】次に、ウエハ１９を第１反応室２２から取
り出し、ウエハ移載室２１を経由して、石英被覆された
第２反応室２３に移載し、この第２反応室２３内でウエ
ハ１９のＴｉＳｉＮ膜７を上述したドライエッチング条
件２にてドライエッチングする。
り出し、ウエハ移載室２１を経由して、石英被覆された
第２反応室２３に移載し、この第２反応室２３内でウエ
ハ１９のＴｉＳｉＮ膜７を上述したドライエッチング条
件２にてドライエッチングする。
【００４５】次に、ウエハ１９を第２反応室２３から取
り出し、ウエハ移載室２１を経由してカセット室２０に
移載し、ドライエッチング装置の後工程へ搬出する。そ
して、ドライエッチング装置の後工程で、従来と同様に
して、ＢＳＴ膜５を容量絶縁膜とした、Ｐｔ膜６からな
る上部電極を形成する。
り出し、ウエハ移載室２１を経由してカセット室２０に
移載し、ドライエッチング装置の後工程へ搬出する。そ
して、ドライエッチング装置の後工程で、従来と同様に
して、ＢＳＴ膜５を容量絶縁膜とした、Ｐｔ膜６からな
る上部電極を形成する。
【００４６】つまり、上記したドライエッチング装置で
は、シリコン酸化膜３はＹ2Ｏ3被覆された第１反応室２
２内でオーバーエッチングにならないようにエッチング
し、ＴｉＳｉＮ膜７は石英被覆された第２反応室２２内
でエッチングする。
は、シリコン酸化膜３はＹ2Ｏ3被覆された第１反応室２
２内でオーバーエッチングにならないようにエッチング
し、ＴｉＳｉＮ膜７は石英被覆された第２反応室２２内
でエッチングする。
【００４７】このため、第１反応室２２ではＰｔは露出
せず、Ｐｔに起因する壁材料からの汚染物質の放出は発
生しない。また第２反応室２３では、塩素系ガスを用い
るため、フッ素系ガスを用いるときのような強力なルイ
ス酸ＰｔＦｘは発生せず、当然ながらルイス酸ＰｔＦｘ
による石英ウォールの侵食は発生しない。よって、第１
反応室２１のメンテナンス周期の延長、メンテナンス性
の向上を図ることが可能となる。
せず、Ｐｔに起因する壁材料からの汚染物質の放出は発
生しない。また第２反応室２３では、塩素系ガスを用い
るため、フッ素系ガスを用いるときのような強力なルイ
ス酸ＰｔＦｘは発生せず、当然ながらルイス酸ＰｔＦｘ
による石英ウォールの侵食は発生しない。よって、第１
反応室２１のメンテナンス周期の延長、メンテナンス性
の向上を図ることが可能となる。
【００４８】さらに、両ドライエッチング加工とも石英
被覆された反応室で行う場合には、この石英にプラズマ
中のフッ素ラジカルが反応するため、シリコン酸化膜３
のエッチングに寄与するフッ素ラジカルが実質的に減少
し、エッチング速度が低下し、それとともに選択比が変
動することが懸念されるが、このドライエッチング装置
では、シリコン酸化膜３のエッチングをＹ2Ｏ3被覆され
た第１反応室２２で行なうので、こうした理由によるエ
ッチング速度の低下、選択比の変動は生じない。
被覆された反応室で行う場合には、この石英にプラズマ
中のフッ素ラジカルが反応するため、シリコン酸化膜３
のエッチングに寄与するフッ素ラジカルが実質的に減少
し、エッチング速度が低下し、それとともに選択比が変
動することが懸念されるが、このドライエッチング装置
では、シリコン酸化膜３のエッチングをＹ2Ｏ3被覆され
た第１反応室２２で行なうので、こうした理由によるエ
ッチング速度の低下、選択比の変動は生じない。
【００４９】しかも、ウエハ移載室２１を経て真空搬送
するので、第１および第２の反応室２２，２３間の移載
時におけるウエハ１９への異物の付着、それによる歩留
まり低下、大気搬送時に起こる水分の付着を抑制でき
る。
するので、第１および第２の反応室２２，２３間の移載
時におけるウエハ１９への異物の付着、それによる歩留
まり低下、大気搬送時に起こる水分の付着を抑制でき
る。
【００５０】なお、上記した各実施の形態ではシリコン
酸化膜３をドライエッチングする反応室をＹ2Ｏ3被覆し
た例を挙げたが、Ａｌ2Ｏ3被覆もしくはＳｉＣ被覆した
反応室を用いても同様の効果が得られる。
酸化膜３をドライエッチングする反応室をＹ2Ｏ3被覆し
た例を挙げたが、Ａｌ2Ｏ3被覆もしくはＳｉＣ被覆した
反応室を用いても同様の効果が得られる。
【００５１】また、Ｐｔエッチ時のマスクにシリコン酸
化膜３を用いた例を挙げたが、シリコン窒化膜を用いた
場合も同様の効果が得られる。また、Ｐｔ膜２とシリコ
ン酸化膜３との間の密着層として、ＴｉＳｉＮ（窒化チ
タンシリコン）を用いた例を挙げたが、ＴｉＮ（窒化チ
タン）、ＴｉＡｌＮ（窒化チタンアルミニウム）を用い
ても同様の効果が得られる。
化膜３を用いた例を挙げたが、シリコン窒化膜を用いた
場合も同様の効果が得られる。また、Ｐｔ膜２とシリコ
ン酸化膜３との間の密着層として、ＴｉＳｉＮ（窒化チ
タンシリコン）を用いた例を挙げたが、ＴｉＮ（窒化チ
タン）、ＴｉＡｌＮ（窒化チタンアルミニウム）を用い
ても同様の効果が得られる。
【００５２】フッ素系ガスとしては、ＣＦ4，ＣＨＦ3，
ＣＨ2Ｆ2，Ｃ2Ｆ6，Ｃ4Ｆ6，Ｃ5Ｆ8，Ｃ4Ｆ8のうち少な
くとも１種を含むガスを使用できる。塩素系ガスとして
は、Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＢＣｌ3のうち少なくとも１種を含
むガスを使用できる。
ＣＨ2Ｆ2，Ｃ2Ｆ6，Ｃ4Ｆ6，Ｃ5Ｆ8，Ｃ4Ｆ8のうち少な
くとも１種を含むガスを使用できる。塩素系ガスとして
は、Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＢＣｌ3のうち少なくとも１種を含
むガスを使用できる。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｐｔ膜上
に堆積されたシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の
ドライエッチングを、壁面が石英で覆われた反応室で行
なうことにより、エッチング副成物と壁材料との反応を
抑制し、壁材料から放出される重金属元素によるデバイ
スの特性劣化及び欠陥を抑制できる。
に堆積されたシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の
ドライエッチングを、壁面が石英で覆われた反応室で行
なうことにより、エッチング副成物と壁材料との反応を
抑制し、壁材料から放出される重金属元素によるデバイ
スの特性劣化及び欠陥を抑制できる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるドライエッチン
グ方法を実施するためのドライエッチング装置の概略構
成図
グ方法を実施するためのドライエッチング装置の概略構
成図
【図２】同実施の形態１におけるドライエッチング方法
を説明する工程断面図
を説明する工程断面図
【図３】石英ウォールで反応室側壁を覆った図１のドラ
イエッチング装置における不純物汚染の分析結果を示す
グラフ
イエッチング装置における不純物汚染の分析結果を示す
グラフ
【図４】本発明の実施の形態２におけるドライエッチン
グ方法を説明する工程断面図
グ方法を説明する工程断面図
【図５】本発明の実施の形態３におけるドライエッチン
グ方法を実施するためのドライエッチング装置の概略構
成図
グ方法を実施するためのドライエッチング装置の概略構
成図
【図６】従来よりある白金下部電極を用いたスタック型
構造容量の形成方法を説明する工程断面図
構造容量の形成方法を説明する工程断面図
【図７】Ｙ2Ｏ3で反応室側壁を覆った従来のドライエッ
チング装置の概略構成図
チング装置の概略構成図
【図８】図７に示したドライエッチング装置における不
純物汚染の分析結果を示すグラフ
純物汚染の分析結果を示すグラフ
１ 半導体基板
２ Ｐｔ膜
３ シリコン酸化膜
４ フォトレジスト
７ ＴｉＳｉＮ膜
11 反応室
12 上部電極
13 半導体基板
14 下部電極
18 石英ウォール
フロントページの続き
(72)発明者 坂森 重則
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5F004 AA14 BB29 DA00 DA23 DA26
DB00 DB03 DB08 EB02
5F083 AD21 AD56 JA14 JA38 PR03
Claims (9)
- 【請求項１】 白金膜上に堆積されたシリコン酸化膜も
しくはシリコン窒化膜を、壁面が石英で覆われた反応室
内でドライエッチングするドライエッチング方法。 - 【請求項２】 エッチングガスとしてフッ素系ガスを使
用する請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 白金膜とシリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜との間に、窒化チタンアルミニウム、窒化チタ
ンシリコン、窒化チタンの内の一種である密着層が形成
されている請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 白金膜上に、窒化チタンアルミニウム、
窒化チタンシリコン、窒化チタンの内の一種である密着
層を介して、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜が
堆積されたウエハについて、前記シリコン酸化膜もしく
はシリコン窒化膜と密着層とを順次にドライエッチング
するに際して、少なくとも前記シリコン酸化膜もしくは
シリコン窒化膜のドライエッチングを、壁面が石英で覆
われた反応室内で行なうドライエッチング方法。 - 【請求項５】 シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜
のドライエッチングをフッ素系ガスにより行う請求項４
記載のドライエッチング方法。 - 【請求項６】 密着層のドライエッチングを塩素系ガス
により行なう請求項４記載のドライエッチング方法。 - 【請求項７】 フッ素系ガスがＣＦ4，ＣＨＦ3，ＣＨ2
Ｆ2，Ｃ2Ｆ6，Ｃ4Ｆ6，Ｃ5Ｆ8，Ｃ4Ｆ8の内の少なくと
も１種を含む請求項２または請求項５のいずれかに記載
のドライエッチング方法。 - 【請求項８】 塩素系ガスがＣｌ2，ＨＣｌ，ＢＣｌ3の
内の少なくとも１種を含む請求項６記載のドライエッチ
ング方法。 - 【請求項９】 白金膜上に、窒化チタンアルミニウム、
窒化チタンシリコン、窒化チタンの内の一種である密着
層を介して、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜が
堆積されたウエハのためのドライエッチング装置であっ
て、少なくとも一方が石英によって壁面が覆われ、前記
石英で覆われた一方において前記シリコン酸化膜もしく
はシリコン窒化膜のドライエッチングを行ない、他方に
おいて前記密着層のドライエッチングを行なうように構
成された２つの反応室と、前記石英で覆われた一方の反
応室から他方の反応室へウエハを搬送する真空搬送手段
とを備えたドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001350871A JP3946031B2 (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151963A true JP2003151963A (ja) | 2003-05-23 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3946031B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005042145A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | プラズマ耐食性溶射部材及びその製造方法 |
| KR100539962B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2005-12-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토레지스트 트리밍 공정을 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| CN114717555A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-08 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法 |
-
2001
- 2001-11-16 JP JP2001350871A patent/JP3946031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100539962B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2005-12-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토레지스트 트리밍 공정을 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2005042145A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Toshiba Ceramics Co Ltd | プラズマ耐食性溶射部材及びその製造方法 |
| CN114717555A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-08 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法 |
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