JP2003086827A - ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 - Google Patents
ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器Info
- Publication number
- JP2003086827A JP2003086827A JP2001277136A JP2001277136A JP2003086827A JP 2003086827 A JP2003086827 A JP 2003086827A JP 2001277136 A JP2001277136 A JP 2001277136A JP 2001277136 A JP2001277136 A JP 2001277136A JP 2003086827 A JP2003086827 A JP 2003086827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode array
- conductivity type
- semiconductor substrate
- channel stopper
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極や配線を一方の面側に集めてもクロスト
ークの発生を良好に抑制することができるホトダイオー
ドアレイの提供。 【解決手段】 ホトダイオードアレイ１は、ｎ−型半導
体基板２の表面２ｓにｐ型の半導体層３を複数有し、半
導体基板２の裏面２ｕ側から被検出光を入射させるもの
である。半導体基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体
層３それぞれの近傍に位置するように、ｎ＋型のチャン
ネルストッパ層４が複数配設されている。また、半導体
基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体層３、及び、そ
の近傍のチャンネルストッパ層４の周囲を完全に囲むよ
うに、対応するチャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ
に延びるトレンチ部１０が設けられている。
ークの発生を良好に抑制することができるホトダイオー
ドアレイの提供。 【解決手段】 ホトダイオードアレイ１は、ｎ−型半導
体基板２の表面２ｓにｐ型の半導体層３を複数有し、半
導体基板２の裏面２ｕ側から被検出光を入射させるもの
である。半導体基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体
層３それぞれの近傍に位置するように、ｎ＋型のチャン
ネルストッパ層４が複数配設されている。また、半導体
基板２の表面２ｓ側には、各ｐ型半導体層３、及び、そ
の近傍のチャンネルストッパ層４の周囲を完全に囲むよ
うに、対応するチャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ
に延びるトレンチ部１０が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホトダイオードア
レイと、これを備えた固体撮像装置および放射線検出器
に関する。
レイと、これを備えた固体撮像装置および放射線検出器
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホトダイオードを共通基板上に複数配設
することにより、固体撮像装置を構成できる。また、ホ
トダイオードアレイは、Ｘ線断層撮影装置（以下「ＣＴ
装置」という）の放射線検出器としても利用可能であ
る。ここで、ＣＴ装置用の放射線検出器としてホトダイ
オードアレイを利用する場合、良好な検出結果を得るた
めにホトダイオードアレイの光入射面にシンチレータを
装着するのが一般的である。このように、ホトダイオー
ドアレイの光入射面にシンチレータを装着するに際して
は、空間分解能（解像度）や組立効率を高める上で、ホ
トダイオードアレイの光入射面側をできるだけ平坦にす
ることが求められる。
することにより、固体撮像装置を構成できる。また、ホ
トダイオードアレイは、Ｘ線断層撮影装置（以下「ＣＴ
装置」という）の放射線検出器としても利用可能であ
る。ここで、ＣＴ装置用の放射線検出器としてホトダイ
オードアレイを利用する場合、良好な検出結果を得るた
めにホトダイオードアレイの光入射面にシンチレータを
装着するのが一般的である。このように、ホトダイオー
ドアレイの光入射面にシンチレータを装着するに際して
は、空間分解能（解像度）や組立効率を高める上で、ホ
トダイオードアレイの光入射面側をできるだけ平坦にす
ることが求められる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ホトダイオードアレイ
の光入射面側を平坦にする手法としては、通常ホトダイ
オードは表面側に電極や配線が設けられているので、裏
面を光入射面とするように構成することがある。
の光入射面側を平坦にする手法としては、通常ホトダイ
オードは表面側に電極や配線が設けられているので、裏
面を光入射面とするように構成することがある。
【０００４】しかしながら、光入射面側から電極や配線
を排した、いわゆる裏面入射型のホトダイオードアレイ
では、ｎ−型基板の厚さの分だけ、キャリアが移動する
ことになる。また、この場合、バイアスを加えた際、空
乏層が垂直方向に広がり難くなってしまうことから、ホ
トダイオード間においてクロストークが発生しやすくな
ってしまう。従って、ｎ＋型チャンネルストッパ層を介
して、ｎ−型基板に対して電圧を加える上では、なによ
り、クロストークの発生をできる限り抑制することが重
要となる。
を排した、いわゆる裏面入射型のホトダイオードアレイ
では、ｎ−型基板の厚さの分だけ、キャリアが移動する
ことになる。また、この場合、バイアスを加えた際、空
乏層が垂直方向に広がり難くなってしまうことから、ホ
トダイオード間においてクロストークが発生しやすくな
ってしまう。従って、ｎ＋型チャンネルストッパ層を介
して、ｎ−型基板に対して電圧を加える上では、なによ
り、クロストークの発生をできる限り抑制することが重
要となる。
【０００５】そこで、本発明は、電極や配線を一方の面
側に集めてもクロストークの発生を良好に抑制すること
ができるホトダイオードアレイ、高い撮像精度を有する
固体撮像装置、及び、高い解像度を得ることができる放
射線検出器の提供を目的とする。
側に集めてもクロストークの発生を良好に抑制すること
ができるホトダイオードアレイ、高い撮像精度を有する
固体撮像装置、及び、高い解像度を得ることができる放
射線検出器の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるホトダイオ
ードアレイは、第１導電型半導体基板の一面側に第２導
電型半導体層を複数有し、半導体基板の他面側から被検
出光を入射させるホトダイオードアレイにおいて、半導
体基板の他面側に形成されており、半導体基板よりも高
い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション
層と、半導体基板の一面側、かつ、各第２導電型半導体
層それぞれの近傍に位置するように複数配設されてお
り、半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電
型のチャンネルストッパ層と、各第２導電型半導体層、
及び、その近傍のチャンネルストッパ層の周囲を完全に
囲むように半導体基板の一面側に設けられており、対応
するチャンネルストッパ層よりも他面側に延びるトレン
チ部とを備えることを特徴とする。
ードアレイは、第１導電型半導体基板の一面側に第２導
電型半導体層を複数有し、半導体基板の他面側から被検
出光を入射させるホトダイオードアレイにおいて、半導
体基板の他面側に形成されており、半導体基板よりも高
い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション
層と、半導体基板の一面側、かつ、各第２導電型半導体
層それぞれの近傍に位置するように複数配設されてお
り、半導体基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電
型のチャンネルストッパ層と、各第２導電型半導体層、
及び、その近傍のチャンネルストッパ層の周囲を完全に
囲むように半導体基板の一面側に設けられており、対応
するチャンネルストッパ層よりも他面側に延びるトレン
チ部とを備えることを特徴とする。
【０００７】このホトダイオードアレイは、光入射面側
から電極や配線を排した、いわゆる裏面入射型のホトダ
イオードアレイであり、第１導電型（ｎ−型）の半導体
基板を有する。半導体基板の一面側（表面側）には、第
２導電型（ｐ型）の半導体層（不純物拡散層）が複数配
設されている。また、半導体基板の一面側には、各第２
導電型半導体層それぞれの近傍に位置するように、半導
体基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型（ｎ＋
型）のチャンネルストッパ層が複数配設されている。半
導体基板に対しては、ｎ＋型チャンネルストッパ層を介
して、カソードから電圧が加えられる。
から電極や配線を排した、いわゆる裏面入射型のホトダ
イオードアレイであり、第１導電型（ｎ−型）の半導体
基板を有する。半導体基板の一面側（表面側）には、第
２導電型（ｐ型）の半導体層（不純物拡散層）が複数配
設されている。また、半導体基板の一面側には、各第２
導電型半導体層それぞれの近傍に位置するように、半導
体基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型（ｎ＋
型）のチャンネルストッパ層が複数配設されている。半
導体基板に対しては、ｎ＋型チャンネルストッパ層を介
して、カソードから電圧が加えられる。
【０００８】そして、各第２導電型半導体層、及び、そ
の近傍のチャンネルストッパ層の周囲は、対応するチャ
ンネルストッパ層よりも他面側に延びるトレンチ部によ
って完全に囲まれている。これにより、このホトダイオ
ードアレイでは、各第２導電型半導体層、及び、その近
傍のチャンネルストッパ層の周囲を完全に囲むトレンチ
部によって、半導体基板の他面側（裏面側）から入射し
た光によって発生したキャリアが互いに隣り合う第２導
電型半導体層間における移動が規制される。従って、こ
のホトダイオードアレイでは、電極や配線を一面側に集
めても、クロストークの発生を良好に抑制することが可
能となる。
の近傍のチャンネルストッパ層の周囲は、対応するチャ
ンネルストッパ層よりも他面側に延びるトレンチ部によ
って完全に囲まれている。これにより、このホトダイオ
ードアレイでは、各第２導電型半導体層、及び、その近
傍のチャンネルストッパ層の周囲を完全に囲むトレンチ
部によって、半導体基板の他面側（裏面側）から入射し
た光によって発生したキャリアが互いに隣り合う第２導
電型半導体層間における移動が規制される。従って、こ
のホトダイオードアレイでは、電極や配線を一面側に集
めても、クロストークの発生を良好に抑制することが可
能となる。
【０００９】この場合、各チャンネルストッパ層は、対
応する第２導電型半導体層の周囲を囲むように設けられ
ていることが好ましい。
応する第２導電型半導体層の周囲を囲むように設けられ
ていることが好ましい。
【００１０】また、各チャンネルストッパ層は、対応す
る第２導電型半導体層の周囲の一部に近接するように設
けられていてもよい。
る第２導電型半導体層の周囲の一部に近接するように設
けられていてもよい。
【００１１】そして、上述したような各ホトダイオード
を共通基板上に複数配設することにより、高い撮像精度
を有する固体撮像装置の実現が容易に可能となる。
を共通基板上に複数配設することにより、高い撮像精度
を有する固体撮像装置の実現が容易に可能となる。
【００１２】更に、上述したような各ホトダイオードを
固定する基板を用意し、各第２導電型半導体層を、アノ
ードを介して基板の所定の配線にバンプ接続すると共
に、各チャンネルストッパ層を、カソードを介して基板
の所定の配線にバンプ接続し、ホトダイオードアレイの
他面側に、シンチレータを取り付ければ、高い解像度を
得ることができる放射線検出器の実現が容易に可能とな
る。
固定する基板を用意し、各第２導電型半導体層を、アノ
ードを介して基板の所定の配線にバンプ接続すると共
に、各チャンネルストッパ層を、カソードを介して基板
の所定の配線にバンプ接続し、ホトダイオードアレイの
他面側に、シンチレータを取り付ければ、高い解像度を
得ることができる放射線検出器の実現が容易に可能とな
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明によるホ
トダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出
器の好適な実施形態について詳細に説明する。
トダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出
器の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明によるホトダイオードアレ
イの第１実施形態を示す断面図である。図２は、図１の
ホトダイオードアレイを光入射側から見た平面図であ
り、電極及び表面絶縁膜を省略している。これらの図面
に示すホトダイオードアレイ１は、光入射面側から電極
や配線を排した、いわゆる裏面入射型のホトダイオード
アレイであり、ｎ−型（第１導電型）Ｓｉ等からなる半
導体基板２を有する。半導体基板２は、例えば、１．０
×１０12／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、その厚さ
は、例えば、約２７０μｍとされる。半導体基板２の一
面側、すなわち、半導体基板２の表面２ｓには、ｐ型
（第２導電型）Ｓｉ等からなる第２導電型半導体層（ｐ
型不純物拡散層）３がマトリックス状に複数（本実施形
態では２×２＝４個）配設されることで、ホトダイオー
ドアレイが構成される。各第２導電型半導体層３は、
１．０×１０19／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、表面
２ｓからの深さ（厚さ）は、例えば、約０．５μｍとさ
れる。
イの第１実施形態を示す断面図である。図２は、図１の
ホトダイオードアレイを光入射側から見た平面図であ
り、電極及び表面絶縁膜を省略している。これらの図面
に示すホトダイオードアレイ１は、光入射面側から電極
や配線を排した、いわゆる裏面入射型のホトダイオード
アレイであり、ｎ−型（第１導電型）Ｓｉ等からなる半
導体基板２を有する。半導体基板２は、例えば、１．０
×１０12／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、その厚さ
は、例えば、約２７０μｍとされる。半導体基板２の一
面側、すなわち、半導体基板２の表面２ｓには、ｐ型
（第２導電型）Ｓｉ等からなる第２導電型半導体層（ｐ
型不純物拡散層）３がマトリックス状に複数（本実施形
態では２×２＝４個）配設されることで、ホトダイオー
ドアレイが構成される。各第２導電型半導体層３は、
１．０×１０19／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、表面
２ｓからの深さ（厚さ）は、例えば、約０．５μｍとさ
れる。
【００１５】また、半導体基板２の表面２ｓ側（一面
側）には、各第２導電型半導体層３それぞれの近傍に位
置するように、半導体基板２よりも高い不純物濃度を有
するｎ＋型（第１導電型）Ｓｉ等からなるチャンネルス
トッパ層４が複数配設されている。図２に示すように、
本実施形態では、各チャンネルストッパ層４は、対応す
る第２導電型半導体層３の周囲を取り囲むように、格子
状に形成されている。各チャンネルストッパ層４は、
１．０×１０18／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、表面
２ｓからの深さ（厚さ）は、例えば、約１．５μｍとさ
れる。
側）には、各第２導電型半導体層３それぞれの近傍に位
置するように、半導体基板２よりも高い不純物濃度を有
するｎ＋型（第１導電型）Ｓｉ等からなるチャンネルス
トッパ層４が複数配設されている。図２に示すように、
本実施形態では、各チャンネルストッパ層４は、対応す
る第２導電型半導体層３の周囲を取り囲むように、格子
状に形成されている。各チャンネルストッパ層４は、
１．０×１０18／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、表面
２ｓからの深さ（厚さ）は、例えば、約１．５μｍとさ
れる。
【００１６】更に、半導体基板２の表面２ｓには、絶縁
層５が積層され、ポリシリコン、Ａｕ、Ａｌ等を含むパ
ターン配線が施されている。そして、各第２導電型半導
体層３は、パターン配線のうち、アノードとなる電極Ｅ
ａと接続され、各チャンネルストッパ層４は、パターン
配線のうち、カソードとなる電極Ｅｃと接続される。こ
れにより、半導体基板２に対しては、図示しない電極パ
ッドおよび電極Ｅｃ（カソード）から、ｎ＋型のチャン
ネルストッパ層４を介して電圧が加えられることにな
る。なお、絶縁層５を形成する素材としては、ＳｉＯ2
やＳｉＮxを用いることができる。
層５が積層され、ポリシリコン、Ａｕ、Ａｌ等を含むパ
ターン配線が施されている。そして、各第２導電型半導
体層３は、パターン配線のうち、アノードとなる電極Ｅ
ａと接続され、各チャンネルストッパ層４は、パターン
配線のうち、カソードとなる電極Ｅｃと接続される。こ
れにより、半導体基板２に対しては、図示しない電極パ
ッドおよび電極Ｅｃ（カソード）から、ｎ＋型のチャン
ネルストッパ層４を介して電圧が加えられることにな
る。なお、絶縁層５を形成する素材としては、ＳｉＯ2
やＳｉＮxを用いることができる。
【００１７】一方、光入射面となる半導体基板２の裏面
２ｕには、半導体基板２内で発生するキャリアが裏面２
ｕで再結合することを防止するためのアキュムレーショ
ン層６が形成されている。アキュムレーション層６は、
ｎ型Ｓｉ等からなり、例えば、５．０×１０18／ｃｍ3
程度の不純物濃度を有する。また、アキュムレーション
層６の厚さは、例えば、約０．２μｍとされる。アキュ
ムレーション層６上には、更に、保護層７が積層され、
保護層７上には、ＰＤ接合領域に対応する開口部８ａを
複数備えた遮光膜８が積層されている。これにより、Ｐ
Ｄ間におけるクロストークを改善することができる。遮
光膜８を形成する素材としては、例えば、ホトレジスト
内に、黒色の染料や絶縁処理したカーボンブラック等の
顔料を混入させた黒色ホトレジストや、遮光性金属等を
用いることができる。
２ｕには、半導体基板２内で発生するキャリアが裏面２
ｕで再結合することを防止するためのアキュムレーショ
ン層６が形成されている。アキュムレーション層６は、
ｎ型Ｓｉ等からなり、例えば、５．０×１０18／ｃｍ3
程度の不純物濃度を有する。また、アキュムレーション
層６の厚さは、例えば、約０．２μｍとされる。アキュ
ムレーション層６上には、更に、保護層７が積層され、
保護層７上には、ＰＤ接合領域に対応する開口部８ａを
複数備えた遮光膜８が積層されている。これにより、Ｐ
Ｄ間におけるクロストークを改善することができる。遮
光膜８を形成する素材としては、例えば、ホトレジスト
内に、黒色の染料や絶縁処理したカーボンブラック等の
顔料を混入させた黒色ホトレジストや、遮光性金属等を
用いることができる。
【００１８】上述したように、ホトダイオードアレイ１
は、いわゆる裏面入射型として構成されるが、この場
合、何ら対策を施さなければ、ホトダイオード間におい
てクロストークが発生しやすくなってしまう。この点に
鑑みて、ホトダイオードアレイ１の半導体基板２の表面
２ｓ側（一面側）には、図１および図２に示すように、
トレンチ部１０が形成されている。
は、いわゆる裏面入射型として構成されるが、この場
合、何ら対策を施さなければ、ホトダイオード間におい
てクロストークが発生しやすくなってしまう。この点に
鑑みて、ホトダイオードアレイ１の半導体基板２の表面
２ｓ側（一面側）には、図１および図２に示すように、
トレンチ部１０が形成されている。
【００１９】トレンチ部１０は、図１および図２に示す
ように、格子状に形成されたチャンネルストッパ層４の
中央部を貫通するように形成された格子状の溝（凹部）
１１、溝１１の表面に積層された絶縁層１２、および、
溝１１内に埋設された絶縁体１４とからなる。これによ
り、各第２導電型半導体層３、及び、各第２導電型半導
体層３を取り囲む各チャンネルストッパ層４の周囲は、
トレンチ部１０によって完全に囲まれることになる。そ
して、図１に示すように、トレンチ部１０は、対応する
チャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びてい
る。すなわち、トレンチ部１０の表面２ｓからの深さ
は、各チャンネルストッパ層４の表面２ｓからの深さよ
りも大きい。
ように、格子状に形成されたチャンネルストッパ層４の
中央部を貫通するように形成された格子状の溝（凹部）
１１、溝１１の表面に積層された絶縁層１２、および、
溝１１内に埋設された絶縁体１４とからなる。これによ
り、各第２導電型半導体層３、及び、各第２導電型半導
体層３を取り囲む各チャンネルストッパ層４の周囲は、
トレンチ部１０によって完全に囲まれることになる。そ
して、図１に示すように、トレンチ部１０は、対応する
チャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びてい
る。すなわち、トレンチ部１０の表面２ｓからの深さ
は、各チャンネルストッパ層４の表面２ｓからの深さよ
りも大きい。
【００２０】なお、絶縁層１２を形成する素材として
は、ＳｉＯ2やＳｉＮxを用いることができる。また、絶
縁体１４としては、遮光膜８と同様に、例えば、ホトレ
ジスト内に、黒色の染料や絶縁処理したカーボンブラッ
ク等の顔料を混入させた黒色ホトレジストを用いること
ができる。更に、絶縁体１４としては、ポリイミド等の
樹脂やノンドープの絶縁性シリカ溶液等を用いることも
可能である。この場合、ポリイミド等の樹脂やノンドー
プの絶縁性シリカ溶液をスピンコートにより溝１１内に
導入し、ベーキングすることによって、溝１１内に絶縁
体１４を埋設すればよい。また、パターン配線をトレン
チ部１０（絶縁体１４）上に沿うように配置しても（這
わせても）よい。
は、ＳｉＯ2やＳｉＮxを用いることができる。また、絶
縁体１４としては、遮光膜８と同様に、例えば、ホトレ
ジスト内に、黒色の染料や絶縁処理したカーボンブラッ
ク等の顔料を混入させた黒色ホトレジストを用いること
ができる。更に、絶縁体１４としては、ポリイミド等の
樹脂やノンドープの絶縁性シリカ溶液等を用いることも
可能である。この場合、ポリイミド等の樹脂やノンドー
プの絶縁性シリカ溶液をスピンコートにより溝１１内に
導入し、ベーキングすることによって、溝１１内に絶縁
体１４を埋設すればよい。また、パターン配線をトレン
チ部１０（絶縁体１４）上に沿うように配置しても（這
わせても）よい。
【００２１】このように構成されたホトダイオードアレ
イ１において、半導体基板２の裏面２ｕ側から光が入射
すると、入射光に感応して光吸収層でキャリア（電子・
正孔）が発生する。そして、発生したキャリアは、半導
体基板２内の電界に従って移動し、その一方は、ｎ＋型
のチャンネルストッパ層４を介してカソードとなる電極
Ｅｃから、他方は、第２導電型半導体層３と接続された
アノードとなる電極Ｅａから取り出され、電極パッドを
介して外部に出力される。
イ１において、半導体基板２の裏面２ｕ側から光が入射
すると、入射光に感応して光吸収層でキャリア（電子・
正孔）が発生する。そして、発生したキャリアは、半導
体基板２内の電界に従って移動し、その一方は、ｎ＋型
のチャンネルストッパ層４を介してカソードとなる電極
Ｅｃから、他方は、第２導電型半導体層３と接続された
アノードとなる電極Ｅａから取り出され、電極パッドを
介して外部に出力される。
【００２２】ここで、上述したように、このホトダイオ
ードアレイ１では、トレンチ部１０が、対応するチャン
ネルストッパ層４よりも他面側に延びており、各第２導
電型半導体層３、及び、その周囲のチャンネルストッパ
層４の周囲を完全に取り囲んでいる。従って、トレンチ
部１０によって、半導体基板２の裏面２ｕから入射した
光によって発生したキャリアの互いに隣り合うホトダイ
オード間における移動が規制される。この結果、ホトダ
イオードアレイ１では、アノードとなる電極Ｅａやカソ
ードとなる電極Ｅｃを含むパターン配線を表面２ｓ側に
集めても、クロストークの発生を良好に抑制することが
可能となる。
ードアレイ１では、トレンチ部１０が、対応するチャン
ネルストッパ層４よりも他面側に延びており、各第２導
電型半導体層３、及び、その周囲のチャンネルストッパ
層４の周囲を完全に取り囲んでいる。従って、トレンチ
部１０によって、半導体基板２の裏面２ｕから入射した
光によって発生したキャリアの互いに隣り合うホトダイ
オード間における移動が規制される。この結果、ホトダ
イオードアレイ１では、アノードとなる電極Ｅａやカソ
ードとなる電極Ｅｃを含むパターン配線を表面２ｓ側に
集めても、クロストークの発生を良好に抑制することが
可能となる。
【００２３】さて、上述したホトダイオードアレイ１を
用いることにより、高い撮像精度を有する固体撮像装置
や、高い解像度を得ることができる放射線検出器を容易
に構成することができる。例えば、放射線検出器を構成
する場合には、図３に示すように配線基板１５を用意す
る。配線基板１５は、ガラスエポキシ基板や可撓性基板
上に配線パターンを施したものである。この配線基板１
５上に、図４に示すように、複数（この場合、４体）の
ホトダイオードアレイ１を配置する。すなわち、ホトダ
イオードアレイ１の表面２ｓ側に設けられている配線パ
ターンをバンプ１６（図５参照）を介して配線基板１５
の配線パターンに対して電気的に接続する。更に、配線
基板１５と各ホトダイオードアレイ１との間の隙間に絶
縁性樹脂等を充填すれば、放射線検出器全体の機械的強
度を向上させることができる。
用いることにより、高い撮像精度を有する固体撮像装置
や、高い解像度を得ることができる放射線検出器を容易
に構成することができる。例えば、放射線検出器を構成
する場合には、図３に示すように配線基板１５を用意す
る。配線基板１５は、ガラスエポキシ基板や可撓性基板
上に配線パターンを施したものである。この配線基板１
５上に、図４に示すように、複数（この場合、４体）の
ホトダイオードアレイ１を配置する。すなわち、ホトダ
イオードアレイ１の表面２ｓ側に設けられている配線パ
ターンをバンプ１６（図５参照）を介して配線基板１５
の配線パターンに対して電気的に接続する。更に、配線
基板１５と各ホトダイオードアレイ１との間の隙間に絶
縁性樹脂等を充填すれば、放射線検出器全体の機械的強
度を向上させることができる。
【００２４】各ホトダイオードアレイ１を配線基板１５
に装着したならば、図５に示すように、各ホトダイオー
ドアレイ１の裏面２ｕ側にシンチレータ１７を固定し、
これにより、放射線検出器２０が完成する。上述したよ
うに、ホトダイオードアレイ１では、配線パターン（電
極）が表面２ｓ側に集められていることから、ホトダイ
オードアレイ１の裏面２ｕ側は、電極等の出っ張りの存
在しない平坦な状態となっている。従って、ホトダイオ
ードアレイ１の裏面２ｕ側にシンチレータ１７を極めて
容易かつ確実に取り付けることが可能となる。また、ホ
トダイオードアレイ１とシンチレータ１７とを極めて接
近させた状態に維持可能となるので、放射線検出器２０
は、高い空間分解能（解像度）を有することになる。な
お、シンチレータ１７としては、図５に示すように、す
べてのホトダイオードアレイ１全体を覆うものを用いて
もよく、また、１体のホトダイオードアレイ１のみを覆
うものを複数用いてもよい。
に装着したならば、図５に示すように、各ホトダイオー
ドアレイ１の裏面２ｕ側にシンチレータ１７を固定し、
これにより、放射線検出器２０が完成する。上述したよ
うに、ホトダイオードアレイ１では、配線パターン（電
極）が表面２ｓ側に集められていることから、ホトダイ
オードアレイ１の裏面２ｕ側は、電極等の出っ張りの存
在しない平坦な状態となっている。従って、ホトダイオ
ードアレイ１の裏面２ｕ側にシンチレータ１７を極めて
容易かつ確実に取り付けることが可能となる。また、ホ
トダイオードアレイ１とシンチレータ１７とを極めて接
近させた状態に維持可能となるので、放射線検出器２０
は、高い空間分解能（解像度）を有することになる。な
お、シンチレータ１７としては、図５に示すように、す
べてのホトダイオードアレイ１全体を覆うものを用いて
もよく、また、１体のホトダイオードアレイ１のみを覆
うものを複数用いてもよい。
【００２５】図６および図７に本発明によるホトダイオ
ードアレイの第２実施形態を示す。なお、上述した第１
実施形態に関して説明した要素と同一の要素については
同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
ードアレイの第２実施形態を示す。なお、上述した第１
実施形態に関して説明した要素と同一の要素については
同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２６】これらの図面に示すホトダイオードアレイ
１Ａは、トレンチ部１０がチャンネルストッパ層４を貫
通していない点で、上述した第１実施形態に係るホトダ
イオードアレイ１と異なる。すなわち、ホトダイオード
アレイ１Ａでは、複数のチャンネルストッパ層４が、半
導体基板２に対し、各第２導電型半導体層３ごとに独立
して形成されている。そして、トレンチ部１０は、各第
２導電型半導体層３と、それに対応するチャンネルスト
ッパ層４とを完全に取り囲むと共に、チャンネルストッ
パ層４よりも裏面２ｕ側に延びるように（深くなるよう
に）、半導体基板２に対して形成されている。
１Ａは、トレンチ部１０がチャンネルストッパ層４を貫
通していない点で、上述した第１実施形態に係るホトダ
イオードアレイ１と異なる。すなわち、ホトダイオード
アレイ１Ａでは、複数のチャンネルストッパ層４が、半
導体基板２に対し、各第２導電型半導体層３ごとに独立
して形成されている。そして、トレンチ部１０は、各第
２導電型半導体層３と、それに対応するチャンネルスト
ッパ層４とを完全に取り囲むと共に、チャンネルストッ
パ層４よりも裏面２ｕ側に延びるように（深くなるよう
に）、半導体基板２に対して形成されている。
【００２７】このように構成されたホトダイオードアレ
イ１Ａにおいても、トレンチ部１０によって、半導体基
板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリ
アの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規
制される。従って、このホトダイオードアレイ１Ａで
は、アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃ
を含むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロスト
ークの発生を良好に抑制することが可能となる。また、
図７に示すように、ホトダイオードアレイ１Ａにおいて
も、各チャンネルストッパ層４は、対応する第２導電型
半導体層３の周囲を取り囲むように形成されている。
イ１Ａにおいても、トレンチ部１０によって、半導体基
板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリ
アの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規
制される。従って、このホトダイオードアレイ１Ａで
は、アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃ
を含むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロスト
ークの発生を良好に抑制することが可能となる。また、
図７に示すように、ホトダイオードアレイ１Ａにおいて
も、各チャンネルストッパ層４は、対応する第２導電型
半導体層３の周囲を取り囲むように形成されている。
【００２８】図８および図９に本発明によるホトダイオ
ードアレイの第３実施形態を示す。なお、上述した第１
実施形態等に関して説明した要素と同一の要素について
は同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
ードアレイの第３実施形態を示す。なお、上述した第１
実施形態等に関して説明した要素と同一の要素について
は同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２９】これらの図面に示すホトダイオードアレイ
１Ｂでは、半導体基板２の表面２ｓ側、かつ、中央部付
近の一箇所に、チャンネルストッパ層が設けられる。そ
して、当該チャンネルストッパ層よりも裏面２ｕ側に延
びる（深い）トレンチ部１０が、チャンネルストッパ層
を貫通すると共に、各第２導電型半導体層３を囲うよう
に形成される。これにより、ホトダイオードアレイ１Ｂ
では、チャンネルストッパ層４が、図９に示すように、
各第２導電型半導体層３毎に分割され、対応する第２導
電型半導体層３の周囲の一部（一のコーナ部）に近接す
ることになる。
１Ｂでは、半導体基板２の表面２ｓ側、かつ、中央部付
近の一箇所に、チャンネルストッパ層が設けられる。そ
して、当該チャンネルストッパ層よりも裏面２ｕ側に延
びる（深い）トレンチ部１０が、チャンネルストッパ層
を貫通すると共に、各第２導電型半導体層３を囲うよう
に形成される。これにより、ホトダイオードアレイ１Ｂ
では、チャンネルストッパ層４が、図９に示すように、
各第２導電型半導体層３毎に分割され、対応する第２導
電型半導体層３の周囲の一部（一のコーナ部）に近接す
ることになる。
【００３０】このように構成されたホトダイオードアレ
イ１Ｂにおいても、トレンチ部１０によって、半導体基
板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリ
アの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規
制される。従って、このホトダイオードアレイ１では、
アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃを含
むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロストーク
の発生を良好に抑制することが可能となる。また、この
場合、半導体基板２の表面２ｓ側の中央部付近に、チャ
ンネルストッパ層を設けると共に、チャンネルストッパ
層を貫通するようにトレンチ部１０を形成すればよいの
で、このホトダイオードアレイ１Ｂは、容易に製造可能
である。
イ１Ｂにおいても、トレンチ部１０によって、半導体基
板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリ
アの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規
制される。従って、このホトダイオードアレイ１では、
アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃを含
むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロストーク
の発生を良好に抑制することが可能となる。また、この
場合、半導体基板２の表面２ｓ側の中央部付近に、チャ
ンネルストッパ層を設けると共に、チャンネルストッパ
層を貫通するようにトレンチ部１０を形成すればよいの
で、このホトダイオードアレイ１Ｂは、容易に製造可能
である。
【００３１】図１０および図１１に本発明によるホトダ
イオードアレイの第４実施形態を示す。なお、上述した
第１実施形態等に関して説明した要素と同一の要素につ
いては同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
イオードアレイの第４実施形態を示す。なお、上述した
第１実施形態等に関して説明した要素と同一の要素につ
いては同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３２】これらの図面に示すホトダイオードアレイ
１Ｃは、基本的には、上述した第３実施形態に係るホト
ダイオードアレイ１Ｂと同様の構成を有するが、トレン
チ部１０がチャンネルストッパ層４を貫通していない点
で、上述した第３実施形態に係るホトダイオードアレイ
１Ｂと異なる。すなわち、ホトダイオードアレイ１Ｃで
は、複数のチャンネルストッパ層４が、半導体基板２に
対し、各第２導電型半導体層３ごとに独立した状態で、
対応する第２導電型半導体層３の周囲の一部（一のコー
ナ部）に近接するように形成されている。そして、各チ
ャンネルストッパ層４は、半導体基板２の中央部付近に
互いに接近し合った状態で配置されている。また、トレ
ンチ部１０は、各第２導電型半導体層３と、それに対応
するチャンネルストッパ層４とを取り囲むと共に、チャ
ンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びるように
（深くなるように）、半導体基板２に対して形成されて
いる。
１Ｃは、基本的には、上述した第３実施形態に係るホト
ダイオードアレイ１Ｂと同様の構成を有するが、トレン
チ部１０がチャンネルストッパ層４を貫通していない点
で、上述した第３実施形態に係るホトダイオードアレイ
１Ｂと異なる。すなわち、ホトダイオードアレイ１Ｃで
は、複数のチャンネルストッパ層４が、半導体基板２に
対し、各第２導電型半導体層３ごとに独立した状態で、
対応する第２導電型半導体層３の周囲の一部（一のコー
ナ部）に近接するように形成されている。そして、各チ
ャンネルストッパ層４は、半導体基板２の中央部付近に
互いに接近し合った状態で配置されている。また、トレ
ンチ部１０は、各第２導電型半導体層３と、それに対応
するチャンネルストッパ層４とを取り囲むと共に、チャ
ンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びるように
（深くなるように）、半導体基板２に対して形成されて
いる。
【００３３】このように構成されたホトダイオードアレ
イ１Ｂにおいても、トレンチ部１０によって、半導体基
板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリ
アの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規
制される。従って、このホトダイオードアレイ１では、
アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃを含
むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロストーク
の発生を良好に抑制することが可能となる。
イ１Ｂにおいても、トレンチ部１０によって、半導体基
板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリ
アの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規
制される。従って、このホトダイオードアレイ１では、
アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃを含
むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロストーク
の発生を良好に抑制することが可能となる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によるホトダイオードアレイは、
以上説明したように構成されているため、次のような効
果を得る。すなわち、本発明によるホトダイオードアレ
イは、第１導電型半導体基板の一面側に第２導電型半導
体層を複数有し、半導体基板の他面側から被検出光を入
射させるものであり、半導体基板の一面側、かつ、各第
２導電型半導体層それぞれの近傍に位置するように複数
配設されており、半導体基板よりも高い不純物濃度を有
する第１導電型のチャンネルストッパ層と、各第２導電
型半導体層、及び、その近傍のチャンネルストッパ層の
周囲を完全に囲むように半導体基板の一面側に設けられ
ており、対応するチャンネルストッパ層よりも他面側に
延びるトレンチ部とを備える。従って、このホトダイオ
ードでは、電極や配線を一方の面側に集めてもクロスト
ークの発生を良好に抑制することができる。そして、こ
のような本発明によるホトダイオードアレイを用いれ
ば、高い撮像精度を有する固体撮像装置、及び、高い解
像度を得ることができる放射線検出器の実現が可能とな
る。
以上説明したように構成されているため、次のような効
果を得る。すなわち、本発明によるホトダイオードアレ
イは、第１導電型半導体基板の一面側に第２導電型半導
体層を複数有し、半導体基板の他面側から被検出光を入
射させるものであり、半導体基板の一面側、かつ、各第
２導電型半導体層それぞれの近傍に位置するように複数
配設されており、半導体基板よりも高い不純物濃度を有
する第１導電型のチャンネルストッパ層と、各第２導電
型半導体層、及び、その近傍のチャンネルストッパ層の
周囲を完全に囲むように半導体基板の一面側に設けられ
ており、対応するチャンネルストッパ層よりも他面側に
延びるトレンチ部とを備える。従って、このホトダイオ
ードでは、電極や配線を一方の面側に集めてもクロスト
ークの発生を良好に抑制することができる。そして、こ
のような本発明によるホトダイオードアレイを用いれ
ば、高い撮像精度を有する固体撮像装置、及び、高い解
像度を得ることができる放射線検出器の実現が可能とな
る。
【図１】本発明によるホトダイオードアレイを示す断面
図である。
図である。
【図２】図１のホトダイオードアレイを光入射側から見
た平面図である。
た平面図である。
【図３】本発明によるホトダイオードアレイを装着可能
な配線基板の一例を示す平面図である。
な配線基板の一例を示す平面図である。
【図４】本発明によるホトダイオードアレイを基板上に
装着した状態を示す平面図である。
装着した状態を示す平面図である。
【図５】本発明によるホトダイオードアレイの使用例を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図６】本発明によるホトダイオードアレイの第２実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図７】図６のホトダイオードアレイを光入射側から見
た平面図である。
た平面図である。
【図８】本発明によるホトダイオードアレイの第３実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図９】図８のホトダイオードアレイを光入射側から見
た平面図である。
た平面図である。
【図１０】本発明によるホトダイオードアレイの第４実
施形態を示す断面図である。
施形態を示す断面図である。
【図１１】図１０のホトダイオードアレイを光入射側か
ら見た平面図である。
ら見た平面図である。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…ホトダイオードアレイ、２…半
導体基板、２ｓ…表面、２ｕ…裏面、３…第２導電型半
導体層、４…チャンネルストッパ層、５…絶縁層、６…
アキュムレーション層、７…保護層、８…遮光膜、１０
…トレンチ部、１１…溝、１２…絶縁層、１４…絶縁
体、１５…配線基板、１６…バンプ、１７…シンチレー
タ、２０…放射線検出器、Ｅａ，Ｅｃ…電極。
導体基板、２ｓ…表面、２ｕ…裏面、３…第２導電型半
導体層、４…チャンネルストッパ層、５…絶縁層、６…
アキュムレーション層、７…保護層、８…遮光膜、１０
…トレンチ部、１１…溝、１２…絶縁層、１４…絶縁
体、１５…配線基板、１６…バンプ、１７…シンチレー
タ、２０…放射線検出器、Ｅａ，Ｅｃ…電極。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｚ
Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｋ
Ｄ
Ｆ
(72)発明者 藤井 義磨郎
静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ
トニクス株式会社内
Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE02 GG13 GG19 GG20
JJ05 JJ09 JJ31 JJ33 JJ37
LL12
4M118 AA05 AA08 AA10 AB01 CA03
CA32 CB11 GA02 GA09 GA10
GB11 GB13 HA31
5C024 AX11 AX16 CX11 CY47 EX21
GX03
5F049 MA01 MB02 NB05 PA09 QA04
RA02 SS02 SZ11 SZ20
5F088 AA01 AB02 BA03 BB03 BB07
CB09 DA01 EA04 GA04 HA11
LA08
Claims (5)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板の一面側に第２導
電型半導体層を複数有し、前記半導体基板の他面側から
被検出光を入射させるホトダイオードアレイにおいて、 前記半導体基板の他面側に形成されており、前記半導体
基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュ
ムレーション層と、 前記半導体基板の前記一面側、かつ、前記各第２導電型
半導体層それぞれの近傍に位置するように複数配設され
ており、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する
第１導電型のチャンネルストッパ層と、 前記各第２導電型半導体層、及び、その近傍の前記チャ
ンネルストッパ層の周囲を完全に囲むように前記半導体
基板の前記一面側に設けられており、対応する前記チャ
ンネルストッパ層よりも前記他面側に延びるトレンチ部
とを備えることを特徴とするホトダイオードアレイ。 - 【請求項２】 前記各チャンネルストッパ層は、対応す
る前記第２導電型半導体層の周囲を囲むように設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載のホトダイオー
ドアレイ。 - 【請求項３】 前記各チャンネルストッパ層は、対応す
る前記第２導電型半導体層の周囲の一部に近接するよう
に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のホ
トダイオードアレイ。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れか一項に記載のホト
ダイオードアレイを複数備えた固体撮像装置であって、
前記各ホトダイオードアレイが共通基板上に複数配設さ
れていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項５】 請求項１〜３の何れか一項に記載のホト
ダイオードアレイを備えた放射線検出器であって、 前記ホトダイオードアレイを固定する基板を有し、前記
各第２導電型半導体層は、アノードを介して前記基板の
所定の配線にバンプ接続され、前記各チャンネルストッ
パ層は、カソードを介して前記基板の所定の配線にバン
プ接続され、前記ホトダイオードアレイの前記他面側に
は、シンチレータが取り付けられていることを特徴とす
る放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277136A JP2003086827A (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277136A JP2003086827A (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086827A true JP2003086827A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19101716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001277136A Pending JP2003086827A (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003086827A (ja) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347536A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-12-05 | Commiss Energ Atom | 読出回路上にハイブリッドされた孤立画素及び蓄積グリッドを有する光検出器アレイ |
| WO2004086506A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイ及びその製造方法、並びに放射線検出器 |
| WO2005038923A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| JP2005156566A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 光マスク層を有するｃｔ検出器 |
| WO2007063192A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Artto Aurola | Semiconductor apparatus |
| WO2008059825A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Hamamatsu Photonics K. K. | Capteur d'image de distance |
| WO2008075577A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetector and radiation detecting apparatus |
| JP2008544571A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-04 | シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | ３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法 |
| JP2008311651A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | General Electric Co <Ge> | 半導体光電子増倍器の構造 |
| WO2009005098A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 |
| JP2009014461A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 |
| JP2009014459A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 |
| JP2010109295A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2010004453A3 (en) * | 2008-06-16 | 2010-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector |
| JP2010165912A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2010165915A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器及びその製造方法 |
| JP2010165917A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| JP2010165918A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2010165913A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2010165916A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2011023417A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
| CN102569319A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 通用电气公司 | 光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法 |
| JP2016162772A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 光検出器、その製造方法、放射線検出器、および放射線検出装置 |
| WO2017010311A1 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
| JP2018072099A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 日本精工株式会社 | 光センサの製造方法 |
| US20180286899A1 (en) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing optical semiconductor device |
| US11088190B2 (en) | 2017-04-04 | 2021-08-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical semiconductor device |
| JP2022535762A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-08-10 | エルフィス オイ | 放射線センサ素子及び方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50147230A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS60182764A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS6218075A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換装置 |
| JPS6286857A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線用固体撮像素子 |
| JPS6463886A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Hitachi Ltd | Radiation sensor |
| JPH05188148A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
| JPH0763859A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-10 | Shimadzu Corp | 放射線２次元検出器 |
| JPH0897403A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 光ｐｎｐｎスイッチ |
| JPH08111542A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-04-30 | Seiko Instr Inc | アバランシェ・フォト・ダイオード及びその製造方法 |
| JPH08250761A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-09-27 | Internatl Rectifier Corp | 光起電力装置 |
| JPH10284591A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-10-23 | Internatl Rectifier Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH10335624A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型受光デバイス及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-12 JP JP2001277136A patent/JP2003086827A/ja active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50147230A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS60182764A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS6218075A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 光電変換装置 |
| JPS6286857A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線用固体撮像素子 |
| JPS6463886A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Hitachi Ltd | Radiation sensor |
| JPH05188148A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
| JPH0763859A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-10 | Shimadzu Corp | 放射線２次元検出器 |
| JPH08111542A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-04-30 | Seiko Instr Inc | アバランシェ・フォト・ダイオード及びその製造方法 |
| JPH0897403A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 光ｐｎｐｎスイッチ |
| JPH08250761A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-09-27 | Internatl Rectifier Corp | 光起電力装置 |
| JPH10284591A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-10-23 | Internatl Rectifier Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH10335624A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型受光デバイス及びその製造方法 |
Cited By (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4545387B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2010-09-15 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 読出回路上にハイブリッドされた孤立画素及び蓄積グリッドを有する光検出器アレイ |
| JP2003347536A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-12-05 | Commiss Energ Atom | 読出回路上にハイブリッドされた孤立画素及び蓄積グリッドを有する光検出器アレイ |
| WO2004086506A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | ホトダイオードアレイ及びその製造方法、並びに放射線検出器 |
| CN100466273C (zh) * | 2003-03-27 | 2009-03-04 | 浜松光子学株式会社 | 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 |
| KR101152514B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2012-06-01 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 포토 다이오드 어레이 및 그 제조 방법 및 방사선 검출기 |
| EP1608021A1 (en) * | 2003-03-27 | 2005-12-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector |
| US7408238B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector |
| EP1608021A4 (en) * | 2003-03-27 | 2007-05-02 | Hamamatsu Photonics Kk | PHOTODIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND RADIATION DETECTOR |
| JPWO2005038923A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2007-11-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| CN100433345C (zh) * | 2003-10-20 | 2008-11-12 | 浜松光子学株式会社 | 半导体光检测元件和放射线检测装置 |
| US10908302B2 (en) | 2003-10-20 | 2021-02-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US20160334518A1 (en) * | 2003-10-20 | 2016-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US9431567B2 (en) | 2003-10-20 | 2016-08-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US9099599B2 (en) | 2003-10-20 | 2015-08-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US7170143B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-01-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation apparatus |
| EP1677353A4 (en) * | 2003-10-20 | 2007-08-01 | Hamamatsu Photonics Kk | SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTION ELEMENT AND RADIATION DETECTOR |
| EP1677353A1 (en) * | 2003-10-20 | 2006-07-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetecting element and radiation detector |
| US8592934B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| WO2005038923A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| JP4727422B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2011-07-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| JP4683906B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2011-05-18 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 光マスク層を有するｃｔ検出器及びその製造方法 |
| JP2005156566A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | 光マスク層を有するｃｔ検出器 |
| JP2008544571A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-04 | シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | ３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法 |
| US8325221B2 (en) | 2005-06-28 | 2012-12-04 | Siliconfile Technologies Inc. | Separation type unit pixel of 3-dimensional image sensor and manufacturing method thereof |
| JP2013084980A (ja) * | 2005-06-28 | 2013-05-09 | Siliconfile Technologies Inc | ３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法 |
| WO2007063192A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Artto Aurola | Semiconductor apparatus |
| US8426897B2 (en) | 2005-12-01 | 2013-04-23 | Artto Aurola | Semiconductor apparatus |
| WO2008059825A1 (fr) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Hamamatsu Photonics K. K. | Capteur d'image de distance |
| JP2008122342A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 距離画像センサ |
| US8013413B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-09-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Distance image sensor |
| US8084836B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-12-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetector and radiation detecting apparatus |
| WO2008075577A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetector and radiation detecting apparatus |
| JP2008311651A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | General Electric Co <Ge> | 半導体光電子増倍器の構造 |
| US8264673B2 (en) | 2007-07-03 | 2012-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back-illuminated distance measuring sensor and distance measuring device |
| US8477292B2 (en) | 2007-07-03 | 2013-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back-illuminated distance measuring sensor and distance measuring device |
| JP2009014459A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 |
| WO2009005098A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 |
| CN101688915B (zh) * | 2007-07-03 | 2012-11-21 | 浜松光子学株式会社 | 背面入射型测距传感器以及测距装置 |
| US8665422B2 (en) | 2007-07-03 | 2014-03-04 | Hamamatsu Photonics K.K | Back-illuminated distance measuring sensor and distance measuring device |
| JP2009014461A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型測距センサ及び測距装置 |
| KR101355283B1 (ko) | 2007-07-03 | 2014-01-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 이면 입사형 측거 센서 및 측거 장치 |
| US8564084B2 (en) | 2008-06-16 | 2013-10-22 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detection and a method of manufacturing a radiation detector |
| JP2011525238A (ja) * | 2008-06-16 | 2011-09-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器及び放射線検出器を製造する方法 |
| WO2010004453A3 (en) * | 2008-06-16 | 2010-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector |
| CN101728407A (zh) * | 2008-10-31 | 2010-06-09 | 索尼株式会社 | 固态成像器件及其制造方法和电子设备 |
| JP2010109295A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2010165912A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2010165915A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器及びその製造方法 |
| JP2010165917A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
| JP2010165916A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2010165913A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2010165918A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 |
| JP2011023417A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
| CN102569319A (zh) * | 2010-12-09 | 2012-07-11 | 通用电气公司 | 光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法 |
| JP2016162772A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 光検出器、その製造方法、放射線検出器、および放射線検出装置 |
| CN107851648A (zh) * | 2015-07-16 | 2018-03-27 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、制造方法和电子装置 |
| US10529767B2 (en) | 2015-07-16 | 2020-01-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid state image sensor, fabrication method, and electronic apparatus |
| WO2017010311A1 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
| CN107851648B (zh) * | 2015-07-16 | 2022-08-16 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、制造方法和电子装置 |
| JP2018072099A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 日本精工株式会社 | 光センサの製造方法 |
| US20180286899A1 (en) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing optical semiconductor device |
| US11088190B2 (en) | 2017-04-04 | 2021-08-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical semiconductor device |
| JP2022535762A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-08-10 | エルフィス オイ | 放射線センサ素子及び方法 |
| US11810987B2 (en) | 2019-05-31 | 2023-11-07 | Elfys Oy | Radiation sensor element and method |
| JP7464627B2 (ja) | 2019-05-31 | 2024-04-09 | エルフィス オイ | 放射線センサ素子及び方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003086827A (ja) | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 | |
| JP4508502B2 (ja) | 漏洩電流を最小化する撮像アレイ | |
| US7148464B2 (en) | Photodiode array with a plurality of depressions | |
| US8389322B2 (en) | Photodiode array, method of manufacturing the same, and radiation detector | |
| JP4482253B2 (ja) | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 | |
| KR20060064560A (ko) | 이면 입사형 광검출 소자 | |
| IL170733A (en) | Photodiode array, method of manufacturing the same and radiation detector | |
| US20090302410A1 (en) | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector | |
| KR20060061294A (ko) | 이면 입사형 광검출 소자 | |
| EP1605514A1 (en) | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector | |
| US7888766B2 (en) | Photodiode array and radiation detector having depressions of predetermined depth formed in regions corresponding to the regions where the photodiodes are formed in the semiconductor substrate | |
| JP4220817B2 (ja) | ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器 | |
| JP4976277B2 (ja) | 背面薄化処理した固体イメージデバイス | |
| JP2003004855A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP3860758B2 (ja) | 放射線検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080819 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |