JP2010165917A - 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像装置1aの製造方法は、互いに対向する表面3a及び裏面3bを有する半導体基板3と、半導体基板3の裏面3b側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板3とのpn接合によりフォトダイオードを構成する複数のp型半導体領域5と、を備えるフォトダイオードアレイを準備する工程と、半導体基板3の裏面3b上に配線基板81を配置する工程と、配線基板81を配置する工程の後、半導体基板3の所定位置に集光点Fを合わせて表面3a側からレーザ光Laを照射することによって改質領域50を形成する工程とを備える。
【選択図】図6
Description
図1及び図2を参照して、第1実施形態に係る製造方法が適用される固体撮像装置1a及び放射線検出器100aについて説明する。図1は、第1実施形態に係る放射線検出器100aの断面構成を示す模式図である。図2は、図1におけるII−II線に沿った断面構成を示す模式図である。
図7を参照して、第2実施形態に係る製造方法が適用される固体撮像装置1b及び放射線検出器100bの構成について説明する。図7は、第2実施形態に係る製造方法が適用される放射線検出器100bの断面構成を示す模式図である。
Claims (6)
- 互いに対向する第1の主面及び第2の主面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記第2の主面側に並んで配置されていると共に、それぞれが前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する複数の第2導電型の半導体領域と、を備えるフォトダイオードアレイを準備する工程と、
前記半導体基板の前記第2の主面上に配線基板を配置する工程と、
前記配線基板を配置する前記工程の後、前記半導体基板の所定位置に集光点を合わせて前記第1の主面側からレーザ光を照射することによって改質領域を形成する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、隣接する前記第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面上に配置された配線電極を備え、
前記配線基板を配置する前記工程では、前記配線基板と前記配線電極とを接続することにより前記半導体基板の前記第2の主面上に前記配線基板を配置し、
前記改質領域を形成する前記工程では、前記配線電極と前記半導体基板の第1の主面との間に前記改質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、隣接する前記第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面上に配置された配線電極と、前記隣接する第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面側に配置されると共に、前記半導体基板よりも不純物濃度が高く設定され、前記配線電極と電気的に接続された第1導電型の半導体領域と、を備え、
前記第1導電型の半導体領域は、第1及び第2の部分を含み、
前記第1及び第2の部分は、前記第2導電型の半導体領域の配置方向に離隔すると共に前記第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びており、
前記配線基板を配置する前記工程では、前記配線基板と前記配線電極とを接続することにより前記半導体基板の前記第2の主面上に前記配線基板を配置し、
前記改質領域を形成する前記工程では、前記第1の部分と前記第2の部分との間に、前記第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びて且つ前記半導体基板の前記第2の主面に達して前記改質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体基板は、単結晶シリコン基板であると共に、前記改質領域の形成位置に対応したパターンが前記第2の主面上に配置されており、
前記改質領域を形成する前記工程は、前記フォトダイオードアレイが載置される載置台と、前記載置台に載置された前記フォトダイオードアレイに赤外線を照射する赤外線照射手段と、前記フォトダイオードアレイの赤外線画像を撮像する撮像手段と、を有するレーザ加工装置を準備する工程と、
前記半導体基板の前記第1の主面を前記撮像手段と対向させて前記フォトダイオードアレイを前記載置台上に載置する工程と、
前記赤外線照射手段により前記赤外線を前記半導体基板の前記第1の主面側から前記フォトダイオードアレイに照射して、前記撮像手段により前記第2の主面の前記赤外線画像を撮像し、該赤外線画像から前記パターンを認識する工程と、
認識した前記パターンに基づき前記半導体基板を移動させることにより、前記半導体基板の所定位置に前記集光点の位置を合わせる工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、隣接する前記第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面上に、前記パターンとして配置された配線電極を備えることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像装置の製造方法により製造された固体撮像装置における前記半導体基板の前記第1の主面上にシンチレータを配置する工程を備えることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
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