JP4508502B2 - 漏洩電流を最小化する撮像アレイ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光又は電離性放射エネルギを検出するために使用されるイメージャに関する。具体的に述べると、本発明は、画像を劣化させる電流を低減すように設計した撮像アレイを有するイメージャに関する。
【0002】
【発明の背景】
半導体ダイオード・アレイで構成した放射エネルギ(radiation) イメージャは通常、電離性放射エネルギ(放射線)を検出するために使用される。半導体ダイオード・アレイは検出器画素を形成するためにシンチレータと共に配列されて、X線CT(コンピュータ断層撮影)用に使用される。
【0003】
イメージャ(例えば、X線イメージャ)における漏洩電流はノイズ及びダーク・オフセットの安定性にかなり影響を及ぼすことがある。漏洩電流は付加的なノイズ源であり、また温度につれてドリフトを生じる欠点のあるオフセットを生じる。ダーク・オフセットは、何ら放射エネルギがないときに撮像アレイが生じる信号である。例えば周囲の温度変化又はイメージャ内の温度変化に起因してダーク・オフセットが時間につれて変化することは、望ましくない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このようなイメージャの構成部品の欠陥による漏洩電流は近年になって製造方法の改良により劇的に減少したが、漏洩電流は未だ少なくとも4つの源から生じる。第1の漏洩電流源は、半導体ウェーハから、撮像アレイを設けた半導体チップを切断することから生じる。切断縁は典型的には十分に不動態化されていず、従って、かなり大きな漏洩電流源になる傾向がある。第2の漏洩電流源は、アレイの隣り合う画素ダイオードが非常に小さいバイアス電圧(すなわち、50mV未満)で且つ僅かに異なる逆バイアス電圧に保持される場合に生じ、その結果として隣り合う光感応撮像素子間にバイポーラ電流が生じる。このバイポーラ電流は、ダイオードの逆バイアスを大きく(すなわち、50mVよりもかなり大きく)すると、ゼロまで低減する。大きな(≫50mV)逆バイアスを使用すると、撮像用途において2つの利点が生じる。1つの利点は、前述したように、撮像用途におけるオフセットの源であり且つオフセット熱ドリフトの源である、不所望な漏洩電流の一成分を低減できることである。2つ目の利点は、ダイオードが逆バイアスされ、ダイオードの1端子が回路することにより、信号電荷がダイオード電圧の低下を生じることである。この電荷は、次いでスイッチ装置を使用してダイオードを増幅器へ接続することにより、読み出すことが出来る。これにより、単一の増幅器を使用して、アレイ内の多数のダイオード上の電荷をアナログ多重化読出しすることが可能になる。しかしながら、このような大きな逆バイアスは他の漏洩電流源を増大させる。このため、多くの検出器アレイはほぼゼロのバイアス電圧で作動されている。本発明では、バイポーラ電流を低減する為にダイオードのバイアスは大きくする(≫50mV)。第3の漏洩電流源は、半導体材料中の欠陥である。第4の漏洩電流源は、半導体と誘電体との界面における欠陥である。これらの全ての漏洩電流源は放射エネルギ損傷によって増大することがあり、第4の源は放射エネルギに対して特に敏感である。従って、検出器ダイオード・アレイで構成された放射エネルギ・イメージャでは、放射エネルギの作用によって引き起こされる動作の劣化を低減する為の作動を有することも望ましい。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1の面では、撮像装置を提供する。この撮像装置は、基板と、該基板内にある少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域と、上記基板の切断縁に位置し又は該切断縁に直ぐ隣接して位置するガード領域とを含む。ガード領域は、撮像装置が使用中である時に切断縁から放射エネルギ感応撮像領域に到達する漏洩電流を低減する。撮像領域及びガード領域は基板に対して電気的に逆バイアスされる。
【0006】
本発明は、第2の面では、イメージャを提供する。このイメージャは、半導体基板と、該半導体基板内にある複数の光感応撮像領域と、基板の切断縁に位置し又は該切断縁に直ぐ隣接して位置するガード領域と、半導体基板が複数の光感応撮像領域及びガード領域と共にそれぞれ構成した複数の光感応撮像素子及びガード素子に電気的逆バイアスを供給する複数の電気コンタクトとを含む。
【0007】
本発明の第3及び第4の面では、第1の面における撮像装置及び第2の面におけるイメージャをそれぞれ製造する方法を提供する。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1は、半導体チップ(図示せず)の縁12近くの関心部分10の断面図である。縁は、半導体チップを大きな半導体ウェーハから切断して得た場合の区域を表す。ガード素子のガード領域14が縁12。本明細書では、「に位置し又は縁に直ぐ隣接して位置する」という用語は、アレイの中の2つの指名した部分の間に介在するアレイ構成部品が何もないことを表す。ガード素子の機能は、切断縁12からそれに最も近い放射エネルギ感応撮像素子へ到達する漏洩電流を低減することである。上側層28とそれに対して高濃度にドープされた下側層36とを有する半導体基板27は、撮像領域、例えば、ドープした撮像領域16、18及び20と共に、ドープした領域16、18及び20に対応する複数の放射エネルギ感応撮像素子(この例では、3つの代表的なフォトダイオードを図示)を構成する。同様に、層36及び28は、ガード領域14と共に、放射エネルギ感応ガード領域(この例では、また、フォトダイオード)を構成する。撮像領域(すなわち、領域16、18及び20)を含むチップの領域は活性領域と称される。一実施例では、上記ガード領域(又は、複数のガード領域)は、活性領域の横方向寸法に沿って延在する。
【0009】
一実施例では、半導体基板27はN導電型にドープし、層36は層28に対して高濃度にドープする。この例では、高濃度にドープとは、約1018ドーパント数/cm3 より大きいドーパント濃度を意味する。各々の撮像領域はP+導電型であり、例えば、硼素を約1018ドーパント数/cm3 以上の濃度でドープし(ここで、ドーパント数/cm3 とは、特定のドーパント・タイプの集合を表す)、通常は約0.05オームcmと約0.0001オームcmとの間の範囲内の抵抗率を持つ。この例では、ガード領域は撮像領域と同様な深さ及び同じドーピング型を持つ。フォトダイオード及びガード・ダイオードは、例えば、約0.25ミクロン〜約2ミクロンの深さを持つ。ガード素子は深さが約1ミクロン〜約10ミクロンであることが好ましい。しかし、ガード素子の電気的範囲は、空乏領域がドープした領域を超えて延在するように逆バイアスを印加することにより、増大させることが出来る。ドーピング・レベル及びバイアスに依存して、空乏領域の範囲は20ミクロン以上にし得る。
【0010】
本例では可視光に感応するダイオードとして上述したが、放射エネルギ感応撮像素子及び/又はガード素子は、約0.5eV(すなわち、赤外線)〜約3eV(すなわち、紫外線)の光、X線、(1kVより高い)高エネルギ荷電粒子、及びガンマ線に感応するものであってよいことが理解されよう。また、ガード素子は放射エネルギ感応撮像素子と全く同じ形式の素子である必要が無いことが理解されよう。例えば、ガード素子のガード領域14に使用されるドーパントは、撮像領域のドーパントとは異なるが、同じ導電型(すなわち、N型、P型など)を生成する化学的不純物であってよい。一例として、硼素の代わりに、アンチモンをガード・リング用ドーパントに使用してもよい。さらに、ガード領域14の半導体材料は、撮像領域を取り囲む半導体材料と異なる材料にすることが出来る。
例えば、一方にシリコンを使用し、他方にシリコン・ゲルマニウム合金を使用してもよい。
【0011】
オプションとして、隣り合う撮像領域の間に反射領域22、24及び26を設ける。反射領域は中位濃度にドープした半導体(以下に詳しく述べる)で構成され、撮像領域の導電型とは反対の導電型にドープされ、またこの例では、ガード領域の導電型とは同様に反対の導電型にドープされる。例えば、撮像領域がP+型にドープされた場合、反射領域は約1012〜約1017ドーパント数/cm3 程度でN−又はN+導電型になり、且つ約0.01〜約10オームcmの抵抗率を持ち、好ましくは、出来るだけ浅く(例えば、約0.5ミクロン以下に)なるようにドープする。典型的には、熱酸化層41を半導体27の表面上に形成し、例えば、約0.05〜約1.0ミクロンの厚さを持つ二酸化シリコンで構成する。中位濃度にドープした反射領域22、24及び26の機能は、上部の酸化物と半導体との界面から少数キャリアを反射し、少数キャリアの発生を抑制して、光感応撮像素子における漏洩電流を低減することである。オプションとして、反射領域のいくつか又は全部に、約1018ドーパント数/cm3 以上のドーパント濃度を持つドープしたN+導電型の部分(例えば、図5における部分502)を設ける。このような比較的高いドーピング濃度は、漏洩電流の低減及び反射領域における再結合に一層効果的であるので望ましい。しかし、一般的に、このように高濃度にドープしたN+領域が撮像用フォトダイオードの空乏領域の中へ延在することは望ましくない。低濃度にドープした反射領域は撮像用フォトダイオードの空乏領域の中へ延在することが出来る。ガード領域及び反射領域は共に、ガード・ダイオードの空乏領域の中へ延在することが出来る。空乏領域の典型的な範囲は10〜100ミクロンである。
【0012】
放射エネルギ感応撮像素子の電圧を読み出すのに増幅器を使用する場合、増幅器は典型的には、非常に小さい不均一な電圧を撮像素子に印加する。この不均一さの原因は、増幅器が(多くの装置と同様に)完全でないことである。従って、隣り合う撮像素子(例えば、ダイオード14、16、18)は僅かに異なる電圧が印加されることがあり、その結果、隣り合う素子の両方に印加される電圧が小さい、すなわち、kT/e〜50mVと同等である場合は、該隣り合う撮像素子の間にバイポーラ電流が生じる可能性がある。バイポーラ電流はまた、撮像素子が増幅器に接続されている間にガード素子が増幅器に結合されていないので、ガード素子と最も近い放射エネルギ感応撮像素子との間に生じ得る。画像劣化についてのこのようなバイポーラ電流の負の効果(例えば、ノイズ)は、切断縁からの同じ負の漏洩電流によるものであり得る。バイポーラ電流を低減するために、基板に対してガード素子及び放射エネルギ感応撮像素子に実質的な(すなわち、100mVより大きい)逆バイアスを印加する。しかし、逆バイアスはまた、光感応撮像素子において他の漏洩電流源を増大させるという望ましくない効果も生じさせる。とは言え、実質的な逆バイアスは、正味の漏洩電流を低減することが出来る。その上、用途によっては、逆バイアスされた撮像素子上に電荷を蓄積させることが出来るように、実質的な逆バイアスが必要とされる。
【0013】
ここで、放射エネルギ感応撮像素子に印加される逆バイアスはガード素子に対するものと同じ大きさである必要はないことが理解されよう。最適な逆バイアスの大きさは素子の設計に左右される。例えば、比較的大きな逆バイアス(例えば、>20V)をガード素子に印加すると、より深く且つより幅広い空乏領域42が生じ(図3に破線で示す)、これは切断縁12からの漏洩電流を低減するためのガード素子の能力を改善する。空乏領域について以下により詳しく説明する。しかし、同様な大きさの逆バイアスを放射エネルギ感応撮像素子に印加すると、不所望に大きな漏洩電流が生じることがある。
【0014】
図2は、図1の部分10の別の断面図であり、この場合、シンチレータ・セグメント33、34及び35が設置されている。本発明の一実施態様では、イメージャ部分10は放射エネルギ・イメージャの一部分であり、放射エネルギ感応撮像素子はフォトダイオードである。シンチレータは、撮像しようとする種類の入射放射エネルギを吸収して光学フォトンを放出するようになっており、CTシステムの実施態様では、典型的には約3mmの厚さを持つ。通常のシンチレーション材料は、(Yy Gd,O):Ce、CdWO4 、沃化セシウム(CsI)等である。撮像領域16、18及び20の各々の上にはシンチレータ・ブロック(33、34及び35)が設けられている。各シンチレータ・ブロックは典型的には、撮像領域内部に光を保持するために、出口側を除いて全て反射体37で囲まれている。反射材料は、プラスチック、エポキシ又は接着剤の母材の中に入れた金属又はホワイトパウダ(例えば、TiO2 )であってよい。反射材料の別の例としては、金属、プラスチック及び白色顔料の積層複合物である。上記の放出された可視光はフォトダイオード16、18及び20に入射する。この光の入射により電流が生じ、この電流は時間積分され、周期的に読み出されて、ディジタル・データとして変換される。当業者には理解されるように、シンチレータ33、34及び35とフォトダイオード16、18及び20との間には付加的な層(ここでは簡単化のために図示していない)を設けてもよい。例えば、湿分障壁層(例えば、窒化シリコンや燐ドープ二酸化シリコン)又は光学結合用接着材のような層49を設けてもよい。
【0015】
ここで図1に戻って説明すると、半導体層36は層28よりも高濃度にドープし、好ましくは、層28と同じ導電型にする。層36は、好ましくはN+層あって、そのドーピング濃度を約1018〜約1021ドーパント数/cm3程度とし、また、層28は約1012〜約1017ドーパント数/cm3程度の低濃度にドープしたN−層である。高濃度にドープした層の機能は、光への露出により発生した少数キャリアを反射して戻して放射エネルギ感応撮像素子で収集できるようにすることであり、また層28の空乏領域の外部からの漏洩電流(すなわち、所謂「拡散漏洩電流」)の発生を抑制することである。
【0016】
好ましくは、撮像領域16、18及び20の横方向寸法(例えば、図1の参照符号5で示した領域の水平方向の範囲)は、図1の層28の厚さ32と同等か又はそれより大きくする。これにより、放射エネルギによって発生された少数キャリアが拡散により一撮像領域から隣接の撮像領域へ到達すること、従ってクロストークが生じることを防止する。また、シンチレータ34(図2参照)によって発生された信号キャリアがガード素子(14)へ向かうことによる損失を最小にするために、厚さ32は距離38(例えば、約70ミクロン)及び距離40(例えば、約100ミクロン)に比して小さくすること(例えば、約10〜約90ミクロン)が好ましい。距離38は縁12の最も遠い点からガード領域14の内側の点までの距離であり、距離40はガード領域14の内側の縁と最も近い撮像領域(本例では、領域16)との間の距離である。
【0017】
図3は、種々の寸法及び空乏領域をより明瞭に示す為に光学的反射領域22、24又は26を省略した、図1のイメージャ部分10の一部を示す。空乏領域42、44、46及び48に関して、その各々の深さ及び横方向範囲は(ダイオード素子(例えば16、18及び20)を構成するドープした領域の境界から測定して)約1〜約25ミクロンである。この空乏領域の大きさは層28のドーピング濃度及逆バイアス電圧に依存する。放射エネルギ感応撮像素子の隣り合う撮像領域の間の距離(例えば、距離50)は約200ミクロンであり、また隣り合う空乏領域の間の距離(例えば、距離51)は約150ミクロンである。ガード領域の空乏領域42と直ぐ隣接する撮像領域の空乏領域(すなわち、空乏領域44)との間の距離52は約75ミクロンである。各々の撮像領域の幅(例えば、撮像領域16の幅54)は約700ミクロンである。
【0018】
図4は、図3のイメージャ部分10のうちの縁12付近の部分400の拡大図である。部分400は、ガード領域14及びそれに隣接する第1の撮像領域16に注目している。距離401は、縁12と最も近い撮像領域(本例では、領域16)との間の距離である。当業者に公知のように、ガード素子がダイオードであり、且つ放射エネルギ感応撮像素子がフォトダイオードである場合、図3に関して説明したように、各素子には関連したそれぞれの空乏領域42及び44がある。読出し回路(図示せず)におけるノイズを増大させる原因となるフォトダイオードの容量が、空乏領域44の深さ406に逆比例する。従って、ノイズ低減設計の観点からは、フォトダイオードの空乏領域の深さを増大させることによって該容量を小さくすることが望ましい。しかしながら、切断縁とフォトダイオードとの間の距離401は約100ミクロンに過ぎず、また空乏領域をガード領域14とオーバーラップするほど大きくすることは出来ない。オーバーラップすると、ガード・ダイオードがフォトダイオードから電荷を「盗む」ことが起こり得るからである。しかし、隣り合う撮像領域の間の距離(幅)は同じにしなくともよいことに注意されたい。
【0019】
切断縁からの漏洩電流に関する二次的問題は、切断縁12からの撮像領域(例えば、)フォトダイオード16、18など)の距離及び活性領域の厚さ28を含む。典型的には、フォトダイオードの配置は切断縁から0.1mmの所(図4の距離401)で開始され、フォトダイオードの寸法は、例えば、横方向に0.8mm程度であり、約0.2mmずつ間隔を空けている。撮像領域が切断縁に近くなればなるほど、撮像領域に到達する漏洩電流の量が多くなる。ガード領域14がない場合は、この漏洩電流は領域16の縁と切断縁12との間の距離401にほぼ逆比例する。ガード領域は、それが縁に近接しているので、漏洩電流に対する優先的なシンク(受容部)を提供し、従って、撮像領域16に達する漏洩電流を著しく低減する。また、活性領域の基板区域(例えば、図1の層28)の厚さを増大すればするほど、切断縁がより長くなるので、漏洩電流がより大きくなる。このような基板層28の厚さは漏洩電流に関して良くないが、基板の厚さを保持することは、(活性領域に吸収される光の量が増大するので)ダイオード利得が増大し且つ(吸収される光の量が温度に左右されないので)利得の温度係数が低減するので望ましい。その上、低濃度にドープした半導体の層28が50ミクロンより厚い場合、製造が安価になり且つ品質が高くなる。
【0020】
図5は、部分10を含む図1と同様な代表的な半導体チップの部分500の断面図であり、関連する電気結合用接続部が設けてある。さらに、前に述べたようにオプションとしてN+部分(例えば、部分502)を備えた反射領域22及び24が図示されている。基板27に対してガード素子及び撮像素子に逆バイアスを供給するための2つの代替例について、図5を参照して以下に説明する。
【0021】
1つの例では、素子の1つ以上の領域内に高濃度にドープしたN+領域504を設ける。好ましくは、バイアス用コンタクト領域504が約1018〜約1021ドーパント数/cm3 にドープされる。電気コンタクト508、510、512及び514が例えばアルミニウムで構成されて、ガード領域14、撮像領域16及び18,ならびに領域104に対してそれぞれ電気結合を行う。この例では、コンタクト514はカソード・コンタクトとして作用し、約10ボルトの正電圧源に結合される。コンタクト508は約−10ボルトの負電圧源に結合されるアノード・コンタクトとして作用し、撮像領域(本例では、51及び512)に結合されるコンタクトは電気的アースに接続される。
【0022】
逆バイアスのもう1つの例では、領域504は存在しない。基板27が電気的に接地され、負の電圧(例えば、−10ボルト)がガード・ダイオード及び撮像領域フォトダイオードに上述のコンタクト手段を介して印加される。
【0023】
ここで、シリコンをベースとして用いて部分500を製造する例を説明する。
シリコン基板27が低濃度にドープしたN−層(層28)と深いN+拡散層(36)を有する。この基板を作成するには、例えば、高温で気相の源から燐を拡散させる。次いで、ウェーハの一方の面を研磨して、一方の面にあるN+層を除去する。次いで、酸化物層を、例えば、ウェーハを高温で酸素に露出させることにより生長させ、或いは標準的な方法を用いて堆積する。フォトレジストマスクを形成し、次いでエッチングを行うことにより、N+領域(502)の所望の位置に対応するパターンを作ることが出来る。イオン打ち込み又は拡散により、N+領域502を作成する。本発明の方法の一実施態様では、次いで酸化物をエッチングのより除去する。次いで、ウェーハの全表面を覆うように新しく酸化物を成長させ又は堆積し、パターン形成する。この酸化物は前と同様にパターン形成されて、所望のP+領域(14、16、18)を露出させる。イオン打ち込み又は拡散により、P+領域を作成する。別の酸化物を成長させ又は堆積し、前述のようにパターン形成する。このエッチング工程により、電気コンタクトのために所望の通りにP+及びN+領域の上方にバイア(via) を作成する。コンタクト用金属を堆積し、パターン形成し、エッチングすることにより、ダイオード及びガード素子を逆バイアスするための所望のコンタクト構造(508、510、512及び514)を得る。図5に示されるN−領域(22、24、26、506)は、典型的には、シリコンが露出されている処理工程中にイオン打ち込みによって作成される。適切な処理の時点は、最初の酸化物層より前の最初の工程か、或いはN+領域(502)を作成した後での酸化物の除去後である。
【0024】
本書で好ましい実施態様を図示し説明したが、当業者にとって、本発明の精神から離れることなく種々の変更、追加、置換等を行うことができ、従ってこれらが特許請求の範囲に記載した通りの本発明の範囲内に含まれることは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるイメージャの一例の関連部分の断面図である。
【図2】シンチレータを設けた図1のイメージャ部分を示す断面図である。
【図3】種々の寸法を示す図1のイメージャ部分を示す部分図である。
【図4】図1のイメージャ部分の一部分の拡大図である。
【図5】逆バイアス印加用の電気コンタクトを設けた、図1のイメージャ部分の断面図である。
【符号の説明】
10 イメージャの一部分
12 切断縁
14 ガード領域
16、18、20、504 放射エネルギ感応撮像領域
22、24、26、506 反射領域
41 酸化物層
502 N+導電型部分
508、510、512、514 電気コンタクト
Claims (13)
- 放射エネルギ撮像装置において、基板(27)と、該基板内にある少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)と、上記基板の切断縁(12)に位置し又は該切断縁に直ぐ隣接して位置し、上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)と同じドーピング型を持っているガード領域(14)であって、当該撮像装置の使用中に上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域及び上記ガード領域を電気的に逆バイアスすることにより、上記切断縁から上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域に到達する漏洩電流を低減するガード領域(14)と、
直ぐ隣り合う放射エネルギ感応撮像領域の間で上記基板内にそれぞれ配置された複数の反射領域と、
上記放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)及び上記反射領域の表面上に形成した酸化物層(41)とを有し、
上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)は、第1の導電型の複数の放射エネルギ感応撮像領域からなり、
上記反射領域は、上記酸化物層(41)と上記基板(27)との界面から少数キャリアを反射し、
上記反射領域は、上記第1の導電型とは反対の第2の導電型の領域であり、
上記反射領域は、上記放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)の空乏領域の中へ延在する低濃度にドープした反射領域と、上記放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)の上記空乏領域の中へ延在しない高濃度にドープした反射領域とを有している、ことを特徴とする放射エネルギ撮像装置。 - 請求項1記載の放射エネルギ撮像装置において、上記基板(27)はドープした半導体材料の第1の層(36)と、該第1の層と比べてに低濃度にドープした半導体材料の第2の層(28)とを有する、放射エネルギ撮像装置。
- 請求項1記載の放射エネルギ撮像装置において、上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)は上記撮像装置の活性領域を規定し、上記ガード領域は活性領域の横方向寸法に沿って延在している、放射エネルギ撮像装置。
- 請求項1記載の放射エネルギ撮像装置において、上記基板(27)は半導体基板で構成され、上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)は該半導体基板と共に少なくとも1つのダイオードを構成している、放射エネルギ撮像装置。
- 請求項1記載の放射エネルギ撮像装置において、上記基板(27)は半導体基板で構成され、上記ガード領域(14)は該半導体基板と共にダイオードを構成している、放射エネルギ撮像装置。
- 請求項1記載の放射エネルギ撮像装置において、上記基板(27)はドープした半導体材料の第1の層(36)と、該第1の層と比べて低濃度にドープした半導体材料の第2の層(28)とを有し、また、上記第2の層の厚さ(32)が上記ガード領域の各々の幅(38)よりも小さく且つ上記ガード領域と上記切断縁(12)から最も近い放射エネルギ感応撮像領域(16)との間の距離(40)よりも小さい、放射エネルギ撮像装置。
- 請求項2記載の放射エネルギ撮像装置において、
上記基板(27)は上記第1の導電型とは反対の第2の導電型を持ち、
上記基板(27)が半導体基板で構成されている、放射エネルギ撮像装置。 - 請求項7記載の放射エネルギ撮像装置において、上記第1の導電型がP型であり、上記第2の導電型がN型である、放射エネルギ撮像装置。
- 請求項1記載の放射エネルギ撮像装置において、上記基板(27)が半導体基板で構成されており、上記半導体基板(27)はドープした半導体材料の第1の層(36)と、該第1の層と比べて低濃度にドープした半導体材料の第2の層(28)とを有し、また、上記少なくとも1つの放射エネルギ感応撮像領域(16、18、20)の各々の横方向寸法が上記第2の層の厚さ(32)より大きいか又はそれに等しい、放射エネルギ撮像装置。
- イメージャにおいて、半導体基板(27)と、該半導体基板内にある複数の光感応撮像領域(16、18)であって、
上記半導体基板と共に複数の光感応撮像素子を構成する複数の光感応撮像領域(16、18)と、
上記基板の切断縁(12)に位置し又は該切断縁に直ぐ隣接して位置していて、上記複数の光感応撮像領域(16、18)と同じドーピング型を持っている上記半導体基板と共にガード・ダイオードを構成するガード領域(14)と、
上記複数の光感応撮像素子及び上記ガード領域(14)に電気的逆バイアスを供給する複数の電気コンタクト(508、510、512、514)と、
直ぐ隣り合う光感応撮像領域(16、18)の間で上記基板内にそれぞれ配置された複数の反射領域と、
上記光感応撮像領域(16、18)及び上記反射領域の表面上に形成した酸化物層(41)と、
を有し、
上記反射領域は、上記酸化物層(41)と上記半導体基板(27)との界面から少数キャリアを反射し、
上記反射領域は、上記複数の光感応撮像領域(16、18)と異なるドーピング型を持っており、
上記反射領域は、上記光感応撮像領域(16、18)の空乏領域の中へ延在する低濃度にドープした反射領域と、上記光感応撮像領域(16、18)の上記空乏領域の中へ延在しない高濃度にドープした反射領域とを有しており、
上記ガード領域(14)は上記イメージャの使用中に上記複数の光感応撮像素子及び上記ガード領域(14)に電気的逆バイアスが供給されることにより上記切断縁から上記複数の光感応撮像領域に到達する漏洩電流を低減するイメージャ。 - 請求項10記載のイメージャにおいて、上記複数の光感応撮像領域(16、18)は上記基板と共に複数のフォトダイオードを構成しており、上記ガード領域(14)は上記基板と共にガード・ダイオードを構成している、イメージャ。
- 請求項11記載のイメージャにおいて、上記複数の光感応撮像領域はP型にドープされた半導体材料を有する、イメージャ。
- 請求項11記載のイメージャにおいて、上記複数の光感応撮像領域(16、18)は上記イメージャの活性領域を規定し、上記ガード領域は活性領域の横方向寸法に沿って延在している、イメージャ。
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---|---|---|---|---|
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US7709921B2 (en) | 2008-08-27 | 2010-05-04 | Udt Sensors, Inc. | Photodiode and photodiode array with improved performance characteristics |
US8035183B2 (en) * | 2003-05-05 | 2011-10-11 | Udt Sensors, Inc. | Photodiodes with PN junction on both front and back sides |
US7655999B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-02-02 | Udt Sensors, Inc. | High density photodiodes |
US7656001B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-02-02 | Udt Sensors, Inc. | Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays |
US7256470B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-08-14 | Udt Sensors, Inc. | Photodiode with controlled current leakage |
US7057254B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-06-06 | Udt Sensors, Inc. | Front illuminated back side contact thin wafer detectors |
US8164151B2 (en) * | 2007-05-07 | 2012-04-24 | Osi Optoelectronics, Inc. | Thin active layer fishbone photodiode and method of manufacturing the same |
US8120023B2 (en) | 2006-06-05 | 2012-02-21 | Udt Sensors, Inc. | Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array |
US7242069B2 (en) | 2003-05-05 | 2007-07-10 | Udt Sensors, Inc. | Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics |
US8686529B2 (en) * | 2010-01-19 | 2014-04-01 | Osi Optoelectronics, Inc. | Wavelength sensitive sensor photodiodes |
US7279731B1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-10-09 | Udt Sensors, Inc. | Edge illuminated photodiodes |
US7576369B2 (en) * | 2005-10-25 | 2009-08-18 | Udt Sensors, Inc. | Deep diffused thin photodiodes |
US8519503B2 (en) * | 2006-06-05 | 2013-08-27 | Osi Optoelectronics, Inc. | High speed backside illuminated, front side contact photodiode array |
US7880258B2 (en) * | 2003-05-05 | 2011-02-01 | Udt Sensors, Inc. | Thin wafer detectors with improved radiation damage and crosstalk characteristics |
US6928144B2 (en) * | 2003-08-01 | 2005-08-09 | General Electric Company | Guard ring for direct photo-to-electron conversion detector array |
JP3978193B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2007-09-19 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | クロストーク補正方法およびx線ct装置 |
EP1679749A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-12 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Epfl - Sti - Imm - Lmis3 | Semiconductor photodiode and method of making |
US9498167B2 (en) | 2005-04-29 | 2016-11-22 | Varian Medical Systems, Inc. | System and methods for treating patients using radiation |
DE102005029196A1 (de) * | 2005-06-22 | 2007-01-04 | Siemens Ag | Röntgendetektor |
US7880154B2 (en) | 2005-07-25 | 2011-02-01 | Karl Otto | Methods and apparatus for the planning and delivery of radiation treatments |
DE102006038969B4 (de) * | 2006-08-21 | 2013-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US9178092B2 (en) | 2006-11-01 | 2015-11-03 | Osi Optoelectronics, Inc. | Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays |
WO2008063573A2 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-29 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | Dynamic patient positioning system |
USRE46953E1 (en) | 2007-04-20 | 2018-07-17 | University Of Maryland, Baltimore | Single-arc dose painting for precision radiation therapy |
EP2150991B1 (en) * | 2007-04-24 | 2017-09-27 | Koninklijke Philips N.V. | Method of forming an avalanche photodiode integrated with cmos circuitry and silicon photomultiplier manufactured by said method |
FR2922320B1 (fr) * | 2007-10-12 | 2012-05-11 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de detection de la desintegration de radioisotopes dans un tissu biologique. |
US20100053802A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Masaki Yamashita | Low Power Disk-Drive Motor Driver |
JP2012503314A (ja) * | 2008-09-15 | 2012-02-02 | オーエスアイ.オプトエレクトロニクス.インコーポレイテッド | 浅いn+層を有する薄い能動層フィッシュボーン・フォトダイオードとその製造方法 |
US8399909B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-03-19 | Osi Optoelectronics, Inc. | Tetra-lateral position sensing detector |
DE102010004890A1 (de) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | Siemens Aktiengesellschaft, 80333 | Photodiodenarray, Strahlendetektor und Verfahren zur Herstellung eines solchen Photodiodenarrays und eines solchen Strahlendetektors |
WO2011160235A1 (en) | 2010-06-22 | 2011-12-29 | Karl Otto | System and method for estimating and manipulating estimated radiation dose |
US8912615B2 (en) | 2013-01-24 | 2014-12-16 | Osi Optoelectronics, Inc. | Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light |
JP6270450B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 |
JP2016039203A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | ソニー株式会社 | 機能性素子および電子機器 |
US10825848B2 (en) * | 2015-09-11 | 2020-11-03 | Teledyne Digital Imaging, Inc | Image sensor and a method to manufacture thereof |
US10830913B2 (en) * | 2015-10-14 | 2020-11-10 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | X-ray detectors capable of limiting diffusion of charge carriers |
KR102632100B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2024-02-01 | 주식회사 디비하이텍 | 광 검출 장치 |
US10806409B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-10-20 | Varian Medical Systems International Ag | Medical systems with patient supports |
EP3331034B1 (en) * | 2016-12-05 | 2022-02-02 | ams International AG | Radiation-hard high-speed photodiode device |
DE112021006404T5 (de) * | 2020-12-11 | 2023-09-28 | Ams-Osram Ag | Fotodiodenvorrichtung mit hoher Empfindlichkeit |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06508006A (ja) * | 1992-04-09 | 1994-09-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 低キャパシタンスx線検出器 |
JPH11505069A (ja) * | 1995-05-08 | 1999-05-11 | アナロジック コーポレーション | 同一平面x線フォトダイオードアセンブリ |
JP2000012889A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子と受光装置 |
JP2003535459A (ja) * | 2000-04-20 | 2003-11-25 | ディジラッド・コーポレーション | 半導体装置のエッジ電流の抑制方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5237197A (en) * | 1989-06-26 | 1993-08-17 | University Of Hawaii | Integrated VLSI radiation/particle detector with biased pin diodes |
US5227635A (en) * | 1991-11-22 | 1993-07-13 | Xsirious, Inc. | Mercuric iodide x-ray detector |
US5434417A (en) * | 1993-11-05 | 1995-07-18 | The Regents Of The University Of California | High resolution energy-sensitive digital X-ray |
DE4439995A1 (de) | 1994-11-09 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Photodiodenarray |
-
2000
- 2000-12-04 US US09/729,124 patent/US6504158B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-03 DE DE10159333A patent/DE10159333A1/de not_active Withdrawn
- 2001-12-04 JP JP2001369444A patent/JP4508502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06508006A (ja) * | 1992-04-09 | 1994-09-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 低キャパシタンスx線検出器 |
JPH11505069A (ja) * | 1995-05-08 | 1999-05-11 | アナロジック コーポレーション | 同一平面x線フォトダイオードアセンブリ |
JP2000012889A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子と受光装置 |
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