JP2002515976A - 超小型精密振動レートジャイロスコープ - Google Patents

超小型精密振動レートジャイロスコープ

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JP2002515976A JP54293897A JP54293897A JP2002515976A JP 2002515976 A JP2002515976 A JP 2002515976A JP 54293897 A JP54293897 A JP 54293897A JP 54293897 A JP54293897 A JP 54293897A JP 2002515976 A JP2002515976 A JP 2002515976A
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Abstract

(57)【要約】 基板の表面に平行な軸の周りでの回転を測定するためのマイクロ製造されたジャイロスコープが提供される。電極フィンガの対間に電圧差が与えられ、直角位相エラーが減少される。マイクロ製造されたジャイロスコープは、振動構造体と、縦横比の大きな櫛型の電極とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】 超小型精密振動レートジャイロスコープ 発明の背景 本発明は一般的には超小型センサーに、より特定すれば超小型ジャイロスコー プセンサーに関する。 3次元での運動を慣性感知するために多軸センサーが強く求められている。以 前は、そのようなセンサーは比較的大きくて高価な電磁装置でできていた。最近 では、半導体処理技術を使って超小型精密センサーが組み立てられている。特に 、超小型精密加速度計とジャイロスコープが写真石版技術を使ってシリコンウェ ハから作られるようになってきた。このような精密加工されたセンサーは大量生 産が可能で、その為コストも低い。 超小型センサーの製作における目的の一つは、感度を上げ、装置のSN比を改 善することにある。もう一つの目的は製作工程を簡素化して、コストと煩雑さを 下げ生産工程での生産性を上げることにある。 3つの別々の軸周りの回転速度を計測するための3つのジャイロスコープセン サーを、3つの軸に沿った加速度を計測するための加速度センサーと連結して単 一のチップ上に統合化すれば、チップの全てのあり得る直線移動と回転を計測可 能なモノリシックな6自由度系の慣性計測システムが構築できる。 ジャイロスコープセンサーが組み込まれた基板の表面に平行な軸周りの回転を 計測するためにジャイロスコープセンサーを提供するのは役に立つ。ノイズの少 ないジャイロスコープセンサーを提供するのも役に立つことである。 発明の概要 ある態様では、本発明は、基板と、懸架システムで基板に接続された質量と、 基板の表面に実質的に平行な駆動軸に沿って質量を振動させるための駆動システ ムと、基板の表面に実質的に平行な感知軸に沿って質量の変位を計測するための 位置センサーとを含むジャイロスコープセンサーに向けられている。基板の表面 に実質的に垂直な回転軸周りの質量の回転と、駆動軸に沿った質量の振動は、質 量を感知軸に沿って偏向させるコリオリ力を発生させる。 本発明の機器は以下のようになっている。プロセッサーは位置センサーの出力 に連結されて、回転軸周りの質量の回転速度と共に変わる信号を生成する。ジャ イロスコープセンサーは、質量から突き出た第1感知電極と、基板に接続され、 第1電極の第1側に配置されている第2感知電極と、基板に接続され、第1電極 の反対の第2側に配置された第3感知電極とを含んでいる。位置センサーは第1 電極と第2及び第3電極との間のキャパシタンスの変化を感知する。第1,2, 3電極は実質的に同一平面上にあり、各電極は実質的に駆動軸と整列した長手軸 を有する。駆動システムは質量から突き出た第1駆動電極と、基板に接続され、 第1電極の第1側に配置されている第2駆動電極と、基板に接続され、第1電極 の反対の第2側に配置された第3駆動電極とを含んでいる。第1電極と第2及び 第3電極との間に交流電圧が掛けられる。電圧源は基板に接続された複数の補正 電極の間に電圧を掛け、コリオリ力無しに、より正確には駆動軸に沿って質量を 振動させる。電圧源は基板に接続された第1同調電源と質量に接続された第2同 調電極の間に電圧を掛け、感知軸に沿った質量の振動の共振周波数を調整する。 もう一つの態様では、本発明は、懸架システムで基板に接続された質量を含む ジャイロセンサーによって回転を感知する方法に向けられている。質量は回転軸 の周りに回転され、実質的に駆動軸に沿って振動する。回転軸周りの質量の回転 と駆動軸に沿った質量の振動はコリオリ力を発生させ、質量を感知軸に沿って変 位させる。感知軸に沿った質量の変位は計測され、基板に接続された電極指間に 電圧が掛けられ、コリオリ力無しに、より正確には駆動軸に沿って質量を振動さ せる。 もう一つの態様では、本発明は、超小型構造に向けられている。この構造は、 基板と、懸架システムで基板に接続され、基板の表面に平行な平面内で振動する 質量と、3つの複数の電極指とから成っている。第1の複数の電極指は質量から 平面内で第1軸に沿って突き出ている。第2及び第3の複数の電極指は電気的に 互いに絶縁され、第1の複数の電極指と同一平面にあり、基板に接続され、実質 的に第1軸に沿って突き出ている。第1,2,3の複数の電極指は、第1の複数 の電極指の各々が、第2の複数の電極指の一つ及び第3の複数の電極指の一つと 隣接するように組み合わせられている。 本発明の機器は以下の特徴を備えている。電圧源は第2と第3の複数の電極指 の間に電圧を掛ける。その構造の中には更に、第1の電極指と同じ平面上にある 第4の複数の電極指と、質量から第1軸に沿って突き出ている第2及び第3の複 数の電極指と、基板に接続されてはいるが第2及び第3の電極指からは電気的に 絶縁されている第5の複数の電極指とを含んでおり、第4と第5の複数の電極指 は互いに組み合わされている。第1の複数の電極指の各々は第4の複数の電極指 の各々よりも長い。 もう一つの態様では、本発明は超小型組立構造に向けられている。本構造は基 板と、質量が基板の表面に平行な面内で振動できるようにする懸架システムとか ら成っている。懸架システムには、第1及び第2の実質的に互いに平行な梁と、 第3及び第4の実質的に互いに平行な梁とが含まれており、第1と第2の梁は両 端がそれぞれ基板に固定され、第3と第4の梁各々の一端は第1の梁に、他端は 第2の梁に接続されている。 本機器は以下の特徴を有している。本構造は、実質的に第1と第2の梁に平行 な軸に沿って突き出た複数の指を含んでいる。本構造は第5,第6及び第7の梁 を含んでおり、第5及び第6の梁の各々の一端は第3の梁に、他端は第4の梁に 接続され、第7の梁の一端は第5の梁に、他端は第6の梁にそれぞれ接続されて いる。本構造は更に、実質的に第1及び第2の梁に平行な軸に沿って、第7の梁 から突き出た複数の指を含んでいてもよい。第3及び第4の梁の間に位置する第 1及び第2の梁の断面は、質量の回転を防ぐため実質的に剛であってもよい。 もう一つの態様では、本発明はセンサーに向けられている。センサーは、基板 と、懸架システムにより基板に接続され基板の表面に平行な面内で振動する質量 と、3つの複数の電極指から成っている。第1の複数の電極指は第1軸に沿って 面内で質量から突き出ている。第2と第3の複数の電極指は基板に接続され、実 質的に第1軸に沿って突き出ている。第1,第2及び第3の複数の電極指は、第 1の複数の電極指の各々が第2の複数の電極指の1つ及び第3の複数の電極指の 1つと隣接するように組まれている。電圧源は第IDC電圧を第2と第3の複数 の電極指の間に掛け、コリオリ力無しに、より正確には第1軸に沿って質量を振 動させる。 本機器は以下の特徴を有している。一組の電極指を3つの複数の電極指の反対 に配置し、第2電圧源は第2DC電圧を第5と第6の複数の電極指の間に掛け、 コリオリ力無しに、より正確には第1軸に沿って、質量を振動させる。第2DC 電圧は実質的には第1DC電圧と強さは同じで符号が逆である。第1の複数の電 極指は第2の複数の電極指と電気的に接続されている。センサーは、第1及び第 3の複数の電極指と第2,第3,第5及び第6の複数の電極指の間に第3DC電 圧を掛け、第1軸に垂直な面内での第2軸に沿った質量の振動の共振周波数を調 整する電源を含んでいる。 もう一つの態様では、本発明はセンサーに向けられている。センサーは、基板 と、懸架システムにより基板に接続され基板の表面に平行な面内で振動する質量 と、3つの複数の電極指から成っている。第1の複数の電極指は第1軸に沿って 面内で質量から突き出ている。第2と第3の複数の電極指は基板に接続され、実 質的に第1軸に沿って突き出ている。第1,第2及び第3の複数の電極指は、第 1の複数の電極指の各々が第2の複数の電極指の1つ及び第3の複数の電極指の 1つと隣接するように組まれている。電圧源はDC電圧を第1の複数の電極指と 第2及び第3の複数の電極指の間に掛け、第1軸に垂直な平面内での第2軸に沿 った質量の振動の共振周波数を調整する。 もう一つの実施例では、本発明は、Z軸周りの回転を感知するためのジャイロ スコープに向けられている。ジャイロスコープは、基板と、懸架システムにより 基板に接続され基板の表面に平行な面内で振動する質量と、質量を実質的に第1 軸に沿って面内で振動させる駆動システムと、3つの複数の電極指から成ってい る。第1の複数の電極指は第1軸に沿って面内で質量から突き出ている。第2と 第3の複数の電極指は基板に接続され、実質的に第1軸に沿って突き出ている。 第1,第2及び第3の複数の電極指は、第1の複数の電極指の各々が第2の複数 の電極指の1つ及び第3の複数の電極指の1つと隣接するように組まれている。 位置センサーは第1の複数の電極指と接続され、第1軸に垂直な面内での第2軸 に沿った質量の変位を計測する。表面に垂直なZ軸周りの質量の回転と第1軸に 沿った質量の振動はコリオリ力を生じさせ、質量を第2軸に沿って変位させる。 信号プロセッサーは位置センサーの出力に連結され、Z軸周りの質量の回転速度 と共に変動する信号を生成する。 本機器は以下の特徴を有する。電圧源は第1周波数を有するAC電圧を、第2 と第3の複数の電極指の間に掛ける。電圧は第2と第3の複数の電極指の間に掛 けられ、第1の複数の電極と容量ブリッジを形成し、位置センサーは第1の複数 の電極と連結され、質量が第2軸に沿って変位したときはキャパシタンスの変化 を検知する。センサーは第1の複数の電極指からの信号を積分するための積分器 を含んでいる。駆動システムは信号を生成して、質量を第1軸に沿って第2周波 数で加振する。駆動システムは信号の位相偏移を防ぐための位相ロックループを 含んでいる。センサーは駆動システムからの信号を電圧源からの信号と混合する ための第1ミキサーを含んでいる。センサーは第1ミキサーからの信号を位置セ ンサーからの出力信号と混合して位置直角成分信号即ちコリオリ信号を生成する ための第2ミキサーを含んでいる。センサーは位置センサーからの出力信号を電 圧源からの信号と混合して位置信号を作るためのミキサーを含んでいる。 もう一つの態様では、本発明は、入力軸周りの回転を計測するための超小型精 密ジャイロスコープセンサーに向けられている。ジャイロスコープセンサーは、 基板と、質量と、質量を基板に接続するための懸架システムを含んでいる。駆動 システムは質量を実質的に駆動軸周りに加振し、位置センサーは感知軸周りの質 量の回転を計測する。入力軸周りの質量の回転と駆動軸周りの質量の振動はコリ オリ力を発生させ、質量を感知軸周りに振動させる。電圧源は基板上に設けられ た複数の電極間に電圧を掛けて質量を加振し、コリオリ力無しで、より正確には 駆動軸周りに質量を振動させる。 本発明による機器は以下のようになっている。プロセッサーは位置センサーの 出力と連結され、回転軸周りの質量に回転速度と共に変動する信号を生成する。 第2電圧源は第2電圧を質量に接続された電極と基板に接続された電極との間に 掛け、質量の感知軸周りの振動の共振周波数を調整する。駆動軸は実質的に基板 表面に垂直で、回転軸及び感知軸は実質的に基板表面に平行である。質量は実質 的に環状である。第1及び第2の複数の電極指は質量から突き出ており、第3及 び第4の複数の電極指は基板から突き出て、第1及び第2の複数の電極指と組ま れている。第4の複数の電極指は、第1の複数の電極指の反対側に配置されてい る。第5,第6,第7,第8の複数の電極指は同じように配置され、複数の電極 指は実質的に同一平面上にある。電圧源は第1DC電圧を第3と第4の複数の電 圧指の間に掛け、実質的に強さが同じで符号が逆の第2DC電圧を第7と第8の 複数の電極指の間に掛ける。 もう一つの態様では、本発明は、懸架システムで基板に接続された質量を含む ジャイロスコープセンサーによって回転を感知する方法に向けられている。この 方法は、入力軸周りに質量を回転させ、質量を実質的に駆動軸周りに振動させる ことを含んでいる。入力軸周りの質量の回転と駆動軸周りの質量の振動はコリオ リ力を発生させ、質量を感知軸周りに振動させる。感知軸周りの質量の振動は計 測され、電圧が基板上に設けられた電極の間に掛けられ、コリオリ力無しで、よ り正確には駆動軸周りに質量を振動させる。 もう一つの態様では、本発明は、超小型精密ジャイロスコープセンサーに向け られている。ジャイロスコープセンサーは第1の複数の電極歯を有する基板と、 第1の複数の電極歯と組み合った第2の複数の電極指及び第2の複数の電極歯を 基板に接続する懸架システムを含む振動構造と、振動構造を基板に対して振動さ せる駆動システムと、コリオリ力によって生じる質量の変位を計測するための位 置センサーを含んでいる。第1及び第2の複数の電極歯は、厚さが幅よりも実質 的に大きい。 本発明の機器は以下のようになっている。懸架システムは少なくとも約10: 1の縦横比を有する複数の撓み材を含んでいる。第1及び第2の複数の電極歯は 少なくとも5:1の縦横比を持っており、少なくとも10:1の縦横比を有する 間隙で分離されている。 もう一つの態様では、本発明は、ジャイロスコープセンサーを制作する方法に 向けられている。第1基板上に絶縁層が形成され、第2基板の第1表面に凹所が 形成され、第2基板の第1表面が第1基板に接着され、凹所が第1と第2の基板 の間に封鎖された空洞を形成する。ジャイロスコープセンサーのための回路が第 2基板の第2表面上に形成され、第1基板に接続された振動構造を形成する複数 の深い溝が第2基板に第2表面から空洞へエッチングされる。 本発明の機器は以下のようになっている。振動構造は少なくとも25ミクロン の厚さを有し凹所は約1ミクロンの深さを持っている。エッチング段階は深部ま で活性のあるイオンエッチングから成っている。 本発明の利点は以下のようなものである。ジャイロスコープセンサーは基板表 面に平行な軸周りの回転を計測する。ジャイロスコープセンサーは直角成分誤差 を低減した。ジャイロスコープセンサーは振動構造と組み合わせられた縦横比の 高い電極を持っている。ジャイロスコープセンサーはノイズレベルが相当低減さ れている。 本発明のこの他の利点と特徴は図面と請求項を含め、以下の説明により明らか になるであろう。 図面の簡単な説明 図1は、静電ジャイロスコープと等価なバネ−マス系の概略図である。 図2は、本発明による超小型精密ジャイロスコープセンサーの概略斜視図であ る。 図3は図2のジャイロスコープセンサーの可動要素の概略平面図である。 図4は図2のジャイロスコープセンサーの固定要素の概略平面図である。 図5は図2のジャイロスコープセンサーの駆動システムの概略平面図である。 図6は図2のジャイロスコープセンサーの感知システムの概略平面図である。 図7A−7Cはコリオリの加速度と直角成分誤差の影響をうける検定質量の運 動の概略図である。 図8Aは図2のジャイロスコープセンサーの検定質量の位置を計測するのに使 用される積分器の概略回路線図である。 図8Bは図8Aの積分器が電圧バッファに置き換えられている概略回路線図で ある。 図8Cは図8Aの積分器が閾下(サブスレッシュホールド)金属酸化物半導体 電界効果トランジスターを用いている概略回路線図である。 図9は、本発明によるジャイロスコープセンサーの信号処理回路の概略図であ る。 図10は組み立てられたジャイロスコープセンサーの写真である。 図11はジャイロスコープセンサーのZ軸周りの回転に対する応答を示すグラ フである。 図12は掛けられたバイアス電圧に対するY軸共振周波数の応答を示すグラフ である。 図13は掛けられた電圧差に対する直角成分誤差の応答を示すグラフである。 図14は感知、駆動、直角成分補正の各機能が異なる電極構造によって実行さ れているジャイロスコープセンサーの概略平面図である。 図15は図14のジャイロスコープセンサーの回路の概略図である。 図16は2軸静電ジャイロスコープと等価なバネ−マス系の概略図である 図17Aは本発明による2軸ジャイロスコープセンサーの概略平面図である。 図17Bは組み立てられた2軸ジャイロスコープセンサーの写真である。 図18は、図17Aの2軸ジャイロスコープセンサーの電子回路の概略図であ る。 図19は直角成分補正電極によって作り出されるフィールドラインを概略図示 する図47Aの19−19に沿った断面図である。 図20は直角成分補正システムが電極板を含んでいる2軸ジャイロスコープセ ンサーの平面図である。 図21は、感知、駆動、直角成分の機能が単一の電極構造に結合されているジ ャイロスコープセンサーの回路の概略図である。 図22は高縦横比振動構造で構成されたジャイロスコープセンサーの概略斜視 図である。 図23は図22のジャイロスコープセンサーの信号処理回路の概略回路線図で ある。 図24A−24Gは図22のジャイロスコープセンサーの製作工程を示す概略 断面図である。 好適な実施例の説明 図1ではZ軸振動レートジャイロスコープがコリオリの加速度を発生させ検知 することにより機能している。本発明のZ軸振動レートジャイロスコープの機能 動作が等価なバネ−マス系で表されている。振動レートジャイロスコープ10で は、検定質量12が剛体フレーム16から可撓性懸架部材14により支持されて いる。検定質量12は、フレームがZ軸周りに回転すると同時に駆動力FDによ りX軸に沿って加振される(駆動モード)。回転と振動が組み合わせられると、 振動している検定質量に、Y軸に沿ってコリオリ力FCが生じる。コリオリの加 速度は検定質量のY軸に沿った変位として検知される(感知モード)。 図2に示すように、本発明により設計された超小型精密ジャイロスコープセン サー20には、剛体フレーム即ち基板24に接続された超小型電気機械式感知要 素即ち検定質量22が含まれている。ジャイロスコープセンサー20はZ軸振動 レート、即ち基板24の精密加工表面26に直角な軸周りの基板の回転を計測す る。超小型精密ジャイロスコープセンサー20は3つの主要な要素を含んでおり それは、懸架システム30と、検定質量22のX軸に沿った振動を持続させるの に使われる駆動システム32と、検定質量22のY軸に沿った変位を検知するた めと、以下に詳細に述べるように、全ての直角成分誤差を相殺するために静電力 を掛けるための両方に使われる検知システム34である。 図3では、懸架システム30が検定質量22と一体的に形成されている。懸架 システム30は検定質量22を、それが表面26に平行な面内で振動できるよう に支持している。懸架システム30は検定質量22を、例えば、基板表面上約2 ミクロンに保持している。検定質量22の合計質量は約0.1ないし0.3マイ クログラムである。懸架システム30は一般的にはH型で、通常X軸に沿って配 置された2本の平行な梁40と42を持っている。各梁は長さ約500ないし1 000ミクロンで、代表的には約800ミクロンである。各梁の端部は、懸架シ ステムを基板に接続するアンカー44に接続されている(図2参照)。各梁40 の端部は、図2に示すように、折り返された、即ちJ型の屈曲部45を持ってい る(図3参照)。替わりに、梁40は直線形であってもよい。 梁或いはクロスバー46及び48は梁40と梁42を繋ぐ。クロスバー46及 び48は長さ約800ミクロンで、梁40及び42を3分割するように配置され ている。2本の横断梁50及び52がクロスバー46及び48を繋ぐ。第3の梁 即ちクロスバー54が横断梁50の中心と横断梁52の中心とを繋ぐ。懸架シス テム30の可撓要素は、ポリシリコンで出来ており、例えば2ミクロンオーダー の幅と厚みを持っている。アンカーは約8ミクロン角である。 懸架システム30はX軸及びY軸に沿っては可撓性であるように、他の振動モ ードに対しては出来るだけ高剛性であるように設計されている。特に懸架システ ムは、僅かの回転がジャイロスコープの性能を低下させかねないので、Z軸周り の回転に対しては実質的に剛でなければならない。大きな変位も又、可動電極指 を固定電極指に衝突させる結果と成りかねない。懸架システムは、クロスバー4 6及び48の間に位置しトラス41及び43を形成する梁40及び42の一部を 厚くすることにより回転剛性を維持しながら、必要な並進コンプライアンスを提 供する。トラス41及び43の幅は梁の他の部分の3から4倍あり、即ち6ない し8ミクロンである。指が突き出ているクロスバー46及び48の部分は幅約4 ミクロンである。 検定質量22は又、検定質量をX軸及びY軸に沿って駆動しその振動を感知す るために使用される複数の指電極(又は簡単に指)を含んでいる。複数の長い指 38がX軸に沿ってクロスバー46,48から外側に向けて突き出ており、複数 の短い指即ち短い突出部39がX軸に沿ってクロスバー46,48及び54から 内側に向けて突き出ている。クロスバー46及び48は背骨を形成し、長い指3 8は2つの可動感知電極56の角を形成する。同様に、クロスバー46,48及 び54は背骨を形成し、短い指39は2つの可動駆動電極58と2つの可動フィ ードバック電極59の角を形成する。短い指39は長さ約10ないし25ミクロ ン、代表的には15ミクロンであり、長い指38は長さ約100ないし200ミ クロン、代表的には150ミクロンである。 図4では、1つ又はそれ以上の固定駆動電極、1つ又はそれ以上の固定フィー ドバック電極及び1つ又はそれ以上の固定感知電極が基板24に剛接してある。 例えば、2つの固定駆動電極60a、60bが互いに反対向きの形で配置されて いる。同様に、2つの固定フィードバック電極61a,61bが互いに反対向き の形で向かい合っている。各固定駆動電極60a,60b、及び各固定フィード バック電極61a,61bは複数の短い電極指66を含んでいる。固定駆動及び フィードバック電極60a,60b、及び61a,61bは数個ないし数ダース の電極指を持っている。短い電極指66の長さは約15ミクロン、幅は約3ない し6ミクロンである。幅は、例えば、4ミクロンであってもよい。 固定感知電極62a,62bは逆向きの形で互いに向き合っている。固定感知 電極62a,62bは複数の長い指70を含んでいる。長い指70は各々ベース 72から突き出ている。固定感知電極62aの指は対になって配置され、各対は 右指74aと左指76aを含んでいる。同様に、固定電極62bの指は対になっ て配置され、各対は右指74bと左指76bを含んでいる。長い指70は各々、 長さ約150ミクロンで幅約4ミクロンである。 図5では、駆動システム32が、可動及び固定駆動電極58及び60a、60 bと、可動及び固定フィードバック電極59及び61a、61bを含んでいる。 1セットの短い指39が固定駆動電極60a、60bの短い指66と組まれてい る。もう1セットの短い指39が固定フィードバック電極61a、61bの短い 指66と組まれている。可動電極58,59の短い指39と、固定電極60a, 60b及び61a,61bの短い指66は、犠牲層を除去する前にポリシリコン の同じ層から形成され、各指は同一平面にある。 駆動システム32の駆動電極は電気機械式トランスジューサーとして働く。固 定駆動電極60a、60bと可動駆動電極58の間に交流電圧を掛けると、検定 質量22はX軸に沿って振動又は往復運動をさせられる。X軸に沿った運動はク ロスバー46及び48に曲げを生じさせ、検定質量2は固定駆動電極60a,6 0bに向かいそして離れるように動く。検定質量22の振動を持続させるための 駆動システム32を操作する方法については、もっと詳細な説明が、その開示全 体をここに参考資料として挙げる、本発明の譲受人に譲渡された、横方向駆動共 振超小型構造体と題するタング他に認められた1991年6月18日発行の米国 特許第5,025,346号、及び、その開示全体をここに参考資料として挙げ る、本発明の譲受人に譲渡された、Q制御された超小型共振器及びその共振器を 使用する同調可能電子フィルターと題するニューエンに認められた1996年2 月13日発行の米国特許第5,491,608号に述べられている。 図6では、感知システム34が固定感知電極62a,62bと、可動感知電極 56とを含んでいる。可動感知電極56の長い指38と固定感知電極62a,6 2bの長い指70は、長い指38が右指74a,74bと左指76a,76bの 間に配置されるように組まれている。指70と38との間の間隙Y0は約1ミク ロンである。指38と70とはポリシリコンの同じ層から形成されているので同 一平面にある。このように、全ての駆動及び感知要素は同一製作段階で形成され る。更に、駆動モード及び感知モードは基板24の表面に平行なX−Y面内で作 動する。以下に更に詳しく説明するように、感知システム34は、検定質量22 のY軸に沿った変位を感知し、直角成分誤差と平衡させその影響を取り除くため に静電力を掛け、検定質量のY軸方向振動の共振周波数を調整するために使われ る。 先に論議したように、駆動システム32は検定質量22をX軸に沿って振動さ せる。検定質量のX軸方向の位置x(t)は次の式で与えられる。 x(t)=X0sinωxt (1) 但し、X0は振動の振幅、ωxは駆動電圧の周波数(そして振動周波数)である。 駆動電圧の周波数ωxは7kHzないし100kHzであり、駆動電圧は検定質 量に約1ミクロンの最大変位X0を起こさせるだけあればよい。コリオリの加速 度y”Coriolisは次の式で与えられる。 y”Coriolis=2・Ωz(t)・x’(t) (2) 但し、Ωz(t)は検定質量のZ軸周りの回転速度、X’は検定質量のX軸方向 の速度である。式(1)と(2)を結びつけると以下のようになる。 y”Coriolis=2・Ωz(t)・ωxt・cosωxt (3) 振動振幅X0=1μm、振動周波数ωx=20kHz、入力回転速度Ωz=1度/ 秒のジャイロスコープセンサーではコリオリの加速度は0.45ミリGとなる。 コリオリの加速度は、搬送周波数が振動周波数であり、回転速度が振幅を変調 する振幅変調信号である。発生するコリオリの加速度は振動周波数を中心とした 二重側波帯信号である。図7Aでは、Y軸方向加速度は速度に比例するので、検 定質量22の運動は楕円となる。検定質量22のY軸方向の最大変位は数ナノメ ーターである。ジャイロスコープセンサー20で検知できる変位はピコメーター のオーダーである。 理想的な装置では、動いている電極は固定電極と完全に整列しているので、駆 動システム32によって起こされた運動はX軸方向だけに生じる。しかし、製作 上の誤差の一つの影響として直角成分誤差がある。図7Bでは、直角成分誤差が 現れ、検定質量22はX軸に正確には平行でない軸方向に振動する。そのような 場合、駆動振動X(t)のY軸方向の成分εが現れる。このY軸方向の直角成分 変位は次の式で与えられる。 YQuadrature=−ε・x(t) (4) この変位を2回微分すれば、軸外振動による加速度Y”Quadratureを求めるこ とができる。以下の式(5)で与えられるこの加速度は直角成分誤差と呼ばれる 。 Y”Quadrature=ε・X0・ω2 x・sinωxt (5) 直角成分誤差とコリオリの加速度の間の類似性に注目する必要があり、両者は 共に振動周波数を中心とする正弦波信号である。しかし、これらの信号は被駆動 振動に対する位相によって識別できる。特に、コリオリの加速度は被駆動振動ωx に対し位相が90度ずれており、一方、直角成分誤差は被駆動振動と同位相で ある。 直角成分誤差は極めて大きくなることがある。事実、直角成分誤差は容易にコ リオリの加速度を超える。直角成分誤差とコリオリの加速度の比は式(6)で与 えられる。 直角成分誤差をコリオリの加速度と同じくらいに小さくするために、先の例を 用いて入力回転速度Ωzを1度/秒、振動周波数ωxを20kHzとすれば、振動 の方向は360万分の1の係数まで正確になる。製作上の誤差及び他の不均衡に よって、直角成分誤差はこれより著しく大きくなることもある。そのため、ジャ イロスコープセンサー20は直角成分誤差を低減或いはゼロにする機構を有し ている。 超小型精密ジャイロスコープセンサー20は感知システム34を介して静電力 を検証質量22に掛ける。適当な静電力を選定することによって、直角成分誤差 をゼロにすることができる。式5で示すように、直角成分誤差は検証質量のX方 向の位置に正比例している。この誤差信号をコリオリ信号に影響を与えること無 く相殺するためには、これも又検証質量のX方向の位置に正比例する平衡力を掛 けなければならない。ジャイロスコープセンサー20は、組まれたY軸位置感知 指を使って、そのような平衡力を掛ける。 図7Cでは、検証質量22は、検証質量22の互いに反対側から突き出た2本 の指38a,38bと共に描かれている。指38aは右及び左の指74a及び7 6aに挟まれ、指38bは右及び左の指74b及び76bに挟まれている。僅か な電圧差2△Vが右指74aと左指76aの間に掛けられる。逆の電圧差−2△ Vが右指74bと左指76bの間に掛けられる。この電圧差が平衡力Fyを作り 出し、直角成分誤差を相殺する。平衡力は検証質量22に働き、コリオリ力無し に、指39をX軸に沿って振動させる。先に述べたように、平衡力は検定質量の X軸方向の位置に正確に比例していなければならない。2つの負荷を掛けられた 表面の間の静電力は、表面の重なり合う面積に比例する。指38と指70の間の 重なり合う面積は、検証質量22のX軸方向の位置に正比例するので、検定質量 が振動するにつれて、位置検知キャパシタは比例的に変化する。従って、静電平 衡力Fyは検証質量22の位置に比例することになる。検知システム34はDC バイアス電圧VDCを指74a、74b、76a、76bに掛け、以下の式7で与 えられる電圧差Z△Vを指74a、74bと76a、76bの間に掛ける。 但し、Coverlapは、構造が振動する際の指70と指38の間のキャパシタンス の最大変化であり、y0は指70と指38の間の平衡距離である。 電圧差△Vを適当に選定すれば、直角成分誤差は例えば10対100の係数で 十分に低減できる。適当な電圧差は式(7)、(5)及びニュートンの法則F= maから以下のように計算できる。但し、Mは検定質量22の質量である。直角成分誤差は製作誤差の結果であるか ら、適当な電圧差の値はその特定の構造に依存し、装置毎に異なる。1mVから 100mVの範囲の電圧差が適当であろう。直角成分誤差を相殺するための最適 の電圧差は実験的に求められる(以下に論じる図13を参照)。 直角成分誤差を相殺することに加えて、ジャイロスコープセンサー20の感知 システム34は、検定質量22のY軸方向共振周波数ωyを駆動加振周波数ωyに 合わせるのにも利用できる。ジャイロスコープセンサー20はハイQセカンドオ ーダーシステムなので、コリオリの加速度に対する検定質量22の応答を高める ことができる。式3で示すように、コリオリの加速度は加振周波数ωxを中心と する信号である。それ故、加振周波数ωxと共振周波数ωyの相対値は感知モード の応答、従ってセンサーの感度に劇的な影響を及ぼす。Y軸方向共振周波数が加 振周波数と一致すれば、装置はシステム応答においてQのケインを経験すること になる。しかし、センサーの帯域幅はωy/Qに制限される。システムが真空中 で稼働しており、Qが一般的に10,000以上であると仮定すれば、ωx=ωy に対するシステムの帯域幅はほんの数ヘルツである。 帯域幅を広げ、且つ感度を上げるためには、ジャイロスコープセンサー20は 共振周波数ωyと加振周波数ωxを少しずらせて作動させねばならない。コリオリ の加速度によるY軸変位のシステム応答は次の式で与えられる。 Y軸方向共振周波数を調整する手段があれば、ジャイロスコープセンサーを△ω /ωxで5−10%周波数をずらせて作動させ、感度で5−10%のゲインを生 み出すのが望ましい。例えば、ωxが約12kHzであれば、ωyは約12.5k Hzとするのである。替わりに、周波数のずれを約1−2%に減らしてもよい。 ずれを更に減らすと、感度は上がるが、ジャイロスコープセンサーの温度が変化 するにつれ共振周波数も変化するので、任意の時間維持するのが難しくなる。 感度を改善するためにY軸方向共振を調整するには、静電「負」ばねを使用す れば、即ち検証質量22と固定感知電極62の間にDCバイアス電圧VDCを掛け ればよい。動いている検定質量と固定感知電極の間にDC電圧が確立されれば、 結果として生じる吸引力は全体バネ定数を下げ、それによって共振周波数を調整 する。 平行プレートキャパシターに対する1次モデルを使えば、静電力による線形化 されたバネ力は次の式で与えられる。 ただし、yは検定質量のY軸方向の平衡位置からの変位である。 Y軸方向共振周波数ωyは次の式で与えられる。 但し、kyは純粋に機械的なバネ定数、keは静電バネ定数、Mは検定質量22の 質量である。機械的バネ定数kyは本質的には懸架システム30の剛性の関数で ある。 電磁バネ定数、keは、次の式で与えられる。 但し、Csは、ジャイロスコープセンサーの感知キャパシタンス、y0は、指38 と70間の距離である(図7A参照)。Csは、指の総数と重なり合う面積によ って変わるが、少なくとも30フェムトファラド(fF)なければならない。指 の数を増やすことによって、Csは約1ピコファラド(pF)まで増加する。先 に述べた様に、指の間の間隔y0は約1ミクロンである。keは負の数値であり、 そのためVDCが増加するにつれてωyは減少することに留意すべきである。シス テムは、ωxよりもωyが大きい状態でスタートし、望ましいずれ△ω/ωyに達 するまでバイアス電圧VDCが上げられ、それによってωyが減少する。VDCに対 する補正値は実験に基づいて決められるが(以下で論議される図12参照)、1か ら10ボルトの範囲にある。 直角要素誤差の相殺とY軸共振周波数の調整に加えて、感知システム34は、 遠心力ないし求心力の効果を無効にするためにも使用できる。ジャイロスコープ センサーがZ軸周りに回転するにつれ、遠心力が検定質量を外側に押し出す(回 転軸が検定質量の質量中心を正確に通ってないと仮定する)。対抗する固定感知 電極62aと62bの間に電圧差VCが掛けられる。コリオリの力の周波数と比 較すると、遠心力は低周波数で変化するため、出力からの遠心力の効果を取り除 くために高域フィルターを使用することもできる。 ジャイロスコープセンサー20は、容量偏向感知によってY軸に沿って検定質 量22の位置を測定する。感知システム34の互いに組み合う指(図2に図示) は、Y軸に沿う検定質量の変位を感知するために使用される。指はコンデンサー ブリッジ状に配置されているので、検定質量の変位は全てコンデンサーの相対的 サイズにおける計測可能な変化となる。1次モデルでは、平行板コンデンサーの キャパシタンスは、プレート間の距離に逆比例する。 図6と8Aでは、可動感知電極56の指38と感知電極62a、62bの右指 74a、74b間の間隙は、第一コンデンサーC1を形成し、指38と左指76 a、76b間の間隙は第二コンデンサーC2を形成する。可動感知電極56がY 軸に沿って撓むにつれて、C1とC2が変化する。例えば、感知電極56が左方向 に撓むと、指38と右指74a、74b間の距離が伸び、それによってC1は減 少し、一方指38と左指76a、76b間の距離が縮むと、それによってC2が 増加する。キャパシタンスの変化は、増幅器82を含む積分器又は電圧バッファ の様な位置センサー80によって感知される。指38は、増幅器82の負入力に 接続される。増幅器82の出力は、積分器を形成するために積分コンデンサー8 4を経て増幅器の負入力に接続される。増幅器82の負入力は、寄生コンデンサ ー83を経て接地される。増幅器82の正入力は、直接接地してもよい。 キャパシタンスはDC電圧では計測できないため、電圧源90は指74a、7 4bと76a、76bの間にAC電圧VSを掛ける。電圧VSは約0.1から5. 0ボルトであり、約1ボルトが好ましく、駆動周波数ωxよりもかなり高い周波 数を有する。例えば、電圧源90の周波数は、約1メガヘルツでもよい。 図8Aに示される積分器は、積分コンデンサーサイズを変化させることによっ て帯域幅を感度と交換する柔軟性を提供する。積分器は更に、より低い歪みを提 供する。超小型電子機械システムに含まれる寄生コンデンサーの幾つかは、バッ ファのゲインを変化させ、それによって歪みを生じさせる結果となる非線形であ り、ブートストラップ方式の寄生キャパシタンスを作動させることは、増幅器歪 みを悪化させる正のフィードバックの形態となる。しかしながら、積分器は、固 定された線形コンデンサーを使用するため、歪みは最小限に維持される。 容量位置感知に使用されるもう一つの一般的な増幅器構成を図8に示すが、増 幅器82の出力はその負入力に接続され、感知電極56は電圧バッファを形成す るために増幅器の正入力に接続されている。 不都合なことに、積分器は困難なバイアス問題点を提示する。理想的には、非 常に大きな抵抗器を積分コンデンサーに平行に置くことにより、バイアスをかけ ることができる。しかしながら、実際の大きな抵抗器の機器は全て、結果として かなりの寄生キャパシタンスとなる。ダイオードは更に、積分キャパシタンスに 平行して使用可能であるが、それは非線形キャパシタンスを積分キャパシタンス に加え、歪みを生む結果となるる。図8Cでは、このバイアスをかける問題点が 閾下金属酸化物半導体電界効果トランジスター(MOSFET)88の使用によ って解決されている。MOSFET装置は、積分コンデンサー84と平行に接続 されているため、MOSFET88のソースは、増幅器82の出力に、ドレーン は増幅器82の負入力に、ゲートはアースに接続されている。増幅器82の負入 力はダイオード86によってアースに、増幅器82の正入力は直接アースに接続 してもよい。閾下方式においては、MOSFET装置は極端に低い相互コンダク タンスを示し、ソースツードレーン・キャパシタンスは示さない。閾下MOSF ET装置を使用した結果、バイアス回路に起因する追加のノイズないし歪み無し に、50F積分コンデンサーで1kHzまで作動可能な良好な挙動をする積分器 となった。 図9では、ジャイロスコープセンサー20は、信号処理を行うための位相ロッ クループ(PLL)と数個の同期復調器ないしミキサーを含んでいる。位相ロッ クループ100は、約7kHzと100kHzの間に駆動周波数ωxを有する極 めて正確なデジタル信号を作り出す。駆動周波数ωxは、電圧源90からの信号 を分割することによって生成することもできる。位相ロックループは、位置信号 が検定質量22の位置と正確に位相が合っていることを保証する。位相ロックル ープ100は更に、ライン110上の位置信号とは位相が正確に90度違う速度 信号をライン108上に生成する。反対の振幅を有するライン102と104上 の位置信号が、位相ロックループ100によって、トランス抵抗増幅器106の 正と負の出力に各々供給される。対抗する固定駆動電極60a及び60bは又、 トランス抵抗増幅器106の正と負の出力に接続される。対抗するフィードバッ ク電極61a及び61bは、トランス抵抗増幅器106の正と負の入力に接続さ れる。トランス抵抗増幅器106の出力の一つは、ミキサー112によって速度 信号と混合される。ミキサー112の結合された出力はトランス抵抗増幅器10 6に掛けられ、X軸に沿った検定質量22の振動の振幅を制御するため自動ゲイ ン制御(AGC)回路に提供される。位相ロックループの位相精度は、いかなる 位相誤差もコリオリと直角成分信号間の漏話を生じる結果となるので、ジャイロ スコープセンサー20の作動にとっては非常に重要である。位相誤差θn(t) が位相ロックループで位相ノイズによって生成されると仮定すると、回転速度Ω での誤差は、以下に示す式13−15から導き出せる。 位相ロックループ100は極めて正確なため、位相ノイズは最小となり、種々の 漏話は極めて小さい。加えて、直角成分誤差補正は、漏話と位相ノイズを低減す る。 対抗する固定感知電極62a、62bの指70に適切な電圧を掛ければ、直角 成分誤差をゼロとし、Y軸共振周波数を調整し、遠心力を平衡させることができ る。特に、ジャイロスコープセンサー20は4個のバイアスDC電圧源120、 122、124、126を含んでいる。電圧源120は、合計電圧Vt=VDC+ △V+VCを感知電極62aの右指74aに掛ける。電圧源122は、VDC−△ V−VCの合計電圧を左指76aに掛ける。電圧源124は、VDC−△V+VCの 合計電圧を感知電極62bの右電極指74bに掛ける。電圧源126は、VDC+ △V−VCの合計電圧を左指76bに掛ける。この様に、電圧源120、1 22、124、126は、直角成分誤差をゼロにし、望ましいY軸共振周波数を 選択し、全ての遠心力ないし他の低周波数力も相殺するために、必要なバイアス 電圧を全て提供する。もちろん、同様の効果的な合計電圧を感知電極指に提供す る電圧源の他の組み合わせ全てを使用してよい。更に、異なるセットの固定感知 電極の指を使って電圧を掛けてもよく、例えば、VDCを一つのセットの指に掛け 、△Vをもう一つのセットの指に掛けることもできる。 容量位置センサー80から、位置、コリオリ効果、直角成分信号を引き出すた めに、増幅器82からの信号は振動増幅器130によって増幅され、出力信号を ライン132上に作り出す。この出力信号は、変調機ないしクロックからの信号 及び位相ロックループ100からの位置及び速度の信号と混合される。電圧源9 0は高い周波数、例えば1メガヘルツクロックの信号をライン134上に作り出 す。位置信号を生成するために、このクロック信号は、ミキサー136によって ライン132上の出力信号と混合される。コリオリ信号を作り出すために、ライ ン134上のクロック信号は、ミキサー140によってライン108上の速度信 号と混合され、ライン142上に結合された信号を作り出す。ライン142上の 結合された信号は、次にミキサー144によってライン132上の出力信号と混 合され、コリオリ信号を作り出す。最終的に、直角成分信号を作り出すために、 ライン134上のクロック信号はミキサー150によってライン110上の位置 信号と混合され、ライン152上に結合された信号を作り出す。ライン152上 の結合された信号は、次にミキサー154によってライン132上の出力信号と 混合され、直角成分信号を作り出す。位置、コリオリ、直角成分信号は、高周波 数成分を取り除くために低域フィルターに通される。 図10では、ジャイロスコープセンサー20は、金属酸化物半導体と超小型電 子機械組み立て技術の組み合わせを使ってシリコン基板24上に組み立てられて いる。トランス抵抗増幅器と積分器は、同じ型板上に組み立てられ、残りの電子 部品は、チップの外側に取り付けられる。機械的感知要素は、直径約1ミリメー トルである。 ジャイロスコープセンサー20には多くの起こりうるノイズ源がある。これら の主なものは、ブラウンノイズ、積分器の演算増幅ノイズ、位相ロックループ位 相ノイズである。ブラウンノイズΩnBは、角速度分解能における基本的限界を 示し以下の式で与えられる。 但し、kはボルツマン定数、Tは温度、Mは検定質量の質量、BWはジャイロス コープセンサーの帯域幅、QはQ因子である。一例として質量M=0.2μg、 振動振幅X0=1μm、Q因子Q=10、000、帯域幅BW=100Hz、駆 動周波数ωx=20kHzN共振周波数ωy=20kHzであるジャイロスコー プセンサーを考えてみる。この例で、ブラウンノイズ最低値ΩnB=0.06度/ 秒であることがわかる。ジャイロスコープセンサーは真空中で使用され、高いQ 値を有しているため、ブラウンノイズは主なノイズ源ではない。 方程式15で示す様に、θn(t)で示される位相ロックループにおける位相 ノイズは、直角成分信号とコリオリ信号との間に多様な漏話を引き起こす。ジャ イロスコープセンサー20では、この効果は、位相ロックループにおける低位相 ノイズとゼロにされた直角成分誤差によって最小に維持されている。 積分器演算増幅ノイズは、ジャイロスコープセンサー20における主要ノイズ 源である。演算増幅ノイズの入力参照ノイズΩEは、積分器の加算節点に取り付 けられる合計キャパシタンスCTの関数であり、次の式で与えられる。 但し、fTはジャイロスコープセンサー20内のトランジスターの最大作動可能 周波数である。電子ノイズは、fT=250MHZ、周波数ミスマッチ△ω=1 kHz、感知電圧VS=1ボルト、感知キャパシタンスCS=100fF、振動 振幅と指間隔がX0=y0=1μmを有する並のCMOS処理では、せいぜいΩnB =0.08度/秒である。 ジャイロスコープセンサー応答の初期特性を図11に示す。図11は、X軸上 に周波数を取り、その関数として、Y軸上にコリオリ信号の出力電圧の対数を取 ったグラフである。グラフは、1Hz、5度/秒正弦波回転に応じる出力コリオ リ信号を測定することによって作った。ジャイロスコープセンサーは、12kH zの振動周波数ωxと約12.5kHzの共振周波数ωyで作動させた。Z軸振動 レートジャイロスコープセンサーのこの仕様に対するノイズ最低値は、1度/秒 /Hz1/2である。 図12に、位置感知指に掛けられたDCバイアス電圧の関数として、検定質量 22の測定された機械共振周波数を示す。図12は、指38と指70の間に掛け られるRMS電圧(グラフのX軸上)の関数としての検定質量22の共振周波数 (グラフのY軸上)のグラフを示す。RMS電圧は、DCバイアス電圧と電圧源 90によって生成されたAC電圧の組み合わせである。結果として生じる静電気 バネは、感知モード(ωy)の共振周波数を下げ、平面外モードの共振周波数を 上げ、駆動モード(ωx)を変化を受けない様にする。予想される様に、バイア ス電圧が上がるにつれて、Y軸共振周波数は低下し、検定質量22の振動周波数 は12kHzで一定のままである。垂直及び傾斜モードの共振周波数は、静電浮 揚効果によってDCバイアスと共に増加する。 先に論議したように、ジャイロスコープセンサー20は、直角成分誤差をゼロ にする手段を含んでいる。図13は、右指74a、74bと左指76a、76b の間に掛けられた電圧差△VをX軸上に取り、その関数として、計測された電圧 VoutをY軸上に取ったグラフを示す。直角成分と回転速度信号の両方が、△v が調整されたゼロ回転速度に対してプロットされている。直角成分誤差と回転速 度信号の計測結果は、直角成分誤差信号がコリオリ信号とは無関係に制御できる ことを示している。 感知及び直角成分補正電圧が異なる電極指によって掛けられる、ジャイロスコ ープセンサーのもう一つの実施例を図14に示す。図14では、超小型精密ジャ イロスコープセンサー200は、懸架システム206によって基板204に接続 されている検定質量202を含む。ジャイロスコープセンサー200は三つの主 要電子成分を含み、それは、X軸に沿った検定質量202の振動を持続するため に使用される駆動システム210、Y軸に沿った検定質量202の変位を検知す るために使用される感知システム212、全ゆる直角成分誤差を相殺するために 使用される直角成分補正システム214である。 検定質量202は、方形の外側段220と方形の内側段222を含む。外側段 220の各々の角は、折り返された即ちJ型の第一屈曲部224によって、検定 質量202と懸架システム206を基板204に固定するアンカー226に接続 されている。同様に、内側段222の各々の角は、第二屈曲部228によって外 側段220に接続されている。第一屈曲部224は、外側段220が基板204 に関して主としてY軸に沿って振動できる様に設計されており、それに対し第二 屈曲部228は、内側段222が外側段220に関して実質的にX軸に沿って振 動できる様に設計されている。数本の梁ないしクロスバー230は、内側段22 2の反対側を互いに接続する。 ジャイロスコープセンサー200の物理的特性は、ジャイロスコープセンサー 20の特性と同様である。センサーは一片が約0.5から2.0ミリメートル、 検定質量の総質量は約0.1から0.5マイクログラム、懸架システムの可撓要 素はポリシリコンで出来ており、幅と厚さは2ミクロンのオーダーである。部品 全体は、従来型の集積回路組み立て技術を使って組み立てられる。 図14において、駆動システム210は、二つの駆動電極232a、232b と、二つのフィードバック電極234a、234bを含んでおり、全て基板20 4に接続されている。複数の電極指236が各フィードバック電極及び各駆動電 極からX軸に沿って突き出ている。複数の電極指238は、X軸に沿って検定質 量202の内側段222から突き出ており、感知及び駆動電極の電極指236と 互いに組み合っている。 図15に示す様に、フィードバック電極234aと234bはトランス抵抗増 幅器240の正と負の入力にそれぞれ接続されている。駆動電極232aと23 2bは、図9に関して以前に説明した様に、トランス抵抗増幅器240の正と負 の出力に各々接続されており、又位相ロックループ242にも接続されている。 感知システム212はX軸と整列した感知電極指の複数のペアを含んでいる。 感知電極指の各対は、右指244と左指246を含む。複数の電極指248は外 側段220に接続され、各電極指248が一つの右指244と一つの左指246 間に配置されるように組み合わされている。感知電圧源250(図15参照)は 右指244と左指246の間にAC電圧を掛ける。 直角成分補正システム214は、センサーの中心線近くに配置され基板に接続 されている補正電極を数セット含んでいる。補正電極の各セットは、上部左電極 260、上部右電極262、下部左電極264、下部右電極266を含む。上部 右電極262と下部左電極264は、図示の様に単一電極でもよく、或いは別々 の電極であってもよい。複数の電極指268は、クロスバー230から伸び、接 続電極と互いに組み合わされている。とりわけ、各電極指268はクロスバー2 30からX軸に沿って伸びており、上部左電極260と上部右電極262の間に 配置されている。同様に、各電極指268はクロスバー230からX軸に沿って 伸び、下部左電極264と下部右電極266の間に配置されている。上部左電極 260は下部右電極266に電気的に接続され、上部右電極262は下部左電極 264に電気的に接続されている。 電圧源270(図15)は、補正電極260、266と262、264の間に DCバイアス電圧を掛ける。左右電極間の電圧差は、図7Cに関して論議した様 に直角成分誤差を打ち消すための平衡力を作り出す。積分器280とミキサー2 82−286を含む回路の残りの部分は、図9に関して先に論議した回路と同様 の方法で組み立てられ、機能する。 図16において、直角成分補正は、X軸及びY軸ジャイロスコープセンサーの 様な他の種類のジャイロスコープセンサーの組み立てで生じる製造上の欠点を補 うために使用することができる。二軸振動ジャイロスコープは、コリオリの加速 度を生じさせ、感知することによって機能する。二軸振動ジャイロスコープの機 能作動を、等価なバネ−マス系によって示している。二軸ジャイロスコープセン サー290において、検定質量292はフレーム296からの可撓性懸架材29 4によって支持される。検定質量は、一般的に円盤型で、基板の表面に概ね平行 な面に置かれている。検定質量は、Z軸(基板の表面に垂直な軸)周りに、駆動 トルクFdによって周波数ωzで加振される。フレームが、基板の表面に平行な第 一軸、例えばY軸周りに回転度ΩYで回転すると、この回転と振動の組み合わせ により、基板の表面に平行で、第一軸に垂直な第二軸、即ちX軸周りに振動する コリオリトルクFCが発生する。このコリオリの作用トルクは検定質量を、周波 数ωxでX軸周りに加振する傾向がある。この様に、検定質量のY軸周りの回転 は、検定質量をX軸周りに「シーソー」運動させる。同様に、X軸周りの回転は Y軸周りにコリオリ振動を引き起こす。 検定質量のY軸周りの回転によって発生するX軸周りのコリオリの加速度は次 の式によって与えられる。 但し、θxは感知軸の傾斜角度、IxxはX軸周りの慣性モーメント、Cxは減衰係 数、Kxはバネ定数、ωzはZ軸周りの振動の周波数、IzzはZ軸周りの慣性モー メント、ΩyはY軸回りの検定質量の回転速度である。コリオリの加速度によっ て生じるローターの角振動は、搬送周波数ωzの振幅変調信号と考えることがで きる。変調された信号の振幅は、Y軸回転速度Ωyに正比例する。Y軸周りのコ リオリの加速度に関する方程式は、添え字xとyが反対で、方程式の右側が正で あることを除いて本質的に同一である。 図17Aにおいて、二軸ジャイロスコープセンサー300は、懸架システム3 06によって剛体フレーム即ち基板304に接続された概ね環状の検定質量30 2を含んでいる。二軸ジャイロスコープセンサー300は、X軸及びY軸周りの 回転速度、即ち基板304の表面に平行な軸回りの基板の回転を計測する。二軸 ジャイロスコープセンサー300は三つの主要電子要素を含んでおり、それは、 Z軸周りの検定質量302の振動を持続するために使用される駆動システム31 0と、X軸及びY軸周りの検定質量302の変位を感知するために使用される感 知システム312と、全ての直角成分誤差を相殺するために使用される直角成分 補正システム314である。二軸ジャイロスコープセンサー300は標準的集積 回路技術を使って組み立てることができる。 検定質量302は、概ね環状のローター316を含んでいる。ローター316 は、約250ミクロンの外側半径と約200ミクロンの内側半径を有する2ミク ロンの厚さのポリシリコンの環である。検定質量302はX軸とY軸に関し実質 的に対称である。 懸架システム306は、検定質量の内側端322を、ローター316を基板3 04に固定しているアンカー324に接続する4個の梁を含んでいる。梁320 もポリシリコンから作られ、2ミクロンオーダーの幅と厚さを有する。 替わりに、懸架システムは、折り重ねられた梁を有する波状懸架システムを含 んでいてもよい。もう一つの案では、検定質量は、ローターの外側端に接続され た4個の梁によって吊されている。波状の懸架システムでは固有周波数は低くな り、ローターの歪みに適応できる。 懸架システム306は、ローター316が互いに直交する3軸周りに回転がで きる様に、捻り懸架システムを提供するために設計されている。しかしながら、 懸架システム306は、X軸とY軸に沿う並進加速に対しては剛である様に設計 されている。ローター316はZ軸に沿った並進加速を受けるが、以下で論議さ れる差動感知方法はその様な加速への感度を実質的に取り消す。 機械的感度を最大とするために、懸架システムは、全ての三つの回転モードの 周波数に十分調和する様に設計されているので、ジャイロスコープセンサーの製 造の間の過程変動を静電同調が補償している。特に、感知軸固有周波数は駆動固 有周波数の約10%上になる様に設計されているので、感知周波数は駆動周波数 に合わせるためには下向きに調整される。 複数の内側の櫛330a―330dは、ロータ316の内縁322から内方に 突出する。各内側の櫛は、背骨332と、背骨の両側から突出する複数の歯33 4とを含む。図17Aに示す内側の櫛の個数及び形状は、単なる例示に過ぎない 。二重軸のジャイロスコープは、各々5つの歯をもつ12個の内側の櫛を含む。 4つの外側の櫛340a―340dは、ロータ316の外縁326から外方に突 出する。各外側の櫛は、背骨342と、背骨の両側から突出する複数の歯344 と を含む。図17Aの派34及び344は、直線として示されているが、図17B に示すように、同心円からの弧の一部分として歯を構成するのが効果的である。 既に述べたように、駆動システム310は、Z軸の周りで保証質量(proofmass )302の振動を誘起する。駆動システム310は、1つ以上の駆動電極350 a―350bと、基板304に接続された1つ以上のフィードバック電極352 a―352bとを備えている。好ましくは、これらの駆動及びフィードバック電 極は、各内側の櫛330a―330dの各側に配置された対向対として配列され る。各フィードバック及び駆動電極は、隣接する内側の櫛のは334と指を組む 構成にされた複数の歯354を備えている。歯354は、弧の長さが約20ミク ロンであり、そして巾が約20ミクロンである。駆動システム310の駆動電極 は、電気的機械的トランスジューサとして働く。駆動電極と保証質量との間に交 流電圧を印加することにより、保証質量は、Z軸の周りで強制的に振動される。 より詳細には、ビーム320が撓むか又は曲がり、ロータ316が回転できる。 図18を参照すれば、二重軸ジャイロスコープセンサ300は、約20ないし 30KHzの駆動周波数ωzを有する駆動信号362及び364を発生するトラ ンスレジスタンス増幅器366を備えている。駆動信号362及び364は、大 きさが等しく、符号が逆である。位相固定ループ360は、保証質量の回転率と 同相の非常に正確なデジタル出力信号をライン368に発生する。対向するフィ ードバック電極352a及び352bは、トランスレジスタンス増幅器366の 正及び負の入力に接続される。対向する駆動電極350a及び350bは、トラ ンスレジスタンス増幅器366の正及び負の出力362及び364と、位相固定 ループ360とに接続される。トランスレジスタンス増幅器366の正及び負の 出力は、ミクサ370によりライン368のデジタル出力信号と混合される。ミ クサ370の出力は、次いで、トランスレジスタンス増幅器366を変調するの に使用される。この変調は、自動利得制御回路が保証質量302の振動の振幅を 制御するようにする。従って、駆動システム310は、一定振幅の位相固定振動 を保証質量に与えると共に、コリオリ復調のためのクリーンな信号を与える。 図17Aに戻ると、感知システム312は、4つの感知電極374a―374 d(ロータ316の下に配置されているので仮想線で示されている)を含む。各 感知電極は、パイの四半分の形状であり、基板304におけるn+拡散領域で形 成される。感知電極374a及び374cはX軸に沿って配置され、一方、感知 電極374b及び374dはY軸に沿って配置される。コリオリ振動は、ロータ 316と感知電極374a―374dとの間のキャパシタンスの変化を感知する ことにより測定される。例えば、ジャイロスコープのセンサがY軸の周りで回転 するときには、コリオリの力がロータ316の右部分を感知電極374bへ接近 するよう移動させ、そしてロータ316の左部分を感知電極374dから離れる ように移動させる。従って、感知電極374bとロータ316との間のキャパシ タンスは増加するが、感知電極374dとロータ316との間のキャパシタンス は減少する。各対の対向する感知電極が差動感知を与えるので、Z軸に沿ったロ ータの上下の並進移動が感知出力に変化を生じることはない。 図18を参照すれば、第1の感知電圧源376は、対向する感知電極374a 及び374cを接続し、そして第2の感知電圧源378は、対向する感知電極3 74b及び374dを接続する。感知電圧源376及び378は、異なる変調周 波数をもつAC電圧を発生する。例えば、一方の電圧源は、200KHzで動作 し、そして他方の電圧源は、300KHzで動作する。X軸及びY軸の周りのロ ータ316の角度位置を示す位置信号を抽出するために、保証質量302は、積 分器380に電気的に接続される。積分器380は、約50フェムトファラッド のキャパシタンスを有するキャパシタ381を含む。積分器380の利点は直線 性を改善することである。 積分器380の出力は、ミクサ382により感知電圧源376からの信号で復 調される。又、積分器380からの出力は、ミクサ384により感知電圧源37 8からの信号で復調される。ミクサ382及び384の出力は、次いで、ミクサ 386及び388により、位相固定ループ360からのライン368上の信号で 復調される。ミクサ386の出力は、X軸の周りでのジャイロスコープセンサの 角度回転率を与え、そしてミクサ388の出力は、Y軸の周りでのジャイロスコ ープセンサの回転率を与える。 二重軸ジャイロスコープセンサ300の機械的及び電気的な合成感度は、次の 式に基づいて計算される。 ここで、Vsは感知電圧であり、Ciは積分キャパシタのキャパシタンスであり、 Qxは逆制動係数の質であり、そしてVoutはミクサからの電圧信号である。この 感知システムの1つの欠点は、駆動周波数の2倍の周波数において小さな固有電 圧が発生されることである。しかしながら、この電圧は、感知変調周波数から離 れている。 上述したように、二重軸ジャイロスコープセンサ300が基板の表面に平行な 軸の周りで回転する場合には、Z軸の周りでのロータ316の振動が、コリオリ の力によりX軸又はY軸の周りの振動を誘起する。理想的な装置においては、駆 動システム310により生じる唯一の運動がX―Y平面内となるようにロータ3 16が完全に整列される。しかしながら、製造の不完全さにより、ロータ316 は、Z軸の周りで回転を受けるときに揺れることがある。より詳細には、たとえ ジャイロスコープセンサ300がX軸又はY軸の周りで回転しない場合でも、ロ ータ316がZ軸の周りで回転するときには、X―Y平面から外れて振動又は揺 れることがある。製造の不完全さにより生じる揺れは、直角位相エラーと称する 偽の回転率測定値を発生する。二重軸ジャイロスコープセンサ300の直角位相 エラーは、Z軸ジャイロスコープセンサ20の直角位相エラーに類似しており、 即ち直角位相エラー及びコリオリ加速度は、両方とも、発振周波数を中心としそ して90°位相ずれした正弦波信号である。理想的には、復調は、位相ずれした 直角位相エラーを排除する。しかしながら、電子部品は、小さな位相遅れを有す るので、直角位相エラーのある割合が回転率測定値を悪化させる。 図17Aに戻ると、直角位相修正システム314は、8個の修正電極390a ―390hを備えている。これらの修正電極は、2つの対向する修正電極により 取り巻かれた各外側の櫛340a―340dと対に配列される。例えば、外側の 櫛340aは、修正電極390a及び390bが側部に設けられる。各修正電極 は、複数の歯392を有し、これらは、外側の櫛の歯と指を組んだ状態にされる 。直角位相修正システム314は、修正電極390a―390hに電圧を印加し て、外側の櫛の歯344を浮かせ、直角位相エラーを打ち消す。 図18に戻ると、各対の対向する修正電極は、DCオフセット電圧源に接続す ることができる。更に、ロータの両側の修正電極を接続することができる。例え ば、修正電極390aを修正電極390fに電気的に接続することができる。第 1のDC電圧源394は、電極390aを電極390bに接続し、そして第2の DC電圧源396は、修正電極390c及び390dを接続する。DCオフセッ トは、外側の櫛340a―340dを静電気的に浮かせ、それにより、直角位相 エラーを打ち消すように選択される。 図19を参照すれば、歯344及び392の下の基板304の部分は、制御パ ッド電極398を与えるためのn+拡散領域である。制御パッド電極398は、 保証質量302に電気的に接続される。歯392に一般的に正の電圧を印加しそ して歯344及び制御パッド電極398に一般的に負の電圧を印加することによ り、電界(電界線399で示す)が歯344に上向きの力Fzを発生する。 図17Aに戻ると、修正電極390a及び390fは、ロータの左側の歯に上 向きの力を発生し、これは、電極390b及び390eによりロータの右側の歯 に発生される上向きの力より強い。この力の不平衡によりロータを回転しようと するバランストルクが発生し、従って、コリオリの力がないと、X―Y平面のみ において振動することになる。直角位相エラーは、直線変位を生じるので、バラ ンス力は、Z軸の周りでの保証質量の位置に比例することが必要となる。バラン ストルクFzは、歯344と歯392との間の重畳面積に比例する。歯344と 歯392との間の重畳面積は、ロータ316の角度位置に正比例するので、バラ ンストルクも、ロータの角度位置に比例する。 図20を参照すれば、二重軸ジャイロスコープセンサ300’の別の実施形態 は、変形された直角位相修正システム314’を備えている。この直角位相修正 システム314’において、4つの一般的に長方形又はくさび型のプレート34 0a’―340d’がロータ316の外縁326に接続される。2つの固定電極 パッド390a’及び390b’は、各プレートの下で基板304に配置される 。これらの固定電極パッド390a’及び390b’は、基板のn+拡散領域で 形成される。直角位相エラーを修正するために各対の電極パッド間にDCオフセ ット電圧が印加される。例えば、電極パッド390b’の電圧が電極パッド39 0a’の電圧より高くなるように正のオフセット電圧が印加される。ロータ31 6が反時計方向に回転しそしてプレート340a’が右方向に移動するときには 、プレートのより多くの部分が電極パッド390b’に重畳し、従って、プレー トの右側がプレートの左側よりも基板に強く吸引される。これは、ロータ316 をX軸の周りで回転しようとするトルクを発生する。二重軸のジャイロスコープ センサ300’は、その他の点では、二重軸ジャイロスコープ300と同様に機 能する。 図21を参照すれば、ジャイロスコープセンサ400において、駆動システム 、感知システム及び直角位相修正システムは、1組の電極を使用する。ジャイロ スコープセンサ400は、柔軟なサスペンション406により基板404に接続 された保証質量402を備えている。複数の対向する電極フィンガ410a及び 410b(2つの対向するフィンガしか示されていない)が保証質量402から X軸に沿って突出する。各電極フィンガ410aは、各固定電極フィンガ412 a及び414aがその側部の設けられる。同様に、各電極フィンガ410bには 、固定電極フィンガ412b及び414bがその側部に設けられる。 Y軸に沿った保証質量の位置を感知するために、電源420が上部電極フィン ガ412a、412bと下部電極フィンガ414a、414bとの間に高周波数 (例えば、1MHz)のAC電圧を印加する。保証質量402は、積分器422 に電気的に接続される。積分器422の出力は、正の信号を発生する。 保証質量をX軸に沿って駆動するために、電圧制御発振器426が、周波数ω のAC電圧を対向する電極フィンガ412a、414aと412b、414bと の間に印加するように接続される。積分器422の出力は、位相感知回路428 に送られ、そして位相感知回路428の出力は、電圧制御発振器426を制御す る。 積分器422からの出力電圧Voutは、次のように表わされる。 但し、Qstructは保証質量の電荷であり、そしてCIは積分器422のキャパシ タンスである。Qstructは次の式で与えられる。 但し、VF(t)は強制電圧のAC部分であり、Cx(t)は、構造体がX軸に沿 って変位するときの強制電極の変化するキャパシタンスであり、そしてVsense は電源420により印加される感知電圧である。式20及び21を結合すると、 次のようになる。 強制電圧VF(t)がVFsin(ωt)である場合には、得られる変位x(t) が次の式で与えられる。 x(t)=X0(ω、ωx)sin(ωt+φ(ω、ωx)) ( 23) ここで、ωは駆動周波数であり、ωxは駆動モード共振周波数であり、X0(ω、 ωx)は振幅であり、そしてφ(ω、ωx)は位相差である。△Cx(t)はx( t)に比例するので、次のようになる。 それ故、次のようになる。 駆動周波数ωが共振周波数ωxに等しいときには、位相φが90°となる。式 25のcos(φ(ω、ωx)項は、DCオフセットを生じるので、位相感知回 路428は、DCオフセットがないときを感知することにより電圧制御発振器4 26の周波数ωを共振周波数ωxに駆動することができる。従って、駆動電圧は 、保証質量の位置に位相固定されたままとなる。 直角位相エラー修正は、電極フィンガ412aと414aとの間にDC電圧を 印加すると共に、電極フィンガ412bと414bとの間に等しいが逆のDC電 圧を印加することにより、ジャイロスコープセンサ400において達成すること ができる。 図22を参照すれば、マイクロ加工されたジャイロスコープセンサ500は、 非常に厚いデバイスを形成するための高縦横比の単結晶シリコンマイクロ加工技 術を用いて製造される。ジャイロスコープセンサ500は、アンカーポイント5 11において堅牢なフレーム又は基板504に接続された振動構造体502を備 えている。この構造体502は、基板の表面505に平行な平面内で振動するよ うに構成される。従って、約0.5ないし4.0ミクロンのギャップ、例えば、 約1.0ミクロンのギャップが振動構造体を表面505から分離する。 構造体502は、一般的にH字型であり、保証質量部分506と、柔軟なサス ペンション部分508とを備えている。サスペンション部分は、2つの平行なク ロスビーム516と、X軸に沿って一般的に配置された4つの平行な撓み部51 0とを含む。各撓み部の一端は、アンカー511に接続され、このアンカーは、 構造体502を基板に接続する。各撓み部の他端は、クロスビーム516の1つ に接続される。1つのクロスビーム516及び2つの撓み部510の全長は、長 さが約200ないし1500ミクロンであり、好ましくは、約1250ミクロン である。 保証質量部分506は、一般的に方形の構成となるように2つのビーム514 に接続された2つのクロスバー512を備えている。3つの付加的なクロスバー 512もビーム514間に接続される。複数の電極歯又はフィンガがクロスバー 512からX軸に沿って突出する。4つの付加的な518は、撓み部510を保 証質量部分506に接続する。 構造体502は、単結晶シリコンで形成される。構造体502は、少なくとも 25ミクロンの厚みTを有し、この厚みTは少なくとも50ミクロンであるのが 効果的である。厚みは、約50ないし100ミクロンであるが、ある用途では、 250ミクロンである。構造体の撓み部は、巾WFが約2ないし5ミクロンであ る。撓み部の縦横比、即ち巾と厚みの比は、10:1より大きくなければならず 、そして縦横比は20:1より大きいのが効果的である。縦横比は、50:1以 上であってもよい。保証質量部分のビーム及びクロスバーは、巾WBが約5ない し10ミクロンである。構造体502の全質量は、約10ないし50マイクログ ラムである。 サスペンション部分508は、X軸及びY軸に沿って柔軟性がありそして他の 振動モードに対して堅牢であるように設計される。特に、撓み部の高い縦横比は 、ねじれ及びZ軸加速度に対して非常に堅牢な構造体を生じる。 図23を参照すれば、マイクロ加工されたジャイロスコープセンサ500は、 4つの重要な電子的要素、即ちX軸に沿った構造体502の振動を維持するのに 使用される駆動システム520と、Y軸に沿った構造体502のそりを検出する のに使用される感知システム540と、Y軸に沿った構造体502の共振周波数 を調整するのに使用される感知同調システム560と、直角位相エラーを打ち消 すための静電気力を付与するのに使用される直角位相修正システム580とを備 えている。 図15及び16に示すように、駆動システム520は、2つの対向する駆動電 極櫛522a及び522bと、2つのフィードバック電極櫛524a及び524 bとを備え、これらは全て基板504に接続される。各駆動電極櫛及びフィード バック電極櫛は、複数の電極歯即ちフィンガ526を備え、これらは、駆動軸に 沿って突出すると共に、構造体502から突出する電極歯またはフィンガ528 と指を組む状態にされる。電極歯526及び528は、その長さLが約15ミク ロンであり、そしてその巾WEが約2ないし6ミクロンである。電極歯526は 、約2.5ミクロンのギャップにより電極歯528から分離される。電極歯52 6及び528は、単結晶シリコンの同じ層から形成され、約100ミクロンの厚 みを有する。 フィードバック電極櫛524a及び524bは、トランスレジスタンス増幅器 530の正及び負の入力に電気的に接続される。駆動電極櫛522a及び522 bは、トランスレジスタンス増幅器の正及び負の入力と、位相固定ループ回路5 32とに接続される。トランスレジスタンス増幅器530からの出力の少なくと も1つは、ミクサ534により位相固定ループ532からの速度信号と混合され る。ミクサ534の出力は、次いで、トランスレジスタンス増幅器530を変調 するのに使用され、自動利得制御回路が構造体502の振動振幅を制御できるよ うにする。 感知システム540は、左側感知電極櫛542a及び542bと、右側感知電 極櫛544a及び544bとを含む対向する一対の感知電極櫛を含む。左側の感 知電極櫛542a、542bは、複数の「左側」電極歯546を含み、そして右 側感知電極歯544a、544bは、複数の「右側」の電極歯548を含む。こ れらの電極歯546及び548は、構造体502から突出する電極歯550と指 を組む状態にされ、各電極歯550が1つの左の歯546と1つの右の歯548 との間に配置される。 電極歯546、548及び550は、その長さLが約15ミクロンであり、そ してその巾WEが約2ないし6ミクロンである。電極歯546、548及び55 0は、厚みが少なくとも25ミクロンであり、そしてこの厚みは約50ないし1 00ミクロンであってもよい。電極歯の縦横比は、少なくとも約5:1でなけれ ばならない。この縦横比は、少なくとも10:1であって、そして約10:1な いし20:1であればよい。電極歯550は、巾WGが約0.5ないし4.0ミ クロンで、例えば、2.5ミクロンのギャップにより電極歯546及び548か ら分離される。ギャップの縦横比は、少なくとも10:1でなければならず、そ して20:1より大きく、又は50:1より大きくてもよい。電極歯546、5 48及び550は、これらの歯が同一平面となるように、同じ製造段階において 単結晶シリコンの同じ層から形成される。 第1の感知電圧源552は、左側の感知電極櫛542a及び542bにAC電 圧を印加する。第2の感知電圧源554は、第1の感知電圧と180°位相ずれ したAC電圧を右側の感知電極櫛544a及び544bに印加する。感知電圧源 は、最大電圧が約0.1ないし5.0ボルトで且つ周波数が約0.1ないし5. 0MHzのAC信号を発生することができる。このAC信号は、電圧振幅が1ボ ルトで、周波数が1MHzである。 コリオリ信号Ωzを測定するために、構造体502は、積分器556に電気的 に接続され、そして積分器556の出力は、AC増幅器558により増幅される 。感知電圧源の1つからの信号は、ミクサ536により位相固定ループ532か らの位置信号と混合される。ミクサ536の出力は、次いで、ミクサ538によ り増幅器558の出力と混合され、コリオリ信号を発生する。 Y軸共振信号の同調は、感知同調システム560により、1組の内側同調電極 562と外側同調電極564との間にDCバイアス電圧を印加することにより行 われる。電極566は構造体502から突出し、そして内側同調電極562及び 外側同調電極564と指を組んだ状態にされる。同調電圧源568は、内側同調 電極562と外側同調電極564との間にバイアス電圧VΔfyを印加する。或い は又、振動構造体と同調電極との間にDCバイアスを印加することによりY軸共 振信号を同調することもできる。 直角位相エラーの打消しは、電極の対角対間に電圧を印加することにより行わ れる。直角位相エラー修正システム580は、左下電極582aと、左上電極5 82bと、右下電極584aと、右上電極584bとを含む。左下電極582a は右上電極584bに接続され、そして左上電極582bは右下電極584aに 接続される。直角位相修正電圧源586は、電極対582a、584bと582 b、584aとの間にバイアス電圧2VQuadを印加する。バイアス電圧は、X軸 に沿った保証質量の位置に比例するバランス力を形成する。このバイアス電圧は 、実験で決定され(図13に示すように)、そして1mVないし100mVの範 囲内である。 更に、直角位相エラー修正システム580は、バイアス電圧を自動的に調整す るためのフィードバックループを備えている。位相固定ループ532からの速度 信号は、ミクサ590により感知電圧源の1つからの信号と混合される。ミクサ 590の出力は、ミクサ592により増幅器558の出力と混合される。ミクサ 592の出力は、電圧源586を制御するのに使用される。 構造体502の質量Mが36マイクログラムであり、駆動及び感知周波数ωx 及びωyが各々63KHzであり、単結晶の質係数Qが200,000(多結晶 よりも約3ないし4倍大きい)であり、そして駆動モードの振幅X0が5ミクロ ンであると仮定すれば、式16から、室温において、60Hzの帯域巾(BW) に対するブラウンノイズΩnBが約2deg/hrであると計算される。 電子ノイズフロアは、電荷積分器556の熱ノイズレベルによって決定される 。感知周波数ωyが駆動周波数ωx+オフセット周波数Δωに静電気的に同調され る場合には、電子ノイズΩnBを次の式から計算することができる。 但し、g0は感知キャパシタのギャップ巾であり、X0は振動振幅であり、Vsは 感知電圧であり、kBはボルツマン定数であり、Tは温度であり、CSは感知キャ パシタンスであり、Cpは寄生キャパシタンスであり、fTはCMOS遷移周波数 であり、そしてBWは帯域巾である。 感知キャパシタギャップg0が2.5ミクロンであり、感知電圧Vsが1Vであ り、感知キャパシタンスCsが1.25pFであり、寄生キャパシタンスCpが0 .25pFであり、そしてCMOS遷移周波数fTが1GHzであると仮定すれ ば、式18から、電子ノイズフロアを2.5deg/hrに等しくするためには 2Π(175Hz)の周波数オフセットΔωが必要とされることが計算される。 この同調度は、測定帯域巾が約60Hzであるから原理的に実現可能である。 電極歯546、548及び550の厚みを増加することにより、固定電極と可 動電極との間の表面積が増加され、大きな感知キャパシタンスが得られる。大き な感知キャパシタンスは、電子ノイズを減少する。同様に、構造体が厚いほど、 質量が増し、従って、ブラウン運動を受け難くなる。手短に述べると、縦横比の 大きい単結晶シリコンの構造体を用いるジャイロスコープセンサは、薄い多結晶 シリコン層で形成された構造体を用いるジャイロスコープセンサよりも約100 倍も感度が高い。 ジャイロスコープセンサ500の製造は、6つの基本的な段階、即ちハンドル ウェハ処理、デバイスウェハ処理、ボンディング、ボンディングされた構造体の CMOS処理、振動構造体及び固定電極を形成するためのエッチング、及びキャ ッピングを含む。 図24Aを参照すれば、下部基板600の処理は、単結晶シリコン基板である ハンドルウェハ602で開始される。ハンドルウェハ602は、酸化物層604 を形成するように酸化され、そして多結晶シリコン層606が酸化物層604に 付着される。多結晶シリコン層606は、次いで、ジャイロスコープセンサの電 気的に分離された電極522a、522b、524a、524b、542a、5 42b、544a、544b、562、564、582a及び584b、そして 582b、584aに対する相互接続部を形成するようにドープされ、研磨され そしてパターン化される。 図24Bを参照すれば、上部基板610の処理は、絶縁体上にシリコンのある (SOI)基板のようなデバイスウェハで開始される。デバイスウェハは、2つ の単結晶シリコン層614と618との間にサンドイッチされた酸化物層616 を含む。浅い溝620は、領域624を除き、単結晶シリコン層の表面622に 形成される。領域624は、振動構造体502を基板504に接続するアンカー 511を形成する。溝620は、ホトレジストマスクを付着し、単結晶シリコン 層614の露出部分をエッチングし、そしてマスクを除去することにより形成さ れる。或いは又、溝620は、機械的な薄膜化によって形成されてもよい。 単結晶シリコン層614の厚みは、振動構造体502の厚みを定め、そして溝 620の深さは、振動構造体と基板との間の間隔を定める。好ましくは、単結晶 シリコン層614は約100ミクロンの厚みであり、そして溝620は約1ミク ロンの深さである。 図24Cを参照すれば、下部基板600及び上部基板610は、上部基板61 0の表面622が下部基板600のパターン化された多結晶シリコン層606に 当接するように整列される。上部及び下部基板は、溝620が2つの基板間にシ ールされた空洞626を形成するようにボンディングされる。次いで、図24D を参照すれば、上部基板610は、単結晶シリコン層618のエツチング又は機 械的な除去により薄膜化されて、酸化物層616を露出し、そして酸化物層61 6が剥離される。この点において、ボンディングされた組立体が標準的なCMO S処理のために準備される。シールされた空洞626は完全に内部であるから、 ボンディングされた組立体は、見掛け上は未処理のシリコンウェハであり、従来 の技術で処理することができる。 図24Eを参照すれば、ジャイロスコープセンサ500の集積回路は、単結晶 シリコン層614の露出面630においてデバイス領域632に製造される。回 路の製造に続いて、熱圧縮ボンド層634が付着されてパターン化される。この ボンド層634は、金のような導電性金属である。 図24Fを参照すれば、ジャイロスコープセンサの構造体は、単結晶シリコン 層614に形成される。ボンド層634及び露出面630上にホトレジストマス クが付着され、そしてこのホトレジストマスクは、振動構造体502と固定電極 (この断面図には図示されず)との間にギャップを画成するようにパターン化さ れる。単結晶シリコン層614は、空洞626が露出されるまで、誘導結合され るプラズマベースの深部反応イオンエッチングを用いてエッチングされる。エッ チング段階は溝636を形成し、これは、ジャイロスコープセンサの自立型振動 構造体及び種々の電極構造体を形成する。反応性イオンエッチングの後に、酸素 プラズマを用いてホトレジストマスクを除去すると共に、組立体は、uvオゾン清 掃を受ける。 最後に、図24Gを参照すれば、キャッピングウェハ640が上部基板610 に整列されて接合される。キャッピングウェハ640は、ガラス又は酸化シリコ ンである。キャッピングウェハの下面642は、パターン化された熱圧縮ボンド 層644を含む。ボンド層634は、このボンド層644と整列され、そして熱 圧縮ボンドは、約20PSIの圧力及び約300−350℃の温度を数分間与え ることにより形成できる。又、キャッピングウェハは、デバイス領域632にお いてボンディングパッド648にアクセスできるようにするエッチングホール6 46も含む。 以上、好ましい実施形態について本発明を詳細に説明した。しかしながら、本 発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。むしろ、本発明は、請求の 範囲によって限定されるものとする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU ,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH, CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,G B,GE,HU,IL,IS,JP,KE,KG,KP ,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU, LV,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,N Z,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI ,SK,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ, VN,YU (72)発明者 ジュノー ソア アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94709 バークレイ デラウェア ストリ ート #201―1812 (72)発明者 ホウエ ロジャー ティー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94549 ラファイエット スウィートブラ イア サークル 3139

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.基板と、 上記基板の表面に平行な平面内で振動するようにサスペンションシステムによ り上記基板に接続された質量と、 上記平面内で上記質量から第1の軸に沿って突出する第1の複数の電極フィン ガと、 上記第1の複数の電極フィンガと同一平面であって、上記基板に接続され、そ して実質的に上記第1の軸に沿って突出する第2の複数の電極フィンガと、 上記基板に接続されるが、上記第2の複数の電極フィンガから電気的に分離さ れる第3の複数の電極フィンガとを備え、この第3の複数の電極フィンガは、上 記第1及び第2の複数の電極フィンガと同一平面であって、実質的に上記第1の 軸に沿って突出し、上記第2及び第3の複数の電極フィンガは、上記第1の複数 の電極フィンガと指を組んだ状態にされて、上記第1の複数の電極フィンガの各 々が上記第2の複数の電極フィンガの1つ及び上記第3の複数の電極フィンガの 1つに隣接されることを特徴とするマイクロ製造された構造体。 2.上記第2と第3の複数の電極フィンガの間に電圧を印加するための電圧源 を更に備えた請求項1に記載の構造体。 3.上記第1、第2及び第3の複数の電極フィンガと同一平面であり、上記第 1の軸に沿って上記質量から突出する第4の複数の電極フィンガと、 上記基板に接続されるが、上記第2及び第3の複数の電極フィンガから電気的 に分離される第5の複数の電極フィンガとを更に備え、これら第4及び第5の複 数の電極フィンガは、指を組んだ状態にされる請求項1に記載の構造体。 4.上記第1の複数の電極フィンガの各々は、第1の長さを有し、そして上記 第4の複数の電極フィンガの各々は、第2の長さを有する請求項3に記載の構造 体。 5.上記第1の長さは上記第2の長さより大きい請求項4に記載の構造体。 6.基板と、 上記基板の表面に平行な平面内で質量を振動できるようにするサスペンション システムとを備え、このサスペンションシステムは、 上記基板に両端が各々固定される第1及び第2の実質的に平行なビームと、 上記第1ビームに一端がそして上記第2ビームに他端が接続される第3及び 第4の実質的に平行なビームと、 を含むことを特徴とするマイクロ製造された構造体。 7.上記第1及び第2のビームに実質的に平行な軸に沿って突出する複数のフ ィンガを更に備えた請求項6に記載の構造体。 8.上記第3ビームに一端がそして上記第4ビームに他端が各々接続された第 4及び第5のビームと、 上記第5ビームに一端がそして上記第6ビームに他端が接続された第7のビー ムとを更に備えた請求項6に記載の構造体。 9.上記第1及び第2のビームに実質的に平行な軸に沿って上記第7ビームか ら突出する複数のフィンガを更に備えた請求項8に記載の構造体。 10.上記第3ビームと第4ビームとの間に位置する上記第1及び第2ビーム の区分は、上記質量の回転を防止するように実質的に堅牢である請求項6に記載 の構造体。 11.基板と、 上記基板の表面に平行な平面内で振動するようにサスペンションシステムによ り上記基板に接続された質量と、 上記平面内で上記質量から第1の軸に沿って突出する第1の複数の電極フィン ガと、 上記基板に接続され、そして実質的に上記第1の軸に沿って突出する第2の複 数の電極フィンガと、 上記基板に接続されるが、上記第2の複数の電極フィンガから電気的に分離さ れる第3の複数の電極フィンガとを備え、この第3の複数の電極フィンガは、実 質的に上記第1の軸に沿って突出し、上記第2及び第3の複数の電極フィンガは 、上記第1の複数の電極フィンガと指を組んだ状態にされ、上記第1の複数の電 極フィンガ各々が上記第2の複数の電極フィンガの1つ及び上記第3の複数の電 極フィンガの1つに隣接するようにされ、更に、 上記平面内における上記質量のそりを測定するための位置センサと、 コリオリの力のないときに上記質量をより正確に上記第1の軸に沿って振動さ せるように上記第2と第3の複数の電極フィンガ間に第1のDC電圧を印加する ための電圧源とを備えたことを特徴とするセンサ。 12.上記平面内で上記質量から第1の軸に沿って突出しそして上記第1の複 数の電極フィンガに対向して配置される第4の複数の電極フィンガと、 上記基板に接続されそして実質的に上記第1の軸に沿って突出する第5の複数 の電極フィンガと、 上記基板に接続されるが、上記第5の複数の電極フィンガから電気的に分離さ れる第6の複数の電極フィンガとを備え、この第6の複数の電極フィンガは、実 質的に上記第1の軸に沿って突出し、上記第5及び第6の複数の電極フィンガは 、上記第3の複数の電極フィンガと指を組んだ状態にされ、上記第4の複数の電 極フィンガの各々は、上記第5の複数の電極フィンガの1つ及び上記第6の複数 の電極フィンガの1つに隣接される請求項11に記載のセンサ。 13.コリオリの力のないときに上記質量をより正確に上記第1の軸に沿って 振動させるように上記第5と第6の複数の電極フィンガ間に第2のDC電圧を印加 するための第2の電圧源を更に備えた請求項12に記載のセンサ。 14.上記第2のDC電圧は、上記第1のDC電圧と実質的に大きさは等しい が符号が逆である請求項13に記載のセンサ。 15.上記第1の複数の電極フィンガは、上記第2の複数の電極フィンガに電 気的に接続される請求項13に記載のセンサ。 16.上記第1の軸に垂直な上記平面内の第2の軸に沿った上記質量の振動の 共振周波数を調整するために上記第1及び第3の複数の電極フィンガと上記第2 、第3、第5及び第6の複数の電極フィンガとの間に第3のDC電圧を印加する ための電圧源を更に備えた請求項13に記載のセンサ。 17.上記位置センサは、上記第1の軸に実質的に垂直な第2の軸に沿った上 記質量のそりと、上記表面に垂直なZ軸に周りでの上記質量の回転とを測定し、 上記第1の軸に沿った上記質量の振動は、上記第2の軸に沿って上記質量をそら せるコリオリの力を発生し、そして上記センサは、更に、Z軸の周りでの上記質 量の回転率と共に変化する信号を発生するために上記位置センサの出力に接続さ れた信号プロセッサを備えている請求項11に記載のセンサ。 18.上記第2と第3の複数の電極フィンガの間にAC電圧を印加するための 電圧源を更に備えた請求項17に記載のセンサ。 19.上記第2と第3の複数の電極フィンガの間に電圧が印加されて、上記第 1の複数の電極とで容量性ブリッジが形成され、そして上記位置センサは、上記 質量が上記第2軸に沿ってそったきに容量の変化を検出するために上記第1の複 数の電極に接続される請求項18に記載のセンサ。 20.基板と、 上記基板の表面に平行な平面内で振動するようにサスペンションシステムによ り上記基板に接続された質量と、 上記平面内で上記質量から第1の軸に沿って突出する第1の複数の電極フィン ガと、 上記基板に接続され、そして実質的に上記第1の軸に沿って突出する第2の複 数の電極フィンガと、 上記基板に接続されるが、上記第2の複数の電極フィンガから電気的に分離さ れる第3の複数の電極フィンガとを備え、この第3の複数の電極フィンガは、実 質的に上記第1の軸に沿って突出し、上記第2及び第3の複数の電極フィンガは 、上記第1の複数の電極フィンガと指を組んだ状態にされ、上記第1の複数の電 極フィンガ各々が上記第2の複数の電極フィンガの1つ及び上記第3の複数の電 極フィンガの1つに隣接するようにされ、更に、 上記第1の軸に垂直な上記平面内の第2の軸に沿って上記質量の振動の共振周 波数を調整するために上記第1の複数の電極フィンガと上記第2及び第3の複数 の電極フィンガとの間にDC電圧を印加するための電圧源を備えたことを特徴と するセンサ。 21.Z軸の周りの回転を感知するためのマイクロ製造されたジャイロスコー プセンサにおいて、 基板と、 上記基板の表面に平行な平面内で振動するようにサスペンションシステムによ り上記基板に接続された質量と、 実質的に上記平面内の第1の軸に沿って上記質量を振動させるための駆動シス テムと、 上記質量から実質的に上記第1の軸に沿って突出する第1の複数の電極フィン ガと、 上記基板に接続され、そして実質的に上記第1の軸に沿って突出する第2の複 数の電極フィンガと、 上記基板に接続されそして実質的に上記第1の軸に沿って突出する第3の複数 の電極フィンガとを備え、上記第2及び第3の複数の電極フィンガは、上記第1 の複数の電極フィンガと指を組んだ状態にされ、上記第1の複数の電極フィンガ 各々が上記第2の複数の電極フィンガの1つ及び上記第3の複数の電極フィンガ の1つに隣接するようにされ、更に、 上記第1の軸に垂直な上記平面内の第2の軸に沿った上記質量のそりを測定す るために上記第1の複数の電極フィンガに接続される位置センサを備え、上記表 面に垂直なZ軸の周りでの上記質量の回転及び上記第1の軸に沿った上記質量の 振動が上記第2の軸に沿って上記質量をそらせるコリオリの力を発生し、そして 上記位置センサの出力に接続されて、Z軸の周りでの上記質量の回転率と共に 変化する信号を発生するための信号プロセッサを供えたことを特徴とするジャイ ロスコープセンサ。 22.上記第2と第3の複数の電極フィンガ間に第1周波数を有するAC電圧 を印加するための電圧源を更に備えた請求項21に記載のセンサ。 23.上記第2と第3の複数の電極フィンガ間に電圧が印加されて、上記第1 の複数の電極との容量性ブリッジが形成され、そして上記位置センサは、上記質 量が上記第2の軸に沿ってそったときにキャパシタンスの変化を検出するために 上記第1の複数の検出器に接続される請求項22に記載のセンサ。 24.上記位置センサは、更に、上記第1の複数の電極フィンガからの信号を 積分するための積分器を含む請求項23に記載のセンサ。 25.上記駆動システムは、第2の周波数において上記第1の軸に沿って上記 質量を振動させるための信号を発生する請求項24に記載のセンサ。 26.上記駆動システムは、上記信号を発生する請求項25に記載のセンサ。 27.上記駆動システムからの信号を上記電圧源からの信号と混合するための 第1ミクサを更に備えた請求項25に記載のセンサ。 28.上記第1ミクサからの信号を上記位置センサからの出力信号と混合して 位置直角位相信号を発生するための第2のミクサを更に備えた請求項27に記載 のセンサ。 29.上記第1ミクサからの信号を上記位置センサからの出力信号と混合して コリオリ信号を発生するための第2のミクサを更に備えた請求項27に記載のセ ンサ。 30.上記位置センサからの出力信号を上記電圧源からの信号と混合して位置 信号を発生するためのミクサを更に備えた請求項25に記載のセンサ。 31.基板と、 サスペンションシステムにより上記基板に接続された質量と、 上記基板の表面に実質的に平行な駆動軸に沿って上記質量を振動させる駆動シ ステムと、 上記基板の表面に実質的に平行な感知軸に沿った上記質量のそりを測定するた めの位置センサとを備え、基板の表面に実質的に垂直な回転軸の周りでの質量の 回転及び上記駆動軸に沿った質量の振動が、上記感知軸に沿って質量をそらせる コリオリの力を発生することを特徴とするマイクロ製造されたジャイロスコープ センサ。 32.上記位置センサの出力に接続され、回転軸の周りでの質量の回転率と共 に変化する信号を発生するためのプロセッサを更に備えた請求項31に記載のセ ンサ。 33.上記位置センサは、上記質量から突出する第1感知電極と、上記基板に 接続されそして上記第1電極の第1の側に配置された第2感知電極と、上記基板 に接続されそして上記第1電極の反対の第2の側に配置された第3感知電極とを 備えた請求項31に記載のセンサ。 34.上記位置センサは、上記第1電極と第2及び第3電極との間のキャパシ タンスの変化を感知する請求項33に記載のセンサ。 35.上記第1、第2及び第3電極は、実質的に同一平面にあって、各電極の 長手方向軸は駆動軸に実質的に整列される請求項33に記載のセンサ。 36.上記駆動システムは、上記質量から突出する第1駆動電極と、上記基板 に接続されそして上記第1電極の第1の側に配置された第2駆動電極と、上記基 板に接続されそして上記第1電極の反対の第2の側に配置された第3駆動電極と を備えた請求項31に記載のセンサ。 37.上記駆動システムは、上記第1電極と上記第2及び第3電極との間に交 流電圧を印加する請求項35に記載のセンサ。 38.上記第1、第2及び第3電極は、実質的に同一平面にあって、各電極の 長手方向軸は駆動軸に実質的に整列される請求項33に記載のセンサ。 39.コリオリの力がないときにより正確に駆動軸に沿って質量を振動させる ために基板に接続された複数の修正電極間に電圧を印加するための電圧源を更に 備えた請求項31に記載のセンサ。 40.上記感知軸に沿った質量の振動の共振周波数を調整するために、基板に 接続された第1の同調電極と、質量に接続された第2の同調電極との間に電圧を 印加するための電圧源を更に備えた請求項31に記載のセンサ。 41.基板と、 サスペンションシステムにより上記基板に接続された質量と、 実質的に駆動軸に沿って上記質量を振動させる駆動システムと、 感知軸に沿った上記質量のそりを測定するための位置センサとを備え、回転軸 の周りでの質量の回転及び駆動軸に沿った質量の振動が、上記感知軸に沿って質 量をそらせるコリオリの力を発生し、そして 更に、コリオリの力がないときにより正確に駆動軸に沿って質量を振動させる ために基板に接続された電極間に電圧を印加するための電圧源を備えたことを特 徴とするマイクロ製造されたジャイロスコープセンサ。 42.上記回転軸の周りの質量の回転率と共に変化する信号を発生するために 上記位置センサの出力に接続されたプロセッサを更に備えた請求項41に記載の センサ。 43.上記感知軸に沿った質量の振動の共振周波数を調整するために、質量に 接続された電極と、基板に接続された電極との間に第2の電圧を印加するための 第2の電圧源を更に備えた請求項41に記載のセンサ。 44.上記位置センサは、基板に接続された電極間にAC電圧を印加する請求 項41に記載のセンサ。 45.上記駆動軸及び感知軸は基板の表面に実質的に平行であり、そして上記 回転軸は基板の表面に実質的に垂直である請求項41に記載のセンサ。 46.実質的に上記駆動軸に沿って上記質量から突出する第1の複数の電極フ ィンガと、 上記基板に接続されそして実質的に上記駆動軸に沿って突出する第2の複数の 電極フィンガと、 上記基板に接続されそして実質的に上記駆動軸に沿って突出する第3の複数の 電極フィンガととを備え、これら第2及び第3の複数の電極フィンガは、上記第 1の複数の電極フィンガと指を組んだ状態にされて、上記第1の複数の電極フィ ンガの各々が第2の複数の電極フィンガの1つ及び第3の複数の電極フィンガの 1つに隣接するようにされることを特徴とする請求項41に記載のセンサ。 47.実質的に駆動軸に沿って上記質量から突出しそして第1の複数の電極フ ィンガに対向して配置された第4の複数の電極フィンガと、 上記基板に接続され、実質的に上記駆動軸に沿って突出し、そして第2の複数 の電極フィンガに対向して配置された第5の複数の電極フィンガと、 上記基板に接続され、実質的に上記駆動軸に沿って突出し、そして第3の複数 の電極フィンガに対向して配置された第6の複数の電極フィンガとを更に備え、 これら第5及び第6の複数の電極フィンガは、第4の複数の電極フィンガと指を 組んだ状態にされて、第4の複数の電極フィンガ各々が第5の複数の電極フィン ガの1つ及び第6の複数の電極フィンガの1つに隣接するようにされる請求項4 6に記載のセンサ。 48.第1、第2、第3、第4、第5及び第6の複数の電極フィンガは、実質 的に同一平面である請求項47に記載のセンサ。 49.上記電圧源は、第2と第3の複数の電極フィンガ間に第1のDC電圧を 印加し、そして第5と第6の複数の電極フィンガ間に第2のDC電圧を印加する 請求項48に記載のセンサ。 50.上記第2のDC電圧は、上記第1のDC電圧と大きさが実質的に等しく 且つ符号が逆である請求項49に記載のセンサ。 51.上記第2の軸に沿った質量の振動の共振周波数を調整するために、第1 の複数の電極フィンガと第2及び第3の複数の電極フィンガとの間にDC電圧を 印加するための電圧源を更に備えた請求項21に記載のセンサ。 52.コリオリの力がないときにより正確に第1の軸に沿って上記質量を振動 させるために第2と第3の複数の電極フィンガ間に第1のDC電圧を印加するた めの電圧源を更に備えた請求項21に記載のセンサ。 53.サスペンションシステムにより基板に接続された質量を含むジャイロス コープセンサで回転を感知する方法において、 上記基板の表面に実質的に垂直な回転軸の周りで上記質量を回転し、 上記基板の表面に実質的に平行な駆動軸に実質的に沿って上記質量を振動させ 、回転軸の周りでの上記質量の回転と、駆動軸に沿った質量の振動は、上記基板 の表面に実質的に平行な感知軸に沿って質量をそらせるコリオリの力を発生し、 そして 上記感知軸に沿った質量のそりを測定する、 という段階を含むことを特徴とする方法。 54.サスペンションシステムにより基板に接続された質量を含むジャイロス コープセンサで回転を感知する方法において、 回転軸の周りで上記質量を回転し、 実質的に駆動軸に沿って上記質量を振動させ、回転軸の周りでの上記質量の回 転と、駆動軸に沿った質量の振動は、感知軸に沿って質量をそらせるコリオリの 力を発生し、 上記感知軸に沿った質量のそりを測定し、そして、 コリオリの力がないときにより正確に第1の軸に沿って上記質量を振動させる ために、基板に接続された電極フィンガ間に電圧を印加する、 という段階を含むことを特徴とする方法。 55.入力軸の周りでの回転を測定するためのマイクロ製造されたジャイロス コープセンサにおいて、 基板と、 質量と、 上記質量を基板に接続するサスペンションシステムと、 実質的に駆動軸の周りで質量を振動させる駆動システムと、 感知軸の周りでの質量の回転を測定するための位置センサとを備え、入力軸の 周りでの質量の回転と、駆動軸の周りでの質量の振動は、感知軸の周りで質量を 振動させるコリオリの力を発生し、更に、 上記基板に関連した複数の電極と、 コリオリの力がないときにより正確に駆動軸の周りで質量を振動させるために 電極間に電圧を印加するための電圧源を備えたことを特徴とするジャイロスコー プセンサ。 56.入力軸の周りの質量の回転率と共に変化する信号を発生するために位置 センサの出力に接続されたプロセッサを更に備えた請求項55に記載のセンサ。 57.上記感知軸の周りでの質量の振動の共振周波数を調整するために、質量 に接続された電極と基板に接続された電極との間に第2の電圧を印加するための 第2の電圧源を更に備えた請求項55に記載のセンサ。 58.上記位置センサは、基板に接続された電極間にAC電圧を印加する請求 項55に記載のセンサ。 59.上記駆動軸は、基板の表面に実質的に垂直であり、そして上記入力軸及 び感知軸は、基板の表面に実質的に平行である請求項55に記載のセンサ。 60.上記質量から突出する第1の複数の電極フィンガと、 上記質量から突出する第2の複数の電極フィンガと、 上記基板から突出し、そして上記第1の複数の電極フィンガと指を組む状態に された第3の複数の電極フィンガと、 上記基板から突出し、そして上記第1の複数の電極フィンガに対向して配置さ れた第4の複数の電極フィンガとを更に備え、この第4の複数の電極フィンガは 、上記第2の複数の電極フィンガと指を組む状態にされる請求項59に記載のセ ンサ。 61.上記質量から突出する第5の複数の電極フィンガと、 上記質量から突出する第6の複数の電極フィンガと、 上記基板から突出し、そして上記第5の複数の電極フィンガと指を組む状態に された第7の複数の電極フィンガと、 上記基板から突出し、そして上記第7の複数の電極フィンガに対向して配置さ れた第8の複数の電極フィンガとを更に備え、この第8の複数の電極フィンガは 、上記第6の複数の電極フィンガと指を組む状態にされる請求項60に記載のセ ンサ。 62.上記第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7及び第8の複数の電極 フィンガは、実質的に同一平面である請求項61に記載のセンサ。 63.上記電圧源は、第3と第4の複数の電極フィンガ間に第1のDC電圧を 印加し、そして第7と第8の複数の電極フィンガ間に第2のDC電圧を印加する 請求項62に記載のセンサ。 64.上記第2のDC電圧は、第1のDC電圧と大きさが実質的に等しく且つ 符号が逆である請求項63に記載のセンサ。 65.質量から突出する第1電極と、構造体に接続されそして第1電極の第1 位置の下に配置された第2電極と、構造体に接続されそして第1電極の第1位置 の下に配置された第3電極とを備えた請求項55に記載のセンサ。 66.上記質量は、実質的にリング形状である請求項55に記載のセンサ。 67.サスペンションシステムにより基板に接続された質量を含むジャイロス コープセンサで回転を感知する方法において、 入力軸の周りで質量を回転し、 実質的に駆動軸の周りで質量を振動させ、入力軸の周りでの質量の回転と、駆 動軸の周りでの質量の信号は、感知軸の周りで質量を振動させるコリオリの力を 発生し、 感知軸の周りでの質量の振動を測定し、そして コリオリの力が存在しないときにより正確に駆動軸の周りで質量を振動させる ように、基板に接続された電極間に電圧を印加する、 という段階を備えたことを特徴とする方法。 68.第1の複数の電極歯を有する基板と、 第2の複数の電極歯及びこの第2の複数の電極歯を基板に接続するサスペンシ ョンシステムを含む振動構造体とを備え、この第2の複数の電極歯は、第1の複 数の電極歯と指を組んだ状態にされ、更に、 上記振動構造体を基板に対して振動させる駆動システムと、 コリオリの力により生じる質量のそりを測定するための位置センサとを備え、 上記第1及び第2の複数の電極歯の厚みは、それらの巾より実質的に大きいこ とを特徴とするマイクロ製造されたジャイロスコープセンサ。 69.上記サスペンションシステムは、少なくとも約10:1の縦横比を有す る複数の撓み部を有する請求項68に記載のセンサ。 70.上記第1及び第2の複数の電極歯は、縦横比が少なくとも5:1である 請求項68に記載のセンサ。 71.第1と第2の複数の電極歯間のギャップは、縦横比が少なくとも10: 1である請求項68に記載のセンサ。 72.ジャイロスコープセンサを製造する方法において、 第1基板上に絶縁層を形成し、 第2基板の第1表面にくぼみを形成し、 上記第2基板の第1表面を第1基板に接合して、上記くぼみが第1基板と第2 基板との間に包囲された空洞を画成するようにし、 第2基板の第2表面にジャイロスコープセンサの回路を形成し、そして 第2基板においてその第2表面から空洞へと複数の溝をエッチングし、これら 複数の溝は、第1基板に接続された振動構造体を画成する、 ことを特徴とする方法。 73.上記振動構造体は、少なくとも25ミクロンの厚みを有する請求項72 に記載の方法。 74.上記くぼみは、約1ミクロンの深さを有する請求項72に記載の方法。 75.上記エッチング段階は、深い反応性イオンエッチングより成る請求項7 2に記載の方法。
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