JP2002343756A - ウェーハ平面加工装置 - Google Patents

ウェーハ平面加工装置

Info

Publication number
JP2002343756A
JP2002343756A JP2001150637A JP2001150637A JP2002343756A JP 2002343756 A JP2002343756 A JP 2002343756A JP 2001150637 A JP2001150637 A JP 2001150637A JP 2001150637 A JP2001150637 A JP 2001150637A JP 2002343756 A JP2002343756 A JP 2002343756A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
frame
thickness
unit
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001150637A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Kobayashi
一雄 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2001150637A priority Critical patent/JP2002343756A/ja
Priority to KR1020020027849A priority patent/KR20020089180A/ko
Priority to US10/147,803 priority patent/US6863590B2/en
Priority to SG200203058A priority patent/SG95694A1/en
Priority to EP02011208A priority patent/EP1263026B1/en
Priority to DE60213710T priority patent/DE60213710T2/de
Priority to MYPI20021857A priority patent/MY131229A/en
Priority to TW091110660A priority patent/TWI253969B/zh
Publication of JP2002343756A publication Critical patent/JP2002343756A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、ウェーハ加工、ウェーハ検査、フレ
ーム貼着、及び保護テープ剥離の一連の処理工程をイン
ラインシステム化することができるウェーハ平面加工装
置を提供する。 【解決手段】本発明のウェーハ平面加工装置１は、バッ
クグラインダ１０、マウント部１０８、及び剥離部１１
２を有し、ウェーハ２６をバックグラインダ１０からマ
ウント部１０８に搬送する搬送アーム６６、そして、マ
ウント部１０８から剥離部１１２に搬送する搬送ロボッ
ト１１８を設けることにより、裏面研削加工、ウェーハ
フレーム貼着、及び保護テープ剥離の一連の処理工程を
インラインシステム化したウェーハ平面加工装置であ
る。そして、バックグラインダ１０とマウント部１０８
との間に、裏面研削加工後のウェーハ２６の厚みを静電
容量センサ９２で測定する洗浄・厚み測定ステージ２２
を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
製造工程において、半導体ウェーハのチップが形成され
ていない裏面を研削加工し、このウェーハをダイシング
用のウェーハフレームにシートを介して貼着するととも
にウェーハの表面に予め貼着されている保護シートをウ
ェーハから剥離除去するウェーハ平面加工装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードなどへの需要から半導
体素子は薄肉化の要求が高まっている。このため、半導
体ウェーハは、表面に所定の回路パターン（チップ）が
形成された後、その裏面がバックグラインダと称される
平面研削装置で研削加工されて薄肉化されている。平面
研削装置は、チップが形成されているウェーハの表面を
保持部で保持した状態で裏面を研削加工するので、チッ
プを保持部から保護する必要がある。このため。ウェー
ハは、研削加工の前工程でその表面にチップ保護テープ
が貼着されている。
【０００３】ところで、平面研削装置で裏面研削された
ウェーハは、平面研削装置から取り出された後、検査ス
テージに移され、ここで厚みや割れ欠け等の外観検査が
行われる。そして、検査ステージで良品と判断されたウ
ェーハは、フレームマウンタと称されるウェーハフレー
ム貼着ステージに移され、ここでウェーハフレームがウ
ェーハにシートを介して貼着される。そして、前記保護
テープがウェーハから剥離除去される。この後、ウェー
ハは、ウェーハフレームを介してダイシング装置の切断
部にセットされ、ダイシング装置のブレードによってチ
ップ毎に分断される。
【０００４】前述の如く従来装置では、平面研削装置、
検査ステージ、及びフレームマウンタが別個に設置さ
れ、各々で処理されたウェーハを作業者が次の装置に移
送することにより一連の処理工程（研削加工、検査、ウ
ェーハフレーム貼着、保護テープ剥離）を実施してい
た。
【０００５】しかし、最近では、平面研削装置で研削加
工されたウェーハをロボットでフレームマウンタに搬送
することで、ウェーハ研削加工、ウェーハフレーム貼
着、及び保護テープ剥離除去の各処理工程をインライン
システム化することが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記イ
ンラインシステム化を試みているウェーハ平面加工装置
は、検査ステージが設けられていないので、不良と判断
されるウェーハまでもがフレームマウンタに搬送され、
ウェーハフレームに貼着されるという問題があった。
【０００７】例えば、加工後の厚みが規定値に満たない
ウェーハは、通常であれば平面研削装置に戻されて再加
工されるため歩留りは低下しない。しかし、検査ステー
ジのない前記ウェーハ平面加工装置は、厚みが規定値に
満たないウェーハであってもウェーハフレームに貼着す
る。ウェーハフレームに貼着されたウェーハは、再加工
が困難なので、歩留りが低下するという欠点があった。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ウェーハ加工、ウェーハ検査、フレーム貼
着、及び保護テープ剥離除去の一連の処理工程をインラ
インシステム化できるウェーハ平面加工装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ウェーハの一方面に貼着された保護テー
プを介してウェーハを保持し該ウェーハの他方面を加工
する加工部と、該加工されたウェーハの他方面にシート
を介してフレームを貼着するフレーム貼着部と、該フレ
ームが貼着されたウェーハの前記保護テープを剥離除去
する剥離部と、前記加工部から前記フレーム貼着部にウ
ェーハを搬送するとともに該フレーム貼着部から前記剥
離部にウェーハを搬送する搬送手段とを備えたウェーハ
平面加工装置において、前記加工部と前記フレーム貼着
部との間に、加工後のウェーハを検査するウェーハ検査
手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】請求項１に記載の発明によれば、加工部、
フレーム貼着部、及び保護テープ剥離部を有し、ウェー
ハを加工部からフレーム貼着部に、そして、フレーム貼
着部から保護テープ剥離部に搬送する搬送手段を設ける
ことによりウェーハ加工、フレーム貼着、及び保護テー
プ剥離除去の一連の処理工程をインラインシステム化し
たウェーハ平面加工装置において、前記加工部と前記フ
レーム貼着部との間に、加工後のウェーハを検査するウ
ェーハ検査手段を設けたので、ウェーハ加工、ウェーハ
検査、フレーム貼着、及び保護テープ剥離除去の一連の
処理工程をインラインシステム化できる。
【００１１】請求項２に記載の発明によれば、加工部で
加工後のウェーハを搬送手段でウェーハ検査手段に搬送
し、ウェーハ検査手段で検査終了したウェーハを検査結
果に基づき、良品と判断されたウェーハを搬送手段でフ
レーム貼着部に搬送する。一方で、不良品と判断された
ウェーハを搬送手段で前記加工部に返送し再加工する。
これにより、ウェーハの歩留りの低下を防止できる。
【００１２】請求項３に記載の発明によれば、前記ウェ
ーハ検査手段は、ウェーハの厚みを測定する厚み測定手
段、又はウェーハの割れ欠け等の外観を検査する外観検
査手段であり、厚み測定手段で測定された厚みが規定の
厚みに満たないウェーハを前記搬送手段で前記加工部に
返送し再研削加工する。これにより、ウェーハの歩留り
の低下を防止できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ平面加工装置の好ましい実施の形態について
詳説する。
【００１４】図１は、実施の形態のウェーハ平面加工装
置１の構造を示した平面図である。このウェーハ平面加
工装置１は、ウェーハ研削加工、ウェーハ検査、ウェー
ハフレーム貼着、及び保護テープ剥離除去の各処理工程
をインラインシステム化した装置であり、ウェーハを約
３０μｍの薄肉に研削加工するバックグラインダ（加工
部に相当）１０、及び裏面研削されたウェーハにウェー
ハフレーム（フレームに相当）を貼着し、且つウェーハ
から保護テープを剥離除去するウェーハ処理装置１００
を主として構成されている。
【００１５】バックグラインダ１０の本体１２には、図
２、図３に示すようにカセット収納ステージ１４、アラ
イメントステージ１６、粗研削ステージ１８、仕上げ研
削ステージ２０、及び洗浄・厚み測定ステージ（ウェー
ハ検査手段及び厚み測定手段に相当）２２がそれぞれ所
定の位置に設けられている。
【００１６】カセット収納ステージ１４には、２台のカ
セット２４、２４が着脱自在にセットされ、これらのカ
セット２４、２４には裏面研削前のウェーハ２６が多数
枚収納されている。このウェーハ２６は、搬送ロボット
２８によって１枚ずつ保持されて、次工程であるアライ
メントステージ１６に順次搬送される。搬送ロボット２
８は、本体１２に立設されたビーム３０に昇降装置３２
を介して吊り下げ支持される。また、昇降装置３２は、
ビーム３０に内蔵された図示しない送りねじ装置に連結
されており、この送りねじ装置で昇降装置３２を送り移
動させると、搬送ロボット２８が、ビーム３０の配設方
向に沿って図２、図３上矢印Ａ、Ｂ方向に往復移動す
る。この搬送ロボット２８の前記移動と、搬送ロボット
２８の動作によって、ウェーハ２６がバックグラインダ
１０内で予め設定された順路に従って搬送される。
【００１７】搬送ロボット２８は、汎用の産業用ロボッ
トであり、その構成はウェーハ２６を吸着保持する馬蹄
形のアーム３４、及び３本のリンク３６、３８、４０等
から構成される。アーム３４の先端には、ウェーハ２６
を吸着する吸着パッド３５、３５が設けられる。また、
アーム３４は、リンク３６にその基端部が軸芯を中心に
回転自在に支持され、図示しないモータからの駆動力で
軸芯を中心に回転することができる。リンク３６は、リ
ンク３８に軸４２を介して回動自在に連結され、図示し
ないモータからの駆動力で軸４２を中心に回転すること
ができる。また、リンク３８は、軸４４を介してリンク
４０に回動自在に連結され、図示しないモータからの駆
動力で軸４４を中心に回転することができる。さらに、
リンク４０は、軸４６を介して図示しないモータの出力
軸に連結されているので、モータを駆動することにより
軸４６を中心に回転することができる。また、モータ
は、昇降装置３２の図示しない昇降ロッドに連結されて
いる。したがって、ロボット２８によれば、アーム３４
及び３本のリンク３６、３８、４０の動作を各々のモー
タで制御するとともに、昇降装置３２の昇降ロッドの収
縮動作を制御することにより、カセット２４に収納され
たウェーハ２６を吸着パッド３５に吸着保持して取り出
し、アライメントステージ１６に搬送することができ
る。
【００１８】アライメントステージ１６は、カセット２
４から搬送されたウェーハ２６を、そのウェーハ２６の
ノッチ又はオリエーテーションフラットの形成位置に基
づいて所定の位置に位置合わせするステージである。こ
のアライメントステージ１６で位置合わせされたウェー
ハ２６は、搬送ロボット２８の吸着パッド３５、３５に
再度吸着保持された後、空のチャックテーブル４８に向
けて搬送され、このチャックテーブル４８の所定の位置
に吸着保持される。
【００１９】チャックテーブル４８は、ターンテーブル
５０に設置され、また、同機能を備えたチャックテーブ
ル５２、５４がターンテーブル５０の回動軸を中心とす
る円周上に所定の間隔をもって設置されている。チャッ
クテーブル５２は、粗研削ステージ１８に位置されてお
り、吸着したウェーハ２６がここで粗研削される。ま
た、チャックテーブル５４は、仕上げ研削ステージ２０
に位置され、吸着したウェーハ２６がここで仕上げ研削
（精研削、スパークアウト）される。なお、図２、図３
では図示していないが、チャックテーブル４８、５２、
５４は、その下部に回転用モータのスピンドルが各々連
結され、これらのモータの駆動力によって回転される。
【００２０】チャックテーブル４８に、その表面（保護
テープが貼着されている面）が吸着保持されたウェーハ
２６は、図示しない測定ゲージによって研削前の厚みが
測定される。厚みが測定されたウェーハ２６は、ターン
テーブル５２の図２、図３上矢印Ｃ方向の回動で粗研削
ステージ１８に位置し、粗研削ステージ１８のカップ型
砥石５６によってウェーハ２６の裏面が粗研削される。
カップ型砥石５６は図１に示すように、モータ５８の図
示しない出力軸に連結され、また、モータ５８のサポー
ト用ケーシング６０を介して砥石送り装置６２に取り付
けられている。砥石送り装置６２は、カップ型砥石５６
をモータ５８とともに昇降移動させるもので、この下降
移動によりカップ型砥石５６がウェーハ２６の裏面に押
し付けられる。これにより、ウェーハ２６の裏面粗研削
が行われる。カップ型砥石５６の下降移動量は、すなわ
ち、カップ型砥石５６による研削量は、予め登録された
カップ型砥石５６の基準位置と、ウェーハ２６の研削前
の厚みとに基づいて設定される。また、前記研削量は、
後述の洗浄・厚み測定ステージ２２で測定された研削加
工終了後のウェーハ２６の厚みに基づいてフィードバッ
ク制御される。
【００２１】粗研削ステージ１８で裏面が粗研削された
ウェーハ２６は、ウェーハ２６からカップ型砥石５６が
退避移動した後に、図示しない厚み測定ゲージによって
その厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ２６
は、ターンテーブル５０の同方向の回動で仕上げ研削ス
テージ２０に位置し、仕上げ研削ステージ２０の図３に
示すカップ型砥石６４によって精研削、スパークアウト
される。この仕上げ研削ステージ２０の構造は、粗研削
ステージ１８の構造とほぼ同一なので、ここではその説
明を省略する。
【００２２】仕上げ研削ステージ２０で仕上げ研削され
たウェーハ２６は、ウェーハ２６からカップ型砥石６４
が退避移動した後に、ターンテーブル５０の同方向の回
動で図２に示した空のチャックテーブル４８の位置に搬
送される。そして、ウェーハは、図４に示すように搬送
アーム６６の先端に設けた、ウェーハ２６と略同径の多
孔質体で形成された円板状の吸着面６８Ａを有する吸着
盤６８に吸着された後、搬送アーム６６の図２上矢印Ｄ
方向の回動で洗浄・厚み測定ステージ２２に搬送され
る。
【００２３】図２〜図４に示すように、洗浄・厚み測定
ステージ２２は、シンク７０内に配設されたブラシ洗浄
装置７４とスピン洗浄装置７２とからなる洗浄部、及び
静電容量センサ９２を備えた厚み測定部などから構成さ
れる。
【００２４】ブラシ洗浄装置７４は図４の如く、ブラシ
８４が植設された円盤状のプレート８６を有し、このプ
レート８６の下面にモータ８８のスピンドル９０が連結
されている。したがって、ブラシ洗浄装置７４によれ
ば、モータ８８でブラシ８４を回転させ、このブラシ８
４に、搬送アーム６６の吸着パッド６８で吸着されたウ
ェーハ２６の表面（保護テープ）２６Ｂを押し付ける。
これにより、ウェーハ２６の保護テープに付着している
スラッジ等の付着物が除去される。
【００２５】スピン洗浄装置７２は、ウェーハ２６と略
同径の吸着パッド７６を有し、この吸着パッド７６の下
面には、モータ７８のスピンドル８０が連結されてい
る。また、吸着パッド７６の上方には、洗浄水を噴射す
るノズル８２が設けられている。このスピン洗浄装置７
２によれば、吸着パッド７６で吸着されたウェーハ２６
をモータ７８で回転させながら、ノズル８２からウェー
ハ２６の裏面２６Ａに向けて洗浄水を噴射する。これに
より、ウェーハ２６の裏面２６Ａに付着しているスラッ
ジ等の付着物が除去される。
【００２６】一方、スピン洗浄装置７２の上方には、静
電容量センサ９２を備えた厚み測定装置が設置されてい
る。静電容量センサ９２は、ウェーハ２６の示す静電容
量からウェーハ２６の厚みを測定する装置であり、ウェ
ーハ２６の裏面２６Ａに対向して配置される。また、静
電容量センサ９２は、吸着パッド７６で吸着された状態
のウェーハ２６の径方向に送りねじ装置９４によって移
動される。送りねじ装置９４による静電容量センサ９２
の移動中に、静電容量センサ９２は、複数の測定ポイン
トの厚みを測定する。これらの厚み情報は、不図示の演
算装置に出力され、この演算装置によってウェーハ２６
の厚みが算出される。なお、算出された厚みが、規定値
よりも厚い場合には、そのウェーハ２６は、搬送アーム
６６の吸着パッド６８に吸着されて、チャックテーブル
４８に戻され、前述した工程で再研削加工される。
【００２７】このように構成された洗浄・厚み測定ステ
ージ２２の作用について説明すると、まず、図４に示す
ように、仕上げ研削終了したウェーハ２６は、チャック
テーブル５４に裏面２６Ａを上に向けた状態で保持され
ている。すなわち、ウェーハ２６の表面２６Ｂに貼り付
けられた保護テープが吸着パッド５５に吸着されてい
る。
【００２８】このウェーハ２６の裏面２６Ａを、搬送ア
ーム６６の吸着パッド６８で吸着する。そして、チャッ
クテーブル５４側の吸着を解除した後、搬送アーム６６
を回動して洗浄・厚み測定ステージ２２にウェーハ２６
を搬送する。
【００２９】洗浄・厚み測定ステージ２２に搬送された
ウェーハ２６は、まず、吸着パッド６８に吸着保持され
た状態で、その表面２６Ｂに貼り付けられた保護テープ
が、ブラシ洗浄装置７４のブラシ８４に押し当てられ
る。そして、ブラシ８４を回転させるとともに、ブラシ
８４とウェーハ２６とを相対的に水平揺動させる。これ
により、保護テープ全面にブラシ８４が接触するので、
保護テープに付着したスラッジ等の付着物を強制的に剥
離除去できる。
【００３０】保護テープの洗浄が終了すると、ウェーハ
２６は、搬送アーム６６の回動動作でスピン洗浄装置７
２に移載される。その後、ウェーハ２６は、スピン洗浄
装置７２の吸着パッド７６によって保護テープが吸着保
持される。そして、モータ７８でウェーハ２６を回転さ
せるとともに、ノズル８２から洗浄水をウェーハ２６の
裏面２６Ａに向けて噴射して裏面２６Ａを洗浄する。そ
して、所定時間経過後に洗浄水の供給を停止し洗浄を終
了するとともに、ウェーハ２６を継続して回転させて乾
燥する。乾燥終了すると、ウェーハ２６の回転を停止
し、静電容量センサ９２によって前述の手順でウェーハ
２６の厚みを測定する。以上が、洗浄・厚み測定ステー
ジ２２の作用である。
【００３１】厚みが測定されたウェーハ２６は、搬送ア
ーム６６の吸着パッド６８に再度吸着保持されて図１に
示したＵＶ照射装置９６に搬送される。ＵＶ照射装置９
６は、所定のＵＶ照射位置に搬送されたウェーハ２６の
表面をエアブローで乾燥させたのち、ＵＶ光（紫外線
光）をウェーハ２６に照射する。ここで、ウェーハ２６
の表面に貼着されている保護テープは、ＵＶ光を照射す
ることにより、その紫外線硬化樹脂製の粘着剤が硬化す
る。これにより、保護テープは、ウェーハ２６の表面か
ら容易に剥離可能な状態になる。
【００３２】このウェーハ２６は、図５に示すウェーハ
処理装置１００の本体１０２に設置されたウェーハ搬送
ロボット１０４に吸着保持された後、ウェーハ処理装置
１００側に搬送される。
【００３３】ウェーハ処理装置１００は、主としてウェ
ーハ供給部１０６、マウント部（フレーム貼着部に相
当）１０８、ウェーハフレーム供給部１１０、保護テー
プ剥離部（剥離部に相当）１１２、洗浄装置１１４、ウ
ェーハフレーム置台１１６、及び搬送ロボット１１８、
１２０などから構成されている。
【００３４】ウェーハ供給部１０６は、アライメント装
置１２２及びウェーハ搬送ロボット１０４から構成され
ている。アライメント装置１２２は、マウント部１０８
に供給するウェーハ２６をアライメントする。このアラ
イメント装置１２２は、測定テーブル１２４とアライメ
ントセンサ１２６とから構成されている。ウェーハ２６
は測定テーブル１２４に吸着保持されて回転し、その回
転するウェーハ２６に形成されたオリフラ又はノッチの
位置と、ウェーハ２６の中心位置とがアライメントセン
サ１２６によって検出される。そして、その検出結果に
基づいてウェーハ２６がアライメントされる。すなわ
ち、まず、ウェーハ２６に形成されたオリフラ又はノッ
チが所定方向に向くように測定テーブル１２４が回転す
る。次いで、ウェーハ２６の中心が、マウント部１０８
のチャックテーブル１２８の中心と一致するようにウェ
ーハ搬送ロボット１０４によって搬送される。
【００３５】ウェーハ搬送ロボット１０４は、ＵＶ照射
装置９６からアライメント装置１２２にウェーハ２６を
搬送するとともに、アライメント装置１２２からマウン
ト部１０８のチャックテーブル１２８にウェーハ２６を
搬送する。このウェーハ搬送ロボット１０４は、汎用の
産業用ロボットであり、アーム１３０と、そのアーム１
３０の先端部に設けられた吸着パット１３２とから構成
されている。ウェーハ２６は、吸着パッド３６に吸着保
持されて搬送される。
【００３６】マウント部１０８は、チャックテーブル１
２８に保持されたウェーハ２６をダイシング用のウェー
ハフレームＦに貼着する部分である。すなわち、ダイシ
ング用のウェーハフレームＦにウェーハシートＳを介し
てウェーハ２６をマウントする。このマウント部１０８
は、図６の如く走行体１３４、ホルダ１３６、ウェーハ
シート貼着装置１３８及びウェーハシート切断装置１４
０から構成される。
【００３７】走行体１３４は、ガイドレール１４２、１
４２上にスライド自在に設けられ、図示しない送り装置
（例えば、送りネジ機構やシリンダ）に駆動されてガイ
ドレール１４２、１４２上を往復走行する。これによ
り、走行体１３４は、所定のウェーハフレーム受取位置
とチャックテーブル１２８の上方に設定されたマウント
位置との間を往復移動する。ホルダ１３６は、この走行
体１３４に設けられており、ウェーハフレームＦを保持
する。
【００３８】ウェーハシート貼着装置１３８とウェーハ
シート切断装置１４０とは、走行体１３４に設けられて
いる。ウェーハシート貼着装置１３８は、帯状のウェー
ハシートＳが巻回されたウェーハシート供給ロール１４
４と、そのウェーハシート供給ロール１４４から繰り出
されたウェーハシートＳを巻き取るウェーハシート巻取
ロール１４６と、ウェーハシートＳをウェーハ２６とウ
ェーハフレームＦの上面に押し付けて貼着するウェーハ
シート押圧ローラ１４８とから構成されている。一方、
ウェーハシート切断装置１４０は、回転及び上下動自在
な切断アーム１５０と、その切断アーム１５０の先端部
に設けられたカッター１５２とから構成されている。
【００３９】マウント部１０８の作用について説明する
と、ウェーハフレーム受取位置に位置したマウント部１
０８に、ウェーハフレーム供給部１１０からウェーハフ
レームＦが供給され、このウェーハフレームＦがホルダ
１３６に載置される。
【００４０】ホルダ１３６にウェーハフレームＦが載置
されると、走行体１３４が図６上二点鎖線で示すマウン
ト位置に移動する。この状態において、ホルダ１３６に
保持されたウェーハフレームＦは、チャックテーブル１
２８に保持されたウェーハ２６の中心と一致する。
【００４１】次に、チャックテーブル１２８が、エアシ
リンダ装置のピストン１５４の伸長動作によって上昇
し、所定の貼着位置に移動する。この状態において、ウ
ェーハ２６の裏面（上面）は、ウェーハフレームＦの上
面と同一面上に位置する。
【００４２】次に、ウェーハシート押圧ローラ１４８が
所定量下降して、ウェーハシートＳをウェーハフレーム
Ｆに押し付ける。そして、ウェーハフレームＦの上面に
沿って走行し、ウェーハ２６とウェーハフレームＦの上
面にウェーハシートＳを貼着する。
【００４３】次に、切断アーム１５０が所定量下降して
カッター１５２の先端部をウェーハフレームＦの上面に
押し当て、軸１５１を中心に回転する。これにより、ウ
ェーハフレームＦに貼着されたウェーハシートＳの余分
な外周部がカッター１５２によって切除される。
【００４４】ウェーハシートＳが切除されると、切断ア
ーム１５０が所定量上昇する。また、ウェーハシート押
圧ローラ１４８が元の位置に復帰する。そして、ウェー
ハシート巻取ロール１４６が駆動されて、切除された余
分なウェーハシートＳがウェーハシート巻取ロール１４
６に巻き取られる。また、チャックテーブル１２８は、
ウェーハ２６の吸着を解除したのち、所定量下降して所
定の待機位置に移動する。
【００４５】以上一連の動作でウェーハ２６のマウント
処理が終了する。マウント処理の終了後、走行体１３４
は、ウェーハフレーム受取位置に復帰する。
【００４６】ウェーハフレーム供給部１１０は、ウェー
ハフレームＦをウェーハフレーム受取位置に位置したマ
ウント部１０８のホルダ１３６にウェーハフレームＦを
供給する。このウェーハフレーム供給部１１０は、図５
に示すようにウェーハフレームストッカ１５６とウェー
ハフレーム供給ロボット（不図示）とから構成されてい
る。ウェーハフレームストッカ１５６は、ウェーハフレ
ームＦを複数枚積層した状態で収納し、このウェーハフ
レームストッカ１５６に収納されたウェーハフレームＦ
を図示しないウェーハフレーム供給ロボットがウェーハ
フレーム受取位置に位置したマウント部１０８のホルダ
１３６に搬送する。
【００４７】保護テープ剥離部１１２は、ウェーハフレ
ームＦにマウントされたウェーハ２６の表面から保護テ
ープＴを剥離する。この保護テープ剥離部１１２は、図
７に示すように、粘着テープ供給ロール１５８から接着
面を下側にして繰り出された粘着テープ１６０を粘着テ
ープ押圧ローラ１６２によってウェーハ２６の表面に貼
り付け、粘着テープ巻取ロール１６４で巻き取ることに
より、ウェーハ２６の表面から保護テープＴを剥離す
る。
【００４８】図５に示す洗浄装置１１４は、保護テープ
Ｔが剥離されたウェーハ２６の表面をジェットスクラブ
洗浄する。すなわち、ウェーハ２６を洗浄槽内に設置さ
れたターンテーブル上で吸着保持し、回転させながら洗
浄液を噴射してリンス洗浄する。次いで、回転するウェ
ーハ２６の表面に回転するブラシを押し当ててスクラブ
洗浄し、その後、ウェーハ２６を回転させながら洗浄液
を低圧で噴射して低圧ジェット洗浄する。次いで、ウェ
ーハ２６を回転させながら洗浄液を噴射してリンス洗浄
し、最後にウェーハ２６を回転させながらエアを噴射し
てスピン乾燥させる。
【００４９】ウェーハフレーム置台１１６には、ウェー
ハ２６がマウントされたウェーハフレームＦを多数枚格
納することができるウェーハフレームカセット１６６が
セットされる。
【００５０】搬送ロボット１１８は、ウェーハフレーム
受取位置に位置したマウント部１０８のホルダ１３６か
らウェーハフレームＦを取り上げ、反転させたのち、保
護テープ剥離部１１２に搬送する。この搬送ロボット１
１８は、汎用の産業用ロボットであり、その詳細な構造
は周知であるので、ここでは説明を省略する。
【００５１】搬送ロボット１２０は、保護テープ剥離部
１１２から洗浄装置１１４にウェーハフレームＦを搬送
するとともに、洗浄装置１１４からウェーハフレームＦ
を回収し、ウェーハフレーム置台１１６上にセットされ
たウェーハフレームカセット１６６にウェーハフレーム
Ｆを収納する。この搬送ロボット１２０も、前記搬送ロ
ボット１１８と同様に汎用の産業用ロボットである。
【００５２】以上の説明の如く、実施の形態のウェーハ
平面加工装置１は、バックグラインダ１０、マウント部
１０８、及び保護テープ剥離部１１２を有し、ウェーハ
２６をバックグラインダ１０からマウント部１０８に搬
送する搬送アーム６６、そして、マウント部１０８から
保護テープ剥離部１１２に搬送する搬送ロボット１１８
を設けることにより、裏面研削加工、ウェーハフレーム
貼着、及び保護テープ剥離の一連の処理工程をインライ
ンシステム化したウェーハ平面加工装置である。
【００５３】そして、実施の形態のウェーハ平面加工装
置１は、バックグラインダ１０とマウント部１０８との
間に、裏面研削加工後のウェーハ２６の厚みを静電容量
センサ９２で測定する厚み測定装置を設けたので、裏面
研削加工、ウェーハ厚み測定、フレーム貼着、及び保護
テープ剥離の一連の処理工程をインラインシステム化で
きる。
【００５４】また、実施の形態のウェーハ平面加工装置
１は、静電容量センサ９２で測定されたウェーハ２６の
厚みが、規定値よりも厚い場合に、そのウェーハ２６
を、搬送アーム６６の吸着パッド６８に吸着してチャッ
クテーブル４８に戻し、再研削加工するので、ウェーハ
の歩留りの低下を防止できる。
【００５５】なお、実施の形態では、ウェーハ厚み測定
手段として静電容量センサ９２を適用したが、ウェーハ
２６の厚みを測定可能な手段であれば適用できる。ま
た、ウェーハ２６に対して静電容量センサ９２を移動さ
せて厚みを測定するようにしたが、静電容量センサ９２
を固定し、その上方でウェーハを搬送アーム６６で搬送
中に厚みを測定するようにしてもよい。
【００５６】更に、ウェーハ検査手段として厚み測定装
置を適用したが、これに限定されるものではなく、ウェ
ーハの割れ欠けを撮像し検査するカメラを備えた外観検
査装置を適用してもよく、これらを併設してもよい。ま
た、外観検査装置に代えて、ウェーハ２６の外観を目視
にて検査可能な窓等をウェーハ平面加工装置１に設けて
もよい。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ平面加工装置によれば、加工部、フレーム貼着部、及
び保護テープ剥離部を有し、ウェーハを加工部からフレ
ーム貼着部に、そして、フレーム貼着部から保護テープ
剥離部に搬送する搬送手段を設けることによりウェーハ
加工、フレーム貼着、及び保護テープ剥離の一連の処理
工程をインラインシステム化したウェーハ平面加工装置
において、前記加工部と前記フレーム貼着部との間に、
加工後のウェーハを検査するウェーハ検査手段を設けた
ので、ウェーハ加工、ウェーハ検査、フレーム貼着、及
び保護テープ剥離の一連の処理工程をインラインシステ
ム化できる。
【００５８】また、本発明によれば、加工部で加工後の
ウェーハを搬送手段でウェーハ検査手段に搬送し、ウェ
ーハ検査手段で検査終了したウェーハを検査結果に基づ
き、良品と判断されたウェーハを搬送手段でフレーム貼
着部に搬送し、一方で、不良品と判断されたウェーハを
搬送手段で前記加工部に返送し再加工するので、ウェー
ハの歩留りの低下を防止できる。
【００５９】更に、本発明によれば、ウェーハ検査手段
は、ウェーハの厚みを測定する厚み測定手段、又はウェ
ーハの割れ欠け等の外観を検査する外観検査手段であ
り、厚み測定手段で測定された厚みが規定の厚みに満た
ないウェーハを搬送手段で加工部に返送し再研削加工す
るので、ウェーハの歩留りの低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハ平面
加工装置の平面図
【図２】図１に示したバックグラインダの構造を示す斜
視図
【図３】図２に示したバックグラインダの構造を示す平
面図
【図４】バックグラインダの洗浄・厚み測定ステージの
構造を示す説明図
【図５】図１に示したウェーハ処理装置の構造を示す平
面図
【図６】図５に示したウェーハ処理装置のマウント部の
構造を示す側面図
【図７】図５に示したウェーハ処理装置の保護テープ剥
離部の構造を示す側面図
【符号の説明】
１…ウェーハ平面加工装置、１０…バックグラインダ、
１４…カセット収納ステージ、１６…アライメントステ
ージ、１８…粗研削ステージ、２０…仕上げ研削ステー
ジ、２２…洗浄・厚み測定ステージ、２４…カセット、
２６…ウェーハ、４８、５２、５４…チャックテーブ
ル、５０…ターンテーブル、９２…静電容量センサ、９
４…送りねじ装置、９６…ＵＶ照射装置、１００…ウェ
ーハ処理装置、１０６…ウェーハ供給部、１０８…マウ
ント部、１１０…ウェーハフレーム供給部、１１２…保
護テープ剥離部、１１４…洗浄装置、１１６…ウェーハ
フレーム置台、１１８、１２０…搬送ロボット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｂ 7/10 Ｂ２４Ｂ 7/10 Ｚ 49/02 49/02 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ Ｐ 21/68 21/68 Ｎ // Ｂ２４Ｂ 37/04 Ｂ２４Ｂ 37/04 Ｚ Ｆターム(参考） 3C034 AA07 CA03 CB01 DD01 3C043 BA04 BA09 BB13 CC04 CC11 DD11 3C058 AA04 AA18 AB03 AB08 AC02 CB03 DA17 4M106 AA01 CA38 CA48 DG08 DH03 DJ02 5F031 CA02 DA15 MA33 MA37 MA38

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハの一方面に貼着された保護テー
    プを介してウェーハを保持し該ウェーハの他方面を加工
    する加工部と、該加工されたウェーハの他方面にシート
    を介してフレームを貼着するフレーム貼着部と、該フレ
    ームが貼着されたウェーハの前記保護テープを剥離除去
    する剥離部と、前記加工部から前記フレーム貼着部にウ
    ェーハを搬送するとともに該フレーム貼着部から前記剥
    離部にウェーハを搬送する搬送手段とを備えたウェーハ
    平面加工装置において、 前記加工部と前記フレーム貼着部との間に、加工後のウ
    ェーハを検査するウェーハ検査手段を設けたことを特徴
    とするウェーハ平面加工装置。
  2. 【請求項２】 前記ウェーハ平面加工装置は、前記加工
    部で加工後のウェーハを前記搬送手段で前記ウェーハ検
    査手段に搬送し、ウェーハ検査手段で検査終了したウェ
    ーハを検査結果に基づいて前記搬送手段で前記フレーム
    貼着部に搬送、又は前記加工部に返送し再加工すること
    を特徴とする請求項１に記載のウェーハ平面加工装置。
  3. 【請求項３】 前記ウェーハ検査手段は、ウェーハの厚
    みを測定する厚み測定手段、又はウェーハの割れ欠け等
    の外観を検査する外観検査手段であり、前記厚み測定手
    段で測定された厚みが規定の厚みに満たないウェーハを
    前記搬送手段で前記加工部に返送し再研削加工すること
    を特徴とする請求項１、又は２に記載のウェーハ平面加
    工装置。
JP2001150637A 2001-05-21 2001-05-21 ウェーハ平面加工装置 Pending JP2002343756A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001150637A JP2002343756A (ja) 2001-05-21 2001-05-21 ウェーハ平面加工装置
KR1020020027849A KR20020089180A (ko) 2001-05-21 2002-05-20 웨이퍼 평면가공장치
US10/147,803 US6863590B2 (en) 2001-05-21 2002-05-20 Wafer planarization apparatus
SG200203058A SG95694A1 (en) 2001-05-21 2002-05-21 Wafer planarization apparatus
EP02011208A EP1263026B1 (en) 2001-05-21 2002-05-21 Wafer planarization apparatus
DE60213710T DE60213710T2 (de) 2001-05-21 2002-05-21 Waferplanarisierungsvorrichtung
MYPI20021857A MY131229A (en) 2001-05-21 2002-05-21 Wafer planarization apparatus
TW091110660A TWI253969B (en) 2001-05-21 2002-05-21 Wafer planarization apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001150637A JP2002343756A (ja) 2001-05-21 2001-05-21 ウェーハ平面加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002343756A true JP2002343756A (ja) 2002-11-29

Family

ID=18995623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001150637A Pending JP2002343756A (ja) 2001-05-21 2001-05-21 ウェーハ平面加工装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6863590B2 (ja)
EP (1) EP1263026B1 (ja)
JP (1) JP2002343756A (ja)
KR (1) KR20020089180A (ja)
DE (1) DE60213710T2 (ja)
MY (1) MY131229A (ja)
SG (1) SG95694A1 (ja)
TW (1) TWI253969B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006123509A1 (ja) * 2005-05-19 2006-11-23 Lintec Corporation 貼付装置
JP2007158114A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離手段及び剥離装置
US7490650B2 (en) 2006-06-05 2009-02-17 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Workpiece processing device
US7563643B2 (en) 2006-02-13 2009-07-21 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer processing apparatus
JP2009262239A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及び板状物の厚み算出方法
JP2010005717A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2010050265A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの搬送用パッド
JP2010247311A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の研削方法
JP2012006090A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Disco Corp 研削加工装置
JP2012151275A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし装置および研削加工装置
JP2013131537A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Disco Abrasive Syst Ltd 板状ワークの割れ判断方法
KR101350062B1 (ko) * 2006-07-31 2014-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 마운트 장치
JP2019093474A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR20200039008A (ko) 2017-08-28 2020-04-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR20200101977A (ko) 2018-01-09 2020-08-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 세정 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102204769B1 (ko) * 2019-11-02 2021-01-19 주식회사 윈텍오토메이션 초경인서트 제품 연삭을 위한 핸들러 장치
KR20230021595A (ko) 2021-08-05 2023-02-14 가부시기가이샤 디스코 기판 처리 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209080A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ保護部材及び半導体ウェーハの研削方法
US6944517B2 (en) * 2003-07-03 2005-09-13 Brooks Automation, Inc. Substrate apparatus calibration and synchronization procedure
CN1299336C (zh) * 2003-07-29 2007-02-07 南茂科技股份有限公司 晶圆背面研磨工艺
WO2006008829A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法
KR101282699B1 (ko) * 2005-08-11 2013-07-05 린텍 가부시키가이샤 시트 첩부 장치 및 첩부 방법
JP4836557B2 (ja) 2005-11-25 2011-12-14 株式会社東京精密 ダイシングテープ貼付装置およびダイシングテープ貼付方法
JP4953764B2 (ja) * 2005-11-29 2012-06-13 株式会社東京精密 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置
JP5008999B2 (ja) * 2007-02-06 2012-08-22 リンテック株式会社 ダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
JP4746002B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
JP4964070B2 (ja) * 2007-09-10 2012-06-27 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP4851414B2 (ja) * 2007-10-04 2012-01-11 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
JP5639958B2 (ja) 2011-05-27 2014-12-10 日東電工株式会社 半導体ウエハマウント方法および半導体ウエハマウント装置
KR101838109B1 (ko) * 2011-12-06 2018-03-14 삼성전자주식회사 컨택터 및 이를 포함하는 반도체 테스트 장치
US8834662B2 (en) * 2012-03-22 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of separating wafer from carrier
US9355882B2 (en) * 2013-12-04 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transfer module for bowed wafers
KR102559647B1 (ko) * 2016-08-12 2023-07-25 삼성디스플레이 주식회사 기판 연마 시스템 및 기판 연마 방법
JP6754272B2 (ja) * 2016-10-24 2020-09-09 株式会社ディスコ 研削装置
JP6968201B2 (ja) * 2017-12-22 2021-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
EP3816613A4 (en) * 2018-06-29 2021-08-18 Koh Young Technology Inc DEFLECTOR APPARATUS AND OBJECT TEST METHOD USING THE SAME
CN112008595A (zh) * 2020-09-02 2020-12-01 珠海市中芯集成电路有限公司 一种晶圆研磨装置及研磨方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5336319A (en) * 1992-05-26 1994-08-09 Xerox Corporation Apparatus for applying an adhesive layer to a substrate surface
JP3058093B2 (ja) * 1996-08-29 2000-07-04 松下電器産業株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
JPH1092657A (ja) * 1996-09-09 1998-04-10 Kenwood Corp 薄膜チップ部品及びその製造方法
US5830565A (en) 1996-11-08 1998-11-03 W. L. Gore & Associates, Inc. High planarity and low thermal coefficient of expansion base for semi-conductor reliability screening
EP0848417B1 (en) 1996-12-13 2004-09-08 International Business Machines Corporation Improvements to the chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6075375A (en) 1997-06-11 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer detection
KR100253085B1 (ko) * 1997-07-10 2000-04-15 윤종용 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법
JPH11111671A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Hitachi Ltd 半導体処理装置および半導体装置の製造方法
JPH11161916A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Fuji Elelctrochem Co Ltd 磁気ヘッド製造方法
US5974903A (en) 1998-01-08 1999-11-02 Intel Corporation Method and apparatus for in situ visual inspection of die products in tape and reel shipping medium
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
EP0999013B1 (en) * 1998-04-28 2007-09-26 Ebara Corporation Polishing grinding wheel and substrate polishing method with this grinding wheel
JP3410371B2 (ja) * 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
JP2000254857A (ja) * 1999-01-06 2000-09-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
JP2000331963A (ja) 1999-05-21 2000-11-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置
JP3675237B2 (ja) * 1999-07-09 2005-07-27 株式会社東京精密 平面加工装置
JP3348700B2 (ja) * 1999-08-19 2002-11-20 株式会社東京精密 エッチング装置
JP3368876B2 (ja) * 1999-11-05 2003-01-20 株式会社東京精密 半導体チップ製造方法
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3916375B2 (ja) * 2000-06-02 2007-05-16 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法および装置
US6626736B2 (en) * 2000-06-30 2003-09-30 Ebara Corporation Polishing apparatus

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006123509A1 (ja) * 2005-05-19 2006-11-23 Lintec Corporation 貼付装置
JP2007158114A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離手段及び剥離装置
JP4668052B2 (ja) * 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
US7563643B2 (en) 2006-02-13 2009-07-21 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer processing apparatus
US7490650B2 (en) 2006-06-05 2009-02-17 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Workpiece processing device
KR101350062B1 (ko) * 2006-07-31 2014-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 마운트 장치
JP2009262239A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及び板状物の厚み算出方法
JP2010005717A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2010050265A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの搬送用パッド
JP2010247311A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の研削方法
JP2012006090A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Disco Corp 研削加工装置
JP2012151275A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし装置および研削加工装置
JP2013131537A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Disco Abrasive Syst Ltd 板状ワークの割れ判断方法
KR20200039008A (ko) 2017-08-28 2020-04-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP2021170659A (ja) * 2017-08-28 2021-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、および基板処理方法
JP7133686B2 (ja) 2017-08-28 2022-09-08 リンテック株式会社 基板処理システム、および基板処理方法
KR20240038173A (ko) 2017-08-28 2024-03-22 린텍 가부시키가이샤 마운트 장치 및 마운트 방법
JP2019093474A (ja) * 2017-11-22 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP7071818B2 (ja) 2017-11-22 2022-05-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR20200101977A (ko) 2018-01-09 2020-08-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정 장치, 세정 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102204769B1 (ko) * 2019-11-02 2021-01-19 주식회사 윈텍오토메이션 초경인서트 제품 연삭을 위한 핸들러 장치
WO2021085706A1 (ko) * 2019-11-02 2021-05-06 주식회사 윈텍오토메이션 초경인서트 제품 연삭을 위한 핸들러 장치
KR20230021595A (ko) 2021-08-05 2023-02-14 가부시기가이샤 디스코 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
SG95694A1 (en) 2003-04-23
TWI253969B (en) 2006-05-01
DE60213710D1 (de) 2006-09-21
US6863590B2 (en) 2005-03-08
MY131229A (en) 2007-07-31
EP1263026A2 (en) 2002-12-04
DE60213710T2 (de) 2006-12-14
US20020173229A1 (en) 2002-11-21
KR20020089180A (ko) 2002-11-29
EP1263026B1 (en) 2006-08-09
EP1263026A3 (en) 2004-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002343756A (ja) ウェーハ平面加工装置
JP2007235069A (ja) ウェーハ加工方法
JP4980140B2 (ja) ウェーハの研削加工方法
JP2007214457A (ja) ウェーハ加工装置及び方法
JP2007235068A (ja) ウェーハ加工方法
JP2008155292A (ja) 基板の加工方法および加工装置
JP7042944B2 (ja) 搬送装置、および基板処理システム
JP5137747B2 (ja) ワーク保持機構
JP3348700B2 (ja) エッチング装置
JP7133686B2 (ja) 基板処理システム、および基板処理方法
JP5184242B2 (ja) 半導体ウエーハの加工装置
JP5101267B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4916995B2 (ja) ウェーハの洗浄装置および研削装置
JP2001284303A (ja) 研削装置
JP4850666B2 (ja) ウエーハの加工装置
JP2011125988A (ja) 研削装置
JP4235458B2 (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP6166556B2 (ja) 研削方法
JP2010010267A (ja) 半導体ウエーハの加工装置
JP2023047613A (ja) ウェーハの研削方法
KR20240040628A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2019021674A (ja) 基板処理システム、および基板処理方法
JP2000077362A (ja) ダイシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050801

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060519

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060710

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20060804