JP2001284303A - 研削装置 - Google Patents
研削装置Info
- Publication number
- JP2001284303A JP2001284303A JP2000091880A JP2000091880A JP2001284303A JP 2001284303 A JP2001284303 A JP 2001284303A JP 2000091880 A JP2000091880 A JP 2000091880A JP 2000091880 A JP2000091880 A JP 2000091880A JP 2001284303 A JP2001284303 A JP 2001284303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- chuck table
- grinding
- semiconductor wafer
- cassette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ等の板状物を研削する研削装
置において、生産性を良好にすると共に、板状物から保
護部材が剥離することなく安全に研削できるようにす
る。 【解決手段】 研削装置の位置合わせ手段３とチャック
テーブル４との間に紫外線照射手段７を配設する。カセ
ット１内に収容されている板状物Ｗを搬出手段２により
搬出すると共に、位置合わせ手段３に搬送して中心位置
合わせをする。この後、搬入手段５により板状物Ｗを吸
着して紫外線照射手段７の真上に位置付けて一旦停止さ
せ、板状物Ｗに貼着された保護部材に紫外線を照射した
後チャックテーブル４に搬入する。チャックテーブル４
はターンテーブル８の回転によって板状物Ｗを研削手段
９に送り込んで研削する。研削済みの板状物Ｗは、洗浄
手段１３により洗浄された後カセット１内に収容され
る。
置において、生産性を良好にすると共に、板状物から保
護部材が剥離することなく安全に研削できるようにす
る。 【解決手段】 研削装置の位置合わせ手段３とチャック
テーブル４との間に紫外線照射手段７を配設する。カセ
ット１内に収容されている板状物Ｗを搬出手段２により
搬出すると共に、位置合わせ手段３に搬送して中心位置
合わせをする。この後、搬入手段５により板状物Ｗを吸
着して紫外線照射手段７の真上に位置付けて一旦停止さ
せ、板状物Ｗに貼着された保護部材に紫外線を照射した
後チャックテーブル４に搬入する。チャックテーブル４
はターンテーブル８の回転によって板状物Ｗを研削手段
９に送り込んで研削する。研削済みの板状物Ｗは、洗浄
手段１３により洗浄された後カセット１内に収容され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の板状物を研削する研削装置に関する。
の板状物を研削する研削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面に複数の回路が形成された半
導体ウェーハは、その裏面を研削装置によって研削する
ことにより所要の厚さに形成されている。研削装置によ
って半導体ウェーハの裏面を研削するには、半導体ウェ
ーハの表面がチャックテーブルに保持されることから、
微細な回路が損傷しないように表面には粘着テープ等の
保護部材が貼着される。そして、保護部材の貼着された
面がチャックテーブルに吸引保持された状態で、半導体
ウェーハの裏面が研削装置の研削ホイールによって研削
される。しかし、保護部材の粘着層は比較的軟らかく半
導体ウェーハの裏面を研削している間に半導体ウェーハ
が保護部材上で踊り割れるという問題がある。特に、半
導体ウェーハの表面にバンプと称する５０μｍ〜１００
μｍの突起端子が複数形成されている場合には、その突
起端子に応力が集中して半導体ウェーハが割れる頻度が
著しく高くなる。そこで、紫外線を照射することによっ
て硬化するＵＶ硬化性粘着剤を粘着層として使用した粘
着テープ（保護部材）を半導体ウェーハの表面に貼着
し、バンプ等の凹凸が粘着層に充分埋没した状態でテー
プに紫外線を照射して粘着層を適宜硬化させ、凹凸の影
響をなくすと共に半導体ウェーハが保護部材上で踊らな
いようにして半導体ウェーハの裏面を研削する技術が提
案されている。
導体ウェーハは、その裏面を研削装置によって研削する
ことにより所要の厚さに形成されている。研削装置によ
って半導体ウェーハの裏面を研削するには、半導体ウェ
ーハの表面がチャックテーブルに保持されることから、
微細な回路が損傷しないように表面には粘着テープ等の
保護部材が貼着される。そして、保護部材の貼着された
面がチャックテーブルに吸引保持された状態で、半導体
ウェーハの裏面が研削装置の研削ホイールによって研削
される。しかし、保護部材の粘着層は比較的軟らかく半
導体ウェーハの裏面を研削している間に半導体ウェーハ
が保護部材上で踊り割れるという問題がある。特に、半
導体ウェーハの表面にバンプと称する５０μｍ〜１００
μｍの突起端子が複数形成されている場合には、その突
起端子に応力が集中して半導体ウェーハが割れる頻度が
著しく高くなる。そこで、紫外線を照射することによっ
て硬化するＵＶ硬化性粘着剤を粘着層として使用した粘
着テープ（保護部材）を半導体ウェーハの表面に貼着
し、バンプ等の凹凸が粘着層に充分埋没した状態でテー
プに紫外線を照射して粘着層を適宜硬化させ、凹凸の影
響をなくすと共に半導体ウェーハが保護部材上で踊らな
いようにして半導体ウェーハの裏面を研削する技術が提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術を実施するためには、半導体ウェーハに保護部材を
貼着してから研削装置に至るまでの間に、半導体ウェー
ハに貼着された保護部材に紫外線を照射する紫外線照射
工程を遂行する必要があり、生産性が低下するという問
題がある。又、特に「自動的にカセット内から半導体ウ
ェーハを搬出し、チャックテーブルに搬入して研削を遂
行する研削装置」においては、前記技術を使用すること
が困難であるという問題がある。即ち、ＵＶ硬化性粘着
剤に紫外線を照射すると、硬度は高くなるが粘着力は経
時的に低下することから、保護部材に予め紫外線を照射
して粘着層を硬化した状態で半導体ウエーハをカセット
内に収容しておくと、チャックテーブルに至る前に保護
部材が半導体ウェーハの表面から剥離する危険があるか
らである。従って、「紫外線を照射することによって硬
化するＵＶ硬化性粘着剤を粘着層として使用した保護部
材を半導体ウェーハの表面に貼着し、バンプ等の凹凸が
粘着層に充分埋没した状態でテープに紫外線を照射して
粘着層を適宜硬化させ、凹凸の影響をなくすと共に半導
体ウェーハが保護部材上で踊らないようにして半導体ウ
ェーハの裏面を研削する技術」を、生産性良く安全に使
いこなせる研削装置に解決しなければならない課題があ
る。
技術を実施するためには、半導体ウェーハに保護部材を
貼着してから研削装置に至るまでの間に、半導体ウェー
ハに貼着された保護部材に紫外線を照射する紫外線照射
工程を遂行する必要があり、生産性が低下するという問
題がある。又、特に「自動的にカセット内から半導体ウ
ェーハを搬出し、チャックテーブルに搬入して研削を遂
行する研削装置」においては、前記技術を使用すること
が困難であるという問題がある。即ち、ＵＶ硬化性粘着
剤に紫外線を照射すると、硬度は高くなるが粘着力は経
時的に低下することから、保護部材に予め紫外線を照射
して粘着層を硬化した状態で半導体ウエーハをカセット
内に収容しておくと、チャックテーブルに至る前に保護
部材が半導体ウェーハの表面から剥離する危険があるか
らである。従って、「紫外線を照射することによって硬
化するＵＶ硬化性粘着剤を粘着層として使用した保護部
材を半導体ウェーハの表面に貼着し、バンプ等の凹凸が
粘着層に充分埋没した状態でテープに紫外線を照射して
粘着層を適宜硬化させ、凹凸の影響をなくすと共に半導
体ウェーハが保護部材上で踊らないようにして半導体ウ
ェーハの裏面を研削する技術」を、生産性良く安全に使
いこなせる研削装置に解決しなければならない課題があ
る。
【０００４】本発明は、半導体ウェーハ等の板状物を研
削する研削装置であって、生産性を低下させることがな
いと共に、板状物から保護部材が剥離することなく安全
に板状物を研削できるようにした研削装置を提供するこ
とを目的とする。
削する研削装置であって、生産性を低下させることがな
いと共に、板状物から保護部材が剥離することなく安全
に板状物を研削できるようにした研削装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の具体的手段として，本発明は，板状物を保持するチャ
ックテーブルと、このチャックテーブルに保持された板
状物を研削する研削手段と、を少なくとも含む研削装置
であって、この研削装置の所要位置には紫外線を照射す
る紫外線照射手段が配設されている研削装置を要旨とす
る。又，この研削装置には研削前の板状物を収容するカ
セットが載置されるカセット載置領域と、このカセット
載置領域に載置されたカセット内から板状物を搬出する
搬出手段と、この搬出手段によって搬出された板状物を
支持しこの板状物の位置合わせを行う位置合わせ手段
と、この位置合わせ手段によって位置合わせされた板状
物を前記チャックテーブルに搬入する搬入手段と、が配
設されており、前記紫外線照射手段は、カセット載置領
域からチャックテーブルの間における所要位置に配設さ
れること、研削済み板状物を前記チャックテーブルから
取り出す取出手段と、この取出手段によって取り出され
た板状物を洗浄する洗浄手段と、この洗浄手段によって
洗浄された板状物をカセット内に収容する収容手段と、
が更に配設されること，前記紫外線照射手段は、位置合
わせ手段とチャックテーブルとの間であって、搬入手段
の搬送経路内に配設されること，前記板状物は半導体ウ
ェーハであり、この半導体ウェーハの表面には紫外線を
照射することによって硬化するＵＶ硬化性粘着層が敷設
された保護部材が貼着されていて、紫外線照射手段によ
って保護部材に紫外線が照射され、ＵＶ硬化性粘着層が
硬化した後にチャックテーブルに半導体ウェーハの保護
部材側が保持されること，前記半導体ウェーハの表面に
はバンプが配設されていること，を特徴とするものであ
る。
の具体的手段として，本発明は，板状物を保持するチャ
ックテーブルと、このチャックテーブルに保持された板
状物を研削する研削手段と、を少なくとも含む研削装置
であって、この研削装置の所要位置には紫外線を照射す
る紫外線照射手段が配設されている研削装置を要旨とす
る。又，この研削装置には研削前の板状物を収容するカ
セットが載置されるカセット載置領域と、このカセット
載置領域に載置されたカセット内から板状物を搬出する
搬出手段と、この搬出手段によって搬出された板状物を
支持しこの板状物の位置合わせを行う位置合わせ手段
と、この位置合わせ手段によって位置合わせされた板状
物を前記チャックテーブルに搬入する搬入手段と、が配
設されており、前記紫外線照射手段は、カセット載置領
域からチャックテーブルの間における所要位置に配設さ
れること、研削済み板状物を前記チャックテーブルから
取り出す取出手段と、この取出手段によって取り出され
た板状物を洗浄する洗浄手段と、この洗浄手段によって
洗浄された板状物をカセット内に収容する収容手段と、
が更に配設されること，前記紫外線照射手段は、位置合
わせ手段とチャックテーブルとの間であって、搬入手段
の搬送経路内に配設されること，前記板状物は半導体ウ
ェーハであり、この半導体ウェーハの表面には紫外線を
照射することによって硬化するＵＶ硬化性粘着層が敷設
された保護部材が貼着されていて、紫外線照射手段によ
って保護部材に紫外線が照射され、ＵＶ硬化性粘着層が
硬化した後にチャックテーブルに半導体ウェーハの保護
部材側が保持されること，前記半導体ウェーハの表面に
はバンプが配設されていること，を特徴とするものであ
る。
【０００６】本発明では，研削装置の所要位置に紫外線
照射手段を配設し，チャックテーブルに半導体ウェーハ
等の板状物を搬入する前に保護部材のＵＶ硬化性粘着層
を硬化させることで，紫外線照射工程を独立して設ける
必要がなく，生産性が良好となる。又，保護部材に予め
紫外線を照射しておく必要がないことから，板状物から
保護部材が剥離する危険がなく，板状物を安全に研削す
ることができる。
照射手段を配設し，チャックテーブルに半導体ウェーハ
等の板状物を搬入する前に保護部材のＵＶ硬化性粘着層
を硬化させることで，紫外線照射工程を独立して設ける
必要がなく，生産性が良好となる。又，保護部材に予め
紫外線を照射しておく必要がないことから，板状物から
保護部材が剥離する危険がなく，板状物を安全に研削す
ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に，本発明に係る研削装置の実
施形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明の
研削装置の一例を示すもので、研削前の板状物Ｗを収容
するカセット１が載置されるカセット載置領域Ｒと、こ
のカセット載置領域Ｒに載置されたカセット１から板状
物Ｗを搬出する搬出手段２と、この搬出手段２によって
搬出された板状物Ｗを支持し板状物の位置合わせを行う
位置合わせ手段３と、この位置合わせ手段３によって位
置合わせされた板状物Ｗをチャックテーブル４に搬入す
る搬入手段５とが配設されている。
施形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明の
研削装置の一例を示すもので、研削前の板状物Ｗを収容
するカセット１が載置されるカセット載置領域Ｒと、こ
のカセット載置領域Ｒに載置されたカセット１から板状
物Ｗを搬出する搬出手段２と、この搬出手段２によって
搬出された板状物Ｗを支持し板状物の位置合わせを行う
位置合わせ手段３と、この位置合わせ手段３によって位
置合わせされた板状物Ｗをチャックテーブル４に搬入す
る搬入手段５とが配設されている。
【０００８】この場合、板状物Ｗは半導体ウェーハであ
って、図２（ａ）のように表面に多数のチップＣが配設
されると共に、図２（ｂ）のように保護部材６が貼着さ
れてチップＣを被覆保護している。保護部材６は、図３
のように合成樹脂製のテープ６ａと、その上に敷設され
たＵＶ硬化性粘着層６ｂとから構成された粘着テープで
あって、ＵＶ硬化性粘着層６ｂを介して板状物Ｗの表面
に貼着される。この時、板状物Ｗの表面に複数形成され
ているバンプＤ（５０μｍ〜１００μｍの突起端子）は
ＵＶ硬化性粘着層６ｂ内に突入する。
って、図２（ａ）のように表面に多数のチップＣが配設
されると共に、図２（ｂ）のように保護部材６が貼着さ
れてチップＣを被覆保護している。保護部材６は、図３
のように合成樹脂製のテープ６ａと、その上に敷設され
たＵＶ硬化性粘着層６ｂとから構成された粘着テープで
あって、ＵＶ硬化性粘着層６ｂを介して板状物Ｗの表面
に貼着される。この時、板状物Ｗの表面に複数形成され
ているバンプＤ（５０μｍ〜１００μｍの突起端子）は
ＵＶ硬化性粘着層６ｂ内に突入する。
【０００９】このように形成された板状物Ｗは、伸縮・
回転自在のアームを有し及び先端把持部が反転可能な前
記搬出手段２によりカセット１内から搬出されると共
に、前記位置合わせ手段３に保護部材６が下になるよう
にして搬送される。位置合わせ手段３は、求心方向に移
動する複数の位置合わせ片３ａを備え、これらの位置合
わせ片３ａによって板状物Ｗの中心を位置合わせ手段３
の中心に合致させる位置合わせを行う。
回転自在のアームを有し及び先端把持部が反転可能な前
記搬出手段２によりカセット１内から搬出されると共
に、前記位置合わせ手段３に保護部材６が下になるよう
にして搬送される。位置合わせ手段３は、求心方向に移
動する複数の位置合わせ片３ａを備え、これらの位置合
わせ片３ａによって板状物Ｗの中心を位置合わせ手段３
の中心に合致させる位置合わせを行う。
【００１０】７は紫外線照射手段であり、前記カセット
載置領域Ｒからチャックテーブル４に至る所要位置、こ
の場合は位置合わせ手段３とチャックテーブル４との間
であって前記搬入手段５の搬送経路内に配設されてい
る。この紫外線照射手段７は、搬入手段５によって板状
物Ｗが位置合わせ手段３からチャックテーブル４に搬送
される途中で、前記保護部材６に紫外線を照射してＵＶ
硬化性粘着層６ｂを適宜硬化させる。
載置領域Ｒからチャックテーブル４に至る所要位置、こ
の場合は位置合わせ手段３とチャックテーブル４との間
であって前記搬入手段５の搬送経路内に配設されてい
る。この紫外線照射手段７は、搬入手段５によって板状
物Ｗが位置合わせ手段３からチャックテーブル４に搬送
される途中で、前記保護部材６に紫外線を照射してＵＶ
硬化性粘着層６ｂを適宜硬化させる。
【００１１】図４のように、搬入手段５は旋回アームを
有し、この旋回アームの先端部に装着された吸着部５ａ
によって、位置合わせ手段３上で位置あわせされた板状
物Ｗの上面つまり板状物Ｗの裏面を吸着し、旋回アーム
を旋回して前記紫外線照射手段７の真上に位置付けて停
止し、その紫外線照射手段７から板状物Ｗの下面即ち保
護部材６に紫外線を照射する。
有し、この旋回アームの先端部に装着された吸着部５ａ
によって、位置合わせ手段３上で位置あわせされた板状
物Ｗの上面つまり板状物Ｗの裏面を吸着し、旋回アーム
を旋回して前記紫外線照射手段７の真上に位置付けて停
止し、その紫外線照射手段７から板状物Ｗの下面即ち保
護部材６に紫外線を照射する。
【００１２】紫外線を照射された保護部材６は、そのＵ
Ｖ硬化性粘着層６ａが適宜硬化する。これにより、前記
半導体ウェーハのバンプＤは、ＵＶ硬化性粘着層６ａ内
に埋没状態で保持される。この紫外線照射工程は、従来
は切削装置とは独立させて設けた紫外線照射装置により
行っていたが、本発明の場合は板状物Ｗを位置合わせ手
段３からチャックテーブル４に搬送する途中で行えるた
め、紫外線照射装置を別途に設ける必要がなくなり、生
産性が良好となる。又、保護部材６に予め紫外線を照射
しておく必要がないことから、板状物Ｗから保護部材６
が剥離する危険がなくなる。
Ｖ硬化性粘着層６ａが適宜硬化する。これにより、前記
半導体ウェーハのバンプＤは、ＵＶ硬化性粘着層６ａ内
に埋没状態で保持される。この紫外線照射工程は、従来
は切削装置とは独立させて設けた紫外線照射装置により
行っていたが、本発明の場合は板状物Ｗを位置合わせ手
段３からチャックテーブル４に搬送する途中で行えるた
め、紫外線照射装置を別途に設ける必要がなくなり、生
産性が良好となる。又、保護部材６に予め紫外線を照射
しておく必要がないことから、板状物Ｗから保護部材６
が剥離する危険がなくなる。
【００１３】紫外線照射後に、前記搬入手段５を更に旋
回させて板状物Ｗを搬入位置に待機しているチャックテ
ーブル４上に搬入し吸引保持させる。チャックテーブル
４は、ターンテーブル８上の円周方向に所定の間隔をあ
けて複数配設されており、いずれも回転可能に形成さ
れ、タールテーブル８の回転によって移動し、搬入位置
から研削手段９に移動する。
回させて板状物Ｗを搬入位置に待機しているチャックテ
ーブル４上に搬入し吸引保持させる。チャックテーブル
４は、ターンテーブル８上の円周方向に所定の間隔をあ
けて複数配設されており、いずれも回転可能に形成さ
れ、タールテーブル８の回転によって移動し、搬入位置
から研削手段９に移動する。
【００１４】研削手段９は、第１の研削ホイール１０と
第２の研削ホイール１１とが並設され、下端部に回転砥
石１０ａ、１１ａがそれぞれ装着され、基台９ａに対し
てそれぞれ上下動可能に形成されている。チャックテー
ブル４上の板状物Ｗは、先ず第１の研削ホイール１０に
位置付けて停止され、その回転砥石１０ａによって上面
つまり半導体ウェーハの裏面が粗研削される。次いで、
第２の研削ホイール１１に位置付けて停止され、その回
転砥石１１ａによって仕上げ研削される。
第２の研削ホイール１１とが並設され、下端部に回転砥
石１０ａ、１１ａがそれぞれ装着され、基台９ａに対し
てそれぞれ上下動可能に形成されている。チャックテー
ブル４上の板状物Ｗは、先ず第１の研削ホイール１０に
位置付けて停止され、その回転砥石１０ａによって上面
つまり半導体ウェーハの裏面が粗研削される。次いで、
第２の研削ホイール１１に位置付けて停止され、その回
転砥石１１ａによって仕上げ研削される。
【００１５】このようにして、板状物Ｗは所定の厚さに
研削されるが、前記のように半導体ウェーハのバンプＤ
がＵＶ硬化性粘着層６ｂに埋没した状態で保持されてい
るため、研削時に凹凸の影響をなくすと共に半導体ウェ
ーハが保護部材６上で踊らない。従って、研削中に板状
物Ｗが割れることはなく、且つ高精度に研削することが
できる。
研削されるが、前記のように半導体ウェーハのバンプＤ
がＵＶ硬化性粘着層６ｂに埋没した状態で保持されてい
るため、研削時に凹凸の影響をなくすと共に半導体ウェ
ーハが保護部材６上で踊らない。従って、研削中に板状
物Ｗが割れることはなく、且つ高精度に研削することが
できる。
【００１６】カセット１内から搬出された板状物Ｗは、
前記のように紫外線照射工程を経て次々とチャックテー
ブル上に搬入されるため、ターンテーブル８がタイミン
グを取りながら研削手段９に順次送り込むことで能率良
く研削される。
前記のように紫外線照射工程を経て次々とチャックテー
ブル上に搬入されるため、ターンテーブル８がタイミン
グを取りながら研削手段９に順次送り込むことで能率良
く研削される。
【００１７】研削終了後、ターンテーブル８が回転して
チャックテーブル４は搬出位置に停止され、チャックテ
ーブル４上の研削済みの板状物Ｗは、取出手段１２によ
って吸着されると共に洗浄手段１３に搬入される。取出
手段１２は、前記搬入手段５の対向位置に配設されてお
り、その構成は搬入手段５と同じであり、この取出手段
１２を設けないで搬入手段５に板状物Ｗの取り出しを兼
用させることも可能である。その場合には、搬入手段５
の旋回アームが回転する経路上に搬出位置及び洗浄手段
１３が位置するように設定する。
チャックテーブル４は搬出位置に停止され、チャックテ
ーブル４上の研削済みの板状物Ｗは、取出手段１２によ
って吸着されると共に洗浄手段１３に搬入される。取出
手段１２は、前記搬入手段５の対向位置に配設されてお
り、その構成は搬入手段５と同じであり、この取出手段
１２を設けないで搬入手段５に板状物Ｗの取り出しを兼
用させることも可能である。その場合には、搬入手段５
の旋回アームが回転する経路上に搬出位置及び洗浄手段
１３が位置するように設定する。
【００１８】洗浄手段１３に搬入された研削済みの板状
物Ｗは、スピン洗浄されると共にスピン乾燥され、前記
取出手段１２（又は搬入手段５）により吸着されて待機
領域Ｔに搬送される。この待機領域Ｔには、前記位置合
わせ手段３と同じ構成のテーブルが対向位置に配設され
ており、このテーブル上で洗浄済みの板状物Ｗの中心位
置合わせが行われる。
物Ｗは、スピン洗浄されると共にスピン乾燥され、前記
取出手段１２（又は搬入手段５）により吸着されて待機
領域Ｔに搬送される。この待機領域Ｔには、前記位置合
わせ手段３と同じ構成のテーブルが対向位置に配設され
ており、このテーブル上で洗浄済みの板状物Ｗの中心位
置合わせが行われる。
【００１９】この後、待機領域Ｔ上の板状物Ｗは収容手
段により前記カセット１内に収容されるが、この収容手
段としては前記搬出手段２に兼用させることができる。
板状物Ｗはカセット１内に収容するほかに、このカセッ
ト１の対向位置に載置された別のカセット１’ 内に収
容することも可能である。更に、カセット載置領域は、
図１に仮想線で示す位置であっても良い。
段により前記カセット１内に収容されるが、この収容手
段としては前記搬出手段２に兼用させることができる。
板状物Ｗはカセット１内に収容するほかに、このカセッ
ト１の対向位置に載置された別のカセット１’ 内に収
容することも可能である。更に、カセット載置領域は、
図１に仮想線で示す位置であっても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、研削装
置の所要位置に紫外線照射手段を配設し、チャックテー
ブルに半導体ウェーハ等の板状物を搬入する直前に、そ
の板状物に貼着された保護部材に紫外線を照射してＵＶ
硬化性粘着層を硬化できるように構成したので、紫外線
照射工程を独立して設ける必要がなく、生産性が著しく
良好となる。又、保護部材に予め紫外線を照射しておく
必要がないことから、板状物から保護部材が剥離する危
険がなく、板状物を安全に研削できる。更に、板状物が
高価な半導体ウェーハであり、殊にバンプが表面に複数
配設された半導体ウェーハである場合には、割れ等の損
傷を生じることなく確実に且つ高精度に研削でき、品質
の安定を図ることができる。
置の所要位置に紫外線照射手段を配設し、チャックテー
ブルに半導体ウェーハ等の板状物を搬入する直前に、そ
の板状物に貼着された保護部材に紫外線を照射してＵＶ
硬化性粘着層を硬化できるように構成したので、紫外線
照射工程を独立して設ける必要がなく、生産性が著しく
良好となる。又、保護部材に予め紫外線を照射しておく
必要がないことから、板状物から保護部材が剥離する危
険がなく、板状物を安全に研削できる。更に、板状物が
高価な半導体ウェーハであり、殊にバンプが表面に複数
配設された半導体ウェーハである場合には、割れ等の損
傷を生じることなく確実に且つ高精度に研削でき、品質
の安定を図ることができる。
【図１】本発明に係る研削装置の実施形態を示す斜視図
【図２】板状物たる半導体ウェーハを示すもので、
（ａ）は平面図、（ｂ）は保護部材を貼着した状態での
平面図
（ａ）は平面図、（ｂ）は保護部材を貼着した状態での
平面図
【図３】保護部材を貼着した半導体ウェーハの一部拡大
断面図
断面図
【図４】搬入手段により板状物を紫外線照射手段に位置
付ける状態を示す説明図
付ける状態を示す説明図
１…カセット ２…搬出手段（収容手段） ３…位置合わせ手段 ４…チャックテーブル ５…搬入手段 ６…保護部材 ６ａ…テープ ６ｂ…ＵＶ硬化性粘着層 ７…紫外線照射手段 ８…ターンテーブル ９…研削手段 １０…第１の研削ホイール １１…第２の研削ホイール １２…取出手段 １３…洗浄手段
Claims (6)
- 【請求項１】板状物を保持するチャックテーブルと、こ
のチャックテーブルに保持された板状物を研削する研削
手段と、を少なくとも含む研削装置であって、この研削
装置の所要位置には紫外線を照射する紫外線照射手段が
配設されている研削装置。 - 【請求項２】前記研削装置には研削前の板状物を収容す
るカセットが載置されるカセット載置領域と、このカセ
ット載置領域に載置されたカセット内から板状物を搬出
する搬出手段と、この搬出手段によって搬出された板状
物を支持しこの板状物の位置合わせを行う位置合わせ手
段と、この位置合わせ手段によって位置合わせされた板
状物を前記チャックテーブルに搬入する搬入手段と、が
配設されており、前記紫外線照射手段は、カセット載置
領域からチャックテーブルの間における所要位置に配設
される請求項１記載の研削装置。 - 【請求項３】研削済み板状物を前記チャックテーブルか
ら取り出す取出手段と、この取出手段によって取り出さ
れた板状物を洗浄する洗浄手段と、この洗浄手段によっ
て洗浄された板状物をカセット内に収容する収容手段
と、が更に配設される請求項２記載の研削装置。 - 【請求項４】前記紫外線照射手段は、位置合わせ手段と
チャックテーブルとの間であって、搬入手段の搬送経路
内に配設される請求項２又は３記載の研削装置。 - 【請求項５】前記板状物は半導体ウェーハであり、この
半導体ウェーハの表面には紫外線を照射することによっ
て硬化するＵＶ硬化性粘着層が敷設された保護部材が貼
着されていて、紫外線照射手段によって保護部材に紫外
線が照射され、ＵＶ硬化性粘着層が硬化した後にチャッ
クテーブルに半導体ウェーハの保護部材側が保持される
請求項１，２，３又は４記載の研削装置。 - 【請求項６】前記半導体ウェーハの表面にはバンプが配
設されている請求項５記載の研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091880A JP2001284303A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091880A JP2001284303A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 研削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284303A true JP2001284303A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18607294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000091880A Pending JP2001284303A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284303A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035756A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
| JP2011029450A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2011124419A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| KR101297848B1 (ko) * | 2011-11-14 | 2013-08-19 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 |
| DE102016203319A1 (de) | 2015-03-03 | 2016-09-08 | Disco Corporation | Schleifrad, schleifvorrichtung und verfahren zum waferschleifen |
| DE102017202041A1 (de) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Disco Corporation | Vorrichtung, die eine transfersteuerung aufweist, die auf einem aufgenommenen bild basiert |
| CN107877352A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-04-06 | 大连理工大学 | 半导体晶片光电化学机械抛光装置 |
| DE102018214078A1 (de) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | Disco Corporation | Schleifvorrichtung |
| DE102018214077A1 (de) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | Disco Corporation | Schleifvorrichtung |
| US10953516B2 (en) | 2017-06-23 | 2021-03-23 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
| DE102022211611A1 (de) | 2021-11-10 | 2023-05-11 | Disco Corporation | Wafererkennungsvorrichtung und waferzuführvorrichtung |
| DE102023201282A1 (de) | 2022-02-24 | 2023-08-24 | Disco Corporation | Transfervorrichtung |
| DE102023209740A1 (de) | 2022-10-14 | 2024-04-25 | Disco Corporation | Wafer-bearbeitungsverfahren |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050642A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物用保護部材及び研磨方法 |
| JPH1092776A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物用保護部材及びウエーハの研磨方法 |
| JPH10209089A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法 |
| JPH1126406A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Lintec Corp | ウエハ研削方法 |
| JPH1167881A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2000021820A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの分割加工方法 |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000091880A patent/JP2001284303A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050642A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物用保護部材及び研磨方法 |
| JPH1092776A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物用保護部材及びウエーハの研磨方法 |
| JPH10209089A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法 |
| JPH1126406A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Lintec Corp | ウエハ研削方法 |
| JPH1167881A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2000021820A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの分割加工方法 |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035756A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
| JP2011029450A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2011124419A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| KR101297848B1 (ko) * | 2011-11-14 | 2013-08-19 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 |
| DE102016203319A1 (de) | 2015-03-03 | 2016-09-08 | Disco Corporation | Schleifrad, schleifvorrichtung und verfahren zum waferschleifen |
| KR20160107116A (ko) | 2015-03-03 | 2016-09-13 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 휠, 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법 |
| US10076825B2 (en) | 2015-03-03 | 2018-09-18 | Disco Corporation | Method of grinding wafer |
| DE102017202041A1 (de) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Disco Corporation | Vorrichtung, die eine transfersteuerung aufweist, die auf einem aufgenommenen bild basiert |
| KR20170095125A (ko) | 2016-02-12 | 2017-08-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 장치 |
| US10482587B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-11-19 | Disco Corporation | Apparatus having transfer control based on imaged image |
| US10953516B2 (en) | 2017-06-23 | 2021-03-23 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
| KR20190021162A (ko) | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 장치 |
| DE102018214077A1 (de) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | Disco Corporation | Schleifvorrichtung |
| KR20190021175A (ko) | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 장치 |
| DE102018214078A1 (de) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | Disco Corporation | Schleifvorrichtung |
| US10896822B2 (en) | 2017-08-22 | 2021-01-19 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
| US11383351B2 (en) | 2017-08-22 | 2022-07-12 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
| CN107877352A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-04-06 | 大连理工大学 | 半导体晶片光电化学机械抛光装置 |
| DE102022211611A1 (de) | 2021-11-10 | 2023-05-11 | Disco Corporation | Wafererkennungsvorrichtung und waferzuführvorrichtung |
| KR20230068295A (ko) | 2021-11-10 | 2023-05-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 검출 장치, 반송 장치, 방법, 프로그램 및 비일시적인 기록 매체 |
| US11923223B2 (en) | 2021-11-10 | 2024-03-05 | Disco Corporation | Apparatus and method for detecting a wafer in a cassette |
| DE102023201282A1 (de) | 2022-02-24 | 2023-08-24 | Disco Corporation | Transfervorrichtung |
| KR20230127150A (ko) | 2022-02-24 | 2023-08-31 | 가부시기가이샤 디스코 | 반송 장치 |
| DE102023209740A1 (de) | 2022-10-14 | 2024-04-25 | Disco Corporation | Wafer-bearbeitungsverfahren |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3865184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002343756A (ja) | ウェーハ平面加工装置 | |
| JP4673195B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP5773660B2 (ja) | 樹脂剥がし装置および研削加工装置 | |
| JP3993918B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001284303A (ja) | 研削装置 | |
| KR101757932B1 (ko) | 웨이퍼 반송 기구 | |
| JP6877207B2 (ja) | ウエーハ加工システム | |
| KR102581316B1 (ko) | 반송 장치, 기판 처리 시스템, 반송 방법 및 기판 처리 방법 | |
| KR100670762B1 (ko) | 웨이퍼 후면 연마 및 테이프 부착 장치 및 방법 | |
| JP2002373870A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
| JP2003209080A (ja) | 半導体ウェーハ保護部材及び半導体ウェーハの研削方法 | |
| TWI709168B (zh) | 晶圓加工系統 | |
| JP5101267B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP7002874B2 (ja) | 基板処理システム | |
| JP2003051473A (ja) | 半導体ウェーハの裏面研削方法 | |
| JP2005086074A (ja) | 半導体ウェーハの移し替え方法 | |
| JP2006054388A (ja) | 被加工物搬送装置，スピンナー洗浄装置，研削装置，被加工物搬送方法 | |
| JP2011060841A (ja) | 研削装置 | |
| JP2003051466A (ja) | 半導体ウエーハのダイシング装置およびダイシング方法 | |
| JP2004082319A (ja) | チップの研削方法及びリングフレーム固定機構 | |
| JP2003077869A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法及びこれに使用される支持基板 | |
| JP2002367933A (ja) | 半導体ウェーハの分離方法 | |
| JPH1092776A (ja) | 被加工物用保護部材及びウエーハの研磨方法 | |
| JP4026680B2 (ja) | 板状物支持部材及びその使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100323 |