KR20240040628A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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마사루 나카무라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 레이저 광선의 조사에 의해 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 발생하지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 수용성 수지를 피복하는 수용성 수지 피복 공정과, 웨이퍼의 이면으로부터 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여, 분할 예정 라인을 따른 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 수용성 수지를 웨이퍼의 표면으로부터 제거하는 수지 제거 공정과, 웨이퍼에 외력을 부여하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WAFER}
본 발명은, 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 연삭 장치에 의해 원하는 두께로 형성된 후, 다이싱 장치, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
레이저 가공 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 레이저 광선 조사 유닛과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 유닛을 상대적으로 가공 이송하는 이송 기구를 포함하여 구성되어 있고, 웨이퍼를 고정밀도로 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있다(예를 들어, 특허문헌 1을 참조).
웨이퍼의 표면에는, 복수의 디바이스를 구성하는 기능층이 적층되어 있기 때문에, 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 레이저 광선은 웨이퍼의 이면으로부터 조사된다. 그리고, 웨이퍼의 표면이 척 테이블에 유지되어 디바이스에 흠집이 생기지 않도록 하는 것에 부가하여, 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 열을 방출하여 디바이스의 전기적 특성이 저하되지 않도록 웨이퍼의 표면에는 보호 테이프가 배치된다.
특허문헌 1: 일본 특허 제3408805호 공보
그러나, 보호 테이프가 표면에 부착된 상태에서, 웨이퍼의 이면으로부터 웨이퍼의 내부에 집광점을 위치시키고 레이저 광선을 조사하여 개질층을 형성하면, 레이저 광선의 누설광이 보호 테이프의 점착층에 조사되어 변질되고, 웨이퍼의 표면에 부착되어 용이하게 제거할 수 없어, 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 발생하였다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 표면이 척 테이블에 유지되어도 디바이스에 흠집이 생기지 않도록 보호하고, 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 디바이스 칩의 전기적 특성을 저하시키는 일이 없도록 함과 함께, 웨이퍼의 이면으로부터 조사된 레이저 광선의 누설광이 보호 테이프의 점착층을 변질시켜 웨이퍼의 표면에 부착하여 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 발생하지 않는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서,
상기 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과,
상기 보호 테이프 측을 척 테이블에 유지하는 유지 공정과,
상기 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박화하는 연삭 공정과,
상기 웨이퍼의 상기 표면으로부터 상기 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 공정과,
상기 웨이퍼의 상기 표면에 수용성 수지를 피복하는 수용성 수지 피복 공정과,
상기 웨이퍼의 상기 이면으로부터 상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 분할 예정 라인에 대응하는 상기 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여, 상기 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
상기 웨이퍼의 상기 이면에 다이싱 테이프를 부착함과 함께, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구를 중앙에 구비한 환형 프레임에 부착하여 상기 다이싱 테이프를 통하여 상기 웨이퍼를 환형 프레임으로 지지하는 프레임 지지 공정과,
상기 수용성 수지를 상기 웨이퍼의 상기 표면으로부터 제거하는 수지 제거 공정과,
상기 웨이퍼에 외력을 부여하여 상기 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정과,
상기 다이싱 테이프로부터 상기 디바이스 칩을 픽업하는 픽업 공정
을 구비한, 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 보호 테이프 배치 공정 전에, 상기 수용성 수지 피복 공정을 실시하고, 상기 보호 테이프 박리 공정에 있어서 상기 수용성 수지가 노출되도록 한다.
바람직하게는, 상기 개질층 형성 공정 전에 상기 프레임 지지 공정을 실시하고, 상기 개질층 형성 공정에 있어서 다이싱 테이프 측으로부터 레이저 광선이 조사한다.
본 발명에 의하면, 수용성 수지에 의해 웨이퍼의 표면의 디바이스가 보호됨과 함께, 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있어, 디바이스의 전기 특성을 저하시킨다는 문제가 없다. 나아가서는, 웨이퍼의 이면 측으로부터 조사된 레이저 광선의 누설광이 웨이퍼의 표면 측에 도달하였다고 해도, 웨이퍼의 표면에는, 점착층이 없는 수용성 수지가 피복되어 있기 때문에, 상기 누설광에 의해 점착층이 변질되어 웨이퍼의 표면에 부착되어 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 해소된다.
도 1은, 보호 테이프 배치 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 2(a)는, 유지 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이고, 도 2(b)는, 연삭 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 3은, 보호 테이프 박리 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 4는, 수용성 수지 피복 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 5(a)는, 개질층 형성 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이고, 도 5(b)는, 도 5(a)에 도시하는 개질층 형성 공정에 있어서의 웨이퍼 일부 확대 단면도이다.
도 6은, 프레임 지지 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 7은, 개질층 형성 공정의 다른 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 8은, 수지 제거 공정의 실시 양태를 도시하는 사시도이다.
도 9(a)는, 분할 공정의 실시 양태를 도시하는 개념도이고, 도 9(b)는, 픽업 공정의 실시 양태를 도시하는 개념도이다.
이하, 본 발명 실시 형태의 웨이퍼의 가공 방법에 대해, 첨부 도면을 참조하면서, 상세하게 설명한다.
도 1에는, 본 실시 형태의 웨이퍼의 가공 방법에 있어서 가공되는 웨이퍼(10)가 도시되어 있다. 웨이퍼(10)는, 예를 들어, 실리콘의 웨이퍼이며, 복수의 디바이스(12)가 교차하는 복수의 분할 예정 라인(14)에 의해 구획되어 표면(10a)에 형성된 웨이퍼이다. 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 디바이스(12)를 구성하는 기능층이 적층(도시는 생략하고 있음)되어 있다.
상기한 웨이퍼(10)를 준비했다면, 도 1에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 대해 점착층을 갖는 보호 테이프(T1)를 배치하여 일체로 한다(보호 테이프 배치 공정).
계속해서, 보호 테이프(T1)와 일체로 된 웨이퍼(10)를, 도 2에 도시하는 연삭 장치(20)(일부만을 도시하고 있음)에 반송한다. 도 2(a)에는, 연삭 장치(20)에 있어서 웨이퍼(10)를 유지하는 척 테이블(21)이 도시되어 있다. 척 테이블(21)은, 유지면(21b)과, 그 유지면(21b)을 둘러싸는 프레임체(21a)를 구비하고, 상기 유지면(21b)은 통기성을 갖는 부재로 구성되어 있다. 유지면(21b)은, 프레임체(21a)를 통해 도시를 생략하는 흡인 수단에 배치되어 있으며, 유지면(21b)에 부압을 생성할 수 있다.
연삭 장치(20)에 반송된 웨이퍼(10)는, 보호 테이프(T1) 측을 아래쪽으로, 이면(10b)을 위쪽으로 향하게 하여 척 테이블(21)에 재치되고, 상기한 흡인 수단을 작동하여, 흡인 유지한다(유지 공정).
계속해서, 도시를 생략하는 이송 기구를 작동시켜, 도 2(b)에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(21)을, 연삭 유닛(22)의 바로 아래에 위치시킨다. 연삭 유닛(22)은, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(23)과, 회전 스핀들(23)의 하단에 장착된 휠 마운트(24)와, 휠 마운트(24)의 하면에 장착되는 연삭 휠(25)을 구비하고, 연삭 휠(25)의 하면에는 복수의 연삭 지석(26)이 환형으로 배치되어 있다.
척 테이블(21)에 유지된 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭 유닛(22)의 바로 아래에 위치시켰다면, 척 테이블(21)을 화살표(R1)로 나타내는 방향으로, 예를 들어, 300rpm으로 회전시킴과 함께, 회전 스핀들(23)을 화살표(R2)로 나타내는 방향으로, 예를 들어, 6000rpm으로 회전시킨다.
그리고, 도시하지 않은 연삭수 공급 유닛에 의해, 연삭수를 웨이퍼(10)의 이면(10b) 상에 공급하면서, 연삭 유닛(22)을 화살표(R3)로 나타내는 방향으로 하강하여 연삭 지석(26)을 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접촉시켜, 연삭 휠(25)을, 예를 들어, 1㎛/초의 연삭 이송 속도로 연삭 이송한다.
이 때, 도시하지 않은 접촉식의 측정 게이지에 의해 웨이퍼(10)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있고, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 소정량 연삭하며, 웨이퍼(10)를 소정의 두께가 되도록 박화했다면, 세정, 건조 공정 등을 거쳐, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하는 연삭 가공이 완료된다(연삭 공정).
상기 연삭 공정이 완료되었다면, 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 보호 테이프(T1)를 박리한다(보호 테이프 박리 공정).
상기한 바와 같이, 보호 테이프 박리 공정이 완료되었다면, 도 4에 도시하는 수용성 수지 피복 장치(30)(일부만을 나타내고 있음)에 반송한다. 수용성 수지 피복 장치(30)는, 수용성 수지 공급 노즐(32)과, 웨이퍼(10)를 유지하여 회전 가능하게 구성된 유지 테이블(34)을 구비하고, 도시를 생략하는 수용성 수지 공급 유닛으로부터 공급되는 수용성 수지(36)를, 수용성 수지 공급 노즐(32)로부터 원하는 양을 적하할 수 있다. 수용성 수지 공급 노즐(32)로부터 적하되는 수용성 수지(36)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜 등을 들 수 있다. 수용성 수지 피복 장치(30)에 반송된 웨이퍼(10)는, 표면(10a)을 위쪽을 향하게 하여 유지 테이블(34)에 재치되어 고정된다. 계속해서, 유지 테이블(34)이 고속으로 회전됨과 함께, 수용성 수지 공급 노즐(32)로부터 적하된 수용성 수지(36)가, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에서 균등하게 확산되어, 수용성 수지(36)가 피복된다(수용성 수지 피복 공정).
상기한 수용성 수지 피복 공정에 의해 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 수용성 수지(36)가 피복되었다면, 도 5에 도시하는 레이저 가공 장치(40)(일부만을 나타내고 있음)에 반송한다. 레이저 가공 장치(40)는, 척 테이블(41)과, 척 테이블(41)에 유지되는 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)을 조사하는 레이저 광선 조사 유닛(42)을 구비하고 있다. 척 테이블(41)은, 척 테이블(41)과 레이저 광선 조사 유닛(42)을 상대적으로 X축 방향으로 가공 이송하는 X축 이송 기구와, 척 테이블(41)과 레이저 광선 조사 유닛(42)을 상대적으로 X축 방향과 직교하는 Y축 방향으로 가공 이송하는 Y축 이송 기구와, 상기 척 테이블을 회전시키는 회전 구동 기구를 구비하고 있다(모두 도시는 생략함).
레이저 가공 장치(40)에 반송된 웨이퍼(10)는, 수용성 수지(36)가 피복된 표면(10a) 측을 아래쪽으로, 이면(10b)을 위쪽으로 향하게 하여 척 테이블(41)에 재치되어 척 테이블(41)에 흡인 유지된다. 척 테이블(41)에 유지된 웨이퍼(10)는, 레이저 가공 장치(40)에 배치된 적외선 조사 유닛, 적외선 카메라 등을 구비한 얼라인먼트 유닛(도시는 생략함)에 의해, 이면(10b) 측으로부터 얼라인먼트가 실시되고, 표면(10a)에 형성된 분할 예정 라인(14)의 위치를 검출함과 함께, 상기 회전 구동 기구에 의해 웨이퍼(10)를 소정 방향의 분할 예정 라인(14)을 X축 방향으로 정합시킨다. 검출된 분할 예정 라인(14)의 위치의 정보는, 도시하지 않는 컨트롤러에 기억된다.
상기한 얼라인먼트에 의해 검출된 위치 정보에 기초하여, 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로부터 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)의 가공 개시 위치의 위쪽에 레이저 광선 조사 유닛(42)의 집광기(43)를 위치시키고, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)에 대응하는 웨이퍼의 내부에 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시켜 조사함과 함께, 상기 척 테이블(41)과 함께 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 웨이퍼(10)의 제1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성한다.
소정의 분할 예정 라인(14)의 내부를 따라 개질층(100)을 형성했다면, 웨이퍼(10)를 Y축 방향으로 분할 예정 라인(14)의 간격만큼 인덱싱 이송하여, Y축 방향에서 인접하는 미가공의 분할 예정 라인(14)을 집광기(43)의 바로 아래에 위치시킨다.
그리고, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB)의 집광점을 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)의 내부에 위치시켜 조사하고, 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 개질층(100)을 형성한다.
마찬가지로 하여, 웨이퍼(10)를 X축 방향 및 Y축 방향으로 가공 이송하여, 제1 방향을 따르는 모든 분할 예정 라인(14)의 내부를 따라 분할 개질층(100)을 형성한다.
계속해서, 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 이미 개질층(100)을 형성한 분할 예정 라인(14)에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 그리고, 나머지의 각 분할 예정 라인(14)에 대해서도, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시켜 조사하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)의 내부를 따라 개질층(100)을 형성한다(개질층 형성 공정).
또한, 상기한 개질층 형성 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공 조건은, 예를 들어, 이하와 같이 설정된다.
파장: 1342nm
평균 출력: 1.0W
반복 주파수: 90kHz
이송 속도: 700mm/초
상기한 바와 같이 개질층 형성 공정을 실시하였다면, 레이저 가공 장치(40)로부터 웨이퍼(10)를 반출하여, 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 다이싱 테이프(T2)를 부착함과 함께, 웨이퍼(10)를 수용하는 개구를 중앙에 구비한 환형 프레임(F)에 부착하여 다이싱 테이프(T2)를 통해 웨이퍼(10)를 환형 프레임(F)으로 지지한다(프레임 지지 공정).
또한, 본 발명은, 상기한 바와 같이, 개질층 형성 공정을 실시한 후에 프레임 지지 공정을 실시하는 것에 한정되지 않고, 도 6에 기초하여 설명한 프레임 지지 공정을, 개질층 형성 공정을 실시하기 전에 실시하도록 해도 좋다.
개질층 형성 공정을 실시하기 전에, 상기한 프레임 지지 공정을 실시한 경우에는, 다이싱 테이프(T2)를 통하여 환형 프레임(F)에 의해 지지된 웨이퍼(10)를, 도 5에 도시하는 레이저 가공 장치(40)와 동일한 레이저 가공 장치(40)에 반송하고, 도 7에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(10)를 아래쪽에, 다이싱 테이프(T2) 측을 위쪽을 향하게 하여 척 테이블(41)(도 7 에서는 생략되어 있음)에 재치하여 흡인 유지한다. 그리고, 도 7에 도시하는 바와 같이, 상기한 개질층 형성 공정을 다이싱 테이프(T2) 측으로부터 실시하여, 분할 예정 라인(14)을 따른 개질층(100)을 형성하도록 해도 된다.
상기한 바와 같이, 개질층 형성 공정 및 프레임 지지 공정을 실시했다면, 웨이퍼(10)를, 도 8에 도시하는 수지 제거 장치(50)(일부만을 나타냄)에 반송한다. 수지 제거 장치(50)에는, 도시하는 바와 같이 원반 형상의 샤워 유닛(52)이 배치되고, 샤워 유닛(52)에는, 순수(W)를 공급하는 도시를 생략하는 순수 공급 유닛이 접속되어 있다.
그 순수 공급 유닛을 작동함으로써, 샤워 유닛(52)의 하면으로부터는, 순수(W)가 방사형으로 공급된다. 샤워 유닛(52)의 아래쪽에, 환형 프레임(F)에 지지된 웨이퍼(10)의 표면(10a) 측을 위치시키고, 샤워 유닛(52)으로부터 순수(W)를 공급함으로써, 수용성 수지(36)를 제거한다(수지 제거 공정).
상기한 바와 같이 수지 제거 공정을 실시하였다면, 웨이퍼(10)에 외력을 부여하여 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시하기 위해, 웨이퍼(10)를, 도 9(a)에 도시하는 분할 장치(60)에 반송한다.
분할 장치(60)에는, 외력 부여 유닛(62)이 배치되어 있다. 도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 외력 부여 유닛(62)은, 원통형의 확장 드럼(62a)과, 확장 드럼(62a)에 인접하고, 둘레 방향으로 간격을 두고 위쪽으로 연장되는 복수의 에어 실린더(62b)와, 에어 실린더(62b)의 각각의 상단에 연결된 환형의 유지 부재(62c)와, 유지 부재(62c)의 외주 가장자리부에 둘레 방향으로 간격을 두고 배치된 복수의 클램프(62d)를 포함한다.
확장 드럼(62a)의 내경은 웨이퍼(10)의 직경보다 크고, 확장 드럼(62a)의 외경은 환형 프레임(F)의 내경보다 작다. 또한, 유지 부재(62c)는, 환형 프레임(F)의 직경 치수에 대응하고 있고, 유지 부재(62c)의 평탄한 상면에 환형 프레임(F)이 재치되도록 되어 있다.
도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 복수의 에어 실린더(62b)는, 유지 부재(62c)의 상면이 확장 드럼(62a)의 상단과 거의 동일한 높이의 기준 위치와, 유지 부재(62c)의 상면이 확장 드럼(62a)의 상단보다 아래쪽에 위치하는 확장 위치의 사이에서, 유지 부재(62c)를 승강시키도록 되어 있다.
또한, 도 9(a)에서는, 설명의 편의상, 다이싱 테이프(T2)에 유지된 웨이퍼(10)가 승강하도록 도시되어 있지만(실선 및 2점 쇄선으로 나타냄), 실제로는, 유지 부재(62c)가 승강한다.
분할 공정을 실시할 때에, 우선, 상기한 개질층 형성 공정에 의해 개질층(100)이 형성된 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 위로 향하게 하여, 기준 위치에 위치된 유지 부재(62c)의 상면에 환형 프레임(F)을 재치한다.
계속해서, 복수의 클램프(62d)로 환형 프레임(F)을 고정시키고, 유지 부재(62c)를 확장 위치로 하강시키는 것에 의해, 도 9(a)에 2점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(T2)에 부착되어 있는 웨이퍼(10)에 대해, 웨이퍼(10)를 방사형으로 확장하는 외력이 부여된다. 이에 의해, 분할 예정 라인(14)을 따라 형성된 개질층(100)을 기점으로 하여, 웨이퍼(10)에 형성된 디바이스(12)가, 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할되어, 분할 공정이 완료된다.
또한, 본 발명의 분할 공정은, 상기한 외력 부여 유닛(62)에 의해 외력이 부여되는 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 탄력성을 갖는 롤러를 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 압박하여 굴림으로써 외력을 부여하여, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12')으로 분할하도록 하여도 좋다.
상기한 바와 같이, 분할 공정이 실시되었다면, 다이싱 테이프(T2)로부터 디바이스 칩(12')을 픽업하는 픽업 공정을 실시한다.
상기한 분할 장치(60)에는, 도 9(b)에 도시하는 바와 같이, 픽업 유닛(64)이 배치되어 있다. 픽업 유닛(64)은, 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 픽업 유닛(64)에는 흡인 수단(도시는 생략함)이 접속되어 있고, 픽업 유닛(64)의 선단(64a)의 하면에서, 개개로 분할된 디바이스 칩(12')을 흡착하도록 되어 있다.
또한, 확장 드럼(62a)의 내부에는, 밀어 올림 수단(66)이 배치되어 있다. 밀어 올림 수단(66)은, 픽업 유닛(64)의 선단부(64a)와 수평 방향에서 일체로 이동하도록 구성되고, 또한, 픽업 유닛(64)의 선단부(64a)가 하강하여, 원하는 디바이스 칩(12')을 흡착할 때에, 밀어 올림 수단(66)의 승강 로드(68)가 상승하여, 상기 디바이스 칩(12')을 위쪽으로 밀어 올리도록 작동한다.
이와 같은 구성을 구비하고 있음으로써, 다이싱 테이프(T2)로부터 디바이스 칩(12')을 픽업하여, 도시를 생략하는 수용 케이스에 디바이스 칩(12')을 반송하여 수용하고, 픽업 공정이 완료된다.
상기한 본 실시 형태에서는, 개질층 형성 공정이 실시될 때에는, 웨이퍼(10)의 표면(10a) 상에, 수용성 수지(36)가 피복되어 있기 때문에, 상기 수용성 수지(36)에 의해 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 디바이스(12)가 보호됨과 함께, 레이저 광선(LB)의 조사에 의해 생기는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있어, 디바이스의 전기 특성을 저하시킨다고 하는 문제가 없다.
또한, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측으로부터 조사된 레이저 광선(LB)의 누설광이 표면(10a) 측에 도달했다고 해도, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 점착층이 없는 수용성 수지(36)가 피복되어 있기 때문에, 상기 누설광에 의해 점착층이 변질되어 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 부착되어 디바이스 칩(12')의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 해소된다.
본 발명은, 상기한 실시 형태에 한정되지 않고, 다양한 변형예를 포함한다. 예를 들어, 상기한 실시 형태에서는, 보호 테이프 박리 공정을 실시하여, 보호 테이프(T1)를 박리한 후에, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 대하여 수용성 수지(36)를 피복하는 수용성 수지 피복 공정을 실시하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 보호 테이프 배치 공정 전에, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 대하여 미리 수용성 수지 피복 공정을 실시하여 수용성 수지(36)를 피복해 둘 수도 있다. 그 경우에는, 보호 테이프 박리 공정을 실시함으로써, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 수용성 수지(36)가 노출된다.
또한, 수용성 수지 피복 공정을 실시하여 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 수용성 수지(36)를 피복하고, 개질층 형성 공정을 실시하여 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)의 내부를 따라 개질층(100)을 형성하고, 계속해서, 보호 테이프 배치 공정을 실시하여 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 보호 테이프(T1)를 배치하고, 연삭 공정을 실시하여 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하고, 프레임 지지 공정을 실시하여 다이싱 테이프(T2)를 통해 웨이퍼(10)를 환형 프레임(F)으로 지지하고, 그 후, 보호 테이프 박리 공정을 실시하여 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 보호 테이프(T1)를 박리하고, 수지 제거 공정을 실시하여 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 수용성 수지(36)를 제거하고, 계속해서, 분할 공정, 픽업 공정을 실시하도록 해도 된다. 즉, 적어도, 개질층 형성 공정을 실시하기 전에, 수용성 수지 피복 공정을 실시하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 수용성 수지(36)를 피복하고 있으면, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있다.
10: 웨이퍼
10a: 표면
10b: 이면
12: 디바이스
12': 디바이스 칩
14: 분할 예정 라인
20: 연삭 장치
21: 척 테이블
22: 연삭 유닛
26: 연삭 지석
30: 수용성 수지 피복 장치
32: 수용성 수지 공급 노즐
34: 유지 테이블
36: 수용성 수지
40: 레이저 가공 장치
41: 척 테이블
42: 레이저 광선 조사 유닛
50: 수지 제거 장치
52: 샤워 유닛
60: 분할 장치
62: 외력 부여 유닛
64: 픽업 유닛
66: 밀어 올림 수단
68: 승강 로드
100: 개질층
T1: 보호 테이프
T2: 다이싱 테이프

Claims (3)

  1. 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    상기 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과,
    상기 보호 테이프 측을 척 테이블에 유지하는 유지 공정과,
    상기 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박화하는 연삭 공정과,
    상기 웨이퍼의 상기 표면으로부터 상기 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 공정과,
    상기 웨이퍼의 상기 표면에 수용성 수지를 피복하는 수용성 수지 피복 공정과,
    상기 웨이퍼의 상기 이면으로부터 상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 분할 예정 라인에 대응하는 상기 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여, 상기 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    상기 웨이퍼의 상기 이면에 다이싱 테이프를 부착함과 함께, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구를 중앙에 구비한 환형 프레임에 부착하여 상기 다이싱 테이프를 통하여 상기 웨이퍼를 환형 프레임으로 지지하는 프레임 지지 공정과,
    상기 수용성 수지를 상기 웨이퍼의 상기 표면으로부터 제거하는 수지 제거 공정과,
    상기 웨이퍼에 외력을 부여하여 상기 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정과,
    상기 다이싱 테이프로부터 상기 디바이스 칩을 픽업하는 픽업 공정
    을 구비한, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보호 테이프 배치 공정 전에, 상기 수용성 수지 피복 공정을 실시하고, 상기 보호 테이프 박리 공정에 있어서 상기 수용성 수지가 노출되는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 개질층 형성 공정 전에 상기 프레임 지지 공정을 실시하고, 상기 개질층 형성 공정에 있어서 상기 다이싱 테이프 측으로부터 레이저 광선이 조사되는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
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