JP2001326201A - ポリッシング装置 - Google Patents
ポリッシング装置Info
- Publication number
- JP2001326201A JP2001326201A JP2000143771A JP2000143771A JP2001326201A JP 2001326201 A JP2001326201 A JP 2001326201A JP 2000143771 A JP2000143771 A JP 2000143771A JP 2000143771 A JP2000143771 A JP 2000143771A JP 2001326201 A JP2001326201 A JP 2001326201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- top ring
- polished
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 435
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 145
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 578
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 95
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 87
- 230000008569 process Effects 0.000 description 78
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 42
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 23
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 10
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 9
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単位時間当たりの半導体ウエハ等の基板の研
磨枚数を増加させて処理能力を高めることができるマル
チヘッド型のポリッシング装置を提供する。 【解決手段】 研磨面を有する研磨テーブル３４Ｌ，３
４Ｒ，３５Ｌ，３５Ｒと、半導体ウエハを保持して研磨
テーブル３４Ｌ，３４Ｒ，３５Ｌ，３５Ｒに押圧する複
数のトップリング３２Ｌ，３２Ｒと、複数のトップリン
グ３２Ｌ，３２Ｒを保持するとともに複数のトップリン
グ３２Ｌ，３２Ｒの回転割出しを行なうカルーセル３６
Ｌ、３６Ｒとを備えたマルチヘッド型のポリッシング装
置において、回転中心から所定円周上に位置し半導体ウ
エハを保持する複数の部分を有し、かつこの複数の部分
の割り出しを行うインデックス機能を有するロータリト
ランスポータ２７Ｌ，２７Ｒと、ロータリトランスポー
タ２７Ｌ，２７Ｒと各トップリング３２Ｌ，３２Ｒとの
間で半導体ウエハを受け渡しするプッシャー３０Ｌ，３
０Ｒとを備えた。
磨枚数を増加させて処理能力を高めることができるマル
チヘッド型のポリッシング装置を提供する。 【解決手段】 研磨面を有する研磨テーブル３４Ｌ，３
４Ｒ，３５Ｌ，３５Ｒと、半導体ウエハを保持して研磨
テーブル３４Ｌ，３４Ｒ，３５Ｌ，３５Ｒに押圧する複
数のトップリング３２Ｌ，３２Ｒと、複数のトップリン
グ３２Ｌ，３２Ｒを保持するとともに複数のトップリン
グ３２Ｌ，３２Ｒの回転割出しを行なうカルーセル３６
Ｌ、３６Ｒとを備えたマルチヘッド型のポリッシング装
置において、回転中心から所定円周上に位置し半導体ウ
エハを保持する複数の部分を有し、かつこの複数の部分
の割り出しを行うインデックス機能を有するロータリト
ランスポータ２７Ｌ，２７Ｒと、ロータリトランスポー
タ２７Ｌ，２７Ｒと各トップリング３２Ｌ，３２Ｒとの
間で半導体ウエハを受け渡しするプッシャー３０Ｌ，３
０Ｒとを備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の基
板を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に係
り、特に一個の研磨テーブルに対してポリッシング対象
物を保持するトップリングを複数個備えたマルチヘッド
型のポリッシング装置に関する。
板を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に係
り、特に一個の研磨テーブルに対してポリッシング対象
物を保持するトップリングを複数個備えたマルチヘッド
型のポリッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に、線幅がきわめて狭い光リソグラフ
ィの場合、許容される焦点深度が浅くなるため、ステッ
パーの結像面の高い平坦度が必要となる。そこで、半導
体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この
平坦化法の１手段としてポリッシング装置を用いて化学
的機械的研磨（ＣＭＰ）をすることが行われている。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に、線幅がきわめて狭い光リソグラフ
ィの場合、許容される焦点深度が浅くなるため、ステッ
パーの結像面の高い平坦度が必要となる。そこで、半導
体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この
平坦化法の１手段としてポリッシング装置を用いて化学
的機械的研磨（ＣＭＰ）をすることが行われている。
【０００３】前記ポリッシング装置として、一個の研磨
テーブルに対して半導体ウエハを保持するトップリング
を複数個備え、同時に複数の半導体ウエハを研磨するこ
とができるマルチヘッド型のポリッシング装置が知られ
ている。このマルチヘッド型のポリッシング装置におい
ては、各トップリングに半導体ウエハを装着した後に、
トップリングに保持された全ての半導体ウエハを同時に
研磨テーブル上の研磨面に押し付けて研磨を行い、所定
時間の研磨を行った後に、各トップリングを上昇させる
ことにより、研磨を終了した全ての半導体ウエハをトッ
プリングから取り外した後に、各トップリングに新たな
半導体ウエハを装着することが行われている。
テーブルに対して半導体ウエハを保持するトップリング
を複数個備え、同時に複数の半導体ウエハを研磨するこ
とができるマルチヘッド型のポリッシング装置が知られ
ている。このマルチヘッド型のポリッシング装置におい
ては、各トップリングに半導体ウエハを装着した後に、
トップリングに保持された全ての半導体ウエハを同時に
研磨テーブル上の研磨面に押し付けて研磨を行い、所定
時間の研磨を行った後に、各トップリングを上昇させる
ことにより、研磨を終了した全ての半導体ウエハをトッ
プリングから取り外した後に、各トップリングに新たな
半導体ウエハを装着することが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマルチ
ヘッド型のポリッシング装置においては、複数の半導体
ウエハを同時に研磨し、同時にロードアンロード（即
ち、交換）するという方法を採っているが、研磨前の半
導体ウエハを複数のトップリングにロードし、研磨後の
半導体ウエハを複数のトップリングからアンロードする
作業を自動化しようとする場合、複数の半導体ウエハを
搬送ミスなく短時間でロードアンロードすることが求め
られる。しかしながら、マルチヘッド型のポリッシング
装置においてこの要請に答えられるロードアンロード機
構は存在していないのが現状である。
ヘッド型のポリッシング装置においては、複数の半導体
ウエハを同時に研磨し、同時にロードアンロード（即
ち、交換）するという方法を採っているが、研磨前の半
導体ウエハを複数のトップリングにロードし、研磨後の
半導体ウエハを複数のトップリングからアンロードする
作業を自動化しようとする場合、複数の半導体ウエハを
搬送ミスなく短時間でロードアンロードすることが求め
られる。しかしながら、マルチヘッド型のポリッシング
装置においてこの要請に答えられるロードアンロード機
構は存在していないのが現状である。
【０００５】従来のマルチヘッド型のポリッシング装置
は、ポリッシングだけを行う専用のポリッシング装置で
あり、ポリッシングの完了した半導体ウエハは移動式の
水槽の中に入れて次の洗浄工程へ搬送されていた。とこ
ろが、このポリッシング工程と洗浄工程とを個別に行う
方法では、クリーンルームのクリーン度を損ない、かつ
ポリッシング終了後のウエハの搬送も人手による搬送手
段に頼らざるを得なかった。またポリッシング装置とそ
の後の洗浄工程で使用する洗浄機の２種類の装置を必要
とするため、設置スペースも広く必要であった。
は、ポリッシングだけを行う専用のポリッシング装置で
あり、ポリッシングの完了した半導体ウエハは移動式の
水槽の中に入れて次の洗浄工程へ搬送されていた。とこ
ろが、このポリッシング工程と洗浄工程とを個別に行う
方法では、クリーンルームのクリーン度を損ない、かつ
ポリッシング終了後のウエハの搬送も人手による搬送手
段に頼らざるを得なかった。またポリッシング装置とそ
の後の洗浄工程で使用する洗浄機の２種類の装置を必要
とするため、設置スペースも広く必要であった。
【０００６】そこで、ポリッシング工程のクリーン化を
図り、かつ装置の設置スペースの縮小を図るため、ポリ
ッシング工程と洗浄工程を同一装置内で行い、半導体ウ
エハをドライな状態で装置に入れ、処理後に半導体ウエ
ハをクリーンでドライな状態で装置から払い出すドライ
イン／ドライアウト方式を実現できるマルチヘッド型の
ポリッシング装置が求められている。
図り、かつ装置の設置スペースの縮小を図るため、ポリ
ッシング工程と洗浄工程を同一装置内で行い、半導体ウ
エハをドライな状態で装置に入れ、処理後に半導体ウエ
ハをクリーンでドライな状態で装置から払い出すドライ
イン／ドライアウト方式を実現できるマルチヘッド型の
ポリッシング装置が求められている。
【０００７】本発明は、上述の事情に鑑みなされたもの
で、単位時間当たりの半導体ウエハ等の基板の研磨枚数
を増加させて処理能力を高めることができるとともに、
ドライイン／ドライアウト方式を実現できるマルチヘッ
ド型のポリッシング装置を提供することを目的とする。
で、単位時間当たりの半導体ウエハ等の基板の研磨枚数
を増加させて処理能力を高めることができるとともに、
ドライイン／ドライアウト方式を実現できるマルチヘッ
ド型のポリッシング装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様は、研磨面を有する研磨テーブ
ルと、基板を保持して前記研磨テーブルに押圧する複数
のトップリングと、複数のトップリングを保持するとと
もに該複数のトップリングの回転割出しを行なうカルー
セルとを備えたマルチヘッド型のポリッシング装置にお
いて、前記各トップリングが所定位置にあるときに、各
トップリングが到達可能な位置に設置され、回転中心か
ら所定円周上に位置しポリッシング対象物を保持する複
数の部分を有し、かつこの複数の部分の割り出しを行う
インデックス機能を有するロータリトランスポータと、
前記ロータリトランスポータと各トップリングとの間で
ポリッシング対象物を受け渡しするプッシャーとを備え
たことを特徴とするポリッシング装置である。本発明に
よれば、半導体ウエハ等のポリッシング対象物をトップ
リングに搬送する時間を短縮することが可能となり、単
位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数（スルー
プット）を飛躍的に増加させることができる。
に、本発明の第１の態様は、研磨面を有する研磨テーブ
ルと、基板を保持して前記研磨テーブルに押圧する複数
のトップリングと、複数のトップリングを保持するとと
もに該複数のトップリングの回転割出しを行なうカルー
セルとを備えたマルチヘッド型のポリッシング装置にお
いて、前記各トップリングが所定位置にあるときに、各
トップリングが到達可能な位置に設置され、回転中心か
ら所定円周上に位置しポリッシング対象物を保持する複
数の部分を有し、かつこの複数の部分の割り出しを行う
インデックス機能を有するロータリトランスポータと、
前記ロータリトランスポータと各トップリングとの間で
ポリッシング対象物を受け渡しするプッシャーとを備え
たことを特徴とするポリッシング装置である。本発明に
よれば、半導体ウエハ等のポリッシング対象物をトップ
リングに搬送する時間を短縮することが可能となり、単
位時間あたりのポリッシング対象物の処理枚数（スルー
プット）を飛躍的に増加させることができる。
【０００９】本発明の第２の態様は、研磨面を有する研
磨テーブルと、基板を保持して前記研磨テーブルに押圧
する複数のトップリングと、複数のトップリングを保持
するとともに該複数のトップリングの回転割出しを行な
うカルーセルとを備えたマルチヘッド型のポリッシング
装置において、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する
複数の洗浄装置と、前記複数の洗浄装置間で研磨後のポ
リッシング対象物を搬送する搬送機構と、前記複数の洗
浄装置を経由してポリッシング対象物が複数段の洗浄工
程を経る間に又は洗浄工程前にポリッシング対象物を待
機させるための置き台を具備したステーションとを備え
たことを特徴とするポリッシング装置である。本発明に
よれば、次の処理工程により処理される前に、複数のポ
リッシング対象物の一部をステーションの置き台に待機
させておくことができる。
磨テーブルと、基板を保持して前記研磨テーブルに押圧
する複数のトップリングと、複数のトップリングを保持
するとともに該複数のトップリングの回転割出しを行な
うカルーセルとを備えたマルチヘッド型のポリッシング
装置において、研磨後のポリッシング対象物を洗浄する
複数の洗浄装置と、前記複数の洗浄装置間で研磨後のポ
リッシング対象物を搬送する搬送機構と、前記複数の洗
浄装置を経由してポリッシング対象物が複数段の洗浄工
程を経る間に又は洗浄工程前にポリッシング対象物を待
機させるための置き台を具備したステーションとを備え
たことを特徴とするポリッシング装置である。本発明に
よれば、次の処理工程により処理される前に、複数のポ
リッシング対象物の一部をステーションの置き台に待機
させておくことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本
発明に係るポリッシング装置の各部の配置構成を示す平
面図である。図１に示すポリッシング装置は多数の半導
体ウエハをストックするウエハカセット１を載置するロ
ードアンロードステージ２を４つ備えている。ロードア
ンロードステージ２は昇降可能な機構を有していても良
い。ロードアンロードステージ２上の各ウエハカセット
１に到達可能となるように、走行機構３の上に２つのハ
ンドを有した搬送ロボット４が配置されている。
装置の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本
発明に係るポリッシング装置の各部の配置構成を示す平
面図である。図１に示すポリッシング装置は多数の半導
体ウエハをストックするウエハカセット１を載置するロ
ードアンロードステージ２を４つ備えている。ロードア
ンロードステージ２は昇降可能な機構を有していても良
い。ロードアンロードステージ２上の各ウエハカセット
１に到達可能となるように、走行機構３の上に２つのハ
ンドを有した搬送ロボット４が配置されている。
【００１１】前記搬送ロボット４における２つのハンド
のうち下側のハンドはウエハカセット１より半導体ウエ
ハを受け取るときのみに使用され、上側のハンドはウエ
ハカセット１に半導体ウエハを戻すときのみに使用され
る。これは、洗浄した後のクリーンなウエハを上側にし
て、それ以上ウエハを汚さないための配置である。下側
のハンドはウエハを真空吸着する吸着型ハンドであり、
上側のハンドはウエハの周縁部を保持する落とし込み型
ハンドである。吸着型ハンドはカセット内のウエハのず
れに関係なく正確に搬送し、落とし込み型ハンドは真空
吸着のようにごみを集めてこないのでウエハの裏面のク
リーン度を保って搬送できる。搬送ロボット４の走行機
構３を対称軸に、ウエハカセット１とは反対側に２台の
洗浄機５，６が配置されている。各洗浄機５，６は搬送
ロボット４のハンドが到達可能な位置に配置されてい
る。
のうち下側のハンドはウエハカセット１より半導体ウエ
ハを受け取るときのみに使用され、上側のハンドはウエ
ハカセット１に半導体ウエハを戻すときのみに使用され
る。これは、洗浄した後のクリーンなウエハを上側にし
て、それ以上ウエハを汚さないための配置である。下側
のハンドはウエハを真空吸着する吸着型ハンドであり、
上側のハンドはウエハの周縁部を保持する落とし込み型
ハンドである。吸着型ハンドはカセット内のウエハのず
れに関係なく正確に搬送し、落とし込み型ハンドは真空
吸着のようにごみを集めてこないのでウエハの裏面のク
リーン度を保って搬送できる。搬送ロボット４の走行機
構３を対称軸に、ウエハカセット１とは反対側に２台の
洗浄機５，６が配置されている。各洗浄機５，６は搬送
ロボット４のハンドが到達可能な位置に配置されてい
る。
【００１２】また２台の洗浄機５，６の間で、ロボット
４が到達可能な位置に、上下方向に多段に配置された半
導体ウエハの載置台を備えたウエハステーション９０が
配置されている。前記洗浄機５，６は、ウエハを高速回
転させて乾燥させるスピンドライ機能を有しており、こ
れによりウエハの２段洗浄及び３段洗浄にモジュール交
換することなく対応することができるように構成されて
いる。
４が到達可能な位置に、上下方向に多段に配置された半
導体ウエハの載置台を備えたウエハステーション９０が
配置されている。前記洗浄機５，６は、ウエハを高速回
転させて乾燥させるスピンドライ機能を有しており、こ
れによりウエハの２段洗浄及び３段洗浄にモジュール交
換することなく対応することができるように構成されて
いる。
【００１３】前記洗浄機５，６とウエハステーション９
０が配置されている領域Ｂと前記ウエハカセット１と搬
送ロボット４が配置されている領域Ａのクリーン度を分
けるために隔壁１４が配置され、互いの領域の間で半導
体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター１
１が設けられている。洗浄機５とウエハステーション９
０に到達可能な位置に２つのハンドを有した搬送ロボッ
ト２０が配置されており、洗浄機６とウエハステーショ
ン９０に到達可能な位置に２つのハンドを有した搬送ロ
ボット２１が配置されている。
０が配置されている領域Ｂと前記ウエハカセット１と搬
送ロボット４が配置されている領域Ａのクリーン度を分
けるために隔壁１４が配置され、互いの領域の間で半導
体ウエハを搬送するための隔壁の開口部にシャッター１
１が設けられている。洗浄機５とウエハステーション９
０に到達可能な位置に２つのハンドを有した搬送ロボッ
ト２０が配置されており、洗浄機６とウエハステーショ
ン９０に到達可能な位置に２つのハンドを有した搬送ロ
ボット２１が配置されている。
【００１４】前記搬送ロボット２０および搬送ロボット
２１の上側のハンドは、一度洗浄された半導体ウエハを
洗浄機もしくはウエハステーション９０の載置台へ搬送
するのに使用され、下側のハンドは１度も洗浄されてい
ない半導体ウエハ、及び研磨される前の半導体ウエハを
搬送するのに使用される。下側のハンドで反転機へのウ
エハの出し入れを行うことにより、反転機上部の壁から
のリンス水のしずくにより上側のハンドを汚染すること
がない。
２１の上側のハンドは、一度洗浄された半導体ウエハを
洗浄機もしくはウエハステーション９０の載置台へ搬送
するのに使用され、下側のハンドは１度も洗浄されてい
ない半導体ウエハ、及び研磨される前の半導体ウエハを
搬送するのに使用される。下側のハンドで反転機へのウ
エハの出し入れを行うことにより、反転機上部の壁から
のリンス水のしずくにより上側のハンドを汚染すること
がない。
【００１５】前記洗浄機５と隣接するように搬送ロボッ
ト２０のハンドが到達可能な位置に洗浄機２２が配置さ
れている。また、洗浄機６と隣接するように搬送ロボッ
ト２１のハンドが到達可能な位置に洗浄機２３が配置さ
れている。前記洗浄機５，６，２２，２３とウエハステ
ーション９０と搬送ロボット２０，２１は全て領域Ｂの
中に配置されていて、領域Ａ内の気圧よりも低い気圧に
調整されている。前記洗浄機２２，２３は、両面洗浄可
能な洗浄機である。
ト２０のハンドが到達可能な位置に洗浄機２２が配置さ
れている。また、洗浄機６と隣接するように搬送ロボッ
ト２１のハンドが到達可能な位置に洗浄機２３が配置さ
れている。前記洗浄機５，６，２２，２３とウエハステ
ーション９０と搬送ロボット２０，２１は全て領域Ｂの
中に配置されていて、領域Ａ内の気圧よりも低い気圧に
調整されている。前記洗浄機２２，２３は、両面洗浄可
能な洗浄機である。
【００１６】本ポリッシング装置は、各機器を囲むよう
にハウジング１００を有しており、ハウジング１００内
は隔壁１４，隔壁１５，隔壁１６，隔壁２４，および隔
壁２５により複数の部屋（領域Ａ，領域Ｂを含む）に区
画されている。隔壁２４によって領域Ｂと区分されたポ
リッシング室が形成され、ポリッシング室は更に隔壁２
５によって２つの領域ＣとＤに区分されている。そし
て、２つの領域Ｃ，Ｄにはそれぞれ研磨ユニットが配置
されている。即ち、領域Ｃ，Ｄには、それぞれ２つの研
磨テーブルと、それぞれ１枚の半導体ウエハを保持しか
つ半導体ウエハを前記研磨テーブルに対して押し付けな
がら研磨するための３つのトップリングを備えたカルー
セルが配置されている。即ち、領域Ｃには研磨テーブル
３４Ｌ，３５Ｌ，領域Ｄには研磨テーブル３４Ｒ，３５
Ｒがそれぞれ配置されており、また、領域Ｃにはカルー
セル３６Ｌ，領域Ｄにはカルーセル３６Ｒがそれぞれ配
置されている。また領域Ｃ内の研磨テーブル３４Ｌに研
磨砥液を供給するための砥液ノズル（図示せず）と、研
磨テーブル３４Ｌのドレッシングを行うためのドレッサ
３８Ｌとが配置されている。領域Ｄ内の研磨テーブル３
４Ｒに研磨砥液を供給するための砥液ノズル（図示せ
ず）と、研磨テーブル３４Ｒのドレッシングを行うため
のドレッサ３８Ｒとが配置されている。さらに、領域Ｃ
内の研磨テーブル３５Ｌのドレッシングを行うためのド
レッサ３９Ｌと、領域Ｄ内の研磨テーブル３５Ｒのドレ
ッシングを行うためのドレッサ３９Ｒとが配置されてい
る。図１に示すように、左右の研磨ユニットは、隔壁２
５に対して線対称に配置されている。そして、左右の研
磨ユニットとも３個の各トップリング３２Ｌ，３２Ｒが
ウエハを保持して研磨している状態を示している。
にハウジング１００を有しており、ハウジング１００内
は隔壁１４，隔壁１５，隔壁１６，隔壁２４，および隔
壁２５により複数の部屋（領域Ａ，領域Ｂを含む）に区
画されている。隔壁２４によって領域Ｂと区分されたポ
リッシング室が形成され、ポリッシング室は更に隔壁２
５によって２つの領域ＣとＤに区分されている。そし
て、２つの領域Ｃ，Ｄにはそれぞれ研磨ユニットが配置
されている。即ち、領域Ｃ，Ｄには、それぞれ２つの研
磨テーブルと、それぞれ１枚の半導体ウエハを保持しか
つ半導体ウエハを前記研磨テーブルに対して押し付けな
がら研磨するための３つのトップリングを備えたカルー
セルが配置されている。即ち、領域Ｃには研磨テーブル
３４Ｌ，３５Ｌ，領域Ｄには研磨テーブル３４Ｒ，３５
Ｒがそれぞれ配置されており、また、領域Ｃにはカルー
セル３６Ｌ，領域Ｄにはカルーセル３６Ｒがそれぞれ配
置されている。また領域Ｃ内の研磨テーブル３４Ｌに研
磨砥液を供給するための砥液ノズル（図示せず）と、研
磨テーブル３４Ｌのドレッシングを行うためのドレッサ
３８Ｌとが配置されている。領域Ｄ内の研磨テーブル３
４Ｒに研磨砥液を供給するための砥液ノズル（図示せ
ず）と、研磨テーブル３４Ｒのドレッシングを行うため
のドレッサ３８Ｒとが配置されている。さらに、領域Ｃ
内の研磨テーブル３５Ｌのドレッシングを行うためのド
レッサ３９Ｌと、領域Ｄ内の研磨テーブル３５Ｒのドレ
ッシングを行うためのドレッサ３９Ｒとが配置されてい
る。図１に示すように、左右の研磨ユニットは、隔壁２
５に対して線対称に配置されている。そして、左右の研
磨ユニットとも３個の各トップリング３２Ｌ，３２Ｒが
ウエハを保持して研磨している状態を示している。
【００１７】図１に示すように、隔壁２４によって領域
Ｂとは区切られた領域Ｃの中にあって、搬送ロボット２
０のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転させ
る反転機２８Ｌが配置されている。また領域Ｄの中にあ
って、搬送ロボット２１のハンドが到達可能な位置に半
導体ウエハを反転させる反転機２８Ｒがそれぞれ配置さ
れている。また、領域Ｂと領域Ｃ，Ｄを区切る隔壁２４
には、半導体ウエハ搬送用の開口部が設けられ、それぞ
れの反転機２８Ｌと反転機２８Ｒ専用のシャッター２６
Ｌ，２６Ｒが開口部に設けられている。
Ｂとは区切られた領域Ｃの中にあって、搬送ロボット２
０のハンドが到達可能な位置に半導体ウエハを反転させ
る反転機２８Ｌが配置されている。また領域Ｄの中にあ
って、搬送ロボット２１のハンドが到達可能な位置に半
導体ウエハを反転させる反転機２８Ｒがそれぞれ配置さ
れている。また、領域Ｂと領域Ｃ，Ｄを区切る隔壁２４
には、半導体ウエハ搬送用の開口部が設けられ、それぞ
れの反転機２８Ｌと反転機２８Ｒ専用のシャッター２６
Ｌ，２６Ｒが開口部に設けられている。
【００１８】前記反転機２８Ｌ及び反転機２８Ｒは、半
導体ウエハをチャックするチャック機構と半導体ウエハ
の表面と裏面を反転させる反転機構と半導体ウエハを前
記チャック機構によりチャックしているかどうかを確認
するウエハ有無検知センサとを備えている。そして、反
転機２８Ｌには搬送ロボット２０によって半導体ウエハ
が搬送され、反転機２８Ｒには搬送ロボット２１によっ
て半導体ウエハが搬送される。
導体ウエハをチャックするチャック機構と半導体ウエハ
の表面と裏面を反転させる反転機構と半導体ウエハを前
記チャック機構によりチャックしているかどうかを確認
するウエハ有無検知センサとを備えている。そして、反
転機２８Ｌには搬送ロボット２０によって半導体ウエハ
が搬送され、反転機２８Ｒには搬送ロボット２１によっ
て半導体ウエハが搬送される。
【００１９】また領域Ｃ内には、前記反転機２８Ｌとカ
ルーセル３６Ｌに支持された３つのトップリング３２Ｌ
との間でウエハを受渡しするためのロータリトランスポ
ータ２７Ｌが配置されている。ロータリトランスポータ
２７Ｌには、ウエハを載せるステージが４ヶ所等配に設
けてあり、同時に複数のウエハが搭載可能になってい
る。反転機２８Ｌに搬送されたウエハは、ロータリトラ
ンスポータ２７Ｌのステージの中心と、反転機２８Ｌで
チャックされたウエハの中心の位相が合った時に、ロー
タリトランスポータ２７Ｌの下方に設置されたリフタ２
９Ｌが昇降することで、ロータリトランスポータ２７Ｌ
上に搬送される。ロータリトランスポータ２７Ｌのステ
ージ上に載せられたウエハは、ロータリトランスポータ
２７Ｌの回転割り出しによって、プッシャー３０Ｌの上
方へ搬送される。トップリング３２Ｌは予めロータリト
ランスポータ２７Ｌの上方の位置（ロードアンロード位
置）に揺動している。トップリング３２Ｌの中心が前記
ロータリトランスポータ２７Ｌに搭載されたウエハの中
心と位相が合ったとき、それらの下方に配置されたプッ
シャー３０Ｌが昇降することで、ウエハはロータリトラ
ンスポータ２７Ｌから１個のトップリング３２Ｌへ移送
される。上述の動作を繰り返すことによりカルーセル３
６Ｌに支持された３つのトップリング３２Ｌへのウエハ
のロードが行われる。
ルーセル３６Ｌに支持された３つのトップリング３２Ｌ
との間でウエハを受渡しするためのロータリトランスポ
ータ２７Ｌが配置されている。ロータリトランスポータ
２７Ｌには、ウエハを載せるステージが４ヶ所等配に設
けてあり、同時に複数のウエハが搭載可能になってい
る。反転機２８Ｌに搬送されたウエハは、ロータリトラ
ンスポータ２７Ｌのステージの中心と、反転機２８Ｌで
チャックされたウエハの中心の位相が合った時に、ロー
タリトランスポータ２７Ｌの下方に設置されたリフタ２
９Ｌが昇降することで、ロータリトランスポータ２７Ｌ
上に搬送される。ロータリトランスポータ２７Ｌのステ
ージ上に載せられたウエハは、ロータリトランスポータ
２７Ｌの回転割り出しによって、プッシャー３０Ｌの上
方へ搬送される。トップリング３２Ｌは予めロータリト
ランスポータ２７Ｌの上方の位置（ロードアンロード位
置）に揺動している。トップリング３２Ｌの中心が前記
ロータリトランスポータ２７Ｌに搭載されたウエハの中
心と位相が合ったとき、それらの下方に配置されたプッ
シャー３０Ｌが昇降することで、ウエハはロータリトラ
ンスポータ２７Ｌから１個のトップリング３２Ｌへ移送
される。上述の動作を繰り返すことによりカルーセル３
６Ｌに支持された３つのトップリング３２Ｌへのウエハ
のロードが行われる。
【００２０】前記各トップリング３２Ｌに移送されたウ
エハは、トップリングの真空吸着機構により吸着または
吸着確認された後、トップリングに保持されたまま研磨
テーブル３４Ｌまで搬送される。そして、ウエハは研磨
テーブル３４Ｌ上に取り付けられた研磨パッド又は砥石
等からなる研磨面で研磨される。各トップリング３２Ｌ
が所定位置（第２研磨テーブルへのアクセス位置）にき
たときに到達可能な位置に、前述した第２の研磨テーブ
ル３５Ｌが配置されている。これにより、ウエハは第１
の研磨テーブル３４Ｌで研磨が終了した後、第２の研磨
テーブル３５Ｌで研磨できるようになっている。この場
合、第２の研磨テーブル３５Ｌでは、バフ研磨ができる
ようになっている。
エハは、トップリングの真空吸着機構により吸着または
吸着確認された後、トップリングに保持されたまま研磨
テーブル３４Ｌまで搬送される。そして、ウエハは研磨
テーブル３４Ｌ上に取り付けられた研磨パッド又は砥石
等からなる研磨面で研磨される。各トップリング３２Ｌ
が所定位置（第２研磨テーブルへのアクセス位置）にき
たときに到達可能な位置に、前述した第２の研磨テーブ
ル３５Ｌが配置されている。これにより、ウエハは第１
の研磨テーブル３４Ｌで研磨が終了した後、第２の研磨
テーブル３５Ｌで研磨できるようになっている。この場
合、第２の研磨テーブル３５Ｌでは、バフ研磨ができる
ようになっている。
【００２１】一方、領域Ｄ内には、前記反転機２８Ｒと
カルーセル３６Ｒに支持された３つのトップリング３２
Ｒとの間でウエハを搬送するロータリトランスポータ２
７Ｒが配置されている。ロータリトランスポータ２７Ｒ
には、ウエハを載せるステージが４ヶ所等配に設けてあ
り、同時に複数のウエハが搭載可能になっている。反転
機２８Ｒに搬送されたウエハは、ロータリトランスポー
タ２７Ｒのステージの中心と、反転機２８Ｒでチャック
されたウエハの中心の位相が合った時に、ロータリトラ
ンスポータ２７Ｒの下方に設置されたリフタ２９Ｒが昇
降することで、ロータリトランスポータ２７Ｒ上に搬送
される。ロータリトランスポータ２７Ｒのステージ上に
載せられたウエハは、ロータリトランスポータ２７Ｒの
回転割り出しによって、プッシャー３０Ｒの上方へ搬送
される。トップリング３２Ｒは予めロータリトランスポ
ータ２７Ｒの上方の位置（ロードアンロード位置）に揺
動している。トップリング３２Ｒの中心が前記ロータリ
トランスポータ２７Ｒに搭載されたウエハの中心と位相
が合ったとき、それらの下方に配置されたプッシャー３
０Ｒが昇降することで、ウエハはロータリトランスポー
タ２７Ｒからトップリング３２Ｒへ移送される。上述の
動作を繰り返すことによりカルーセル３６Ｒに支持され
た３つのトップリング３２Ｒへのウエハのロードが行わ
れる。
カルーセル３６Ｒに支持された３つのトップリング３２
Ｒとの間でウエハを搬送するロータリトランスポータ２
７Ｒが配置されている。ロータリトランスポータ２７Ｒ
には、ウエハを載せるステージが４ヶ所等配に設けてあ
り、同時に複数のウエハが搭載可能になっている。反転
機２８Ｒに搬送されたウエハは、ロータリトランスポー
タ２７Ｒのステージの中心と、反転機２８Ｒでチャック
されたウエハの中心の位相が合った時に、ロータリトラ
ンスポータ２７Ｒの下方に設置されたリフタ２９Ｒが昇
降することで、ロータリトランスポータ２７Ｒ上に搬送
される。ロータリトランスポータ２７Ｒのステージ上に
載せられたウエハは、ロータリトランスポータ２７Ｒの
回転割り出しによって、プッシャー３０Ｒの上方へ搬送
される。トップリング３２Ｒは予めロータリトランスポ
ータ２７Ｒの上方の位置（ロードアンロード位置）に揺
動している。トップリング３２Ｒの中心が前記ロータリ
トランスポータ２７Ｒに搭載されたウエハの中心と位相
が合ったとき、それらの下方に配置されたプッシャー３
０Ｒが昇降することで、ウエハはロータリトランスポー
タ２７Ｒからトップリング３２Ｒへ移送される。上述の
動作を繰り返すことによりカルーセル３６Ｒに支持され
た３つのトップリング３２Ｒへのウエハのロードが行わ
れる。
【００２２】前記各トップリング３２Ｒに移送されたウ
エハは、トップリングの真空吸着機構により吸着または
吸着確認された後、トップリングに保持されたまま研磨
テーブル３４Ｒまで搬送される。そして、ウエハは研磨
テーブル３４Ｒ上に取り付けられた研磨パッド又は砥石
等からなる研磨面で研磨される。各トップリング３２Ｌ
が所定位置（第２研磨テーブルへのアクセス位置）にき
たときに到達可能な位置に、前述した第２の研磨テーブ
ル３５Ｒが配置されている。これにより、ウエハは第１
の研磨テーブル３４Ｒで研磨が終了した後、第２の研磨
テーブル３５Ｒで研磨できるようになっている。この場
合、第２の研磨テーブル３５Ｒでは、バフ研磨ができる
ようになっている。
エハは、トップリングの真空吸着機構により吸着または
吸着確認された後、トップリングに保持されたまま研磨
テーブル３４Ｒまで搬送される。そして、ウエハは研磨
テーブル３４Ｒ上に取り付けられた研磨パッド又は砥石
等からなる研磨面で研磨される。各トップリング３２Ｌ
が所定位置（第２研磨テーブルへのアクセス位置）にき
たときに到達可能な位置に、前述した第２の研磨テーブ
ル３５Ｒが配置されている。これにより、ウエハは第１
の研磨テーブル３４Ｒで研磨が終了した後、第２の研磨
テーブル３５Ｒで研磨できるようになっている。この場
合、第２の研磨テーブル３５Ｒでは、バフ研磨ができる
ようになっている。
【００２３】左右いずれの研磨ユニットにおいても、第
１の研磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）でウエハを研磨
した後に、第２の研磨テーブル３５Ｌ（又は３５Ｒ）に
トップリング３２Ｌ（又は３２Ｒ）が移動する前に、ト
ップリング３２Ｌ（又は３２Ｒ）が研磨テーブル３４Ｌ
（又は３４Ｒ）から離間した位置で、研磨テーブルに隣
接して設置された洗浄液ノズル（図示せず）によりトッ
プリング３２Ｌ（又は３２Ｒ）に保持されたウエハ及び
トップリング下面及び側面に向けて洗浄液が噴射され
る。これにより、第２の研磨テーブル３５Ｌ（又は３５
Ｒ）へ移動する前にウエハが一旦リンスされるので、複
数の研磨テーブル相互間の汚染が防止できる。
１の研磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）でウエハを研磨
した後に、第２の研磨テーブル３５Ｌ（又は３５Ｒ）に
トップリング３２Ｌ（又は３２Ｒ）が移動する前に、ト
ップリング３２Ｌ（又は３２Ｒ）が研磨テーブル３４Ｌ
（又は３４Ｒ）から離間した位置で、研磨テーブルに隣
接して設置された洗浄液ノズル（図示せず）によりトッ
プリング３２Ｌ（又は３２Ｒ）に保持されたウエハ及び
トップリング下面及び側面に向けて洗浄液が噴射され
る。これにより、第２の研磨テーブル３５Ｌ（又は３５
Ｒ）へ移動する前にウエハが一旦リンスされるので、複
数の研磨テーブル相互間の汚染が防止できる。
【００２４】前記第１の研磨テーブル３４Ｌ（又は３４
Ｒ）および第２の研磨テーブル３５Ｌ（又は３５Ｒ）で
研磨が終了した後、ドレッサ３８Ｌ，３８Ｒ，３９Ｌ，
３９Ｒによってそれぞれの研磨面のドレッシングを行
う。ドレッシングとは、研磨テーブルの研磨面がウエハ
の研磨によって劣化したことに対して、その回復を図る
ための処置で、コンディショニング，修正などと呼ばれ
ることもある。左側の研磨ユニットにおいて、研磨が終
了したウエハは、トップリング３２Ｌからプッシャー３
０Ｌに移送され、その後、プッシャー３０Ｌが下降して
ロータリトランスポータ２７Ｌに受け渡される。そし
て、ロータリトランスポータ２７Ｌの回転割出しによっ
て、ウエハは反転機２８Ｌの下方に搬送され、その後、
リフタ２９Ｌの上昇によって反転機２８Ｌに戻される。
Ｒ）および第２の研磨テーブル３５Ｌ（又は３５Ｒ）で
研磨が終了した後、ドレッサ３８Ｌ，３８Ｒ，３９Ｌ，
３９Ｒによってそれぞれの研磨面のドレッシングを行
う。ドレッシングとは、研磨テーブルの研磨面がウエハ
の研磨によって劣化したことに対して、その回復を図る
ための処置で、コンディショニング，修正などと呼ばれ
ることもある。左側の研磨ユニットにおいて、研磨が終
了したウエハは、トップリング３２Ｌからプッシャー３
０Ｌに移送され、その後、プッシャー３０Ｌが下降して
ロータリトランスポータ２７Ｌに受け渡される。そし
て、ロータリトランスポータ２７Ｌの回転割出しによっ
て、ウエハは反転機２８Ｌの下方に搬送され、その後、
リフタ２９Ｌの上昇によって反転機２８Ｌに戻される。
【００２５】また右側の研磨ユニットにおいて、研磨が
終了したウエハは、トップリング３２Ｒからプッシャー
３０Ｒに移送され、その後、プッシャー３０Ｒが下降し
てロータリトランスポータ２７Ｒに受け渡される。そし
て、ロータリトランスポータ２７Ｒの回転割出しによっ
て、反転機２８Ｒの下方に搬送され、その後、リフタ２
９Ｒの上昇によって反転機２８Ｒに戻される。
終了したウエハは、トップリング３２Ｒからプッシャー
３０Ｒに移送され、その後、プッシャー３０Ｒが下降し
てロータリトランスポータ２７Ｒに受け渡される。そし
て、ロータリトランスポータ２７Ｒの回転割出しによっ
て、反転機２８Ｒの下方に搬送され、その後、リフタ２
９Ｒの上昇によって反転機２８Ｒに戻される。
【００２６】前述の動作によって、反転機２８Ｌ又は２
８Ｒまで戻されたウエハは、純水もしくは洗浄用の薬液
がリンスノズルによりリンスされる。また、ウエハを離
脱したトップリング３２Ｌ又は３２Ｒのウエハ吸着面
は、トップリング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によ
って洗浄され、場合によっては乾燥防止のためにリンス
される。そして、隔壁にはプッシャー洗浄ノズルが取り
付けてあり、前記プッシャーの洗浄も行えるようになっ
ている。また、ウエハの歩留り、洗浄効果の向上のた
め、ウエハをトップリングに吸着させた状態で薬液リン
スすることもでき、プッシャーの上方でロータリトラン
スポータ２７Ｌ又は２８Ｒに保持された状態で薬液リン
スすることもできる。また後述するノズルでリフタを洗
浄することもできる。
８Ｒまで戻されたウエハは、純水もしくは洗浄用の薬液
がリンスノズルによりリンスされる。また、ウエハを離
脱したトップリング３２Ｌ又は３２Ｒのウエハ吸着面
は、トップリング洗浄ノズルから純水もしくは薬液によ
って洗浄され、場合によっては乾燥防止のためにリンス
される。そして、隔壁にはプッシャー洗浄ノズルが取り
付けてあり、前記プッシャーの洗浄も行えるようになっ
ている。また、ウエハの歩留り、洗浄効果の向上のた
め、ウエハをトップリングに吸着させた状態で薬液リン
スすることもでき、プッシャーの上方でロータリトラン
スポータ２７Ｌ又は２８Ｒに保持された状態で薬液リン
スすることもできる。また後述するノズルでリフタを洗
浄することもできる。
【００２７】図２は、左右の研磨ユニットとも、３個の
各トップリング３２Ｌ，３２Ｒが各種異なった動作を行
っている状態を示している。即ち、左側の研磨部におい
ては、１個のトップリング３２Ｌ−１がロードアンロー
ド位置にあり、１個のトップリング３２Ｌ−２が研磨テ
ーブル３４Ｌに対してオーバーハングした位置にあり、
１個のトップリング３２Ｌ−３が研磨テーブル３５Ｌ上
の位置にある。一方、右側の研磨部においては、１個の
トップリング３２Ｒ−１がロードアンロード位置にアク
セスする状態にあり、１個のトップリング３２Ｒ−２が
研磨テーブル３５Ｒにアクセスする位置にあり、１個の
トップリング３２Ｒ−３が研磨テーブル３４Ｒから離間
した待避位置にある。その他の機器は図１に示す状態と
同一である。
各トップリング３２Ｌ，３２Ｒが各種異なった動作を行
っている状態を示している。即ち、左側の研磨部におい
ては、１個のトップリング３２Ｌ−１がロードアンロー
ド位置にあり、１個のトップリング３２Ｌ−２が研磨テ
ーブル３４Ｌに対してオーバーハングした位置にあり、
１個のトップリング３２Ｌ−３が研磨テーブル３５Ｌ上
の位置にある。一方、右側の研磨部においては、１個の
トップリング３２Ｒ−１がロードアンロード位置にアク
セスする状態にあり、１個のトップリング３２Ｒ−２が
研磨テーブル３５Ｒにアクセスする位置にあり、１個の
トップリング３２Ｒ−３が研磨テーブル３４Ｒから離間
した待避位置にある。その他の機器は図１に示す状態と
同一である。
【００２８】また、ドレッサ３８Ｌ，３８Ｒは、それぞ
れドレッサヘッド６０から吊下されている。ドレッサヘ
ッド６０は位置決め可能な揺動軸によって支持されてお
り、ドレッサ３８Ｌ，３８Ｒは、それぞれ待機位置と研
磨テーブル３４Ｌ，３４Ｒ上のドレッサ位置との間を移
動可能になっている。ドレッサ３９Ｌ，３９Ｒも同様
に、それぞれドレッサヘッド６１から吊下されている。
ドレッサヘッド６１は位置決め可能な揺動軸によって支
持されており、ドレッサ３９Ｌ，３９Ｒは待機位置と研
磨テーブル３５Ｌ，３５Ｒ上のドレッサ位置との間を移
動可能になっている。
れドレッサヘッド６０から吊下されている。ドレッサヘ
ッド６０は位置決め可能な揺動軸によって支持されてお
り、ドレッサ３８Ｌ，３８Ｒは、それぞれ待機位置と研
磨テーブル３４Ｌ，３４Ｒ上のドレッサ位置との間を移
動可能になっている。ドレッサ３９Ｌ，３９Ｒも同様
に、それぞれドレッサヘッド６１から吊下されている。
ドレッサヘッド６１は位置決め可能な揺動軸によって支
持されており、ドレッサ３９Ｌ，３９Ｒは待機位置と研
磨テーブル３５Ｌ，３５Ｒ上のドレッサ位置との間を移
動可能になっている。
【００２９】図３乃至図５はカルーセル３６Ｌ（又は３
６Ｒ）によって支持されたマルチヘッド型のトップリン
グ３２Ｌ（又は３２Ｒ）と研磨テーブル３４Ｌ（又は３
４Ｒ）との関係を示す図であり、図３は概略側面図、図
４および図５は概略斜視図である。カルーセル３６Ｌ、
トップリング３２Ｌおよび研磨テーブル３４Ｌと、カル
ーセル３６Ｒ、トップリング３２Ｒおよび研磨テーブル
３４Ｒとは同一の構成であるため、図３乃至図５に関連
した以下の説明においては、一方のカルーセル３６Ｌ、
トップリング３２Ｌおよび研磨テーブル３４Ｌについて
説明する。
６Ｒ）によって支持されたマルチヘッド型のトップリン
グ３２Ｌ（又は３２Ｒ）と研磨テーブル３４Ｌ（又は３
４Ｒ）との関係を示す図であり、図３は概略側面図、図
４および図５は概略斜視図である。カルーセル３６Ｌ、
トップリング３２Ｌおよび研磨テーブル３４Ｌと、カル
ーセル３６Ｒ、トップリング３２Ｒおよび研磨テーブル
３４Ｒとは同一の構成であるため、図３乃至図５に関連
した以下の説明においては、一方のカルーセル３６Ｌ、
トップリング３２Ｌおよび研磨テーブル３４Ｌについて
説明する。
【００３０】図３に示すように、カルーセル３６Ｌは複
数の柱４１（図３では１個のみ示す）によって支持され
たブリッジ４２によって支持されている。カルーセル３
６Ｌはブリッジ４２に取り付けられたモータ４４の回転
主軸４３に支持されている。したがって、カルーセル３
６Ｌは回転主軸４３の回転によって垂直な回転軸芯Ｏを
中心に回転可能に構成されている。カルーセル３６Ｌに
は３個のトップリング揺動アーム４５（図３では１個の
み示す）が支持されている。各トップリング揺動アーム
４５は、図３では真直に図示されているが、Ｌ字形状に
屈曲されている。
数の柱４１（図３では１個のみ示す）によって支持され
たブリッジ４２によって支持されている。カルーセル３
６Ｌはブリッジ４２に取り付けられたモータ４４の回転
主軸４３に支持されている。したがって、カルーセル３
６Ｌは回転主軸４３の回転によって垂直な回転軸芯Ｏを
中心に回転可能に構成されている。カルーセル３６Ｌに
は３個のトップリング揺動アーム４５（図３では１個の
み示す）が支持されている。各トップリング揺動アーム
４５は、図３では真直に図示されているが、Ｌ字形状に
屈曲されている。
【００３１】各トップリング揺動アーム４５は減速機４
７を介してモータ４８に連結されており、モータ４８を
駆動することによって、トップリング揺動アーム４５は
カルーセル３６Ｌに対して揺動するようになっている。
トップリング揺動アーム４５の先端にはトップリング３
２Ｌが支持されている。トップリング３２Ｌはトップリ
ング軸４６を介してエアシリンダ（図示せず）に連結さ
れ、このトップリング軸４６はタイミングベルト５０を
介してモータ５１に連結されている。したがって、トッ
プリング３２Ｌは、エアシリンダ（図示せず）によって
上下動可能に構成され、モータ５１によって自身の軸芯
の回わりに回転可能に構成されている。
７を介してモータ４８に連結されており、モータ４８を
駆動することによって、トップリング揺動アーム４５は
カルーセル３６Ｌに対して揺動するようになっている。
トップリング揺動アーム４５の先端にはトップリング３
２Ｌが支持されている。トップリング３２Ｌはトップリ
ング軸４６を介してエアシリンダ（図示せず）に連結さ
れ、このトップリング軸４６はタイミングベルト５０を
介してモータ５１に連結されている。したがって、トッ
プリング３２Ｌは、エアシリンダ（図示せず）によって
上下動可能に構成され、モータ５１によって自身の軸芯
の回わりに回転可能に構成されている。
【００３２】図４および図５はブリッジおよび支柱等を
除くことにより、カルーセル３６Ｌ、トップリング揺動
アーム４５およびトップリング３２Ｌの関係をよりわか
りやすく示した図である。図４および図５に示すよう
に、カルーセル３６Ｌは回転主軸４３から１２０゜の等
間隔で放射状に延びた３個のヘッドｈ１，ｈ２，ｈ３か
ら構成されている。またカルーセル３６Ｌの各ヘッドｈ
１〜ｈ３に支持されたトップリング揺動アーム４５はＬ
字状をなし、基端部はカルーセル３６Ｌに支持され、先
端部はトップリング３２Ｌを支持している。
除くことにより、カルーセル３６Ｌ、トップリング揺動
アーム４５およびトップリング３２Ｌの関係をよりわか
りやすく示した図である。図４および図５に示すよう
に、カルーセル３６Ｌは回転主軸４３から１２０゜の等
間隔で放射状に延びた３個のヘッドｈ１，ｈ２，ｈ３か
ら構成されている。またカルーセル３６Ｌの各ヘッドｈ
１〜ｈ３に支持されたトップリング揺動アーム４５はＬ
字状をなし、基端部はカルーセル３６Ｌに支持され、先
端部はトップリング３２Ｌを支持している。
【００３３】図３乃至図５の右側部分には、ロータリト
ランスポータ２７Ｌ（又は２７Ｒ）と、反転機２８Ｌ
（又は２８Ｒ）と、リフタ２９Ｌ（又は２９Ｒ）と、プ
ッシャー３０Ｌ（又は３０Ｒ）との関係が示されてい
る。図３乃至図５に示すように、ロータリトランスポー
タ２７Ｌ（又は２７Ｒ）の上方に反転機２８Ｌ（又は２
８Ｒ）が配置され、ロータリトランスポータ２７Ｌ（又
は２７Ｒ）の下方にリフタ２９Ｌ（又は２９Ｒ）および
プッシャー３０Ｌ（又は３０Ｒ）がそれぞれ配置されて
いる。
ランスポータ２７Ｌ（又は２７Ｒ）と、反転機２８Ｌ
（又は２８Ｒ）と、リフタ２９Ｌ（又は２９Ｒ）と、プ
ッシャー３０Ｌ（又は３０Ｒ）との関係が示されてい
る。図３乃至図５に示すように、ロータリトランスポー
タ２７Ｌ（又は２７Ｒ）の上方に反転機２８Ｌ（又は２
８Ｒ）が配置され、ロータリトランスポータ２７Ｌ（又
は２７Ｒ）の下方にリフタ２９Ｌ（又は２９Ｒ）および
プッシャー３０Ｌ（又は３０Ｒ）がそれぞれ配置されて
いる。
【００３４】図３においては、１個のトップリング３２
Ｌがロータリトランスポータ２７Ｌの上方にある状態が
示されている。図４においては、３個のトップリング３
２Ｌが研磨テーブル３４Ｌ上でウエハを研磨している状
態が示されている。このとき、トップリング揺動アーム
４５は、カルーセル３６Ｌの半径方向内側に入りこむよ
うに揺動している。また図５においては、１個のトップ
リング３２Ｌ−１がロータリトランスポータ２７Ｌの上
方のロードアンロード位置にあり、１個のトップリング
３２Ｌ−２が研磨テーブル３４Ｌに対してオーバーハン
グした位置にあり、１個のトップリング３２Ｌ−３が研
磨テーブル３５Ｌ上でウエハのバフ研磨をしている状態
が示されている。図５においては、各トップリング揺動
アーム４５は、カルーセル３６Ｌから半径方向外側に開
くように揺動している。なお図５では、トップリング３
２Ｌを識別するために１，２，３の添字を用いて図示し
ている。
Ｌがロータリトランスポータ２７Ｌの上方にある状態が
示されている。図４においては、３個のトップリング３
２Ｌが研磨テーブル３４Ｌ上でウエハを研磨している状
態が示されている。このとき、トップリング揺動アーム
４５は、カルーセル３６Ｌの半径方向内側に入りこむよ
うに揺動している。また図５においては、１個のトップ
リング３２Ｌ−１がロータリトランスポータ２７Ｌの上
方のロードアンロード位置にあり、１個のトップリング
３２Ｌ−２が研磨テーブル３４Ｌに対してオーバーハン
グした位置にあり、１個のトップリング３２Ｌ−３が研
磨テーブル３５Ｌ上でウエハのバフ研磨をしている状態
が示されている。図５においては、各トップリング揺動
アーム４５は、カルーセル３６Ｌから半径方向外側に開
くように揺動している。なお図５では、トップリング３
２Ｌを識別するために１，２，３の添字を用いて図示し
ている。
【００３５】次にブリッジとカルーセルとトップリング
揺動アームの各機能について、更に説明する。ブリッジ
４２は、３ヶ所をテーブルベース５２から立ち上がった
支柱４１により堅固に支えられている。３ヶ所の支柱部
分には、ウォームギヤで構成されるギヤボックスとサー
ボモータおよびボールネジから構成されるジャッキとが
配置されている。３ヶ所のジャッキは同期制御され、同
時に動作することで、ターンテーブル３４Ｌ（又は３４
Ｒ）に貼り付けられた研磨クロスを交換する場合などの
メンテナンス時に、カルーセル３６Ｌを上昇させること
ができるようになっている。通常の動作中は、ブリッジ
４２はテーブルベース５２から立ち上がった３本の支柱
４１で支えられ、支柱上端のカップリング凸部とブリッ
ジ底面に取付けられたカップリング凹部がかみ合った状
態で静止している。さらに、凹凸カップリングの締結を
堅固なものにするため、ジャッキモータにトルクをか
け、あたかもボルト締結をしているような状態にしてい
る。また回転するカルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）に圧
力流体、電源、信号を供給するために、ブリッジ４２の
上には、配管および配線が螺旋状に配置させていて、カ
ルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）が回転しても断線および
配管のねじりがないようにしている。
揺動アームの各機能について、更に説明する。ブリッジ
４２は、３ヶ所をテーブルベース５２から立ち上がった
支柱４１により堅固に支えられている。３ヶ所の支柱部
分には、ウォームギヤで構成されるギヤボックスとサー
ボモータおよびボールネジから構成されるジャッキとが
配置されている。３ヶ所のジャッキは同期制御され、同
時に動作することで、ターンテーブル３４Ｌ（又は３４
Ｒ）に貼り付けられた研磨クロスを交換する場合などの
メンテナンス時に、カルーセル３６Ｌを上昇させること
ができるようになっている。通常の動作中は、ブリッジ
４２はテーブルベース５２から立ち上がった３本の支柱
４１で支えられ、支柱上端のカップリング凸部とブリッ
ジ底面に取付けられたカップリング凹部がかみ合った状
態で静止している。さらに、凹凸カップリングの締結を
堅固なものにするため、ジャッキモータにトルクをか
け、あたかもボルト締結をしているような状態にしてい
る。また回転するカルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）に圧
力流体、電源、信号を供給するために、ブリッジ４２の
上には、配管および配線が螺旋状に配置させていて、カ
ルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）が回転しても断線および
配管のねじりがないようにしている。
【００３６】カルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）は、ブリ
ッジ４２から堅固な軸受を内蔵するモータ４４により懸
架されている。カルーセル３６Ｌは、トップリング揺動
アーム４５がポリッシング位置にある時のみ回転可能に
制御される。回転していない時は、内蔵されたエアブレ
ーキにより回転しないように保持され、回転動作時のみ
このエアブレーキが開放される。カルーセル３６Ｌは正
逆方向に回転可能であり、カルーセル３６Ｌの回転は２
４０°に制限され、同一回転方向に回転し続けることは
ない。カルーセル３６Ｌを回転駆動するモータ４４は、
研磨テーブルを回転駆動するモータと同様に、偏平で大
きな外径をもち、低速回転可能となっている。カルーセ
ル３６Ｌを支持する回転主軸４３は、カルーセル３６
Ｌ、トップリング揺動アーム４５に圧力流体、電源、制
御信号を供給するため、中空軸となっている。
ッジ４２から堅固な軸受を内蔵するモータ４４により懸
架されている。カルーセル３６Ｌは、トップリング揺動
アーム４５がポリッシング位置にある時のみ回転可能に
制御される。回転していない時は、内蔵されたエアブレ
ーキにより回転しないように保持され、回転動作時のみ
このエアブレーキが開放される。カルーセル３６Ｌは正
逆方向に回転可能であり、カルーセル３６Ｌの回転は２
４０°に制限され、同一回転方向に回転し続けることは
ない。カルーセル３６Ｌを回転駆動するモータ４４は、
研磨テーブルを回転駆動するモータと同様に、偏平で大
きな外径をもち、低速回転可能となっている。カルーセ
ル３６Ｌを支持する回転主軸４３は、カルーセル３６
Ｌ、トップリング揺動アーム４５に圧力流体、電源、制
御信号を供給するため、中空軸となっている。
【００３７】一方、トップリング揺動アーム４５は、カ
ルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）に堅固な軸受により水平
面内で回転可能に懸架されている。トップリング揺動ア
ーム４５は、カルーセル回転角度との組み合わせによ
り、研磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）上でのポリッシ
ング位置、ポリッシング後のウエハをパッド上から容易
に引き離すために、テーブル外周端よりウエハをはみ出
させるオーバハング位置、トップリング３２Ｌ（又は３
２Ｒ）に保持したウエハを研磨テーブル３５Ｌ（又は３
５Ｒ）上に押し付けるバフィング位置、トップリング３
２Ｌ（又は３２Ｒ）にウエハを装着またはトップリング
３２Ｌ（又は３２Ｒ）よりウエハを離脱させるロードア
ンロード位置、および、トップリング３２Ｌ（又は３２
Ｒ）をメンテナンスする場合にトップリング軸（スプラ
インシャフト）４６から取り外しするためのメンテナン
ス位置に揺動回転移動可能になっている。トップリング
揺動アーム４５の揺動回転移動は、堅固な軸受を介して
取付けられたサーボモータ４８により制御させるように
なっている。トップリング揺動アーム４５の回転揺動の
揺動端には、センサおよびメカニカルストッパが設けら
れている。
ルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）に堅固な軸受により水平
面内で回転可能に懸架されている。トップリング揺動ア
ーム４５は、カルーセル回転角度との組み合わせによ
り、研磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）上でのポリッシ
ング位置、ポリッシング後のウエハをパッド上から容易
に引き離すために、テーブル外周端よりウエハをはみ出
させるオーバハング位置、トップリング３２Ｌ（又は３
２Ｒ）に保持したウエハを研磨テーブル３５Ｌ（又は３
５Ｒ）上に押し付けるバフィング位置、トップリング３
２Ｌ（又は３２Ｒ）にウエハを装着またはトップリング
３２Ｌ（又は３２Ｒ）よりウエハを離脱させるロードア
ンロード位置、および、トップリング３２Ｌ（又は３２
Ｒ）をメンテナンスする場合にトップリング軸（スプラ
インシャフト）４６から取り外しするためのメンテナン
ス位置に揺動回転移動可能になっている。トップリング
揺動アーム４５の揺動回転移動は、堅固な軸受を介して
取付けられたサーボモータ４８により制御させるように
なっている。トップリング揺動アーム４５の回転揺動の
揺動端には、センサおよびメカニカルストッパが設けら
れている。
【００３８】また、トップリング揺動アーム４５は、研
磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）上でポリッシング位置
にある時、その一部がカルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）
にかぶさるように収納され、さらにその一部が、カルー
セル底面に取付けられたプレートに接し、上方向に動き
を拘束される。さらに、カルーセル底面に取付けられた
空圧シリンダにより、トップリング揺動アーム４５の上
面が、同プレートに押し付けられる。これは、ポリッシ
ング中にウエハが受ける垂直方向の加工反力により、ト
ップリング揺動アーム４５が上方向に弾性変形するのを
防ぎ、安定的に姿勢が保たれるようにするためである。
磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）上でポリッシング位置
にある時、その一部がカルーセル３６Ｌ（又は３６Ｒ）
にかぶさるように収納され、さらにその一部が、カルー
セル底面に取付けられたプレートに接し、上方向に動き
を拘束される。さらに、カルーセル底面に取付けられた
空圧シリンダにより、トップリング揺動アーム４５の上
面が、同プレートに押し付けられる。これは、ポリッシ
ング中にウエハが受ける垂直方向の加工反力により、ト
ップリング揺動アーム４５が上方向に弾性変形するのを
防ぎ、安定的に姿勢が保たれるようにするためである。
【００３９】装置動作安全上、トップリング揺動アーム
４５が動作を許された場所以外で誤って動作しないよう
に、図３に示すように、ブリッジ４２の底面には、トッ
プリング揺動アーム動作ガイドプレート５３が設けられ
ている。そして、トップリング揺動アーム４５の上面に
は、ガイドポール５６が固定されており、このガイドポ
ール５６はガイドプレート５３の溝に嵌合されている
（後述する）。これによって、ガイドポール５６はガイ
ドプレート５３にあらかじめ規定された経路以外に動く
ことができないように設定されている。
４５が動作を許された場所以外で誤って動作しないよう
に、図３に示すように、ブリッジ４２の底面には、トッ
プリング揺動アーム動作ガイドプレート５３が設けられ
ている。そして、トップリング揺動アーム４５の上面に
は、ガイドポール５６が固定されており、このガイドポ
ール５６はガイドプレート５３の溝に嵌合されている
（後述する）。これによって、ガイドポール５６はガイ
ドプレート５３にあらかじめ規定された経路以外に動く
ことができないように設定されている。
【００４０】次に、ガイドプレート５３について説明す
る。図６はガイドプレート５３の平面図である。図６に
示すように、ガイドプレート５３には６個の円弧状の溝
５４ａ〜５４ｆが形成されている。溝５４ａはロードア
ンロード位置規制用溝であり、溝５４ｂはメンテナンス
位置規制用溝、溝５４ｃは待機位置規制用溝である。ま
た溝５４ｄはトップリング交換位置規制用溝、溝５４ｅ
はバフ位置規制用溝、５４ｆはメンテナンス位置規制用
溝である。これら溝５４ａ〜５４ｆに各トップリング揺
動アーム４５から立設されたガイドポール５６が嵌合さ
れており、各トップリング揺動アーム４５の動きが規定
されるようになっている。さらにガイドプレート５３に
より規定された経路の要所には、センサが設けられてい
て、各トップリング揺動アーム４５が規定された以上に
移動しようとした場合、制御ハード回路によりインター
ロックが働くようになっている。
る。図６はガイドプレート５３の平面図である。図６に
示すように、ガイドプレート５３には６個の円弧状の溝
５４ａ〜５４ｆが形成されている。溝５４ａはロードア
ンロード位置規制用溝であり、溝５４ｂはメンテナンス
位置規制用溝、溝５４ｃは待機位置規制用溝である。ま
た溝５４ｄはトップリング交換位置規制用溝、溝５４ｅ
はバフ位置規制用溝、５４ｆはメンテナンス位置規制用
溝である。これら溝５４ａ〜５４ｆに各トップリング揺
動アーム４５から立設されたガイドポール５６が嵌合さ
れており、各トップリング揺動アーム４５の動きが規定
されるようになっている。さらにガイドプレート５３に
より規定された経路の要所には、センサが設けられてい
て、各トップリング揺動アーム４５が規定された以上に
移動しようとした場合、制御ハード回路によりインター
ロックが働くようになっている。
【００４１】上述の構成において、３個の半導体ウエハ
がバッチ処理される場合について説明する。この場合、
左側の研磨ユニットについて説明する。搬送ロボット２
０によって、反転機２８Ｌに搬送されたウエハは、ロー
タリトランスポータ２７Ｌのステージの中心と、反転機
２８Ｌでチャックされたウエハの中心の位相が合った時
に、ロータリトランスポータ２７Ｌの下方に設置された
リフタ２９Ｌが昇降することで、ロータリトランスポー
タ２７Ｌ上に搬送される。ロータリトランスポータ２７
Ｌのステージ上に載せられたウエハは、ロータリトラン
スポータ２７Ｌの回転割り出しによって、トップリング
３２Ｌの下方へ搬送される。トップリング３２Ｌは、ト
ップリング揺動アーム４５の揺動によって予めロータリ
トランスポータ２７Ｌのロードアンロード位置に揺動し
ている。トップリング３２Ｌの中心が前記ロータリトラ
ンスポータ２７Ｌに搭載されたウエハの中心と位相が合
ったとき、それらの下方に配置されたプッシャー３０Ｌ
が昇降することで、ウエハはロータリトランスポータ２
７Ｌから１個のトップリング３２Ｌへ移送される。上述
の動作を繰り返すことによりカルーセル３６Ｌに支持さ
れた３つのトップリング３２Ｌへのウエハのロードが行
われる。
がバッチ処理される場合について説明する。この場合、
左側の研磨ユニットについて説明する。搬送ロボット２
０によって、反転機２８Ｌに搬送されたウエハは、ロー
タリトランスポータ２７Ｌのステージの中心と、反転機
２８Ｌでチャックされたウエハの中心の位相が合った時
に、ロータリトランスポータ２７Ｌの下方に設置された
リフタ２９Ｌが昇降することで、ロータリトランスポー
タ２７Ｌ上に搬送される。ロータリトランスポータ２７
Ｌのステージ上に載せられたウエハは、ロータリトラン
スポータ２７Ｌの回転割り出しによって、トップリング
３２Ｌの下方へ搬送される。トップリング３２Ｌは、ト
ップリング揺動アーム４５の揺動によって予めロータリ
トランスポータ２７Ｌのロードアンロード位置に揺動し
ている。トップリング３２Ｌの中心が前記ロータリトラ
ンスポータ２７Ｌに搭載されたウエハの中心と位相が合
ったとき、それらの下方に配置されたプッシャー３０Ｌ
が昇降することで、ウエハはロータリトランスポータ２
７Ｌから１個のトップリング３２Ｌへ移送される。上述
の動作を繰り返すことによりカルーセル３６Ｌに支持さ
れた３つのトップリング３２Ｌへのウエハのロードが行
われる。
【００４２】全てのトップリング３２Ｌに半導体ウエハ
を装着した後に、全てのトップリング３２Ｌによって半
導体ウエハを研磨テーブル３４Ｌに押し付けて３個の半
導体ウエハの同時研磨を行なう。この場合、半導体ウエ
ハを回転している研磨テーブル３４Ｌの上面の研磨クロ
ス又は砥石等からなる研磨面にエアシリンダ（図示せ
ず）により押圧する。一方、研磨砥液ノズル（図示せ
ず）から研磨砥液を流すことより、研磨面に研磨砥液が
保持されており、半導体ウエハの被研磨面（下面）と研
磨面の間に研磨砥液が存在した状態でポリッシングが行
われる。この研磨中に、全ての半導体ウエハの研磨状態
を光学式センサ（後述する）で監視する。
を装着した後に、全てのトップリング３２Ｌによって半
導体ウエハを研磨テーブル３４Ｌに押し付けて３個の半
導体ウエハの同時研磨を行なう。この場合、半導体ウエ
ハを回転している研磨テーブル３４Ｌの上面の研磨クロ
ス又は砥石等からなる研磨面にエアシリンダ（図示せ
ず）により押圧する。一方、研磨砥液ノズル（図示せ
ず）から研磨砥液を流すことより、研磨面に研磨砥液が
保持されており、半導体ウエハの被研磨面（下面）と研
磨面の間に研磨砥液が存在した状態でポリッシングが行
われる。この研磨中に、全ての半導体ウエハの研磨状態
を光学式センサ（後述する）で監視する。
【００４３】その後、所望の研磨時間が終了すると、ト
ップリング３２Ｌはウエハを吸着保持する。そして、ト
ップリング揺動アーム４５を半径方向外方に揺動させる
ことにより、トップリング３２Ｌは研磨テーブル上をウ
エハと研磨パッドが接触したままの状態で揺動し、ウエ
ハの中心が研磨テーブル３４Ｌ上に存在し可能な限り研
磨テーブル３４Ｌの外周近傍に位置し、ウエハの表面の
４０％程度が研磨テーブル３４Ｌからはみ出すところま
で移動する。その後、エアシリンダ（図示せず）を作動
させ、ウエハと共にトップリング３２Ｌを上昇させる。
これは、使用する研磨パッドによっては、パッド上のス
ラリーとウエハとの間の表面張力がトップリングの吸着
力よりも強くなることがあり、ウエハが研磨パッド上に
残されてしまうため、その表面張力を減少させるため
に、研磨テーブル上よりもウエハを飛び出させてからト
ップリング３２Ｌを上昇させる。ウエハがウエハ面積の
４０％以上研磨テーブルからはみ出ると、トップリング
は傾き、ウエハが研磨テーブルのエッジに当たりウエハ
が割れてしまう恐れがあるので４０％程度のはみ出しが
望ましい。
ップリング３２Ｌはウエハを吸着保持する。そして、ト
ップリング揺動アーム４５を半径方向外方に揺動させる
ことにより、トップリング３２Ｌは研磨テーブル上をウ
エハと研磨パッドが接触したままの状態で揺動し、ウエ
ハの中心が研磨テーブル３４Ｌ上に存在し可能な限り研
磨テーブル３４Ｌの外周近傍に位置し、ウエハの表面の
４０％程度が研磨テーブル３４Ｌからはみ出すところま
で移動する。その後、エアシリンダ（図示せず）を作動
させ、ウエハと共にトップリング３２Ｌを上昇させる。
これは、使用する研磨パッドによっては、パッド上のス
ラリーとウエハとの間の表面張力がトップリングの吸着
力よりも強くなることがあり、ウエハが研磨パッド上に
残されてしまうため、その表面張力を減少させるため
に、研磨テーブル上よりもウエハを飛び出させてからト
ップリング３２Ｌを上昇させる。ウエハがウエハ面積の
４０％以上研磨テーブルからはみ出ると、トップリング
は傾き、ウエハが研磨テーブルのエッジに当たりウエハ
が割れてしまう恐れがあるので４０％程度のはみ出しが
望ましい。
【００４４】トップリング３２Ｌの上昇が完了すると、
エアシリンダ（図示せず）の上昇点検出センサが作動
し、上昇動作が完了したことが確認できる。そして、ト
ップリング３２Ｌの揺動動作を開始し、ロードアンロー
ド位置であるプッシャー３０Ｌの上方へ移動してプッシ
ャーへのウエハの受け渡しを行う。ウエハをプッシャー
３０Ｌに受け渡した後、トップリング３２Ｌに向って下
方から洗浄液を吹き付け、トップリング３２Ｌのウエハ
保持面やその周辺を洗浄する。この洗浄水の供給は、次
のウエハがトップリング３２Ｌに受け渡されるまでの間
トップリングの乾燥防止を目的とし、継続してもよい。
ランニングコストを考慮して間欠的に洗浄水を吹き付け
てもよい。ポリッシングの間に、例えばポリッシング時
間を複数のステップに分割し、そのステップ毎にトップ
リングの押付け力や、回転数、ウエハの保持方法を変更
することが可能になっている。また使用する砥液の種
類、量、濃度、温度、供給のタイミングなどを変更する
ことが可能である。
エアシリンダ（図示せず）の上昇点検出センサが作動
し、上昇動作が完了したことが確認できる。そして、ト
ップリング３２Ｌの揺動動作を開始し、ロードアンロー
ド位置であるプッシャー３０Ｌの上方へ移動してプッシ
ャーへのウエハの受け渡しを行う。ウエハをプッシャー
３０Ｌに受け渡した後、トップリング３２Ｌに向って下
方から洗浄液を吹き付け、トップリング３２Ｌのウエハ
保持面やその周辺を洗浄する。この洗浄水の供給は、次
のウエハがトップリング３２Ｌに受け渡されるまでの間
トップリングの乾燥防止を目的とし、継続してもよい。
ランニングコストを考慮して間欠的に洗浄水を吹き付け
てもよい。ポリッシングの間に、例えばポリッシング時
間を複数のステップに分割し、そのステップ毎にトップ
リングの押付け力や、回転数、ウエハの保持方法を変更
することが可能になっている。また使用する砥液の種
類、量、濃度、温度、供給のタイミングなどを変更する
ことが可能である。
【００４５】次に、ロータリトランスポータとその周辺
機器である反転機、リフタおよびプッシャーについて図
７乃至図１２を参照して説明する。図７は反転機を示す
図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は一部断面
された側面図である。反転機２８Ｌと２８Ｒとは同一構
造であるため、以下の説明は反転機２８Ｌのみを説明す
る。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、反転機
２８は２本の円弧状のアーム２３０を備え、アーム２３
０にウエハをクランプするための溝が形成されたコマ２
３１が複数（たとえば６個）固定されている。このアー
ム２３０はシリンダ２３２と圧縮バネ２３３の力を利用
して押し引きされるシャフト２３４の動きに合せて開閉
されるように構成されている。アーム２３０は、シリン
ダ２３２が伸びたときに開き、シリンダ２３２が縮んだ
ときに圧縮バネ２３３の力で閉じられる。シャフト２３
４とシリンダ２３２の先端には間隔が設けてあり、シャ
フト２３４は圧縮バネ２３３の力でエンドブロック２３
６にストッパ２３５が当たるまで引き戻される。
機器である反転機、リフタおよびプッシャーについて図
７乃至図１２を参照して説明する。図７は反転機を示す
図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は一部断面
された側面図である。反転機２８Ｌと２８Ｒとは同一構
造であるため、以下の説明は反転機２８Ｌのみを説明す
る。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、反転機
２８は２本の円弧状のアーム２３０を備え、アーム２３
０にウエハをクランプするための溝が形成されたコマ２
３１が複数（たとえば６個）固定されている。このアー
ム２３０はシリンダ２３２と圧縮バネ２３３の力を利用
して押し引きされるシャフト２３４の動きに合せて開閉
されるように構成されている。アーム２３０は、シリン
ダ２３２が伸びたときに開き、シリンダ２３２が縮んだ
ときに圧縮バネ２３３の力で閉じられる。シャフト２３
４とシリンダ２３２の先端には間隔が設けてあり、シャ
フト２３４は圧縮バネ２３３の力でエンドブロック２３
６にストッパ２３５が当たるまで引き戻される。
【００４６】また、ウエハ１０１がチャックされている
ときは、ストッパ２３５とエンドブロック２３６の間に
は１ｍｍのクリアランスができるようにエンドブロック
２３６が調整されている。そして、ストッパ２３５には
スリットが切られており、ウエハをクランプした位置で
このスリットを透過するように透過型光センサ２３７が
配置されている。したがって、ウエハ１０１をクランプ
していない時、もしくは正常にクランプできなかったと
きには、このセンサ２３７の光は透過しないため、ウエ
ハ１０１の有無をこのセンサ２３７が認識できるように
なっている。
ときは、ストッパ２３５とエンドブロック２３６の間に
は１ｍｍのクリアランスができるようにエンドブロック
２３６が調整されている。そして、ストッパ２３５には
スリットが切られており、ウエハをクランプした位置で
このスリットを透過するように透過型光センサ２３７が
配置されている。したがって、ウエハ１０１をクランプ
していない時、もしくは正常にクランプできなかったと
きには、このセンサ２３７の光は透過しないため、ウエ
ハ１０１の有無をこのセンサ２３７が認識できるように
なっている。
【００４７】また、シャフト２３４のスライド機構とプ
ーリ２３８とが接続されており、プーリ２３８はステッ
ピングモータ２３９の軸端のプーリ２４０とベルト２４
１で連結されており、ステッピングモータ２３９が回転
するとアーム２３０が回転する構造になっている。ま
た、図１に示すように、反転機２８Ｌ，２８Ｒと搬送ロ
ボット２０，２１との間にはシャッター２６Ｌ，２６Ｒ
が設置されており、反転機の入っているポリッシング室
と搬送ロボットのある洗浄室とを仕切っている。ウエハ
の搬送時にはこのシャッター２６Ｌ，２６Ｒを開き、搬
送ロボット２０，２１のハンドが出入りする。搬送ロボ
ット２０，２１のハンドの出入りがないときにはこのシ
ャッター２６Ｌ，２６Ｒは閉まっており、ウエハの洗浄
やアームに固定されたチャックコマの洗浄などが行える
ように防水機構をなしている。
ーリ２３８とが接続されており、プーリ２３８はステッ
ピングモータ２３９の軸端のプーリ２４０とベルト２４
１で連結されており、ステッピングモータ２３９が回転
するとアーム２３０が回転する構造になっている。ま
た、図１に示すように、反転機２８Ｌ，２８Ｒと搬送ロ
ボット２０，２１との間にはシャッター２６Ｌ，２６Ｒ
が設置されており、反転機の入っているポリッシング室
と搬送ロボットのある洗浄室とを仕切っている。ウエハ
の搬送時にはこのシャッター２６Ｌ，２６Ｒを開き、搬
送ロボット２０，２１のハンドが出入りする。搬送ロボ
ット２０，２１のハンドの出入りがないときにはこのシ
ャッター２６Ｌ，２６Ｒは閉まっており、ウエハの洗浄
やアームに固定されたチャックコマの洗浄などが行える
ように防水機構をなしている。
【００４８】次に、上述のように構成された反転機の動
作を説明する。反転機２８Ｌへは搬送ロボット２０とリ
フタ２９Ｌがアクセス可能で、ウエハの受渡しを行う。
また反転機２８Ｒへは搬送ロボット２１とリフタ２９Ｒ
がアクセス可能で、ウエハの受渡しを行う。反転機２８
Ｌは搬送ロボット２０やリフタ２９Ｌから搬送されてく
るウエハをアーム２３０を開いた状態で待っている。搬
送ロボット２０の下ハンド、又はリフタ２９Ｌで搬送さ
れるウエハの位置がアームに固定されたコマ２３１のウ
エハクランプ用の溝と平面的に同じ高さで、且つアーム
のコマ配置の概ね中心に搬送されてきた時、搬送ロボッ
ト２０やリフタ２９Ｌからの移動完了の信号を受けてア
ーム２３０を閉じる。センサ２３７でウエハ１０１の有
無を確認した後、搬送ロボット２０はハンドをある所定
の高さまで下げて、その後ハンドを引き抜く。一方、リ
フタ２９Ｌはウエハ１０１の有無を確認後、下方に待避
してウエハの反転機２８Ｌへの受け渡しを完了する。反
転機２８Ｌに受け渡されたウエハ１０１はアーム２３０
と共にステッピングモータ２３９にて反転される。反転
されたウエハ１０１はその後の搬送機構である搬送ロボ
ット２０やリフタ２９Ｌがウエハを受け取りにくるまで
その状態で待機する。
作を説明する。反転機２８Ｌへは搬送ロボット２０とリ
フタ２９Ｌがアクセス可能で、ウエハの受渡しを行う。
また反転機２８Ｒへは搬送ロボット２１とリフタ２９Ｒ
がアクセス可能で、ウエハの受渡しを行う。反転機２８
Ｌは搬送ロボット２０やリフタ２９Ｌから搬送されてく
るウエハをアーム２３０を開いた状態で待っている。搬
送ロボット２０の下ハンド、又はリフタ２９Ｌで搬送さ
れるウエハの位置がアームに固定されたコマ２３１のウ
エハクランプ用の溝と平面的に同じ高さで、且つアーム
のコマ配置の概ね中心に搬送されてきた時、搬送ロボッ
ト２０やリフタ２９Ｌからの移動完了の信号を受けてア
ーム２３０を閉じる。センサ２３７でウエハ１０１の有
無を確認した後、搬送ロボット２０はハンドをある所定
の高さまで下げて、その後ハンドを引き抜く。一方、リ
フタ２９Ｌはウエハ１０１の有無を確認後、下方に待避
してウエハの反転機２８Ｌへの受け渡しを完了する。反
転機２８Ｌに受け渡されたウエハ１０１はアーム２３０
と共にステッピングモータ２３９にて反転される。反転
されたウエハ１０１はその後の搬送機構である搬送ロボ
ット２０やリフタ２９Ｌがウエハを受け取りにくるまで
その状態で待機する。
【００４９】反転の動作はポリッシングの前後にそれぞ
れ行なわれる。ポリッシング後のウエハ１０１を反転す
る場合は、ポリッシング時にウエハ１０１についた砥液
や研磨屑がウエハ１０１上で乾燥し、固着してウエハ１
０１にダメージを与えるのを防止するため、反転中や反
転後にウエハ１０１へ洗浄液をリンスする。リンスされ
る洗浄液は純水や薬液が使用され、スプレーノズルによ
り必要流量、圧力で、最適な角度から所望の時間吹き付
ける。このリンスにより後段の洗浄性能が充分に発揮で
きる。ウエハ１０１が反転機２８Ｌ上で待機する場合、
その間中、洗浄液を流し続けるが、ランニングコストを
考慮し洗浄液を間欠的に流して洗浄液の使用量を低減し
ても良い。また、反転機２８Ｌがウエハ１０１をクラン
プしていない時に、ウエハ１０１をクランプする溝やそ
の周辺をその洗浄液で洗浄し、ウエハ１０１に接触する
部位からウエハ１０１が逆汚染されるのを防ぐこともで
きる。
れ行なわれる。ポリッシング後のウエハ１０１を反転す
る場合は、ポリッシング時にウエハ１０１についた砥液
や研磨屑がウエハ１０１上で乾燥し、固着してウエハ１
０１にダメージを与えるのを防止するため、反転中や反
転後にウエハ１０１へ洗浄液をリンスする。リンスされ
る洗浄液は純水や薬液が使用され、スプレーノズルによ
り必要流量、圧力で、最適な角度から所望の時間吹き付
ける。このリンスにより後段の洗浄性能が充分に発揮で
きる。ウエハ１０１が反転機２８Ｌ上で待機する場合、
その間中、洗浄液を流し続けるが、ランニングコストを
考慮し洗浄液を間欠的に流して洗浄液の使用量を低減し
ても良い。また、反転機２８Ｌがウエハ１０１をクラン
プしていない時に、ウエハ１０１をクランプする溝やそ
の周辺をその洗浄液で洗浄し、ウエハ１０１に接触する
部位からウエハ１０１が逆汚染されるのを防ぐこともで
きる。
【００５０】図８はリフタを示す縦断面図である。リフ
タ２９Ｌと２９Ｒとは同一の構造であるため、以下の説
明ではリフタ２９Ｌのみを説明する。リフタ２９Ｌは、
ウエハを載置するステージ２６０とステージの上昇下降
動作を行うシリンダ２６１とを備えており、シリンダ２
６１とステージ２６０とはスライド可能なシャフト２６
２で連結されている。ステージ２６０は上方から見て等
角度に配置される３本の爪２６３に分かれていて、それ
ぞれの爪２６３はオリフラウエハを載置した場合でも搬
送に影響しない範囲内にウエハを保持できるような間隔
で配置される。この爪２６３は反転機２８Ｌのチャック
用のコマ２３１と位相が一致しない向きに配置されてい
る。つまりチャック用のコマ２３１がウエハを保持する
第一のウエハエッジ部と、リフタの爪が保持する第二の
ウエハエッジ部は一致しない。また、反転機２８Ｌやロ
ータリトランスポータ２７Ｌとのウエハ受け渡しを行う
爪２６３にはウエハが載置される面があり、それより上
方はウエハが載置される際に搬送位置決め誤差を吸収
し、ウエハを求芯するようにテーパ状になっている。
タ２９Ｌと２９Ｒとは同一の構造であるため、以下の説
明ではリフタ２９Ｌのみを説明する。リフタ２９Ｌは、
ウエハを載置するステージ２６０とステージの上昇下降
動作を行うシリンダ２６１とを備えており、シリンダ２
６１とステージ２６０とはスライド可能なシャフト２６
２で連結されている。ステージ２６０は上方から見て等
角度に配置される３本の爪２６３に分かれていて、それ
ぞれの爪２６３はオリフラウエハを載置した場合でも搬
送に影響しない範囲内にウエハを保持できるような間隔
で配置される。この爪２６３は反転機２８Ｌのチャック
用のコマ２３１と位相が一致しない向きに配置されてい
る。つまりチャック用のコマ２３１がウエハを保持する
第一のウエハエッジ部と、リフタの爪が保持する第二の
ウエハエッジ部は一致しない。また、反転機２８Ｌやロ
ータリトランスポータ２７Ｌとのウエハ受け渡しを行う
爪２６３にはウエハが載置される面があり、それより上
方はウエハが載置される際に搬送位置決め誤差を吸収
し、ウエハを求芯するようにテーパ状になっている。
【００５１】シリンダの上昇動作でステージ２６０のウ
エハ保持面は反転機のウエハ保持高さまで上昇する。こ
の上昇動作を停止させるためにストッパとして緩衝機能
のあるストッパ２６４が設置されている。このストッパ
２６４にシリンダの軸に固定されたストッパベース２６
５が当接するとシリンダ２６１の上昇が停止し、シリン
ダ２６１の軸に連結されているステージ２６０の上昇も
同時に停止する。このストッパ２６４の位置によりステ
ージ２６０の上昇する高さを受け渡し高さに調整でき
る。また、このシリンダ２６１には上昇位置と下降位置
のそれぞれを検知するセンサ２６６，２６７が設けられ
ており、シリンダ２６１の上昇下降の動作が完了したこ
とを検知できるようになっている。
エハ保持面は反転機のウエハ保持高さまで上昇する。こ
の上昇動作を停止させるためにストッパとして緩衝機能
のあるストッパ２６４が設置されている。このストッパ
２６４にシリンダの軸に固定されたストッパベース２６
５が当接するとシリンダ２６１の上昇が停止し、シリン
ダ２６１の軸に連結されているステージ２６０の上昇も
同時に停止する。このストッパ２６４の位置によりステ
ージ２６０の上昇する高さを受け渡し高さに調整でき
る。また、このシリンダ２６１には上昇位置と下降位置
のそれぞれを検知するセンサ２６６，２６７が設けられ
ており、シリンダ２６１の上昇下降の動作が完了したこ
とを検知できるようになっている。
【００５２】次に、上述のように構成されたリフタの動
作を説明する。リフタ２９Ｌは反転機２８Ｌとロータリ
トランスポータ２７Ｌの間のウエハ搬送機構である。ポ
リッシング前のウエハは搬送ロボット２０から反転機２
８Ｌへ搬送される。その後、ウエハは反転され、パター
ン面が下を向く。反転機２８Ｌで保持されたウエハに対
し下方からリフタ２９Ｌが上昇してきてウエハの直下で
停止する。リフタ２９Ｌの上端にはウエハを載置するス
テージ２６０があり、ウエハを載置することができる。
リフタ２９Ｌの上昇がウエハの直下で停止したのを、例
えばリフタの上昇用シリンダのセンサ２６６で確認する
と、反転機２８Ｌはウエハのクランプを開放し、ウエハ
はリフタ２９Ｌのステージ２６０に載る。その後、リフ
タ２９Ｌはウエハを載置したまま下降をする。下降の途
中でウエハはロータリトランスポータ２７Ｌに受け渡さ
れる。このとき、ウエハはロータリトランスポータ２７
Ｌのピン上に載置される。ウエハがロータリトランスポ
ータ２７Ｌに受け渡された後もリフタ２９Ｌは下降を続
け、シリンダ２６１のストローク分まで下降して停止す
る。
作を説明する。リフタ２９Ｌは反転機２８Ｌとロータリ
トランスポータ２７Ｌの間のウエハ搬送機構である。ポ
リッシング前のウエハは搬送ロボット２０から反転機２
８Ｌへ搬送される。その後、ウエハは反転され、パター
ン面が下を向く。反転機２８Ｌで保持されたウエハに対
し下方からリフタ２９Ｌが上昇してきてウエハの直下で
停止する。リフタ２９Ｌの上端にはウエハを載置するス
テージ２６０があり、ウエハを載置することができる。
リフタ２９Ｌの上昇がウエハの直下で停止したのを、例
えばリフタの上昇用シリンダのセンサ２６６で確認する
と、反転機２８Ｌはウエハのクランプを開放し、ウエハ
はリフタ２９Ｌのステージ２６０に載る。その後、リフ
タ２９Ｌはウエハを載置したまま下降をする。下降の途
中でウエハはロータリトランスポータ２７Ｌに受け渡さ
れる。このとき、ウエハはロータリトランスポータ２７
Ｌのピン上に載置される。ウエハがロータリトランスポ
ータ２７Ｌに受け渡された後もリフタ２９Ｌは下降を続
け、シリンダ２６１のストローク分まで下降して停止す
る。
【００５３】逆にポリッシング後のウエハは、ロータリ
トランスポータ２７Ｌから反転機２８Ｌにリフタ２９Ｌ
によって搬送される。ポリッシング後のウエハはロータ
リトランスポータ２７Ｌに載ってリフタ２９Ｌの上方に
搬送されてくる。この時、リフタ２９Ｌはロータリトラ
ンスポータ２７Ｌの下の位置にある。ロータリトランス
ポータ２７Ｌに載せられたウエハがリフタの真上に来て
停止したことを確認した後、リフタ２９Ｌは上昇を開始
する。リフタ２９Ｌは上昇の途中でロータリトランスポ
ータ２７Ｌに載ったウエハを下方から取り去る。その
後、ウエハを載せたまま上昇を続ける。この時、反転機
２８Ｌはウエハをクランプする準備としてアーム２３０
が開いた状態で待っている。反転機２８Ｌのアーム２３
０のウエハをクランプするコマ２３１のウエハクランプ
用の溝の高さでウエハの上昇は停止し、上昇終了とな
る。上昇終了は前述のシリンダ２６１のセンサ２６６で
検知され、この検知信号は装置本体の制御系に送られ、
上昇終了が認識される。その信号を受け、反転機２８Ｌ
はクランプ動作として開いているアーム２３０を閉じ
る。この動作によりウエハは反転機２８Ｌに保持され
る。反転機２８Ｌで保持を確認したら、リフタ２９Ｌは
下降する。
トランスポータ２７Ｌから反転機２８Ｌにリフタ２９Ｌ
によって搬送される。ポリッシング後のウエハはロータ
リトランスポータ２７Ｌに載ってリフタ２９Ｌの上方に
搬送されてくる。この時、リフタ２９Ｌはロータリトラ
ンスポータ２７Ｌの下の位置にある。ロータリトランス
ポータ２７Ｌに載せられたウエハがリフタの真上に来て
停止したことを確認した後、リフタ２９Ｌは上昇を開始
する。リフタ２９Ｌは上昇の途中でロータリトランスポ
ータ２７Ｌに載ったウエハを下方から取り去る。その
後、ウエハを載せたまま上昇を続ける。この時、反転機
２８Ｌはウエハをクランプする準備としてアーム２３０
が開いた状態で待っている。反転機２８Ｌのアーム２３
０のウエハをクランプするコマ２３１のウエハクランプ
用の溝の高さでウエハの上昇は停止し、上昇終了とな
る。上昇終了は前述のシリンダ２６１のセンサ２６６で
検知され、この検知信号は装置本体の制御系に送られ、
上昇終了が認識される。その信号を受け、反転機２８Ｌ
はクランプ動作として開いているアーム２３０を閉じ
る。この動作によりウエハは反転機２８Ｌに保持され
る。反転機２８Ｌで保持を確認したら、リフタ２９Ｌは
下降する。
【００５４】図９および図１０はロータリトランスポー
タを示す図であり、図９は平面図、図１０は縦断面図で
ある。ロータリトランスポータ２７Ｌと２７Ｒとは同一
の構造であるため、以下の説明ではロータリトランスポ
ータ２７Ｌのみを説明する。図９および図１０に示すよ
うに、ウエハ１０１を搭載して搬送するロータリトラン
スポータ２７Ｌには４ヶ所のウエハ搭載ステージ（９０
°等配）２１０を有し、４ヶ所のウエハ搭載ステージそ
れぞれには、ウエハを少なくとも３点のピンで支持すれ
ばよいが、オリフラノッチ兼用とするため本実施例では
６点のエッジで支えるために６本のピン２０１が立設さ
れている。ピン２０１の先端部にはテーパ２０２（１５
°〜２５°ぐらいが望ましい）が形成されており、ウエ
ハ搭載時に求芯することができるようになっている。ロ
ータリトランスポータ２７Ｌは、常に反時計方向の一方
向に回転するようになっている。ロータリトランスポー
タ２７Ｒは、時計方向の一方向に回転するようになって
いる。
タを示す図であり、図９は平面図、図１０は縦断面図で
ある。ロータリトランスポータ２７Ｌと２７Ｒとは同一
の構造であるため、以下の説明ではロータリトランスポ
ータ２７Ｌのみを説明する。図９および図１０に示すよ
うに、ウエハ１０１を搭載して搬送するロータリトラン
スポータ２７Ｌには４ヶ所のウエハ搭載ステージ（９０
°等配）２１０を有し、４ヶ所のウエハ搭載ステージそ
れぞれには、ウエハを少なくとも３点のピンで支持すれ
ばよいが、オリフラノッチ兼用とするため本実施例では
６点のエッジで支えるために６本のピン２０１が立設さ
れている。ピン２０１の先端部にはテーパ２０２（１５
°〜２５°ぐらいが望ましい）が形成されており、ウエ
ハ搭載時に求芯することができるようになっている。ロ
ータリトランスポータ２７Ｌは、常に反時計方向の一方
向に回転するようになっている。ロータリトランスポー
タ２７Ｒは、時計方向の一方向に回転するようになって
いる。
【００５５】各々のポジションにはウエハ有無センサ２
００がロータリトランスポータ２７Ｌから外れた場所に
設置されている。センサ２００はフォトセンサーであり
投光側２００ａと受光側２００ｂで構成され、センサ２
００はステージと一緒に回転しない。各ステージ２１０
には、処理前ウエハと処理後ウエハとが搭載されるよう
になっている。
００がロータリトランスポータ２７Ｌから外れた場所に
設置されている。センサ２００はフォトセンサーであり
投光側２００ａと受光側２００ｂで構成され、センサ２
００はステージと一緒に回転しない。各ステージ２１０
には、処理前ウエハと処理後ウエハとが搭載されるよう
になっている。
【００５６】４ヶ所の各ウエハ搭載ポジションにはウエ
ハに洗浄液を供給するためのリンスノズル５０１，５０
２，５０３，５０４がロータリトランスポータを挟み上
下方向にロータリトランスポータ２７Ｌから外れた場所
に設置されている。ノズルはステージと一緒に回転しな
い。洗浄液は純水やイオン水などが使われることが多
い。各ウエハ搭載ステージは、スラリーの飛散やウエハ
洗浄およびトップリング洗浄時の水の飛散を防ぐため、
それぞれがセパレータ５１０で仕切られている。ロータ
リトランスポータ２７Ｌはサーボモータ５１１に連結さ
れており、サーボモータ５１１の回転によりウエハを搬
送する。ロータリトランスポータ２７Ｌの下部には原点
センサ２０６が設置され、ウエハ搬送ポジションの位置
決めは原点センサ２０６とサーボモータ５１１によって
制御される。位置決めされる搬送ポジションはＨＰ（ホ
ームポジション）位置を中心とした９０°づつ位相を異
にした４位置である。
ハに洗浄液を供給するためのリンスノズル５０１，５０
２，５０３，５０４がロータリトランスポータを挟み上
下方向にロータリトランスポータ２７Ｌから外れた場所
に設置されている。ノズルはステージと一緒に回転しな
い。洗浄液は純水やイオン水などが使われることが多
い。各ウエハ搭載ステージは、スラリーの飛散やウエハ
洗浄およびトップリング洗浄時の水の飛散を防ぐため、
それぞれがセパレータ５１０で仕切られている。ロータ
リトランスポータ２７Ｌはサーボモータ５１１に連結さ
れており、サーボモータ５１１の回転によりウエハを搬
送する。ロータリトランスポータ２７Ｌの下部には原点
センサ２０６が設置され、ウエハ搬送ポジションの位置
決めは原点センサ２０６とサーボモータ５１１によって
制御される。位置決めされる搬送ポジションはＨＰ（ホ
ームポジション）位置を中心とした９０°づつ位相を異
にした４位置である。
【００５７】次に、上述のように構成されたロータリト
ランスポータの動作を説明する。図９は、ホームポジシ
ョン（ＨＰ）位置を示している。ロータリトランスポー
タは一定方向（Ｌは反時計方向、Ｒは時計方向）に回転
し１つのステージ２１０がリフタ２９Ｌの上方に予め位
置している。トップリング３２Ｌへ搬送されるべきウエ
ハ１０１は、搬送ロボット２０によって反転機２８Ｌに
搬送される。反転機２８Ｌはウエハ１０１をチャックし
た後、ウエハ１０１を１８０°反転させる。反転したウ
エハ１０１は、リフタ２９Ｌによって反転機２８Ｌより
受取られ、そのまま下降すると、ロータリトランスポー
タ２７Ｌのウエハ搭載ステージ２１０上のピン２０１の
テーパ２０２により、リフタ２９Ｌ上に載せられたウエ
ハ１０１は求芯され、ピン２０１の肩に載せられる。リ
フタ２９Ｌは、ウエハ１０１がピン２０１に載せられた
後も、ロータリトランスポータ２７Ｌが回転しても互い
に干渉しない位置まで下降を続ける。リフタ２９Ｌが下
降を完了すると、ロータリトランスポータ２７Ｌは反時
計廻りに９０°位置を変え、上述の動作により次のウエ
ハをロータリトランスポータ２７Ｌのステージ２１０に
搭載する。この動作を順次行い、プッシャー３０Ｌ上に
１つのウエハ１０１を位置させる。ロータリトランスポ
ータ２７Ｌの位置決めが完了すると、プッシャー３０が
上昇し、その上方にあるトップリング３２Ｌへウエハ１
０１を搬送する。
ランスポータの動作を説明する。図９は、ホームポジシ
ョン（ＨＰ）位置を示している。ロータリトランスポー
タは一定方向（Ｌは反時計方向、Ｒは時計方向）に回転
し１つのステージ２１０がリフタ２９Ｌの上方に予め位
置している。トップリング３２Ｌへ搬送されるべきウエ
ハ１０１は、搬送ロボット２０によって反転機２８Ｌに
搬送される。反転機２８Ｌはウエハ１０１をチャックし
た後、ウエハ１０１を１８０°反転させる。反転したウ
エハ１０１は、リフタ２９Ｌによって反転機２８Ｌより
受取られ、そのまま下降すると、ロータリトランスポー
タ２７Ｌのウエハ搭載ステージ２１０上のピン２０１の
テーパ２０２により、リフタ２９Ｌ上に載せられたウエ
ハ１０１は求芯され、ピン２０１の肩に載せられる。リ
フタ２９Ｌは、ウエハ１０１がピン２０１に載せられた
後も、ロータリトランスポータ２７Ｌが回転しても互い
に干渉しない位置まで下降を続ける。リフタ２９Ｌが下
降を完了すると、ロータリトランスポータ２７Ｌは反時
計廻りに９０°位置を変え、上述の動作により次のウエ
ハをロータリトランスポータ２７Ｌのステージ２１０に
搭載する。この動作を順次行い、プッシャー３０Ｌ上に
１つのウエハ１０１を位置させる。ロータリトランスポ
ータ２７Ｌの位置決めが完了すると、プッシャー３０が
上昇し、その上方にあるトップリング３２Ｌへウエハ１
０１を搬送する。
【００５８】トップリング３２Ｌで研磨されたウエハ１
０１は、予めトップリング３２Ｌの下に位置させたロー
タリトランスポータ２７Ｌのウエハ搭載ステージ２１０
に向けて前記プッシャー３０Ｌにより搬送される。トッ
プリング３２Ｌよりプッシャー３０Ｌによって受取られ
たウエハ１０１は、ウエハ搭載ステージ上のピン２０１
のテーパ２０２により求芯されて、ピン２０１の肩の上
に載せられる。ウエハ搭載ステージ２１０上にウエハが
載せられ、プッシャー３０Ｌがロータリトランスポータ
２７Ｌと干渉しない位置まで下降したら、ロータリトラ
ンスポータ２７Ｌが反時計周りに９０°位置を変え、リ
フタ２９Ｌ上にウエハ１０１を位置させる。ロータリト
ランスポータ２７Ｌの位置決めが完了すると、リフタ２
９Ｌが上昇し、ウエハ搭載ステージ２１０よりウエハ１
０１を受取り、反転機２８Ｌへ搬送する。
０１は、予めトップリング３２Ｌの下に位置させたロー
タリトランスポータ２７Ｌのウエハ搭載ステージ２１０
に向けて前記プッシャー３０Ｌにより搬送される。トッ
プリング３２Ｌよりプッシャー３０Ｌによって受取られ
たウエハ１０１は、ウエハ搭載ステージ上のピン２０１
のテーパ２０２により求芯されて、ピン２０１の肩の上
に載せられる。ウエハ搭載ステージ２１０上にウエハが
載せられ、プッシャー３０Ｌがロータリトランスポータ
２７Ｌと干渉しない位置まで下降したら、ロータリトラ
ンスポータ２７Ｌが反時計周りに９０°位置を変え、リ
フタ２９Ｌ上にウエハ１０１を位置させる。ロータリト
ランスポータ２７Ｌの位置決めが完了すると、リフタ２
９Ｌが上昇し、ウエハ搭載ステージ２１０よりウエハ１
０１を受取り、反転機２８Ｌへ搬送する。
【００５９】図１１および図１２はプッシャーを示す図
であり、図１１はプッシャーの縦断面図、図１２はプッ
シャーの動作説明図である。プッシャー３０Ｌと３０Ｒ
は同一構造であるため、以下の説明ではプッシャー３０
Ｌのみを説明する。図１１に示すように、中空シャフト
１４０の延長上にトップリングを保持するためのガイド
ステージ１４１が設置され、中空シャフト１４０の中を
スプラインシャフト１４２が通り、スプラインシャフト
１４２の延長上にウエハを保持するプッシュステージ１
４３が設置されている。スプラインシャフト１４２には
軸ブレに対してフレキシブルに軸を接続可能なフローテ
ィングジョイント１４４によってエアシリンダ１４５が
連結されている。エアシリンダは２個直列に上下に配置
されている。最下段に配置されたエアシリンダ１４６は
ガイドステージ１４１の上昇・下降用、及びプッシュス
テージ１４３の上昇・下降用で、エアシリンダ１４５ご
と中空シャフト１４０を上下させる。エアシリンダ１４
５はプッシュステージ１４３の上昇・下降用である。
であり、図１１はプッシャーの縦断面図、図１２はプッ
シャーの動作説明図である。プッシャー３０Ｌと３０Ｒ
は同一構造であるため、以下の説明ではプッシャー３０
Ｌのみを説明する。図１１に示すように、中空シャフト
１４０の延長上にトップリングを保持するためのガイド
ステージ１４１が設置され、中空シャフト１４０の中を
スプラインシャフト１４２が通り、スプラインシャフト
１４２の延長上にウエハを保持するプッシュステージ１
４３が設置されている。スプラインシャフト１４２には
軸ブレに対してフレキシブルに軸を接続可能なフローテ
ィングジョイント１４４によってエアシリンダ１４５が
連結されている。エアシリンダは２個直列に上下に配置
されている。最下段に配置されたエアシリンダ１４６は
ガイドステージ１４１の上昇・下降用、及びプッシュス
テージ１４３の上昇・下降用で、エアシリンダ１４５ご
と中空シャフト１４０を上下させる。エアシリンダ１４
５はプッシュステージ１４３の上昇・下降用である。
【００６０】トップリングガイド１４８に位置合わせ機
構を持たせるため、Ｘ軸、Ｙ軸方向に移動可能なリニア
ウェイ１４９を配置している。ガイドステージ１４１は
リニアウェイ１４９に固定されている。リニアウェイ１
４９は中空シャフト１４０に固定されている。中空シャ
フト１４０はスライドブッシュ１５０を介してベアリン
グケース１５１に保持されている。エアシリンダ１４６
のストロークは圧縮バネ１５２によって中空シャフト１
４０に伝えられる。
構を持たせるため、Ｘ軸、Ｙ軸方向に移動可能なリニア
ウェイ１４９を配置している。ガイドステージ１４１は
リニアウェイ１４９に固定されている。リニアウェイ１
４９は中空シャフト１４０に固定されている。中空シャ
フト１４０はスライドブッシュ１５０を介してベアリン
グケース１５１に保持されている。エアシリンダ１４６
のストロークは圧縮バネ１５２によって中空シャフト１
４０に伝えられる。
【００６１】プッシュステージ１４３はガイドステージ
１４１の上方にあり、プッシュステージ１４３の中心よ
り下方に伸びるプッシュロッド１６０はガイドステージ
１４１の中心のスライドブッシュ１４７を通すことで芯
出しされ、スプラインシャフト１４２に接している。プ
ッシュステージ１４３はスプラインシャフト１４２を介
してシリンダ１４５によって上下し、トップリング３２
Ｌへウエハ１０１をロードする。プッシュステージ１４
３の端には位置決めのための圧縮バネ１５９が配置され
ている。
１４１の上方にあり、プッシュステージ１４３の中心よ
り下方に伸びるプッシュロッド１６０はガイドステージ
１４１の中心のスライドブッシュ１４７を通すことで芯
出しされ、スプラインシャフト１４２に接している。プ
ッシュステージ１４３はスプラインシャフト１４２を介
してシリンダ１４５によって上下し、トップリング３２
Ｌへウエハ１０１をロードする。プッシュステージ１４
３の端には位置決めのための圧縮バネ１５９が配置され
ている。
【００６２】ガイドステージ１４１の最外周には、トッ
プリングガイド１４８が３個設置されている。トップリ
ングガイド１４８は２段の階段構造となっており、上段
部２２０はガイドリング３０１下面とのアクセス部であ
り、下段部２２１はウエハ１０１の求芯用、及び保持用
である。上段部２２０にはガイドリング３０１の呼び込
みのためテーパ（２５°〜３５°ぐらいが望ましい）が
ついており、下段部２２１にはウエハ１０１の呼び込み
用のテーパ（１０°〜２０°ぐらいが望ましい）がつい
ている。ウエハアンロード時は直接トップリングガイド
１４８でウエハエッジを受ける。
プリングガイド１４８が３個設置されている。トップリ
ングガイド１４８は２段の階段構造となっており、上段
部２２０はガイドリング３０１下面とのアクセス部であ
り、下段部２２１はウエハ１０１の求芯用、及び保持用
である。上段部２２０にはガイドリング３０１の呼び込
みのためテーパ（２５°〜３５°ぐらいが望ましい）が
ついており、下段部２２１にはウエハ１０１の呼び込み
用のテーパ（１０°〜２０°ぐらいが望ましい）がつい
ている。ウエハアンロード時は直接トップリングガイド
１４８でウエハエッジを受ける。
【００６３】ガイドステージ１４１の裏面には防水と上
昇したステージが元の位置に復帰するため案内の機能を
持ったガイドスリーブ１５３が設置されている。ガイド
スリーブ１５３の内側にはプッシャーのセンタリングの
ためのセンタスリーブ１５４がベアリングケース１５１
に固定されている。プッシャーはベアリングケース１５
１で研磨部側のモータハウジング１０４に固定されてい
る。
昇したステージが元の位置に復帰するため案内の機能を
持ったガイドスリーブ１５３が設置されている。ガイド
スリーブ１５３の内側にはプッシャーのセンタリングの
ためのセンタスリーブ１５４がベアリングケース１５１
に固定されている。プッシャーはベアリングケース１５
１で研磨部側のモータハウジング１０４に固定されてい
る。
【００６４】プッシュステージ１４３とガイドステージ
１４１の間の防水にはＶリング１５５が用いられ、Ｖリ
ング１５５のリップ部分がガイドステージ１４１と接触
し、内部への水の浸入を防いでいる。ガイドステージ１
４１が上昇するとＧ部の容積が大きくなり、圧力が下が
り水を吸い込んでしまう。これを防ぐためにＶリング１
５５の内側に穴２０２を設け、圧力が下がることを防止
している。
１４１の間の防水にはＶリング１５５が用いられ、Ｖリ
ング１５５のリップ部分がガイドステージ１４１と接触
し、内部への水の浸入を防いでいる。ガイドステージ１
４１が上昇するとＧ部の容積が大きくなり、圧力が下が
り水を吸い込んでしまう。これを防ぐためにＶリング１
５５の内側に穴２０２を設け、圧力が下がることを防止
している。
【００６５】トップリングガイド１４８がトップリング
３２Ｌにアクセスする際の高さ方向の位置決めと衝撃吸
収のために、ショックキラー１５６が設置される。各々
のエアシリンダにはプッシャー上下方向の位置確認のた
め上下リミットセンサが具備される。即ち、シリンダ１
４５にセンサ２０３，２０４が、シリンダ１４６にセン
サ２０５，２０６がそれぞれ具備される。プッシャーに
付着したスラリーなどからウエハへの逆汚染を防止する
ため、汚れを洗浄するための洗浄ノズルが別途設置され
る。プッシャー上のウエハ有無を確認するためのウエハ
有無センサが別途設置される場合もある。エアシリンダ
の制御はダブルソレノイドバルブで行う。
３２Ｌにアクセスする際の高さ方向の位置決めと衝撃吸
収のために、ショックキラー１５６が設置される。各々
のエアシリンダにはプッシャー上下方向の位置確認のた
め上下リミットセンサが具備される。即ち、シリンダ１
４５にセンサ２０３，２０４が、シリンダ１４６にセン
サ２０５，２０６がそれぞれ具備される。プッシャーに
付着したスラリーなどからウエハへの逆汚染を防止する
ため、汚れを洗浄するための洗浄ノズルが別途設置され
る。プッシャー上のウエハ有無を確認するためのウエハ
有無センサが別途設置される場合もある。エアシリンダ
の制御はダブルソレノイドバルブで行う。
【００６６】次に、上述のように構成されたプッシャー
の動作を説明する。 １）ウエハロード時 図１２（ａ）に示すように、プッシャー上方にロータリ
トランスポータ２７Ｌによってウエハ１０１が搬送され
る。トップリング３２Ｌがプッシャー上方のウエハロー
ド位置にあってウエハを保持していない時、図１２
（ｂ）に示すように、エアシリンダ１４５によりプッシ
ュステージ１４３が上昇する。プッシュステージ１４３
の上昇完了がセンサー２０３で確認されると、図１２
（ｃ）に示すように、エアシリンダ１４６によりガイド
ステージ１４１周りの構成品一式が上昇していく。上昇
途中でロータリトランスポータ２７Ｌのウエハ保持位置
を通過する。このとき、通過と同時にウエハ１０１をト
ップリングガイド１４８のテーパ２０７でウエハ１０１
を求芯し、プッシュステージ１４３によりウエハ１０１
の（エッジ以外の）裏面を保持する。
の動作を説明する。 １）ウエハロード時 図１２（ａ）に示すように、プッシャー上方にロータリ
トランスポータ２７Ｌによってウエハ１０１が搬送され
る。トップリング３２Ｌがプッシャー上方のウエハロー
ド位置にあってウエハを保持していない時、図１２
（ｂ）に示すように、エアシリンダ１４５によりプッシ
ュステージ１４３が上昇する。プッシュステージ１４３
の上昇完了がセンサー２０３で確認されると、図１２
（ｃ）に示すように、エアシリンダ１４６によりガイド
ステージ１４１周りの構成品一式が上昇していく。上昇
途中でロータリトランスポータ２７Ｌのウエハ保持位置
を通過する。このとき、通過と同時にウエハ１０１をト
ップリングガイド１４８のテーパ２０７でウエハ１０１
を求芯し、プッシュステージ１４３によりウエハ１０１
の（エッジ以外の）裏面を保持する。
【００６７】プッシュステージ１４３がウエハ１０１を
保持したままトップリングガイド１４８は停止すること
なく上昇していき、トップリングガイド１４８のテーパ
２０８によってガイドリング３０１を呼び込む。Ｘ，Ｙ
方向に自在に移動可能なリニアウェイ１４９による位置
合わせでトップリング３２Ｌに求芯し、トップリングガ
イド１４８の上段部２２０がガイドリング３０１下面と
接触することでガイドステージ１４１の上昇は終了す
る。
保持したままトップリングガイド１４８は停止すること
なく上昇していき、トップリングガイド１４８のテーパ
２０８によってガイドリング３０１を呼び込む。Ｘ，Ｙ
方向に自在に移動可能なリニアウェイ１４９による位置
合わせでトップリング３２Ｌに求芯し、トップリングガ
イド１４８の上段部２２０がガイドリング３０１下面と
接触することでガイドステージ１４１の上昇は終了す
る。
【００６８】ガイドステージ１４１はトップリングガイ
ド１４８の上段部２２０がガイドリング３０１下面に接
触して固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ１４６はショックキラー１５６に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ１５２は収縮するた
めスプラインシャフト１４２のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ１４３がさらに上昇する。この時、図１２
（ｄ）に示すように、プッシュステージ１４３はウエハ
１０１の（エッジ以外の）裏面を保持し、トップリング
３２Ｌまでウエハ１０１を搬送する。ウエハ１０１がト
ップリングに接触した後にシリンダ１４６が上昇するス
トロークはバネ１５９が吸収し、ウエハ１０１を保護し
ている。
ド１４８の上段部２２０がガイドリング３０１下面に接
触して固定され、それ以上上昇することはない。ところ
が、エアシリンダ１４６はショックキラー１５６に当た
るまで上昇し続けるので、圧縮バネ１５２は収縮するた
めスプラインシャフト１４２のみが更に上昇し、プッシ
ュステージ１４３がさらに上昇する。この時、図１２
（ｄ）に示すように、プッシュステージ１４３はウエハ
１０１の（エッジ以外の）裏面を保持し、トップリング
３２Ｌまでウエハ１０１を搬送する。ウエハ１０１がト
ップリングに接触した後にシリンダ１４６が上昇するス
トロークはバネ１５９が吸収し、ウエハ１０１を保護し
ている。
【００６９】トップリング３２Ｌがウエハ１０１の吸着
を完了すると、プッシャーは下降を開始し、図１２
（ａ）の状態まで下降する。下降の際、トップリング求
芯のためセンタ位置を移動していたガイドステージ１４
１はガイドスリーブ１５３に設けられたテーパ部とセン
タスリーブ１５４に設けられたテーパ部によってセンタ
リングされる。下降終了で動作完了する。
を完了すると、プッシャーは下降を開始し、図１２
（ａ）の状態まで下降する。下降の際、トップリング求
芯のためセンタ位置を移動していたガイドステージ１４
１はガイドスリーブ１５３に設けられたテーパ部とセン
タスリーブ１５４に設けられたテーパ部によってセンタ
リングされる。下降終了で動作完了する。
【００７０】２）ウエハアンロード時 プッシャー上方のウエハアンロード位置にトップリング
３２Ｌによってウエハ１０１が搬送される。ロータリト
ランスポータ２７Ｌのウエハアンロードステージがプッ
シャー上方にあってウエハを搭載していない時、エアシ
リンダ１４６によりガイドステージ１４１周りの構成品
一式が上昇し、トップリングガイド１４８のテーパ２０
８によってガイドリング３０１を呼び込む。リニアウェ
イ１４９による位置合わせでトップリング３２Ｌに求芯
し、トップリングガイド１４８の上段部２２０がガイド
リング３０１の下面と接触することでガイドステージ１
４１の上昇は終了する。
３２Ｌによってウエハ１０１が搬送される。ロータリト
ランスポータ２７Ｌのウエハアンロードステージがプッ
シャー上方にあってウエハを搭載していない時、エアシ
リンダ１４６によりガイドステージ１４１周りの構成品
一式が上昇し、トップリングガイド１４８のテーパ２０
８によってガイドリング３０１を呼び込む。リニアウェ
イ１４９による位置合わせでトップリング３２Ｌに求芯
し、トップリングガイド１４８の上段部２２０がガイド
リング３０１の下面と接触することでガイドステージ１
４１の上昇は終了する。
【００７１】エアシリンダ１４６はショックキラー１５
６に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステージ１４
１はトップリングガイド１４８の上段部２２０がガイド
リング３０１の下面に接触して固定されているため、エ
アシリンダ１４６は圧縮バネ１５２の反発力に打勝って
スプラインシャフト１４２をエアシリンダ１４５ごと押
し上げ、プッシュステージ１４３を上昇させる。この
時、図１２（ｅ）に示すように、プッシュステージ１４
３はトップリングガイド１４８の下段２０１のウエハ保
持部より高い位置になることはない。本実施例ではシリ
ンダ１４６はトップリングガイド１４８がガイドリング
３０１に接触した所から更にストロークするように設定
されている。この時の衝撃はバネ１５２によって吸収さ
れる。
６に当たるまで動作しつづけるが、ガイドステージ１４
１はトップリングガイド１４８の上段部２２０がガイド
リング３０１の下面に接触して固定されているため、エ
アシリンダ１４６は圧縮バネ１５２の反発力に打勝って
スプラインシャフト１４２をエアシリンダ１４５ごと押
し上げ、プッシュステージ１４３を上昇させる。この
時、図１２（ｅ）に示すように、プッシュステージ１４
３はトップリングガイド１４８の下段２０１のウエハ保
持部より高い位置になることはない。本実施例ではシリ
ンダ１４６はトップリングガイド１４８がガイドリング
３０１に接触した所から更にストロークするように設定
されている。この時の衝撃はバネ１５２によって吸収さ
れる。
【００７２】エアシリンダ１４６の上昇が終了するとト
ップリング３２Ｌよりウエハ１０１がリリースされる。
この時、トップリングガイド１４８の下段テーパ２０７
によってウエハ１０１は求芯され、トップリングガイド
１４８の下段部２２１にエッジ部を保持される。ウエハ
１０１がプッシャーに保持されると、プッシャーは下降
を開始する。下降の際、トップリング求芯のためセンタ
位置を移動していたガイドステージ１４１はガイドスリ
ーブ１５３とセンタスリーブ１５４によりセンタリング
される。下降の途中でプッシャーよりロータリトランス
ポータ２７Ｌにウエハ１０１のエッジ部で受け渡され、
下降終了で動作完了する。
ップリング３２Ｌよりウエハ１０１がリリースされる。
この時、トップリングガイド１４８の下段テーパ２０７
によってウエハ１０１は求芯され、トップリングガイド
１４８の下段部２２１にエッジ部を保持される。ウエハ
１０１がプッシャーに保持されると、プッシャーは下降
を開始する。下降の際、トップリング求芯のためセンタ
位置を移動していたガイドステージ１４１はガイドスリ
ーブ１５３とセンタスリーブ１５４によりセンタリング
される。下降の途中でプッシャーよりロータリトランス
ポータ２７Ｌにウエハ１０１のエッジ部で受け渡され、
下降終了で動作完了する。
【００７３】図１１および図１２に示す構成のプッシャ
ーによれば、プッシャー３０Ｌにトップリング３２Ｌへ
の求芯機構を持たせることにより、プッシャーとトップ
リングとの位置関係の調整が容易になる。また、プッシ
ュステージ１４３の上昇ストロークをトップリング３２
Ｌの下面より２ｍｍ高い位置までとすることで、高さ方
向の位置合わせが容易になる。その際、高さ方向での当
たりをバネにより吸収できるようにしている。
ーによれば、プッシャー３０Ｌにトップリング３２Ｌへ
の求芯機構を持たせることにより、プッシャーとトップ
リングとの位置関係の調整が容易になる。また、プッシ
ュステージ１４３の上昇ストロークをトップリング３２
Ｌの下面より２ｍｍ高い位置までとすることで、高さ方
向の位置合わせが容易になる。その際、高さ方向での当
たりをバネにより吸収できるようにしている。
【００７４】次に、第１研磨テーブルと半導体ウエハの
研磨状態を監視する光学式センサを説明する。図１３は
第１研磨テーブルの構造と光学式センサの設置状態を示
す概略断面図である。研磨テーブル３４Ｌと３４Ｒは同
一構造であるため、以下の説明では研磨テーブル３４Ｌ
のみを説明する。図１３に示すように、研磨テーブル３
４Ｌ内には光学式センサ５５が埋め込まれている。光学
式センサ５５の配線５９は研磨テーブル３４Ｌ内を通
り、研磨テーブル支持軸の軸端に設けられたロータリコ
ネクタ（又はスリップリング）５６を経由してコントロ
ーラ５７に接続されている。コントローラ５７は表示装
置（ディスプレイ）５８に接続されている。
研磨状態を監視する光学式センサを説明する。図１３は
第１研磨テーブルの構造と光学式センサの設置状態を示
す概略断面図である。研磨テーブル３４Ｌと３４Ｒは同
一構造であるため、以下の説明では研磨テーブル３４Ｌ
のみを説明する。図１３に示すように、研磨テーブル３
４Ｌ内には光学式センサ５５が埋め込まれている。光学
式センサ５５の配線５９は研磨テーブル３４Ｌ内を通
り、研磨テーブル支持軸の軸端に設けられたロータリコ
ネクタ（又はスリップリング）５６を経由してコントロ
ーラ５７に接続されている。コントローラ５７は表示装
置（ディスプレイ）５８に接続されている。
【００７５】図１４は、図１３に示すポリッシング装置
の平面図である。図示するように、光学式センサ５５
は、全てのトップリング３２Ｌに保持された研磨中の半
導体ウエハ１０１の中心ＣＷを通過する位置に設置され
ている。符号ＣＴは研磨テーブル３４Ｌの回転中心であ
る。光学式センサ５５は、半導体ウエハ１０１の下方を
通過している間、通過軌跡上で連続的に半導体ウエハ１
０１のＣｕ層等の導電性膜や絶縁膜の膜厚を検出できる
ようになっている。
の平面図である。図示するように、光学式センサ５５
は、全てのトップリング３２Ｌに保持された研磨中の半
導体ウエハ１０１の中心ＣＷを通過する位置に設置され
ている。符号ＣＴは研磨テーブル３４Ｌの回転中心であ
る。光学式センサ５５は、半導体ウエハ１０１の下方を
通過している間、通過軌跡上で連続的に半導体ウエハ１
０１のＣｕ層等の導電性膜や絶縁膜の膜厚を検出できる
ようになっている。
【００７６】光学式センサ５５は、投光素子と受光素子
を具備し、投光素子から半導体ウエハの被研磨面に光を
照射し、被研磨面からの反射光を受光素子で受光するよ
うに構成されている。この場合、投光素子から発せられ
る光は、レーザー光もしくはＬＥＤによる光である。光
学式センサ５５においては、投光素子から被研磨面に照
射された光の一部が導電性膜や絶縁膜からなる最上層の
膜を透過し、次の層の表面から反射された反射光と、最
上層の膜の表面から反射された反射光との二種類の反射
光が存在することになる。この二種類の反射光を受光素
子で受光し、受光素子からの信号をコントローラ５７で
処理することにより最上層の導電性膜や絶縁膜の膜厚を
正確に検出できる。
を具備し、投光素子から半導体ウエハの被研磨面に光を
照射し、被研磨面からの反射光を受光素子で受光するよ
うに構成されている。この場合、投光素子から発せられ
る光は、レーザー光もしくはＬＥＤによる光である。光
学式センサ５５においては、投光素子から被研磨面に照
射された光の一部が導電性膜や絶縁膜からなる最上層の
膜を透過し、次の層の表面から反射された反射光と、最
上層の膜の表面から反射された反射光との二種類の反射
光が存在することになる。この二種類の反射光を受光素
子で受光し、受光素子からの信号をコントローラ５７で
処理することにより最上層の導電性膜や絶縁膜の膜厚を
正確に検出できる。
【００７７】次に、光学式センサ５５を用いてＳｉＯ２
等の絶縁膜やＣｕ，Ａｌ等の金属膜の膜厚を検出する原
理を簡単に説明する。本光学式センサに適用する膜厚測
定の原理は、膜とその隣接媒体によって引き起こされる
光の干渉を利用している。基板上の薄膜に光を入射する
と、まず一部の光は膜の表面で反射され残りは透過して
いく。この透過した光の一部はさらに基板面で反射さ
れ、残りは透過していくが、基板が金属の場合には吸収
されてしまう。干渉はこの膜の表面反射光と基板表面反
射光の位相差によって発生し、位相が一致した場合は互
いに強め合い、逆になった場合は弱め合う。つまり入射
光の波長、膜厚、膜の透過率に応じて反射強度が変化す
る。基板で反射した光を回折格子等で分光し、各波長に
おける反射光の強度をプロットしたプロファイルを解析
して基板上に形成された膜の厚みを測定する。したがっ
て、研磨テーブル３４Ｌが一回転する毎に、３個のトッ
プリング３２Ｌに保持された半導体ウエハ１０１の被研
磨面に順次投光され、被研磨面からの反射光が光学式セ
ンサ５５の受光素子で受光される。そして、受光素子で
受光された光は、コントローラ５７により処理され、被
研磨面上の膜厚が測定される。
等の絶縁膜やＣｕ，Ａｌ等の金属膜の膜厚を検出する原
理を簡単に説明する。本光学式センサに適用する膜厚測
定の原理は、膜とその隣接媒体によって引き起こされる
光の干渉を利用している。基板上の薄膜に光を入射する
と、まず一部の光は膜の表面で反射され残りは透過して
いく。この透過した光の一部はさらに基板面で反射さ
れ、残りは透過していくが、基板が金属の場合には吸収
されてしまう。干渉はこの膜の表面反射光と基板表面反
射光の位相差によって発生し、位相が一致した場合は互
いに強め合い、逆になった場合は弱め合う。つまり入射
光の波長、膜厚、膜の透過率に応じて反射強度が変化す
る。基板で反射した光を回折格子等で分光し、各波長に
おける反射光の強度をプロットしたプロファイルを解析
して基板上に形成された膜の厚みを測定する。したがっ
て、研磨テーブル３４Ｌが一回転する毎に、３個のトッ
プリング３２Ｌに保持された半導体ウエハ１０１の被研
磨面に順次投光され、被研磨面からの反射光が光学式セ
ンサ５５の受光素子で受光される。そして、受光素子で
受光された光は、コントローラ５７により処理され、被
研磨面上の膜厚が測定される。
【００７８】即ち、光学式センサ５５によって、全ての
トップリング３２Ｌによって保持された半導体ウエハ１
０１に形成された絶縁膜や金属膜の膜厚を半導体ウエハ
の外周縁から中心部に至るまでリアルタイムで連続した
測定値として検出可能である。これにより、研磨中の全
ての半導体ウエハ上の絶縁膜や金属膜の膜厚を常時モニ
ターすることができ、所望の膜厚になったことを検出す
ることにより、又は、膜厚が０（ゼロ）になったことを
検出することにより、ＣＭＰプロセスの終点を正確に検
出できる。また検出時間の間隔を短くするため、図１４
の仮想線で示すように、光学式センサ５５を追加してテ
ーブル上に２ヶ以上のセンサを設けてもよい。また、光
学式センサの他に渦電流センサ等を並置することで各々
膜厚測定を行い、それぞれの膜厚測定範囲、測定膜種の
振り分けを行ってもよい。
トップリング３２Ｌによって保持された半導体ウエハ１
０１に形成された絶縁膜や金属膜の膜厚を半導体ウエハ
の外周縁から中心部に至るまでリアルタイムで連続した
測定値として検出可能である。これにより、研磨中の全
ての半導体ウエハ上の絶縁膜や金属膜の膜厚を常時モニ
ターすることができ、所望の膜厚になったことを検出す
ることにより、又は、膜厚が０（ゼロ）になったことを
検出することにより、ＣＭＰプロセスの終点を正確に検
出できる。また検出時間の間隔を短くするため、図１４
の仮想線で示すように、光学式センサ５５を追加してテ
ーブル上に２ヶ以上のセンサを設けてもよい。また、光
学式センサの他に渦電流センサ等を並置することで各々
膜厚測定を行い、それぞれの膜厚測定範囲、測定膜種の
振り分けを行ってもよい。
【００７９】このように、各トップリング３２Ｌに保持
された半導体ウエハ毎にＣＭＰプロセスの終点を検知で
きるため、ＣＭＰプロセスの終点が検知された半導体ウ
エハのみの研磨作業を終了することができる。したがっ
て、本発明によれば、同時に複数の半導体ウエハを研磨
することができるマルチヘッド型のポリッシング装置に
も拘わらず、研磨中の全ての半導体ウエハのＣＭＰプロ
セスの終点検知が可能であるため、全ての半導体ウエハ
を研磨状態にバラツキがなく、均一に研磨することがで
きる。
された半導体ウエハ毎にＣＭＰプロセスの終点を検知で
きるため、ＣＭＰプロセスの終点が検知された半導体ウ
エハのみの研磨作業を終了することができる。したがっ
て、本発明によれば、同時に複数の半導体ウエハを研磨
することができるマルチヘッド型のポリッシング装置に
も拘わらず、研磨中の全ての半導体ウエハのＣＭＰプロ
セスの終点検知が可能であるため、全ての半導体ウエハ
を研磨状態にバラツキがなく、均一に研磨することがで
きる。
【００８０】この場合、ＣＭＰプロセスの終点検知がさ
れたトップリング３２Ｌのみをそのまま引き上げてしま
うと、研磨テーブル３４Ｌに偏荷重が掛かり、研磨テー
ブル３４Ｌが傾いてしまう。例えば、図１３および図１
４において、第２トップリングに保持された半導体ウエ
ハが終点検知された場合に、そのまま第２トップリング
を引き上げてしまうと、第２トップリングから研磨テー
ブル３４Ｌに加わっていた荷重がなくなり、研磨テーブ
ル３４Ｌに偏荷重が掛かり、研磨テーブル３４Ｌが傾い
てしまう。また、各トップリングは１つの構造体である
カルーセル３６Ｌに連結されているため、偏荷重により
カルーセル３６Ｌ自体も傾いてしまう恐れがある。そこ
で、本発明においては、複数のトップリング３２Ｌが個
別にポリッシングを終了した場合、偏荷重を極力低減す
るため、ポリッシング終了とともに半導体ウエハの押し
付け荷重のみ０として、リテーナ荷重（ヤトイ荷重）は
そのままにする、または、リテーナ荷重をポリッシング
中のウエハ押し付け荷重＋リテーナ荷重と同等に切り替
えることができるようになっている。次に、上述のリテ
ーナ荷重を付加することができるトップリングの機構を
説明する。
れたトップリング３２Ｌのみをそのまま引き上げてしま
うと、研磨テーブル３４Ｌに偏荷重が掛かり、研磨テー
ブル３４Ｌが傾いてしまう。例えば、図１３および図１
４において、第２トップリングに保持された半導体ウエ
ハが終点検知された場合に、そのまま第２トップリング
を引き上げてしまうと、第２トップリングから研磨テー
ブル３４Ｌに加わっていた荷重がなくなり、研磨テーブ
ル３４Ｌに偏荷重が掛かり、研磨テーブル３４Ｌが傾い
てしまう。また、各トップリングは１つの構造体である
カルーセル３６Ｌに連結されているため、偏荷重により
カルーセル３６Ｌ自体も傾いてしまう恐れがある。そこ
で、本発明においては、複数のトップリング３２Ｌが個
別にポリッシングを終了した場合、偏荷重を極力低減す
るため、ポリッシング終了とともに半導体ウエハの押し
付け荷重のみ０として、リテーナ荷重（ヤトイ荷重）は
そのままにする、または、リテーナ荷重をポリッシング
中のウエハ押し付け荷重＋リテーナ荷重と同等に切り替
えることができるようになっている。次に、上述のリテ
ーナ荷重を付加することができるトップリングの機構を
説明する。
【００８１】図１５は本発明のトップリングの構造を示
す断面図である。図１５に示すように、トップリング３
２Ｌ（又は３２Ｒ）はトップリング本体８０と半導体ウ
エハ１０１を保持する保持プレート８１とを備えてい
る。トップリング本体８０と保持プレート８１との間に
はチャンバＣが形成されており、チャンバＣはレギュレ
ータＲ１を介して流体源８２に接続されている。また保
持プレート８１の下面には弾性マット８３が貼着されて
いる。
す断面図である。図１５に示すように、トップリング３
２Ｌ（又は３２Ｒ）はトップリング本体８０と半導体ウ
エハ１０１を保持する保持プレート８１とを備えてい
る。トップリング本体８０と保持プレート８１との間に
はチャンバＣが形成されており、チャンバＣはレギュレ
ータＲ１を介して流体源８２に接続されている。また保
持プレート８１の下面には弾性マット８３が貼着されて
いる。
【００８２】またトップリング３２Ｌの外周部には、半
導体ウエハ１０１を保持プレート８１の下端面、すなわ
ちウエハ保持面８１ａに保持するためのリテーナリング
（ガイドリング）３０１が配置されている。リテーナリ
ング３０１とトップリング３２Ｌとの間には、円環状の
チューブからなる流体圧バッグ８５が配置されている。
そして、流体圧バッグ８５はレギュレータＲ２を介して
流体源８２に接続されている。トップリング３２Ｌの下
方には、上面に研磨クロス４０を貼った研磨テーブル３
４Ｌが設置されている。研磨クロス４０は半導体ウエハ
に摺接して研磨を行う研磨面を構成している。
導体ウエハ１０１を保持プレート８１の下端面、すなわ
ちウエハ保持面８１ａに保持するためのリテーナリング
（ガイドリング）３０１が配置されている。リテーナリ
ング３０１とトップリング３２Ｌとの間には、円環状の
チューブからなる流体圧バッグ８５が配置されている。
そして、流体圧バッグ８５はレギュレータＲ２を介して
流体源８２に接続されている。トップリング３２Ｌの下
方には、上面に研磨クロス４０を貼った研磨テーブル３
４Ｌが設置されている。研磨クロス４０は半導体ウエハ
に摺接して研磨を行う研磨面を構成している。
【００８３】前記トップリング３２Ｌはボール８６を介
してトップリング軸４６に連結されており、このトップ
リング軸４６はエアシリンダ４９により上下動されるよ
うになっている。エアシリンダ４９はレギュレータＲ３
を介して流体源８２に接続されている。
してトップリング軸４６に連結されており、このトップ
リング軸４６はエアシリンダ４９により上下動されるよ
うになっている。エアシリンダ４９はレギュレータＲ３
を介して流体源８２に接続されている。
【００８４】上述の構成において、流体源８２からエア
シリンダ４９に圧縮空気等の加圧流体を供給することに
より、トップリング３２Ｌが被研磨基板である半導体ウ
エハ１０１を研磨テーブル３４Ｌ上の研磨クロス４０に
所定の押圧力Ｆ１で押圧し、半導体ウエハ１０１を研磨
する。この押圧力Ｆ１はレギュレータＲ３を調節するこ
とにより可変になっている。
シリンダ４９に圧縮空気等の加圧流体を供給することに
より、トップリング３２Ｌが被研磨基板である半導体ウ
エハ１０１を研磨テーブル３４Ｌ上の研磨クロス４０に
所定の押圧力Ｆ１で押圧し、半導体ウエハ１０１を研磨
する。この押圧力Ｆ１はレギュレータＲ３を調節するこ
とにより可変になっている。
【００８５】図１６は保持プレート８１のウエハ保持面
８１ａの形状を模式的に表す図であり、横軸は保持プレ
ート８１の中心（Ｏ）からの距離（mm）、縦軸はウエハ
保持面の高さを示す。図１６において、一点鎖線ｄはウ
エハ保持面８１ａが平坦な場合を示し、加圧流体が供給
されず、非研磨時で研磨圧力がウエハ保持面８１ａに加
わっていない場合である。研磨中、流体源８２から圧縮
空気等の加圧流体をチャンバＣに供給すると、加圧流体
の加圧力により保持プレート８１のウエハ保持面８１ａ
が図１３の曲線ａに示すように下側に凸状に湾曲する。
即ち、ウエハ保持面８１ａが凸球面になる。半導体ウエ
ハ１０１は、下側に凸状に湾曲した保持プレート８１に
よって、中央部側が外周部側より高い圧力で研磨クロス
４０に押し付けられる。そのため、半導体ウエハ１０１
の外周部側が中央部側より研磨される傾向にあるとき
は、上記のように加圧流体による保持プレート８１の変
形を利用して、中央部側の研磨不足を補正することがで
きる。
８１ａの形状を模式的に表す図であり、横軸は保持プレ
ート８１の中心（Ｏ）からの距離（mm）、縦軸はウエハ
保持面の高さを示す。図１６において、一点鎖線ｄはウ
エハ保持面８１ａが平坦な場合を示し、加圧流体が供給
されず、非研磨時で研磨圧力がウエハ保持面８１ａに加
わっていない場合である。研磨中、流体源８２から圧縮
空気等の加圧流体をチャンバＣに供給すると、加圧流体
の加圧力により保持プレート８１のウエハ保持面８１ａ
が図１３の曲線ａに示すように下側に凸状に湾曲する。
即ち、ウエハ保持面８１ａが凸球面になる。半導体ウエ
ハ１０１は、下側に凸状に湾曲した保持プレート８１に
よって、中央部側が外周部側より高い圧力で研磨クロス
４０に押し付けられる。そのため、半導体ウエハ１０１
の外周部側が中央部側より研磨される傾向にあるとき
は、上記のように加圧流体による保持プレート８１の変
形を利用して、中央部側の研磨不足を補正することがで
きる。
【００８６】一方、半導体ウエハ１０１の中央部側が外
周部側より研磨される傾向にあるときは、レギュレータ
Ｒ１を調節して、流体源８２からチャンバＣに供給され
る加圧流体の圧力を弱めるか、又は加圧流体の供給を停
止して、保持プレート８１のウエハ保持面８１ａの形状
を図１６の曲線ｂ又はｃのようにし、これによって、半
導体ウエハ１０１の中央部側の研磨圧力を弱め、曲線ａ
の場合と比較して相対的に外周部側の研磨圧力を高め、
外周部側の研磨不足を補正し、半導体ウエハ１０１の全
面を均一に研磨することができる。
周部側より研磨される傾向にあるときは、レギュレータ
Ｒ１を調節して、流体源８２からチャンバＣに供給され
る加圧流体の圧力を弱めるか、又は加圧流体の供給を停
止して、保持プレート８１のウエハ保持面８１ａの形状
を図１６の曲線ｂ又はｃのようにし、これによって、半
導体ウエハ１０１の中央部側の研磨圧力を弱め、曲線ａ
の場合と比較して相対的に外周部側の研磨圧力を高め、
外周部側の研磨不足を補正し、半導体ウエハ１０１の全
面を均一に研磨することができる。
【００８７】チャンバＣへの加圧流体の供給を停止した
場合に、研磨圧力によってウエハ保持面８１ａは曲線ｃ
に示すようにわずかに上側に凸状に湾曲する。即ち、ウ
エハ保持面８１ａは凹球面になる。保持プレート８１の
ウエハ保持面８１ａの形状を曲線ｃよりも更に上側に凸
形状に湾曲させたい場合には、チャンバＣ内を真空ポン
プからなる流体源８２により排気すればよい。すなわ
ち、チャンバＣ内を正圧（大気圧以上の圧力）又は負圧
（大気圧以下の圧力）にすることにより、ウエハ保持面
８１ａの形状を下側に凸状の湾曲（凸球面）又は上側に
凸状の湾曲（凹球面）又は平坦にすることができる。ウ
エハ保持面８１ａの変形の度合は、保持プレート８１の
材料と厚さを適宜選定することにより、所望の状態とす
ることができる。
場合に、研磨圧力によってウエハ保持面８１ａは曲線ｃ
に示すようにわずかに上側に凸状に湾曲する。即ち、ウ
エハ保持面８１ａは凹球面になる。保持プレート８１の
ウエハ保持面８１ａの形状を曲線ｃよりも更に上側に凸
形状に湾曲させたい場合には、チャンバＣ内を真空ポン
プからなる流体源８２により排気すればよい。すなわ
ち、チャンバＣ内を正圧（大気圧以上の圧力）又は負圧
（大気圧以下の圧力）にすることにより、ウエハ保持面
８１ａの形状を下側に凸状の湾曲（凸球面）又は上側に
凸状の湾曲（凹球面）又は平坦にすることができる。ウ
エハ保持面８１ａの変形の度合は、保持プレート８１の
材料と厚さを適宜選定することにより、所望の状態とす
ることができる。
【００８８】保持プレートの材料としては、ポリッシン
グ装置（ＣＭＰ）の使用環境を考慮して、耐食性のあ
る、比較的弾性を有する材質、たとえば、オーステナイ
ト系ステンレス（ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３１６など）、
アルミニウム合金、チタン合金、また、樹脂系であれ
ば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエー
テルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が好ましい。また保
持プレートの厚さは、チャンバ内の圧力を安全な範囲
（望ましくは、０．１ＭＰａ以下）で使用することを考
え、オーステナイト系ステンレスで言えば、３ｍｍ〜８
ｍｍ、好ましくは５ｍｍ程度である。その他の材質で
は、安全性を考慮して、その弾性係数により厚さを選択
するべきである。
グ装置（ＣＭＰ）の使用環境を考慮して、耐食性のあ
る、比較的弾性を有する材質、たとえば、オーステナイ
ト系ステンレス（ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３１６など）、
アルミニウム合金、チタン合金、また、樹脂系であれ
ば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエー
テルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が好ましい。また保
持プレートの厚さは、チャンバ内の圧力を安全な範囲
（望ましくは、０．１ＭＰａ以下）で使用することを考
え、オーステナイト系ステンレスで言えば、３ｍｍ〜８
ｍｍ、好ましくは５ｍｍ程度である。その他の材質で
は、安全性を考慮して、その弾性係数により厚さを選択
するべきである。
【００８９】上述のトップリング３２Ｌのウエハ保持面
８１ａの形状補正と併行して、流体圧バッグ８５に流体
源８２から圧縮空気等の加圧流体を供給することによ
り、リテーナリング３０１が研磨クロス４０を押圧力Ｆ
２で押圧する。
８１ａの形状補正と併行して、流体圧バッグ８５に流体
源８２から圧縮空気等の加圧流体を供給することによ
り、リテーナリング３０１が研磨クロス４０を押圧力Ｆ
２で押圧する。
【００９０】すなわち、本発明においては、トップリン
グ３２Ｌがポリッシング対象物である半導体ウエハ１０
１を研磨テーブル３４Ｌ上の研磨クロス４０に押圧する
押圧力Ｆ１を可変とし、またリテーナリング３０１が研
磨クロス４０を押圧する押圧力Ｆ２を可変としている。
そして、押圧力Ｆ１と押圧力Ｆ２とは、それぞれ独立し
て押圧力を変更できるようになっている。したがって、
リテーナリング３０１が研磨クロス４０を押圧する押圧
力Ｆ２をトップリング３２Ｌが半導体ウエハ１０１を研
磨クロス４０に押圧する押圧力Ｆ１に応じて変更するこ
とができる。
グ３２Ｌがポリッシング対象物である半導体ウエハ１０
１を研磨テーブル３４Ｌ上の研磨クロス４０に押圧する
押圧力Ｆ１を可変とし、またリテーナリング３０１が研
磨クロス４０を押圧する押圧力Ｆ２を可変としている。
そして、押圧力Ｆ１と押圧力Ｆ２とは、それぞれ独立し
て押圧力を変更できるようになっている。したがって、
リテーナリング３０１が研磨クロス４０を押圧する押圧
力Ｆ２をトップリング３２Ｌが半導体ウエハ１０１を研
磨クロス４０に押圧する押圧力Ｆ１に応じて変更するこ
とができる。
【００９１】この場合、理論的には、トップリング３２
Ｌが半導体ウエハ１０１を研磨クロス４０に押圧する押
圧力Ｆ１とリテーナリング３０１が研磨クロス４０を押
圧する押圧力Ｆ２とを等しくすれば、ポリッシング対象
物である半導体ウエハ１０１の内部から周縁部、さらに
は半導体ウエハ１０１の外側にあるリテーナリング３０
１の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、ポリッシング対象物である半導体ウエハ
１０１の周縁部における研磨量の過不足を防止すること
ができる。
Ｌが半導体ウエハ１０１を研磨クロス４０に押圧する押
圧力Ｆ１とリテーナリング３０１が研磨クロス４０を押
圧する押圧力Ｆ２とを等しくすれば、ポリッシング対象
物である半導体ウエハ１０１の内部から周縁部、さらに
は半導体ウエハ１０１の外側にあるリテーナリング３０
１の外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ均一にな
る。そのため、ポリッシング対象物である半導体ウエハ
１０１の周縁部における研磨量の過不足を防止すること
ができる。
【００９２】図１７はトップリング３２Ｌが半導体ウエ
ハ１０１を研磨クロス４０に押圧する押圧力Ｆ１とリテ
ーナリング３０１が研磨クロス４０を押圧する押圧力Ｆ
２との関係を変えた場合の模式図であり、図１７（ａ）
はＦ１＞Ｆ２の場合を示し、図１７（ｂ）はＦ１≒Ｆ２
の場合を示し、図１７（ｃ）はＦ１＜Ｆ２の場合を示
す。図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）に示されるように、
リテーナリング３０１に押圧力Ｆ２を加えた場合、研磨
クロス４０が圧縮され、半導体ウエハ１０１の周縁部に
対する研磨クロス４０の接触状態が変化していく。この
ため、Ｆ１とＦ２との関係を変更することにより半導体
ウエハ１０１の研磨圧力の分布を内部側と周縁部とで種
々に変えることができる。
ハ１０１を研磨クロス４０に押圧する押圧力Ｆ１とリテ
ーナリング３０１が研磨クロス４０を押圧する押圧力Ｆ
２との関係を変えた場合の模式図であり、図１７（ａ）
はＦ１＞Ｆ２の場合を示し、図１７（ｂ）はＦ１≒Ｆ２
の場合を示し、図１７（ｃ）はＦ１＜Ｆ２の場合を示
す。図１７（ａ），（ｂ），（ｃ）に示されるように、
リテーナリング３０１に押圧力Ｆ２を加えた場合、研磨
クロス４０が圧縮され、半導体ウエハ１０１の周縁部に
対する研磨クロス４０の接触状態が変化していく。この
ため、Ｆ１とＦ２との関係を変更することにより半導体
ウエハ１０１の研磨圧力の分布を内部側と周縁部とで種
々に変えることができる。
【００９３】図１７から明らかなように、Ｆ１＞Ｆ２の
場合には半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨圧力が内部
より高くなり、半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨量を
内部の研磨量より多くすることができる。Ｆ１≒Ｆ２の
場合には半導体ウエハ１０１の内部から周縁部、さらに
は押圧リングの外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ
均一になり、半導体ウエハ１０１において内部から周縁
部まで均一な研磨量が得られる。Ｆ１＜Ｆ２の場合には
半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨圧力が内部より低く
なり、半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨量を内部の研
磨量より少なくすることができる。
場合には半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨圧力が内部
より高くなり、半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨量を
内部の研磨量より多くすることができる。Ｆ１≒Ｆ２の
場合には半導体ウエハ１０１の内部から周縁部、さらに
は押圧リングの外周部までの研磨圧力の分布が連続かつ
均一になり、半導体ウエハ１０１において内部から周縁
部まで均一な研磨量が得られる。Ｆ１＜Ｆ２の場合には
半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨圧力が内部より低く
なり、半導体ウエハ１０１の周縁部の研磨量を内部の研
磨量より少なくすることができる。
【００９４】以上のように本発明のトップリングによれ
ば、トップリング３２Ｌの保持プレート８１のウエハ保
持面８１ａの上面に流体を供給し、この際に、流体の圧
力を正圧から負圧の範囲で適宜選択して、保持プレート
８１のウエハ保持面８１ａの形状を下側に凸形状又は上
側に凸形状とし、半導体ウエハ１０１の研磨クロス４０
への押圧力を、半導体ウエハ１０１の中央部側と外周部
側とで変えて研磨する。また、場合によっては、保持プ
レート８１のウエハ保持面８１ａの形状を平坦にして半
導体ウエハ１０１を研磨する。
ば、トップリング３２Ｌの保持プレート８１のウエハ保
持面８１ａの上面に流体を供給し、この際に、流体の圧
力を正圧から負圧の範囲で適宜選択して、保持プレート
８１のウエハ保持面８１ａの形状を下側に凸形状又は上
側に凸形状とし、半導体ウエハ１０１の研磨クロス４０
への押圧力を、半導体ウエハ１０１の中央部側と外周部
側とで変えて研磨する。また、場合によっては、保持プ
レート８１のウエハ保持面８１ａの形状を平坦にして半
導体ウエハ１０１を研磨する。
【００９５】上記工程と並行して、トップリング３２Ｌ
の外周部にあるリテーナリング３０１の押圧力Ｆ２をト
ップリング３２Ｌの押圧力Ｆ１に基づいて決定し、決定
された押圧力Ｆ２で研磨クロス４０を押圧しながら研磨
する。すなわち、正圧又は負圧を有した流体によるウエ
ハ保持面８１ａの形状補正作用とリテーナリング３０１
による研磨クロス４０の形状補正作用の協働作用を活用
しながら半導体ウエハ１０１を研磨する。これによっ
て、半導体ウエハの局部（例えば、中央部、外周部等）
的な研磨不足を補正することができる。
の外周部にあるリテーナリング３０１の押圧力Ｆ２をト
ップリング３２Ｌの押圧力Ｆ１に基づいて決定し、決定
された押圧力Ｆ２で研磨クロス４０を押圧しながら研磨
する。すなわち、正圧又は負圧を有した流体によるウエ
ハ保持面８１ａの形状補正作用とリテーナリング３０１
による研磨クロス４０の形状補正作用の協働作用を活用
しながら半導体ウエハ１０１を研磨する。これによっ
て、半導体ウエハの局部（例えば、中央部、外周部等）
的な研磨不足を補正することができる。
【００９６】図１５乃至図１７に示す構造を有したトッ
プリング３２Ｌにより研磨中の半導体ウエハのＣＭＰプ
ロセスの終点検知がされた場合、トップリング３２Ｌが
半導体ウエハ１０１を研磨テーブル３４Ｌ上の研磨クロ
ス４０に押圧する押圧力Ｆ１を脱力し、リテーナリング
３０１が研磨クロス４０を押圧する押圧力（リテーナ荷
重）Ｆ２のみを加える。この場合、リテーナリングの押
圧力（リテーナ荷重）は研磨中の値と同一の押圧力Ｆ２
のままとするか、または、リテーナリングの押圧力を押
圧力Ｆ１＋押圧力Ｆ２と同等に切り替える。これによ
り、研磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）およびカルーセ
ル３６Ｌ（又は３６Ｒ）に偏荷重が加わることがない。
プリング３２Ｌにより研磨中の半導体ウエハのＣＭＰプ
ロセスの終点検知がされた場合、トップリング３２Ｌが
半導体ウエハ１０１を研磨テーブル３４Ｌ上の研磨クロ
ス４０に押圧する押圧力Ｆ１を脱力し、リテーナリング
３０１が研磨クロス４０を押圧する押圧力（リテーナ荷
重）Ｆ２のみを加える。この場合、リテーナリングの押
圧力（リテーナ荷重）は研磨中の値と同一の押圧力Ｆ２
のままとするか、または、リテーナリングの押圧力を押
圧力Ｆ１＋押圧力Ｆ２と同等に切り替える。これによ
り、研磨テーブル３４Ｌ（又は３４Ｒ）およびカルーセ
ル３６Ｌ（又は３６Ｒ）に偏荷重が加わることがない。
【００９７】次に、第２の研磨テーブルを説明する。図
１８はスクロール型の第２の研磨テーブルを示す縦断面
図であり、図１９（ａ）は図１８のＰ−Ｐ線断面図であ
り、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。第２の研磨テーブル３５Ｌと３５Ｒは同一構造であ
るため、以下の説明では研磨テーブル３５Ｌのみを説明
する。スクロール型の第２の研磨テーブル３５Ｌは、中
空シャフトをもつモータ７５０の上部フランジ７５１、
内部が中空になったシャフト７５２が順にボルトによっ
て締結されている。シャフト７５２の上部にはベアリン
グ７５３によりセットリング７５４が支持されている。
このセットリング７５４の上面にテーブル７５９が締結
され、その上部に研磨テーブル７５５がボルト７９０に
より締結されている。研磨テーブル７５５は、全体を例
えば砥石で構成してもよいし、研磨テーブル７５５を例
えばステンレス等の耐食性に優れた金属で構成し、その
上面に研磨パッドを貼り付けて使用してもよい。また、
砥石や研磨パッドを利用する場合、研磨テーブル７５５
の上面は、平坦でも良いし、凹凸をつけても良い。これ
らは、被研磨物であるウエハ１０１の種類により選択さ
れる。テーブル７５５の外形はウエハの直径＋２“ｅ”
以上に設定されていて、研磨テーブル７５５が並進運動
をしてもウエハが研磨テーブル７５５からはみ出さない
大きさになっている。
１８はスクロール型の第２の研磨テーブルを示す縦断面
図であり、図１９（ａ）は図１８のＰ−Ｐ線断面図であ
り、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。第２の研磨テーブル３５Ｌと３５Ｒは同一構造であ
るため、以下の説明では研磨テーブル３５Ｌのみを説明
する。スクロール型の第２の研磨テーブル３５Ｌは、中
空シャフトをもつモータ７５０の上部フランジ７５１、
内部が中空になったシャフト７５２が順にボルトによっ
て締結されている。シャフト７５２の上部にはベアリン
グ７５３によりセットリング７５４が支持されている。
このセットリング７５４の上面にテーブル７５９が締結
され、その上部に研磨テーブル７５５がボルト７９０に
より締結されている。研磨テーブル７５５は、全体を例
えば砥石で構成してもよいし、研磨テーブル７５５を例
えばステンレス等の耐食性に優れた金属で構成し、その
上面に研磨パッドを貼り付けて使用してもよい。また、
砥石や研磨パッドを利用する場合、研磨テーブル７５５
の上面は、平坦でも良いし、凹凸をつけても良い。これ
らは、被研磨物であるウエハ１０１の種類により選択さ
れる。テーブル７５５の外形はウエハの直径＋２“ｅ”
以上に設定されていて、研磨テーブル７５５が並進運動
をしてもウエハが研磨テーブル７５５からはみ出さない
大きさになっている。
【００９８】前記セットリング７５４には、周方向に３
つ以上の支持部７５８が形成され、テーブル７５９が支
持されている。つまり、この支持部７５８の上面とテー
ブル７５９の下面の対応する位置には、周方向に等間隔
に複数の凹所７６０，７６１が形成され、これらの凹所
７６０，７６１にはベアリング７６２，７６３がそれぞ
れ装着されている。ベアリング７６２，７６３には、図
１８および図１９に示すように、“ｅ”だけずれた２つ
の軸体７６４，７６５を持つ支持部材７６６が各軸体の
端部を挿入して支持され、モータ７５０を回転すること
により研磨テーブル７５５が半径“ｅ”の円に沿って並
進運動可能となっている。
つ以上の支持部７５８が形成され、テーブル７５９が支
持されている。つまり、この支持部７５８の上面とテー
ブル７５９の下面の対応する位置には、周方向に等間隔
に複数の凹所７６０，７６１が形成され、これらの凹所
７６０，７６１にはベアリング７６２，７６３がそれぞ
れ装着されている。ベアリング７６２，７６３には、図
１８および図１９に示すように、“ｅ”だけずれた２つ
の軸体７６４，７６５を持つ支持部材７６６が各軸体の
端部を挿入して支持され、モータ７５０を回転すること
により研磨テーブル７５５が半径“ｅ”の円に沿って並
進運動可能となっている。
【００９９】また、フランジ７５１がモータ７５０とシ
ャフト７５２との間で同様に“ｅ”だけ偏心している。
偏心による負荷のバランスを取るためバランサ７６７が
シャフト７５２に取り付けられている。研磨テーブル７
５５上への研磨砥液の供給は、モータ７５０とシャフト
７５２の内部を通り、テーブル７５９の中央に設けられ
た貫通孔７５７に継ぎ手７９１を介して供給される。供
給された研磨砥液は一旦研磨テーブル７５５とテーブル
７５９の間で形成される空間７５６に溜められ、研磨テ
ーブル７５５に設けられた複数の貫通孔７６８を経由し
て、直接ウエハ１０１に接触するように供給される。貫
通孔７６８はプロセスの種類により数や位置が適宜選択
される。研磨パッドを研磨テーブル７５５に貼り付けて
使用する場合は、研磨パッドにも貫通孔７６８の位置に
対応した位置に貫通孔が設けられる。研磨テーブル７５
５の全体を砥石で製作する場合は、研磨テーブルの上面
に、格子状、スパイラル状、あるいは放射状等の溝を設
け、この溝に貫通孔７６８を連通させるようにしても良
い。
ャフト７５２との間で同様に“ｅ”だけ偏心している。
偏心による負荷のバランスを取るためバランサ７６７が
シャフト７５２に取り付けられている。研磨テーブル７
５５上への研磨砥液の供給は、モータ７５０とシャフト
７５２の内部を通り、テーブル７５９の中央に設けられ
た貫通孔７５７に継ぎ手７９１を介して供給される。供
給された研磨砥液は一旦研磨テーブル７５５とテーブル
７５９の間で形成される空間７５６に溜められ、研磨テ
ーブル７５５に設けられた複数の貫通孔７６８を経由し
て、直接ウエハ１０１に接触するように供給される。貫
通孔７６８はプロセスの種類により数や位置が適宜選択
される。研磨パッドを研磨テーブル７５５に貼り付けて
使用する場合は、研磨パッドにも貫通孔７６８の位置に
対応した位置に貫通孔が設けられる。研磨テーブル７５
５の全体を砥石で製作する場合は、研磨テーブルの上面
に、格子状、スパイラル状、あるいは放射状等の溝を設
け、この溝に貫通孔７６８を連通させるようにしても良
い。
【０１００】また、供給される研磨砥液は純水や薬液や
スラリー等のうち最適なものが選定され、必要に応じて
一種類以上の研磨砥液が同時に、または交互に、または
順番に供給されるように制御される。研磨中の研磨砥液
から並進運動を行う機構を保護するために、テーブル７
５５にフリンガー７６９が取り付けられていて、樋７７
０とラビリンス機構を形成している。
スラリー等のうち最適なものが選定され、必要に応じて
一種類以上の研磨砥液が同時に、または交互に、または
順番に供給されるように制御される。研磨中の研磨砥液
から並進運動を行う機構を保護するために、テーブル７
５５にフリンガー７６９が取り付けられていて、樋７７
０とラビリンス機構を形成している。
【０１０１】上述の構成において、モータ７５０の作動
によって研磨テーブル７５５が並進円運動（スクロール
運動）し、トップリング３２Ｌに保持されたウエハ１０
１は研磨テーブル７５５の研磨面上に押し付けられる。
貫通孔７５７、空間７５６、貫通孔７６８を介して研磨
面に供給された研磨砥液により研磨が行われる。研磨テ
ーブル７５５上の研磨面とウエハ１０１の間には、半
径”ｅ”の微小な相対並進円運動が生じて、ウエハ１０
１の被研磨面はその全面において均一な研磨がなされ
る。なお、被研磨面と研磨面の位置関係が同じである
と、研磨面の局部的な差異による影響を受けるので、こ
れを避けるためにトップリング３２Ｌを徐々に自転させ
て、研磨面の同じ場所のみで研磨されるのを防止してい
る。
によって研磨テーブル７５５が並進円運動（スクロール
運動）し、トップリング３２Ｌに保持されたウエハ１０
１は研磨テーブル７５５の研磨面上に押し付けられる。
貫通孔７５７、空間７５６、貫通孔７６８を介して研磨
面に供給された研磨砥液により研磨が行われる。研磨テ
ーブル７５５上の研磨面とウエハ１０１の間には、半
径”ｅ”の微小な相対並進円運動が生じて、ウエハ１０
１の被研磨面はその全面において均一な研磨がなされ
る。なお、被研磨面と研磨面の位置関係が同じである
と、研磨面の局部的な差異による影響を受けるので、こ
れを避けるためにトップリング３２Ｌを徐々に自転させ
て、研磨面の同じ場所のみで研磨されるのを防止してい
る。
【０１０２】次に、研磨テーブル３４Ｌ，３４Ｒをドレ
ッシングするためのドレッサについて図２０を参照して
説明する。ドレッサ３８Ｌと３８Ｒは同一構造であるた
め、以下の説明ではドレッサ３８Ｌのみを説明する。図
２０に示すように、ドレッサ３８Ｌはドレッサヘッド６
０から吊下されている。ドレッサヘッド６０はドレッサ
昇降用エアシリンダ６４により昇降し、ドレッサ３８Ｌ
が研磨テーブル３４Ｌの上面の研磨面に対し、接触又は
離間するようになっている。ドレッサ３８Ｌの回転軸６
５の上端にはプーリ６６が固定されており、このプーリ
６６はドレッサ用モータ６７の回転軸６８に連結された
プーリ６９とタイミングベルト７０により連結されてい
る。なお、ドレッサ用モータ６７の回転軸６８とプーリ
６９とは一体に回転するが、上下方向には互いに自由に
動くことができるようにキーとキー溝により連結されて
いる。なおプーリ６９およびドレッサヘッド６０を支持
する支持部７８はガイドレール７９によって上下動が案
内されるようになっている。
ッシングするためのドレッサについて図２０を参照して
説明する。ドレッサ３８Ｌと３８Ｒは同一構造であるた
め、以下の説明ではドレッサ３８Ｌのみを説明する。図
２０に示すように、ドレッサ３８Ｌはドレッサヘッド６
０から吊下されている。ドレッサヘッド６０はドレッサ
昇降用エアシリンダ６４により昇降し、ドレッサ３８Ｌ
が研磨テーブル３４Ｌの上面の研磨面に対し、接触又は
離間するようになっている。ドレッサ３８Ｌの回転軸６
５の上端にはプーリ６６が固定されており、このプーリ
６６はドレッサ用モータ６７の回転軸６８に連結された
プーリ６９とタイミングベルト７０により連結されてい
る。なお、ドレッサ用モータ６７の回転軸６８とプーリ
６９とは一体に回転するが、上下方向には互いに自由に
動くことができるようにキーとキー溝により連結されて
いる。なおプーリ６９およびドレッサヘッド６０を支持
する支持部７８はガイドレール７９によって上下動が案
内されるようになっている。
【０１０３】前記エアシリンダ６４およびドレッサ用モ
ータ６７はハウジング７１に支持されており、このハウ
ジング７１は揺動用モータ７２により回転されるように
なっている。そして、揺動用モータ７２はブラケット７
３に固定されている。ブラケット７３はベース７４に固
定されたガイドレール７５に係合しており、ブラケット
７３はガイドレール７５上を上下方向に摺動可能になっ
ている。ブラケット７３には昇降用エアシリンダ７６が
固定され、昇降用エアシリンダ７６のロッド７６ａの先
端はベース７４に固定されている。なお、ベース７４は
フレーム７７に支持されている。
ータ６７はハウジング７１に支持されており、このハウ
ジング７１は揺動用モータ７２により回転されるように
なっている。そして、揺動用モータ７２はブラケット７
３に固定されている。ブラケット７３はベース７４に固
定されたガイドレール７５に係合しており、ブラケット
７３はガイドレール７５上を上下方向に摺動可能になっ
ている。ブラケット７３には昇降用エアシリンダ７６が
固定され、昇降用エアシリンダ７６のロッド７６ａの先
端はベース７４に固定されている。なお、ベース７４は
フレーム７７に支持されている。
【０１０４】前述の構成において、昇降用エアシリンダ
７６を作動させることによって、ドレッサ３８Ｌ、ドレ
ッサヘッド６０、ドレッサ用モータ６７および揺動用モ
ータ７２が一体に昇降するようになっている。したがっ
て、本ドレッサ装置においては、ドレッサ３８Ｌを使用
していないときには、ドレッサ３８Ｌを研磨テーブル３
４Ｌ（又は３４Ｒ）より下方に待避できるようになって
いる。そして、揺動用モータ７２を駆動することによっ
て、ドレッサヘッド６０は揺動し、ドレッサ３８Ｌが待
機位置と研磨テーブル上のドレッシング位置とに位置す
ることができるようになっている。
７６を作動させることによって、ドレッサ３８Ｌ、ドレ
ッサヘッド６０、ドレッサ用モータ６７および揺動用モ
ータ７２が一体に昇降するようになっている。したがっ
て、本ドレッサ装置においては、ドレッサ３８Ｌを使用
していないときには、ドレッサ３８Ｌを研磨テーブル３
４Ｌ（又は３４Ｒ）より下方に待避できるようになって
いる。そして、揺動用モータ７２を駆動することによっ
て、ドレッサヘッド６０は揺動し、ドレッサ３８Ｌが待
機位置と研磨テーブル上のドレッシング位置とに位置す
ることができるようになっている。
【０１０５】また、ドレッサ３８Ｌによりドレッシング
を行う際には、昇降用シリンダ７６を作動させることに
より、ドレッサ３８Ｌおよびドレッサヘッド６０を上昇
させ、揺動モータ７２によりドレッサ３８Ｌが研磨テー
ブル上のドレッシング位置に移動する。その位置でドレ
ッサ昇降用エアシリンダ６４を作動させることにより、
ドレッサ３８Ｌおよびドレッサヘッド６０を下降させ、
ドレッサ３８Ｌを研磨テーブル上の研磨面に押圧する。
このとき、ドレッサ用モータ６７により、ドレッサ３８
Ｌは所定の速度で回転駆動される。また、研磨テーブル
３４Ｌ（又は３４Ｒ）も所定の速度で回転駆動される。
なお、第２研磨テーブル３５Ｌ，３５Ｒをドレッシング
するドレッサはブラシ型の従来のドレッサを使用してい
る。
を行う際には、昇降用シリンダ７６を作動させることに
より、ドレッサ３８Ｌおよびドレッサヘッド６０を上昇
させ、揺動モータ７２によりドレッサ３８Ｌが研磨テー
ブル上のドレッシング位置に移動する。その位置でドレ
ッサ昇降用エアシリンダ６４を作動させることにより、
ドレッサ３８Ｌおよびドレッサヘッド６０を下降させ、
ドレッサ３８Ｌを研磨テーブル上の研磨面に押圧する。
このとき、ドレッサ用モータ６７により、ドレッサ３８
Ｌは所定の速度で回転駆動される。また、研磨テーブル
３４Ｌ（又は３４Ｒ）も所定の速度で回転駆動される。
なお、第２研磨テーブル３５Ｌ，３５Ｒをドレッシング
するドレッサはブラシ型の従来のドレッサを使用してい
る。
【０１０６】次に、搬送ロボット４、搬送ロボット２０
および搬送ロボット２１がアクセスできる位置に配置さ
れたウエハステーション９０について、図２１乃至図２
３を参照して説明する。図２１は、ウエハステーション
を示す図であり、図２１（ａ）は正面図、図２１（ｂ）
は側面図である。また図２２（ａ）は図２１（ａ）のＩ
矢視図、図２２（ｂ）は図２１（ａ）のII矢視図、図２
２（ｃ）は図２１（ａ）のIII矢視図、図２２（ｄ）は
図２１（ａ）のIV矢視図、図２２（ｅ）は図２１（ａ）
のＶ矢視図である。さらに、図２３（ａ）乃至図２３
（ｃ）はウエハステーションの動作説明図である。
および搬送ロボット２１がアクセスできる位置に配置さ
れたウエハステーション９０について、図２１乃至図２
３を参照して説明する。図２１は、ウエハステーション
を示す図であり、図２１（ａ）は正面図、図２１（ｂ）
は側面図である。また図２２（ａ）は図２１（ａ）のＩ
矢視図、図２２（ｂ）は図２１（ａ）のII矢視図、図２
２（ｃ）は図２１（ａ）のIII矢視図、図２２（ｄ）は
図２１（ａ）のIV矢視図、図２２（ｅ）は図２１（ａ）
のＶ矢視図である。さらに、図２３（ａ）乃至図２３
（ｃ）はウエハステーションの動作説明図である。
【０１０７】図２１に示すように、ウエハステーション
９０は、９段のウエハトレイＴ１〜Ｔ９が上から順番に
重ね合わされて構成されている。９段のウエハトレイＴ
１〜Ｔ９は１つのユニットとして一体化されており、そ
の下部に複数の支柱（ガイドポスト）９１が下方に向か
って伸びている。複数の支柱９１は、洗浄ベースに固定
されるウエハステーションベース９２上に滑り軸受けを
内包したガイド９３により上下動可能に支えられてい
る。トレイユニット下部とウエハステーションベース上
面はボールネジ９４で連結され、さらに、ボールネジ９
４はサーボモータ９５によって回転駆動されるようにな
っている。サーボモータ９５を回転することによりウエ
ハトレイユニットが所定の高さに位置決めされる。
９０は、９段のウエハトレイＴ１〜Ｔ９が上から順番に
重ね合わされて構成されている。９段のウエハトレイＴ
１〜Ｔ９は１つのユニットとして一体化されており、そ
の下部に複数の支柱（ガイドポスト）９１が下方に向か
って伸びている。複数の支柱９１は、洗浄ベースに固定
されるウエハステーションベース９２上に滑り軸受けを
内包したガイド９３により上下動可能に支えられてい
る。トレイユニット下部とウエハステーションベース上
面はボールネジ９４で連結され、さらに、ボールネジ９
４はサーボモータ９５によって回転駆動されるようにな
っている。サーボモータ９５を回転することによりウエ
ハトレイユニットが所定の高さに位置決めされる。
【０１０８】９段のウエハトレイＴ１〜Ｔ９は、上より
順に以下のようになっている。 Ｔ１：ダミーウエハＲ１およびＬ１（左右に２枚） Ｔ２：ダミーウエハＲ２およびＬ２（左右に２枚） Ｔ３：ダミーウエハＲ３およびＬ３（左右に２枚） Ｔ４：ポリッシング前ウエハＲおよびＬ（左右に２枚） Ｔ５：ポリッシング後洗浄前ウエハＲ１およびＬ１（左
右に２枚） Ｔ６：ポリッシング後洗浄前ウエハＲ２およびＬ２（左
右に２枚） Ｔ７：３段洗浄用１次洗浄後ウエハＲ側→Ｌ側（１枚） Ｔ８：３段洗浄用１次洗浄後ウエハＬ側→Ｒ側（１枚） Ｔ９：予備
順に以下のようになっている。 Ｔ１：ダミーウエハＲ１およびＬ１（左右に２枚） Ｔ２：ダミーウエハＲ２およびＬ２（左右に２枚） Ｔ３：ダミーウエハＲ３およびＬ３（左右に２枚） Ｔ４：ポリッシング前ウエハＲおよびＬ（左右に２枚） Ｔ５：ポリッシング後洗浄前ウエハＲ１およびＬ１（左
右に２枚） Ｔ６：ポリッシング後洗浄前ウエハＲ２およびＬ２（左
右に２枚） Ｔ７：３段洗浄用１次洗浄後ウエハＲ側→Ｌ側（１枚） Ｔ８：３段洗浄用１次洗浄後ウエハＬ側→Ｒ側（１枚） Ｔ９：予備
【０１０９】それぞれのウエハトレイの機能は、以下の
通りである。ウエハトレイＴ１，Ｔ２およびＴ３は、タ
ーンテーブル上のポリッシングパッドの慣らし運転（準
備運転）に使用するためのダミーウエハを収容する。前
述したように、２個の研磨テーブル３４Ｌ，３４Ｒに
は、それぞれ３つのトップリング３２Ｌ，３２Ｒが対応
している。各３個のトップリング３２Ｌ，３２Ｒ用にウ
エハトレイＴ１，Ｔ２およびＴ３のダミーウエハＲ１〜
Ｒ３およびＬ１〜Ｌ３を割り当てる。ダミーウエハは、
慣らし運転１回毎に新しいウエハを供給する必要はない
が、ある程度の間隔で、新たなダミーウエハと交換する
必要がある。このときは、４個のウエハカセットのいず
れかのウエハカセットに、交換用のダミーウエハを収納
しておき、ロードアンロードステージ２にセッティング
すると、搬送ロボット４が、ウエハカセットより交換用
ダミーウエハを取り出し、ウエハステーション９０の使
用済みダミーウエハと交換する。
通りである。ウエハトレイＴ１，Ｔ２およびＴ３は、タ
ーンテーブル上のポリッシングパッドの慣らし運転（準
備運転）に使用するためのダミーウエハを収容する。前
述したように、２個の研磨テーブル３４Ｌ，３４Ｒに
は、それぞれ３つのトップリング３２Ｌ，３２Ｒが対応
している。各３個のトップリング３２Ｌ，３２Ｒ用にウ
エハトレイＴ１，Ｔ２およびＴ３のダミーウエハＲ１〜
Ｒ３およびＬ１〜Ｌ３を割り当てる。ダミーウエハは、
慣らし運転１回毎に新しいウエハを供給する必要はない
が、ある程度の間隔で、新たなダミーウエハと交換する
必要がある。このときは、４個のウエハカセットのいず
れかのウエハカセットに、交換用のダミーウエハを収納
しておき、ロードアンロードステージ２にセッティング
すると、搬送ロボット４が、ウエハカセットより交換用
ダミーウエハを取り出し、ウエハステーション９０の使
用済みダミーウエハと交換する。
【０１１０】また、ウエハステーション９０に収納され
ているダミーウエハは、ロボット４が取り出し（ウエハ
ステーションのダミーウエハトレイを一種のウエハカセ
ットとみなし）て、ウエハトレイＴ４のポリッシング前
ウエハＲおよびＬに移載して、搬送ロボット２０および
搬送ロボット２１が同トレイからロータリートランスポ
ータ２７Ｌおよび２７Ｒに移載する。ダミーポリッシン
グした後は、ダミーウエハは、ロボット２０，２１によ
り洗浄機２２又は２３→洗浄機５又は６→ウエハトレイ
Ｔ１〜Ｔ３の元のポジションに戻ることとなる。ウエハ
トレイＴ４のポリッシング前ウエハＲおよびＬは、ロボ
ット４→ロボット２０（又は２１）、およびロボット２
１（又は２０）→ロボット４への一時移載場所である。
ウエハトレイＴ５のポリッシング後洗浄前ウエハＲ１お
よびＬ１（左右に２枚）、ウエハトレイＴ６のポリッシ
ング後洗浄前ウエハＲ２およびＬ２（左右に２枚）、ウ
エハトレイＴ７の３段洗浄用１次洗浄後ウエハＲ側→Ｌ
側（１枚）、ウエハトレイＴ８の３段洗浄用１次洗浄後
ウエハＬ側→Ｒ側（１枚）は、後述するウエハ処理ルー
トにより説明する。
ているダミーウエハは、ロボット４が取り出し（ウエハ
ステーションのダミーウエハトレイを一種のウエハカセ
ットとみなし）て、ウエハトレイＴ４のポリッシング前
ウエハＲおよびＬに移載して、搬送ロボット２０および
搬送ロボット２１が同トレイからロータリートランスポ
ータ２７Ｌおよび２７Ｒに移載する。ダミーポリッシン
グした後は、ダミーウエハは、ロボット２０，２１によ
り洗浄機２２又は２３→洗浄機５又は６→ウエハトレイ
Ｔ１〜Ｔ３の元のポジションに戻ることとなる。ウエハ
トレイＴ４のポリッシング前ウエハＲおよびＬは、ロボ
ット４→ロボット２０（又は２１）、およびロボット２
１（又は２０）→ロボット４への一時移載場所である。
ウエハトレイＴ５のポリッシング後洗浄前ウエハＲ１お
よびＬ１（左右に２枚）、ウエハトレイＴ６のポリッシ
ング後洗浄前ウエハＲ２およびＬ２（左右に２枚）、ウ
エハトレイＴ７の３段洗浄用１次洗浄後ウエハＲ側→Ｌ
側（１枚）、ウエハトレイＴ８の３段洗浄用１次洗浄後
ウエハＬ側→Ｒ側（１枚）は、後述するウエハ処理ルー
トにより説明する。
【０１１１】ウエハトレイＴ１〜Ｔ９の位置決めされる
所定の高さは、３位置が設定されている。第１の位置
は、図２３（ａ）に示すように、トレイユニットが一番
下に位置決めされ、ダミーウエハのウエハトレイＴ１，
Ｔ２，Ｔ３、およびウエハトレイＴ４のポリッシング前
ウエハの４段が、ロボット４からアクセス可能であり、
同時にロボット２０および２１が、ウエハトレイＴ４の
ポリッシング前ウエハにアクセス可能な高さである。第
２の位置は、図２３（ｂ）に示すように、中間高さ位置
であり、ウエハトレイＴ４のポリッシング前ウエハおよ
びウエハトレイＴ５，Ｔ６のポリッシング後洗浄前ウエ
ハの３段が、ロボット２０および２１からアクセス可能
な高さである。第３の位置は、図２３（ｃ）に示すよう
に、トレイユニットが一番上に位置決めされ、ウエハト
レイＴ７，Ｔ８の３段洗浄用１次洗浄後ウエハおよびウ
エハトレイＴ９の予備トレイが、ロボット２０および２
１からアクセス可能な高さである。第２、第３の位置で
は、ロボット４はウエハステーション９０のウエハトレ
イにアクセスすることはできない（アクセスする必要は
ない）。
所定の高さは、３位置が設定されている。第１の位置
は、図２３（ａ）に示すように、トレイユニットが一番
下に位置決めされ、ダミーウエハのウエハトレイＴ１，
Ｔ２，Ｔ３、およびウエハトレイＴ４のポリッシング前
ウエハの４段が、ロボット４からアクセス可能であり、
同時にロボット２０および２１が、ウエハトレイＴ４の
ポリッシング前ウエハにアクセス可能な高さである。第
２の位置は、図２３（ｂ）に示すように、中間高さ位置
であり、ウエハトレイＴ４のポリッシング前ウエハおよ
びウエハトレイＴ５，Ｔ６のポリッシング後洗浄前ウエ
ハの３段が、ロボット２０および２１からアクセス可能
な高さである。第３の位置は、図２３（ｃ）に示すよう
に、トレイユニットが一番上に位置決めされ、ウエハト
レイＴ７，Ｔ８の３段洗浄用１次洗浄後ウエハおよびウ
エハトレイＴ９の予備トレイが、ロボット２０および２
１からアクセス可能な高さである。第２、第３の位置で
は、ロボット４はウエハステーション９０のウエハトレ
イにアクセスすることはできない（アクセスする必要は
ない）。
【０１１２】ウエハトレイＴ５からＴ８（又はＴ９）ま
でのトレイにおいては、ロボット２０および２１が、ウ
エハにアクセスする面を除く５面が樹脂板により囲まれ
ている。ロボットがウエハにアクセスする面は、エアシ
リンダ４００により上下に開閉可能なシャッタ４０１が
設置されていて、ロボットがウエハにアクセスするとき
のみ開口できるようになっている。
でのトレイにおいては、ロボット２０および２１が、ウ
エハにアクセスする面を除く５面が樹脂板により囲まれ
ている。ロボットがウエハにアクセスする面は、エアシ
リンダ４００により上下に開閉可能なシャッタ４０１が
設置されていて、ロボットがウエハにアクセスするとき
のみ開口できるようになっている。
【０１１３】ウエハトレイＴ５からＴ８（Ｔ９）までの
トレイは、ポリッシング後のウエハが次の工程に移動す
るまでの一時載置場所であるため、その間に一時載置さ
れたウエハが乾燥したり、周囲の空気により酸化膜など
が形成されたり、さらには、前工程の研磨砥液、洗浄液
などでウエハ表面がエッチングされないようにするた
め、ウエハ表面、裏面に純水または薬液をスプレーする
ノズル９６が設けられている。また全てのウエハトレイ
にはウエハ有無センサ９７が設置されている。
トレイは、ポリッシング後のウエハが次の工程に移動す
るまでの一時載置場所であるため、その間に一時載置さ
れたウエハが乾燥したり、周囲の空気により酸化膜など
が形成されたり、さらには、前工程の研磨砥液、洗浄液
などでウエハ表面がエッチングされないようにするた
め、ウエハ表面、裏面に純水または薬液をスプレーする
ノズル９６が設けられている。また全てのウエハトレイ
にはウエハ有無センサ９７が設置されている。
【０１１４】ウエハ表面および裏面にスプレーされた純
水および薬液の排水をするため、ウエハトレイユニット
には、全部で３本の配水管が設けられている。１つの配
水管は、最下部のウエハトレイＴ９に接続されており、
この配水管はウエハトレイユニット全体のドレンパンを
兼ねている。２つ目の配水管は、ウエハトレイＴ８のト
レイ下部に取り付けられており、ウエハトレイＴ７，Ｔ
８の排水を行う。３つ目の配水管は、ウエハトレイＴ６
のトレイ下部に接続されており、ウエハトレイＴ５，Ｔ
６の排水を行う。ウエハトレイＴ１からウエハトレイＴ
４は、ドライ環境にて使用されるため排水機能は必要な
い。
水および薬液の排水をするため、ウエハトレイユニット
には、全部で３本の配水管が設けられている。１つの配
水管は、最下部のウエハトレイＴ９に接続されており、
この配水管はウエハトレイユニット全体のドレンパンを
兼ねている。２つ目の配水管は、ウエハトレイＴ８のト
レイ下部に取り付けられており、ウエハトレイＴ７，Ｔ
８の排水を行う。３つ目の配水管は、ウエハトレイＴ６
のトレイ下部に接続されており、ウエハトレイＴ５，Ｔ
６の排水を行う。ウエハトレイＴ１からウエハトレイＴ
４は、ドライ環境にて使用されるため排水機能は必要な
い。
【０１１５】上記のように排水を分けているのは、ウエ
ハトレイＴ７，Ｔ８の３段洗浄用ウエハトレイとウエハ
トレイＴ５，Ｔ６のポリッシング後洗浄前ウエハトレイ
で使用する純水または薬液が異なった場合、２種類の薬
液同士、または、純水と薬液が混ざり合うことを防止す
るためである。３本の配水管は、同一のメイン配水管に
接続することができ、または、薬液の種類によっては、
別々の排水配管に分岐して、異なった工場排水ユーティ
リティに接続することも可能である。また、薬液処理に
ついては、薬液の化学的性質を考慮した薬液再生、薬液
排水配管を接続することも可能である。その際、類似化
学的性質の配管は同一とすることができる。
ハトレイＴ７，Ｔ８の３段洗浄用ウエハトレイとウエハ
トレイＴ５，Ｔ６のポリッシング後洗浄前ウエハトレイ
で使用する純水または薬液が異なった場合、２種類の薬
液同士、または、純水と薬液が混ざり合うことを防止す
るためである。３本の配水管は、同一のメイン配水管に
接続することができ、または、薬液の種類によっては、
別々の排水配管に分岐して、異なった工場排水ユーティ
リティに接続することも可能である。また、薬液処理に
ついては、薬液の化学的性質を考慮した薬液再生、薬液
排水配管を接続することも可能である。その際、類似化
学的性質の配管は同一とすることができる。
【０１１６】次に、洗浄室内に設置された洗浄機を説明
する。本ポリッシング装置に搭載される洗浄機のうち、
洗浄機２２と２３では、ロール状のスポンジをロールの
軸を中心に回転させてウエハに押付けてウエハの裏面を
洗浄できるようになっており、ウエハの表面はロール状
のスポンジを回転させながらウエハに押付けて洗浄する
ロールタイプと、半球状のスポンジを回転させながら押
付けて洗浄するペンシルタイプのどちらかが選択でき、
更に、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタ
イプのものを付加することができる。洗浄機２２及び２
３は主にウエハ上のパーティクルを落す役割を担ってい
る。また、どの方法を選んだ場合にも、各洗浄機には３
種類以上の洗浄液をウエハの表面（被研磨面）及びウエ
ハの裏面に供給することができる。前記洗浄液は純水を
使用しても良い。
する。本ポリッシング装置に搭載される洗浄機のうち、
洗浄機２２と２３では、ロール状のスポンジをロールの
軸を中心に回転させてウエハに押付けてウエハの裏面を
洗浄できるようになっており、ウエハの表面はロール状
のスポンジを回転させながらウエハに押付けて洗浄する
ロールタイプと、半球状のスポンジを回転させながら押
付けて洗浄するペンシルタイプのどちらかが選択でき、
更に、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタ
イプのものを付加することができる。洗浄機２２及び２
３は主にウエハ上のパーティクルを落す役割を担ってい
る。また、どの方法を選んだ場合にも、各洗浄機には３
種類以上の洗浄液をウエハの表面（被研磨面）及びウエ
ハの裏面に供給することができる。前記洗浄液は純水を
使用しても良い。
【０１１７】洗浄機５，６には、ウエハの裏面はリンス
洗浄することができ、ウエハ表面の洗浄は半球状のスポ
ンジを回転させながら押付けて洗浄するペンシルタイプ
と、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイ
プが同時にできるようになっている。各洗浄機では３種
類以上の洗浄液をウエハの表面及びウエハの裏面に供給
することができる。前記洗浄液は純水を使用しても良
い。そして、ウエハをチャックするステージは高速で回
転させることが可能で、洗浄後のウエハを乾燥させる機
能がつけられている。
洗浄することができ、ウエハ表面の洗浄は半球状のスポ
ンジを回転させながら押付けて洗浄するペンシルタイプ
と、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイ
プが同時にできるようになっている。各洗浄機では３種
類以上の洗浄液をウエハの表面及びウエハの裏面に供給
することができる。前記洗浄液は純水を使用しても良
い。そして、ウエハをチャックするステージは高速で回
転させることが可能で、洗浄後のウエハを乾燥させる機
能がつけられている。
【０１１８】また、上記の各洗浄機に搭載可能なメガソ
ニックタイプに代わり、キャビテーション効果を利用し
たキャビジェットタイプでも同様な効果が得られるの
で、キャビジェットタイプを搭載しても良い。上記洗浄
機５，６，２２，２３のウエハ搬入口には、図１に示す
ように、それぞれシャッターが取り付けられており、ウ
エハが搬入される時のみ開口可能となっている。また、
各洗浄液供給ラインにはエアーの圧力で制御できる定流
量弁が配備されており、エアー圧を制御する電空レギュ
レータを組合せることで、コントロールパネルから流量
を自由に設定可能になっている。そして、各洗浄機に供
給される洗浄液、洗浄方法、洗浄時間はコントロールパ
ネルから任意に設定できるようになっている。洗浄室
（領域Ｂ）のベース部分には、ガイドが取り付けられ、
このガイド内に洗浄機を入れ込むことで、容易に洗浄機
のタイプを交換できるように構成され、交換後も同じ位
置に搭載できるように位置決め機構が設けられている。
ニックタイプに代わり、キャビテーション効果を利用し
たキャビジェットタイプでも同様な効果が得られるの
で、キャビジェットタイプを搭載しても良い。上記洗浄
機５，６，２２，２３のウエハ搬入口には、図１に示す
ように、それぞれシャッターが取り付けられており、ウ
エハが搬入される時のみ開口可能となっている。また、
各洗浄液供給ラインにはエアーの圧力で制御できる定流
量弁が配備されており、エアー圧を制御する電空レギュ
レータを組合せることで、コントロールパネルから流量
を自由に設定可能になっている。そして、各洗浄機に供
給される洗浄液、洗浄方法、洗浄時間はコントロールパ
ネルから任意に設定できるようになっている。洗浄室
（領域Ｂ）のベース部分には、ガイドが取り付けられ、
このガイド内に洗浄機を入れ込むことで、容易に洗浄機
のタイプを交換できるように構成され、交換後も同じ位
置に搭載できるように位置決め機構が設けられている。
【０１１９】次に、図１乃至図２３に示すポリッシング
装置におけるウエハの処理ルートを図２４乃至図５８を
参照して説明する。本装置の処理ルートは全てのユニッ
ト（機器）を自由に組合せ、設定できるようにソフトウ
エアが組まれている。例えば、以下の４通りの方法があ
る。 （１）パラレル研磨２段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して研磨を行い、これと併
行してウエハカセットから次の３個のウエハを順次取り
出して他方の研磨テーブル３４Ｒに搬送して研磨を行
い、研磨後の各３個のウエハを順次２つの洗浄機に搬送
して２段洗浄を行う。 （２）パラレル研磨３段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して研磨を行い、これと併
行してウエハカセットから次の３個のウエハを順次取り
出して他方の研磨テーブル３４Ｒに搬送して研磨を行
い、研磨後の各３個のウエハを順次３つの洗浄機に搬送
して３段洗浄を行う。
装置におけるウエハの処理ルートを図２４乃至図５８を
参照して説明する。本装置の処理ルートは全てのユニッ
ト（機器）を自由に組合せ、設定できるようにソフトウ
エアが組まれている。例えば、以下の４通りの方法があ
る。 （１）パラレル研磨２段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して研磨を行い、これと併
行してウエハカセットから次の３個のウエハを順次取り
出して他方の研磨テーブル３４Ｒに搬送して研磨を行
い、研磨後の各３個のウエハを順次２つの洗浄機に搬送
して２段洗浄を行う。 （２）パラレル研磨３段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して研磨を行い、これと併
行してウエハカセットから次の３個のウエハを順次取り
出して他方の研磨テーブル３４Ｒに搬送して研磨を行
い、研磨後の各３個のウエハを順次３つの洗浄機に搬送
して３段洗浄を行う。
【０１２０】（３）シリアル研磨２段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して１段目の研磨を行い、
研磨後の３個のウエハを他方の研磨テーブル３４Ｒに搬
送して２段目の研磨を行い、２段研磨後の３個のウエハ
を順次２つの洗浄機に搬送して２段洗浄を行う。 （４）シリアル研磨３段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して１段目の研磨を行い、
研磨後の３個のウエハを他方の研磨テーブル３４Ｒに搬
送して２段目の研磨を行い、２段研磨後の３個のウエハ
を順次３つの洗浄機に搬送して３段洗浄を行う。
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して１段目の研磨を行い、
研磨後の３個のウエハを他方の研磨テーブル３４Ｒに搬
送して２段目の研磨を行い、２段研磨後の３個のウエハ
を順次２つの洗浄機に搬送して２段洗浄を行う。 （４）シリアル研磨３段洗浄処理 ウエハカセットから３個のウエハを順次取り出して一方
の研磨テーブル３４Ｌに搬送して１段目の研磨を行い、
研磨後の３個のウエハを他方の研磨テーブル３４Ｒに搬
送して２段目の研磨を行い、２段研磨後の３個のウエハ
を順次３つの洗浄機に搬送して３段洗浄を行う。
【０１２１】図２４乃至図３０は、上記パラレル研磨２
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。図２４乃至図３０に示すように、３個のウエハＷ
１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカセット１→ウエハス
テーション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトラン
スポータ２７Ｌ→研磨テーブル３４Ｌ→ロータリトラン
スポータ２７Ｌを経た後、ウエハＷ１は洗浄機２２→洗
浄機５→ウエハカセット１に至る経路をとり、ウエハＷ
２及びＷ３はウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
５，Ｔ６）→洗浄機２２→洗浄機５→ウエハカセット１
に至る経路をとる。また、３個のウエハＷ４，Ｗ５，Ｗ
６は、順次、ウエハカセット１→ウエハステーション９
０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトランスポータ２７
Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポータ２７
Ｒを経た後、ウエハＷ４は洗浄機２３→洗浄機６→ウエ
ハカセット１に至る経路をとり、ウエハＷ５及びＷ６は
ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ５，Ｔ６）→
洗浄機２３→洗浄機６→ウエハカセット１に至る経路を
とる。
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。図２４乃至図３０に示すように、３個のウエハＷ
１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカセット１→ウエハス
テーション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトラン
スポータ２７Ｌ→研磨テーブル３４Ｌ→ロータリトラン
スポータ２７Ｌを経た後、ウエハＷ１は洗浄機２２→洗
浄機５→ウエハカセット１に至る経路をとり、ウエハＷ
２及びＷ３はウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
５，Ｔ６）→洗浄機２２→洗浄機５→ウエハカセット１
に至る経路をとる。また、３個のウエハＷ４，Ｗ５，Ｗ
６は、順次、ウエハカセット１→ウエハステーション９
０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトランスポータ２７
Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポータ２７
Ｒを経た後、ウエハＷ４は洗浄機２３→洗浄機６→ウエ
ハカセット１に至る経路をとり、ウエハＷ５及びＷ６は
ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ５，Ｔ６）→
洗浄機２３→洗浄機６→ウエハカセット１に至る経路を
とる。
【０１２２】図３１乃至図３７は、上記パラレル研磨３
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。図３１乃至図３７に示すように、３個のウエハＷ
１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカセット１→ウエハス
テーション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトラン
スポータ２７Ｌ→研磨テーブル３４Ｌ→ロータリトラン
スポータ２７Ｌを経た後、ウエハＷ１は洗浄機２２→洗
浄機５→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ８）
→洗浄機６→ウエハカセット１に至る経路をとり、ウエ
ハＷ２及びＷ３はウエハステーション９０（ウエハトレ
イＴ５，Ｔ６）→洗浄機２２→洗浄機５→ウエハステー
ション９０（ウエハトレイＴ８）→洗浄機６→ウエハカ
セット１に至る経路をとる。また、３個のウエハＷ４，
Ｗ５，Ｗ６は、順次、ウエハカセット１→ウエハステー
ション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトランスポ
ータ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポ
ータ２７Ｒを経た後、ウエハＷ４は洗浄機２３→洗浄機
６→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ７）→洗
浄機５→ウエハカセット１に至る経路をとり、ウエハＷ
５及びＷ６はウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
４）→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハステーション９０
（ウエハトレイＴ７）→洗浄機５→ウエハカセット１に
至る経路をとる。
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。図３１乃至図３７に示すように、３個のウエハＷ
１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカセット１→ウエハス
テーション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトラン
スポータ２７Ｌ→研磨テーブル３４Ｌ→ロータリトラン
スポータ２７Ｌを経た後、ウエハＷ１は洗浄機２２→洗
浄機５→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ８）
→洗浄機６→ウエハカセット１に至る経路をとり、ウエ
ハＷ２及びＷ３はウエハステーション９０（ウエハトレ
イＴ５，Ｔ６）→洗浄機２２→洗浄機５→ウエハステー
ション９０（ウエハトレイＴ８）→洗浄機６→ウエハカ
セット１に至る経路をとる。また、３個のウエハＷ４，
Ｗ５，Ｗ６は、順次、ウエハカセット１→ウエハステー
ション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトランスポ
ータ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポ
ータ２７Ｒを経た後、ウエハＷ４は洗浄機２３→洗浄機
６→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ７）→洗
浄機５→ウエハカセット１に至る経路をとり、ウエハＷ
５及びＷ６はウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
４）→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハステーション９０
（ウエハトレイＴ７）→洗浄機５→ウエハカセット１に
至る経路をとる。
【０１２３】図３８乃至図４７は、上記シリアル研磨２
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。図３８乃至図４７に示すように、３個のウエハＷ
１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカセット１→ウエハス
テーション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトラン
スポータ２７Ｌ→研磨テーブル３４Ｌ→ロータリトラン
スポータ２７Ｌを経た後、ウエハＷ１は洗浄機２２→ウ
エハステーション９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリ
トランスポータ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリ
トランスポータ２７Ｒ→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハ
カセット１に至る経路をとり、ウエハＷ２はウエハステ
ーション９０（ウエハトレイＴ５）→洗浄機２２→ウエ
ハステーション９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリト
ランスポータ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリト
ランスポータ２７Ｒ→ウエハステーション９０（ウエハ
トレイＴ５）→洗浄機２３→ウエハステーション９０
（ウエハトレイＴ７）→洗浄機５→ウエハカセット１に
至る経路をとり、ウエハＷ３はウエハステーション９０
（ウエハトレイＴ６）→洗浄機２２→ウエハステーショ
ン９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリトランスポータ
２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポータ
２７Ｒ→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ６）
→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハカセット１に至る経路
をとる。
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。図３８乃至図４７に示すように、３個のウエハＷ
１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカセット１→ウエハス
テーション９０（ウエハトレイＴ４）→ロータリトラン
スポータ２７Ｌ→研磨テーブル３４Ｌ→ロータリトラン
スポータ２７Ｌを経た後、ウエハＷ１は洗浄機２２→ウ
エハステーション９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリ
トランスポータ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリ
トランスポータ２７Ｒ→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハ
カセット１に至る経路をとり、ウエハＷ２はウエハステ
ーション９０（ウエハトレイＴ５）→洗浄機２２→ウエ
ハステーション９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリト
ランスポータ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリト
ランスポータ２７Ｒ→ウエハステーション９０（ウエハ
トレイＴ５）→洗浄機２３→ウエハステーション９０
（ウエハトレイＴ７）→洗浄機５→ウエハカセット１に
至る経路をとり、ウエハＷ３はウエハステーション９０
（ウエハトレイＴ６）→洗浄機２２→ウエハステーショ
ン９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリトランスポータ
２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポータ
２７Ｒ→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ６）
→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハカセット１に至る経路
をとる。
【０１２４】図４８乃至図５８は、上記シリアル研磨３
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。３個のウエハＷ１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカ
セット１→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
４）→ロータリトランスポータ２７Ｌ→研磨テーブル３
４Ｌ→ロータリトランスポータ２７Ｌを経た後、ウエハ
Ｗ１は洗浄機２２→ウエハステーション９０（ウエハト
レイＴ８）→ロータリトランスポータ２７Ｒ→研磨テー
ブル３４Ｒ→ロータリトランスポータ２７Ｒ→洗浄機２
３→洗浄機６→ウエハステーション９０（ウエハトレイ
Ｔ７）→洗浄機５→ウエハカセット１に至る経路をと
り、ウエハＷ２及びＷ３はウエハステーション９０（ウ
エハトレイＴ５，Ｔ６）→洗浄機２２→ウエハステーシ
ョン９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリトランスポー
タ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポー
タ２７Ｒ→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
５，Ｔ６）→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハステーショ
ン９０（ウエハトレイＴ７）→洗浄機５→ウエハカセッ
ト１に至る経路をとる。
段洗浄処理を行う場合の一例を示す模式的工程図であ
る。３個のウエハＷ１，Ｗ２，Ｗ３は、順次、ウエハカ
セット１→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
４）→ロータリトランスポータ２７Ｌ→研磨テーブル３
４Ｌ→ロータリトランスポータ２７Ｌを経た後、ウエハ
Ｗ１は洗浄機２２→ウエハステーション９０（ウエハト
レイＴ８）→ロータリトランスポータ２７Ｒ→研磨テー
ブル３４Ｒ→ロータリトランスポータ２７Ｒ→洗浄機２
３→洗浄機６→ウエハステーション９０（ウエハトレイ
Ｔ７）→洗浄機５→ウエハカセット１に至る経路をと
り、ウエハＷ２及びＷ３はウエハステーション９０（ウ
エハトレイＴ５，Ｔ６）→洗浄機２２→ウエハステーシ
ョン９０（ウエハトレイＴ８）→ロータリトランスポー
タ２７Ｒ→研磨テーブル３４Ｒ→ロータリトランスポー
タ２７Ｒ→ウエハステーション９０（ウエハトレイＴ
５，Ｔ６）→洗浄機２３→洗浄機６→ウエハステーショ
ン９０（ウエハトレイＴ７）→洗浄機５→ウエハカセッ
ト１に至る経路をとる。
【０１２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウエハ等のポリッシング対象物をトップリングに
搬送する時間を短縮することが可能となり、単位時間あ
たりのポリッシング対象物の処理枚数（スループット）
を飛躍的に増加させることができる。
半導体ウエハ等のポリッシング対象物をトップリングに
搬送する時間を短縮することが可能となり、単位時間あ
たりのポリッシング対象物の処理枚数（スループット）
を飛躍的に増加させることができる。
【図１】本発明に係るポリッシング装置の各部の配置構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】左右研磨部とも、３個の各トップリングが各種
異なった動作を行っている状態を示している。
異なった動作を行っている状態を示している。
【図３】カルーセルによって支持されたマルチヘッド型
のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略側面
図である。
のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略側面
図である。
【図４】カルーセルによって支持されたマルチヘッド型
のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略斜視
図である。
のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略斜視
図である。
【図５】カルーセルによって支持されたマルチヘッド型
のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略斜視
図である。
のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略斜視
図である。
【図６】ガイドプレートの平面図である。
【図７】反転機を示す図であり、図７（ａ）は平面図、
図７（ｂ）は一部断面された側面図である。
図７（ｂ）は一部断面された側面図である。
【図８】リフタを示す縦断面図である。
【図９】ロータリトランスポータを示す平面図である。
【図１０】ロータリトランスポータを示す縦断面図であ
る。
る。
【図１１】プッシャーを示すの縦断面図である。
【図１２】プッシャーを示すの動作説明図である。
【図１３】第１研磨テーブルの構造と光学式センサの設
置状態を示す概略断面図である。
置状態を示す概略断面図である。
【図１４】図１３に示すポリッシング装置の平面図であ
る。
る。
【図１５】本発明のトップリングの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図１６】図１６は保持プレートのウエハ保持面の形状
を模式的に表す図であり、横軸は保持プレートの中心
（Ｏ）からの距離（mm）、縦軸はウエハ保持面の高さを
示す。
を模式的に表す図であり、横軸は保持プレートの中心
（Ｏ）からの距離（mm）、縦軸はウエハ保持面の高さを
示す。
【図１７】図１７はトップリングが半導体ウエハを研磨
クロスに押圧する押圧力Ｆ１とリテーナリングが研磨ク
ロスを押圧する押圧力Ｆ２との関係を変えた場合の模式
図であり、図１７（ａ）はＦ１＞Ｆ２の場合を示し、図
１７（ｂ）はＦ１≒Ｆ２の場合を示し、図１７（ｃ）は
Ｆ１＜Ｆ２の場合を示す。
クロスに押圧する押圧力Ｆ１とリテーナリングが研磨ク
ロスを押圧する押圧力Ｆ２との関係を変えた場合の模式
図であり、図１７（ａ）はＦ１＞Ｆ２の場合を示し、図
１７（ｂ）はＦ１≒Ｆ２の場合を示し、図１７（ｃ）は
Ｆ１＜Ｆ２の場合を示す。
【図１８】スクロール型研磨テーブルを示す縦断面図で
ある。
ある。
【図１９】図１９（ａ）は図１８のＰ−Ｐ線断面図であ
り、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＸ−Ｘ断面図であ
る。
り、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＸ−Ｘ断面図であ
る。
【図２０】研磨テーブルをドレッシングするためのドレ
ッサを示す図である。
ッサを示す図である。
【図２１】図２１は、ウエハステーションを示す図であ
り、図２１（ａ）は正面図、図２１（ｂ）は側面図であ
る。
り、図２１（ａ）は正面図、図２１（ｂ）は側面図であ
る。
【図２２】図２２（ａ）は図２１（ａ）のＩ矢視図、図
２２（ｂ）は図２１（ａ）のII矢視図、図２２（ｃ）は
図２１（ａ）のIII矢視図、図２２（ｄ）は図２１
（ａ）のIV矢視図、図２２（ｅ）は図２１（ａ）のＶ矢
視図である。
２２（ｂ）は図２１（ａ）のII矢視図、図２２（ｃ）は
図２１（ａ）のIII矢視図、図２２（ｄ）は図２１
（ａ）のIV矢視図、図２２（ｅ）は図２１（ａ）のＶ矢
視図である。
【図２３】図２３（ａ）乃至図２３（ｃ）はウエハステ
ーションの動作説明図である。
ーションの動作説明図である。
【図２４】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図２５】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図２６】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図２７】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図２８】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図２９】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図３０】図１乃至図２３に示すポリッシング装置にお
けるウエハの処理ルートを示す図である。
けるウエハの処理ルートを示す図である。
【図３１】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３２】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３３】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３４】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３５】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３６】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３７】パラレル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３８】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図３９】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４０】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４１】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４２】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４３】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４４】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４５】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４６】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４７】シリアル研磨２段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４８】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図４９】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５０】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５１】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５２】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５３】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５４】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５５】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５６】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５７】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
【図５８】シリアル研磨３段洗浄処理を行う場合の一例
を示す模式的工程図である。
を示す模式的工程図である。
１ ウエハカセット ２ ロードアンロードステージ ３ 走行機構 ４ 搬送ロボット ５，６ 洗浄機 ５ａ，６ａ シャッター １１ シャッター １４，１５，１６，２４，２５ 隔壁 ２０，２１ 搬送ロボット ２２，２３ 洗浄機 ２２ａ，２３ａ シャッター ２６Ｌ，２６Ｒ シャッター ２７Ｌ，２７Ｒ ロータリトランスポータ ２８Ｌ，２８Ｒ 反転機 ２９Ｌ，２９Ｒ リフタ ３０Ｌ，３０Ｒ プッシャー ３２Ｌ，３２Ｒ トップリング ３４Ｌ，３４Ｒ，３５Ｌ，３５Ｒ 研磨テーブル ３６Ｌ，３６Ｒ カルーセル ３８Ｌ，３８Ｒ、３９Ｌ，３９Ｒ ドレッサ ４０ 研磨クロス ４２ ブリッジ ４３ 回転主軸 ４４ モータ ４５ トップリング揺動アーム ４６ トップリング軸 ４７ 減速機 ４８ モータ ４９ エアシリンダ ５０ タイミングベルト ５１ モータ ５３ ガイドプレート ５５ 光学式センサ ５６ ロータリコネクタ（又はスリップリング） ５７ コントローラ ５８ 表示装置（ディスプレイ） ５９ 配線 ６０ ドレッサヘッド ６４ エアシリンダ ６５ 回転軸 ６６ プーリ ６７ ドレッサ用モータ ６８ 回転軸 ６９ プーリ ７０ タイミングベルト ７１ ハウジング ７２ 揺動用モータ ７３ ブラケット ７４ ベース ７５ ガイドレール ７６ 昇降用エアシリンダ ７６ａ ロッド ７７ フレーム ７８ 支持部 ７９ ガイドレール ８０ トップリング本体 ８１ 保持プレート ８１ａ ウエハ保持面 ８２ 流体源 ８３ 弾性マット ８５ 流体圧バッグ ８６ ボール ９０ ウエハステーション ９１ 支柱 ９２ ウエハステーションベース ９３ ガイド ９４ ボールネジ ９５ サーボモータ １００ ハウジング １０１ ウエハ １４０ 中空シャフト １４１ ガイドステージ １４２ スプラインシャフト １４３ プッシュステージ １４４ フローティングジョイント １４５，１４６ エアシリンダ １４８ トップリングガイド １４９ リニアウェイ １５０ スライドブッシュ １５１ ベアリングケース １５２ 圧縮バネ １５３ ガイドスリーブ １５４ センタスリーブ １５５ Ｖリング １５６ ショックキラー １５９ バネ １６０ プッシュロッド ２００ ウエハ有無センサ ２００ａ 投光側 ２００ｂ 受光側 ２０１ ピン ２０３，２０４，２０５，２０６ センサ ２０８ テーパ ２１０ ウエハ搭載ステージ ２２０ 上段部 ２２１ 下段部 ２３０ アーム ２３１ コマ ２３２ シリンダ ２３３ 圧縮バネ ２３４ シャフト ２３５ ストッパ ２３６ エンドブロック ２３７ センサ ２３８，２４０ プーリ ２３９ ステッピングモータ ２４１ ベルト ２６０ ステージ ２６１ シリンダ ２６２ シャフト ２６３ 爪 ２６４ ストッパ ２６５ ストッパベース ２６６，２６７ センサ ３０１ ガイドリング ５０１，５０２，５０３，５０４ リンスノズル ５１０ セパレータ ５１１ サーボモータ ７５０ モータ ７５１ 上部フランジ ７５２ シャフト ７５３ ベアリング ７５４ セットリング ７５５ 研磨テーブル ７５６ 空間 ７５７，７６８ 貫通孔 ７５８ 支持部 ７５９ テーブル ７６０，７６１ 凹所 ７６２，７６３ ベアリング ７６４，７６５ 軸体 ７６６ 支持部材 ７６９ フリンガー ７７０ 樋 ７９０ ボルト ７９１ 継ぎ手
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関本 雅彦 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 宮崎 充 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 野路 直樹 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 千葉 一機 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 藤本 憲司 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社内 Ｆターム(参考） 3C043 BC08 CC04 CC07 DD14 3C058 AA09 AA18 AB03 AB04 AC01 CB03 DA17
Claims (11)
- 【請求項１】 研磨面を有する研磨テーブルと、基板を
保持して前記研磨テーブルに押圧する複数のトップリン
グと、複数のトップリングを保持するとともに該複数の
トップリングの回転割出しを行なうカルーセルとを備え
たマルチヘッド型のポリッシング装置において、 前記各トップリングが所定位置にあるときに、各トップ
リングが到達可能な位置に設置され、回転中心から所定
円周上に位置しポリッシング対象物を保持する複数の部
分を有し、かつこの複数の部分の割り出しを行うインデ
ックス機能を有するロータリトランスポータと、 前記ロータリトランスポータと各トップリングとの間で
ポリッシング対象物を受け渡しするプッシャーとを備え
たことを特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項２】 前記各トップリングは揺動アームを介し
てカルーセルに連結され、各トップリングは揺動アーム
が揺動することにより研磨テーブル上の研磨位置と前記
ロータリトランスポータ上のロードアンロード位置に位
置することが可能であることを特徴とする請求項１記載
のポリッシング装置。 - 【請求項３】 前記研磨テーブルに隣接して第２の研磨
テーブルが設置され、各トップリングが所定位置にある
ときに、各トップリングは前記第２の研磨テーブルに到
達可能であることを特徴とする請求項１記載のポリッシ
ング装置。 - 【請求項４】 前記各トップリングは揺動アームを介し
てカルーセルに連結され、各トップリングは揺動アーム
が揺動することにより前記第２の研磨テーブルに到達可
能であることを特徴とする請求項３記載のポリッシング
装置。 - 【請求項５】 前記各トップリングは、揺動アームを介
してカルーセルに連結され、各トップリングは揺動アー
ムが揺動することにより研磨後のポリッシング対象物が
研磨面から一部露出するオーバーハング位置をとること
を特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。 - 【請求項６】 前記ロータリトランスポータとの間でポ
リッシング対象物を受け渡し可能であるとともにポリッ
シング対象物を反転する機能を有する反転機を備えたこ
とを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
ポリッシング装置。 - 【請求項７】 前記反転機はロータリトランスポータの
上方又は下方に位置しており、反転機とロータリトラン
スポータ間におけるポリッシング対象物の受け渡しは、
ポリッシング対象物を保持して昇降するリフタにより行
うことを特徴とする請求項６記載のポリッシング装置。 - 【請求項８】 研磨面を有する研磨テーブルと、基板を
保持して前記研磨テーブルに押圧する複数のトップリン
グと、複数のトップリングを保持するとともに該複数の
トップリングの回転割出しを行なうカルーセルとを備え
たマルチヘッド型のポリッシング装置において、 研磨後のポリッシング対象物を洗浄する複数の洗浄装置
と、 前記複数の洗浄装置間で研磨後のポリッシング対象物を
搬送する搬送機構と、 前記複数の洗浄装置を経由してポリッシング対象物が複
数段の洗浄工程を経る間に又は洗浄工程前にポリッシン
グ対象物を待機させるための置き台を具備したステーシ
ョンとを備えたことを特徴とするポリッシング装置。 - 【請求項９】 前記ステーションは、前記研磨テーブル
と複数のポリッシング対象物を収容したカセットとの間
に配置され、前記ステーションは、研磨前のポリッシン
グ対象物を前記研磨テーブルに搬送する前に待機させる
ための置き台を備えることを特徴とする請求項８記載の
ポリッシング装置。 - 【請求項１０】 前記ステーションは正規のポリッシン
グ対象物を研磨する前の準備運転用のダミーのポリッシ
ング対象物を載置する置き台を備えることを特徴とする
請求項８記載のポリッシング装置。 - 【請求項１１】 研磨面を有する研磨テーブルと、基板
を保持して前記研磨テーブルに押圧する複数のトップリ
ングと、複数のトップリングを保持するとともに該複数
のトップリングの回転割出しを行なうカルーセルとを備
えた研磨ユニットを２組並列して配置し、 前記研磨ユニットにおける各トップリングが所定位置に
あるときに、各トップリングが到達可能な位置に設置さ
れ、回転中心から所定円周上に位置しポリッシング対象
物を保持する複数の部分を有し、かつこの複数の部分の
割り出しを行うインデックス機能を有するロータリトラ
ンスポータを２組設け、 前記ロータリトランスポータと各トップリングとの間で
ポリッシング対象物を受け渡しするプッシャーを２組設
けたことを備えたことを特徴とするポリッシング装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000143771A JP2001326201A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | ポリッシング装置 |
| SG200102826A SG96621A1 (en) | 2000-05-16 | 2001-05-11 | Polishing apparatus |
| TW090111279A TW491744B (en) | 2000-05-16 | 2001-05-11 | Polishing apparatus |
| EP01111685A EP1155778B1 (en) | 2000-05-16 | 2001-05-14 | Polishing apparatus |
| DE60125859T DE60125859T2 (de) | 2000-05-16 | 2001-05-14 | Poliervorrichtung |
| KR1020010026850A KR20010106260A (ko) | 2000-05-16 | 2001-05-16 | 폴리싱 장치 |
| US09/855,677 US6629883B2 (en) | 2000-05-16 | 2001-05-16 | Polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000143771A JP2001326201A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | ポリッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326201A true JP2001326201A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18650539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000143771A Pending JP2001326201A (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | ポリッシング装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6629883B2 (ja) |
| EP (1) | EP1155778B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001326201A (ja) |
| KR (1) | KR20010106260A (ja) |
| DE (1) | DE60125859T2 (ja) |
| SG (1) | SG96621A1 (ja) |
| TW (1) | TW491744B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012195498A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Ulvac Japan Ltd | 半導体製造装置 |
| US8795032B2 (en) | 2008-06-04 | 2014-08-05 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| JP2018196923A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | トーヨーエイテック株式会社 | 加工装置及びそれを用いた加工方法 |
| JP2020518475A (ja) * | 2017-04-26 | 2020-06-25 | アクス テクノロジー エルエルシー | 向上したスループット及びプロセス柔軟性を備えたｃｍｐ機械 |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7097544B1 (en) * | 1995-10-27 | 2006-08-29 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion |
| US7172497B2 (en) * | 2001-01-05 | 2007-02-06 | Asm Nutool, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structures |
| JP2002343756A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ平面加工装置 |
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| DE10131668B4 (de) * | 2001-06-29 | 2006-05-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern |
| US6949177B2 (en) * | 2001-08-16 | 2005-09-27 | Oriol Inc. | System and method for processing semiconductor wafers using different wafer processes |
| JP3888620B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置における基板の受け渡し位置検知方法及びその教示装置 |
| US6780083B2 (en) * | 2002-04-19 | 2004-08-24 | Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg | Apparatus and method for the chemical mechanical polishing of the surface of circular flat workpieces, in particular semi-conductor wafers |
| JP2004022940A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置、研磨方法、ウェーハ待避プログラム |
| JP2004106084A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Ebara Corp | ポリッシング装置及び基板処理装置 |
| US7641247B2 (en) * | 2002-12-17 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | End effector assembly for supporting a substrate |
| US7044832B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-05-16 | Applied Materials | Load cup for chemical mechanical polishing |
| KR100621620B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이송 기구 및 이를 포함하는 폴리싱 장치 |
| US20050211667A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measurement of thin films and residues on semiconductor substrates |
| US7172496B1 (en) * | 2005-08-17 | 2007-02-06 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for cleaning slurry depositions from a water carrier |
| US7273408B2 (en) * | 2005-12-16 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Paired pivot arm |
| KR100706814B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브카드의 팁 세정기구를 구비한 반도체 검사설비 및프로브카드 팁의 세정방법 |
| US7166016B1 (en) | 2006-05-18 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Six headed carousel |
| US20080038993A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Jeong In-Kwon | Apparatus and method for polishing semiconductor wafers |
| WO2009003193A1 (en) | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Brooks Automation, Inc. | Position feedback for self bearing motor |
| US8283813B2 (en) | 2007-06-27 | 2012-10-09 | Brooks Automation, Inc. | Robot drive with magnetic spindle bearings |
| US8659205B2 (en) | 2007-06-27 | 2014-02-25 | Brooks Automation, Inc. | Motor stator with lift capability and reduced cogging characteristics |
| US9752615B2 (en) * | 2007-06-27 | 2017-09-05 | Brooks Automation, Inc. | Reduced-complexity self-bearing brushless DC motor |
| KR101660894B1 (ko) | 2007-06-27 | 2016-10-10 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 다차원 위치 센서 |
| US8008884B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-08-30 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus with motors integral to chamber walls |
| JP5248127B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2013-07-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| JP5123329B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2013-01-23 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法 |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| WO2011160130A2 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Sionyx, Inc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| JP5619559B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2014-11-05 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| CN102049730B (zh) * | 2010-12-29 | 2012-02-15 | 清华大学 | 一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置 |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| CN103946867A (zh) | 2011-07-13 | 2014-07-23 | 西奥尼克斯公司 | 生物计量成像装置和相关方法 |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| US20140154891A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-06-05 | Sionyx, Inc. | Beam Delivery Systems for Laser Processing Materials and Associated Methods |
| US9653332B1 (en) * | 2013-01-02 | 2017-05-16 | Christos Tsironis | Wafer probe holder for planarity and orientation adjustment |
| WO2014127376A2 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Sionyx, Inc. | High dynamic range cmos image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9056383B2 (en) * | 2013-02-26 | 2015-06-16 | Applied Materials, Inc. | Path for probe of spectrographic metrology system |
| US8702473B1 (en) | 2013-03-04 | 2014-04-22 | Gordon Lyons | Rock polishing systems and methods |
| WO2014151093A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Sionyx, Inc. | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
| TWI672191B (zh) * | 2013-10-16 | 2019-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 帶有裝設樞紐手臂之化學機械拋光機的系統及方法 |
| JP6335587B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-05-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持機構、基板搬送装置、半導体製造装置 |
| CN109500708B (zh) * | 2017-09-12 | 2023-12-29 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种板材减薄装置 |
| KR102385573B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 로드 컵 및 이를 포함하는 화학기계적 연마 장치 |
| US10109517B1 (en) * | 2018-01-10 | 2018-10-23 | Lam Research Corporation | Rotational indexer with additional rotational axes |
| JP2019160973A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | オムロン株式会社 | 部品挿入装置、部品挿入方法、およびプログラム |
| US11114329B2 (en) * | 2019-04-08 | 2021-09-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods for loading or unloading substrate with evaporator planet |
| JP6752346B1 (ja) * | 2019-10-08 | 2020-09-09 | 株式会社スギノマシン | 洗浄機 |
| US12009241B2 (en) * | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| JP7192761B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2022-12-20 | 株式会社Sumco | 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法 |
| US11705354B2 (en) | 2020-07-10 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate handling systems |
| CN111865251A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-30 | 马鞍山恒明电子科技有限公司 | 一种石英晶体谐振器晶片贴装装置 |
| US20220111485A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | Kctech Co., Ltd. | Substrate processing system |
| US20220111486A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | Kctech Co., Ltd. | Substrate processing system |
| KR20220122360A (ko) * | 2021-02-26 | 2022-09-02 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 연마 시스템 |
| CN115673948A (zh) * | 2022-10-11 | 2023-02-03 | 南通东方科技有限公司 | 一种破碎机耐磨配件的打磨抛光设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07508685A (ja) * | 1992-06-15 | 1995-09-28 | スピードファム・コーポレーション | ウェーハの研磨装置 |
| JPH11162893A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| JP2000061830A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Speedfam-Ipec Co Ltd | ポリッシング装置 |
| JP2000071166A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-03-07 | Ebara Corp | ポリッシング装置及び方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3659386A (en) * | 1968-03-22 | 1972-05-02 | Ibm | A method for providing a finished surface on workpieces |
| US3906678A (en) * | 1972-09-14 | 1975-09-23 | Buehler Ltd | Automatic specimen polishing machine and method |
| US3913271A (en) * | 1974-02-04 | 1975-10-21 | Speedfam Corp | Apparatus for machining work pieces |
| US4141180A (en) * | 1977-09-21 | 1979-02-27 | Kayex Corporation | Polishing apparatus |
| US4680893A (en) * | 1985-09-23 | 1987-07-21 | Motorola, Inc. | Apparatus for polishing semiconductor wafers |
| JP2655975B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1997-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| US5232875A (en) * | 1992-10-15 | 1993-08-03 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations |
| US5554064A (en) * | 1993-08-06 | 1996-09-10 | Intel Corporation | Orbital motion chemical-mechanical polishing apparatus and method of fabrication |
| US5827110A (en) * | 1994-12-28 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing facility |
| US5885138A (en) * | 1993-09-21 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
| US5649854A (en) * | 1994-05-04 | 1997-07-22 | Gill, Jr.; Gerald L. | Polishing apparatus with indexing wafer processing stations |
| US5562524A (en) * | 1994-05-04 | 1996-10-08 | Gill, Jr.; Gerald L. | Polishing apparatus |
| DE19544328B4 (de) * | 1994-11-29 | 2014-03-20 | Ebara Corp. | Poliervorrichtung |
| US5655954A (en) * | 1994-11-29 | 1997-08-12 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus |
| US5551986A (en) * | 1995-02-15 | 1996-09-03 | Taxas Instruments Incorporated | Mechanical scrubbing for particle removal |
| US5830045A (en) * | 1995-08-21 | 1998-11-03 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US5804507A (en) * | 1995-10-27 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing |
| US5951373A (en) * | 1995-10-27 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Circumferentially oscillating carousel apparatus for sequentially processing substrates for polishing and cleaning |
| US5718618A (en) * | 1996-02-09 | 1998-02-17 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers |
| US6332826B1 (en) * | 1997-11-21 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US5897426A (en) * | 1998-04-24 | 1999-04-27 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with multiple polishing pads |
| JP3979750B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置 |
| SG97860A1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-08-20 | Ebara Corp | Polishing apparatus |
| US6354922B1 (en) * | 1999-08-20 | 2002-03-12 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6358128B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| US6241585B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for chemical mechanical polishing |
| US6358126B1 (en) * | 2000-05-23 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000143771A patent/JP2001326201A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-11 TW TW090111279A patent/TW491744B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-11 SG SG200102826A patent/SG96621A1/en unknown
- 2001-05-14 DE DE60125859T patent/DE60125859T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-14 EP EP01111685A patent/EP1155778B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-16 US US09/855,677 patent/US6629883B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-16 KR KR1020010026850A patent/KR20010106260A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07508685A (ja) * | 1992-06-15 | 1995-09-28 | スピードファム・コーポレーション | ウェーハの研磨装置 |
| JPH11162893A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| JP2000071166A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-03-07 | Ebara Corp | ポリッシング装置及び方法 |
| JP2000061830A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Speedfam-Ipec Co Ltd | ポリッシング装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8795032B2 (en) | 2008-06-04 | 2014-08-05 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| US9358662B2 (en) | 2008-06-04 | 2016-06-07 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| US9687957B2 (en) | 2008-06-04 | 2017-06-27 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| US10486285B2 (en) | 2008-06-04 | 2019-11-26 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| US11426834B2 (en) | 2008-06-04 | 2022-08-30 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method |
| JP2012195498A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Ulvac Japan Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2020518475A (ja) * | 2017-04-26 | 2020-06-25 | アクス テクノロジー エルエルシー | 向上したスループット及びプロセス柔軟性を備えたｃｍｐ機械 |
| JP7094983B2 (ja) | 2017-04-26 | 2022-07-04 | アクス テクノロジー エルエルシー | 向上したスループット及びプロセス柔軟性を備えたｃｍｐ機械 |
| JP2022141653A (ja) * | 2017-04-26 | 2022-09-29 | アクス テクノロジー エルエルシー | 向上したスループット及びプロセス柔軟性を備えたｃｍｐ機械 |
| JP7408726B2 (ja) | 2017-04-26 | 2024-01-05 | アクス テクノロジー エルエルシー | 向上したスループット及びプロセス柔軟性を備えたｃｍｐ機械 |
| JP2018196923A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | トーヨーエイテック株式会社 | 加工装置及びそれを用いた加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1155778A3 (en) | 2004-01-02 |
| DE60125859T2 (de) | 2007-11-08 |
| DE60125859D1 (de) | 2007-02-22 |
| US6629883B2 (en) | 2003-10-07 |
| EP1155778B1 (en) | 2007-01-10 |
| TW491744B (en) | 2002-06-21 |
| US20010044266A1 (en) | 2001-11-22 |
| EP1155778A2 (en) | 2001-11-21 |
| SG96621A1 (en) | 2003-06-16 |
| KR20010106260A (ko) | 2001-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001326201A (ja) | ポリッシング装置 | |
| US6354922B1 (en) | Polishing apparatus | |
| KR100472959B1 (ko) | 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비 | |
| TWI678750B (zh) | 基板處理裝置及處理方法 | |
| US6682408B2 (en) | Polishing apparatus | |
| JP4790695B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP4127346B2 (ja) | ポリッシング装置及び方法 | |
| JP2003309089A (ja) | ポリッシング装置及び基板処理装置 | |
| JPH11219930A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP4183398B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| EP1738871B1 (en) | Polishing apparatus | |
| JP5037974B2 (ja) | 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法 | |
| JP2015217501A (ja) | 搬送ロボット | |
| US6607427B2 (en) | Dressing apparatus and polishing apparatus | |
| TW201922413A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JPH10229062A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100470230B1 (ko) | 화학기계적 연마장치 | |
| JP2000216124A (ja) | 研削装置およびウエハの研削方法 | |
| KR20190054965A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2002016028A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH11156712A (ja) | 研磨装置 | |
| CN118106868A (zh) | 一种抛光设备 | |
| JP2003080454A (ja) | ポリッシング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070511 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070511 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070514 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070511 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110125 |