JPH1092657A - 薄膜チップ部品及びその製造方法 - Google Patents
薄膜チップ部品及びその製造方法Info
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- JPH1092657A JPH1092657A JP26035796A JP26035796A JPH1092657A JP H1092657 A JPH1092657 A JP H1092657A JP 26035796 A JP26035796 A JP 26035796A JP 26035796 A JP26035796 A JP 26035796A JP H1092657 A JPH1092657 A JP H1092657A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film
- thin
- manufacturing
- chip component
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜によりチップ部品を製造する際、薄膜素子
形成エリアにのみガラスによる平坦化処理を施し、か
つ、薄膜素子部に保護膜としてガラスを用いていること
により耐熱性に優れ、しかも、チップ分割の際にブレイ
ク性が失われず、薄膜の膜剥離を防止することができる
薄膜チップ部品とその製造方法を提供することにある。 【解決手段】平坦化処理部及び保護膜にガラスを用い
た。
形成エリアにのみガラスによる平坦化処理を施し、か
つ、薄膜素子部に保護膜としてガラスを用いていること
により耐熱性に優れ、しかも、チップ分割の際にブレイ
ク性が失われず、薄膜の膜剥離を防止することができる
薄膜チップ部品とその製造方法を提供することにある。 【解決手段】平坦化処理部及び保護膜にガラスを用い
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜チップ部品と
その薄膜チップ部品を製造する方法に係り、特にスクラ
イブ入りセラミックス基板表面を印刷用ガラスでチップ
サイズエリア内にブロック状に平坦化処理を施し、平坦
化部に薄膜素子を形成し、保護膜及び端子加工に厚膜印
刷法を用いたことに関する。
その薄膜チップ部品を製造する方法に係り、特にスクラ
イブ入りセラミックス基板表面を印刷用ガラスでチップ
サイズエリア内にブロック状に平坦化処理を施し、平坦
化部に薄膜素子を形成し、保護膜及び端子加工に厚膜印
刷法を用いたことに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜チップ部品の製造方法は、例
えば、セラミックス基板を用いる場合、耐熱樹脂等をス
ピンコートし、キュアすることにより基板全面を平坦化
処理した後、薄膜形成、フォトリソ加工及びエッチング
加工等により薄膜素子を形成し、耐熱樹脂で薄膜素子を
保護コートし、かつ、ダイシングソーを用いてスリット
加工をし、端子部も半田メッキ下地に金属薄膜を両面に
形成し、更にダイシングソーを用いてチップ分割すると
共に半田メッキをしてチップ部品を製造する方法であっ
た。
えば、セラミックス基板を用いる場合、耐熱樹脂等をス
ピンコートし、キュアすることにより基板全面を平坦化
処理した後、薄膜形成、フォトリソ加工及びエッチング
加工等により薄膜素子を形成し、耐熱樹脂で薄膜素子を
保護コートし、かつ、ダイシングソーを用いてスリット
加工をし、端子部も半田メッキ下地に金属薄膜を両面に
形成し、更にダイシングソーを用いてチップ分割すると
共に半田メッキをしてチップ部品を製造する方法であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この製造方法では、平
坦化処理が基板全面によるため、ダイシングソーによる
スリット加工及びチップ分割時に端子部の薄膜が剥離し
やすい欠点が有り、歩留まりが悪かった。
坦化処理が基板全面によるため、ダイシングソーによる
スリット加工及びチップ分割時に端子部の薄膜が剥離し
やすい欠点が有り、歩留まりが悪かった。
【０００４】また、前記の加工時に剥離が生じない場合
でも、半田メッキ時にバレルメッキ方法をとるためその
際に剥離等によるメッキ不良が発生する欠点を有する。
更に、金属薄膜をイオンミリング等でエッチング加工し
た場合、エッチング残りが生じやすく、結果的に端子間
のショートにつながる欠点を有する。
でも、半田メッキ時にバレルメッキ方法をとるためその
際に剥離等によるメッキ不良が発生する欠点を有する。
更に、金属薄膜をイオンミリング等でエッチング加工し
た場合、エッチング残りが生じやすく、結果的に端子間
のショートにつながる欠点を有する。
【０００５】また、従来の方法においては平坦化処理及
び保護膜に耐熱樹脂を用いるため、４００°Ｃ以上の高
温工程がある場合、この工程を使用することができない
欠点があり、更に、前記のような方法ではスクライブラ
インが入った基板を使用できないから製造コストが高く
なる欠点があった。
び保護膜に耐熱樹脂を用いるため、４００°Ｃ以上の高
温工程がある場合、この工程を使用することができない
欠点があり、更に、前記のような方法ではスクライブラ
インが入った基板を使用できないから製造コストが高く
なる欠点があった。
【０００６】本発明の目的は、前記のような従来の欠点
を解消し、薄膜によりチップ部品を製造する際、薄膜素
子形成エリアにのみガラスによる平坦化処理を施し、か
つ、薄膜素子部に保護膜としてガラスを用いていること
により耐熱性に優れ、しかも、チップ分割の際にブレイ
ク性が失われず、薄膜の膜剥離を防止することができる
薄膜チップ部品とその製造方法を提供することにある。
を解消し、薄膜によりチップ部品を製造する際、薄膜素
子形成エリアにのみガラスによる平坦化処理を施し、か
つ、薄膜素子部に保護膜としてガラスを用いていること
により耐熱性に優れ、しかも、チップ分割の際にブレイ
ク性が失われず、薄膜の膜剥離を防止することができる
薄膜チップ部品とその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜チップ
部品は、平坦化処理部及び保護膜にガラスを用いている
ことを特徴とする。
部品は、平坦化処理部及び保護膜にガラスを用いている
ことを特徴とする。
【０００８】これにより、平坦化部の薄膜の剥離はな
く、また、対環境性に優れたものとなる。
く、また、対環境性に優れたものとなる。
【０００９】本発明に係る薄膜チップ部品の製造方法
は、請求項２記載のものにおいては、薄膜チップ部品の
製造方法において、セラミックス基板を平坦化処理する
に際し、スクライブ入り厚膜印刷用セラミックス基板の
表面をガラスペーストで印刷法を用いてブロック状に平
坦化処理することを特徴とする。
は、請求項２記載のものにおいては、薄膜チップ部品の
製造方法において、セラミックス基板を平坦化処理する
に際し、スクライブ入り厚膜印刷用セラミックス基板の
表面をガラスペーストで印刷法を用いてブロック状に平
坦化処理することを特徴とする。
【００１０】これにより、薄膜素子形成エリアにのみガ
ラスによる平坦化処理が施されるから耐熱性に優れると
共にチップ分割の際にブレイク性が失われず、薄膜の膜
剥離が防止される。
ラスによる平坦化処理が施されるから耐熱性に優れると
共にチップ分割の際にブレイク性が失われず、薄膜の膜
剥離が防止される。
【００１１】請求項３記載のものにおいては、ブロック
状に平坦化処理したセラミックス基板に薄膜を形成し、
チップ部品分割個所に格子パターンを形成する工程を設
けたことを特徴とする。
状に平坦化処理したセラミックス基板に薄膜を形成し、
チップ部品分割個所に格子パターンを形成する工程を設
けたことを特徴とする。
【００１２】これにより、従来のように、ダイシングソ
ーによるスリット加工及びチップ分割時の端子部の薄膜
の剥離等は生じない。
ーによるスリット加工及びチップ分割時の端子部の薄膜
の剥離等は生じない。
【００１３】請求項４記載のものにおいては、薄膜素子
部分にガラスペーストで印刷法を用いて保護膜を形成す
ることを特徴とする。
部分にガラスペーストで印刷法を用いて保護膜を形成す
ることを特徴とする。
【００１４】これにより、対環境性に優れた薄膜チップ
部品が得られる。
部品が得られる。
【００１５】請求項５記載のものにおいては、請求項２
〜４記載の薄膜チップ部品の製造方法において、厚膜形
成工程及び薄膜形成工程を混在させたことを特徴とす
る。
〜４記載の薄膜チップ部品の製造方法において、厚膜形
成工程及び薄膜形成工程を混在させたことを特徴とす
る。
【００１６】これにより、各工程の設定が容易であり、
優れた薄膜チップ部品を容易に製造することができる。
優れた薄膜チップ部品を容易に製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る薄膜チップ
部品の製造過程におけるブロック状の平坦化個所を示
し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、図２は格子パタ
ーンをフォトレジストで形成し、除去する際の様子を示
す断面図である。
部品の製造過程におけるブロック状の平坦化個所を示
し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図、図２は格子パタ
ーンをフォトレジストで形成し、除去する際の様子を示
す断面図である。
【００１８】例えば、スクライブ入りの厚膜用セラミッ
ク基板１に対し、ブロック状にガラスペーストをスクリ
ーン印刷し、かつ、焼成して所望のブロック状に平坦化
処理を施して平坦化部２とする。さらに金属薄膜４を基
板全面に薄膜形成装置にて形成する前にフォトレジスト
３を用い、セラミイクス基板の露出箇所をメインに格子
状にパターンを形成する。但し、パターン形成後のベー
ク温度はリフトオフ性をよくするためにプレベーク温度
と同じにする。
ク基板１に対し、ブロック状にガラスペーストをスクリ
ーン印刷し、かつ、焼成して所望のブロック状に平坦化
処理を施して平坦化部２とする。さらに金属薄膜４を基
板全面に薄膜形成装置にて形成する前にフォトレジスト
３を用い、セラミイクス基板の露出箇所をメインに格子
状にパターンを形成する。但し、パターン形成後のベー
ク温度はリフトオフ性をよくするためにプレベーク温度
と同じにする。
【００１９】その後、薄膜形成装置（スパッタ法、蒸着
法、ＣＶＤ法等）で金属薄膜（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ
等）４を全面に形成する。その後、有機溶剤中で超音波
にてリフトオフ加工を施す。この際のリフトオフ加工
は、エッチング残りの防止となる。また、格子状のパタ
ーンの箇所には金属薄膜はない状態となる。このことに
より端子間のショートも事前に防げることとなる。更
に、フォトレジストにより所望のパターンを形成し、イ
オンミリング等でエッチング加工し、レジスト除去す
る。
法、ＣＶＤ法等）で金属薄膜（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ
等）４を全面に形成する。その後、有機溶剤中で超音波
にてリフトオフ加工を施す。この際のリフトオフ加工
は、エッチング残りの防止となる。また、格子状のパタ
ーンの箇所には金属薄膜はない状態となる。このことに
より端子間のショートも事前に防げることとなる。更
に、フォトレジストにより所望のパターンを形成し、イ
オンミリング等でエッチング加工し、レジスト除去す
る。
【００２０】次に、絶縁膜（二酸化シリコン等）を薄膜
形成装置にて形成し、リアクティブイオンエッチングに
よりエッチング加工し、レジスト除去する。更に、金属
薄膜を形成するが、この場合も前記のように格子状のパ
ターンを形成した後、金属薄膜を形成する。その後、部
分メッキパターンをフォトレジストにより形成し、電気
メッキ法等で所望の膜厚に金等をメッキし、その後、フ
ォトレジストを除去する。このとき、格子状パターンも
有機溶剤中で超音波により除去され、これにより格子状
パターン部分もリフトオフされる。このことによりエッ
チング残り等を事前に防ぐ。その後、イオンミリング等
でメッキパターン以外の箇所をエッチングする。このよ
うにして薄膜素子を形成した後、保護膜としてガラスペ
ーストを用いてスクリーン印刷にて形成し、仮焼成後、
スクライブラインに沿って短冊状に割りとりを行い、チ
ップ端子部にメッキ下地として金属ペーストを表裏及び
両端面にディップコートする。その後、焼成し、スクラ
イブラインに沿ってチップ分割し、バレルメッキ法によ
り、Ｎｉ及び半田をメッキする。以上のような工程で薄
膜チップ部品化する。
形成装置にて形成し、リアクティブイオンエッチングに
よりエッチング加工し、レジスト除去する。更に、金属
薄膜を形成するが、この場合も前記のように格子状のパ
ターンを形成した後、金属薄膜を形成する。その後、部
分メッキパターンをフォトレジストにより形成し、電気
メッキ法等で所望の膜厚に金等をメッキし、その後、フ
ォトレジストを除去する。このとき、格子状パターンも
有機溶剤中で超音波により除去され、これにより格子状
パターン部分もリフトオフされる。このことによりエッ
チング残り等を事前に防ぐ。その後、イオンミリング等
でメッキパターン以外の箇所をエッチングする。このよ
うにして薄膜素子を形成した後、保護膜としてガラスペ
ーストを用いてスクリーン印刷にて形成し、仮焼成後、
スクライブラインに沿って短冊状に割りとりを行い、チ
ップ端子部にメッキ下地として金属ペーストを表裏及び
両端面にディップコートする。その後、焼成し、スクラ
イブラインに沿ってチップ分割し、バレルメッキ法によ
り、Ｎｉ及び半田をメッキする。以上のような工程で薄
膜チップ部品化する。
【００２１】以上のような方法で製造することにより、
平坦化処理をブロック状に施しているから、チップ分割
時のブレイク性が失われず、かつ、平坦化部の薄膜の剥
離は全くなく、また、チップ端子部は薄膜が直接セラミ
ック表面に形成されているので付着強度が非常に強く、
膜はがれを起こすことがなく、しかも、バレルメッキ
（半田メッキ）時の膜はがれもない。
平坦化処理をブロック状に施しているから、チップ分割
時のブレイク性が失われず、かつ、平坦化部の薄膜の剥
離は全くなく、また、チップ端子部は薄膜が直接セラミ
ック表面に形成されているので付着強度が非常に強く、
膜はがれを起こすことがなく、しかも、バレルメッキ
（半田メッキ）時の膜はがれもない。
【００２２】また、基板上ではチップが一様にレイアウ
トされ、隣同士のチップとチップの間はセラミック表面
が露出しているがフォトレジストを格子状に形成するた
め、金属薄膜は直接付着しない。そのことにより、チッ
プ端子間のショートの原因であるエッチング残りは解消
できる。しかも薄膜素子がガラスにて保護されているの
で対環境性に優れる。
トされ、隣同士のチップとチップの間はセラミック表面
が露出しているがフォトレジストを格子状に形成するた
め、金属薄膜は直接付着しない。そのことにより、チッ
プ端子間のショートの原因であるエッチング残りは解消
できる。しかも薄膜素子がガラスにて保護されているの
で対環境性に優れる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の薄膜チップ部品によれば、平坦
化部の薄膜の剥離はなく、また、対環境性に優れたもの
とすることができる。
化部の薄膜の剥離はなく、また、対環境性に優れたもの
とすることができる。
【００２４】本発明に係る薄膜チップ部品の製造方法に
よれば、請求項２記載のものにおいては、薄膜素子形成
エリアにのみガラスによる平坦化処理が施されるから耐
熱性に優れると共にチップ分割の際にブレイク性が失わ
れず、薄膜の膜剥離をなくすことができる。
よれば、請求項２記載のものにおいては、薄膜素子形成
エリアにのみガラスによる平坦化処理が施されるから耐
熱性に優れると共にチップ分割の際にブレイク性が失わ
れず、薄膜の膜剥離をなくすことができる。
【００２５】請求項３記載のものにおいては、従来のよ
うに、ダイシングソーによるスリット加工及びチップ分
割時の端子部の薄膜の剥離等は生じない。
うに、ダイシングソーによるスリット加工及びチップ分
割時の端子部の薄膜の剥離等は生じない。
【００２６】請求項４記載のものにおいては、対環境性
に優れた薄膜チップ部品を容易に製造することができ
る。
に優れた薄膜チップ部品を容易に製造することができ
る。
【００２７】請求項５記載のものにおいては、各工程の
設定が容易であり、優れた薄膜チップ部品を容易に製造
することができる。
設定が容易であり、優れた薄膜チップ部品を容易に製造
することができる。
【００２８】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、スクライブ入り厚膜印刷用セラミックス基板に薄膜
素子を形成することができ、さらに安価な材料コストで
すむ。また、チップ部品の端子間のショートを解消で
き、さらに膜剥離がないから、歩留まりが大幅に向上す
る。しかもスクライブ入り基板を使用できるから、製造
コストを大幅に下げることができる。
ば、スクライブ入り厚膜印刷用セラミックス基板に薄膜
素子を形成することができ、さらに安価な材料コストで
すむ。また、チップ部品の端子間のショートを解消で
き、さらに膜剥離がないから、歩留まりが大幅に向上す
る。しかもスクライブ入り基板を使用できるから、製造
コストを大幅に下げることができる。
【図１】本発明に係る薄膜チップ部品の製造方法におけ
るブロック状平坦化部分とフォトレジストによる格子パ
ターンの概要を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
るブロック状平坦化部分とフォトレジストによる格子パ
ターンの概要を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図。
【図２】格子パターンをフォトレジストで形成し、除去
する際の様子を示す断面図。
する際の様子を示す断面図。
１ セラミックス基板 ２ 平坦化部分 ３ フォトレジスト ４ 金属薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根本 馨 長野県上伊那郡箕輪町大字中箕輪8692番地 株式会社タッド電子内
Claims (5)
- 【請求項１】 平坦化処理部及び保護膜にガラスを用い
ていることを特徴とする薄膜チップ部品。 - 【請求項２】 薄膜チップ部品の製造方法において、セ
ラミックス基板を平坦化処理するに際し、スクライブ入
り厚膜印刷用セラミックス基板の表面をガラスペースト
で印刷法を用いてブロック状に平坦化処理することを特
徴とする薄膜チップ部品の製造方法。 - 【請求項３】 ブロック状に平坦化処理したセラミック
ス基板に薄膜を形成し、チップ部品分割個所に格子パタ
ーンを形成する工程を設けたことを特徴とする薄膜チッ
プ部品の製造方法。 - 【請求項４】 薄膜素子部分にガラスペーストで印刷法
を用いて保護膜を形成することを特徴とする薄膜チップ
部品の製造方法。 - 【請求項５】 薄膜チップ部品の製造工程において、厚
膜形成工程及び薄膜形成工程を混在させたことを特徴と
する請求項２〜４記載の薄膜チップ部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26035796A JPH1092657A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 薄膜チップ部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26035796A JPH1092657A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 薄膜チップ部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092657A true JPH1092657A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17346833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26035796A Pending JPH1092657A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 薄膜チップ部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG95694A1 (en) * | 2001-05-21 | 2003-04-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer planarization apparatus |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP26035796A patent/JPH1092657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG95694A1 (en) * | 2001-05-21 | 2003-04-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer planarization apparatus |
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