JP2002293202A - 車両用パワーディストリビュータ - Google Patents
車両用パワーディストリビュータInfo
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 制御回路基板と半導体素子とを別配置にして
半導体素子を有効に冷却するのに加え、簡素な構造でケ
ース内の雰囲気温度の上昇を有効に抑止する。 【解決手段】 電力供給回路に組み込まれる複数の半導
体素子１４がケース２２内に収容される車両用パワーデ
ィストリビュータ。半導体素子１４はケース２２の外面
に設けられた放熱部材２４によって冷却される。半導体
素子１４を制御する制御回路基板１８は、これら半導体
素子１４を放熱部材２４と反対の側から覆う位置に設け
られるとともに、半導体素子１４と対向する面にケース
内エアの熱を回収するための伝熱層１９を有し、この伝
熱層１９がボルト３０等を介して放熱部材２４に接続さ
れている。
半導体素子を有効に冷却するのに加え、簡素な構造でケ
ース内の雰囲気温度の上昇を有効に抑止する。 【解決手段】 電力供給回路に組み込まれる複数の半導
体素子１４がケース２２内に収容される車両用パワーデ
ィストリビュータ。半導体素子１４はケース２２の外面
に設けられた放熱部材２４によって冷却される。半導体
素子１４を制御する制御回路基板１８は、これら半導体
素子１４を放熱部材２４と反対の側から覆う位置に設け
られるとともに、半導体素子１４と対向する面にケース
内エアの熱を回収するための伝熱層１９を有し、この伝
熱層１９がボルト３０等を介して放熱部材２４に接続さ
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、車両に搭載される
バッテリー等の電源から供給される電力を複数の車載負
荷に分配するための車両用パワーディストリビュータに
関するものである。
バッテリー等の電源から供給される電力を複数の車載負
荷に分配するための車両用パワーディストリビュータに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、車載電源から供給された電力を複
数の車載負荷に分配する手段として、複数枚のバスバー
基板を積層することにより配電用回路を構成し、これに
ヒューズやリレースイッチを組み込んだ電気接続箱が一
般に知られている。
数の車載負荷に分配する手段として、複数枚のバスバー
基板を積層することにより配電用回路を構成し、これに
ヒューズやリレースイッチを組み込んだ電気接続箱が一
般に知られている。
【０００３】さらに近年は、かかる電気接続箱の小型化
や高速スイッチング制御を実現すべく、前記リレーに代
えてＦＥＴ等の半導体スイッチング素子を入力端子と出
力端子との間に介在させ、その通電のオンオフを制御回
路基板に組み込まれた制御回路によって行うようにした
パワーディストリビュータの開発が進められている。
や高速スイッチング制御を実現すべく、前記リレーに代
えてＦＥＴ等の半導体スイッチング素子を入力端子と出
力端子との間に介在させ、その通電のオンオフを制御回
路基板に組み込まれた制御回路によって行うようにした
パワーディストリビュータの開発が進められている。
【０００４】例えば特開平１０−１２６９６３号公報に
は、制御回路基板上に複数の半導体チップが実装され、
その通電制御端子（制御信号入力端子）が前記制御回路
基板の制御回路に接続されるとともに、各半導体チップ
の入力側通電端子が共通の電源入力端子を介して電源に
接続され、各半導体チップの出力側通電端子が電源出力
端子を介して各車載負荷に接続されるようにしたものが
開示されている。
は、制御回路基板上に複数の半導体チップが実装され、
その通電制御端子（制御信号入力端子）が前記制御回路
基板の制御回路に接続されるとともに、各半導体チップ
の入力側通電端子が共通の電源入力端子を介して電源に
接続され、各半導体チップの出力側通電端子が電源出力
端子を介して各車載負荷に接続されるようにしたものが
開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記公報に示される装
置では、各半導体素子が制御回路基板上に実装されてい
るので、当該半導体素子の放熱（冷却）が困難であり、
場合によってはその熱で同じ制御回路基板上の他の回路
素子に悪影響を及ぼすおそれがある。特に、前記半導体
素子が電源から車載負荷への電力供給回路に組み込まれ
るパワーディストリビュータにおいては、当該半導体素
子の発熱が著しく、制御回路基板上に実装することは好
ましくない。
置では、各半導体素子が制御回路基板上に実装されてい
るので、当該半導体素子の放熱（冷却）が困難であり、
場合によってはその熱で同じ制御回路基板上の他の回路
素子に悪影響を及ぼすおそれがある。特に、前記半導体
素子が電源から車載負荷への電力供給回路に組み込まれ
るパワーディストリビュータにおいては、当該半導体素
子の発熱が著しく、制御回路基板上に実装することは好
ましくない。
【０００６】このような不都合を回避する手段として、
前記半導体素子をケース内において前記制御回路基板か
ら離れた別の箇所に配置し、これら半導体素子と制御回
路基板とを適当な接続媒体を介して電気的に接続すると
ともに、各半導体素子を、例えば特開平１０−１５０２
８３号公報に示されるような、ケース外面に設けられた
金属製の放熱部材に熱伝達可能に接続し、この放熱部材
を通じて前記半導体素子の発する熱をケース外部に放散
させることが考えられる。
前記半導体素子をケース内において前記制御回路基板か
ら離れた別の箇所に配置し、これら半導体素子と制御回
路基板とを適当な接続媒体を介して電気的に接続すると
ともに、各半導体素子を、例えば特開平１０−１５０２
８３号公報に示されるような、ケース外面に設けられた
金属製の放熱部材に熱伝達可能に接続し、この放熱部材
を通じて前記半導体素子の発する熱をケース外部に放散
させることが考えられる。
【０００７】しかし、この構造では、半導体素子自体の
温度は前記放熱部材によってある程度下げることができ
るものの、当該半導体素子の発熱でケース内のエアが加
熱されることによるケース内雰囲気温度の上昇を有効に
抑止することはできない。特に、車両用パワーディスト
リビュータにおいては、雨水等の侵入を防ぐためにケー
ス内の密封状態が保たれており、当該ケース内の熱はど
うしてもこもり易い。そして、かかるケース内雰囲気温
度の上昇によって、結果的にケース内の他の電子デバイ
ス（特に耐熱性の低いデバイス）の性能に悪影響を及ぼ
すおそれがある。
温度は前記放熱部材によってある程度下げることができ
るものの、当該半導体素子の発熱でケース内のエアが加
熱されることによるケース内雰囲気温度の上昇を有効に
抑止することはできない。特に、車両用パワーディスト
リビュータにおいては、雨水等の侵入を防ぐためにケー
ス内の密封状態が保たれており、当該ケース内の熱はど
うしてもこもり易い。そして、かかるケース内雰囲気温
度の上昇によって、結果的にケース内の他の電子デバイ
ス（特に耐熱性の低いデバイス）の性能に悪影響を及ぼ
すおそれがある。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、制御回
路基板と半導体素子とを別配置にして半導体素子を有効
に冷却するのに加え、簡素な構造でケース内の雰囲気温
度の上昇を有効に抑止することができる車両用パワーデ
ィストリビュータを提供することを目的とする。
路基板と半導体素子とを別配置にして半導体素子を有効
に冷却するのに加え、簡素な構造でケース内の雰囲気温
度の上昇を有効に抑止することができる車両用パワーデ
ィストリビュータを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段として、本発明は、車両に搭載された電源から供
給される電力を複数の車載負荷に分配するための車両用
パワーディストリビュータであって、前記電源から車載
負荷への電力供給回路に組み込まれる複数の半導体素子
と、これらの半導体素子の動作を制御する制御回路が組
み込まれた制御回路基板と、前記半導体素子及び制御回
路基板を格納するケースと、このケースの外面に設けら
れ、前記半導体素子から伝わった熱をケース外に放散す
る放熱部材とを備え、前記制御回路基板は、前記各半導
体素子の配設位置を挟んで前記放熱部材と反対の側から
当該半導体素子を覆う位置に配設されるとともに前記半
導体素子と対向する面に伝熱層を有し、この伝熱層と前
記放熱部材とが伝熱部材を介して接続されているもので
ある。
の手段として、本発明は、車両に搭載された電源から供
給される電力を複数の車載負荷に分配するための車両用
パワーディストリビュータであって、前記電源から車載
負荷への電力供給回路に組み込まれる複数の半導体素子
と、これらの半導体素子の動作を制御する制御回路が組
み込まれた制御回路基板と、前記半導体素子及び制御回
路基板を格納するケースと、このケースの外面に設けら
れ、前記半導体素子から伝わった熱をケース外に放散す
る放熱部材とを備え、前記制御回路基板は、前記各半導
体素子の配設位置を挟んで前記放熱部材と反対の側から
当該半導体素子を覆う位置に配設されるとともに前記半
導体素子と対向する面に伝熱層を有し、この伝熱層と前
記放熱部材とが伝熱部材を介して接続されているもので
ある。
【００１０】この構成によれば、半導体素子と制御回路
基板とが別配置とされることにより、基板自体の温度上
昇が避けられるとともに、各半導体素子の発する熱がケ
ース外部に設けられた放熱部材を通じてケース外部へ有
効に放散される。
基板とが別配置とされることにより、基板自体の温度上
昇が避けられるとともに、各半導体素子の発する熱がケ
ース外部に設けられた放熱部材を通じてケース外部へ有
効に放散される。
【００１１】しかも、前記制御回路基板は、放熱部材と
反対の側から各半導体素子を覆うように配設されるとと
もに、前記半導体素子に対向する面に伝熱層を有してお
り、この伝熱層が伝熱部材を介して前記放熱部材に接続
されているので、この制御回路基板と各半導体素子とに
挟まれた空間内のエアの熱も、前記伝熱層及び伝熱部材
を熱媒体として前記放熱部材に伝えられ、放散される。
すなわち、この構造によれば、ケース内に設けられる制
御回路基板自体を有効に活用した簡素な構造で、半導体
素子の発熱に起因するケース内雰囲気温度の上昇を抑止
することができる。
反対の側から各半導体素子を覆うように配設されるとと
もに、前記半導体素子に対向する面に伝熱層を有してお
り、この伝熱層が伝熱部材を介して前記放熱部材に接続
されているので、この制御回路基板と各半導体素子とに
挟まれた空間内のエアの熱も、前記伝熱層及び伝熱部材
を熱媒体として前記放熱部材に伝えられ、放散される。
すなわち、この構造によれば、ケース内に設けられる制
御回路基板自体を有効に活用した簡素な構造で、半導体
素子の発熱に起因するケース内雰囲気温度の上昇を抑止
することができる。
【００１２】なお、前記伝熱層や伝熱部材の材質はケー
スや制御回路基板本体の材質（一般には合成樹脂）より
も伝熱性の高いものであればよく、金属材料、特にアル
ミや銅といった熱伝導率の高い材料が好適である。
スや制御回路基板本体の材質（一般には合成樹脂）より
も伝熱性の高いものであればよく、金属材料、特にアル
ミや銅といった熱伝導率の高い材料が好適である。
【００１３】前記各半導体素子や放熱部材、制御回路基
板の具体的な配置は特に問わないが、前記各半導体素子
が略同一平面上に配設され、その配設面と略平行に前記
放熱部材及び制御回路基板が配設されている構成とすれ
ば、前記放熱部材によって各半導体素子を均一に効率良
く冷却できるとともに、制御回路基板の伝熱層によるケ
ース内の熱回収も効率良く行うことが可能になる。
板の具体的な配置は特に問わないが、前記各半導体素子
が略同一平面上に配設され、その配設面と略平行に前記
放熱部材及び制御回路基板が配設されている構成とすれ
ば、前記放熱部材によって各半導体素子を均一に効率良
く冷却できるとともに、制御回路基板の伝熱層によるケ
ース内の熱回収も効率良く行うことが可能になる。
【００１４】前記伝熱部材には、専用のものを用いても
よいが、この伝熱部材として前記制御回路基板をケース
に固定するための金属製ボルトを伝熱部材として兼用す
ることが可能であり、この兼用によって構造はより簡素
化される。その場合、前記ボルトが前記伝熱層と放熱部
材の双方に接触するようにすればよい。
よいが、この伝熱部材として前記制御回路基板をケース
に固定するための金属製ボルトを伝熱部材として兼用す
ることが可能であり、この兼用によって構造はより簡素
化される。その場合、前記ボルトが前記伝熱層と放熱部
材の双方に接触するようにすればよい。
【００１５】例えば、前記ボルトが前記制御回路基板に
設けられたボルト挿通孔及び前記ケースを貫通して前記
放熱部材に結合されている構成とすることにより、当該
ボルトによって制御回路基板をケースに固定しながら、
このボルトを媒介として、制御回路基板における伝熱層
の熱を当該基板と反対側の放熱部材へ有効に伝えること
ができる。
設けられたボルト挿通孔及び前記ケースを貫通して前記
放熱部材に結合されている構成とすることにより、当該
ボルトによって制御回路基板をケースに固定しながら、
このボルトを媒介として、制御回路基板における伝熱層
の熱を当該基板と反対側の放熱部材へ有効に伝えること
ができる。
【００１６】この場合、前記制御回路基板における伝熱
層が前記ボルト挿通孔の内周面及び前記ボルトの頭部裏
面に接触する面にまで設けられている構成とすることに
より、前記伝熱層の熱を高い効率で前記ボルトに伝達す
ることができる。
層が前記ボルト挿通孔の内周面及び前記ボルトの頭部裏
面に接触する面にまで設けられている構成とすることに
より、前記伝熱層の熱を高い効率で前記ボルトに伝達す
ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００１８】まず、この実施の形態にかかる車両用パワ
ーディストリビュータの回路構成を図１を参照しながら
説明する。
ーディストリビュータの回路構成を図１を参照しながら
説明する。
【００１９】このパワーディストリビュータは、前記バ
ッテリーに接続される入力端子１０と、複数（図例では
４つ）の出力端子１２とを備え、各出力端子１２と前記
入力端子１０との間にそれぞれ半導体素子（図例ではパ
ワーＭＯＳＦＥＴ１４。以下、単に「ＦＥＴ」と称す
る。）が介在している。詳しくは、各ＦＥＴ１４の入力
側通電端子（ドレイン）が共通の入力端子１０に接続さ
れ、各ＦＥＴ１４の出力側通電端子（ソース）がこれに
対応する出力端子１２に接続されている。
ッテリーに接続される入力端子１０と、複数（図例では
４つ）の出力端子１２とを備え、各出力端子１２と前記
入力端子１０との間にそれぞれ半導体素子（図例ではパ
ワーＭＯＳＦＥＴ１４。以下、単に「ＦＥＴ」と称す
る。）が介在している。詳しくは、各ＦＥＴ１４の入力
側通電端子（ドレイン）が共通の入力端子１０に接続さ
れ、各ＦＥＴ１４の出力側通電端子（ソース）がこれに
対応する出力端子１２に接続されている。
【００２０】各ＦＥＴ１４の通電制御端子（ゲート）
は、すべて制御回路基板１８の制御回路に接続されてい
る。この実施の形態では、入力端子１０に印加される電
源電圧及び各ＦＥＴ１４のソース電圧も前記制御回路に
入力されるようになっている。
は、すべて制御回路基板１８の制御回路に接続されてい
る。この実施の形態では、入力端子１０に印加される電
源電圧及び各ＦＥＴ１４のソース電圧も前記制御回路に
入力されるようになっている。
【００２１】この制御回路は、基板用端子１６を通じて
外部から入力される操作信号（スイッチ信号など）に基
づき、制御用端子１７を通じて各ＦＥＴ１４のゲートに
制御信号を入力することにより当該ＦＥＴ１４の通電制
御を行うとともに、前記電源電圧と各ＦＥＴ１４のソー
ス電圧との電位差から制御回路が当該ＦＥＴ１４を流れ
る電流を演算して当該電流が許容範囲を超える場合にＦ
ＥＴ１４をオフにし、かつ、図略の表示装置に基板用端
子１６を通じて警告信号を出力する制御を行う。
外部から入力される操作信号（スイッチ信号など）に基
づき、制御用端子１７を通じて各ＦＥＴ１４のゲートに
制御信号を入力することにより当該ＦＥＴ１４の通電制
御を行うとともに、前記電源電圧と各ＦＥＴ１４のソー
ス電圧との電位差から制御回路が当該ＦＥＴ１４を流れ
る電流を演算して当該電流が許容範囲を超える場合にＦ
ＥＴ１４をオフにし、かつ、図略の表示装置に基板用端
子１６を通じて警告信号を出力する制御を行う。
【００２２】なお、本発明では制御回路基板１８に組み
込まれる制御回路の具体的な制御内容を問わない。
込まれる制御回路の具体的な制御内容を問わない。
【００２３】次に、この車両用パワーディストリビュー
タの具体的な構造を、図２〜図４を参照しながら説明す
る。
タの具体的な構造を、図２〜図４を参照しながら説明す
る。
【００２４】図２に示すように、入力端子１０及び各出
力端子１２は、短冊状に形成され、全て同じ向き（同図
では右向き）に突出する状態で一列に配列されている。
さらに、各出力端子１２の横には同じく短冊状の制御用
端子１７が形成され、この制御用端子１７と出力端子１
２とが交互に配列されるとともに、その外側（図２では
下側）に入力端子１０が配列されている。
力端子１２は、短冊状に形成され、全て同じ向き（同図
では右向き）に突出する状態で一列に配列されている。
さらに、各出力端子１２の横には同じく短冊状の制御用
端子１７が形成され、この制御用端子１７と出力端子１
２とが交互に配列されるとともに、その外側（図２では
下側）に入力端子１０が配列されている。
【００２５】これらの端子１０，１２，１７の奥側（図
２では左側）には、その端子配列方向に延びるドレイン
接続板（導体板）２０が配され、このドレイン接続板２
０及び入力端子１０が同じ１枚の金属板で構成されてい
る。すなわち、ドレイン接続板２０のすぐ側方にその長
手方向に沿って入力端子１０、出力端子１２、及び制御
用端子１７が配列され、ドレイン接続板２０と入力端子
１０とは一体につながった状態となっている。そして、
このドレイン接続板２０上にその長手方向（すなわち各
端子の配列方向）に沿ってＦＥＴ１４が配列され、かつ
実装されている。
２では左側）には、その端子配列方向に延びるドレイン
接続板（導体板）２０が配され、このドレイン接続板２
０及び入力端子１０が同じ１枚の金属板で構成されてい
る。すなわち、ドレイン接続板２０のすぐ側方にその長
手方向に沿って入力端子１０、出力端子１２、及び制御
用端子１７が配列され、ドレイン接続板２０と入力端子
１０とは一体につながった状態となっている。そして、
このドレイン接続板２０上にその長手方向（すなわち各
端子の配列方向）に沿ってＦＥＴ１４が配列され、かつ
実装されている。
【００２６】各ＦＥＴ１４の端子のうち、入力側通電端
子であるドレイン端子１４ｄは図４に示すようにチップ
本体の裏面に露出するように形成され、出力側通電端子
であるソース端子１４ｓ及び通電制御端子であるゲート
端子１４ｇは図２に示すように前記チップ本体の側面か
ら同じ向きに突出している。そして、前記各出力端子１
２及び制御用端子１７の配列及びピッチに対応する配列
及びピッチでドレイン接続板２０上に各ＦＥＴ１４が一
列に配され、これらＦＥＴ１４のドレイン端子１４ｄが
前記ドレイン接続板２０に直接接触する状態で当該ドレ
イン接続板２０上にＦＥＴ１４が溶接等（例えば半田付
け）によって実装されるとともに、各ＦＥＴ１４のソー
ス端子１４ｓ及びゲート端子１４ｇがそれぞれ出力端子
１２及び制御用端子１７の後端に半田付けなどの手段で
電気的に接続されている。
子であるドレイン端子１４ｄは図４に示すようにチップ
本体の裏面に露出するように形成され、出力側通電端子
であるソース端子１４ｓ及び通電制御端子であるゲート
端子１４ｇは図２に示すように前記チップ本体の側面か
ら同じ向きに突出している。そして、前記各出力端子１
２及び制御用端子１７の配列及びピッチに対応する配列
及びピッチでドレイン接続板２０上に各ＦＥＴ１４が一
列に配され、これらＦＥＴ１４のドレイン端子１４ｄが
前記ドレイン接続板２０に直接接触する状態で当該ドレ
イン接続板２０上にＦＥＴ１４が溶接等（例えば半田付
け）によって実装されるとともに、各ＦＥＴ１４のソー
ス端子１４ｓ及びゲート端子１４ｇがそれぞれ出力端子
１２及び制御用端子１７の後端に半田付けなどの手段で
電気的に接続されている。
【００２７】この実施の形態にかかるパワーディストリ
ビュータの製造は、例えば次のような方法によって簡単
に行うことができる。すなわち、１枚の金属板から前記
各端子１０，１２，１７及びドレイン接続板２０が相互
に小幅のつなぎ部分でつながれた形状の原板を打ち抜い
た後、その打ち抜いた金属板の外側に樹脂モールドを成
形し、その後に前記つなぎ部分を切断すればよい。この
方法を採用した場合、その樹脂モールドをそのままパワ
ーディストリビュータのケース２２として利用すること
ができる。
ビュータの製造は、例えば次のような方法によって簡単
に行うことができる。すなわち、１枚の金属板から前記
各端子１０，１２，１７及びドレイン接続板２０が相互
に小幅のつなぎ部分でつながれた形状の原板を打ち抜い
た後、その打ち抜いた金属板の外側に樹脂モールドを成
形し、その後に前記つなぎ部分を切断すればよい。この
方法を採用した場合、その樹脂モールドをそのままパワ
ーディストリビュータのケース２２として利用すること
ができる。
【００２８】このケース２２は、図２に示すように、前
記ドレイン接続部２０を上下に開放する窓２２ａと、出
力端子１２及び制御用端子１７の中間部分を上下に開放
する窓２２ｂとを有し、これらの窓２２ａ，２２ｂを通
じて前記つなぎ部分の切断が行われるとともに、窓２２
ａの上側空間を利用して各ＦＥＴ１４の実装ができるよ
うになっている。
記ドレイン接続部２０を上下に開放する窓２２ａと、出
力端子１２及び制御用端子１７の中間部分を上下に開放
する窓２２ｂとを有し、これらの窓２２ａ，２２ｂを通
じて前記つなぎ部分の切断が行われるとともに、窓２２
ａの上側空間を利用して各ＦＥＴ１４の実装ができるよ
うになっている。
【００２９】なお、図４に示すように、入力端子１０及
び出力端子１２はケース２２の側壁を貫通してケース２
２の外側に水平向きに突出しており、制御用端子１７は
その途中で上向きにＬ字状に折り曲げられている。
び出力端子１２はケース２２の側壁を貫通してケース２
２の外側に水平向きに突出しており、制御用端子１７は
その途中で上向きにＬ字状に折り曲げられている。
【００３０】前記ケース２２の下面には、これを覆うよ
うにして放熱部材２４が装着されている。
うにして放熱部材２４が装着されている。
【００３１】この放熱部材２４は、例えばアルミニウム
合金や銅合金のように熱伝導性の高い（もしくは比熱の
大きい）材料で全体が一体に形成されており、この放熱
部材２４の下面（外方に露出する面）には、互いに平行
な直線状の多数枚のフィン２５が形成されている。
合金や銅合金のように熱伝導性の高い（もしくは比熱の
大きい）材料で全体が一体に形成されており、この放熱
部材２４の下面（外方に露出する面）には、互いに平行
な直線状の多数枚のフィン２５が形成されている。
【００３２】前記放熱部材２４の上面には、前記ＦＥＴ
１４の配列方向と平行な方向に延びる台部２６が上向き
に突出する形状に形成されている。そして、この台部２
６の上面に前記ドレイン接続板２０の裏面がシリコーン
等からなる絶縁シート２８を介して電気的に絶縁された
状態でかつ熱伝達可能な状態で接続されている。
１４の配列方向と平行な方向に延びる台部２６が上向き
に突出する形状に形成されている。そして、この台部２
６の上面に前記ドレイン接続板２０の裏面がシリコーン
等からなる絶縁シート２８を介して電気的に絶縁された
状態でかつ熱伝達可能な状態で接続されている。
【００３３】なお、各端子１０，１２，１７及びＦＥＴ
１４は必ずしも同一平面上に配さなくてもよく、上下複
数段にわたって配置してもよい。ただし、前記のように
略同一平面上に各端子及びＦＥＴ１４を配置すれば、パ
ワーディストリビュータの薄型化が可能であり、かつ、
これらを樹脂モールドで一体化することにより、簡素な
構造で取扱容易なパワーディストリビュータを構築でき
る。
１４は必ずしも同一平面上に配さなくてもよく、上下複
数段にわたって配置してもよい。ただし、前記のように
略同一平面上に各端子及びＦＥＴ１４を配置すれば、パ
ワーディストリビュータの薄型化が可能であり、かつ、
これらを樹脂モールドで一体化することにより、簡素な
構造で取扱容易なパワーディストリビュータを構築でき
る。
【００３４】前記入力端子１０及び出力端子１２の側方
には、制御回路基板１８を外部回路（パワーディストリ
ビュータの外部に設けられている回路）に接続するため
の多数の基板用端子１６Ａ，１６Ｂが上下二段にわたっ
て配列され、かつ、ケース２２と一体にモールドされて
いる。
には、制御回路基板１８を外部回路（パワーディストリ
ビュータの外部に設けられている回路）に接続するため
の多数の基板用端子１６Ａ，１６Ｂが上下二段にわたっ
て配列され、かつ、ケース２２と一体にモールドされて
いる。
【００３５】各基板用端子１６Ａ，１６Ｂは、金属製ピ
ンの中間部が略直角に折り曲げられることにより形成さ
れたもので、図４に示すように、水平方向に延びる水平
部１６ｈと、上下方向に延びる垂直部１６ｖとを一体に
有するＬ字状をなし、水平部１６ｈがケース２２の側壁
を貫通して側方に突出し、垂直部１６ｖがケース２２の
天壁を貫通して上方に突出する状態でケース２２にモー
ルドされている。
ンの中間部が略直角に折り曲げられることにより形成さ
れたもので、図４に示すように、水平方向に延びる水平
部１６ｈと、上下方向に延びる垂直部１６ｖとを一体に
有するＬ字状をなし、水平部１６ｈがケース２２の側壁
を貫通して側方に突出し、垂直部１６ｖがケース２２の
天壁を貫通して上方に突出する状態でケース２２にモー
ルドされている。
【００３６】ケース２２の側壁外側面には、前記入力端
子１０の突出部分を覆う入力用コネクタハウジング部４
０と、全出力端子１２の突出部分を覆う出力用コネクタ
ハウジング部４２と、全基板用端子１６の水平部１６ｖ
の突出部分を覆う基板接続用コネクタハウジング部４６
とがケース２２と一体に形成されている。そして、前記
入力用コネクタハウジング部４０に電源接続用ワイヤハ
ーネスのコネクタのハウジングが結合されることによ
り、入力端子１０が前記電源接続用ワイヤハーネスを介
して電源側に接続され、前記出力用コネクタハウジング
部４２に負荷接続用ワイヤハーネスのコネクタのハウジ
ングが結合されることにより、出力端子１２が前記負荷
接続用ワイヤハーネスを介して各車載負荷に接続され、
前記基板接続用コネクタハウジング部４６に基板接続用
ワイヤハーネスのコネクタのハウジングが結合されるこ
とにより、基板用端子１６が前記基板接続用ワイヤハー
ネスを介して外部回路（制御回路基板１８に指令信号を
入力する回路や制御回路基板１８からの警告信号を受け
て警告動作を行う回路）に接続されるようになってい
る。
子１０の突出部分を覆う入力用コネクタハウジング部４
０と、全出力端子１２の突出部分を覆う出力用コネクタ
ハウジング部４２と、全基板用端子１６の水平部１６ｖ
の突出部分を覆う基板接続用コネクタハウジング部４６
とがケース２２と一体に形成されている。そして、前記
入力用コネクタハウジング部４０に電源接続用ワイヤハ
ーネスのコネクタのハウジングが結合されることによ
り、入力端子１０が前記電源接続用ワイヤハーネスを介
して電源側に接続され、前記出力用コネクタハウジング
部４２に負荷接続用ワイヤハーネスのコネクタのハウジ
ングが結合されることにより、出力端子１２が前記負荷
接続用ワイヤハーネスを介して各車載負荷に接続され、
前記基板接続用コネクタハウジング部４６に基板接続用
ワイヤハーネスのコネクタのハウジングが結合されるこ
とにより、基板用端子１６が前記基板接続用ワイヤハー
ネスを介して外部回路（制御回路基板１８に指令信号を
入力する回路や制御回路基板１８からの警告信号を受け
て警告動作を行う回路）に接続されるようになってい
る。
【００３７】すなわち、前記入力端子１０、出力端子１
２、及び基板用端子１６の水平部１６ｖがケース２２の
外側に突出する部分は、それぞれ、入力用コネクタ、出
力用コネクタ、及び基板接続用コネクタを形成してい
る。
２、及び基板用端子１６の水平部１６ｖがケース２２の
外側に突出する部分は、それぞれ、入力用コネクタ、出
力用コネクタ、及び基板接続用コネクタを形成してい
る。
【００３８】制御回路基板１８は、前記ＦＥＴ１４が配
列されている平面と略平行な状態（図では略水平な状
態）で、前記ＦＥＴ１４の上方に位置するように、ケー
ス２２に固定されている。すなわち、制御回路基板１８
は、放熱部材２４と反対の側（図では上側）から各ＦＥ
Ｔ１４を一定の間隔をおいて覆うような位置に配され、
この制御回路基板１８及び前記放熱部材２４は前記ＦＥ
Ｔ１４が配列される面と略平行になっている。
列されている平面と略平行な状態（図では略水平な状
態）で、前記ＦＥＴ１４の上方に位置するように、ケー
ス２２に固定されている。すなわち、制御回路基板１８
は、放熱部材２４と反対の側（図では上側）から各ＦＥ
Ｔ１４を一定の間隔をおいて覆うような位置に配され、
この制御回路基板１８及び前記放熱部材２４は前記ＦＥ
Ｔ１４が配列される面と略平行になっている。
【００３９】この制御回路基板１８には、これを板厚方
向に貫通する多数のスルーホール１８ｈが設けられ、各
スルーホール１８ｈを前記基板用端子１６の垂直部１６
ｖや制御用端子１７などの各端子が貫通した状態で、当
該端子と制御回路基板１８の制御回路とが半田付け等の
手段により電気的に接続され、かつ、相互固定されてい
る。
向に貫通する多数のスルーホール１８ｈが設けられ、各
スルーホール１８ｈを前記基板用端子１６の垂直部１６
ｖや制御用端子１７などの各端子が貫通した状態で、当
該端子と制御回路基板１８の制御回路とが半田付け等の
手段により電気的に接続され、かつ、相互固定されてい
る。
【００４０】なお、図２では、各入力端子１０及び出力
端子１２と制御回路基板１８とを接続するための端子に
ついては図示を省略している。
端子１２と制御回路基板１８とを接続するための端子に
ついては図示を省略している。
【００４１】制御回路基板１８の固定構造は図４に示す
通りである。まず、ケース２２においては、その底壁か
ら上方に複数の基板支柱２２ｄが延び、この基板支柱２
２ｄ及びケース底壁を上下に貫くようにボルト挿通孔２
２ｈが設けられている。一方、制御回路基板１８におい
て前記ボルト挿通孔２２ｈと合致する位置にもボルト挿
通孔１８ａが設けられ、放熱部材２４において前記ボル
ト挿通孔２２ｈと合致する位置には上向きに開口するね
じ孔２４ａが設けられている。そして、前記ボルト挿通
孔１８ａ，２２ｈに金属製のボルト（伝熱部材）３０が
上から挿入され、前記ねじ孔２４ａにねじ込まれること
により、制御回路基板１８が各基板支柱２２ｄに支えら
れながら水平状態でケース２２内に固定されており、こ
の制御回路基板１８の下面と各ＦＥＴ１４との間に所定
の空間が確保されている。
通りである。まず、ケース２２においては、その底壁か
ら上方に複数の基板支柱２２ｄが延び、この基板支柱２
２ｄ及びケース底壁を上下に貫くようにボルト挿通孔２
２ｈが設けられている。一方、制御回路基板１８におい
て前記ボルト挿通孔２２ｈと合致する位置にもボルト挿
通孔１８ａが設けられ、放熱部材２４において前記ボル
ト挿通孔２２ｈと合致する位置には上向きに開口するね
じ孔２４ａが設けられている。そして、前記ボルト挿通
孔１８ａ，２２ｈに金属製のボルト（伝熱部材）３０が
上から挿入され、前記ねじ孔２４ａにねじ込まれること
により、制御回路基板１８が各基板支柱２２ｄに支えら
れながら水平状態でケース２２内に固定されており、こ
の制御回路基板１８の下面と各ＦＥＴ１４との間に所定
の空間が確保されている。
【００４２】さらに、このパワーディストリビュータの
特徴として、前記制御回路基板１８の下面、すなわち各
ＦＥＴ１４と対向する面には、例えばめっき層のように
伝熱性の高い材料からなる伝熱層１９がほぼ全面にわた
って設けられている。この伝熱層１９は、前記ボルト挿
通孔１８ａの内側面１９ａ、さらには当該ボルト挿通孔
１８ａの上側周縁部１９ｂにまで至っており、この上側
周縁部１９ｂに設けられた伝熱層と前記ボルト３０の頭
部３２の裏面とが接触するようになっている。
特徴として、前記制御回路基板１８の下面、すなわち各
ＦＥＴ１４と対向する面には、例えばめっき層のように
伝熱性の高い材料からなる伝熱層１９がほぼ全面にわた
って設けられている。この伝熱層１９は、前記ボルト挿
通孔１８ａの内側面１９ａ、さらには当該ボルト挿通孔
１８ａの上側周縁部１９ｂにまで至っており、この上側
周縁部１９ｂに設けられた伝熱層と前記ボルト３０の頭
部３２の裏面とが接触するようになっている。
【００４３】なお、ケース２２の上端開口はカバー２３
によって塞がれ、このカバー２３によってケース２２内
が密封されるようになっている。
によって塞がれ、このカバー２３によってケース２２内
が密封されるようになっている。
【００４４】次に、このパワーディストリビュータの作
用を説明する。
用を説明する。
【００４５】図略の車載バッテリーから出力される電力
は、電源接続用ワイヤハーネスを通じて入力端子１０に
入力され、各ＦＥＴ１４のドレイン端子１４ｄに分配さ
れる。そのうち、オン状態にあるＦＥＴ１４についての
み、そのドレイン端子１４ｄに入力された電力が出力端
子１２及び負荷接続用ワイヤハーネスを通じて対応する
車載負荷に供給される。
は、電源接続用ワイヤハーネスを通じて入力端子１０に
入力され、各ＦＥＴ１４のドレイン端子１４ｄに分配さ
れる。そのうち、オン状態にあるＦＥＴ１４についての
み、そのドレイン端子１４ｄに入力された電力が出力端
子１２及び負荷接続用ワイヤハーネスを通じて対応する
車載負荷に供給される。
【００４６】一方、外部回路から送られる操作信号（例
えばスイッチ信号）は、基板接続用ワイヤハーネス及び
基板用端子１６を通じて制御回路基板１８の制御回路に
入力される。制御回路は、その操作信号に応じ、制御用
端子１７を通じて各ＦＥＴ１４のゲート端子１４ｇに制
御信号を入力し、そのＦＥＴ１４におけるドレイン−ソ
ース間の通電のオンオフ切換を制御する。ＦＥＴ１４が
オフに切換えられたときには、このＦＥＴ１４のソース
端子１４ｓに接続されている出力端子１２への給電が遮
断される。
えばスイッチ信号）は、基板接続用ワイヤハーネス及び
基板用端子１６を通じて制御回路基板１８の制御回路に
入力される。制御回路は、その操作信号に応じ、制御用
端子１７を通じて各ＦＥＴ１４のゲート端子１４ｇに制
御信号を入力し、そのＦＥＴ１４におけるドレイン−ソ
ース間の通電のオンオフ切換を制御する。ＦＥＴ１４が
オフに切換えられたときには、このＦＥＴ１４のソース
端子１４ｓに接続されている出力端子１２への給電が遮
断される。
【００４７】さらに、前記入力端子１０及び各出力端子
１２の電位は同じフレキシブル配線材３０を通じて前記
制御回路に入力される。制御回路は、その電位差から各
ＦＥＴ１４を流れる電流値を求め、その電流値が一定以
上の場合に当該ＦＥＴ１４の通電を強制的にオフにする
制御を行う。
１２の電位は同じフレキシブル配線材３０を通じて前記
制御回路に入力される。制御回路は、その電位差から各
ＦＥＴ１４を流れる電流値を求め、その電流値が一定以
上の場合に当該ＦＥＴ１４の通電を強制的にオフにする
制御を行う。
【００４８】このような車両用パワーディストリビュー
タにおいて、半導体素子であるＦＥＴ１４がオンオフ駆
動されると、当該ＦＥＴ１４はかなりの量の発熱をする
ことになるが、このＦＥＴ１４は制御回路基板１８と別
に配置されているので、ＦＥＴ１４の発する熱が制御回
路基板１８上の他の回路素子に悪影響を与えるのを回避
でき、しかも、その熱をドレイン接続部２０及び絶縁シ
ート２８を通じて放熱部材２４に伝え、この放熱部材２
４からケース外部に放散することにより、各ＦＥＴ１４
の積極的な冷却をすることができる。
タにおいて、半導体素子であるＦＥＴ１４がオンオフ駆
動されると、当該ＦＥＴ１４はかなりの量の発熱をする
ことになるが、このＦＥＴ１４は制御回路基板１８と別
に配置されているので、ＦＥＴ１４の発する熱が制御回
路基板１８上の他の回路素子に悪影響を与えるのを回避
でき、しかも、その熱をドレイン接続部２０及び絶縁シ
ート２８を通じて放熱部材２４に伝え、この放熱部材２
４からケース外部に放散することにより、各ＦＥＴ１４
の積極的な冷却をすることができる。
【００４９】ただし、このような冷却を行っても、ケー
ス２２内においては前記ＦＥＴ１４の発熱によってその
上空のエアが対流加熱されることになる。しかし、この
パワーディストリビュータでは、前記ＦＥＴ１４を覆う
制御回路基板１８の裏面に伝熱層１９が設けられ、この
伝熱層１９が基板固定用の金属製ボルト３０を介して放
熱部材２４に熱的に接続されているので、前記エアの熱
を伝熱層１９で回収し、かつ、ボルト３０さらには放熱
部材２４を通じてケース外部へ積極的に逃がすことがで
きる。これにより、ケース２２内の雰囲気温度の上昇を
抑止することができ、当該温度上昇に起因して他の電子
デバイスの性能に悪影響が与えられるのを未然に防ぐこ
とができる。
ス２２内においては前記ＦＥＴ１４の発熱によってその
上空のエアが対流加熱されることになる。しかし、この
パワーディストリビュータでは、前記ＦＥＴ１４を覆う
制御回路基板１８の裏面に伝熱層１９が設けられ、この
伝熱層１９が基板固定用の金属製ボルト３０を介して放
熱部材２４に熱的に接続されているので、前記エアの熱
を伝熱層１９で回収し、かつ、ボルト３０さらには放熱
部材２４を通じてケース外部へ積極的に逃がすことがで
きる。これにより、ケース２２内の雰囲気温度の上昇を
抑止することができ、当該温度上昇に起因して他の電子
デバイスの性能に悪影響が与えられるのを未然に防ぐこ
とができる。
【００５０】すなわち、このパワーディストリビュータ
によれば、ＦＥＴ１４の作動制御用に設けられる制御回
路基板１８を有効に利用することにより、簡素な構造
で、ケース内の雰囲気温度の上昇を有効に抑止すること
が可能となる。
によれば、ＦＥＴ１４の作動制御用に設けられる制御回
路基板１８を有効に利用することにより、簡素な構造
で、ケース内の雰囲気温度の上昇を有効に抑止すること
が可能となる。
【００５１】なお、本発明はかかる実施の形態に限定さ
れず、例えば次のような実施の形態をとることも可能で
ある。
れず、例えば次のような実施の形態をとることも可能で
ある。
【００５２】・本発明で使用する半導体素子は前記パワ
ーＭＯＳＦＥＴに限らず、その他のトランジスタ（例え
ばＩＧＢＴや通常のバイポーラトランジスタ）やＧＴＯ
をはじめとする各種サイリスタなど、その駆動によって
発熱する各種半導体素子を使用する場合に本発明は有効
となる。また、かかる半導体素子はパッケージ素子に限
らず、例えば半導体チップを直接実装したものであって
もよい。半導体素子と各端子との接続形態も特に問わ
ず、例えば適所にワイヤボンディングを用いるようにし
てもよい。
ーＭＯＳＦＥＴに限らず、その他のトランジスタ（例え
ばＩＧＢＴや通常のバイポーラトランジスタ）やＧＴＯ
をはじめとする各種サイリスタなど、その駆動によって
発熱する各種半導体素子を使用する場合に本発明は有効
となる。また、かかる半導体素子はパッケージ素子に限
らず、例えば半導体チップを直接実装したものであって
もよい。半導体素子と各端子との接続形態も特に問わ
ず、例えば適所にワイヤボンディングを用いるようにし
てもよい。
【００５３】さらに、本発明では各半導体素子及び出力
端子の個数や配列も適宜設定することが可能であり、車
両内における各電装品の配置や個数等に応じて自由に定
めればよい。
端子の個数や配列も適宜設定することが可能であり、車
両内における各電装品の配置や個数等に応じて自由に定
めればよい。
【００５４】・前記実施の形態では基板固定用のボルト
３０を伝熱層１９と放熱部材２４とを熱的に接続する伝
熱部材として兼用しているが、当該ボルト３０とは別に
専用の伝熱部材を設けるようにしてもよい。
３０を伝熱層１９と放熱部材２４とを熱的に接続する伝
熱部材として兼用しているが、当該ボルト３０とは別に
専用の伝熱部材を設けるようにしてもよい。
【００５５】・前記伝熱層１９は必ずしも基板全面にわ
たって設けられていなくてもよく、例えばＦＥＴ１４の
配設箇所が集中している場合には当該箇所近傍にのみ局
所的に伝熱層１９を配してもよい。また、図４に示すボ
ルト挿通孔内側面１９ａや当該挿通孔上側周縁部（ボル
ト頭部３２との接触面）１９ｂに伝熱層１９を設けるの
に代え、下側伝熱層１９の一部を直接ボルト３０に接触
させるようにしてもよい。
たって設けられていなくてもよく、例えばＦＥＴ１４の
配設箇所が集中している場合には当該箇所近傍にのみ局
所的に伝熱層１９を配してもよい。また、図４に示すボ
ルト挿通孔内側面１９ａや当該挿通孔上側周縁部（ボル
ト頭部３２との接触面）１９ｂに伝熱層１９を設けるの
に代え、下側伝熱層１９の一部を直接ボルト３０に接触
させるようにしてもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体素子を冷
却するための放熱部材を備えるとともに、これらの半導
体素子を前記放熱部材との反対の側から覆うように制御
回路基板が設けられ、この制御回路基板に設けられた伝
熱層によって当該制御回路基板と半導体素子との間にお
けるエアの熱を回収し、伝熱部材を介して前記放熱部材
に伝えるようにしたものであるので、前記放熱部材によ
って各半導体素子を冷却できるのに加え、前記制御回路
基板を利用した簡素な構造でケース内雰囲気温度の上昇
を有効に抑止することができ、これによってケース内の
電子デバイス等が熱的悪影響を受けるのを未然に防止で
きる効果がある。
却するための放熱部材を備えるとともに、これらの半導
体素子を前記放熱部材との反対の側から覆うように制御
回路基板が設けられ、この制御回路基板に設けられた伝
熱層によって当該制御回路基板と半導体素子との間にお
けるエアの熱を回収し、伝熱部材を介して前記放熱部材
に伝えるようにしたものであるので、前記放熱部材によ
って各半導体素子を冷却できるのに加え、前記制御回路
基板を利用した簡素な構造でケース内雰囲気温度の上昇
を有効に抑止することができ、これによってケース内の
電子デバイス等が熱的悪影響を受けるのを未然に防止で
きる効果がある。
【図１】本発明の実施の形態にかかる車両用パワーディ
ストリビュータの回路図である。
ストリビュータの回路図である。
【図２】前記パワーディストリビュータのうちケースを
透かして見た平面図である。
透かして見た平面図である。
【図３】前記パワーディストリビュータの分解斜視図で
ある。
ある。
【図４】前記パワーディストリビュータの断面正面図で
ある。
ある。
１４ ＦＥＴ（半導体素子） １７ 制御用端子 １８ 制御回路基板 １８ａ ボルト挿通孔 １９ 伝熱層 ２２ ケース ２２ｄ 基板支柱 ２２ｈ ボルト挿通孔 ２４ 放熱部材 ２４ａ ねじ孔 ３０ 金属製ボルト ３２ ボルト頭部
フロントページの続き (72)発明者 山根 茂樹 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社オートネットワーク技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E322 AA01 AA03 AB01 EA10 FA04 5F036 AA01 BB05 BB21 BE01
Claims (5)
- 【請求項１】 車両に搭載された電源から供給される電
力を複数の車載負荷に分配するための車両用パワーディ
ストリビュータであって、前記電源から車載負荷への電
力供給回路に組み込まれる複数の半導体素子と、これら
の半導体素子の動作を制御する制御回路が組み込まれた
制御回路基板と、前記半導体素子及び制御回路基板を格
納するケースと、このケースの外面に設けられ、前記半
導体素子から伝わった熱をケース外に放散する放熱部材
とを備え、前記制御回路基板は、前記各半導体素子の配
設位置を挟んで前記放熱部材と反対の側から当該半導体
素子を覆う位置に配設されるとともに前記半導体素子と
対向する面に伝熱層を有し、この伝熱層と前記放熱部材
とが伝熱部材を介して接続されていることを特徴とする
車両用パワーディストリビュータ。 - 【請求項２】 請求項１記載の車両用パワーディストリ
ビュータにおいて、前記各半導体素子が略同一平面上に
配設され、その配設面と略平行に前記放熱部材及び制御
回路基板が配設されていることを特徴とする車両用パワ
ーディストリビュータ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の車両用パワーデ
ィストリビュータにおいて、前記伝熱部材は前記制御回
路基板をケースに固定するための金属製ボルトであり、
当該ボルトが前記伝熱層と放熱部材の双方に接触してい
ることを特徴とする車両用パワーディストリビュータ。 - 【請求項４】 請求項３記載の車両用パワーディストリ
ビュータにおいて、前記ボルトは前記制御回路基板に設
けられたボルト挿通孔及び前記ケースを貫通して前記放
熱部材に結合されていることを特徴とする車両用パワー
ディストリビュータ。 - 【請求項５】 請求項４記載の車両用パワーディストリ
ビュータにおいて、前記制御回路基板における伝熱層が
前記ボルト挿通孔の内周面及び前記ボルトの頭部裏面に
接触する面にまで設けられていることを特徴とする車両
用パワーディストリビュータ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101094A JP4357762B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 車両用パワーディストリビュータ |
| US10/104,032 US6522528B2 (en) | 2001-03-30 | 2002-03-25 | Electric power distributor for use in motor vehicle |
| EP02007062A EP1245455B1 (en) | 2001-03-30 | 2002-03-27 | Electric power distributor for use in motor vehicle |
| DE60212481T DE60212481T2 (de) | 2001-03-30 | 2002-03-27 | Elektrische Energieverteiler für ein Fahrzeug |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101094A JP4357762B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 車両用パワーディストリビュータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002293202A true JP2002293202A (ja) | 2002-10-09 |
| JP4357762B2 JP4357762B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=18954464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001101094A Expired - Fee Related JP4357762B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 車両用パワーディストリビュータ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522528B2 (ja) |
| EP (1) | EP1245455B1 (ja) |
| JP (1) | JP4357762B2 (ja) |
| DE (1) | DE60212481T2 (ja) |
Cited By (14)
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