JP2002251190A - パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ - Google Patents
パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタInfo
- Publication number
- JP2002251190A JP2002251190A JP2001388031A JP2001388031A JP2002251190A JP 2002251190 A JP2002251190 A JP 2002251190A JP 2001388031 A JP2001388031 A JP 2001388031A JP 2001388031 A JP2001388031 A JP 2001388031A JP 2002251190 A JP2002251190 A JP 2002251190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resonator
- layers
- acoustic
- acoustic mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000012814 acoustic material Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 110
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02125—Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Headphones And Earphones (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的少数の層によって良好な反射特性を提
供し、同じ基板の上に形成されて同じ音響ミラーを使用
する他の共振器への容量結合を発生しないような音響ミ
ラー形共振器を提供する。 【解決手段】 （ａ）音響ミラーとして働く誘電体材料
および金属材料を選択する工程と、（ｂ）金属層がエッ
チング・プロセスによって離散的部分へパターン化さ
れ、前記エッチング・プロセスは、異なった共振器部分
が置かれるべき場所のあいだの金属層を充分に取り除い
て、異なった共振器部分の下にある層部分のあいだに電
気絶縁が提供されるようにする作製手順を介して少なく
とも１つの金属層を提供する工程とを備え、共振器のあ
いだの容量結合が減少されたマルチ共振器ＢＡＷフィル
タを提供する方法。
供し、同じ基板の上に形成されて同じ音響ミラーを使用
する他の共振器への容量結合を発生しないような音響ミ
ラー形共振器を提供する。 【解決手段】 （ａ）音響ミラーとして働く誘電体材料
および金属材料を選択する工程と、（ｂ）金属層がエッ
チング・プロセスによって離散的部分へパターン化さ
れ、前記エッチング・プロセスは、異なった共振器部分
が置かれるべき場所のあいだの金属層を充分に取り除い
て、異なった共振器部分の下にある層部分のあいだに電
気絶縁が提供されるようにする作製手順を介して少なく
とも１つの金属層を提供する工程とを備え、共振器のあ
いだの容量結合が減少されたマルチ共振器ＢＡＷフィル
タを提供する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバルク音波共振器に
関する。さらに具体的には、音響ミラーを有するマルチ
共振器バルク音波フィルタに関する。
関する。さらに具体的には、音響ミラーを有するマルチ
共振器バルク音波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】薄膜
バルク音波（ＢＡＷ）共振器は、圧電材料、たとえばＺ
ｎＯまたはＡｌＮの層をベースにし、場合によっては音
響ミラーを含む。そのような素子は、音波を電気信号
へ、またはその逆へ変換し、その周波数依存電気インピ
ーダンスのために電子回路におけるフィルタとして使用
することができる。一般的には、音響ミラーは、異なっ
た音響インピーダンスの材料の層を組み合わせて形成さ
れる。音響ミラーは、異なった材料の層のスタックを基
板上に形成するように、異なった材料の様々な層を堆積
することによって、たとえばガラスの基板の上に構築さ
れる。つぎに、下部電極が音響ミラーの上に堆積され、
つぎに圧電材料が下部電極の上に堆積されて、いわゆる
圧電体層が形成される。最後に、上部電極が圧電体層の
上に堆積される。上部電極、下部電極、および圧電体層
の組み合わせは、いわゆる素子の共振器部分を形成す
る。音響ミラーは、２つの電極のあいだに印加された電
圧に応答して圧電体層によって作り出された音波を反射
するように働き、それによって基板を圧電体層から絶縁
する。
バルク音波（ＢＡＷ）共振器は、圧電材料、たとえばＺ
ｎＯまたはＡｌＮの層をベースにし、場合によっては音
響ミラーを含む。そのような素子は、音波を電気信号
へ、またはその逆へ変換し、その周波数依存電気インピ
ーダンスのために電子回路におけるフィルタとして使用
することができる。一般的には、音響ミラーは、異なっ
た音響インピーダンスの材料の層を組み合わせて形成さ
れる。音響ミラーは、異なった材料の層のスタックを基
板上に形成するように、異なった材料の様々な層を堆積
することによって、たとえばガラスの基板の上に構築さ
れる。つぎに、下部電極が音響ミラーの上に堆積され、
つぎに圧電材料が下部電極の上に堆積されて、いわゆる
圧電体層が形成される。最後に、上部電極が圧電体層の
上に堆積される。上部電極、下部電極、および圧電体層
の組み合わせは、いわゆる素子の共振器部分を形成す
る。音響ミラーは、２つの電極のあいだに印加された電
圧に応答して圧電体層によって作り出された音波を反射
するように働き、それによって基板を圧電体層から絶縁
する。
【０００３】音響ミラーを含む共振器の例は、１９９５
年１２月に公開された「ワイヤレス・アプリケーション
のためのミニチュア・フィルタの開発」（“Developmen
t ofMiniature Filters for Wireless Applications”,
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniq
ues, Vol.43, No.12, December 1995）と題する文献に
開示されている。そのような共振器における音響ミラー
は、低音響インピーダンスおよび約１／４波長の厚さを
有する下部層、および高音響インピーダンスを有する上
部層を含むことができる。そのような素子では、基板の
音響インピーダンスを非常に低い値へ変換することがで
きるので、（上下の）層のペアは「インピーダンス変圧
器」として働く。層の各々が約１／４波長の厚さを有す
る素子では、層のペアの変換ファクタは、それぞれのイ
ンピーダンスの比の２乗に等しい。
年１２月に公開された「ワイヤレス・アプリケーション
のためのミニチュア・フィルタの開発」（“Developmen
t ofMiniature Filters for Wireless Applications”,
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniq
ues, Vol.43, No.12, December 1995）と題する文献に
開示されている。そのような共振器における音響ミラー
は、低音響インピーダンスおよび約１／４波長の厚さを
有する下部層、および高音響インピーダンスを有する上
部層を含むことができる。そのような素子では、基板の
音響インピーダンスを非常に低い値へ変換することがで
きるので、（上下の）層のペアは「インピーダンス変圧
器」として働く。層の各々が約１／４波長の厚さを有す
る素子では、層のペアの変換ファクタは、それぞれのイ
ンピーダンスの比の２乗に等しい。
【０００４】音響ミラーを含むＢＡＷ共振器のほかに、
ＢＡＷ共振器を被膜（membrane）の上に構成し、エア・
ギャップで共振器部分を基板から隔離することが当該技
術分野で知られている。被膜タイプのアプローチの欠点
は、層を被膜の上部に作り出して、被膜を破壊または折
り曲げるような機械的応力を充分に小さくした層を得る
ことが困難である点である。さらに、薄膜構造は機械的
に非常に強くはない。これは、準備の整ったウェハ（直
径が４〜８インチの、完全に処理されたガラスまたはシ
リコンのウェハで、何千という共振器ベースのフィルタ
を含む）の取り扱いおよび分割（ダイシング）を複雑に
する。被膜のタイプに依存して、使用することのできる
基板の材料に制限が生じるであろう。
ＢＡＷ共振器を被膜（membrane）の上に構成し、エア・
ギャップで共振器部分を基板から隔離することが当該技
術分野で知られている。被膜タイプのアプローチの欠点
は、層を被膜の上部に作り出して、被膜を破壊または折
り曲げるような機械的応力を充分に小さくした層を得る
ことが困難である点である。さらに、薄膜構造は機械的
に非常に強くはない。これは、準備の整ったウェハ（直
径が４〜８インチの、完全に処理されたガラスまたはシ
リコンのウェハで、何千という共振器ベースのフィルタ
を含む）の取り扱いおよび分割（ダイシング）を複雑に
する。被膜のタイプに依存して、使用することのできる
基板の材料に制限が生じるであろう。
【０００５】音響ミラー形のＢＡＷ共振器は、全体の構
造が基板の上に固体的に（solidly）取り付けられるの
で、明らかにより堅牢である。ミラーは、基本的にλ／
４変圧器として動作する。すなわち、それは高または低
の音響インピーダンス材料からなる交互の層の多数のペ
アから構成され、各々の層は音響的に約１／４波長の厚
さである。したがって、全体のスタックは基板の音響イ
ンピーダンスをミラー／下部電極インタフェースにおけ
る非常に低いインピーダンスへ変換し、被膜（membran
e）タイプの構造におけるエア・インタフェースに類似
した音響反射インタフェースを作り出す。ミラーの最適
動作は、高および低インピーダンスの差ができるだけ大
きいことを必要とする。現在利用可能な誘電体膜の音響
インピーダンスの差は大きくないので、誘電体だけから
なる音響ミラーのためには、多数の層が使用されなけれ
ばならない。多数の層の使用はミラーのバンド幅を減少
させ、その作製を複雑にする。
造が基板の上に固体的に（solidly）取り付けられるの
で、明らかにより堅牢である。ミラーは、基本的にλ／
４変圧器として動作する。すなわち、それは高または低
の音響インピーダンス材料からなる交互の層の多数のペ
アから構成され、各々の層は音響的に約１／４波長の厚
さである。したがって、全体のスタックは基板の音響イ
ンピーダンスをミラー／下部電極インタフェースにおけ
る非常に低いインピーダンスへ変換し、被膜（membran
e）タイプの構造におけるエア・インタフェースに類似
した音響反射インタフェースを作り出す。ミラーの最適
動作は、高および低インピーダンスの差ができるだけ大
きいことを必要とする。現在利用可能な誘電体膜の音響
インピーダンスの差は大きくないので、誘電体だけから
なる音響ミラーのためには、多数の層が使用されなけれ
ばならない。多数の層の使用はミラーのバンド幅を減少
させ、その作製を複雑にする。
【０００６】金属層および誘電体層を使用して音響ミラ
ーを作ることにより、インピーダンスの差をかなり増加
させることができる。しかし、そのようにすると、下部
電極およびミラーの上部金属層によって、大きなキャパ
シタンスを導入してしまう。図１に示されるように、そ
のようなキャパシタンスは、単一の基板の上で２つ以上
の共振器から構成されるフィルタのパフォーマンスを低
下させる。すなわち、ミラーの上部金属層は、各々の下
部電極からフィルタ内の他のすべての下部電極へキャパ
シタンスを作り出し、共振器のあいだに寄生容量結合を
生じる。
ーを作ることにより、インピーダンスの差をかなり増加
させることができる。しかし、そのようにすると、下部
電極およびミラーの上部金属層によって、大きなキャパ
シタンスを導入してしまう。図１に示されるように、そ
のようなキャパシタンスは、単一の基板の上で２つ以上
の共振器から構成されるフィルタのパフォーマンスを低
下させる。すなわち、ミラーの上部金属層は、各々の下
部電極からフィルタ内の他のすべての下部電極へキャパ
シタンスを作り出し、共振器のあいだに寄生容量結合を
生じる。
【０００７】必要とされるものは、音響ミラーが交替す
る金属層および誘電体層から構成され、比較的少数の層
によって良好な反射特性を提供し、同じ基板の上に形成
されて同じ音響ミラーを使用する他の共振器への容量結
合を発生しないような音響ミラー形共振器である。
る金属層および誘電体層から構成され、比較的少数の層
によって良好な反射特性を提供し、同じ基板の上に形成
されて同じ音響ミラーを使用する他の共振器への容量結
合を発生しないような音響ミラー形共振器である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明はマ
ルチ共振器バルク音波（ＢＡＷ）フィルタを作製する方
法およびそのような方法によって提供されるフィルタを
提供する。このフィルタは、複数の共振器部分のために
音響ミラーとして働く複数の材料層を有する。各々の共
振器部分は、圧電体層を挟む少なくとも上部電極および
下部電極を含む。前記方法は、音響ミラーとして働く幾
つかの材料層のための誘電体材料および他の層のための
金属材料を選択する工程と、エッチング・プロセスによ
って金属層が離散的部分へパターン化される作製手順に
よって少なくとも１つの金属層を提供し、エッチング・
プロセスが異なった共振器部分が置かれるべき場所のあ
いだの金属層を充分に取り除いて、異なった共振器部分
の下にある層部分のあいだに電気的絶縁が提供されるよ
うにする工程とを含み、それによって同じように作製さ
れる音響ミラーの金属層をパターン化するエッチング・
ステップを除外したこと以外では類似した他の方法で作
製されたマルチ共振器ＢＡＷフィルタに存在する容量結
合と比較して、共振器のあいだの容量結合が減少された
マルチ共振器ＢＡＷフィルタを提供する。
ルチ共振器バルク音波（ＢＡＷ）フィルタを作製する方
法およびそのような方法によって提供されるフィルタを
提供する。このフィルタは、複数の共振器部分のために
音響ミラーとして働く複数の材料層を有する。各々の共
振器部分は、圧電体層を挟む少なくとも上部電極および
下部電極を含む。前記方法は、音響ミラーとして働く幾
つかの材料層のための誘電体材料および他の層のための
金属材料を選択する工程と、エッチング・プロセスによ
って金属層が離散的部分へパターン化される作製手順に
よって少なくとも１つの金属層を提供し、エッチング・
プロセスが異なった共振器部分が置かれるべき場所のあ
いだの金属層を充分に取り除いて、異なった共振器部分
の下にある層部分のあいだに電気的絶縁が提供されるよ
うにする工程とを含み、それによって同じように作製さ
れる音響ミラーの金属層をパターン化するエッチング・
ステップを除外したこと以外では類似した他の方法で作
製されたマルチ共振器ＢＡＷフィルタに存在する容量結
合と比較して、共振器のあいだの容量結合が減少された
マルチ共振器ＢＡＷフィルタを提供する。
【０００９】本発明のさらなる態様において、すべての
金属層は、異なった共振器部分の下にあるすべての層の
部分のあいだに電気絶縁を提供するように、離散的部分
へパターン化される。
金属層は、異なった共振器部分の下にあるすべての層の
部分のあいだに電気絶縁を提供するように、離散的部分
へパターン化される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の前記および他の目的、特
徴、および利点は、添付の図面とともに提示される以下
の詳細な説明を考察することにより明らかになるであろ
う。
徴、および利点は、添付の図面とともに提示される以下
の詳細な説明を考察することにより明らかになるであろ
う。
【００１１】ここで図２および図３を参照すると、本発
明の音響ミラー型マルチ共振器ＢＡＷフィルタは、音響
ミラー層１４の上部に位置する共振器部分１１および１
２から構成される。音響ミラー層１４は金属層および誘
電体層を含み、金属ミラー層が１つを超える共振器部分
の下へ延長されないように基板１５の上に堆積される。
のちに説明するように、そのような音響ミラー形マルチ
共振器ＢＡＷフィルタを作製するためには、音響ミラー
の少なくとも金属層が共振器部分のあいだから取り除か
れる。堆積された材料をそのように選択的に取り除くこ
とは、本明細書では、堆積された材料の「パターン化」
と呼ばれる。
明の音響ミラー型マルチ共振器ＢＡＷフィルタは、音響
ミラー層１４の上部に位置する共振器部分１１および１
２から構成される。音響ミラー層１４は金属層および誘
電体層を含み、金属ミラー層が１つを超える共振器部分
の下へ延長されないように基板１５の上に堆積される。
のちに説明するように、そのような音響ミラー形マルチ
共振器ＢＡＷフィルタを作製するためには、音響ミラー
の少なくとも金属層が共振器部分のあいだから取り除か
れる。堆積された材料をそのように選択的に取り除くこ
とは、本明細書では、堆積された材料の「パターン化」
と呼ばれる。
【００１２】金属層および誘電体層を有する音響ミラー
を含み、少なくとも金属層がパターン化されるマルチ共
振器ＢＡＷフィルタを作製する方法としては、基本的に
２つの方法がある。ここで図４を参照する。１つの方法
は、音響ミラーを作り出す累積層を順次に堆積するとき
に、各々の金属層を堆積したのちであって、つぎの誘電
体層を堆積する前に、共振器部分が構築される各々の領
域のあいだから金属層を選択的に取り除くことである。
金属の堆積は、通常はスパッタリングによって行われ
る。誘電体層は、たとえば化学気相成長法（ＣＶＤ）ま
たはプラズマ促進ＣＶＤによって成長させることができ
る。金属層の選択的除去（ここでは「パターン化」と呼
ぶ）は、ウェット・エッチングまたはドライ・エッチン
グによって行うことができる。どちらのエッチング方法
を使用しても、金属層の傾斜端を得ることができる。こ
れは、ステップ・カバレージ問題を回避する助けとな
る。１つの共振器に対する結果の層スタックは、図３に
示される。誘電性（低音響インピーダンス）の層として
好ましい材料は、ＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4であり、金属
性（高インピーダンス）の層として好ましい材料は、Ｗ
またはＭｏである。とはいえ、他の材料も使用すること
ができる。圧電体層が堆積されたとき、それは基板表面
の全体にわたって広がる（すでに堆積された層の上部
で）。圧電体層は、たとえば２ステージ・バランスド・
フィルタを作製するときのように、パターン化されない
で（選択的に除去されないで）残されるか（バイア、す
なわち層をパターン化することによって作り出される誘
電体層内の孔を提供し、金属が誘電体層の上に堆積され
るとき、金属が孔を充填して誘電体層を通る接続を提供
する場合を除く）、または圧電体層は、各々のミラー・
スタックの上部を除くすべての場所で取り除かれてもよ
い。
を含み、少なくとも金属層がパターン化されるマルチ共
振器ＢＡＷフィルタを作製する方法としては、基本的に
２つの方法がある。ここで図４を参照する。１つの方法
は、音響ミラーを作り出す累積層を順次に堆積するとき
に、各々の金属層を堆積したのちであって、つぎの誘電
体層を堆積する前に、共振器部分が構築される各々の領
域のあいだから金属層を選択的に取り除くことである。
金属の堆積は、通常はスパッタリングによって行われ
る。誘電体層は、たとえば化学気相成長法（ＣＶＤ）ま
たはプラズマ促進ＣＶＤによって成長させることができ
る。金属層の選択的除去（ここでは「パターン化」と呼
ぶ）は、ウェット・エッチングまたはドライ・エッチン
グによって行うことができる。どちらのエッチング方法
を使用しても、金属層の傾斜端を得ることができる。こ
れは、ステップ・カバレージ問題を回避する助けとな
る。１つの共振器に対する結果の層スタックは、図３に
示される。誘電性（低音響インピーダンス）の層として
好ましい材料は、ＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4であり、金属
性（高インピーダンス）の層として好ましい材料は、Ｗ
またはＭｏである。とはいえ、他の材料も使用すること
ができる。圧電体層が堆積されたとき、それは基板表面
の全体にわたって広がる（すでに堆積された層の上部
で）。圧電体層は、たとえば２ステージ・バランスド・
フィルタを作製するときのように、パターン化されない
で（選択的に除去されないで）残されるか（バイア、す
なわち層をパターン化することによって作り出される誘
電体層内の孔を提供し、金属が誘電体層の上に堆積され
るとき、金属が孔を充填して誘電体層を通る接続を提供
する場合を除く）、または圧電体層は、各々のミラー・
スタックの上部を除くすべての場所で取り除かれてもよ
い。
【００１３】ここで図５を参照する。図５（ａ）〜
（ｅ）は、マルチ共振器ＢＡＷフィルタを作製する第２
の方法の作製工程を示している。すなわち、図５に示さ
れるように、まず、ミラーのすべての層の堆積工程を行
ない（図５（ａ）参照）、ついでミラー層のエッチング
工程を行ない（図５（ｂ）参照）、ついで厚い平坦化層
の堆積工程を行ない（図５（ｃ）参照）、ついでウェハ
の研磨工程を行ない（図５（ｄ）の研磨後のウェハ参
照）、そののち共振器層の堆積工程を行なう（図５
（ｅ）参照）。パターン化された金属層を音響ミラーが
有するマルチ共振器ＢＡＷフィルタを作製する第２の方
法は、先ずすべてのミラー層を堆積し、つぎに基板まで
すべての層をエッチングし、それによって、各共振器部
分のあいだの金属層のみでなく誘電体層もパターン化す
る（選択的に取り除く）。したがって、共振器のあいだ
の基板は露出したまま残され、基板表面からミラーの上
部まで大きな段差が存在する。大きな段差のために、露
出した基板の上部に乗っている個々の音響ミラーの構造
の全体が、平坦化されなければならない。すなわち、誘
電体材料、たとえばＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4の厚い層
が、構造の上に堆積され、たとえば化学的機械的ポリッ
シング（ＣＰＭ）によって、ミラー・スタックの上部ま
で研磨されなければならない。構造を平坦化したのち
に、電極および圧電体層が、各々の埋め込まれた音響ミ
ラーの位置にしたがって、研磨された構造の上に堆積さ
れる。
（ｅ）は、マルチ共振器ＢＡＷフィルタを作製する第２
の方法の作製工程を示している。すなわち、図５に示さ
れるように、まず、ミラーのすべての層の堆積工程を行
ない（図５（ａ）参照）、ついでミラー層のエッチング
工程を行ない（図５（ｂ）参照）、ついで厚い平坦化層
の堆積工程を行ない（図５（ｃ）参照）、ついでウェハ
の研磨工程を行ない（図５（ｄ）の研磨後のウェハ参
照）、そののち共振器層の堆積工程を行なう（図５
（ｅ）参照）。パターン化された金属層を音響ミラーが
有するマルチ共振器ＢＡＷフィルタを作製する第２の方
法は、先ずすべてのミラー層を堆積し、つぎに基板まで
すべての層をエッチングし、それによって、各共振器部
分のあいだの金属層のみでなく誘電体層もパターン化す
る（選択的に取り除く）。したがって、共振器のあいだ
の基板は露出したまま残され、基板表面からミラーの上
部まで大きな段差が存在する。大きな段差のために、露
出した基板の上部に乗っている個々の音響ミラーの構造
の全体が、平坦化されなければならない。すなわち、誘
電体材料、たとえばＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4の厚い層
が、構造の上に堆積され、たとえば化学的機械的ポリッ
シング（ＣＰＭ）によって、ミラー・スタックの上部ま
で研磨されなければならない。構造を平坦化したのち
に、電極および圧電体層が、各々の埋め込まれた音響ミ
ラーの位置にしたがって、研磨された構造の上に堆積さ
れる。
【００１４】前記の２つの方法における様々な改変は当
業者にとって明らかであろう。図６（ａ）〜（ｆ）は、
図５に示したマルチ共振器ＢＡＷフィルタの第２の作製
方法を改変した作製方法の作製工程を示している。すな
わち、図６に示されるように、まず、最上部層を除くミ
ラー層の堆積工程を行ない（図６（ａ）参照）、ついで
堆積したミラー層のエッチング工程を行ない（図６
（ｂ）参照）、ついで厚い平坦化層の堆積工程を行ない
（図６（ｃ）参照）、ついでウェハの研磨工程を行ない
（図６（ｄ）の研磨後のウェハ参照）、ついで最終誘電
体層の堆積工程を行ない（図６（ｅ）参照）、そののち
共振器セクションの堆積工程を行なう（図６（ｆ）参
照）。たとえば、ここで図６を参照すると、第２の方法
は最後の誘電ミラー層を堆積する前に、ミラー・スタッ
クをエッチングおよび平坦化することによって改変する
ことができる。そのような改変は、いつポリッシングを
停止するかを決定することを容易にする（そのような修
正手順では、ポリッシングが停止されるときは最上部金
属ミラー層の表面に達したときであろう）。さらに、追
加の犠牲的な層を堆積して、ミラー層に窪みが形成され
るのを避けることができよう。すなわち、ＣＭＰプロセ
スでしばしば起こるように、ミラー層が皿の形状に曲が
るのを避けることができる。
業者にとって明らかであろう。図６（ａ）〜（ｆ）は、
図５に示したマルチ共振器ＢＡＷフィルタの第２の作製
方法を改変した作製方法の作製工程を示している。すな
わち、図６に示されるように、まず、最上部層を除くミ
ラー層の堆積工程を行ない（図６（ａ）参照）、ついで
堆積したミラー層のエッチング工程を行ない（図６
（ｂ）参照）、ついで厚い平坦化層の堆積工程を行ない
（図６（ｃ）参照）、ついでウェハの研磨工程を行ない
（図６（ｄ）の研磨後のウェハ参照）、ついで最終誘電
体層の堆積工程を行ない（図６（ｅ）参照）、そののち
共振器セクションの堆積工程を行なう（図６（ｆ）参
照）。たとえば、ここで図６を参照すると、第２の方法
は最後の誘電ミラー層を堆積する前に、ミラー・スタッ
クをエッチングおよび平坦化することによって改変する
ことができる。そのような改変は、いつポリッシングを
停止するかを決定することを容易にする（そのような修
正手順では、ポリッシングが停止されるときは最上部金
属ミラー層の表面に達したときであろう）。さらに、追
加の犠牲的な層を堆積して、ミラー層に窪みが形成され
るのを避けることができよう。すなわち、ＣＭＰプロセ
スでしばしば起こるように、ミラー層が皿の形状に曲が
るのを避けることができる。
【００１５】これまでの説明から明らかなように、本発
明は、さらに、１つの共振器部分の下にある音響ミラー
材料の各々の誘電体層が、基板の表面全体に堆積され
て、すべての他の共振器部分の下に広がる図４の構成と
は対照的に、完全に分離した離散的音響ミラー（有利に
は、前述したように平坦化される）を、各々の共振器部
分の下に含むような方法で作製されたマルチ共振器ＢＡ
Ｗフィルタを包含する。
明は、さらに、１つの共振器部分の下にある音響ミラー
材料の各々の誘電体層が、基板の表面全体に堆積され
て、すべての他の共振器部分の下に広がる図４の構成と
は対照的に、完全に分離した離散的音響ミラー（有利に
は、前述したように平坦化される）を、各々の共振器部
分の下に含むような方法で作製されたマルチ共振器ＢＡ
Ｗフィルタを包含する。
【００１６】図４（ａ）〜（ｌ）は、金属層のみがパタ
ーン化（共振器の下部以外がエッチング除去）され、誘
電体層はパターン化されない作製工程を示している。す
なわち、図４に示されるように、まず、基板（図４
（ａ）参照）を設け、ついでミラーの第１金属層を設け
（図４（ｂ）参照）、ついでミラーの第１誘電体層を設
け（図４（ｃ）参照）、ついでミラーの第２金属層を設
け（図４（ｄ）参照）、ついでミラーの第２誘電体層を
設け（図４（ｅ）参照）、ついでミラーの第３金属層を
設け（図４（ｆ）参照）、ついでミラーの第３誘電体層
を設け（図４（ｇ）参照）、ついで下部電極金属層を設
け（図４（ｈ）参照）、ついで圧電体層を設け（図４
（ｉ）参照）、ついで保護層を設け（図４（ｊ）参
照）、ついで上部電極金属層を設け（図４（ｋ）参
照）、そののち並列共振器の同調を行なう（図４（ｌ）
参照）。
ーン化（共振器の下部以外がエッチング除去）され、誘
電体層はパターン化されない作製工程を示している。す
なわち、図４に示されるように、まず、基板（図４
（ａ）参照）を設け、ついでミラーの第１金属層を設け
（図４（ｂ）参照）、ついでミラーの第１誘電体層を設
け（図４（ｃ）参照）、ついでミラーの第２金属層を設
け（図４（ｄ）参照）、ついでミラーの第２誘電体層を
設け（図４（ｅ）参照）、ついでミラーの第３金属層を
設け（図４（ｆ）参照）、ついでミラーの第３誘電体層
を設け（図４（ｇ）参照）、ついで下部電極金属層を設
け（図４（ｈ）参照）、ついで圧電体層を設け（図４
（ｉ）参照）、ついで保護層を設け（図４（ｊ）参
照）、ついで上部電極金属層を設け（図４（ｋ）参
照）、そののち並列共振器の同調を行なう（図４（ｌ）
参照）。
【００１７】音響ミラーのいくつの層がパターン化され
るかに関係なく、層の充分な部分のみをパターン化すれ
ばよいことを理解することが重要である。すなわち、層
の離散的部分を提供して、異なった共振器部分の下にあ
る層部分のあいだに電気絶縁を提供するように、共振器
部分が置かれるべき場所のあいだが取り除かれる。
るかに関係なく、層の充分な部分のみをパターン化すれ
ばよいことを理解することが重要である。すなわち、層
の離散的部分を提供して、異なった共振器部分の下にあ
る層部分のあいだに電気絶縁を提供するように、共振器
部分が置かれるべき場所のあいだが取り除かれる。
【００１８】発明者は、本発明のマルチ共振器ＢＡＷフ
ィルタを作製することによって、中心周波数から離れた
ところでフィルタの周波数応答が改善（（不要）応答の
減少）されるだけでなく、中心周波数またはその近傍で
応答が改善されることを見出した。従来技術にかかわる
フィルタが、前述した寄生キャパシタンスの結果とし
て、中心周波数またはその近傍でときには高度に不規則
な（すなわち、深いノッチを有する）応答を示すのに対
し、本発明のフィルタの応答は比較的良好に挙動する帯
域フィルタの応答であり、中心周波数から離れた周波数
での応答は、従来技術にかかわるフィルタの応答より６
ｄＢも下である。音響ミラー形マルチ共振器フィルタの
中心周波数に近いノッチは、本発明のような音響ミラー
金属層のパターン化を含まないステップによっても避け
ることができるが、そのようなステップは、多くの場
合、フィルタの帯域幅を減少させる結果となる。本発明
にしたがってフィルタを作製する場合、そのような帯域
幅の減少は起こらない。
ィルタを作製することによって、中心周波数から離れた
ところでフィルタの周波数応答が改善（（不要）応答の
減少）されるだけでなく、中心周波数またはその近傍で
応答が改善されることを見出した。従来技術にかかわる
フィルタが、前述した寄生キャパシタンスの結果とし
て、中心周波数またはその近傍でときには高度に不規則
な（すなわち、深いノッチを有する）応答を示すのに対
し、本発明のフィルタの応答は比較的良好に挙動する帯
域フィルタの応答であり、中心周波数から離れた周波数
での応答は、従来技術にかかわるフィルタの応答より６
ｄＢも下である。音響ミラー形マルチ共振器フィルタの
中心周波数に近いノッチは、本発明のような音響ミラー
金属層のパターン化を含まないステップによっても避け
ることができるが、そのようなステップは、多くの場
合、フィルタの帯域幅を減少させる結果となる。本発明
にしたがってフィルタを作製する場合、そのような帯域
幅の減少は起こらない。
【００１９】これまで説明した構成は、本発明の原理の
応用を例示したものにすぎないことを理解すべきであ
る。多くの修正および代替構成が本発明の趣旨および範
囲から逸脱することなく当業者によって案出されてよ
く、添付の特許請求の範囲はそのような修正および構成
を含むように意図されている。
応用を例示したものにすぎないことを理解すべきであ
る。多くの修正および代替構成が本発明の趣旨および範
囲から逸脱することなく当業者によって案出されてよ
く、添付の特許請求の範囲はそのような修正および構成
を含むように意図されている。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、金属層および誘電体層
から構成されるマルチ共振器ＢＡＷのミラー層を共振器
ごとに分離して作製することにより、複数のＢＡＷフィ
ルタ間の容量結合を減少させることができるので、ＢＡ
Ｗフィルタの周波数特性を改善することができる。
から構成されるマルチ共振器ＢＡＷのミラー層を共振器
ごとに分離して作製することにより、複数のＢＡＷフィ
ルタ間の容量結合を減少させることができるので、ＢＡ
Ｗフィルタの周波数特性を改善することができる。
【図１】幾つかの音響ミラー形ＢＡＷ共振器から構成さ
れる従来のマルチ共振器フィルタの略図であって、金属
層が音響ミラーの中で使用されたときの容量結合を示
す。
れる従来のマルチ共振器フィルタの略図であって、金属
層が音響ミラーの中で使用されたときの容量結合を示
す。
【図２】幾つかの音響ミラー形ＢＡＷ共振器から構成さ
れた本発明のマルチ共振器フィルタの平面図である。
れた本発明のマルチ共振器フィルタの平面図である。
【図３】図２に示された共振器のうちの１つの立面図で
ある。
ある。
【図４】幾つかの音響ミラー形ＢＡＷ共振器から構成さ
れた本発明のマルチ共振器フィルタを作製する１つのプ
ロセスを示す図であって、このプロセスでは、音響ミラ
ー材料層の中から、金属層のみがパターン化され（すな
わち、フィルタの表面の幾つかの選択された区域から取
り除かれ）、誘電体層はパターン化されない（しかしな
がら、フィルタを構成する他の層（上部電極および下部
電極を含む）はパターン化されるが）。
れた本発明のマルチ共振器フィルタを作製する１つのプ
ロセスを示す図であって、このプロセスでは、音響ミラ
ー材料層の中から、金属層のみがパターン化され（すな
わち、フィルタの表面の幾つかの選択された区域から取
り除かれ）、誘電体層はパターン化されない（しかしな
がら、フィルタを構成する他の層（上部電極および下部
電極を含む）はパターン化されるが）。
【図５】幾つかの音響ミラー形ＢＡＷ共振器から構成さ
れる本発明のマルチ共振器フィルタを作製する代替プロ
セスを示す図であって、このプロセスは、寄生キャパシ
タンスの源を取り除く同じ最終結果を達成するが、各々
の共振器部分の下で音響ミラーの構成要素として働く金
属層および誘電体層の双方をパターン化する。
れる本発明のマルチ共振器フィルタを作製する代替プロ
セスを示す図であって、このプロセスは、寄生キャパシ
タンスの源を取り除く同じ最終結果を達成するが、各々
の共振器部分の下で音響ミラーの構成要素として働く金
属層および誘電体層の双方をパターン化する。
【図６】図５に示されたプロセスの小さな変形であるプ
ロセスを示す図である。
ロセスを示す図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 9/205 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ 9/54 41/08 Ｕ (72)発明者 メーリ タルビッキ パルタネン フィンランド共和国、02360 エスポー、 カスキラークソンチエ ３ アー １ Ｆターム(参考） 5J108 AA07 BB07 CC04 KK01 KK02 KK07 MM11 MM14
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の共振器部分のために音響ミラーと
して働く複数の材料層を有し、各々の共振器部分が圧電
体層を挟む少なくとも上部電極と下部電極とを含むマル
チ共振器バルク音波（ＢＡＷ）フィルタを作製する方法
であって、（ａ）音響ミラーとして働く幾つかの材料層
のための誘電体材料、および他の層のための金属材料を
選択する工程と、（ｂ）金属層がエッチング・プロセス
によって離散的部分へパターン化され、前記エッチング
・プロセスは、異なった共振器部分が置かれるべき場所
のあいだの金属層を充分に取り除いて、異なった共振器
部分の下にある層部分のあいだに電気絶縁が提供される
ようにする作製手順を介して少なくとも１つの金属層を
提供する工程とを備え、それによって、類似の方法で作
製される音響ミラーの金属層をパターン化するエッチン
グ・ステップを除外したこと以外では類似した他の方法
で作製されたマルチ共振器ＢＡＷフィルタに存在する容
量結合と比較して、共振器のあいだの容量結合が減少さ
れたマルチ共振器ＢＡＷフィルタを提供する方法。 - 【請求項２】 音響ミラーのすべての金属層がエッチン
グ・プロセスによって離散的部分へパターン化され、エ
ッチング・プロセスは、異なった共振器部分が置かれる
べき場所のあいだの金属層を充分に取り除いて、異なっ
た共振器部分の下にあるすべての層部分のあいだに電気
絶縁が提供されるようにする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 工程（ｂ）が音響ミラーの異なった層を
順次に堆積するステップを含み、誘電体層が金属層と交
互に積層し共振器に最も近い層は誘電体層であり、各々
の金属層はつぎの誘電体層を堆積する前に工程（ｂ）の
ようにパターン化される請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 工程（ｂ）が、（ａ）誘電体層が金属層
と交互に積層するように、音響ミラーの異なった層のす
べてを、金属層から開始して順次に堆積する工程、
（ｂ）音響ミラーの異なった層からなるピルボックス型
構造を基板の上に残すように、音響ミラーのすべての層
を基板表面に達するまで下方へエッチングし、それによ
ってパターン化された金属層および誘電体層を提供する
工程、（ｃ）音響ミラーから取り除かれた材料と置換す
るため、誘電体材料を充填材として基板上に堆積し、堆
積は音響ミラーの最上部層まで充填材を下方へ研磨する
のに充分な深さである工程とを備えた請求項１記載の方
法。 - 【請求項５】 工程（ｂ）が、（ａ）音響ミラーの異な
った層を、金属層から開始して共振器に最も近い層ま
で、しかしその層を含むことなく順次に堆積して、誘電
体層が金属層と交互に積層するようにする工程と、
（ｂ）音響ミラーの異なった堆積層からなるピルボック
ス型構造を基板上に残すように、音響ミラーのすべての
堆積層を基板表面まで下方へエッチングし、それによっ
て、パターン化された金属層およびパターン化された誘
電体層を提供する工程と、（ｃ）音響ミラー層から取り
除かれた材料と置換するため、誘電体材料を充填材とし
て基板上に堆積し、堆積は、音響ミラーの最上部堆積層
まで充填材を下方へ研磨するのに充分な深さである工程
と、（ｄ）音響材料のすでに堆積およびパターン化され
た層だけでなく充填材もカバーするように、音響ミラー
の最上部層を堆積するステップを備えた請求項１記載の
方法。 - 【請求項６】 共振器部分の少なくとも１つが、上部電
極、ときには接地される中間電極、および下部電極を含
む積み重ねられた結晶構造であり、さらに３つの電極の
あいだに挟まれた２つの圧電体層を含む請求項１記載の
方法。 - 【請求項７】 複数の共振器部分のために音響ミラーと
して働く複数の材料層を有し、各々の共振器部分が圧電
体層を挟む少なくとも上部電極と下部電極とを含むマル
チ共振器バルク音波（ＢＡＷ）フィルタであって、音響
ミラーの幾つかの層は誘電体材料から作製され、他の層
は金属材料から作製され、さらに、少なくとも１つの金
属層はエッチング・プロセスによって離散的部分へパタ
ーン化され、前記エッチング・プロセスは、異なった共
振器部分が置かれるべき場所のあいだの金属層を充分に
取り除いて、異なった共振器部分の下にある層部分のあ
いだに電気絶縁が提供されるようにするマルチ共振器バ
ルク音波フィルタ。 - 【請求項８】 すべての金属層がエッチング・プロセス
によって離散的部分へパターン化され、エッチング・プ
ロセスは、異なった共振器部分が置かれるべき場所のあ
いだの金属層を充分に取り除いて、異なった共振器部分
の下にあるすべての層部分のあいだに電気絶縁が提供さ
れるようにする請求項７記載のマルチ共振器バルク音波
フィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/753,214 | 2001-01-02 | ||
| US09/753,214 US6496085B2 (en) | 2001-01-02 | 2001-01-02 | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008268710A Division JP4838292B2 (ja) | 2001-01-02 | 2008-10-17 | パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002251190A true JP2002251190A (ja) | 2002-09-06 |
| JP4248177B2 JP4248177B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=25029665
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001388031A Expired - Lifetime JP4248177B2 (ja) | 2001-01-02 | 2001-12-20 | パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ |
| JP2008268710A Expired - Fee Related JP4838292B2 (ja) | 2001-01-02 | 2008-10-17 | パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008268710A Expired - Fee Related JP4838292B2 (ja) | 2001-01-02 | 2008-10-17 | パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6496085B2 (ja) |
| EP (1) | EP1227582B8 (ja) |
| JP (2) | JP4248177B2 (ja) |
| CN (1) | CN1208898C (ja) |
| AT (1) | ATE400084T1 (ja) |
| DE (1) | DE60134621D1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236518A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Sony Corp | 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法 |
| JP2007129391A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響共振器及びフィルタ |
| JP2007324689A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振器 |
| JP2008034925A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振器、フィルタ及びその製造方法 |
| US7745975B2 (en) | 2007-01-15 | 2010-06-29 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator filter and manufacturing method thereof |
| DE112008002283T5 (de) | 2007-09-06 | 2010-07-22 | Murata Manufacturing Co. Ltd., Nagaokakyo-shi | Piezoelektrischer Resonator |
| JP2019068418A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | 内部静電遮蔽を有するｂａｗフィルタ構造 |
| US11522518B2 (en) | 2016-07-11 | 2022-12-06 | Qorvo Us, Inc. | Device having a titanium-alloyed surface |
| US11575363B2 (en) | 2021-01-19 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid bulk acoustic wave filter |
| US11632097B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator filter device |
| US11757430B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-09-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3903848B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 |
| JP2003229743A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-08-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
| DE10200741A1 (de) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer topologieoptimierten Elektrode für einen Resonator in Dünnfilmtechnologie |
| US20100107389A1 (en) * | 2002-01-11 | 2010-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating an electrode for a bulk acoustic resonator |
| DE10246791B4 (de) * | 2002-10-08 | 2017-10-19 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator und Schaltung mit dem Resonator |
| DE10258422A1 (de) | 2002-12-13 | 2004-06-24 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
| DE10301261B4 (de) | 2003-01-15 | 2018-03-22 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| US7275292B2 (en) * | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
| KR100622955B1 (ko) * | 2004-04-06 | 2006-09-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법 |
| US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
| DE102004054895B4 (de) * | 2004-11-12 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
| US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
| FR2889374A1 (fr) * | 2005-07-29 | 2007-02-02 | Michelin Soc Tech | Structure resonnante hybride pour verifier des parametres d'un pneumatique |
| US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
| US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
| US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
| US7544612B1 (en) | 2006-01-20 | 2009-06-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Method and structure for reducing the effect of vertical steps in patterned layers in semiconductor structures |
| US7414350B1 (en) * | 2006-03-03 | 2008-08-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic mirror structure for a bulk acoustic wave structure and method for fabricating same |
| US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
| US7479685B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
| JP4525623B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2010-08-18 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電振動片の製造方法 |
| DE102006023165B4 (de) * | 2006-05-17 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz |
| US8188548B2 (en) * | 2007-02-15 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Device and method for reducing a voltage dependent capacitive coupling |
| US8586195B2 (en) * | 2007-07-11 | 2013-11-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for forming an acoustic mirror with reduced metal layer roughness and related structure |
| US20090053401A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoelectric deposition for BAW resonators |
| US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
| WO2009043370A1 (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A voltage controlled switching device |
| DE112008002726T5 (de) * | 2007-10-18 | 2010-08-26 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | BAW-Struktur mit reduzierten topografischen Stufen und verwandtes Verfahren |
| US8512800B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-08-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters |
| US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
| US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
| US7768364B2 (en) * | 2008-06-09 | 2010-08-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bulk acoustic resonators with multi-layer electrodes |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| JP5113870B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-09 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用水晶振動子の製造方法 |
| US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| CN107408936B (zh) * | 2015-03-16 | 2020-12-11 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| US9602076B1 (en) * | 2015-05-19 | 2017-03-21 | Qorvo Us, Inc. | Resonators with balancing capacitor |
| KR20190067706A (ko) * | 2017-12-07 | 2019-06-17 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 무선 주파수 필터를 위한 시스템 및 방법 |
| CN112953449A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-11 | 偲百创(深圳)科技有限公司 | 横向激励剪切模式的声学谐振器的制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07114340B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 圧電薄膜共振子 |
| JPS63187713A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 集積型圧電薄膜機能素子 |
| US5864261A (en) * | 1994-05-23 | 1999-01-26 | Iowa State University Research Foundation | Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems |
| JPH08186467A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-16 | Murata Mfg Co Ltd | 拡がり振動型圧電振動子およびその製造方法 |
| US5821833A (en) * | 1995-12-26 | 1998-10-13 | Tfr Technologies, Inc. | Stacked crystal filter device and method of making |
| US5714917A (en) | 1996-10-02 | 1998-02-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation |
| US5873154A (en) | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
| US5872493A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
| WO1998052280A1 (fr) * | 1997-05-13 | 1998-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a couche mince piezo-electrique |
| US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US6060818A (en) | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters |
| FI108583B (fi) * | 1998-06-02 | 2002-02-15 | Nokia Corp | Resonaattorirakenteita |
| EP0986172B1 (en) * | 1998-09-11 | 2004-12-01 | Texas Instruments Incorporated | An integrated acoustic thin film resonator |
| FI113211B (fi) * | 1998-12-30 | 2004-03-15 | Nokia Corp | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
-
2001
- 2001-01-02 US US09/753,214 patent/US6496085B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-20 JP JP2001388031A patent/JP4248177B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 EP EP01310923A patent/EP1227582B8/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 DE DE60134621T patent/DE60134621D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 AT AT01310923T patent/ATE400084T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-12-31 CN CNB011395990A patent/CN1208898C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-10-17 JP JP2008268710A patent/JP4838292B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236518A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Sony Corp | 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法 |
| JP2007129391A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響共振器及びフィルタ |
| US7619493B2 (en) | 2005-11-02 | 2009-11-17 | Panasonic Corporation | Bulk acoustic resonator and filter element |
| JP2007324689A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振器 |
| JP2008034925A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振器、フィルタ及びその製造方法 |
| US7745975B2 (en) | 2007-01-15 | 2010-06-29 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator filter and manufacturing method thereof |
| DE112008002283T5 (de) | 2007-09-06 | 2010-07-22 | Murata Manufacturing Co. Ltd., Nagaokakyo-shi | Piezoelektrischer Resonator |
| US7868519B2 (en) | 2007-09-06 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator including an acoustic reflector portion |
| DE112008002283B4 (de) | 2007-09-06 | 2018-01-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrischer Resonator |
| US11522518B2 (en) | 2016-07-11 | 2022-12-06 | Qorvo Us, Inc. | Device having a titanium-alloyed surface |
| JP2019068418A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | 内部静電遮蔽を有するｂａｗフィルタ構造 |
| JP7277098B2 (ja) | 2017-09-29 | 2023-05-18 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | 内部静電遮蔽を有するｂａｗフィルタ構造 |
| US11757430B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-09-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency |
| US11632097B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator filter device |
| US11575363B2 (en) | 2021-01-19 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid bulk acoustic wave filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009022052A (ja) | 2009-01-29 |
| CN1208898C (zh) | 2005-06-29 |
| US6496085B2 (en) | 2002-12-17 |
| US20020084873A1 (en) | 2002-07-04 |
| ATE400084T1 (de) | 2008-07-15 |
| EP1227582A2 (en) | 2002-07-31 |
| DE60134621D1 (de) | 2008-08-14 |
| CN1365186A (zh) | 2002-08-21 |
| EP1227582B8 (en) | 2008-08-13 |
| JP4838292B2 (ja) | 2011-12-14 |
| EP1227582B1 (en) | 2008-07-02 |
| EP1227582A3 (en) | 2004-09-22 |
| JP4248177B2 (ja) | 2009-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4248177B2 (ja) | パターン化された音響ミラーを固体的に取り付けられたマルチ共振器バルク音波フィルタ | |
| US7281304B2 (en) | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator | |
| US9450563B2 (en) | Acoustic wave bandpass filter comprising integrated acoustic guiding | |
| US8692631B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator and method of fabricating same | |
| US7802349B2 (en) | Manufacturing process for thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filters | |
| US9680439B2 (en) | Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer | |
| JP2005236337A (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 | |
| JP2003505906A (ja) | 共振子構造およびその共振子構造を備えるフィルタ | |
| KR20110058704A (ko) | 하이브리드 벌크 음파 공진기 및 그 제조 방법 | |
| JP2008301453A (ja) | 薄膜圧電共振器及びこれを用いたフィルタ回路 | |
| JP2008066792A (ja) | 圧電薄膜共振器および圧電フィルタ装置 | |
| JP2003017964A (ja) | 弾性波素子の製造方法 | |
| JP2008211394A (ja) | 共振装置 | |
| JP2007028669A (ja) | 薄膜音響共振器の製造方法 | |
| JP4373936B2 (ja) | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 | |
| US8925163B2 (en) | Method of manufacturing laterally coupled BAW thin films | |
| JP4775445B2 (ja) | 薄膜圧電共振器および薄膜圧電フィルタ | |
| US7694397B2 (en) | Method of manufacturing an acoustic mirror for piezoelectric resonator | |
| JP2008182543A (ja) | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ | |
| JP2007074727A (ja) | 音響共振器を含む集積回路 | |
| JP5299676B2 (ja) | 圧電薄膜音響共振器およびその製造方法 | |
| JP2002372974A (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 | |
| JP2004328739A (ja) | 基板からフローティングされたエアギャップを有する薄膜のバルク音響共振器及びその製造方法 | |
| JP2005303573A (ja) | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 | |
| JP2007227998A (ja) | 薄膜圧電共振器とそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080215 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080418 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080722 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081216 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4248177 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 3 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |