CN107408936B - 弹性波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在划片工序时难以产生层间的剥离的弹性波装置及其制造方法。弹性波装置(1)具备：压电体层(2)，具有第一主面(2a)和与该第一主面(2a)对置的第二主面(2b)；声反射层(5)，层叠在压电体层(2)的第一主面(2a)上；激励电极，设置在压电体层(2)；以及支承层(6)。声反射层(5)位于在从压电体层(2)的第二主面(2b)侧的俯视下至少与激励电极重叠的位置。支承层(6)设置为至少在从压电体层(2)的第二主面(2b)侧的俯视下包围声反射层(5)。

Description

弹性波装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及弹性波装置及其制造方法。
背景技术
以往，弹性波装置广泛用于便携式电话机等。在下述的专利文献1中，公开了一种利用板波的弹性波装置。在该弹性波装置中，在压电体层与支承基板之间设置有声反射层。声反射层由低声阻抗层和高声阻抗层层叠而成。
在下述的专利文献2记载的弹性波装置中，在压电体层上层叠有由低声阻抗层以及高声阻抗层构成的反射层。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/086441号
专利文献2：日本专利第5046961号
发明内容
发明要解决的课题
然而，在专利文献1、专利文献2记载的弹性波装置中，在进行划片而单片化时，有时压电体层与低声阻抗层会剥离。进而，在划片时，有时低声阻抗层与高声阻抗层也会剥离。
本发明的目的在于，提供一种在划片工序时难以产生层间的剥离的弹性波装置及其制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备：压电体层，具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面；声反射层，层叠在所述压电体层的所述第一主面上；激励电极，设置在所述压电体层；以及支承层，所述声反射层位于在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下至少与所述激励电极重叠的位置，所述支承层设置为至少在从所述压电体层的第二主面侧的俯视下包围所述声反射层。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的局面中，所述支承层设置为在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下包围所述压电体层。在该情况下，在划片工序时，更加难以产生压电体层与声反射层的剥离。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中，所述声反射层具有多个声阻抗层，所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比所述低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层。在该情况下，能够使从压电体层传播到声反射层的弹性波在低声阻抗层与高声阻抗层的界面处反射。因此，能够有效地封闭弹性波的能量。进而，在制造工序中的划片时，更加难以产生低声阻抗层与高声阻抗层的剥离。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，在所述多个声阻抗层中的至少一层的外侧配置有空隙。在该情况下，通过在该空隙使弹性波的无用波进行漫反射，从而可抵消无用波，能够抑制无用波。因此，能够将弹性波的主模的能量有效地封闭在压电体层侧。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的任一方为所述支承层的一部分。在该情况下，能够减少材料的种类。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的在外侧配置有所述空隙的层是金属层。在该情况下，能够更可靠地配置空隙。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述空隙位于所述多个声阻抗层中的在层叠方向上连续的至少两层的外侧。在该情况下，能够将弹性波的能量更有效地封闭在压电体层侧。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述支承层具备具有底部的开口部，所述声反射层与所述底部接触。在该情况下，能够提高弹性波装置的强度。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述激励电极为IDT电极，并且所述IDT电极设置在所述压电体层的所述第二主面。在该情况下，能够构成利用了板波的弹性波装置。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述激励电极具有第一激励电极、第二激励电极，所述第一激励电极设置在所述压电体层的所述第一主面，所述第二激励电极设置在所述第二主面。在该情况下，能够构成利用了体波的弹性波装置。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，还具备：加固基板，设置在所述支承层的与所述压电体层侧相反侧。在该情况下，能够提高弹性波装置的强度。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中，所述声反射层或者所述多个声阻抗层中的至少一层为氧化硅。在该情况下，能够将弹性波的主模的能量有效地封闭在压电体层侧。
本发明涉及的弹性波装置的制造方法具备：在具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面并且由压电体层构成的母基板的所述第一主面上，层叠声反射层的工序；对所述声反射层进行图案化，并分割为多个声反射层的工序；在所述母基板的所述第一主面上以及所述多个声反射层上设置支承层的工序；在所述母基板设置多个激励电极的工序；以及通过对所述支承层进行划片，从而分割为单个的弹性波装置的工序，设置所述支承层的工序，是将所述支承层设置为在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下包围各所述声反射层的工序，层叠所述声反射层的工序，是将所述声反射层设置于在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下至少与各所述激励电极重叠的位置的工序。在该情况下，在划片时，声反射层难以剥离。
在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的某个特定的局面中，在所述母基板上层叠所述声反射层的工序是层叠多个声阻抗层的工序，所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比所述低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层，层叠所述声反射层的工序以及对所述声反射层进行图案化的工序是如下工序：对所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的任一方进行图案化，然后层叠另一个声阻抗层，使得覆盖进行了该图案化的声阻抗层，并在进行了所述图案化的声阻抗层的外侧配置空隙。在该情况下，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层侧。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在划片工序时难以产生层间的剥离的弹性波装置及其制造方法。
附图说明
图1(a)是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图，图1(b)是沿着图1(a)中的A-A线的弹性波装置的剖视图。
图2(a)～图2(d)是用于说明作为本发明的第二实施方式的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
图3(a)～图3(c)是用于说明作为本发明的第二实施方式的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
图4(a)～图4(c)是用于说明作为本发明的第二实施方式的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。
图5是本发明的第一实施方式的第一变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图6(a)是本发明的第一实施方式的第二变形例涉及的弹性波装置的俯视图，图6(b)是沿着图6(a)中的C-C线的弹性波装置的剖视图。
图7(a)是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的俯视图，图7(b)是沿着图7(a)中的E-E线的弹性波装置的剖视图。
图8(a)～图8(c)是用于说明设置本发明的第三实施方式中的声反射层以及支承层的工序的主视剖视图。
图9(a)以及图9(b)是用于说明设置本发明的第三实施方式中的声反射层以及支承层的工序的主视剖视图。
图10是本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图11是示出本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的划片前的状态的主视剖视图。
图12(a)～图12(c)是用于说明本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的制造工序的各主视剖视图。
图13(a)～图13(c)是用于说明本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的制造工序的各主视剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
另外，需要指出的是，本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式之间进行结构的部分置换或组合。
图1(a)是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图1(b)是沿着图1(a)中的A-A线的弹性波装置的剖视图。
弹性波装置1具有压电体层2。如图1(b)所示，压电体层2具有第一主面2a以及与第一主面2a对置的第二主面2b。压电体层2由LiNbO3、LiTaO3等的压电单晶构成。另外，压电体层2的材料没有特别限定。例如，也可以由压电陶瓷等构成。
在压电体层2的第二主面2b上，设置有作为激励电极的IDT电极3。通过对IDT电极3施加电压，从而激励弹性波。本实施方式的弹性波装置1利用作为弹性波的板波。也可以在IDT电极3的弹性波传播方向的两侧设置有反射器。
另外，压电体层2的厚度没有特别限定，但是优选为100nm以上且1000nm以下。通过将压电体层2的厚度设为100nm以上，从而能够使压电体层2难以破损。通过将压电体层2的厚度设为1000nm以下，从而能够进一步提高板波的激励效率。
IDT电极3由AlCu合金与Ti的层叠体构成，AlCu由99重量％的Al以及1重量％的Cu构成。在压电体层2的第二主面2b上层叠有Ti，在Ti上层叠有AlCu合金。另外，IDT电极3可以是单层，也可以是层叠体。IDT电极3的材料没有特别限定。
本实施方式的IDT电极3的厚度为10nm以上且1000nm以下。另外，IDT电极3的厚度没有特别限定。
如图1(b)所示，在压电体层2的第一主面2a上层叠有声反射层5。声反射层5具有多个声阻抗层。声反射层5具有低声阻抗层5a、5c、5e和高声阻抗层5b、5d、5f。高声阻抗层5b、5d、5f的声阻抗比低声阻抗层5a、5c、5e的声阻抗高。
声反射层5使从压电体层2传播过来的弹性波向压电体层2侧进行反射。由此，能够将弹性波的能量封闭在压电体层2侧，能够提高能量效率。
在本实施方式中，声反射层5由3层低声阻抗层5a、5c、5e以及3层高声阻抗层5b、5d、5f构成。另外，低声阻抗层以及高声阻抗层的层数没有特别限定。
如图1(a)以及图1(b)所示，声反射层5设置为在从压电体层2的第二主面2b侧的俯视下与压电体层2重叠。因此，声反射层5设置为在俯视下至少与IDT电极3重叠。
低声阻抗层5a、5c、5e由声阻抗相对低的氧化硅构成。或者，低声阻抗层5a、5c、5e也可以由以氧化硅为主要成分的材料构成，还可以由氧化硅以外的电介质材料、金属材料构成。高声阻抗层5b、5d、5f是由声阻抗相对高的Pt、其它的电介质材料、金属材料构成的金属层。高声阻抗层5b、5d、5f也可以由Pt以外的金属构成，例如Mo、Ta、W等。或者，高声阻抗层5b、5d、5f也可以不是金属层，而是由例如AlN、SiN等陶瓷或LiNbO3、LiTaO3等的压电单晶构成的层。低声阻抗层5a、5c、5e以及高声阻抗层5b、5d、5f的材料没有特别限定，只要由声阻抗彼此不同的适当的材料构成即可。
在本实施方式中，低声阻抗层5a、5c、5e以及高声阻抗层5b、5d、5f各自的厚度为100nm以上且1000nm以下。另外，低声阻抗层5a、5c、5e以及高声阻抗层5b、5d、5f各自的厚度没有特别限定。
设置有支承层6，使得在从压电体层2的第二主面2b侧的俯视下包围压电体层2以及声反射层5。更具体地，支承层6具有开口部6c。压电体层2以及声反射层5被支承层6的开口部6c包围。如图1(b)所示，支承层6的开口部6c具有侧面部6c1以及底部6c2。压电体层2以及声反射层5与侧面部6c1接触。声反射层5还与底部6c2接触。由此，压电体层2以及声反射层5被支承层6支承。
在支承层6与声反射层5之间配置有多个空隙D1。更具体地，空隙D1配置在高声阻抗层5b、5d、5f的外侧。
支承层6由氧化硅构成。在本实施方式中，支承层6和声反射层5的低声阻抗层5a、5c、5e由相同材料构成。支承层6具有位于与声反射层5侧相反侧的第一面6a。支承层6还具有与第一面6a对置并且设置有开口部6c的第二面6b。
另外，支承层6的材料没有特别限定，也可以由氧化硅以外的适当的材料构成。支承层6和低声阻抗层5a、5c、5e也可以由不同的材料构成。
在支承层6的第二面6b上设置有电极连接盘4。如图1(a)所示，电极连接盘4经由布线4a与IDT电极3电连接。另外，虚线B示出IDT电极3与布线4a的边界。能够经由电极连接盘4以及布线4a从外部对IDT电极3施加电压。
电极连接盘4以及布线4a与IDT电极3同样地，由AlCu合金与Ti的层叠体构成，AlCu合金由99重量％的Al以及1重量％的Cu构成。在支承层6的第二面6b上层叠有Ti，在Ti上层叠有AlCu合金。另外，电极连接盘4以及布线4a可以是单层，也可以是层叠体。电极连接盘4以及布线4a的材料没有特别限定。电极连接盘4、布线4a以及IDT电极3也可以由分别不同的材料构成。电极连接盘4以及布线4a的厚度没有特别限定，在本实施方式中，为100nm以上且2000nm以下。
如图1(b)所示，在支承层6的第一面6a上设置有加固基板7。由此，能够提高弹性波装置1的强度。加固基板7由Si构成。另外，加固基板7的材料没有特别限定。未必一定要设置加固基板7。
本发明的弹性波装置的特征在于，在从压电体层2的第二主面2b侧的俯视下，声反射层被支承层包围。由此，能够有效地抑制在单片化时发生的弹性波装置的特性不良。更具体地，在用于得到弹性波装置的划片时，难以产生声反射层与压电体层的剥离。以下，与本发明的弹性波装置的制造方法一起对其进行详细说明。
图2(a)～图2(d)是用于说明作为本发明的第二实施方式的弹性波装置的制造方法的主视剖视图。图3(a)～图3(c)是用于说明作为第二实施方式的弹性波装置的制造方法中的、图2(a)～图2(d)所示的工序之后的工序的主视剖视图。图4(a)～图4(c)是用于说明作为第二实施方式的弹性波装置的制造方法中的、图3(a)～图3(c)所示的工序之后的工序的主视剖视图。
如图2(a)所示，准备母基板2A。母基板2A具有第一主面2Aa以及与第一主面2Aa对置的第二主面2Ab。母基板2A由压电体构成。母基板2A例如可以由LiNbO3、LiTaO3等的压电单晶构成，也可以由压电陶瓷构成。通过对母基板2A进行分割，从而能够得到单个的压电体层。
接着，在母基板2A的第一主面2Aa上层叠低声阻抗层5aA。接着如图2(b)所示，在低声阻抗层5aA上层叠高声阻抗层5bA。像这样，通过交替地层叠低声阻抗层和高声阻抗层，从而层叠图2(c)所示的低声阻抗层5aA、5cA、5eA以及高声阻抗层5bA、5dA、5fA。由此，能够得到声反射层5A。低声阻抗层5aA、5cA、5eA由氧化硅构成。高声阻抗层5bA、5dA、5fA由Pt等金属构成。低声阻抗层5aA、5cA、5eA以及高声阻抗层5bA、5dA、5fA例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等进行层叠。
接着，通过对声反射层5A的低声阻抗层5aA、5cA、5eA以及高声阻抗层5bA、5dA、5fA进行图案化，从而形成图2(d)所示的低声阻抗层15a、15c、15e以及高声阻抗层15b、15d、15f。由此，能够对声反射层进行分割，从而得到多个声反射层15。同时，母基板2A也进行图案化。
图2(c)所示的低声阻抗层5aA、5cA、SeA、高声阻抗层5bA、5dA、5fA以及母基板2A例如能够通过光刻法以及RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)法等进行图案化。首先，在声反射层5A上涂敷抗蚀剂。接着，通过光刻法对抗蚀剂进行图案化。接着，将该抗蚀剂用作掩模，通过RIE法对低声阻抗层5aA、5cA、5eA、高声阻抗层5bA、5dA、5fA以及母基板2A进行蚀刻。然后，剥离抗蚀剂。由此，如图2(d)所示，能够使声反射层15的外周部15B相对于声反射层15的主面大致垂直。由此，在后面的工序中，能够可靠地配置空隙D2。
接着，如图3(a)所示，在母基板2A上以及声反射层15上设置支承层6。支承层6由氧化硅构成。支承层6例如能够通过溅射法等进行设置。此时，能够以支承层6与在声反射层15的层叠方向上连续的至少两层外周部15B不接触的状态将支承层6设置在母基板2A上。由此，能够在低声阻抗层15a、15c、15e以及高声阻抗层15b、15d、15f中的在层叠方向上连续的至少两层的外侧配置空隙D2。关于通过配置空隙D2而得到的效果将在后面叙述。
接着，如图3(b)所示，例如，通过CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光)法等将支承层6的与母基板2A侧相反侧的面平坦化。接着，如图3(c)所示，在支承层6的与母基板2A侧相反侧的面设置加固基板7。将加固基板7与支承层6进行接合的方法没有特别限定。例如，能够通过树脂粘接剂等将加固基板7与支承层6进行接合。或者，也可以使用表面活化接合法、原子扩散接合法或金属接合法等。
接着，通过研磨等将母基板2A的第二主面2Ab平坦化，并且将母基板2A薄板化。此时，将母基板2A研磨至至少露出支承层6为止。由此，如图4(a)所示，能够将母基板分割为单个的压电体层2。通过对压电体层2进行研磨，从而能够将压电体层2的厚度设为能够激励所希望的弹性波的厚度。另外，将母基板薄板化的方法没有特别限定。例如，可以使用向母基板注入离子并进行剥离的智能切割法等。
接着，如图4(b)所示，在压电体层2的第二主面2b上设置IDT电极3。在支承层6上设置电极连接盘4。进而，在压电体层2上以及支承层6上设置图4(b)中未示出的连接IDT电极3和电极连接盘4的布线。IDT电极3、电极连接盘4以及布线同时设置。在设置IDT电极3、电极连接盘4以及布线时，没有特别限定，例如，能够通过蒸镀剥离法等进行设置。
接着，沿着图4(b)中的划片线I-I进行划片。由此，如图4(c)所示，能够分割为单个的弹性波装置11。
在此，在压电体层与声反射层的界面、以及声反射层的多个声阻抗层的各界面位于划片线上的情况下，在压电体层与声反射层以及声反射层的各层之间容易产生剥离。因此，有时会发生弹性波装置的特性不良。
与此相对地，如图4(c)所示，在本实施方式中，设置支承层6，使得包围压电体层2以及声反射层15。即，压电体层2以及声反射层15不位于图4(b)中的划片线I-I上。因此，能够在支承层6中对不存在压电体层2与声反射层15的界面、以及低声阻抗层15a、15c、15e和高声阻抗层15b、15d、15f的各界面的部分进行划片。因此，难以产生压电体层与声反射层的剥离以及声反射层的各层之间的剥离，从而能够有效地降低弹性波装置的特性不良的发生率。
另外，在低声阻抗层使用了氧化硅的情况下，压电体层与低声阻抗层的密接力会变弱，因此更容易发生剥离，但是只要采用本发明的结构，便可消除这种担忧。
进而，在将加固基板7设为Si基板的情况下，与由氧化硅构成的支承层6的界面的密接力强，因此也难以产生该界面处的剥离。
接着，返回到图1(a)以及图1(b)，以下对通过在弹性波装置1中配置有空隙D1而得到的效果进行说明。
虽然弹性波在压电体层2与声反射层5的界面处向压电体层2侧反射，但是弹性波的一部分会传播到声反射层5。传播到声反射层5的弹性波从声反射层5与支承层6接触的部分传播到支承层6。在本实施方式中，在支承层6与声反射层5之间配置有空隙D1。更具体地，在声反射层5的高声阻抗层5b、5d、5f的外侧配置有空隙D1。因此，通过在空隙D1使弹性波的无用波进行漫反射，从而可抵消无用波，能够抑制无用波。因此，能够将弹性波的主模的能量有效地封闭在压电体层2侧。
在图4(c)所示的弹性波装置11中也配置有空隙D2。因此，与弹性波装置1同样地，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层2侧。
返回到图1(b)，弹性波装置1的声反射层5具有3层低声阻抗层5a、5c、5e以及3层高声阻抗层5b、5d、5f。即，声反射层5具有5个面的低声阻抗层5a、5c、5e与高声阻抗层5b、5d、5f的界面。因此，能够使从压电体层2传播到声反射层5的弹性波在上述5个面的界面处进行反射。因此，能够有效地封闭弹性波的能量。
声反射层5设置为在从压电体层2的第二主面2b侧的俯视下至少与IDT电极3重叠。在俯视下，在与IDT电极3重叠的位置，向压电体层2的第一主面2a传播的弹性波的能量特别大。因此，通过声反射层5，能够有效地封闭弹性波的能量。
声反射层5在低声阻抗层5a与支承层6接触。声反射层5还与支承层6的开口部6c的底部6c2接触。由此，能够通过支承层6充分地支承声反射层5。另外，声反射层5与底部6c2接触的部分是和声反射层5与压电体层2接触的面对置的面。即，声反射层5的全部的低声阻抗层5a、5c、5e与高声阻抗层5b、5d、5f的界面位于压电体层2与底部6c2之间。因此，即使声反射层5与底部6c2接触，也能够充分发挥声反射层5使从压电体层2传播的弹性波进行反射的功能。因此，能够有效地封闭弹性波的能量，并且能够提高弹性波装置的强度。
另外，像图5所示的第一变形例的弹性波装置41那样，支承层46的开口部46c也可以没有底部。在弹性波装置41中，声反射层5与加固基板7接触。在该情况下，也能够有效地封闭弹性波的能量。进而，在划片时，难以产生压电体层2与声反射层5的剥离以及低声阻抗层5a、5c、5e和高声阻抗层5b、5d、5f的各层之间的剥离。
返回到图1(b)，在声反射层5中，与压电体层2的第一主面2a直接接触的层是低声阻抗层5a。在本实施方式中，压电体层2由LiTaO3、LiNbO3等的压电单晶构成，低声阻抗层5a由氧化硅构成。因此，能够有效地改善压电体层2的频率温度特性。
如图1(a)以及图1(b)所示，空隙D1配置为包围声反射层5的周围。另外，空隙D1也可以不设置为包围声反射层5。
图6(a)是示出第一实施方式的第二变形例涉及的弹性波装置的俯视图。图6(b)是沿着图6(a)中的C-C线的弹性波装置的剖视图。
像第二变形例的弹性波装置51那样，空隙D3只要配置在声反射层5的外侧即可，也可以不设置为包围声反射层5。配置在声反射层5的各层的外侧的空隙D3，也可以不设置于在从压电体层2的第二主面2b侧的俯视下重叠的位置。即使在该情况下，通过配置有空隙D3，从而也能够将弹性波的主模的能量有效地封闭在压电体层2侧。
图7(a)是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图7(b)是沿着图7(a)中的E-E线的弹性波装置的剖视图。
如图7(b)所示，弹性波装置21的压电体层22覆盖支承层6的开口部6c。压电体层22的第一主面22a与支承层6的第二面6b接触。如图7(a)所示，电极连接盘4以及布线4a设置在压电体层22的第二主面22b上。在除上述以外的方面，弹性波装置21具有与第一实施方式的弹性波装置1相同的结构。
在用于得到弹性波装置21的划片中，与第二实施方式同样地，声反射层5不位于划片线上。因此，在划片时，在低声阻抗层5a、5c、5e以及高声阻抗层5b、5d、5f的各层之间难以产生剥离。进而，在第三实施方式中，也与第一实施方式同样地配置有空隙D1，因此能够有效地封闭弹性波的主模的能量。
接着，使用下述的图8(a)～图8(c)以及图9(a)和图9(b)对配置空隙D1的方法进行说明。
图8(a)～图8(c)是用于说明设置第三实施方式中的声反射层以及支承层的工序的主视剖视图。图9(a)以及图9(b)是用于说明设置第三实施方式中的声反射层以及支承层的工序中的、图8(a)～图8(c)所示的工序之后的工序的主视剖视图。
如图8(a)所示，准备母基板2A。接着，在母基板2A的第一主面2Aa上层叠低声阻抗层5aB。低声阻抗层5aB具有由相同的材料构成的低声阻抗层5a以及支承层形成部6Aa。低声阻抗层5a成为图7(b)所示的弹性波装置21的声反射层5的低声阻抗层5a。支承层形成部6Aa成为支承层6的一部分。低声阻抗层5aB能够通过溅射法等进行设置。
接着，如图8(b)所示，在低声阻抗层5a上，对作为金属层的高声阻抗层5b一边进行图案化一边进行层叠。高声阻抗层5b能够通过蒸镀剥离法等进行设置。由此，能够使高声阻抗层5b的边缘部5b1相对于声反射层5的主面大致垂直。
接着，如图8(c)所示，在高声阻抗层5b上以及支承层形成部6Aa上层叠低声阻抗层5cB。此时，层叠低声阻抗层5cB，使得覆盖具有边缘部5b1的高声阻抗层5b。由此，能够以低声阻抗层5cB与边缘部5b1不接触的状态，在高声阻抗层5b上以及支承层形成部6Aa上设置低声阻抗层5cB。这样，能够在高声阻抗层5b的外侧容易地配置空隙D1。
低声阻抗层5cB具有低声阻抗层5c以及支承层形成部6Ac。低声阻抗层5c成为图7(b)所示的声反射层5的低声阻抗层5c。支承层形成部6Ac成为支承层6的一部分。
接着，如图9(a)所示，与图8(b)以及图8(c)所示的方法同样地，层叠低声阻抗层、高声阻抗层以及支承层形成部。由此，得到低声阻抗层5a、5c、5e、高声阻抗层5b、5d、5f以及支承层形成部6A。另外，在第三实施方式中，支承层形成部6A是在得到低声阻抗层5a、5c、5e时层叠的由3层的支承层形成部构成的层叠体。
接着，如图9(b)所示，设置支承层6。由此，能够在各高声阻抗层5b、5d、5f的外侧配置空隙D1。另外，上述方法是一个例子，配置空隙D1的方法并不限定于上述方法。
在第一和第三实施方式的弹性波装置1和21以及通过作为第二实施方式的制造方法得到的弹性波装置11中，利用了板波。本发明也能够应用为利用体波的弹性波装置。
图10是本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
弹性波装置31利用体波。在弹性波装置31的压电体层32的第一主面32a上设置有第一激励电极33a。在压电体层32的第二主面32b上设置有第二激励电极33b。通过对第一激励电极33a、第二激励电极33b施加电压，从而激励体波。
在第一激励电极33a上层叠有声反射层15。设置有支承层6，使得包围压电体层32、第一激励电极33a以及声反射层15。在声反射层15与支承层6之间配置有空隙D2。另外，也可以不配置空隙D2。
在该情况下，在划片工序时，也难以产生压电体层2与声反射层15的剥离以及声反射层15的各层之间的剥离。
图11是示出第五实施方式涉及的弹性波装置61的划片前的状态的主视剖视图。弹性波装置61具有由压电膜构成的压电体层2和设置在压电体层2的一个面的IDT电极3。而且，在声反射层65上设置有压电体层2。声反射层65具有在层叠方向上交替地层叠了低声阻抗层65a、65c、65e和高声阻抗层65b、65d、65f的构造。在上述低声阻抗层65a上，设置有上述压电体层2。此外，声反射层65层叠在加固基板7上。
参照图12(a)～图12(c)以及图13(a)～图13(c)对弹性波装置61的制造方法进行说明。
通过对由压电体构成的母基板2A的一个面进行图案化，从而设置最终成为压电体层2的突出部2A1。
接着，如图12(b)所示，在上述母基板2A的设置有突出部2A1的一侧层叠低声阻抗层65a、高声阻抗层65b、低声阻抗层65c、高声阻抗层65d、低声阻抗层65e以及高声阻抗层65f。这样，设置声反射层65。在该情况下，因为设置有突出部2A1，所以在声反射层65的与母基板2A相反侧的面会产生突出部65f1。不过，也可以在层叠该声多层膜时，进行适当的消除突出部的处理，从而除去突出部而进行平坦化。平坦化优选通过研磨等进行。
接着，如图12(c)所示，层叠平坦化膜66。平坦化膜66能够由与低声阻抗层65a同样的材料形成。不过，为了容易地进行平坦化，优选使用SiO2膜等。
接着，如图13(a)所示，通过研磨等对平坦化膜66的下表面进行研磨，从而进行平坦化。
接着，如图13(b)所示，将加固基板7与平坦化膜66进行接合。
接着，如图13(c)所示，对母基板2A进行研磨，设置压电体层2。除去上述的突出部2A1的上方的压电基板部分。由此，形成压电体层2。
接着，在压电体层2上，设置IDT电极3以及电极连接盘4、4(参照图11)。
在弹性波装置61中，以母板的构造体进行上述制造工序。然后，进行划片，使得除去由图11的虚线E1和虚线E2包围的部分。由此，得到单个的弹性波装置61。
在弹性波装置61中，压电体层2位于比由虚线E1、E2示出的划片部分更靠内侧。因此，在划片工序时，难以产生压电体层2与声反射层65的剥离。此外，也难以产生压电体层2中的裂纹。
进而，弹性波装置61不需要对声反射层65进行图案化的工序，因此能够降低制造工序数的数目以及成本。
附图标记说明
1：弹性波装置；
2：压电体层；
2a、2b：第一主面、第二主面；
2A：母基板；
2A1：突出部；
2Aa、2Ab：第一主面、第二主面；
3：IDT电极；
4：电极连接盘；
4a：布线；
5：声反射层；
5A：母声反射层；
5a、5c、5e、5aA、5aB、5cA、5cB、5eA：低声阻抗层；
5b、5d、5f、5bA、5dA、5fA：高声阻抗层；
5b1：边缘部；
6：支承层；
6A、6Aa、6Ac：支承层形成部；
6a、6b：第一面、第二面；
6c：开口部；
6c1：侧面部；
6c2：底部；
7：加固基板；
11：弹性波装置；
15：声反射层；
15B：外周部；
15a、15c、15e：低声阻抗层；
15b、15d、15f：高声阻抗层；
21：弹性波装置；
22：压电体层；
22a、22b：第一主面、第二主面；
31：弹性波装置；
32：压电体层；
32a、32b：第一主面、第二主面；
33a：第一激励电极；
33b：第二激励电极；
41：弹性波装置；
46：支承层；
46c：开口部；
51：弹性波装置；
61：弹性波装置；
65：声反射层；
65a、65c、65e：低声阻抗层；
65b、65d、65f：高声阻抗层；
66：平坦化膜。

Claims (15)

1.一种弹性波装置，具备：
压电体层，具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面；
声反射层，层叠在所述压电体层的所述第一主面上；
激励电极，设置在所述压电体层；以及
支承层，
所述声反射层位于在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下至少与所述激励电极重叠的位置，
所述支承层设置为至少在从所述压电体层的第二主面侧的俯视下包围所述声反射层，
所述声反射层具有多个声阻抗层，
在所述多个声阻抗层中的至少一层的外侧配置有空隙。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述支承层设置为在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下包围所述压电体层。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比所述低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的任一方为所述支承层的一部分。
5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的在外侧配置有所述空隙的层是金属层。
6.根据权利要求4或5所述的弹性波装置，其中，
所述空隙位于所述多个声阻抗层中的在层叠方向上连续的至少两层的外侧。
7.根据权利要求1、2、4以及5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述支承层具备具有底部的开口部，
所述声反射层与所述底部接触。
8.根据权利要求1、2、4以及5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述激励电极为IDT电极，并且所述IDT电极设置在所述压电体层的所述第二主面。
9.根据权利要求1、2、4以及5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述激励电极具有第一激励电极、第二激励电极，所述第一激励电极设置在所述压电体层的所述第一主面，所述第二激励电极设置在所述第二主面。
10.根据权利要求1、2、4以及5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
还具备：加固基板，设置在所述支承层的与所述压电体层侧相反侧。
11.根据权利要求1、2、4以及5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述声反射层或者所述多个声阻抗层中的至少一层为氧化硅。
12.一种弹性波装置的制造方法，具备：
在具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面并且由压电体层构成的母基板的所述第一主面上，层叠声反射层的工序；
对所述声反射层进行图案化，并分割为多个声反射层的工序；
在所述母基板的所述第一主面上以及所述多个声反射层上设置支承层的工序；
在所述母基板设置多个激励电极的工序；以及
通过对所述支承层进行划片，从而分割为单个的弹性波装置的工序，
设置所述支承层的工序，是将所述支承层设置为在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下包围各所述声反射层的工序，
层叠所述声反射层的工序，是将所述声反射层设置于在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下至少与各所述激励电极重叠的位置的工序。
13.根据权利要求12所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在所述母基板上层叠所述声反射层的工序是层叠多个声阻抗层的工序，
所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比所述低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层，
层叠所述声反射层的工序以及对所述声反射层进行图案化的工序是如下工序：对所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的任一方进行图案化，然后层叠另一个声阻抗层，使得覆盖进行了该图案化的声阻抗层，并在进行了所述图案化的声阻抗层的外侧配置空隙。
14.一种弹性波装置，具备：
压电体层，具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面；
声反射层，层叠在所述压电体层的所述第一主面上；
激励电极，设置在所述压电体层；以及
支承层，
所述声反射层位于在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下至少与所述激励电极重叠的位置，
所述支承层设置为至少在从所述压电体层的第二主面侧的俯视下包围所述声反射层，
所述声反射层具有多个声阻抗层，
所述多个声阻抗层具有至少一层低声阻抗层和声阻抗比所述低声阻抗层高的至少一层高声阻抗层，
所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的任一方为所述支承层的一部分，
所述低声阻抗层以及所述高声阻抗层中的在外侧配置有空隙的层是金属层。
15.一种弹性波装置，具备：
压电体层，具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面；
声反射层，层叠在所述压电体层的所述第一主面上；
激励电极，设置在所述压电体层；以及
支承层，
所述声反射层位于在从所述压电体层的所述第二主面侧的俯视下至少与所述激励电极重叠的位置，
所述支承层设置为至少在从所述压电体层的第二主面侧的俯视下包围所述声反射层，
所述支承层具备具有底部的开口部，
所述声反射层与所述底部接触。
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