FI113211B - Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite - Google Patents
Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite Download PDFInfo
- Publication number
- FI113211B FI113211B FI982824A FI982824A FI113211B FI 113211 B FI113211 B FI 113211B FI 982824 A FI982824 A FI 982824A FI 982824 A FI982824 A FI 982824A FI 113211 B FI113211 B FI 113211B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- acoustic
- bulk
- wave resonator
- och
- filter
- Prior art date
Links
- 238000010276 construction Methods 0.000 title claims description 13
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 claims description 5
- RYXPMWYHEBGTRV-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sodium Chemical compound [Na+].N=1C2=CC(OC)=CC=C2[N-]C=1S(=O)CC1=NC=C(C)C(OC)=C1C RYXPMWYHEBGTRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims 2
- 241001302210 Sida <water flea> Species 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 230000004044 response Effects 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 SiO2 Chemical compound 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000001837 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008322 ZrN Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002112 ferroelectric ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/566—Electric coupling means therefor
- H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Description
113211
Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite - Balanserad filterkonstruktion och teleapparat
KEKSINNÖN ALA
Keksintö koskee radioviestintälaitteen resonaattorirakenteita, etenkin akustisen bulk-5 kiaallon suodatinrakenteita. Erityisesti keksintö koskee patenttivaatimuksen numero 1 johdanto-osassa kuvattua radiotaajuuden suodatinrakennetta. Keksintö koskee myös patenttivaatimuksen numero 10 johdanto-osassa kuvattua matkaviestinlaitetta.
KEKSINNÖN TAUSTA
Matkaviestintekniikan kehitys etenee kohti yhä pienempiä ja monimutkaisempia kä-10 dessä pidettäviä yksiköitä. Tämä kehitys edellyttää matkaviestinlaitteissa käytetyiltä komponenteilta ja rakenteilta yhä pienempää kokoa. Mainittu kehitys koskee myös radiotaajuisia (RF, Radio Frequency) suodatinrakenteita, joiden tulisi yhä kiihtyvästä miniatyrisaatiokehityksestä huolimatta kestää huomattavan suuritehoista virtaa sekä omata läpäisykaistoissa erittäin jyrkät reunat ja pienet hävikit.
15 Tunnetun tekniikan mukaisissa matkapuhelimissa käytetyt RF-suodattimet ovat Τ'. yleensä erillisiä akustisen pinta-aallon suodattimia (SAW, Surface Acoustic Wave) tai keraamisia suodattimia. Akustisen pinta-aallon (SAW) resonaattoreissa on tyypil-'; ‘ * lisesti samantapainen rakenne kuin oheisessa kuviossa 1 on esitetty. Akustisissa pin- " · ': taresonaattoreissa käytetään kiinteän pinnan akustisia pintaväreilytiloja, joissa tilois- 20 sa väreily rajoittuu kiinteään pintaan ja vaimenee pinnalta nopeasti. Tyypillisesti •S ’ SAW-resonaattorissa on pietsosähköinen kerros 100 ja kaksi elektrodia 122, 124.
SAW-resonaattorien yhteyteen toteutetaan erilaisia resonaattorirakenteita, esimer-: * ·. · kiksi suodattimia. SAW-resonaattorin etuna on sen erittäin pieni koko, mutta valitet- . · *. tavasti se ei kestä suuritehoista virtaa.
: ’ 25 Tekniikan tasossa on tunnettua rakentaa ohuita akustisen bulkkiaallon resonaat- . ' ’: toreita puolijohdinkiekoille, esimerkiksi piistä (Si) tai galliumarsenidista (GaAs) val- . ‘ mistetuille kiekoille. Esimerkiksi K. M. Lakinin ja J. S. Wangin artikkelissa “Acous- " , , tic Bulk Wave Composite Resonators", Applied Physics Letters, Vol. 38, No. 3, • s. 125-127, 1. helmikuuta 1981, kuvataan akustisen bulkkiaallon resonaattoria, jossa 30 ohuista sinkkioksidista (ZnO) valmistetusta kalvosta muodostettuja kerroksia on sputteroitu ohuelle piistä (Si) valmistetulle kalvolle. Edelleen, Hiroaki Satohin, Ya-suo Ebatan, Hitoshi Suzukin ja Choji Naraharan artikkelissa "An Air-Gap Type Piezoelectric Composite Thin Film Resonator", 15 Proc. 39th Annual Symp. Freq.
2 113211
Control, s 361-366, 1985, kuvataan akustisen bulkkiaallon resonaattoria, jossa on siltarakenne.
Kuviossa 2 on esitetty yksi esimerkki akustisen bulkkiaallon resonaattorista, jossa on siltarakenne. Rakenne käsittää kalvon 130, joka on sijoitettu alustalle eli sub-5 straatille 200. Lisäksi resonaattorissa on kalvolla sijaitseva alempi elektrodi 110, pietsosähköinen kerros 100 ja kalvolle sijoitettu ylempi elektrodi 120. Kalvon ja substraatin välille muodostetaan aukko 210 etsaamalla pois uhrauskerros. Aukko toimii akustisena eristimenä, joka erityisesti eristää väreilevän resonaattorirakenteen substraatista.
10 Akustisen bulkkiaallon resonaattorit (BAW, Bulk Acoustic Wave Resonators) eivät vielä ole laajassa käytössä, mikä johtuu osittain siitä, ettei ole pystytty kehittämään käyttökelpoisia menetelmiä mainittujen resonaattorien liittämiseksi muihin elektronisiin kytkentöihin. BAW-resonaattoreilla on kuitenkin eräitä etuja verrattuna SAW-resonaattoreihin. BAW-rakenteilla on esimerkiksi parempi suuritehoisen virran kes-15 tävyys.
Seuraavassa kuvataan ensin tiettyjä BAW-resonaattorityyppejä.
, , : Akustisen bulkkiaallon resonaattoreita valmistetaan tyypillisesti piistä (Si), gal- liumarsenidista (GaAs), lasista tai keraamisista aineista koostuville substraateille. ; Aluminioksidia käytetään myös erään keraamisen substraattityypin materiaalina: ; / 20 Tyypillisesti BAW-laitteita valmistetaan soveltamalla erilaisia ohuen kalvon valmis- ' ' ·' tustekniikoita, esimerkiksi sputterointia, tyhjiökiinnitystä tai kemiallista höyrykiinni- : ; : tystä. Akustisten bulkkiaaltojen muodostamiseksi BAW-laitteissa käytetään ohutta pietsosähköistä kalvokerrosta. Tyypillisten BAW-laitteiden resonanssitaajuudet vaihtelevat 0,5 GHz:sta 5 GHziiin riippuen laitteen koosta ja käytetyistä raaka-• * ‘ ’: 25 aineista. BAW-resonaattorit edustavat kideresonaattorien tyypil-lisiä saija- ja rin- .. ‘. nakkaisresonansseja. Resonanssitaajuudet määräytyvät pääasiassa resonaattorin ma teriaalin ja resonaattorin kerrosten mittasuhteiden mukaan.
Tyypillinen BAW-resonaattori koostuu kolmesta peruselementistä, jotka ovat: . · - akustisesti aktiivinen pietsosähköinen kerros, 30 - pietsosähköisen kerroksen molemmin puolin sijoittuvat elektrodit, ja - akustinen eristys substraatista.
Pietsosähköisen kerroksen materiaali voi olla esimerkiksi ZnO, A1N, ZnS tai jokin muu pietsosähköinen materiaali, josta voidaan valmistaa ohutta kalvoa. Lisäksi esimerkkinä mainittakoon myös ferrosähköiset keraamiset materiaalit, joita voidaan 3 113211 käyttää pietsosähköisenä raaka-aineena. Muun muassa voidaan käyttää seuraavia materiaaleja: PbTi03 ja Pb(ZrxTil-x)03 sekä muita niin sanotun lyijy-lantaani-sirkonaatti-titanaattiperheen materiaaleja.
Materiaali, jota käytetään elektrodikerrosten muodostamiseen, on edullisesti jotakin 5 sähköä johtavaa materiaalia, jolla on suuri akustinen impedanssi. Elektrodit voivat koostua esimerkiksi mistä tahansa sopivasta materiaalista, esimerkkinä seuraavat: wolframi (W), alumini (AI), kupari (Cu), molybdeeni (Mo), nikkeli (Ni), titaani (Ti), niobi (Nb), hopea (Ag), kulta (Au) ja tantaali (Ta). Tyypillisesti substraatissa on esimerkiksi seuraavia aineita: Si, Si02, GaAs, lasi tai keraamiset materiaalit.
10 Akustinen eristys voidaan järjestää esimerkiksi käyttäen seuraavia menetelmiä: - substraattiin muodostetun läpireiän avulla, - mikromekaanisen siltarakenteen avulla, tai - akustisen peilirakenteen avulla.
Läpireikä- ja siltarakenneratkaisuissa akustisesti heijastavina pintoina toimivat ilma-15 rajapinnat laitteiden ala- ja yläpuolella. Siltarakenne valmistetaan tyypillisesti käyttämällä uhrauskerrosta, joka etsataan pois vapaasti seisovan rakenteen muodostamiseksi. Uhrauskerrosta käytettäessä substraattimateriaali voidaan valita laajasta eri materiaalien valikoimasta, sillä tällöin substraattia ei tarvitse modifioida kovin paljon, toisin kuin sovellettaessa läpireikärakennetta. Siltarakenne voidaan muodostaa ;·\ 20 myös käyttämällä etsausonkalorakennetta; siinä tapauksessa etsausonkalo on etsat- ; *: tava substraattiin tai materiaahkerrokseen BAW-resonaattorin alapuolelle vapaasti .:: seisovan siltarakenteen muodostamiseksi.
« ♦ \\ Kuvio 3 havainnollistaa yhtä esimerkkiä useista eri tavoista siltarakenteen muodos- tamiseksi. Kaikkein ensimmäiseksi, ennen muiden BAW-rakenteen kerrosten muo-25 dostamista, muodostetaan ja kuvioidaan uhrauskerros 135. Muu osa BAW-raken-... teestä muodostetaan ja kuvioidaan osittain uhrauskerroksen 135 päälle. Kun loppu- osa BAW-rakenteesta on toteutettu, uhrauskerros 135 etsataan pois. Kuviossa 3 on esitetty myös substraatti 200, kalvokerros 130, alimmainen elektrodi 110, pietsosäh-; köinen kerros 100 ja ylimmäinen elektrodi 120. Uhrauskerros voidaan toteuttaa : 1 ‘ ’; 30 käyttämällä raaka-aineena esimerkiksi metallia tai polymeeriä.
• ’·· Läpireikärakenteessa resonaattori eristetään akustisesti substraatista etsaamalla : substraatista pois suurin osa BAW-resonaattorirakenteesta. Kuviossa 4 on esitetty BAW-resonaattorin läpireikärakenne. Kuviossa 4 nähdään substraatti 200, kalvokerros 130, alempi elektrodi 110, pietsosähköinen kerros 100 ja ylempi elektrodi 120.
4 113211 Läpireikä 211 on etsattu koko substraatin läpi. Vaadittavan etsauksen vuoksi läpi-reikärakenteita käytetään yleensä vain Si- tai GaAs-substraattien yhteydessä.
Eräs tapa BAW-resonaattoiin eristämiseksi substraatista on akustisen peilirakenteen käyttäminen. Akustinen peilirakenne toteuttaa eristyksen heijastamalla akustisen 5 aallon takaisin resonaattorirakenteeseen. Tyypillisesti akustinen peili käsittää useita kerroksia, joiden paksuus on aallonpituuden neljännes keskitaajuudella, ja eri kerroksilla on erilaiset akustiset impedanssit. Akustisen peilin kerrosten lukumäärä on tyypillisesti pariton kokonaisluku, tyypillisesti alueella kolmesta yhdeksään. Kahden perättäisen kerroksen akustisen impedanssin suhteen pitäisi olla mahdollisimman 10 suuri, jotta akustinen impedanssi BAW-resonaattorin suuntaan olisi mahdollisimman pieni, toisin kuin substraattimateriaalin impedanssi, joka on verrattain suuri. Suuren impedanssin omaavien kerrosten materiaali voi olla esimerkiksi kultaa (Au), molybdeenia (Mo) tai wolframia (W), ja pienen impedanssin omaavien kerrosten materiaali voi olla esimerkiksi piitä (Si), polysilikonia (poly-Si), piidioksidia (Si02), 15 aluminia (AI) tai polymeeriä. Koska akustista peilirakennetta soveltavissa rakenteissa resonaattori on eristetty substraatista eikä substraattia ole paljonkaan modifioitu, substraattina voidaan käyttää varsin monia eri materiaaleja. Polymeerikerros voi edustaa mitä tahansa polymeerimateriaalia, jolle on ominaista matala hävikki ja pieni akustinen impedanssi. Edullisesti polymeerimateriaali on sellaista, että se kes-20 tää korkeita lämpötiloja ainakin +350° C asti, sillä akustisen peilirakenteen ja mui-den rakenteiden muodostuksen aikana lämpötilat voivat nousta varsin korkeiksi. ,'·* Polymeerikerros voi olla esimerkiksi polyimidia, sykloteenia, jotain hiilipohjaista ; V: materiaalia, piipohjaista materiaalia tai jotain muuta sopivaa materiaalia.
; .* Kuviossa 5 on esitetty eräs esimerkki akustisen peilirakenteen päälle järjestetystä 25 BAW-resonaattorista. Kuviossa 5 nähdään substraatti 200, alempi elektrodi 110, ·’ ‘ pietsosähköinen kerros 100 ja ylempi elektrodi 120. Tässä esimerkissä akustinen peilirakenne 150 käsittää kolme kerrosta 150a, 150b. Kerroksista 150a kaksi on muodostettu ensimmäisestä materiaalista, ja kolmas kerros 150, joka sijaitsee mai-nittujen kahden kerroksen välissä, on muodostettu toisesta materiaalista. Kuten , * ·, 30 edellä on tuotu esiin, ensimmäisellä ja toisella materiaalilla on erilaiset akustiset im- * I · -! ( pedanssit. Materiaalien järjestys voi vaihdella. Esimerkiksi se materiaali, jolla on 'suuri akustinen impedanssi, voi sijaita keskellä, ja se materiaali, jolla on pieni akus-: '·· tinen impedanssi, voi sijaita keskimmäisen materiaalin molemmin puolin, tai päin- : /.: vastoin. Alimmaista elektrodia voidaan myös käyttää yhtenä akustisen peilin kerrok- 35 sena.
5 113211
Kuviossa 6a on esitetty kaaviokuva ristikkomaisesta suodatinrakenteesta, joka on muodostettu käyttämällä akustisen bulkkiaallon resonaattoreita. BAW-resonaatto-reista koostuva ristikkosuodatinrakenne on yleensä suunniteltu siten, että neljästä resonaattorista kahdella, eli resonaattoreilla A, on suuremmat resonanssitaajuudet kuin 5 resonaattoreilla B. Tyypillisesti A-resonaattorien sarjaresonanssi on täsmälleen tai melkein sama kuin B-resonaattorien rinnakkaisresonanssitaajuus, joka on suodattimen keskitaajuus. Resonanssitaajuuksien ero voidaan saavuttaa esimerkiksi samalla tavoin kuin tikapuurakenteen omaavissa BAW-suodattimissa on tyypillisesti menetelty, toisin sanoen kasvattamalla yhden B-resonaattorin kerrosten paksuutta tai 10 muodostamalla B-resonaattorien päälle ylimääräinen kerros. Mainittu ylimääräinen kerros, jota joskus nimitetään virityskerrokseksi, voi olla joko metallia tai jotain dielektristä materiaalia. Esimerkki tällaisesta ristikkorakenteesta on esitetty kuviossa 6. Resonaattorien koko määräytyy tyypillisesti suodattimen toivotun impedanssita-son mukaisesti. Pääasiassa impedanssitaso määräytyy resonaattorien sisäänrakenne-15 tun sivuvirtakapasitanssin CO mukaan, toisin sanoen ylä- ja alaelektrodin välisen kapasitanssin mukaan. Esimerkki kuvatun suodattimen taajuusvasteesta on esitetty kuviossa 7. Ongelmana mainitunlaisessa rakenteessa on, että läpäisykaistan reunat eivät ole kovin jyrkät, kuten on nähtävissä kuviosta 7.
YHTEENVETO KEKSINNÖSTÄ 20 Keksinnön tavoitteena on toteuttaa suodatinrakenne, jolla entistä paremmat taajuus- , ·, : ominaisuudet. Lisäksi keksinnön tavoitteena on toteuttaa läpäisykaistan suodatinra- kenne, jonka vaimennuskäyrä läpäisykaistan ulkopuolella on erittäin jyrkkä, toisin ! *. kuin tunnetun tekniikan mukaisissa ristikkosuodattimissa.
» · · * · · • · v,: Edellä mainitut tavoitteet saavutetaan konstruoimalla ristikkomuotoinen akustisen 25 bulkkiaallon suodatinrakenne, jossa kahdella resonaattorilla on eri pinta-ala kuin kahdella muulla, jotta suodattimen taajuusvasteeseen saadaan luoduksi erittäin jyr-.···, kät läpäisykaistan reunat. Edullisesti filtterirakenteessa on toinen ristikkorakenne . · · ·. suodatinrakenteen estokaistan hylkäyssuhteen kasvattamiseksi ja yksinkertaisemman mekaanisen rakenteen toteuttamiseksi. Limittäinen järjestely mahdollistaa suodatin-:: 30 rakenteen konstruoinnin siten, että tulo- ja lähtöportin elektrodit sijaitsevat samassa :: kerroksessa, jolloin pietsosähköiseen kerrokseen ei tarvitse muodostaa reikiä, mikä : ·. puolestaan yksinkertaistaa valmistusprosessia huomattavasti. Akustisena eristyksenä , ·, : käytetään edullisesti akustista peilirakennetta, jolloin suodatinrakenteen mekaanises ta rakenteesta saadaan entistä yksinkertaisempi.
6 113211
Keksinnön mukaiselle suodatinrakenteelle on ominaista se mitä on esitetty suodatin-rakennetta koskevan itsenäisen patenttivaatimuksen tunnusmerkkiosassa. Keksinnön mukaiselle matkaviestinlaitteelle on ominaista se mitä on esitetty matkaviestinlaitetta koskevan itsenäisen patenttivaatimuksen tunnusmerkkiosassa. Epäitsenäisissä 5 vaatimuksissa on tuotu esiin keksinnön muita edullisia suoritusmuotoja.
Ne uudet keksinnölliset ominaisuudet, joita pidetään keksinnölle tunnusomaisina, on erityisesti tuotu esiin oheisissa patenttivaatimuksissa. Sen sijaan itse keksintö, sen rakenne ja toimintaperiaate sekä sen muut tavoitteet ja edut käyvät parhaiten ilmi seuraavasta keksinnön suoritusmuotojen kuvauksesta yhdessä oheisten piirrosten 10 kanssa.
PIIRROSLUETTELO
Erästä keksinnön edullista suoritusmuotoa on seuraavassa kuvattu yksityiskohtaisemmin, joskin ainoastaan esimerkinomaisesti, viittaamalla oheisiin piirroksiin, joista 15 kuvioi esittää tunnetun tekniikan mukaista akustista pintaresonaattoria, kuvio 2 esittää tunnetun tekniikan mukaista bulkkiaallon akustista pintaresonaattoria, « · · kuvio 3 esittää toista bulkkiaallon akustista pintaresonaattoria, jossa on siltara- • * • ‘: kenne, 20 kuvio 4 esittää bulkkiaallon akustista pintaresonaattoria, jossa on läpireikäraken- I · ne, * · * · • ‘ : kuvio 5 esittää bulkkiaallon akustista pintaresonaattoria, joka on eristetty sub straatista akustisen peilirakenteen avulla, ,···, kuviot6aja6b esittävät tunnetun tekniikan mukaista ristikkorakennetta, joka on ‘ · ’ 25 toteutettu käyttämällä bulkkiaallon akustisia resonaattoreita, : ‘ ‘ ‘: kuvio 7 havainnollistaa kuvioissa 6a ja 6b esitetyn rakenteen taajuusvastetta, • ’ · kuvio 8 esittää erään keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaista bulkkiaallon : ’ .: akustista suodatinrakennetta, kuvio 9 esittää esimerkkiä kuvion 8 mukaisen rakenteen taajuusvasteesta, 7 113211 kuvio 10 esittää sellaisen suodatinrakenteen taajuusvastetta, jossa tunnettu ristikkorakenne, jossa on kooltaan samanlaiset resonaattorit, on limitetty kuvion 8 mukaisen suodatinrakenteen kanssa, kuvio 11 havainnollistaa esimerkkiä suodatinrakenteesta, jossa kaksi tunnetun 5 tekniikan mukaista ristikkoa on kytketty sarjaan, kuvio 12 esittää erään keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaista suodatinra-kennetta, jossa kaksi ristikkorakennetta, joissa on erikokoiset resonaattorit, on kytketty sarjaan, kuvio 13 esittää erään keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaista rakennetta, 10 jossa neljä ristikkorakennetta on kytketty sarjaan, ja kuvio 14 havainnollistaa lohkokaavion muodossa erään keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaista matkaviestintä.
Kuvioita 1 - 7 on selostettu edellä tekniikan tason kuvauksen yhteydessä. Toisiaan vastaavista elementeistä käytetään piirroksissa samoja viitenumerolta.
15 KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS
. Keksinnön mukaisesti suodatinrakenne käsittää ainakin yhden ristikkorakenteen.
;·· Ristikkorakenteen neljästä resonaattorista kahdella on kahta muuta suurempi pinta- ala. Ne resonaattorit, joilla on suurempi pinta-ala, voivat olla joko kuviossa 6a B-v'.: kirjaimella merkittyjä resonaattoreita, tai kuviossa 6a A-kirjaimella merkittyjä reso- 20 naattoreita. Toisin sanoen ne kaksi resonaattoria, joilla on suurempi pinta-ala, sisäl-v t: tävät ensimmäinen resonaattorin, joka yhdistää ensimmäisen portin PORT A ensim- : mäisen linjan toisen portin PORT B ensimmäiseen linjaan, ja toisen resonaattorin, joka yhdistää ensimmäisen portin toisen linjan toisen portin toiseen linjaan. Tässä . * *. selostuksessa ja etenkin oheisissa patenttivaatimuksissa termillä 'resonaattorin pinta- . · · ·. 25 ala' tarkoitetaan resonaattorin poikkileikkauspinta-alaa, kun poikkileikkaus on suori-' ·' tettu substraattipinnan kanssa olennaisesti samansuuntaisessa tasossa.
;··. Kuvio 8 esittää esimerkkiä erään keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisen suodattimen rakenteesta. Kuviossa 8 nähdään alemmat elektrodit 110, ylemmät • " elektrodit 120 ja elektrodien välissä sijaitsevat pietsosähköiset kerrokset 100. Vaikka ‘* i 30 kuvion 8 esimerkissä kaikilla neljällä resonaattorilla on erilliset pietsosähköiset kerrokset, keksinnön eri suoritusmuodoissa resonaattorien pietsosähköiset kerrokset voivat muodostaa yhden ainoan yhtenäisen kerroksen. Mainitussa ratkaisussa reso 8 113211 naattorin pinta-ala määräytyy olennaisesti ylempien ja alempien elektrodien päällekkäin sijoittuvan pinta-alan mukaisesti siinä kohden, missä päällekkäisyyttä esiintyy.
Erityisesti kuviossa 8 on esitetty suodatinrakenne, jossa on ensimmäinen signaloin-tilinja, toinen signalointilinja, kolmas signalointilinja ja neljäs signalointilinja, ja 5 jossa rakenteessa on lisäksi - ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti ensimmäinen pinta-ala, - toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti ensimmäinen pinta-ala, 10 - kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, - neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, missä mainittu ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty ensimmäisen ja kolmannen signalointilinjan väliin, mainittu toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty toisen ja neljännen signalointilinjan väliin, mainittu kolmas 15 akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty ensimmäisen ja neljännen signaloin-tilinjan väliin, ja mainittu neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty toisen ja kolmannen signalointilinjan väliin, ja mainittu ensimmäinen pinta-ala on olennaisesti erilainen kuin mainittu toinen pinta-ala. Lisäksi suodatmrakenteessa voi olla ensimmäinen signalointiportti, joka käsittää ensimmäisen ja toisen signalointi-20 linjan, ja toinen signalointiportti, joka käsittää kolmannen ja neljännen signalointi- •. : linjan.
• · . ‘.: Resonaattorien A ja B keskinäisen kokoeron ansiosta taajuusvaste on läpäisykaistan .‘Ί lähistöllä jyrkempi kuin tunnetun tekniikan mukaisissa ristikkorakenteissa. Tätä on v,! havainnollistettu kuviossa 9, joka kuvaa esimerkkiä kuvion 8 mukaisen ristikkosuo- T: 25 datinrakenteen taajuusvasteesta, ja jossa A-resonaattorien pinta-alan suhde B-reso- naattorien pinta-alaan on 1,2. Kuten kuviosta 9 on nähtävissä, vaimennus kasvaa ’ * *. nopeammin kuin tunnetun tekniikan mukaisessa ratkaisussa, jota on esitetty kuvios- *« · . ··. sa 7. Estokaistan hylkäystaso kuitenkin laskee taajuuksilla, jotka sijoittuvat kauem- • ’ mas läpäisykaistasta. Tämä ongelma voidaan kuitenkin ratkaista lisäämällä suodatin- .:.' 30 rakenteeseen toinen ristikkoaste.
i ·
Kuvio 10 esittää sellaisen suodatinrakenteen taajuusvastetta, jossa perinteinen ris-: ‘ tikkorakenne, jossa on keskenään samankokoiset resonaattorit, on limitetty kuvion 8 ‘ · ': mukaisen suodatinrakenteen kanssa. Kuviosta 10 havaitaan, että tulokseksi saadaan taajuusvaste, jolla on sekä erittäin jyrkät läpäisykaistan reunat että hyvä estokaistan 35 hylkäystaso. Kuviossa 11 on esitetty sellaisen suodatinrakenteen taajuusvaste, jossa 9 113211 on kaksi perinteistä ristikkorakennetta on kytketty sarjaan. Kuviosta 11 havaitaan, että läpäisykaistan reunat ovat toki jyrkemmät kuin kuviossa 7 esitetyn yhden perinteisen ristikkorakenteen tapauksessa, mutta eivät yhtä jyrkät kuin kuvion 10 tapauksessa. Siksi eräässä keksinnön edullisessa suoritusmuodossa yhdistetty suodatinra-5 kenne käsittää yhden BAW-ristikon, jossa kahdella resonaattorilla on eri pinta-ala kuin kahdella muulla resonaattorilla, ja yhden BAW-ristikon, jossa kaikki resonaattorit ovat olennaisesti samankokoisia.
Erityisesti erään toisen keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisessa suodatinra-kenteessa on 10 - ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti ensimmäi nen pinta-ala, - toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti ensimmäinen pinta-ala, - kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, ja 15 - neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, sekä - viides akustisen bulkkiaallon resonaattori, - kuudes akustisen bulkkiaallon resonaattori, - seitsemäs akustisen bulkkiaallon resonaattori ja 20 - kahdeksas akustisen bulkkiaallon resonaattori, .. i' missä mainittu ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty ensim- . * : mäisen ja kolmannen signalointilinjan väliin, mainittu toinen akustisen bulkkiaallon , v resonaattori on kytketty toisen ja neljännen signalointilinjan väliin, 6 * ; / mainittu kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty ensimmäisen ja 25 neljännen signalointilinjan väliin, ja mainittu neljäs akustisen bulkkiaallon resonaat- • ‘ ‘ tori on kytketty toisen ja neljännen signalointilinjan väliin, mainittu viides akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty kolmannen ja viidennen signalointilinjan vä-,, * Uin, mainittu kuudes akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty neljännen ja ,..: kuudennen signalointilinjan väliin, mainittu seitsemäs akustisen bulkkiaallon reso- , 30 naattori on kytketty kolmannen ja kuudennen signalointilinjan väliin, ja mainittu .*··. kahdeksas akustisen bulkkiaallon resonaattori on kytketty neljännen ja viidennen • ‘ signalointilinjan väliin, siten että mainittu ensimmäinen pinta-ala on olennaisesti eri : * · kokoinen kuin mainittu toinen pinta-ala. Kuvatussa suodatinrakenteessa on lisäksi ;, ’ - · ensimmäinen signalointiportti, joka käsittää ensimmäisen ja toisen signalointilinjan, 35 ja toinen signalointiportti, joka käsittää viidennen ja kuudennen signalointilinjan.
113211 ίο
Mainittujen viidennen, kuudennen, seitsemännen ja kahdeksannen akustisen bulkki-aallon resonaattorin pinta-ala voi olla olennaisesti samankokoinen. Keksinnön muissa suoritusmuodoissa on kuitenkin mahdollista kytkeä sarjaan kaksi suodatinta, joiden rakenne on samanlainen kuin kuviossa 8 esitetty. Tällaista ratkaisua on kuvattu 5 kuviossa 12. Kuviossa 12 nähdään alemmat elektrodit 110 ja ylemmät elektrodit 120 sekä kaksi signalointiporttia PORT Aja PORT B. Selvyyden vuoksi kuviossa 12 ei ole esitetty muita kerroksia, kuten pietsosähköistä kerrosta. Tässä suoritusmuodossa mainitulla viidennellä akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti kolmas pinta-ala, mainitulla kuudennella akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennai-10 sesti kolmas pinta-ala, mainitulla seitsemännellä akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti neljäs pinta-ala, ja mainitulla kahdeksannella akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti neljäs pinta-ala, siten että mainittu kolmas pinta-ala on olennaisesti eri kokoinen kuin mainittu neljäs pinta-ala.
Kuviossa 12 esitetyn limitetyn topologian huomattavana etuna on, että sekä tulo-15 että lähtöportit PORT A, PORT B voivat sijaita päällimmäisessä elektrodikerrokses-sa. Tämä puolestaan mahdollistaa sen, että pietsosähköistä kerrosta ei tarvitse kuvioida, toisin sanoen että pietsosähköisen kerroksen voidaan antaa peittää koko substraattikiekko, koska signalointiyhteyksien muodostamiseksi ei ole tarpeen päästä käsiksi alempaan elektrodikerrokseen. Näin ollen tarvittavien maskien ja pro-20 sessointiajan tarve vähenee ja kustannukset laskevat. Kuvatunlaista topologiaa voi- t , i j * daan käyttää useimpien tässä selostuksessa kuvattujen BAW-perusrakenteiden yhte- ydessä, mutta kaikkein yksinkertaisin suodatinrakenne saavutetaan käyttämällä Y: akustisella peilieristyksellä varustettua BAW-resonaattoria. Limitetyn topologian \ | toteuttaminen akustisen peilieristyksen yhteydessä johtaa yksinkertaiseen rakentee- I · •, *, 25 seen, jossa on Y, - useita suuren ja pienen impedanssin kerroksia akustisen peilirakenteen toteuttami- * * seksi, .,, - alempi elektrodikerros, ‘;;; ’ - pietsosähköinen kerros, ···' 30 - ylempi elektrodikerros, sekä ; -joissakin resonaattoreissa virityskerros edellä kuvattujen resonanssitaajuuspoik- : ''; keamien muodostamiseksi.
a i » ; *·· Kuvatussa kerrosrakenteessa on kuitenkin vain kolme kerrosta, jotka vaativat kuvi- ; \: ointia, toisin sanoen elektrodikerrokset ja virityskerros, minkä ansiosta maskien lu- 35 kumäärä on erittäin pieni, ja valmistusprosessista tulee nopea ja halpa.
11 113211
Limitetyssä rakenteessa voidaan käyttää myös useampia ristikkorakenteita kuin kuviossa 12 on esitetty. Kuviossa 13 on esimerkki limitetystä suodatinrakenteesta, jossa on neljä ristikkoalirakennetta 200. Kuten kuviosta 13 havaitaan, limitetyn topologian ansiosta rakenteen tulo- ja lähtöportit sijaitsevat samassa elektrodikerroksessa 5 ryhminä, joissa on parillinen määrä ristikon alirakenteita.
Eräässä toisessa keksinnön edullisessa suoritusmuodossa limitettyä topologiaa sovelletaan siten, että tulo-ja lähtöelektrodit sijaitsevat alemmassa elektrodikerroksessa.
Kuvio 14 on lohkokaavio, joka esittää erään toisen keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaista matkaviestintä. Matkaviestimen vastaanotinosassa on ensimmäi-10 nen vastaanottimen suodatinryhmä 302a vastaanotetun signaalin suodattamiseksi, vastaanottimen vahvistin 605 vastaanotetun signaalin vahvistamiseksi, toinen vastaanottimen suodatinryhmä 302b vastaanotetun signaalin suodattamiseksi edelleen, mikseri 610 vastaanotetun signaalin konvertoimiseksi kantataajuudelle, vastaanotin-lohko 630 signaalin demoduloimiseksi ja dekoodaamiseksi, ja kuuloke 650 tai kaiu-15 tin 650 vastaanotettavan äänisignaalin tuottamiseksi. Suodatinryhmä käsittää tyypillisesti joukon suodattimia ja kytkimiä, joiden avulla matkaviestimen ohjauslohko 640 valitsee kytkimien yhteydessä käytettäväksi halutun suodattimen. Suodattimien lukumäärä ja niiden ominaisuudet kussakin suodatinryhmässä voidaan valita kulloisenkin sovelluksen vaatimusten mukaisesti. Lähetinosassa on mikrofoni 656, lähe-. 20 tinlohko 635 lähetettävän signaalin koodaamiseksi ja signaalin muun tarvittavan ‘I”. prosessoinnin suorittamiseksi, modulaattori 615 moduloidun radiotaajuisen signaa-
• · I
• ; · Iin tuottamiseksi, ensimmäinen lähettimen suodatinryhmä 302d, lähettimen vahvis- ’·*· tin 606 ja toinen lähettimen suodatinryhmä 302c. Lisäksi matkaviestimessä on an- tenni 601, oskillaattorilohko 602, ohjauslohko 640, näyttö 652 ja näppäimistö 654.
• · v.: 25 Ohjauslohko 640 ohjaa vastaanotin- ja lähetinlohkojen sekä oskillaattorilohkon : : toimintaa, näyttää laitteen käyttäjälle tietoja näytöllä 652 ja vastaanottaa käyttäjän komentoja näppäimistön 654 kautta. Suodatmryhmien 302a, 302b, 302c ja 302d "·. suodattimien rakenne voi olla esimerkiksi kuvion 8a mukainen. Suodatinryhmissä * · · , · · ·. 302a, 302b, 302c ja 302d voidaan käyttää myös muita tässä hakemuksessa kuvattuja 30 keksinnöllisiä suodatinrakenteita. Vastaanottimen suodatinryhmiä 302a, 302b käyte-'···* tään rajoittamaan kohinaa ja häiritseviä signaaleja, joita vastaanotin vastaanottaa vastaanottavalta kaistalta. Lähettimen puolella lähettimen suodatinryhmiä 302c, ; ’. _ 302d voidaan käyttää puhdistamaan kohinaa, jota lähetinpiirit synnyttävät haluttujen . *. : lähetintaajuuksien ulkopuolella. Oskillaattorilohkossa 620 voi olla myös suodatin- 35 lohko ei-toivotun kohinan poistamiseksi oskillaattoripiirin ulostulosta.
12 113211
Keksinnön mukaisella suodatinrakenteella on paremmat taajuusominaisuudet kuin edellä kuvatuilla tunnetun tekniikan mukaisilla BAW-ristikkosuodatinrakenteilla. Erityisesti keksinnölle on ominaista, että uusilla keksinnöllisillä suodatinrakenteilla on kantataajuuden ulkopuolella jyrkempi vaimennuskäyrä. Limitettyjä suodatinra-5 kenteita, joissa käytetään esimerkiksi kuvion 12 yhteydessä kuvattua akustista peili-eristystä, on lisäksi entistä helpompi valmistaa, koska pietsokerrosta ei tarvitse kuvioida, mikä vähentää tarvittavien prosessivaiheiden lukumäärää. Edelleen, koska kuvatun kaltaisissa ratkaisuissa suodattimen tulo- ja lähtöportit sijaitsevat samassa kerroksessa, pietsokerrokseen ei tarvitse valmistaa läpireikiä piirikytkentöjen teke-10 miseksi ylemmästä elektrodikerroksesta alempaan elektrodikerrokseen, mikä lisää rakenteen luotettavuutta.
Vaikka akustisella peilieristyksellä varustettujen BAW-resonaattorien käyttö limitetyissä suodatinrakenteissa on edullista yllä mainitun rakenteen yksinkertaisuuden ja valmistusprosessin helppouden ansiosta, keksintö ei missään tapauksessa rajoitu 15 vain kuvattuihin rakenteisiin. Kaikkia BAW-perasrakenteita, kuten läpireikä- ja sil-tarakenteita, voidaan käyttää keksinnön eri suoritusmuotojen mukaisissa ristikko-suodatinrakenteissa.
Keksinnön muissa edullisissa suoritusmuodoissa keksinnön mukaisia resonaattorira-kenteita käytetään toisentyyppisissä pienissä radiolähetin- ja/tai vastaanotinraken-·_ 20 teissä, kun laitteen komponenteilta edellytetään pientä kokoa. Keksinnön mukaisia suodatinrakenteita voidaan edullisesti käyttää esimerkiksi langattomien viestintäjär- » · 9 ; / jestelmien talonsisäisissä tukiasemissa, esimerkiksi solukkoviestintäjärjestelmissä tai • · '· muuntyyppisissä langattomissa puhelinjärjestelmissä. Lisäksi keksinnön mukaisia . : suodatinrakenteita voidaan edullisesti käyttää esimerkiksi kannettaviin tietokoneisiin .:: 25 asennetuissa radiolinkkiyksiköissä, henkilökohtaisissa digitaalisissa apuvälineissä ja kaukosäätölaitteissa.
Erään keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti substraattia, jolle resonaatto-;;; rirakenteet muodostetaan, käytetään alustana johon muut komponentit kiinnitetään.
'; ’ ’ Mainittu alusta voi esimerkiksi tarjota kytkentäyhteydet muille komponenteille, jot- : ’: 30 ka kytkentäyhteydet toteutetaan sähköisesti johtavana kuviointina substraatin pinnal- le. Sen jälkeen komponentteja, esimerkiksi integroituja virtapiirejä, voidaan kiinnittää suoraan substraatille. Esimerkiksi pakkaamattomia integroituja virtapiirejä voi-’ daan kiinnittää suoraan substraatille käyttämällä niin sanottua flip-chip-kiinnitys- tekniikkaa. Tällainen ratkaisu on erityisen edullinen, kun substraattimateriaalina 35 käytetään lasia, sillä lasisubstraattien huokean hinnan ansiosta on mahdollista tuot- 13 113211 taa kohtalaisen suuria alustoja, jolloin mainituille alustoille mahtuu niihin kiinnitettyjen resonaattorirakenteiden lisäksi myös muita komponentteja.
Edellä keksinnön eri suoritusmuotojen kuvauksen yhteydessä mainitut materiaalit ovat vain esimerkkejä, ja alan ammattimies voi käyttää selostuksessa kuvattuihin 5 ratkaisuihin myös monia muita materiaaleja. Esimerkiksi akustisen peilirakenteen suuri-impedanssiset kerrokset voidaan valmistaa esimerkiksi sellaisista metalleista kuin Au, Mo tai W. Suuri-impedanssiset kerrokset valmistetaan kuitenkin mieluiten dielektrisistä materiaaleista, esimerkkinä ZnO, A1203, A1N, ZrN, Si3N4, timantti, hiilinitridi, boorikarbidi, WC, W2C, WC(4% Co) tai muut vaikeasti sulavat metalli-10 karbidit, ΗίΌ2, Y203, Zr02, Nb205, Sn02, Ta205, Ti02, Ce02, Ir02, tai muut kovat ja raskaat oksidit. Akustisen peilirakenteen matalan impedanssin kerrokset voidaan valmistaa esimerkiksi seuraavista materiaaleista: Si, poly-Si, As2S3, BN, B, grafiitti, Si02, NaCl, LiCl, polyimidi, epoksi, nailon, polyetyleeni, polystyreeni ja muut hiili- tai piipolymeerit. Ratkaisuissa, joissa käytetään uhrauskerrosta, esimer-15 kiksi siltatyyppisiä BAW-rakenteita soveltavassa suodatinrakenteessa, uhrauskerros voidaan toteuttaa käyttämällä lukuisia eri materiaaleja. Uhrauskerros voidaan valmistaa esimerkiksi käyttämällä materiaalina kuparia (Cu). Käytetty polymeeri on edullisesti polymeeri, joka kestää verrattain korkeita lämpötiloja, joita muiden kerrosten kiinnitysvaiheessa voi syntyä. Mainittu polymeeri voi olla esimerkiksi poly-20 tetrafluoroetyleeni tai sen johdannainen, polyfenyylisulfidi, polyeetterieetteriketoni, • * · poly(parafenyleenibentsobismidatsoli), poly(parafenyleenibentsobisoksatsoli), poly- : (parafenyleenibentsobismidatsoli), poly(parafenyleenibentsobisthiatsoli), polyimidi, .v. polyimidisiloksaani, vinyylieetteri, polyfenyyli, paryleeni-n, paiyleeni-f tai bentso- syklobuteeni. Uhrauskerros voidaan myös muodostaa mistä tahansa tunnetussa ; . ‘ 25 tekniikassa käytetystä materiaalista, esimerkiksi sinkkioksidista (ZnO). Metallin tai polymeerin käyttöä pidetään kuitenkin suositeltavana, kuten edellä on selostettu.
Sen perusteella, mitä edellä on esitetty, alan ammattimiehelle on selvää, että keksin-; ’ ‘ ·. töön voidaan tehdä monenlaisia muunnoksia sen keksinnöllisen ajatuksen puitteissa.
.···. Edellä on kuvattu yksityiskohtaisesti erästä keksinnön edullista suoritusmuotoa, ·[ 30 mutta on selvä, että sitä voidaan muokata ja muunnella monin eri tavoin keksinnön ' :.: hengen ja suojapiirin mukaisesti.
* · 1 · » * * ·
Claims (10)
1. Suodatinrakenne, jossa on ensimmäinen signalointilinja, toinen signalointilinja, kolmas signalointilinja ja neljäs signalointililinja, tunnettu siitä, että rakenteessa on 5 ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori jolla on olennaisesti ensimmäinen pinta-ala, toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori jolla on olennaisesti ensimmäinen pinta-ala, kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, ja 10 neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, ja että mainittu ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty ensimmäisen ja kolmannen signalointilinjan väliin, mainittu toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty toisen ja neljännen 15 signalointilinjan väliin, mainittu kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty ensimmäisen ja neljännen signalointilinjan väliin, ja mainittu neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty toisen ja kolmannen signalointilinjan väliin, 20 ja että ··· mainittu ensimmäinen pinta-ala on olennaisesti erikokoinen kuin mainittu toinen . . : pinta-ala. • ·
2. Filterkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att filterkonstruktionen dessutom innefattar en första signaleringsport med en första och andra signaleringslinje, och en andra signaleringsport med en tredje och en fjärde signaleringslinje. 10
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että suoda- ·.*·: tinrakenteessa on edelleen ensimmäinen signalointiportti, jossa on ensimmäinen ja ’,25 toinen signalointilinja, ja toinen signalointiportti, jossa on kolmas ja neljäs signa- lointilinja.
3. Filterkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att filterkonstruktionen dessutom innefattar en femte och en sjätte signaleringslinje, och en femte akustisk bulkvagsresonator, 15 en sjätte akustisk bulkvagsresonator, en sjunde akustisk bulkvagsresonator och en ättonde akustisk bulkvagsresonator, och att . ;: · nämnda femte akustiska bulkvagsresonator är kopplad mellan nämnda tredje och 20 femte signaleringslinje, I · y. nämnda sjätte akustiska bulkvagsresonator är kopplad mellan nämnda fjärde och . ·. : sjätte signaleringslinje, nämnda sjunde akustiska bulkvagsresonator är kopplad mellan nämnda tredje och !.sjätte signaleringslinje, och 25 nämnda ättonde akustiska bulkvagsresonator är kopplad mellan nämnda fjärde och femte signaleringslinje. * » ·
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että suoda- ;;; ’ tinrakenteessa on lisäksi viides ja kuudes signalointilinja, ja ; ‘: 30 viides akustisen bulkkiaallon resonaattori, ; “ *: kuudes akustisen bulkkiaallon resonaattori, t I · seitsemäs akustisen bulkkiaallon resonaattori ja '. . kahdeksas akustisen bulkkiaallon resonaattori, ja että 35 mainittu viides akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty mainittujen kolmannen ja viidennen signalointilinjan välille, 15 113211 mainittu kuudes akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty mainittujen neljännen ja kuudennen signalointilinjan välille, mainittu seitsemäs akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty mainittujen kolmannen ja kuudennen signalointilinjan välille, ja 5 mainittu kahdeksas akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty mainittujen neljännen ja viidennen signalointilinjan välille.
4. Filterkonstruktion enligt patentkrav 3, kännetecknad av att filterkonstruktionen dessutom innefattar en första signaleringsport med en första och en andra ,···. 30 signaleringslinje, och en andra signaleringsport med en femte och sjätte ' ·' signaleringslinje. :. ‘ · · 5. Filterkonstruktion enligt patentkrav 3, kännetecknad av att nämnda femte akustiska bulkvagsresonator har en väsentligen tredje yta, 35 nämnda sjätte akustiska bulkvagsresonator har en väsentligen tredje yta, nämnda sjunde akustiska bulkvagsresonator har en väsentligen fjärde yta, nämnda ättonde akustiska bulkvagsresonator har en väsentligen fjärde yta, och att 18 113211 nämnda tredje yta är väsentligen av annan storlek än nämnda ijärde yta.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että suoda-tinrakenteessa on lisäksi ensimmäinen signalointiportti, jossa on ensimmäinen ja toinen signalointilinja, ja toinen signalointiportti, jossa on viides ja kuudes signa- 10 lointilinja.
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että mainitulla viidennellä akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti kolmas pinta-ala, mainitulla kuudennella akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti kolmas 15 pinta-ala, mainitulla seitsemännellä akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti neljäs pinta-ala, mainitulla kahdeksannella akustisen bulkkiaallon resonaattorilla on olennaisesti neljäs pinta-ala, 20 ja että ‘; *;. mainittu kolmas pinta-ala on olennaisesti erikokoinen kuin mainittu neljäs pinta-ala. * * · * · · • ·
6. Filterkonstruktion enligt patentkrav 3, kännetecknad av att nämnda femte, sjätte, sjunde och ättonde akustiska bulkvägsresonator har väsentligen lika stor yta. 5
6. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että maini- : * ·, j tuilla viidennellä, kuudennella, seitsemännellä ja kahdeksannella akustisen bulkki- : ‘; ‘. aallon resonaattorilla on olennaisesti samankokoinen pinta-ala. * * * · · = ' ‘ 25 7. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että suoda- tinrakenteeseen kuuluu lisäksi akustinen peilirakenne. » * * . · · ·. 8. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että mainittu- * • ’ jen resonaattorien pietsokerrokset muodostavat yhden yhtenäisen materiaalikerrok- ';*·* sen. * * » # *
7. Filterkonstruktion enligt patentkrav 3, kännetecknad av att filterkonstruktionen dessutom innefattar en akustisk spegelkonstruktion.
8. Filterkonstruktion enligt patentkrav 3, kännetecknad av att piezoskikten hos 10 nämnda resonatorer bildar ett enhetligt materialskikt.
9. Filterkonstruktion enligt patentkrav 3, kännetecknad av att den första, andra, femte och sjätte signaleringslinjen ligger pä samma sida av piezoskiktet.
9. Patenttivaatimuksen 3 mukainen suodatinrakenne, tunnettu siitä, että ensim- . ’’ mäkien, toinen, viides ja kuudes signalointilinja sijaitsevat pietsokerroksen samalla • ’: puolella. 16 113211
10. Matkaviestinlaite, jossa on ensimmäisen, toisen, kolmannen ja neljännen signalointilinjan käsittävä suodatin, tunnettu siitä, että suodattimessa on lisäksi ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti ensimmäinen 5 pinta-ala, toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti ensimmäinen pinta-ala, kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, ja neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori, jolla on olennaisesti toinen pinta-ala, 10 ja että mainittu ensimmäinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty ensimmäisen ja toisen signalointilinjan välille, mainittu toinen akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty toisen ja neljännen signalointilinjan välille, 15 mainittu kolmas akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty ensimmäisen ja neljännen signalointilinjan välille, ja mainittu neljäs akustisen bulkkiaallon resonaattori on yhdistetty toisen ja kolmannen signalointilinjan välille, : ja että ·’ '·; 20 mainittu ensimmäinen pinta-ala on olennaisesti erikokoinen kuin mainittu toinen . ; ’: pinta-ala. ’ ‘ 1. Filterkonstruktion innefattande en första signaleringslinje, en andra 25 signaleringslinje, en tredje signaleringslinje och en ijärde signaleringslinje, :, i kännetecknad av att konstruktionen innefattar ’: en första akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen första yta, en andra akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen första yta, ,! en tredje akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen andra yta, och ;' 30 en Ijärde akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen andra yta, och att nämnda första akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den första och ,: den tredje signaleringslinjen, nämnda andra akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den andra och den Ijärde signaleringslinjen, 35 nämnda tredje akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den första och den ijärde signaleringslinjen, 17 113211 nämnda fjärde akustiska bulkvagsresonator är kopplad mellan den andra och den tredje signaleringslinjen, och att nämnda första yta är väsentligen av annan storlek än nämnda andra yta. 5
10. Teleapparat, innefattande ett filter med en första, andra, tredje och fjärde signaleringslinje, kännetecknad av att filtret dessutom innefattar en första akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen första yta, . ;: · en andra akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen första yta, : . | 20 en tredje akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen andra yta, och . ·. en fjärde akustisk bulkvägsresonator med en väsentligen andra yta, . . : och att nämnda första akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den första och • «· , · ‘ den andra signaleringslinjen, nämnda andra akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den andra och den 25 fjärde signaleringslinjen, nämnda tredje akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den första och den : fjärde signaleringslinjen, och nämnda ijärde akustiska bulkvägsresonator är kopplad mellan den andra och den tredje signaleringslinjen, ··. 30 och att • ‘ nämnda första yta har väsentligen annan storlek än nämnda andra yta.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI982824A FI113211B (fi) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
| EP99310298A EP1017170A3 (en) | 1998-12-30 | 1999-12-21 | A balanced filter structure |
| EP10181555A EP2299594A1 (en) | 1998-12-30 | 1999-12-21 | A balanced filter structure |
| JP11375291A JP2000232334A (ja) | 1998-12-30 | 1999-12-28 | フィルタ構造 |
| US09/473,395 US6278342B1 (en) | 1998-12-30 | 1999-12-28 | Balanced filter structure utilizing bulk acoustic wave resonators having different areas |
| CNB991275144A CN1160853C (zh) | 1998-12-30 | 1999-12-30 | 平衡滤波器结构 |
| JP2011004509A JP2011072047A (ja) | 1998-12-30 | 2011-01-13 | フィルタ構造 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI982824 | 1998-12-30 | ||
| FI982824A FI113211B (fi) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI982824A0 FI982824A0 (fi) | 1998-12-30 |
| FI982824A FI982824A (fi) | 2000-07-01 |
| FI113211B true FI113211B (fi) | 2004-03-15 |
Family
ID=8553216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI982824A FI113211B (fi) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6278342B1 (fi) |
| EP (2) | EP2299594A1 (fi) |
| JP (2) | JP2000232334A (fi) |
| CN (1) | CN1160853C (fi) |
| FI (1) | FI113211B (fi) |
Families Citing this family (93)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713938B2 (en) * | 1999-01-14 | 2004-03-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for filtering signals utilizing a vibrating micromechanical resonator |
| US6424074B2 (en) * | 1999-01-14 | 2002-07-23 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for upconverting and filtering an information signal utilizing a vibrating micromechanical device |
| FI107661B (fi) | 1999-11-29 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Menetelmä balansoidun suotimen keskitaajuuden säätämiseksi ja joukko balansoituja suotimia |
| CN1383610B (zh) * | 2000-04-06 | 2010-05-26 | Nxp股份有限公司 | 包括谐振器的可调谐滤波器装置 |
| US7132309B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-07 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and methods of forming |
| US6659161B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-12-09 | Chien-Min Sung | Molding process for making diamond tools |
| US6814130B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-11-09 | Chien-Min Sung | Methods of making diamond tools using reverse casting of chemical vapor deposition |
| US6674291B1 (en) * | 2000-10-30 | 2004-01-06 | Agere Systems Guardian Corp. | Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom |
| US6515558B1 (en) * | 2000-11-06 | 2003-02-04 | Nokia Mobile Phones Ltd | Thin-film bulk acoustic resonator with enhanced power handling capacity |
| FI113111B (fi) * | 2000-11-24 | 2004-02-27 | Nokia Corp | Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely |
| DE10058339A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Bulk-Acoustic-Wave-Filter |
| KR100398363B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조방법 |
| US6496085B2 (en) * | 2001-01-02 | 2002-12-17 | Nokia Mobile Phones Ltd | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
| US6548943B2 (en) * | 2001-04-12 | 2003-04-15 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method of producing thin-film bulk acoustic wave devices |
| KR100541895B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2006-01-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고주파 필터 |
| US7194247B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-03-20 | Nokia Corporation | Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology |
| DE10163462A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Epcos Ag | Symmetrisch arbeitendes Reaktanzfilter |
| JP3952464B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2007-08-01 | Ｔｄｋ株式会社 | デュプレクサ |
| GB0208130D0 (en) * | 2002-04-09 | 2002-05-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Improvements in or relating to wireless terminals |
| AU2003230088A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Filter structure |
| US20040027030A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-12 | Li-Peng Wang | Manufacturing film bulk acoustic resonator filters |
| US7275292B2 (en) * | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
| DE10319554B4 (de) | 2003-04-30 | 2018-05-09 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
| JP2005033775A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| US7358831B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
| EP1528677B1 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements |
| US7242270B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-07-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter |
| US6946928B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
| US7019605B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
| US7362198B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-04-22 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd | Pass bandwidth control in decoupled stacked bulk acoustic resonator devices |
| US7615833B2 (en) | 2004-07-13 | 2009-11-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same |
| US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
| US7187255B2 (en) * | 2004-10-26 | 2007-03-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Arrangement of lattice filter |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
| US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| US7427819B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
| US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
| US7436269B2 (en) | 2005-04-18 | 2008-10-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonators and method of making the same |
| US7934884B2 (en) * | 2005-04-27 | 2011-05-03 | Lockhart Industries, Inc. | Ring binder cover |
| JP4550658B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-09-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
| US20060273866A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-07 | Nokia Corporation | Film bulk acoustic wave resonator with differential topology |
| US7443269B2 (en) | 2005-07-27 | 2008-10-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit |
| US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
| US7391286B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
| US7423503B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
| US7425787B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
| US7525398B2 (en) | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
| US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
| US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
| US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
| JP2007129391A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響共振器及びフィルタ |
| US7561009B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
| US7612636B2 (en) | 2006-01-30 | 2009-11-03 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
| JP4739068B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-08-03 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
| US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
| US7479685B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
| US20070228876A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Chien-Min Sung | Diamond Frequency Control Devices and Associated Methods |
| US7629865B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-12-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters |
| US7508286B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
| US7846767B1 (en) | 2007-09-06 | 2010-12-07 | Chien-Min Sung | Semiconductor-on-diamond devices and associated methods |
| US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
| JP5136134B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-02-06 | ソニー株式会社 | バンドパスフィルタ装置、その製造方法、テレビジョンチューナおよびテレビジョン受信機 |
| US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
| JP5172454B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2013-03-27 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ、デュプレクサおよび通信機器 |
| US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
| US8018304B2 (en) * | 2009-04-15 | 2011-09-13 | Nortel Networks Limited | Device and method for cascading filters of different materials |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| JP5613813B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2014-10-29 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| US10177736B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-01-08 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator comprising multiple acoustic reflectors |
| JP2017060077A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子及びその製造方法 |
| TWI632567B (zh) * | 2015-10-21 | 2018-08-11 | 村田製作所股份有限公司 | Balanced filter |
| US10135415B2 (en) * | 2015-12-18 | 2018-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Method to reduce frequency distribution of bulk acoustic wave resonators during manufacturing |
| US11736088B2 (en) | 2016-11-15 | 2023-08-22 | Global Communication Semiconductors, Llc | Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression |
| US11764750B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-09-19 | Global Communication Semiconductors, Llc | Support structure for bulk acoustic wave resonator |
| US11817839B2 (en) * | 2019-03-28 | 2023-11-14 | Global Communication Semiconductors, Llc | Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof |
| US11979134B2 (en) | 2019-10-15 | 2024-05-07 | Global Communication Semiconductors, Llc | Composite piezoelectric film and bulk acoustic resonator incorporating same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1969571A (en) * | 1933-03-17 | 1934-08-07 | Bell Telephone Labor Inc | Transmission network |
| US5231327A (en) * | 1990-12-14 | 1993-07-27 | Tfr Technologies, Inc. | Optimized piezoelectric resonator-based networks |
| JPH09289434A (ja) * | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平衡型弾性表面波フィルタ |
| US5617065A (en) * | 1995-06-29 | 1997-04-01 | Motorola, Inc. | Filter using enhanced quality factor resonator and method |
| US5692279A (en) * | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| US6051907A (en) * | 1996-10-10 | 2000-04-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS) |
| US5872493A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
| US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US5942958A (en) * | 1998-07-27 | 1999-08-24 | Tfr Technologies, Inc. | Symmetrical piezoelectric resonator filter |
-
1998
- 1998-12-30 FI FI982824A patent/FI113211B/fi not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-12-21 EP EP10181555A patent/EP2299594A1/en not_active Withdrawn
- 1999-12-21 EP EP99310298A patent/EP1017170A3/en not_active Ceased
- 1999-12-28 JP JP11375291A patent/JP2000232334A/ja active Pending
- 1999-12-28 US US09/473,395 patent/US6278342B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-30 CN CNB991275144A patent/CN1160853C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-01-13 JP JP2011004509A patent/JP2011072047A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6278342B1 (en) | 2001-08-21 |
| EP1017170A3 (en) | 2003-01-02 |
| JP2000232334A (ja) | 2000-08-22 |
| CN1160853C (zh) | 2004-08-04 |
| FI982824A (fi) | 2000-07-01 |
| FI982824A0 (fi) | 1998-12-30 |
| EP1017170A2 (en) | 2000-07-05 |
| JP2011072047A (ja) | 2011-04-07 |
| CN1258960A (zh) | 2000-07-05 |
| EP2299594A1 (en) | 2011-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI113211B (fi) | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite | |
| FI108583B (fi) | Resonaattorirakenteita | |
| FI106894B (fi) | Resonaattorirakenteita | |
| JP3996379B2 (ja) | 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成 | |
| EP1196989B1 (en) | Resonator structure and a filter having such a resonator structure | |
| US20080179313A1 (en) | Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes | |
| US6741146B2 (en) | Filter structure comprising piezoelectric resonators | |
| JP2002094328A (ja) | 通信信号ミキシング／フィルタリング・デバイスおよびその製造方法 | |
| KR20050033701A (ko) | 에어갭형 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법, 이를이용한 필터 및 듀플렉서 | |
| JP3940887B2 (ja) | 薄膜圧電共振器を用いた送受切換器 | |
| WO2004066495A1 (en) | Circuit arrangement providing impedance transformation | |
| US20060273866A1 (en) | Film bulk acoustic wave resonator with differential topology | |
| Terzieva | Overview of bulk acoustic wave technology and its applications. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |