JP2002060944A - 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成 - Google Patents

前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成

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JP2002060944A JP2001122174A JP2001122174A JP2002060944A JP 2002060944 A JP2002060944 A JP 2002060944A JP 2001122174 A JP2001122174 A JP 2001122174A JP 2001122174 A JP2001122174 A JP 2001122174A JP 2002060944 A JP2002060944 A JP 2002060944A
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aryl
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Bushanan Douglas
ダグラス・ブシャナン
Anne Newmeyer Deborah
デボラ・アン・ニューメイヤー
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    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616—Deposition of Al2O3
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    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
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    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823828—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
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    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ＣＶＤ及びＡＬＤに有用な前駆原料混合物、
これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込
む電子素子を形成する方法の提供。 【解決手段】 Ｌｉ等の金属元素を含む、少なくとも１
つの前駆化合物であり、前駆化合物に、水素化物等の元
素を含む、少なくとも１つの前駆物質を含み、これが脂
肪族炭化水素等の不活性液内に溶解、乳化または浮遊さ
れる。前駆原料混合物は、溶液、乳濁液または懸濁液で
あり、固相、液相及び気相の混合物から構成され、これ
らが混合物全体に渡り分散される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は付着方法に関し、特
に、化学蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）
及び原子層付着（ＡＬＤ：atomic layer deposition）
プロセスにおいて有用な前駆原料混合物に関する。本発
明はまた、本発明の前駆原料混合物から付着される少な
くとも１つの膜、層または被覆を含む電子素子を形成す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】性能を改善するために半導体素子の寸法
が縮小すると、膜厚をより薄く均一な寸法に管理する必
要性が増加する。寸法が縮小するとき、厚さの均一性
は、隣接素子とのオーバラップを最小化するために重要
である。均一性の改善は、浅ソース／ドレイン拡散
（０．２５μｍ）を利用する現行技術において重要であ
る。浅い拡散は、酸化物を通じる打込みにより獲得され
るので、その酸化物の厚さの不均一性は、不均一なソー
ス／ドレイン拡散深さを生じ、素子性能を劣化させる。
厚さの均一性の改善はまた、エッチングの間に、膜の均
一性に直接依存するオーバエッチングを最小化するため
に重要である。
【０００３】半導体アプリケーションにおいて、ＣＶＤ
またはＡＬＤにより付着されるほとんどの膜は、キャリ
ア・ガスを生の（すなわち溶媒の無い）前駆物質を通じ
て高温で泡立てる従来のバブラ（bubbler）技術を用い
て成長され、この場合、均一な前駆フラックスを膜に巡
らせるためには、前駆物質の蒸気圧が一定であることが
望まれる。しかしながら、蒸気圧は温度に直接関係する
ので、従来のバブラ技術は、ランの間またはランとラン
の間に、バブラ温度を最小変化に維持することを要求さ
れるという欠点を有する。前駆フラックスの変動は、膜
成長速度の変化につながることが知られている。個体化
合物は、時間の経過に伴い焼結し、表面領域を変化させ
ることが知られており、ランとランの間の膜成長速度の
不均一を生じる。焼結は液体前駆物質にとっては問題で
ないが、時間の経過につれ、液体前駆物質は、それに課
せられる熱サイクル及び熱負荷により劣化し得る。更
に、高温では、分解プロセスが加速される。従来のバブ
ラ内での気化の間の前駆物質の高温、並びに熱サイクル
は、時間の経過に伴う、前駆物質の早期劣化に寄与す
る。前駆物質は配位子再配列、クラスタ形成または酸化
により、それらの化学状態を変化させる。前駆物質は、
前駆物質を通じて気泡化される浄化不十分なキャリア・
ガスや、空気漏れ、またはバブラ壁上で吸収される水及
び酸素を通じて、バブラ内に不用意に導入され得る水ま
たは酸素と反応し得る。
【０００４】従来のバブラ技術において一般に使用さ
れ、前述の不都合を被る前駆物質の例には、水素化物、
アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、
アルキン、カルボニル、アミド、リン化物、硝酸塩、ハ
ロゲン化物、アルコキシド、シロキシド及びシリルが含
まれる。アルキルアミン・アランなどの熱的に不安定な
水素化物は、ＣＶＤ及びＡＬＤにとって特に魅力的であ
る。なぜなら、それらの高反応性は通常、低い熱処理温
度に通じて不純物混入を低減するからである。残念なが
ら、アルキルアミン・アランは保存、移送及び気化の間
に周知のように不安定であり、その結果、膜の再現性は
悪い。トリメチルアミン・アラン、トリエチルアミン・
アラン、及びジエチルメチルアミン・アランなどのアル
キルアミン・アランは、保存の間、及びＣＶＤ反応炉へ
の移送の間に４０℃以上で分解することが知れている。
前駆物質を室温以下で保存し、分解を最小化するために
は、注意が必要である。従って、移送及び気化温度は、
前駆物質の熱分解により制限される（例えば、Dario
M．Frigo及びGerbrand J．M．van Eijdenによる"Chemis
try of Materials"、1994、6、190-195、並びにC．E．C
hryssou及びC．W．Pittによる"Applied Physics A Mate
rials Science and Processing"、vol．65、1997、469-
475を参照）。
【０００５】熱的に不安定な前駆物質の別の例には、
（シクロペンタジエニル）Ｃｕ（ＰＥｔ3）などのＣｕ
（Ｉ）化合物があり、これは７０℃程度の低い温度で、
ＰＥｔ3を失い分解することが知られている。他の例に
は、トリメチルインジウム及びトリエチルインジウムな
どのアルキルがある。トリエチルインジウムは液体であ
り、バブラ内において室温で分解することが知れてい
る。トリメチルインジウムは室温では固体であり、時間
の経過に伴い、有効蒸気圧の変化が観測され、成長結果
の望ましくない不均一性及び非再現性を生じる（G．B．
Stringfellowによる"Organometallic Vapor-Phase Epit
axy：Theory and Practice"、San Diego、CA：Academic
Press、1989を参照）。
【０００６】他の例にはアルコキシドが含まれ、これは
時間の経過に伴う配位子再配列、加水分解、オリゴメリ
ゼーション、環形成、クラスタ形成及び酸化により、化
学状態を変えることが知られている。従来のバブラ技術
で遭遇する高温において、これらの分解プロセスは加速
される。更にアルコキシドは、特に水及び酸素不純物に
敏感であり、これらは前駆物質を通じて気泡化される浄
化不十分なキャリア・ガスや、空気漏れ、またはバブラ
壁上で吸収される水及び酸素を通じてバブラ内に不用意
に導入され得る。加水分解反応が発生し得、これらの反
応が、従来のバブラ技術において一般に遭遇する高温に
おいて加速される。アルコキシドはまた、時間と共に相
互変化する多くの異性体形態で存在し得、その結果、可
変の蒸気圧を生じる。例えば、アルミニウム・イソプロ
ポキシドは、異性体間のゆっくりした相互変化速度によ
り、多数の異性体形態で存在する。これらの異性体の蒸
気圧は大きく変化するため、この化合物から成長される
Ａl2Ｏ3の付着速度を、従来のバブラ技術を用いて制御
することを困難にする（R．G．Gordon、K．Kramer、X．
LiuによるMRS Symp Proc．Vol．446、1997、p．383を参
照）。
【０００７】他の例には、アルコキシドと同様に振る舞
うアミドがあり、これは配位子再配列、加水分解、酸
化、オリゴメリゼーション、及び環形成の傾向があり、
幾つかの相互変化可能な異性体形態で存在し、時間の経
過に伴い、再現不能な蒸気圧を生成する。他の例には、
硝酸チタン、硝酸ジルコニウム及び硝酸ガリウムなどの
無水金属硝酸塩が含まれる。これらの錯体は空気及び水
に敏感であり、約１００℃の温度で分解することが知ら
れている。ＶＯ（ＮＯ3）3及びＣｒＯ2（ＮＯ3） 2など
の金属オキソ硝酸塩は、空気及び水に敏感であることに
加え、光に敏感であり０℃で保存されるべきである。こ
れについては、例えば、D．G．Colombo、D．C．Gilme
r、V．G．Young、S．A．Campbell及びW．L．Gladfelter
による"Chemical Vapor Deposition"、1998、4、No．
6、1998、P．220で開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ成長のために、
溶液内に溶解された前駆物質を含むβジケトネートを使
用することについては、既に述べられている。米国特許
第５２０４３１４号、同第５２２５５６１号、同第５２
８００１２号、同第５４５３４９４号、及び同第５９１
９５２２号は、少なくとも１個のβジケトネート配位子
またはβジケトネート誘導体に結合されるＣａ、Ｓｒま
たはＢａ錯体を含む溶液を用いて、Ｃａ、ＳｒまたはＢ
ａを成長させる方法について開示している。米国特許第
５５５５１５４号は、テトラヒドロフラン内にＰｂ、Ｚ
ｒ及びＴｉジピバロイルメタネートを含む溶液を使用す
る場合の化学蒸着によるＰｂＺｒＴｉＯ3の成長につい
て開示している。米国特許第５６７７００２号及び同第
５６７９８１５号は、少なくとも１個のβジケトネート
配位子またはβジケトネート誘導体に結合されるＮｂ及
びＴａの溶液を用いて、膜を含むタンタル及びニオブを
成長させる方法について開示する。米国特許第５６９８
０２２号は、ランタニド金属／リン酸化物膜の化学蒸着
に有用な前駆物質組成を教示しており、これは溶媒内の
ランタニド金属βジケトネート及びリン含有配位子から
成る前駆化合物を含む。米国特許第５７８３７１６号
は、少なくとも１個のβジケトネート配位子またはβジ
ケトネート誘導体に結合されるＰｔ錯体を含む溶液を用
いて、ＣＶＤによりＰｔを成長させる方法について開示
する。米国特許第５８２０６６４号は、化学蒸着に有用
な金属原料試薬溶液について開示しており、これは少な
くとも１個のβジケトネート配位子またはβジケトネー
ト誘導体に配位結合される金属を含む金属配位錯体を含
む。米国特許第５９００２７９号は、錯体の配位子の１
つ内に溶解されるβジケトネート含有前駆物質から成る
溶液を開示する。米国特許第５９１６３５９号は、２つ
の異なるＣ6−Ｃ12アルカンと、グリム・ベースの溶媒
またはポリアミンの３成分溶液内に溶解される、Ｓｒ、
Ｂｉ、Ｔａのβジケトネート含有前駆物質を含む前駆物
質組成を用いて、ＣＶＤによりＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9を成
長させる方法を開示する。米国特許第５９８０９８３号
は、金属含有膜の付着のために、金属βジケトネートの
混合物の使用を開示する。βジケトネート前駆物質の様
々な開示にも関わらず、βジケトネート含有前駆物質
は、錯体分解経路を有することが知られており、それに
より相当量の炭素または他の不要な不純物が結果の膜に
組み込まれる。
【０００９】米国特許第５９００２７９号は、ＣＶＤに
とって有用な溶液を教示しており、これは基本的に金属
有機化合物の配位子から成る液体に追加される金属有機
化合物を含む。例えば、Ｍ（βジケトネート）をβジケ
トン内で溶解する。この引例は、膜形成のための前駆物
質の分解の間に過剰な配位子が存在する欠点を被る。配
位子溶媒は、前駆物質及び前駆物質分解フラグメントと
同一の分解経路を取る傾向があり、従って、気相でのま
たは膜表面での前駆物質の分解を妨げる。気化された前
駆物質、部分的に分解された前駆物質、気化された配位
子溶剤、及びその分解副産物との間の気相反応が発生し
得、前駆物質の揮発性の低下、気化器及び反応炉内での
微粒子形成、及び結果的に再現不能な成長速度を生じ得
る。
【００１０】従来の付着プロセスに関する欠点を鑑み、
付着プロセスを継続的に開発する必要性があり、様々な
電子素子において使用される薄く付着された層または膜
を形成するために、新たに改善された前駆原料混合物を
使用することが望ましい。
【００１１】本発明は、ＣＶＤ及びＡＬＤアプリケーシ
ョンにとって有用な前駆原料混合物、本発明の前駆原料
混合物を用いて、膜（同様に層、被覆及び多層）を成長
させる方法、及び、本発明により付着された膜を組み込
む電子素子を形成する方法に関する。本発明により形成
される好適な電子素子には、トランジスタ、コンデン
サ、ダイオード、抵抗器、スイッチ、発光ダイオード、
レーザ、配線構造、相互接続構造、または本発明の膜が
組み込まれる任意の他の構造が含まれる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】特に、本発明の前駆原料
混合物は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素から成る少なくと
も１つの前駆物質を含み、これに水素化物、アルキル、
アルケニル、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジ
ド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸
塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、ア
ルコキシ、シロキシ、シリル、及びこれらのハロゲン
化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含むグループか
ら選択される、少なくとも１個の配位子が結合される。
配位子は、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される不活性液体内に溶
解、乳化または浮遊される。前駆原料混合物は溶液、エ
マルション（乳濁液）またはサスペンション（懸濁液）
であり、固相、液相及び気相の混合物から構成され、こ
れらが混合物全体に渡り分散される。
【００１３】本発明はまた、本発明の前駆原料混合物を
用いて、基板上に膜を成長させるＣＶＤまたはＡＬＤ法
に関する。膜形成方法は、前駆原料混合物内の前駆物質
を気化するステップと、気化された前駆物質の成分を基
板上に付着して、膜を形成するステップとを含む。この
点に関し、不活性液が前駆物質と一緒に気化されても、
気化されなくてもよい。１実施例では、不活性液が前駆
物質と一緒に気化される。本発明の別の実施例では、不
活性液は気化されず、反応炉から液体の形態で転送され
る。
【００１４】本発明の別の態様は、本方法により付着さ
れる１つ以上の層を組み込む多層構造の形成に関する。
【００１５】更に本発明の別の態様は、少なくとも１つ
の構成要素が本発明の前駆原料混合物から導出される、
複合要素膜（multicomponent film）の形成に関する。
【００１６】更に本発明の別の態様には、次のものが含
まれる。すなわち、本方法により付着される膜を組み込
む電子構造の形成。図１に示されるように、本方法によ
り付着される膜を組み込み、単一基板上に形成されるｎ
型電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）及びｐ型電界効果
トランジスタ（ＰＦＥＴ）の両方を含む、相補型金属酸
化膜半導体（ＣＭＯＳ）集積回路論理素子の形成。図２
に示されるように、本方法により付着される膜を組み込
む集積回路コンデンサの形成。図４に示されるように、
本方法により付着される膜を組み込む集積回路配線構造
の形成。
【００１７】
【発明の実施の形態】前述のように、本発明はＣＶＤま
たはＡＬＤに有用な前駆原料混合物に関し、この混合物
は、ｉ）本発明の少なくとも１個の前駆物質と、ｉｉ）
不活性液とを含む。
【００１８】前駆物質は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ
ｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、
Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、
Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、
Ｐ、Ｓｂ及びＢｉを含むグループから選択される元素を
含む任意の化合物として定義され、これに水素化物
（Ｈ）、アルキル（ＣＲ3）、アルケニル（ＣＲＣ
Ｒ2）、シクロアルケニル、アリール、アルキン（ＣＣ
Ｒ）、カルボニル（ＣＯ）、アミド（ＮＲ2）、イミド
（ＮＲ）、ヒドラジド（ＮＲＮＲ2）、リン化物（Ｐ
Ｒ2）、ニトロシル（ＮＯ）、ニトリル（ＮＯ2）、硝酸
塩（ＮＯ3）、ニトリル（ＲＣＮ）、イソニトリル（Ｒ
ＮＣ）、ハロゲン化物（Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ）、ア
ジド（Ｎ3）、アルコキシ（ＯＲ）、シロキシ（ＯＳｉ
Ｒ3）、シリル（ＳｉＲ 3）、及びこれらのハロゲン化、
スルホン化、またはケイ化誘導体を含むグループから選
択される、少なくとも１個の配位子が結合される。そし
て、気化器に送られると、前駆物質が容易に気体に変換
される。配位子のハロゲン化誘導体は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ
及びＩを含むグループから選択されるハロゲンによる、
Ｈ置換基の置換として定義される。配位子のスルホン化
誘導体は、ＳによるＯ置換基の置換として定義される。
配位子のケイ化誘導体は、ＳｉによるＣ置換基の置換と
して定義される。
【００１９】本発明の前駆物質の一般化化学式は、次の
ように表される。
【数式３】ＭＲ1 xＲ2 yＡz
【００２０】ここでＭは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ
ｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、
Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、
Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、
Ｐ、Ｓｂ及びＢｉを含むグループから選択される元素で
あり、Ｒ1及びＲ2は、水素化物、アルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニ
ル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシ
ル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitril
e）、イソニトリル、ハロゲン化物、アジド、アルコキ
シ、シロキシ、シリル、及びこれらのハロゲン化、スル
ホン化、またはケイ化誘導体を含むグループから選択さ
れる、同一のまたは異なる配位子である。また、Ａは任
意の配位的に結合または会合される配位子であり、ホス
フィン（Ｒ 3Ｐ）、亜リン酸塩（（ＲＯ）3Ｐ）、アミン
（Ｒ3Ｎ）、アルシン（Ｒ3Ａｓ）、スチビン（Ｒ3Ｓ
ｂ）、エーテル（Ｒ2Ｏ）、硫化物（Ｒ2Ｓ）、ニトリル
（ＲＣＮ）、イソニトリル（ＲＮＣ）、アルケン、ヒド
ラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、
シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール（ＲＯＨ）、
ホスフィン酸化物（Ｒ3ＰＯ）、アルキリデン、亜硝酸
塩、アルキン、及び水を含むグループから選択される。
また、ｘ≧１、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価であり、ｙ≧
０、及びｚ≧０である。
【００２１】本発明の好適な前駆物質は、容易に気化さ
れる化合物である。特に、好適な前駆物質は、ジメチル
−、ジエチル−、またはジイソブチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂ水素化物；Ｍｅ2ＡｌＨ（Ｎ
ＥｔＭｅ2）；第３ブチルアルシン；（Ｍｅ3Ｎ）ＡｌＨ
3；（ＥｔＭｅ2Ｎ）ＡｌＨ3；（Ｅｔ3Ｎ）ＡｌＨ3；Ｃ
ｐＷＨ2；Ｃｐ2ＭｏＨ2；トリメチル−、トリエチル
−、トリイソブチル−、トリｎプロピル−、トリイソプ
ロピル−、トリｎブチル−、トリネオペンチル−、また
はエチルジメチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓまたは
Ｓｂ；テトラメチル−、テトラエチル−、テトラフェニ
ル−、またはテトラｎブチル−Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎまたは
Ｐｂ；ジメチル−、ジエチル−、またはジイソブチル−
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂ水素化物、塩化
物、フッ化物、臭化物、ヨウ化物、Ｃｐ、アミド、ジメ
チルアミドまたはアジド；トリエチル−、トリイソブチ
ル−、トリｎプロピル−、トリイソプロピル−、トリｎ
ブチル−、またはエチルジメチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、ＡｓまたはＳｂトリメチルアミン、ジエチルメチル
アミン、ジメチルエチルアミン、またはトリエチルアミ
ン；ジメチル−またはジエチル−Ｚｎ、ＣｄまたはＨ
ｇ；（ネオペンチル）4Ｃｒ；Ｅｔ3Ｐｂ（ネオペントキ
シ）；Ｃｐ2Ｍｅ2Ｚｒ；（ＭｅＮＣ）2ＰｔＭｅ2；Ｃｐ
Ｉｒ（Ｃ2Ｈ4）2；ビスＣｐ−Ｃｏ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｖ、Ｏｓ、ＭｇまたはＣｒ；ビスエチ
ルベンゼン；ビスベンゼン−Ｃｏ、ＭｏまたはＣｒ；ト
リフェニル−Ｂｉ、ＳｂまたはＡｓ；トリビニルボロ
ン；トリスＣｐ−Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂまたはＬｕ；トリスアリルイリジウム；ＣｐＣｒ（Ｃ
Ｏ）2；Ｃｐ2ＺｒＭｅ2；ＣｐＣｕＰＥｔ3；ＥｔＣｐＣ
ｕＰＥｔ3；ＣＰＩｎ；ＣｐＩｒ（シクロオクタジエ
ン）；ＣｐＰｄ（アリル）；ＣｐＧａＭｅ2；ＣｐＧａ
Ｅｔ2；（シクロヘキサジエン）ＦｅＣＯ3；（シクロオ
クタテトラエン）ＦｅＣＯ3；エチルフェロセン；Ｃｐ
Ｍｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエン）Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）3；ＮｄＣｐ3；ＳｍＣｐ3；ＳｃＣｐ3；ＴｂＣ
ｐ3；ＴｌＣｐ；ＴｍＣｐ3；Ｃｐ2ＷＨ2；（メシチレ
ン）Ｗ（ＣＯ）3；ＣｐＲｅ（ＣＯ）3；ＣｐＲｈ（Ｃ
Ｏ）2；Ｉｒ（アリル）3；Ｐｔ（アリル）2；ＣｐＩｒ
（シクロオクタネジオン）；［Ｉｒ（ＯＭｅ）（シクロ
オクタネジオン）］2；Ｒｕ（シクロオクタネジオン）
（アリル）2；Ｒｕ3ＣＯ12；Ｆｅ（ＣＯ）5；Ｃｏ2（Ｃ
Ｏ）8；Ｒｕ（ＣＯ）3（１、３−シクロヘキサジエ
ン）；Ｏｓ3ＣＯ12；Ｃｒ（ＣＯ）6；ＣｐＣｏ（ＣＯ）
2；Ｍｎ2（ＣＯ）10；ＣｐＭｎ（ＣＯ）3；Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）6；Ｎｉ（ＣＯ）4；Ｒｅ2（ＣＯ）10；ＣｐＲｅ
（ＣＯ）3；ＣｐＲｈ（ＣＯ）2；Ｒｕ3（ＣＯ）12；Ｗ
（ＣＯ）6；ＣｐＶ（ＣＯ）4；ＣＦ3Ｃｏ（ＣＯ）4；Ｐ
ｔ（ＣＯ）2（シクロオクタネジオン）；Ｉｒ（ＣＯ）2
（シクロオクタネジオン）；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｐ（ＯＣ
Ｈ3）3］；（ＣＯ） 4Ｆｅ［Ｎ（ＣＨ3）3］；ＣｏＮＯ
（ＣＯ）3；ブトキシ、ＯＣＨ（ＣＦ3）2、ＯＣＭｅ
2（ＣＦ3）、ＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、ＯＳｉ（ＣＨ3）3、
ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、またはＯＣ（Ｃ
Ｆ3）3Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、ＨｇまたはＴｌ；テトラメトキシ、テトラエ
トキシ、テトライソプロポキシ、テトラブトキシ、テト
ラｎブトキシ、テトライソブトキシ、テトラ第３ブトキ
シ、テトラＯＣＨ（ＣＦ3）2、テトラＯＣＭｅ2（Ｃ
Ｆ3）、テトラＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、テトラＯＣ（Ｃ
Ｈ3）3、テトラＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、テトラＯＣ（ＣＦ
3）3またはテトラＯＳｉ（ＣＨ3）3Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ；ＶＯ（イソプロポキシ）
3、トリイソプロポキシ、トリ第２ブトキシ、トリｎブ
トキシ、トリイソブトキシ、トリメトキシ、トリエトキ
シ、（ＯＣＨ（ＣＦ3）2）3、（ＯＣＭｅ2（Ｃ
Ｆ3））3、（ＯＣＭｅ（ＣＦ3）2）3、（ＯＣ（ＣＨ3）
3）3、（ＯＣ（ＳｉＭｅ3）3）3、（ＯＣ（Ｃ
Ｆ3）3）3、または（ＯＳｉ（ＣＨ3）3）3、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ；Ｅｔ3Ｐｂ（イソプ
ロポキシド）；（第３ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3；テトラ
キス（ジメチルアミノ）、テトラキス（ジメチルアミ
ノ）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；
ジエチルアミノジエチルアルシン；ジエチルアミノアル
シン二塩化物；ビスジメチルアミノアルシン塩化物；Ｍ
ｅ2Ｚｎ（トリエチルアミン）2；ジエチルアミノジメチ
ルスタンナン；トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン；
トリス（ジメチルアミノ）アンチモニ；トリス（ジメチ
ルアミノ）アルシン；トリス（ジメチルアミノ）スチビ
ン；トリスビス（トリメチルシリル）エルビウムアミ
ド；ビス（ジメチルアミノ）（トリメチルエチルエチレ
ンジアミノ）アルミニウム；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｎ（Ｃ
Ｈ3）3］；Ｌｉ、ＮａまたはＫＮ（ＳｉＭｅ3）；ペン
タジメチルアミノタンタル；ジエチルアミノジメチルス
ズ；ヘキサジメチルアミノジタングステン；トリスジメ
チルアミノ（トリメチルエチレンジアミノ）チタン；Ｃ
ｐＣｕ（トリフェニルホスフィン）；（第３ブトキシ）
ＣｕＰＭｅ3；Ｐｔ（ＰＦ3）4；Ｎｉ（ＰＦ3）4；Ｃｒ
（ＰＦ3）6；（Ｅｔ3Ｐ）3Ｍｏ（ＣＯ）3；Ｉｒ（Ｐ
Ｆ3）4；Ｔｉ（ＮＯ3）4；Ｚｒ（ＮＯ3）4；Ｈｆ（ＮＯ
3）4；Ｓｉ（ＣＨ3）3（ＮＯ3）；ＲｕＮＯ（Ｎ
Ｏ3）3；硝酸ガリウム；Ｓｎ（ＮＯ3）4；Ｃｏ（Ｎ
Ｏ3）3；ＶＯ（ＮＯ3）3；ＣｒＯ2（ＮＯ3）2；ＴｉＣ
ｌ4；ＨｆＣｌ4；ＺｒＣｌ4；ＩｎＣｌ2；ＺｎＣｌ2；
ＡｌＣｌ3；ＳｉＣｌ4；ＧａＣｌ3；ＳｎＣｌ4；ＣｏＣ
ｌ3；ジメチル−、ジエチル−、またはジイソブチル−
Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、ＳｉまたはＡｓハロゲン化物；Ｎ（Ｓ
ｉＭｅ3）2Ｌｉ、ＮａまたはＫ；Ｂ（ＣＨ2ＳｉＭｅ3）
3；｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝3−Ｂ、Ａｌ、ＧａまたはＩ
ｎ；（Ｍｅ3ＳｉＣＨ2）4−Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ；
｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝2−Ｚｎ、ＣｄまたはＨｇであ
る。ここでＣｐはシクロペンタジエニルまたは代替シク
ロペンタジニエルであり、メチル、エチル、イソプロピ
ル、ｎブチル、第２ブチル、第３ブチル、トリメチルシ
リル、または他の類似の置換基による、Ｈ置換基の置換
が考慮される。
【００２２】不活性液は、本発明の前駆物質の保存及び
気化の間に、前駆物質と接触するとき、分解しない任意
の液体として定義される。より詳細には、前駆原料混合
物内で使用される不活性液は、脂肪族炭化水素、芳香族
炭化水素、アルコール、エーテル、アルデヒド、ケト
ン、酸、フェノール、エステル、アミン、アルキルニト
リル、ハロゲン化炭化水素、ケイ化炭化水素、チオエー
テル、アミン、シアン酸塩、イソシアン酸塩、チオシア
ン酸塩、シリコーン油、ニトロアルキル、アルキル硝酸
塩、及びこれらの混合物を含むグループから選択され
る。好適には、不活性液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカ
ンから構成される。ここで"基本的に構成される"とは、
本発明では、容量で７０％乃至１００％として定義され
る。任意的な添加剤が存在し得るが、添加剤は容量で不
活性液の３０％程度を占めるに過ぎない。
【００２３】不活性液の選択は、次の基準にもとづく。
すなわち、前駆物質と接触するとき、または前駆物質の
気化の間に分解しないような、十分な不活性を有するこ
とであり、それにより反応炉の高温域を通過するとき
に、成長する膜表面に不利に吸着することなく、結果の
膜内に不要な不純物を導入しない。
【００２４】本発明の前駆原料混合物は、溶液、エマル
ション（乳濁液）またはサスペンション（懸濁液）であ
り、固相、液相及び気相の混合物から構成され、これら
が混合物全体に渡り分散される。
【００２５】本発明の前駆原料混合物は、任意のＣＶＤ
またはＡＬＤプロセスにおいて、現在使用されている任
意の配送手段と共に使用され得る。従って、本発明は特
定のＣＶＤまたはＡＬＤ装置に、または任意の配送シス
テムに限定されるものではない。化学蒸着（ＣＶＤ）
は、反応炉への複数の試薬の同時導入として定義され
る。一方、原子層付着（ＡＬＤ）は、反応炉への複数の
試薬の順次導入として定義され、例えば、原子層エピタ
キシ、デジタル化学蒸着、パルス化学蒸着、及び他の類
似の方法が含まれる。
【００２６】本発明によれば、任意のＣＶＤまたはＡＬ
Ｄプロセスにおいて、本発明の前駆原料混合物を用い
て、基板上に膜が形成される。膜は、前駆原料混合物内
の前駆物質を気化し、その後、気化した前駆物質の成分
を基板上に付着することにより形成される。この点に関
し、不活性液が前駆物質と一緒に気化されても、気化さ
れなくてもよい。本発明の１実施例では、不活性液が前
駆物質と一緒に気化される。別の実施例では、不活性液
は気化されず、反応炉から液体の形態で転送される。
【００２７】膜の形成に加え、前駆原料混合物は、本発
明の１つ以上の膜層を組み込む多層構造の形成におい
て、或いは、少なくとも１つの構成要素が本方法の前駆
原料混合物から導出される、複合要素膜（multicompone
nt film）の形成において使用される。
【００２８】また、本発明の前駆原料混合物は、本方法
により付着された膜を組み込む構造、すなわち電子素子
構造の形成において使用される。用語"電子素子構造"
は、本発明では、トランジスタ、コンデンサ、ダイオー
ド、抵抗器、バリスタ、スイッチ、発光ダイオード、レ
ーザ、配線構造、及び相互接続構造を意味するために使
用される。
【００２９】更に、前駆原料混合物は、相補型金属酸化
膜半導体（ＣＭＯＳ）集積回路論理素子の形成において
使用される。より詳細には、本発明は、単一基板上に形
成されるｎ型電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）及びｐ
型電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）の両方を含む、Ｃ
ＭＯＳ集積回路の形成に関する。図１に示されるよう
に、ＮＦＥＴ素子１１が基板１０のｐ型導電性領域１３
上に形成され、ゲート誘電体１５上に形成されるゲート
電極１４と、ゲート電極１４の横方向の両側に形成され
る１対のｎ型ソース／ドレイン領域１６とを含む。同様
に、ＰＦＥＴ素子１７が基板１０のｎ型導電性領域１８
上に形成され、ゲート誘電体１５上に形成されるゲート
電極１９と、ゲート電極１９の両側の側壁に沿って形成
される１対のｐ型ソース／ドレイン領域２０とを含む。
ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴ素子は、浅トレンチ分離２１及び
スペーサ２２により分離される。本発明のこの点に関
し、ゲート電極１４、ゲート電極１９、ゲート誘電体１
５、及びスペーサ２２を含むトランジスタ構成要素の少
なくとも１つが、本方法により付着される。
【００３０】本発明の前駆原料混合物はまた、集積回路
コンデンサの形成に使用される。図２に示されるよう
に、典型的なコンデンサは、基板３０上に、バリア３２
と一緒に形成され、プラグ３１によりトランジスタに接
続される。コンデンサは、底部電極３３、（強誘電性ま
たは非強誘電性の）誘電体３４、及び頂部電極３５を含
む。本発明のこの点に関し、プラグ３１、バリア３２、
底部電極３３、誘電体３４、及び頂部電極３５を含むコ
ンデンサ構成要素の少なくとも１つが、本方法により付
着される。コンデンサはスタックまたはトレンチであり
得る。
【００３１】前駆原料混合物はまた、集積回路配線構造
の形成において使用される。図３に示されるように、典
型的な配線構造は、トレンチ４１及びバイア４２を誘電
体層４３内にエッチングすることにより形成される。誘
電体層４３の下には、配線層の金属薄膜配線４４及び誘
電体層４５が存在する。図４では、トレンチ及びバイア
が、バリア材料４６及び配線金属４７により充填されて
いる。本発明のこの点に関し、誘電体層４３及び４５、
金属薄膜配線４４、バリア材料４６、及び配線金属４７
を含む配線構造構成要素の少なくとも１つが、本方法に
より付着される。
【００３２】２重ダマシーン構造のエッチング・フィー
チャを共形被覆するバリア層も、本発明の前駆原料混合
物を用いて形成される。
【００３３】前記の説明は本発明の総括的な説明であ
り、以下では本発明の特定の詳細について述べることに
する。
【００３４】水素化物含有化合物のための前駆原料混合
物：水素化物含有化合物の好適な前駆原料混合物は、次
のように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここでＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、
Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈ
ｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ及びＢｉを含むグループから選択され
る元素であり、好適にはＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、
Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＨｇで
ある。また、Ｒ1は水素化物であり、Ｒ2は水素化物、ア
ルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、ア
ルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リ
ン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニ
トリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキ
シ、シロキシ、シリル及びこれらのハロゲン化、スルホ
ン化、またはケイ化誘導体を含むグループから選択され
る配位子であり、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子であって
も、そうでなくてもよい。Ａは任意の配位結合される配
位子であり、ホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミ
ン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
アルキリデン、亜硝酸塩、及び水を含むグループから選
択される。また、ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０であり、
ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価である。
【００３５】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００３６】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する傾向のある不安的な水素
化物含有化合物の場合、化合物の安定性を改善するため
に、追加の非水素化物配位子が混合物に追加されてもよ
い。水素化物含有化合物の不安的なアダクトの場合、化
合物の安定性を改善するために、追加のアダクトが混合
物に追加され得る。化合物の安定性を改善するために、
他の配位化合物が混合物に追加されてもよく、それらに
はホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシ
ン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニト
リル、アルケン、ピリジン、複素環式化合物、テトラヒ
ドロフラン、ジメチルホルムアミド、大環状分子、シッ
フ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化
物、及びアルキンなどが含まれる。全ての任意の添加剤
は、容量で不活性液の３０％程度を占めるに過ぎない。
【００３７】少なくとも１つの水素化物含有化合物から
構成される、特に好適な前駆原料混合物には、ジメチル
−、ジエチル−、またはジイソブチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂ水素化物；第３ブチルアルシ
ン；ＣｐＷＨ2またはＣｐ2ＭｏＨ2が含まれ、これらは
基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカン液から成る液体内に溶
解、乳化または浮遊される。他の好適な前駆原料混合物
は、少なくとも１つの水素化物含有化合物から成り、こ
れはＭｅ2ＡｌＨ（ＮＥｔＭｅ2）；（Ｍｅ3Ｎ）Ａｌ
Ｈ3；（ＥｔＭｅ2Ｎ）ＡｌＨ3または（Ｅｔ3Ｎ）ＡｌＨ
3などを含み、これらが選択的にアミンを追加された
（但しこれは容量で不活性液の３０％以下）、基本的に
Ｃ5−Ｃ12アルカン液から成る液体内に乳化または浮遊
される。
【００３８】アルキル含有化合物のための前駆原料混合
物：アルキル含有化合物の好適な前駆原料混合物は、次
のように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここでＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、Ｓｂ及びＢｉを含むグループから選択される元素で
あり、好適にはＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＨｇである。ま
た、Ｒ1はＣ1−Ｃ8アルキル、またはＣ4−Ｃ12シクロア
ルキルであり、Ｒ2は水素化物、アルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニ
ル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシ
ル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitril
e）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、
シリル、及びこれらのハロゲン化、スルホン化、または
ケイ化誘導体を含むグループから選択される配位子であ
り、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子であっても、そうでなく
てもよい。Ａはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、ア
ミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
アルキリデン、亜硝酸塩、及び水を含むグループから選
択される、任意の配位結合される配位子である。また、
ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの
原子価である。
【００３９】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００４０】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する傾向のある不安的なアル
キル含有化合物の場合、化合物の安定性を改善するため
に、追加のアルキル配位子が混合物に追加されてもよ
い。アルキル含有化合物の不安的なアダクトの場合、化
合物の安定性を改善するために、追加のアダクトが混合
物に追加され得る。化合物の安定性を改善するために、
他の配位化合物が混合物に追加されてもよく、それらに
はホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシ
ン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニト
リル、アルケン、ピリジン、複素環式化合物、テトラヒ
ドロフラン、ジメチルホルムアミド、大環状分子、シッ
フ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化
物、及びアルキンなどが含まれる。全ての任意の添加剤
は、容量で不活性液の３０％程度を占めるに過ぎない。
【００４１】少なくとも１つのアルキル含有化合物から
構成される、特に好適な前駆原料混合物には、トリメチ
ル−、トリエチル−、またはトリイソブチル−、トリｎ
プロピル−、トリイソプロピル−、トリｎブチル−、ト
リネオペンチル−、またはエチルジメチル−Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂ；テトラメチル−、テトラ
エチル−、テトラフェニル−、またはテトラｎブチル−
Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；ジメチル−、ジエチル
−、またはジイソブチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ
またはＳｂ水素化物、塩化物、フッ化物、臭化物、ヨウ
化物、Ｃｐ、アミド、ジメチルアミドまたはアジド；ト
リエチル−、トリイソブチル−、トリｎプロピル−、ト
リイソプロピル−、トリｎブチル−、またはエチルジメ
チル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂトリメチ
ルアミン、ジエチルメチルアミン、ジメチルエチルアミ
ン、またはトリエチルアミン；ジメチルまたはジエチル
Ｚｎ、ＣｄまたはＨｇ；（ネオペンチル）4Ｃｒ；Ｅｔ3
Ｐｂ（ネオペントキシ）；Ｃｐ2Ｍｅ2Ｚｒ；（ＭｅＮ
Ｃ）2ＰｔＭｅ2；またはＣｐＩｒ（Ｃ2Ｈ4）2が含まれ
る。ここでＣｐはシクロペンタジエニルまたは代替シク
ロペンタジニエルであり、Ｃ5−Ｃ12アルカン液内に溶
解、乳化、または浮遊されるメチル、エチル、イソプロ
ピル、ｎブチル、第２ブチル、第３ブチル、トリメチル
シリル、または他の類似の置換基による、Ｈ置換基の置
換が考慮される。他の好適な前駆原料混合物は、少なく
とも１つのアルキル含有化合物から成り、これは選択的
にメタンまたはエタンを追加された（但しこれらは容量
で不活性液の３０％以下）、基本的にＣ5−Ｃ12アルカ
ン液から成る液体内に乳化または浮遊されるトリメチル
またはトリエチルなどを含む。
【００４２】アルケニル含有化合物のための前駆原料混
合物：アルケニル含有化合物の好適な前駆原料混合物
は、次のように構成される。 ｉ）ＭＲ１ｘＲ２yＡz ここでＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｂｉ、Ａｓ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｆ
ｅ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｔｌ
またはＷである。また、Ｒ1はＣ1−Ｃ8アルケニル、Ｃ4
−Ｃ12シクロアルケニル、またはＣ5−Ｃ12アリールで
あり、Ｒ2は水素化物、アルキル、アルケニル、シクロ
アルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミ
ド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニト
リル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロ
ゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、及
びこれらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導
体を含むグループから選択される配位子であり、Ｒ1及
びＲ2は同一の配位子であっても、そうでなくてもよ
い。Ａはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、
アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イ
ソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジ
ン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シ
クロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキ
リデン、亜硝酸塩、及び水を含むグループから選択され
る、任意の配位結合される配位子である。また、ｘ≧
１、ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子
価である。
【００４３】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００４４】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する傾向のある不安的なアル
ケニル含有化合物の場合、化合物の安定性を改善するた
めに、追加のアルケニル配位子が混合物に追加されても
よい。アルケニル含有化合物の不安的なアダクトの場
合、化合物の安定性を改善するために、追加のアダクト
が混合物に追加され得る。化合物の安定性を改善するた
めに、他の配位化合物が混合物に追加されてもよく、そ
れらにはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、
アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イ
ソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環式化合物、テ
トラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、大環状分
子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフ
ィン酸化物、及びアルキンなどが含まれる。全ての任意
の添加剤は、容量で不活性液の３０％程度を占めるに過
ぎない。
【００４５】少なくとも１つのアルケニル含有化合物か
ら構成される、特に好適な前駆原料混合物は、ビスＣｐ
−Ｃｏ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｖ、Ｏｓ、Ｍ
ｇまたはＣｒ；ビスエチルベンゼン−、ビスベンゼン−
Ｃｏ、ＭｏまたはＣｒ；トリフェニル−Ｂｉ、Ｓｂまた
はＡｓ；トリビニルボロン；トリスＣｐ−Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ；テトラＣｐＴ
ｈ、Ｐａ、Ｖ、Ｎｐ、ＰｕまたはＡｍ；トリスアリルイ
リジウム；ＣｐＣｒ（ＣＯ）2；Ｃｐ2ＺｒＭｅ2；Ｃｐ
ＣｕＰＥｔ3；ＣＰＩｎ；ＣｐＩｒ（シクロオクタジエ
ン）；ＣｐＰｄ（アリル）；ＣｐＧａＭｅ2；ＣｐＧａ
Ｅｔ2；（シクロヘキサジエン）ＦｅＣＯ3；（シクロオ
クタテトラエン）ＦｅＣＯ3；エチルフェロセン；Ｃｐ
Ｍｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエン）Ｍｏ（Ｃ
ｏ）3；ＮｄＣｐ3；ＳｍＣｐ3；ＳｃＣｐ3；ＴｂＣ
ｐ3；ＴｌＣｐ；Ｃｐ2ＷＨ2；（メシチレン）Ｗ（Ｃ
Ｏ）3；ＣｐＲｅ（ＣＯ）3；ＣｐＲｈ（ＣＯ）2；Ｉｒ
（アリル）3；Ｐｔ（アリル）2；ＣｐＩｒ（シクロオク
タネジオン）；［Ｉｒ（ＯＭｅ）（シクロオクタネジオ
ン）］2；及びＲｕ（シクロオクタネジオン）（アリ
ル）2を含むグループから選択され、ここでＣｐはシク
ロペンタジエニルまたは代替シクロペンタジニエルであ
り、Ｃ5−Ｃ12アルカン液内に溶解、乳化、または浮遊
されるメチル、エチル、イソプロピル、ｎブチル、第２
ブチル、第３ブチル、トリメチルシリル、または他の類
似の置換基による、Ｈ置換基の置換が考慮される。
【００４６】カルボニル含有化合物のための前駆原料混
合物：カルボニル含有化合物の好適な前駆原料混合物
は、次のように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここでＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｒｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｒ
ｅ、Ｒｈ、Ｗ、ＰｔまたはＩｒである。また、Ｒ1はカ
ルボニルであり、Ｒ2は水素化物、アルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニ
ル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシ
ル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitril
e）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、
シリル、及びこれらのハロゲン化、スルホン化、または
ケイ化誘導体を含むグループから選択される配位子であ
り、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子であっても、そうでなく
てもよい。Ａはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、ア
ミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
アルキリデン、亜硝酸塩、及び水を含むグループから選
択される、任意の配位結合される配位子である。また、
ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの
原子価である。
【００４７】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００４８】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する傾向のある不安的なカル
ボニル含有化合物の場合、化合物の安定性を改善するた
めに、追加の非カルボニル配位子が混合物に追加されて
もよい。カルボニル含有化合物の不安的なアダクトの場
合、化合物の安定性を改善するために、追加のアダクト
が混合物に追加され得る。化合物の安定性を改善するた
めに、他の配位化合物が混合物に追加されてもよく、そ
れらにはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、
アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イ
ソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環式化合物、テ
トラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、大環状分
子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフ
ィン酸化物、及びアルキンなどが含まれる。全ての任意
の添加剤は、容量で不活性液の３０％程度を占めるに過
ぎない。
【００４９】少なくとも１つのカルボニル含有化合物か
ら構成される、特に好適な前駆原料混合物には、Ｒｕ3
ＣＯ12；Ｆｅ（ＣＯ）5；Ｃｏ2（ＣＯ）8；Ｒｕ（Ｃ
Ｏ）3（１、３−シクロヘキサジエン）；Ｏｓ3ＣＯ12；
Ｃｒ（ＣＯ）6；ＣｐＣｏ（ＣＯ）2；Ｍｎ2（Ｃ
Ｏ）10；ＣｐＭｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエ
ン）Ｍｏ（ＣＯ）3；Ｍｏ（ＣＯ）6；Ｎｉ（ＣＯ）4；
Ｒｅ2（ＣＯ）10；ＣｐＲｅ（ＣＯ） 3；ＣｐＲｈ（Ｃ
Ｏ）2；Ｒｕ3（ＣＯ）12；Ｗ（ＣＯ）6；ＣｐＶ（Ｃ
Ｏ）4；ＣＦ3Ｃｏ（ＣＯ）4；Ｐｔ（ＣＯ）2（シクロオ
クタネジオン）；Ｉｒ（ＣＯ）2（シクロオクタネジオ
ン）；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｐ（ＯＣＨ3）3］；（ＣＯ）4Ｆ
ｅ［Ｎ（ＣＨ3）3］及びＣｏＮＯ（ＣＯ）3が含まれ
る。ここでＣｐはシクロペンタジエニルまたは代替シク
ロペンタジニエルであり、Ｃ5−Ｃ12アルカン液内に溶
解、乳化、または浮遊されるメチル、エチル、イソプロ
ピル、ｎブチル、第２ブチル、第３ブチル、トリメチル
シリル、または他の類似の置換基による、Ｈ置換基の置
換が考慮される。
【００５０】アルコキシ含有化合物のための前駆原料混
合物：アルコキシ含有化合物の好適な前駆原料混合物
は、次のように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここで、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｉ、ＺｒまたはＨｆである。また、Ｒ 1はアルコキシま
たはシロキシであり、Ｒ2は水素化物、アルキル、アル
ケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カル
ボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニト
ロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitr
ile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキ
シ、シリル及びこれらのハロゲン化、スルホン化、また
はケイ化誘導体を含むグループから選択される配位子で
あり、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子であっても、そうでな
くてもよい。Ａはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、
アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニト
リル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジ
ン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッ
フ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化
物、アルキリデン、亜硝酸塩、及び水を含むグループか
ら選択される、任意の配位結合される配位子である。ま
た、ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素
Ｍの原子価である。
【００５１】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００５２】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する、または化学的に再配列
する傾向のある不安的なアルコキシ含有化合物の場合、
化合物の安定性を改善するために、追加のアルコキシド
配位子が混合物に追加されてもよい。アルコキシ含有化
合物の不安的なアダクトの場合、化合物の安定性を改善
するために、追加のアダクトが混合物に追加され得る。
化合物の安定性を改善するために、他の配位化合物が混
合物に追加されてもよく、それらにはホスフィン、亜リ
ン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エー
テル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピ
リジン、複素環式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチ
ルホルムアミド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアル
ケン、アルコール、ホスフィン酸化物、及びアルキンな
どが含まれる。全ての任意の添加剤は、容量で不活性液
の３０％程度を占めるに過ぎない。
【００５３】少なくとも１つのアルコキシ含有化合物か
ら構成される、特に好適な前駆原料混合物には、ブトキ
シ、ＯＣＨ（ＣＦ3）2、ＯＣＭｅ2（ＣＦ3）、ＯＣＭｅ
（ＣＦ3）2、ＯＳｉ（ＣＨ3）3、ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣ
（ＳｉＭｅ3）3、またはＯＣ（ＣＦ3）3Ｌｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｈｇまたは
Ｔｌ；テトラメトキシ、テトラエトキシ、テトライソプ
ロポキシ、テトラ第３ブトキシ、テトライソブトキシ、
テトラブトキシ、テトラＯＣＨ（ＣＦ3）2、テトラＯＣ
Ｍｅ2（ＣＦ3）、テトラＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、テトラＯ
Ｃ（ＣＨ3）3、テトラＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、テトラＯＣ
（ＣＦ3）3またはテトラＯＳｉ（ＣＨ3）3Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ；ＶＯ（イソプロポ
キシ）3、トリイソプロポキシ、トリ第２ブトキシ、ト
リｎブトキシ、トリイソブトキシ、トリメトキシ、トリ
エトキシ、トリＯＣＨ（ＣＦ3）2、トリＯＣＭｅ2（Ｃ
Ｆ3）、トリＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、トリＯＣ（Ｃ
Ｈ3）3、トリＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、トリＯＣ（Ｃ
Ｆ3）3、またはトリＯＳｉ（ＣＨ3）3、Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ；Ｅｔ3Ｐｂ（イソプロ
ポキシド）または（第３ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3が含ま
れ、これらがＣ5−Ｃ12アルカン液内に溶解、乳化、ま
たは浮遊される。
【００５４】アミノ含有化合物のための前駆原料混合
物：アミノ含有化合物の好適な前駆原料混合物は、次の
ように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここでＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆで
ある。また、Ｒ1はアミノであり、Ｒ2は水素化物、アル
キル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アル
キン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン
化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニト
リル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキ
シ、シロキシ、シリル、及びこれらのハロゲン化、スル
ホン化、またはケイ化誘導体を含むグループから選択さ
れる配位子であり、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子であって
も、そうでなくてもよい。Ａはホスフィン、亜リン酸
塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アル
キン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大
環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、
ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩、及び水を
含むグループから選択される、任意の配位結合される配
位子である。また、ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０であ
り、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価である。
【００５５】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００５６】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する、または化学的に再配列
する傾向のある不安的なアミノ含有化合物の場合、化合
物の安定性を改善するために、追加のアミノ配位子が混
合物に追加されてもよい。アミノ含有化合物の不安的な
アダクトの場合、化合物の安定性を改善するために、追
加のアダクトが混合物に追加され得る。化合物の安定性
を改善するために、他の配位化合物が混合物に追加され
てもよく、それらにはホスフィン、亜リン酸塩、アリー
ル、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、
ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環
式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
ール、ホスフィン酸化物、及びアルキンなどが含まれ
る。全ての任意の添加剤は、容量で不活性液の３０％程
度を占めるに過ぎない。
【００５７】少なくとも１つのアミノ含有化合物から構
成される、特に好適な前駆原料混合物には、テトラキス
（ジメチルアミノ）、テトラキス（ジメチルアミノ）Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；ジエチ
ルアミノジエチルアルシン；ジエチルアミノアルシン二
塩化物；ビスジメチルアミノアルシン塩化物；Ｍｅ2Ｚ
ｎ（トリエチルアミン）2；ジエチルアミノジメチルス
タンナン；トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン；トリ
ス（ジメチルアミノ）アンチモニ；トリス（ジメチルア
ミノ）アルシン；トリス（ジメチルアミノ）スチビン；
トリスビス（トリメチルシリル）エルビウムアミド；ビ
ス（ジメチルアミノ）（トリメチルエチルエチレンジア
ミノ）アルミニウム；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｎ（Ｃ
Ｈ3）3］；Ｌｉ、ＮａまたはＫＮ（ＳｉＭｅ3）；ペン
タジメチルアミノタンタル；ジエチルアミノジメチルス
ズ；ヘキサジメチルアミノジタングステン、またはトリ
スジメチルアミノ（トリメチルエチレンジアミノ）チタ
ンが含まれ、これらが追加のアミンと共に、Ｃ5−Ｃ12
アルカン液内に溶解、乳化、または浮遊される。
【００５８】リン化物含有化合物のための前駆原料混合
物：リン化物含有化合物の好適な前駆原料混合物は、次
のように構成される。 ｉ）ＭＲ1 x（ＰＲ2 3）yＡz ここで、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＣｒまたはＭｏである。ま
た、Ｒ1及びＲ2は水素化物、アルキル、アルケニル、シ
クロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、ア
ミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニ
トリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハ
ロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、
及びこれらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘
導体を含むグループから選択される配位子であり、Ｒ1
及びＲ2は同一の配位子であっても、そうでなくてもよ
い。Ａはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、
アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イ
ソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジ
ン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シ
クロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキ
リデン、亜硝酸塩、及び水を含むグループから選択され
る、任意の配位結合される配位子である。また、ｘ≧
１、ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子
価である。
【００５９】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００６０】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する、または化学的に再配列
する傾向のある不安的なリン化物含有化合物の場合、化
合物の安定性を改善するために、追加のリン化物配位子
が混合物に追加されてもよい。リン化物含有化合物の不
安的なアダクトの場合、化合物の安定性を改善するため
に、追加のアダクトが混合物に追加され得る。化合物の
安定性を改善するために、他の配位化合物が混合物に追
加されてもよく、それらにはホスフィン、亜リン酸塩、
アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫
化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリジン、
複素環式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチルホルム
アミド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、ア
ルコール、ホスフィン酸化物、及びアルキンなどが含ま
れる。全ての任意の添加剤は、容量で不活性液の３０％
程度を占めるに過ぎない。
【００６１】好適な前駆原料混合物は、ＣｐＣｕ（ＰＥ
ｔ3）、ＣｐＣｕ（トリフェニルホスフィン）、（第３
ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3、Ｐｔ（ＰＦ3）4、Ｎｉ（Ｐ
Ｆ3）4、Ｃｒ（ＰＦ3）6、（Ｅｔ3Ｐ）3Ｍｏ（ＣＯ）3
またはＩｒ（ＰＦ3）4から成る。ここでＣｐはシクロペ
ンタジエニルまたは代替シクロペンタジニエルから成
り、過剰なホスフィンを含むＣ5−Ｃ12アルカン液内に
溶解、乳化、または浮遊されるメチル、エチル、イソプ
ロピル、ｎブチル、第２ブチル、第３ブチル、トリメチ
ルシリル、または他の類似の置換基による、Ｈ置換基の
置換が考慮される。
【００６２】硝酸塩含有化合物のための前駆原料混合
物：硝酸塩含有化合物の好適な前駆原料混合物は、次の
ように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここで、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｖまたは
Ｃｒである。また、Ｒ1は硝酸塩であり、Ｒ2は水素化
物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリー
ル、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジ
ド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸
塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、ア
ルコキシ、シロキシ、シリル、及びこれらのハロゲン
化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含むグループか
ら選択される配位子であり、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子
であっても、そうでなくてもよい。Ａはホスフィン、亜
リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エ
ーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、
アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合
物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
ール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩、及
び水を含むグループから選択される、任意の配位結合さ
れる配位子である。また、ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０
であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価である。
【００６３】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００６４】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する、または化学的に再配列
する傾向のある不安的な硝酸塩含有化合物の場合、化合
物の安定性を改善するために、追加の配位子が混合物に
追加されてもよい。硝酸塩含有化合物の不安的なアダク
トの場合、化合物の安定性を改善するために、追加のア
ダクトが混合物に追加され得る。化合物の安定性を改善
するために、他の配位化合物が混合物に追加されてもよ
く、それらにはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、ア
ミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環式化合
物、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、大環
状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホ
スフィン酸化物、及びアルキンなどが含まれる。全ての
任意の添加剤は、容量で不活性液の３０％程度を占める
に過ぎない。
【００６５】好適な前駆原料混合物は、Ｔｉ（Ｎ
Ｏ3）4、Ｚｒ（ＮＯ3）4、Ｈｆ（ＮＯ3）4、Ｓｉ（ＣＨ
3）3（ＮＯ3）、ＲｕＮＯ（ＮＯ3）3、硝酸ガリウム、
Ｓｎ（ＮＯ3）4、Ｃｏ（ＮＯ3）3、ＶＯ（ＮＯ3）3また
はＣｒＯ2（ＮＯ3）2から成り、これらがＣ5−Ｃ12アル
カン液内に溶解、乳化、または浮遊される。
【００６６】ハロゲン化物含有化合物のための前駆原料
混合物：ハロゲン化物含有化合物の好適な前駆原料混合
物は、次のように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここで、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｖまたは
Ｃｒである。また、Ｒ1はハロゲン化物であり、Ｒ2は水
素化物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、ア
リール、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒド
ラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、
硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジ
ド、アルコキシ、シロキシ、シリル、及びこれらのハロ
ゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含むグルー
プから選択される配位子であり、Ｒ1及びＲ2は同一の配
位子であっても、そうでなくてもよい。Ａはホスフィ
ン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビ
ン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アル
ケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式
化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、ア
ルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸
塩、及び水を含むグループから選択される、任意の配位
結合される配位子である。また、ｘ≧１、ｙ≧０、及び
ｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価である。
【００６７】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００６８】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する、または化学的に再配列
する傾向のある不安的なハロゲン化物含有化合物の場
合、化合物の安定性を改善するために、追加のハロゲン
化物配位子が混合物に追加されてもよい。ハロゲン化物
含有化合物の不安的なアダクトの場合、化合物の安定性
を改善するために、追加のアダクトが混合物に追加され
得る。化合物の安定性を改善するために、他の配位化合
物が混合物に追加されてもよく、それらにはホスフィ
ン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビ
ン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アル
ケン、ピリジン、複素環式化合物、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド、大環状分子、シッフ塩基、
シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、及び
アルキンなどが含まれる。全ての任意の添加剤は、容量
で不活性液の３０％程度を占めるに過ぎない。
【００６９】好適な前駆原料混合物は、ＴｉＣｌ4、Ｚ
ｎＣｌ2、ＺｒＣｌ4、ＨｆＣｌ4、ＡｌＣｌ3、ＳｉＣｌ
4、ＧａＣｌ3、ＳｎＣｌ4、ＣｏＣｌ3、ジメチル−、ジ
エチル−、またはジイソブチル−Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ
またはＡｓハロゲン化物から成り、これらがＣ5−Ｃ12
アルカン液内に溶解、乳化、または浮遊される。
【００７０】シリル含有化合物のための前駆原料混合
物：シリル含有化合物の好適な前駆原料混合物は、次の
ように構成される。 ｉ）ＭＲ1 xＲ2 yＡz ここで、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ及びＢ
ｉを含むグループから選択される元素であり、好適には
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｖまたは
Ｃｒである。また、Ｒ1はシリルであり、Ｒ2は水素化
物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリー
ル、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジ
ド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸
塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、ア
ルコキシ、シロキシ、シリル、及びこれらのハロゲン
化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含むグループか
ら選択される配位子であり、Ｒ1及びＲ2は同一の配位子
であっても、そうでなくてもよい。Ａはホスフィン、亜
リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エ
ーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、
アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合
物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
ール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩、及
び水を含むグループから選択される、任意の配位結合さ
れる配位子である。また、ｘ≧１、ｙ≧０、及びｚ≧０
であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価である。
【００７１】ｉｉ）不活性液 不活性液は脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコー
ル、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、フェノール、
エステル、アミン、アルキルニトリル、ハロゲン化炭化
水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、アミン、シアン
酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、シリコーン
油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、及びこれらの混
合物を含むグループから選択される。好適には、不活性
液は基本的に、Ｃ5−Ｃ12アルカンから構成される。
【００７２】ｉｉｉ）任意添加剤 保存または気化の間に分解する、または化学的に再配列
する傾向のある不安的なシリル含有化合物の場合、化合
物の安定性を改善するために、追加のシリル配位子が混
合物に追加されてもよい。シリル含有化合物の不安的な
アダクトの場合、化合物の安定性を改善するために、追
加のアダクトが混合物に追加され得る。化合物の安定性
を改善するために、他の配位化合物が混合物に追加され
てもよく、それらにはホスフィン、亜リン酸塩、アリー
ル、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、
ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環
式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
ール、ホスフィン酸化物、及びアルキンなどが含まれ
る。全ての任意の添加剤は、容量で不活性液の３０％程
度を占めるに過ぎない。
【００７３】好適な前駆原料混合物は、Ｎ（ＳｉＭ
ｅ3）2Ｌｉ、ＮａまたはＫ；Ｂ（ＣＨ2ＳｉＭｅ3）3；
｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝3−Ｂ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎ；
（Ｍｅ3ＳｉＣＨ2）4−Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ；｛（Ｍ
ｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝2−Ｚｎ、ＣｄまたはＨｇから成り、こ
れらがＣ5−Ｃ12アルカン液内に溶解、乳化、または浮
遊される。
【００７４】以下の例は、本発明を例証するために、ま
た本発明の幾つかの利点を実証するために提供されるも
のである。
【００７５】例１：前駆原料混合物を使用する化学蒸着
反応炉内での膜の付着 この例では、基板がＣＶＤのための好適な反応炉内に配
置され、２つの異なる前駆原料混合物を用いて、複合要
素金属、酸化金属、窒化金属、またはケイ化金属Ｈｆ及
びＡｌ含有膜が付着される。
【００７６】ハフニウム含有前駆原料混合物は、１リッ
トルのペンタン内に５０ｇのテトラキス（ジメチルアミ
ノ）ハフニウムと１ｇのジメチルアミンを含む。アルミ
ニウム含有前駆原料混合物は、１リットルのペンタン内
に５０ｇのトリメチルアミンと１ｇのトリメチルアミン
を含む。この例では、前駆原料混合物は気化器内で気化
され、蒸気がＣＶＤ反応炉内に導入される。前駆原料混
合物は４０℃乃至２６０℃で、好適には４０℃乃至１８
０℃で気化される。基板温度は約１００℃乃至１２００
℃であり、好適には２００℃乃至７００℃である。金属
膜を付着するために、水素、フォーミング・ガス、また
はこれらの組み合わせなどの還元反応剤が導入される。
好適な還元剤はフォーミング・ガスである。酸化金属膜
を付着するために、酸素、オゾン、水、過酸化水素、亜
酸化窒素、またはこれらの組み合わせなどの酸化剤が導
入される。好適な酸化剤は酸素である。窒化金属を付着
するために、アンモニア、ヒドラジン、アジ化水素、第
３ブチルアミン、またはこれらの組み合わせなどの窒化
反応剤が導入される。好適な窒化反応剤はアンモニアで
ある。ケイ化金属膜を付着するために、シラン、ジシラ
ン、クロロシラン、シリルアミン、及びシルアザンなど
のケイ化剤が、前駆体蒸気と一緒にＣＶＤ反応炉内に導
入され、還元剤が前駆体蒸気と一緒にＣＶＤ反応炉内に
導入される。前駆原料混合物の蒸気及び反応剤が同時
に、好適には別々の吸気口を通じて導入される。
【００７７】前述の本方法は、２つ以上の異なる前駆原
料混合物、または２つ以上の前駆物質を含む前駆原料混
合物を用いて、化学蒸着により付着される任意の複合要
素金属膜、酸化金属膜、窒化金属膜、またはケイ化金属
膜の成長を含むように拡張される。本方法はまた、複合
要素膜の少なくとも１つの要素が前駆原料混合物から導
出されるという条件の下で、化学蒸着により付着される
任意の複合要素金属膜、酸化金属膜、窒化金属膜、また
はケイ化金属膜の成長を含むように拡張される。膜の他
の要素は、従来のバブラ技術、または本発明に含まれな
い前駆原料を用いて付着されてもよい。前述の本方法は
また、１つの前駆物質だけを含む前駆原料混合物を用い
て、化学蒸着により付着される任意の単一要素金属膜、
酸化金属膜、窒化金属膜、またはケイ化金属膜の成長を
含むように拡張される。
【００７８】例２：不活性液が気化されない膜成長方法 この例では、不活性液が気化されず、ＣＶＤまたはＡＬ
Ｄ反応炉から逸らされる。前駆原料混合物は前駆物質及
び不活性液から成り、不活性液は前駆物質よりも高温で
気化する。前駆原料混合物が気化器内に導入され、そこ
で前駆物質が気化される。不活性液は気化されないが、
代わりに反応炉から液体の形態で逸らされる。
【００７９】可能な装置構成の１つが、図３０に示され
る。図３０に示されるように、前記原料混合物はアンプ
ルから気化器に送られる。前駆原料混合物内の前駆物質
は気化器内で気化されるが、不活性液は気化されない。
気化された前駆物質は反応炉内に移送される一方、気化
されない不活性液は気化器から流出し、トラップ内に収
集される。気化器の温度は不活性液の沸点よりも低く設
定される。
【００８０】好適な１方法は、９０℃に設定された気化
器温度の下で、ジメチルエチルアミン・アラニン及びデ
カン（沸点１７４℃）から成る前駆原料混合物を使用す
る。
【００８１】前述の本方法は、気化器温度が前駆物質を
揮発させるのに十分である一方、前駆原料混合物内の不
活性液の沸点よりも低いという条件の下で、化学蒸着ま
たは原子層付着により付着される、単一要素膜または複
合要素膜の成長を含むように拡張される。
【００８２】例３：前駆原料混合物を用いる、原子層付
着（ＡＬＤ）反応炉内における金属、酸化金属、または
窒化金属の付着 この実施例では、基板がＡＬＤ用の好適な反応炉、例え
ばマイクロケミストリ社から販売されるＦ−２００反応
炉内に配置され、２つの異なる前駆原料混合物を用い
て、Ｚｒ及びＨｆを含む複合要素金属膜、酸化金属膜、
または窒化金属膜が付着される。ＡＬＤは、気化された
前駆物質、反応剤、及びパージ・ガスを順次的に交互に
パルス的に送り込むことにより、循環式に行われる。
【００８３】ジルコニウム含有前駆原料混合物は、１リ
ットルのペンタン内に５０ｇの硝酸ジルコニウムを含
む。ハフニウム含有前駆原料混合物は、１リットルのペ
ンタン内に５０ｇの酸化第３ブトキシ・ハフニウムを含
む。この例では、前駆原料混合物が気化器内で気化さ
れ、蒸気が反応炉内に循環式に導入される。金属膜を付
着するために、水素、フォーミング・ガス、またはこれ
らの組み合わせなどの還元反応剤が導入される。好適な
還元剤はフォーミング・ガスである。酸化金属膜を付着
するために、酸素、オゾン、水、過酸化水素、亜酸化窒
素、またはこれらの組み合わせなどの酸化剤が導入され
る。好適な酸化剤は水である。窒化金属を付着するため
に、アンモニア、ヒドラジン、アジ化水素、第３ブチル
アミン、またはこれらの組み合わせなどの窒化反応剤が
導入される。好適な窒化反応剤はアンモニアである。
【００８４】前駆原料混合物は４０℃乃至２６０℃で、
好適には４０℃乃至１８０℃で気化される。基板温度は
約１００℃乃至約１２００℃であり、好適には１５０℃
乃至５００℃である。前駆物質、反応剤、及び不活性パ
ージ・ガス（Ｎ2、Ａｒまたは他の不活性ガス）が、反
応炉内に次の順序でパルス的に送られる。 １）Ｈｆ含有前駆原料混合物の蒸気 ２）不活性パージ・ガス ３）反応剤 ４）不活性パージ・ガス ５）Ｚｆ含有前駆原料混合物の蒸気 ６）不活性パージ・ガス ７）反応剤 ８）不活性パージ・ガス
【００８５】前駆物質及び反応剤パルス（それぞれ前記
ステップ１、５及びステップ３、７）は、０．１秒乃至
１秒、好適には０．５秒間持続する。不活性ガス・パー
ジ・パルス（ステップ２、４、６、８）は、０．２秒乃
至５秒、好適には２秒間持続する。ステップ１乃至８の
完了が１サイクルに相当し、１サイクルの完了により、
ＺｒＨｆ含有膜の約０．４乃至２単層、すなわち約０．
１ｎｍが付着される。この例では、付着されるＺｒＨｆ
含有膜の好適な厚さは、５０ｎｍであるので、５００サ
イクルの前述のガス交換が行われる。
【００８６】前述の本方法は、２つ以上の異なる前駆原
料混合物、または２つ以上の前駆物質を含む前駆原料混
合物を用いて、原子層付着により付着される任意の複合
要素金属膜、酸化金属膜、窒化金属膜、またはケイ化金
属膜の成長を含むように拡張される。本方法はまた、複
合要素膜の少なくとも１つの要素が前駆原料混合物から
導出されるという条件の下で、原子層付着により付着さ
れる任意の複合要素金属膜、酸化金属膜、窒化金属膜、
またはケイ化金属膜の成長を含むように拡張される。膜
の他の要素は、従来のバブラ技術、または本発明に含ま
れない前駆原料を用いて付着されてもよい。前述の本方
法はまた、１つの前駆物質だけを含む前駆原料混合物を
用いて、原子層付着により付着される任意の単一要素金
属膜、酸化金属膜、窒化金属膜、またはケイ化金属膜の
成長を含むように拡張される。代替実施例では、例２で
前述したように、不活性液が気化されず、ＡＬＤ反応炉
から逸らされる。
【００８７】例４：前駆原料混合物を用いる原子層付着
反応炉内でのケイ化金属膜の付着 この例では、基板がＡＬＤ用の好適な反応炉、例えばマ
イクロケミストリ社から販売されるＦ−２００反応炉内
に配置され、ケイ化コバルト膜が付着される。ＡＬＤ
は、気化された前駆物質、反応剤、及びパージ・ガスを
順次的に交互にパルス的に送り込むことにより、循環式
に行われる。この例では、シランがケイ化剤として、ま
た水素が反応剤として使用される。
【００８８】コバルト含有前駆原料混合物は、１リット
ルのペンタン内に５０ｇのＣｏ2（ＣＯ）8を含む。この
例では、前駆原料混合物が気化器内で気化され、蒸気が
反応炉内に循環式に導入される。
【００８９】前駆原料混合物は４０℃乃至２６０℃で、
好適には４０℃乃至１８０℃で気化される。基板温度は
約１００℃乃至約１２００℃であり、好適には２００℃
乃至８００℃である。前駆物質、反応剤、及び不活性パ
ージ・ガス（Ｎ2、Ａｒまたは他の不活性ガス）が、反
応炉内に次の順序でパルス的に送られる。 １）Ｃｏ含有前駆原料混合物の蒸気 ２）不活性パージ・ガス ３）水素 ４）不活性パージ・ガス ５）シラン ６）不活性パージ・ガス ７）水素 ８）不活性パージ・ガス
【００９０】前駆物質及び反応剤パルス（それぞれ前記
ステップ１、５及びステップ３、７）は、０．１秒乃至
１秒、好適には０．５秒間持続する。不活性ガス・パー
ジ・パルス（ステップ２、４、６、８）は、０．２秒乃
至５秒、好適には２秒間持続する。ステップ１乃至８の
完了が１サイクルに相当し、１サイクルの完了により、
ケイ化コバルトの約０．４乃至２単層、すなわち約０．
１ｎｍが付着される。この例では、付着されるケイ化コ
バルト膜の好適な厚さは、５００ｎｍであるので、５０
００サイクルの前述のガス交換が行われる。
【００９１】前述の本方法は、原子層付着により付着さ
れるＣｏＳｉ2、ＨｆＳｉ2、ＮｂＳｉ2、Ｐｄ2Ｓｉ、Ｐ
ｔＳｉ、ＴａＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＶＳｉ2、ＷＳｉ2、Ｚ
ｒＳｉ2などの任意のケイ化金属膜、及び任意の複合要
素ケイ化金属の成長を含むように拡張され、原子層付着
は、少なくとも１つの前駆原料混合物、水素または他の
還元剤、及びシランまたは他のケイ化剤を順繰りに使用
する。ケイ化剤にはシラン、ジシラン、クロロシラン、
シリルアミン、及びシルアザンなどが含まれる。別の実
施例では、ケイ化剤が前駆原料混合物内に導入される。
【００９２】例５：銅の付着 この例では、本方法が銅を付着するために使用される。
銅含有前駆原料混合物は、１リットルのペンタン内に１
００ｇの（シクロペンタジエニル）Ｃｕ（ＰＥｔ3）、
及び１ｇのＰＥｔ3を含む。前駆原料混合物が気化器に
移送され、そこで６０℃で気化されて、蒸気が化学蒸着
反応炉内に移送される。反応炉内には、水素などの還元
剤が存在し、そこで１００℃乃至３００℃に、好適には
１２０℃乃至２５０℃に過熱された基板上に銅膜が付着
される。
【００９３】例６：タングステンの付着 この例では、本方法がタングステンを付着するために使
用される。前駆原料混合物は、１リットルのヘキサン内
に１００ｇのヘキサカルボニル・タングステンを含む。
前駆原料混合物が気化器に移送され、そこで８０℃で気
化されて、蒸気が化学蒸着反応炉内に移送される。反応
炉内には、水素などの還元剤が存在し、そこで２００℃
乃至７００℃に、好適には６００℃に過熱された基板上
にタングステン膜が付着される。
【００９４】例７：窒化タンタルの付着 この例では、本方法が窒化タンタルを付着するために使
用される。タンタル含有前駆原料混合物は、１リットル
のペンタン内に１００ｇのペンタジメチルアミノタンタ
ル、及び１ｇのジメチルアミノを含む。前駆原料混合物
が気化器に移送され、そこで６０℃で気化されて蒸気が
化学蒸着反応炉内に移送される。反応炉内には、アンモ
ニアなどの窒化剤が存在し、そこで２００℃乃至７００
℃に、好適には５００℃に過熱された基板上に窒化タン
タル膜が付着される。
【００９５】例８：窒化インジウムの付着 この例では、本方法が窒化インジウムを付着するために
使用される。インジウム含有前駆原料混合物は、１リッ
トルのペンタン内に１００ｇのトリメチルインジウム、
及び１ｇのジメチルエチルアミンを含む。前駆原料混合
物が気化器に移送され、そこで６０℃で気化されて蒸気
が化学蒸着反応炉内に移送される。反応炉内には、アン
モニアなどの窒化剤が存在し、そこで１００℃乃至７０
０℃に、好適には３００℃に過熱された基板上に窒化イ
ンジウム膜が付着される。
【００９６】例９：ケイ酸ジルコニウムの付着 この例では、本方法がケイ酸ジルコニウムを付着するた
めに使用される。前駆原料混合物は、１リットルのヘキ
サン内に１００ｇの酸化第３ブトキシ・ジルコニウムを
含む。第２の前駆原料混合物は、１リットルのヘキサン
内に１００ｇのテトラエトキシシランを含む。前駆原料
混合物が気化器に移送され、そこで８０℃で気化され
て、蒸気が化学蒸着反応炉内に移送される。反応炉内に
は、酸素などの酸化剤が存在し、そこで２００℃乃至７
００℃に、好適には５００℃に過熱された基板上にケイ
酸ジルコニウム膜が付着される。
【００９７】例１０：トランジスタのＡｌ2Ｏ3ゲート誘
電体の形成 この例では、図１に示されるように、本方法がＰＦＥＴ
及びＮＦＥＴのゲート誘電体層１５を形成するＡｌ2Ｏ3
を付着するために使用される。パターン化構造を含むシ
リコン・ウエハ基板が使用される。基板の選択領域が、
トランジスタのサイト間に配置される浅トレンチ分離
（ＳＴＩ）酸化物を含み、他の領域がフィールド酸化物
を含み、裸Ｓｉの選択領域がトランジスタが配置される
領域内において露出される。次に、基板が好適なモジュ
ール式クラスタ・ツール内に配置され、真空を破壊する
ことなく、裸Ｓｉの表面が処理されて原位置にＳｉＯx
Ｎy層が形成され、その後、本発明のＣＶＤプロセスに
より、Ａｌ2Ｏ3層が１ｎｍ乃至１００ｎｍの厚さに付着
される。次に、ウエハがモジュール式クラスタ・ツール
の第２のモジュールに移送され、そこで真空を破壊する
ことなく、ゲート電極がＡｌ2Ｏ3上に付着される。
【００９８】本方法によるＡｌ2Ｏ3の付着のために、前
駆原料混合物は、１リットルのヘキサン内に１０３ｇの
ジメチルエチルアミン・アラン及び１０ｇのジメチルエ
チルアミンを含む。前駆原料混合物が気化器に移送さ
れ、そこで８０℃で気化されて、蒸気がクラスタ・ツー
ルの化学蒸着モジュールに移送される。モジュール内に
は、酸素、オゾン、Ｎ2Ｏ、水、またはこれらの混合物
などの酸化剤が存在し、そこでＡｌ2Ｏ3膜が２００℃で
付着される。
【００９９】例１１：トランジスタのＺｒＯ2ゲート誘
電体の形成 この例では、図１に示されるように、本方法がＰＦＥＴ
及びＮＦＥＴのゲート誘電体層１５を形成するＺｒＯ2
を付着するために使用される。パターン化構造を含むシ
リコン・ウエハ基板が使用される。基板の選択領域が、
トランジスタのサイト間に配置される浅トレンチ分離
（ＳＴＩ）酸化物を含み、他の領域がフィールド酸化物
を含み、裸Ｓｉの選択領域がトランジスタが配置される
領域内において露出される。次に、基板が好適なモジュ
ール式クラスタ・ツール内に配置され、真空を破壊する
ことなく、裸Ｓｉの表面が処理されて、原位置にＳｉＯ
xＮy層が形成され、その後、本発明のＣＶＤプロセスに
よりＺｒＯ2層が１ｎｍ乃至１００ｎｍの厚さに付着さ
れる。次に、ウエハがモジュール式クラスタ・ツールの
第２のモジュールに移送され、そこで真空を破壊するこ
となく、ゲート電極がＺｒＯ2上に付着される。
【０１００】本方法によるＺｒＯ2の付着のために、前
駆原料混合物は、１リットルのヘキサン内に１００ｇの
酸化第３ブトキシ・ジルコニウムを含む。前駆原料混合
物が気化器に移送され、そこで８０℃で気化されて、蒸
気がクラスタ・ツールの化学蒸着モジュールに移送され
る。モジュール内には、酸素、オゾン、Ｎ2Ｏ、水、ま
たはこれらの混合物などの酸化剤が存在し、そこでＺｒ
Ｏ2膜が４００℃で付着される。
【０１０１】例１２：トランジスタのゲート誘電体の形
成 この例では、本方法がトランジスタのゲート誘電体を付
着するために使用される。図４に示されるように、トラ
ンジスタ素子は導電性領域５１上に形成され、ゲート誘
電体５３上に形成されるゲート電極５２と、ゲート電極
５２の両側に形成される１対のｎ型ソース／ドレイン領
域５４とを含む。ゲート誘電体５３は、本方法により付
着され、異なる材料のドープまたは非ドープ混合物、
層、またはこれらの組み合わせから構成される。ゲート
誘電体５３の任意の上層５７は、ドーパント拡散障壁と
して作用し、ゲート電極５２の付着の間に、構造を安定
化させる。ゲート誘電体５３の任意の下層５５は、電子
障壁層として、または下側のシリコンの酸化を防止する
層として作用するか、両方の役割を果たす。ゲート誘電
体５３の中間層５６は、高いＫを有する誘電体層であ
る。
【０１０２】好適な下層５５は、ＳｉＯ2、ＳｉＯ
xＮy、Ｓｉ3Ｎ4などの誘電材料から成り、シリコン基板
の酸化または窒化により用意されるか、別々に付着され
る。他の好適な下層材料には、酸化金属や金属ケイ酸塩
が含まれる。高いＫを有する中間誘電体層５６は、次の
ような誘電材料、すなわち、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＨｆＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、イットリ
ウム、アルミン酸イットリウム、アルミン酸ランタン、
ケイ酸ランタン、ケイ酸イットリウム、ケイ酸ハフニウ
ム、ケイ酸ジルコニウム、これらのドープまたは非ドー
プ混合物、層または組み合わせから構成される。中間層
５６は、異なる材料の幾つかの層から構成されてもよ
く、例えば、酸化アルミニウムの層間に挟まれた酸化ハ
フニウムの層であったり、酸化ジルコニウムと酸化ハフ
ニウムの混合物などの比較的同質の混合物から成る層で
ある。任意の上層５７は、中間層の酸化または窒化表面
であったり、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、Ｚｒ
Ｏ2、ＨｆＯ2、Ａｌ2Ｏ3、アルミノケイ酸塩、ケイ酸イ
ットリウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸ハフニウム、
ケイ酸ランタン、或いはこれらのドープまたは非ドープ
混合物、層または組み合わせなどの、誘電材料が付着さ
れたものである。好適なゲート誘電体は、ＳｉＯxＮyの
下層と、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2またはＨｆＯ2の中間層と、
窒化酸化金属の上部障壁層とから構成される。ゲート誘
電体５３内の少なくとも１つの構成要素が、本方法によ
り、すなわち、前駆原料混合物を使用し、前駆原料混合
物を気化し、ＣＶＤまたはＡＬＤ反応炉内において、前
駆原料混合物の蒸気により膜を付着する方法により、付
着される。
【０１０３】図６乃至図１３は、本方法によるトランジ
スタの好適な形成を示す断面図である。ゲート誘電体５
３の形成が、アプライド・マテリアルズ社により製造さ
れるクラスタ・ツール内で原位置で行われる。図６にお
いて、清浄表面を有する（自然のＳｉＯ2が存在しな
い）シリコン基板５０が出発点となる。図７では、シリ
コン基板５０が酸化及び窒化されて、ＳｉＯxＮy層が下
層５５として形成される。図８では、酸化ジルコニウム
の中間層５６が本方法により形成される。これは酸化第
ｔブトキシ・ジルコニウム及びヘキサンの前駆原料混合
物を利用し、前駆原料混合物を８０℃で気化し、次に、
酸素、オゾン、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏまたはこれらの混合物など
の酸化剤が存在する化学蒸着反応炉内において、ＺｒＯ
2膜をＳｉＯxＮy層上に４００℃で付着する。図９で
は、上層５７がＺｒＯ2表面のプラズマ窒化物形成によ
り形成される。図１０では、ポリシリコンがゲート電極
５２として付着される。図１１乃至図１３では、ゲート
が形成され、拡張打込みが行われ、スペーサ５８が形成
され、ソース／ドレイン打込みが行われて、完全な素子
が形成される。続くコンタクト形成のステップなどは省
略されている。
【０１０４】例１３：金属ゲートを用いるトランジスタ
の形成 この例では、本方法が金属ゲートを用いるトランジスタ
を形成するために使用される。図１に示されるように、
ＣＭＯＳ集積回路は、単一基板上に形成されるｎ型電界
効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）及びｐ型電界効果トラン
ジスタ（ＰＦＥＴ）の両方を含む。ＮＦＥＴ素子１１
は、基板１０のｐ型導電性領域１３上に形成され、ゲー
ト誘電体１５上に形成されるゲート電極１４と、ゲート
電極１４の横方向の両側に形成される１対のｎ型ソース
／ドレイン領域１６とを含む。同様に、ＰＦＥＴ素子１
７が基板１０のｎ型導電性領域１８上に形成され、ゲー
ト誘電体１５上に形成されるゲート電極１９と、ゲート
電極１９の両側の側壁に沿って形成される１対のｐ型導
電性ソース／ドレイン領域２０とを含む。ＮＦＥＴ及び
ＰＦＥＴ素子は、浅トレンチ分離２１及びスペーサ２２
により分離される。この例では、ゲート電極１４または
１９が、適切な仕事関数を有するバルク金属または合金
から成る。ＮＦＥＴ素子１１のゲート電極１４として適
切な金属には、Ａｌ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｇａ、
Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｙ、Ｚｒ及びこれらの合金な
どが含まれる。ＮＦＥＴに好適な少なくとも１つの金属
が、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ及びＣｕと合金化され、ゲート電極
１４を形成してもよい。ＰＦＥＴ素子１７のゲート電極
１９として適切な金属には、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｂｅ、Ｉｒ、
Ｔｅ、Ｒｅ及びＲｈなどが含まれる。ＰＦＥＴに好適な
少なくとも１つの金属が、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ及びＣｕと合
金化され、ゲート電極１９を形成してもよい。この実施
例では、ＮＦＥＴまたはＰＦＥＴ要素、すなわちゲート
電極１４、ゲート電極１９、及びゲート誘電体１５の少
なくとも１つが、本方法により付着される。ゲート誘電
体１５は、例２で述べたように、本方法により付着され
得る。
【０１０５】例１４：トランジスタの形成 この例では、本方法が金属ゲートを用いるトランジスタ
を形成するために使用される。図１４は、ＮＦＥＴ及び
ＰＦＥＴを含む一般的な素子構造を示す。この実施例で
は、ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴが単一のｐ型導電基板６０上
に形成される。ＮＦＥＴ素子６１は、基板６０のｐ型導
電性領域上に形成され、ゲート誘電体６４上に形成され
るゲート電極６２と、ゲート電極６２の横方向の両側に
形成される１対のｎ型ソース／ドレイン領域６５とを含
む。同様に、ＰＦＥＴ素子７１が基板６０のｎ型ウェル
７２上に形成されて、浅トレンチ分離７３により分離さ
れ、ゲート誘電体６４上に形成されるゲート電極７４
と、ゲート電極７４の両側の側壁に沿って形成される１
対のｐ型導電性ソース／ドレイン領域７６とを含む。
【０１０６】図１５乃至図２４は、標準的ＣＭＯＳフロ
ーの可能な形成シーケンスの１例を示す部分断面図であ
る。図１５では、浅トレンチ分離（ＳＴＩ）７３及びｎ
ウェル７２を有するシリコン基板６０が、ｐ型導電基板
の一部に形成される。図１６では、ゲート誘電体６４及
びマスキング層（例えばＳｉ3Ｎ4）７７が、基板上に形
成される。ゲート誘電体６４は、例１２で述べたよう
に、本方法により付着され得る。図１７では、マスキン
グ層７７内において、ＮＦＥＴゲートに相当する部分に
開口が形成される。図１８では、ＮＦＥＴゲート電極６
２が形成される。ＮＦＥＴゲート電極６２として好適な
材料には、ポリシリコン、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｖ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｂｉ、
Ｃｄ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、これ
らのドープまたは非ドープ合金、混合物、及び多層が含
まれる。ＮＦＥＴゲート電極６２が本方法により付着さ
れもよい。図１９では、化学機械研磨（ＣＭＰ）ステッ
プが実行され、表面が平坦化される。図２０乃至図２２
では、図１７乃至図１９で示されたステップが、ＰＦＥ
Ｔ素子の形成のために繰り返される。図２０では、マス
キング層７７内において、ＰＦＥＴゲートに相当する部
分に開口が形成される。図２１では、ＰＦＥＴゲート電
極７４が形成される。ＰＦＥＴのゲート電極７４として
好適な材料には、ポリシリコン、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂｅ、Ａｕ、Ｉ
ｒ、Ｔｅ、Ｒｈ、これらのドープまたは非ドープ合金、
混合物、及び多層が含まれる。ＰＦＥＴゲート電極７４
が本方法により付着されもよい。図２２では、化学機械
研磨（ＣＭＰ）ステップが実行され、表面が平坦化され
る。図２３では、ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴのそれぞれに対
して、拡張打込みが障壁を通じて行われる。図２４で
は、スペーサ形成プロセスの後に、ＮＦＥＴ及びＰＦＥ
Ｔのそれぞれに対してソース／ドレイン打込みが障壁を
通じて実行され、素子形成が完了する。この実施例で
は、ゲート電極及びゲート誘電体などの、少なくとも１
つ以上の層または層の構成要素が、本方法により、すな
わち、前駆原料混合物を使用し、前駆原料混合物を気化
し、ＣＶＤまたはＡＬＤ反応炉内において、前駆原料混
合物の蒸気により膜を付着する方法により付着される。
【０１０７】例１５：積層コンデンサの形成 この例では、本方法により付着される少なくとも１構成
要素を組み込む、集積回路コンデンサが形成される。図
２に示されるように、典型的なコンデンサが基板３０上
に、バリア３２と一緒に形成され、プラグ３１によりト
ランジスタに接続される。コンデンサは、底部電極３
３、（強誘電性または非強誘電性の）誘電体３４、及び
頂部電極３５を含む。この実施例では、プラグ３１、バ
リア３２、底部電極３３、誘電体３４、及び頂部電極３
５を含む少なくとも１つのコンデンサ要素が、本方法に
より付着される。
【０１０８】図２５乃至図２９は、コンデンサの可能な
形成シーケンスの１例を示す部分断面図である。図２５
では、トレンチを有する基板３０が形成される。基板３
０はシリコン含有半導体基板、絶縁体上シリコン基板、
Ｇｅ基板、ＳｉＧｅ基板、またはＧａＡｓ基板、及び他
の類似の基板、誘電体、金属、有機基板、ガラス、金属
酸化物、プラスチック・ポリマ基板、及びこれらの混
合、組み合わせ及び多層などである。図２６では、プラ
グ材料３１及び任意のバリア３２が形成される。プラグ
材料は、ポリシリコン、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕな
どの従来の導電材料から成り、本方法を用いて付着され
得る。任意の導電バリア３２は、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、
ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＷＮ、ＴｉＷＮ、ＴａＡ
ｌＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、ＴａＴｉＮ、ＩｒＯ2、Ｓｉ
Ｃ、ＴｉＰｔ、ＴｉＮＰｔ、ＴｉＡｌＮ−Ｐｔ、Ｒｕ、
ＲｕＯ2、ＲｕＰｔ、ＲｕＯ2、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳ
ｉ、これらのドープまたは非ドープのポリシリコン、或
いはＡｌ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＩｒＯx、Ｏｓ、ＯｓＯx、Ｍｏ
Ｓｉ、ＴｉＳｉ、ＲｅＯ2、これらの混合物または多層
などの、従来の導電材料から成り、本方法を用いて付着
され得る。図２７では、底部電極３３が形成される。底
部電極３３は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、ＩｒＯx、ＲｕＯx、ＴａＮ、ＴａＳ
ｉＮ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、ＬａＳｒＣｏＯ3、これらの
ドープまたは非ドープ合金、混合物、または多層など
の、導電材料から構成される。図２８では、誘電体３４
が形成される。誘電体３４は、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、
Ｓｉ3Ｎ4や、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ 2、ＨｆＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3などの金属酸化物、これら
の合金、混合物または多層などの任意の絶縁材料から構
成される。或いは、誘電体３３が、化学式ＡＢＯ3を有
するペロブスカイト型の酸化物などの、複合要素金属酸
化物から構成されてもよい。ここでＢは、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕを
含むグループから選択される金属を含む、少なくとも１
つの酸性酸化物であり、Ａは約１乃至約３の正の形式電
荷を有する少なくとも１つの追加のカチオンである。こ
うした複合要素金属酸化物には、チタン酸ストロンチウ
ム・バリウム、ジルコン酸塩、ハフネート（hafnat
e）、チタン酸鉛、アルミン酸イットリウム、アルミン
酸ランタン、及びチタン酸ジルコニウム鉛や、ケイ酸ハ
フニウム、ケイ酸ジルコニウムなどのケイ酸塩、更に希
土類がドープされたケイ酸塩などが含まれる。図２９で
は、頂部電極３５が形成される。頂部電極３５は、ポリ
シリコン、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒ
ｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、ＩｒＯx、ＲｕＯx、ＴａＮ、ＴａＳｉ
Ｎ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、ＬａＳｒＣｏＯ3、これらのド
ープまたは非ドープ合金、混合物、またはこれらの多層
などの導電材料から構成される。頂部電極及び底部電極
は類似であっても、そうでなくてもよい。この実施例で
は、プラグ、バリア、底部電極、誘電体、及び頂部電極
を含む少なくとも１つ以上の層が、本方法により、すな
わち、前駆原料混合物を使用し、前駆原料混合物を気化
し、ＣＶＤまたはＡＬＤ反応炉内において、前駆原料混
合物の蒸気により膜を付着する方法により、付着され
る。
【０１０９】例１６：トレンチ・コンデンサの形成 この例では、本方法により付着される少なくとも１つの
構成要素を組み込む、集積回路トレンチ・コンデンサが
形成される。基板３０上にトレンチ・コンデンサを形成
する１例が、図３１に示される。コンデンサの凹みが基
板３０内に形成され、これがプラグ３１を介して下側の
回路に接続される。回路は誘電体絶縁層（分離誘電体）
８３により覆われる。基板は、シリコン含有半導体基
板、絶縁体上シリコン基板、Ｇｅ基板、ＳｉＧｅ基板、
ＧａＡｓ基板、または他の類似の基板、誘電体、金属、
有機基板、ガラス、金属酸化物、プラスチック・ポリマ
基板、及びこれらの混合、組み合わせ及び多層などであ
る。誘電体絶縁層（分離誘電体）８３は、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸リン・ガラス、或いはＡｌ
2Ｏ3などの金属酸化物がドープされた、または非ドープ
の混合物、またはこれらの多層などの、任意の絶縁材料
から選択される。プラグ及びコンデンサの凹み上には、
任意の導電バリア層３２、底部電極層３３、誘電体層３
４、頂部電極層３５、及び任意の誘電体緩衝層３６が順
々に付着される。プラグ材料は、ポリシリコン、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの従来の材料から構成され、
本方法を用いて付着され得る。任意の導電バリア層３２
は、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｔ
ａＷＮ、ＴｉＷＮ、ＴａＡｌＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、Ｔａ
ＴｉＮ、ＩｒＯ2、ＳｉＣ、ＴｉＰｔ、ＴｉＮＰｔ、Ｔ
ｉＡｌＮ−Ｐｔ、Ｒｕ、ＲｕＯ2、ＲｕＰｔ、ＲｕＯ2、
ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、これらのドープまたは非ドー
プ・ポリシリコン、或いはＡｌ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｒ
Ｏx、Ｏｓ、ＯｓＯx、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＲｅＯ2、
これらの混合物または多層などの従来の導電材料から成
り、本方法を用いて付着され得る。底部電極３３は、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、ＩｒＯx、ＲｕＯx、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｔａ、Ｓ
ｒＲｕＯ3、ＬａＳｒＣｏＯ3、これらのドープまたは非
ドープ合金、混合物、または多層などの導電材料から構
成される。誘電体３４は任意の絶縁材料から成り、それ
らにはＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4や、Ｔａ2Ｏ5、
ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2
Ｏ3などの金属酸化物、これらの合金、混合物または多
層などが含まれる。或いは、誘電体３３が、化学式ＡＢ
Ｏ 3を有するペロブスカイト型の酸化物などの複合要素
金属酸化物から構成されてもよい。ここでＢは、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｃｕを含むグループから選択される金属を含む、少なく
とも１つの酸性酸化物であり、Ａは約１乃至約３の正の
形式電荷を有する少なくとも１つの追加のカチオンであ
る。こうした複合要素金属酸化物には、バリウム・チタ
ン酸ストロンチウム、ジルコン酸塩、ハフネート、チタ
ン酸鉛、アルミン酸イットリウム、アルミン酸ランタ
ン、チタン酸ジルコニウム鉛や、ケイ酸ハフニウム、ケ
イ酸ジルコニウムなどのケイ酸塩、更に希土類がドープ
されたケイ酸塩などが含まれる。頂部電極３５は、ポリ
シリコン、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒ
ｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、ＩｒＯx、ＲｕＯx、ＴａＮ、ＴａＳｉ
Ｎ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、ＬａＳｒＣｏＯ3、これらのド
ープまたは非ドープ合金、混合物、または多層などの導
電材料から構成される。頂部電極及び底部電極は類似で
あっても、そうでなくてもよい。任意の誘電体緩衝層３
６は、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ＴｉＯＮ、Ａ
ｌＮ、ＳｉＮ及びＴｉＮや、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＨｆＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3などの金属
酸化物、これらの合金、混合物または多層、或いは複合
要素金属酸化物などの任意の絶縁材料から構成される。
順次付着される層が平坦化され、コンデンサの凹み内に
トレンチ・コンデンサが形成される。次に、絶縁不動態
層３７及び層間誘電体層３８が付着され、コンデンサ凹
み内のトレンチ・コンデンサ上にバリア構造が形成され
る。絶縁不動態層３７は、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3
Ｎ4、ＴｉＯＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ及びＴｉＮや、Ｔａ2Ｏ
5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、
Ｙ2Ｏ3などの金属酸化物、これらの合金、混合物または
多層、或いは複合要素金属酸化物などの任意の絶縁材料
から構成される。層間誘電体３８は、ＳｉＯ2、ＳｉＯx
Ｎy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸リン・ガラスや、Ａｌ2Ｏ3など
の金属酸化物のドープまたは非ドープ混合物、或いはこ
れらの多層などの任意の絶縁材料から選択される。バイ
アがバリア構造内に形成される。拡散障壁層８１及び金
属化層８２が、バリア構造及びバイア上に付着される。
拡散障壁層８１は、ＷＮ、ＴｉＮまたはＴａＮなどであ
る。金属化層８２は、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒまた
はＣｕ、これらのドープまたは非ドープ合金、混合物、
または多層などの任意の導電材料から選択される。この
実施例では、導電バリア材料、底部電極、誘電体、頂部
電極、絶縁不動態層、層間誘電体、拡散障壁層、分離誘
電体、及び金属化層を含む、トレンチ・コンデンサ構成
要素の少なくとも１つが、本方法により付着される。
【０１１０】例１７：配線構造の形成 この例では、本方法により付着される少なくとも１構成
要素を組み込む、集積回路配線構造が形成される。図３
に示されるように、誘電体層４３内にトレンチ４１及び
バイアを４２をエッチングすることにより、典型的な配
線構造が形成される。誘電体層４３は、ＳｉＯ2、Ｓｉ
ＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸リン・ガラスや、Ａｌ2Ｏ3な
どの金属酸化物のドープまたは非ドープ混合物、或いは
これらの多層などの任意の絶縁材料から選択される。金
属化層はダマシーンまたは２重ダマシーン・プロセスに
より、またはリソグラフィ及びエッチングにより、パタ
ーン化される。誘電体層４３の下側には、金属薄膜配線
４４及び誘電体層４５が存在し、前者はＡｌ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、ＣｒまたはＣｕ合金、混合物またはこれらの
多層などの任意の導電材料から選択され、後者はＳｉＯ
2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸リン・ガラスや、Ａ
ｌ2Ｏ3などの金属酸化物のドープまたは非ドープ混合
物、或いはこれらの多層などの任意の絶縁材料から選択
される。図４では、トレンチ及びバイアが、バリア材料
及び配線金属により充填される。ここでバリア材料は、
ＷＮ、ＴｉＮまたはＴａＮなどであり、配線金属は、Ａ
ｌ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉまたはＣｕ、これらのドープまたは
非ドープ合金、混合物、または多層などの任意の導電材
料から選択される。この実施例では、誘電体層、金属薄
膜配線、バリア材料、及び配線金属を含む配線構造構成
要素の少なくとも１つが、本方法により付着される。
【０１１１】本発明は特に、好適な実施例に関連して述
べられてきたが、当業者であれば、本発明の趣旨及び範
囲から逸れることなく、その形態及び詳細において、前
述の変更及び他の変更が可能であることが理解できよ
う。従って、本発明は前述の正確な形態及び詳細に限定
されるものではない。
【０１１２】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【０１１３】（１）不活性液内に溶解、乳化または浮遊
される少なくとも１つの前駆化合物を含む、前駆原料混
合物であって、前記少なくとも１つの前駆化合物が、化
学式
【数式３】ＭＲ1 xＲ2 yＡz を有し、ここでＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆ
ｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、
Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ
及びＢｉを含むグループから選択される元素であり、Ｒ
1及びＲ2が水素化物、アルキル、アルケニル、シクロア
ルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミド、
イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル
（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン
化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル及びこれ
らのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含
むグループから選択される、同一のまたは異なる配位子
であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アミン、アルシ
ン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニト
リル、アルケン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式
化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、ア
ルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸
塩、アルキン及び水を含むグループから選択される、任
意の配位的に結合または会合される配位子であり、ｘ≧
１、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価であり、ｚ≧０である前駆
原料混合物。 （２）前記不活性液が、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水
素、アルコール、エーテル、アルデヒド、ケトン、酸、
フェノール、エステル、アミン、アルキルニトリル、ハ
ロゲン化炭化水素、ケイ化炭化水素、チオエーテル、ア
ミン、シアン酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン酸塩、
シリコーン油、ニトロアルキル、アルキル硝酸塩、また
はこれらの混合物である、前記（１）記載の前駆原料混
合物。 （３）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂまたは
Ｂｉであり、Ｒ1が水素化物であり、Ｒ2が水素化物、ア
ルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、ア
ルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リ
ン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニ
トリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキ
シ、シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン化、ス
ルホン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィ
ン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビ
ン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アル
ケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式
化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、ア
ルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩
または水である、前記（１）記載の前駆原料混合物。 （４）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がＣ1−Ｃ8アルキル、
またはＣ4−Ｃ12シクロアルキルであり、Ｒ2が水素化
物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリー
ル、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジ
ド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸
塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、ア
ルコキシ、シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン
化、スルホン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホス
フィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、ス
チビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、
アルケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素
環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケ
ン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜
硝酸塩または水である、前記（１）記載の前駆原料混合
物。 （５）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がＣ2−Ｃ8アルケニ
ル、Ｃ4−Ｃ12シクロアルケニル、またはＣ5−Ｃ18アリ
ールであり、Ｒ2が水素化物、アルキル、アルケニル、
シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、
アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、
ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、
ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリ
ル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、またはケ
イ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリ
ール、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化
物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒ
ドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分
子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフ
ィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水である、
前記（１）記載の前駆原料混合物。 （６）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がカルボニルであり、
Ｒ2が水素化物、アルキル、アルケニル、シクロアルケ
ニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミド、イミ
ド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（ni
tryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化
物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、またはこ
れらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体で
あり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミ
ン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
アルキリデン、亜硝酸塩または水である、前記（１）記
載の前駆原料混合物。 （７）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がアルコキシまたはシ
ロキシであり、Ｒ2が水素化物、アルキル、アルケニ
ル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニ
ル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシ
ル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitril
e）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、
シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、また
はケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、
アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫
化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アルキン、
ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分
子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフ
ィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水である、
前記（１）記載の前駆原料混合物。 （８）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がアミドであり、Ｒ2が
水素化物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、
アリール、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒ
ドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitry
l）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、ア
ジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、またはこれらの
ハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体であり、
Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アル
シン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニ
トリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、
窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロ
アルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデ
ン、亜硝酸塩または水である、前記（１）記載の前駆原
料混合物。 （９）前記前駆化合物が化学式、
【数式４】ＭＲ1 x（ＰＲ2 3）yＡz を有し、ここでＭがＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇまた
はＡｕであり、Ｒ1及びＲ2が水素化物、アルキル、アル
ケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カル
ボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニト
ロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitr
ile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキ
シ、シリル及びこれらのハロゲン化、スルホン化、また
はケイ化誘導体を含むグループから選択される配位子で
あり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミ
ン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
アルキリデン、亜硝酸塩及び水を含むグループから選択
される、任意の配位結合される配位子であり、ｘ≧１、
ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価で
ある、前記（１）記載の前駆原料混合物。 （１０）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであ
り、Ｒ1が硝酸塩であり、Ｒ2が水素化物、アルキル、ア
ルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カ
ルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニ
トロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（ni
trile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキ
シ、シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、
またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸
塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アル
キン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大
環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、
ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水で
ある、前記（１）記載の前駆原料混合物。 （１１）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであ
り、Ｒ1がハロゲン化物であり、Ｒ2が水素化物、アルキ
ル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキ
ン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化
物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリ
ル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、
シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホ
ン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜
リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エ
ーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、
アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合
物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
ール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩また
は水である、前記（１）記載の前駆原料混合物。 （１２）ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂ
ｅ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであ
り、Ｒ1がシリルであり、Ｒ2が水素化物、アルキル、ア
ルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カ
ルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニ
トロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（ni
trile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキ
シ、シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、
またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸
塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アル
キン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大
環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、
ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水で
ある、前記（１）記載の前駆原料混合物。 （１３）ＭがＰｔであり、前記化合物が（シクロペンタ
ジエニル）Ｐｔ（アルキル）3でないという条件の下
で、Ｒ1及びＲ2が水素化物、アルキル、アルケニル、シ
クロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、ア
ミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニ
トリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハ
ロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、
またはこれらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化
誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリー
ル、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、
ニトリル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラ
ジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シ
ッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸
化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水である、前記
（１）記載の前駆原料混合物。 （１４）前記不活性液が前記少なくとも１つの前駆化合
物よりも高い温度で気化する、前記（１）記載の前駆原
料混合物。 （１５）前記不活性液がＣ5-12アルカンである、前記
（２）記載の前駆原料混合物。 （１６）前記不活性液が容量で該不活性液の３０％以下
の添加剤を含む、前記（１）記載の前駆原料混合物。 （１７）前記添加剤が追加の前駆配位子、または追加の
前駆アダクトであるか、或いはホスフィン、亜リン酸
塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリ
ジン、複素環式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケ
ン、アルコール、ホスフィン酸化物、及びアルキンを含
むグループから選択される他の配位化合物である、前記
（１６）記載の前駆原料混合物。 （１８）前記添加剤がメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ネオペンタノール、トリメチルアミン、ジ
メチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ビストリ
メチルシリルアミン、アンモニア、エチレンジアミン、
プロピレンジアミン、トリメチルエチルエチレンジアミ
ン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリメチルホスフィン、アリル、シクロペンタジエン、
ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、シクロヘキサジ
エン、シクロオクタジエン、シクロヘプタトリエン、シ
クロオクタテトラエン、メシチレン、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢
酸ブチル、酢酸、エチルヘキサン酸、メタン、エタン、
ピリジン及びＰＦ3を含むグループから選択される、前
記（１６）記載の前駆原料混合物。 （１９）前記不活性液が、脂肪族炭化水素、芳香族炭化
水素、アルコール、エーテル、アルデヒド、ケトン、
酸、フェノール、エステル、アミン、アルキルニトリ
ル、ハロゲン化炭化水素、ケイ化炭化水素、チオエーテ
ル、アミン、シアン酸塩、イソシアン酸塩、チオシアン
酸塩、シリコーン油、ニトロアルキル、アルキル硝酸
塩、及びこれらの混合物から選択される２つ以上の構成
要素と、容量で前記不活性液の３０％以下の添加剤とか
ら成り、前記添加剤が追加の前駆配位子、または追加の
前駆アダクトであるか、或いはホスフィン、亜リン酸
塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリ
ジン、複素環式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケ
ン、アルコール、ホスフィン酸化物、及びアルキンを含
むグループから選択される他の配位化合物である、前記
（１）記載の前駆原料混合物。 （２０）前記添加剤がメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ネオペンタノール、トリメチルアミン、ジ
メチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ビストリ
メチルシリルアミン、アンモニア、エチレンジアミン、
プロピレンジアミン、トリメチルエチルエチレンジアミ
ン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリメチルホスフィン、アリル、シクロペンタジエン、
ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、シクロヘキサジ
エン、シクロオクタジエン、シクロヘプタトリエン、シ
クロオクタテトラエン、メシチレン、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢
酸ブチル、酢酸、エチルヘキサン酸、メタン、エタン、
ピリジン、及びＰＦ3を含むグループから選択される、
前記（１９）記載の前駆原料混合物。 （２１）前記不活性液がＣ5−Ｃ12アルカンから成り、
容量で該不活性液の３０％以下の添加剤を含み、前記添
加剤が追加の前駆配位子、または追加の前駆アダクトで
あるか、或いはホスフィン、亜リン酸塩、アリール、ア
ミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
ル、イソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環式化合
物、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、大環
状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホ
スフィン酸化物、及びアルキンを含むグループから選択
される他の配位化合物である、前記（１）記載の前駆原
料混合物。 （２２）前記添加剤がメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ネオペンタノール、トリメチルアミン、ジ
メチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ビストリ
メチルシリルアミン、アンモニア、エチレンジアミン、
プロピレンジアミン、トリメチルエチルエチレンジアミ
ン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリメチルホスフィン、アリル、シクロペンタジエン、
ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、シクロヘキサジ
エン、シクロオクタジエン、シクロヘプタトリエン、シ
クロオクタテトラエン、メシチレン、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢
酸ブチル、酢酸、エチルヘキサン酸、メタン、エタン、
ピリジン、及びＰＦ3を含むグループから選択される、
前記（２１）記載の前駆原料混合物。 （２３）前記少なくとも１つの前駆化合物が、ジメチル
−、ジエチル−、またはジイソブチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂ水素化物；Ｍｅ2ＡｌＨ（Ｎ
ＥｔＭｅ2）；第３ブチルアルシン；（Ｍｅ3Ｎ）ＡｌＨ
3；（ＥｔＭｅ2Ｎ）ＡｌＨ3；（Ｅｔ3Ｎ）ＡｌＨ3；Ｃ
ｐＷＨ2；Ｃｐ2ＭｏＨ2；トリメチル−、トリエチル
−、トリイソブチル−、トリｎプロピル−、トリイソプ
ロピル−、トリｎブチル−、トリネオペンチル−、また
はエチルジメチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓまたは
Ｓｂ；テトラメチル−、テトラエチル−、テトラフェニ
ル−、またはテトラｎブチル−Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；ジメチル−、ジエチル−、
またはジイソブチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓまた
はＳｂ水素化物、塩化物、フッ化物、臭化物、ヨウ化
物、Ｃｐ、アミド、ジメチルアミドまたはアジド；トリ
エチル−、トリイソブチル−、トリｎプロピル−、トリ
イソプロピル−、トリｎブチル−、またはエチルジメチ
ル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂトリメチル
アミン、ジエチルメチルアミン、ジメチルエチルアミ
ン、またはトリエチルアミン；ジメチル−またはジエチ
ル−Ｚｎ、ＣｄまたはＨｇ；（ネオペンチル）4Ｃｒ；
Ｅｔ3Ｐｂ（ネオペントキシ）；Ｃｐ2Ｍｅ2Ｚｒ；（Ｍ
ｅＮＣ）2ＰｔＭｅ2；ＣｐＩｒ（Ｃ2Ｈ4）2；ビスＣｐ
−Ｃｏ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｖ、Ｏｓ、Ｍ
ｇまたはＣｒ；ビスエチルベンゼン；ビスベンゼン−Ｃ
ｏ、ＭｏまたはＣｒ；トリフェニル−Ｂｉ、Ｓｂまたは
Ａｓ；トリビニルボロン；トリスＣｐ−Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ；テトラＣｐ−
Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、ＰｕまたはＡｍトリスアリルイ
リジウム；ＣｐＣｒ（ＣＯ）2；Ｃｐ2ＺｒＭｅ2；Ｃｐ
ＣｕＰＥｔ3；ＣＰＩｎ；ＣｐＩｒ（シクロオクタジエ
ン）；ＣｐＰｄ（アリル）；ＣｐＧａＭｅ2；ＣｐＧａ
Ｅｔ2；（シクロヘキサジエン）ＦｅＣＯ3；（シクロオ
クタテトラエン）ＦｅＣＯ3；エチルフェロセン；Ｃｐ
Ｍｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエン）Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）3；ＴｌＣｐ；Ｃｐ 2ＷＨ2；（メシチレン）Ｗ（Ｃ
Ｏ）3；ＣｐＲｅ（ＣＯ）3；ＣｐＲｈ（ＣＯ）2；Ｉｒ
（アリル）3；Ｐｔ（アリル）2；ＣｐＩｒ（シクロオク
タネジオン）；［Ｉｒ（ＯＭｅ）（シクロオクタネジオ
ン）］2；Ｒｕ（シクロオクタネジオン）（アリル）2；
Ｒｕ3ＣＯ12；Ｆｅ（ＣＯ）5；Ｃｏ2（ＣＯ）8；Ｒｕ
（ＣＯ）3（１、３−シクロヘキサジエン）；Ｏｓ3ＣＯ
12；Ｃｒ（ＣＯ）6；ＣｐＣｏ（ＣＯ）2；Ｍｎ2（Ｃ
Ｏ）10；ＣｐＭｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエ
ン）Ｍｏ（ＣＯ）3；Ｍｏ（ＣＯ）6；Ｎｉ（ＣＯ）4；
Ｒｅ2（ＣＯ）10；ＣｐＲｅ（ＣＯ） 3；ＣｐＲｈ（Ｃ
Ｏ）2；Ｒｕ3（ＣＯ）12；Ｗ（ＣＯ）6；ＣｐＶ（Ｃ
Ｏ）4；ＣＦ3Ｃｏ（ＣＯ）4；Ｐｔ（ＣＯ）2（シクロオ
クタネジオン）；Ｉｒ（ＣＯ）2（シクロオクタネジオ
ン）；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｐ（ＯＣＨ3）3］；（ＣＯ）4Ｆ
ｅ［Ｎ（ＣＨ3）3］；ＣｏＮＯ（ＣＯ）3；ブトキシ、
ＯＣＨ（ＣＦ3）2、ＯＣＭｅ2（ＣＦ3）、ＯＣＭｅ（Ｃ
Ｆ3）2、ＯＳｉ（ＣＨ3）3、ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣ（Ｓ
ｉＭｅ3）3、またはＯＣ（ＣＦ3）3Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
ｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＨｇまたはＴｌ；
テトラメトキシ、テトラエトキシ、テトライソプロポキ
シ、テトラブトキシ、テトラ第３ブトキシ、テトライソ
ブトキシ、テトラＯＣＨ（ＣＦ3）2、テトラＯＣＭｅ2
（ＣＦ3）、テトラＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、テトラＯＣ
（ＣＨ3）3、テトラＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、テトラＯＣ
（ＣＦ3）3またはテトラＯＳｉ（ＣＨ3）3Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ；ＶＯ（イソプロポ
キシ）3、トリイソプロポキシ、トリ第２ブトキシ、ト
リｎブトキシ、トリイソブトキシ、トリメトキシ、トリ
エトキシ、トリＯＣＨ（ＣＦ3）2、トリＯＣＭｅ2（Ｃ
Ｆ3）、トリＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、トリＯＣ（Ｃ
Ｈ3）3、トリＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、トリＯＣ（Ｃ
Ｆ3）3、またはトリＯＳｉ（ＣＨ3）3、Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ；Ｅｔ3Ｐｂ（イソプロ
ポキシド）；（第３ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3；テトラキ
ス（ジメチルアミノ）、テトラキス（ジメチルアミノ）
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；ジエ
チルアミノジエチルアルシン；ジエチルアミノアルシン
二塩化物；ビスジメチルアミノアルシン塩化物；Ｍｅ2
Ｚｎ（トリエチルアミン）2；ジエチルアミノジメチル
スタンナン；トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン；ト
リス（ジメチルアミノ）アンチモニ；トリス（ジメチル
アミノ）アルシン；トリス（ジメチルアミノ）スチビ
ン；トリスビス（トリメチルシリル）エルビウムアミ
ド；ビス（ジメチルアミノ）（トリメチルエチルエチレ
ンジアミノ）アルミニウム；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｎ（Ｃ
Ｈ3）3］；Ｌｉ、ＮａまたはＫＮ（ＳｉＭｅ3）；ペン
タジメチルアミノタンタル；ジエチルアミノジメチルス
ズ；ヘキサジメチルアミノジタングステン；トリスジメ
チルアミノ（トリメチルエチレンジアミノ）チタン；Ｃ
ｐＣｕ（ＰＥｔ3）；ＣｐＣｕ（トリフェニルホスフィ
ン）；（第３ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3；Ｐｔ（Ｐ
Ｆ3）4；Ｎｉ（ＰＦ3）4；Ｃｒ（ＰＦ3）6；（Ｅｔ
3Ｐ）3Ｍｏ（ＣＯ） 3；Ｉｒ（ＰＦ3）4；Ｔｉ（ＮＯ3）
4；Ｚｒ（ＮＯ3）4；Ｈｆ（ＮＯ3）4；Ｓｉ（ＣＨ3）3
（ＮＯ3）；ＲｕＮＯ（ＮＯ3）3；硝酸ガリウム；Ｓｎ
（ＮＯ3）4；Ｃｏ（ＮＯ3）3；ＶＯ（ＮＯ3）3；ＣｒＯ
2（ＮＯ3）2；ＴｉＣｌ4；ＺｎＣｌ2；ＺｒＣｌ4；Ｈｆ
Ｃｌ4；ＡｌＣｌ3；ＳｉＣｌ4；ＧａＣｌ3；ＳｎＣ
ｌ4；ＣｏＣｌ3；ジメチル−、ジエチル−、またはジイ
ソブチル−Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、ＳｉまたはＡｓハロゲン化
物；Ｎ（ＳｉＭｅ3）2Ｌｉ、ＮａまたはＫ；Ｂ（ＣＨ2
ＳｉＭｅ3）3；｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝3−Ｂ、Ａｌ、Ｇ
ａまたはＩｎ；（Ｍｅ3ＳｉＣＨ2）4−Ｔｉ、Ｚｒまた
はＨｆ；または｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝2−Ｚｎ、Ｃｄま
たはＨｇであり、Ｃｐがシクロペンタジエニルである、
前記（１）記載の前駆原料混合物。 （２４）化学蒸着または原子層付着のための方法であっ
て、 前記（１）記載の前駆原料混合物内の前駆化合物を気化
するステップと、気化された前駆物質を、他の共同反応
剤の任意の追加と共に、化学蒸着または原子層付着反応
炉内に導入するステップと、気化された前記前駆物質の
成分を基板上に付着して、膜を形成するステップとを含
む、方法。 （２５）前記膜が電子素子の構成要素である、前記（２
４）記載の方法。 （２６）前記共同反応剤が、気化された前記前駆物質と
は別々に導入される、前記（２４）記載の方法。 （２７）前記前駆原料混合物内の前記前駆物質を気化す
るステップと、気化された前駆物質を、他の共同反応剤
及び不活性パージ・ガスの別々の追加と共に、原子層付
着反応炉内に導入するステップと、気化された前記前駆
物質、パージ・ガス、共同反応剤、及びパージ・ガスの
交互パルスの順次導入により、膜を基板上に付着するス
テップとを含む、前記（２４）記載の方法。 （２８）前記共同反応剤が還元剤、酸化剤、窒化剤、ま
たはケイ化剤である、前記（２４）記載の方法。 （２９）前記還元剤が水素、フォーミング・ガス、シラ
ン及びこれらの組み合わせを含むグループから選択され
る、前記（２８）記載の方法。 （３０）前記酸化剤が酸素、オゾン、水、過酸化水素、
亜酸化窒素、及びこれらの組み合わせを含むグループか
ら選択される、前記（２８）記載の方法。 （３１）前記窒化剤がアンモニア、ヒドラジン、アジ化
水素、第３ブチルアミン、イソプロピルアミン、及びこ
れらの組み合わせを含むグループから選択される、前記
（２８）記載の方法。 （３２）前記ケイ化剤がシラン、ジシラン、クロロシラ
ン、シリルアミン、及びシルアザン及びこれらの組み合
わせを含むグループから選択される、前記（２８）記載
の方法。 （３３）前記基板を３つ以上の異なるガスの交互パルス
のシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの１つが
前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含み、別の
ガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが還元剤であ
る、前記（２４）記載の方法。 （３４）前記基板を３つ以上の異なるガスの交互パルス
のシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの１つが
前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含み、別の
ガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが窒化剤であ
る、前記（２４）記載の方法。 （３５）前記基板を４つ以上の異なるガスの交互パルス
のシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの１つが
前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含み、別の
ガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが酸化剤であ
り、更に別のガスが、任意の気化された前駆物質と、前
記（１）記載の前駆原料混合物の気化された前駆物質と
を含むグループから選択される、前記（２４）記載の方
法。 （３６）前記基板を４つ以上の異なるガスの交互パルス
のシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの１つが
前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含み、別の
ガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが窒化剤であ
り、更に別のガスが、任意の気化された前駆物質と、前
記（１）記載の前駆原料混合物の気化された前駆物質と
を含むグループから選択される、前記（２４）記載の方
法。 （３７）前記基板を４つ以上の異なるガスの交互パルス
のシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの１つが
前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含み、別の
ガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが還元剤であ
り、更に別のガスが、任意の気化された前駆物質と、前
記（１）記載の前駆原料混合物の気化された前駆物質と
を含むグループから選択される、前記（２４）記載の方
法。 （３８）前記基板を５つ以上の異なるガスの交互パルス
のシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの１つが
前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含み、別の
ガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが還元剤であ
り、更に別のガスが任意の気化されたシリコン含有前駆
物質と、前記（１）記載の前駆原料混合物の気化された
シリコン含有前駆物質とを含むグループから選択され
る、前記（２４）記載の方法。 （３９）前記基板が、半導体基板、誘電体、金属、有機
基板、ガラス、金属酸化物、プラスチック・ポリマ基
板、シリコン含有半導体基板、セラミック、絶縁体上シ
リコン基板、Ｇｅ基板、ＳｉＧｅ基板、ＧａＡｓ基板、
及びこれらの混合体または多層を含むグループから選択
される、前記（２４）記載の方法。 （４０）前記電子素子がトランジスタ、コンデンサ、ダ
イオード、抵抗器、スイッチ、発光ダイオード、レー
ザ、配線構造、または相互接続構造である、前記（２
５）記載の方法。 （４１）底部電極と、誘電体層と、頂部電極層と、任意
の誘電体緩衝層とを含む、積層またはトレンチ・コンデ
ンサ構造を形成する方法であって、前記コンデンサがプ
ラグ及び任意の導電バリアを介して下側の回路に接続さ
れるものにおいて、前記コンデンサ構造の少なくとも１
つの構成要素が、前記（２４）記載の方法により付着さ
れる方法。 （４２）前記任意の誘電緩衝層が、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮ
y、Ｓｉ3Ｎ4、ＴｉＯＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ａｌ2Ｏ 3、Ｌａ2
Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、これらの合金、混合物または多層、及び
複合要素金属酸化物を含むグループから選択される、前
記（４１）記載の方法。 （４３）前記誘電体が強誘電材料である、前記（４１）
記載の方法。 （４４）前記プラグ材料が、ポリシリコン、Ｗ、Ｍｏ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びこれらのドープまたは非ドープ
合金、混合物、及び多層を含むグループから選択され
る、前記（４１）記載の方法。 （４５）前記導電バリアが、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｔｉ
ＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＷＮ、ＴｉＷＮ、ＴａＡｌ
Ｎ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、ＴａＴｉＮ、ＩｒＯx、Ｏｓ、Ｏ
ｓＯx、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＲｅＯ2、及びこれらのド
ープまたは非ドープ合金、混合物及び多層を含むグルー
プから選択される、前記（４１）記載の方法。 （４６）前記底部電極が、ポリシリコン、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｉｒ
Ｏx、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、ＬａＳ
ｒＣｏＯ3、及びこれらのドープまたは非ドープ合金、
混合物、及び多層を含むグループから選択される、前記
（４１）記載の方法。 （４７）前記誘電体層が、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3
Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、複合要素金属酸化物、化学式
ＡＢＯ3を有するペロブスカイト型酸化物を含むグルー
プから選択され、ここでＢが、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕを含むグル
ープから選択される金属を含む、少なくとも１つの酸性
酸化物であり、Ａが約１乃至約３の正の形式電荷を有す
る少なくとも１つの追加のカチオンであり、前記酸化物
が、チタン酸ストロンチウム・バリウム、ジルコン酸ス
トロンチウム・バリウム、ハフニウム酸ストロンチウム
・バリウム、チタン酸鉛、アルミン酸イットリウム、ア
ルミン酸ランタン、チタン酸ジルコニウム鉛、タンタル
酸ビスマス・ストロンチウム、ニオブ酸ビスマス・スト
ロンチウム、チタン酸ビスマス、ケイ酸ランタン、ケイ
酸イットリウム、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウ
ム、希土類ドープ・ケイ酸塩、及びこれらのドープまた
は非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグループから
選択される、前記（４１）記載の方法。 （４８）前記頂部電極が、ポリシリコン、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｉｒ
Ｏx、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、ＬａＳ
ｒＣｏＯ3、及びこれらのドープまたは非ドープ合金、
混合物、または多層を含むグループから選択される、前
記（４１）記載の方法。 （４９）誘電体層内にエッチングされたトレンチ及びバ
イアと、誘電体と配線材料との間の任意のバリア材料
と、配線材料とを含む、配線構造を形成する方法であっ
て、前記配線構造の少なくとも１つの構成要素が、前記
（２４）記載の方法により付着される方法。 （５０）前記誘電体層が、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3
Ｎ4、ケイ酸リン・ガラス、金属酸化物、Ａｌ2Ｏ3、及
びこれらのドープまたは非ドープ合金、混合物、及び多
層を含むグループから選択される、前記（４９）記載の
方法。 （５１）前記任意のバリア材料が、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔａ
Ｎ、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸リン・ガ
ラス、金属酸化物、Ａｌ2Ｏ3、及びこれらのドープまた
は非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグループから
選択される、前記（４９）記載の方法。 （５２）前記配線材料が、ポリシリコン、Ａｌ、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及び及びこれらのドープまたは
非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグループから選
択される、前記（４９）記載の方法。 （５３）ソース及びドレイン領域と、前記ソース領域と
ドレイン領域の間のチャネル領域と、前記チャネル領域
上に位置合わせされるゲート誘電体と、前記ゲート誘電
体上に位置合わせされるゲート電極とを含む電子素子を
形成する方法であって、前記電子素子の少なくとも１つ
の構成要素が、前記（２４）記載の方法により付着され
る方法。 （５４）前記ゲート誘電体が、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、
Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ａ
ｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、複合要素金属酸化物、化学
式ＡＢＯ3を有するペロブスカイト型酸化物を含むグル
ープから選択され、ここでＢが、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕを含むグル
ープから選択される金属を含む、少なくとも１つの酸性
酸化物であり、Ａが約１乃至約３の正の形式電荷を有す
る少なくとも１つの追加のカチオンであり、前記酸化物
が、チタン酸ストロンチウム・バリウム、ジルコン酸ス
トロンチウム・バリウム、ハフニウム酸ストロンチウム
・バリウム、チタン酸鉛、アルミン酸イットリウム、ア
ルミン酸ランタン、チタン酸ジルコニウム鉛、タンタル
酸ビスマス・ストロンチウム、ニオブ酸ビスマス・スト
ロンチウム、チタン酸ビスマス、ケイ酸ランタン、ケイ
酸イットリウム、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウ
ム、希土類ドープ・ケイ酸塩、及びこれらのドープまた
は非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグループから
選択される、前記（５３）記載の方法。 （５５）前記ゲート誘電体が２つ以上の層から構成され
る、前記（５３）記載の方法。 （５６）前記ゲート電極が、ポリシリコン、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎ
ｂ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｔｅ、Ｒｅ、
Ｒｈ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びこれらのドープまたは非ドープ合
金、混合物、及び多層を含むグループから選択される、
前記（５３）記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】単一基板上にＰＦＥＴ及びＮＦＥＴ素子の両方
を有する集積回路の断面図である。
【図２】集積回路コンデンサの断面図である。
【図３】集積回路配線構造の断面図である。
【図４】集積回路配線構造の断面図である。
【図５】トランジスタの断面図である。
【図６】清浄表面を有するシリコン基板５０が提供され
る、トランジスタの形成を示す断面図である。
【図７】シリコン基板５０が酸化及び窒化されて、Ｓｉ
ＯxＮy層が下層５５として形成される、トランジスタの
形成を示す断面図である。
【図８】酸化ジルコニウムの中間層５６が本方法により
形成される、トランジスタの形成を示す断面図である。
【図９】上層５７がＺｒＯ2表面のプラズマ窒化物形成
により形成される、トランジスタの形成を示す断面図で
ある。
【図１０】ポリシリコンがゲート電極５２として付着さ
れる、トランジスタの形成を示す断面図である。
【図１１】ゲートが形成される、トランジスタの形成を
示す断面図である。
【図１２】拡張打込みが行われ、スペーサ５８が形成さ
れる、トランジスタの形成を示す断面図である。
【図１３】ソース／ドレイン打込みが行われて、完全な
素子が形成される、トランジスタの形成を示す断面図で
ある。
【図１４】トランジスタの断面図である。
【図１５】浅トレンチ分離（ＳＴＩ）７３及びｎウェル
７２を有するシリコン基板６０が、ｐ型導電基板の一部
に形成される、トランジスタの形成を示す断面図であ
る。
【図１６】ゲート誘電体６４及びマスキング層（例えば
Ｓｉ3Ｎ4）７７が基板上に形成される、トランジスタの
形成を示す断面図である。
【図１７】マスキング層７７内において、ＮＦＥＴゲー
トに相当する部分に開口が形成される、トランジスタの
形成を示す断面図である。
【図１８】ＮＦＥＴゲート電極６２が形成される、トラ
ンジスタの形成を示す断面図である。
【図１９】化学機械研磨（ＣＭＰ）により表面が平坦化
される、トランジスタの形成を示す断面図である。
【図２０】マスキング層７７内において、ＰＦＥＴゲー
トに相当する部分に開口が形成される、トランジスタの
形成を示す断面図である。
【図２１】ＰＦＥＴゲート電極７４が形成される、トラ
ンジスタの形成を示す断面図である。
【図２２】化学機械研磨（ＣＭＰ）により表面が平坦化
される、トランジスタの形成を示す断面図である。
【図２３】ＮＦＥＴ及びＰＦＥＴのそれぞれに対して、
拡張打込みが障壁を通じて行われる、トランジスタの形
成を示す断面図である。
【図２４】スペーサ形成プロセスの後に、ＮＦＥＴ及び
ＰＦＥＴのそれぞれに対して、ソース／ドレイン打込み
が障壁を通じて実行される、トランジスタの形成を示す
断面図である。
【図２５】トレンチを有する基板３０が形成される、積
層コンデンサの形成を示す断面図である。
【図２６】プラグ材料３１及び任意のバリア３２が形成
される、積層コンデンサの形成を示す断面図である。
【図２７】底部電極３３が形成される、積層コンデンサ
の形成を示す断面図である。
【図２８】誘電体３４が形成される、積層コンデンサの
形成を示す断面図である。
【図２９】頂部電極３５が形成される、積層コンデンサ
の形成を示す断面図である。
【図３０】膜または被覆の化学蒸着または原子層付着の
ための配送システムを示す図である。
【図３１】トレンチ・コンデンサの断面図である。
【符号の説明】
１０、３０ 基板 １３、５１ ｐ型導電性領域（ｐウェル） １４、５２、６２、７４ ゲート電極 １５、５３、６４ ゲート誘電体 １６、５４、６５ ｎ型ソース／ドレイン １８、７２ ｎ型導電性領域（ｎウェル） ２０、７６ ｐ型ソース／ドレイン領域 ２１、７３ 浅トレンチ分離 ２２、５８ スペーサ ３１ プラグ ３２ バリア ３３ 底部電極 ３４ 誘電体層 ３５ 頂部電極 ３６ 誘電体緩衝層 ３７ 絶縁不動態層 ３８ 層間誘電体層 ４１ トレンチ ４２ バイア ４３、４５ 誘電体層 ４４ 金属薄膜配線 ４６ バリア材料 ４７ 配線金属 ５０、６０ シリコン基板 ５５ 下層 ５６ 中間層 ５７ 上層 ７７ マスキング層 ８１ 拡散障壁層 ８２ 金属化膜 ８３ 誘電体絶縁層（分離誘電体）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ ５Ｆ０４８ 21/31 21/31 Ｂ ５Ｆ１０３ 21/768 21/90 Ａ ５Ｆ１４０ 21/822 29/78 ３０１Ｇ 21/8238 27/08 ３２１Ｄ 27/04 27/04 Ｃ 27/092 29/78 (72)発明者 ダグラス・ブシャナン アメリカ合衆国10567、ニューヨーク州コ ートランド・メナー、イースト・コーズウ ェイ 10 (72)発明者 デボラ・アン・ニューメイヤー アメリカ合衆国06811、コネチカット州ダ ンバリー、オーク・レーン ３ Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA11 AA13 AA14 BA01 BA02 BA05 BA10 BA20 BA22 BA38 BA42 BA43 BA48 CA04 CA06 CA07 EA01 FA10 LA15 4M104 BB01 BB02 BB04 BB05 BB06 BB08 BB13 BB14 BB16 BB18 BB32 CC05 DD45 EE03 EE12 EE16 EE17 GG09 GG10 GG14 5F033 HH08 HH11 HH18 HH19 HH20 HH32 HH33 HH34 JJ08 JJ11 JJ18 JJ19 JJ20 JJ32 JJ33 JJ34 KK08 KK12 KK17 KK18 KK19 KK20 MM01 MM02 MM12 MM13 NN06 NN07 PP06 RR03 RR04 RR06 RR08 RR14 SS11 5F038 AC05 AC10 AC16 EZ20 5F045 AA03 AA15 AB03 AB31 AC01 AC02 AC07 AF01 AF07 AF10 CA01 CA05 CA09 CB05 CB10 DC63 5F048 AC03 BB04 BB09 BB11 BB13 BG14 5F103 AA04 DD16 DD27 DD28 HH03 HH04 HH05 LL01 LL07 LL11 LL14 5F140 AB03 BD02 BD04 BD05 BD07 BD09 BD11 BD12 BE10 BF01 BF05 BF06 BF07 BG08 BG28 BH15 CB01 CB04 CB08 CE07

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】不活性液内に溶解、乳化または浮遊される
    少なくとも１つの前駆化合物を含む、前駆原料混合物で
    あって、前記少なくとも１つの前駆化合物が、化学式 【数式１】ＭＲ1 xＲ2 yＡz を有し、ここでＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆ
    ｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、
    Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、
    Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
    ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
    Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ
    及びＢｉを含むグループから選択される元素であり、Ｒ
    1及びＲ2が水素化物、アルキル、アルケニル、シクロア
    ルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミド、
    イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル
    （nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン
    化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル及びこれ
    らのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含
    むグループから選択される、同一のまたは異なる配位子
    であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アミン、アルシ
    ン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニト
    リル、アルケン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式
    化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、ア
    ルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸
    塩、アルキン及び水を含むグループから選択される、任
    意の配位的に結合または会合される配位子であり、ｘ≧
    １、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価であり、ｚ≧０である前駆
    原料混合物。
  2. 【請求項２】前記不活性液が、脂肪族炭化水素、芳香族
    炭化水素、アルコール、エーテル、アルデヒド、ケト
    ン、酸、フェノール、エステル、アミン、アルキルニト
    リル、ハロゲン化炭化水素、ケイ化炭化水素、チオエー
    テル、アミン、シアン酸塩、イソシアン酸塩、チオシア
    ン酸塩、シリコーン油、ニトロアルキル、アルキル硝酸
    塩、またはこれらの混合物である、請求項１記載の前駆
    原料混合物。
  3. 【請求項３】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、
    Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｖ、
    Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒ
    ｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
    ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
    Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ
    またはＢｉであり、Ｒ1が水素化物であり、Ｒ2が水素化
    物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリー
    ル、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジ
    ド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸
    塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、ア
    ルコキシ、シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン
    化、スルホン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホス
    フィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、ス
    チビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、
    アルケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素
    環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケ
    ン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜
    硝酸塩または水である、請求項１記載の前駆原料混合
    物。
  4. 【請求項４】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、
    Ｂｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
    ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、
    Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈ
    ｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
    Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がＣ1−Ｃ8ア
    ルキル、またはＣ4−Ｃ12シクロアルキルであり、Ｒ2が
    水素化物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、
    アリール、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒ
    ドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル（nitry
    l）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン化物、ア
    ジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、またはこれらの
    ハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体であり、
    Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アル
    シン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニ
    トリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、
    窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロ
    アルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデ
    ン、亜硝酸塩または水である、請求項１記載の前駆原料
    混合物。
  5. 【請求項５】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、
    Ｂｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
    ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、
    Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈ
    ｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
    Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がＣ2−Ｃ8ア
    ルケニル、Ｃ4−Ｃ12シクロアルケニル、またはＣ5−Ｃ
    18アリールであり、Ｒ2が水素化物、アルキル、アルケ
    ニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボ
    ニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロ
    シル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitril
    e）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、
    シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、また
    はケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、
    アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫
    化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アルキン、
    ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分
    子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフ
    ィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水である、
    請求項１記載の前駆原料混合物。
  6. 【請求項６】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、
    Ｂｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
    ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、
    Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈ
    ｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
    Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がカルボニル
    であり、Ｒ2が水素化物、アルキル、アルケニル、シク
    ロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミ
    ド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニト
    リル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロ
    ゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、ま
    たはこれらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘
    導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、
    アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニト
    リル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジ
    ン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッ
    フ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化
    物、アルキリデン、亜硝酸塩または水である、請求項１
    記載の前駆原料混合物。
  7. 【請求項７】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、
    Ｂｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
    ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、
    Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈ
    ｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
    Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がアルコキシ
    またはシロキシであり、Ｒ2が水素化物、アルキル、ア
    ルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カ
    ルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニ
    トロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（ni
    trile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキ
    シ、シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、
    またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸
    塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
    ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アル
    キン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大
    環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、
    ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水で
    ある、請求項１記載の前駆原料混合物。
  8. 【請求項８】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、
    Ｂｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
    ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、
    Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈ
    ｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、
    Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉであり、Ｒ1がアミドであ
    り、Ｒ2が水素化物、アルキル、アルケニル、シクロア
    ルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミド、
    イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル
    （nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitrile）、ハロゲン
    化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル、または
    これらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体
    であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミ
    ン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
    ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
    ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
    基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
    アルキリデン、亜硝酸塩または水である、請求項１記載
    の前駆原料混合物。
  9. 【請求項９】前記前駆化合物が化学式、 【数式２】ＭＲ1 x（ＰＲ2 3）yＡz を有し、ここでＭがＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
    ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
    Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇまた
    はＡｕであり、Ｒ1及びＲ2が水素化物、アルキル、アル
    ケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カル
    ボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニト
    ロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitr
    ile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキ
    シ、シリル及びこれらのハロゲン化、スルホン化、また
    はケイ化誘導体を含むグループから選択される配位子で
    あり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、アリール、アミ
    ン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリ
    ル、イソニトリル、アルケン、アルキン、ヒドラジン、
    ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩
    基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、
    アルキリデン、亜硝酸塩及び水を含むグループから選択
    される、任意の配位結合される配位子であり、ｘ≧１、
    ｙ≧０、及びｚ≧０であり、ｘ＋ｙ＝元素Ｍの原子価で
    ある、請求項１記載の前駆原料混合物。
  10. 【請求項１０】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆ
    ｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
    Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
    ｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
    ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
    Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
    ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
    Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉ
    であり、Ｒ1が硝酸塩であり、Ｒ2が水素化物、アルキ
    ル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキ
    ン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化
    物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリ
    ル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、
    シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホ
    ン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜
    リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エ
    ーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、
    アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合
    物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
    ール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩また
    は水である、請求項１記載の前駆原料混合物。
  11. 【請求項１１】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆ
    ｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
    Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
    ｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
    ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
    Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
    ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
    Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉ
    であり、Ｒ1がハロゲン化物であり、Ｒ2が水素化物、ア
    ルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、ア
    ルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リ
    ン化物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニ
    トリル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキ
    シ、シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン化、ス
    ルホン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィ
    ン、亜リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビ
    ン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アル
    ケン、アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式
    化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、ア
    ルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩
    または水である、請求項１記載の前駆原料混合物。
  12. 【請求項１２】ＭがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆ
    ｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
    Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
    ｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
    ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
    Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａ
    ｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、
    Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉ
    であり、Ｒ1がシリルであり、Ｒ2が水素化物、アルキ
    ル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキ
    ン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化
    物、ニトロシル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリ
    ル（nitrile）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、
    シロキシ、シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホ
    ン化、またはケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜
    リン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エ
    ーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、
    アルキン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合
    物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
    ール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩また
    は水である、請求項１記載の前駆原料混合物。
  13. 【請求項１３】ＭがＰｔであり、前記化合物が（シクロ
    ペンタジエニル）Ｐｔ（アルキル）3でないという条件
    の下で、Ｒ1及びＲ2が水素化物、アルキル、アルケニ
    ル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニ
    ル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシ
    ル、ニトリル（nitryl）、硝酸塩、ニトリル（nitril
    e）、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、
    シリル、またはこれらのハロゲン化、スルホン化、また
    はケイ化誘導体であり、Ａがホスフィン、亜リン酸塩、
    アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫
    化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、アルキン、
    ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分
    子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフ
    ィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩または水である、
    請求項１記載の前駆原料混合物。
  14. 【請求項１４】前記不活性液が前記少なくとも１つの前
    駆化合物よりも高い温度で気化する、請求項１記載の前
    駆原料混合物。
  15. 【請求項１５】前記不活性液がＣ5-12アルカンである、
    請求項２記載の前駆原料混合物。
  16. 【請求項１６】前記不活性液が容量で該不活性液の３０
    ％以下の添加剤を含む、請求項１記載の前駆原料混合
    物。
  17. 【請求項１７】前記添加剤が追加の前駆配位子、または
    追加の前駆アダクトであるか、或いはホスフィン、亜リ
    ン酸塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エー
    テル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピ
    リジン、複素環式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチ
    ルホルムアミド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアル
    ケン、アルコール、ホスフィン酸化物、及びアルキンを
    含むグループから選択される他の配位化合物である、請
    求項１６記載の前駆原料混合物。
  18. 【請求項１８】前記添加剤がメタノール、エタノール、
    イソプロパノール、ネオペンタノール、トリメチルアミ
    ン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、ト
    リエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ビ
    ストリメチルシリルアミン、アンモニア、エチレンジア
    ミン、プロピレンジアミン、トリメチルエチルエチレン
    ジアミン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフ
    ィン、トリメチルホスフィン、アリル、シクロペンタジ
    エン、ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、シクロヘ
    キサジエン、シクロオクタジエン、シクロヘプタトリエ
    ン、シクロオクタテトラエン、メシチレン、テトラヒド
    ロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
    ド、酢酸ブチル、酢酸、エチルヘキサン酸、メタン、エ
    タン、ピリジン及びＰＦ3を含むグループから選択され
    る、請求項１６記載の前駆原料混合物。
  19. 【請求項１９】前記不活性液が、脂肪族炭化水素、芳香
    族炭化水素、アルコール、エーテル、アルデヒド、ケト
    ン、酸、フェノール、エステル、アミン、アルキルニト
    リル、ハロゲン化炭化水素、ケイ化炭化水素、チオエー
    テル、アミン、シアン酸塩、イソシアン酸塩、チオシア
    ン酸塩、シリコーン油、ニトロアルキル、アルキル硝酸
    塩、及びこれらの混合物から選択される２つ以上の構成
    要素と、容量で前記不活性液の３０％以下の添加剤とか
    ら成り、前記添加剤が追加の前駆配位子、または追加の
    前駆アダクトであるか、或いはホスフィン、亜リン酸
    塩、アリール、アミン、アルシン、スチビン、エーテ
    ル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリ
    ジン、複素環式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチル
    ホルムアミド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケ
    ン、アルコール、ホスフィン酸化物、及びアルキンを含
    むグループから選択される他の配位化合物である、請求
    項１記載の前駆原料混合物。
  20. 【請求項２０】前記添加剤がメタノール、エタノール、
    イソプロパノール、ネオペンタノール、トリメチルアミ
    ン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、ト
    リエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ビ
    ストリメチルシリルアミン、アンモニア、エチレンジア
    ミン、プロピレンジアミン、トリメチルエチルエチレン
    ジアミン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフ
    ィン、トリメチルホスフィン、アリル、シクロペンタジ
    エン、ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、シクロヘ
    キサジエン、シクロオクタジエン、シクロヘプタトリエ
    ン、シクロオクタテトラエン、メシチレン、テトラヒド
    ロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
    ド、酢酸ブチル、酢酸、エチルヘキサン酸、メタン、エ
    タン、ピリジン、及びＰＦ3を含むグループから選択さ
    れる、請求項１９記載の前駆原料混合物。
  21. 【請求項２１】前記不活性液がＣ5−Ｃ12アルカンから
    成り、容量で該不活性液の３０％以下の添加剤を含み、
    前記添加剤が追加の前駆配位子、または追加の前駆アダ
    クトであるか、或いはホスフィン、亜リン酸塩、アリー
    ル、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、
    ニトリル、イソニトリル、アルケン、ピリジン、複素環
    式化合物、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミ
    ド、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコ
    ール、ホスフィン酸化物、及びアルキンを含むグループ
    から選択される他の配位化合物である、請求項１記載の
    前駆原料混合物。
  22. 【請求項２２】前記添加剤がメタノール、エタノール、
    イソプロパノール、ネオペンタノール、トリメチルアミ
    ン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、ト
    リエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ビ
    ストリメチルシリルアミン、アンモニア、エチレンジア
    ミン、プロピレンジアミン、トリメチルエチルエチレン
    ジアミン、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフ
    ィン、トリメチルホスフィン、アリル、シクロペンタジ
    エン、ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、シクロヘ
    キサジエン、シクロオクタジエン、シクロヘプタトリエ
    ン、シクロオクタテトラエン、メシチレン、テトラヒド
    ロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
    ド、酢酸ブチル、酢酸、エチルヘキサン酸、メタン、エ
    タン、ピリジン、及びＰＦ3を含むグループから選択さ
    れる、請求項２１記載の前駆原料混合物。
  23. 【請求項２３】前記少なくとも１つの前駆化合物が、ジ
    メチル−、ジエチル−、またはジイソブチル−Ｂ、Ａ
    ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂ水素化物；Ｍｅ2Ａｌ
    Ｈ（ＮＥｔＭｅ2）；第３ブチルアルシン；（Ｍｅ3Ｎ）
    ＡｌＨ3；（ＥｔＭｅ2Ｎ）ＡｌＨ 3；（Ｅｔ3Ｎ）ＡｌＨ
    3；ＣｐＷＨ2；Ｃｐ2ＭｏＨ2；トリメチル−、トリエチ
    ル−、トリイソブチル−、トリｎプロピル−、トリイソ
    プロピル−、トリｎブチル−、トリネオペンチル−、ま
    たはエチルジメチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓまた
    はＳｂ；テトラメチル−、テトラエチル−、テトラフェ
    ニル−、またはテトラｎブチル−Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
    ｆ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；ジメチル−、ジエチル−、
    またはジイソブチル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓまた
    はＳｂ水素化物、塩化物、フッ化物、臭化物、ヨウ化
    物、Ｃｐ、アミド、ジメチルアミドまたはアジド；トリ
    エチル−、トリイソブチル−、トリｎプロピル−、トリ
    イソプロピル−、トリｎブチル−、またはエチルジメチ
    ル−Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＡｓまたはＳｂトリメチル
    アミン、ジエチルメチルアミン、ジメチルエチルアミ
    ン、またはトリエチルアミン；ジメチル−またはジエチ
    ル−Ｚｎ、ＣｄまたはＨｇ；（ネオペンチル）4Ｃｒ；
    Ｅｔ3Ｐｂ（ネオペントキシ）；Ｃｐ2Ｍｅ2Ｚｒ；（Ｍ
    ｅＮＣ）2ＰｔＭｅ2；ＣｐＩｒ（Ｃ2Ｈ4）2；ビスＣｐ
    −Ｃｏ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｖ、Ｏｓ、Ｍ
    ｇまたはＣｒ；ビスエチルベンゼン；ビスベンゼン−Ｃ
    ｏ、ＭｏまたはＣｒ；トリフェニル−Ｂｉ、Ｓｂまたは
    Ａｓ；トリビニルボロン；トリスＣｐ−Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
    ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
    ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ；テトラＣｐ−
    Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、ＰｕまたはＡｍトリスアリルイ
    リジウム；ＣｐＣｒ（ＣＯ）2；Ｃｐ2ＺｒＭｅ2；Ｃｐ
    ＣｕＰＥｔ3；ＣＰＩｎ；ＣｐＩｒ（シクロオクタジエ
    ン）；ＣｐＰｄ（アリル）；ＣｐＧａＭｅ2；ＣｐＧａ
    Ｅｔ2；（シクロヘキサジエン）ＦｅＣＯ3；（シクロオ
    クタテトラエン）ＦｅＣＯ3；エチルフェロセン；Ｃｐ
    Ｍｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエン）Ｍｏ（Ｃ
    Ｏ）3；ＴｌＣｐ；Ｃｐ2ＷＨ2；（メシチレン）Ｗ（Ｃ
    Ｏ）3；ＣｐＲｅ（ＣＯ）3；ＣｐＲｈ（ＣＯ）2；Ｉｒ
    （アリル）3；Ｐｔ（アリル）2；ＣｐＩｒ（シクロオク
    タネジオン）；［Ｉｒ（ＯＭｅ）（シクロオクタネジオ
    ン）］2；Ｒｕ（シクロオクタネジオン）（アリル）2；
    Ｒｕ3ＣＯ12；Ｆｅ（ＣＯ）5；Ｃｏ2（ＣＯ）8；Ｒｕ
    （ＣＯ）3（１、３−シクロヘキサジエン）；Ｏｓ3ＣＯ
    12；Ｃｒ（ＣＯ）6；ＣｐＣｏ（ＣＯ）2；Ｍｎ2（Ｃ
    Ｏ）10；ＣｐＭｎ（ＣＯ）3；（シクロヘプタトリエ
    ン）Ｍｏ（ＣＯ）3；Ｍｏ（ＣＯ）6；Ｎｉ（ＣＯ）4；
    Ｒｅ2（ＣＯ）10；ＣｐＲｅ（ＣＯ）3；ＣｐＲｈ（Ｃ
    Ｏ）2；Ｒｕ3（ＣＯ）12；Ｗ（ＣＯ）6；ＣｐＶ（Ｃ
    Ｏ）4；ＣＦ3Ｃｏ（ＣＯ）4；Ｐｔ（ＣＯ）2（シクロオ
    クタネジオン）；Ｉｒ（ＣＯ）2（シクロオクタネジオ
    ン）；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｐ（ＯＣＨ3）3］；（ＣＯ）4Ｆ
    ｅ［Ｎ（ＣＨ3）3］；ＣｏＮＯ（ＣＯ）3；ブトキシ、
    ＯＣＨ（ＣＦ3）2、ＯＣＭｅ2（ＣＦ3）、ＯＣＭｅ（Ｃ
    Ｆ3）2、ＯＳｉ（ＣＨ3）3、ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣ（Ｓ
    ｉＭｅ3）3、またはＯＣ（ＣＦ3）3Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
    ｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＨｇまたはＴｌ；
    テトラメトキシ、テトラエトキシ、テトライソプロポキ
    シ、テトラブトキシ、テトラ第３ブトキシ、テトライソ
    ブトキシ、テトラＯＣＨ（ＣＦ3）2、テトラＯＣＭｅ2
    （ＣＦ3）、テトラＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、テトラＯＣ
    （ＣＨ3）3、テトラＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、テトラＯＣ
    （ＣＦ3）3またはテトラＯＳｉ（ＣＨ3）3Ｓｉ、Ｇｅ、
    Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ；ＶＯ（イソプロポ
    キシ）3、トリイソプロポキシ、トリ第２ブトキシ、ト
    リｎブトキシ、トリイソブトキシ、トリメトキシ、トリ
    エトキシ、トリＯＣＨ（ＣＦ3）2、トリＯＣＭｅ2（Ｃ
    Ｆ3）、トリＯＣＭｅ（ＣＦ3）2、トリＯＣ（Ｃ
    Ｈ3）3、トリＯＣ（ＳｉＭｅ3）3、トリＯＣ（Ｃ
    Ｆ3）3、またはトリＯＳｉ（ＣＨ3）3、Ｂ、Ａｌ、Ｇ
    ａ、Ｉｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ；Ｅｔ3Ｐｂ（イソプロ
    ポキシド）；（第３ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3；テトラキ
    ス（ジメチルアミノ）、テトラキス（ジメチルアミノ）
    Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂ；ジエ
    チルアミノジエチルアルシン；ジエチルアミノアルシン
    二塩化物；ビスジメチルアミノアルシン塩化物；Ｍｅ2
    Ｚｎ（トリエチルアミン）2；ジエチルアミノジメチル
    スタンナン；トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン；ト
    リス（ジメチルアミノ）アンチモニ；トリス（ジメチル
    アミノ）アルシン；トリス（ジメチルアミノ）スチビ
    ン；トリスビス（トリメチルシリル）エルビウムアミ
    ド；ビス（ジメチルアミノ）（トリメチルエチルエチレ
    ンジアミノ）アルミニウム；（ＣＯ）4Ｆｅ［Ｎ（Ｃ
    Ｈ3） 3］；Ｌｉ、ＮａまたはＫＮ（ＳｉＭｅ3）；ペン
    タジメチルアミノタンタル；ジエチルアミノジメチルス
    ズ；ヘキサジメチルアミノジタングステン；トリスジメ
    チルアミノ（トリメチルエチレンジアミノ）チタン；Ｃ
    ｐＣｕ（ＰＥｔ3）；ＣｐＣｕ（トリフェニルホスフィ
    ン）；（第３ブトキシ）ＣｕＰＭｅ3；Ｐｔ（Ｐ
    Ｆ3）4；Ｎｉ（ＰＦ3）4；Ｃｒ（ＰＦ3）6；（Ｅｔ
    3Ｐ）3Ｍｏ（ＣＯ）3；Ｉｒ（ＰＦ3）4；Ｔｉ（ＮＯ3）
    4；Ｚｒ（ＮＯ3）4；Ｈｆ（ＮＯ3）4；Ｓｉ（ＣＨ3）3
    （ＮＯ3）；ＲｕＮＯ（ＮＯ3）3；硝酸ガリウム；Ｓｎ
    （ＮＯ3）4；Ｃｏ（ＮＯ3）3；ＶＯ（ＮＯ3）3；ＣｒＯ
    2（ＮＯ3）2；ＴｉＣｌ4；ＺｎＣｌ2；ＺｒＣｌ4；Ｈｆ
    Ｃｌ4；ＡｌＣｌ3；ＳｉＣｌ4；ＧａＣｌ3；ＳｎＣ
    ｌ4；ＣｏＣｌ3；ジメチル−、ジエチル−、またはジイ
    ソブチル−Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、ＳｉまたはＡｓハロゲン化
    物；Ｎ（ＳｉＭｅ3）2Ｌｉ、ＮａまたはＫ；Ｂ（ＣＨ2
    ＳｉＭｅ3） 3；｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝3−Ｂ、Ａｌ、Ｇ
    ａまたはＩｎ；（Ｍｅ3ＳｉＣＨ2）4−Ｔｉ、Ｚｒまた
    はＨｆ；または｛（Ｍｅ3Ｓｉ）2Ｎ｝2−Ｚｎ、Ｃｄま
    たはＨｇであり、Ｃｐがシクロペンタジエニルである、
    請求項１記載の前駆原料混合物。
  24. 【請求項２４】化学蒸着または原子層付着のための方法
    であって、 請求項１記載の前駆原料混合物内の前駆化合物を気化す
    るステップと、 気化された前駆物質を、他の共同反応剤の任意の追加と
    共に、化学蒸着または原子層付着反応炉内に導入するス
    テップと、 気化された前記前駆物質の成分を基板上に付着して、膜
    を形成するステップとを含む、方法。
  25. 【請求項２５】前記膜が電子素子の構成要素である、請
    求項２４記載の方法。
  26. 【請求項２６】前記共同反応剤が、気化された前記前駆
    物質とは別々に導入される、請求項２４記載の方法。
  27. 【請求項２７】前記前駆原料混合物内の前記前駆物質を
    気化するステップと、 気化された前駆物質を、他の共同反応剤及び不活性パー
    ジ・ガスの別々の追加と共に、原子層付着反応炉内に導
    入するステップと、 気化された前記前駆物質、パージ・ガス、共同反応剤、
    及びパージ・ガスの交互パルスの順次導入により、膜を
    基板上に付着するステップとを含む、請求項２４記載の
    方法。
  28. 【請求項２８】前記共同反応剤が還元剤、酸化剤、窒化
    剤、またはケイ化剤である、請求項２４記載の方法。
  29. 【請求項２９】前記還元剤が水素、フォーミング・ガ
    ス、シラン及びこれらの組み合わせを含むグループから
    選択される、請求項２８記載の方法。
  30. 【請求項３０】前記酸化剤が酸素、オゾン、水、過酸化
    水素、亜酸化窒素、及びこれらの組み合わせを含むグル
    ープから選択される、請求項２８記載の方法。
  31. 【請求項３１】前記窒化剤がアンモニア、ヒドラジン、
    アジ化水素、第３ブチルアミン、イソプロピルアミン、
    及びこれらの組み合わせを含むグループから選択され
    る、請求項２８記載の方法。
  32. 【請求項３２】前記ケイ化剤がシラン、ジシラン、クロ
    ロシラン、シリルアミン、及びシルアザン及びこれらの
    組み合わせを含むグループから選択される、請求項２８
    記載の方法。
  33. 【請求項３３】前記基板を３つ以上の異なるガスの交互
    パルスのシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの
    １つが前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含
    み、別のガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが還
    元剤である、請求項２４記載の方法。
  34. 【請求項３４】前記基板を３つ以上の異なるガスの交互
    パルスのシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの
    １つが前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含
    み、別のガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが窒
    化剤である、請求項２４記載の方法。
  35. 【請求項３５】前記基板を４つ以上の異なるガスの交互
    パルスのシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの
    １つが前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含
    み、別のガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが酸
    化剤であり、更に別のガスが、任意の気化された前駆物
    質と、請求項１記載の前駆原料混合物の気化された前駆
    物質とを含むグループから選択される、請求項２４記載
    の方法。
  36. 【請求項３６】前記基板を４つ以上の異なるガスの交互
    パルスのシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの
    １つが前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含
    み、別のガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが窒
    化剤であり、更に別のガスが、任意の気化された前駆物
    質と、請求項１記載の前駆原料混合物の気化された前駆
    物質とを含むグループから選択される、請求項２４記載
    の方法。
  37. 【請求項３７】前記基板を４つ以上の異なるガスの交互
    パルスのシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの
    １つが前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含
    み、別のガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが還
    元剤であり、更に別のガスが、任意の気化された前駆物
    質と、請求項１記載の前駆原料混合物の気化された前駆
    物質とを含むグループから選択される、請求項２４記載
    の方法。
  38. 【請求項３８】前記基板を５つ以上の異なるガスの交互
    パルスのシーケンスに晒すステップを含み、前記ガスの
    １つが前記前駆原料混合物の気化された前駆物質を含
    み、別のガスがパージ・ガスであり、更に別のガスが還
    元剤であり、更に別のガスが任意の気化されたシリコン
    含有前駆物質と、請求項１記載の前駆原料混合物の気化
    されたシリコン含有前駆物質とを含むグループから選択
    される、請求項２４記載の方法。
  39. 【請求項３９】前記基板が、半導体基板、誘電体、金
    属、有機基板、ガラス、金属酸化物、プラスチック・ポ
    リマ基板、シリコン含有半導体基板、セラミック、絶縁
    体上シリコン基板、Ｇｅ基板、ＳｉＧｅ基板、ＧａＡｓ
    基板、及びこれらの混合体または多層を含むグループか
    ら選択される、請求項２４記載の方法。
  40. 【請求項４０】前記電子素子がトランジスタ、コンデン
    サ、ダイオード、抵抗器、スイッチ、発光ダイオード、
    レーザ、配線構造、または相互接続構造である、請求項
    ２５記載の方法。
  41. 【請求項４１】底部電極と、誘電体層と、頂部電極層
    と、任意の誘電体緩衝層とを含む、積層またはトレンチ
    ・コンデンサ構造を形成する方法であって、前記コンデ
    ンサがプラグ及び任意の導電バリアを介して下側の回路
    に接続されるものにおいて、前記コンデンサ構造の少な
    くとも１つの構成要素が、請求項２４記載の方法により
    付着される方法。
  42. 【請求項４２】前記任意の誘電緩衝層が、ＳｉＯ2、Ｓ
    ｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ＴｉＯＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔｉ
    Ｎ、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ａｌ
    2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、これらの合金、混合物または
    多層、及び複合要素金属酸化物を含むグループから選択
    される、請求項４１記載の方法。
  43. 【請求項４３】前記誘電体が強誘電材料である、請求項
    ４１記載の方法。
  44. 【請求項４４】前記プラグ材料が、ポリシリコン、Ｗ、
    Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びこれらのドープまたは非
    ドープ合金、混合物、及び多層を含むグループから選択
    される、請求項４１記載の方法。
  45. 【請求項４５】前記導電バリアが、ＴａＮ、ＴａＳｉ
    Ｎ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＷＮ、ＴｉＷＮ、Ｔ
    ａＡｌＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、ＴａＴｉＮ、ＩｒＯx、Ｏ
    ｓ、ＯｓＯx、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ、ＲｅＯ2、及びこれ
    らのドープまたは非ドープ合金、混合物及び多層を含む
    グループから選択される、請求項４１記載の方法。
  46. 【請求項４６】前記底部電極が、ポリシリコン、Ｎｉ、
    Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｉ
    ｒＯx、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、Ｌａ
    ＳｒＣｏＯ3、及びこれらのドープまたは非ドープ合
    金、混合物、及び多層を含むグループから選択される、
    請求項４１記載の方法。
  47. 【請求項４７】前記誘電体層が、ＳｉＯ2、ＳｉＯ
    xＮy、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ
    2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、複合要素金属酸化
    物、化学式ＡＢＯ3を有するペロブスカイト型酸化物を
    含むグループから選択され、ここでＢが、Ａｌ、Ｔｉ、
    Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕを
    含むグループから選択される金属を含む、少なくとも１
    つの酸性酸化物であり、Ａが約１乃至約３の正の形式電
    荷を有する少なくとも１つの追加のカチオンであり、前
    記酸化物が、チタン酸ストロンチウム・バリウム、ジル
    コン酸ストロンチウム・バリウム、ハフニウム酸ストロ
    ンチウム・バリウム、チタン酸鉛、アルミン酸イットリ
    ウム、アルミン酸ランタン、チタン酸ジルコニウム鉛、
    タンタル酸ビスマス・ストロンチウム、ニオブ酸ビスマ
    ス・ストロンチウム、チタン酸ビスマス、ケイ酸ランタ
    ン、ケイ酸イットリウム、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジ
    ルコニウム、希土類ドープ・ケイ酸塩、及びこれらのド
    ープまたは非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグル
    ープから選択される、請求項４１記載の方法。
  48. 【請求項４８】前記頂部電極が、ポリシリコン、Ｎｉ、
    Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｉ
    ｒＯx、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｔａ、ＳｒＲｕＯ3、Ｌａ
    ＳｒＣｏＯ3、及びこれらのドープまたは非ドープ合
    金、混合物、または多層を含むグループから選択され
    る、請求項４１記載の方法。
  49. 【請求項４９】誘電体層内にエッチングされたトレンチ
    及びバイアと、誘電体と配線材料との間の任意のバリア
    材料と、配線材料とを含む、配線構造を形成する方法で
    あって、前記配線構造の少なくとも１つの構成要素が、
    請求項２４記載の方法により付着される方法。
  50. 【請求項５０】前記誘電体層が、ＳｉＯ2、ＳｉＯ
    xＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸リン・ガラス、金属酸化物、Ａ
    ｌ2Ｏ3、及びこれらのドープまたは非ドープ合金、混合
    物、及び多層を含むグループから選択される、請求項４
    ９記載の方法。
  51. 【請求項５１】前記任意のバリア材料が、ＷＮ、Ｔｉ
    Ｎ、ＴａＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ケイ酸
    リン・ガラス、金属酸化物、Ａｌ2Ｏ3、及びこれらのド
    ープまたは非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグル
    ープから選択される、請求項４９記載の方法。
  52. 【請求項５２】前記配線材料が、ポリシリコン、Ａｌ、
    Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及び及びこれらのドープ
    または非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグループ
    から選択される、請求項４９記載の方法。
  53. 【請求項５３】ソース及びドレイン領域と、前記ソース
    領域とドレイン領域の間のチャネル領域と、前記チャネ
    ル領域上に位置合わせされるゲート誘電体と、前記ゲー
    ト誘電体上に位置合わせされるゲート電極とを含む電子
    素子を形成する方法であって、前記電子素子の少なくと
    も１つの構成要素が、請求項２４記載の方法により付着
    される方法。
  54. 【請求項５４】前記ゲート誘電体が、ＳｉＯ2、ＳｉＯx
    Ｎy、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｈｆ
    Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、複合要素金属酸化
    物、化学式ＡＢＯ3を有するペロブスカイト型酸化物を
    含むグループから選択され、ここでＢが、Ａｌ、Ｔｉ、
    Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕを
    含むグループから選択される金属を含む、少なくとも１
    つの酸性酸化物であり、Ａが約１乃至約３の正の形式電
    荷を有する少なくとも１つの追加のカチオンであり、前
    記酸化物が、チタン酸ストロンチウム・バリウム、ジル
    コン酸ストロンチウム・バリウム、ハフニウム酸ストロ
    ンチウム・バリウム、チタン酸鉛、アルミン酸イットリ
    ウム、アルミン酸ランタン、チタン酸ジルコニウム鉛、
    タンタル酸ビスマス・ストロンチウム、ニオブ酸ビスマ
    ス・ストロンチウム、チタン酸ビスマス、ケイ酸ランタ
    ン、ケイ酸イットリウム、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジ
    ルコニウム、希土類ドープ・ケイ酸塩、及びこれらのド
    ープまたは非ドープ合金、混合物、及び多層を含むグル
    ープから選択される、請求項５３記載の方法。
  55. 【請求項５５】前記ゲート誘電体が２つ以上の層から構
    成される、請求項５３記載の方法。
  56. 【請求項５６】前記ゲート電極が、ポリシリコン、Ａ
    ｌ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍ
    ｎ、Ｎｂ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｔｅ、
    Ｒｅ、Ｒｈ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｒ
    ｈ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びこれらのドープまたは非ド
    ープ合金、混合物、及び多層を含むグループから選択さ
    れる、請求項５３記載の方法。
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Cited By (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367982A (ja) * 2001-05-07 2002-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 多成分系薄膜及びその形成方法
US6638810B2 (en) 2000-02-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Tantalum nitride CVD deposition by tantalum oxide densification
WO2004004014A1 (ja) * 2002-06-27 2004-01-08 Nec Corporation 半導体装置およびその製造方法
JP2004040110A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Samsung Electronics Co Ltd 原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法
KR20040024658A (ko) * 2002-09-16 2004-03-22 주식회사 메카로닉스 원자층 증착법에 의한 루세늄 박막 제조 방법 및 그박막을 이용한 커패시터
JP2004153238A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Sharp Corp ＣＭＯＳアプリケーション用の多重高κゲート誘電体を堆積する方法
JP2004161602A (ja) * 2002-06-10 2004-06-10 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw Ｈｆ２および第２の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法
WO2004020691A3 (en) * 2002-08-28 2004-07-08 Micron Technology Inc Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
JP2004250431A (ja) * 2003-01-27 2004-09-09 Mitsubishi Materials Corp 有機金属化合物及びその合成方法並びに該化合物を含む溶液原料、金属含有薄膜
US6825134B2 (en) 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
US6831004B2 (en) 2000-06-27 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
JP2005520338A (ja) * 2002-03-13 2005-07-07 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド ドープとアニールを同時に行うことにより薄膜層を形成するための方法
US6932871B2 (en) 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
US6958300B2 (en) 2002-08-28 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides
WO2005101473A1 (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Ulvac, Inc. バリア膜の形成方法、及び電極膜の形成方法
JP2005340405A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Asahi Denka Kogyo Kk 化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
JP2006080487A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Lg Phillips Lcd Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JP2006097100A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP2006097101A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP2006097099A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
US7030450B2 (en) 2002-08-12 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Precursor for hafnium oxide layer and method for forming halnium oxide film using the precursor
US7041609B2 (en) 2002-08-28 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using alcohols
WO2006076987A1 (de) * 2004-12-18 2006-07-27 Aixtron Ag Verfahren zum selbstlimitierenden abscheiden ein oder mehrerer monolagen sowie dazu geeignete ausgangsstoffe
JP2006310865A (ja) * 2005-04-29 2006-11-09 Boc Group Inc:The 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置
EP1635398A3 (en) * 2004-09-10 2006-12-06 North Carolina State University Semiconductor devices having an interfacial dielectric layer and related methods
US7153786B2 (en) 2004-01-13 2006-12-26 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating lanthanum oxide layer and method of fabricating MOSFET and capacitor using the same
JP2007012923A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007036089A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Tdk Corp 下部電極構造
JP2007048926A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Tokyo Electron Ltd Ｗ系膜の成膜方法、ゲート電極の形成方法、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100696858B1 (ko) * 2005-09-21 2007-03-20 삼성전자주식회사 유기 알루미늄 전구체 및 이를 이용한 금속배선 형성방법
JP2007142415A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Asm Internatl Nv Ｃｖｄ又はａｌｄによる膜の堆積のための方法
JP2007150242A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子のキャパシタ製造方法
JP2008010881A (ja) * 2007-07-13 2008-01-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009079290A (ja) * 2007-07-13 2009-04-16 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 前駆体組成物及び方法
US7563729B2 (en) 2003-01-17 2009-07-21 Fujitsu Microelectronics Limited Method of forming a dielectric film
JP2009218263A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Elpida Memory Inc キャパシタ用電極及びその製造方法、半導体装置
JP2009228022A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nihon Ceratec Co Ltd 酸化物膜形成方法および酸化物被膜部材
JP2009239283A (ja) * 2008-03-24 2009-10-15 Air Products & Chemicals Inc 銅への改善された接着性および銅エレクトロマイグレーション耐性
JP2009545138A (ja) * 2006-07-21 2009-12-17 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 金属シリケート膜のａｌｄ
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7745333B2 (en) 2000-06-28 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
JP2010177305A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7794544B2 (en) 2004-05-12 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
JP2010245548A (ja) * 2002-12-09 2010-10-28 Imec Ｍｏｓトランジスタ
JP2011071528A (ja) * 2006-06-02 2011-04-07 L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude 誘電体フィルムを形成する方法、新規前駆体および半導体製造におけるそれらの使用
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US8071167B2 (en) 2002-06-14 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8273409B2 (en) 2008-03-27 2012-09-25 Tokyo Electron Limited Method for film formation, apparatus for film formation, and computer-readable recording medium
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
JP2014022631A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置およびその製造方法
US8853075B2 (en) 2008-02-27 2014-10-07 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process
KR20150122659A (ko) * 2013-02-28 2015-11-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 아미드 증착 전구체 및 불활성 앰플 라이너에 의한 이들의 안정화
KR20150129288A (ko) 2014-05-07 2015-11-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 장치
US9234275B2 (en) 2012-12-11 2016-01-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of forming metal compound film, and electronic product
US9404180B2 (en) 2010-03-16 2016-08-02 Tokyo Electron Limited Deposition device
US9418890B2 (en) 2008-09-08 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
JP2016526100A (ja) * 2013-05-24 2016-09-01 ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド タングステン化合物を用いたタングステン−含有膜の蒸着方法及び前記タングステン化合物を含むタングステン−含有膜蒸着用前駆体組成物
JP2017034103A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 宇部興産株式会社 酸化アルミニウム膜の製造方法及び酸化アルミニウム膜の製造原料
KR20170127498A (ko) 2015-05-12 2017-11-21 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 이종 복핵 착체를 포함하는 화학 증착용 원료 및 해당 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
KR20170128583A (ko) 2015-05-12 2017-11-22 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 이종 복핵 착체를 포함하는 화학 증착용 원료 및 해당 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
JP2018538443A (ja) * 2015-11-25 2018-12-27 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトＵｍｉｃｏｒｅ ＡＧ ＆ Ｃｏ．ＫＧ 炭化水素中のアルキル−インジウム化合物の溶液を使用した有機金属気相堆積法
JP2019504509A (ja) * 2015-11-19 2019-02-14 ユージーンテック マテリアルズ カンパニー リミテッド 有機４族化合物を含む前駆体造成物及びそれを利用した薄膜形成方法
JP2019073787A (ja) * 2017-10-19 2019-05-16 株式会社村田製作所 成膜方法
CN110128668A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 太原理工大学 一种基于固载溶剂结合溶剂热和蒸汽相合成MOFs的方法
KR20200009073A (ko) * 2017-06-09 2020-01-29 가부시키가이샤 고준도가가쿠 겐큐쇼 화학 증착용 원료, 및, 화학 증착용 원료가 들어간 차광 용기 및 그 제조 방법
JP2020530199A (ja) * 2017-08-02 2020-10-15 シースター ケミカルズ アンリミティッド ライアビリティ カンパニー 高純度酸化スズの堆積のための有機金属化合物及び方法
KR20220136072A (ko) * 2021-03-31 2022-10-07 오션브릿지 주식회사 박막 성장 억제용 화합물 및 이를 이용한 박막 형성방법
WO2023090910A1 (ko) * 2021-11-18 2023-05-25 주식회사 한솔케미칼 유기 금속 화합물을 이용하여 박막을 형성하는 방법 및 이로부터 제조된 박막
WO2023102063A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-08 L'air Liquide, Societe Anonyme Pourl'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity
WO2023171489A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 株式会社Adeka 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法

Families Citing this family (453)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323581B1 (en) 1990-07-06 2008-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
FI117979B (fi) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US7494927B2 (en) * 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
KR100814980B1 (ko) 2000-09-28 2008-03-18 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 산화물, 규산염 및 인산염의 증기를 이용한 석출
US6713846B1 (en) * 2001-01-26 2004-03-30 Aviza Technology, Inc. Multilayer high κ dielectric films
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US7037862B2 (en) * 2001-06-13 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Dielectric layer forming method and devices formed therewith
JP4921652B2 (ja) * 2001-08-03 2012-04-25 エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法
US20030036242A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Haining Yang Methods of forming metal-comprising materials and capacitor electrodes; and capacitor constructions
US20030098489A1 (en) * 2001-11-29 2003-05-29 International Business Machines Corporation High temperature processing compatible metal gate electrode for pFETS and methods for fabrication
US6893984B2 (en) * 2002-02-20 2005-05-17 Micron Technology Inc. Evaporated LaA1O3 films for gate dielectrics
KR100472730B1 (ko) * 2002-04-26 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 원자층증착법을 이용한 반도체 소자의 금속전극 형성방법
US7589029B2 (en) * 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
US7094704B2 (en) * 2002-05-09 2006-08-22 Applied Materials, Inc. Method of plasma etching of high-K dielectric materials
US6921702B2 (en) * 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
JPWO2004027849A1 (ja) * 2002-09-20 2006-01-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP4358492B2 (ja) * 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US7101813B2 (en) * 2002-12-04 2006-09-05 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films
KR100523658B1 (ko) * 2002-12-30 2005-10-24 동부아남반도체 주식회사 구리 확산 장벽 제조 방법
KR100934550B1 (ko) * 2003-03-04 2009-12-29 삼성전자주식회사 금속필름 또는 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를이용한 금속 필름 또는 패턴 형성방법
US7135369B2 (en) * 2003-03-31 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9
KR100885910B1 (ko) * 2003-04-30 2009-02-26 삼성전자주식회사 게이트 적층물에 ｏｈａ막을 구비하는 비 휘발성 반도체메모리 장치 및 그 제조방법
US7164182B2 (en) 2003-07-07 2007-01-16 Micron Technology, Inc. Pixel with strained silicon layer for improving carrier mobility and blue response in imagers
US7048968B2 (en) * 2003-08-22 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Methods of depositing materials over substrates, and methods of forming layers over substrates
CN100477107C (zh) * 2004-01-28 2009-04-08 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的处理室净化方法、基板处理装置和基板处理方法
US7285308B2 (en) * 2004-02-23 2007-10-23 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high conductivity, adherent thin films of ruthenium
US7098150B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-29 Air Liquide America L.P. Method for novel deposition of high-k MSiON dielectric films
JP4542807B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置、ならびにゲート絶縁膜の形成方法
KR100591157B1 (ko) * 2004-06-07 2006-06-19 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조방법
KR100581993B1 (ko) 2004-06-09 2006-05-22 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 물질 형성방법
US7202185B1 (en) * 2004-06-22 2007-04-10 Novellus Systems, Inc. Silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD) using a nucleation layer
US7297608B1 (en) 2004-06-22 2007-11-20 Novellus Systems, Inc. Method for controlling properties of conformal silica nanolaminates formed by rapid vapor deposition
US7601649B2 (en) * 2004-08-02 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Zirconium-doped tantalum oxide films
US7081421B2 (en) * 2004-08-26 2006-07-25 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide dielectric layer
US7250367B2 (en) * 2004-09-01 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Deposition methods using heteroleptic precursors
US7790633B1 (en) 2004-10-26 2010-09-07 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
KR100514780B1 (ko) * 2004-12-10 2005-09-14 (주) 디엔에프솔루션 반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법
US7235501B2 (en) * 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7294583B1 (en) 2004-12-23 2007-11-13 Novellus Systems, Inc. Methods for the use of alkoxysilanol precursors for vapor deposition of SiO2 films
KR100618879B1 (ko) 2004-12-27 2006-09-01 삼성전자주식회사 게르마늄 전구체, 이를 이용하여 형성된 ｇｓｔ 박막,상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자
KR100780631B1 (ko) * 2004-12-28 2007-11-29 주식회사 하이닉스반도체 티타늄산화막의 증착 방법 및 그를 이용한 캐패시터의제조 방법
US7482247B1 (en) 2004-12-30 2009-01-27 Novellus Systems, Inc. Conformal nanolaminate dielectric deposition and etch bag gap fill process
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
US20060172067A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Energy Conversion Devices, Inc Chemical vapor deposition of chalcogenide materials
US7135418B1 (en) 2005-03-09 2006-11-14 Novellus Systems, Inc. Optimal operation of conformal silica deposition reactors
US8025922B2 (en) * 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US7687409B2 (en) 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7662729B2 (en) * 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7572695B2 (en) * 2005-05-27 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Hafnium titanium oxide films
US7439179B2 (en) * 2005-06-22 2008-10-21 Intel Corporation Healing detrimental bonds in deposited materials
US20070014919A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Jani Hamalainen Atomic layer deposition of noble metal oxides
DE102005033579A1 (de) * 2005-07-19 2007-01-25 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung dünner Hafnium- oder Zirkonnitrid-Schichten
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US20070049023A1 (en) * 2005-08-29 2007-03-01 Micron Technology, Inc. Zirconium-doped gadolinium oxide films
US7589028B1 (en) 2005-11-15 2009-09-15 Novellus Systems, Inc. Hydroxyl bond removal and film densification method for oxide films using microwave post treatment
US7592251B2 (en) 2005-12-08 2009-09-22 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum titanium oxide films
US7491653B1 (en) 2005-12-23 2009-02-17 Novellus Systems, Inc. Metal-free catalysts for pulsed deposition layer process for conformal silica laminates
EP1803789A1 (de) * 2005-12-28 2007-07-04 Novaled AG Verwendung von Metallkomplexen als Emitter in einem elektronischen Bauelement und elektronisches Bauelement
US7972974B2 (en) * 2006-01-10 2011-07-05 Micron Technology, Inc. Gallium lanthanide oxide films
US7709402B2 (en) * 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
WO2007106788A2 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films
WO2007115540A1 (de) * 2006-03-30 2007-10-18 Novaled Ag Verwendung von bora-tetraazapentalenen
US7288463B1 (en) 2006-04-28 2007-10-30 Novellus Systems, Inc. Pulsed deposition layer gap fill with expansion material
CN101473382A (zh) 2006-05-12 2009-07-01 高级技术材料公司 相变化记忆体材料的低温沉积
EP1860709B1 (de) * 2006-05-24 2012-08-08 Novaled AG Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand
DE102006027932A1 (de) * 2006-06-14 2007-12-20 Aixtron Ag Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen
WO2007147020A2 (en) * 2006-06-15 2007-12-21 Advanced Technology Materials, Inc. Cobalt precursors useful for forming cobalt-containing films on substrates
US7625820B1 (en) 2006-06-21 2009-12-01 Novellus Systems, Inc. Method of selective coverage of high aspect ratio structures with a conformal film
DE102006030860A1 (de) 2006-07-04 2008-01-10 Universität Regensburg Oligomere von Isonitril-Metallkomplexen als Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
KR100757415B1 (ko) * 2006-07-13 2007-09-10 삼성전자주식회사 게르마늄 화합물 및 그 제조 방법, 상기 게르마늄 화합물을이용한 상변화 메모리 장치 및 그 형성 방법
KR100780865B1 (ko) * 2006-07-19 2007-11-30 삼성전자주식회사 상변화막을 포함하는 반도체 소자의 형성 방법
DE102006035018B4 (de) * 2006-07-28 2009-07-23 Novaled Ag Oxazol-Triplett-Emitter für OLED-Anwendungen
US7727908B2 (en) * 2006-08-03 2010-06-01 Micron Technology, Inc. Deposition of ZrA1ON films
KR100829608B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-14 삼성전자주식회사 박막 제조 방법 및 이를 이용한 게이트 구조물 및커패시터의 제조 방법
US7776765B2 (en) * 2006-08-31 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates
US20080057659A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
US7605030B2 (en) 2006-08-31 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates
US7544604B2 (en) * 2006-08-31 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Tantalum lanthanide oxynitride films
US7759747B2 (en) * 2006-08-31 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric
US7435484B2 (en) * 2006-09-01 2008-10-14 Asm Japan K.K. Ruthenium thin film-formed structure
US8795771B2 (en) * 2006-10-27 2014-08-05 Sean T. Barry ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds
SG176449A1 (en) * 2006-11-02 2011-12-29 Advanced Tech Materials Antimony and germanium complexes useful for cvd/ald of metal thin films
US20080124484A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-29 Asm Japan K.K. Method of forming ru film and metal wiring structure
KR100852234B1 (ko) * 2006-11-17 2008-08-13 삼성전자주식회사 금속 산화막의 형성 방법, 이를 이용한 게이트 구조물의제조 방법 및 커패시터의 제조 방법
WO2008088563A2 (en) * 2007-01-17 2008-07-24 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for ald/cvd of group ii ruthenate thin films
US7901508B2 (en) * 2007-01-24 2011-03-08 Widetronix, Inc. Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor
US20080173239A1 (en) * 2007-01-24 2008-07-24 Yuri Makarov Method, system, and apparatus for the growth of SiC and related or similar material, by chemical vapor deposition, using precursors in modified cold-wall reactor
US20080214015A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Tim Boescke Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
US20080254218A1 (en) 2007-04-16 2008-10-16 Air Products And Chemicals, Inc. Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition
KR100877100B1 (ko) * 2007-04-16 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
FR2915315B1 (fr) * 2007-04-19 2009-06-26 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un condensateur a stabilite elevee et condensateur correspondant.
JP2011511881A (ja) 2007-06-28 2011-04-14 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 二酸化ケイ素ギャップ充填材のための前駆体
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
KR101367141B1 (ko) * 2007-08-03 2014-02-25 삼성전자주식회사 유기 금속 전구체, 이를 이용한 박막의 형성 방법 및 금속배선의 제조 방법
WO2009020888A1 (en) * 2007-08-08 2009-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Strontium and barium precursors for use in chemical vapor deposition, atomic layer deposition and rapid vapor deposition
TWI471449B (zh) * 2007-09-17 2015-02-01 Air Liquide 用於ｇｓｔ膜沈積之碲前驅物
US20090087339A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Asm Japan K.K. METHOD FOR FORMING RUTHENIUM COMPLEX FILM USING Beta-DIKETONE-COORDINATED RUTHENIUM PRECURSOR
US20090087561A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Advanced Technology Materials, Inc. Metal and metalloid silylamides, ketimates, tetraalkylguanidinates and dianionic guanidinates useful for cvd/ald of thin films
US8834968B2 (en) 2007-10-11 2014-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming phase change material layer using Ge(II) source, and method of fabricating phase change memory device
KR101458953B1 (ko) 2007-10-11 2014-11-07 삼성전자주식회사 Ｇｅ（Ⅱ）소오스를 사용한 상변화 물질막 형성 방법 및상변화 메모리 소자 제조 방법
KR101544198B1 (ko) 2007-10-17 2015-08-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 루테늄 막 형성 방법
JP5650880B2 (ja) * 2007-10-31 2015-01-07 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 非晶質Ｇｅ／Ｔｅ蒸着方法
US20100279011A1 (en) * 2007-10-31 2010-11-04 Advanced Technology Materials, Inc. Novel bismuth precursors for cvd/ald of thin films
US7655564B2 (en) * 2007-12-12 2010-02-02 Asm Japan, K.K. Method for forming Ta-Ru liner layer for Cu wiring
KR20090067505A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 루테늄막 증착 방법
US20090162973A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Julien Gatineau Germanium precursors for gst film deposition
JP5208537B2 (ja) * 2008-02-19 2013-06-12 株式会社東芝 不揮発性記憶素子
US7799674B2 (en) * 2008-02-19 2010-09-21 Asm Japan K.K. Ruthenium alloy film for copper interconnects
US20090215225A1 (en) 2008-02-24 2009-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials
US20090214858A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Pilkington North America, Inc. Magnesium oxide coated glass article and a method for depositing magnesium oxide coatings on flat glass
KR20090095270A (ko) * 2008-03-05 2009-09-09 삼성전자주식회사 오믹 콘택막의 형성방법 및 이를 이용한 반도체 장치의금속배선 형성방법
DE102008015270A1 (de) * 2008-03-20 2009-10-15 Qimonda Ag Herstellungsverfahren einer leitfähigen Schicht für eine integrierte Schaltung
US8383525B2 (en) * 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
US20090275198A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Smuruthi Kamepalli Vapor Phase Methods for Forming Electrodes in Phase Change Memory Devices
US8802194B2 (en) 2008-05-29 2014-08-12 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Tellurium precursors for film deposition
KR20110014160A (ko) * 2008-05-29 2011-02-10 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 필름 증착을 위한 텔루륨 전구체
US8636845B2 (en) 2008-06-25 2014-01-28 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Metal heterocyclic compounds for deposition of thin films
US7927986B2 (en) * 2008-07-22 2011-04-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implantation with heavy halogenide compounds
US8236381B2 (en) * 2008-08-08 2012-08-07 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Metal piperidinate and metal pyridinate precursors for thin film deposition
US20100048018A1 (en) * 2008-08-25 2010-02-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Doped Layers for Reducing Electromigration
US8084104B2 (en) * 2008-08-29 2011-12-27 Asm Japan K.K. Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition
US8133555B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Asm Japan K.K. Method for forming metal film by ALD using beta-diketone metal complex
US8119037B2 (en) * 2008-10-16 2012-02-21 Novaled Ag Square planar transition metal complexes and organic semiconductive materials using them as well as electronic or optoelectric components
WO2010065874A2 (en) 2008-12-05 2010-06-10 Atmi High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making
US9379011B2 (en) * 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
US8663735B2 (en) * 2009-02-13 2014-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials
KR101676060B1 (ko) * 2009-03-17 2016-11-14 엔테그리스, 아이엔씨. 보조 금속 종과 함께 루테늄을 침착시키기 위한 방법 및 조성물
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20110020546A1 (en) * 2009-05-15 2011-01-27 Asm International N.V. Low Temperature ALD of Noble Metals
KR20160084491A (ko) 2009-05-22 2016-07-13 엔테그리스, 아이엔씨. 저온 ｇｓｔ 방법
KR20120042971A (ko) * 2009-07-14 2012-05-03 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 고온에서의 ⅳ족 금속 함유 막의 퇴적
US8329569B2 (en) * 2009-07-31 2012-12-11 Asm America, Inc. Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8691668B2 (en) 2009-09-02 2014-04-08 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Dihalide germanium(II) precursors for germanium-containing film depositions
US8507704B2 (en) * 2009-09-08 2013-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films
US20110124182A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Advanced Techology Materials, Inc. System for the delivery of germanium-based precursor
KR20120123126A (ko) 2010-02-03 2012-11-07 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 박막 증착용 칼코게나이드-함유 전구체, 그의 제조 방법 및 사용 방법
US8193027B2 (en) * 2010-02-23 2012-06-05 Air Products And Chemicals, Inc. Method of making a multicomponent film
WO2011115878A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Sigma-Aldrich Co. Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines
WO2011119175A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Advanced Technology Materials, Inc. Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same
US8551609B2 (en) * 2010-04-27 2013-10-08 Ppg Industries Ohio, Inc. Method of depositing niobium doped titania film on a substrate and the coated substrate made thereby
JP5696530B2 (ja) * 2010-05-01 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 薄膜の形成方法及び成膜装置
US9190609B2 (en) 2010-05-21 2015-11-17 Entegris, Inc. Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same
US9373677B2 (en) 2010-07-07 2016-06-21 Entegris, Inc. Doping of ZrO2 for DRAM applications
US8420534B2 (en) * 2010-10-12 2013-04-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of crystalline PrCaMnO (PCMO) and related methods
WO2012057884A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
US9721754B2 (en) * 2011-04-26 2017-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and apparatus for processing a substrate with a focused particle beam
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9005705B2 (en) * 2011-09-14 2015-04-14 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Method for the production of a substrate having a coating comprising copper, and coated substrate and device prepared by this method
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
KR20200043526A (ko) 2011-12-20 2020-04-27 인텔 코포레이션 등각 저온 밀봉 유전체 확산 장벽들
US20130183814A1 (en) * 2012-01-13 2013-07-18 Applied Materials, Inc. Method of depositing a silicon germanium tin layer on a substrate
TWI563539B (en) * 2012-01-18 2016-12-21 Sino American Silicon Prod Inc Composite substrate, manufacturing method thereof and light emitting device having the same
US8846543B2 (en) * 2012-05-24 2014-09-30 Jinhong Tong Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide / erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics
WO2013177326A1 (en) 2012-05-25 2013-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon precursors for low temperature ald of silicon-based thin-films
US9540730B2 (en) * 2012-09-21 2017-01-10 Wayne State University Deposition of metal films based upon complementary reactions
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640757B2 (en) 2012-10-30 2017-05-02 Entegris, Inc. Double self-aligned phase change memory device structure
SG11201501107XA (en) 2012-11-19 2015-07-30 Adeka Corp Method for producing thin film containing molybdenum, thin film-forming starting material, and molybdenum imide compound
US10309010B2 (en) * 2013-01-31 2019-06-04 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Cobalt-containing compounds, their synthesis, and use in cobalt-containing film deposition
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2014124056A1 (en) 2013-02-08 2014-08-14 Advanced Technology Materials, Inc. Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films
US8940646B1 (en) 2013-07-12 2015-01-27 Lam Research Corporation Sequential precursor dosing in an ALD multi-station/batch reactor
US9090964B2 (en) * 2013-12-19 2015-07-28 Intel Corporation Additives to improve the performance of a precursor source for cobalt deposition
JP6300533B2 (ja) * 2014-01-15 2018-03-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
KR102008445B1 (ko) * 2014-02-26 2019-08-08 주식회사 유진테크 머티리얼즈 지르코늄 함유막 형성용 전구체 조성물 및 이를 이용한 지르코늄 함유막 형성 방법
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9663547B2 (en) 2014-12-23 2017-05-30 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films
US9499571B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR20160112778A (ko) * 2015-03-20 2016-09-28 삼성전자주식회사 핀 액티브 영역들을 갖는 반도체
KR102147190B1 (ko) 2015-03-20 2020-08-25 에스케이하이닉스 주식회사 막형성조성물 및 그를 이용한 박막 제조 방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9607842B1 (en) 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10011903B2 (en) * 2015-12-31 2018-07-03 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Manganese-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition
US9719167B2 (en) * 2015-12-31 2017-08-01 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Cobalt-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10793947B2 (en) * 2016-08-14 2020-10-06 Entegris, Inc. Alloys of Co to reduce stress
US9847293B1 (en) * 2016-08-18 2017-12-19 Qualcomm Incorporated Utilization of backside silicidation to form dual side contacted capacitor
TWI700799B (zh) * 2016-10-04 2020-08-01 聯華電子股份有限公司 導電結構、包含導電結構之佈局結構以及導電結構之製作方法
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10106568B2 (en) 2016-10-28 2018-10-23 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10337101B2 (en) 2016-12-13 2019-07-02 The Boeing Company System and process for chemical vapor deposition
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) * 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
TWI722301B (zh) * 2017-07-18 2021-03-21 美商應用材料股份有限公司 在金屬材料表面上沉積阻擋層的方法
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11584986B1 (en) * 2017-11-01 2023-02-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Area selective CVD of metallic films using precursor gases and inhibitors
KR102103346B1 (ko) * 2017-11-15 2020-04-22 에스케이트리켐 주식회사 박막 증착용 전구체 용액 및 이를 이용한 박막 형성 방법.
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI821363B (zh) 2018-08-31 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 前驅物遞送系統
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
KR102355507B1 (ko) * 2018-11-14 2022-01-27 (주)디엔에프 몰리브덴 함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 몰리브덴함유 박막
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102157137B1 (ko) 2018-11-30 2020-09-17 주식회사 한솔케미칼 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
EP3766888A1 (en) * 2018-11-30 2021-01-20 Hansol Chemical Co., Ltd Silicon precursor and method of manufacturing silicon-containing thin film using the same
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
JP7262912B2 (ja) * 2018-12-12 2023-04-24 エスケー トリケム カンパニー リミテッド 金属膜形成用前駆体組成物、これを用いた金属膜形成方法、及び前記金属膜を含む半導体素子
KR20200072407A (ko) 2018-12-12 2020-06-22 에스케이트리켐 주식회사 금속막 형성용 전구체 조성물, 이를 이용한 금속막 형성 방법 및 상기 금속막을 포함하는 반도체 소자.
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US11837441B2 (en) 2019-05-29 2023-12-05 Lam Research Corporation Depositing a carbon hardmask by high power pulsed low frequency RF
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11462398B2 (en) * 2019-07-17 2022-10-04 International Business Machines Corporation Ligand selection for ternary oxide thin films
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
US11145740B2 (en) * 2019-07-23 2021-10-12 National Tsing Hua University Ferroelectric field effect transistor device
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR102639052B1 (ko) * 2019-10-14 2024-02-22 삼성전자주식회사 박막 형성 방법
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR102364476B1 (ko) * 2020-05-08 2022-02-18 주식회사 한솔케미칼 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US20210399104A1 (en) * 2020-06-17 2021-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Triple Layer High-K Gate Dielectric Stack for Workfunction Engineering
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
JP2023542919A (ja) * 2020-09-25 2023-10-12 ラム リサーチ コーポレーション 堅牢なアッシング可能ハードマスク
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112974798B (zh) * 2021-02-05 2021-11-16 哈尔滨工业大学 一种铍粉无尘化处理的方法
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5820664A (en) * 1990-07-06 1998-10-13 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same
JPH0517142A (ja) 1990-09-07 1993-01-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> バリウム化合物薄膜の製造方法
JP3083868B2 (ja) 1991-05-01 2000-09-04 ティーディーケイ株式会社 ビスアセチルアセトナト亜鉛の製造方法
US5231061A (en) * 1991-06-10 1993-07-27 The Dow Chemical Company Process for making coated ceramic reinforcement whiskers
JPH05136063A (ja) 1991-09-20 1993-06-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> バリウム化合物およびそれを用いた薄膜の製造法
US5382817A (en) * 1992-02-20 1995-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a ferroelectric capacitor with a planarized lower electrode
JP3095727B2 (ja) 1992-09-22 2000-10-10 三菱電機株式会社 チタン酸化物系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ
US5393564A (en) * 1993-05-14 1995-02-28 Micron Semiconductor, Inc. High efficiency method for performing a chemical vapor deposition utilizing a nonvolatile precursor
JP3230389B2 (ja) 1993-09-20 2001-11-19 三菱マテリアル株式会社 銅薄膜形成用有機銅化合物とそれを用いた銅薄膜選択成長法
JPH07130654A (ja) 1993-11-05 1995-05-19 Kawasaki Steel Corp 有機金属化合物混合液及びそれを用いた薄膜の形成方法
US6780718B2 (en) * 1993-11-30 2004-08-24 Stmicroelectronics, Inc. Transistor structure and method for making same
KR0144956B1 (ko) * 1994-06-10 1998-08-17 김광호 반도체 장치의 배선 구조 및 그 형성방법
JP3461913B2 (ja) * 1994-06-20 2003-10-27 株式会社ブリヂストン 防振装置
GB9500330D0 (en) * 1995-01-09 1995-03-01 Pilkington Plc Coatings on glass
US6214105B1 (en) * 1995-03-31 2001-04-10 Advanced Technology Materials, Inc. Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
US5783716A (en) * 1996-06-28 1998-07-21 Advanced Technology Materials, Inc. Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum
JP2822946B2 (ja) 1995-07-31 1998-11-11 三菱マテリアル株式会社 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物
US5650361A (en) * 1995-11-21 1997-07-22 The Aerospace Corporation Low temperature photolytic deposition of aluminum nitride thin films
JPH10102253A (ja) 1996-09-27 1998-04-21 Kojundo Chem Lab Co Ltd フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US6067244A (en) * 1997-10-14 2000-05-23 Yale University Ferroelectric dynamic random access memory
JPH11255784A (ja) 1998-01-09 1999-09-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd チタン錯体およびその合成方法
US6015917A (en) * 1998-01-23 2000-01-18 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate
JP3680542B2 (ja) 1998-02-09 2005-08-10 三菱マテリアル株式会社 Ｍｏｃｖｄに適した有機チタン化合物
JP3334605B2 (ja) 1998-05-07 2002-10-15 三菱電機株式会社 電極形成用ｃｖｄ原料、およびそれを用いて形成されたキャパシタ用電極、配線膜
JP4069224B2 (ja) 1998-05-29 2008-04-02 株式会社高純度化学研究所 化学気相成長用ビスマスターシャリアルコキシド原料 溶液及びそれを用いたビスマス層状酸化物薄膜の製造 方法
US6048790A (en) * 1998-07-10 2000-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Metalorganic decomposition deposition of thin conductive films on integrated circuits using reducing ambient
JP2000044240A (ja) 1998-07-30 2000-02-15 Asahi Denka Kogyo Kk チタン酸ビスマス強誘電体膜
JP4225607B2 (ja) 1998-08-06 2009-02-18 株式会社Ａｄｅｋａ ビスマス含有複合金属酸化膜の製造方法
US6541067B1 (en) * 1998-08-27 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide and method of using same
US6225237B1 (en) * 1998-09-01 2001-05-01 Micron Technology, Inc. Method for forming metal-containing films using metal complexes with chelating O- and/or N-donor ligands
US6214729B1 (en) * 1998-09-01 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Metal complexes with chelating C-, N-donor ligands for forming metal-containing films

Cited By (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638810B2 (en) 2000-02-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Tantalum nitride CVD deposition by tantalum oxide densification
US6831004B2 (en) 2000-06-27 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7745333B2 (en) 2000-06-28 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
JP2002367982A (ja) * 2001-05-07 2002-12-20 Samsung Electronics Co Ltd 多成分系薄膜及びその形成方法
KR101018967B1 (ko) * 2002-03-13 2011-03-02 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 도핑 및 소결을 동시에 행함으로써 박막층을 형성하기위한 방법
JP2005520338A (ja) * 2002-03-13 2005-07-07 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド ドープとアニールを同時に行うことにより薄膜層を形成するための方法
US6825134B2 (en) 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
US6932871B2 (en) 2002-04-16 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
US7794789B2 (en) 2002-04-16 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
US7547465B2 (en) 2002-04-16 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Multi-station deposition apparatus and method
JP2004161602A (ja) * 2002-06-10 2004-06-10 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw Ｈｆ２および第２の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法
JP4614639B2 (ja) * 2002-06-10 2011-01-19 アイメック Ｈｆ含有組成物の誘電率（ｋ値）増進
US8071167B2 (en) 2002-06-14 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
JP2004031760A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2004004014A1 (ja) * 2002-06-27 2004-01-08 Nec Corporation 半導体装置およびその製造方法
JP4643884B2 (ja) * 2002-06-27 2011-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8125016B2 (en) 2002-06-27 2012-02-28 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and its manufacturing method
CN100367513C (zh) * 2002-06-27 2008-02-06 日本电气株式会社 在硅衬底上层叠栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件及其制造方法
US8575677B2 (en) 2002-06-27 2013-11-05 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004040110A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Samsung Electronics Co Ltd 原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法
US7030450B2 (en) 2002-08-12 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Precursor for hafnium oxide layer and method for forming halnium oxide film using the precursor
US7399716B2 (en) 2002-08-12 2008-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Precursor for hafnium oxide layer and method for forming hafnium oxide film using the precursor
JP2005537645A (ja) * 2002-08-28 2005-12-08 マイクロン テクノロジー，インコーポレイティド ジルコニウムおよび／またはハフニウム含有層を形成するシステムおよび方法
WO2004020691A3 (en) * 2002-08-28 2004-07-08 Micron Technology Inc Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
US7041609B2 (en) 2002-08-28 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using alcohols
US7112485B2 (en) 2002-08-28 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
US7410918B2 (en) 2002-08-28 2008-08-12 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using alcohols
US6958300B2 (en) 2002-08-28 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides
US9184061B2 (en) 2002-08-28 2015-11-10 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
KR20040024658A (ko) * 2002-09-16 2004-03-22 주식회사 메카로닉스 원자층 증착법에 의한 루세늄 박막 제조 방법 및 그박막을 이용한 커패시터
JP2004153238A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Sharp Corp ＣＭＯＳアプリケーション用の多重高κゲート誘電体を堆積する方法
JP2010245548A (ja) * 2002-12-09 2010-10-28 Imec Ｍｏｓトランジスタ
US7563729B2 (en) 2003-01-17 2009-07-21 Fujitsu Microelectronics Limited Method of forming a dielectric film
JP2004250431A (ja) * 2003-01-27 2004-09-09 Mitsubishi Materials Corp 有機金属化合物及びその合成方法並びに該化合物を含む溶液原料、金属含有薄膜
US7153786B2 (en) 2004-01-13 2006-12-26 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating lanthanum oxide layer and method of fabricating MOSFET and capacitor using the same
JP4974676B2 (ja) * 2004-04-12 2012-07-11 株式会社アルバック バリア膜の形成方法
WO2005101473A1 (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Ulvac, Inc. バリア膜の形成方法、及び電極膜の形成方法
US7419904B2 (en) 2004-04-12 2008-09-02 Ulvac Inc. Method for forming barrier film and method for forming electrode film
CN100370585C (zh) * 2004-04-12 2008-02-20 株式会社爱发科 隔离膜的形成方法及电极膜的形成方法
US8282992B2 (en) 2004-05-12 2012-10-09 Applied Materials, Inc. Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials
US7794544B2 (en) 2004-05-12 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8343279B2 (en) 2004-05-12 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Apparatuses for atomic layer deposition
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
WO2005116292A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Adeka Corporation 化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
JP2005340405A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Asahi Denka Kogyo Kk 化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
JP2006080487A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Lg Phillips Lcd Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
US7507629B2 (en) 2004-09-10 2009-03-24 Gerald Lucovsky Semiconductor devices having an interfacial dielectric layer and related methods
EP1635398A3 (en) * 2004-09-10 2006-12-06 North Carolina State University Semiconductor devices having an interfacial dielectric layer and related methods
JP2006097099A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP4592373B2 (ja) * 2004-09-30 2010-12-01 株式会社トリケミカル研究所 導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法
JP2006097100A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP2006097101A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP4591917B2 (ja) * 2004-09-30 2010-12-01 株式会社トリケミカル研究所 導電性モリブデンナイトライド膜形成方法
WO2006076987A1 (de) * 2004-12-18 2006-07-27 Aixtron Ag Verfahren zum selbstlimitierenden abscheiden ein oder mehrerer monolagen sowie dazu geeignete ausgangsstoffe
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
KR101332877B1 (ko) * 2005-04-29 2013-11-25 더 비오씨 그룹 인코포레이티드 원자층 증착을 위한 용액계 전구체를 사용하는 방법 및장치
JP2006310865A (ja) * 2005-04-29 2006-11-09 Boc Group Inc:The 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置
JP4679270B2 (ja) * 2005-06-30 2011-04-27 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP2007012923A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4548262B2 (ja) * 2005-07-29 2010-09-22 Ｔｄｋ株式会社 下部電極構造
JP2007036089A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Tdk Corp 下部電極構造
JP2007048926A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Tokyo Electron Ltd Ｗ系膜の成膜方法、ゲート電極の形成方法、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100696858B1 (ko) * 2005-09-21 2007-03-20 삼성전자주식회사 유기 알루미늄 전구체 및 이를 이용한 금속배선 형성방법
JP2007142415A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Asm Internatl Nv Ｃｖｄ又はａｌｄによる膜の堆積のための方法
JP2007150242A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子のキャパシタ製造方法
US7825043B2 (en) 2005-11-28 2010-11-02 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating capacitor in semiconductor device
DE102006030707B4 (de) * 2005-11-28 2011-06-22 Hynix Semiconductor Inc., Kyonggi Verfahren zur Herstellung eines Kondensators in einem Halbleiterbauelement
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
JP2014039045A (ja) * 2006-06-02 2014-02-27 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude 誘電体フィルムを形成する方法、新規前駆体および半導体製造におけるそれらの使用
JP2011071528A (ja) * 2006-06-02 2011-04-07 L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude 誘電体フィルムを形成する方法、新規前駆体および半導体製造におけるそれらの使用
US8399056B2 (en) 2006-06-02 2013-03-19 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing
JP2009545138A (ja) * 2006-07-21 2009-12-17 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 金属シリケート膜のａｌｄ
JP2009079290A (ja) * 2007-07-13 2009-04-16 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 前駆体組成物及び方法
JP2008010881A (ja) * 2007-07-13 2008-01-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
KR101498499B1 (ko) * 2007-07-13 2015-03-04 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 전구체 조성물 및 방법
US8853075B2 (en) 2008-02-27 2014-10-07 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process
JP2009218263A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Elpida Memory Inc キャパシタ用電極及びその製造方法、半導体装置
JP2009228022A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nihon Ceratec Co Ltd 酸化物膜形成方法および酸化物被膜部材
JP2009239283A (ja) * 2008-03-24 2009-10-15 Air Products & Chemicals Inc 銅への改善された接着性および銅エレクトロマイグレーション耐性
US9062374B2 (en) 2008-03-27 2015-06-23 Tokyo Electron Limited Method for film formation, apparatus for film formation, and computer-readable recording medium
US8273409B2 (en) 2008-03-27 2012-09-25 Tokyo Electron Limited Method for film formation, apparatus for film formation, and computer-readable recording medium
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US8043907B2 (en) 2008-03-31 2011-10-25 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US9418890B2 (en) 2008-09-08 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
JP2010177305A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
US9404180B2 (en) 2010-03-16 2016-08-02 Tokyo Electron Limited Deposition device
JP2014022631A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置およびその製造方法
US9234275B2 (en) 2012-12-11 2016-01-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of forming metal compound film, and electronic product
KR20150122659A (ko) * 2013-02-28 2015-11-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 아미드 증착 전구체 및 불활성 앰플 라이너에 의한 이들의 안정화
JP2016513185A (ja) * 2013-02-28 2016-05-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 金属アミド堆積前駆体及び不活性アンプルライナによるそれらの安定化
KR102271767B1 (ko) * 2013-02-28 2021-06-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 아미드 증착 전구체 및 불활성 앰플 라이너에 의한 이들의 안정화
JP2016526100A (ja) * 2013-05-24 2016-09-01 ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド タングステン化合物を用いたタングステン−含有膜の蒸着方法及び前記タングステン化合物を含むタングステン−含有膜蒸着用前駆体組成物
KR20150129288A (ko) 2014-05-07 2015-11-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법 및 성막 장치
US9540733B2 (en) 2014-05-07 2017-01-10 Tokyo Electron Limited Film forming method, film forming apparatus and recording medium
US10526698B2 (en) 2015-05-12 2020-01-07 Tanaka Kikinzoku K.K. Chemical deposition raw material including heterogeneous polynuclear complex and chemical deposition method using the chemical deposition raw material
US10407450B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Heterogeneous polynuclear complex for use in the chemical deposition of composite metal or metal compound thin films
KR20170127498A (ko) 2015-05-12 2017-11-21 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 이종 복핵 착체를 포함하는 화학 증착용 원료 및 해당 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
KR20170128583A (ko) 2015-05-12 2017-11-22 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 이종 복핵 착체를 포함하는 화학 증착용 원료 및 해당 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
JP2017034103A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 宇部興産株式会社 酸化アルミニウム膜の製造方法及び酸化アルミニウム膜の製造原料
JP2019504509A (ja) * 2015-11-19 2019-02-14 ユージーンテック マテリアルズ カンパニー リミテッド 有機４族化合物を含む前駆体造成物及びそれを利用した薄膜形成方法
JP2018538443A (ja) * 2015-11-25 2018-12-27 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトＵｍｉｃｏｒｅ ＡＧ ＆ Ｃｏ．ＫＧ 炭化水素中のアルキル−インジウム化合物の溶液を使用した有機金属気相堆積法
JP7197357B2 (ja) 2015-11-25 2022-12-27 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト 炭化水素中のアルキル－インジウム化合物の溶液を使用した有機金属気相堆積法
KR102367495B1 (ko) * 2017-06-09 2022-02-23 가부시키가이샤 고준도가가쿠 겐큐쇼 화학 증착용 원료, 및, 화학 증착용 원료가 들어간 차광 용기 및 그 제조 방법
US11655538B2 (en) 2017-06-09 2023-05-23 Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd. Precursor for chemical vapor deposition, and light-blocking container containing precursor for chemical vapor deposition and method for producing the same
KR20200009073A (ko) * 2017-06-09 2020-01-29 가부시키가이샤 고준도가가쿠 겐큐쇼 화학 증착용 원료, 및, 화학 증착용 원료가 들어간 차광 용기 및 그 제조 방법
JP2020530199A (ja) * 2017-08-02 2020-10-15 シースター ケミカルズ アンリミティッド ライアビリティ カンパニー 高純度酸化スズの堆積のための有機金属化合物及び方法
JP2019073787A (ja) * 2017-10-19 2019-05-16 株式会社村田製作所 成膜方法
CN110128668A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 太原理工大学 一种基于固载溶剂结合溶剂热和蒸汽相合成MOFs的方法
KR20220136072A (ko) * 2021-03-31 2022-10-07 오션브릿지 주식회사 박막 성장 억제용 화합물 및 이를 이용한 박막 형성방법
KR102643460B1 (ko) * 2021-03-31 2024-03-05 오션브릿지 주식회사 박막 성장 억제용 화합물 및 이를 이용한 박막 형성방법
WO2023090910A1 (ko) * 2021-11-18 2023-05-25 주식회사 한솔케미칼 유기 금속 화합물을 이용하여 박막을 형성하는 방법 및 이로부터 제조된 박막
WO2023102063A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-08 L'air Liquide, Societe Anonyme Pourl'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity
WO2023171489A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 株式会社Adeka 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法

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