CN101473382A - 相变化记忆体材料的低温沉积 - Google Patents

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Abstract

本发明揭露一种用于在一基材上形成相变化记忆体材料之***及方法，其中将基材与相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy)之前驱物于一可产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤藉由化学气相沉积或原子层沉积来进行。本发明亦描述多种可用于在基材上形成GST(锗－锑－碲；Ge－Sb－Te)相变化记忆体膜的碲、锗及锗－碲前驱物。

Description

相变化记忆体材料的低温沉积
技术领域
本发明有关相变化记忆体材料之低温沉积作用以形成微电子装置结构，其系藉由例如化学气相沉积及原子层沉积之沉积技术。
背景技术
相变化记忆体(phase change memory；PCM)为一基于硫属化合物(chalcogenide)材料之新颖记忆体技术，其经由一加热器进行一相变化，且基于其电阻率而读取为“0”，或“1”，其中电阻率之改变为对应在单元中的相变化材料为结晶型相或非晶型相。
在PCM中使用的硫属化合物材料包含一大量金属及类金属之二元、三元及四元合金。例示包括GeSbTe、GeSbInTe、及许多其他者。如此处所提及，可了解不具有相关联之化学计量系数或值之化合物(如GeSbTe及GeSbInTe)的辨别系为一大略性的表示，以代表含有特定元素之化合物的所有型式且包括所有相关联的化学计量系数及值。例如，GeSbInTe的参考包括Ge2Sb2Te5，以及所有此化合物GeSbInTe的其他化学计量形式。
PCM装置需要具有良好控制组成物的相对纯的硫属化合物材料合金。目前制造PCM装置的方法系利用物理气相沉积以沉积硫属化合物材料薄膜。目前产生的厚平面结构系由PVD良好供应。
因装置几何缩小，硫属化合物材料必须沉积入通孔(via)中以控制相变(phase transition)及必要的热传送。此硫属化合物材料的实现在改进小体积装置的可靠度上亦为有利的。
在目前技艺中主要的缺点为对传统使用的烷基(亦即Me3Sb、Me2Te)或卤化物源所需要之高沉积温度的需求。此温度基本上为超过300℃，且可能例如在500℃之层级。此高温实质超过装置整合的热预算且可能导致硫属化合物的蒸发作用，造成产物PCM装置对其所欲的目的为不良或甚而不能使用。
此技术仍持续寻求在PCM装置技术的改良，包括在制造技术的改进及改良之用于形成记忆体装置结构之前驱物。
发明内容
本发明有关于在基材上沉积相变化记忆体材料的***及方法，而用于制造一相变化记忆体装置。
本发明在一实施态样中为有关在一基材上形成相变化记忆体材料的方法，其包含将基材与相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenidealloy)之前驱物于一产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积。
在另一实施态样中，本发明有关在一基材上形成锗-锑-碲相变化记忆体材料的方法，其包含将基材与相变化记忆体锗-锑-碲合金之前驱物于一产生锗-锑-碲合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积，且前驱物包含至少一卤化物前驱物。
在又一实施态样中，本发明为有关一用以制造相变化记忆体装置的***，该记忆体装置包括在基材上之相变化记忆体材料。此***包括：一适于接受来自前驱物供应封装之前驱物的沉积工具，且前驱物供应封装含有可在一产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下形成一相变化记忆体硫属化合物合金之前驱物，其中此沉积工具在包含低于350℃的温度之条件下适于化学气相沉积或原子层沉积操作。
在另一实施态样中，本发明为有关一用以制造锗-锑-碲相变化记忆体装置的***，该记忆体装置包括一在基材上之锗-锑-碲相变化记忆体材料。此***包括：一适于接受来自前驱物供应封装之前驱物的沉积工具，且前驱物供应封装含有在一产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下形成一锗-锑-碲相变化记忆体硫属化合物合金之锗、锑及碲前驱物，其中此沉积工具在包含低于350℃的温度之条件下适于化学气相沉积或原子层沉积操作，且至少一前驱物供应封装含有卤化物前驱物。
本发明之再一实施态样为有关依本发明形成之PCM膜；对应之装置；碲络合物、锗络合物、碲化锗，及利用其等形成GST膜之方法；包含用以形成PCM膜之前驱物组合之组合物；及适于耦接至沉积工具之包含此组合物的封装前驱物，将于后文中详述。
本发明之其他态样、特征、及实施例由后续之说明及后附之权利要求中而更显见。
具体实施方式
本发明有关于相变化记忆体材料之沉积作用，藉以形成PCM装置。
详言之，本发明在一实施态样中为有关硫属化合物合金，且有关于其藉由化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之低温沉积以形成PCM装置。CVD及ALD方法为用以实施本发明，以获得大面积晶圆的规模性及对组合物的控制。较佳之硫属化合物合金包括含有锗、锑及碲之至少二者的合金。
如此处所用，“低温”一词为指低于350℃的温度。PCM材料沉积的温度较佳为低于300℃，尤以低于250℃为宜，且最佳为低于225℃。
在一实施态样中，本发明为有关于在一基材上形成相变化记忆体材料的方法，其包含将基材与相变化记忆体硫属化合物合金之前驱物于一产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积。
在制造PCM装置之过程中，于低沉积温度下进行之化学气相沉积及原子层沉积的优点包括在小装置中读取/再写入的次数之实质增进，此为沉积PCM材料之高保形性(conformality)的结果。
此方法可进一步包括制造该相变化记忆体材料成为一相变化记忆体装置。
可有利于用于形成PCM膜及装置的硫属化合物金属及金属合金前驱物包括：
(i)化学式为RxMhy-x之丁基-及丙基-取代烷基氢化物，其中：R为丁基或丙基，R较佳为第三丁基(t—butyl)或异丙基；M为一具有氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(ii)化学式为RxMXy-x之丁基-及丙基-取代烷基卤化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；X为F、Cl、或Br；M为一具有氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(iii)化学式为Ge2(R1)6之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(iv)化学式为Ge2(R1)4之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(v)环化合物，其包含Ge做为一环构成物；
(vi)化学式为Ge(Cp(R2)5)2之Ge(II)化合物，其中Cp为在环戊二烯碳原子上具有R2取代基之环戊二烯，其中R2取代基彼此相同或不同，且每一个R2系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C1-C8烷基胺基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(vii)化学式为Ge(R3)2之Ge(II)化合物，其中R3取代基彼此相同或不同，且每一个R3系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基；
(viii)化学式为Sb(R4)3之Sb化合物，其中R4为苯基、或取代苯基，且在苯环上的取代基为各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基；
(ix)锗化合物(iii)、(iv)、(v)、(vi)及(vii)之Sb及Te类似物；
(x)锑化合物(viii)之Ge及Te类似物：及
(xi)GeI4、SbI3及TeI2。
可了解组成份之金属物种在前述多种化合物中可具有不同氧化态。
前方列举之前驱物中关于前述定义之二锗烷、锗烷环化合物及Ge(II)化合物，可进一步包括对应之类似物，其中Ge可由Sb或Te取代。同样的，前方列举之前驱物中关于前述定义之Sb化合物，可进一步包括对应之类似物，其中Sb可由Ge或Te取代。
前述多种化合物，例如第(viii)组之锑化合物，其特性上具光敏性且可承受PCM沉积的光/UV活化步骤。此化合物因此在沉积作用期间可曝于光照下以活化，其可使用可见光曝光或紫外光曝光。
沉积作用可在一沉积反应器之反应室中进行，而此沉积反应器为一设置用于且适于PCM产物生产的沉积工具。本发明系揭露于沉积之PCM材料中以可改良用于PCM应用中之沉积材料的性质之掺杂剂物种提供掺杂。例如，可使用氧掺杂，或以其他植入物掺杂，以提供较佳特性之PCM膜。本发明亦揭露在PCM材料于基材上形成时的对PCM材料之原位掺杂。
本发明之再一态样为有关一用以制造相变化记忆体装置的***，而此相变化记忆体装置含有一在基材上之相变化记忆体材料，此***包括一适于接受来自前驱物供应封装(package)之前驱物的沉积工具，且前驱物供应封装含有在一产生硫属化合物合金沉积于基材上的状况下形成一相变化记忆体硫属化合物合金之前驱物，其中此沉积工具在包含低于350℃的温度的状况下而适于化学气相沉积或原子层沉积操作。
已发现前述之硫属化合物金属及合金前驱物当用于CVD及ALD方法中时可提供良好的沉积，其在CVD或ALD制程中使用比目前使用物理气相沉积技术较低之沉积温度。己暸解此一在CVD及ALD程中较低温度沉积性能系归因于硫属化合物金属或金属合金化合物在CVD及ALD沉积制程中进行β脱氢反应，例如有关异丙基及/或第三丁基。二锗烷组合物具Ge-Ge低键结能之优点。Ge(II)化合物比Ge(IV)化合物易于还原。
用于PCM材料沉积之硫属化合物金属或金属合金前驱物可以任何合宜形式提供，包括固态、液态及气体、与多相组合物，其依使用之特定前驱物而定。前驱物可以任何传送技术传送至沉积反应室以在其内进行CVD或ALD，其系依其相特性及所需的流速、温度等而定。可与前驱物一同使用共反应物以实现CVD或ALD操作。
前驱物及共反应物物种可由任何合宜型式之材料保存及分配封装供应，其系依使用之前驱物的相(phase)及材料特性而定，例如保存及分配封装可包括一可由ATMIInc.(美国康乃狄克州当伯里市)之商标名SDS、VAC、SAGE或ProE-Vap商业取得之供应容器。对有关传统高压力材料源，较佳实施之保存及分配封装可含有次大气压力(sub-atmospheric pressure)***，如前述之可由商标名SDS、VAC及SAGE取得的封装，其可提供使用人的改善安全性及成本的特色。
在此***及方法中，至少一前驱物可由具有至少一物理性吸附剂、一气体低压调节器、一热传递结构、或一离子液体之保存及分配容器中传送以进行接触动作。此保存及分配容器有利地适于在次大气压力下含有前驱物。
举例来说，当前驱物呈固体或液体形态，其可挥发以形成一前驱物蒸气，然后流至沉积反应室并与基材(PCM装置系待制造于此基材上)接触。在此例中的基材可合宜的以一加热片或其他加热配置而被加热，因而在前驱物蒸气及基材间的接触可导致一PCM材料(例如呈膜状)沉积于基材上。如在本文中使用，“膜”一词意指厚度小于1毫米的一层PCM材料。
在与CVD或ALD制程结合的传送操作中，其中前驱物为液态，每一前驱物可使用分离的起泡器或其他传送装置。可有利地使用前驱物混合物的液态注入，以管理不同前驱物的不同挥发物并传送具有所欲组合物之前驱物基质的精确体积流量。在前驱物传送中，前驱物可以纯液体形式使用，或使用前驱物/溶剂混合物(其中前驱物溶解或悬浮于一可相容溶剂基质中)。针对此目的之合宜溶剂可由所使用的前驱物之溶解度及相容性数据而判定，或藉由在此技己知的技艺并基于前述揭露而由惯用的溶剂筛选。
依本发明，PCM材料以CVD或ALD技术沉积于基材上。
当使用化学气相沉积以在基材上形成PCM材料层时，可使用一热模式之连续CVD，而CVD操作系于一合宜CVD反应器腔室中进行。前驱物蒸气可以一含有前驱物蒸气之载体气流传送，且一载体气体可依在特定应用所需而为氢、或其他还原性气体、或惰性气体、或一氧化剂。
当使用原子层沉积或脉冲沉积时，一用以导入前驱物蒸气的剂量步骤可选择为注入一共反应物至沉积反应室中。共反应物为可有效的在基材上提供具所需特性的PCM材料层之任何合宜型式。
在一实施例中，可选择的导入之共反应物为一氢电浆，或其他电浆共反应物。
可选择地，可使用其他活化技术，如紫外光(UV)或“调合(tuned)”至前驱物之其他光源，以实现所欲之PCM材料的沉积作用。为此一目的之光可与前驱物之导入为连续，或分别地供应至沉积反应室中以避免气相反应。
在原子层沉积操作中，试剂以脉冲导入至沉积反应室可包括导入一还原性共反应物，且交替着导入金属或金属合金前驱物。此还原性共反应物可例如包括GeH4。
本发明再者为揭露使用一还原性共反应物，其可藉由光照曝光而活化。再者，依本发明而在ALD制程中，用以在基材上形成PCM材料之前驱物可交替地脉冲入沉积反应室。因此，在PCM材料由脉冲导入以接触基材而沉积在基材上的例子中，在某些实施例中利用照光作用以活化PCM材料及/或一共反应物为有利的(例如：脉冲发光源以使PCM材料或共反应物被活化)。可选择地，若PCM材料与共反应物为可经由照光而活化，则其可需要在整个沉积操作中维持光照产生及曝光。如另一变化，在某些例子中可能需要脉冲光照，以使当前驱物未转变时而脉冲启动光源。
用于在基材上形成PCM层之CVD或ALD操作的特定之沉积条件(亦即温度、压力、流速、组合物等)可由熟于此技人士基于本文之揭露而轻易决定，可用于本发明之CVD及ALD***及技术己充分描述于在2006年4月12日申请之美国临时专利申请案第60/791,299号“PRESCURSOR COMPOSTIONS FOR ATOMIC LAYERDEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TITANATEDIELECTRIC FILMS”，该揭露全文并为本案之参考。
在另一特定实施态样，本发明有关以一卤化物前驱物方式而将锗-锑-碲(Ge-Sb-Te，或“GST”)材料低温沉积于基材上。
更详言，本发明在此态样中有关于在一基材上形成锗-锑-碲相变化记忆体材料的方法，其包含将基材舆相变化记忆体锗-锑-碲合金之前驱物于一产生锗-锑-碲合金沉积于基材上的条件下接触，其中此条件包含低于350℃的温度，且此接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积，且前驱物包含至少一卤化物前驱物。
锗、锑及碲卤化物为具挥发性的，且可有效用于沉积GST薄膜。详言之，其碘化物为具挥发性且相关之金属-碘键结为弱的。因此，GeI4、SbI3及TeI2为经由CVD或ALD(例如使用固态前驱物传送技术)以形成GST膜之较佳卤化物源试剂。
可选择地，各别(Ge、Sb、Te)金属之一或二者可由碘化物或其他卤化物前驱物化合物供应，而另一金属可由烷基金属化合物供应。经由特定说明之实施例，前驱物可包括GeI4及TeI2来做为卤化物前驱物，以及SbI3来做为一烷基前驱物，以在基材上形成GST层。在此卤化物/烷基前驱物规划中，烷基系做为一还原剂以除去碘-甲烷(odo-methane)，因而可于低温之下获得干净之GST膜。
前驱物传送及沉积条件可经由简单的经验法则判定法而可轻易地决定，且此条件系对于在一基材上形成GST材料的特定应用为适当的，以确认可用于在基材上形成合宜的GST沉积物之合宜温度、压力、流速，以及浓度。
因此，本发明揭露一用以制造锗-锑-碲相变化记忆体装置的***，而此记忆体装置含有一在基材上之锗-锑-碲相变化记忆体材料。此***包括一适于接受来自前驱物供应封装之前驱物的沉积工具，且前驱物供应封装含有在一产生硫属化合物合金沉积于基材上的条件下形成一锗-锑-碲相变化记忆体硫属化合物合金之锗、锑及碲前驱物，其中此沉积工具在包含低于350℃的温度之条件下适于化学气相沉积或原子层沉积操作，且至少一前驱物供应封装含有卤化物前驱物。
在本发明大致实施的基材为任何合宜型式，且可为掺杂或未掺杂、半导性、半绝缘性、或适于其他PCM产物之装置结构的特性。在特定应用中有用的基材可包括硅、蓝宝石、砷化镓、氮化镓、碳化硅及其等相似者。
现配合图式，第1图为依本发明之一实施例的相变化记忆体装置10之图示代表，其包含形成于一基材12上之一相变化记忆体材料膜14。膜14可含有一锗-锑-碲(GST)膜，且基材12可含有与任何此膜14相容的合宜基材。
第2图为依本发明一实施例之包含一由锗前驱物(在标示为“Ge”之容器102)、锑前驱物(在标示为“Sb”之容器104)及碲前驱物(在标示为“Te”之容器106)之各自前驱物供应封装102、104及106而在一基材上沉积相变化记忆体材料的沉积工具120之制程配置100之图示代表。每一前驱物供应封装包括一贮存及分配容器，其附有一阀头组件，而该组件包括一可人工或自动操作的流速控制阀，以于一所需的流速分配需要的有关前驱物。
如说明，每一前驱物供应容器接合至流速电路以传送分配的前驱物至沉积工具120。因此，锗前驱物供应封装102以线路110接合至工具，锑前驱物供应封装104以线路112接合至工具，及碲前驱物供应封装106以线路114接合至工具。工具可包含一化学气相沉积(CVD)工具、一原子层沉积(ALD)工具、或在制造对应之PCM装置的过程中适于接受各自前驱物并于一基材上形成一PCM合金膜的其他合适工具。
本发明之另一实施态样为有关在GeSbTe半导体之掺杂物，其可以多晶型形成，且因而可适于一比基本半导体大之化学计量及掺杂物范围。介于数个百分比的十分之一至数个百分比量的氮掺杂可对特定应用的材料提供有利的性质。虽然下列讨论主要有关于以氮为掺杂物种，其可暸解本发明并未因此限制且可广泛的使用其他掺杂物种。
掺杂可藉由使用一反应物气体(如氨)、或一可挥发液体、(如胺)来进行，以导入氮至膜中。反应气体可如一共反应物分别引入，或可使用如用于前驱物的载体，在此例子中其亦可做为一前驱物安定剂。若此反应物气体与前驱物在气相反应，其需要与前驱物交替的脉冲，且可选择的在脉冲间具一洗涤步骤。若需要一非均一层以获得一与物理(黏接层)或电子(费米层调整)目的之电极接触之不同掺杂物浓度，此脉冲亦为有利的。
掺杂亦可藉由一前驱物并入氮而实现。可使用制程调整(如在反应器压力、温度、及/或气体流之特定“制程窗(process window)”进行沉积作用)以控制N导入的量，因而可调整掺杂参数。可使用Ge、Sb及Te材料之一或多者的特定前驱物以达此一目的。
在另一方式，使用特定共反应物以与一或多个前驱物引起反应路径，以引导至N并入作用至所需要的量。藉由例示，当与使用H2为共反应物相比较时，使用NH3为一共反应物可进行较低温度沉积并促进N并入GST层。
本发明另一态样为有关具有β-二亚胺基(beta-diketiminate)配位体之碲络合物，其克服许多用于沉积应用中之碲前驱物为非常氧敏性及光敏性与具有一令人不悦气味的问题。藉由β-二亚胺基配位体之碱安定作用，可获得具有高度安定特性舆改良处理性及贮存性特性、减少异味、及充分挥发性的用于沉积应用的碲前驱物。
本发明之碲二亚胺基络合物可用于CVD/ALD，以形成Te或含Te膜。此些化合物可与Ge-及/或Sb-化合物共同使用以产生不同组成之Te-Ge-、Te-Sb-或Ge-Sb-Te膜。合成二亚胺基配位体之通用制程已描述于文献中，但此些制程为不利的，因为需要非常大量之芳基取代基于配位氮原子上。
相反地，我们己发现较小烷基配位体，如异丙基、n-丁基、第三丁基或胺-取代烷基(例如乙烯-二甲基胺)，其可有利地用于产生CVD/ALD应用之优良碲二亚胺基前驱物。在氮施体(donor)原子上之较小取代基提供充分的挥发性以在低温形成良好膜。
配位体L可做为锂盐或为***胺形式，以合成所欲之Te络合物。配位体之锂盐可与TeX4(其中X＝Cl、Br、I)反应，并经由脱盐作用以产生LTeX3，其然后可与锂或一格林纳试剂反应以产生LTeR3(其中R＝烷基、芳基、醯胺、硅基)。
可选择地，配位体L之***胺形式可与一碲有机化合物反应(如TeMe4)，并经由脱甲烷作用以产生所欲之Te物种LteMe3。二亚胺基配位体提供非常有效的反应性金属中心碲的碱安定作用。本发明因此提供一新种类的Te络合物，其提供较高的稳定性及贮存性，同时保留足够的挥发性以藉由CVD/ALD于低温下形成良好Te膜。
本发明之碲络合物可具有结构式(I)及(II)：
Figure A200780023028D00331
其中R1、R2及R3为彼此相同或不同，且每一个系各自选自C1-C6烷基、C6-C10芳基、硅基及C1-C12烷基胺(其包含单烷基胺及二烷基胺二者)：及
Figure A200780023028D00332
其中R1、R2及R3为彼此相同或不同，且每一个系各自选自C1-C6烷基、C6-C10芳基、硅基及C1-C12烷基胺(其包含单烷基胺及二烷基胺二者)。
β-二亚胺基配位体可例如由下列步骤合成：
Figure A200780023028D00341
其中R＝烷基、芳基、硅基、烷基胺
Figure A200780023028D00342
碲络合物然后可由下列反应合成：
其中R、R1、R2、R3、R4＝烷基、芳基、硅基、烷基胺；
或可选择的由下列合成反应：
Figure A200780023028D00351
其中R1、R2及R3＝烷基、芳基、硅基、烷基胺；
或由下列合成反应：
Figure A200780023028D00352
其中R1、R2、R3及R4＝烷基、芳基、硅基、烷基胺；
本发明之碲络合物可用于做为CVD/ALD前驱物以沉积含碲薄膜，例如藉由纯前驱物材料之液体注入、或在有机溶剂中或藉由直接蒸发。
本发明之另一实施态样为有关锗络合物及其在CVD/ALD中之使用以形成含锗膜(例如GST膜)，其中锗络合物为选自：
Figure A200780023028D00361
其中在第二个结构式中之R基团为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、杂原子基团、及其他有机基团。
本发明之另一实施态样为有关用于含锗薄膜CVD/ALD之二锗烷及应变环锗前驱物。习知使用之锗前驱物如已用于形成相变化记忆体装置之GST(锗-锑-碲)膜的锗烷，而其系需要非常高温度之沉积条件。此因而造成其难以形成一纯Ge2Sb2Te5相材料。本发明藉提供在室温状况下具有高蒸气压的前驱物以克服此缺失，该前驱物可用于在300℃以下之温度沉积含锗膜。
锗-锗键结本质为弱(～188kJ/mole)且与拉电子取代基(如氯或NMe2)一起时较不安定。此键结在UV光解作用或热解作用或使用过氧化物、臭氧、氧或电浆之化学氧化作用下，易于分解以形成R3Ge自由基。商业可取得之二锗烷包括氢化物、甲基、苯基或乙基，其需要高温分解且所得到的膜通常受碳残余物污染。
本发明经由提供使用异丙基、异丁基、苯甲基、丙烯基、烷基胺基、腈、或异腈做为配位体之锗络合物已可克服此一缺失，以获得可于低温下沉积纯锗金属膜的络合物。再者，本发明揭露应变环锗络合物(例如锗环丁烷)，其可进行热环开作用(thermal ring opening)以产生双自由基中间产物，其易于分解为锗烯片段。应变Ge-C键之键裂解能(63kcal/mol)被认为低于Ge-CH3(83kcal/mol)，因此可完成比前述习知锗前驱物可获得较低温之锗膜沉积。
本发明锗络合物包含下列式(I)-(III)：
(I)下列结构式之烷基二锗烷
Figure A200780023028D00371
其中每一个R基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自异丙基、异丁基、苯甲基、丙烯基、烷基胺基、腈、及异腈；
(II)下列化学式之烷基(二烷基胺基)锗烷
x(R2R1N)R3-xGe-GeR’3-y(NR1R2)y
其中每一个R基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自异丙基、异丁基、苯甲基、丙烯基、烷基胺基、腈、及异腈；及
(III)下列结构式之应变环锗烷络合物：
Figure A200780023028D00372
其中R1、R2、R3及R4为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、或杂原子基团。
络合物(I)之合成系藉由例如下列合成方法：
Figure A200780023028D00373
或藉由下列合成方法：
Figure A200780023028D00381
或以如下之合成作用：
或一合成步骤如：
Figure A200780023028D00383
化学式(II)之锗络合物可由下列说明之步骤形成：
Figure A200780023028D00384
可用以形成化学式(III)之锗络合物的说明合成方法可包含下列：
Figure A200780023028D00391
应变环烷基锗烷(alkylgermane)可在涉及下列说明之反应中做为CVD/ALD前驱物，以在基材上形成含锗薄膜反应。
用于薄金属膜之CVD/ALD前驱物的应变环烷基锗烷
Figure A200780023028D00401
本发明另一实施态样为有关锗及碲之单一源前驱物，以用于GST膜的形成。此单一碲化锗前驱物源可与用于GST膜形成的锑前驱物组合，可选择地与对特定应用提供适当化学计量的膜所需的共反应物组合。
本发明在一实施态样中的碲化锗络合物包含二烷基锗烷碲砜(dialkylgermanetellurones)。合宜之二烷基锗烷碲砜可由下列锗(II)二烷基与元素碲粉末于一溶剂介质(如四氢呋喃(THF))之氧化加成反应而合成。故在某些例子中，依产物锗-碲络合物的光敏性，可能需要在无光下进行反应。一用于说明的合成方法步骤系说明如下：
Figure A200780023028D00411
可有利的使用本发明单一源Ge-Te前驱物以促进低温沉积方法或在特定应用中增加GST膜生长速率。
在另一实施例中，本发明之碲化锗可藉由下列合成步骤形成：
Figure A200780023028D00421
其他碲化锗络合物可藉由下列合成方法形成：
Figure A200780023028D00422
或藉由下列主要反应：
R3GeM+R′nEX ————→R3Ge-ER′n
R3GeX+R′nEM ————→R3Ge-ER′n
R3GeX+NaTeR′————→R3Ge-TeR′
其中E为碲；M为Li、Na、或K，X为氯、溴或碘：且R及R′基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、杂原子基团及其他有机基团。
本发明一Ge-Te络合物为：
Figure A200780023028D00431
其中每一个R取代基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、杂原子基团及其他有机基团。
因此可见本发明提出多种适用于形成相变化记忆体膜(例如GST膜)之前驱物，且本发明之多种前驱物包含在低于300℃温度之下经由CVD/ALD方法以沉积膜的前驱物，以及可在形成含有锗-及碲-膜上能提供实质优点的Ge-Te前驱物。
虽然本文已配合本发明之特定态样、特征及说明实施例描述，可了解本发明的使用并未因此限制，且能基于本文之揭露延伸及涵盖其他变化、润饰及改变实施例，及如本文对熟于此技人士之建议。因此，本发明之主张为在本发明之精神及范畴内广泛的解释及阐述，如包括所有之变化、润饰及改变。
附图说明
第1图，绘示根据本发明一实施例之包括在一基材上形成相变化记忆体材料之相变化记忆体装置的示意图，
第2图，绘示根据本发明之一实施例之在一基材由各自之锗前驱物、锑前驱物及碲前驱物的前驱物供应封装，以沉积相变化记忆体材料之制程配置，其包含一沉积工具。
图中符号说明
10  相变化记忆体装置
12  基材
14  (相变化记忆体材料)膜
100 制程配置
102、104、106 前驱物供应封装/容器
110、112、114 线路
120 沉积工具

Claims (104)

1.一种在一基材上形成一相变化记忆体材料的方法，该方法包括：
将该基材与一相变化记忆体硫属化合物合金(chalcogenide alloy)之前驱物于一产生该硫属化合物合金之沉积于该基材上的条件下接触，其中该条件包含低于350℃的温度，且该接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积。
2.如权利要求1所述的方法，其更包含制造该相变化记忆体材料至一相变化记忆体装置中。
3.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含化学气相沉积。
4.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含原子层沉积。
5.如权利要求1所述的方法，其中该些前驱物包括选自下列组成的组群中之至少一前驱物：
(i)化学式为RxMhy-x之丁基-及丙基-取代烷基氢化物，其中：R为丁基或丙基，R较佳为第三丁基(t—butyl)或异丙基；M为一具有氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(ii)化学式为RxMXy-x之丁基-及丙基-取代烷基卤化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；X为F、Cl、或Br；M为一具有氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(iii)化学式为Ge2(R1)6之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(iv)化学式为Ge2(R1)4之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(v)环化合物，其包含Ge做为一环构成物；
(vi)化学式为Ge(Cp(R2)5)2之Ge(II)化合物，其中Cp为在环戊二烯碳原子上具有R2取代基之环戊二烯，其中R2取代基彼此相同或不同，且每一个R2系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C1-C8烷基胺基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(vii)化学式为Ge(R3)2之Ge(II)化合物，其中R3取代基彼此相同或不同，且每一个R3系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基；
(viii)化学式为Sb(R4)3之Sb化合物，其中R4为苯基、或取代苯基，且在苯环上的取代基为各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基；
(ix)锗化合物(iii)、(iv)、(v)、(vi)及(vii)之Sb及Te类似物；
(x)锑化合物(viii)之Ge及Te类似物：及
(xi)GeI4、SbI3及TeI2。
6.如权利要求1所述的方法，其中该些前驱物包含选自下列所组成的组群中之二锗烷(digermane)：Ge2H6、Ge2Me6、Ge2Et6、Ge2iPr6、Ge2tBu6、Ge2(SiMe3)6及Ge2Ph6，其中Me＝甲基，Et＝乙基，iPr＝异丙基，Bu＝丁基及Ph＝苯基。
7.如权利要求1所述的方法，其中该前驱物包含化学式为Ge(R3)2之Ge(II)化合物，其中R3取代基彼此相同或不同，且每一个R3系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基。
8.如权利要求7所述的方法，其中每一个R3为-CH(SiMe3)2。
9.如权利要求1所述的方法，其中该些前驱物包含化学式为Sb(R4)3之锑化合物，其中R4为苯基、或取代苯基，且其在苯环上的取代基为各自选自H、C1-C8烷基及C1-C8氟烷基。
10.如权利要求1所述的方法，其中该化合物在沉积过程中系曝于照光活化作用。
11.如权利要求10所述的方法，其中该照光作用包含一可见光。
12.如权利要求10所述的方法，其中该照光作用包含一紫外光照光作用。
13.如权利要求1所述的方法，其中该沉积步骤在一反应室中进行，且该些前驱物系传送进入该反应室中。
14.如权利要求13所述的方法，其中至少一该些前驱物由非蒸气最初态挥发并传送进入该反应室中。
15.如权利要求13所述的方法，其中至少一该些前驱物系以一液态传送方法而传送进入该反应室。
16.如权利要求13所述的方法，其中该基材在该反应室中系置于一加热片(susceptor)之上而加热。
17.如权利要求13所述的方法，其中每一个该些前驱物系由一分离起泡器而传送至该反应室。
18.如权利要求13所述的方法，其中上述之该些前驱物传送至该反应室的步骤包含液态注入至少一该些前驱物。
19.如权利要求13所述的方法，其中至少一该些前驱物系以一纯形式(neat form)传送入该反应室中。
20.如权利要求13所述的方法，其中至少一该些前驱物以一与一载剂介质的混合物而传送入反应室中。
21.如权利要求13所述的方法，其中至少一该些前驱物在一前驱物/溶剂混合物中提供，且该混合物系挥发以传送至该反应室。
22.如权利要求20所述的方法，其中该载剂介质包含一溶剂介质。
23.如权利要求20所述的方法，其中该载剂介质包含一载气介质。
24.如权利要求23所述的方法，其中该载气介质包含一还原气体。
25.如权利要求23所述的方法，其中该载气介质包含一惰性气体。
26.如权利要求23所述的方法，其中该载气介质包含氢。
27.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含原子层沉积，其中该些前驱物系重复地导入至上述之接触步骤中，并交替导入一含有一氢电浆之共反应物。
28.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含原子层沉积，其中该些前驱物系重复地导入至该接触步骤中，并交替导入一电浆共反应物。
29.如权利要求1所述的方法，其中至少一该些前驱物系可以藉由一照光作用而活化。
30.如权利要求29所述的方法，其中该照光作用系选自由可见光及紫外光所组成之群组。
31.如权利要求30所述的方法，其中该照光作用在该基材与该些前驱物接触期间为连续的。
32.如权利要求30所述的方法，其中该照光作用在该接触步骤中系以避免因为该接触步骤而导致之气相(gas-phase)反应的一方式导入。
33.如权利要求1所述的方法，其中该接触步骤包含原子层沉积，且包括导入一含有GeH4之还原性共反应物。
34.如权利要求1所述的方法，其中至少一该些前驱物系由包括至少一物理性吸附剂、一气体低压调节器、一热传递结构、或一离子液体之一保存及分配容器传送，以提供至该接触步骤。
35.如权利要求34所述的方法，其中该保存及分配容器系适于在次大气(sub-stmospheric)压力下容设该些前驱物。
36.一种在一基材上形成一锗-锑-碲相变化记忆体材料的方法，该方法包含：
将该基材与一相变化记忆体锗-锑-碲合金之前驱物于一产生锗-锑-碲合金之沉积于该基材上的条件下接触，其中该条件包含低于350℃的温度，且该接触步骤包含化学气相沉积或原子层沉积，且该些前驱物包含至少一卤化物前驱物。
37.如权利要求36所述的方法，其中该些前驱物之至少二者包括一对应的卤化物前驱物。
38.如权利要求36所述的方法，其中所有的该些前驱物包括对应之卤化物前驱物。
39.如权利要求36所述的方法，其中每一个不为一卤化物前驱物之该些前驱物系为一烷基前驱物。
40.如权利要求36所述的方法，其中每一个该些卤化物前驱物包含一碘化物前驱物。
41.如权利要求36所述的方法，其中该些前驱物包含GeI4、SbI3及TeI2。
42.如权利要求41所述的方法，其中该些前驱物系以一固态前驱物传送技术而传送至该接触步骤。
43.如权利要求36所述的方法，其中该些前驱物包含GeI4、TeI2及Sb(CH3)3。
44.如权利要求39所述的方法，其中该条件系使该烷基前驱物做为一还原剂，以在该接触步骤时除去卤烷基物种。
45.如权利要求1所述的方法，其中该基材包含一材料，该材料系选自由硅、蓝宝石、砷化镓、氮化镓及碳化硅所组成之群组。
46.如权利要求36所述的方法，其中该基材包含一材料，该材料系选自由硅、蓝宝石、砷化镓、氮化镓及碳化硅所组成之群组。
47.如权利要求1所述的方法，其包括脉冲照光曝光。
48.如权利要求47所述的方法，其中该脉冲照光曝光包含照光曝光至少一该些前驱物以活化之。
49.如权利要求47所述的方法，其中该脉冲照光曝光包含照光曝光至少一前驱物的一共反应物。
50.如权利要求47所述的方法，其中该脉冲照光曝光在连续的该接触步骤之间进行。
51.如权利要求1所述的方法，其更包括将该基材与至少一该些前驱物之一共反应物接触，且包含在该接触步骤期间照光曝光至少一该些前驱物及该共反应物。
52.如权利要求1所述的方法，其更包括当该些前驱物未与该基材接触时，照光曝光在该基材上之沉积材料。
53.一种用以制造一相变化记忆体装置的***，该相变化记忆体装置包括在一基材上之一相变化记忆体材料，该***包括：
一适于接受来自前驱物供应封装之前驱物的沉积工具，且该些前驱物供应封装含有在一产生一硫属化合物合金沉积于该基材上的条件下形成一相变化记忆体硫属化合物合金之前驱物，其中该沉积工具在包含低于350℃的温度之条件下适于化学气相沉积或原子层沉积操作。
54.如权利要求53所述的***，其中该沉积工具为适用于化学气相沉积。
55.如权利要求53所述的***，其中该沉积工具为适用于原子层沉积。
56.如权利要求53所述的***，其中该些前驱物包含至少一由下列群组中选出之前驱物：
(i)化学式为RxMhy-x之丁基-及丙基-取代烷基氢化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；M为一具有一氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(ii)化学式为RxMXy-x之丁基-及丙基-取代烷基卤化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；X为F、Cl、或Br；M为一具有一氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(iii)化学式为Ge2(R1)6之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(iv)化学式为Ge2(R1)4之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(v)环化合物，其包含Ge做为一环构成物；
(vi)化学式为Ge(Cp(R2)5)2之Ge(II)化合物，其中Cp为在环戊二烯碳原子上具有R2取代基之环戊二烯，其中R2取代基彼此相同或不同，且每一个R2系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C1-C8烷基胺基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(vii)化学式为Ge(R3)2之Ge(II)化合物，其中R3取代基彼此相同或不同，且每一个R3系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基；
(viii)化学式为Sb(R4)3之Sb化合物，其中R4为苯基、或取代苯基，且其在苯环上的取代基为各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基；
(ix)锗化合物(iii)、(iv)、(v)、(vi)及(vii)之Sb及Te类似物；
(x)锑化合物(viii)之Ge及Te类似物：及
(xi)GeI4、SbI3及TeI2。
57.一种用以制造一锗-锑-碲相变化记忆体装置的***，该锗-锑-碲相变化记忆体装置含有一在一基材上之锗-锑-碲相变化记忆体材料，该***包括：
一适于接受来自前驱物供应封装之前驱物的沉积工具，且该些前驱物供应封装包括在一产生一硫属化合物合金之沉积于该基材上的条件下形成一锗-锑-碲相变化记忆体硫属化合物合金之锗、锑及碲前驱物，其中该沉积工具在包含低于350℃的温度之条件下适于化学气相沉积或原子层沉积操作，且至少一该些前驱物供应封装含有一卤化物前驱物。
58.如权利要求57所述的***，其中该些前驱物之至少二者含有一对应卤化物前驱物。
59.如权利要求57所述的***，其中所有的该些前驱物含有对应之卤化物前驱物。
60.如权利要求57所述的***，其中每一个不为一卤化物前驱物的该些前驱物为一烷基前驱物。
61.如权利要求57所述的***，其中每一个该些卤化物前驱物包含一碘化物前驱物。
62.如权利要求57所述的***，其中该些前驱物包含GeI4、SbI3及TeI2。
63.如权利要求57所述的***，其中该些前驱物包含GeI4、TeI2及Sb(CH3)3。
64.如权利要求57所述的***，包括一适于脉冲照光曝光一沉积于该基材上之材料的照射光源。
65.如权利要求57所述的***，其中该照射光源系适于照光曝光至少一该些前驱物以活化之。
66.如权利要求57所述的***，其中该照射光源系适于照光曝光至少一该些前驱物的一共反应物。
67.如权利要求57所述的***，其中该照射光源系适于在该些前驱物舆该基材连续接触步骤之间进行脉冲照光曝光。
68.如权利要求57所述的***，其中该照射光源系适于使该基材与至少一该些前驱物的一共反应物接触，且包含照光曝光至少一该些前驱物及该共反应物。
69.如权利要求57所述的***，其中当该些前驱物未与该基材接触时，该照射光源系适于在该基材上之沉积材料的照光曝光。
70.一种相变化记忆体材料，其包含在低于350℃之温度下形成的一相变化记忆体硫属化合物合金。
71.如权利要求70所述的相变化记忆体材料，其系由化学气相沉积形成。
72.如权利要求70所述的相变化记忆体材料，其系由原子层沉积形成。
73.一种用以形成一相变化记忆体硫属化合物合金之封装组合物，其包含一适于耦接至一沉积工具之一前驱物供应封装，该前驱物供应封装含有至少一选自下列群组中的前驱物：
(i)化学式为RxMhy-x之丁基-及丙基-取代烷基氢化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；M为一具有一氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(ii)化学式为RxMXy-x之丁基-及丙基-取代烷基卤化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；X为F、Cl、或Br；M为一具有一氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(iii)化学式为Ge2(R1)6之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(iv)化学式为Ge2(R1)4之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(v)环化合物，其包含Ge做为一环构成物；
(vi)化学式为Ge(Cp(R2)5)2之Ge(II)化合物，其中Cp为在环戊二烯碳原子上具有R2取代基之环戊二烯，其中R2取代基彼此相同或不同，且每一个R2系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C1-C8烷基胺基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(vii)化学式为Ge(R3)2之Ge(II)化合物，其中R3取代基彼此相同或不同，且每一个R3系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基；
(viii)化学式为Sb(R4)3之Sb化合物，其中R4为苯基、或取代苯基，且其在苯环上的取代基为各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基；
(ix)锗化合物(iii)、(iv)、(v)、(vi)及(vii)之Sb及Te类似物；
(x)锑化合物(viii)之Ge及Te类似物：及
(xi)GeI4、SbI3及TeI2。
74.一种用以形成一PCM(phase change memory；相变化记忆体)材料之组合物，该组合物包含至少二选自下列组成之群组中的前驱物：
(i)化学式为RxMhy-x之丁基-及丙基-取代烷基氢化物，其中：R为丁基或丙基，R较佳为第三丁基或异丙基；M为一具有一氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(ii)化学式为RxMXy-x之丁基-及丙基-取代烷基卤化物，其中：R为丁基或丙基，且R较佳为第三丁基或异丙基；X为F、Cl、或Br；M为一具有一氧化态y之金属；x>1；且(y-x)之值可为零；
(iii)化学式为Ge2(R1)6之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(iv)化学式为Ge2(R1)4之二锗烷，其中R1取代基为彼此相同或不同，且每一个R1系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(v)环化合物，其包含Ge做为一环构成物；
(vi)化学式为Ge(Cp(R2)5)2之Ge(II)化合物，其中Cp为在环戊二烯碳原子上具有R2取代基之环戊二烯，其中R2取代基彼此相同或不同，且每一个R2系各自选自H、C1-C8烷基、C1-C8氟烷基、C1-C8烷基胺基、C6-C12芳基、C6-C12氟芳基、C3-C8环烷基、及C3-C8环氟烷基；
(vii)化学式为Ge(R3)2之Ge(II)化合物，其中R3取代基彼此相同或不同，且每一个R3系各自选自硅基、硅基烷基及取代硅基烷基；
(viii)化学式为Sb(R4)3之Sb化合物，其中R4为苯基、或取代苯基，且其在苯环上的取代基为各自选自H、C1-C8烷基及C1-C8氟烷基；
(ix)锗化合物(iii)、(iv)、(v)、(vi)及(vii)之Sb及Te类似物；
(x)锑化合物(viii)之Ge及Te类似物：及
(xi)GeI4、SbI3及TeI2。
75.一种形成一GeSbTe半导体的方法，其包含沉积一GeSbTe半导体材料之膜，并以氮掺杂。
76.如权利要求75所述的方法，其中该掺杂步骤包含使用一反应物气体。
77.如权利要求76所述的方法，其中该反应物气体包含氨。
78.如权利要求75所述的方法，其中该掺杂步骤包含使用一可挥发液体。
79.如权利要求78所述的方法，其中该可挥发液体包含一胺液体。
80.如权利要求76所述的方法，其中该反应物气体在该膜之形成期间以前驱物之一共反应物导入。
81.如权利要求76所述的方法，其中该反应物气体在该膜之形成期间以前驱物之一载气导入。
82.如权利要求75所述的方法，其中该掺杂步骤包含氮掺杂物之脉冲，并可选择地在多个脉冲之间进行涤气(purge)。
83.如权利要求75所述的方法，其中在形成该膜之过程中，该掺杂步骤包含由一含氮前驱物并入氮。
84.如权利要求75所述的方法，其中该掺杂步骤包含使用氨。
85.一种碲络合物，其包含具有β-二亚胺基配位体(beta-diketiminate ligand)与其配位之碲。
86.一种形成一含碲膜的方法，其包含使用如权利要求85所述的该碲络合物。
87.如权利要求86所述的方法，其包含使用该碲络合物为一前驱物之CVD或ALD。
88.如权利要求86所述的方法，其中该含碲膜包含锗及锑之至少一者。
89.一种合成碲二亚胺基前驱物之方法，其包含使用一配位体L之一锂盐或***胺与TeX4反应，其中X＝Cl、Br或I，并经由脱盐作用以产生LTeX3，然后与锂或一格林纳试剂(Grignard reagent)反应以产生LTeR3，其中R＝烷基、芳基、酰胺或硅基。
90.如权利要求89所述的方法，其中该配位体系选自由异丙基、n-丁基、第三丁基或胺-取代烷基所组成之群组。
91.如权利要求89所述的方法，其中该配位体为乙烯-二甲基胺。
92.一种碲络合物，其系选自具有结构式(I)及(II)之络合物：
其中R1、R2及R3为彼此相同或不同，且每一个系各自选自C1-C6烷基、C6-C10芳基、硅基及C1-C12烷基胺：及
Figure A200780023028C00152
其中R1、R2及R3为彼此相同或不同，且每一个系各自选自C1-C6烷基、C6-C10芳基、硅基及C1-C12烷基胺。
93.一种制备一碲络合物的方法，其包含依下列步骤合成β-二亚胺基配位体：
Figure A200780023028C00161
其中R＝烷基、芳基、硅基、烷基胺
Figure A200780023028C00162
及可由下列反应合成该碲络合物：
Figure A200780023028C00163
其中R、R1、R2、R3、R4＝烷基、芳基、硅基、烷基胺；
或可选择的藉由下列合成反应：
Figure A200780023028C00171
其中R1、R2及R3＝烷基、芳基、硅基、烷基胺或由下列合成反应：
Figure A200780023028C00172
其中R、R1、R2及R3＝烷基、芳基、硅基、烷基胺。
94.一种锗络合物，其系选自：
Figure A200780023028C00173
其中在第二个结构式中的R基团为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、杂原子基团、及其他有机基团。
95.一种于一基材上形成一含锗膜的方法，其包含于一化学气相沉积或原子层沉积制程中使用二锗烷或一应变环锗前驱物，其中该沉积制程在低于300℃之温度下进行。
96.一种于一基材上形成一含锗膜的方法，其包含于一化学气相沉积或原子层沉积制程中使用一锗络合物，且该沉积制程在低于300℃之温度下进行，该锗络合物包含选自下列群组中的配位体：异丙基、异丁基、苯甲基、丙烯基、烷基胺基、腈及异腈。
97.一种锗络合物，其系选自化学式(I)-(III)之络合物：
(I)下方结构式之烷基二锗烷：
Figure A200780023028C00181
其中每一个R基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自异丙基、异丁基、苯甲基、丙烯基、烷基胺基、腈、及异腈；
(II)下方化学式之烷基(二烷基胺基)锗烷：
x(R2R1N)R3-xGe-GeR’3-y(NR1R2)y
其中每一个R基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自异丙基、异丁基、苯甲基、丙烯基、烷基胺基、腈、及异腈：及
(III)下方结构式之应变环锗烷络合物
Figure A200780023028C00182
其中各个R1、R2、R3及R4为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、或杂原子基团。
98.一种单一源锗-碲前驱物，其包含二烷基锗烷碲砜(dialkylgermanetellurone)。
99.一种制备二烷基锗烷碲砜(dialkylgermanetellurone)之方法，其包含进行锗(II)二烷基与元素碲粉末之一氧化加成反应。
100.如权利要求99所述的方法，其中该氧化加成反应在一含有四氢呋喃之溶剂介质中进行。
101.一种形成一GST(锗-锑-碲；Ge-Sb-Te)膜的方法，其包含使用一碲化锗(germanium telluride)前驱物进行化学气相沉积或原子层沉积。
102.如权利要求101所述的方法，其中该碲化锗前驱物包含：
Figure A200780023028C00191
其中每一个R取代基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、杂原子基团及其他有机基团。
103.如权利要求101所述的方法，其中该化学气相沉积或原子层沉积制程系于低于300℃温度下进行。
104.一种碲化锗络合物，其具有下列结构式：
Figure A200780023028C00201
其中每一个R取代基为彼此相同或不同，且每一个系各自选自H、C1-C6烷基、C6-C10芳基、及C3-C8环烷基、杂原子基团及其他有机基团。
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