JP2002022767A - プローブコンタクトシステムの平面調整機構 - Google Patents

プローブコンタクトシステムの平面調整機構

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクタの先端とコンタクトターゲットと
の距離を単純で低コストの機構により調整するプローブ
コンタクトシステムを提供する。 【解決手段】 平面調整機構は、多数のコンタクタを有
するコンタクト基板と、コンタクタと半導体テストシス
テムのテストヘッド間に電気的接続を形成するためのプ
ローブカードと、コンタクト基板とプローブカード間に
設けられた導電エラストマと、コンタクト基板とプロー
ブカードをコンタクト基板上の３点の位置において接続
し、コンタクト基板とプローブカード間の距離を調整で
きるように回転する接続部材と、コンタクト基板の各点
位置に近接して設けられ、コンタクト基板とターゲット
基板間のギャップを計測するギャップセンサーと、各３
点位置においてコンタクト基板とターゲット基板間のギ
ャップが同一となるように接続部材を回転する回転調整
デバイスとにより構成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、被試験デバイス
との電気的接続を確立するための多数のコンタクタを有
する半導体テストシステムに関する。特に本発明は、コ
ンタクタの先端と被試験半導体ウェハのコンタクトパッ
ドのようなコンタクトターゲットとの距離を調整する平
面調整機構を有するプローブコンタクトシステムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩやＶＬＳＩ回路のような高集積度
かつ高スピードの電子デバイスをテストする場合には、
プローブカード上に装備された高性能のコンタクトスト
ラクチャを使用しなければならない。コンタクトストラ
クチャは、基本的に、多数のコンタクタまたはプローブ
素子を有するコンタクト基板により構成されている。コ
ンタクト基板は、プローブカード上に搭載され、ＬＳＩ
やＶＬＳＩチップ、半導体ウェハ、半導体ウェハやダイ
のバーンイン、パッケージされた半導体デバイスのテス
トやバーンイン、プリント回路基板等をテストするため
に用いられる。
【０００３】被試験デバイスが半導体ウェハの形態をし
ている場合には、ＩＣテスタのような半導体テストシス
テムを、自動ウェハプローバ等の基板ハンドラに接続し
て、その半導体ウェハのテストを自動的に実行する。こ
のような例を第１図に示しており、半導体テストシステ
ムは、一般に別のハウジングとして形成されたテストヘ
ッド１００を有し、そのテストヘッド１００とテストシ
ステムは、ケーブル束１１０により電気的に接続してい
る。テストヘッド１００と基板ハンドラ４００は、モー
ター５１０により作動するマニピュレータ５００により
互いに機械的及び電気的に接続される。被試験半導体ウ
ェハは、基板ハンドラ４００によりテストヘッド１００
のテスト位置に自動的に供給される。
【０００４】テストヘッド１００上では、半導体テスト
システムにより生成されたテスト信号が、被試験半導体
ウェハに供給される。被試験半導体ウェハ（半導体ウェ
ハ上に形成されたＩＣ回路）からテストの結果として出
力される信号は、半導体テストシステムに送信される。
半導体テストシステムは、その出力信号と期待値データ
を比較し、半導体ウェハ上のＩＣ回路が正しく機能して
いるかを決定する。
【０００５】第１図において、テストヘッド１００と基
板ハンドラ４００は、インタフェース部１４０を介して
互いに接続されている。インタフェース部１４０は、テ
ストヘッドの電気的配線形状に固有の電気回路接続を有
するプリント回路基板であるパフォーマンスボード１２
０（第２図）と、同軸ケーブル、ポゴピン、コネクタと
で構成している。第２図において、テストヘッド１００
は多数のプリント回路基板を有し、それら回路基板は半
導体テストシステムのテストチャンネル（テストピン）
の数に対応している。プリント回路基板のそれぞれは、
パフォーマンスボード１２０に備えられた対応するコン
タクトターミナル１２１と接続するためのコネクタ１６
０を有している。パフォーマンスボード１２０上には、
さらにフロッグリング１３０が、基板ハンドラ４００に
対するコンタクト位置を正確に決定するために搭載され
ている。フロッグリング１３０は、例えばＺＩＦコネク
タまたはポゴピンのような、多数のコンタクトピン１４
１を有しており、同軸ケーブル１２４を介して、パフォ
ーマンスボード１２０のコンタクトターミナル１２１に
接続している。
【０００６】第２図に示すように、テストヘッド１００
は基板ハンドラ４００上に配置しており、インタフェー
ス部１４０を介して機械的および電気的に基板ハンドラ
４００に接続している。基板ハンドラ４００には、チャ
ック１８０上に被試験半導体ウェハ３００が搭載されて
いる。この例では、プローブカード１７０が被試験半導
体ウェハ３００の上部に備えられている。プローブカー
ド１７０は、被試験半導体ウェハ３００上のＩＣ回路の
回路端子またはコンタクトパッドのようなコンタクトタ
ーゲットと接触するために、多数のプローブコンタクタ
（カンチレバーまたはニードル）１９０を有している。
【０００７】プローブカード１７０の電気ターミナルあ
るいはコンタクトリセプタクル（コンタクトパッド）
は、フロッグリング１３０に備えられたコンタクトピン
１４１と電気的に接続している。コンタクトピン１４１
は、同軸ケーブル１２４を経由して、パフォーマンスボ
ード１２０上のコンタクトターミナル１２１に接続して
いる。それぞれのコンタクトターミナル１２１は、テス
トヘッド１００内の対応するプリント回路基板１５０に
接続している。また、プリント回路基板１５０は、数百
の内部ケーブルを有するケーブル束１１０を介して、半
導体テストシステム本体と接続している。
【０００８】この構成の下で、チャック１８０上の半導
体ウェハ３００の表面（コンタクトターゲット）に、プ
ローブコンタクタ１９０が接触し、半導体テストシステ
ムから半導体ウェハ３００にテスト信号を与え、かつ半
導体ウェハ３００からの結果出力信号を半導体テストシ
ステムが受け取る。被試験半導体ウェハ３００からの結
果出力信号は、半導体ウェハ３００上の回路が正しく機
能しているかを検証するために、半導体テストシステム
において、期待値と比較される。
【０００９】このような半導体ウェハのテストにおいて
は、例えば数百または数千のような多数のコンタクタを
使用しなければならない。そのような構成において、全
てのコンタクタが、コンタクトターゲットに対して同一
の圧力で同時に接触するために、各コンタクタの先端の
平面高さを均一にする（平坦化）必要がある。コンタク
タの先端が平坦化できない場合には、一部のコンタクタ
のみが対応するコンタクトターゲットと電気的接続を形
成し、他のコンタクタは電気接続を形成しない状態が生
じることになり、半導体ウェハのテストを正確に実施す
ることが不可能になる。この場合、全てのコンタクタを
コンタクトターゲットに接続するには、半導体ウェハを
プローブカードにより強く押し当てなければならなくな
る。その結果、コンタクタにより、過度の圧力を受けた
半導体ウェハ上のダイが、物理的な損傷を被るような問
題が生じてしまう。
【００１０】米国特許番号５８６１７５９は、プローブ
カードの先端平面化システムを開示している。このシス
テムは、プローブカードの複数の接触点により定義され
た第１面を、プローバー上に支持された半導体ウェハの
上面により定義された第２面に対して平坦化する。この
平坦化プロセスを簡単に説明する。半導体ウェハの上面
を基準として、プローブカード上の接触点として選択し
た少なくとも３点について、その高さをカメラで計測す
る。そして、測定された値に基づいて、第２面を基準と
する第１面の位置を計算する。
【００１１】この計算結果情報と、プローバーとテスタ
の幾何学的位置情報を用いて、２点の高さ変更点につい
て、その高さ変数を決定して、第２面に対する第１面を
平坦化する。この従来技術は、接触点の高さを平坦化す
るために、その高さを目視するためにカメラを必要とす
るため、コストが増加し、またシステム全体としての信
頼性を低下させる問題がある。
【００１２】米国特許番号５９７４６６２は、プローブ
カードアセンブリのプローブ素子の先端を平坦化する方
法を開示している。プローブ素子は、スペーストランス
フォーマ（コンタクト基板）に直接に取り付けられてい
る。スペーストランスフォーマの方向、したがってプロ
ーブ素子の方向は、プローブカードの方向を変更せず
に、調整することができるように構成されている。この
方法では、電気導電金属板（仮想ウェハ）が、目的とす
る半導体ウェハの代わりに基準面として用いられる。さ
らにケーブルとコンピュータが設けられ、コンピュータ
の画面上において、プローブの先端のそれぞれが導電金
属板と電気通路を形成したか否かを、例えば白黒のドッ
トにより表示する。
【００１３】この画面におけるビジュアルイメージに基
づいて、プローブの先端の平面高さを、プローブの先端
全てが金属板と同時に接触するように、差動（ディファ
レンシャル）ネジを回転させて調整する。しかし、この
従来技術は、プローブ素子全ての導電通路を確立させる
ために導電金属板を用いるので、金属板を装着してそれ
を目的とする半導体ウェハに置き換えるための余分な時
間を必要とする。更に、この方法は、プローブ素子の導
電金属板との接触、非接触の状態を表示するために、コ
ンピュータと表示器を必要とするため、全体としての費
用が必然的に増加する。
【００１４】このような状況において、半導体ウェハの
表面に対して、コンタクタの先端部の平坦面を、より簡
単に低コストで調整できるプローブコンタクトシステム
が必要とされている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、全コンタクタの先端高さ平面と被試験半導体ウェハ
の表面間の距離を調整することができる平面調整機構を
有するプローブコンタクトシステムを提供することにあ
る。
【００１６】また、本発明の他の目的は、多数のコンタ
クタを有するコンタクト基板により構成されたコンタク
トストラクチャを搭載したプローブカードとコンタクタ
の先端高さ平面調整機構を備えたプローブコンタクトシ
ステムを提供することにある。
【００１７】また、本発明の更に他の目的は、コンタク
ト基板上に設けられたコンタクタの全てが、半導体ウェ
ハの表面に同時に接触するように、コンタクト基板と被
試験半導体ウェハ間の距離を調整する平面調整機構を備
えたプローブコンタクトシステムを提供することにあ
る。
【００１８】また、本発明の更に他の目的は、コンタク
タが半導体ウェハに接触する際に、各コンタクタが半導
体ウェハの表面に対し同一の圧力を発揮するように、コ
ンタクト基板と被試験半導体ウェハ間の距離を調整する
平面調整機構を備えたプローブコンタクトシステムを提
供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明では、コンタクト
ターゲットと電気的接続を形成するためのプローブコン
タクトシステムに装備された平面調整機構は、多数のコ
ンタクタを有するコンタクト基板と、そのコンタクタと
半導体テストシステムのテストヘッド間に電気的接続を
形成するためのプローブカードと、そのコンタクト基板
とプローブカード間に設けられた導電エラストマと、コ
ンタクト基板とプローブカードをコンタクト基板上の３
点の位置において接続する部材であって、それぞれがコ
ンタクト基板とプローブカード間の距離を調整可能に回
転する接続部材と、そのコンタクト基板の各３点位置に
近接して設けられ、コンタクト基板と半導体ウェハまた
は基準プレート（ターゲットとする基板）間のギャップ
を計測するギャップセンサーと、各３点位置においてコ
ンタクト基板と半導体ウェハ間のギャップが互いに同一
となるように接続部材を回転する回転調整デバイスとに
より構成している。
【００２０】また、本発明の他の態様において、コンタ
クト基板とプローブカードを接続する接続部材は、ボル
トとナットにより構成されており、ナットはプローブカ
ードの表面に回転可能に支持され、回転調整デバイスは
そのナットと係合するための底部開口を有し、それぞれ
３点の位置において、コンタクト基板とターゲット基板
間のギャップが互いに同一になるように、その底部開口
とナットを係合して回転する。
【００２１】また、本発明の更に他の態様においては、
平面調整装置は、コンタクト基板とターゲット基板間の
距離を調整する自動システムである。平面調整装置は、
コントローラからのコントロール信号に基づいてナット
を回転させるためのモーターを有している。コントロー
ラは、測定されたギャップを計算してコントロール信号
を形成する。
【００２２】本発明によれば、プローブコンタクトシス
テムは、コンタクタの先端と被試験半導体ウェハまたは
基準プレートの表面間の距離を調整することができる。
平面調整機構を用いて、コンタクト基板と半導体ウェハ
間の距離を調整することにより、コンタクト基板に搭載
したコンタクタの全てが、半導体ウェハの表面に同一の
圧力で同時に接触することができる。本発明のプローブ
コンタクトシステムに用いる平面調整機構は、細かなス
テップでプローブカード上のナットを回転させる回転調
整デバイスを有しており、これによりコンタクト基板と
半導体ウェハ間の距離を容易に且つ正確に調整すること
ができる。本発明の平面調整機構は、プローブカードに
ナットを駆動するモーターと、ギャップセンサーで測定
されたギャップ値に基づいて、モーターにコントロール
信号を送出するコントローラを用いることにより、自動
システムとして構成することも可能である。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、下記の実
施例において説明する。
【００２４】
【実施例】本発明のプローブコンタクトシステムに用い
るコンタクトストラクチャの例について、第３図と第４
図を参照して説明する。他の多くの異なるタイプのコン
タクトストラクチャも、本発明のプローブコンタクトシ
ステムに実現可能である。第３図のコンタクトストラク
チャ１０は、半導体製造工程を介して生成されたビーム
形状の（シリコンフィンガ）コンタクタ３０を有してい
る。コンタクトストラクチャ１０は、基本的に、コンタ
クト基板２０とシリコンフィンガコンタクタ３０から構
成されている。コンタクトストラクチャ１０は、被試験
半導体ウェハ３００上のコンタクトパッドのようなコン
タクトターゲット３２０上に位置合わせされており、コ
ンタクタ３０と半導体ウェハ３００が押し当てられたと
きに、その間で電気的接続が確立される。第３図には、
２つのコンタクタ３０しか示していないが、半導体ウェ
ハのテスト等の実際の応用では、数百または数千のよう
な多数のコンタクタ３０を、コンタクト基板２０に配列
して用いられる。
【００２５】このような多数のコンタクタは、シリコン
基板上において、フォトリソグラフィ（写真製版）工程
のような半導体製造工程により同時に作成され、例えば
セラミックにより構成するコンタクト基板２０に搭載さ
れる。半導体ウェハ上のコンタクトターゲット３２０間
のピッチは、５０マイクロメータまたはそれ以下の微小
サイズであり、コンタクト基板２０に搭載されるコンタ
クタ３０は、半導体ウェハ３００と同様の半導体製造工
程により形成されるので、容易に同等のピッチで配列す
ることができる。
【００２６】シリコンフィンガコンタクタ３０を、第３
図および第４図に示すようにコンタクト基板２０上に直
接的に搭載してコンタクトストラクチャを形成し、その
コンタクトストラクチャを第２図のプローブカード１７
０に搭載している。シリコンフィンガコンタクタ３０
は、非常に小さなサイズで作成することができるので、
コンタクトストラクチャ、したがって本発明のコンタク
タを搭載したプローブカードの動作可能な周波数範囲を
容易に２ＧＨｚあるいはそれ以上に増加させることがで
きる。また、微小サイズであるため、プローブカードの
コンタクタの数は２０００またはそれ以上に増加させる
ことができ、これによって例えば３２個またはそれ以上
のメモリデバイスのテストを、同時に並行に実施するこ
とができる。
【００２７】第３図では、各コンタクタ３０は、フィン
ガ（ビーム）形状の導電層３５を有する。また、コンタ
クタ３０は、さらにコンタクト基板２０に固定するベー
ス４０を有する。コンタクト基板２０の底部において、
導電層３５と相互接続トレース２４が接続されている。
このような相互接続トレース２４と導電層３５間は、例
えばハンダボール２８を介して接続される。コンタクト
基板２０は更に、バイアホール２３と電極２２を有して
いる。電極２２は、ワイヤまたは導電エラストマを介し
て、コンタクト基板２０をポゴピンブロックあるいはＩ
Ｃパッケージ等の外部のストラクチャに相互接続させ
る。
【００２８】従って、半導体ウェハ３００が上方に移動
すると、シリコンフィンガコンタクタ３０と半導体ウェ
ハ３００上のコンタクトターゲット３２０は、互いに機
械的及び電気的に接続する。その結果、コンタクトター
ゲット３２０からコンタクト基板２０上の電極２２にわ
たり信号通路が形成される。相互接続トレース２４、バ
イアホール２３、電極２２は、ポゴピンブロックまたは
ＩＣパッケージ等の外部のストラクチャのピッチに適合
するように、コンタクタ３０の微小ピッチをファンアウ
ト（拡大）する機能も同時に果たしている。
【００２９】ビーム形状のシリコンフィンガコンタクタ
３０は、ばね力を有するので、半導体ウェハ３００がコ
ンタクト基板２０に押し付けられたとき、導電層３５の
先端に十分な接触力が発揮される。導電層３５の先端
は、コンタクトターゲット３２０に押し当てられたと
き、そのターゲット上の酸化金属層を貫通するような、
削り取り作用（スクラビング）を達成できるように、鋭
利にすることが望ましい。
【００３０】例えば、半導体ウェハ３００上のコンタク
トターゲット３２０の表面に酸化アルミニウム層を有す
る場合は、低接触抵抗で電気的接続を実現するために削
り取り作用が必要となる。ビーム形状のコンタクタ３０
により生じたばね力により、コンタクトターゲット３２
０に対し適切な接触力をもたらす。また、シリコンフィ
ンガコンタクタ３０のばね力により発揮された弾性によ
り、コンタクト基板２０、コンタクトターゲット３２
０、半導体ウェハ３００、及びコンタクタ３０のそれぞ
れにおけるサイズまたは平面のばらつきを補償すること
ができる。しかし、コンタクタ全てをコンタクトターゲ
ットに対し、ほぼ同一の圧力で同時に接続させるために
は、本発明による平面調整機構を用いる必要がある。
【００３１】導電層３５の材質の例は、ニッケル、アル
ミニウム、銅、ニッケルパラジウム、ロジウム、ニッケ
ル金、イリジウム、または他のデポジションが可能な材
料等である。半導体テストの応用の場合におけるシリコ
ンフィンガコンタクタ３０のサイズの例は、１００−５
００マイクロメータの全体的高さ、１００−６００マイ
クロメータの水平方向長さ、そして５０マイクロメータ
またはそれ以上のピッチを有するコンタクトターゲット
３２０に対し、３０−５０マイクロメータのビーム幅で
ある。
【００３２】第４図は、複数のシリコンフィンガコンタ
クタ３０を有する第３図のコンタクト基板２０の底面図
を示している。実際のシステムでは、数百の多数のコン
タクタが、第４図に示すように配列される。相互接続ト
レース２４は、第４図に示すように、コンタクタ３０の
ピッチをバイアホール２３と電極２２のピッチに拡張さ
せる。コンタクタ３０のベース４０とコンタクト基板２
０の接触点（コンタクタ３０の内側）には、接着剤３３
が供給されている。接着剤３３は更に、コンタクタ３０
の横側（第４図の一連のコンタクタ３０の上部と下部）
にも供給されている。接着剤３３の例は、エポキシ、ポ
リイミド、シリコン等の熱硬化性樹脂接着剤、アクリ
ル、ナイロン、フェノキシ等の熱可塑性樹脂接着剤、及
び紫外線硬化性接着剤等である。
【００３３】第５図は、第３図および第４図のコンタク
トストラクチャを用いて、プローブコンタクトシステム
を形成する際のトータルスタックアップ（全体組立）構
成を示す断面図である。プローブコンタクトシステム
は、被試験デバイスと第２図のテストヘッド間のインタ
フェースとして用いられる。この例では、インタフェー
ス部は、導電エラストマ５０と、プローブカード６０
と、ポゴピンブロック（フロッグリング）１３０とが、
第５図に示すような順で、コンタクトストラクチャ１０
上に装備されている。
【００３４】導電エラストマ５０、プローブカード６
０、ポゴピンブロック１３０は、互いに機械的及び電気
的に接続されている。従って、同軸ケーブル１２４とパ
フォーマンスボード１２０を介して、コンタクタ３０の
先端からテストヘッド１００までの間に電気的通路が作
成される（第２図参照）。このような構成において、半
導体ウェハ３００とプローブコンタクトシステムが押し
付けられると、被試験デバイス（半導体ウェハ３００上
のコンタクトターゲット３２０）と半導体テストシステ
ム間に電気的コミュニケーションが確立する。
【００３５】ポゴピンブロック（フロッグリング）１３
０は、第２図において、多数のポゴピンを有して、プロ
ーブカード６０とパフォーマンスボード１２０間をイン
タフェースするものと同一である。ポゴピンの上端に
は、同軸ケーブル等のケーブル１２４が接続され、パフ
ォーマンスボード１２０を介して、第２図のテストヘッ
ド１００のプリント回路基板（ピンエレクトロニクスカ
ード）１５０に信号を伝送する。プローブカード６０
は、多数の電極すなわちコンタクトパッド６２、６５
を、その上面と底面に有している。電極６２、６５は、
相互接続トレース６３を介して接続されており、ポゴピ
ンブロック１３０のポゴピンのピッチに合うように、コ
ンタクトストラクチャのピッチをファンアウト（拡大）
している。
【００３６】導電エラストマ５０は、コンタクトストラ
クチャ１０とプローブカード６０間に備えられている。
導電エラストマ５０は、コンタクトストラクチャの電極
２２とプローブカードの電極６２間の垂直方向の不均一
性やばらつきを補償することにより、その間の電気的コ
ミュニケーションを確保する。例として、導電エラスト
マ５０は、シリコンゴムシートと多数の縦配列の金属フ
ィラメント等から構成されている。金属フィラメント
（ワイヤ）は、第５図の垂直方向、例えば導電エラスト
マ５０の水平シートに直交して設けられている。金属フ
ィラメント間のピッチは例えば０．０２ｍｍ、シリコン
ゴムシートの厚さは例えば０．２ｍｍ等である。このよ
うな導電エラストマは、例えば信越ポリマー社により製
造されており、市場で入手できる。
【００３７】第６図は、本発明の平面調整機構を有する
プローブコンタクトシステムの構成を示す断面図であ
る。複数のコンタクタ３０を搭載したコンタクト基板２
０は、サポートフレーム５５と導電エラストマ５０を介
して、プローブカード６０に取り付けられている。コン
タクト基板２０を支持するサポートフレーム５５は、ボ
ルト２５２とナット２５０で構成する固定手段によりプ
ローブカード６０に接続している。このようなボルトと
ナットは、プローブカード６０の３点で、例えば正三角
形の各頂点の位置に取り付ける。ボルトとナットに代え
て、例えば差動スクリュー等の他の固定手段を用いるこ
とも可能である。第５図を参照して上で説明したよう
に、導電エラストマ５０は、垂直方向のみに、したがっ
て、コンタクト基板２０とプローブカード６０間に電気
的伝導を実現している。
【００３８】コンタクト基板２０の底面において、サポ
ートフレーム５５に接続されたボルト２５２に近接した
位置に、電極２９２が設けられている。コンタクト基板
２０の上表面に代えて、この電極２９２を、サポートフ
レーム５５の底面に形成することも可能である。被試験
半導体ウェハ３００は、ウェハプローバのチャック１８
０に配置される。第６図の例ではさらに、半導体ウェハ
３００上に設けられたギャップセンサー２９０と、ギャ
ップセンサー２９０から信号を受信するギャップ測定器
２８０を示している。ギャップセンサー２９０は基本的
に電極であり、半導体ウェハ３００の表面において、コ
ンタクト基板２０の底面に設けられた上記電極２９２と
対向する位置、したがって、例えば上記の３点位置に配
置される。また、客に出荷する前に、プローブコンタク
トシステムの平坦調整を実施するために、半導体ウェハ
３００に代えて、セラミックやアルミナ等による基板を
基準プレートとして用いることもできる。
【００３９】回転調整デバイス２２０は、細かいステッ
プでナット２５０を回転させるために特別に作成された
ツールである。ナット２５０の回転により、ボルト２５
２を垂直に動作させるので、プローブカード６０とコン
タクト基板２０間の平行度を変えることになり、結果と
してコンタクト基板２０と半導体ウェハ３００間の平行
度を変えることになる。この構成において、コンタクト
基板２０の垂直位置は、ボルト２５２が接続された３点
の位置で変更されるので、コンタクト基板２０に搭載さ
れたコンタクタ３０の先端高さを、半導体ウェハ３００
の表面に対し均一に調整することができる。
【００４０】上記のギャップセンサー２９０は、例えば
キャパシタンスセンサーであって、ギャップセンサー２
９０と対向する電極２９２との間（ギャップ）のキャパ
シタンスを測定するものである。測定されたキャパシタ
ンスの値は、センサーと電極間の距離の関数となる。こ
のようなギャップセンサーの例としては、米国マサチュ
ーセッツ州のキャパシテック社が提供するモデルＨＰＴ
−５００−Ｖがある。ギャップ測定器２８０により測定
された、ギャップセンサー２９０と電極２９２間のギャ
ップを監視することにより、システム使用者は、３点の
位置のそれぞれのギャップが互いに同一になるように、
回転調整デバイス２２０を用いてナット２５０を回転さ
せる。
【００４１】第７図は、本発明のプローブコンタクトシ
ステムにおいて、プローブカード６０の上面を示す斜視
図である。回転調整デバイス２２０の底部は、プローブ
カード６０上のナット２５０に適合する開口を有してい
る（第８図（Ｃ））。プローブカード６０には、回転調
整デバイス２２０による回転度を簡単に観察できるよう
に、ナット２５０の周りに半径状のスケール２６２また
はマークを有している。プローブカード６０には更に、
回転調整デバイス２２０のペグ（突起）２２５が挿入で
きるペグ穴２６４を有している。
【００４２】第８図（Ａ）−第８図（Ｃ）は、本発明の
回転調整デバイス２２０のそれぞれ上面図、正面図、底
面図である。第８図（Ｂ）に示すように、回転調整デバ
イス２２０は、基本的に、上部ノブ２２１、下部ノブ２
２２、ノブベース２２３とにより構成されている。第８
図（Ａ）に示すように、上部ノブ２２１の上面には、プ
ローブカードに備えられた半径状スケール２６２との組
み合わせにより、使用者が回転の度合いが分かるような
マークが設けられている。上部ノブ２２１と下部ノブ２
２２は、例えばネジ等で結合穴２２１ａを介して固定さ
れる。上部ノブ２２１の横面には、滑り止めのために、
切込み（ノッチ）または把持テープを設けることが好ま
しい。
【００４３】第８図（Ｂ）および第８図（Ｃ）に示すよ
うに、ノブベース２２３と下部ノブ２２２は、互いに回
転可能に接続されている。ノブベース２２３は、底部に
ペグ２２５を有しており、そのペグ２２５をプローブカ
ード６０のペグ穴２６４に挿入する。従って、使用する
際には、ノブベース２２３はプローブカード６０に固定
され、上部ノブ２２１と下部ノブ２２２はノブベース２
２３上を回転してナット２５０を調整する。上部ノブ２
２１は、下方に延長した部分２２１ｂと開口２２１ｃを
有する。ナット２５０は、この開口２２１ｃに係合し、
上部ノブ２２１と下部ノブ２２２の回転によって回転さ
れる。
【００４４】第９図（Ａ）−第９図（Ｇ）は、本発明の
回転調整デバイス２２０を示す分解図である。第９図
（Ａ）の上部ノブ２２１は、下方に延長した部分２２１
ｂを有しており、平坦調整するときにプローブカード６
０上のナット２５０に届くようになっている。第９図
（Ｄ）の下部ノブ２２２は、第９図（Ｃ）のプランジャ
２３３と第９図（Ｂ）のばね２３２が挿入できる多数の
保持穴２３５を有する。図には無いが、保持穴２３５の
底の直径は、下部ノブ２２２の底面からプランジャ２３
３の先端だけが突き出るよう減少している。プランジャ
２３３は、例えば低フリクションプラスティック、ある
いはデュポン社から提供されているアセテルやデリン等
の潤滑プラスティックにより構成されている。
【００４５】第９図（Ｆ）のノブベース２２３は、その
上面に多数の半径溝２３６を有している。アセンブリさ
れたとき、プランジャ２３３の先端は、ばね２３２によ
る下方への圧力により、この半径溝２３６に係合する。
下部ノブ２２２の保持穴２３５のピッチとノブベース２
２３の半径溝２３６の周辺方向ピッチは、互いに少し異
なるように構成されている。したがって、ナット２５０
を回転するとき、回転調整デバイス２２０は、利用者に
クリックを響かせながら、半径溝２３６のプランジャ２
３３の適合により、極めて小さな回転ステップを形成す
る。
【００４６】ノブベース２２３は、第９図（Ｅ）の上部
保持リング２３４と第９図（Ｇ）の下部保持リング２３
８により、下部ノブ２２２に取り付けられている。フラ
ンジ２３７を有する上部保持リング２３４は、下部ノブ
２２２の開口から挿入され、下部ノブ２２２の底部の位
置で保持される。ノブベース２２３を、下部ノブ２２２
と下部保持リング２３８間に挟んだ状態で、上部保持リ
ング２３４と下部保持リング２３８を接続することによ
って、ノブベース２２３を下部ノブ２２２と上部ノブ２
２１に回転可能に固定する。
【００４７】第１０図は、平面調整機構を有する本発明
のプローブコンタクトシステムの別の実施例を示す断面
図である。この例では、ギャップセンサー２９０は、第
６図の例に示した半導体ウェハの上面に代えて、コンタ
クト基板の底面に設けられている。この構成において
は、半導体ウェハの表面には各種の導電パターンを有す
るので、ギャップを測定するための特別の電極は不要と
なる。第６図と同様に、客に出荷する前に平坦調整する
ために、半導体ウェハ３００の代わりに、上記３点位置
で導電パッドを有するセラミックまたはアルミナ等の基
準プレートを使用してもよい。
【００４８】第１１図は、平面調整機構を有する本発明
のプローブコンタクトシステムのさらに別の実施例を示
す断面図である。この例の平面調整機構は、コンタクト
基板と半導体ウェハまたは基準プレート間の距離を調整
する自動システムになっている。平面調整機構は、コン
トローラ４３０からのコントロール信号に基づいて、ナ
ット２５０を回転するためのモーター４２０を有してい
る。コントローラ４３０は、ギャップ測定器２８０から
のギャップ測定値を計算することにより、コントロール
信号を発生する。
【００４９】好ましい実施例しか記していないが、上述
した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の精
神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変形
が可能である。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、プローブコンタクトシ
ステムは、コンタクタの先端と被試験半導体ウェハまた
は基準プレートの表面間の距離を調整することができ
る。平面調整機構を用いて、コンタクト基板と半導体ウ
ェハ間の距離を調整することにより、コンタクト基板に
搭載したコンタクタの全てが、半導体ウェハの表面に同
一の圧力で同時に接触することができる。
【００５１】本発明のプローブコンタクトシステムに用
いる平面調整機構は、細かなステップでプローブカード
上のナットを回転させる回転調整デバイスを有してお
り、これによりコンタクト基板と半導体ウェハ間の距離
を容易に且つ正確に調整することができる。本発明の平
面調整機構は、プローブカードにナットを駆動するモー
ターと、ギャップセンサーで測定されたギャップ値に基
づいて、モーターにコントロール信号を送出するコント
ローラを用いることにより、自動システムとして構成す
ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】テストヘッドを有する半導体テストシステムと
基板ハンドラの構成を示す概念図である。
【図２】半導体テストシステムのテストヘッドを基板ハ
ンドラに接続するための詳細な構成例を示す図である。
【図３】本発明のプローブコンタクトシステムのプロー
ブカードに搭載するビーム形状（シリコンフィンガ）の
コンタクタを有するコンタクトストラクチャを示す断面
図である。
【図４】複数のビーム形状のコンタクタを有する第３図
のコンタクトストラクチャの底面を示す概念図である。
【図５】第３図および第４図のコンタクトストラクチャ
を被試験デバイスと第２図のテストヘッド間のインタフ
ェースとして構成したプローブコンタクトシステムの全
体組立構成（トータルスタックアップ）を示す断面図で
ある。
【図６】本発明の平面調整機構を有するプローブコンタ
クトシステムの構成を示す断面図である。
【図７】回転調整デバイスを有する本発明のプローブコ
ンタクトシステムのプローブカードの上面を示す斜視図
である。
【図８】（Ａ）から（Ｃ）は、本発明の回転調整デバイ
スのそれぞれ上面図、正面図、および底面図である。
【図９】（Ａ）から（Ｇ）は、本発明の回転調整デバイ
スに用いる各部品とその組立構造を示す分解図である。
【図１０】本発明の平面調整機構を有する他のプローブ
コンタクトシステム例を示す断面図である。
【図１１】本発明の平面調整装置を有するさらに他のプ
ローブコンタクトシステム例を示す断面図である。
【符号の説明】
２０ コンタクト基板 ３０ コンタクタ ５０ 導電エラストマ ５５ サポートフレーム ６０ プローブカード １８０ チャック ２２０ 回転調整デバイス ２５０ ナット ２５２ ボルト ２８０ ギャップ測定器 ２９０ ギャップセンサー ２９２ 電極 ３００ 被試験半導体ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA10 AG03 AG04 AG08 AG12 AG20 AH05 2G011 AA02 AA15 AA17 AB08 AC06 AC14 AE03 AF04 2G132 AF02 AF06 AF07 AF08 AF10 AL03 AL11 4M106 AA01 AA02 BA01 CA11 DD03 DD09 DD10

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コンタクトターゲットと電気的接続を形
    成するためのプローブコンタクトシステムに用いる平面
    調整機構において、 その表面に多数のコンタクタを有するコンタクト基板
    と、 そのコンタクタと半導体テストシステムのテストヘッド
    間に電気的接続を形成するためのプローブカードと、 そのコンタクト基板とプローブカード間に設けられた導
    電エラストマと、 コンタクト基板とプローブカードを、コンタクト基板上
    の３点位置において接続するための部材であって、それ
    ぞれがコンタクト基板とプローブカード間の距離を調整
    可能に回転する接続部材と、 そのコンタクト基板の上記３点の各位置に近接して設け
    られ、上記コンタクト基板と半導体ウェハまたは基準プ
    レートまたはターゲット基板間のギャップを計測するギ
    ャップセンサーと、 上記３点の各位置において、コンタクト基板と半導体ウ
    ェハ間のギャップが互いに同一となるように、上記接続
    部材を回転する回転調整デバイスと、 により構成することを特徴とするプローブコンタクトシ
    ステムの平面調整機構。
  2. 【請求項２】 上記コンタクト基板とプローブカードを
    接続するための上記接続部材は、ボルトとナットで構成
    される、請求項１に記載のプローブコンタクトシステム
    の平面調整機構。
  3. 【請求項３】 上記コンタクト基板とプローブカードを
    接続するための上記接続部材は、差動スクリューで構成
    される、請求項１に記載のプローブコンタクトシステム
    の平面調整機構。
  4. 【請求項４】 上記ギャップセンサーは、上記コンタク
    ト基板とターゲット基板との間のギャップを、そのギャ
    ップセンサーとそれに対向する電極との間のキャパシタ
    ンスを計測することにより決定する、請求項１に記載の
    プローブコンタクトシステムの平面調整機構。
  5. 【請求項５】 上記ギャップセンサーは、上記ターゲッ
    ト基板の上表面あるいは上記コンタクト基板の底表面に
    設けられる、請求項１に記載のプローブコンタクトシス
    テムの平面調整機構。
  6. 【請求項６】 上記基準プレートは、上記ギャップセン
    サーに対向する位置に電極を設けたセラミックまたはア
    ルミナ基板で構成される、請求項１に記載のプローブコ
    ンタクトシステムの平面調整機構。
  7. 【請求項７】 上記コンタクト基板上の上記３点の各位
    置は、正三角形の頂点に対応している、請求項１に記載
    のプローブコンタクトシステムの平面調整機構。
  8. 【請求項８】 上記コンタクト基板とプローブカードを
    接続する上記接続部材は、ボルトとナットにより構成さ
    れており、そのナットは上記プローブカードの表面に回
    転可能に支持され、上記回転調整デバイスはそのナット
    と係合するための底部開口を有し、上記３点位置の各位
    置において、コンタクト基板とターゲット基板との間の
    ギャップが互いに同一になるように、その底部開口とナ
    ットを係合して回転する、請求項１に記載のプローブコ
    ンタクトシステムの平面調整機構。
  9. 【請求項９】 上記回転調整デバイスは、上部ノブと下
    部ノブとノブベースにより構成され、その上部ノブと下
    部ノブは互いに機械的に接続されており、その下部ノブ
    とノブベースは互いに回転可能に取り付けられており、
    上記ノブベースは上記プローブカードに固定的に適合
    し、上記上部ノブは底部に開口を有した下方延長部を有
    して、その回転により上記３点位置の各位置における上
    記ギャップを調整する、請求項８に記載のプローブコン
    タクトシステムの平面調整機構。
  10. 【請求項１０】 上記回転調整デバイスの上記下部ノブ
    は、プランジャーとスプリングを搭載するための複数の
    保持穴を備えており、そのスプリングのバネ力により、
    そのプランジャーの下部先端がその下部ノブの底面から
    突起するようにその保持穴に搭載され、上記回転調整デ
    バイスの上記ノブベースは、複数の半径溝が設けられて
    おり、上記上部ノブと下部ノブが回転するとき上記プラ
    ンジャーの上記下部先端がその溝に係合し、上記保持穴
    のピッチと上記半径溝の円周方向ピッチは互いに異なっ
    ている、請求項９に記載のプローブコンタクトシステム
    の平面調整機構。
  11. 【請求項１１】 上記プランジャーは、低フリクション
    プラスティック、あるいは潤滑プラスティックにより構
    成されている、請求項１０に記載のプローブコンタクト
    システムの平面調整機構。
  12. 【請求項１２】 上記コンタクト基板と上記導電エラス
    トマとの間に、上記コンタクト基板を支持するためのサ
    ポートフレームをさらに有しており、上記接続部材は、
    上記プローブカードとそのサポートフレームとの間に引
    き渡されている、請求項１１に記載のプローブコンタク
    トシステムの平面調整機構。
  13. 【請求項１３】 上記導電エラストマは、シリコンゴム
    シートと垂直方向に設けられた金属フィラメントにより
    構成され、これにより垂直方向にのみ電気通信を形成す
    る、請求項１に記載のプローブコンタクトシステムの平
    面調整機構。
  14. 【請求項１４】 コンタクトターゲットと電気的接続を
    形成するためのプローブコンタクトシステムに用いる平
    面調整機構において、その表面に多数のコンタクタを有
    するコンタクト基板と、そのコンタクタと半導体テスト
    システムのテストヘッド間に電気的接続を形成するため
    のプローブカードと、そのコンタクト基板とプローブカ
    ード間に設けられた導電エラストマと、コンタクト基板
    とプローブカードを、コンタクト基板上の３点位置にお
    いて接続するための部材であって、それぞれがコンタク
    ト基板とプローブカード間の距離を調整可能に回転する
    接続部材と、そのコンタクト基板の上記３点の各位置に
    近接して設けられ、上記コンタクト基板と半導体ウェハ
    または基準プレートまたはターゲット基板間のギャップ
    を計測するギャップセンサーと、そのギャップセンサー
    により計測したギャップ値に基づいて、制御信号を発生
    するコントローラと、そのコントローラからの制御信号
    に応答して、上記３点の各位置において、コンタクト基
    板と半導体ウェハ間のギャップが互いに同一となるよう
    に、上記接続部材を回転させるモータと、により構成す
    ることを特徴とするプローブコンタクトシステムの平面
    調整機構。
  15. 【請求項１５】 上記ギャップセンサーは、上記コンタ
    クト基板とターゲット基板との間のギャップを、そのギ
    ャップセンサーとそれに対向する電極との間のキャパシ
    タンスを計測することにより決定する、請求項１４に記
    載のプローブコンタクトシステムの平面調整機構。
  16. 【請求項１６】 上記ギャップセンサーは、上記ターゲ
    ット基板の上表面あるいは上記コンタクト基板の底表面
    に設けられる、請求項１４に記載のプローブコンタクト
    システムの平面調整機構。
  17. 【請求項１７】 上記基準プレートは、上記ギャップセ
    ンサーに対向する位置に電極を設けたセラミックまたは
    アルミナ基板で構成される、請求項１４に記載のプロー
    ブコンタクトシステムの平面調整機構。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007538263A (ja) * 2004-05-20 2007-12-27 ナノネクサス インク 速い製作サイクルを有する高密度の相互接続システム
JP2008542745A (ja) * 2005-06-02 2008-11-27 パイコム コーポレーション プローブカード
JP2009031192A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Japan Electronic Materials Corp プローブカードおよびプローブカードの製造方法
KR100906344B1 (ko) * 2007-06-18 2009-07-06 주식회사 파이컴 프로브 카드
JP2009527728A (ja) * 2005-12-02 2009-07-30 フォームファクター， インコーポレイテッド プローブの配向を調整する装置および方法
JP2010508533A (ja) * 2006-11-01 2010-03-18 フォームファクター， インコーポレイテッド プローブカードアセンブリにおいてアクティブなコンプライアンスを提供する方法および装置
KR100984769B1 (ko) 2003-12-12 2010-10-01 동부일렉트로닉스 주식회사 프로버 시스템의 헤드 플레이트의 평탄도 조절장치
KR101025389B1 (ko) 2007-09-03 2011-03-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로브 장치 및 프로브 방법
JP2011137801A (ja) * 2009-12-30 2011-07-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード
KR20190061647A (ko) * 2017-11-28 2019-06-05 주식회사 에스디에이 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법
KR20200036744A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드 지지장치
KR20200050563A (ko) * 2018-11-02 2020-05-12 세메스 주식회사 카드 홀더 및 이를 포함하는 프로브 스테이션
KR102520852B1 (ko) * 2022-10-14 2023-04-13 주식회사 유니밴스 프로브카드용 탑 보강판
KR20230086104A (ko) * 2021-12-08 2023-06-15 주식회사 엑시콘 반도체 디바이스 테스트 장치

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5914613A (en) * 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
JP3553791B2 (ja) * 1998-04-03 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7126220B2 (en) * 2002-03-18 2006-10-24 Nanonexus, Inc. Miniaturized contact spring
US6812718B1 (en) 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
US6578264B1 (en) * 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
US7952373B2 (en) 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7579848B2 (en) * 2000-05-23 2009-08-25 Nanonexus, Inc. High density interconnect system for IC packages and interconnect assemblies
US6441629B1 (en) * 2000-05-31 2002-08-27 Advantest Corp Probe contact system having planarity adjustment mechanism
DE10039336C2 (de) * 2000-08-04 2003-12-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von Halbleiterschaltungen und Testvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7053646B2 (en) * 2000-09-15 2006-05-30 Orsillo James F Apparatus and method for use in testing a semiconductor wafer
US20040020514A1 (en) * 2002-07-18 2004-02-05 Orsillo James E. Probe device cleaner and method
JP2002122630A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Ando Electric Co Ltd Ｉｃテスタ調整装置
US6856150B2 (en) * 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
JP2002313857A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Ando Electric Co Ltd 距離変化出力装置及び方法
US6525552B2 (en) * 2001-05-11 2003-02-25 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Modular probe apparatus
US20030045172A1 (en) * 2001-07-27 2003-03-06 Schhuster Philip J. Micro connector to facilitate testing of micro electronic component and subassemblies
AU2002327490A1 (en) * 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7071714B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
US6972578B2 (en) * 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
US6741092B2 (en) * 2001-12-28 2004-05-25 Formfactor, Inc. Method and system for detecting an arc condition
US20030150640A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Crippen Warren Stuart Silicon space transformer and method of manufacturing same
US6674296B1 (en) * 2002-02-28 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Probe card measurement tool
US6794889B2 (en) * 2002-04-26 2004-09-21 Agilent Technologies, Inc. Unified apparatus and method to assure probe card-to-wafer parallelism in semiconductor automatic wafer test, probe card measurement systems, and probe card manufacturing
US6720789B1 (en) * 2003-02-13 2004-04-13 International Business Machines Corporation Method for wafer test and wafer test system for implementing the method
US7548082B2 (en) * 2003-04-15 2009-06-16 Nec Corporation Inspection probe
US6781392B1 (en) * 2003-05-12 2004-08-24 Chipmos Technologies Ltd. Modularized probe card with compressible electrical connection device
KR100546361B1 (ko) * 2003-08-08 2006-01-26 삼성전자주식회사 반도체 소자 검사장치의 포고 핀 및 그 운용방법
US6998703B2 (en) * 2003-12-04 2006-02-14 Palo Alto Research Center Inc. Thin package for stacking integrated circuits
TW200525675A (en) * 2004-01-20 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Probe guard
CN100357745C (zh) * 2004-02-17 2007-12-26 财团法人工业技术研究院 集成化探针卡及组装方式
DE102004023987B4 (de) * 2004-05-14 2008-06-19 Feinmetall Gmbh Elektrische Prüfeinrichtung
DE102004027887B4 (de) * 2004-05-28 2010-07-29 Feinmetall Gmbh Prüfeinrichtung zur elektrischen Prüfung eines Prüflings
US20120212248A9 (en) * 2004-06-16 2012-08-23 Fu Chiung Chong Construction Structures and Manufacturing Processes for Integrated Circuit Wafer Probe Card Assemblies
TWI294523B (en) * 2004-07-28 2008-03-11 Microelectonics Technology Inc Integrated circuit probe card
US7084651B2 (en) * 2004-07-28 2006-08-01 International Business Machines Corporation Probe card assembly
WO2006028812A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-16 Celadon Systems, Inc. Replaceable probe apparatus for probing semiconductor wafer
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
WO2006064546A1 (ja) 2004-12-14 2006-06-22 Advantest Corporation コンタクトピン、それを用いたプローブカード及び電子部品試験装置
US7771208B2 (en) 2004-12-16 2010-08-10 International Business Machines Corporation Metalized elastomeric electrical contacts
JP4709850B2 (ja) * 2004-12-16 2011-06-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気的接続デバイス及びこれの製造方法
WO2007000799A1 (ja) * 2005-06-27 2007-01-04 Advantest Corporation コンタクタ、該コンタクタを備えたコンタクトストラクチャ、プローブカード、試験装置、コンタクトストラクチャ製造方法、及び、コンタクトストラクチャ製造装置
KR100549551B1 (ko) * 2005-08-29 2006-02-03 (주) 마이크로프랜드 탐침 카드의 조립 구조
US7365553B2 (en) * 2005-12-22 2008-04-29 Touchdown Technologies, Inc. Probe card assembly
US7180316B1 (en) 2006-02-03 2007-02-20 Touchdown Technologies, Inc. Probe head with machined mounting pads and method of forming same
KR100609652B1 (ko) * 2006-02-16 2006-08-08 주식회사 파이컴 공간변형기와 상기 공간변형기의 제조방법 및 상기공간변형기를 갖는 프로브 카드
US20070257684A1 (en) * 2006-04-20 2007-11-08 Eberhard Essich Monitor for Evaluating Changes in Water Quality
US7495458B2 (en) * 2006-05-17 2009-02-24 Texas Instruments Incorporated Probe card and temperature stabilizer for testing semiconductor devices
US7368930B2 (en) * 2006-08-04 2008-05-06 Formfactor, Inc. Adjustment mechanism
US7730789B2 (en) * 2006-11-01 2010-06-08 Boeing Management Company Device and method for measuring a gap between members of a structure for manufacture of a shim
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
US8456184B2 (en) * 2007-03-14 2013-06-04 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card for a semiconductor wafer
US8832936B2 (en) 2007-04-30 2014-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming metallized elastomeric electrical contacts
US7847568B2 (en) * 2007-08-17 2010-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-site probe
KR100929645B1 (ko) * 2008-03-31 2009-12-03 리노공업주식회사 반도체 칩 검사용 소켓
DE102008034918B4 (de) * 2008-07-26 2012-09-27 Feinmetall Gmbh Elektrische Prüfeinrichtung für die Prüfung eines elektrischen Prüflings sowie elektrisches Prüfverfahren
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8534302B2 (en) * 2008-12-09 2013-09-17 Microchip Technology Incorporated Prober cleaning block assembly
TWI420231B (zh) * 2008-12-26 2013-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 音圈馬達測試裝置
TW201029082A (en) * 2009-01-16 2010-08-01 Star Techn Inc Probing apparatus with temperature-adjusting modules for testing semiconductor devices
JP4491513B1 (ja) * 2009-02-12 2010-06-30 株式会社アドバンテスト 半導体ウェハ試験装置
TWI402509B (zh) * 2009-05-21 2013-07-21 Roger Chen 扁頭探針測試連接器
KR101120987B1 (ko) * 2009-07-08 2012-03-06 주식회사 에이엠에스티 프로브 카드
WO2011024303A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 株式会社アドバンテスト プローブ、プローブカード及び電子部品試験装置
WO2011062312A1 (ko) * 2009-11-23 2011-05-26 주식회사 쎄믹스 터치패드를 이용한 웨이퍼 프로버
CN102314004A (zh) * 2010-07-09 2012-01-11 塔工程有限公司 阵列测试装置
CN102346202A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 机械手
TW201219807A (en) * 2010-11-15 2012-05-16 Askey Computer Corp Testing auxiliary apparatus
CN103430636A (zh) * 2011-05-12 2013-12-04 株式会社藤仓 贯通布线基板、电子器件封装以及电子部件
KR101288457B1 (ko) * 2011-11-08 2013-07-26 주식회사 탑 엔지니어링 어레이 테스트 장치
US9310422B2 (en) * 2012-06-01 2016-04-12 Apple Inc. Methods and apparatus for testing small form factor antenna tuning elements
US9354254B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Test-yield improvement devices for high-density probing techniques and method of implementing the same
US11249112B2 (en) 2013-03-15 2022-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Devices for high-density probing techniques and method of implementing the same
US9322843B1 (en) * 2013-03-19 2016-04-26 Christos Tsironis Method for planarity alignment of wafer probes
JP6042761B2 (ja) * 2013-03-28 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US9404842B2 (en) * 2013-08-15 2016-08-02 Apple Inc. Methodology and apparatus for testing conductive adhesive within antenna assembly
US9726691B2 (en) * 2014-01-07 2017-08-08 International Business Machines Corporation 3D chip testing through micro-C4 interface
WO2015130091A1 (ko) * 2014-02-28 2015-09-03 주식회사 화우로 와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법
KR101544844B1 (ko) 2014-02-28 2015-08-20 김형익 와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법
KR102205429B1 (ko) * 2014-03-06 2021-01-21 테크노프로브 에스.피.에이. 전기 소자를 위한 테스트 기기용 고-평면성 프로브 카드
US9797928B2 (en) 2014-09-15 2017-10-24 International Business Machines Corporation Probe card assembly
DE202015001622U1 (de) * 2015-03-03 2015-03-17 Feinmetall Gmbh Elektrische Kontaktvorrichtung
TWI601960B (zh) 2016-05-12 2017-10-11 新特系統股份有限公司 探針卡模組
CN105785260A (zh) * 2016-05-25 2016-07-20 上海华岭集成电路技术股份有限公司 防止晶圆测试探针台撞针的装置及方法
KR102623549B1 (ko) * 2016-12-07 2024-01-10 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
IT201700046645A1 (it) * 2017-04-28 2018-10-28 Technoprobe Spa Scheda di misura per un’apparecchiatura di test di dispositivi elettronici
JP7075725B2 (ja) * 2017-05-30 2022-05-26 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
US10345136B2 (en) 2017-07-14 2019-07-09 International Business Machines Corporation Adjustable load transmitter
US10527649B2 (en) 2017-07-14 2020-01-07 International Business Machines Corporation Probe card alignment
TWI641836B (zh) * 2017-08-21 2018-11-21 漢民科技股份有限公司 平面校正裝置及包含其之半導體測試設備
US11215639B2 (en) * 2017-11-16 2022-01-04 Mitsubishi Electric Corporation Probe card, semiconductor measuring device, and semiconductor measuring system
US11698390B1 (en) 2017-12-08 2023-07-11 Signal Microwave, LLC High-frequency data differential testing probe
US10852322B1 (en) * 2017-12-08 2020-12-01 Signal Microwave, LLC High-frequency data differential testing probe
CN108627759B (zh) * 2018-05-09 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 信号检测用的辅助设备和信号检测***
JP2020009978A (ja) * 2018-07-12 2020-01-16 東京エレクトロン株式会社 回路装置、テスタ、検査装置及び回路基板の反り調整方法
CN110274562B (zh) * 2019-08-06 2024-03-29 安徽理工大学 一种维护简便的刚度可调型十字梁微纳测头
TWI719895B (zh) * 2020-05-11 2021-02-21 中華精測科技股份有限公司 陣列式薄膜探針卡及其測試模組
CN114019334A (zh) * 2020-07-16 2022-02-08 京元电子股份有限公司 具有水平调整模块的测试设备
CN114047368B (zh) * 2022-01-10 2022-03-22 苏州威达智电子科技有限公司 一种自动微调全功能检测设备及其检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125033A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 平行度調整装置
JPH04361543A (ja) * 1991-06-10 1992-12-15 Mitsubishi Electric Corp プローバ装置およびウエハの検査方法
JPH05144897A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路試験装置
JPH05218149A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH09321099A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kyushu Ltd ウェハプローバ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084671A (en) * 1987-09-02 1992-01-28 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
JPH06124982A (ja) * 1992-01-14 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
US5254939A (en) * 1992-03-20 1993-10-19 Xandex, Inc. Probe card system
JPH0621166A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバ
JPH0621172A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウェハプロービング装置及びウェハプロービング方法
US5974662A (en) 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US5806181A (en) 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
KR100248569B1 (ko) * 1993-12-22 2000-03-15 히가시 데쓰로 프로우브장치
CA2174784C (en) * 1996-04-23 1999-07-13 George Guozhen Zhong Automatic multi-probe pwb tester
US6050829A (en) 1996-08-28 2000-04-18 Formfactor, Inc. Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly
US5861759A (en) 1997-01-29 1999-01-19 Tokyo Electron Limited Automatic probe card planarization system
US6060891A (en) * 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers
US6037791A (en) * 1997-08-01 2000-03-14 Intel Corporation Vision aided docking mechanism for semiconductor testers
US6040700A (en) * 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
US6043668A (en) * 1997-12-12 2000-03-28 Sony Corporation Planarity verification system for integrated circuit test probes
US6441629B1 (en) * 2000-05-31 2002-08-27 Advantest Corp Probe contact system having planarity adjustment mechanism

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125033A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 平行度調整装置
JPH04361543A (ja) * 1991-06-10 1992-12-15 Mitsubishi Electric Corp プローバ装置およびウエハの検査方法
JPH05144897A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路試験装置
JPH05218149A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH09321099A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kyushu Ltd ウェハプローバ

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100984769B1 (ko) 2003-12-12 2010-10-01 동부일렉트로닉스 주식회사 프로버 시스템의 헤드 플레이트의 평탄도 조절장치
JP2007538263A (ja) * 2004-05-20 2007-12-27 ナノネクサス インク 速い製作サイクルを有する高密度の相互接続システム
JP2008542745A (ja) * 2005-06-02 2008-11-27 パイコム コーポレーション プローブカード
US7859280B2 (en) 2005-06-02 2010-12-28 Phicom Corporation Probe card for testing semiconductor devices
JP2009527728A (ja) * 2005-12-02 2009-07-30 フォームファクター， インコーポレイテッド プローブの配向を調整する装置および方法
JP2010508533A (ja) * 2006-11-01 2010-03-18 フォームファクター， インコーポレイテッド プローブカードアセンブリにおいてアクティブなコンプライアンスを提供する方法および装置
KR100906344B1 (ko) * 2007-06-18 2009-07-06 주식회사 파이컴 프로브 카드
JP2009031192A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Japan Electronic Materials Corp プローブカードおよびプローブカードの製造方法
KR101025389B1 (ko) 2007-09-03 2011-03-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로브 장치 및 프로브 방법
JP2011137801A (ja) * 2009-12-30 2011-07-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd プローブカード
KR20190061647A (ko) * 2017-11-28 2019-06-05 주식회사 에스디에이 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법
KR101991073B1 (ko) 2017-11-28 2019-06-20 주식회사 에스디에이 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법
KR20200036744A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드 지지장치
KR102129849B1 (ko) 2018-09-28 2020-08-05 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드 지지장치
KR20200050563A (ko) * 2018-11-02 2020-05-12 세메스 주식회사 카드 홀더 및 이를 포함하는 프로브 스테이션
KR102673906B1 (ko) 2018-11-02 2024-06-10 세메스 주식회사 카드 홀더 및 이를 포함하는 프로브 스테이션
KR20230086104A (ko) * 2021-12-08 2023-06-15 주식회사 엑시콘 반도체 디바이스 테스트 장치
KR102638924B1 (ko) 2021-12-08 2024-02-21 주식회사 엑시콘 반도체 디바이스 테스트 장치
KR102520852B1 (ko) * 2022-10-14 2023-04-13 주식회사 유니밴스 프로브카드용 탑 보강판

Also Published As

Publication number Publication date
US20020050832A1 (en) 2002-05-02
KR20010109164A (ko) 2001-12-08
DE10125345A1 (de) 2002-01-10
US6476626B2 (en) 2002-11-05
US20020057098A1 (en) 2002-05-16
US6586956B2 (en) 2003-07-01
SG91362A1 (en) 2002-09-17
CN1302286C (zh) 2007-02-28
US6441629B1 (en) 2002-08-27
DE10125345B4 (de) 2008-04-17
CN1336549A (zh) 2002-02-20
KR100495847B1 (ko) 2005-06-17
JP4637400B2 (ja) 2011-02-23
TW548417B (en) 2003-08-21

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