JP2001331126A - 電気光学装置 - Google Patents
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Abstract
に中継用の中間導電層を備えた形式の電気光学装置にお
いて、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大さ
せ、しかも画素電極付近における配向膜の表面に凹凸が
生じることによる表示画像の品位低下を低減する。 【解決手段】 電気光学装置は、基板上にTFT(3
0)、データ線(6a)、走査線(3a)、容量線(3
b)、第1中間導電層(80)、第2中間導電層(18
0)及び画素電極(9a)を備える。TFTのドレイン
と第1中間導電層とを接続する第1コンタクトホール
(8a)は、平面的に見てデータ線に重なる位置に開孔
されている。
Description
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素電極と画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(Thin
Film Transistor:以下適宜、TFTと称す)との間
で、電気導通を良好にとるための中間導電層を基板上の
積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属
する。
クス駆動方式の電気光学装置においては、TFTのゲー
ト電極に走査線を介して走査信号が供給されると、TF
Tはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線
を介して供給される画像信号が当該TFTを介して画素
電極に供給される。このような画像信号の供給は、各T
FTを介して画素電極毎に極めて短時間しか行われない
ので、供給される画像信号の電圧を、このオン状態とさ
れた時間よりも遥かに長時間に亘って保持するために、
各画素電極には蓄積容量が付加されるのが一般的であ
る。
極を構成するITO膜等の導電膜と画素スイッチング用
のTFTを構成する半導体層との間には、走査線、デー
タ線等を構成する各種導電膜及びこれらの導電膜を相互
から電気的に絶縁するためのゲート絶縁膜や層間絶縁膜
が積層されており、これらの画素電極と半導体層との間
の距離は例えば1000nm程度に長い。従って、これ
らの画素電極と半導体層とを一つのコンタクトホールに
よって電気的に接続するのは技術的に困難である。そこ
で、層間絶縁膜間に中間導電層を設けて、これを中継し
て、画素電極と半導体層とを電気的に接続する技術が開
発されている。
においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が
強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素
開口率化を高める(即ち、各画素において、表示光が透
過しない遮光領域に対して、表示光が透過する開口領域
を広げる)ことが極めて重要となる。
造工程が増加するだけでなく、積層数やコンタクトホー
ル数が増加して積層構造がより複雑化するため、特に画
素ピッチを微細化するに連れて上述した蓄積容量を作り
込むことが更に困難となる、或いはコンタクトホールを
開孔するための領域を確保するのが困難になるという問
題点がある。そして、このように中間導電層を設けるこ
とにより必要なコンタクトホールの数が増加すると、コ
ンタクトホールの存在に起因して基板上でその上方に位
置する層間絶縁膜の表面には凹凸が生じ、最終的には画
素電極及びその上に形成される配向膜の表面に凹凸が生
じてしまう。このように画素電極付近における配向膜の
表面に凹凸が生じると、電気光学物質の一例である液晶
の配向不良が原因で動作不良が生じる。これらの結果、
コントラスト比の低下といった表示不良を引き起こし、
画質品位を大幅に低下してしまうという問題がある。
であり、画素開口率を高めることができ、しかも画素電
極付近における配向膜の表面の凹凸を低減することで、
高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供すること
を課題とする。
装置は上記課題を解決するために、基板上に設けられた
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの半導体層
のドレイン領域に電気的に接続される画素電極と、前記
薄膜トランジスタの半導体層と前記画素電極との間に絶
縁膜を介して設けられた複数の配線と、前記薄膜トラン
ジスタの半導体層のドレイン領域と前記画素電極との電
気的接続をなす中間導電層と、前記複数の配線のうち少
なくとも1つの配線の領域下で、前記薄膜トランジスタ
の半導体層のドレイン領域と前記中間導電層とを電気的
に接続する第1コンタクトホールとを備えたことを特徴
とする。
のドレイン領域と画素電極とは、中間導電層を介して電
気的に接続されているので、両者間にある膜厚が大きく
ても、両者間を比較的小径の2つのコンタクトホールに
よって良好に接続することが可能となる。そして、各コ
ンタクトホールを形成する領域は各々小さくでき、画素
開口率を高めることができる。
1コンタクトホールを開孔するので、第1コンタクトホ
ールの存在により各画素の開口領域に不規則な凹凸を発
生することがない。これにより、画素電極付近における
ラビング処理を均一に行うことが可能となり且つ電気光
学物質の層厚を均一化することも可能となる。この結
果、液晶等の電気光学物質における配向不良等の如き動
作不良を低減できる。
れば、画素開口率を高めることができ、しかも画素電極
付近における配向膜の表面に不規則な凹凸が生じること
による表示画像の品位低下を低減できる。これらの結
果、明るくてコントラスト比が高く、高品位の画像表示
が可能となる。
は、前記第1コンタクトホールの径は、前記中間導電層
と前記画素電極とを電気的に接続する第2コンタクトホ
ールの径より小さいことを特徴とする。
コンタクトホールの開孔時におけるエッチングの突き抜
けの防止となる。また、第1コンタクトホールの径を第
2コンタクトホールの径より小さくすることで、非画素
開口領域を狭くすることが可能になる。
は、前記複数の配線のうち少なくとも1つの配線は、前
記薄膜トランジスタの半導体層のソース領域に電気的に
接続されるデータ線でなり、前記データ線の領域下に前
記第1コンタクトホールが位置することを特徴とする。
コンタクトホールを配置できるので、配向膜の表面に生
じる凹凸を低減できる。
タクトホールは、前記データ線と前記走査線が交差する
近傍に配置されることが望ましい。
差する近傍に配置したので、比較的広い領域内で、配向
膜の表面に生じる凹凸を低減でき、画素電極付近におけ
るラビング処理を均一に行うことが可能となり、液晶層
の配向不良を低減できる。
線のうち少なくとも1つの配線は、前記データ線に対し
て交差して配置される走査線をなし、前記中間導電層は
前記データ線の領域から前記走査線に沿って延在するこ
とが望ましい。
の領域から走査線に沿って延在するので、第1コンタク
トホールと、第2コンタクトホールの位置を、データ線
と走査線に沿った領域に形成することができるので、画
素ピッチの微細化に寄与することができる。
線に沿って配置された延在部に、前記中間導電層と前記
画素電極とを電気的に接続する第2コンタクトホールを
設けることが望ましい。
画素電極とを接続するコンタクトホールより小径な第2
コンタクトホールを走査線に沿った延在部に配置するの
で、走査線付近の非画素開口領域が広がるのを低減しつ
つ、配向膜の表面に生じる凹凸を低減することができ
る。
は、相隣接するデータ線間のほぼ中央に位置することが
望ましい。
上における配向膜の凹凸による悪影響を各画素毎に左右
対称にでき、全画素を巨視的に見た場合における各画素
の表示不良を平均化できる。
層は、前記データ線に沿って延在することを特徴とす
る。
口領域を広げることなく、第1コンタクトホールの領域
を中間導電層で覆うことができる。
は、前記複数の配線のうち少なくとも1つの配線は、前
記中間導電層下に延在する容量線でなり、前記容量線は
前記第1コンタクトホールの領域を避けて延在している
ことを特徴とする。
イン領域と画素電極とを接続するコンタクトホールより
小径な第1コンタクトホールの領域を避けて延在してい
るので、容量面積を確保しつつ、配向膜の表面に生じる
凹凸を低減することができる。
では、前記第1コンタクトホールの深さは、前記中間導
電層と前記画素電極との第2コンタクトホールの深さよ
り浅いことを特徴とする。
の領域で、配向膜の表面に生じる凹凸を低減することが
できる。
では、前記中間導電層は、前記走査線と同一膜からなる
容量電極と層間絶縁膜を介して少なくとも部分的に対向
配置されていることを特徴とする。
と同一膜からなる容量電極と、層間絶縁膜を介して対向
配置されているので、画素電極に接続された蓄積容量を
付加することができる。即ち、容量電極の下側のみなら
ず、容量電極の上側にも、蓄積容量を立体的に構築でき
るので、限られた遮光領域を有効利用して蓄積容量を増
大させることができる。
トホールは、平面的に見て前記容量電極に重なる位置に
開孔されているように構成してもよい。
が開孔された平面位置における中間導電層部分も、容量
電極上に重なっている、即ち容量電極に絶縁膜を介して
対向配置されているので、第2コンタクトホールが開孔
された平面領域にも蓄積容量を構築できる。
平面的に見て前記走査線に沿って延びる部分と前記デー
タ線と交差する個所から前記データ線に沿って延びる部
分とを有し、前記中間導電層は、前記容量電極の少なく
とも一部に層間絶縁膜を介して重ねられている。
領域において、半導体層のドレイン領域から延設された
電極と容量電極とを対向配置させることができ、且つ該
容量電極と中間導電層とを対向配置させることができ
る。従って、データ線に沿った遮光領域にも、立体的な
蓄積容量を構築できる。
では、前記中間導電層は、遮光性の導電膜からなること
を特徴とする。
る中間導電層により、薄膜トランジスタのチャネル領域
やその隣接領域を遮光することが可能となる。即ち、一
般には、薄膜トランジスタを構成する半導体層のチャネ
ル領域或いはその隣接領域に光が入射すると、光励起に
よるリーク電流が発生する。これにより、当該薄膜トラ
ンジスタのオフ状態における特性が変化する。これに対
し、本発明によれば、中間導電層を利用してこのような
光入射によるトランジスタ特性の変化を防止できる。
は、前記遮光領域の一部を規定するように構成してもよ
い。
成された一方の基板に対向配置される他方の基板である
対向基板に遮光領域を規定するための遮光膜を形成した
り、遮光領域を規定するためにデータ線の幅を広めて形
成したり、或いは一方の基板内に遮光領域規定用の内蔵
遮光膜を別途形成したりすることを少なくとも部分的に
排除できる。即ち、遮光領域を規定するための遮光膜等
が少なくとも部分的に不要となる分だけ、一方の基板と
他方の基板の貼り合わせ時のアライメントずれによる電
気光学装置の透過率低下を招くことがない。これによ
り、電気光学装置の不良を大幅に低減することができ
る。
的に見て前記データ線に沿って延びる部分を含み、前記
データ線に沿った方向の前記遮光領域の一部が規定され
ているように構成してもよい。
導電層により遮光領域が規定されている部分について
は、対向基板に遮光領域を規定するための遮光膜を形成
したり、遮光領域を規定するためにデータ線の幅を広め
て形成したり、或いは内蔵遮光膜を別途形成したりする
ことを排除できる。これにより、電気光学装置の透過率
ばらつきを大幅に低減することができる。
に見て前記データ線に沿って延びる部分を有し、前記デ
ータ線に沿った個所において夫々、前記データ線の幅W
dと、前記容量電極の幅Wcと、前記データ線に沿って
延びる中間導電層部分の幅Wmとの間には、Wd<Wc
<Wmなる関係が成立するように構成してもよい。
基板側からの入射光に対しては、データ線及び中間導電
層で二重の遮光が可能となる。ここで一般に画像信号を
供給するデータ線の材料としては配線抵抗が低いことが
優先されてAl(アルミニウム)膜が利用されるが、A
l膜の場合には遮光膜であると同時に極めて反射率の高
い反射膜である。従って、Al膜からなるデータ線のみ
により薄膜トランジスタの遮光を行った場合には、基板
面に対して傾斜した投射光や戻り光がデータ線の内面
(即ち、薄膜トランジスタに面する側の表面)で反射さ
れて、積層構造内で多重反射を起こして、最終的にチャ
ネル領域やその隣接領域に至ってしまう問題を引き起こ
す。しかるに、本発明のように構成すれば、データ線下
に設けられた中間導電層を低反射の高融点金属膜やポリ
シリコン膜から形成することにより、上述の如き内面反
射による多重反射光を減衰する構成を採用することが可
能となる。他方、データ線よりも幅広の容量電極と中間
導電層とにより更に大きな蓄積容量を構築できる。
電極における前記データ線に沿った縁部分は、前記中間
導電層の縁部分に重ねられているように構成してもよ
い。
形成することができる。これにより、データ線と画素電
極との間の寄生容量を極力小さくすることができる。こ
れにより、コントラスト比の低下や、クロストーク、ゴ
ースト等の表示不良を顕著に低減することができる。
では、前記半導体層は、前記データ線の領域下に形成さ
れることを特徴とする。
を電気的に接続する領域を確保すると共に、走査線に沿
う非開口領域を狭ピッチにできる。
ルは、前記半導体層のソース領域と前記データ線とを接
続する第3コンタクトホールと、前記半導体層のチャネ
ル領域に対して対称となる位置に形成されることを特徴
とする。
状をデータ線に対して左右対称にすることができ、液晶
の回転方向による光り抜けの差をなくすことができる。
平面的に見て前記走査線から張り出した下部遮光膜を有
し、前記中間導電層と前記画素電極とを電気的に接続す
る第2コンタクトホールは、平面的に見て前記下部遮光
膜が前記走査線から張り出した領域に位置することを特
徴とする。
って形成されないので、走査線に沿う非開口領域を狭ピ
ッチにすると共に、中間導電層と画素電極とを電気的に
接続することができる。
板上に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トラン
ジスタの半導体層のソース領域に電気的に接続されたデ
ータ線と、前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン
領域に電気的に接続される画素電極と、前記薄膜トラン
ジスタの半導体層のドレイン領域と前記画素電極との電
気的接続をなす遮光性の中間導電層と、前記データ線に
沿って設けられ、前記薄膜トランジスタの半導体層のド
レイン領域に位置する容量線と、前記中間導電層と同一
膜で形成される遮光膜と、前記データ線の領域下で、前
記容量線と前記遮光膜とを電気的に接続するコンタクト
ホールとを備えたことを特徴とする。
続するコンタクトホールをデータ線で覆うことにより、
該コンタクトホールの領域で、配向膜の表面に生じる凹
凸を低減することができる。また、遮光膜を容量電極と
して形成し、容量を増大することができる。
次に説明する実施の形態から明らかにされる。
基づいて説明する。
置の第1実施形態である液晶装置の構成について、図1
から図4を参照して説明する。図1は、電気光学装置の
画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数
の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図
2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTF
Tアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であ
り、図3は、図2のA−A’断面図である。尚、図3に
おいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめて
ある。また図4は、本実施形態における容量線及び走査
線の平面パターン(図4(a))を比較例における平面
パターン(図4(b))と比較して示す、容量線及び走
査線の一部を拡大して示す平面図である。
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素は、画素電極9aを制御するためのTF
T30が形成されており、画像信号が供給されるデータ
線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されて
いる。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、
…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、
相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ
毎に供給するようにしても良い。また、TFT30のゲ
ートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタ
イミングで、走査線3aに走査信号G1、G2、…、G
mを、この順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に
接続されており、スイッチング素子であるTFT30を
一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ
線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを
所定のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して液
晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、
…、Snは、対向基板(後述する)に形成された対向電
極(後述する)との間で一定期間保持される。液晶は、
印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変
化することにより、光を変調し、階調表示を可能にす
る。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光の透過光量が減少し、ノーマリーブラ
ックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光の
透過光量が増加し、全体として電気光学装置からは画像
信号に応じたコントラスト比を持つ光が出射する。ここ
で、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、
画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と
並列に、画素電極9aと電気的に接続された容量電極
と、容量線3bの一部である容量電極との間で、誘電体
膜を介して蓄積容量70を付加する。例えば、画素電極
9aの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁
も長い時間だけ蓄積容量70により保持される。これに
より、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い
電気光学装置が実現できる。
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極9
a(点線部9a’により輪郭が示されている)が設けら
れており、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられてい
る。画素電極9aは、中間導電層の一例を構成する第1
中間導電層80を中継して、第1コンタクトホール8a
及び第2コンタクトホール8bを介して半導体層1aの
うち後述のドレイン領域に電気的に接続されている。デ
ータ線6aは、第3コンタクトホール5を介してポリシ
リコン膜等からなる半導体層1aのうち後述のソース領
域に電気的に接続されている。また、半導体層1aのう
ちチャネル領域1a’(図中右下りの斜線の領域)に対
向するように走査線3aが配置されており、走査線3a
はゲート電極として機能する。このように、走査線3a
とデータ線6aとの交差する個所には夫々、チャネル領
域1a’に走査線3aがゲート電極として対向配置され
たTFT30が設けられている容量線3bは、走査線3
aと同一膜からなり、走査線3aと並行してほぼ直線状
に延びる部分と、データ線6aと交差する箇所からデー
タ線6aに沿って隣接する画素に関連する第3コンタク
トホール5の付近まで延びる部分とを有する。
1遮光膜11aであり、この第1遮光膜11aは少なく
ともTFT30の半導体層1aの下側に配置されてい
る。より具体的には図2において、第1遮光膜11aは
夫々、走査線3aに沿って縞状に形成されていると共
に、データ線6aと交差する箇所が図中下方に幅広に形
成されており、この幅広の部分により各TFTのチャネ
ル領域1a’及びその隣接領域をTFTアレイ基板側か
ら見て覆う位置に設けられている。尚、第1遮光膜11
aは本実施形態に示すように、走査線3aに沿った方向
に当該走査線3aの下方を縞状に延設して形成しても良
いし、データ線6aに沿った方向に当該データ線6aの
下方を縞状に延設して形成しても良い。あるいは、走査
線3a及びデータ線6aに沿って各々の下方を格子状に
延設して形成しても良い。また、第1遮光膜11aは、
画素電極9aがマトリクス状に複数形成された画像表示
領域の外側に延設されて、電気光学装置を駆動するため
の走査線駆動回路、データ線駆動回路等の周辺回路に供
給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向
電極に供給される定電位源のうち最適な定電位と電気的
に接続するようにすると良い。このように、第1遮光膜
11aを定電位に固定することによりTFT30の誤動
作を防ぐことができる。
第1中間導電層80とを電気的に接続する第1コンタク
トホール8aは、データ線6a下に設けられており、第
1中間導電層80と画素電極9aとを電気的に接続する
第2コンタクトホール8bは、相隣接するデータ線6a
間の中央付近における容量線3b上に設けられている。
また、データ線6aに沿って、第1中間導電層80と同
一膜からなる島状の第2中間導電層180が形成されて
いる。第2中間導電層180は、容量線3bにおけるデ
ータ線6aに沿って延びる部分に重ねられており、第2
中間導電層180と容量線3bとは、データ線6a下に
設けられたコンタクトホール18aにより相互に電気的
に接続されている。また、容量線3bは、第1コンタク
トホール8aが形成されたデータ線6a下の領域でデー
タ線6aと交差する遮光領域で、第1コンタクトホール
8aを避けるように括れて形成されており、容量線3b
が第1コンタクトホール8aと電気的な接触を持たない
ように構成されている。
チャネル領域1a’は、走査線3aとデータ線6aの交
差領域に対応して配置されている。また半導体層1aか
らなる高濃度ソース領域1d、低濃度ソース領域1b、
チャネル領域1a’、低濃度ドレイン領域1c及び高濃
度ドレイン領域1eはデータ線6aに重なるように、し
かもデータ線に覆われるように配置されている。さらに
高濃度ソース領域1d、低濃度ソース領域1b、チャネ
ル領域1a’、低濃度ドレイン領域1c及び高濃度ドレ
イン領域1eは走査線3aを挟んで一方側に延びるデー
タ線6aの下方に高濃度ソース領域1dと低濃度ソース
領域1bが配置され、他方側に延びるデータ線6aの下
方に低濃度ドレイン領域1cと高濃度ドレイン領域1e
が配置されている。さらに、高濃度ドレイン領域1eは
第1コンタクトホール8aを介して第1中間導電層80
に電気的に接続され、第1中間導電層80は、第2コン
タクトホール8bを介して画素電極9aに接続され、高
濃度ソース領域1dは第3コンタクトホール5を介して
データ線6aに電気的に接続されている。このように非
表示領域となるデータ線6aに重なるように第1コンタ
クトホール8aと第3コンタクトホール5を形成するた
め、コンタクトホールによる開口率の低下を防ぐことが
できる。また、コンタクトホールの存在により各画素の
開口領域に不規則な凹凸の発生を防ぐことができる。さ
らに半導体層はデータ線6aに重なるように配置されて
いるため、データ線が遮光膜として機能して半導体層へ
の光の侵入を防ぐことができる。
装置は、基板の一例を構成する透明なTFTアレイ基板
10と、これに対向配置される透明な対向基板20とを
備えている。TFTアレイ基板10は、例えば石英基板
やガラス基板やシリコン基板からなり、対向基板20
は、例えばガラス基板や石英基板からなる。TFTアレ
イ基板10には、画素電極9aが設けられており、その
上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された
配向膜16が設けられている。画素電極9aは例えば、
ITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性膜から
なる。また配向膜16は例えば、ポリイミド膜などの有
機膜からなる。
て対向電極21が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設
けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜22は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。
aに隣接する位置に、各画素電極9aをスイッチング制
御する画素スイッチング用TFT30が設けられてい
る。
に、各画素の遮光領域に、第2遮光膜23が設けられて
いる。後に詳述するように、この第2遮光膜23等によ
り、対向基板20の側から入射光が画素スイッチング用
TFT30の半導体層1aのチャネル領域1a’や、低
濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1cを含む
チャネル領域1a’の隣接領域に侵入することはない。
更に、第2遮光膜23は、コントラスト比の向上、カラ
ーフィルタを形成した場合における色材の混色防止など
の機能を有する。
電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基
板10と対向基板20との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入
され、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電
極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16
及び22により所定の配向状態をとる。液晶層50は、
例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、TFTアレイ基板10及び対
向基板20をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
用TFT30に各々対向する位置においてTFTアレイ
基板10と各画素スイッチング用TFT30との間に
は、第1遮光膜11aが設けられている。第1遮光膜1
1aは、好ましくは不透明な高融点金属であるTi(チ
タン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta
(タンタル)、Mo(モリブデン)及びPb(鉛)等を
少なくとも一つ含む、金属単体、合金、金属シリサイド
等から構成される。このような材料から構成すれば、画
素スイッチング用TFT30の形成工程における高温処
理により、第1遮光膜11aが破壊されたり溶融しない
ようにできる。第1遮光膜11aが形成されているの
で、TFTアレイ基板10側からの反射光等が光に対し
て励起しやすい画素スイッチング用TFT30のチャネ
ル領域1a’や低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン
領域1cに入射する事態を未然に防ぐことができ、光に
起因したリーク電流の発生により画素スイッチング用T
FT30の特性が変化することはない。
ッチング用TFT30との間には、下地絶縁膜12が設
けられている。下地絶縁膜12は、画素スイッチング用
TFT30を構成する半導体層1aを第1遮光膜11a
から電気的に絶縁するために設けられるものである。更
に、下地絶縁膜12は、TFTアレイ基板10の全面に
形成されることにより、画素スイッチング用TFT30
のための下地膜としての機能をも有する。即ち、TFT
アレイ基板10表面の研磨時における荒れや、洗浄後に
残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特性の劣
化を防止する機能を有する。下地絶縁膜12は、例え
ば、NSG(ノンドープトシリケートガラス)、PSG
(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケート
ガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)な
どの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコ
ン膜等からなる。下地絶縁膜12により、第1遮光膜1
1aが画素スイッチング用TFT30等を汚染する事態
を未然に防ぐこともできる。
同一の導電性ポリシリコン膜からなる容量線3bはその
下側において、半導体層1aのドレイン領域1eから延
設されてなる第1容量電極1fに対して、絶縁薄膜2を
介して対向配置され、第2容量電極として機能している
部分を有する。これにより、TFT30を構成するゲー
ト絶縁膜を含む絶縁薄膜2を用いて、大きな蓄積容量7
0を形成することができる。更に、容量線3bの一部は
その上側において第1中間導電層80の一部に対して、
第1層間絶縁膜81を介して対向配置されている。この
第1層間絶縁膜81を薄膜化することにより、更に大き
な蓄積容量70を形成することができる。このように、
容量線3bの下側のみならず、容量線3bの上側にも、
蓄積容量70を立体的に構築できるので、限られた遮光
領域を有効利用して蓄積容量70を増大できる。
らなる第2容量電極を延設して容量線3bを形成してい
るが、この態様によれば、専用の配線を必要としないの
で、工程増を招くことが無く有利である。走査線3bと
同一膜で容量線3bを形成できない場合は、各画素毎に
第2容量電極を島状に形成し、これに定電位を供給する
例えば第1遮光膜11aを蓄積容量形成用の配線として
代用しても良い。この場合、各画素毎に第1遮光膜11
aと第2容量電極を電気的に接続するようにすると良
い。第2容量電極には、電気光学装置を駆動するための
周辺回路(例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路
等)に供給される負電源、正電源等の定電位源、接地電
源、対向電極に供給される定電位源のうち最適な定電位
が供給されているため、第1容量電極1f及び中間導電
層80との間で安定した蓄積容量70を構築することが
できる。
うに、第1コンタクトホール8aは、平面的に見てデー
タ線6aに重なる位置に開孔されている。従って、走査
線3aや容量線3bを構成する導電性のポリシリコン膜
の下側と上側に夫々位置する半導体層1aと第1中間導
電層80とを接続する第1コンタクトホール8aが存在
しても、データ線6aに沿って広がる遮光領域を利用し
て、走査線3aや容量線3bを第1コンタクトホール8
aを避けて配線することが容易となる。この様子を図4
(a)に拡大して示す。
データ線6a’に重なっていない走査線3a’部分と容
量線3b’部分とが並んで配置された領域に、第1コン
タクトホール8a’を開孔する場合には、第1コンタク
トホール8a’を避けるように容量線3b’や走査線3
a’を第1コンタクトホール8a’の周りで括れさせる
必要が生じる。しかし、括れ部分が大きいと、容量線3
b’や走査線3a’の配線幅が局所的に狭くなり、配線
抵抗が大きくなる。これにより、信号遅延やクロストー
ク等の表示不良を発生してしまう。このため、走査線3
a’方向の遮光領域の幅W’は、図4(a)に示した本
実施形態における走査線3a方向の遮光領域の幅Wより
も大きくなる(即ち、W’>W)。即ち、比較例と比較
して、本実施形態では、走査線3a方向の遮光領域の幅
Wが狭くて済む分だけ各画素の開口領域を広げることが
可能となるのである。
a方向の遮光領域と走査線3a方向の遮光領域の交差部
で第1コンタクトホール8aを設けることで、当該第1
コンタクトホール8aの存在及びこれを避けて配線され
る容量線3bの存在に起因してそれらの上方(配向膜1
6の表面)に生じる不規則な凹凸を低減することが可能
となる。また、画素の開口領域から離間している。この
ため、第1コンタクトホール8aを開孔することにより
生じる不規則な凹凸の影響を効率的に低減できる。この
ように画素電極9a付近における配向膜16表面の凹凸
が低減されていれば、画素電極9a付近におけるラビン
グ処理を均一に行うことが可能となり且つ液晶層50の
層厚を均一化できる。この結果、液晶層50の配向不良
を低減できる。
て延びる部分には、第1コンタクトホール8aを避ける
ための括れが無い分だけ第1容量電極1fに対向配置さ
れる第2容量電極の面積を増加させることができ、この
第2容量電極と第1容量電極1fとにより構築可能な蓄
積容量70を増大できる。
第2コンタクトホール8bは、平面的に見て走査線3a
に沿った各画素の遮光領域のうち相隣接する2本のデー
タ線6a間のほぼ中央に開孔されている。このため、第
2コンタクトホール8b上における配向膜16の凹凸
を、各画素の開口領域の一辺に沿った遮光領域のほぼ中
央付近に配置させることができる。これにより、第2コ
ンタクトホール8b上における配向膜16表面の凹凸に
よる悪影響を各画素毎に左右対称にでき、全画素を巨視
的に見た場合における各画素の表示不良を平均化でき
る。
トホール8bの開孔位置についての自由度は高く、第1
中間導電層80上で、データ線6aと重なっていない領
域であれば、任意の位置に第2コンタクトホール8bを
開孔可能である。
ホール8bを容量線3bに重なる位置に開孔することに
より、第2コンタクトホール8bが開孔された平面領域
にも蓄積容量70を構築することができ、有利である。
の絶縁薄膜2は、高温酸化等によりポリシリコン膜上に
形成されるTFT30のゲート絶縁膜に他ならないの
で、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、他の誘
電体膜としての第1層間絶縁膜81は絶縁薄膜2と同様
に薄く形成することが可能である。従って、これらの誘
電体膜を薄く構成することにより、より一層小さい領域
で大容量の蓄積容量70を構築できる。
によれば、画素開口率を高めると同時に蓄積容量70を
増大させることができ、しかも画素電極9a付近におけ
る配向膜16の表面に不規則な凹凸が生じることによる
表示画像の品位低下を低減できる。これらの結果、明る
くてコントラスト比が高く、フリッカー、ゴースト、ク
ロストーク等の表示不良の低減された高品位の画像表示
が可能となる。
FT30は、LDD(Lighty DopedDrain)構造を有し
ており、走査線3a、当該走査線3aからの電界により
チャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1
a’、走査線3aと半導体層1aとを絶縁する絶縁薄膜
2、データ線6a、半導体層1aの低濃度ソース領域1
b及び低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度
ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備えて
いる。高濃度ドレイン領域1eには、複数の画素電極9
aのうちの対応する一つが第1中間導電層80を中継し
て接続されている。本実施形態では特にデータ線6a
は、Al等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金
膜などの遮光性且つ導電性の薄膜から構成されている。
第1層間絶縁膜81には、高濃度ソース領域1dへ通じ
る第3コンタクトホール5及び高濃度ドレイン領域1e
へ通じる第1コンタクトホール8aが各々形成されてい
る。
トホール8aを介して高濃度ドレイン領域1eに接続さ
れた第1中間導電層80と、コンタクトホール18aを
介して容量線3bと接続された第2中間導電層180と
が形成されている。
膜4が形成されている。第2層間絶縁膜4上には、デー
タ線6aが形成されており、データ線6aは、第2層間
絶縁膜4に開孔された第3コンタクトホール5を介して
高濃度ドレイン領域1dに電気的に接続されている。
上には、第1中間導電層80への第2コンタクトホール
8bが形成された第3層間絶縁膜7が形成されている。
第2コンタクトホール8bを介して、画素電極9aは第
1中間導電層80に電気的に接続されている。画素電極
9aは、このように構成された第3層間絶縁膜7の上面
に設けられている。
くは上述のようにLDD構造を持つが、低濃度ソース領
域1b及び低濃度ドレイン領域1cに不純物の打ち込み
を行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線3a
の一部であるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物
を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域1d及び高
濃度ドレイン領域1eを形成するセルフアライン型のT
FTであってもよい。
TFT30の走査線3aの一部からなるゲート電極を高
濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1e間に1
個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの
間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。このよう
にデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でTFTを
構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域接合部
のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減すること
ができる。これらのゲート電極の少なくとも1個をLD
D構造或いはオフセット構造にすれば、更にオフ電流を
低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができ
る。
する。
層80は、半導体層1aと画素電極9aとの間に介在し
ており、高濃度ドレイン領域1eと画素電極9aとを第
1コンタクトホール8a及び第2コンタクトホール8b
を経由して電気的に接続する。
まで一つのコンタクトホールを開孔する場合と比較し
て、第1コンタクトホール8a及び第2コンタクトホー
ル8bの径を夫々小さくできる。即ち、一つのコンタク
トホールを開孔する場合には、エッチング時の選択比が
低いとコンタクトホールを深く開孔する程エッチング精
度は落ちるため、例えば50nm程度の非常に薄い半導
体層1aにおける突き抜けを防止するためには、コンタ
クトホールの径を小さくできるドライエッチングを途中
で停止して、最終的にウエットエッチングで半導体層1
aまで開孔するように工程を組まねばならない。或い
は、ドライエッチングによる突き抜け防止用の膜を別途
設けたりする必要が生じてしまうのである。
a及び高濃度ドレイン領域1eを2つの直列な第1コン
タクトホール8a及び第2コンタクトホール8bにより
接続すればよいので、これら第1コンタクトホール8a
及び第2コンタクトホール8bを夫々、ドライエッチン
グにより開孔することが可能となるのである。或いは、
少なくともウエットエッチングにより開孔する距離を短
くすることが可能となるのである。但し、第1コンタク
トホール8a及び第2コンタクトホール8bに夫々、若
干のテーパーを付けるために、ドライエッチング後に敢
えてウエットエッチングを行うようにしてもよい。以上
のように本実施形態によれば、第1コンタクトホール8
a及び第2コンタクトホール8bの径を夫々小さくで
き、第1コンタクトホール8aにおける第1中間導電層
80の表面に形成される窪みや凹凸も小さくて済むの
で、その上方に位置する画素電極9aの部分における平
坦化が促進される。更に、第2コンタクトホール8bに
おける画素電極9aの表面に形成される窪みや凹凸も小
さくて済むので、この画素電極9aの部分における平坦
化が促進される。更に本実施形態では、このように第1
層間絶縁膜81を薄く形成することにより、第2コンタ
クトホール8bの径を更に小さく出来る。
は、例えば第1遮光膜11aと同様に、不透明な高融点
金属であるTi、Cr、W、Ta、Mo及びPb等を少
なくとも一つ含む、金属単体、合金、金属シリサイド等
が挙げられる。これらから構成すれば、高融点金属と画
素電極9aを構成するITO膜とが接触しても高融点金
属が腐食することはないため、第2コンタクトホール8
bを介して第1中間導電層80及び画素電極9a間で良
好に電気的な接続がとれる。但し、第1中間導電層80
は、導電性のポリシリコン膜から構成してもよい。この
場合でも、蓄積容量70を増加させる機能及び中継機能
は十分に発揮し得る。この場合には特に、第1層間絶縁
膜81との間で熱等によるストレスが発生しにくくなる
ので、クラック防止に役立つ。
ば50nm以上500nm以下程度とするのが好まし
い。第1中間導電層80の膜厚が50nm程度であれ
ば、製造プロセスにおける第2コンタクトホール8bの
開孔時に突き抜ける可能性は低くなり、また500nm
程度であれば画素電極9aの表面の凹凸は問題とならな
いか或いは比較的容易に平坦化可能だからである。但
し、第1中間導電層80は高融点金属膜やその合金膜か
ら構成すれば、金属膜と層間絶縁膜とのエッチングにお
ける選択比が大きく異なるため、前述の如きドライエッ
チングによる突き抜けの可能性は殆ど無い。
間導電層80及び第2中間導電層180は、遮光性の導
電膜である高融点金属膜からなる。従って、対向基板2
0上にある第2遮光膜23及びTFTアレイ基板10上
にあるデータ線6aのみならず、第1中間導電層80及
び第2中間導電層180により、TFT30のチャネル
領域1a’やその隣接領域を遮光できる。これにより、
対向基板20側から強力な入射光が入射しても、トラン
ジスタ特性の変化を防止できる。このため本実施形態の
電気光学装置は、例えばプロジェクタのライトバルブ用
途の如く強力な入射光が入射される場合に有効である。
第1中間導電層80及び第2中間導電層180は、各画
素の開口領域の一部を規定するように幅広に構成されて
いるので、これらが存在する遮光領域には、対向基板2
0上に第2遮光膜23を形成したり開口領域を規定する
ためにデータ線6bの幅を広めて形成しなくてもよい。
6aに沿った各画素の遮光領域では、データ線6aの幅
Wdと、容量線3bの突出部分の幅Wcと、第2中間導
電層180の幅Wmとの間には、Wd<Wc<Wmなる
関係が成立するように、これらのデータ線6a、容量線
3b及び第2中間導電層180は平面レイアウトされて
いる。従って、対向基板20側からの入射光に対して
は、TFTアレイ基板10上においてデータ線6a及び
第2中間導電層180という二重の遮光が可能となる。
仮に高反射率のAl膜からなるデータ線6aのみにより
TFT30の遮光を行った場合には、基板面に対して傾
斜した投射光や戻り光がデータ線6aの内面で反射され
て多重反射光として最終的にチャネル領域1a’やその
隣接領域に至ってしまう。しかしながら、本実施形態で
は、第1中間導電層80及び第2中間導電層180を低
反射率の高融点金属膜やポリシリコン膜から形成するこ
とにより且つ第2中間導電層180をデータ線6aより
も幅広(Wd<Wm)に形成することにより、上述の如
き内面反射による多重反射光を減衰できる。従って、プ
ロジェクタのライトバルブ用途のように強力な入射光や
反射光が存在する用途では本実施形態の構成は大変有益
である。
て、画素電極9aにおけるデータ線6aに沿った縁部分
は、第2中間導電層180の縁部分に重ねるようにし、
画素電極9aにおけるデータ線6aに沿った縁部分は、
データ線6aの縁部分にほとんど重ねない。このよう
に、第2中間導電層180で遮光領域を規定し、データ
線6aと画素電極9aを極力重ねないようにすること
で、ソース及びドレイン間の寄生容量を大幅に低減する
ことができる。これにより、コントラスト比の低下や、
クロストーク、ゴースト等の表示不良の発生を抑制し、
高品位な電気光学装置を実現できる。
6aと第2中間導電層180との間にある第2層間絶縁
膜4は、その膜厚が500〜2000nmとなるように
形成される。このような膜厚条件に加えて、第2中間導
電層180は、コンタクトホール18aを介して容量線
3bに接続されているので、データ線6aと第2中間導
電層180との間における寄生容量についても実用上無
視できる程度に小さくできる。尚、より具体的な膜厚に
ついては、要求される画像品位や装置仕様に応じて、実
験、理論計算、シミュレーション等により、個別具体的
に決めればよい。
遮光膜11aは、TFTアレイ基板1上の周辺領域に引
き出されて、定電位線に接続される。このように構成す
れば、第1遮光膜11aを一定電位に固定でき、下地絶
縁膜12を介して第1遮光膜11a上に形成されるTF
T30の特性を、第1遮光膜11aにおける電位変動に
より変化させることはない。この場合、定電位源として
は、当該電気光学装置を駆動するための走査線駆動回
路、データ線駆動回路等の周辺回路に供給される負電
源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極21に供
給される定電位源等が挙げられる。容量線3aと第1遮
光膜11aが電気的に接続されていても良い。このよう
な構成を採れば、蓄積容量形成用の配線を冗長構造で形
成でき、有利である。
上のような構成を持つ第1実施形態の電気光学装置の製
造プロセスについて、図5及び図6を参照して説明す
る。ここに、図5及び図6は各工程におけるTFTアレ
イ基板側の各層を、図3と同様に図2のA−A’断面に
対応させて順を追って示す工程図である。
基板、ガラス基板、シリコン基板等のTFTアレイ基板
10を用意する。ここで、好ましくはN2(窒素)等の
不活性ガス雰囲気且つ約900〜1300℃の高温で熱
処理し、後に実施される高温プロセスにおけるTFTア
レイ基板10に生じる歪みが少なくなるように前処理し
ておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理
される温度に合わせて、事前にTFTアレイ基板10を
同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、
このように処理されたTFTアレイ基板10の全面に、
Ti、Cr、W、Ta、Mo及びPb等の金属や金属シ
リサイド等の金属合金膜を、スパッタリング等により、
100〜500nm程度の膜厚、好ましくは約200n
mの膜厚の遮光性導電膜を形成した後、フォトリソグラ
フィ及びエッチングを行うことにより、第1遮光膜11
aを形成する。尚、第1遮光膜11a上に、表面反射を
緩和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成し
ても良い。
遮光膜11aの上に、例えば、常圧又は減圧CVD法等
によりTEOS(テトラ・エチル・オルソ・シリケー
ト)ガス、TEB(テトラ・エチル・ボートレート)ガ
ス、TMOP(テトラ・メチル・オキシ・フォスレー
ト)ガス等を用いて、NSG、PSG、BSG、BPS
Gなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなる下地絶縁膜12を形成する。この下
地絶縁膜12の膜厚は、例えば、約500m〜2000
nmとする。
絶縁膜12の上に、約450〜550℃、好ましくは約
500℃の比較的低温環境中で、流量約400〜600
cc/minのモノシランガス、ジシランガス等を用い
た減圧CVD(例えば、圧力約20〜40PaのCV
D)により、アモルファスシリコン膜を形成した後、窒
素雰囲気中で、約600〜700℃にて約1〜10時
間、好ましくは、4〜6時間の熱処理を施することによ
り、アモルファスシリコン膜を約50〜200nmの厚
さ、好ましくは約100nmの厚さとなるまで固相成長
させポリシリコン膜を形成する。固相成長させる方法と
しては、RTA(Rapid Thermal Anneal)を使った熱処
理でも良いし、エキシマレーザー等を用いたレーザーア
ニールでも良い。
して、nチャネル型の画素スイッチング用TFT30を
作成する場合には、当該チャネル領域にSb(アンチモ
ン)、As(砒素)、P(リン)などのV族元素の不純
物を僅かにイオン注入等によりドープしても良い。ま
た、画素スイッチング用TFT30をpチャネル型とす
る場合には、B(ボロン)、Ga(ガリウム)、In
(インジウム)などのIII族元素の不純物を僅かにイオ
ン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシ
リコン膜を経ないで、減圧CVD法等によりポリシリコ
ン膜1を直接形成しても良い。或いは、減圧CVD法等
により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち
込んで一旦非晶質化し、その後熱処理等により再結晶化
させてポリシリコン膜1を形成しても良い。
スイッチング用TFT30を構成する半導体層1aを約
900〜1300℃の温度、好ましくは約1000℃の
温度により熱酸化することにより、約20〜150nm
の比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜からなる単一層構
造の絶縁薄膜2を形成する。但し、係る熱酸化シリコン
膜を30nm以下程度に薄く形成した後に、減圧CVD
法等により高温酸化シリコン膜(HTO膜)や窒化シリ
コン膜からなる絶縁薄膜を約50nmの比較的薄い厚さ
に堆積し、これらの熱酸化シリコン膜及び絶縁薄膜を含
む多層構造を持つ絶縁薄膜2を形成してもよい。このよ
うに複数層構造にすれば、高温熱酸化時間を短くするこ
とにより、特に8インチ以上の大型基板を使用する場合
に熱によるそりを防止することができる。
30〜150nmの厚さ、好ましくは約35〜50nm
の厚さとなり、絶縁薄膜2の厚さは、約20〜150n
mの厚さ、好ましくは約30〜100nmの厚さとな
る。
トリソグラフィ工程、エッチング工程等によりレジスト
層500を第1容量電極1fとなる部分を除く半導体層
1a上に形成した後、例えばPイオンをドーズ量約3×
1012/cm2でドープして、第1容量電極1fを低
抵抗化しても良い。
レジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッ
チング工程等により、走査線3aと共に容量線3bを形
成する。更に、画素スイッチング用TFT30をLDD
構造を持つnチャネル型のTFTとする場合、半導体層
1aに、先ず低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン
領域1cを形成するために、走査線3aの一部であるゲ
ート電極をマスクとして、PなどのV族元素の不純物を
低濃度で(例えば、Pイオンを1〜3×101 3/cm
2のドーズ量にて)ドープする。これにより走査線3a
下の半導体層1aはチャネル領域1a’となる。
スイッチング用TFT30を構成する高濃度ソース領域
1d及び高濃度ドレイン領域1eを形成するために、走
査線3aよりも幅の広いマスクでレジスト層600を走
査線3a上に形成した後、同じくPなどのV族元素の不
純物を高濃度で(例えば、Pイオンを1〜3×101 5
/cm2のドーズ量にて)ドープする。また、画素スイ
ッチング用TFT30をpチャネル型とする場合、半導
体層1aに、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン
領域1c並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイ
ン領域1eを形成するために、BなどのIII族元素の不
純物を用いてドープすれば良い。
スト層600を除去した後、走査線3a及び容量線3b
上に、減圧CVD法、プラズマCVD法等により高温酸
化シリコン膜(HTO膜)や窒化シリコン膜を約200
nm以下の薄い厚さに堆積することにより、第1層間絶
縁膜81を形成する。但し、このように絶縁膜を堆積す
る前に、石英基板等からなるTFTアレイ基板10上に
おける高温プロセスを利用して、高耐圧であり比較的薄
くて欠陥の少ない酸化膜を形成して、係る酸化膜を含め
て吹く複数層構造を有する第1層間絶縁膜81を形成し
てもよい。
中間導電層80と高濃度ドレイン領域1eとを電気的に
接続するための第1コンタクトホール8aを、反応性イ
オンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のド
ライエッチングにより第1層間絶縁膜81に開孔する。
このようなドライエッチングは、指向性が高いため、小
さな径の第1コンタクトホール8aを開孔可能である。
或いは、第1コンタクトホール8aが半導体層1aを突
き抜けるのを防止するのに有利なウエットエッチングを
併用してもよい。このウエットエッチングは、第1コン
タクトホール8aに対し、より良好に電気的な接続をと
るためのテーパーを付与する観点からも有効である。本
実施形態では、第1コンタクトホール8aの開孔と同時
に第2中間導電層180と容量線3bとを接続するため
のコンタクトホール18aも開孔する。これにより、工
程の増加を防ぐことができる。
1層間絶縁膜81上に、第1遮光膜11aと同じく、T
i、Cr、W、Ta、Mo及びPd等の金属や金属シリ
サイド等の金属合金膜やポリシリコン膜をスパッタリン
グ等により堆積した後、フォトリソグラフィ及びエッチ
ング処理により、第1中間導電層80を形成する。これ
と同時に、第2中間導電層180も形成する。尚、これ
らの第1中間導電層80及び第2中間導電層180上に
は、表面反射を緩和するためにポリシリコン膜等の反射
防止膜を形成しても良いし、高濃度ドレイン領域1eと
第1中間導電層80の接続抵抗を小さくするために、第
1中間導電層80及び第2中間導電層180の層構造を
下層にポリシリコン膜、上層に高融点金属といった2層
構造以上で形成しても良い。
査線3a、容量線3b、第1層間絶縁膜81及び下地絶
縁膜12からなる積層体における段差のある上面を覆う
ように、例えば、常圧又は減圧CVD法やTEOSガス
等を用いて、NSG、PSG、BSG、BPSGなどの
シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜
等からなる第2層間絶縁膜4を形成する。尚、第2層間
絶縁膜4を形成した後に、半導体層1aを活性化するた
めに約1000℃の熱処理を行っても良い。
トホール5をエッチングにより第2層間絶縁膜4、第1
層間絶縁膜81及び絶縁薄膜2に開孔し、その上にデー
タ線6aをスパッタリング法等により約100〜500
nmの厚さのAl等の低抵抗金属膜や金属シリサイド膜
から形成し、その上に第3層間絶縁膜7をCVD法等に
より形成する。
縁膜4に第2コンタクトホール8bをエッチングにより
開孔し、最後にITO膜からなる画素電極9aを第2コ
ンタクトホール8bを介して第1中間導電層80と電気
的な接続がとれるように形成する。特にこの工程(1
1)においては、第3コンタクトホール5の開孔時に、
走査線3aや容量線3bを基板周辺領域において図示し
ない配線と接続するためのコンタクトホールも、第1層
間絶縁膜81や第2層間絶縁膜4に同時に開孔するとよ
い。また、データ線6aは、約100〜500nm、好
ましくは約300nm程度に堆積し、第3層間絶縁膜7
は、約500〜1500nm程度に堆積するとよい。ま
た、第2コンタクトホール8aは、反応性イオンエッチ
ング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチ
ングにより形成すればよいが、テーパー状にするために
ウェットエッチングを用いても良い。更に、画素電極9
aは、約50〜200nm程度の厚さに堆積するとよ
い。尚、当該電気光学装置を反射型の液晶装置に用いる
場合には、Al等の反射率及び遮光性の高い材料から画
素電極9aを形成してもよい。
セスによれば、上述した本実施形態の電気光学装置を比
較的容易に製造できる。加えて、画素スイッチング用T
FT30は半導体層1aをポリシリコンで形成するの
で、画素スイッチング用TFT30の形成時にほぼ同一
工程で、周辺回路を形成することも可能である。
電極9aが形成される段階で、膜面が平坦化されている
ように第2層間絶縁膜4や第3層間絶縁膜7の表面をC
MP法等により平坦化しても良い。或いはTFTアレイ
基板10の所定領域にエッチングを予め施して凹状の窪
みを形成して、その後の工程を同様に行うことにより結
果的に第3層間絶縁膜7の表面が平坦化されるようにし
ても良いし、第2層間絶縁膜4や下地絶縁膜12を凹状
に窪めて形成しても良い。このように、画素電極9aが
形成される段階で、下地の膜面が平坦化されていれば、
段差による液晶のディスクリネーションの発生を極力抑
えることができ、コントラスト比の低下等の表示不良を
招くことがない。
置の第2実施形態である液晶装置の構成について、図7
及び図8を参照して説明する。図7は、データ線、走査
線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接
する複数の画素群の平面図であり、図8は、図7のA−
A’断面図である。尚、図8においては、各層や各部材
を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や
各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
は、第1実施形態における第1中間導電層80及び第2
中間導電層180が分離されておらずに、各画素毎にL
字形状の一つの中間導電層80’として設けられている
点と、これに伴って第1実施形態における第2中間導電
層180と容量線3bとを接続するためのコンタクトホ
ール18aが開孔されていない点とが異なり、その他の
構成については第1実施形態の場合と同様である。尚、
図7及び図8においては、第1実施例に係る図2及び図
3と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、
それらの説明については省略する。
80’は、データ線6aに沿った容量線3bの部分と第
2層間絶縁膜4を介して重ねられ、蓄積容量70を形成
する。従って、データ線6aに沿った遮光領域におい
て、半導体層1aの高濃度ドレイン領域1eから延設さ
れた第1容量電極1fと容量線3bとを対向配置させ、
且つ容量線3bと中間導電層80’とを対向配置させる
ことができる。この結果、第2実施形態によれば、デー
タ線6aに沿った遮光領域にも、立体的な蓄積容量70
を構築できるため、小さな領域に効率的に大きな蓄積容
量を形成することができ、画素の高開口率化や画素ピッ
チの微細化が進んだ際に、非常に有利な構造である。
置の第3実施形態である液晶装置の構成について、図9
及び図10を参照して説明する。図9は、データ線、走
査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図であり、図10は、図9の
A−A’断面図である。尚、図10においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
形態に係る図2及び図3若しくは第2実施形態に係る図
7及び図8と同様の構成要素については同様の参照符号
を付し、それらの説明については省略する。
80’は、データ線6aに沿った容量線3b”のデータ
線6aに沿った部分に第2層間絶縁膜4を介して重ねら
れており、この領域でも蓄積容量70を形成している。
従って、データ線6aに沿った遮光領域において、半導
体層1aの高濃度ドレイン領域1eが延設されて容量電
極をなす第1容量電極1fと容量線3b”とを対向配置
させることができ、且つ容量線3b”と中間導電層8
0’とを対向配置させることができる。これに加えて第
2実施形態の場合と異なり、第1コンタクトホール8
a”が平面的に見て容量線3b”のデータ線6aに沿っ
た部分の先端より更に先で中間導電層80’と半導体層
1aが電気的に接続できるように設けるため、容量線3
b”に括れを設ける必要がなくなり、更に画素の開口率
を高め、且つ蓄積容量70を増大することができる。
クトホールの平面形状は、円形や四角形或いはその他の
多角形状等でもよいが、円形は特にコンタクトホールの
周囲の層間絶縁膜等におけるクラック防止に役立つ。
置の第4実施形態である液晶装置の構成について、図1
1及び図12を参照して説明する。図11は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図12は、
図11のA−A’に沿った断面図である。尚、図12に
おいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめて
ある。第1実施形態と同一の部材については同一の符号
を付し詳細な説明は省略する。
開口領域のほぼ中心に走査線3a及びデータ線6aを設
けている。半導体層1aは、走査線3aと交差するよう
にデータ線6aの下方に配置する。図12に示すように
データ線6aと半導体層1aの高濃度ソース領域1d
は、データ線6aの下方において第3コンタクトホール
5を介して電気的に接続されている。また、半導体層1
aの高濃度ドレイン領域1eと中間導電層80aは、デ
ータ線6aの下方において第1コンタクトホール8
a’’’を介して電気的に接続されている。このように
半導体層1aを遮光性のデータ線6aの下方に配置する
ことにより、対向基板20側から入射される光が直接半
導体層1aに照射されることを防ぐ効果がある。更に、
半導体層1aと第3コンタクトホール5及び第1コンタ
クトホール8a’’’を、走査線3a方向の非開口領域
及びデータ線6a方向の非開口領域の中心線に対して線
対称に形成することにより、段差形状をデータ線6aに
対して左右対称にすることができ、液晶の回転方向によ
る光抜けの差がなくなるので有利である。
を介して第1遮光膜11aが形成されている。第1遮光
膜11aはデータ線6a方向及び走査線3a方向に沿っ
て、マトリクス状に形成されている。半導体層1aは第
1遮光膜11aの内側に配置されており、TFTアレイ
基板10側からの戻り光が、直接半導体層1aに照射さ
れることを防ぐ効果がある。
点金属等を含む導電膜から成り、半導体層1aと画素電
極9aの層間において、走査線3a及びデータ線6aに
沿って略T字型に延設され、半導体層1aと画素電極9
aを電気的に接続するためのバッファとしての機能を果
たす。具体的には、半導体層1aの高濃度ドレイン領域
1eと導電性の中間導電層80aを第1コンタクトホー
ル8a’’’において電気的に接続し、中間導電層80
aと画素電極9aを第2コンタクトホール8bにおいて
電気的に接続されている。このような構成を採る事によ
り、層間絶縁膜に対して深いコンタクトホールを開孔す
る場合でも、エッチング選択比が大きい中間導電層80
aを設けることにより、コンタクトホール開孔時に半導
体層1aを突抜けてしまう危険を回避する事ができる。
尚、データ線6aと半導体層1aの高濃度ソース領域1
dとを電気的に接続するための第3コンタクトホール5
においても同様に、中間導電層80aと同一膜で中継さ
せても良い。
aに層間絶縁膜91が積層され、その上に遮光性の導電
膜90aを形成している。遮光性の導電膜90aは、第
2コンタクトホール8bを除いて中間導電層80aを覆
うように走査線3a方向に画像表示領域の外側まで延設
され、走査線駆動回路やデータ線駆動回路等に供給され
る負電源、正電源等の定電位源、接地電源、あるいは対
向電極に供給される定電位源等のいずれかと電気的に接
続することにより電位が固定されている。したがって、
中間導電層80aを一方の容量電極とし、遮光性の導電
膜90aを他方の容量電極として図1に示す蓄積容量7
0を形成することができる。この際、層間絶縁膜91が
蓄積容量70の誘電体膜として機能することは言うまで
もない。ここで、層間絶縁膜91は蓄積容量70を形成
するためだけに積層するので、中間導電層80aと遮光
性の導電膜90aとの間でリークしない膜厚まで層間絶
縁膜91を薄膜化することにより、蓄積容量70を増大
できる。更に、本実施形態では層間絶縁膜81を厚く形
成することにより、中間導電層80aをTFT30や走
査線3aの上方まで延設することができるため、蓄積容
量70を効率良く増大させることができる。更に、第4
実施形態では半導体層1aを延設して容量電極を形成し
ていない。これにより、走査線3aと同一膜で蓄積容量
を形成するための容量電極及び容量線を形成する必要が
ないため、図11に示すように、走査線3aを遮光性の
導電膜90aや第1遮光膜11aから規定される非開口
領域のほぼ中心に配置することができる。また、ポリシ
リコン膜から成る半導体層1aは膜の低抵抗化をする必
要がないので、容量電極形成部に不純物を打ち込まなく
ても良く、工程を削減する事ができる。
領域1a’は、走査線3aとデータ線6aの交差部に形
成することで、データ線6a方向と走査線3a方向の非
開口領域のほぼ中心に設けることができる。これによ
り、対向基板20側からの入射光やTFTアレイ基板1
0側からの戻り光に対して、最も光が照射されにくい位
置になるため、光によるTFT30のリーク電流を大幅
に低減することができる。
に、チャネル領域1a’付近において、遮光性の導電膜
90a,中間導電層80a,第1遮光膜11aの順にパ
ターン幅を狭く形成する事により、入射光が直接第1遮
光膜11aに照射されないように工夫してある。また、
遮光性の導電膜90aと半導体層1aの間にポリシリコ
ン膜からなる中間導電層80aを介在させる事により、
第1遮光膜11a表面での反射光やTFTアレイ基板1
0側からの戻り光を吸収させる効果を持たせる事がで
き、耐光性に有利である。
遮光性の導電膜90a,第1遮光膜11a等によりTF
Tアレイ基板10上で非開口領域を形成できるため、対
向基板20に遮光膜を設けなくても良い。これにより、
TFTアレイ基板10と対向基板20を機械的に貼り合
わせる際に、アライメントがずれたとしても対向基板2
0上に遮光膜がないため、光が透過する領域(開口領
域)が変化することはない。これにより、常に安定した
画素開口率が得られるため、装置不良を大幅に低減する
ことができる。
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図13及び図14を参照して説明する。尚、図13
は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図
14は、図13のH−H’断面図である。
上には、シール材52がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば第2遮光膜23と同じ
或いは異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定す
る額縁としての第3遮光膜53が設けられている。シー
ル材52の外側の領域には、データ線6aに画像信号を
所定タイミングで供給することによりデータ線6aを駆
動するデータ線駆動回路101及び外部回路接続端子1
02がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられて
おり、走査線3aに走査信号を所定タイミングで供給す
ることにより走査線3aを駆動する走査線駆動回路10
4が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられてい
る。走査線3aに供給される走査信号の遅延が問題にな
らないのならば、走査線駆動回路104は片側だけでも
良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路1
01を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよ
い。更にTFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表
示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104間をつ
なぐための複数の配線105が設けられている。また、
対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所において
は、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気
的な導通をとるための上下導通材106が設けられてい
る。そして、図14に示すように、図13に示したシー
ル材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が当該シー
ル材52によりTFTアレイ基板10に固着されてい
る。尚、TFTアレイ基板10上には、これらのデータ
線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、
複数のデータ線6aに画像信号を所定のタイミングで印
加するサンプリング回路、複数のデータ線6aに所定電
圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々
供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電
気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等
を形成してもよい。
実施形態では、データ線駆動回路101及び走査線駆動
回路104をTFTアレイ基板10の上に設ける代わり
に、例えばTAB(Tape Automated Bonding)基板上に
実装された駆動用LSIに、TFTアレイ基板10の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
20の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板10の
出射光が出射する側には各々、例えば、TN(Twisted
Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、
PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等
の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリ
ーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差
フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
装置は、カラー表示のプロジェクタに適用されるため、
3枚の電気光学装置がR(赤)G(緑)B(青)用のラ
イトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各
々RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解
された各色の光が投射光として各々入射されることにな
る。従って、各実施形態では、対向基板20に、カラー
フィルタは設けられていない。しかしながら、第2遮光
膜23の形成されていない画素電極9aに対向する所定
領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜と共に、対
向基板20上に形成してもよい。あるいは、TFTアレ
イ基板10上のRGBに対向する画素電極9a下にカラ
ーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能
である。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型
や反射型のカラー電気光学装置に各実施形態における電
気光学装置を適用できる。更に、対向基板20上に1画
素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよ
い。このようにすれば、入射光の集光効率を向上するこ
とで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対
向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆
積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出
すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイ
クロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい
カラー表示用の電気光学装置が実現できる。
光学装置では、従来と同様に入射光を対向基板20の側
から入射することとしたが、第1遮光膜11aを設けて
いるので、TFTアレイ基板10の側から入射光を入射
し、対向基板20の側から出射するようにしても良い。
即ち、このように電気光学装置をプロジェクタに取り付
けても、半導体層1aのチャネル領域1a’やその隣接
領域に光が入射することを効果的に防ぐことが出来、高
画質の画像を表示することが可能である。この際、TF
Tアレイ基板10の裏面側での反射を防止するための反
射防止用のAR(Anti Reflection)被膜された偏光板を
別途配置したりARフィルムを貼り付ける必要もなく、
その分だけ、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付
け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがな
く大変有利である。また、耐光性が優れているため、明
るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏
光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロ
ストーク等の画質劣化を生じない。
子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコ
ンTFTであるとして説明したが、逆スタガ型のTFT
やアモルファスシリコンTFT等の他の形式のTFTに
対しても、各実施形態は有効である。
形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全
体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲
で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光
学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。
ける画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素
に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図である。
ターンを比較例における平面パターンと比較して示す、
容量線及び走査線の一部を拡大して示す平面図である。
の実施形態における画像表示領域についての各工程を順
を追って示す工程図(その1)である。
の実施形態における画像表示領域についての各工程を順
を追って示す工程図(その2)である。
タ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基
板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
タ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基
板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の
側から見た平面図である。
Claims (22)
- 【請求項1】 基板上に設けられた薄膜トランジスタ
と、 前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域に電気
的に接続される画素電極と、 前記薄膜トランジスタの半導体層と前記画素電極との間
に絶縁膜を介して設けられた複数の配線と、 前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域と前記
画素電極との電気的接続をなす中間導電層と、 前記複数の配線のうち少なくとも1つの配線の領域下
で、前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域と
前記中間導電層とを電気的に接続する第1コンタクトホ
ールとを備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項2】 前記第1コンタクトホールの径は、前記
中間導電層と前記画素電極とを電気的に接続する第2コ
ンタクトホールの径より小さいことを特徴とする請求項
1に記載の電気光学装置。 - 【請求項3】 前記複数の配線のうち少なくとも1つの
配線は、前記薄膜トランジスタの半導体層のソース領域
に電気的に接続されるデータ線でなり、前記データ線の
領域下に前記第1コンタクトホールが位置することを特
徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 【請求項4】 前記第1コンタクトホールは、前記デー
タ線と前記走査線が交差する近傍に配置されることを特
徴とする請求項3に記載の電気光学装置。 - 【請求項5】 前記複数の配線のうち少なくとも1つの
配線は、前記データ線に対して交差して配置される走査
線をなし、前記中間導電層は前記データ線の領域から前
記走査線に沿って延在することを特徴とする請求項3に
記載の電気光学装置。 - 【請求項6】 前記中間導電層の前記走査線に沿って配
置された延在部に、前記中間導電層と前記画素電極とを
電気的に接続する第2コンタクトホールを設けたことを
特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 - 【請求項7】 前記第2コンタクトホールは、相隣接す
るデータ線間のほぼ中央に位置することを特徴とする請
求項6に記載の電気光学装置。 - 【請求項8】 前記中間導電層は、前記データ線に沿っ
て延在することを特徴とする請求項3または請求項4に
記載の電気光学装置。 - 【請求項9】 前記複数の配線のうち少なくとも1つの
配線は、前記中間導電層下に延在する容量線でなり、前
記容量線は前記第1コンタクトホールの領域を避けて延
在していることを特徴とする請求項1に記載の電気光学
装置。 - 【請求項10】 前記第1コンタクトホールの深さは、
前記中間導電層と前記画素電極との第2コンタクトホー
ルの深さより浅いことを特徴とする請求項1に記載の電
気光学装置。 - 【請求項11】 前記中間導電層は、前記走査線と同一
膜からなる容量電極と層間絶縁膜を介して少なくとも部
分的に対向配置されていることを特徴とする請求項4に
記載の電気光学装置。 - 【請求項12】 前記第2コンタクトホールは、平面的
に見て前記容量電極に重なる位置に開孔されていること
を特徴とする請求項11に記載の電気光学装置。 - 【請求項13】 前記容量電極は、平面的に見て走査線
に沿って延びる部分と前記データ線と交差する個所から
前記データ線に沿って延びる部分とを有し、 前記中間導電層は、前記容量電極の少なくとも一部に層
間絶縁膜を介して重ねられていることを特徴とする請求
項11または請求項12に記載の電気光学装置。 - 【請求項14】 前記中間導電層は、遮光性の導電膜か
らなることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装
置。 - 【請求項15】 前記中間導電層は、前記遮光領域の一
部を規定することを特徴とする請求項14に記載の電気
光学装置。 - 【請求項16】 前記中間導電層は、平面的に見て前記
データ線に沿って延びる部分を含み、 前記データ線に沿った方向の前記遮光領域の一部が規定
されていることを特徴とする請求項15に記載の電気光
学装置。 - 【請求項17】 前記容量電極は、平面的に見て前記デ
ータ線に沿って延びる部分を有し、 前記データ線に沿った個所において夫々、前記データ線
の幅Wdと、前記容量電極の幅Wcと、前記データ線に
沿って延びる中間導電層部分の幅Wmとの間には、Wd
<Wc<Wmなる関係が成立することを特徴とする請求
項16に記載の電気光学装置。 - 【請求項18】 平面的に見て、前記画素電極における
前記データ線に沿った縁部分は、前記中間導電層の縁部
分に重ねられていることを特徴とする請求項17に記載
の電気光学装置。 - 【請求項19】 前記半導体層は、前記データ線の領域
下に形成されることを特徴とする請求項3に記載の電気
光学装置。 - 【請求項20】 前記第1コンタクトホールは、前記半
導体層のソース領域と前記データ線とを接続する第3コ
ンタクトホールと、前記半導体層のチャネル領域に対し
て対称となる位置に形成されることを特徴とする請求項
19に記載の電気光学装置。 - 【請求項21】 前記半導体層の下方に、平面的に見て
前記走査線から張り出した下部遮光膜を有し、 前記中間導電層と前記画素電極とを電気的に接続する第
2コンタクトホールは、平面的に見て前記下部遮光膜が
前記走査線から張り出した領域に位置することを特徴と
する請求項19に記載の電気光学装置。 - 【請求項22】 基板上に設けられた薄膜トランジスタ
と、 前記薄膜トランジスタの半導体層のソース領域に電気的
に接続されたデータ線と、 前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域に電気
的に接続される画素電極と、 前記薄膜トランジスタの半導体層のドレイン領域と前記
画素電極との電気的接続をなす遮光性の中間導電層と、 前記データ線に沿って設けられ、前記薄膜トランジスタ
の半導体層のドレイン領域に位置する容量線と、 前記中間導電層と同一膜で形成される遮光膜と、 前記データ線の領域下で、前記容量線と前記遮光膜とを
電気的に接続するコンタクトホールとを備えたことを特
徴とする電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001005544A JP3807230B2 (ja) | 2000-03-17 | 2001-01-12 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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