JP2000510634A - 複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能 - Google Patents
複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.セクタ単位に構成された情報を不揮発性メモリ内に記憶するメモリ記憶装置 であって、該セクタの各々がユーザデータ部分およびオーバーヘッド部分を含み 、該セクタがブロック単位に構成され、該セクタの各々がホスト供給論理ブロッ クアドレス(LBA)によって識別され、かつ、実際の物理ブロックアドレス(P BA)が仮想PBAに由来し、各ブロックが該ホスト供給LBAおよび該仮想P BAに由来する修正LBAによって識別され、アクセスされる情報のセクタを識 別するために該ホスト供給LBAが該記憶装置によってホストから受け取られ、 該メモリバンク内の空いているロケーションを識別するために該実際のPBAが 該記憶装置によって展開され、ここで、該アクセスされたセクタが記憶されるセ クタである、メモリ記憶装置において、該記憶装置は、 該ホストに結合されたメモリコントローラと、 メモリバスを介して該メモリコントローラに結合された不揮発性メモリバンク であって、該メモリバンクは第1の不揮発性半導体メモリユニットおよび第2の 不揮発性半導体メモリユニットを含み、該メモリバンクは記憶ブロックを有し、 各記憶ブロックは該第1のメモリユニット内に配置された第1の行部分および該 第2のメモリユニット内に配置された対応する第2の行部分を有する少なくとも 1つのメモリ行ロケーションを含み、該メモリ行ロケーションの各々が該セクタ のうちの2つについて記憶空間を供給する、不揮発性メモリバンクと、 を含み、 該メモリコントローラが2セクタの情報に同時にアクセスする、 メモリ記憶装置。 2.前記メモリコントローラが、 前記セクタ単位に構成された情報を一時的に記憶するためのデータバッファと 、 マイクロプロセッサと、 前記LBAを前記PBAに翻訳するためのマップを維持する空間マネジャーコ ントローラおよび空間マネジャーメモリユニットを含む空間マネジャーと、 該セクタ単位に構成された情報について、エラー符号化動作およびエラー訂正 動作を実行するためのエラー訂正符号論理ユニットと、 を含む、請求項1に記載のメモリ記憶装置。 3.前記第1の行部分の各々が、 偶数セクタの偶数データバイトを記憶する第1の偶数セクタ領域と、 奇数セクタの偶数データバイトを記憶する第1の奇数セクタ領域と、 を含み、 前記第2の行部分の各々が、 該偶数セクタの奇数データバイトを記憶する第2の偶数セクタ領域と、 該奇数セクタの奇数データバイトを記憶する第2の奇数セクタ領域と、 を含み、 前記メモリバスが、 前記メモリコントローラと前記第1のメモリユニットとの間の該セクタの該偶 数データバイトを伝送するように結合された第1のスプリットバスと、 該メモリコントローラと前記第2のメモリユニットとの間の該セクタの該奇数 データバイトを伝送するように結合された第2のスプリットバスと、 を含む、 請求項1に記載のメモリ記憶装置。 4.前記第2の行部分の各々が、 前記偶数セクタに対応するエラー訂正情報を記憶するための第1のエラー訂正 領域と、 前記奇数セクタに対応するエラー訂正情報を記憶するための第2のエラー訂正 領域と、 前記対応するブロックのアドレスを特定する前記PBAを記憶するためのブロ ックアドレス領域と、 該対応するブロックの状態を示す情報を記憶するためのフラグ領域と、 をさらに含む、請求項3に記載のメモリ記憶装置。 5.前記第1の行部分の各々が、 前記偶数セクタに対応するエラー訂正情報を記憶するための第1のエラー訂正 領域と、 前記奇数セクタに対応するエラー訂正情報を記憶するための第2のエラー訂正 領域と、 前記対応するブロックのアドレスを特定する前記PBAを記憶するためのブロ ックアドレス領域と、 該対応するブロックの状態を示す情報を記憶するためのフラグ領域と、 をさらに含む、請求項4に記載のメモリ記憶装置。 6.前記第1および第2の行部分の各々が、512バイトの前記ユーザデータを 記憶するための記憶空間と、前記オーバーヘッド情報を記憶するための追加的な 16バイトの記憶空間とを含み、 前記第1のスプリットバスおよび前記第2のスプリットバスが、それぞれ8本 のビットラインを含む、 請求項5に記載のメモリ記憶装置。 7.前記コントローラが、 前記第1および第2のスプリットバスを介して、前記第1および第2のメモリ ユニットの対応する行部分の前記第1および第2の偶数セクタ領域に同時にアク セスすることによって、1つの偶数セクタの情報にアクセスする手段と、 該第1および第2のスプリットバスを介して、該第1および第2のメモリユニ ットの対応する行部分の前記第1および第2の奇数セクタ領域に同時にアクセス することによって、1つの奇数セクタの情報にアクセスする手段と、 を含む、請求項6に記載のメモリ記憶装置。 8.前記コントローラが、前記セクタ単位に構成された情報についてエラー符号 化動作およびエラー訂正動作を実行するエラー訂正符号論理を含む、請求項7に 記載のメモリ記憶装置。 9.前記フラグ領域が、ブロックレベルフラグを記憶するために用いられ、該ブ ロックレベルフラグは、 情報を記憶するために前記対応するブロックが現在使用されているかどうかを 示す使用中/未使用ブロックフラグと、 該対応するブロックが欠陥であるかどうかを示す欠陥ブロックフラグと、 を含む、請求項8に記載のメモリ記憶装置。 10.対応するサブブロックの各々が1つのPBA値によって識別される、請求 項9に記載のメモリ記憶装置。 11.前記不揮発性メモリユニットがフラッシュメモリチップである、請求項1 0に記載のメモリ記憶装置。 12.前記第1の行部分の各々が、第1セクタのデータバイトを記憶するための 第1のセクタ領域を含み、 前記第2の行部分の各々が、第2セクタのデータバイトを記憶するための第2 のセクタ領域を含み、 前記メモリバスが、 前記メモリコントローラと前記第1メモリユニットとの間の(最下位?)デ ータバイトを伝送するように結合された第1のスプリットバスと、 前記メモリコントローラと前記第2メモリユニットとの間の(最上位?)デ ータバイトを伝送するように結合された第2のスプリットバスと、 を含む、 請求項11に記載のメモリ記憶装置。 13.前記第1および第2のスプリットバスを介して、前記第1および第2のメ モリユニットの対応する行部分の第1および第2のセクタ領域に同時にアクセス する手段をさらに含む、請求項12に記載のメモリ記憶装置。 14.不揮発性メモリバンクとメモリバスを介して該メモリバンクに結合された コントローラとを含む記憶装置であって、該メモリバンクが第1の不揮発性メモ リユニットおよび第2の不揮発性メモリユニットを含み、該メモリバンクがブロ ックによって規定された記憶ロケーションを有し、セクタ単位で情報を記憶する 各ブロックがユーザデータ部分およびオーバーヘッド部分を有し、各ブロックが 、それぞれに関連する、ホスト供給LBA値に由来する修正論理ブロックアドレ ス(LBA)と仮想PBA値に由来する実際の物理ブロックアドレス(PBA)とを 有し、アクセスされる1セクタの情報を識別するために該ホスト供給LBA値が 該コントローラによってホストから受け取られ、該メモリバンク内の未使用ロケ ーションを識別するために該実際のPBAが該記憶装置によって展開され、ここ で、ホストによって識別された1セクタの情報が記憶され、各ブロックは該第1 のメモリユニット内に配置された第1の行部分および該第2のメモリユニット内 に配置された対応する第2の行部分を有する少なくとも1つのメモリ行ロケーシ ョンを含む記憶装置において、1回の書き込み動作で第1セクタおよび第2セク タを該メモリバンクに書き込むプロセスであって、該プロセスは、 書き込みコマンドを該第1および第2のメモリユニットに同時に供給するステ ップと、 該アドレスされた行ロケーションの対応する第1および第2の行部分に同時に アドレスすることによって、該メモリバンクの該メモリ行ロケーションの1つに アドレスするステップと、 該第1のメモリユニットに該第1および第2のセクタの第1のデータバイトを 、該第2のメモリユニットに該第1および第2のセクタの第2のデータバイトを 同時に供給するステップと、 を含むプロセス 15.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、前記第1のバイトが前記第1および第2のセクタの一方の偶数データバイト であり、前記第2のデータバイトが該第1および第2のセクタの一方の奇数デー タバイトである、請求項14に記載のプロセス。 16.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、前記第1のデータバイトが前記第1セクタのデータバイトであり、前記第2 のデータバイトが前記第2セクタのデータバイトである、請求項15に記載のプ ロセス。 17.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、偶数セクタおよび奇数セクタが1つのメモリ行ロケーションに記憶され、前 記第1および第2のセクタの偶数ユーザデータバイトが前記第1のメモリユニッ ト内に記憶され、該第1および第2のセクタの偶数ユーザデータバイトが該第2 のメモリ内に記憶され、該第1および第2のセクタに関連するオーバーヘッド情 報が前記第1および第2の行ロケーションの一方に記憶される、請求項16に記 載のプロセス。 18.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、ブロックアドレスエントリが、前記ブロックの各々の前記行ロケーションの 最後のロケーション内のブロックアドレス領域内に入る、請求項17に記載のプ ロセス。 19.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、 該コントローラが、該第1および第2のフラッシュメモリチップの対応する行 部分の第1および第2の偶数セクタ領域に同時にアクセスすることにより、前記 第1および第2のスプリットバスを介して、前記第1および第2のフラッシュメ モリチップ内に集合的に記憶された偶数セクタの情報にアクセスし、 該第1および第2のスプリットバスが、1セクタの情報のそれぞれ前記偶数デ ータバイトおよび奇数データバイトを受け取るように結合されたラインを含み、 該コントローラが、該第1および第2の奇数セクタ領域に同時にアクセスする ことにより、該第1および第2のスプリットバスを介して、該第1および第2の フラッシュメモリチップ内に集合的に記憶された奇数セクタの情報にアクセスし 、該スプリットバスはまた、該フラッシュメモリチップと該フラッシュステート マシンと該メモリコントローラのECC論理ユニットとの間にECC情報の伝送 、およびフラッシュステートマシンから該フラッシュメモリチップへのアドレス 情報の伝送を提供する、 請求項18に記載のプロセス。 20.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、 前記フラグ領域が、ブロックレベルフラグを記憶するために用いられ、該フラ グは、 前記対応するブロックが情報を記憶するために現在使用されているかどうか を示す、使用中/未使用ブロックフラグと、 該対応するブロックが欠陥であるかどうかを示す欠陥ブロックフラグと、 を含む、 請求項19に記載のプロセス。 21.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、 前記対応するサブブロックの各々が、1つの仮想PBA値によって識別される、 請求項20に記載のプロセス。 22.メモリバンクとメモリバスを介して該メモリバンクに結合されたコントロ ーラとを含む記憶装置であって、該メモリバンクが第1の不揮発性メモリユニッ トおよび第2の不揮発性メモリユニットを含み、該メモリバンクはそれぞれがユ ーザデータ部分およびオーバーヘッド部分を含む情報セクタを記憶するための記 憶ブロックを有し、各ブロックはそれに関連する論理ブロックアドレス(LBA) および物理ブロックアドレス(PBA)を有し、アクセスされるブロックを識別す るために該LBAがホストによって該コントローラに供給され、該メモリバンク 内の未使用ロケーションを識別するために該PBAが該記憶装置によって展開さ れ、ここで、該アクセスされたブロックは記憶されるブロックであり、各ブロッ クは、該第1のメモリユニット内に配置された第1の行部分を有する少なくとも 1つのメモリ行ロケーションを含み、そして、対応する第2の行部分は該第2の メモリユニット内に配置された記憶装置において、1回の書き込み動作で第1セ クタおよび第2セクタを該メモリバンクに書き込むプロセスであって、該プロセ スは、 該第1および第2のメモリユニットに書き込みコマンドを同時に供給するステ ップと、 該アドレスされた行ロケーションの対応する第1および第2の行部分に同時に アドレスすることによって、該メモリバンクの該メモリ行ロケーションの1つに アドレスするステップと、 偶数セクタの偶数データバイトを該第1の行部分の第1の偶数セクタ領域に記 憶するステップと、 奇数セクタの偶数データバイトを該第1のアドレスされた行部分の第1の奇数 セクタ領域に記憶するステップと、 該偶数セクタの奇数データバイトを該第2のアドレスされた行部分の第2の偶 数セクタ領域に記憶するステップと、 該奇数セクタの情報の奇数データバイトを該第2のアドレスされた行部分の第 2の奇数セクタ領域に記憶するステップと、 を含むプロセス。 23.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、 前記偶数セクタの情報に対応する偶数セクタエラー訂正情報、および前記奇数 セクタの情報に対応する奇数セクタエラー訂正情報を判定するステップと、 該偶数セクタエラー訂正情報を、前記第2のアドレスされた行部分の第1のエ ラー訂正領域に記憶するステップと、 該奇数セクタエラー訂正情報を、前記第2のアドレスされた行部分の第2のエ ラー訂正領域に記憶するステップと、 を含む請求項22に記載のプロセス。 24.メモリバンクとメモリバスを介して該メモリバンクに結合されたコント ローラとを含む記憶装置であって、該メモリバンクが第1の不揮発性メモリユニ ットおよび第2の不揮発性メモリユニットを含み、該メモリバンクはそれぞれが ユーザデータ部分およびオーバーヘッド部分を含む情報のセクタを記憶するため のブロックを有し、該ブロックの各々はそれに関連する論理ブロックアドレス( LBA)および物理ブロックアドレス(PBA)を有し、アクセスされる1セクタ の情報を識別するために該LBAがホストによって該コントローラに供給され、 該メモリバンク内の未使用ブロックロケーションを識別するために該PBAが該 記憶装置によって展開され、ここで該アクセスされたブロックが記憶されるブロ ックであり、各ブロックは該第1のメモリユニット内に配置された第1の行部分 および該第2のメモリユニット内に配置された対応する第2の行部分を有する少 なくとも1つのメモリ行ロケーションを含み、該コントローラがデータバッファ を含む、記憶装置において、セクタ単位に構成された情報を該メモリバンクに書 き込むプロセスであって、該プロセスは、 該ホストからホスト供給LBA値を受け取るステップであって、該ホスト供給 LBA値の各々が1セクタの情報を識別するものであるステップと、 情報のセクタのブロックを識別するように、現在のホスト供給LBAを修正す るステップと、 該修正LBA値または仮想PBA値によって識別されたマップ行ロケーション を有するマップを供給するステップであって、該マップが、修正LBA値に対応 する仮想PBA値を記憶するためのルックアップテーブルとして使用されるステ ップと、 該ホストによって識別された情報のセクタの番号に等しいセクタカウント値を 設定するステップと、 現在の仮想PBAによって識別された該メモリバンク内の未使用ブロックを調 査するステップと、 該マップ内の該修正された現在のLBAによって識別されたマップ行ロケーシ ョンに、該未使用ブロックに対応する該現在の仮想PBAを記憶するステップと 、 該現在のホスト供給LBAが偶数であるかどうか、および該セクタカウントが 1よりも大きいかどうかを判定するステップとを含み、 該現在の実際のPBA値が偶数であり、かつ、該セクタカウントが1よりも大 きい場合に、 2セクタの情報を同時に書き込むステップであって、1つのセクタが該現在 のホスト供給LBAによって識別され、かつ、第2セクタの情報が該現在のホス ト供給LBA+1によって識別され、該第1セクタが該メモリバンクの該第1の 不揮発性メモリユニットに書き込まれ、該第2セクタが該メモリバンクの第2の 不揮発性メモリユニットに書き込まれる、ステップと、 該セクタカウントを2だけデクリメントするステップと、 該セクタカウントが0に等しいかどうかを判定するステップとを含み、 該セクタカウントが0に等しくない場合に、該現在のホスト供給LBAを2だ け増加させて、書き込まれる予定の次のセクタを指示するステップを含み、 該現在のホスト供給PBA値または該セクタカウントが1よりも大きくない場 合に、 該現在のホスト供給LBAによって識別された現在のセクタの情報の偶数デ ータバイトを該第1の不揮発性メモリユニットに、該現在のセクタの奇数データ バイトを該第2の不揮発性メモリユニットに同時に書き込むステップと、 該セクタカウントを1だけデクリメントするステップと、 該セクタカウントが0に等しいかどうかを判定するステップとを含み、 該セクタカウントが0に等しくない場合に、該現在のホスト供給LBAを1だ け増加して、書き込まれる予定の次のセクタの情報を指示するステップを含む、 プロセス。 25.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、前記2つの現在のセクタを該メモリバンクの前記第1および第2の不揮発性 メモリユニットに同時に書き込む前記ステップが、 書き込みコマンドを該第1および第2のメモリユニットに同時に供給するステ ップと、 前記アドレスされた行ロケーションの対応する第1および第2の行部分に同時 にアドレスすることによって、該メモリバンクの該メモリ行ロケーションの1つ にアドレスするステップと、 偶数セクタの偶数データバイトを、該第1のアドレスされた行部分の第1の偶 数セクタ領域に記憶するステップと、 奇数セクタの偶数データバイトを、該第1のアドレスされた行部分の第1の奇 数セクタ領域に記憶するステップと、 該偶数セクタの奇数データバイトを、該第2のアドレスされた行部分の第1の 偶数セクタ領域に記憶するステップと、 該奇数セクタの情報の奇数データバイ トを、該第2のアドレスされた行部分の第2の奇数セクタ領域に記憶するステッ プと、 を含む請求項24に記載のプロセス。 26.メモリバンクおよびコントローラを含む記憶装置におけるプロセスであっ て、 (LBA−PBAマップの対応する仮想PBA領域のコンテンツを読み出すこ とによって、)現在のブロックの前記アドレスされたセクタロケーションの各々 が、最後の消去以降にアクセスされたかどうかを判定するステップと、 該現在のブロックが最後の消去以降にアクセスされていた場合、該現在のブロ ックに対応する移動フラグを設定するステップとを含み、 書き込み動作の実行に引き続いて、 該移動フラグが設定されたかどうかを判定するステップを含み、 該移動フラグが設定されていた場合に、該書き込まれていないセクタのうち 、該現在のブロックに属さないものを前記未使用ブロック内の対応するセクタロ ケーションに移動することによって、該現在のブロックを更新するステップを含 む、 請求項25に記載のプロセス。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004508626A (ja) * | 2000-08-25 | 2004-03-18 | レクサー メディア,インク. | オーバヘッドデータとユーザデータを個別に格納するフラッシュメモリアーキテクチャ |
JP2007018499A (ja) * | 2005-06-06 | 2007-01-25 | Sony Corp | 記憶装置 |
US7242632B2 (en) | 2002-06-20 | 2007-07-10 | Tokyo Electron Device Limited | Memory device, memory managing method and program |
WO2008093606A1 (ja) | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びアクセス装置 |
JP2008537828A (ja) * | 2005-04-15 | 2008-09-25 | トムソン ライセンシング | 少なくとも一つの共通データi/oバスに接続された複数の不揮発性メモリ中における論理データ・ブロックをフラッシュ・ブロックに記憶する方法およびシステム |
US7549012B2 (en) | 2002-02-06 | 2009-06-16 | Sandisk Corporation | Memory device with sector pointer structure |
US7685356B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Chronological identification in flash memory using cyclic numbers |
JP4921174B2 (ja) * | 2003-12-31 | 2012-04-25 | シェンジェンシランカカジグフェンヨウシャンゴンシ | フラッシュメモリのデータ書込み方法 |
KR101305490B1 (ko) * | 2005-10-01 | 2013-09-06 | 삼성전자주식회사 | 메모리 맵핑 방법 및 장치 |
Families Citing this family (240)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5430859A (en) | 1991-07-26 | 1995-07-04 | Sundisk Corporation | Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus |
US5845313A (en) | 1995-07-31 | 1998-12-01 | Lexar | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US6728851B1 (en) * | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
US6978342B1 (en) * | 1995-07-31 | 2005-12-20 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
US8171203B2 (en) | 1995-07-31 | 2012-05-01 | Micron Technology, Inc. | Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation |
US5890192A (en) * | 1996-11-05 | 1999-03-30 | Sandisk Corporation | Concurrent write of multiple chunks of data into multiple subarrays of flash EEPROM |
JPH10326493A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Ricoh Co Ltd | 複合化フラッシュメモリ装置 |
JPH117505A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Fujitsu Ltd | カード型記憶媒体 |
JP4079506B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2008-04-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリシステムの制御方法 |
WO1999045460A2 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Lexar Media, Inc. | Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system |
US6182162B1 (en) | 1998-03-02 | 2001-01-30 | Lexar Media, Inc. | Externally coupled compact flash memory card that configures itself one of a plurality of appropriate operating protocol modes of a host computer |
US7047357B1 (en) * | 1998-10-01 | 2006-05-16 | Intel Corporation | Virtualized striping controller |
US6901457B1 (en) | 1998-11-04 | 2005-05-31 | Sandisk Corporation | Multiple mode communications system |
GB9903490D0 (en) | 1999-02-17 | 1999-04-07 | Memory Corp Plc | Memory system |
US6427186B1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-07-30 | Frank (Fong-Long) Lin | Memory, interface system and method for mapping logical block numbers to physical sector numbers in a flash memory, using a master index table and a table of physical sector numbers |
US6141249A (en) * | 1999-04-01 | 2000-10-31 | Lexar Media, Inc. | Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time |
US6467015B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-10-15 | Dell Products, L.P. | High speed bus interface for non-volatile integrated circuit memory supporting continuous transfer |
US6401161B1 (en) | 1999-04-15 | 2002-06-04 | Dell Products, Lp | High speed bus interface for non-volatile integrated circuit memory supporting continuous transfer |
US6622199B1 (en) * | 1999-07-02 | 2003-09-16 | Qualcomm Incorporated | Method for minimizing data relocation overhead in flash based file systems |
EP1134662A4 (en) * | 1999-07-28 | 2007-05-09 | Sony Corp | RECORDING SYSTEM, DATA RECEIVING DEVICE, MEMORY DEVICE AND DATA ACQUISITION METHOD |
US8078794B2 (en) * | 2000-01-06 | 2011-12-13 | Super Talent Electronics, Inc. | Hybrid SSD using a combination of SLC and MLC flash memory arrays |
US7702831B2 (en) * | 2000-01-06 | 2010-04-20 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash memory controller for electronic data flash card |
US8102662B2 (en) * | 2007-07-05 | 2012-01-24 | Super Talent Electronics, Inc. | USB package with bistable sliding mechanism |
US7628622B2 (en) * | 1999-08-04 | 2009-12-08 | Super Talent Electronics, Inc. | Multi-level cell (MLC) slide flash memory |
US8043099B1 (en) | 2004-02-12 | 2011-10-25 | Super Talent Electronics, Inc. | Extended USB plug, USB PCBA, and USB flash drive with dual-personality |
US20080071973A1 (en) * | 2000-01-06 | 2008-03-20 | Chow David Q | Electronic data flash card with various flash memory cells |
US7744387B2 (en) * | 1999-08-04 | 2010-06-29 | Super Talent Electronics, Inc. | Multi-level cell (MLC) rotate flash memory device |
US7690031B2 (en) * | 2000-01-06 | 2010-03-30 | Super Talent Electronics, Inc. | Managing bad blocks in flash memory for electronic data flash card |
US8625270B2 (en) | 1999-08-04 | 2014-01-07 | Super Talent Technology, Corp. | USB flash drive with deploying and retracting functionalities using retractable cover/cap |
US8073985B1 (en) | 2004-02-12 | 2011-12-06 | Super Talent Electronics, Inc. | Backward compatible extended USB plug and receptacle with dual personality |
US7984303B1 (en) | 2000-01-06 | 2011-07-19 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash memory devices with security features |
US20080082813A1 (en) * | 2000-01-06 | 2008-04-03 | Chow David Q | Portable usb device that boots a computer as a server with security measure |
US7676640B2 (en) * | 2000-01-06 | 2010-03-09 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash memory controller controlling various flash memory cells |
US7874067B1 (en) | 2000-01-06 | 2011-01-25 | Super Talent Electronics, Inc. | Manufacturing method for single chip COB USB devices with optional embedded LED |
US20050204187A1 (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-15 | Lee Charles C. | System and method for managing blocks in flash memory |
US7788553B2 (en) * | 2000-01-06 | 2010-08-31 | Super Talent Electronics, Inc. | Mass production testing of USB flash cards with various flash memory cells |
US7440287B1 (en) | 2000-01-06 | 2008-10-21 | Super Talent Electronics, Inc. | Extended USB PCBA and device with dual personality |
US8240034B1 (en) | 2000-01-06 | 2012-08-14 | Super Talent Electronics, Inc. | High throughput manufacturing method for micro flash memory cards |
US6381175B2 (en) * | 2000-01-10 | 2002-04-30 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for validating flash memory |
US6426893B1 (en) | 2000-02-17 | 2002-07-30 | Sandisk Corporation | Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks |
US6467014B1 (en) * | 2000-02-29 | 2002-10-15 | Plasmon Lms, Inc. | Automatic mapping and efficient address translation for multi-surface, multi-zone storage devices |
US6851026B1 (en) * | 2000-07-28 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Synchronous flash memory with concurrent write and read operation |
US6675278B1 (en) * | 2000-04-19 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for managing memory |
US6772273B1 (en) | 2000-06-29 | 2004-08-03 | Intel Corporation | Block-level read while write method and apparatus |
US6721843B1 (en) * | 2000-07-07 | 2004-04-13 | Lexar Media, Inc. | Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible |
US7167944B1 (en) | 2000-07-21 | 2007-01-23 | Lexar Media, Inc. | Block management for mass storage |
US6772274B1 (en) * | 2000-09-13 | 2004-08-03 | Lexar Media, Inc. | Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array |
US7020739B2 (en) * | 2000-12-06 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Memory controller, flash memory system having memory controller and method for controlling flash memory device |
DE10064356A1 (de) * | 2000-12-21 | 2002-07-11 | Claas Selbstfahr Erntemasch | Vorrichtung und Verfahren zur Erntegutförderung in landwirtschaftlichen Arbeitsmaschinen |
DE10064649A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Schnittstelle für einen Speicher und Verfahren zum variablen Konfigurieren einer Speichervorrichtung |
TW539950B (en) * | 2000-12-28 | 2003-07-01 | Sony Corp | Data recording device and data write method for flash memory |
US6763424B2 (en) * | 2001-01-19 | 2004-07-13 | Sandisk Corporation | Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory |
JP4711531B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6754765B1 (en) * | 2001-05-14 | 2004-06-22 | Integrated Memory Logic, Inc. | Flash memory controller with updateable microcode |
JP4256600B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2009-04-22 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
US6603683B2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Decoding scheme for a stacked bank architecture |
JP4059473B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2008-03-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | メモリカード及びメモリコントローラ |
JP2003067244A (ja) | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置及びその制御方法 |
GB0123415D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Method of writing data to non-volatile memory |
GB0123417D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Improved data processing |
GB0123410D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Memory system for data storage and retrieval |
GB0123416D0 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Non-volatile memory control |
GB0123421D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Power management system |
GB0123412D0 (en) * | 2001-09-28 | 2001-11-21 | Memquest Ltd | Memory system sectors |
EP1308964B1 (en) * | 2001-10-25 | 2007-10-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Fast programming method for nonvolatile memories, in particular flash memories, and related memory architecture |
US6976143B2 (en) | 2001-11-13 | 2005-12-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems and methods for controlling communication with nonvolatile memory devices |
US6721229B1 (en) * | 2001-12-19 | 2004-04-13 | Network Equipment Technologies, Inc. | Method and apparatus for using SDRAM to read and write data without latency |
CN1278239C (zh) * | 2002-01-09 | 2006-10-04 | 株式会社瑞萨科技 | 存储***和存储卡 |
TWI240861B (en) * | 2002-01-11 | 2005-10-01 | Integrated Circuit Solution In | Data access method and architecture of flash memory |
US6621739B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-09-16 | Sandisk Corporation | Reducing the effects of noise in non-volatile memories through multiple reads |
WO2003065210A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appareil de traitement d'informations, appareil de gestion de memoire, procede de gestion de memoire et procede de traitement d'informations |
US20030156207A1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-08-21 | Creo Il. Ltd | Image capture apparatus with backup memory |
US6871257B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-03-22 | Sandisk Corporation | Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system |
EP1476873A4 (en) * | 2002-02-22 | 2006-07-05 | Lexar Media Inc | MEMORY HOLDER WITH INTEGRATED LAMP LAMP |
US7231643B1 (en) | 2002-02-22 | 2007-06-12 | Lexar Media, Inc. | Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver |
US6941411B2 (en) * | 2002-08-21 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Non-contiguous address erasable blocks and command in flash memory |
US20040054846A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-03-18 | Wen-Tsung Liu | Backup device with flash memory drive embedded |
JP4129381B2 (ja) | 2002-09-25 | 2008-08-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
DE10256502A1 (de) * | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Hyperstone Ag | Speichersystem mit mehreren Speichercontrollern und Verfahren zu deren Synchronisierung |
US6944063B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-09-13 | Sandisk Corporation | Non-volatile semiconductor memory with large erase blocks storing cycle counts |
TWI220474B (en) * | 2003-03-12 | 2004-08-21 | Glovic Electronics Corp | Physical page allocation method of flash memory |
US6900761B2 (en) * | 2003-04-03 | 2005-05-31 | Optistreams, Inc. | Automated portable remote robotic transceiver with directional antenna |
US6906961B2 (en) * | 2003-06-24 | 2005-06-14 | Micron Technology, Inc. | Erase block data splitting |
US7343440B2 (en) * | 2003-07-30 | 2008-03-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated circuit with a scalable high-bandwidth architecture |
US7426596B2 (en) * | 2003-07-30 | 2008-09-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated circuit with a scalable high-bandwidth architecture |
US7771215B1 (en) | 2003-12-02 | 2010-08-10 | Super Talent Electronics, Inc. | MLC COB USB flash memory device with sliding plug connector |
TW200523946A (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-16 | Ali Corp | Method for accessing a nonvolatile memory |
US8021166B1 (en) | 2004-02-12 | 2011-09-20 | Super Talent Electronics, Inc. | Extended USB plug, USB PCBA, and USB flash drive with dual-personality for embedded application with mother boards |
US7815469B1 (en) | 2004-02-12 | 2010-10-19 | Super Talent Electronics, Inc. | Dual-personality extended USB plugs and receptacles using with PCBA and cable assembly |
US7869219B2 (en) * | 2004-01-20 | 2011-01-11 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash drive with spring-loaded retractable connector |
CN100495369C (zh) * | 2004-01-20 | 2009-06-03 | 特科2000国际有限公司 | 使用多个存储器设备的便携数据存储设备 |
US8014130B1 (en) | 2004-02-26 | 2011-09-06 | Super Talent Electronics, Inc. | Pen-like universal serial bus (USB) flash drive with deploying and retracting functionalities |
KR100608592B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2006-08-03 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법 |
EP1733555A4 (en) * | 2004-02-23 | 2009-09-30 | Lexar Media Inc | SAFE COMPACT FLASH |
US7806705B2 (en) * | 2004-02-26 | 2010-10-05 | Super Talent Electronics, Inc. | Slide flash memory devices |
US20080147964A1 (en) * | 2004-02-26 | 2008-06-19 | Chow David Q | Using various flash memory cells to build usb data flash cards with multiple partitions and autorun function |
US20080082736A1 (en) * | 2004-03-11 | 2008-04-03 | Chow David Q | Managing bad blocks in various flash memory cells for electronic data flash card |
US7664902B1 (en) | 2004-03-16 | 2010-02-16 | Super Talent Electronics, Inc. | Extended SD and microSD hosts and devices with USB-like high performance packetized interface and protocol |
US7725628B1 (en) | 2004-04-20 | 2010-05-25 | Lexar Media, Inc. | Direct secondary device interface by a host |
US7370166B1 (en) | 2004-04-30 | 2008-05-06 | Lexar Media, Inc. | Secure portable storage device |
US7009889B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-03-07 | Sandisk Corporation | Comprehensive erase verification for non-volatile memory |
JP2006004079A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sony Corp | 記憶装置 |
JP2006040497A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置 |
US7594063B1 (en) | 2004-08-27 | 2009-09-22 | Lexar Media, Inc. | Storage capacity status |
US7464306B1 (en) | 2004-08-27 | 2008-12-09 | Lexar Media, Inc. | Status of overall health of nonvolatile memory |
US20060069896A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Sigmatel, Inc. | System and method for storing data |
US7660938B1 (en) | 2004-10-01 | 2010-02-09 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash card reader and data exchanger utilizing low power extended USB protocol without polling |
US7850082B1 (en) | 2004-10-01 | 2010-12-14 | Super Talent Electronics, Inc. | Extended universal serial bus (USB) card reader |
ITMI20041968A1 (it) * | 2004-10-15 | 2005-01-15 | Atmel Corp | "metodo e sistema per la gestione dei bit di indirizzo durante le operazioni di programmazione bufferizzata in un dispositivo di memoria" |
US7212440B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-05-01 | Sandisk Corporation | On-chip data grouping and alignment |
US7426623B2 (en) * | 2005-01-14 | 2008-09-16 | Sandisk Il Ltd | System and method for configuring flash memory partitions as super-units |
US7757037B2 (en) * | 2005-02-16 | 2010-07-13 | Kingston Technology Corporation | Configurable flash memory controller and method of use |
JP4910426B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2012-04-04 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置の書込み方法 |
US7627712B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-12-01 | Sigmatel, Inc. | Method and system for managing multi-plane memory devices |
US20070079098A1 (en) * | 2005-10-03 | 2007-04-05 | Hitachi, Ltd. | Automatic allocation of volumes in storage area networks |
US7547218B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-06-16 | Super Talent Electronics Inc. | Plug and cap for a universal-serial-bus (USB) device |
US7877540B2 (en) * | 2005-12-13 | 2011-01-25 | Sandisk Corporation | Logically-addressed file storage methods |
US7653778B2 (en) | 2006-05-08 | 2010-01-26 | Siliconsystems, Inc. | Systems and methods for measuring the useful life of solid-state storage devices |
CN101416167B (zh) * | 2006-07-20 | 2012-07-25 | 日本电气株式会社 | 存储器访问控制设备、存储器访问控制方法、数据存储方法以及存储器访问控制程序 |
KR100825535B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-04-25 | 트렉 2000 인터네셔널 엘티디. | 다수의 메모리 장치들을 이용하는 휴대용 데이터 저장 장치 |
US7280398B1 (en) * | 2006-08-31 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | System and memory for sequential multi-plane page memory operations |
DE102006045655A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Infineon Technologies Ag | Speichersteuervorrichtung und Verfahren zur Vergabe von Zugriffsrechten |
US9104599B2 (en) | 2007-12-06 | 2015-08-11 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Apparatus, system, and method for destaging cached data |
US9495241B2 (en) | 2006-12-06 | 2016-11-15 | Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. | Systems and methods for adaptive data storage |
US9116823B2 (en) | 2006-12-06 | 2015-08-25 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Systems and methods for adaptive error-correction coding |
US8443134B2 (en) * | 2006-12-06 | 2013-05-14 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for graceful cache device degradation |
US8706968B2 (en) * | 2007-12-06 | 2014-04-22 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for redundant write caching |
US8489817B2 (en) | 2007-12-06 | 2013-07-16 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for caching data |
WO2008070813A2 (en) | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Fusion Multisystems, Inc. (Dba Fusion-Io) | Apparatus, system, and method for a front-end, distributed raid |
US8549236B2 (en) * | 2006-12-15 | 2013-10-01 | Siliconsystems, Inc. | Storage subsystem with multiple non-volatile memory arrays to protect against data losses |
US7515500B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-04-07 | Nokia Corporation | Memory device performance enhancement through pre-erase mechanism |
US7518932B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-04-14 | Intel Corporation | Erase cycle counting in non-volatile memories |
KR100877609B1 (ko) * | 2007-01-29 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 버퍼 메모리의 플래그 셀 어레이를 이용하여 데이터 오류 정정을 수행하는 반도체 메모리 시스템 및 그 구동 방법 |
US7596643B2 (en) * | 2007-02-07 | 2009-09-29 | Siliconsystems, Inc. | Storage subsystem with configurable buffer |
US20080235438A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Sony Corporation And Sony Electronics Inc. | System and method for effectively implementing a multiple-channel memory architecture |
JP4640366B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-03-02 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
US20080307156A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Sinclair Alan W | System For Interfacing A Host Operating Through A Logical Address Space With A Direct File Storage Medium |
US8713283B2 (en) * | 2007-06-08 | 2014-04-29 | Sandisk Technologies Inc. | Method of interfacing a host operating through a logical address space with a direct file storage medium |
US8239639B2 (en) * | 2007-06-08 | 2012-08-07 | Sandisk Technologies Inc. | Method and apparatus for providing data type and host file information to a mass storage system |
US7850468B2 (en) | 2007-06-28 | 2010-12-14 | Super Talent Electronics, Inc. | Lipstick-type USB device |
US7789680B2 (en) * | 2007-07-05 | 2010-09-07 | Super Talent Electronics, Inc. | USB device with connected cap |
US20090190277A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-07-30 | Super Talent Electronics, Inc. | ESD Protection For USB Memory Devices |
US8122322B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-02-21 | Seagate Technology Llc | System and method of storing reliability data |
TWI348617B (en) * | 2007-08-09 | 2011-09-11 | Skymedi Corp | Non-volatile memory system and method for reading data therefrom |
US20090055605A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Zining Wu | Method and system for object-oriented data storage |
US7944702B2 (en) | 2007-08-27 | 2011-05-17 | Super Talent Electronics, Inc. | Press-push flash drive apparatus with metal tubular casing and snap-coupled plastic sleeve |
WO2009095902A2 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory |
US8694715B2 (en) | 2007-10-22 | 2014-04-08 | Densbits Technologies Ltd. | Methods for adaptively programming flash memory devices and flash memory systems incorporating same |
US7768838B2 (en) * | 2007-10-30 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Operating memory cells |
US8241047B2 (en) * | 2007-10-30 | 2012-08-14 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash drive with spring-loaded swivel connector |
TWI368225B (en) * | 2007-11-29 | 2012-07-11 | Ind Tech Res Inst | Recoding medium structure capable of displaying defect rate |
US8116083B2 (en) * | 2007-12-04 | 2012-02-14 | Super Talent Electronics, Inc. | Lipstick-type USB device with tubular housing |
WO2009072104A2 (en) | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Densbits Technologies Ltd. | Flash memory device with physical cell value deterioration accommodation and methods useful in conjunction therewith |
US8316277B2 (en) * | 2007-12-06 | 2012-11-20 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for ensuring data validity in a data storage process |
US7836226B2 (en) | 2007-12-06 | 2010-11-16 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for coordinating storage requests in a multi-processor/multi-thread environment |
US9519540B2 (en) | 2007-12-06 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Apparatus, system, and method for destaging cached data |
US8359516B2 (en) | 2007-12-12 | 2013-01-22 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for error correction and decoding on multi-level physical media |
US8972472B2 (en) | 2008-03-25 | 2015-03-03 | Densbits Technologies Ltd. | Apparatus and methods for hardware-efficient unbiased rounding |
US7817097B2 (en) * | 2008-04-07 | 2010-10-19 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Microwave antenna and method for making same |
US7971023B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-06-28 | Sandisk Corporation | Guaranteed memory card performance to end-of-life |
US8904083B2 (en) * | 2008-07-30 | 2014-12-02 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for storing data in solid state memory |
US8244960B2 (en) * | 2009-01-05 | 2012-08-14 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with write cache partition management methods |
US8040744B2 (en) * | 2009-01-05 | 2011-10-18 | Sandisk Technologies Inc. | Spare block management of non-volatile memories |
US20100174845A1 (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-08 | Sergey Anatolievich Gorobets | Wear Leveling for Non-Volatile Memories: Maintenance of Experience Count and Passive Techniques |
US8094500B2 (en) * | 2009-01-05 | 2012-01-10 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with write cache partitioning |
US8700840B2 (en) * | 2009-01-05 | 2014-04-15 | SanDisk Technologies, Inc. | Nonvolatile memory with write cache having flush/eviction methods |
US8458574B2 (en) | 2009-04-06 | 2013-06-04 | Densbits Technologies Ltd. | Compact chien-search based decoding apparatus and method |
US8819385B2 (en) | 2009-04-06 | 2014-08-26 | Densbits Technologies Ltd. | Device and method for managing a flash memory |
KR20100115583A (ko) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장 시스템 |
US8566510B2 (en) * | 2009-05-12 | 2013-10-22 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and method for flash memory management |
KR101143397B1 (ko) | 2009-07-29 | 2012-05-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 페이지 복사 발생 빈도를 줄이는 반도체 스토리지 시스템 및 그 제어 방법 |
US9330767B1 (en) | 2009-08-26 | 2016-05-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash memory module and method for programming a page of flash memory cells |
US8995197B1 (en) | 2009-08-26 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and methods for dynamic erase and program control for flash memory device memories |
WO2011031796A2 (en) | 2009-09-08 | 2011-03-17 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for caching data on a solid-state storage device |
US8730729B2 (en) | 2009-10-15 | 2014-05-20 | Densbits Technologies Ltd. | Systems and methods for averaging error rates in non-volatile devices and storage systems |
US8724387B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-05-13 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system, and computer readable medium for reading and programming flash memory cells using multiple bias voltages |
US9037777B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-05-19 | Densbits Technologies Ltd. | Device, system, and method for reducing program/read disturb in flash arrays |
US8745317B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-06-03 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for storing information in a multi-level cell memory |
US8416624B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-04-09 | SanDisk Technologies, Inc. | Erase and programming techniques to reduce the widening of state distributions in non-volatile memories |
US8621321B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-12-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for multi-dimensional encoding and decoding |
US8964464B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-02-24 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for accelerated sampling |
KR101796116B1 (ko) | 2010-10-20 | 2017-11-10 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법 |
US9063878B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-06-23 | Densbits Technologies Ltd. | Method, system and computer readable medium for copy back |
US8452914B2 (en) * | 2010-11-26 | 2013-05-28 | Htc Corporation | Electronic devices with improved flash memory compatibility and methods corresponding thereto |
US8850100B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-09-30 | Densbits Technologies Ltd. | Interleaving codeword portions between multiple planes and/or dies of a flash memory device |
US8966184B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2, LLC. | Apparatus, system, and method for managing eviction of data |
US9201677B2 (en) | 2011-05-23 | 2015-12-01 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Managing data input/output operations |
US8874823B2 (en) | 2011-02-15 | 2014-10-28 | Intellectual Property Holdings 2 Llc | Systems and methods for managing data input/output operations |
US9003104B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-04-07 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Systems and methods for a file-level cache |
WO2012116369A2 (en) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for managing contents of a cache |
US8990665B1 (en) | 2011-04-06 | 2015-03-24 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for joint search of a read threshold and soft decoding |
US9110785B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-08-18 | Densbits Technologies Ltd. | Ordered merge of data sectors that belong to memory space portions |
US9372792B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-06-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US9396106B2 (en) | 2011-05-12 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US9195592B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-11-24 | Densbits Technologies Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US8996790B1 (en) | 2011-05-12 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System and method for flash memory management |
US9501392B1 (en) | 2011-05-12 | 2016-11-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Management of a non-volatile memory module |
US20130080731A1 (en) * | 2011-09-28 | 2013-03-28 | Ping-Yi Hsu | Method and apparatus for performing memory management |
US9251052B2 (en) | 2012-01-12 | 2016-02-02 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Systems and methods for profiling a non-volatile cache having a logical-to-physical translation layer |
US9767032B2 (en) | 2012-01-12 | 2017-09-19 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for cache endurance |
US10102117B2 (en) | 2012-01-12 | 2018-10-16 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for cache and storage device coordination |
US9251086B2 (en) | 2012-01-24 | 2016-02-02 | SanDisk Technologies, Inc. | Apparatus, system, and method for managing a cache |
US10359972B2 (en) | 2012-08-31 | 2019-07-23 | Sandisk Technologies Llc | Systems, methods, and interfaces for adaptive persistence |
US9116812B2 (en) | 2012-01-27 | 2015-08-25 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Systems and methods for a de-duplication cache |
US8996788B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | Configurable flash interface |
US8947941B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-02-03 | Densbits Technologies Ltd. | State responsive operations relating to flash memory cells |
US10019353B2 (en) | 2012-03-02 | 2018-07-10 | Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. | Systems and methods for referencing data on a storage medium |
US8996793B1 (en) | 2012-04-24 | 2015-03-31 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer readable medium for generating soft information |
US8838937B1 (en) | 2012-05-23 | 2014-09-16 | Densbits Technologies Ltd. | Methods, systems and computer readable medium for writing and reading data |
US8879325B1 (en) | 2012-05-30 | 2014-11-04 | Densbits Technologies Ltd. | System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module |
US10339056B2 (en) | 2012-07-03 | 2019-07-02 | Sandisk Technologies Llc | Systems, methods and apparatus for cache transfers |
US9612966B2 (en) | 2012-07-03 | 2017-04-04 | Sandisk Technologies Llc | Systems, methods and apparatus for a virtual machine cache |
US9921954B1 (en) | 2012-08-27 | 2018-03-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and system for split flash memory management between host and storage controller |
US9368225B1 (en) | 2012-11-21 | 2016-06-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Determining read thresholds based upon read error direction statistics |
US20140189201A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Krishnamurthy Dhakshinamurthy | Flash Memory Interface Using Split Bus Configuration |
US9069659B1 (en) | 2013-01-03 | 2015-06-30 | Densbits Technologies Ltd. | Read threshold determination using reference read threshold |
US9842053B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-12-12 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for persistent cache logging |
US9136876B1 (en) | 2013-06-13 | 2015-09-15 | Densbits Technologies Ltd. | Size limited multi-dimensional decoding |
US9413491B1 (en) | 2013-10-08 | 2016-08-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for multiple dimension decoding and encoding a message |
US9786388B1 (en) | 2013-10-09 | 2017-10-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Detecting and managing bad columns |
US9348694B1 (en) | 2013-10-09 | 2016-05-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Detecting and managing bad columns |
US9397706B1 (en) | 2013-10-09 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for irregular multiple dimension decoding and encoding |
US9536612B1 (en) | 2014-01-23 | 2017-01-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays |
US10120792B1 (en) | 2014-01-29 | 2018-11-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Programming an embedded flash storage device |
US9933980B2 (en) * | 2014-02-24 | 2018-04-03 | Toshiba Memory Corporation | NAND raid controller for connection between an SSD controller and multiple non-volatile storage units |
US9542262B1 (en) | 2014-05-29 | 2017-01-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Error correction |
US9892033B1 (en) | 2014-06-24 | 2018-02-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Management of memory units |
US9584159B1 (en) | 2014-07-03 | 2017-02-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Interleaved encoding |
US9972393B1 (en) | 2014-07-03 | 2018-05-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accelerating programming of a flash memory module |
US9449702B1 (en) | 2014-07-08 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Power management |
US10002043B2 (en) * | 2014-08-19 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices and modules |
US10002044B2 (en) | 2014-08-19 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices and modules |
US9524211B1 (en) | 2014-11-18 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Codeword management |
US10305515B1 (en) | 2015-02-02 | 2019-05-28 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | System and method for encoding using multiple linear feedback shift registers |
US10628255B1 (en) | 2015-06-11 | 2020-04-21 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Multi-dimensional decoding |
US9851921B1 (en) | 2015-07-05 | 2017-12-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash memory chip processing |
US9916091B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system architecture |
TWI611408B (zh) * | 2015-11-25 | 2018-01-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體裝置的抹除方法 |
US9954558B1 (en) | 2016-03-03 | 2018-04-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Fast decoding of data stored in a flash memory |
US10141065B1 (en) * | 2017-08-29 | 2018-11-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Row redundancy with distributed sectors |
Family Cites Families (158)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3633175A (en) | 1969-05-15 | 1972-01-04 | Honeywell Inc | Defect-tolerant digital memory system |
US4006457A (en) | 1975-02-18 | 1977-02-01 | Motorola, Inc. | Logic circuitry for selection of dedicated registers |
US4013902A (en) | 1975-08-06 | 1977-03-22 | Honeywell Inc. | Initial reset signal generator and low voltage detector |
US4250570B1 (en) | 1976-07-15 | 1996-01-02 | Intel Corp | Redundant memory circuit |
US4354253A (en) | 1976-12-17 | 1982-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Bubble redundancy map storage using non-volatile semiconductor memory |
GB2020437B (en) | 1978-04-14 | 1982-08-04 | Seiko Instr & Electronics | Voltage detecting circuit |
US4210959A (en) | 1978-05-10 | 1980-07-01 | Apple Computer, Inc. | Controller for magnetic disc, recorder, or the like |
FR2426938A1 (fr) * | 1978-05-26 | 1979-12-21 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de detection de secteurs defectueux et d'allocation de secteurs de remplacement dans une memoire a disques |
DE2828855C2 (de) | 1978-06-30 | 1982-11-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Wortweise elektrisch umprogrammierbarer, nichtflüchtiger Speicher sowie Verfahren zum Löschen bzw. Einschreiben eines bzw. in einen solchen Speicher(s) |
US4295205A (en) | 1978-10-16 | 1981-10-13 | Kunstadt George H | Solid state mass memory system compatible with rotating disc memory equipment |
US4281398A (en) | 1980-02-12 | 1981-07-28 | Mostek Corporation | Block redundancy for memory array |
IN155448B (ja) | 1980-03-19 | 1985-02-02 | Int Computers Ltd | |
DE3032630C2 (de) | 1980-08-29 | 1983-12-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterspeicher aus Speicherbausteinen mit redundanten Speicherbereichen und Verfahren zu dessen Betrieb |
US4355376A (en) | 1980-09-30 | 1982-10-19 | Burroughs Corporation | Apparatus and method for utilizing partially defective memory devices |
JPS5760409A (en) | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Fanuc Ltd | Loading system of numerical control device |
JPS5764383A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-19 | Toshiba Corp | Address converting method and its device |
US4380066A (en) | 1980-12-04 | 1983-04-12 | Burroughs Corporation | Defect tolerant memory |
JPS57130298A (en) | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit memory and relieving method for its fault |
JPS57132256A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-16 | Sony Corp | Memory device |
US4353376A (en) | 1981-03-12 | 1982-10-12 | Schuler Murry W | Combine having separating and cleaning apparatus |
US4422161A (en) | 1981-10-08 | 1983-12-20 | Rca Corporation | Memory array with redundant elements |
JPS5877034A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | 記録方法 |
US4450559A (en) * | 1981-12-24 | 1984-05-22 | International Business Machines Corporation | Memory system with selective assignment of spare locations |
US4493075A (en) | 1982-05-17 | 1985-01-08 | National Semiconductor Corporation | Self repairing bulk memory |
JPS58215795A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリ装置 |
JPS58215794A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリ装置 |
US4479214A (en) | 1982-06-16 | 1984-10-23 | International Business Machines Corporation | System for updating error map of fault tolerant memory |
US4498146A (en) * | 1982-07-30 | 1985-02-05 | At&T Bell Laboratories | Management of defects in storage media |
JPS5945695A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Fujitsu Ltd | Icメモリ |
JPS5949022A (ja) | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Toshiba Corp | 多値論理回路 |
GB2129585B (en) | 1982-10-29 | 1986-03-05 | Inmos Ltd | Memory system including a faulty rom array |
US4710871A (en) * | 1982-11-01 | 1987-12-01 | Ncr Corporation | Data transmitting and receiving apparatus |
AU557723B2 (en) * | 1982-12-17 | 1987-01-08 | Blue Circle Southern Cement Ltd. | Electronic memory system |
US4527251A (en) | 1982-12-17 | 1985-07-02 | Honeywell Information Systems Inc. | Remap method and apparatus for a memory system which uses partially good memory devices |
US4617627A (en) | 1983-01-17 | 1986-10-14 | Hitachi, Ltd. | Method for automatic operation of a vehicle |
US4672240A (en) | 1983-02-07 | 1987-06-09 | Westinghouse Electric Corp. | Programmable redundancy circuit |
JPS59162695A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Nec Corp | 記憶装置 |
US4612640A (en) | 1984-02-21 | 1986-09-16 | Seeq Technology, Inc. | Error checking and correction circuitry for use with an electrically-programmable and electrically-erasable memory array |
US4617651A (en) | 1984-02-22 | 1986-10-14 | Seeq Technology, Inc. | Redundancy circuit for use in a semiconductor memory array |
US4896262A (en) * | 1984-02-24 | 1990-01-23 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Emulation device for converting magnetic disc memory mode signal from computer into semiconductor memory access mode signal for semiconductor memory |
US4642759A (en) | 1984-04-02 | 1987-02-10 | Targa Electronics Systems Inc. | Bubble memory disk emulation system |
JPS60212900A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 半導体固定記憶装置 |
US4617624A (en) | 1984-04-16 | 1986-10-14 | Goodman James B | Multiple configuration memory circuit |
US4727475A (en) | 1984-05-18 | 1988-02-23 | Frederick Kiremidjian | Self-configuring modular computer system with automatic address initialization |
JPS6150293A (ja) | 1984-08-17 | 1986-03-12 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS6196598A (ja) | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電気的消去可能なp−romのカウントデ−タ記憶方法 |
US4796233A (en) | 1984-10-19 | 1989-01-03 | Fujitsu Limited | Bipolar-transistor type semiconductor memory device having redundancy configuration |
US4654847A (en) * | 1984-12-28 | 1987-03-31 | International Business Machines | Apparatus for automatically correcting erroneous data and for storing the corrected data in a common pool alternate memory array |
JPS61208673A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録再生装置 |
EP0198935A1 (de) | 1985-04-23 | 1986-10-29 | Deutsche ITT Industries GmbH | Elektrisch umprogrammierbarer Halbleiterspeicher mit Redundanz |
US4744062A (en) * | 1985-04-23 | 1988-05-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory |
JPS62102482A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録再生装置 |
JP2664137B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1997-10-15 | 凸版印刷株式会社 | Icカード |
US4800520A (en) * | 1985-10-29 | 1989-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Portable electronic device with garbage collection function |
US4746998A (en) * | 1985-11-20 | 1988-05-24 | Seagate Technology, Inc. | Method for mapping around defective sectors in a disc drive |
US4924331A (en) * | 1985-11-20 | 1990-05-08 | Seagate Technology, Inc. | Method for mapping around defective sectors in a disc drive |
FR2591008B1 (fr) | 1985-11-30 | 1991-05-17 | Toshiba Kk | Dispositif electronique portatif |
US4718041A (en) | 1986-01-09 | 1988-01-05 | Texas Instruments Incorporated | EEPROM memory having extended life |
US4757474A (en) * | 1986-01-28 | 1988-07-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having redundancy circuit portion |
KR950008676B1 (ko) | 1986-04-23 | 1995-08-04 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 반도체 메모리 장치 및 그의 결함 구제 방법 |
KR890001847B1 (ko) | 1986-05-07 | 1989-05-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로 |
JP2685173B2 (ja) * | 1986-05-31 | 1997-12-03 | キヤノン株式会社 | メモリ書き込み制御方法 |
JPH07109717B2 (ja) | 1986-05-31 | 1995-11-22 | キヤノン株式会社 | メモリ書き込み制御方法 |
US4740882A (en) | 1986-06-27 | 1988-04-26 | Environmental Computer Systems, Inc. | Slave processor for controlling environments |
US4953122A (en) * | 1986-10-31 | 1990-08-28 | Laserdrive Ltd. | Pseudo-erasable and rewritable write-once optical disk memory system |
JPS63183700A (ja) | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | Eepromアクセス方法 |
US4785425A (en) | 1987-02-27 | 1988-11-15 | Emhart Industries, Inc. | Electronic locking system |
US4949240A (en) | 1987-03-13 | 1990-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data storage system having circuitry for dividing received data into sequential wards each stored in storage region identified by chain data |
GB2205667B (en) | 1987-06-12 | 1991-11-06 | Ncr Co | Method of controlling the operation of security modules |
US4814903A (en) | 1987-06-29 | 1989-03-21 | International Business Machines Corporation | Alternate storage areas in magnetooptical media |
JPS6454543A (en) | 1987-08-25 | 1989-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | Information processor |
JPS6472228A (en) | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Hitachi Maxell | Semiconductor file storage device |
JPH0778997B2 (ja) | 1987-10-30 | 1995-08-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
US5053990A (en) | 1988-02-17 | 1991-10-01 | Intel Corporation | Program/erase selection for flash memory |
US4949309A (en) | 1988-05-11 | 1990-08-14 | Catalyst Semiconductor, Inc. | EEPROM utilizing single transistor per cell capable of both byte erase and flash erase |
US5168465A (en) | 1988-06-08 | 1992-12-01 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5268318A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5293560A (en) | 1988-06-08 | 1994-03-08 | Eliyahou Harari | Multi-state flash EEPROM system using incremental programing and erasing methods |
US5268870A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
US5043940A (en) | 1988-06-08 | 1991-08-27 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM memory systems having multistate storage cells |
US5268319A (en) | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5198380A (en) | 1988-06-08 | 1993-03-30 | Sundisk Corporation | Method of highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
US5095344A (en) | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Eliyahou Harari | Highly compact eprom and flash eeprom devices |
US4914529A (en) * | 1988-07-18 | 1990-04-03 | Western Digital Corp. | Data disk defect handling using relocation ID fields |
US5070474A (en) * | 1988-07-26 | 1991-12-03 | Disk Emulation Systems, Inc. | Disk emulation system |
JP2685825B2 (ja) | 1988-08-12 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JPH0283892A (ja) | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US5535328A (en) | 1989-04-13 | 1996-07-09 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory system card with flash erasable sectors of EEprom cells including a mechanism for substituting defective cells |
DE69024086T2 (de) * | 1989-04-13 | 1996-06-20 | Sundisk Corp | EEprom-System mit Blocklöschung |
US5163021A (en) | 1989-04-13 | 1992-11-10 | Sundisk Corporation | Multi-state EEprom read and write circuits and techniques |
US5172338B1 (en) | 1989-04-13 | 1997-07-08 | Sandisk Corp | Multi-state eeprom read and write circuits and techniques |
US5226168A (en) * | 1989-04-25 | 1993-07-06 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor memory configured to emulate floppy and hard disk magnetic storage based upon a determined storage capacity of the semiconductor memory |
US5003591A (en) | 1989-05-25 | 1991-03-26 | General Instrument Corporation | Functionally modifiable cable television converter system |
FR2647941B1 (fr) | 1989-06-06 | 1991-08-30 | Gemplus Card Int | Procede d'effacement de points memoire, dispositif destine a sa mise en oeuvre, et son utilisation dans un dispositif a memoire non alimente |
CA2010122A1 (en) | 1989-06-21 | 1990-12-21 | Makoto Sakamoto | Integrated circuit including programmable circuit |
US5200959A (en) * | 1989-10-17 | 1993-04-06 | Sundisk Corporation | Device and method for defect handling in semi-conductor memory |
US5134589A (en) | 1989-10-30 | 1992-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device having a flash write function |
US5283762A (en) | 1990-05-09 | 1994-02-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device containing voltage converting circuit and operating method thereof |
US5303198A (en) * | 1990-09-28 | 1994-04-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of recording data in memory card having EEPROM and memory card system using the same |
DE69021732T2 (de) * | 1990-12-04 | 1996-01-18 | Hewlett Packard Ltd | Wiederprogrammierbare Datenspeicherungsanlage. |
GB2251324B (en) * | 1990-12-31 | 1995-05-10 | Intel Corp | File structure for a non-volatile semiconductor memory |
US5283882A (en) | 1991-02-22 | 1994-02-01 | Unisys Corporation | Data caching and address translation system with rapid turnover cycle |
US5504760A (en) | 1991-03-15 | 1996-04-02 | Sandisk Corporation | Mixed data encoding EEPROM system |
US5396468A (en) | 1991-03-15 | 1995-03-07 | Sundisk Corporation | Streamlined write operation for EEPROM system |
US5270979A (en) | 1991-03-15 | 1993-12-14 | Sundisk Corporation | Method for optimum erasing of EEPROM |
US5663901A (en) | 1991-04-11 | 1997-09-02 | Sandisk Corporation | Computer memory cards using flash EEPROM integrated circuit chips and memory-controller systems |
JPH04332999A (ja) | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Hitachi Koki Co Ltd | メモリの使用方法 |
JP2582487B2 (ja) * | 1991-07-12 | 1997-02-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法 |
US5430859A (en) * | 1991-07-26 | 1995-07-04 | Sundisk Corporation | Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus |
US5438573A (en) | 1991-09-13 | 1995-08-01 | Sundisk Corporation | Flash EEPROM array data and header file structure |
US6230233B1 (en) | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US5778418A (en) | 1991-09-27 | 1998-07-07 | Sandisk Corporation | Mass computer storage system having both solid state and rotating disk types of memory |
US5268928A (en) | 1991-10-15 | 1993-12-07 | Racal-Datacom, Inc. | Data modem with remote firmware update |
JPH05151097A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Fujitsu Ltd | 書換回数制限型メモリのデータ管理方式 |
JPH05233426A (ja) | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | フラッシュ・メモリ使用方法 |
JP2716906B2 (ja) | 1992-03-27 | 1998-02-18 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5375222A (en) * | 1992-03-31 | 1994-12-20 | Intel Corporation | Flash memory card with a ready/busy mask register |
US5532962A (en) | 1992-05-20 | 1996-07-02 | Sandisk Corporation | Soft errors handling in EEPROM devices |
US5592415A (en) | 1992-07-06 | 1997-01-07 | Hitachi, Ltd. | Non-volatile semiconductor memory |
US5315541A (en) | 1992-07-24 | 1994-05-24 | Sundisk Corporation | Segmented column memory array |
US5428621A (en) | 1992-09-21 | 1995-06-27 | Sundisk Corporation | Latent defect handling in EEPROM devices |
US5337275A (en) * | 1992-10-30 | 1994-08-09 | Intel Corporation | Method for releasing space in flash EEPROM memory array to allow the storage of compressed data |
US5341330A (en) * | 1992-10-30 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Method for writing to a flash memory array during erase suspend intervals |
JP3641280B2 (ja) * | 1992-10-30 | 2005-04-20 | インテル・コーポレーション | フラッシュeepromアレイのクリーン・アップすべきブロックを決定する方法 |
US5479633A (en) | 1992-10-30 | 1995-12-26 | Intel Corporation | Method of controlling clean-up of a solid state memory disk storing floating sector data |
US5357475A (en) * | 1992-10-30 | 1994-10-18 | Intel Corporation | Method for detaching sectors in a flash EEPROM memory array |
US5343086A (en) | 1992-11-06 | 1994-08-30 | Intel Corporation | Automatic voltage detector control circuitry |
US5280198A (en) | 1992-11-06 | 1994-01-18 | Intel Corporation | Power supply level detector |
JP3101107B2 (ja) | 1992-12-24 | 2000-10-23 | 三菱電機株式会社 | 偏向ヨーク |
JPH06236686A (ja) | 1993-01-22 | 1994-08-23 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5586285A (en) | 1993-02-19 | 1996-12-17 | Intel Corporation | Method and circuitry for increasing reserve memory in a solid state memory disk |
US5740349A (en) * | 1993-02-19 | 1998-04-14 | Intel Corporation | Method and apparatus for reliably storing defect information in flash disk memories |
US5581723A (en) | 1993-02-19 | 1996-12-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for retaining flash block structure data during erase operations in a flash EEPROM memory array |
US5404485A (en) * | 1993-03-08 | 1995-04-04 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash file system |
JPH06266596A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリファイル記憶装置および情報処理装置 |
JP3078946B2 (ja) * | 1993-03-11 | 2000-08-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 一括消去型不揮発性メモリの管理方法及び半導体ディスク装置 |
US5388083A (en) * | 1993-03-26 | 1995-02-07 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture |
US5479638A (en) * | 1993-03-26 | 1995-12-26 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique |
US5485595A (en) * | 1993-03-26 | 1996-01-16 | Cirrus Logic, Inc. | Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells |
US5329491A (en) | 1993-06-30 | 1994-07-12 | Intel Corporation | Nonvolatile memory card with automatic power supply configuration |
US5353256A (en) * | 1993-06-30 | 1994-10-04 | Intel Corporation | Block specific status information in a memory device |
US5422842A (en) | 1993-07-08 | 1995-06-06 | Sundisk Corporation | Method and circuit for simultaneously programming and verifying the programming of selected EEPROM cells |
US5566314A (en) | 1993-08-30 | 1996-10-15 | Lucent Technologies Inc. | Flash memory device employing unused cell arrays to update files |
US5430402A (en) | 1993-09-10 | 1995-07-04 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing selectable sources of voltage |
US5363335A (en) | 1993-09-28 | 1994-11-08 | Intel Corporation | Nonvolatile memory with automatic power supply configuration |
JPH07261883A (ja) | 1994-02-07 | 1995-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電源制御用半導体集積回路装置 |
US5661053A (en) | 1994-05-25 | 1997-08-26 | Sandisk Corporation | Method of making dense flash EEPROM cell array and peripheral supporting circuits formed in deposited field oxide with the use of spacers |
US5603001A (en) * | 1994-05-09 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor disk system having a plurality of flash memories |
US5809558A (en) | 1994-09-29 | 1998-09-15 | Intel Corporation | Method and data storage system for storing data in blocks without file reallocation before erasure |
US5508971A (en) | 1994-10-17 | 1996-04-16 | Sandisk Corporation | Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems |
US5495453A (en) | 1994-10-19 | 1996-02-27 | Intel Corporation | Low power voltage detector circuit including a flash memory cell |
EP0745995B1 (en) * | 1995-05-05 | 2001-04-11 | STMicroelectronics S.r.l. | Nonvolatile, in particular flash-EEPROM, memory device |
JP3782840B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2006-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 外部記憶装置およびそのメモリアクセス制御方法 |
US5845313A (en) | 1995-07-31 | 1998-12-01 | Lexar | Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture |
US5835935A (en) | 1995-09-13 | 1998-11-10 | Lexar Media, Inc. | Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory |
US5890192A (en) * | 1996-11-05 | 1999-03-30 | Sandisk Corporation | Concurrent write of multiple chunks of data into multiple subarrays of flash EEPROM |
US5745418A (en) * | 1996-11-25 | 1998-04-28 | Macronix International Co., Ltd. | Flash memory mass storage system |
US5822245A (en) | 1997-03-26 | 1998-10-13 | Atmel Corporation | Dual buffer flash memory architecture with multiple operating modes |
-
1998
- 1998-02-25 US US09/030,697 patent/US6081878A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-25 EP EP10012048.4A patent/EP2306321B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-25 AU AU29750/99A patent/AU2975099A/en not_active Abandoned
- 1999-02-25 EP EP99911004A patent/EP0983550A4/en not_active Withdrawn
- 1999-02-25 JP JP54391299A patent/JP3792259B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-25 WO PCT/US1999/004247 patent/WO1999044113A2/en active Application Filing
-
2000
- 2000-01-20 US US09/487,865 patent/US6202138B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-08 US US09/521,419 patent/US6172906B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-02 US US09/705,474 patent/US6397314B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-06 JP JP2004199902A patent/JP3944496B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-02-02 JP JP2006026387A patent/JP2006139805A/ja active Pending
- 2006-02-02 JP JP2006026386A patent/JP2006139804A/ja active Pending
-
2010
- 2010-01-25 JP JP2010013538A patent/JP2010092506A/ja active Pending
- 2010-06-21 JP JP2010140955A patent/JP2010257479A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004508626A (ja) * | 2000-08-25 | 2004-03-18 | レクサー メディア,インク. | オーバヘッドデータとユーザデータを個別に格納するフラッシュメモリアーキテクチャ |
JP4782360B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2011-09-28 | レクサー メディア,インク. | オーバヘッドデータとユーザデータを独立して個別に格納するフラッシュメモリアーキテクチャ |
US7549012B2 (en) | 2002-02-06 | 2009-06-16 | Sandisk Corporation | Memory device with sector pointer structure |
US7242632B2 (en) | 2002-06-20 | 2007-07-10 | Tokyo Electron Device Limited | Memory device, memory managing method and program |
JP4921174B2 (ja) * | 2003-12-31 | 2012-04-25 | シェンジェンシランカカジグフェンヨウシャンゴンシ | フラッシュメモリのデータ書込み方法 |
US8301825B2 (en) | 2005-04-15 | 2012-10-30 | Thomson Licensing | Method and system for storing logical data blocks into flash-blocks in multiple non-volatile memories which are connected to at least one common data I/O bus |
JP2008537828A (ja) * | 2005-04-15 | 2008-09-25 | トムソン ライセンシング | 少なくとも一つの共通データi/oバスに接続された複数の不揮発性メモリ中における論理データ・ブロックをフラッシュ・ブロックに記憶する方法およびシステム |
JP2007018499A (ja) * | 2005-06-06 | 2007-01-25 | Sony Corp | 記憶装置 |
US8285916B2 (en) | 2005-06-06 | 2012-10-09 | Sony Corporation | Storage device |
KR101305490B1 (ko) * | 2005-10-01 | 2013-09-06 | 삼성전자주식회사 | 메모리 맵핑 방법 및 장치 |
US7685356B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Chronological identification in flash memory using cyclic numbers |
WO2008093606A1 (ja) | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びアクセス装置 |
US8209504B2 (en) | 2007-01-30 | 2012-06-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and access device having a variable read and write access rate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US6172906B1 (en) | 2001-01-09 |
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