JPH05233426A - フラッシュ・メモリ使用方法 - Google Patents

フラッシュ・メモリ使用方法

Info

Publication number
JPH05233426A
JPH05233426A JP4033398A JP3339892A JPH05233426A JP H05233426 A JPH05233426 A JP H05233426A JP 4033398 A JP4033398 A JP 4033398A JP 3339892 A JP3339892 A JP 3339892A JP H05233426 A JPH05233426 A JP H05233426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sector
flash memory
data
logical address
erase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4033398A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Ito
裕之 伊藤
Noriyuki Matsui
範幸 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4033398A priority Critical patent/JPH05233426A/ja
Priority to FR9301908A priority patent/FR2687811B1/fr
Publication of JPH05233426A publication Critical patent/JPH05233426A/ja
Priority to US08/998,073 priority patent/US5966720A/en
Priority to US09/208,474 priority patent/US5987563A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061—Improving I/O performance
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061—Improving I/O performance
    • G06F3/0613—Improving I/O performance in relation to throughput
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
    • G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G11C16/105—Circuits or methods for updating contents of nonvolatile memory, especially with 'security' features to ensure reliable replacement, i.e. preventing that old data is lost before new data is reliably written
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0662—Virtualisation aspects
    • G06F3/0664—Virtualisation aspects at device level, e.g. emulation of a storage device or system

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、フラッシュ・メモリ使用方法に係
り、特にデータの更新書込みを高速に行うことができる
ようにしたものである。 【構成】 フラッシュ・メモリを複数のセクタで区切
り、各セクタに論理アドレス部分と、消去管理表示部分
と、データ部分を設け、論理アドレスによりセクタを検
索する。そして更新するとき、該セクタの消去管理表示
部分の消去可能フラグをオンにし、空きセクタにその論
理アドレスを付加し、更新データを記入する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラッシュ（ＦＬＡＳ
Ｈ）メモリ使用方法に係り、特にデータの更新書込みを
高速に行うことができるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】データ処理装置において、ファイルとし
ては磁気ディスクやフロッピィ・ディスクのようなディ
スク類が主に使用されている。しかし、これらのディス
クは機構的な部分で構成されているために重く、しかも
消費電力が大きい等の問題がある。
【０００３】従って、このようなディスク類に代わる大
容量の記憶装置としてはＤＲＡＭやＳＲＡＭのような揮
発性の半導体メモリの使用が考えられるが、ＤＲＡＭや
ＳＲＡＭはリチウム電池の如きバックアップ電源が必要
である。それ故、最近開発された、バックアップ電源が
不要で、しかもＤＲＡＭやＳＲＡＭより安価なフラッシ
ュ・メモリの使用が考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでフラッシュ・
メモリは、不揮発性であり、しかも電気的に書換え可能
なメモリであり、しかも安価ではあるが、次のような問
題点を持っている。
【０００５】一旦データを消去してからでないとデー
タの記入ができないが、消去単位としてはバイト単位は
不可能であり、数１０キロバイト〜数百キロバイト単位
の如き大きなブロック単位か、チップ単位である。
【０００６】そのため、物理アドレス空間における任
意番地のデータを書き換えることは不可能であり、書き
換えるためには前記で説明した消去単位毎にどこかに
一旦退避させた後にこれを消去し、消去したくないデー
タを退避先から書き込み、それから新しく書き込みした
い部分を記入する必要がある。
【０００７】このような作業を必要とするため、リー
ド速度に比較して、ライト速度あるいは消去速度は非常
に時間がかかり、しかも前記で説明の如く、消去単位
が大きいため、その書き換え作業は膨大な時間を必要と
するので、大量なデータを取り扱うデータベースの如き
場合には、データの書き換えは実質的に不可能な作業で
ある。
【０００８】従って、いままでのＤＲＡＭやＳＲＡＭと
同様に、あるいはハードディスクと同様なアドレスにも
とづくアクセス手段ではその書き換えができないので、
実質的に使用できない。しかしながら、安価であると
か、バックアップ電源が不要であるとか、メリットもあ
るのでこれを使いこなすことが要求されている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このために、本発明で
は、図１に示す如く、フラッシュ・メモリをセクタ００
〜０ｎで管理するとともに、セクタ０２について代表的
に例示するように、各セクタに論理アドレス部１０、消
去管理部１１、データ部１２、誤り検出データ部１３を
設ける。
【００１０】そしてセクタにはセクタ毎にセクタアドレ
ス（論理アドレス）を持たせることにより、データのア
クセスを物理アドレスではなく、セクタアドレスで行う
ようにする。また書き換え命令が伝達された場合、該当
するセクタの消去管理部１１の消去管理ビットをオンに
してそのセクタのデータ部が無効になったことを示すと
ともに、フラッシュ・メモリの空きセクタに新しく書き
換えるデータを記入して、その論理アドレスを、無効に
した前記セクタの論理アドレスと同一に設定する。
【００１１】
【作用】フラッシュ・メモリはデータが記入されている
領域を、アドレスを指定して別のデータに書き換えるこ
とはできないが、初期状態にある領域については、アド
レスを指定してデータを記入することはできる。本発明
はこのフラッシュ・メモリの特性を効果的に利用して、
セクタ単位で実質的にデータの書き換えが行われたとき
と同様の効果を得るものである。
【００１２】各セクタにデータを記入するとき、消去管
理部１１は初期状態にしておく。そして論理アドレス部
１０には論理アドレスを記入し、データ部１２には、そ
の論理アドレスに記憶すべきデータを記入し、誤り検出
データ部１３にはＣＲＣの如き誤り検出データを記入
し、例えば１ビットエラー訂正、２ビットエラー検出可
能とする。
【００１３】いま、図１において、セクタ０２のデータ
を書き換える場合、その空きセクタがセクタ０ｎ−１よ
り始まる場合、セクタ０２の消去管理部１１に消去管理
ビットをオンにする。これは初期状態と反対のデータを
記入することにより行われる。そしてセクタ０ｎ−１の
論理アドレス部１０にセクタ０２の論理アドレスと同一
の論理アドレスを記入し、データ部１２に新しいデータ
を記入し、誤り検出データ部１３にはこれらに応じた誤
り訂正・検出用のデータを記入する。これらの場合、セ
クタ０２の消去管理部及びセクタ０ｎ−１の論理アドレ
ス部、データ部、誤り検出データ部はいずれも初期状態
にあるので、これらの書き込みはその領域のみに限定し
て、しかも高速に行うことができる。
【００１４】そして実際にこの論理アドレス領域からデ
ータを読み出すとき、各セクタの論理アドレス部を順次
スキャンして、初めにセクタ０２の論理アドレス部にお
いてアクセス先を検知するが、そのとき消去管理部１１
には消去管理ビットがオンになっていることを検知して
セクタ０２が消去されていることを認識し、さらに論理
アドレス部のアクセスを続行する。そしてセクタ０ｎ−
１よりアクセス先の論理アドレスを検出し、そのデータ
部より必要とするデータを得る。
【００１５】このようにして、実際にデータの書き換え
や消去を行うことなく、データを書き換えた状態として
使用することができる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例を図２及び図３にもとづ
き、図１を参照して説明する。図２は本発明を実施する
ためのハードブロックの１例であり、図３は本発明のフ
ラッシュ・メモリの使用状態説明図である。
【００１７】図２において、１はマイクロプロセッサ、
２はフラッシュ・メモリ、３は入出力装置である。マイ
クロプロセッサ１はフラッシュ・メモリ２に対してアク
セス制御を行うものであり、フラッシュ・メモリ２の空
きセクタを管理する空きセクタ管理部４を具備する。
【００１８】フラッシュ・メモリ２は、例えば後述する
図３に示す如く構成されている。また入出力装置３は、
フラッシュ・メモリ２に記憶すべきデータを入力した
り、フラッシュ・メモリ２より必要とするデータを読み
出すものである。
【００１９】フラッシュ・メモリ２は、例えば図３
（Ａ）に示す如く、セクタ００〜０ｎよりなるブロック
Ｂ０、セクタ１０〜１ｎよりなるブロックＢ１・・・セ
クタｍ０〜ｍｎよりなるブロックＢｍで構成されてい
る。
【００２０】ここで、１ブロックは消去単位を示し、各
ブロックを構成するセクタは適宜サイズで構成される。
そして各セクタは、前記の如く論理アドレス部１０、消
去管理部１１、データ部１２、誤り検出データ部１３等
で構成される。そしてデータ部１２は、例えばフラッシ
ュ・メモリがファイルとして使用されるとき、このファ
イル用のデータつまりメモリとして記憶すべきデータが
これに記入される。
【００２１】そして、３（Ｂ）に示す如く、消去管理部
１１は、ビットＤ7 とＤ6 にはそのセクタが消去されて
無効のものであることを示す消去可能フラグが記入さ
れ、またビットＤ5 とＤ4 はそのセクタが不良セクタで
あることを示す不良セクタフラグが記入される。この例
では、信頼性の向上のため、消去可能フラグ及び不良セ
クタフラグがそれぞれ２重化されている。そして残りの
Ｄ3 〜Ｄ0 はリザーブ領域である。
【００２２】いま、図３において、セクタｍ０までにデ
ータが記入されているとき、図２の空セクタ管理部４
は、空きセクタの先頭が、セクタｍ１であることを保持
している。そしてこのフラッシュ・メモリに対してアク
セス要求、例えばリードアクセスがあるとき、マイクロ
プロセッサ１は、図３（Ａ）で示したフラッシュ・メモ
リ・アレー内のセクタ００から順次各セクタの論理アド
レスを検索し、消去管理フラグが立っていないセクタの
論理アドレスがアクセス先のものと一致したものを読み
出してデータを要求先の入出力装置３に送出する。
【００２３】そして、書き換えのアクセス要求があった
とき、マイクロプロセッサ１は、フラッシュ・メモリ２
よりそのアクセス先の論理アドレスを有するセクタを検
出し、その消去管理部１１の消去可能フラグＤ7 、Ｄ6
を立てる。フラッシュ・メモリには、初期状態が「０」
のものと「１」のものとがあり，初期状態が「０」のも
のは「１」に、逆に「１」のものは「０」にすることに
より消去可能フラグＤ 7 、Ｄ6 がオンに立つことにな
る。
【００２４】それからマイクロプロセッサ１は空セクタ
管理部４から空きセクタの先頭のセクタ、例えばセクタ
ｍ１を認識し、その不良セクタフラグＤ5 、Ｄ4 をアク
セスする。不良セクタフラグがオンでなければ、マイク
ロプロセッサ１はこのセクタｍ１の論理アドレス部１０
にアクセス先の論理アドレスをデータ部１２に新しいデ
ータを、誤り検出データ部１３に誤り検出データをそれ
ぞれ記入し、空セクタ管理部４に次の空セクタはセクタ
ｍ２であることを記入する。
【００２５】しかし、セクタｍ１の不良セクタフラグＤ
5 、Ｄ4 のいずれか一方がオンであれば、マイクロプロ
セッサ１は今度は次のセクタｍ２に対して、前記と同様
に書き込み処理を行う。
【００２６】前記説明では、マイクロプロセッサ１によ
りフラッシュ・メモリをアクセスする例について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、勿論プ
ロセッサを使用することもできる。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、フラッシュ・メモリをセ
クタ単位で管理して、データの書き換えを可能とするこ
とができるので、安価なフラッシュ・メモリを例えばフ
ァイル用に有効利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明を実施するためのハードブロック図の１
例である。
【図３】本発明のフラッシュ・メモリの使用状態説明図
である。
【符号の説明】
１ マイクロプロセッサ ２ フラッシュ・メモリ ３ 入出力装置

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フラッシュ・メモリを複数のセクタで区
    切り、各セクタに論理アドレス部分と、消去管理表示部
    分と、データ部分を設け、論理アドレスによりセクタを
    検索することを特徴とするフラッシュ・メモリ使用方
    法。
  2. 【請求項２】 前記セクタに誤り検出データを付加する
    ことを特徴とする請求項１記載のフラッシュ・メモリ使
    用方法。
  3. 【請求項３】 前記消去管理表示部分には、そのセクタ
    のデータ部分が有効のとき初期状態を保持し、データ部
    分が無効のとき初期状態とは異なる状態に変換してその
    無効を表示する消去可能フラグを設けたことを特徴とす
    る請求項１記載のフラッシュ・メモリ使用方法。
  4. 【請求項４】 前記消去管理表示部分には前記消去可能
    フラグが複数設けられていることを特徴とする請求項１
    記載のフラッシュ・メモリ使用方法。
  5. 【請求項５】 前記消去管理表示部分には、そのセクタ
    が不良セクタか否かを示す不良セクタフラグを設けたこ
    とを特徴とする請求項１記載のフラッシュ・メモリ使用
    方法。
  6. 【請求項６】 前記消去管理表示部分には前記不良セク
    タフラグが複数設けられていることを特徴とする請求項
    １記載のフラッシュ・メモリ使用方法。
  7. 【請求項７】 プロセッサに空セクタ管理手段を設け、
    更新要求に対してこの空セクタ管理手段に記入されたセ
    クタにもとづき更新先を定めるようにしたことを特徴と
    するフラッシュ・メモリ使用方法。
JP4033398A 1992-02-20 1992-02-20 フラッシュ・メモリ使用方法 Pending JPH05233426A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4033398A JPH05233426A (ja) 1992-02-20 1992-02-20 フラッシュ・メモリ使用方法
FR9301908A FR2687811B1 (fr) 1992-02-20 1993-02-19 Procede et appareil de commande de memoire flash.
US08/998,073 US5966720A (en) 1992-02-20 1997-12-24 Flash memory accessed using only the logical address
US09/208,474 US5987563A (en) 1992-02-20 1998-12-10 Flash memory accessed using only the logical address

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4033398A JPH05233426A (ja) 1992-02-20 1992-02-20 フラッシュ・メモリ使用方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05233426A true JPH05233426A (ja) 1993-09-10

Family

ID=12385496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4033398A Pending JPH05233426A (ja) 1992-02-20 1992-02-20 フラッシュ・メモリ使用方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5966720A (ja)
JP (1) JPH05233426A (ja)
FR (1) FR2687811B1 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05282889A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ装置
JPH07153284A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
EP0669751A2 (en) * 1994-02-23 1995-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Data processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data
US5734328A (en) * 1993-12-28 1998-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for switching communication method based on detected communication distance
US5946714A (en) * 1996-10-21 1999-08-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor storage device utilizing address management tables and table state maps for managing data storage and retrieval
JP2001043143A (ja) * 1997-09-30 2001-02-16 Sony Corp 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法
JP2001195889A (ja) * 2000-11-15 2001-07-19 Fujitsu Ltd 記憶装置の書き込み／消去方法
JP2003242788A (ja) * 2003-02-10 2003-08-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ装置及びその制御方法
US6721819B2 (en) 1998-03-02 2004-04-13 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
US6750908B1 (en) 1994-02-03 2004-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data
US6772274B1 (en) 2000-09-13 2004-08-03 Lexar Media, Inc. Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array
WO2006106583A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Fujitsu Limited メモリセルのデータ読出し回路、メモリ回路、メモリセルのデータ読出し方法
JP2007164391A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Sony Corp メモリカードおよびその制御方法
JP2010170599A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Renesas Electronics Corp 不揮発性メモリ及びその制御方法
US9384127B2 (en) 2000-08-25 2016-07-05 Micron Technology, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7190617B1 (en) * 1989-04-13 2007-03-13 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US5485595A (en) * 1993-03-26 1996-01-16 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells
US5471518A (en) * 1993-08-10 1995-11-28 Novatel Communications Ltd. Method and apparatus for non-volatile data storage in radio telephones and the like
JP2938732B2 (ja) * 1993-11-10 1999-08-25 松下電送システム株式会社 メモリ管理装置とこれを用いたファクシミリ装置
FR2730833B1 (fr) * 1995-02-16 1997-03-28 Gemplus Card Int Procede de mise a jour securisee de memoire eeprom
US6081878A (en) 1997-03-31 2000-06-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5930815A (en) * 1995-07-31 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5838614A (en) * 1995-07-31 1998-11-17 Lexar Microsystems, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5845313A (en) 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US5907856A (en) * 1995-07-31 1999-05-25 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US8171203B2 (en) 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US6978342B1 (en) 1995-07-31 2005-12-20 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6125435A (en) * 1995-09-13 2000-09-26 Lexar Media, Inc. Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory
US5933847A (en) * 1995-09-28 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Selecting erase method based on type of power supply for flash EEPROM
FR2755287B1 (fr) * 1996-10-25 1998-12-31 Sgs Thomson Microelectronics Memoire non volatile multiniveau modifiable electriquement comportant des moyens de rafraichissement internes
JP3702923B2 (ja) * 1997-02-28 2005-10-05 ソニー株式会社 情報処理方法および情報処理装置
US6122195A (en) * 1997-03-31 2000-09-19 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory
US6034897A (en) * 1999-04-01 2000-03-07 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
JP3233079B2 (ja) 1997-09-30 2001-11-26 ソニー株式会社 データ処理システム及びデータ処理方法
US6076137A (en) * 1997-12-11 2000-06-13 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices
CN1249585C (zh) * 1997-12-16 2006-04-05 Tdk株式会社 闪速存储器***
CN1249586C (zh) * 1997-12-22 2006-04-05 Tdk株式会社 闪速存储器***
GB9801373D0 (en) 1998-01-22 1998-03-18 Memory Corp Plc Memory system
KR100319598B1 (ko) * 1998-03-18 2002-04-06 김영환 플래시메모리어레이액세스방법및장치
US6901457B1 (en) 1998-11-04 2005-05-31 Sandisk Corporation Multiple mode communications system
US6141249A (en) * 1999-04-01 2000-10-31 Lexar Media, Inc. Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time
EP1729304B1 (en) 1999-04-01 2012-10-17 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
FR2799046B1 (fr) * 1999-09-24 2004-02-27 Aton Systemes Sa Procede pour l'ecriture aleatoire de secteurs d'une taille inferieure a celle d'un bloc d'effacement dans une memoire effacable par bloc pour laquelle toute ecriture d'une donnee necessite l'effacement du bloc qui contient ladite donnee
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
DE60009031D1 (de) 2000-03-28 2004-04-22 St Microelectronics Srl Verfahren zur logischen Aufteilung einer nichtflüchtigen Speichermatrix
FR2810152A1 (fr) * 2000-06-13 2001-12-14 St Microelectronics Sa Memoire eeprom securisee comprenant un circuit de correction d'erreur
US6567307B1 (en) 2000-07-21 2003-05-20 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
JP3726663B2 (ja) * 2000-09-07 2005-12-14 日産自動車株式会社 電子制御装置の制御データ記憶装置
FR2818426A1 (fr) * 2000-12-18 2002-06-21 Schlumberger Systems & Service Dispositif et procede de securisation de zones de donnees dans une carte a puce
US6763424B2 (en) * 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
JP3692313B2 (ja) * 2001-06-28 2005-09-07 松下電器産業株式会社 不揮発性メモリの制御方法
US7240178B2 (en) * 2001-07-25 2007-07-03 Sony Corporation Non-volatile memory and non-volatile memory data rewriting method
US6948026B2 (en) * 2001-08-24 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Erase block management
GB0123412D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system sectors
GB0123416D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
GB0123421D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Power management system
GB0123410D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system for data storage and retrieval
GB0123415D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Method of writing data to non-volatile memory
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
US7533214B2 (en) * 2002-02-27 2009-05-12 Microsoft Corporation Open architecture flash driver
US7085879B2 (en) * 2002-02-27 2006-08-01 Microsoft Corporation Dynamic data structures for tracking data stored in a flash memory device
US6901499B2 (en) 2002-02-27 2005-05-31 Microsoft Corp. System and method for tracking data stored in a flash memory device
FR2838536B1 (fr) * 2002-04-16 2005-06-24 A S K Procede de modification des donnees d'une carte a memoire lors d'une transaction
TWI246064B (en) * 2002-07-29 2005-12-21 Milsys Ltd Data storage and processing device, electronic appliance, electronic system and method of operating an appliance that responds to a plurality of commands
US7082512B2 (en) * 2002-11-21 2006-07-25 Microsoft Corporation Dynamic data structures for tracking file system free space in a flash memory device
FR2848702B1 (fr) * 2002-12-12 2005-03-18 A S K Procede securise de modification de donnees enregistrees dans une carte a memoire
GB2400927A (en) * 2003-04-22 2004-10-27 Hewlett Packard Development Co Method of managing memory by checking that none of the sectors in a block is needed before erasing the block.
ITMI20031126A1 (it) * 2003-06-05 2004-12-06 St Microelectronics Srl Dispositivo di memoria di massa basato su una memoria
US20040268082A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Michael Yatziv Method and system for parcel-based data mapping
GB2405231B (en) * 2003-08-20 2006-05-24 Agilent Technologies Inc Master slave arrangement
US7631138B2 (en) * 2003-12-30 2009-12-08 Sandisk Corporation Adaptive mode switching of flash memory address mapping based on host usage characteristics
US8504798B2 (en) 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
EP1714284A4 (en) * 2004-01-15 2008-09-17 Milsys Ltd REPLACEABLE MEDIUM WITH BOOKMARKS
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7370166B1 (en) 2004-04-30 2008-05-06 Lexar Media, Inc. Secure portable storage device
JP4066979B2 (ja) * 2004-06-03 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 発光素子駆動回路、通信装置、及び発光素子駆動方法
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US20060184718A1 (en) 2005-02-16 2006-08-17 Sinclair Alan W Direct file data programming and deletion in flash memories
US20060184719A1 (en) 2005-02-16 2006-08-17 Sinclair Alan W Direct data file storage implementation techniques in flash memories
US9104315B2 (en) 2005-02-04 2015-08-11 Sandisk Technologies Inc. Systems and methods for a mass data storage system having a file-based interface to a host and a non-file-based interface to secondary storage
US7877539B2 (en) * 2005-02-16 2011-01-25 Sandisk Corporation Direct data file storage in flash memories
US7552271B2 (en) 2005-08-03 2009-06-23 Sandisk Corporation Nonvolatile memory with block management
US7409489B2 (en) 2005-08-03 2008-08-05 Sandisk Corporation Scheduling of reclaim operations in non-volatile memory
US7949845B2 (en) 2005-08-03 2011-05-24 Sandisk Corporation Indexing of file data in reprogrammable non-volatile memories that directly store data files
US7627733B2 (en) 2005-08-03 2009-12-01 Sandisk Corporation Method and system for dual mode access for storage devices
US7669003B2 (en) 2005-08-03 2010-02-23 Sandisk Corporation Reprogrammable non-volatile memory systems with indexing of directly stored data files
US7480766B2 (en) * 2005-08-03 2009-01-20 Sandisk Corporation Interfacing systems operating through a logical address space and on a direct data file basis
US7558906B2 (en) 2005-08-03 2009-07-07 Sandisk Corporation Methods of managing blocks in nonvolatile memory
US8855714B2 (en) 2005-09-14 2014-10-07 Sandisk Il Ltd. Removable media player for mobile phones
CN1937077B (zh) * 2005-09-22 2011-03-23 康佳集团股份有限公司 闪存介质中的数据多状态管理方法
US7529905B2 (en) * 2005-10-13 2009-05-05 Sandisk Corporation Method of storing transformed units of data in a memory system having fixed sized storage blocks
EP1775731B1 (en) * 2005-10-13 2009-12-02 STMicroelectronics S.r.l. Non volatile memory device
US7814262B2 (en) * 2005-10-13 2010-10-12 Sandisk Corporation Memory system storing transformed units of data in fixed sized storage blocks
US7624239B2 (en) * 2005-11-14 2009-11-24 Sandisk Corporation Methods for the management of erase operations in non-volatile memories
US7783845B2 (en) * 2005-11-14 2010-08-24 Sandisk Corporation Structures for the management of erase operations in non-volatile memories
US7877540B2 (en) * 2005-12-13 2011-01-25 Sandisk Corporation Logically-addressed file storage methods
US7747837B2 (en) 2005-12-21 2010-06-29 Sandisk Corporation Method and system for accessing non-volatile storage devices
US7769978B2 (en) 2005-12-21 2010-08-03 Sandisk Corporation Method and system for accessing non-volatile storage devices
US7793068B2 (en) 2005-12-21 2010-09-07 Sandisk Corporation Dual mode access for non-volatile storage devices
JP4842719B2 (ja) 2006-06-28 2011-12-21 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びそのデータ保護方法
US7515500B2 (en) * 2006-12-20 2009-04-07 Nokia Corporation Memory device performance enhancement through pre-erase mechanism
US20080219319A1 (en) * 2007-01-05 2008-09-11 Jay Buckalew Biological parameter monitoring system and method therefor
TW200937438A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Inventec Corp A memory writing interference test system and method thereof
WO2013078676A1 (zh) * 2011-12-02 2013-06-06 华为技术有限公司 一种Nand Flash页的检测方法和装置
US9542166B2 (en) 2012-10-30 2017-01-10 Oracle International Corporation System and method for inferring immutability of program variables
US9478271B2 (en) * 2013-03-14 2016-10-25 Seagate Technology Llc Nonvolatile memory data recovery after power failure
US8812744B1 (en) 2013-03-14 2014-08-19 Microsoft Corporation Assigning priorities to data for hybrid drives
US9626126B2 (en) 2013-04-24 2017-04-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Power saving mode hybrid drive access management
US9946495B2 (en) 2013-04-25 2018-04-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Dirty data management for hybrid drives

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6220141A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光情報記録媒体
JPS63197058A (ja) * 1987-02-12 1988-08-15 Matsushita Commun Ind Co Ltd 追記型光デイスク装置
JPH02297771A (ja) * 1989-05-10 1990-12-10 Hokkaido Nippon Denki Software Kk ディスク装置の不良セクタ代替方法．
JPH0317831A (ja) * 1989-06-15 1991-01-25 Nec Corp 光ディスク制御装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3685020A (en) * 1970-05-25 1972-08-15 Cogar Corp Compound and multilevel memories
JPS5969826A (ja) * 1982-10-15 1984-04-20 Hitachi Ltd バツフア制御方式
US4758982A (en) * 1986-01-08 1988-07-19 Advanced Micro Devices, Inc. Quasi content addressable memory
JPH01298600A (ja) * 1988-05-26 1989-12-01 Toshiba Corp 半導体記憶装置
EP0935255A2 (en) * 1989-04-13 1999-08-11 SanDisk Corporation Flash EEPROM system
US5172338B1 (en) * 1989-04-13 1997-07-08 Sandisk Corp Multi-state eeprom read and write circuits and techniques
US5072422A (en) * 1989-05-15 1991-12-10 E-Systems, Inc. Content-addressed memory system with word cells having select and match bits
US5463751A (en) * 1989-11-22 1995-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Memory device having address translator and comparator for comparing memory cell array outputs
US5303198A (en) * 1990-09-28 1994-04-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of recording data in memory card having EEPROM and memory card system using the same
GB2251323B (en) * 1990-12-31 1994-10-12 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
JP2582487B2 (ja) * 1991-07-12 1997-02-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
US5152338A (en) * 1991-10-15 1992-10-06 Eastman Kodak Company Heat exchanger and method of making same
JPH05151097A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Fujitsu Ltd 書換回数制限型メモリのデータ管理方式
US5437020A (en) * 1992-10-03 1995-07-25 Intel Corporation Method and circuitry for detecting lost sectors of data in a solid state memory disk
US5479633A (en) * 1992-10-30 1995-12-26 Intel Corporation Method of controlling clean-up of a solid state memory disk storing floating sector data
US5341330A (en) * 1992-10-30 1994-08-23 Intel Corporation Method for writing to a flash memory array during erase suspend intervals
US5485595A (en) * 1993-03-26 1996-01-16 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells
US5479638A (en) * 1993-03-26 1995-12-26 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique
US5353256A (en) * 1993-06-30 1994-10-04 Intel Corporation Block specific status information in a memory device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6220141A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光情報記録媒体
JPS63197058A (ja) * 1987-02-12 1988-08-15 Matsushita Commun Ind Co Ltd 追記型光デイスク装置
JPH02297771A (ja) * 1989-05-10 1990-12-10 Hokkaido Nippon Denki Software Kk ディスク装置の不良セクタ代替方法．
JPH0317831A (ja) * 1989-06-15 1991-01-25 Nec Corp 光ディスク制御装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05282889A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ装置
JPH07153284A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
US5734328A (en) * 1993-12-28 1998-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for switching communication method based on detected communication distance
US6750908B1 (en) 1994-02-03 2004-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data
EP1168815A3 (en) * 1994-02-23 2002-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Data processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data
EP1168815A2 (en) * 1994-02-23 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Data processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data
EP0669751A3 (en) * 1994-02-23 1996-04-24 Canon Kk Data processing apparatus using a recording medium requiring erasure of data before data recording.
EP0669751A2 (en) * 1994-02-23 1995-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Data processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data
US5946714A (en) * 1996-10-21 1999-08-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor storage device utilizing address management tables and table state maps for managing data storage and retrieval
JP2001043143A (ja) * 1997-09-30 2001-02-16 Sony Corp 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法
US6721819B2 (en) 1998-03-02 2004-04-13 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
US9384127B2 (en) 2000-08-25 2016-07-05 Micron Technology, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data
US10078449B2 (en) 2000-08-25 2018-09-18 Micron Technology, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data
US6772274B1 (en) 2000-09-13 2004-08-03 Lexar Media, Inc. Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array
JP2001195889A (ja) * 2000-11-15 2001-07-19 Fujitsu Ltd 記憶装置の書き込み／消去方法
JP2003242788A (ja) * 2003-02-10 2003-08-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ装置及びその制御方法
US7423917B2 (en) 2005-03-31 2008-09-09 Fujitsu Limited Data readout circuit of memory cells, memory circuit and method of reading out data from memory cells
WO2006106583A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Fujitsu Limited メモリセルのデータ読出し回路、メモリ回路、メモリセルのデータ読出し方法
JP2007164391A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Sony Corp メモリカードおよびその制御方法
JP2010170599A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Renesas Electronics Corp 不揮発性メモリ及びその制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2687811B1 (fr) 1995-11-17
US5987563A (en) 1999-11-16
FR2687811A1 (fr) 1993-08-27
US5966720A (en) 1999-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05233426A (ja) フラッシュ・メモリ使用方法
JP3485938B2 (ja) 不揮発性半導体メモリ装置
JP3534585B2 (ja) フラッシュメモリを複数使用した外部記憶装置のデータ記憶制御方法及び装置
US8031536B2 (en) Storage device employing a flash memory
KR100987241B1 (ko) 메모리 장치 및 그 메모리 장치를 이용한 기록 재생 장치
KR100193779B1 (ko) 반도체 디스크 장치
US8386698B2 (en) Data accessing method for flash memory and storage system and controller using the same
US8327068B2 (en) Memory module, memory controller, nonvolatile storage, nonvolatile storage system, and memory read/write method
US20060149902A1 (en) Apparatus and method for storing data in nonvolatile cache memory considering update ratio
JPH10124381A (ja) 半導体記憶装置
JPH05151097A (ja) 書換回数制限型メモリのデータ管理方式
WO1995018407A1 (en) Solid state memory system
JPH08137634A (ja) フラッシュディスクカード
US6839798B1 (en) Flash memory capable of storing frequently rewritten data
JP2003058417A (ja) 記憶装置
KR100932801B1 (ko) 메모리 관리 방법, 메모리 장치 및 컴퓨터 판독 가능 저장매체
JPH113287A (ja) 記憶装置およびそれに用いられる記憶領域管理方法
JPH11282765A (ja) フラッシュメモリを使用した外部記憶装置
JPH07153284A (ja) 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
TW201621668A (zh) 資料儲存裝置及其資料寫入方法
JP2004326523A (ja) 書き換え可能な不揮発性メモリを備えた記憶装置及び記憶装置用不揮発性メモリの制御方法
JPH05150913A (ja) フラツシユメモリを記憶媒体としたシリコンデイスク
JP3976764B2 (ja) 半導体ディスク装置
JPH10289144A (ja) メモリの制御方法
JPH0520196A (ja) デイスク・キヤツシユ制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000404