JP4910426B2 - 不揮発性記憶装置の書込み方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1による不揮発性記憶装置と、それにつながる外部のホスト機器について示したブロック図である。
上述した実施の形態1では、書込み対象論理アドレスを基にして書込み対象となるフラッシュメモリチップを決定することによって、必ずコピーバック処理が可能な物理ブロック201のアドレスを取得できるようにしているが、書込み対象となるフラッシュメモリチップを決定しない場合でもコピー元である物理ブロック201からコピーバック処理が可能であるフラッシュメモリチップに対応するエントリテーブル109の範囲から優先的に消去済み物理ブロック201を検索することにより、必ずコピーバック処理が可能な物理ブロック201のアドレスを取得することができる。
上述した実施の形態1および実施の形態2では、フラッシュメモリのチップ内部の物理ブロック間においてはコピーバック機能が使用できる場合について説明したが、フラッシュメモリの種類によってはフラッシュメモリのチップ内部の物理ブロック間においてもコピーバック機能が使用できない場合もある。そのケースについて説明する。
上述した実施の形態1〜3では、複数のフラッシュメモリチップを対象とした場合について説明したが、フラッシュメモリのチップ内部の物理ブロック間においてもコピーバック機能が使用できない場合には単一のフラッシュメモリチップを対象としても本発明の考え方を適用できる。そのケースについて説明する。
102 外部ホスト
103 コントローラ
104 フラッシュメモリ
105 制御回路
106 ページバッファ
107 退避バッファ
108 アドレス変換テーブル
109 エントリテーブル
110 フラッシュメモリチップA
111 フラッシュメモリチップB
201 物理ブロック
202 ページバッファ
301 物理ページ
1001 フラッシュメモリ
1002 フラッシュメモリチップC
1003 フラッシュメモリチップD
1004 エントリテーブル
1101 物理ブロック
1102,1103 ページバッファ
1301 フラッシュメモリ
1302 フラッシュメモリチップC
1303 エントリテーブル
1304 アドレス変換テーブル
1401 フラッシュメモリ
1402 ページバッファ
1403,1404 物理ブロック
1601 コントローラ
1602 退避バッファ
1603 ページバッファ
1604,1607 フラッシュメモリ
1605,1608 ページバッファ
1606,1609 物理ブロック
Claims (12)
- 不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備える不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、
前記不揮発性メモリは、
複数の領域からなり、前記領域は、情報の消去単位である複数の物理ブロックを有し、
前記物理ブロックは、情報の書込単位である複数の物理ページを含み、
前記領域は、当該領域内において、ある物理ブロックの任意の物理ページから他の物理ブロックの任意の物理ページに対してページデータの複製が可能であり、
前記コントローラが、外部から、前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換え指示を受け付ける第1のステップと、
前記コントローラが、前記受け付けた書き換え対象となるデータが記憶された領域を検知する第2のステップと、
前記コントローラが、前記検知された領域内にある物理ブロックのうち、書込み可能な物理ブロックに対して前記データを書き込む第3のステップと、を有する
不揮発性記憶装置の書き込み方法。 - 前記第3のステップは、前記データの一部書き換え指示に含まれる書き換え用ページデータ及び前記既に記憶されたデータに含まれるページデータに基づいて、前記書込み可能な物理ブロックに前記データを書き込む、
請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。 - 前記不揮発性メモリは、少なくとも2つの不揮発性メモリチップを有し、当該不揮発性メモリチップを前記領域とする、
請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。 - 前記不揮発性メモリは、2つの不揮発性メモリチップを1つのパッケージとして構成する、
請求項3に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。 - 前記不揮発性メモリは、1つの不揮発性メモリチップで構成され、当該不揮発性メモリチップ内を複数のエリアに分割し、当該分割したエリアを前記領域とする、
請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。 - 前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換えの指示は、外部からの当該不揮発性メモリに既に記憶されているデータに対する任意のページデータのアドレス指定であり、
前記第2のステップは、前記外部から指定されたアドレスによって、前記領域を検知する、
請求項1に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。 - 不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備え、
前記不揮発性メモリは、
複数の領域からなり、前記領域は、情報の消去単位である複数の物理ブロックを有し、
前記物理ブロックは、情報の書込単位である複数の物理ページを含み、
前記領域は、当該領域内において、ある物理ブロックの任意の物理ページから他の物理ブロックの任意の物理ページに対してページデータの複製が可能であり、
前記コントローラは、
外部から、前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換え指示を受け付ける受付手段と、
前記受け付けた書き換え対象となるデータが記憶された領域を検知する検知手段と、
前記検知された領域内にある物理ブロックのうち、書込み可能な物理ブロックに対して前記データを書き込む書込手段と、を有する、
不揮発性記憶装置。 - 前記書込手段は、
データの一部書き換え指示に含まれる書き換え用ページデータ及び前記既に記憶されたデータに含まれるページデータに基づいて、前記書込み可能な物理ブロックに前記データを書き込む、
請求項7に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性メモリは、少なくとも2つの不揮発性メモリチップを有し、当該不揮発性メモリチップを前記領域とする、
請求項7に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性メモリは、2つの不揮発性メモリチップを1つのパッケージとして構成する、
請求項9に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性メモリは、1つの不揮発性メモリチップで構成され、当該不揮発性メモリチップ内を複数のエリアに分割し、当該分割したエリアを前記領域とする、
請求項7に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換えの指示は、外部からの当該不揮発性メモリに既に記憶されているデータに対する任意のページデータのアドレス指定であり、
前記検知手段は、前記外部から指定されたアドレスによって、前記領域を検知する、
請求項7に記載の不揮発性記憶装置。
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