DE112007000373B4

DE112007000373B4 - Grenzwellenbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben

Info

Publication number: DE112007000373B4
Application number: DE112007000373T
Authority: DE
Inventors: Daisuke Yamamoto; Hajime Kando; Akihiro TERAMOTO; Toshiyuki Fuyusume; Masahiko Saeki
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-02-23
Filing date: 2007-01-23
Publication date: 2012-01-05
Anticipated expiration: 2027-01-24
Also published as: WO2007097151A1; TWI325687B; JP4674636B2; TW200737707A; DE112007000373T5; US20080290968A1; JPWO2007097151A1; US7554428B2

Abstract

Es ist ein Grenzwellenbauelement vorgesehen, das zum Erzielen einer Verlustreduzierung in der Lage ist. Ein Grenzwellenbauelement (1), das ein erstes Medium (2), ein zweites Medium (3) und eine IDT-Elektrode (4) umfasst, die an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Medium (2) und dem zweiten Medium (3) angeordnet ist, wobei die IDT-Elektrode (4) eine Au-Schicht (11) aufweist, die eine Hauptelektron einer derartigen Weise laminiert ist, um zumindest eine Oberfläche der Au-Schicht zu berühren, und ein Teil von Ni, das die Ni-Schicht (12) bildet, von der Ni-Schichtseitenoberfläche der Au-Schicht (11) aus zu dem Inneren der Au-Schicht (11) hin diffundiert ist.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Grenzwellenbauelement (eine Grenzwellenvorrichtung) durch ein Verwenden einer Grenzwelle (akustischen Grenzwelle), die sich zwischen einem ersten Medium und einem zweiten Medium ausbreitet, und ein Verfahren zum Herstellen desselben. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Grenzwellenbauelement, bei dem eine IDT-Elektrode (IDT = interdigital transducer = Interdigitalwandler), die zwischen dem ersten Medium und dem zweiten Medium angeordnet ist, aus laminierten Metallfilmen gebildet ist, die zumindest eine Au-Schicht beinhalten, die eine Hauptelektrodenschicht definiert, und ein Verfahren zum Herstellen desselben.
Grenzwellenbauelemente sind bisher als Bauelemente bekannt, die als Resonatoren und Bandpassfilter verwendet werden. Das Grenzwellenbauelement weist eine Struktur auf, bei der eine IDT-Elektrode an der Grenzfläche (Schnittstelle) zwischen einem ersten Medium und einem zweiten Medium angeordnet ist. Bei dem Grenzwellenbauelement wird eine Grenzwelle verwendet, die sich entlang der oben beschriebenen Grenzfläche ausbreitet. Deshalb kann das Grenzwellenbauelement mechanisch an Oberflächen gegenuber der Grenzfläche zwischen dem ersten Medium und dem zweiten Medium getragen sein. Folglich kann eine vereinfachte und kleingehäusige Struktur erreicht werden.
Ein Beispiel des Grenzwellenbauelements ist in der WO 2004/070946 A1 offenbart. Bei dem in der WO 2004/070946 A1 beschriebenen Grenzwellenbauelement ist eine IDT-Elektrode durch ein Verwenden von Au, Ag, Cu oder Al oder einer Legierung derselben gebildet. Ferner ist beschrieben, dass, um die Haftung der IDT-Elektrode an einem Medium zu verbessern oder um die Standhalteleistungsfähigkeit gegenüber elektrischer Leistung zu verbessern, eine zweite Elektrodenschicht, die aus einem anderen Metallmaterial gebildet ist, z. B. Ti, Cr oder NiCr, an zumindest eine Oberfläche der oben beschriebenen Elektrodenschicht laminiert sein kann, die aus Au, Ag, Cu oder Al oder einer Legierung derselben gebildet ist.
Wie es in der WO 2004/070946 A1 beschrieben ist, sind bisher IDT-Elektroden bekannt, die primär aus verschiedenen Metallen gebildet sind, z. B. Au, Ag, Cu oder Al oder einer Legierung derselben. Zudem sind auch Strukturen bekannt, bei denen zweite Elektrodenschichten, die aus anderen Metallmaterialien gebildet sind, an den Elektrodenschichten laminiert sind, die aus den oben beschriebenen Metallen gebildet sind. Derartige Strukturen jedoch, bei denen zweite Elektrodenschichten, die aus anderen Metallmaterialien gebildet sind, laminiert sind, wurden zum Verbessern der Haftung der IDT-Elektroden oder Verbessern der Standhalteleistungsfähigkeit gegenüber elektrischer Leistung verwendet, wie es oben beschrieben wurde.
In dem Fall jedoch, in dem die Grenzwellenbauelemente als Resonatoren und Filter verwendet werden, war nicht nur die Verbesserung der Standhalteleistungsfähigkeit gegenüber elektrischer Leistung und dergleichen, sondern waren auch Verbesserungen von Frequenzcharakteristika, z. B. eines Einfugungsverlusts, in einem Durchlassband sehr gefragt.
Die WO 2005/069485 A1 (auch veröffentlicht als US 2007/007852 A1 ) beschreibt ein Grenzwellenbauelement, bei dem auf einem piezoelektrischen Substrat, beispielsweise einem LiNbO₃-Substrat, ein NiCr-Film als Haftfilm abgeschieden wurde, auf den dann ein Goldfilm aufgebracht wurde, der nachfolgend unter Verwendung eines Lift-Off-Verfahrens zur Erzeugung des IDT und der Reflektoren und 6 strukturiert wurde. Die Goldschicht und die NiCr-Schicht werden durch ein Aufdampfungsverfahren laminiert. Auf der Elektrodenschicht kann eine zweite Elektrodenschicht vorgesehen sein, die aus NiCr besteht, die zwischen der ersten Elektrode und dem dielektrischen Substrat angeordnet sein kann.
Die US 2002/0074904 A1 beschreibt ein Oberflächenwellenbauelement, gemäß dem Mehrschichtelektroden verwendet werden, welche eine laminierte Filmstruktur aus Al/Cu/Al/Ti aufweisen. Anstelle des Cu-Elektrodenfilms kann auch ein Au-Elektrodenfilm verwendet werden, der auf den Al-Elektrodenfilm aufgebracht wird. Dies bedeutet jedoch, dass die sich ergebende Struktur der laminierten Elektrode Al/Au/Al/Ti ist, also eine Struktur, bei der anstelle des im ersten Beispiels verwendeten Kupfermaterials auch ein Goldmaterial verwendet werden kann, wobei alternativ kann auch Silber oder Nickel oder Mangan verwendet werden kann.
Tomkins, H. G. u. a.: Relative rates of nickel diffusion and copper diffusion through gold. In: Journal of Applied Physics, Vol. 48, No. 7, July 1977 beschaftigt sich mit dem Diffusionsverhalten von Nickel durch Gold, in einem Temperaturbereich von 250°C bis 100°C. Allerdings wird nicht auf Grenzwellenbauelementen eingegangen und insbesondere auch keinerlei Hinweis liefert, dass ein Verhalten solcher Ele- mente aufgrund der Diffusion von Nickel in eine Goldelektrode verbessert werden konnte.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Grenzwellenbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, das zum weiteren Reduzieren des Einfügungsverlusts in der Lage ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Grenzwellenbauelement gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemaß Anspruch 6 gelöst.
Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel schafft die Erfindung ein Grenzwellenbauelement, mit einem ersten Medium, einem zweiten Medium, und einer IDT-Elektrode, die an einer Grenzflache zwischen dem ersten Medium und dem zweiten Medium angeordnet ist, wobei die IDT-Elektrode eine Au-Schicht aufweist, die eine Hauptelektrodenschicht definiert, wobei die IDT-Elektrode ferner eine Ni-Schicht aufweist, die derart angeordnet ist, um zumindest eine Oberflache der Au-Schicht zu berühren, und wobei ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht bildet, von der der Ni-Schicht zugewandten Oberfläche der Au-Schicht in das Innere der Au-Schicht diffundiert ist.
Gemäß einem zweiten Ausfuhrungsbeispiel schafft die Erfindung ein Grenzwellenbauelement, mit einem ersten Medium, einem zweiten Medium, und einer IDT-Elektrode, die an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Medium und dem zweiten Medium angeordnet ist, wobei die IDT-Elektrode eine Au-Schicht aufweist, die eine Hauptelektrodenschicht definiert, wobei die IDT-Elektrode ferner eine Ni-Schicht aufweist, die zwischen der Au-Schicht und dem ersten Medium derart angeordnet ist, um die Au-Schicht zu beruhren, und wobei ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht bildet, von der der Ni-Schicht zugewandten Oberfläche der Au-Schicht in das Innere der Au-Schicht diffundiert ist.
Gemaß einem weiteren Ausführungsbeispiel weist die oben beschriebene IDT-Elektrode ferner eine Metallschicht auf, die an einer Oberflache der Au-Schicht gegenüber der Seite angeordnet ist, an der die oben beschriebene Ni-Schicht angeordnet ist, wobei die Metallschicht Ni beinhaltet, und ein Teil des Ni, das die oben beschriebene Ni-Schicht und die Metallschicht bildet, von beiden Oberflachen der oben beschriebenen Au-Schicht zu dem Inneren der Au-Schicht hin diffundiert ist.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel des Grenzwellenbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Konzentrationsverteilung in der oben beschriebenen Au-Schicht auf eine derartige Weise gebildet, dass die Ni-Konzentration von der Ni-Schichtseitenoberfläche der oben beschriebenen Au-Schicht zu der oben beschriebenen Metallschichtseitenoberfläche der oben beschriebenen Au-Schicht hohe Konzentration – niedrige Konzentration – hohe Konzentration lautet.
Bei einem anderen spezifischen Ausfuhrungsbeispiel des Grenzwellenbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung ist ferner eine zweite Metallschicht enthalten, die an der oben beschriebenen Metallschicht angeordnet ist und die aus Al ist oder primär Al beinhaltet.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Grenzwellenbauelements, das ein erstes Medium, ein zweites Medium und eine IDT-Elektrode umfasst, die an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Medium und dem zweiten Medium angeordnet ist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden einer Ni-Schicht auf dem ersten Medium; Bilden einer Au-Schicht auf der Ni-Schicht, derart, dass die Ni-Schicht eine Oberflache der Au-Schicht berührt; Laminieren des zweiten Mediums, nachdem die Au-Schicht und die Ni-Schicht gebildet wurden; und Diffundieren eines Teils des Ni, das die Ni-Schicht bildet, in die Au-Schicht durch ein Erwarmen, nachdem die Au-Schicht und die Ni-Schicht gebildet wurden.
Bei einem spezifischen Ausführungsbeispiel des Verfahrens zum Herstellen eines Grenzwellenbauelements gemäß der vorliegenden Erfindung wird das oben beschriebene Diffundieren von Ni beim Laminieren des zweiten Mediums durchgefuhrt.
Bei dem Grenzwellenbauelement gemaß dem ersten Ausfuhrungsbeispiel ist bei der IDT-Elektrode die Ni-Schicht auf eine derartige Weise angeordnet, um zumindest eine Oberfläche der Au-Schicht zu beruhren, die die Hauptelektrodenschicht definiert, und ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht bildet, ist von der Ni-Schichtseitenoberfläche der Au-Schicht zu dem Inneren der Au-Schicht hin diffundiert. Deshalb kann ein Einfügungsverlust in einem Durchlassband verringert werden.
Auch bei dem zweiten Ausführungsbeispiel weist die IDT-Elektrode eine Au-Schicht und eine Ni-Schicht auf, die auf eine derartige Weise angeordnet ist, um die Au-Schicht zu berühren, und ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht bildet, ist von der Ni-Schichtseitenoberfläche der Au-Schicht zu dem Inneren der Au-Schicht hin diffundiert. Deshalb kann ein Einfügungsverlust in einem Durchlassband verringert werden.
Bei der vorliegenden Erfindung ist die Ni-Schicht auf eine derartige Weise angeordnet, um die Au-Schicht zu beruhren, ist ein Teil des Ni von der Ni-Schichtseitenoberflache der Au-Schicht in das Innere der Au-Schicht diffundiert und ist dadurch der Einfügungsverlust verringert. Der Grund dafür wird darin gesehen, dass die Au-Schicht auf Grund der Diffusion des Ni in die Au-Schicht zum Teil verhartet ist, eine Verspannung zwischen dem Medium und dem IDT auf Grund einer akustischen Welle unterdrückt ist und dadurch der Einfügungsverlust verringert ist.
Wie es oben beschrieben ist, kann folglich gemaß der vorliegenden Erfindung ein Grenzwellenbauelement, das einen verringerten Verlust zeigt, durch ein Entwickeln eines Materials vorgesehen werden, das die IDT-Elektrode bildet.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel wird in dem Fall, in dem eine Metallschicht, die Ni beinhaltet, an einer Oberflache der Au-Schicht gegenüber der Seite angeordnet ist, an der die Ni-Schicht angeordnet ist, und ein Teil des Ni in der Ni-Schicht und der oben beschriebenen Metallschicht von beiden Oberflachen der Au-Schicht zu dem Inneren der Au-Schicht hin diffundiert ist, die nahere Umgebung beider Oberflächen der Au-Schicht härter als der mittlere Abschnitt in der Dickenrichtung der Au-Schicht. Folglich kann die oben beschriebene Dämpfung unterdruckt werden und kann ein Verlust weiter verringert werden. In diesem Fall weist die Ni-Konzentration in der Au-Schicht eine Konzentrationsverteilung auf, bei der sich hohe Konzentration – niedrige Konzentration – hohe Konzentration von einer Oberflache zu der anderen Oberflächenseite hin zeigt. Wie es oben beschrieben ist, ist deshalb der Abschnitt hoher Konzentration verhärtet und dadurch der Verlust verringert. Ein Verlust des Widerstandswerts jedoch ist in dem mittleren Abschnitt niedriger Konzentration verringert. Deshalb wird die Funktion als eine Elektrode zufriedenstellend durchgeführt.
Die zweite Metallschicht, die an der Metallschicht angeordnet ist, die Al ist oder primar Al beinhaltet, kann ebenfalls enthalten sein. Da der spezifische elektrische Widerstand der zweiten Metallschicht niedrig ist und da die zweite Elektrodenschicht relativ weich ist, wird es in diesem Fall möglich, den elektrischen Widerstandswert weiter zu verringern und den Verlust weiter zu verringern.
Bei dem Herstellungsverfahren gemaß der vorliegenden Erfindung werden die Schritte eines Laminierens des ersten Mediums und des zweiten Mediums, nachdem die Au-Schicht und die Ni-Schicht, die auf eine derartige Weise angeordnet ist, um zumindest eine Oberflache der Au-Schicht zu beruhren, an einer Oberfläche von einem des ersten Mediums und des zweiten Mediums gebildet sind, und eines Diffundierens eines Teils des Ni, das die Ni-Schicht bildet, in die Au-Schicht durch ein Erwärmen durchgefuhrt. Deshalb wird ein Teil des Ni von der Oberfläche der Au-Schicht aus, an der die Ni-Schicht laminiert ist, in die Au-Schicht diffundiert. Folglich kann das Grenzwellenbauelement gemäß dem ersten Ausfuhrungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bereitgestellt werden und kann der Einfugungsverlust in dem Durchlassband verringert werden.
In dem Fall, in dem das Diffundieren von Ni zu der gleichen Zeit mit der Laminierung bei dem Laminieren des ersten Mediums und des zweiten Mediums durchgeführt wird, kann Ni in die Au-Schicht diffundiert werden, ohne die Anzahl von Schritten zu erhöhen.
1(a)–(b) sind eine schematische weggeschnittene Schnittvorderansicht und eine Schnittdraufsicht eines Grenzwellenbauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine schematische Schnittvorderansicht, die eine vergrößerte Elektrodenlaminierungsstruktur eines Grenzwellenbauelements eines ersten Ausführungsbeispiels zeigt.
3 ist ein Diagramm, das die Impedanz und die Phasencharakteristika eines Grenzwellenbauelements zeigt, das als ein Vergleichsbeispiel vorbereitet ist.
4 ist ein Diagramm, das die Impedanz und die Phasencharakteristika einer Mehrzahl von Grenzwellenbauelementen zeigt, die als Vergleichsbeispiele vorbereitet sind.
5 ist ein Diagramm, das die Impedanz und die Phasencharakteristika von Grenzwellenbauelementen des ersten Ausfuhrungsbeispiels und eines ersten modifizierten Beispiels zeigt.
6 ist ein Diagramm, das die Impedanzverhältnisse von Grenzwellenbauelementen des Ausführungsbeispiels, des ersten modifizierten Beispiels und einer Mehrzahl von Typen zeigt, die zum Vergleich vorbereitet sind.
7 ist ein Diagramm, das ein Diffusionsprofil von Ni in eine Au-Schicht zeigt, und ist ein Diagramm, das Veränderungen bei Konzentrationen von Atomen zeigt, die in einer Hauptelektrodenschicht enthalten sind.
8 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Filmbildungstemperatur von SiO₂, das ein zweites Medium definiert, und dem Impedanzverhältnis des sich ergebenden Grenzwellenbauelements zeigt.
9(a)–(b) sind Diagramme, die die Impedanzphasencharakteristika bzw. die Impedanzverhältnisse eines zweiten Ausführungsbeispiels, bei dem eine Ti-Schicht, die eine Basisschicht definiert, angeordnet ist, und eines zweiten modifizierten Beispiels, bei dem eine Ti-Schicht, die eine Basisschicht definiert, nicht angeordnet ist, zeigen.
10 ist ein Diagramm, das die Impedanzphasencharakteristika von Grenzwellenbauelementen des zweiten Ausfuhrungsbeispiels mit einer Struktur, bei der eine AlCu-Schicht an einer Ni-Schicht laminiert ist, die eine zweite Elektrodenschicht bildet, und bei der Struktur eine Ti-Schicht zwischen der AlCu-Schicht und der Ni-Schicht angeordnet ist, und eines dritten modifizierten Beispiels mit einer Struktur, bei der eine Ti-Schicht nicht laminiert ist, zeigt.
11(a)–(b) sind ein Diagramm, das die Impedanz und die Phasencharakteristika zeigt, und ein Diagramm, das das Impedanzverhältnis des zweiten Ausführungsbeispiels, das eine laminierte Al-Schicht umfasst, und eines vierten modifizierten Beispiels, das keine laminierte Al-Schicht umfasst, zeigt.
12 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen den Inhalten von Elementen und der Vickers-Härte einer Elektrodenschicht in dem Fall zeigt, in dem verschiedene Elemente zu der Au-Schicht hinzugefügt sind.
13 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen den Inhalten von Elementen und dem spezifischen elektrischen Widerstand einer Elektrodenschicht in dem Fall, in dem verschiedene Elemente zu der Au-Schicht hinzugefügt sind, zeigt.
Bezugszeichenliste

1: Grenzwellenbauelement
2: erstes Medium
3: zweites Medium
4: IDT-Elektrode
5, 6: Reflektor
11: Au-Schicht
12: Ni-Schicht
13: Ni-Schicht, die zweite Elektrodenschicht definiert
A: akustische Grenzwelle

Die vorliegende Erfindung wird durch ein Beschreiben der spezifischen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen erlautert.
(ERSTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL)
1(a) und (b) sind eine schematische weggeschnittene Schnittvorderansicht und eine Schnittdraufsicht eines Grenzwellenbauelements gemaß dem ersten Ausfuhrungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Ein Grenzwellenbauelement (eine Grenzwellenvorrichtung) 1 weist eine Struktur auf, bei der ein erstes Medium 2 und ein zweites Medium 3 laminiert sind. Das erste Medium 2 ist aus einer piezoelektrischen Substanz gebildet und ist bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel auf einem Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiNbO₃-Einkristallsubstrat gebildet. Das erste Medium 2 kann aus einem anderen piezoelektrischen Kristall oder einer anderen piezoelektrischen Keramik gebildet sein.
Das zweite Medium 3 ist aus einer geeigneten dielektrischen Substanz oder piezoelektrischen Substanz gebildet und ist bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus SiO₂ gebildet.
Eine IDT-Elektrode 4 ist an der Grenzflache (Schnittstelle) zwischen dem ersten Medium 2 und dem zweiten Medium 3 angeordnet. Reflektoren 5 und 6, wie dieselben in 1(b) gezeigt sind, sind an beiden Seiten der IDT-Elektrode 4 in der Ausbreitungsrichtung einer akustischen Grenzwelle angeordnet. Die IDT-Elektrode 4 ist aus einem Paar von Interdigitalwandlerelektroden gebildet, die eine Mehrzahl von Elektrodenfingern aufweisen, die ineinander greifen. Bei der IDT-Elektrode 4 wird eine akustische Grenzwelle angeregt durch ein Anlegen eines elektrischen Wechselstromfeldes zwischen eine Interdigitalwandlerelektrode und die andere Interdigitalwandlerelektrode. Die akustische Grenzwelle breitet sich entlang der Grenzfläche zwischen dem ersten Medium 2 und dem zweiten Medium 3 aus, wie es schematisch durch eine durchgezogene Linie A angegeben ist, die in 1(a) gezeigt ist. Die oben beschriebene akustische Grenzwelle A ist zwischen den Reflektoren 5 und 6 eingegrenzt und Resonanzcharakteristika wie ein Grenzwellenresonator vom Ein-Tor-Typ werden erhalten.
Das Merkmal des Grenzwellenbauelements 1 des vorliegenden Ausführungsbeispiels besteht darin, dass die oben beschriebene IDT-Elektrode 4 eine Struktur aufweist, bei der eine Mehrzahl von Elektrodenschichten laminiert ist. Das heißt, wie es in 1(a) und 2 gezeigt ist), die einen vergrößerten Elektrodenfinger zeigt, umfasst die Elektrodenstruktur in der IDT-Elektrode 4 eine Au-Schicht 11, die eine Hauptelektrodenschicht definiert, eine Ni-Schicht 12, die an der unteren Oberfläche der Au-Schicht 11 angeordnet ist, und eine Ni-Schicht 13, die eine Metallschicht definiert, die an der oberen Oberfläche der Au-Schicht 11 angeordnet ist. Das heißt, die Ni-Schicht 12 ist an der Seite des ersten Mediums 2 der Au-Schicht 11 angeordnet.
Die Hauptelektrodenschicht bezieht sich auf eine Stammelektrodenschicht in der IDT-Elektrode 4, die aus laminierten Metallschichten gebildet ist. Hier bezieht sich die Stammelektrodenschicht auf eine Elektrodenschicht, die als der Kern (Nukleus) einer Elektrodenfunktion in laminierten Metallfilmen dient, die durch ein Laminieren einer Mehrzahl von Elektrodenschichten, das heißt Metallfilmen, gebildet sind. Genauer gesagt ist die Hauptelektrodenschicht aus einem Metallfilm gebildet, der eine größte Dicke unter der Mehrzahl von Metallfilmen aufweist.
Ein Teil des Ni, das die Ni-Schichten 12 und 13 bildet, ist in die oben beschriebene Au-Schicht 11 diffundiert. Folglich kann der Einfügungsverlust bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verringert werden. Dies wird genau beschrieben.
Die IDT-Elektrode 4 und die Reflektoren 5 und 6 wurden an dem ersten Medium 2, das aus dem oben beschriebenen LiNbO₃-Einkristallsubstrat gebildet ist, auf eine derartige Weise gebildet, dass die Dicken der Ni-Schicht 13/Au-Schicht 11/Ni-Schicht 12 sich zu 10 nm/170 nm/10 nm ergaben, und die IDT-Elektrode 4 und die Reflektoren 5 und 6 wurden auf eine derartige Weise gebildet, dass die Wellenlange λ, die durch eine Elektrodenfingerbeabstandung in der IDT-Elektrode 4 definiert ist, sich zu 3,42 μm ergab. Bei der IDT-Elektrode 4 wurde die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern auf 50 Paare spezifiziert, wurde die Querbreite auf 30 λ spezifiziert und wurde das Verhaltnis (duty) des Elektrodenfingers auf 0,55 spezifiziert. Die Anzahl von Elektrodenfingern in jedem der Reflektoren 5 und 6 wurde auf 25 Finger spezifiziert. Die Wellenlänge, die durch die Periode des Elektrodenfingers in der IDT-Elektrode 4 definiert ist, und die Wellenlänge die durch die Periode des Elektrodenfingers in den Reflektoren 5 und 6 definiert ist, durften gleich werden und wurden auf das oben beschriebene λ spezifiziert. Der Abstand zwischen der IDT-Elektrode 4 und dem Reflektor 5 oder dem Reflektor 6 wurde auf 0,5 λ bezüglich eines Abstands zwischen Mitten von Elektrodenfingern spezifiziert.
Die oben beschriebene IDT-Elektrode 4 und die Reflektoren 5 und 6 wurden durch ein Bilden der Ni-Schicht 12 an dem ersten Medium 2, ein Bilden der Au-Schicht 11 und ferner ein Bilden der Ni-Schicht 13 vorbereitet. Diese Ni-Schicht 12, Au-Schicht 11 und Ni-Schicht 13 sind beispielsweise durch ein Abhebeverfahren gebildet. Nachdem die Ni-Schicht 13 gebildet wurde, wurde das zweite Medium 3 gebildet und an dem ersten Medium 2 laminiert.
Das zweite Medium 3 wurde durch HE-Magnetron-Sputter von SiO₂ gebildet. Bei dem Sputtern war die Erwärmungstemperatur des LiNbO₃-Substrats, das das erste Medium 2 bildet, auf 250°C spezifiziert. Man ist der Ansicht, dass, da die Erwärmung auf 250°C durchgeführt wurde, ein Teil des Ni, das die Ni-Schichten 12 und 13 bildet, in die Au-Schicht 11 diffundiert wurde.
Die Resonanzcharakteristik des Grenzwellenbauelements 1 des vorliegenden Ausführungsbeispiels, das wie oben beschrieben hergestellt ist, wurde gemessen und das Impedanzverhältnis wurde gefunden. Das Impedanzverhältnis bezieht sich auf ein Verhältnis der Impedanz bei einer Antiresonanzfrequenz zu der Impedanz bei einer Resonanzfrequenz. Wenn sich das Impedanzverhältnis erhöht, können Verluste bei einem Resonator und einem Filter verringert werden.
Zu Vergleichszwecken wurde ein Grenzwellenbauelement mit der gleichen Konfiguration wie dieser, die oben beschrieben ist, hergestellt, außer dass die Laminierungsstruktur der IDT-Elektrode 4 und der Reflektoren 5 und 6 von der oberen Oberflächenseite der IDT-Elektrode aus auf Ti/Au/Ti, NiCr/Au/NiCr, Ti/Au/NiCr oder Ni/Au/NiCr spezifiziert wurde und die Resonanzcharakteristik und das Impedanzverhaltnis ähnlich gefunden wurden.
Was ein erstes modifiziertes Beispiel des oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiels anbelangt, wurde ein Grenzwellenbauelement mit der gleichen Konfiguration wie dieser bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel hergestellt, außer dass die Metallschicht 13 von Ni zu NiCr geandert wurde und die Resonanzcharakteristik und das Impedanzverhältnis ähnlich gefunden wurden. Die Ergebnisse sind in 3 bis 6 gezeigt.
3 zeigt die Impedanz und die Phasencharakteristika des Grenzwellenbauelements des oben beschriebenen Vergleichsbeispiels mit der Elektrodenlaminierungsstruktur, die aus Ti/Au/Ti gebildet ist. 4 zeigt die Impedanz und die Phasencharakteristika einer Mehrzahl von Vergleichsbeispielen, bei denen die Seite, die sich mit dem ersten Medium in Kontakt befindet, die NiCr-Schicht ist. 5 zeigt die Impedanz und die Phasencharakteristika des oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiels und des ersten modifizierten Beispiels. 6 zeigt das Impedanzverhältnis von jedem der oben beschriebenen Vergleichsbeispiele, des Beispiels und des modifizierten Beispiels.
Wie es aus 6 deutlich ist, blieben hinsichtlich der oben beschriebenen 4 Typen von Vergleichsbeispielen die Impedanzverhältnisse bei 61 dB oder weniger. Hinsichtlich des oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiels jedoch uberschritt das Impedanzverhältnis 64 dB, und hinsichtlich des oben beschriebenen ersten modifizierten Beispiels betrug das Impedanzverhältnis etwa 64,0 dB. Dies ist auch aus Vergleichen der Impedanzsignalverläufe, die in 3 und 4 gezeigt sind, mit dem Impedanzsignalverlauf, der in 5 gezeigt ist, offensichtlich.
Deshalb ist klar, dass bei dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel und dem ersten modifizierten Beispiel Grenzwellenbauelemente, die verringerte Verluste zeigen, bereitgestellt werden können. Der Erfindung der vorliegenden Erfindung fand heraus, dass das Impedanzverhältnis erhöht werden konnte und der Verlust bei dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel und dem ersten modifizierten Beispiel verringert werden konnte, weil ein Teil des Ni aus den Ni-Schichten 12 und 13 oder der Ni-Schicht 12 und der NiCr-Schicht in die Au-Schicht 11 diffundiert war.
Das heißt Ni, das die Ni-Schichten 12 und 13 bildet, oder Ni, das die Ni-Schicht 12 und die NiCr-Schicht bildet, ist auf Grund einer Erwärmung bei der Filmbildung von SiO₂, das das oben beschriebene zweite Medium 3 definiert, durch Magnetron-Sputtern thermisch in die Au-Schicht 11 diffundiert. 7 ist ein Diagramm, das ein Zusammensetzungsanalyselinienprofil zum Angeben der Konzentrationsverteilung der IDT-Elektrode 4 in dem Grenzwellenbauelement des ersten Ausführungsbeispiels zeigt. In 7 entspricht die Zeit, die durch die horizontale Achse angegeben ist, dem Abstand von der Oberfläche des ersten Mediums 2, zeigt anders ausgedrückt die Position in der IDT-Elektrode 4. In 7 entspricht die erste Region, in der die Intensität des Ni-Elements hoch ist und die Zeit mehr als 0 beträgt, der Ni-Schicht 12, entspricht die nächste Region, in der die Intensität des Au-Elements hoch ist, der Au-Schicht 11 und entspricht die nächste Region, in der die Intensität des Ni-Elements hoch ist, der Ni-Schicht 13.
In 7 erhöht sich die Ni-Konzentration in der Region, in der die Intensitat des Au-Elements hoch ist und die der Au-Schicht 11 entspricht, und es ist klar, dass Ni in die Au-Schicht diffundiert. Man ist der Ansicht, dass eine derartige Diffusion von Ni in die Au-Schicht 11 auftritt, weil die Ni-Schichten 12 und 13 oder die Ni-Schicht 12 und die NiCr-Schicht auf eine derartige Weise angeordnet sind, um die Au-Schicht 11 zu beruhren, und Ni durch eine Erwarmung bei der Filmbildung des oben beschriebenen zweiten Mediums 3 thermisch in die Au-Schicht diffundiert ist.
In dem Fall, in dem ein Teil von Ni in die Au-Schicht 11 diffundiert ist, steigt das Impedanzverhältnis und ist der Verlust verringert. Der Grund dafür wird als der angesehen, der unten beschrieben ist.
12 und 13 zeigen die Beziehung zwischen der Vickers-Härte einer Elektrodenschicht und Masseprozent, das den Inhalt in dem Fall angibt, in dem ein anderes Metall, z. B. Ni, zu der Au-Schicht hinzugefugt ist. 12 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem spezifischen elektrischen Widerstand und Elementprozent zeigt, das den Inhalt des hinzugefügten Elements angibt.
Wie es aus 12 und 13 ersichtlich ist, erhoht sich, wenn der Ni-Gehalt steigt, die Härte der Elektrodenschicht und erhöht sich auch der spezifische elektrische Widerstand etwas.
Falls folglich Ni in die Au-Schicht 11 diffundiert, wird ein Abschnitt der Au-Schicht 11, in den Ni diffundiert ist, verhärtet. Man ist der Ansicht, dass ein Verlust durch eine Dämpfung auf Grund der Au-Schicht 11 dadurch verringert wird, der Ausbreitungsverlust der akustischen Grenzwelle verringert wird und das Impedanzverhältnis steigt.
Das heißt, ein Teil der Au-Schicht ist auf Grund der Diffusion von Ni in die Au-Schicht verhärtet und insbesondere, falls Ni in der Ni-Schicht, die an der Seite des ersten Mediums angeordnet ist, aus der Seitenoberfläche der Au-Schicht 11 zu der Ni-Schicht 12 in die Au-Schicht 11 diffundiert, ist auf der Basis des oben beschriebenen Mechanismus das Impedanzverhältnis erhöht und der Verlust verringert.
Wie es aus dem oben beschriebenen modifizierten Beispiel ersichtlich ist, ist man in dem Fall, in dem die Metallschicht, die an der Au-Schicht angeordnet ist, aus NiCr gebildet ist, der Ansicht, dass Ni, das die Ni-Schicht 12 und die NiCr-Schicht bildet, zu der Seite der Au-Schicht 11 diffundiert, der Ausbreitungsverlust einer akustischen Grenzwelle verringert ist und das Impedanzverhältnis steigen kann. In dem Fall jedoch, in dem die Ni-Schichten 12 und 13 an zwei Oberflächen der Au-Schicht 11 angeordnet sind, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, tritt nach einer Wärmediffusion eine Konzentrationsverteilung auf eine derartige Weise auf, dass die Konzentration von Ni von einer Oberfläche der Au-Schicht zu der anderen Oberflächeseite zu hohe Konzentration – niedrige Konzentration – hohe Konzentration wird. In diesem Fall ist man der Ansicht, dass der Dämpfungsverlust kleiner wird, der Ausbreitungsverlust einer akustischen Grenzwelle weiter verringert wird und dadurch das Impedanzverhältnis steigen kann. Die oben beschriebenen hohen Konzentrationen können in den Graden hoher Konzentration unterschiedlich sein und können durch die Dicke gesteuert sein.
Falls jedoch die Menge an Diffusion zu groß ist, kann der elektrische Widerstandswert der Au-Schicht 11 steigen. Das heißt, falls Ni in hohen Konzentrationen überall in die Dickenrichtung der Au-Schicht 11 diffundiert ist, erhöht sich der elektrische Widerstandswert und die Funktion der Au-Schicht 11 als der Hauptelektrodenschicht ist verdorben. Hinsichtlich der Struktur, bei der eine Schicht, die Ni enthält, an beiden Oberflächen der Au-Schicht laminiert ist, ist deshalb die Au-Schicht 11 vorzugsweise auf eine derartige Weise gebildet, um eine Konzentrationsverteilung von hohe Konzentration – niedrige Konzentration – hohe Konzentration von einer Oberfläche der Au-Schicht zu der anderen Oberfläche hin aufzuweisen. In diesem Fall kann eine Erhohung des elektrischen Widerstandswerts in dem mittleren Abschnitt niedriger Konzentration unterdruckt werden und ferner ist die nähere Umgebung der Seitenoberflache der Au-Schicht 11 zu der Ni-Schicht 12 verhärtet, so dass der Verlust verringert sein kann, wie es oben beschrieben ist.
Bei der Herstellung des Grenzwellenbauelements des ersten Ausführungsbeispiels ist die Erwärmungstemperatur bei der Filmbildung des SiO₂-Films, der das zweite Medium 3 definiert, auf 250°C spezifiziert. Diese Erwärmungstemperatur ist jedoch nicht auf 250°C beschränkt. Es wurde ermittelt, dass Ni günstig in die Au-Schicht diffundiert ist und die ähnlichen Wirkungen auch in dem Bereich von 150°C bis 300°C erreicht werden. Das heißt, 8 ist ein Diagramm, das die Ergebnisse einer Messung von Impedanzverhaltnissen von Grenzwellenbauelementen zeigt, die wie bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel hergestellt sind, außer dass die oben beschriebene Filmbildungstemperatur auf den Bereich von 100°C bis 300°C geändert wurde.
Wie es aus 8 ersichtlich ist, sind die Impedanzverhältnisse hoch, wenn die Filmbildungstemperaturen innerhalb des Bereichs von 150°C bis 300°C liegen, und insbesondere der Bereich von 200°C bis 270°C ist bevorzugter.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ist Ni durch das Erwärmen bei der Filmbildung des SiO₂-Films, der das zweite Medium 3 definiert, in die Au-Schicht 11 diffundiert. Das Erwärmen bei der Filmbildung wird jedoch abhängig von der Erwärmungstemperatur bei der Filmbildung des zweiten Mediums 3 nicht zwangsläufig für eine Diffusion verwendet. Das heißt, vor der Bildung des zweiten Mediums 3 kann ein Schritt eines Erwärmens der IDT-Elektrode 4 eingebracht werden, um Ni in die Au-Schicht 11 zu diffundieren. Alternativ kann der Schritt des Erwärmens der IDT-Elektrode 4 eingebracht werden, nachdem das zweite Medium 3 gebildet ist. Das heißt, der Erwärmungsschritt zum Diffundieren von Ni kann als ein Schritt durchgeführt werden, der unterschiedlich zu dem Schritt des Laminierens des zweiten Mediums 3 an das erste Medium 2 ist.
Es ist jedoch bevorzugt, dass die oben beschriebene thermische Diffusion von Ni auch bei dem Erwärmungsschritt zum Laminieren des zweiten Mediums 3 an dem ersten Medium 2 durchgeführt wird, wie bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. In diesem Fall gibt es keinen Bedarf nach einem getrennten Durchführen eines Erwärmungsschritts für eine thermische Diffusion. Folglich kann eine Hinzufügung eines Schritts vermieden werden und kann Energie eingespart werden.
(ZWEITES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL)
Ein Grenzwellenbauelement wurde wie bei dem ersten Ausfuhrungsbeispiel hergestellt, außer dass die Laminierungsstruktur der IDT-Elektrode und der Reflektoren unter Verwendung von Photolithographie und Trockenätzung auf eine derartige Weise gebildet wurde, um von der Seite des zweiten Mediums 3 aus zu der Seite des ersten Mediums 2 hin zu einer Laminierungsstruktur von AlCu/Ti/Ni/Au/Ni/Ti zu werden.
Das heißt, bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist der mittlere Abschnitt in der Dickenrichtung der IDT-Elektrode eine Laminierungsstruktur von Ni/Au/Ni auf, wie bei dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Deshalb sind Ni-Schichten an dem oberen Ende und dem unteren Ende der Au-Schicht laminiert, die eine Hauptelektrodenschicht definiert. In diesem Fall ist die untere Ni-Schicht die Ni-Schicht, die an der Seite des ersten Mediums angeordnet ist, und entspricht die obere Ni-Schicht der Ni-Schicht, die die Metallschicht der vorliegenden Erfindung bildet.
Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ferner eine Ti-Schicht als eine Basis des Laminierungsabschnitts laminiert, in dem das oben beschriebene Ni/Au/Ni laminiert ist, und sind ferner eine Ti-Schicht und eine AlCu-Schicht von oberen Schichten sequentiell laminiert. Hier wurde die Filmdicke jeder Schicht der oben beschriebenen IDT-Elektrode auf AlCu/Ti/Ni/Au/Ni/Ti = 100/10/10/77/10/10 nm spezifiziert.
Auch bei dem so erhaltenen zweiten Ausführungsbeispiel wurde ermittelt, dass ein Teil des Ni, das die Ni-Schichten bildet, die an beiden Seiten der Au-Schicht positioniert sind, auf Grund einer Erwärmung bei der Filmbildung des aus SiO₂ gebildeten zweiten Mediums 3 in die Au-Schicht diffundiert wurde, wie in dem Fall des oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiels, und eine Verringerung des Einfügungsverlusts erzielt werden konnte, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel.
Da ferner die AlCu-Schicht, die einen geringen spezifischen elektrischen Widerstand und eine Dichte aufweist, die nahe an dieser von SiO₂ liegt, an einer Seite des aus SiO₂ gebildeten zweiten Mediums 3 laminiert ist, kann der spezifische elektrische Widerstand der Elektrode verringert werden, ohne die Resonanzcharakteristik zu verschlechtern, und dadurch kann der Widerstandswertverlust verringert werden.
Die Ti-Schicht, die die Basis definiert, weist ein Reaktionsvermögen mit Sauerstoff auf und wirkt auf eine derartige Weise, dass die Haftung zwischen dem ersten Medium 2 eines Oxidsubstrats und der Elektrode verbessert ist. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist folglich die Haftung an dem LiNbO₃-Substrat, das das zweite Medium 2 der IDT-Elektrode bildet, verbessert und ist die Zuverlässigkeit des Grenzwellenbauelements verbessert.
Wie es oben beschrieben ist, kann der Einfugungsverlust gemaß dem zweiten Ausfuhrungsbeispiel der vorliegenden Erfindung reduziert werden, selbst wenn die Ti-Schicht als die Basis gebildet ist. Dies wird mit Bezug auf 9(a) und (b) beschrieben.
Ein Grenzwellenbauelement eines zweiten modifizierten Beispiels wurde mit der gleichen Konfiguration wie dieser bei dem zweiten Ausführungsbeispiel vorbereitet, außer dass die Ti-Schicht, die die Basisschicht definiert, die an der oben beschriebenen Seite des zweiten Mediums 2 angeordnet ist, nicht vorgesehen war. Die Impedanz und die Phasencharakteristika der Grenzwellenbauelemente des zweiten Ausfuhrungsbeispiels und des zweiten modifizierten Beispiels wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in 9(a) gezeigt. Ferner sind die Impedanzverhältnisse, die aus den Impedanzcharakteristika ermittelt wurden, in 9(b) gezeigt.
Wie es aus 9(a) und (b) ersichtlich ist, ist die Impedanzcharakteristik, selbst falls die Ti-Schicht, die die Basisschicht definiert, unter der Ni-Schicht angeordnet ist, nicht erheblich verändert im Vergleich zu dieser in dem Fall, in dem eine Ti-Schicht nicht als Basis angeordnet ist. Das heißt es ist klar, dass die Haftung der IDT-Elektrode verbessert werden kann, ohne eine Verschlechterung der Charakteristik zu bewirken.
Bei dem oben beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel ist die Ti-Schicht zwischen der AlCu-Schicht, die den obersten Abschnitt definiert, und der Ni-Schicht, die die Metallschicht über der Au-Schicht definiert, laminiert. In diesem Fall kann eine Erhöhung eines Widerstandswerts auf Grund einer gegenseitigen Diffusion zwischen Al und Au verhindert werden. Dies wird mit Bezug auf 10 beschrieben.
Ein Grenzwellenbauelement eines dritten modifizierten Beispiels wurde mit der gleichen Konfiguration wie dieser bei dem zweiten Ausführungsbeispiel hergestellt, außer dass die obere Ti-Schicht nicht zwischen der AlCu-Schicht und der Ni-Schicht angeordnet war, und die Impedanz-Frequenz-Charakteristik und die Phasencharakteristik wurden ermittelt. 10 zeigt die Impedanz und die Phasencharakteristika des zweiten Ausführungsbeispiels und des oben beschriebenen dritten modifizierten Beispiels. Wie es aus 10 ersichtlich ist, wird in dem Fall des dritten modifizierten Beispiels, bei dem keine obere Ti-Schicht angeordnet ist, das Impedanzverhältnis etwas klein. Der Grund dafür wird in der Tatsache gesehen, dass in dem Fall, in dem keine Ti-Schicht zwischen AlCu und Au angeordnet ist, der Widerstandswert auf Grund einer gegenseitigen Diffusion zwischen Al und Au erhöht ist und sich deshalb die Charakteristika verschlechtern.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel ist die AlCu-Schicht, die die Metallschicht definiert, die Al enthält, an dem obersten Abschnitt der IDT-Elektrode 4 angeordnet. In diesem Fall weist die AlCu-Schicht eine Dichte nahe dieser von SiO₂ auf, das das zweite Medium 3 bildet, sowie einen geringen spezifischen elektrischen Widerstand. Da die IDT-Elektrode 4 mit einem geringen elektrischen Widerstandwert gebildet sein kann und zusätzlich die Dichte nahe dieser von SiO₂ liegt, wird deshalb eine Belastungsübertragung zwischen dem zweiten Medium 3 und der IDT-Elektrode 4 glatt durchgeführt und das Impedanzverhältnis kann sich erhöhen. Dies wird mit Bezug auf 11 beschrieben. Das Grenzwellenbauelement des oben beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiels und zu Vergleichszwecken ein Grenzwellenbauelement eines vierten modifizierten Beispiels mit der gleichen Konfiguration wie dieser des zweiten Ausführungsbeispiels, außer dass die AlCu-Schicht nicht als der oberste Abschnitt laminiert wurde, wurden vorbereitet und die Impedanz-Phasen-Charakteristika wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in 11(a) gezeigt. Die Impedanzverhältnisse des zweiten Ausführungsbeispiels und des vierten Vergleichsbeispiels sind in 11(b) gezeigt.
Wie es aus 11(a) und (b) ersichtlich ist, kann sich gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel das Impedanzverhältnis verglichen mit diesem bei dem vierten modifizierten Beispiel erhöhen.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel wird AlCu als das Material für die zweite Metallschicht verwendet, die eine Dichte nahe dieser von SiO₂, das das zweite Medium 3 bildet, sowie einen geringen spezifischen elektrischen Widerstand aufweist. Es kann jedoch ein Material verwendet werden, das Al als primäre Komponente enthält und zumindest einen Typ von Cu, Ti, Mg, Ni, Mo, Sc und Ta oder reinem Al enthalt.
Im Hinblick auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele wurden die Grenzwellenresonatoren beschrieben. Die vorliegende Erfindung kann jedoch auf andere Grenzwellenbauelemente angewandt werden, z. B. Grenzwellenfilter. Das heißt, die Wirkung eines Reduzierens eines Ausbreitungsverlusts auf Grund einer Diffusion von Ni kann zum Reduzieren des Einfügungsverlusts und Verhindern einer Verschlechterung einer Schärfe bei einer Dämpfungscharakteristik des Grenzwellenfilters verwendet werden und deshalb kann ein Grenzwellenfilterbauelement, das einen reduzierten Verlust zeigt, gemäß der vorliegenden Erfindung geliefert werden.

Claims

Grenzwellenbauelement, mit: einem ersten Medium (2), einem zweiten Medium (3), und einer IDT-Elektrode (4), die an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Medium (2) und dem zweiten Medium (3) angeordnet ist, wobei die IDT-Elektrode (4) eine Au-Schicht (11) aufweist, die eine Hauptelektrodenschicht definiert, wobei die IDT-Elektrode (4) ferner eine Ni-Schicht (12) aufweist, die derart angeordnet ist, um zumindest eine Oberfläche der Au-Schicht (11) zu beruhren, und wobei ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht (12) bildet, von der der Ni-Schicht (12) zugewandten Oberflache der Au-Schicht (11) in das Innere der Au-Schicht (11) diffundiert ist.
Grenzwellenbauelement, mit: einem ersten Medium (2), einem zweiten Medium (3), und einer IDT-Elektrode (4), die an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Medium (2) und dem zweiten Medium (3) angeordnet ist, wobei die IDT-Elektrode (4) eine Au-Schicht (11) aufweist, die eine Hauptelektrodenschicht definiert, wobei die IDT-Elektrode (4) ferner eine Ni-Schicht (12) aufweist, die zwischen der Au-Schicht (11) und dem ersten Medium (2) derart angeordnet ist, um die Au-Schicht (11) zu berühren, und wobei ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht (12) bildet, von der der Ni-Schicht (12) zugewandten Oberflache der Au-Schicht (11) in das Innere der Au-Schicht (11) diffundiert ist.
Grenzwellenbauelement gemäß Anspruch 2, bei dem die IDT-Elektrode (4) ferner eine Metallschicht (13) aufweist, die an einer Oberfläche der Au-Schicht (11) gegenüber der Seite angeordnet ist, an der die Ni-Schicht (12) angeordnet ist, wobei die Metallschicht (13) Ni enthalt, und wobei ein Teil des Ni, das die Ni-Schicht (12) und die Metallschicht (13) bildet, von beiden Oberflächen der Au-Schicht (11) aus in das Innere der Au-Schicht (11) diffundiert ist.
Grenzwellenbauelement gemäß Anspruch 3, bei dem die Ni-Konzentration an der der Ni-Schicht (12) zugewandten Oberflache der Au-Schicht (11) und an der der Metallschicht (13) zugewandten Oberflache der Au-Schicht (11) hoher ist als dazwischen.
Grenzwellenbauelement gemaß Anspruch 3 oder Anspruch 4, das ferner eine zweite Metallschicht aufweist, die an der Metallschicht (13) angeordnet ist, wobei die zweite Metallschicht eine Al-Schicht oder eine Metallschicht ist, die primär Al enthalt.
Verfahren zum Herstellen eines Grenzwellenbauelements, das ein erstes Medium (2), ein zweites Medium (3) und eine IDT-Elektrode (4) umfasst, die an einer Grenzflache zwischen dem ersten Medium (2) und dem zweiten Medium (3) angeordnet ist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden einer Au-Schicht (11) und einer Ni-Schicht (12), wobei die Ni-Schicht (12) angeordnet ist, um zumindest eine Oberflache der Au-Schicht (11) zu kontaktieren, wobei die Au-Schicht (11) auf einer Oberfläche des ersten Mediums (2) bzw. des zweiten Mediums (3) angeordnet ist; Laminieren des zweiten Mediums (3) bzw. des ersten Mediums (2), nachdem die Au-Schicht (11) und die Ni-Schicht (12) gebildet sind; und Diffundieren eines Teils des Ni, das die Ni-Schicht (12) bildet, in die Au-Schicht (11) durch ein Erwärmen, nachdem die Au-Schicht (11) und die Ni-Schicht (12) gebildet sind.
Verfahren zum Herstellen eines Grenzwellenbauelements gemäß Anspruch 6, bei dem das Diffundieren des Ni beim Laminieren des zweiten Mediums (3) durchgeführt wird.