DE1764241A1 - Monolithische elektrische Schaltung - Google Patents

Monolithische elektrische Schaltung

Info

Publication number
DE1764241A1
DE1764241A1 DE19681764241 DE1764241A DE1764241A1 DE 1764241 A1 DE1764241 A1 DE 1764241A1 DE 19681764241 DE19681764241 DE 19681764241 DE 1764241 A DE1764241 A DE 1764241A DE 1764241 A1 DE1764241 A1 DE 1764241A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
emitter
memory cell
transistor
electrical circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19681764241
Other languages
English (en)
Other versions
DE1764241B2 (de
DE1764241C3 (de
Inventor
Hermann Frantz
Dipl-Ing Najmann Knut Karl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Priority to DE1764241A priority Critical patent/DE1764241C3/de
Priority to GB06392/69A priority patent/GB1245368A/en
Priority to BE731533D priority patent/BE731533A/xx
Priority to CH579769A priority patent/CH486779A/de
Priority to FR6911364A priority patent/FR2007263A1/fr
Priority to SE5876/69A priority patent/SE345537B/xx
Priority to ES366505A priority patent/ES366505A1/es
Priority to US820178A priority patent/US3628069A/en
Priority to NLAANVRAGE6906651,A priority patent/NL169249C/xx
Publication of DE1764241A1 publication Critical patent/DE1764241A1/de
Publication of DE1764241B2 publication Critical patent/DE1764241B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1764241C3 publication Critical patent/DE1764241C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0772—Vertical bipolar transistor in combination with resistors only
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/411—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only
    • G11C11/4113—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only with at least one cell access to base or collector of at least one of said transistors, e.g. via access diodes, access transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
    • H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0658—Vertical bipolar transistor in combination with resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/288—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

Monolithische elektrische Schaltung
Die Erfindung betrifft eine monolithische elektrische Schaltung enthaltend ein Paar von emittereeitig verbundenen Transistoren, vorzugsweise Speicherzelle mit einem inneren bistabilen direkt kreuzgekoppelten Transistormultivibrator und einem äusseren Differentialverstärker, der durch die unterschiedlichen Kollektorpotentiale des Multivibrators gesteuert wird.
Derartige Schaltungen werden häufig in der Elektrotechnik verwandt, z. B. als Differentialverstärker, als Stromübernahmeschalter (current switch) oder als Transistor-Flip-Flop. Die Ausführung in monolithischer Technik geht bisher beim Aufbau eines Transistors von der Planartechnik aus. Unabhängig von ihrer Zusammenschaltung werden Transistoren im allgemeinen so dargestellt, dass der Kollektor
-2-
209818/0825
in der epitaxialenSchicht auf dem Substrat, die Basis in einer darauf folgenden Diffusion und der Emitter in einer weiteren Diffus ionsschicht oberhalb der Basis zu liegen kommt. Zwei Transistoren müssen im allgemeinen voneinander isoliert werden durch eine p+ Diffusion, die die η-Epitaxie (Kollektoren) unterbricht. Nur im Falle von gemeinsamem Kollektorpotential oder bei "Verbindung der beiden
Kollektoren über einen Epitaxiewider stand ist eine solche Isolierung
nicht notwendig.
Solche p+Isolationen, durch die getrennte Isolationsinseln gebildet werden, benötigen relativ viel Platz, da beim Diffusionsvorgang ein seitliches Auswandern erfolgt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, solche Platzverluste durch Isolationsschichten bei zwei emitterseitig verbundenen Transistoren zu vermeiden und die Metallisierungen tür die galvanischen Verbindungen einzusparen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass das in Planartechnik ausgeführte Paar von Transistoren mit gleichem Emitterpotential invers betrieben wird, d.h. in einer gemeinsamen Isolationsinsel die Emitter in der n-Epitaxieschicht und die Kollektoren als getrennte Diffusionen innerhalb der Basisdiffusionen dargestellt sind.
Ein weiteres Merkmal dir Erfindung sieht vor, dass zwei in Serie geschaltete Transistoren, die mit ihrem Emitter bzw. ihrem Kollektor auf gleichem Potential liegen, in Planartechnik so ausgeführt werden,
209818/0825
Docket GE 968 032 -3-
dass ein Traneistor normal, der andere emitterseitig verbundene aber invers betrieben wird.
Schwierigkeiten bei der erfindungsgemäseen Ausführung können in Bezug auf die Stromverstärkung H der einzelnen Transistoren entstehen. Bis jetzt lässt sich bei invers betriebenen Transistoren ein Η f^s* 10 erreichen. Benutzt man allerdings eine Golddotierung, so sinkt dieser Wert auf /J < 1. Für viele Anwendungen genügt jedoch eine Stromverstärkung dieser Grössenordnung und dieser Nachteil lässt sich in Kauf nehmen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, in dem zwei Paare von emitterseitig verbundenen Transistoren auftreten, ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 die elektrische Schaltung einer vorgeschlagenen Speicherzelle,
Fig. 2 eine monolithische Matrix von Speicherzellen entsprechend einer elektrischen Schaltung nach Fig. 1,
Fig. 3 einen Querschnitt durch einen Teil der in Fig. 2 gezeigten monolithischen Speicherzelle.
Vor der Beschreibung des erfindungsgemässen topologischen Entwurfs soll kurz auf die Wirkungsweise der in Fig. 1 dargestellten Speicherzelle eingegangen werden.
Docket GE 968 032 2 0 98 18/0825 .4-
Diese an anderer Stelle vorgeschlagene Speicherzelle besteht einerseits aus einem speichernden Element, nämlich einem direkt kreuzgekoppelten Transißtor-Flip-Flop 10. Dieser enthält zwei Transistoren T, und T. mit gemeinsamem Emitterpotential V . über zwei Kollektorwiderstände R und R, (etwa 1 k Ohm) sind die Kollektoren
1 w
der beiden Traneistoren mit dem Betriebspotential V verbunden. Es ist jeweils einer der beiden Zweige stromführend, wodurch zwei verschiedene gespeicherte Informationen dargestellt werden können. Zum Lesen und Schreiben dieser Informationen dienen die drei weiteren Transistoren T , T- und T-. Zum Lesen und Schreiben muss die Zelle adressiert werden durch einen positiven Impuls auf der X-Leitung und einem negativen Impuls auf der Y-Leitung, wodurch der Transistor T_ leitend wird. Ausgelesen wird folgendermassen: Das Potential der beiden Emitter der Transistoren T. und T_ wird abgesenkt bei Adressierung des Transistors T_; damit wird ein in Fig. nicht dargestellter, einer Vielzahl von Speicherzellen gemeinsamer Emitterwiderstand mit den Emittern der bevden Transistoren T und T_ verbunden, über diesen Emitterwiderstand werden sie mit einer Spannungsquelle negativen Potentials verbunden, und die ganze Anordnung ausserhalb des Flip-Flop 10 arbeitet als Differentialverstärker, d.h. es flieset ein Lesestrom beim B- oder B in Abhängigkeit von den Potentialen an den Kollektoren des Flip-Flop-
Das Einschreiben von Informationen in diese Zelle erfolgt dadurch, dass da« Potential an einer der Klemmen B. (oder B.) so weit abgo-
209818/0825
Docket GE 968 032 - 5-
senkt wird, dass über die Basis zum Kollektor des Transietore T (T2) ein Basisstrom flieset, der eino Absenkung des Basiepotentials am Transistor T4 (T-) und damit.dessen Sperrung zur Folge hat.
Ein topologischer Entwurf einer solchen Speicherzelle wie sie oben beschrieben ist, in der erfindungsgemäss der inverse Betrieb einiger Transistoren ausgenützt wird, wird in einer Matrix in Fig. 2 ' innerhalb der punktierten Linie 11 und Fig. 3 dargestellt Die
Transistoren T« und T., die den Multivibrator bilden, sind invers 3 4
dargestellt, d.h. es sind die beiden Kollektoren C. und C ^ in den Basis diffusionen B- und B. innerhalb einer gemeinsamen Emitter-n-Epitaxieschicht gezeigt. Die beiden Kollektorwiderstände finden sich als Bahnwiderstände R1 und R_ in einer getrennten Isolationsinsel. In einer dritten Isolationsinsel befinden sich die restlichen drei Transistoren T , T-, Tn, von denen T und T_ ebenfalls invers dar-
ί & 0 lc.
gestellt sind, so dass sie eine gemeinsame Emitterdiffusion (n-Epitaxie) und getrennte Basis- (B., B_) bzw, Kollektordiffusionen (C., C) aufweisen. Die gemeinsame Emitterdiffusion wird ausserdem noch gleichzeitig als Kollektordiffusion des normal betriebenen Transistors T-ausgenutzt, von dem die Basis B und der Emitter E zu sehen sind.
In Fig. 3 ist ein Schnitt durch die monolithische Schaltung der Fig. gezeigt. Hier sind die Diffusionen unterschiedlicher Leitfähigkeit klar zu erkennen. Auf einem p-Substrat befinden sich in durch p+ Diffusionen isolierten n-Epitaxieinseln zum ersten die Bahnwiderstände R1, R_, zum zweiten der invers betriebene Transistor T., dessen
209818/0825
Docket GE 968 032 -6-
• ο -
Kollektor C . ein Fenster zur Kontaktierung aufweist, der invere betriebene Transistor T2 mit seiner Basis B- und dem Kollektor C_, die beide durch ein Oxydfenster kontaktiert werden können, und der normal betriebene Transistor T- mit der Basis Be und dem Emitter E-
5 5 5
und den zugehörigen Oxydfenstern.
Docket GE 968 032 -7-
209818/0825

Claims (5)

I3M DuUiSL'iliaruI internationale L'üro-Mctdiincft Gc*c!l*dtaß mbH Böblingen, 22. April 1968 Docket GE 968 032, GE 867 094 ez-ma Patentansprüche
1. Monolithische elektrische Schaltung enthaltend ein Paar von
emitterseitig verbundenen Transistoren (T , T und/oder T3, T4), vorzugsweise Speicherzelle mit einem inneren bistabilen direkt kreuzgekoppelten Transistormultivibrator (10) und einem äusseren Differentialverstärker, der durch die unterschiedlichen Kollektorpotentiale des Multivibrators gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, dass das in Planartechnik ausgeführte Paar von Transistoren mit gleichem Emitterpotential invers betrieben wird, d. h. in einer gemeinsamen Isolationsinsel die Emitter in der n-Epitaxieschicht und die Kollektoren als getrennte Diffusionen innerhalb der Basisdiffusionen dargestellt sind.
2. Monolithische elektrische Schaltung, vorzugsweise Speicherzelle,
enthaltend zwei in Serie geschaltete Transistoren (T , T_ und/oder T2, Tj.), so dass der eine Emitter mit dem anderen Kollektor gleiches Potential besitzt, dadurch gekennzeichnet, dass in Planartechnik ein Transistor (T_) normal der andere emitterseitig verbundene (T1 und/oder T_) aber invers betrieben wird.
209818/0825 "8"
3. Speicherzelle nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet dass die Transistoren (T3, T4) des Multivibrators in einer und
die beiden Transistoren (T., T5) des Differentialverstärkers zusammen mit einem adressierbaren Tortransistor (T.) in einer zweiten Isolationewanne ausgeführt sind.
4. Speicherzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Isolationewanne in Form eine "L" ausgebildet ist.
5. Matrix aus Speicherzelle^nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die "L'^förmige^Ieolationswannen so ineinandergreifen, dass je zwei ein Rechteck bilden.
Docket GE 968 032
209818/0825
DE1764241A 1968-04-30 1968-04-30 Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung Expired DE1764241C3 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1764241A DE1764241C3 (de) 1968-04-30 1968-04-30 Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung
GB06392/69A GB1245368A (en) 1968-04-30 1969-03-28 Monolithic electric circuit
BE731533D BE731533A (de) 1968-04-30 1969-04-15
FR6911364A FR2007263A1 (de) 1968-04-30 1969-04-17
CH579769A CH486779A (de) 1968-04-30 1969-04-17 Monolithische elektrische Schaltung
SE5876/69A SE345537B (de) 1968-04-30 1969-04-25
ES366505A ES366505A1 (es) 1968-04-30 1969-04-26 Disposicion de circuito electrico monolitico.
US820178A US3628069A (en) 1968-04-30 1969-04-29 Integrated circuit having monolithic inversely operated transistors
NLAANVRAGE6906651,A NL169249C (nl) 1968-04-30 1969-04-29 Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste twee transistors welke zijn voorzien van afzonderlijke basisgebieden in een gemeenschappelijk geisoleerd eilanddeel van een epitaxiale laag op een halfgeleidersubstraat, waarbij de transistors onderling zijn gekoppeld door het geisoleerde eilanddeel van de epitaxiale laag.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1764241A DE1764241C3 (de) 1968-04-30 1968-04-30 Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1764241A1 true DE1764241A1 (de) 1972-04-27
DE1764241B2 DE1764241B2 (de) 1974-12-19
DE1764241C3 DE1764241C3 (de) 1978-09-07

Family

ID=5697910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1764241A Expired DE1764241C3 (de) 1968-04-30 1968-04-30 Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3628069A (de)
BE (1) BE731533A (de)
CH (1) CH486779A (de)
DE (1) DE1764241C3 (de)
ES (1) ES366505A1 (de)
FR (1) FR2007263A1 (de)
GB (1) GB1245368A (de)
NL (1) NL169249C (de)
SE (1) SE345537B (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL175560C (nl) * 1968-12-30 1984-06-18 Ibm Monolithisch geintegreerde geheugencel.
US3801836A (en) * 1969-06-30 1974-04-02 Ibm Common emitter transistor integrated circuit structure
DE2021824C3 (de) * 1970-05-05 1980-08-14 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithische Halbleiterschaltung
US3655999A (en) * 1971-04-05 1972-04-11 Ibm Shift register
US3884732A (en) * 1971-07-29 1975-05-20 Ibm Monolithic storage array and method of making
US3865648A (en) * 1972-01-07 1975-02-11 Ibm Method of making a common emitter transistor integrated circuit structure
JPS5630754A (en) * 1979-08-23 1981-03-27 Fujitsu Ltd Semiconductor memory device
FR2677171B1 (fr) * 1991-05-31 1994-01-28 Sgs Thomson Microelectronics Sa Transistor de gain en courant predetermine dans un circuit integre bipolaire.
US7902608B2 (en) * 2009-05-28 2011-03-08 International Business Machines Corporation Integrated circuit device with deep trench isolation regions for all inter-well and intra-well isolation and with a shared contact to a junction between adjacent device diffusion regions and an underlying floating well section

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2936384A (en) * 1957-04-12 1960-05-10 Hazeltine Research Inc Six junction transistor signaltranslating system
NL297821A (de) * 1962-10-08
US3393349A (en) * 1964-04-30 1968-07-16 Motorola Inc Intergrated circuits having isolated islands with a plurality of semiconductor devices in each island
US3508209A (en) * 1966-03-31 1970-04-21 Ibm Monolithic integrated memory array structure including fabrication and package therefor

Also Published As

Publication number Publication date
ES366505A1 (es) 1971-02-16
DE1764241B2 (de) 1974-12-19
GB1245368A (en) 1971-09-08
CH486779A (de) 1970-02-28
NL6906651A (de) 1969-11-03
NL169249B (nl) 1982-01-18
SE345537B (de) 1972-05-29
FR2007263A1 (de) 1970-01-02
DE1764241C3 (de) 1978-09-07
BE731533A (de) 1969-09-15
US3628069A (en) 1971-12-14
NL169249C (nl) 1982-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2303409A1 (de) Monolithisch integrierbare speicheranordnung
DE2745290A1 (de) Integriertes speicherfeld
DE2235801A1 (de) Monolithischer festwertspeicher und verfahren zur herstellung
DE1537992B2 (de) Bistabile Kippschaltung
DE2156805C3 (de) Monolithischer Halbleiterspeicher
DE1934278A1 (de) Speicheranordnung mit zugehoerigen Decodierschaltungen
DE1942559A1 (de) Dioden-gekoppelter Halbleiterspeicher
DE1764241A1 (de) Monolithische elektrische Schaltung
DE1574651C3 (de) Monolithisch integrierte Flip-Flop-Speicherzelle
DE2055232C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung zur Speicherung einer Binärzahl
DE2612666C2 (de) Integrierte, invertierende logische Schaltung
DE2760086C2 (de)
DE2816949A1 (de) Monolithisch integrierte halbleiteranordnung und deren verwendung zum aufbau einer speicheranordnung
DE2152706B2 (de) Monolithischer integrierter halbleiterspeicher fuer binaere daten
DE1934956A1 (de) Monolithische Speicherzelle
DE1774201C (de) Monolithisch integrierte Speicher zelle
DE2230875C3 (de) Mit großer Dichte integrierbarer Binärinformationsspeicher
DE1912176C2 (de) Monolithische Speicherzelle
DE2125451A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung zur Speicherung von Daten
DE2106579A1 (de) Halbleiterspeicher
DE2360897C3 (de)
DE1537992C (de) Bistabile Kippschaltung
DE2204562A1 (de) Speicherzelle
DE1474462C (de) Kryoelektnscher Speicher
DE1817498B2 (de) Monolithisch integrierte speicherzelle

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee