DE1185727B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Die Erfindung beschreibt ein Verfahren, mit dessen Hilfe auf der aus Eisen oder Aluminium bestehenden Trägerelektrode auf chemischem Wege eine Nickelselenidschicht aufgebracht wird.
- Eine auf die Trägerelektrode aufgebrachte Selenidschicht bringt nicht nur den Vorteil einer guten Haftung der im weiteren Gleichrichteraufbau aufzubringenden Selenschicht mit sich, sondern bewirkt auch einen besonders guten Stromübergang in der Flußrichtung.
- Diese Erzeugung einer Selenidschicht auf der metallischen Trägerelektrode wird - in bekannter Weise beispielsweise dadurch erzielt, daß eine geringe Menge Selen in Staubform in einer Lösung oder im Vakuum durch Aufdampfen auf die als Trägerelektrode dienende Aluminium- oder Eisenplatte aufgebracht und zur Selenidbildung auf etwa 300° C erhitzt wird.
- Ferner läßt sich in bekannter Weise eine Selenidschicht durch Aufdampfen eines bereits gebildeten Selenids im Vakuum auf die Trägerelektrode erhalten. Bekannt ist auch das Verfahren zur Selenidschichtbildung, bei dem die vernickelte Aluminium-bzw. Eisenträgerelektrode mit einer säurehaltigen Selenverbindung, beispielsweise selenige Säure, in Berührung gebracht und auf diese Weise das Selen niedergeschlagen wird. Bei einer nachfolgenden Temperaturbehandlung bildet sich dann das Selenid. Eine weitere Möglichkeit zur Selenidbildung besteht darin, daß auf die vernickelte Trägerelektrode Diselenidbromid aufgetragen und so Nickelselenid gebildet wird.
- Diese aufgeführten bekannten Verfahren zeigen alle den Nachteil, daß sie, bedingt durch die Temperprozesse, sehr zeitraubend und großteils im Vakuum und damit umständlich auszuführen sind.
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer Nickelselenidschicht zwischen der metallischen Trägerelektrode und der Selenschicht und besteht darin, daß eine ammonzyankalische Lösung von Nickel und Selen auf die metallische Trägerelektrode gespritzt oder durch Tauchen aufgebracht wird.
- Die aus Eisen oder Aluminium bestehende Trägerelektrode wird nach einem Aufrauhen der Oberfläche gründlich gereinigt und dann mit einer nickel- oder selenhaltigen Lösung bespritzt. Die Trägerelektrode ist bei diesem Prozeß gut vorgewärmt. Die auf die heiße Trägerplatte aufgespritzte Nickelverbindung wird so weit zersetzt und verdampft, daß nur Nickelselenid auf der Platte festhaftend zurückbleibt.
- Mit diesem Verfahren kann die Nickelselenid-Bildung auf der Trägerelektrode kontinuierlich am laufenden Band durchgeführt werden. Außerdem wird mit dem vorliegenden Verfahren die galvanische Vernickelung gesperrt und die anschließende Selenbedampfung bzw. Selenidschichtbildung durch Temperaturbehandlung ebenfalls vereinfacht.
- Das erfindungsgemäße Verfahren bietet gegenüber bekannten Verfahren nicht nur bereits erwähnte Vorteile, sondern ermöglicht auch eine einwandfreie Reproduzierbarkeit der Schichtdicke und gewährleistet eine gute Kontrolle und Wiedereinstellbarkeit der stöchiometrischen Zusammensetzung der Verbindung. Für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet sich eine Mischung von lmolar Nickelzyanid (Ni(CN)2) und 1,15molar Selen in 12molar Ammoniaklösung (NHs+H20). In diese Mischung wird Blausäure (HCN) eingeleitet, wodurch die Chemikalien gelöst und spritzfertig werden.
- An Stelle von lmolarem Nickelzyanid (Ni(CN)2) kann auch lmolares Nickelkarbonat (NC03) oder Nickeloxyd (Ni0) oder Nickel-Hydroxyd (Ni(OH)2) zusammen mit 1,15 Mol Selen in 12molar Arnmoniaklösung (NH3 + H20) genommen werden.
- Eine weitere erfindungsgemäße Möglichkeit besteht darin, lmolares NiSe mit einem Überschuß von Selen in 12molarem Ammoniak (NH3) zu mischen und durch Einheiten von Blausäure (HCN) spritzfertig zu machen.
Claims (6)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer Nickelselenidschicht zwischen der metallischen Trägerelektrode und der Selenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine ammonzyankalische Lösung von Nickel und Selen auf die metallische Trägerelektrode gespritzt oder durch Tauchen aufgebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ammonzyankalische Lösung von Nickel und Selen einen Ammoniakgehalt und einen Zyankaligehalt von. jeweils 1 bis 12 Mol/1 sowie einen Nickelgehalt von jeweils 0,2 bis 2 Mol/1 aufweist.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2; dadurch gekennzeichnet, daß eine Nickelverbindung, ',beispielsweise Nickelzyanid (Ni(CN)2), Nickelcarbonat (NiC03), Nickeloxyd (MO), Nickel-Hydroxyd (Ni(OH)2) zum Herstellen der ammonzyankalischen Lösung benutzt wird.
- 4. Verfahren-nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte des Träger= elektrodenmaterials beim Spritzvorgang aufgeheizt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte des Trägerelektrodenmaterials nach dem Tauchvorgang aufgeheizt wird, In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 973 445; belgische Patentschrift Nr. 509 989; Gmelins Hdb. »Selen«, Teil A,
- 6. Auflage, 1953, S.445/446.
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Citations (2)
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BE509989A (de) * | 1939-01-22 | |||
DE973445C (de) * | 1941-07-12 | 1960-02-18 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl. |
-
1962
- 1962-03-15 DE DEL41479A patent/DE1185727B/de active Pending
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