CN1648748A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供液晶显示装置等的显示装置。本发明的显示装置在像素电极和源总线附近设置有屏蔽电极。屏蔽电极可以与栅总线形成在同层，或与源总线形成在同层。屏蔽电极可以用绝缘体包围周围，也可以连接源总线以外的配线上。由于设置这样的屏蔽电极，可以降低像素电极与源总线之间的源·漏间寄生电容。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置等的显示装置。
背景技术
作为显示种种信息的显示装置，使用例如液晶显示装置。这种显示装置例如图37和图40所示，具有栅总线、源总线、辅助电容配线、在由上述栅总线和上述源总线包围的区域内配置成与上述源总线重叠并从上述源总线接收数据信号的像素电极、和面对上述像素电极的对置电极。
作为这种装置，可举出例如美国专利公报5,946,058(公开日1999年8月31日)、美国专利公报2002/0057391A1(公开日2002年5月16日)等的装置。
但是，现有的构成中，如图39所示，像素电极21和源总线18重叠的部分形成源·漏间寄生电容(本说明书中以后使用Csd的简称)。该源·漏间寄生电容成为纵向串扰、闪动的原因而不好。图中黑箭头表示数据信号的施加。
此外，现有的结构中，如图42所示，像素电极和源总线重叠的部分形成源·漏间寄生电容(本说明书中以后使用Csd的简称)。经这些电容由源总线的电位变动引入像素的电位。该像素电位的引入量因每个水平线而不同，因此像素电位的引入量之差作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现，得不到均匀的显示。此外，图中黑箭头表示数据信号的施加，空白箭头表示关注G(绿)像素时的电位引入作用。
详细说明该横条纹的产生。
图42模式地表示数字排列显示面板的源总线和像素电极、源·漏间寄生电容。
这里，例如关注G像素时，如从图可知，与G像素相邻的源总线是G的信号的源总线和R或B的信号的源总线。与该G像素相邻的源总线按每个水平线交替变化R或B。即，每个水平线上并置G线夹持的G像素、G，B线夹持的G像素的2种G像素。
结构上，有像素电极与源总线借助于绝缘膜重叠的部分，因此存在作为寄生电容的源·漏间寄生电容。其中，与驱动自身像素的源总线的电容(这里是与G线的电容)为Csd1、与不驱动自身像素的源总线的电容(这里为与R，B线的电容)为Csd2。通过这些电容由源总线的电位变动引入像素G的电位。如前面所述的R，G线夹持的G像素引入到R，G线，G，B线夹持的G像素引入到G，B线。其中，由G线造成的引入在任何地方都相同，而由R线造成的引入和由B线造成的引入则不限定于相等。由此，G像素的液晶施加电压因每个水平线而不同。这在G像素是中间色调显示的情况下，观察到每个水平线的条纹(横条纹)。这种现象不仅在绿像素G，在红像素R和蓝像素B中也同样产生。
例如，R进行白显示、G进行中间色调显示、B进行黑显示的情况下横条纹看起来显著。
发明内容
本发明的目的是提供可降低像素电极与源总线之间的寄生电容的显示装置。
本发明的另一目的是提供降低像素电位的引入量在每个水平线上的差别从而可以得到均匀显示的显示装置。
为达到上述目的，本发明的显示装置具有栅总线、源总线、和在该栅总线和该源总线包围的区域内从源总线接收数据信号的像素电极，其特征在于，在上述源总线与上述像素电极不接触的位置上配置有降低上述源总线和上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。
根据上述构成，在上述源总线与上述像素电极不接触的位置上配置有降低上述源总线和上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。即，上述屏蔽电极在遮蔽上述源总线和上述像素电极之间的电容的方向上作用。因此，可降低上述源总线和上述像素电极之间的电容。也就是，实现能够降低纵向串扰、闪动的效果。
本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线的和面对上述像素电极的面相反的面的一侧上。
根据上述构成，上述屏蔽电极形成在上述源总线的和面对上述像素电极的面相反的面的一侧上。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成栅总线的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极与上述栅总线形成在同层的。
根据上述构成，上述屏蔽电极与上述栅总线形成在同层。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成栅总线的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极由半导体形成的。
根据上述构成，上述屏蔽电极由半导体形成的。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成必要的半导体的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极与上述源总线形成在同层的。
根据上述构成，上述屏蔽电极与上述源总线形成在同层的。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成源总线的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线与上述像素电极之间。
根据上述构成，上述屏蔽电极形成在上述源总线与上述像素电极之间。因此，可提高上述屏蔽电极遮蔽上述源总线与上述像素电极之间的电场的效果。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著地降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述像素电极的和面对上述源总线的面相反的面的一侧上。
根据上述构成，上述屏蔽电极形成在上述像素电极的和面对上述源总线的面相反的面的一侧上。因此，在上述像素电极的面对上述源总线的面上不需要配置屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现能够增加上述像素电极的面对上述源总线的面侧的设计自由度的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极的整个表面被绝缘体包围。
根据上述构成，上述屏蔽电极的整个表面被绝缘体包围。这即为：在构成显示面板的层状结构物中，屏蔽电极处于从周围的导体(源总线、栅总线、辅助电容配线、像素电极等)离开的浮岛状。例如，可连接地。因此，可以抑制屏蔽电极与源总线之间产生的电场强度。也就是，除上述构成的效果外，实现能够抑制对于驱动源总线的源驱动器而言的负荷、抑制功耗增加的效果。
另外，由于不连接其他配线，增大与其他配线的位置关系的自由度。也就是，除上述构成的效果外，实现增大设计自由度的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述源总线以外的配线上。
根据上述构成，上述屏蔽电极连接在上述源总线以外的配线上。其结果是容易保证屏蔽电极的电位与源总线的电位不同。例如，至少某时间中或者一直连接与源总线的电位不同的另外的配线。这种配线可以在源总线的电位一定期间具有恒定电位，也可以按与源总线的电位变化相同的定时变化为种种电位。可以是一直保持恒定电位的配线。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，确实加强屏蔽电极与源总线之间的电场。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述栅总线上。
根据上述构成，上述屏蔽电极连接在上述栅总线上。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，确实加强屏蔽电极与源总线之间的电场。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，该显示装置还包括辅助电容配线，上述屏蔽电极连接在上述辅助电容配线上。
根据上述构成，上述屏蔽电极连接在辅助电容配线。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，确实加强屏蔽电极与源总线之间的电场。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
另外，为达到上述目的，本发明的显示装置具有包括蛇形凹部区域的多个源总线；覆盖该多个源总线的绝缘膜；在该绝缘膜上形成、并至少一部分配置在上述凹部区域中的多个像素电极，其特征在于，关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，使该一个像素电极不与未施加数据信号的源总线接触，并且，在不与上述一个像素电极接触的位置上，配置有降低上述源总线与上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。
根据上述构成，关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，使该一个像素电极不与未施加数据信号的源总线接触，并且，在不与上述一个像素电极接触的位置上，配置有降低上述源总线与上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。即，上述屏蔽电极在遮蔽上述源总线和上述像素电极之间的电容的方向上作用。因此，可减小由上述源总线造成的像素电位的引入量因每个水平线的差别。也就是，抑制由源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现出来，实现得到均匀显示的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线的和面对上述像素电极的面相反的面的一侧上。
根据上述构成，上述屏蔽电极形成在上述源总线的和面对上述像素电极的面相反的面的一侧上。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成栅总线的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极与上述栅总线形成在同层。
根据上述构成，上述屏蔽电极与上述栅总线形成在同层。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成栅总线的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极由半导体形成。
根据上述构成，上述屏蔽电极由半导体形成。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成必要的半导体的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极与上述源总线形成在同层。
根据上述构成，上述屏蔽电极与上述源总线形成在同层。因此，在现有的制造过程中，通过图案形成源总线的工序，仅通过变更图案的简单变更就可形成屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现简化工序、抑制制造成本上升的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线与上述像素电极之间。
根据上述构成，上述屏蔽电极形成在上述源总线与上述像素电极之间。因此，可提高上述屏蔽电极遮蔽上述源总线与上述像素电极之间的电场的效果。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著地降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述像素电极的和面对上述源总线的面相反的面的一侧上。
根据上述构成，上述屏蔽电极形成在上述像素电极的和面对上述源总线的面相反的面的一侧上。因此，在上述像素电极的面对上述源总线的面上不需要配置屏蔽电极。也就是，除上述构成的效果外，实现能够增加上述像素电极的面对上述源总线的面侧的设计自由度的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极的整个表面被绝缘体包围。
根据上述构成，上述屏蔽电极的整个表面被绝缘体包围。这即为：在构成显示面板的层状结构物中，屏蔽电极处于从周围的导体(源总线、栅总线、辅助电容配线、像素电极等)离开的浮岛状。例如，可连接地。因此，可以抑制屏蔽电极与源总线之间产生的电场强度。也就是，除上述构成的效果外，实现能够抑制对于驱动源总线的源驱动器而言的负荷、抑制功耗增加的效果。
由于不连接其他配线，增大与其他配线的位置关系的自由度。也就是，除上述构成的效果外，实现增大设计自由度的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述源总线以外的配线上。
根据上述构成，上述屏蔽电极连接在上述源总线以外的配线上。其结果是容易保证屏蔽电极的电位与源总线的电位不同。例如，至少某时间中或者一直连接与源总线的电位不同的另外的配线。这种配线可以在源总线的电位一定期间具有恒定电位，也可以按与源总线的电位变化相同的定时变化为种种电位。可以是一直保持恒定电位的配线。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，确实加强屏蔽电极与源总线之间的电场。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述栅总线上。
根据上述构成，上述屏蔽电极连接在上述栅总线上。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，确实加强屏蔽电极与源总线之间的电场。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极连接在辅助电容配线。
根据上述构成，上述屏蔽电极连接在辅助电容配线。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，确实加强屏蔽电极与源总线之间的电场。也就是，除上述构成的效果外，实现更显著降低源总线与像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述屏蔽电极与源总线同层，在屏蔽电极的下方有辅助电容配线。
根据上述构成，上述屏蔽电极与源总线同层，在屏蔽电极的下方有辅助电容配线。因此，除上述构成的效果外，该辅助电容配线也作为屏蔽电极作用，因此实现更有效地降低源总线和像素电极之间的电容的效果。
为解决上述问题，本发明的显示装置具有：包括蛇形凹部区域的多个源总线；覆盖该多个源总线的绝缘膜；在该绝缘膜上形成、并至少一部分配置在上述凹部区域中的多个像素电极，其特征在于，关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，当使上述一个像素电极与向上述一个像素电极施加数据信号的第一源总线之间形成的电容为Csd1，使上述一个像素电极与作为相邻上述第一源总线的源总线的、配置在上述一个像素电极的与上述第一源总线配置侧相反侧的第二源总线之间形成的电容为Csd2时，Csd2小于Csd1。
根据上述构成，Csd2小于Csd1。因此，与Csd2大于等于Csd1的结构相比，源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别减小。也就是，抑制源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现出来，实现得到均匀显示的效果。
为解决上述问题，本发明的显示装置具有：包括蛇形凹部区域的多个源总线；覆盖该多个源总线的绝缘膜；在该绝缘膜上形成、并至少一部分配置在上述凹部区域中的多个像素电极，其特征在于，关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，作为和向上述一个像素电极施加数据信号的上述第一源总线相邻的源总线的、配置在上述一个像素电极的与上述第一源总线配置侧相反侧的第二源总线，其与上述一个像素电极重叠部位的、在与水平线平行方向上的上述第二源总线的长度为L2时，L2小于(源总线宽度—两个像素电极之间距离)/2。
根据上述构成，L2小于(源总线宽度—两个像素电极之间距离)/2。因此，源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别减小。也就是，抑制由源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现出来，实现得到均匀显示的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述多个源总线分别是一个色的像素专用的。
根据上述构成，上述多个源总线分别是一个色的像素专用的。这即为：例如某源总线为R(红)专用、某源总线为B(蓝)专用、某源总线为G(绿)专用，一个源总线时为R用，不为G用。因此，除上述构成的效果外，实现可更有效地降低源总线和像素电极之间的电容的效果。
此外，本发明的显示装置，除上述构成外，其特征在于，上述源总线是向面对凸部区域的像素电极供给数据信号的。
根据上述构成，上述源总线向面对凸部区域的像素电极供给数据信号。因此，除上述构成的效果外，实现更有效地降低源总线和像素电极之间的电容的效果。
本发明的其他目的、特征和优点通过下面所示的记载变得十分明确。本发明的权益在参考附图的下面说明中变得明显。
附图说明
图1是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例的平面图。
图2是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成并进行浮动配置的构成的平面图。
图3是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例的截面图。
图4是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成的构成的截面图。
图5是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成的构成的截面图。
图6是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成并连接配置源总线以外的任意电极的构成的平面图。
图7是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成并连接配置辅助电容配线的构成的平面图。
图8是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与源总线用相同材料形成并进行浮动配置的构成的平面图。
图9是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与源总线用相同材料形成的构成的截面图。
图10是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示1个屏蔽电极与源总线用相同材料形成、另一个屏蔽电极与栅总线用相同材料形成的构成的截面图。
图11是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与源总线用相同材料形成并连接配置源总线以外的任意电极的构成的平面图。
图12是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成并浮动配置的结构的平面图。
图13表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成的结构的截面图。
图14是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成并连接配置源总线以外的任意电极的构成的平面图。
图15是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成的构成的截面图。
图16是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例的平面图；
图17是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成并进行浮动配置的构成的平面图。
图18是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例的截面图；
图19是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成的构成的截面图。
图20是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成的结构的截面图。
图21是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成并连接配置源总线以外的任意电极的构成的平面图。
图22是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与栅总线用相同材料形成并连接配置辅助电容配线的构成的平面图。
图23是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与源总线用相同材料形成并进行浮动配置的构成的平面图。
图24是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与源总线用相同材料形成的构成的截面图。
图25是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示1个屏蔽电极与源总线用相同材料形成、另一个屏蔽电极与栅总线用相同材料形成的构成的截面图。
图26是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极与源总线用相同材料形成并连接配置源总线以外的任意电极的构成的平面图。
图27是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成并浮动配置的构成的平面图。
图28是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成的构成的截面图。
图29是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成并连接配置源总线以外的任意电极的构成的平面图。
图30是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示屏蔽电极由任意材料形成的构成的截面图。
图31是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的构成的平面图。
图32是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的构成的截面图。
图33是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的构成的截面图。
图33是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的构成的截面图。
图34是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的构成的截面图。
图35是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的构成的截面图。
图36是表示本发明的液晶显示装置的显示面板的构成例，是表示源总线从像素电极间的中心偏离配置的结构的截面图。
图37是表示现有的液晶显示装置的显示面板的构成例的平面图。
图38是表示现有的液晶显示装置的显示面板的构成例的截面图。
图39是表示产生源·漏间寄生电容的状况的模式图。
图40是表示现有的液晶显示装置的显示面板的构成例的平面图。
图41是表示现有的液晶显示装置的显示面板的构成例的截面图。
图42是表示产生源·漏间寄生电容的状况的模式图。
具体实施方式
[实施方式1]
本方式的显示装置是液晶显示装置，其显示像素部10如图1到3所示，具有栅总线15、源总线18、辅助电容配线16、在上述栅总线和上述源总线包围的区域内从上述源总线接收数据信号的像素电极21，以及面对上述像素电极的对置电极(未示出)，是有源矩阵型的液晶显示装置。上述源总线18配置成夹持绝缘膜与各像素电极21重叠。25是反射电极。
图2中的部位A到E分别对应图3、4中的部位A到E。
16是辅助电容配线。
13是Si半导体层，具有分别与辅助电容配线16、漏电极19、栅电极15a·15b、源总线18的源电极重叠的区域13a·13b·13c·13d。
源总线18因此接触孔18a与Si半导体层13相连接。
19是漏电极，经接触孔21a和接触孔19a分别连接在像素电极21和13c。
这里，本方式中，屏蔽电极31设置在像素电极21和源总线18的附近。屏蔽电极31是为了降低像素电极21和源总线18之间的源·漏间寄生电容(Csd)(下面简称寄生电容)而形成的。
所谓屏蔽电极是具备遮蔽其他电极间的电场的功能的导电体全称。因此，屏蔽电极不仅包括栅总线这样的连接提供电位的配线的电极，还包含不连接提供电位的配线的电极(所谓的浮动状态)。这里所说的导电体全称，除例如金属膜的良导体外，还包含例如掺杂P的n+半导体这样的半导体。
如上所述，像素电极21配置成与源总线18重叠，因此为图像显示将数据信号施加到源总线18时，在像素电极21与源总线18之间产生电场，由此，在像素电极21与源总线18重叠的部分形成寄生电容。如已经所述，该寄生电容成为纵向串扰、闪动的原因，是不好的。与此相反，本方式中，在像素电极21与源总线18不接触的(即绝缘的)位置上配置由导体或半导体构成的上述屏蔽电极31。由此，该屏蔽电极31在遮蔽该电场的方向上作用，降低上述寄生电容。
即，在源总线18的附近，不仅由像素电极21与源总线18夹持的区域，在所有方向上由向源总线18施加的信号产生电场。从源总线18看，在与像素电极21相反的方向上也产生电场。并且，通过像素电极21存在于源总线18的附近，该电场也施加到像素电极21。因此，这样，通过在电场产生的位置上配置上述屏蔽电极31，该屏蔽电极31可如上所述遮蔽从源总线18施加到像素电极21的电场。换言之，降低像素电极21与源总线18之间的电容。即，众所周知，一般地，电容受到关于2个导体存在电场的空间的性质的影响，而本方式中，通过该空间内放置屏蔽电极31，使得该空间变化成从源总线18出来的电力线难以进入像素电极21，这无异于降低电容。
本方式中，如图2所示，屏蔽电极31是沿着源总线18的纵向方向(与水平线正交的方向)伸长的平面形状，为长方形形状。
本方式中，如图4所示，屏蔽电极31形成在源总线18的与面对像素电极21的面相反的面的一侧(图中为下侧)上。这里，屏蔽电极31形成在夹持作为源总线18的下一层的绝缘体的层间绝缘膜17的位置上。
如图3、4所示，源总线18配置成与2个像素电极21重叠。这里，屏蔽电极31的纵向方向(与水平线正交的方向)的中心与源总线18的纵向方向的中心一致。即，屏蔽电极31对于通过源总线18的纵向方向的中心与水平线正交的平面(未示出)(设为平面S)是左右对称的。其结果，本方式中，源总线18和任一像素电极21之间的寄生电容都相等地降低。
另外，本方式中，屏蔽电极31与栅总线15形成在同层。本方式中，屏蔽电极31与栅总线15用相同材料形成。因此，不需要准备新材料，由此，可以抑制屏蔽电极31的制造成本的上升。
本方式中，屏蔽电极31是浮动配置的。这里，所谓浮动配置是将屏蔽电极31配置成能从任何施加电信号(电位)的部件完全绝缘开的状态，为整个表面用绝缘体包围的配置。其可以是在绝缘体中浮动的“浮岛”结构。屏蔽电极31可连接地。
这里，屏蔽电极31和源总线18之间也形成电容(后面称为屏蔽电容)，但从源驱动器(未示出)看，该电容是负荷之一。然而，这样浮动配置时，由于该电容不那么大就可以，因此，可以抑制功耗。
这样，浮动配置时，不需要考虑与其他配线的连接方法，因此可以增大设计的自由度。
说明液晶显示装置的制造方法。叙述本方式的构成的情况下的制造顺序之前，首先说明一般构成的情况下的顺序。
如图3、38所示，首先，通过等离子体CVD法在作为绝缘性基板的玻璃基板11上设置厚度100nm的SiO2，作为基础涂层12。
接着，在基础涂层12上通过等离子体CVD法设置厚度50nm的Si半导体层13(例如硅层)。该Si半导体层13进行热处理，通过激光退火进行Si半导体层13的结晶化。此外，将该Si半导体层13图案形成为平面规定形状。
此外，该Si半导体层13上通过等离子体CVD法设置厚度100nm的SiO2，作为栅绝缘膜14。
此外，作为导电性物质，在栅绝缘膜14上用溅射法顺序层叠由膜厚50nm的氮化钽、膜厚370nm的钨膜构成的导电性物质GE，图案形成为成为辅助电容配线16、栅总线15(也包含栅电极15a·15b)的规定形状。这些导电性物质GE可用从Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu选出的元素、或以上述元素为主成分的合金材料或化合物材料替代氮化钽、钨的材料来形成。
上述Si半导体层13上，从栅电极15a·15b通过栅绝缘膜14掺杂P(磷)，将栅电极15a·15b两侧的Si半导体层13设为n-区域或n+区域(晶体管的源区域和漏区域)。由此，形成晶体管。这是在N沟道形成的情况，而在P沟道形成的情况下，在Si半导体层13中掺杂B(硼)。
进而，进行热处理，活化处理Si半导体层13中掺杂的杂质元素。
另外，作为绝缘膜，通过CVD法设置由膜厚950nm的氮化硅膜、氧化硅膜的2层结构构成的层间绝缘膜17。
接着，到达晶体管部的漏区域和源区域的接触孔部18a·19a分别形成在栅绝缘膜14和层间绝缘膜17上。
之后，作为导电性物质SE(这里导电性物质SE和源总线是相同材料)，分别按100nm、500nm、100nm的各膜厚通过溅射法顺序层叠Ti、Al、Ti，将其图案形成为规定形状，形成源总线18和漏电极19。
热处理以上的层叠结构，进行氢化上述Si半导体层13的工序。该氢化工序是通过在由氮化硅膜等构成的层间绝缘膜17中包含的氢结束Si半导体层13的不饱和键(dangling bond)的工序。
此外，层间绝缘膜17、源总线18和漏电极19上设置由有机绝缘材料构成的树脂层20。此时，树脂层20按1.6微米膜厚设置。
进而，形成到达漏电极19的接触孔21a，通过溅射法按100nm膜厚设置成为像素电极21的ITO(铟锡氧化物)，图案形成为规定形状，并按矩阵状设置多个像素电极21。
之后，这些像素电极21和树脂层20上印刷上取向膜(未示出)，进行规定方向的研磨处理，完成本实施方式的有源矩阵基板。
该有源矩阵基板的取向膜侧散布球状隔板(未示出)或柱状形成树脂绝缘膜后，将对置基板(未示出)重合在有源矩阵基板上，以规定间隔均匀粘贴有源矩阵基板和对置基板。这两个基板之间夹持液晶层。该对置基板上形成作为透明电极的对置电极(未示出)，其上印刷取向膜(未示出)后，进行与上述同样的研磨处理。通过以上完成作为使用有源矩阵基板的显示装置的有源矩阵型液晶显示装置。
接着，说明本方式的制造方法。与上述一般的顺序相同的部分的说明省略。
如图3、4所示，设置上述栅绝缘膜14，接着，在栅绝缘膜14上用溅射法顺序层叠上述导电性物质GE，与上述同样的辅助电容配线16、栅总线15(还包含栅电极15a，15b)的一起，图案形成为成为屏蔽电极31的规定形状。
这样，使用现有的制造工艺，仅变更栅总线15的图案形成的形状，可以形成屏蔽电极31。因此，尽管增加屏蔽电极31这样的部件，仍可以抑制其成本上升。
本发明还适用于顶栅结构，反交错(stagger)结构。
这里，叙述了条形排列的例子，但也可以适用于三角形(delta)排列中。
如图5所示，作为屏蔽电极，也可以为31a·31b。这是图4所示的屏蔽电极31的，仅切去包含纵向方向的中心的部分、以使残留了包含端部的部分的形状。屏蔽电极31a，31b在关于上述平面S左右对称这一点上与上述相同。
这样构成时，可以减小屏蔽电极与源总线18重叠的面积，从而因此可降低屏蔽电容。
作为另一例子，不是浮动配置，而如图6所示，将屏蔽电极31做成连接源总线18以外的任意配线(包含电极)的构成。通过接触孔31h将屏蔽电极31连接该配线。接触孔31h在形成屏蔽电极31的面上形成到达该配线的接触孔用的洞，适当变更形成屏蔽电极时的图案形成就能够制造。
这样构成时，容易保证屏蔽电极31的电位与源总线18的电位不同。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，屏蔽电极31与源总线18之间的电场确实加强，可以更显著地降低源总线18与像素电极21之间的电容。
例如，至少某期间中，或者一直是连接与源总线的电位不同的另外的配线。这种配线可以在源总线电位一定期间具有恒定电位，按源总线的电位变化的相同定时变化为种种电位。也可以是一直保持恒定电位的配线。
另外，如图7所示，也可以是屏蔽电极31连接作为除上述源总线18以外的任意配线之一的辅助电容配线16的构成。
[实施方式2]
本方式中，如图8、9所示，源总线18的纵向方向(与水平线正交的方向)的中心与位于一个水平线上的最接近关注源总线18的2个像素电极21之间的距离的中央(设为中心G)不一致，与源总线18重叠的面积在2个像素电极21之间不同。源总线18和图中左侧的像素电极21重叠的面积小于源总线18和图中右侧的像素电极21重叠的面积。源总线18和图中左侧的像素电极21重叠的面积也可以为0。
并且，屏蔽电极31与源总线18形成在同层，屏蔽电极31沿着源总线18的纵向方向配置在源总线18和上述更远的像素电极(图中左侧的像素电极21)的附近，更具体说夹持树脂层20配置在像素电极21的正下方。
本方式中，屏蔽电极31与源总线18用相同材料形成。因此，不需要准备新材料，因此，可以抑制由于屏蔽电极31造成的成本上升。
另外，本方式中，如上所述，屏蔽电极31与源总线18形成在同层。其结果是使用现有的制造工艺，仅变更源总线18的图案形成的形状就可以形成屏蔽电极31。因此，尽管增加了屏蔽电极31这样的部件，仍可以抑制其造成的制造成本上升。
本方式中，屏蔽电极31浮动配置着。其结果，如上所述，可以抑制屏蔽电容的增大，抑制功耗。可以增大设计自由度。
此外，由于和使用图2到4说明的相同，因此说明省略。
如图10所示，作为屏蔽电极，可与图9的屏蔽电极31同样，设置与源总线形成在同层的屏蔽电极31a，和与栅总线15形成在同层的屏蔽电极31b两方。
该图10的例子中，屏蔽电极31b的纵向方向(与水平线正交的方向)的中心与上述中心G不一致，与屏蔽电极31b重叠的面积在2个像素电极21之间不同。其不同的方式与源总线18和像素电极21的重叠面积的大小关系相反，屏蔽电极31b和图中左侧的像素电极21的重叠面积大于屏蔽电极31b和图中右侧的像素电极21的重叠面积。屏蔽电极31b和图中右侧的像素电极21的重叠面积也可以为0。
其结果，屏蔽电极31b，相比于源总线18和与源总线18的重叠面积更大的像素电极21之间的寄生电容，进一步降低源总线18和与源总线18的重叠面积更小的像素电极21之间的寄生电容。
作为另外的例子，并非浮动配置，与图6的例子所述同样，如图11所示，屏蔽电极31也可以连接在源总线18以外的任意配线(包含电极)。
[实施方式3]
本方式中，如图12、13所示，屏蔽电极31形成在源总线18与像素电极21之间。因此，增大屏蔽电极31遮蔽源总线18和像素电极21之间的电场的效果。也就是，更显著降低源总线18和像素电极21之间的电容。
为形成这样的屏蔽电极31，在上述制造工艺中，将树脂层20分为前半和后半，可以在前半和后半之间层叠屏蔽电极31的材料。
屏蔽电极31可浮动配置，可与图6的例子所述同样，如图14所示，屏蔽电极31也可以连接源总线18以外的任意配线(包含电极)。
此外，与使用图2到图4所述的相同，所以省略说明。
[实施方式4]
本方式中，如图12、15所示，屏蔽电极31形成在像素电极21的与面对源总线18的面相反的面的一侧上。因此，在像素电极21的与面对源总线18的面上不需要配置屏蔽电极。也就是，增大面对源总线18的面侧的设计自由度。
为形成这样的屏蔽电极31，在上述制造工艺中，形成像素电极21后，再分为前半和后半来形成绝缘膜22，可以在前半和后半之间层叠屏蔽电极31的材料。
屏蔽电极31也可以浮动配置，可与图6的例子所述同样，可连接源总线18以外的任意配线(包含电极)。
此外，与使用图2到图4所述的相同，所以省略说明。
本发明也适用于由液晶显示装置显示种种信息。
[实施方式5]
本方式的显示装置是三角形排列进行彩色显示的液晶显示装置，其显示像素部110如图16到18所示，具有栅总线115、源总线118、辅助电容配线116、在上述栅总线和上述源总线包围的区域内从上述源总线接收数据信号的像素电极121，以及夹持液晶层来面对上述像素电极的对置电极(未示出)，是有源矩阵型的液晶显示装置。上述源总线118配置成夹持绝缘膜与各像素电极121重叠。125是反射电极。
这里，源总线118通过蛇形具有凸部区域118b和凹部区域118c。即，这里为方便说明，假设行进方向(与水平线正交的方向)为图16中的下行，面对行进方向向右弯曲时(图中的左侧)，右侧上形成凸部区域118b，左侧上形成凹部区域118c。面对行进方向向左弯曲时(图16中的右侧)，左侧上形成凸部区域118b，右侧上形成凹部区域118c。并且，源总线118仅向面对凸部区域118b的像素电极121施加数据信号。即，图16中，关注源总线S时，像素电极121中A、D、E位于源总线S的凸部区域118b，像素电极121中B、C、F位于源总线S的凹部区域118c。因此，该源总线S向像素电极121中的A、D、E施加数据信号，不向像素电极121中B、C、F施加数据信号。
图17中的部位A到E分别对应图18、19中的部位A到E。
116是辅助电容配线。
113是Si半导体层，具有分别与辅助电容配线116、漏电极119、栅电极115a·115b、源总线118的源电极重叠的区域113a·113b·113c·113d。
源总线118因此接触孔118a与Si半导体层113相连接。
119是漏电极，经接触孔121a和接触孔119a分别连接于像素电极121和113c。
这里，本方式中，屏蔽电极131设置在像素电极121和源总线118的附近。屏蔽电极131为了降低像素电极121和源总线118之间的源·漏间寄生电容(Csd)(下面简称寄生电容)而形成。
所谓屏蔽电极是具备遮蔽其他电极间的电场的功能的导电体全称。因此，屏蔽电极不仅包括栅总线这样的连接提供电位的配线的电极，还包含不连接提供电位的配线的电极(所谓的浮动状态)。这里所说的导电体全称，除例如金属膜的良导体外，还包含例如掺杂P的n+半导体这样的半导体。
如上所述，像素电极121配置成与源总线118重叠，因此为图像显示将数据信号施加到源总线118时，在像素电极121与源总线118之间产生电场，由此，在像素电极121与源总线118重叠的部分形成寄生电容。与此相反，本方式中，在像素电极121与源总线118不接触的(即绝缘的)位置上配置由导体或半导体构成的上述屏蔽电极131。由此，该屏蔽电极131在遮蔽该电场的方向上作用，降低上述寄生电容。
即，在源总线118的附近，不仅由像素电极121与源总线118夹持的区域，在所有方向上由向源总线118施加的信号产生电场。从源总线118看，在与像素电极121相反的方向上也产生电场。并且，通过像素电极121存在于源总线118的附近，该电场也施加到像素电极121。因此，这样，通过在电场产生的位置上配置上述屏蔽电极131，该屏蔽电极131可如上所述遮蔽从源总线118施加到像素电极121的电场。换言之，降低像素电极121与源总线118之间的电容。即，众所周知，一般地，电容受到关于2个导体存在电场的空间的性质的影响，而本方式中，通过该空间内放置屏蔽电极131，使得该空间变化成从源总线118出来的电力线难以进入像素电极121，这无异于降低电容。
如上所述，本方式是通过三角形排列进行彩色显示的液晶显示装置，下面将各像素担当的色称为R(红)、G(绿)、B(蓝)。用于施加R、G、B的数据信号的源总线分别简称为R线、G线、B线。如前面所述，结构上，有像素电极121和源总线118经绝缘膜重合的部分，因此存在作为寄生电容的源·漏间寄生电容。其中，与驱动本身像素的源总线118的电容(这里是与G线的电容)设为Csd1、与不驱动本身像素的源总线118的电容(这里是与R、B线的电容)设为Csd2。经这些电容通过源总线118的电位变动引入像素G的电位。如前面所述的R，G线夹持的G像素引入到R，G线，G，B线夹持的G像素引入到G，B线。其中，G线造成的引入在任何地方都相同，而R线造成的引入和B线造成的引入则不限定于相等。即，横条纹的原因是R线的引入和B线的引入之差。该二者(R线和B线)的引入经源·漏间寄生电容Csd2进行。因此，如果减小Csd2可降低横条纹。该关系不仅在G像素，在关注R、B像素时也同样，通过降低Csd2可降低三角形排列等的显示面板中产生的横条纹。
对此用式子进行表达如下：
Vpix＝Vs0+(Csd1/Cpix)×ΔVs1+(Csd2/Cpix)×ΔVs2
这里，
Vpix：引入后的像素电极的电位
Vs0：引入前的像素电极的电位(＝从施加数据信号的源总线经TFT施加到像素电极的电位)
Csd1：任意一个像素电极与向其施加数据信号的源总线之间的寄生电容
Csd2：任意一个像素电极与不向其施加数据信号的源总线之间的寄生电容
Cpix：向任意一个像素电极施加的电容整体(寄生电容、辅助电容等)的总和
ΔVs1：向任意一个像素电极施加数据信号的源总线的电压振幅
ΔVs2：向任意一个像素电极不施加数据信号的源总线的电压振幅。
为降低横条纹，每个水平线的Vpix之差需要减小。右边的第一项、第二项不管水平线如何都认为是恒定的，另一方面，第三项由于上述ΔVs2不同而每个水平线不同。这里，第三项中考虑不能改变Cpix、ΔVs2。因此，通过减小Csd2可减小第三项的每个水平线的差，从而可以减小每个水平线的Vpix之差。
如上所述，如果可以至少降低Csd2，则可以减小每个水平线的Vpix之差，每个水平线的像素电位的引入量之差可以减小。这里，本方式中，通过配置上述的屏蔽电极131降低Csd2的同时，还降低Csd1。此时，也减小每个水平线的Vpix之差，每个水平线的像素电位的引入量之差也可以减小。
本方式中，如图17所示，屏蔽电极131是沿着源总线118的纵向方向(与水平线正交的方向)伸长的平面形状，为长方形形状。
本方式中，如图19所示，屏蔽电极131形成在源总线118的与面对像素电极121的面相反的面的一侧(图中为下侧)上。这里，屏蔽电极131形成在夹持作为源总线118的下一层的绝缘体的层间绝缘膜117的位置上。
如图18、19所示，源总线118配置成与2个像素电极121重叠。这里，屏蔽电极131的纵向方向(与水平线正交的方向)的中心与源总线118的纵向方向的中心一致。即，屏蔽电极131对于通过源总线118的纵向方向的中心与水平线正交的平面(未示出)(设为平面S)是左右对称的。其结果，本方式中，源总线118和任一像素电极121之间的寄生电容都相等地降低。
另外，本方式中，屏蔽电极131与栅总线115形成在同层。本方式中，屏蔽电极131与栅总线115用相同材料形成。因此，不需要准备新材料，因此，可以抑制屏蔽电极131的制造成本的上升。
本方式中，屏蔽电极131是浮动配置的。这里，所谓浮动配置是将屏蔽电极131配置成能从任何施加电信号(电位)的部件完全绝缘开的状态，使整个表面用绝缘体包围的配置。其可以是在绝缘体中浮动的“浮岛”结构。而且，屏蔽电极131也可以连接地。
这里，屏蔽电极131和源总线118之间也形成电容(后面称为屏蔽电容)，但从源驱动器(未示出)看，该电容是负荷之一。然而，这样浮动配置时，由于该电容不那么大就可以，因此，可以抑制功耗。
而且，这样浮动配置时，不需要考虑与其他配线的连接方法，因此可以增大设计的自由度。
说明液晶显示装置的制造方法。叙述本方式的结构情况下的制造顺序之前，首先说明一般结构情况下的顺序。
如图18、41所示，首先，通过等离子体CVD法在作为绝缘性基板的玻璃基板111上设置厚度100nm的SiO2，作为基础涂层112。
接着，在基础涂层112上通过等离子体CVD法设置厚度50nm的Si半导体层113(例如硅层)。该Si半导体层113进行热处理，通过激光退火进行Si半导体层113的结晶化。此外，将该Si半导体层113图案形成为平面规定形状。
此外，该Si半导体层113上通过等离子体CVD法设置厚度100nm的SiO2，作为栅绝缘膜114。
此外，作为导电性物质，在栅绝缘膜114上用溅射法顺序层叠由膜厚50nm的氮化钽、膜厚370nm的钨膜构成的导电性物质GE，图案形成为成为辅助电容配线116、栅总线115(也包含栅电极115a·115b)的规定形状。这些导电性物质GE可用从Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu选出的元素、或以上述元素为主成分的合金材料或化合物材料替代氮化钽、钨的材料来形成。
上述Si半导体层113上，从栅电极115a·115b通过栅绝缘膜114掺杂P(磷)，将栅电极115a·115b两侧的Si半导体层113设为n-区域和n+区域(晶体管的源区域和漏区域)。由此，形成晶体管。这是在N沟道形成的情况，而在P沟道形成的情况下，在Si半导体层113中掺杂B(硼)。
进而，进行热处理，活化处理Si半导体层113中掺杂的杂质元素。
另外，作为绝缘膜，通过CVD法设置膜厚950nm的氮化硅膜、氧化硅膜的2层结构构成的层间绝缘膜117。
接着，到达晶体管部的漏区域和源区域的接触孔部118a·119a分别形成在栅绝缘膜114和层间绝缘膜117上。
之后，作为导电性物质SE(这里导电性物质SE和源总线是相同材料)，分别按100nm、500nm、100nm的膜厚通过溅射法顺序层叠Ti、Al、Ti，将其图案形成为规定形状，形成源总线118和漏电极119。
热处理以上的层叠结构，进行氢化上述Si半导体层113的工序。该氢化工序是通过在由氮化硅膜等构成的层间绝缘膜117中包含的氢结束Si半导体层113的不饱和键的工序。
此外，层间绝缘膜117、源总线118和漏电极119上设置由有机绝缘材料构成的树脂层120。此时，树脂层120按1.6微米膜厚设置。
进而，形成到达漏电极119的接触孔121a，通过溅射法按100nm膜厚设置成为像素电极121的ITO(铟锡氧化物)，图案形成为规定形状，并按矩阵状设置多个像素电极121。
之后，这些像素电极121和树脂层120上印刷上取向膜(未示出)，进行规定方向的研磨处理，完成本实施方式的有源矩阵基板。
该有源矩阵基板的取向膜侧散布球状隔板(未示出)或柱状形成树脂绝缘膜后，将对置基板(未示出)重合在有源矩阵基板上，以规定间隔均匀粘贴有源矩阵基板和对置基板。这两个基板之间夹持液晶层。该对置基板上形成作为透明电极的对置电极(未示出)，其上印刷取向膜(未示出)后，进行与上述同样的研磨处理。通过以上完成作为使用有源矩阵基板的显示装置的有源矩阵型液晶显示装置。
接着，说明本方式的制造方法。与上述一般的顺序相同的部分的说明省略。
如图18、19所示，设置上述栅绝缘膜114，接着，在栅绝缘膜114上用溅射法顺序层叠上述导电性物质GE，与上述同样的辅助电容配线116、栅总线115(还包含栅电极115a，115b)的一起，图案形成为成为屏蔽电极131的规定形状。
这样，使用现有的制造工艺，仅变更栅总线115的图案形成的形状，可以形成屏蔽电极131。因此，尽管增加屏蔽电极131这样的部件，仍可以抑制其成本上升。
本发明还适用于顶栅结构，反交错排列结构。
这里，叙述了条形排列的例子，但三角形排列中也可以适用。
如图20所示，作为屏蔽电极，也可以为131a·131b。这是图19所示的屏蔽电极131的仅切去包含纵向方向的中心的部分的形状。屏蔽电极131a·131b在关于上述平面S左右对称这一点上与上述相同。
这样构成时，由于可以减小屏蔽电极与源总线118重叠的面积，由此可以降低屏蔽电容。
作为另一例子，不是浮动配置，而如图21所示，将屏蔽电极131做成连接源总线118以外的任意配线(包含电极)的构成。通过接触孔131h连接该配线。接触孔131h在形成屏蔽电极131的面上形成到达该配线的接触孔用的洞，适当变更形成屏蔽电极时的图案形成就能够制造。
这样构成时，容易保证屏蔽电极131的电位与源总线118的电位不同。因此，与屏蔽电极为浮岛状的情况相比，屏蔽电极131与源总线118之间的电场确实加强，可以更显著地降低源总线118与像素电极121之间的电容。
例如，至少某期间中，或者一直是连接与源总线的电位不同的另外的配线。这种配线可以在源总线电位一定期间具有恒定电位，按源总线的电位变化的相同定时变化为种种电位。
而且也可以是一直保持恒定电位的配线。
另外，如图22所示，也可以是屏蔽电极131连接作为除上述源总线118以外的任意配线之一的辅助电容配线116的构成。
[实施方式6]
本方式中，如图23、24所示，源总线118的纵向方向(与水平线正交的方向)的中心与位于一个水平线上的最接近关注源总线118的2个像素电极211之间的距离的中央(设为中心G)不一致，与源总线118重叠的面积在2个像素电极211之间不同。源总线118和图中左侧的像素电极121重叠的面积小于源总线118和图中右侧的像素电极121重叠的面积。源总线118和图中左侧的像素电极121重叠的面积也可以为0。
并且，屏蔽电极131与源总线118形成在同层，屏蔽电极131沿着源总线118的纵向方向配置在源总线118和上述更远的像素电极(图中左侧的像素电极121)的附近，更具体说夹持树脂层120配置在像素电极121的正下方。
本方式中，屏蔽电极131与源总线118用相同材料形成。因此，不需要准备新材料，因此，可以抑制由于屏蔽电极131造成的成本上升。
本方式中，如上所述，屏蔽电极131与源总线118形成在同层。其结果是使用现有的制造工艺，仅变更源总线118的图案形成形状就可形成屏蔽电极131。因此，尽管增加了屏蔽电极131这样的部件，仍可以抑制其造成的制造成本上升。
本方式中，屏蔽电极131是浮动配置的。其结果，如上所述，可以抑制屏蔽电容的增大，抑制功耗。可以增大设计自由度。
此外，由于和使用图17到19说明的相同，因此同样的说明省略。
如图25所示，作为屏蔽电极，可以与图24的屏蔽电极131同样，设置与源总线118形成在同层的屏蔽电极131a和与栅总线115形成在同层的屏蔽电极131b两方。
该图25的例子中，屏蔽电极131b的纵向方向(与水平线正交的方向)的中心与上述中心G不一致，与屏蔽电极131b重叠的面积在2个像素电极121之间不同。其不同的方式与源总线118和像素电极121的重叠面积的大小关系相反，屏蔽电极131b和图中左侧的像素电极121的重叠面积大于屏蔽电极131b和图中右侧的像素电极121的重叠面积。屏蔽电极131b和图中右侧的像素电极121的重叠面积也可以为0。
其结果，相比于源总线118和与源总线118的重叠面积更大的像素电极121之间的寄生电容，屏蔽电极131b进一步降低源总线118和与源总线118的重叠面积更小的像素电极121之间的寄生电容。
作为另外的例子，并非浮动配置，与图21的例子所述同样，如图26所示，屏蔽电极131也可以连接源总线118以外的任意配线(包含电极)。
[实施方式7]
本方式中，如图27、28所示，屏蔽电极131形成在源总线118与像素电极121之间。因此，增大屏蔽电极131遮蔽源总线118和像素电极121之间的电场的效果。也就是，更显著降低源总线118和像素电极121之间的电容。
为形成这样的屏蔽电极131，在上述制造工艺中，将树脂层120分为前半和后半，可以在前半和后半之间层叠屏蔽电极131的材料。
屏蔽电极131可以浮动配置，也可以与图21的例子所述同样，如图29所示，屏蔽电极131可以连接源总线118以外的任意配线(包含电极)。
此外，与使用图17到19所述的相同，同样的说明省略。
[实施方式8]
本方式中，如图27、30所示，屏蔽电极131形成在像素电极121的与面对源总线118的面相反的面的一侧上。因此，在像素电极121的与面对源总线118的面上不需要配置屏蔽电极。也就是，增大面对源总线118的面侧的设计自由度。
为形成这样的屏蔽电极131，在上述制造工艺中，形成像素电极121后，再分为前半和后半来形成绝缘膜122，在前半和后半之间层叠屏蔽电极131的材料。
屏蔽电极131可以浮动配置，也可以与图21的例子所述同样，可连接源总线118以外的任意配线(包含电极)。
此外，与使用图17到图19所述的相同，同样的说明省略。
[实施方式9]
本方式中，如图31、32所示，通过将源总线118的配置偏向形成Csd1的像素电极121侧(图32中右侧)降低Csd2。实施方式5到8中，通过配置屏蔽电极131降低Csd2的同时，还降低Csd1，但如上所述，只要至少可以降低Csd2，则可以减小每个水平线的Vpix之差，每个水平线的像素电位的引入量之差也可以减小。
更具体地说，关注上述色中的任意一色(例如G)时，上述一个像素电极与向上述一个像素电极施加数据信号的第一源总线之间形成的电容为Csd1、上述一个像素电极与作为和上述第一源总线相邻的源总线并且配置在上述一个像素电极的与上述第一源总线配置侧相反侧的第二源总线之间形成的电容为Csd2时，Csd2小于Csd1。
这样一来，与像素电极两侧电容都为Csd1的构成相比，可以降低Csd2，因此可以抑制每个水平线的条纹(横条纹)的产生。
为了Csd2小于Csd1，具体说，设向关注色用的一个像素电极上施加数据信号的源总线与该像素电极的重叠面积为S1、向上述关注色用的一个像素电极上施加数据信号的源总线与作为与关注色不同色用的像素电极且配置在与上述关注色用的像素电极相同的水平线上的像素电极的重叠面积为S2时，S2可以小于S1那样构成。而S2可以为0。
作为和向上述一个像素电极施加数据信号的上述第一源总线相邻的源总线的、配置在上述一个像素电极的与上述第一源总线配置侧相反侧的第二源总线，其与上述一个像素电极重叠部位的、在与水平线平行方向上的上述第二源总线的长度为L2时，可以是L2小于(源总线宽度—上述两个像素电极之间距离)/2的构成。
向上述一个像素电极施加数据信号的上述第一源总线，其与上述一个像素电极重叠部位的、在与水平线平行方向上的上述第一源总线的长度为L1时，可以是L1大于(源总线宽度—上述两个像素电极之间距离)/2。
另外，可以是向关注色用的一个像素电极施加数据信号的源总线，其与该像素电极重叠部位的、在与水平线平行方向上的长度为L1，向上述关注色用的像素电极施加数据信号的上述源总线，其与作为和关注色不同的色用的像素电极的、配置在与上述关注色用的像素电极相同的水平线上的像素电极重叠的在与水平线平行方向上的长度为L2。
如图33所示，也可以并存与图19的屏蔽电极131同样的构成。此时，如图33所示，可构成为将屏蔽电极131偏向形成Csd1的像素电极121侧(图中右侧)。
如图34所示，可以并存与图20的屏蔽电极131a·131b同样的构成。此时，如图35所示，可构成为将屏蔽电极131a·131b偏向形成Csd1的像素电极121侧(图中右侧)。
如图36所示，可并存与图24的屏蔽电极131同样的屏蔽电极131a和与图25的屏蔽电极131b同样的屏蔽电极131b。此时，如图36所示，可构成为将源总线118完全不与形成Csd2的像素电极121侧(图中左侧)重叠。
本实施例的显示装置，是在具有栅总线、源总线、和在上述栅总线和上述源总线包围的区域内与上述源总线重叠地配置且从上述源总线按每色接收数据信号的像素电极的显示装置中，关注上述像素电极中的任意一个时，使该像素电极不与未施加数据信号的源总线接触，并且，在不与上述像素电极接触的位置上，配置降低上述源总线与上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。
根据上述构成，在关注上述像素电极中的任意一个时，使该像素电极不与未施加数据信号的源总线接触，并且，在不与上述像素电极接触的位置上，配置降低上述源总线与上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。即，上述像素电极在遮蔽上述源总线和上述像素电极之间的电场的方向上作用。其结果，作为和关注色不同的色用的像素电极、配置在与上述关注色用的像素电极相同的水平线上的上述像素电极与源总线之间的电容可降低。这里，关注色用的源总线和上述像素电极之间的电容不管水平线如何都恒定。因此，可以减小源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差异。也就是，抑制源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现出来，可得到均匀显示。
本发明的显示装置是在具有栅总线、源总线、和在上述栅总线和上述源总线包围的区域内与上述源总线重叠地配置且从上述源总线按每色接收数据信号的像素电极的显示装置中，也可以构成为关注上述色中的任意一个时，向关注色用的一个像素电极上施加数据信号的源总线与该像素电极的重叠面积为S1、向上述关注色用的一个像素电极上施加数据信号的源总线与作为与关注色不同色用的像素电极且配置在与上述关注色用的像素电极相同的水平线上的像素电极的重叠面积为S2时，S2(包含0的情况)小于S1。
根据上述构成，作为和关注色不同的色用的像素电极、配置在与上述关注色用的像素电极相同的水平线上的源总线与上述像素电极之间的电容可以降低。这里，关注色用的源总线和上述像素电极之间的电容不管水平线如何都一定。因此，可以减小源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差异。也就是，抑制源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现出来，可以得到均匀的显示。
本发明的显示装置是在具有栅总线、源总线、和在上述栅总线和上述源总线包围的区域内与上述源总线重叠地配置且从上述源总线按每色接收数据信号的像素电极的显示装置中，可以构成为关注上述色中的任意一个时，向关注色用的一个像素电极施加数据信号的源总线，其与上述一个像素电极重叠部位的、在与水平线平行方向上的长度为L1，向上述关注色用的像素电极施加数据信号的上述源总线，其与作为和关注色不同的色用的像素电极的、配置在上述关注色用的像素电极相同水平线上的像素电极重叠的部位的、在与水平线平行方向上的长度为L2时，L2小于(源总线宽度—上述两个像素电极之间距离)/2。
根据上述构成，作为和关注色不同的色用的像素电极的、配置在上述关注色用的像素电极相同水平线上的源总线与上述像素电极之间的电容可以降低。这里，关注色用的源总线和上述像素电极之间的电容不管水平线如何都恒定。因此，可以减小源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差异。也就是，抑制源总线造成的像素电位的引入量在每个水平线上的差别作为每个水平线的亮度差(＝横条纹)显现出来，可以得到均匀的显示。
本发明的显示装置在三角性排列中，屏蔽电极可以构成为与形成Csd1的源总线以及形成Csd2的源总线中的至少形成Csd2的源总线重叠。
本发明的显示装置在三角形排列中，可以构成为配置在像素电极周围、形成Csd2的源总线在与水平线平行方向上切开的截面的至少一个场所处的像素电极与源总线的对置部分的长度小于(源总线宽度—形成Csd1的像素电极与形成Csd2的像素电极之间的距离)/2。
本发明的显示装置是在具有栅总线、源总线、辅助电容配线、在上述栅总线和上述源总线包围的区域内配置在上述栅总线和上述源总线的交叉部附近的薄膜晶体管、连接在上述晶体管的像素电极、与上述像素电极相对的对置电极的显示装置中，也可以构成为：改变源总线配置的左右平衡，降低源·漏间寄生电容中不驱动本身像素的源总线·漏间的电容(Csd2)的配置。
即，通过将源总线的位置偏向配置在Csd1侧，可以实现与像素电极的重叠区域的减少。
另外，本发明的显示装置在具有栅总线、源总线、辅助电容配线、在上述栅总线和上述源总线包围的区域内配置在上述栅总线和上述源总线的交叉部附近的薄膜晶体管、连接在上述晶体管的像素电极、与上述像素电极相对的对置电极的显示装置中，也可以构成为：在源总线附近配置屏蔽电极，降低源·漏间的电容(Csd)的配置。
即，通过在源总线附近配置另外的电极可以遮蔽电场。
此外，发明的详细说明中指出的具体实施方式或实施例之多是为了明确本发明哎呀的技术内容，不应狭义解释为仅限定于这种具体实施例，在本发明的精神和下面记载的权利要求的范围内可实施种种变更。

Claims (27)

1.一种显示装置，具有栅总线；源总线；和在该栅总线和该源总线包围的区域内，从源总线接收数据信号的像素电极，其特征在于，
在上述源总线与上述像素电极不接触的位置上，配置有降低上述源总线和上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线的和面对上述像素电极的面相反的面的一侧上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极与上述栅总线形成在同层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极由半导体形成的。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极与上述源总线形成在同层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线与上述像素电极之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述像素电极的和面对上述源总线的面相反的面的一侧上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极的整个表面被绝缘体包围。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述源总线以外的配线上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述栅总线上。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，该显示装置还包括辅助电容配线，上述屏蔽电极连接在上述辅助电容配线上。
12.一种显示装置，具有：包括蛇形凹部区域的多个源总线；覆盖该多个源总线的绝缘膜；在该绝缘膜上形成、并至少一部分配置在上述凹部区域中的多个像素电极，其特征在于，
关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，使该一个像素电极不与未施加数据信号的源总线接触，并且，在不与上述一个像素电极接触的位置上，配置有降低上述源总线与上述像素电极之间的电容的屏蔽电极。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线的和面对上述像素电极的面相反的面的一侧上。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极与上述栅总线形成在同层。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极由半导体形成。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极与上述源总线形成在同层。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述源总线与上述像素电极之间。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极形成在上述像素电极的和面对上述源总线的面相反的面的一侧上。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极的整个表面被绝缘体包围。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述源总线以外的配线上。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极连接在上述栅总线上。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极连接在辅助电容配线。
23.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，上述屏蔽电极与源总线同层，在屏蔽电极的下方有辅助电容配线。
24.一种显示装置，具有：包括蛇形凹部区域的多个源总线；覆盖该多个源总线的绝缘膜；在该绝缘膜上形成、并至少一部分配置在上述凹部区域中的多个像素电极，其特征在于，
关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，
当使上述一个像素电极与向上述一个像素电极施加数据信号的第一源总线之间形成的电容为Csd1，
使上述一个像素电极与作为相邻上述第一源总线的源总线的、配置在上述一个像素电极的与上述第一源总线配置侧相反侧的第二源总线之间形成的电容为Csd2时，Csd2小于Csd1。
25.一种显示装置，具有：包括蛇形凹部区域的多个源总线；覆盖该多个源总线的绝缘膜；在该绝缘膜上形成、并至少一部分配置在上述凹部区域中的多个像素电极，其特征在于，
关注上述多个像素电极内的一个像素电极时，
作为和向上述一个像素电极施加数据信号的上述第一源总线相邻的源总线的、配置在上述一个像素电极的与上述第一源总线配置侧相反侧的第二源总线，其与上述一个像素电极重叠部位的、在与水平线平行方向上的上述第二源总线的长度为L2时，
L2小于(源总线宽度—两个像素电极之间距离)/2。
26.根据权利要求12、24和25的任意一项所述的显示装置，其特征在于，上述多个源总线分别是一个色的像素专用的。
27.根据权利要求12、24和25的任意一项所述的显示装置，其特征在于，上述源总线是向面对凸部区域的像素电极供给数据信号的。
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