JP2002151699A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂からなる平坦化膜上に画素電極を設けた
構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
高開口率を維持して、画素電極とデータ信号ラインとの
間の寄生容量Ｃｄｓを小さくする。 【解決手段】 補助容量ライン６のデータ信号ライン３
と交差する部分からは延出部６ａが列方向に延びるデー
タ信号ライン３の配列方向に延出されている。延出部６
ａの幅はデータ信号ライン３の幅よりも大きくなってい
る。そして、画素電極５の左右辺部は延出部６ａと重ね
合わされているが、データ信号ライン３とは重ね合わさ
れていない。したがって、画素電極５とデータ信号ライ
ン３との間の寄生容量Ｃｄｓを小さくすることができ
る。また、補助容量ライン６からの延出部６ａに遮光膜
としての機能を持たせると、開口率を高くすることがで
きる。
構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
高開口率を維持して、画素電極とデータ信号ラインとの
間の寄生容量Ｃｄｓを小さくする。 【解決手段】 補助容量ライン６のデータ信号ライン３
と交差する部分からは延出部６ａが列方向に延びるデー
タ信号ライン３の配列方向に延出されている。延出部６
ａの幅はデータ信号ライン３の幅よりも大きくなってい
る。そして、画素電極５の左右辺部は延出部６ａと重ね
合わされているが、データ信号ライン３とは重ね合わさ
れていない。したがって、画素電極５とデータ信号ライ
ン３との間の寄生容量Ｃｄｓを小さくすることができ
る。また、補助容量ライン６からの延出部６ａに遮光膜
としての機能を持たせると、開口率を高くすることがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はアクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。
クス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の一例の一部の透過平面図を示したものであ
る。この液晶表示装置はガラス基板１を備えている。ガ
ラス基板１の上面側には走査信号ライン２とデータ信号
ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍に
は薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ、画
素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ラ
イン２と平行に設けられている。
晶表示装置の一例の一部の透過平面図を示したものであ
る。この液晶表示装置はガラス基板１を備えている。ガ
ラス基板１の上面側には走査信号ライン２とデータ信号
ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍に
は薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ、画
素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ラ
イン２と平行に設けられている。
【０００３】画素電極５はデルタ配列されている。すな
わち、１つの画素を構成するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３つの画素電極５は二等辺三角形（ギリシャ文
字Δ）の各頂点に対応する位置に配置されている。この
ため、走査信号ライン２は上下の画素電極５間において
行方向に直線状に延びて設けられ、データ信号ライン３
は左右の画素電極５間および上下の画素電極５間におい
て列方向に蛇行して設けられている。
わち、１つの画素を構成するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３つの画素電極５は二等辺三角形（ギリシャ文
字Δ）の各頂点に対応する位置に配置されている。この
ため、走査信号ライン２は上下の画素電極５間において
行方向に直線状に延びて設けられ、データ信号ライン３
は左右の画素電極５間および上下の画素電極５間におい
て列方向に蛇行して設けられている。
【０００４】次に、この液晶表示装置の具体的な構造に
ついて、図３のＹ−Ｙ線に沿う断面図である図４を参照
して説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはゲ
ート電極１１を含む走査信号ライン２が設けられ、他の
所定の箇所には補助容量ライン６が設けられ、その上面
全体には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設け
られている。ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１
２の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンか
らなる半導体薄膜１３が設けられている。半導体薄膜１
３の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネ
ル保護膜１４が設けられている。チャネル保護膜１４の
上面両側およびその両側における半導体薄膜１３の上面
にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコン
タクト層１５、１６が設けられている。
ついて、図３のＹ−Ｙ線に沿う断面図である図４を参照
して説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはゲ
ート電極１１を含む走査信号ライン２が設けられ、他の
所定の箇所には補助容量ライン６が設けられ、その上面
全体には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設け
られている。ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１
２の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンか
らなる半導体薄膜１３が設けられている。半導体薄膜１
３の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネ
ル保護膜１４が設けられている。チャネル保護膜１４の
上面両側およびその両側における半導体薄膜１３の上面
にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコン
タクト層１５、１６が設けられている。
【０００５】一方のオーミックコンタクト層１５の上面
およびゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはドレイ
ン電極１７を含むデータ信号ライン３が設けられてい
る。この場合、データ信号ライン３は、真性アモルファ
スシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ、
金属膜３ｃの３層構造となっている。真性アモルファス
シリコン膜３ａは、半導体薄膜１３を形成する際、半導
体薄膜１３と同一の膜によって同時に形成されている。
ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂは、オーミックコンタ
クト層１５、１６を形成する際、オーミックコンタクト
層１５、１６と同一の膜によって同時に形成されてい
る。金属膜３ｃは、ドレイン電極１７をクロムなどの金
属によって形成する際、ドレイン電極１７と同一の膜に
よって同時に形成されている。
およびゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはドレイ
ン電極１７を含むデータ信号ライン３が設けられてい
る。この場合、データ信号ライン３は、真性アモルファ
スシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ、
金属膜３ｃの３層構造となっている。真性アモルファス
シリコン膜３ａは、半導体薄膜１３を形成する際、半導
体薄膜１３と同一の膜によって同時に形成されている。
ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂは、オーミックコンタ
クト層１５、１６を形成する際、オーミックコンタクト
層１５、１６と同一の膜によって同時に形成されてい
る。金属膜３ｃは、ドレイン電極１７をクロムなどの金
属によって形成する際、ドレイン電極１７と同一の膜に
よって同時に形成されている。
【０００６】他方のオーミックコンタクト層１６の上面
にはクロムなどからなるソース電極１８が設けられてい
る。ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導
体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタク
ト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１
８により、薄膜トランジスタ３が構成されている。薄膜
トランジスタ３などを含むゲート絶縁膜１２の上面全体
には樹脂からなる平坦化膜（層間絶縁膜）１９が設けら
れている。平坦化膜１９の上面の所定の箇所にはＩＴＯ
からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、
平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介し
てソース電極１８に接続されている。
にはクロムなどからなるソース電極１８が設けられてい
る。ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導
体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタク
ト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１
８により、薄膜トランジスタ３が構成されている。薄膜
トランジスタ３などを含むゲート絶縁膜１２の上面全体
には樹脂からなる平坦化膜（層間絶縁膜）１９が設けら
れている。平坦化膜１９の上面の所定の箇所にはＩＴＯ
からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、
平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介し
てソース電極１８に接続されている。
【０００７】ところで、上記従来の液晶表示装置では、
樹脂からなる平坦化膜１９をスピンコート法などにより
形成し、その膜厚を数μｍ程度と比較的厚くしているの
で、画素電極５とデータ信号ライン３とを重ね合わせて
も、画素電極５とデータ信号ライン３との間でショート
が発生することはない。そこで、データ信号ライン３の
うち列方向に延びる部分の幅を行方向に延びる部分の幅
よりもやや広くし、この幅広の列方向に延びるデータ信
号ライン３の幅方向両端部を左右方向に隣接する画素電
極５の相隣接する辺部と重ね合わせている。そして、列
方向に延びるデータ信号ライン３に遮光膜としての機能
を持たせ、これにより開口率を高くしている。一例とし
て、左右方向に隣接する画素電極５の間隔をその間でシ
ョートが発生しない程度の最小間隔４μｍとし、画素電
極５とデータ信号ライン３との重合幅をアライメント精
度などを考慮していかなる場合でも重合するように設計
上２μｍとすると、データ信号ライン３の最小幅は８μ
ｍとなる。
樹脂からなる平坦化膜１９をスピンコート法などにより
形成し、その膜厚を数μｍ程度と比較的厚くしているの
で、画素電極５とデータ信号ライン３とを重ね合わせて
も、画素電極５とデータ信号ライン３との間でショート
が発生することはない。そこで、データ信号ライン３の
うち列方向に延びる部分の幅を行方向に延びる部分の幅
よりもやや広くし、この幅広の列方向に延びるデータ信
号ライン３の幅方向両端部を左右方向に隣接する画素電
極５の相隣接する辺部と重ね合わせている。そして、列
方向に延びるデータ信号ライン３に遮光膜としての機能
を持たせ、これにより開口率を高くしている。一例とし
て、左右方向に隣接する画素電極５の間隔をその間でシ
ョートが発生しない程度の最小間隔４μｍとし、画素電
極５とデータ信号ライン３との重合幅をアライメント精
度などを考慮していかなる場合でも重合するように設計
上２μｍとすると、データ信号ライン３の最小幅は８μ
ｍとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
の液晶表示装置では、列方向に延びるデータ信号ライン
３の幅方向両端部を左右方向に隣接する画素電極５の相
隣接する辺部と重ね合わせ、列方向に延びるデータ信号
ライン３に遮光膜としての機能を持たせている。しかし
ながら、高精細画素などのために１個の画素電極５の面
積を小さくしたところ、垂直クロストークが視認され
た。すなわち、画素電極５とデータ信号ライン３とを重
ね合わせると、その間の寄生容量Ｃｄｓが増加し、この
寄生容量Ｃｄｓの増加が垂直クロストークを発生させる
要因となる。一方、この寄生容量Ｃｄｓと１個の画素電
極５の全蓄積容量との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄｓ＋Ｃ
ｌｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｓ）｝がある値（例えば０．０４５）
以下であれば、垂直クロストークは視認されない。ただ
し、Ｃｌｃは１個の画素電極５と対向電極（図示せず）
間の液晶の容量、Ｃｓは画素電極５と補助容量ライン６
間の蓄積容量（以下、補助容量）、Ｃｇｓは画素電極５
と走査信号ライン２との間の寄生容量である。しかしな
がら、１個の画素電極５の面積を小さくすると、それに
対応する液晶容量Ｃｌｃも小さくなるので、上記比βが
上記ある値よりも大きくなり、垂直クロストークが視認
されることになる。この発明の課題は、画素電極とデー
タ信号ラインとの間の結合容量Ｃｄｓを小さくすること
である。
の液晶表示装置では、列方向に延びるデータ信号ライン
３の幅方向両端部を左右方向に隣接する画素電極５の相
隣接する辺部と重ね合わせ、列方向に延びるデータ信号
ライン３に遮光膜としての機能を持たせている。しかし
ながら、高精細画素などのために１個の画素電極５の面
積を小さくしたところ、垂直クロストークが視認され
た。すなわち、画素電極５とデータ信号ライン３とを重
ね合わせると、その間の寄生容量Ｃｄｓが増加し、この
寄生容量Ｃｄｓの増加が垂直クロストークを発生させる
要因となる。一方、この寄生容量Ｃｄｓと１個の画素電
極５の全蓄積容量との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄｓ＋Ｃ
ｌｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｓ）｝がある値（例えば０．０４５）
以下であれば、垂直クロストークは視認されない。ただ
し、Ｃｌｃは１個の画素電極５と対向電極（図示せず）
間の液晶の容量、Ｃｓは画素電極５と補助容量ライン６
間の蓄積容量（以下、補助容量）、Ｃｇｓは画素電極５
と走査信号ライン２との間の寄生容量である。しかしな
がら、１個の画素電極５の面積を小さくすると、それに
対応する液晶容量Ｃｌｃも小さくなるので、上記比βが
上記ある値よりも大きくなり、垂直クロストークが視認
されることになる。この発明の課題は、画素電極とデー
タ信号ラインとの間の結合容量Ｃｄｓを小さくすること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、一対の走査信号ラインと一対のデータ信号ライン間
に画素電極および該画素電極に接続されたスイッチング
素子がマトリクス状に配列され、前記走査信号ラインと
平行に形成され且つ前記データ信号ラインと平行な延出
部を有する補助容量ラインが隣接する画素電極間に形成
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記データ信号ラインの幅を前記隣接する画素電極間の
間隔と等しいかそれよりも小さくし、前記データ信号ラ
イン上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜を形成
すると共に、前記補助容量ラインを前記データ信号ライ
ン下に絶縁膜を介して形成し、且つ、前記補助容量ライ
ンの延出部の幅を前記データ信号ラインよりも幅広く形
成したことを特徴とするものである。請求項２に記載の
発明は、請求項１に記載の発明において、前記補助容量
ラインの延出部は両側部において前記隣接する画素電極
の側辺部に重合していることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発
明において、前記各画素電極は、寄生容量Ｃｄｓと１個
の画素電極の全蓄積容量との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄ
ｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｓ）｝（ここで、Ｃｄｓは画素
電極とデータ信号ラインとの間の寄生容量、Ｃｌｃは画
素電極と対向電極間の液晶の容量、Ｃｓは画素電極と補
助容量ライン間の蓄積容量、Ｃｇｓは画素電極と走査信
号ラインとの間の寄生容量）が０．０４５以下であるこ
とを特徴とするものである。そして、請求項１に記載の
発明によれば、データ信号ラインの幅を隣接する画素電
極間の間隔と等しいかそれよりも小さくしているので、
画素電極とデータ信号ラインとの間の寄生容量Ｃｄｓを
小さくすることができる。この場合、補助容量ラインの
延出部の幅をデータ信号ラインよりも幅広く形成してい
るのは、当該延出部に遮光膜としての機能を持たせ、こ
れにより開口率を高くするためである。
は、一対の走査信号ラインと一対のデータ信号ライン間
に画素電極および該画素電極に接続されたスイッチング
素子がマトリクス状に配列され、前記走査信号ラインと
平行に形成され且つ前記データ信号ラインと平行な延出
部を有する補助容量ラインが隣接する画素電極間に形成
されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記データ信号ラインの幅を前記隣接する画素電極間の
間隔と等しいかそれよりも小さくし、前記データ信号ラ
イン上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜を形成
すると共に、前記補助容量ラインを前記データ信号ライ
ン下に絶縁膜を介して形成し、且つ、前記補助容量ライ
ンの延出部の幅を前記データ信号ラインよりも幅広く形
成したことを特徴とするものである。請求項２に記載の
発明は、請求項１に記載の発明において、前記補助容量
ラインの延出部は両側部において前記隣接する画素電極
の側辺部に重合していることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発
明において、前記各画素電極は、寄生容量Ｃｄｓと１個
の画素電極の全蓄積容量との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄ
ｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｓ）｝（ここで、Ｃｄｓは画素
電極とデータ信号ラインとの間の寄生容量、Ｃｌｃは画
素電極と対向電極間の液晶の容量、Ｃｓは画素電極と補
助容量ライン間の蓄積容量、Ｃｇｓは画素電極と走査信
号ラインとの間の寄生容量）が０．０４５以下であるこ
とを特徴とするものである。そして、請求項１に記載の
発明によれば、データ信号ラインの幅を隣接する画素電
極間の間隔と等しいかそれよりも小さくしているので、
画素電極とデータ信号ラインとの間の寄生容量Ｃｄｓを
小さくすることができる。この場合、補助容量ラインの
延出部の幅をデータ信号ラインよりも幅広く形成してい
るのは、当該延出部に遮光膜としての機能を持たせ、こ
れにより開口率を高くするためである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にお
けるアクティブマトリクス型液晶表示装置の要部の透過
平面図を示し、図２はそのＸ−Ｘ線に沿う断面図を示し
たものである。なお、これらの図において、説明の都合
上、図３および図４に示す従来のものと同一名称部分に
は同一の符号を付して説明することとする。
けるアクティブマトリクス型液晶表示装置の要部の透過
平面図を示し、図２はそのＸ−Ｘ線に沿う断面図を示し
たものである。なお、これらの図において、説明の都合
上、図３および図４に示す従来のものと同一名称部分に
は同一の符号を付して説明することとする。
【００１１】図１に示すように、この液晶表示装置はガ
ラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面側には走
査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に
設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４およ
び画素電極５が設けられ、画素電極５の上辺部下には補
助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられて
いる。
ラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面側には走
査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に
設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４およ
び画素電極５が設けられ、画素電極５の上辺部下には補
助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられて
いる。
【００１２】画素電極５はデルタ配列されている。すな
わち、１つの画素を構成するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３つの画素電極５は二等辺三角形の各頂点に対
応する位置に配置されている。このため、走査信号ライ
ン２は上下の画素電極５間において行方向に直線状に延
びて設けられ、データ信号ライン３は左右の画素電極５
間および上下の画素電極５間において列方向に蛇行して
設けられている。
わち、１つの画素を構成するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３つの画素電極５は二等辺三角形の各頂点に対
応する位置に配置されている。このため、走査信号ライ
ン２は上下の画素電極５間において行方向に直線状に延
びて設けられ、データ信号ライン３は左右の画素電極５
間および上下の画素電極５間において列方向に蛇行して
設けられている。
【００１３】補助容量ライン６のデータ信号ライン３と
交差する部分からは延出部６ａが列方向に延びるデータ
信号ライン３の配列方向に延出されている。延出部６ａ
の幅はデータ信号ライン３の幅よりも大きくなってい
る。そして、画素電極５の左右辺部は延出部６ａと重ね
合わされているが、データ信号ライン３とは重ね合わさ
れていない。
交差する部分からは延出部６ａが列方向に延びるデータ
信号ライン３の配列方向に延出されている。延出部６ａ
の幅はデータ信号ライン３の幅よりも大きくなってい
る。そして、画素電極５の左右辺部は延出部６ａと重ね
合わされているが、データ信号ライン３とは重ね合わさ
れていない。
【００１４】次に、この液晶表示装置の具体的な構造に
ついて、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である図２を参照
して説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはゲ
ート電極１１を含む走査信号ライン２が設けられ、他の
所定の箇所には延出部６ａを含む補助容量ライン６が設
けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるゲート
絶縁膜１２が設けられている。ゲート電極１１上におけ
るゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には真性アモル
ファスシリコンからなる半導体薄膜１３が設けられてい
る。半導体薄膜１３の上面の所定の箇所には窒化シリコ
ンからなるチャネル保護膜１４が設けられている。チャ
ネル保護膜１４の上面両側およびその両側における半導
体薄膜１３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからな
るオーミックコンタクト層１５、１６が設けられてい
る。
ついて、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である図２を参照
して説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはゲ
ート電極１１を含む走査信号ライン２が設けられ、他の
所定の箇所には延出部６ａを含む補助容量ライン６が設
けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるゲート
絶縁膜１２が設けられている。ゲート電極１１上におけ
るゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には真性アモル
ファスシリコンからなる半導体薄膜１３が設けられてい
る。半導体薄膜１３の上面の所定の箇所には窒化シリコ
ンからなるチャネル保護膜１４が設けられている。チャ
ネル保護膜１４の上面両側およびその両側における半導
体薄膜１３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからな
るオーミックコンタクト層１５、１６が設けられてい
る。
【００１５】一方のオーミックコンタクト層１５の上面
およびゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはドレイ
ン電極１７を含むデータ信号ライン３が設けられてい
る。この場合、データ信号ライン３は、真性アモルファ
スシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ、
金属膜３ｃの３層構造となっている。真性アモルファス
シリコン膜３ａは、半導体薄膜１３を形成する際、半導
体薄膜１３と同一の膜によって同時に形成されている。
ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂは、オーミックコンタ
クト層１５、１６を形成する際、オーミックコンタクト
層１５、１６と同一の膜によって同時に形成されてい
る。金属膜３ｃは、ドレイン電極１７をクロムなどの金
属によって形成する際、ドレイン電極１７と同一の膜に
よって同時に形成されている。
およびゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはドレイ
ン電極１７を含むデータ信号ライン３が設けられてい
る。この場合、データ信号ライン３は、真性アモルファ
スシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ、
金属膜３ｃの３層構造となっている。真性アモルファス
シリコン膜３ａは、半導体薄膜１３を形成する際、半導
体薄膜１３と同一の膜によって同時に形成されている。
ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂは、オーミックコンタ
クト層１５、１６を形成する際、オーミックコンタクト
層１５、１６と同一の膜によって同時に形成されてい
る。金属膜３ｃは、ドレイン電極１７をクロムなどの金
属によって形成する際、ドレイン電極１７と同一の膜に
よって同時に形成されている。
【００１６】他方のオーミックコンタクト層１６の上面
にはクロムなどからなるソース電極１８が設けられてい
る。ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導
体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタク
ト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１
８により、薄膜トランジスタ３が構成されている。薄膜
トランジスタ３などを含むゲート絶縁膜１２の上面全体
には樹脂からなる平坦化膜（層間絶縁膜）１９が設けら
れている。平坦化膜１９の上面の所定の箇所にはＩＴＯ
からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、
平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介し
てソース電極１８に接続されている。
にはクロムなどからなるソース電極１８が設けられてい
る。ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導
体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタク
ト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１
８により、薄膜トランジスタ３が構成されている。薄膜
トランジスタ３などを含むゲート絶縁膜１２の上面全体
には樹脂からなる平坦化膜（層間絶縁膜）１９が設けら
れている。平坦化膜１９の上面の所定の箇所にはＩＴＯ
からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、
平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介し
てソース電極１８に接続されている。
【００１７】以上のように、この液晶表示装置では、補
助容量ライン６のデータ信号ライン３と交差する部分か
らデータ信号ライン３よりも幅広の延出部６ａをデータ
信号ライン３の配列方向に延出させ、画素電極５の左右
辺部をデータ信号ライン３と重合させず延出部６ａと重
合させているので、画素電極５とデータ信号ライン３と
の間の寄生容量Ｃｄｓを小さくすることができる。した
がって、高精細画素などのために１個の画素電極５の面
積を小さくし、それに対応する液晶容量Ｃｌｃが小さく
なっても、寄生容量Ｃｄｓと１個の画素電極５の全容量
との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇ
ｓ）｝をある値（例えば０．０４５）以下とすることが
でき、垂直クロストークが視認されないようにすること
ができる。
助容量ライン６のデータ信号ライン３と交差する部分か
らデータ信号ライン３よりも幅広の延出部６ａをデータ
信号ライン３の配列方向に延出させ、画素電極５の左右
辺部をデータ信号ライン３と重合させず延出部６ａと重
合させているので、画素電極５とデータ信号ライン３と
の間の寄生容量Ｃｄｓを小さくすることができる。した
がって、高精細画素などのために１個の画素電極５の面
積を小さくし、それに対応する液晶容量Ｃｌｃが小さく
なっても、寄生容量Ｃｄｓと１個の画素電極５の全容量
との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇ
ｓ）｝をある値（例えば０．０４５）以下とすることが
でき、垂直クロストークが視認されないようにすること
ができる。
【００１８】ここで、実験結果について説明する。ま
ず、スピンコート法などにより形成する樹脂からなる平
坦化膜１９の膜厚を３μｍとし、平坦化膜１９の誘電率
を３．０とし、図１に示す実施形態において、画素電極
５の左右辺部とデータ信号ライン３との間隔を０〜１μ
ｍ程度としたところ、寄生容量Ｃｄｓは０．０２〜０．
０３ｆＦ／μｍ程度であり、これに対し、図３に示す従
来例において、画素電極５の左右辺部とデータ信号ライ
ン３との重合部の幅を１〜２μｍ程度としたところ、寄
生容量Ｃｄｓは０．１ｆＦ／μｍ程度であった。したが
って、本実施形態の場合の寄生容量Ｃｄｓは従来例の場
合の寄生容量Ｃｄｓの１／４〜１／５程度に低減するこ
とができる。また、１．８型（インチ）１２万画素の液
晶表示装置において、上記比βは、従来例の場合０．０
７０とある値（０．０４５）よりも大きくなったが、本
実施形態の場合０．０２０とある値（０．０４５）より
も小さくすることができた。
ず、スピンコート法などにより形成する樹脂からなる平
坦化膜１９の膜厚を３μｍとし、平坦化膜１９の誘電率
を３．０とし、図１に示す実施形態において、画素電極
５の左右辺部とデータ信号ライン３との間隔を０〜１μ
ｍ程度としたところ、寄生容量Ｃｄｓは０．０２〜０．
０３ｆＦ／μｍ程度であり、これに対し、図３に示す従
来例において、画素電極５の左右辺部とデータ信号ライ
ン３との重合部の幅を１〜２μｍ程度としたところ、寄
生容量Ｃｄｓは０．１ｆＦ／μｍ程度であった。したが
って、本実施形態の場合の寄生容量Ｃｄｓは従来例の場
合の寄生容量Ｃｄｓの１／４〜１／５程度に低減するこ
とができる。また、１．８型（インチ）１２万画素の液
晶表示装置において、上記比βは、従来例の場合０．０
７０とある値（０．０４５）よりも大きくなったが、本
実施形態の場合０．０２０とある値（０．０４５）より
も小さくすることができた。
【００１９】また、この液晶表示装置では、画素電極５
の左右辺部を補助容量ライン６からの延出部６ａと重合
させているので、当該延出部６ａに遮光膜としての機能
を持たせることにより、開口率を高くすることができ
る。ちなみに、画素電極５の左右辺部と延出部６ａとの
重合部の幅、画素電極５とデータ信号ライン３との間隔
およびデータ信号ライン３の最小幅を考慮しても、延出
部６ａの最小幅を８〜９μｍ程度とすることができ、図
３に示す従来例の場合（データ信号ライン３の最小幅は
８μｍ）とほぼ同等の開口率を得ることができる。
の左右辺部を補助容量ライン６からの延出部６ａと重合
させているので、当該延出部６ａに遮光膜としての機能
を持たせることにより、開口率を高くすることができ
る。ちなみに、画素電極５の左右辺部と延出部６ａとの
重合部の幅、画素電極５とデータ信号ライン３との間隔
およびデータ信号ライン３の最小幅を考慮しても、延出
部６ａの最小幅を８〜９μｍ程度とすることができ、図
３に示す従来例の場合（データ信号ライン３の最小幅は
８μｍ）とほぼ同等の開口率を得ることができる。
【００２０】ところで、樹脂からなる平坦化膜１９の膜
厚が数μｍ程度と比較的厚いと、画素電極５と延出部６
ａとの間に平坦化膜１９のほかにゲート絶縁膜１２も設
けているので、画素電極５と延出部６ａとを重ね合わせ
ても、補助容量Ｃｓの増加は殆ど望めない。このような
ことから、従来の平坦化膜１９を備えた液晶表示装置で
は、上述したように、延出部６ａを設けず、データ信号
ライン３に遮光膜としての機能を持たせていた。しか
し、補助容量Ｃｓの増加が殆ど望めないとはいっても、
０ではないので、本実施形態のようにすると、補助容量
Ｃｓをやや増加することができる。
厚が数μｍ程度と比較的厚いと、画素電極５と延出部６
ａとの間に平坦化膜１９のほかにゲート絶縁膜１２も設
けているので、画素電極５と延出部６ａとを重ね合わせ
ても、補助容量Ｃｓの増加は殆ど望めない。このような
ことから、従来の平坦化膜１９を備えた液晶表示装置で
は、上述したように、延出部６ａを設けず、データ信号
ライン３に遮光膜としての機能を持たせていた。しか
し、補助容量Ｃｓの増加が殆ど望めないとはいっても、
０ではないので、本実施形態のようにすると、補助容量
Ｃｓをやや増加することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、データ信号ラインの幅を隣接する画素電極間の間隔
と等しいかそれよりも小さくしているので、画素電極と
データ信号ラインとの間の寄生容量Ｃｄｓを小さくする
ことができ、また補助容量ラインの延出部の幅をデータ
信号ラインよりも幅広く形成しているので、当該延出部
に遮光膜としての機能を持たせることにより、開口率を
高くすることができる。
ば、データ信号ラインの幅を隣接する画素電極間の間隔
と等しいかそれよりも小さくしているので、画素電極と
データ信号ラインとの間の寄生容量Ｃｄｓを小さくする
ことができ、また補助容量ラインの延出部の幅をデータ
信号ラインよりも幅広く形成しているので、当該延出部
に遮光膜としての機能を持たせることにより、開口率を
高くすることができる。
【図１】この発明の一実施形態におけるアクティブマト
リクス型液晶表示装置の要部の透過平面図。
リクス型液晶表示装置の要部の透過平面図。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
一例の一部の透過平面図。
一例の一部の透過平面図。
【図４】図３のＹ−Ｙ線に沿う断面図。
１ ガラス基板 ２ 走査信号ライン ３ データ信号ライン ４ 薄膜トランジスタ ５ 画素電極 ６ 補助容量電極 ６ａ 延出部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB58 JB63 JB69 KA05 KA07 KB25 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA37 MA41 NA07 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 ED15 5F110 AA02 BB01 CC07 DD02 EE37 FF03 GG02 GG15 GG35 HK04 HK09 HK16 HK21 HL07 HM19 NN02 NN12 NN24 NN27 NN72 NN73
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の走査信号ラインと一対のデータ信
号ライン間に画素電極および該画素電極に接続されたス
イッチング素子がマトリクス状に配列され、前記走査信
号ラインと平行に形成され且つ前記データ信号ラインと
平行な延出部を有する補助容量ラインが隣接する画素電
極間に形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置
において、前記データ信号ラインの幅を前記隣接する画
素電極間の間隔と等しいかそれよりも小さくし、前記デ
ータ信号ライン上に前記スイッチング素子を覆う層間絶
縁膜を形成すると共に、前記補助容量ラインを前記デー
タ信号ライン下に絶縁膜を介して形成し、且つ、前記補
助容量ラインの延出部の幅を前記データ信号ラインより
も幅広く形成したことを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記補
助容量ラインの延出部は両側部において前記隣接する画
素電極の側辺部に重合していることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の発明におい
て、前記各画素電極は、寄生容量Ｃｄｓと１個の画素電
極の全蓄積容量との比β｛β＝Ｃｄｓ／（Ｃｄｓ＋Ｃｌ
ｃ＋Ｃｓ＋Ｃｇｓ）｝（ここで、Ｃｄｓは画素電極とデ
ータ信号ラインとの間の寄生容量、Ｃｌｃは画素電極と
対向電極間の液晶の容量、Ｃｓは画素電極と補助容量ラ
イン間の蓄積容量、Ｃｇｓは画素電極と走査信号ライン
との間の寄生容量）が０．０４５以下であることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000347711A JP2002151699A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR1020010068708A KR20020037680A (ko) | 2000-11-15 | 2001-11-06 | 액티브매트릭스형 액정표시장치 |
| TW090127731A TW591315B (en) | 2000-11-15 | 2001-11-08 | Liquid crystal display apparatus |
| US10/006,628 US6674499B2 (en) | 2000-11-15 | 2001-11-08 | Active matrix liquid crystal display apparatus |
| CN01136169A CN1363854A (zh) | 2000-11-15 | 2001-11-15 | 有源矩阵型液晶显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000347711A JP2002151699A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151699A true JP2002151699A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=18821397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000347711A Pending JP2002151699A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6674499B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002151699A (ja) |
| KR (1) | KR20020037680A (ja) |
| CN (1) | CN1363854A (ja) |
| TW (1) | TW591315B (ja) |
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| KR100770472B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2007-10-26 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법 |
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| JP4276965B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
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| KR20060082105A (ko) * | 2005-01-11 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
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| KR100882245B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2009-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 이를 구비한 티엔 모드액정표시장치 |
| TWI361329B (en) | 2007-04-10 | 2012-04-01 | Au Optronics Corp | Array substrate and method for manufacturing the same |
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-
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- 2001-11-06 KR KR1020010068708A patent/KR20020037680A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-08 US US10/006,628 patent/US6674499B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-08 TW TW090127731A patent/TW591315B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-15 CN CN01136169A patent/CN1363854A/zh active Pending
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