JP3164489B2 - 液晶表示パネル - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
基板を用いた液晶表示パネルに関し、特にアクティブマ
トリクス基板の構造に関する。
基板を用いた液晶表示パネルに関し、特にアクティブマ
トリクス基板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示パネルは、コンピュータ
用ディスプレイを中心にプロジェクタなどのＡＶ（オー
ディオビジュアル）からゲーム機などのアミューズメン
トの分野にいたるまで幅広く利用されている。今後、多
彩なメディアに対応するため液晶表示パネルの高精細化
が望まれている。
用ディスプレイを中心にプロジェクタなどのＡＶ（オー
ディオビジュアル）からゲーム機などのアミューズメン
トの分野にいたるまで幅広く利用されている。今後、多
彩なメディアに対応するため液晶表示パネルの高精細化
が望まれている。
【０００３】図５は従来の液晶表示パネルに用いられて
いるアクティブマトリクス基板の構造を説明するための
平面図であり、前記基板の、液晶を駆動する１絵素の部
分を示している。また図７は１絵素の回路構成を示す回
路模式図である。
いるアクティブマトリクス基板の構造を説明するための
平面図であり、前記基板の、液晶を駆動する１絵素の部
分を示している。また図７は１絵素の回路構成を示す回
路模式図である。
【０００４】図５において、２０１はアクティブマトリ
クス基板で、その基板本体である石英基板１上には、液
晶を駆動する複数の液晶駆動電極（以下、絵素電極と称
す。）５４が碁盤目状に配置されている。前記石英基板
１上には、該絵素電極５４にデータを供給するデータ信
号線１１ａおよび隣接絵素電極にデータを供給するデー
タ信号線１１ｂが設けられており、このデータの供給
は、薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴと略記する。）を
用いたスイッチング素子１３により制御されるようにな
っている。また前記石英基板１には、前記データ信号線
１１ａ，１１ｂと直交する複数の走査信号線１２が設け
られており、該走査信号線１２の一部が前記スイッチン
グ素子１３のゲートとなっている。該スイッチング素子
１３のソース１３ａはコンタクトホール３ａを介してデ
ータ信号線１１ａに接続され、そのドレイン１３ｂはコ
ンタクトホール３ｂを介して絵素電極５４に接続されて
いる。
クス基板で、その基板本体である石英基板１上には、液
晶を駆動する複数の液晶駆動電極（以下、絵素電極と称
す。）５４が碁盤目状に配置されている。前記石英基板
１上には、該絵素電極５４にデータを供給するデータ信
号線１１ａおよび隣接絵素電極にデータを供給するデー
タ信号線１１ｂが設けられており、このデータの供給
は、薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴと略記する。）を
用いたスイッチング素子１３により制御されるようにな
っている。また前記石英基板１には、前記データ信号線
１１ａ，１１ｂと直交する複数の走査信号線１２が設け
られており、該走査信号線１２の一部が前記スイッチン
グ素子１３のゲートとなっている。該スイッチング素子
１３のソース１３ａはコンタクトホール３ａを介してデ
ータ信号線１１ａに接続され、そのドレイン１３ｂはコ
ンタクトホール３ｂを介して絵素電極５４に接続されて
いる。
【０００５】また、２３は蓄積付加容量（ＣS）で、こ
の蓄積付加容量（ＣS）と、前記絵素電極５４と対向基
板電極（図示せず）の間の液晶容量（ＣLC）との和が絵
素容量（ＣP）３４となる。また前記絵素電極５４とデ
ータ信号線１１ａとの間には結合容量（ＣSD1）３５が
形成されており、前記絵素電極５４と隣接する絵素電極
に対応するデータ信号線１１ｂとの間には結合容量（Ｃ
SD2）３６が形成されている。
の蓄積付加容量（ＣS）と、前記絵素電極５４と対向基
板電極（図示せず）の間の液晶容量（ＣLC）との和が絵
素容量（ＣP）３４となる。また前記絵素電極５４とデ
ータ信号線１１ａとの間には結合容量（ＣSD1）３５が
形成されており、前記絵素電極５４と隣接する絵素電極
に対応するデータ信号線１１ｂとの間には結合容量（Ｃ
SD2）３６が形成されている。
【０００６】ここで、前記薄膜トランジスタ１３のソー
ス，ドレイン及びチャネルは、前記石英基板１上に形成
された半導体層１１３の一部からなり、前記走査信号線
１２及び蓄積付加容量２３の一方の共通電極１２３は、
該半導体層１１３上に層間絶縁膜を介して形成された、
例えばリンをドープしたポリシリコン層からなる。そし
て、上記半導体層１１３の、該電極１２３と対向する部
分１３ｃが、蓄積付加容量の他方の電極となっている。
さらにデータ信号線１１ａ，１１ｂは、該共通電極層上
に層間絶縁膜を介して形成されたアルミ層から構成さ
れ、前記絵素電極５４は、該アルミ層上に層間絶縁膜を
介して形成されたインジウム酸化錫膜（以下ＩＴＯ膜と
も言う。）から構成されている。
ス，ドレイン及びチャネルは、前記石英基板１上に形成
された半導体層１１３の一部からなり、前記走査信号線
１２及び蓄積付加容量２３の一方の共通電極１２３は、
該半導体層１１３上に層間絶縁膜を介して形成された、
例えばリンをドープしたポリシリコン層からなる。そし
て、上記半導体層１１３の、該電極１２３と対向する部
分１３ｃが、蓄積付加容量の他方の電極となっている。
さらにデータ信号線１１ａ，１１ｂは、該共通電極層上
に層間絶縁膜を介して形成されたアルミ層から構成さ
れ、前記絵素電極５４は、該アルミ層上に層間絶縁膜を
介して形成されたインジウム酸化錫膜（以下ＩＴＯ膜と
も言う。）から構成されている。
【０００７】次に動作について説明する。
【０００８】前記ＴＦＴ１３が、走査信号線１２から供
給される走査信号によって選択され、導通状態になる
と、データ信号線１１ａから供給されるデータ信号がＴ
ＦＴ１３を通じて絵素容量３４に書き込まれる。このよ
うにして各走査信号線１２毎に絵素容量３４への書き込
みが行われて、１フィールドあるいは１フレームの画面
が完成される。
給される走査信号によって選択され、導通状態になる
と、データ信号線１１ａから供給されるデータ信号がＴ
ＦＴ１３を通じて絵素容量３４に書き込まれる。このよ
うにして各走査信号線１２毎に絵素容量３４への書き込
みが行われて、１フィールドあるいは１フレームの画面
が完成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図５に示す
従来のアクティブマトリクス基板２０１では、絵素電極
５４上の液晶にかかる電界の方向が、データ信号線１１
ａ，１１ｂ及び走査信号線１２からの異なる電位の影響
を受けて乱れ、その結果、液晶の配向が乱れてディスク
リネーションが発生したり、ノーマリホワイト表示では
光洩れが生じてコントラストが低下したりするという問
題があり、これに対しては、液晶の配向が乱れる部分
を、対向基板に形成されるブラックマトリクスで隠して
表示品位の劣化を防止するという対策を講じていた。
従来のアクティブマトリクス基板２０１では、絵素電極
５４上の液晶にかかる電界の方向が、データ信号線１１
ａ，１１ｂ及び走査信号線１２からの異なる電位の影響
を受けて乱れ、その結果、液晶の配向が乱れてディスク
リネーションが発生したり、ノーマリホワイト表示では
光洩れが生じてコントラストが低下したりするという問
題があり、これに対しては、液晶の配向が乱れる部分
を、対向基板に形成されるブラックマトリクスで隠して
表示品位の劣化を防止するという対策を講じていた。
【００１０】さらに、特公平４−７４７１４号公報、特
開昭６３−３０１９２４号公報、特開昭５８−１７２６
８５号公報には、前記アクティブマトリクス基板２０１
における問題の対策として、例えば、図６に示すように
絵素電極６４の一部をデータ信号線１１ａに層間絶縁膜
を挟んで重ねることにより電界の乱れを低減することが
提案されている。この場合、絵素電極の周辺部の、層間
絶縁膜を介してデータ信号線と重なっている部分では、
絵素電極上でのデータ信号線の電位による電界の方向が
絵素電極と垂直な方向となり、これによって、各絵素電
極上の液晶の配向乱れが抑制される。
開昭６３−３０１９２４号公報、特開昭５８−１７２６
８５号公報には、前記アクティブマトリクス基板２０１
における問題の対策として、例えば、図６に示すように
絵素電極６４の一部をデータ信号線１１ａに層間絶縁膜
を挟んで重ねることにより電界の乱れを低減することが
提案されている。この場合、絵素電極の周辺部の、層間
絶縁膜を介してデータ信号線と重なっている部分では、
絵素電極上でのデータ信号線の電位による電界の方向が
絵素電極と垂直な方向となり、これによって、各絵素電
極上の液晶の配向乱れが抑制される。
【００１１】また、従来のアクティブマトリクス基板２
０１においてはクロストークの問題もあった。つまり、
ＴＦＴ１３が非導通状態となって、絵素容量３４に書き
込まれたデータ信号が保持されている状態では、絵素電
位が前記結合容量３５，３６を介してデータ信号の影響
を受けることから、通常行われるデータ信号の極性をフ
ィールド毎或はフレーム毎に反転する駆動法では、前記
結合容量３５，３６が絵素容量３４に比べ無視できない
大きさである場合、縦方向にクロストークが発生するこ
ととなる。このクロストークの問題の対策として、デー
タ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給して
液晶を駆動する方法（特開平５−４３１１８号公報参
照）が知られている。つまりこの駆動方法では、隣接す
るデータ信号線に印加されるデータ信号の極性が異なる
ため、データ信号による絵素電位の変動がキャンセルさ
れることとなる。
０１においてはクロストークの問題もあった。つまり、
ＴＦＴ１３が非導通状態となって、絵素容量３４に書き
込まれたデータ信号が保持されている状態では、絵素電
位が前記結合容量３５，３６を介してデータ信号の影響
を受けることから、通常行われるデータ信号の極性をフ
ィールド毎或はフレーム毎に反転する駆動法では、前記
結合容量３５，３６が絵素容量３４に比べ無視できない
大きさである場合、縦方向にクロストークが発生するこ
ととなる。このクロストークの問題の対策として、デー
タ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給して
液晶を駆動する方法（特開平５−４３１１８号公報参
照）が知られている。つまりこの駆動方法では、隣接す
るデータ信号線に印加されるデータ信号の極性が異なる
ため、データ信号による絵素電位の変動がキャンセルさ
れることとなる。
【００１２】しかしながら、図６に示す構造のアクティ
ブマトリクス基板２０２では、絵素電極６４とこれに対
応するデータ信号線１１ａとの間の結合容量ＣSD1が、
該絵素電極６４とその隣の列の絵素電極に対応するデー
タ信号線１１ｂとの間の結合容量ＣSD2より大きくなっ
てしまい、逆極性の信号が供給される、隣接するデータ
信号線から絵素電極に及ぶ影響を十分に相殺できないの
で、前記駆動法を用いても十分にクロストークをなくす
ことができない。したがって、従来のアクティブマトリ
クス基板において、高精細化を進めるにあたり液晶の配
向乱れとクロストークの発生をともに防止することはで
きなかった。
ブマトリクス基板２０２では、絵素電極６４とこれに対
応するデータ信号線１１ａとの間の結合容量ＣSD1が、
該絵素電極６４とその隣の列の絵素電極に対応するデー
タ信号線１１ｂとの間の結合容量ＣSD2より大きくなっ
てしまい、逆極性の信号が供給される、隣接するデータ
信号線から絵素電極に及ぶ影響を十分に相殺できないの
で、前記駆動法を用いても十分にクロストークをなくす
ことができない。したがって、従来のアクティブマトリ
クス基板において、高精細化を進めるにあたり液晶の配
向乱れとクロストークの発生をともに防止することはで
きなかった。
【００１３】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、液晶配向の乱れとクロストークの
発生をともに防止することができる液晶表示パネルを提
供することが本発明の目的である。
めになされたもので、液晶配向の乱れとクロストークの
発生をともに防止することができる液晶表示パネルを提
供することが本発明の目的である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る液晶表示
パネルは、基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に
配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液
晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動
電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液
晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動
電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、
該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイ
ッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線
と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加
された蓄積付加容量とを備えたアクティブマトリクス基
板を含んでいる。
パネルは、基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に
配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液
晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動
電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液
晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動
電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、
該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイ
ッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線
と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加
された蓄積付加容量とを備えたアクティブマトリクス基
板を含んでいる。
【００１５】該アクティブマトリクス基板では、該各列
の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜
を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対
応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と
を有し、該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっ
ている。
の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜
を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対
応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と
を有し、該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっ
ている。
【００１６】そしてこの液晶表示パネルでは、データ信
号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して
液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎
に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより上
記目的が達成される。
号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して
液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎
に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより上
記目的が達成される。
【００１７】この発明に係る液晶表示パネルは、基板本
体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を
駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極と接続
された導体膜と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、
対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデ
ータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該デー
タ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御する
スイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けら
れ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御
する複数の走査信号線とを備えたアクティブマトリクス
基板を含んでいる。
体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を
駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極と接続
された導体膜と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、
対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデ
ータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該デー
タ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御する
スイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けら
れ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御
する複数の走査信号線とを備えたアクティブマトリクス
基板を含んでいる。
【００１８】該アクティブマトリクス基板では、該各列
の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層
間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に
接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデー
タ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有
し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結
合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量
と等しくなっている。
の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層
間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に
接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデー
タ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有
し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結
合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量
と等しくなっている。
【００１９】そして、この液晶表示パネルでは、データ
信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転し
て液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン
毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより
上記目的が達成される。
信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転し
て液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン
毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより
上記目的が達成される。
【００２０】この発明は、上記液晶表示パネルにおい
て、前記データ信号線を、これと前記液晶駆動電極ある
いは導体膜との重なりによる結合容量を調整するための
容量調整部を有する構造としたものである。
て、前記データ信号線を、これと前記液晶駆動電極ある
いは導体膜との重なりによる結合容量を調整するための
容量調整部を有する構造としたものである。
【００２１】この発明は、上記液晶表示パネルにおい
て、前記スイッチング素子を薄膜トランジスタから構成
し、前記導体膜を、その一部が遮光膜として該薄膜トラ
ンジスタのチャネル部を覆う構造としたものである。
て、前記スイッチング素子を薄膜トランジスタから構成
し、前記導体膜を、その一部が遮光膜として該薄膜トラ
ンジスタのチャネル部を覆う構造としたものである。
【００２２】この発明に係る液晶表示パネルは、基板本
体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を
駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列
ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを
供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごとに
設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータ
の供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極
の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素子
のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッ
チング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付
加容量とを備えたアクティブマトリクス基板を含んでい
る。
体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を
駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列
ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを
供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごとに
設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータ
の供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極
の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素子
のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッ
チング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付
加容量とを備えたアクティブマトリクス基板を含んでい
る。
【００２３】該アクティブマトリクス基板では、該各列
の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜
を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対
応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と
を有し、該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっ
ており、かつデータ信号線の下側に蓄積付加容量が形成
されている。
の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜
を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対
応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と
を有し、該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっ
ており、かつデータ信号線の下側に蓄積付加容量が形成
されている。
【００２４】そして、この液晶表示パネルでは、データ
信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転
して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライ
ン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことによ
り上記目的が達成される。
信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転
して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライ
ン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことによ
り上記目的が達成される。
【００２５】この発明に係る液晶表示パネルは、基板本
体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を
駆動する複数の駆動電極と、該液晶駆動電極と接続され
た導体膜と、該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対
応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデー
タ信号線と、該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ
信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するス
イッチング素子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けら
れ、対応する行のスイッチング素子のオン、オフを制御
する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆
動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備えたア
クティブマトリクス基板を含んでいる。
体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を
駆動する複数の駆動電極と、該液晶駆動電極と接続され
た導体膜と、該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対
応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデー
タ信号線と、該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ
信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するス
イッチング素子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けら
れ、対応する行のスイッチング素子のオン、オフを制御
する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆
動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備えたア
クティブマトリクス基板を含んでいる。
【００２６】該アクティブマトリクス基板では、該各列
の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層
間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に
接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデー
タ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有
し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結
合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量
と概ね等しくなっており、かつデータ信号線の下側に蓄
積付加容量が形成されている。
の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層
間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に
接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデー
タ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有
し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結
合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量
と概ね等しくなっており、かつデータ信号線の下側に蓄
積付加容量が形成されている。
【００２７】そして、この液晶表示パネルでは、データ
信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転
して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライ
ン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことによ
り上記目的が達成される。
信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転
して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライ
ン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことによ
り上記目的が達成される。
【００２８】
【作用】本発明においては、絵素電極が層間絶縁膜を介
してデータ信号線と重なっているため、絵素電極上の液
晶にかかる電界の方向が、絵素電極周辺の信号線からの
異なる電位の影響を受けて乱れるのを防止できる。つま
り、この場合、絵素電極の、層間絶縁膜を介して重なっ
ているデータ信号線と重なっている部分では、絵素電極
上でのデータ信号線の電位による電界の方向が絵素電極
と垂直な方向となり、これによって、各絵素電極上の液
晶の配向乱れが抑制される。
してデータ信号線と重なっているため、絵素電極上の液
晶にかかる電界の方向が、絵素電極周辺の信号線からの
異なる電位の影響を受けて乱れるのを防止できる。つま
り、この場合、絵素電極の、層間絶縁膜を介して重なっ
ているデータ信号線と重なっている部分では、絵素電極
上でのデータ信号線の電位による電界の方向が絵素電極
と垂直な方向となり、これによって、各絵素電極上の液
晶の配向乱れが抑制される。
【００２９】また、絵素電極とこれに対応するデータ信
号との結合容量が、該絵素電極とその隣の絵素電極に対
応するデータ信号線との結合容量と概ね等しいため、前
記データ信号線に、１ライン毎に逆極性のデータ信号を
供給することにより、絵素電極両側のデータ信号線に印
加されるデータ信号による絵素電位の変動がキャンセル
されることとなり、これによりデータ信号線と絵素電極
との間の結合容量に起因するクロストークをなくすこと
ができる。
号との結合容量が、該絵素電極とその隣の絵素電極に対
応するデータ信号線との結合容量と概ね等しいため、前
記データ信号線に、１ライン毎に逆極性のデータ信号を
供給することにより、絵素電極両側のデータ信号線に印
加されるデータ信号による絵素電位の変動がキャンセル
されることとなり、これによりデータ信号線と絵素電極
との間の結合容量に起因するクロストークをなくすこと
ができる。
【００３０】したがって、液晶の配向の乱れを防ぐこと
ができかつクロストークのない、微細絵素からなる液晶
表示を実現できる。
ができかつクロストークのない、微細絵素からなる液晶
表示を実現できる。
【００３１】この発明においては、マトリクス状配置の
各列の液晶駆動電極を、その両側のデータ信号線の一方
と層間絶縁膜を介して重なる部分を有する構造とすると
ともに、該液晶駆動電極の下側にこれと電気的に接続さ
れた導体膜を設け、該導体膜を、該液晶駆動電極の両側
にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる
部分を有する構造としているので、データ信号線の一方
側の絵素では、液晶駆動電極とデータ信号線との間で結
合容量が形成され、該データ信号線の他方側の絵素で
は、液晶駆動電極に接続されたその下側の導体膜とデー
タ信号線との間で結合容量が形成されることとなる。こ
のため、液晶配向の乱れ及びクロストークの発生をとも
に防止できるだけでなく、絵素サイズが小さくなって
も、隣接する絵素電極間に一定のスペースを確保しつ
つ、液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合
容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と
等しくなるようにすることができる。
各列の液晶駆動電極を、その両側のデータ信号線の一方
と層間絶縁膜を介して重なる部分を有する構造とすると
ともに、該液晶駆動電極の下側にこれと電気的に接続さ
れた導体膜を設け、該導体膜を、該液晶駆動電極の両側
にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる
部分を有する構造としているので、データ信号線の一方
側の絵素では、液晶駆動電極とデータ信号線との間で結
合容量が形成され、該データ信号線の他方側の絵素で
は、液晶駆動電極に接続されたその下側の導体膜とデー
タ信号線との間で結合容量が形成されることとなる。こ
のため、液晶配向の乱れ及びクロストークの発生をとも
に防止できるだけでなく、絵素サイズが小さくなって
も、隣接する絵素電極間に一定のスペースを確保しつ
つ、液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合
容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と
等しくなるようにすることができる。
【００３２】この発明においては、データ信号線の下側
に蓄積付加容量を形成しているため、該蓄積付加容量を
構成する共通電極層を例えばポリサイド層（金属層とポ
リシリコンの２層構造）や金属層で形成して遮光部材と
して用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向
乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
に蓄積付加容量を形成しているため、該蓄積付加容量を
構成する共通電極層を例えばポリサイド層（金属層とポ
リシリコンの２層構造）や金属層で形成して遮光部材と
して用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向
乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
【００３３】また、上記電極層により遮光される部分で
は、ブラックマトリクス等の遮光部材の面積を縮小す
る、もしくは該遮光部材を一部不要とすることができ、
該ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマー
ジンを削減して、開口率を向上することができる。
は、ブラックマトリクス等の遮光部材の面積を縮小す
る、もしくは該遮光部材を一部不要とすることができ、
該ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマー
ジンを削減して、開口率を向上することができる。
【００３４】具体的には、ブラックマトリクスは通常、
アクティブマトリクス基板に対向する対向基板側に形成
されるが、この場合特に上記位置合わせマージンとして
アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り合わせマ
ージンが要求され、開口率の低下は大きなものとなる。
このような場合、上記蓄積付加容量を構成する共通電極
層を遮光部材として用いることにより、上記データ信号
線の配置部分ではブラックマトリクスの面積を縮小す
る、もしくはこれを不要にすることができ、上記貼り合
わせマージンによる開口率の大きな劣化を回避すること
ができる。
アクティブマトリクス基板に対向する対向基板側に形成
されるが、この場合特に上記位置合わせマージンとして
アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り合わせマ
ージンが要求され、開口率の低下は大きなものとなる。
このような場合、上記蓄積付加容量を構成する共通電極
層を遮光部材として用いることにより、上記データ信号
線の配置部分ではブラックマトリクスの面積を縮小す
る、もしくはこれを不要にすることができ、上記貼り合
わせマージンによる開口率の大きな劣化を回避すること
ができる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００３６】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板
を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示し
ている。
の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板
を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示し
ている。
【００３７】図において、図５と同一符号は、従来のア
クティブマトリクス基板２０１と同一のものを示し、１
０１は本実施例の液晶駆動パネルを構成するアクティブ
マトリクス基板で、この基板１０１では、絵素電極１４
は、その一部が該絵素電極両側のデータ信号線１１ａ及
び１１ｂに、該絵素電極とデータ信号線が短絡しないよ
うに層間絶縁膜を挟んで重なった構造となっている。こ
こで前記絵素電極１４は、図７の結合容量ＣSD1，つま
り絵素電極とデータ信号線１１ａとの間の結合容量と、
図７の結合容量ＣSD2，つまり絵素電極とデータ信号線
１１ｂとの間の結合容量とがほぼ等しくなるよう、デー
タ信号線１１ａに重ねる面積とデータ信号線１１ｂに重
ねる面積を調整して形成されている。
クティブマトリクス基板２０１と同一のものを示し、１
０１は本実施例の液晶駆動パネルを構成するアクティブ
マトリクス基板で、この基板１０１では、絵素電極１４
は、その一部が該絵素電極両側のデータ信号線１１ａ及
び１１ｂに、該絵素電極とデータ信号線が短絡しないよ
うに層間絶縁膜を挟んで重なった構造となっている。こ
こで前記絵素電極１４は、図７の結合容量ＣSD1，つま
り絵素電極とデータ信号線１１ａとの間の結合容量と、
図７の結合容量ＣSD2，つまり絵素電極とデータ信号線
１１ｂとの間の結合容量とがほぼ等しくなるよう、デー
タ信号線１１ａに重ねる面積とデータ信号線１１ｂに重
ねる面積を調整して形成されている。
【００３８】そして本実施例の液晶表示パネルは、デー
タ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転
して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライ
ン毎に、図１ではデータ信号線１１ａとデータ信号線１
１ｂに、逆極性のデータ信号が供給されるようになって
いる。
タ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転
して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライ
ン毎に、図１ではデータ信号線１１ａとデータ信号線１
１ｂに、逆極性のデータ信号が供給されるようになって
いる。
【００３９】次に作用効果について説明する。前記構成
のアクティブマトリクス基板１０１では、絵素電極１４
がその両側のデータ信号線１１ａ，１１ｂと層間絶縁膜
を介して重なっているため、絵素電極１４の側辺部上の
液晶にかかる電界の方向がその周辺のデータ信号線の電
位の影響を受けて乱れることはない。
のアクティブマトリクス基板１０１では、絵素電極１４
がその両側のデータ信号線１１ａ，１１ｂと層間絶縁膜
を介して重なっているため、絵素電極１４の側辺部上の
液晶にかかる電界の方向がその周辺のデータ信号線の電
位の影響を受けて乱れることはない。
【００４０】また、絵素電極１４とその両側のデータ信
号線１１ａ，１１ｂとの間の結合容量３５，３６が概ね
等しいため、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合
容量を通じた絵素電位の変動を相殺できる。したがっ
て、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム
毎に反転する駆動法において、データ信号線１１ａとデ
ータ信号線１１ｂに逆極性のデータ信号を供給すること
により、縦方向のクロストークの発生もなくすことがで
きる。
号線１１ａ，１１ｂとの間の結合容量３５，３６が概ね
等しいため、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合
容量を通じた絵素電位の変動を相殺できる。したがっ
て、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム
毎に反転する駆動法において、データ信号線１１ａとデ
ータ信号線１１ｂに逆極性のデータ信号を供給すること
により、縦方向のクロストークの発生もなくすことがで
きる。
【００４１】このように本実施例では、絵素電極両側の
データ信号線からの電界の乱れによる液晶の配向の乱れ
を防ぐとともに、縦方向のクロストークの発生もなくす
ことができる。
データ信号線からの電界の乱れによる液晶の配向の乱れ
を防ぐとともに、縦方向のクロストークの発生もなくす
ことができる。
【００４２】なお、この実施例では、隣接する絵素電極
１４の、データ信号線との重なり部分は、該データ信号
線上でその幅方向に並んでいるため、絵素サイズがより
小さくなった時、それに伴い開口率を確保するためデー
タ信号線の幅も縮小すると、隣接する絵素電極１４の間
のスペースが確保できなくなってくる。
１４の、データ信号線との重なり部分は、該データ信号
線上でその幅方向に並んでいるため、絵素サイズがより
小さくなった時、それに伴い開口率を確保するためデー
タ信号線の幅も縮小すると、隣接する絵素電極１４の間
のスペースが確保できなくなってくる。
【００４３】そこでさらに微細絵素に有効な実施例を本
発明の第２〜第４の実施例として以下に示す。
発明の第２〜第４の実施例として以下に示す。
【００４４】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板
を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示し
ている。図において、１０２はこの実施例のアクティブ
マトリクス基板である。
の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板
を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示し
ている。図において、１０２はこの実施例のアクティブ
マトリクス基板である。
【００４５】この実施例では、図６に示す従来の絵素電
極６４の，データ信号線に対して平行な側辺を、図２に
示すように絵素電極の一部がデータ信号線に重なるよう
くびれさせてある。また、絵素電極２４とデータ信号線
１１ａとの結合容量ＣSD1と、絵素電極２４とデータ信
号線１１ｂとの結合容量ＣSD2が等しくなるように、絵
素電極２４がデータ信号線１１ａに重なる部分の面積
と、該絵素電極２４がデータ信号線１１ｂに重なる部分
の面積とを調整し、隣接データ信号線と絵素電極間の結
合容量をできるだけ等しくしている。さらに絵素電極２
４のくびれ部分２４ａは電界の乱れの影響を少なくする
ために、できるだけ開口部，つまりトランジスタや信号
線の配置部分を隠すブラックマトリクスの開口部から離
して配置し、開口部内には、絵素電極２４の，データ信
号線に平行な部分（本実施例の場合は直線的な形状の部
分）が位置するようにすることが望ましい。その他の構
成は、前記第１の実施例と同一である。
極６４の，データ信号線に対して平行な側辺を、図２に
示すように絵素電極の一部がデータ信号線に重なるよう
くびれさせてある。また、絵素電極２４とデータ信号線
１１ａとの結合容量ＣSD1と、絵素電極２４とデータ信
号線１１ｂとの結合容量ＣSD2が等しくなるように、絵
素電極２４がデータ信号線１１ａに重なる部分の面積
と、該絵素電極２４がデータ信号線１１ｂに重なる部分
の面積とを調整し、隣接データ信号線と絵素電極間の結
合容量をできるだけ等しくしている。さらに絵素電極２
４のくびれ部分２４ａは電界の乱れの影響を少なくする
ために、できるだけ開口部，つまりトランジスタや信号
線の配置部分を隠すブラックマトリクスの開口部から離
して配置し、開口部内には、絵素電極２４の，データ信
号線に平行な部分（本実施例の場合は直線的な形状の部
分）が位置するようにすることが望ましい。その他の構
成は、前記第１の実施例と同一である。
【００４６】このような構成の本実施例では、絵素電極
２４と隣接するデータ信号線との重なり部分を非開口部
にくびれさせて形成しているので、第１の実施例のよう
に絵素サイズがより小さくなると、隣接する絵素電極間
のスペースが確保できなくなってくるというようなこと
はなく、例えば絵素ピッチ５０μｍ以下の微細な絵素電
極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
２４と隣接するデータ信号線との重なり部分を非開口部
にくびれさせて形成しているので、第１の実施例のよう
に絵素サイズがより小さくなると、隣接する絵素電極間
のスペースが確保できなくなってくるというようなこと
はなく、例えば絵素ピッチ５０μｍ以下の微細な絵素電
極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
【００４７】（実施例３）次に本発明の第３の実施例に
ついて説明する。図３は本発明の第３の実施例の液晶表
示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明す
るための平面図で、該基板の一絵素部分を示している。
１０３はこの実施例のアクティブマトリクス基板で、こ
の基板１０３では、データ信号線３１ａ，３１ｂは、図
６に示す従来のアクティブマトリクス基板２０２におけ
る直線形状のデータ信号線１１ａ，１１ｂに、絵素電極
６４と重なる部分１１ｃを付加した構造となっている。
ここでデータ信号線の，絵素電極６４と重なる部分の面
積は、前記絵素電極６４とデータ信号線３１ａとの間の
結合容量ＣSD1と、絵素電極６４とデータ信号線３１ｂ
との間の結合容量ＣSD2とが等しくなるように調整され
ている。この容量調整のためのデータ信号線へ付加した
部分１１ｃは、本実施例では開口率低下をさけるためブ
ラックマトリクスで隠される部分の下に形成している。
その他の構成は、図６に示す従来のアクティブマトリク
ス基板２０２と同一である。
ついて説明する。図３は本発明の第３の実施例の液晶表
示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明す
るための平面図で、該基板の一絵素部分を示している。
１０３はこの実施例のアクティブマトリクス基板で、こ
の基板１０３では、データ信号線３１ａ，３１ｂは、図
６に示す従来のアクティブマトリクス基板２０２におけ
る直線形状のデータ信号線１１ａ，１１ｂに、絵素電極
６４と重なる部分１１ｃを付加した構造となっている。
ここでデータ信号線の，絵素電極６４と重なる部分の面
積は、前記絵素電極６４とデータ信号線３１ａとの間の
結合容量ＣSD1と、絵素電極６４とデータ信号線３１ｂ
との間の結合容量ＣSD2とが等しくなるように調整され
ている。この容量調整のためのデータ信号線へ付加した
部分１１ｃは、本実施例では開口率低下をさけるためブ
ラックマトリクスで隠される部分の下に形成している。
その他の構成は、図６に示す従来のアクティブマトリク
ス基板２０２と同一である。
【００４８】このような構成の第３の実施例では、デー
タ信号線を、絵素電極と重なる付加部分１１ｃを有する
構造としたので、前記第２実施例と同様、微細な絵素電
極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
タ信号線を、絵素電極と重なる付加部分１１ｃを有する
構造としたので、前記第２実施例と同様、微細な絵素電
極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
【００４９】（実施例４）次に本発明の第４の実施例に
ついて説明する。図４はこの第４の実施例の液晶表示パ
ネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するた
めの図で、図４（ａ）は該基板の一絵素部分を示す平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）のIVb−IVb線部分の断面構
造を示す図である。図において、１０４は第４の実施例
のアクティブマトリクス基板で、これは、データ信号線
１１ａ，１１ｂと同じ材料例えばＡ１等でこれと同時に
形成されたドレイン電極１９と、該ドレイン電極１９と
絵素電極６４との間に層間絶縁膜４１ｂ，４１ｃを挟ん
で形成された，例えばＴｉＷからなる金属膜１８とを有
している。前記ドレイン電極１９は、コンタクトホール
３ｃによりＴＦＴ１３のドレイン１３ｂと接続され、ま
た前記金属膜１８は、コンタクトホール３ｄによりドレ
イン電極１９と接続され、コンタクトホール３ｅにより
絵素電極６４に接続されている。
ついて説明する。図４はこの第４の実施例の液晶表示パ
ネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するた
めの図で、図４（ａ）は該基板の一絵素部分を示す平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）のIVb−IVb線部分の断面構
造を示す図である。図において、１０４は第４の実施例
のアクティブマトリクス基板で、これは、データ信号線
１１ａ，１１ｂと同じ材料例えばＡ１等でこれと同時に
形成されたドレイン電極１９と、該ドレイン電極１９と
絵素電極６４との間に層間絶縁膜４１ｂ，４１ｃを挟ん
で形成された，例えばＴｉＷからなる金属膜１８とを有
している。前記ドレイン電極１９は、コンタクトホール
３ｃによりＴＦＴ１３のドレイン１３ｂと接続され、ま
た前記金属膜１８は、コンタクトホール３ｄによりドレ
イン電極１９と接続され、コンタクトホール３ｅにより
絵素電極６４に接続されている。
【００５０】ここで、前記絵素電極６４がデータ信号線
１１ａと重なる部分の面積と、前記金属膜１８がデータ
信号線１１ｂと重なる部分の面積とは、絵素電極６４と
データ信号線１１ａとの間の結合容量ＣSD1と、絵素電
極６４とデータ信号線１１ｂとの間の結合容量ＣSD2が
等しくなるよう調整してある。また、ここでは前記金属
膜１８を、図４（ａ）に示すようにＴＦＴ１３の遮光用
としてＴＦＴ１３を覆う構造としているが、これは、Ｔ
ＦＴ１３を覆っていない構造としてもよい。
１１ａと重なる部分の面積と、前記金属膜１８がデータ
信号線１１ｂと重なる部分の面積とは、絵素電極６４と
データ信号線１１ａとの間の結合容量ＣSD1と、絵素電
極６４とデータ信号線１１ｂとの間の結合容量ＣSD2が
等しくなるよう調整してある。また、ここでは前記金属
膜１８を、図４（ａ）に示すようにＴＦＴ１３の遮光用
としてＴＦＴ１３を覆う構造としているが、これは、Ｔ
ＦＴ１３を覆っていない構造としてもよい。
【００５１】なお、４１ａはデータ信号線１１ａ，１１
ｂとその下側の走査信号線１２とを絶縁する層間絶縁
膜、４１ｂはデータ信号線１１ａ，１１ｂとその上側の
金属膜１８とを絶縁する層間絶縁膜、４１ｃは絵素電極
６４を構成するＩＴＯ膜と、その下側の金属膜１８とを
絶縁する層間絶縁膜である。
ｂとその下側の走査信号線１２とを絶縁する層間絶縁
膜、４１ｂはデータ信号線１１ａ，１１ｂとその上側の
金属膜１８とを絶縁する層間絶縁膜、４１ｃは絵素電極
６４を構成するＩＴＯ膜と、その下側の金属膜１８とを
絶縁する層間絶縁膜である。
【００５２】このような構成の第４の実施例では、絵素
電極６４の下側に、金属膜１８をその一部がデータ信号
線１１ｂと重なるよう設けるとともに、コンタクトホー
ル３ｅにより前記絵素電極６４と金属膜１８とを接続
し、前記絵素電極６４がデータ信号線１１ａと重なる部
分の面積と、前記金属膜１８がデータ信号線１１ｂと重
なる部分の面積とを調整して、絵素電極６４とその両側
のデータ信号線１１ａ，１１ｂとの間の結合容量
ＣSD1，ＣSD2が等しくなるようにしたので、前記第２実
施例と同様、微細な絵素電極に有効なアクティブマトリ
クス基板を提供できる。
電極６４の下側に、金属膜１８をその一部がデータ信号
線１１ｂと重なるよう設けるとともに、コンタクトホー
ル３ｅにより前記絵素電極６４と金属膜１８とを接続
し、前記絵素電極６４がデータ信号線１１ａと重なる部
分の面積と、前記金属膜１８がデータ信号線１１ｂと重
なる部分の面積とを調整して、絵素電極６４とその両側
のデータ信号線１１ａ，１１ｂとの間の結合容量
ＣSD1，ＣSD2が等しくなるようにしたので、前記第２実
施例と同様、微細な絵素電極に有効なアクティブマトリ
クス基板を提供できる。
【００５３】また、この実施例においては、上記第３の
実施例におけるデータ信号線の、絵素電極と重なる容量
調整用の付加部分１１ｃを、該絵素電極に接続された金
属膜１８と重なる構成とすることもできる。
実施例におけるデータ信号線の、絵素電極と重なる容量
調整用の付加部分１１ｃを、該絵素電極に接続された金
属膜１８と重なる構成とすることもできる。
【００５４】また、本実施例では、図４（ｂ）に示すよ
うに、アルミ等で形成された、例えば６００ｎｍ〜１μ
ｍの膜厚を持つデータ信号線のエッジ部分が上記金属膜
１８により覆われているため、該金属膜１８を例えば５
０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚で形成することにより、基板
１上での、ブラックマトリクスの開口部付近の段差を大
幅に減らすことが可能となり、液晶の配向乱れを防止で
き、コントラストの低下を防止できる。
うに、アルミ等で形成された、例えば６００ｎｍ〜１μ
ｍの膜厚を持つデータ信号線のエッジ部分が上記金属膜
１８により覆われているため、該金属膜１８を例えば５
０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚で形成することにより、基板
１上での、ブラックマトリクスの開口部付近の段差を大
幅に減らすことが可能となり、液晶の配向乱れを防止で
き、コントラストの低下を防止できる。
【００５５】（実施例５）図８は本発明の第５の実施例
による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス
基板を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を
示している。
による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス
基板を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を
示している。
【００５６】図において、図１と同一符号は同一のもの
を示し、１０５は本実施例のアクティブマトリクス基板
で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に、該
データ信号線の幅よりやや広い幅で蓄積付加容量２３の
一部２３ａを形成したものである。その他の構成は、第
１実施例のアクティブマトリクス基板を同一である。
を示し、１０５は本実施例のアクティブマトリクス基板
で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に、該
データ信号線の幅よりやや広い幅で蓄積付加容量２３の
一部２３ａを形成したものである。その他の構成は、第
１実施例のアクティブマトリクス基板を同一である。
【００５７】ここで、蓄積付加容量２３の一方の電極を
構成する共通電極層１２３は、データ信号線１１ａ，１
１ｂの下側にこれに沿って位置するよう延長され、上記
ＴＦＴ１３を構成する半導体層１１３は、データ信号線
１１ａ，１１ｂの下側にこれに沿って位置するよう延長
されている。そして、該共通電極層１２３の延長部分
（データ信号線下側部分）１２３ａ及び上記半導体層１
１３の延長部分（データ信号線下側部分）１１３ａは、
上記蓄積付加容量２３の、データ信号線１１ａ，１１ｂ
の下側に位置する部分２３ａの上下の電極を構成してい
る。
構成する共通電極層１２３は、データ信号線１１ａ，１
１ｂの下側にこれに沿って位置するよう延長され、上記
ＴＦＴ１３を構成する半導体層１１３は、データ信号線
１１ａ，１１ｂの下側にこれに沿って位置するよう延長
されている。そして、該共通電極層１２３の延長部分
（データ信号線下側部分）１２３ａ及び上記半導体層１
１３の延長部分（データ信号線下側部分）１１３ａは、
上記蓄積付加容量２３の、データ信号線１１ａ，１１ｂ
の下側に位置する部分２３ａの上下の電極を構成してい
る。
【００５８】この実施例では、データ信号線１１ａ，１
１ｂの下側に蓄積付加容量２３の一部２３ａを形成して
いるため、該蓄積付加容量の一部を構成する電極，つま
り該共通電極層１２３の延長部分１２３ａを遮光部材と
して用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向
乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
１ｂの下側に蓄積付加容量２３の一部２３ａを形成して
いるため、該蓄積付加容量の一部を構成する電極，つま
り該共通電極層１２３の延長部分１２３ａを遮光部材と
して用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向
乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
【００５９】また、上記蓄積付加容量の一部を構成する
電極により遮光される部分では、対向基板に形成される
ブラックマトリクス等の遮光部材の面積が縮小され、あ
るいは該遮光部材が不要となり、該ブラックマトリクス
等の絵素に対する位置合わせマージンを削減して、開口
率を向上することができる。但しこの場合、データ信号
線１１ａ，１１ｂのみを遮光膜として用いた場合に比べ
ると、上記共通電極層１２３の延長部分１２３ａが、デ
ータ信号線よりはみ出しているため、開口率はその分小
さくなっているが、データ信号線のエッジ部分の段差に
よる液晶配向の乱れや、絵素電極側辺部の、データ信号
線のエッジ部分に近接する部分での液晶配向の乱れを上
記蓄積付加容量の電極によりマスクすることができ、液
晶配向の乱れによるコントラストの低下を抑制できる。
電極により遮光される部分では、対向基板に形成される
ブラックマトリクス等の遮光部材の面積が縮小され、あ
るいは該遮光部材が不要となり、該ブラックマトリクス
等の絵素に対する位置合わせマージンを削減して、開口
率を向上することができる。但しこの場合、データ信号
線１１ａ，１１ｂのみを遮光膜として用いた場合に比べ
ると、上記共通電極層１２３の延長部分１２３ａが、デ
ータ信号線よりはみ出しているため、開口率はその分小
さくなっているが、データ信号線のエッジ部分の段差に
よる液晶配向の乱れや、絵素電極側辺部の、データ信号
線のエッジ部分に近接する部分での液晶配向の乱れを上
記蓄積付加容量の電極によりマスクすることができ、液
晶配向の乱れによるコントラストの低下を抑制できる。
【００６０】従って、上記蓄積付加容量の、データ信号
線の下側に形成した部分を構成する電極を遮光部材とし
て用いることにより、開口率の大きな劣化を回避しつ
つ、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコン
トラスト低下を低減できる。
線の下側に形成した部分を構成する電極を遮光部材とし
て用いることにより、開口率の大きな劣化を回避しつ
つ、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコン
トラスト低下を低減できる。
【００６１】（実施例６）図９は、本発明の第６の実施
例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリク
ス基板を説明するための図であり、図９（ａ）は該基板
の一絵素部分を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の
IXb−IXb線部分の断面構造を示す図である。
例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリク
ス基板を説明するための図であり、図９（ａ）は該基板
の一絵素部分を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の
IXb−IXb線部分の断面構造を示す図である。
【００６２】図において、図４と同一符号は同一のもの
を示し、１０６は本実施例のアクティブマトリクス基板
で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に、該
データ信号線及び金属膜１８の配置領域の幅よりやや広
い幅で蓄積付加容量２３の一部２３ｂを形成したもので
ある。
を示し、１０６は本実施例のアクティブマトリクス基板
で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に、該
データ信号線及び金属膜１８の配置領域の幅よりやや広
い幅で蓄積付加容量２３の一部２３ｂを形成したもので
ある。
【００６３】ここで、蓄積付加容量２３の一方の共通電
極１２３は、データ信号線１１ａ，１１ｂ及び金属膜１
８の下側にこれに沿って位置するよう延長され、上記Ｔ
ＦＴ１３を構成する半導体層１１３は、データ信号線１
１ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側にこれに沿って位置
するよう延長されている。そして、該共通電極層１２３
の延長部分（データ信号線下側部分）１２３ｂ及び上記
半導体層１１３の延長部分（データ信号線下側部分）１
１３ｂは、上記蓄積付加容量２３の、データ信号線１１
ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側に位置する部分２３ｂ
の上下の電極を構成している。
極１２３は、データ信号線１１ａ，１１ｂ及び金属膜１
８の下側にこれに沿って位置するよう延長され、上記Ｔ
ＦＴ１３を構成する半導体層１１３は、データ信号線１
１ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側にこれに沿って位置
するよう延長されている。そして、該共通電極層１２３
の延長部分（データ信号線下側部分）１２３ｂ及び上記
半導体層１１３の延長部分（データ信号線下側部分）１
１３ｂは、上記蓄積付加容量２３の、データ信号線１１
ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側に位置する部分２３ｂ
の上下の電極を構成している。
【００６４】また、４１ａ1は上記延長部分１１３ｂを
含む半導体層１１３と、その上側の上記延長部分１２３
ｂ及び走査信号線１２及び共通電極層１２３とを絶縁す
る層間絶縁膜、４１ａ2は、該共通電極層１２３とその
上側のデータ信号線１１ａ，１１ｂとを絶縁する層間絶
縁膜である。なお図４では、上記層間絶縁膜４１ａ1及
び４１ａ2は１つの層間絶縁膜４１ａとして示してい
る。
含む半導体層１１３と、その上側の上記延長部分１２３
ｂ及び走査信号線１２及び共通電極層１２３とを絶縁す
る層間絶縁膜、４１ａ2は、該共通電極層１２３とその
上側のデータ信号線１１ａ，１１ｂとを絶縁する層間絶
縁膜である。なお図４では、上記層間絶縁膜４１ａ1及
び４１ａ2は１つの層間絶縁膜４１ａとして示してい
る。
【００６５】その他の構成は、第４実施例のアクティブ
マトリクス基板と同一である。
マトリクス基板と同一である。
【００６６】このような構成の第６の実施例では、上記
第４の実施例の効果に加えて、上記第５の実施例と同
様、開口率の大きな劣化を回避しつつ、データ信号線付
近の液晶の配向乱れに起因するコントラスト低下を低減
できるという効果がある。
第４の実施例の効果に加えて、上記第５の実施例と同
様、開口率の大きな劣化を回避しつつ、データ信号線付
近の液晶の配向乱れに起因するコントラスト低下を低減
できるという効果がある。
【００６７】なお、前記各実施例では、アクティブマト
リクス基板として、複数の絵素が碁盤目状に配列された
ものについて説明したが、絵素の配列は、これに限るも
のではなく、例えば、奇数行の絵素が偶数行の絵素の間
に位置するデルタ配列などの絵素配列であってもよく、
この場合、データ信号線は、各列の絵素の配列に沿って
折れ曲がったものとなるが、前記各実施例と同様の効果
を得ることができる。
リクス基板として、複数の絵素が碁盤目状に配列された
ものについて説明したが、絵素の配列は、これに限るも
のではなく、例えば、奇数行の絵素が偶数行の絵素の間
に位置するデルタ配列などの絵素配列であってもよく、
この場合、データ信号線は、各列の絵素の配列に沿って
折れ曲がったものとなるが、前記各実施例と同様の効果
を得ることができる。
【００６８】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板を用
いることにより、液晶の配向の乱れを防ぐことができか
つクロストークのない、微細絵素からなる液晶表示を実
現できる。
いることにより、液晶の配向の乱れを防ぐことができか
つクロストークのない、微細絵素からなる液晶表示を実
現できる。
【００６９】つまり本発明によれば、絵素電極が層間絶
縁膜を介してデータ信号線と重なっているため、絵素電
極上の液晶にかかる電界の方向が、データ信号線からの
異なる電位の影響を受けて乱れるのを防止できるととも
に、絵素電極とこれに対応するデータ信号との結合容量
が、該絵素電極とその隣の絵素電極に対応するデータ信
号線との結合容量と概ね等しいため、前記データ信号線
に、１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給する駆動法
を用いることによって、逆極性の信号が供給されるデー
タ信号線から絵素電極への影響を十分に相殺できること
となり、クロストークをなくすことができる。
縁膜を介してデータ信号線と重なっているため、絵素電
極上の液晶にかかる電界の方向が、データ信号線からの
異なる電位の影響を受けて乱れるのを防止できるととも
に、絵素電極とこれに対応するデータ信号との結合容量
が、該絵素電極とその隣の絵素電極に対応するデータ信
号線との結合容量と概ね等しいため、前記データ信号線
に、１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給する駆動法
を用いることによって、逆極性の信号が供給されるデー
タ信号線から絵素電極への影響を十分に相殺できること
となり、クロストークをなくすことができる。
【００７０】この結果、微細絵素においてもデータ信号
線からの電界の乱れから生じる液晶の配向乱れによるコ
ントラスト低下、及び絵素電極とデータ信号線との結合
容量によるクロストークを防止することができ、これに
よって、コントラストの高い、良好な液晶表示を実現す
ることができる効果がある。
線からの電界の乱れから生じる液晶の配向乱れによるコ
ントラスト低下、及び絵素電極とデータ信号線との結合
容量によるクロストークを防止することができ、これに
よって、コントラストの高い、良好な液晶表示を実現す
ることができる効果がある。
【００７１】また、この発明によれば、データ信号線の
下側に蓄積付加容量を形成しているため、該蓄積付加容
量を構成する電極層を遮光部材として用いることによ
り、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコン
トラストの低下を抑制できる。
下側に蓄積付加容量を形成しているため、該蓄積付加容
量を構成する電極層を遮光部材として用いることによ
り、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコン
トラストの低下を抑制できる。
【００７２】また、上記電極層により遮光される部分に
は、ブラックマトリクス等の遮光部材が不要となり、該
ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマージ
ンを削減して、開口率を向上することができる。
は、ブラックマトリクス等の遮光部材が不要となり、該
ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマージ
ンを削減して、開口率を向上することができる。
【図１】本発明の第１の実施例による液晶表示パネルを
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例による液晶表示パネルを
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
【図３】本発明の第３の実施例による液晶表示パネルを
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
【図４】本発明の第４の実施例による液晶表示パネルを
構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図
であり、図４（ａ）は該基板の１絵素に対応する部分を
示す平面図、図４（ｂ）は図４（ｂ）のIVｂ−IVｂ線部
分の構造を示す断面図である。
構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図
であり、図４（ａ）は該基板の１絵素に対応する部分を
示す平面図、図４（ｂ）は図４（ｂ）のIVｂ−IVｂ線部
分の構造を示す断面図である。
【図５】従来の液晶表示パネルを構成するアクティブマ
トリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
トリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
【図６】従来の液晶表示パネルを構成する他のアクティ
ブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
ブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
【図７】前記１絵素部分の等価回路を示す回路模式図で
ある。
ある。
【図８】本発明の第５の実施例による液晶表示パネルを
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す
平面図である。
【図９】本発明の第６の実施例による液晶表示パネルを
構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図
であり、図９（ａ）は該基板の１絵素に対応する部分を
示す平面図、図９（ｂ）は図９（ｂ）のIXｂ−IXｂ線部
分の構造を示す断面図である。
構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図
であり、図９（ａ）は該基板の１絵素に対応する部分を
示す平面図、図９（ｂ）は図９（ｂ）のIXｂ−IXｂ線部
分の構造を示す断面図である。
１ 石英基板 ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ コンタクトホール １１ａ，１１ｂ，３１ａ，３１ｂ データ信号線 １１ｃ データ信号線の付加部分 １２ 走査信号線 １３ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） １３ａ ＴＦＴのソース １３ｂ ＴＦＴのドレイン １３ｃ 蓄積付加容量の他方の電極 １４，２４，６４ 液晶駆動電極（絵素電極） １８ 金属膜（導体膜） １９ ドレイン電極 ２３ 蓄積付加容量 ２３ａ，２３ｂ 蓄積付加容量の一部 ２４ａ 絵素電極のくびれ部分 ３４ 絵素容量 ３５，３６ 絵素電極とデータ信号線間の結合容量 １０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６ ア
クティブマトリクス基板 １１３ 半導体層 １１３ａ，１１３ｂ 半導体層のデータ信号線下側部分 １２３ 共通電極層 １２３ａ，１２３ｂ 共通電極層のデータ信号線下側部
分
クティブマトリクス基板 １１３ 半導体層 １１３ａ，１１３ｂ 半導体層のデータ信号線下側部分 １２３ 共通電極層 １２３ａ，１２３ｂ 共通電極層のデータ信号線下側部
分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−121712（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−237092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−223727（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−110081（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−176725（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−13200（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/133 G02F 1/1362 G09G 3/36
Claims (7)
- 【請求項１】 基板本体と、該基板本体上にマトリクス
状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、
該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶
駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該
各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶
駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子
と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行の
スイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信
号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に
付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電
極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重な
る部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ
信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両
重なり部分での結合容量が概ね等しくなっているアクテ
ィブマトリクス基板を含み、 該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフ
ィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を
行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデ
ータ信号が供給される液晶表示パネル。 - 【請求項２】 基板本体と、該基板本体上にマトリクス
状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、
該液晶駆動電極と接続された導体膜と、該液晶駆動電極
の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデー
タを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極
毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデ
ータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動
電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素
子のオン，オフを制御する複数の走査信号線とを備え、
該各列の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一
方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動
電極に接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあ
るデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分
を有し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間
の結合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合
容量と等しくなっているアクティブマトリクス基板を含
み、 該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフ
ィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を
行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデ
ータ信号が供給される液晶表示パネル。 - 【請求項３】 前記データ信号線は、これと前記液晶駆
動電極との重なりによる結合容量を調整するための容量
調整部を有する請求項１または２記載の液晶表示パネ
ル。 - 【請求項４】 前記データ信号線は、これと前記導体膜
との重なりによる結合容量を調整するための容量調整部
を有する請求項２記載の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 前記スイッチング素子は薄膜トランジス
タから構成されており、 前記導体膜はその一部が該薄膜トランジスタのチャネル
部を覆う遮光膜となっている請求項４記載の液晶表示パ
ネル。 - 【請求項６】 基板本体と、該基板本体上にマトリクス
状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、
該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対応する列の液
晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、
該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ信号線から液
晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素
子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けられ、対応する
行のスイッチング素子のオン、オフを制御する複数の走
査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端
子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆
動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して
重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデ
ータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、
該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっており、
かつ該データ信号線の下側に該蓄積付加容量が形成され
ているアクティブマトリクス基板を含み、 該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフ
ィールド毎あるいはフレームごとに反転して液晶の駆動
を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性の
データ信号が供給される液晶表示パネル。 - 【請求項７】 基板本体と、該基板本体上にマトリクス
状に配置され、液晶を駆動する複数の駆動電極と、該液
晶駆動電極と接続された導体膜と、該液晶駆動電極の各
列ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータ
を供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごと
に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデー
タの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電
極の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素
子のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイ
ッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積
付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、その両側
のデータ信号線の一方と層間絶縁膜を介して重なる部分
を有し、該液晶駆動電極に接続された導体膜が、該液晶
駆動電極の両側にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜
を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極の一方側の
データ信号線との間の結合容量が、その他方側のデータ
信号線との間の結合容量と概ね等しくなっており、かつ
データ信号線の下側に該蓄積付加容量が形成されている
アクティブマトリクス基板を含み、 該アクティブマトリクス基板のデータ信号の極性をフィ
ールド毎あるいはフレームごとに反転して液晶の駆動を
行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデ
ータ信号が供給される液晶表示パネル。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10673095A JP3164489B2 (ja) | 1994-06-15 | 1995-04-28 | 液晶表示パネル |
| TW084105350A TW426807B (en) | 1994-06-15 | 1995-05-26 | Liquid crystal display panel |
| US08/459,523 US5659375A (en) | 1994-06-15 | 1995-06-02 | Active matrix LCD device having two equal coupling capacitances |
| DE19521749A DE19521749C2 (de) | 1994-06-15 | 1995-06-14 | LCD-Tafel und Aktivmatrixsubstrat für eine solche |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13297494 | 1994-06-15 | ||
| JP6-132974 | 1994-06-15 | ||
| JP10673095A JP3164489B2 (ja) | 1994-06-15 | 1995-04-28 | 液晶表示パネル |
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|---|---|
| JPH0862582A JPH0862582A (ja) | 1996-03-08 |
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Family
ID=26446836
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| KR100529576B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2006-02-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
| KR100317621B1 (ko) * | 1999-02-24 | 2001-12-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치 |
| US7821065B2 (en) * | 1999-03-02 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same |
| US6531993B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type display device |
| US6690434B1 (en) | 1999-03-15 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display device |
| US7202924B1 (en) * | 1999-03-17 | 2007-04-10 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Liquid crystal display and a fabricating method thereof |
| JP4843247B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2011-12-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2001175198A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2001249319A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US7525165B2 (en) * | 2000-04-17 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100685911B1 (ko) * | 2000-07-04 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP4689806B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2011-05-25 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR20020057022A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시장치의 보조용량 확장형 화소구조 |
| KR100796749B1 (ko) | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| KR20030075046A (ko) * | 2002-03-15 | 2003-09-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100675626B1 (ko) * | 2002-08-22 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 |
| CN100451784C (zh) * | 2004-01-29 | 2009-01-14 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| JP4276965B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| TWI240108B (en) * | 2004-04-09 | 2005-09-21 | Quanta Display Inc | Structure of LCD panel and method of manufacturing the same |
| US7142261B2 (en) * | 2004-06-29 | 2006-11-28 | Au Optronics Corporation | Liquid crystal display having compensation capacitor |
| JP4571845B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法 |
| KR20070031620A (ko) | 2005-09-15 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| TWI339303B (en) * | 2006-12-15 | 2011-03-21 | Chimei Innolux Corp | Liquid crystal panel |
| WO2011077916A1 (en) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP5572213B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-08-13 | シャープ株式会社 | 表示装置、液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
| KR101699901B1 (ko) | 2010-07-09 | 2017-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| JP6002478B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-10-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP2014074798A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
| CN114911105B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-11-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172685A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示体装置 |
| JP2646557B2 (ja) * | 1987-06-02 | 1997-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | アクティプマトリックス基板 |
| JP2622183B2 (ja) * | 1990-04-05 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| US5151806A (en) * | 1990-04-27 | 1992-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having a series combination of the storage capacitors |
| FR2662290B1 (fr) * | 1990-05-15 | 1992-07-24 | France Telecom | Procede de realisation d'un ecran d'affichage a matrice active et a condensateurs de stockage et ecran obtenu par ce procede. |
| JPH0474714A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-10 | Seiko Epson Corp | Ｔｉ系超伝導材料 |
| JPH0543118A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 中間トレイの用紙収容装置 |
| JPH05249478A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| US5459595A (en) * | 1992-02-07 | 1995-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal display |
| JP2543286B2 (ja) * | 1992-04-22 | 1996-10-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
| JP2760462B2 (ja) * | 1992-05-13 | 1998-05-28 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| KR960006205B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1996-05-09 | 엘지전자주식회사 | 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조 |
| JPH06230422A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Fujitsu Ltd | 液晶パネル |
| JP3144132B2 (ja) * | 1993-03-22 | 2001-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置およびそれを用いた投写型表示装置 |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10673095A patent/JP3164489B2/ja not_active Expired - Lifetime
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