CN1239042C - 多赫尔蒂放大器 - Google Patents

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Abstract

提供了一种所谓的微波Doherty放大器。微波Doherty放大器采用能建立N路的路径扩展法和包络跟踪法(N≥2，N为自然数)，以获得移动通讯基站或手机功率放大器的高效率和高线性度，以及改善采用Doherty放大器的设备的价格竞争能力和可靠性。Doherty放大器包括N路，其中N2和N为自然数；一个载波放大器，它放在N路的一路；一组峰值放大器，它们放在除放置载波放大器的那一路以外的各(N-1)路；功率分配单元，它把功率分配到N路的每一路；1/4波长组抗变换器，N路会合于该变换器。

Description

多赫尔蒂放大器
技术领域
本发明涉及所谓微波Doherty(多赫尔蒂)放大器，更具体地说，涉及采用能建立N路(N≥2，N为自然数)的路径扩展法和包络跟踪法的微波Doherty放大器，以使移动通讯基站或手机的功率放大器获得高效率和高线性度，以及改善采用Doherty放大器的设备的价格竞争能力和可靠性。
背景技术
业内人士熟知，Doherty放大器是用于功率发射机高效率调制的一类放大器，并借助于把B类放大器，C类放大器，和阻抗倒置电路联合来改善效率。Doherty放大器采用用四分之一波变换器(或λ/4线)并联连接载波放大器和峰值放大器(或峰化放大器)的方法。
Doherty放大器的峰值放大器(或峰化放大器)根据功率电平改变负载电流量来控制载波放大器的负载阻抗，这样来改善效率。
微波Doherty放大器由W.H.Doherty于1936年提出，最初用于低频(LF)真空管和中频(MF)真空管广播发射机的幅度调制(AM)。
因为微波Doherty放大器首先用于AM发射机，把微波Doherty放大器用于固态高输出功率发射机的各种建议被提了出来，并提出了许多实际实现的方法。其中一种方法示于图1。图中阻抗由1/4波长变换器6和8变换，变换器6和8的特性阻抗为(Zm，Zb)。在这种方法中，只有用匹配单元4的电阻匹配是可能的。参考标号2表示***器，用于输入分配，Za是线的特性阻抗，使***器2的两个输出有90°的相位差。
图2所示的方法是现有技术的另一例子，其中微波Doherty放大器用于固态高输出功率发射机。借助于把匹配电路24和34放在晶体管(Q1，Q2)的输出部分，把偏置线路26和36放在匹配电路24和34的后面部分，这一方法能匹配阻抗的虚部和实部，使放大器的输出功率最大和Doherty工作得以实行。参考标号2’表示***器，参考标号20表示载波放大单元，参考标号30表示峰值放大单元，Z1，Z2，和Z3为线路的特性阻抗，其相位角如图2中所示。
虽然Doherty放大器用于高输出功率放大器的效率增加，但改善线性度还是不够的，而这是设备的高效能和功能所需要的。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种Doherty放大器，它采用能建立N路(N≥2，N为自然数)的路径扩展法和包络跟踪法，当该Doherty放大器应用于移动通讯基站或手机的功率放大器时，能同时获得高效率和高线性度，以及改善采用该Doherty放大器的设备的价格竞争能力和可靠性。
为了解决上述问题，本发明的另一目的就是提供一种Doherty放大器，为了改善各种类型Doherty放大器中的效率特性，该放大器要提取预定的输入包络信号，对其进行适当的整形，并把该信号提供给峰值放大器的门偏压。
根据本发明的一方面，一种Doherty放大器，包括预定的载波放大器和峰值放大器，Doherty放大器包括：
N路，其中N≥2，N为自然数；
载波放大器，它放在N路的一路；
峰值放大器，放在除放置载波放大器的那一路之外的各(N-1)路；
功率分配单元，把功率分配到N路的每一路；
1/4波长阻抗变换器，N路会合于该变换器，
所述载波放大器和峰值放大器用同样的晶体管制成。
优选地，载波放大器后面的偏置线路的特性阻抗有一预定的角度θC，峰值放大器后面的偏置线路的特性阻抗有一预定的角度θP，预定角度为90°+θC-θP的传输线放在每一峰值放大器之前。
附图说明
在结合附图详细描述实施例之后，本发明的目标和优点就会更加明显，其中
图1是现有技术的微波Doherty放大器实施例的结构图；
图2是现有技术的微波Doherty放大器另一实施例的结构图；
图3是本发明的微波Doherty放大器实施例的结构图；
图4是说明图3的Doherty放大器线性化的图；
图5是本发明采用包络跟踪装置的Doherty放大器的结构图；
图6a是图5包络跟踪装置的包络整形电路实施例的结构图；
图6b是信号通过图6a的包络整形电路的传递曲线图；
图7a是当图3中的路数为3(N＝3)时，线性化实验的频谱图；
图7b是从2路(N＝2)和采用图5的包络跟踪装置的Doherty放大器获得的效率与普通AB类放大器效率的比较图。
具体实施方式
图3表示本发明的微波Doherty放大器100(N路Doherty放大器)，它扩展到N路(N≥2，N为自然数)。Doherty放大器100包括载波放大器(CA)，它位于顶部，N-1个峰值放大器(PA)位于载波放大器(CA)下面，因此，该Doherty放大器总共有N路，还有***器110，它把适当的功率分配到每一路。***器110放置在N路的前端，如图3所示。载波放大器(CA)和峰值放大器(PA[1]至PA[N-1])可用同样的晶体管实现。当用i个同样的晶体管来制造载波放大器(CA)和峰值放大器(PA)时，各特性阻抗可这样确定，使能获得理想的功率组合，为此，在本发明的Doherty放大器100中，位于输出负载电阻(RO)之前的1/4波长阻抗变换器150具有式(1)表示的同样阻抗(RT)：
R T = R OP R OC R OP R · O . . . . . . ( 1 )
其中ROC是载波放大器(CA)后面偏置线132的特性阻抗，ROP是峰值放大器(PA)后面偏置线134的特性阻抗。
同时，在本发明的Doherty放大器100中。位于载波放大器(CA)输出端的偏置线132具有角度θC，位于峰值放大器(PA)输出端的偏置线134具有角度θP，如图3所示。为了补偿在载波放大器端的1/4波长传输线的136对Doherty放大器和偏置线132和134的影响，具有预定角度为90°+θC-θP的传输线122放在每一峰值放大器(PA)的输入端。
图4是说明本发明的Doherty放大器线性化原理图，图4表示第三阶大信号跨导(gm3)与门电压的关系图。跨导具有非线性特征，并随项数的增加而扩大，其中项数根据信号的大小确定，此时已知一阶项是正常放大的分量，n阶项是产生n阶谐波的分量。在普通场效应晶体管(FET)的情况下，三阶大信号跨导(gm3)根据门电压(vgs)从正值到负值。在普通正常AB类偏压(图5的一α位置)的情况下，三阶跨导(gm3)是负值，并在接近B类的合适位置中，可找到具有α值的位置。因此，如果两个并联的放大器具有不同的偏压，那么相位互相相反的三阶跨导(gm3)分量就会产生，甚至在最后输出中获得抵消效应。这里，在N路Doherty放大器的情况下，如果载波放大器偏置在一α位置，并且(N-1)个峰值放大器以α/(N-1)调节，那么第三阶互调制(IM3)分量(它是由非线性产生的三次谐波)可精确地删除。一般，在N＝2的Doherty放大器情况下，为了完全消除IM3分量，峰值放大器应偏置于α。但是，此时峰值放大器的偏压太低，严重地出现五次或更高次互调制畸变，亦即获得最佳线性度改善可能引起大的高阶互调制畸变，因此，如在本发明中那样，应避免在获得最佳线性度改善的同时出现高阶互调制畸变。因此，需要扩展路数(N＝3)，并且当增加峰值放大器(PA)数目时，三阶互调制分量在较高偏压的情况下能被消除。
图5是根据本发明采用包络跟踪装置200的Doherty放大器结构图。本发明包括跟踪装置200的主要特性是应用Doherty放大器的特性，使载波放大器(CA)的门偏压与峰值放大器(PA)的门偏压不同。本发明的包络跟踪装置200使用包络跟踪法，用来调节峰值放大器(PA)，峰值放大器在低功率范围内断开，而在高功率范围内，逐渐接通载波放大器(CA)的门偏压电平。借助于这样做，使本发明的包络跟踪装置200适合于被调制信号的放大，它的包络随时间而改变，避免增益进一步减小，输出功率减少，和由于把载波放大器(CA)的门偏压(VGG，Peaking)固定在低值而可能发生的线性度降低。业内人士很清楚，图3所示的N路Doherty放大器，以及所有现存的Doherty放大器都可用于本发明的包络跟踪装置200。
图5中的参考标号210表示包络检波器，用于检测包络，220表示包络成形电路，用于适当地变换由包络检波器210检测的包络信号，参考标号230表示输入Doherty网络，参考标号240表示输出Doherty网络，载波放大器(CA)和峰值放大器(PA)位于输入Doherty网络230和输出Doherty网络240之间。
图6a是图5的包络跟踪装置200的包络成形电路220实施例的结构图。借助于适当衰减和放大由包络检波器210检测的低频包络信号，从该信号减去偏置信号，包络成形电路220使输出电压按包络电压(VENV)变化，如图6b所示，并作为门偏压(VGG，Peaking)提供给峰值放大器(PA)。
在图6b中，位置A表示最大包络电压，位置B表示Doherty放大器100的峰值放大器(PA)在该位置接通。通常为N＝2时，位置B表示比峰值输出功率低6dB的位置。在小于B的区域，峰值放大器(PA)的门偏压(VGG，Peaking)为C，它几乎完全断开峰值放大器(PA)。在位置A，峰值放大器(PA)的门偏压(VGG，Peaking)为D，该偏压与载波放大器(CA)的门偏压(VGG，Carrier)相同。图6b是关于包络成形电路220的图，应用这图对本发明的Doherty放大器作各种改变，Doherty放大器的效率和线性度能获得最佳。
图7a是作为本发明的实施例，在21.4GHz频段，对N＝3的Doherty放大器进行测量获得的频谱图。参见图7a，该图表示本发明的Doherty放大器具有比AB类放大器好很多的线性度，图7b表示对采用包络跟踪装置200，N＝2的Doherty放大器模拟的结果，该图表示根据输出功率下降特性，本发明的Doherty放大器具有比AB类放大器高很多的效率特性。
图7a的垂直轴表示功率频谱密度(PSD)，它表示每单位频率的功率分布。当在放大器中进行放大时，从直流电压DC获得能量，并转换成射频能量，然后进行放大。图7b的垂直轴表示功率增加的效率(PAE)，它代表有多少DC电压提供的功率贡献于放大。在图7a中，PSD的单位DBm是功率的单位，它是把瓦(更具体地说是毫瓦)取对数而获得。业内人士都知道，其变换公式是dBm＝10log(瓦/10-3)。
上述本发明采用能建立N路(N为自然数)的路径扩展法和包络跟踪法的Doherty放大器，当其应用于移动通讯基站或手机时，可同时获得高效率和高线性度，以及改善采用该Doherty放大器的设备的价格竞争力和可靠性。
还有，微波Doherty放大器提取预定的输入包络信号，适当地整形该信号，并把该信号提供给峰值放大器的门偏压，以获得在所有类Doherty放大器中改善的效率特性。
上面已解释了最佳实施例，并表示于附图中，但是，本发明并不限于上述实施例，在本发明的精神和范围内，可作许多变化。本发明的范围并不由上面的说明确定，而是由所附的权利要求确定。

Claims (2)

1.一种Doherty放大器，包括预定的载波放大器和峰值放大器，Doherty放大器包括：
N路，其中N≥2，N为自然数；
载波放大器，它放在N路的一路；
峰值放大器，放在除放置载波放大器的那一路之外的各(N-1)路；
功率分配单元，把功率分配到N路的每一路；
1/4波长阻抗变换器，N路会合于该变换器，
所述载波放大器和峰值放大器用同样的晶体管制成。
2.根据权利要求1所述的Doherty放大器，其特征在于载波放大器后面的偏置线特性阻抗具有预定的角度θC，峰值放大器后面的偏置线特性阻抗具有预定的角度θP，具有预定角为90°+θC-θP的传输线放在峰值放大器的前端。
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Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100553252B1 (ko) * 2002-02-01 2006-02-20 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치
AU2003247109A1 (en) * 2002-08-19 2004-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. High power doherty amplifier
KR100543729B1 (ko) * 2004-03-24 2006-01-20 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 열 방출 효율이 높고 두께는 물론 크기를 감소시킨 고주파모듈 패키지 및 그 조립 방법
JP4520204B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
JP4715994B2 (ja) * 2004-08-26 2011-07-06 日本電気株式会社 ドハティ増幅器並列運転回路
KR101049649B1 (ko) * 2004-09-10 2011-07-14 엘지에릭슨 주식회사 다중 경로 도허티 증폭기 및 그 제어 방법
JP2006157900A (ja) * 2004-11-05 2006-06-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 増幅器
US7295065B2 (en) * 2004-11-18 2007-11-13 Beecem Communications Inc. High efficiency doherty amplifier with a segmented main amplifier
KR100654650B1 (ko) * 2004-11-25 2006-12-08 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 하이브리드 커플러가 없는 직렬구조의 도허티 증폭기
JP4387936B2 (ja) * 2004-12-13 2009-12-24 株式会社東芝 高周波用のドハティ型の高効率増幅器、およびその信号処理方法
NL1027745C1 (nl) * 2004-12-14 2006-06-16 Bosma Beheersmij B V H O D N M Verliesarme, asymmetrische combinator voor faseverschil systemen en adaptieve RF-versterker omvattende een asymmetrische combinator.
JP4700470B2 (ja) * 2004-12-15 2011-06-15 株式会社日立国際電気 増幅器
CN101091322B (zh) * 2004-12-24 2010-04-28 华为技术有限公司 一种准线性高效功率放大器以及放大射频信号的方法
KR20060077818A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 학교법인 포항공과대학교 비대칭 전력 구동을 이용한 전력 증폭 장치
KR100656333B1 (ko) * 2005-04-27 2006-12-13 한국과학기술원 자동 스위칭 기능을 갖는 전력증폭기
JP4793807B2 (ja) * 2005-05-24 2011-10-12 株式会社日立国際電気 増幅器
CN101228689B (zh) * 2005-08-01 2010-09-22 三菱电机株式会社 放大器
JP4792273B2 (ja) 2005-10-18 2011-10-12 株式会社日立国際電気 増幅器
JP4825495B2 (ja) * 2005-11-10 2011-11-30 株式会社日立国際電気 歪制御機能付き増幅装置
US7362170B2 (en) * 2005-12-01 2008-04-22 Andrew Corporation High gain, high efficiency power amplifier
US7831221B2 (en) * 2005-12-13 2010-11-09 Andrew Llc Predistortion system and amplifier for addressing group delay modulation
CN100426662C (zh) * 2006-03-22 2008-10-15 华为技术有限公司 一种功率放大器
JP4831571B2 (ja) * 2006-05-02 2011-12-07 富士通株式会社 増幅器ユニット及びその故障検出方法
KR100749870B1 (ko) * 2006-06-07 2007-08-17 (주) 와이팜 도허티 전력 증폭 장치
ATE506744T1 (de) * 2006-07-24 2011-05-15 Ericsson Telefon Ab L M Verfahren zur steuerung eines linearverstärkers und leistungsverstärkeranordnung
WO2008012898A1 (fr) * 2006-07-27 2008-01-31 Panasonic Corporation Appareil d'amplification de puissance
KR100813660B1 (ko) * 2006-07-27 2008-03-14 삼성전자주식회사 고주파 신호의 피크 엔벨롭 변조를 위한 전력 증폭기 회로
KR101083920B1 (ko) * 2006-08-11 2011-11-15 엘지에릭슨 주식회사 다중 입출력 경로 도허티 증폭기
EP2101409B1 (en) * 2006-12-19 2021-01-20 Mitsubishi Electric Corporation Power amplification device
EP2191567A1 (en) 2007-09-03 2010-06-02 Nxp B.V. Multi-way doherty amplifier
JP5035846B2 (ja) * 2008-01-09 2012-09-26 国立大学法人電気通信大学 ドハティ増幅回路
KR100905948B1 (ko) 2008-08-28 2009-07-06 (주)카이로넷 도허티 증폭기 및 이를 포함하는 신호 증폭 시스템, 신호 증폭 방법
JP2010124433A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp 高周波電力増幅器
CN101567665B (zh) * 2008-12-26 2012-01-25 芯通科技（成都）有限公司 一种数字Doherty功率放大器
JP5206526B2 (ja) 2009-03-19 2013-06-12 富士通株式会社 増幅装置および送信装置
EP2306638B1 (en) * 2009-09-30 2011-11-16 Alcatel Lucent Envelope tracking amplifier arrangement
EP2372905B1 (en) * 2010-04-01 2012-06-20 Alcatel Lucent Efficiency-improved Doherty amplifier arrangement
EP2393201A1 (en) * 2010-06-02 2011-12-07 Nxp B.V. Two stage doherty amplifier
KR101739283B1 (ko) * 2010-08-31 2017-05-25 삼성전자주식회사 적응형 공진 전력 전송 장치
CN102130657A (zh) * 2010-09-14 2011-07-20 华为技术有限公司 一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站
KR101128485B1 (ko) * 2010-11-23 2012-03-27 포항공과대학교 산학협력단 스위트 스팟 추적을 이용한 포락선 추적 전력 증폭 장치
KR101731321B1 (ko) * 2011-01-06 2017-05-02 삼성전자주식회사 도허티 증폭기에서 효율을 향상시키기 위한 장치 및 방법
US8193857B1 (en) * 2011-03-01 2012-06-05 Infineon Technologies Ag Wideband doherty amplifier circuit
US8749306B2 (en) * 2011-03-16 2014-06-10 Cree, Inc. Enhanced Doherty amplifier
CN102158176A (zh) * 2011-04-29 2011-08-17 中兴通讯股份有限公司 一种多赫蒂功放装置及功率放大方法
US9306502B2 (en) 2011-05-09 2016-04-05 Qualcomm Incorporated System providing switchable impedance transformer matching for power amplifiers
CN102299689B (zh) * 2011-06-29 2014-07-23 清华大学 基于包络跟踪技术的高效率双频功率放大器的设计方法
CN102332875B (zh) * 2011-08-11 2014-05-21 电子科技大学 一种宽带高效率Doherty功率放大器
EP2751926A4 (en) * 2011-12-15 2015-07-29 Ericsson Telefon Ab L M APPARATUS AND METHOD FOR POWER AMPLIFICATION DOHERTY
CN103178786A (zh) 2011-12-26 2013-06-26 瑞典爱立信有限公司 多路Doherty放大器
US8970297B2 (en) 2012-03-19 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency
US9031518B2 (en) 2012-12-17 2015-05-12 Qualcomm Incorporated Concurrent hybrid matching network
CN103560754A (zh) * 2013-11-18 2014-02-05 上海无线电设备研究所 基于紧致微带谐振单元结构的高线性度多尔蒂功率放大器
CN103944623B (zh) * 2014-03-04 2017-04-05 清华大学 一种基于空间耦合的有源负载调制发射机
CN105490645B (zh) * 2014-09-16 2018-06-26 上海诺基亚贝尔股份有限公司 一种高效的多赫迪功率放大器
US9755579B1 (en) * 2016-12-09 2017-09-05 Nxp Usa, Inc. Amplifier devices with envelope signal shaping for gate bias modulation
US10148228B2 (en) * 2016-12-20 2018-12-04 Nxp Usa, Inc. RF power amplifier bias modulation with programmable stages
JP2020526948A (ja) * 2017-07-21 2020-08-31 テレフオンアクチーボラゲット エルエム エリクソン（パブル） 多段ドハティ電力増幅器および送信機
JP7031751B2 (ja) * 2018-08-20 2022-03-08 三菱電機株式会社 ドハティ増幅器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3733374A1 (de) * 1987-10-02 1989-05-11 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren und vorrichtung zur linearen verstaerkung von signalen in satellitentranspondern
US5025225A (en) 1989-12-15 1991-06-18 Raytheon Company Amplifier having substantially constant D.C. to r.f. conversion efficiency
US5420541A (en) 1993-06-04 1995-05-30 Raytheon Company Microwave doherty amplifier
US5757229A (en) 1996-06-28 1998-05-26 Motorola, Inc. Bias circuit for a power amplifier
US5786727A (en) * 1996-10-15 1998-07-28 Motorola, Inc. Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor
US6097252A (en) 1997-06-02 2000-08-01 Motorola, Inc. Method and apparatus for high efficiency power amplification
US6133788A (en) * 1998-04-02 2000-10-17 Ericsson Inc. Hybrid Chireix/Doherty amplifiers and methods
US6262629B1 (en) 1999-07-06 2001-07-17 Motorola, Inc. High efficiency power amplifier having reduced output matching networks for use in portable devices
US6356149B1 (en) * 2000-04-10 2002-03-12 Motorola, Inc. Tunable inductor circuit, phase tuning circuit and applications thereof
SE520760C2 (sv) * 2000-06-06 2003-08-19 Ericsson Telefon Ab L M Doherty-förstärkare av flerstegstyp
SE516145C2 (sv) * 2000-06-06 2001-11-26 Ericsson Telefon Ab L M Sammansatt förstärkare
US6472934B1 (en) * 2000-12-29 2002-10-29 Ericsson Inc. Triple class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters

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