CN1154866C - 液晶显示装置的改进 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一个结构原理，用于控制液晶显示区的间隙和围绕液晶显示装置边缘的区域，这是通过形成一绝缘层，对此层进行深蚀刻以后，留下了间隙大小的支持圆柱和杂质扩散的阻挡分段墙。

Description

液晶显示装置的改进
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，本领域中缩写为LCD，特别地，本发明涉及制造这类装置的结构原理，尤其涉及尺寸非常小的LCD。
背景技术
在液晶显示技术中，液晶与半透明公共电极进行电接触。半透明公共电极本身由一半透明覆盖层保护。电路位于液晶材料下面，根据电路中象素的交叉点和公共电极之间的电应力，一部分液晶定量地旋转光的极化。
随着技术发展的进步，需要能够减少或严格地控制液晶盒的间隙。液晶盒间隙是指液晶所占据空间的垂直距离，位于象素电路交接处和公共电极之间，并且液晶要在支持基底上尽可能地延展显示区域。
到目前为止的技术，控制液晶盒间隙大小的努力包括使用与液晶盒相近的可***部件，比如填充球或圆柱，如在美国专利5,459和5,379,139中所描述的那样。使用这类部件带来一些不利的方面。球直径的不均匀性使得难于保持严格的公差。在高分辨显示装置的制造中，希望这类部件能固定并保持在间隙中。如果填充部件具有象素大小的面积，任何缝隙尺寸大小的填充部件都将占据相当部分的显示区域，例如在投影显示装置中使用的光阀，这种显示装置具有非常小的象素。
在基底上更大扩展显示区域的努力带来两个问题。第一个问题是需要有一个很好确定的区域，在这个区域中包含有液晶材料并用粘结剂密封覆盖层。第二个问题是，液晶劣化杂质来自用于将覆盖层密封到显示装置基底上的粘结剂，并且使液晶劣化。
发明内容
本发明提供一种制造液晶显示装置的方法，该液晶显示装置具有一象素显示区域，周围有一密封区域，并且具有一个供填充液晶用的间隙，该方法包括的步骤：
在一个表面上形成一可蚀刻的绝缘材料层，所述表面是在基底和半透明公共电极之一上，该半透明公共电极在覆盖层上，所述绝缘材料层具有等于所述间隙大小的厚度；
按图样蚀刻所述的绝缘材料层直到所述表面，留下圆柱元件和扩散阻挡体段部件，圆柱元件从所述的表面上延伸所述间隙的一个距离，扩散阻挡体段部件从所述的表面延伸所述间隙的距离并且定位于所述象素显示区域的周围；及
用粘结剂密封所述覆盖层和所述基底的组合，由所述的圆柱和所述的阻挡体在显示区建立所述的间隙。
本发明提供一种加工液晶显示装置中的中间制造产品的方法，该液晶显示装置具有一个象素显示阵列及一个间隙，该中间制造产品的加工方法包括步骤：
在一个表面上加一个相对慢的蚀刻反应薄层，所述表面是基底和所述显示装置的导电层两者中的之一；
形成一绝缘层，厚度为所述间隙厚度，位于所述慢蚀刻反应层上；
按图样深蚀刻在掩膜保护区之间的所述绝缘层的一部分至所述慢蚀刻反应层；
所述掩膜保护区包括，分布圆柱元件，至少位于所述显示区；和扩散阻挡段，位于显示区域的周围区域；
所述保护区与所述绝缘层和慢蚀刻反应层中的至少一个保持为一体，并延伸所述间隙的高度。
本发明提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置在基底和覆盖层之间的间隙中有象素单元的液晶填充的象素位置的阵列，象素单元之间有间隔，基底与覆盖层周围的粘结剂区域，提供所述覆盖层到基底的外缘密封，其特征在于包括：
象素位置区域，位于所述外缘密封区内的所述基底上，并由基底和相对的覆盖层界定的间隙定位；
圆柱，与所述基底及所述覆盖层之一合为一体，位于所述象素位置区域中；阻挡体，具有开口并且与所述基底及所述覆盖层之一合为一体，位于所述象素位置区域和所述***密封区之间；
所述圆柱和所述阻挡体的高度为所述间隙的距离。
本发明提供一种液晶显示装置的中间制造产品，该液晶显示装置具有在覆盖层和基底之间的一个间隙距离，其特征在于该中间制造产品包括：
一个单元，它是所述基底和所述覆盖层之一，具有在一个表面上带有电路的象素位置显示区域，该表面含有围绕边缘的密封区域；
圆柱，与所述单元合为一体，位于所述象素位置区域中；分段的阻挡体，段之间至少有一个开口，与所述单元成为一体，并且位于所述象素位置区域和所述密封区域之间；及
所述圆柱和所述阻挡体的高度为所述间隙的距离。
本发明提供一种液晶显示结构的中间制造产品，该液晶显示结构在基底和带有覆盖层的导电层之间有一间隙，该中间制造产品其特征在于：
所述基底具有在一个表面上带有电路的象素位置显示区域，该表面含有围绕边缘的密封区域；
所述基底具有多个圆柱，圆柱与所述基底合为一体，在所述基底上方延伸一段距离，该距离确定了所述的间隙；
所述基底具有分段的阻挡体，该阻挡***于所述显示区和所述***密封区之间，其高度在所述的基底上方延伸，等于所述间隙；及
所述覆盖层位于所述显示结构之上，由所述的圆柱和所述的分段的阻挡体支持，阻挡部件与所述导电层相接触，并且
在所述的密封区域中与所述基底密封。
本发明还提供一种液晶显示结构，该液晶显示结构在基底和带有覆盖层的导电层之间有一间隙，其特征在于：
所述基底具有在一个表面上的带有电路的象素位置显示区域，该表面含有围绕边缘的密封区域；
所述带有覆盖层的导电层有多个圆柱，与所述导电层合为一体，并且从所述导电层中伸出一段距离，该距离确定所述间隙；
所述带有覆盖层的导电层至少有一分段的阻挡体，它位于所述导电层上的一个位置处，该位置对应于在所述显示区域与所述基底上的所述***密封区域之间的一个区域中，所述阻挡体具有从所述导电层延伸出的一个距离的高度，该距离等于所述间隙，并且所述基底位于所述带有覆盖层的导电层之上，导电层由所述圆柱和所述至少一个分段的阻挡体支持，并且被密封到所述密封区的所述基底。
本发明提供了显示装置中间产品结构原理和生产方法，因而，在结构中建立间隙、用粘结剂密封使诸部件保持在一起，以及制造扩散阻挡分段墙，这样就在显示区域上确定了一个严格的垂直间隙，并且也减少了以前所设的用于粘结和控制杂质扩散的距离，其中杂质扩散是来自粘结剂，粘结剂形成了粘结剂密封。
在本发明中，通过在要成为显示区域的基底的表面上用淀积或生长技术形成一个等效于所需间隙厚度的薄层，该薄层在图样蚀刻后留下：与基底成为一体的间隙高度建立圆柱，柱建立的位置与在显示区域所需的一样多；及围绕在显示区域的周围的交错的平行排列阻挡体，也与基底合为一体，用作粘结剂密封和扩散阻挡体。在显示区域的周围，粘结剂或密封粘结剂放在阻挡体的外边。在相邻于液晶的侧面上，放置一个带有半透明公共电极的覆盖层，由圆柱或阻挡体支撑并由粘结剂密封保持。液晶盒的间隙空间用液晶填充到粘结剂密封处。阻挡体增加了密封粘结剂和来自密封粘结剂的杂质扩散通过的距离，因为密封粘结剂和杂质必须通过阻挡体才能到达显示装置激活区域的液晶。
附图说明
图1标记为现有技术，这是一截面图，表明了目前的技术状态，包括有间隙和在激活矩阵液晶显示中的可使用区域；
图2是本发明在深蚀刻层阶段的中间产品的透视图；
图3至6是本发明在各制造阶段的中间产品的图示说明，其中：
图3是本发明在一个基底上淀积或生长层的图示说明；
图4是本发明的层按图样深蚀刻以后的中间产品的图示说明，其中给出了一体间隙设置和显示装置的扩散阻挡元件；
图5是具有半透明公共电极的覆盖层安好以后并用粘结剂粘好以后的中间产品的图示说明；
图6是在所有象素位置用液晶填充间隙以后中间产品的图示说明；
图7是本发明间隔圆柱和阻挡墙段的图示设计安排。
具体实施方式
在本发明中，在显示装置的公共支撑部分，提供一个具有液晶显示装置间隙厚度的层，该层是按圆柱和扩散阻挡部件的图样深蚀刻到公共支撑部分，圆柱和阻挡部件与支撑部分是合为一体的，它们用于支持外面的覆盖层并设定缝隙距离。扩散阻挡部件也用于减小容纳和防止杂质污染在激活显示区域的液晶所需的空间距离，杂质来自粘结覆盖层的粘结剂；当液晶显示装置制造完成以后，间隙空间是由液晶所填充。
本发明同时也提供了在制造液晶显示装置中所遇到的问题的解决方案。参照图1，标记为现有技术，示出了目前制造液晶显示装置所作的考虑的透视图。在液晶显示装置的半透明外覆盖层1下，有一个半透明公共电极2。占据间隙3的是一定量的液晶材料4，用的短划线阴影表示。显示区由象素的区域构成，其中的两个象素5和6如点划线框所示。穿过象素液晶4光的变化量是响应于在接触点和半透明公共电极2之间的液晶4上的电应力，接触点7和8分别对应于象素5和6。示意性示出的组件由基底9支撑，在有些结构中，基底除了提供x和y数据以及在接触点7和8处的开关线路信号放大的交叉点以外，还能给出在象素中液晶底下的光。基底9可以是任何具有埋线的和光导通道类型的结构的表面，包含半导体晶片表面。在一般的结构考虑中，标记为“A”的间隙距离必须在显示区的整个激活区域精确地选择和严格地控制，间隙距离“A”是指穿过基底9的接触点7，8和公共电极2之间的液晶的距离。建立间隙的目的不仅是在所有的结构中提供支撑和用于足够象素量的液晶的空间，而且在某些结构中必须有赖于建立一光通路的距离。在目前的技术发展中，使用了具有与间隙距离有关的直径的球。在图1中，作为一例子，画出一带点划线的球10，位于象素之间。球稍微大于所要求的间隙距离，并且当加上覆盖层后，球被压缩。目前的技术状态是，可用的球不具有一致的直径，这就影响了保持严格公差的能力。在制造中，球是随机喷洒的，结果是某些球处于象素区，它们将阻挡光的通过，特别是对高分辨显示，这时象素的尺寸是与间隔球的直径可比较的。人们总是希望延伸象素5、6的区域，尽可能地让显示区填满基底。然而，这样做的努力是有限的，因为粘结剂不是密闭的并且杂质要从粘结剂11扩散出来，此粘结剂在基底9的边沿粘结覆盖层2。杂质会降低液晶的电阻率，增加电荷的输运及减少液晶上电应力的大小，从而影响显示装置的性能和可靠性。
按照本发明，在要包含显示区的基底的表面上，通过淀积或生长的方法，形成所需间隙大小的厚度的绝缘材料的一个层，该绝缘层然后按图样蚀刻到基底剩余部分；在所要求的尽可能多的位置上，建立间隙并保持圆柱与基底合为一体，并且扩散阻挡段要被加在显示区和基底的外边缘之间，粘结剂位于外边缘处以固定覆盖层。在一个配置中，扩散阻挡段是由和基底合为一体的元件所组成，比如交错的平行墙段，所有淀积层的高度或所需间隙的距离为“A”。在间隙空间被填充以前，交错的平行扩散阻挡段结构允许气体通过段的间隔从间隙空间逃逸出来。按照本发明，在深蚀刻操作以后的中间产品在图2中用透视图表示，这时覆盖层和半透明公共电极，如图1中的1和2还没有被加上并且间隙空间还没有填充液晶。
在图2中，在基底20的一部分上，在例如像氮化硅层这样的薄蚀刻停止层21上，例如通过淀积或生长的办法在基底20的薄蚀刻停止层21上形成具有所需的垂直间隙距离的厚度的可蚀刻绝缘材料的一个层。在该图中，该层的象素电极22以下直到蚀刻停止层21的表面23部分全部被深蚀刻掉，但圆柱24、密封开口以及选定位置的分段阻挡体25除外而被禁止蚀刻。在表面23中阵列26中的每一象素位置，有指示象素电极22，图中给出15个，通过接触元件到达基底20中的显示电路。基底20本身含有(未画出)显示电路，在此。圆柱24，图中列出15个，例如位于象素阵列26中的交叉点上，并且能可以足够的小，以便不影响最窄的象素间隔，例如它可以是1微米直径。分段阻挡体25，其中画出了11个，例如被安排为两个平行排列阻挡体交错墙，它们的相对段长度，宽度和间隙大小可安排为禁止杂质通过阻挡墙扩散而允许气体通过阻挡墙逃逸。阻挡体25、31、33和圆柱24、34与基底20合为一体，具有间隙空间的垂直距离“A”。
在液晶显示技术中，在间隙中用液晶材料填充显示装置是在图示一侧的中心完成的。很明显，按照本发明，圆柱和阻挡段的定位，数量和大小具有相当的灵活性。如图所示，某些阻挡体31墙段可被安排为引导和促进在填充区32的液晶流动。作为进一步的说明，间隔圆柱24和34的数量，大小及位置是相当灵活的，它们可以和象素之间的间隔一样窄。在深蚀刻步骤，个别的圆柱可以通过增加或去除掩模来设置。它们的高度总是具有间隙距离“A”。阻挡体25，31和33的形状以及设置是为了提供阻挡来自粘结剂的杂质的扩散，没有在此画出的粘结剂位于表面23的外边缘的区域29，并且允许气体穿过分段墙的开口或中断30。尽管现在阻挡体25表示为平行交错的排列，其它能阻止扩散通过的结构也是可以的。依靠此处示出了8个的阻挡体墙段或圆柱34，可以支持所要求的覆盖层。在本发明中，分隔液晶激活区域与保持覆盖层的粘结剂的距离不仅比以往的技术更短，而且也可以完全地预先确定。
在图3至图6中，通过在本发明中的各制造过程步骤的中间产品的截面视图给出了深蚀刻层结构的制造步骤的说明，对液晶显示装置来说，这是共同的。对于特别的显示装置，附加的加工步骤在此没有表示出。
参照图3，有一均匀蚀刻绝缘材料层，例如像SiO2这样的硅氧化物层的说明，这是通过淀积或生长技术，像本领域中称为PEVCD的等离子体增强化学汽相淀积方法形成的。进一步，在图3中，给出了一个基底40，比如这可以是一个硅半导体芯片，此芯片中埋有显示矩阵电路，电路中有象素接触点41，这里只表示出了其中的一个；显示矩阵电路是在表面42之上的薄蚀刻停止层43上。相对于例如SiO2，蚀刻停止层43是相当慢蚀刻材料型的，例如氮化硅薄层。层44对应于图2蚀刻掉的绝缘材料层，例如氧化硅层，比如由淀积或生长方法生成的在显示区上具有所需的间隙厚度的SiO2。层44的材料必须是绝缘的，以防止在完成后的显示区内的象素上没有电应力。层44的材料必须有一个比层43的相对慢的蚀刻速率更快的蚀刻速率，并且象素电极41要能依赖于用于阻止表面42的层43上的层44的材料的蚀刻比。
参照图4，这是层44在按图样深蚀刻到蚀刻停止薄层43和在基底表面42上的象素接触点41以后的中间产品的说明。深蚀刻是按本领域的标准技术进行的，用化学的或离子反应蚀刻技术，通过掩模并且蚀掉层44直到表面42上的层43。表面42对应于图2的表面23，蚀刻后留下圆柱24和阻挡体25，它们由图样抗蚀剂所保护。
在图5中，示出了在覆盖层50和半透明公共电极51已定位并已用粘结剂52粘结到基底40的***部分29后的中间产品的说明，图5中的基底40对应于图2的基底20。示出了2个的阻挡体25墙段排列，如图2中的阻挡体25那样交错排列，其作用是禁止来自粘结剂52的杂质向阻挡体25墙段排列后边的象素位置的扩散，并且减少了不使用的空间，这些空间曾分配用来避免对激活区域的污染。
参考图6，这是在用液晶53填充了所有象素间隙以后的中间产品的图示说明。
参考图7，这是间隔圆柱和墙阻挡段的设计安排的图示说明。圆柱和墙阻挡段用于覆盖层的支持，间隙的控制，粘结剂密封以及减少密封粘结剂的杂质扩散进入液晶。在图7的图示说明中，示出了圆柱24和34，阻挡体25，31，33墙段的不同尺寸和位置。阻挡体33墙段是稀疏排列的并用于减少密封粘结剂的杂质，该杂质来自在显示区域用液晶在整个区域32填充以后，最后用粘结剂在区域29的外边缘进行密封时。***的间隔圆柱34允许在区域29中的过多的密封粘结剂流出。阻挡体25，31间隔段用于粘结剂密封以便使其与阵列26分开并使密封粘结剂与在阵列26区域的液晶分开。
为了提供实施本发明的附加信息，参照图2至图7，作为说明给出以下规范。
基底20可以是一单晶半导体，比如一个用于显示2048×2048个象素的具有埋线的硅半导体。在晶片的一面上，每一象素近似为17微米。象素之间的间隔2微米，在每一象素位置象素有一触点接到标准的晶体管，电容器(没有画出)，写矩阵交叉点。
层44，等价于间隙距离“A”，是近似为硅氧化物的距离2.5微米。
圆柱24的直径近似为1.5微米，高度近似为间隙距离2.5微米，每个位于象素之间的空间交叉点。如果需要的话，外边的圆柱34可以有较大的直径。在显示区以外，尺寸的规定不是很严格的。
平行排列的阻挡体25，31墙段由宽度近似为10微米，长度近似为500微米，间隔近似为90微米的段组成。段之间的间隔为30微米，列距之间为100微米。
半透明覆盖层是玻璃。
半透明公共电极可以是铟锡氧化物。
在近似为2.5微米厚的层中，液晶具有扭曲向列相类型。
在图1至7中，尽管为了清楚起见，间隔圆柱和阻挡体的制造描述为使用带电路的基底作为基础，同样的制造过程也可以在半透明保护覆盖层上的半透明公共电极上进行。半透明导体材料有着对腐蚀剂的非常好的蚀刻阻止特性，腐蚀剂用于蚀刻在半透明导体层上淀积或生长的材料以提供间隔和阻挡部件。间隔圆柱与半透明覆盖层和半透明导体的复合体合为一体。它们的定位考虑了基底上的象素排列。在组装过程中，在使用各种覆盖层，间隔柱高度及阻挡体上有一定的自由度。
以上所描述的是一结构原理，此原理用于控制间隙，以及围绕液晶显示区周围的区域。通过形成一绝缘层，在显示装置的区域上进行深蚀刻以后，留下圆柱和分段墙控制间隙距离以及阻挡杂质扩散。

Claims (24)

1.一种制造液晶显示装置的方法，该液晶显示装置具有一象素显示区域，周围有一密封区域，并且具有一个供填充液晶用的间隙，该方法包括的步骤：
在一个表面上形成一可蚀刻的绝缘材料层，所述表面是在基底和半透明公共电极之一上，该半透明公共电极在覆盖层上，所述绝缘材料层具有等于所述间隙大小的厚度；
按图样蚀刻所述的绝缘材料层直到所述表面，留下圆柱元件和扩散阻挡体段部件，圆柱元件从所述的表面上延伸所述间隙的一个距离，扩散阻挡体段部件从所述的表面延伸所述间隙的距离并且定位于所述象素显示区域的周围；及
周粘结剂密封所述覆盖层和所述基底的组合，由所述的圆柱和所述的阻挡体在显示区建立所述的间隙。
2.权利要求1的方法，其特征在于，包括用液晶材料填充所述间隙的步骤。
3.权利要求2的方法，其特征在于，形成所述绝缘材料层的步骤是通过淀积法。
4.权利要求3的方法，其特征在于，所述的淀积由等离子体增强化学汽相淀积法形成的。
5.一种加工液晶显示装置中的中间制造产品的方法，该液晶显示装置具有一个象素显示阵列及一个间隙，该中间制造产品的加工方法包括步骤：
在一个表面上加一个相对慢的蚀刻反应薄层，所述表面是基底和所述显示装置的导电层两者中的之一；
形成一绝缘层，厚度为所述间隙厚度，位于所述慢蚀刻反应层上；
按图样深蚀刻在掩膜保护区之间的所述绝缘层的一部分至所述慢蚀刻反应层；
所述掩膜保护区包括，分布圆柱元件，至少位于所述显示区；和扩散阻挡段，位于显示区域的周围区域；
所述保护区与所述绝缘层和慢蚀刻反应层中的至少一个保持为一体，并延伸所述间隙的高度。
6.权利要求5的方法，其特征在于，所述形成绝缘层的步骤是通过淀积法。
7.权利要求6的方法，其特征在于，淀积是由等离子体增强化学汽相淀积法形成的。
8.权利要求7的方法，其特征在于，所述表面是在基底上，所述基底由硅组成，所述绝缘层是硅氧化物。
9.权利要求6的方法，其特征在于，所述表面是在覆盖层上，所述覆盖层是由玻璃构成，具有相对慢的蚀刻反应半透明导电层。
10.权利要求9的方法，其特征在于，所述的慢蚀刻反应导电层是由铟锡氧化物构成。
11.一种液晶显示装置，该液晶显示装置在基底和覆盖层之间的间隙中有象素单元的液晶填充的象素位置的阵列，象素单元之间有间隔，基底与覆盖层周围的粘结剂区域，提供所述覆盖层到基底的外缘密封，其特征在于包括：
象素位置区域，位于所述外缘密封区内的所述基底上，并由基底和相对的覆盖层界定的间隙定位；
圆柱，与所述基底及所述覆盖层之一合为一体，位于所述象素位置区域中；阻挡体，具有开口并且与所述基底及所述覆盖层之一合为一体，位于所述象素位置区域和所述***密封区之间；
所述圆柱和所述阻挡体的高度为所述间隙的距离。
12.权利要求11的液晶显示装置，其特征在于，所述阻挡体平行交错排列。
13.权利要求12的液晶显示装置，其特征在于，所述圆柱包括在所述***密封区的边缘上的多个圆柱。
14.权利要求12的液晶显示装置，其特征在于，所述圆柱是位于两个所述象素单元之间的所述间隔之一中。
15.一种液晶显示装置的中间制造产品，该液晶显示装置具有在覆盖层和基底之间的一个间隙距离，其特征在于该中间制造产品包括：
一个单元，它是所述基底和所述覆盖层之一，具有在一个表面上带有电路的象素位置显示区域，该表面含有围绕边缘的密封区域；
圆柱，与所述单元合为一体，位于所述象素位置区域中；分段的阻挡体，段之间至少有一个开口，与所述单元成为一体，并且位于所述象素位置区域和所述密封区域之间；及
所述圆柱和所述阻挡体的高度为所述间隙的距离。
16.权利要求15的中间制造产品，其特征在于，所述分段的阻挡体平行交错排列。
17.权利要求15的中间制造产品，其特征在于，所述圆柱包括了在所述密封区边缘的多个圆柱。
18.权利要求16的中间制造产品，其特征在于，所述圆柱位于分离所述两个象素单元的位置处。
19.一种液晶显示结构的中间制造产品，该液晶显示结构在基底和带有覆盖层的导电层之间有一间隙，该中间制造产品其特征在于：
所述基底具有在一个表面上带有电路的象素位置显示区域，该表面含有围绕边缘的密封区域；
所述基底具有多个圆柱，圆柱与所述基底合为一体，在所述基底上方延伸一段距离，该距离确定了所述的间隙；
所述基底具有分段的阻挡体，该阻挡***于所述显示区和所述***密封区之间，其高度在所述的基底上方延伸，等于所述间隙；及
所述覆盖层位于所述显示结构之上，由所述的圆柱和所述的分段的阻挡体支持，阻挡部件与所述导电层相接触，并且
在所述的密封区域中与所述基底密封。
20.权利要求19的中间制造产品，其特征在于，所述分段的阻挡体是平行交错排列结构。
21.权利要求19的中间制造产品，其特征在于，所述分段的阻挡体包括定位在并且围绕在所述显示结构的一侧上的中心填充区域的分段的阻挡体。
22.一种液晶显示结构，该液晶显示结构在基底和带有覆盖层的导电层之间有一间隙，其特征在于：
所述基底具有在一个表面上的带有电路的象素位置显示区域，该表面含有围绕边缘的密封区域；
所述带有覆盖层的导电层有多个圆柱，与所述导电层合为一体，并且从所述导电层中伸出一段距离，该距离确定所述间隙；
所述带有覆盖层的导电层至少有一分段的阻挡体，它位于所述导电层上的一个位置处，该位置对应于在所述显示区域与所述基底上的所述***密封区域之间的一个区域中，所述阻挡体具有从所述导电层延伸出的一个距离的高度，该距离等于所述间隙，并且所述基底位于所述带有覆盖层的导电层之上，导电层由所述圆柱和所述至少一个分段的阻挡体支持，并且被密封到所述密封区的所述基底。
23.权利要求22的显示结构，其特征在于，所述至少一个分段阻挡体是平行交错排列结构。
24.权利要求22的显示结构，其特征在于，所述至少一个分段的阻挡体包括定位在并且围绕在所述显示结构的一侧上的中心填充区域的分段的阻挡体。
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