JPH01271725A - 液晶素子 - Google Patents
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- JPH01271725A JPH01271725A JP62186134A JP18613487A JPH01271725A JP H01271725 A JPH01271725 A JP H01271725A JP 62186134 A JP62186134 A JP 62186134A JP 18613487 A JP18613487 A JP 18613487A JP H01271725 A JPH01271725 A JP H01271725A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G—PHYSICS
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- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、強誘電性液晶を用い、かつスイッチング素
子として薄膜トランジスタを用いた液晶素子に関する。
子として薄膜トランジスタを用いた液晶素子に関する。
「従来の技術」
カイラルスメスチックＣ相を呈する強誘電性液晶を用い
た液晶素子は、この強誘電性液晶が双安定状態を有し、
表示のメモリ性を持ち、かつ高速の応答性を備えている
ことから、メモリ形デイスプレィ、高速シャッタなどに
応用されつつあり、特にマトリックス画素構造を有し大
面積の表示を必要とする大容量デイスプレィには好適に
用いられるものとされている。そして、このような大面
積の表示を必要とする液晶素子には、通常各画素毎にス
イッチング素子として薄膜トランジスタが形成されてい
る。
た液晶素子は、この強誘電性液晶が双安定状態を有し、
表示のメモリ性を持ち、かつ高速の応答性を備えている
ことから、メモリ形デイスプレィ、高速シャッタなどに
応用されつつあり、特にマトリックス画素構造を有し大
面積の表示を必要とする大容量デイスプレィには好適に
用いられるものとされている。そして、このような大面
積の表示を必要とする液晶素子には、通常各画素毎にス
イッチング素子として薄膜トランジスタが形成されてい
る。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、上記の強誘電性液晶型の液晶素子にあっては
、通常用いられているＴ Ｎ型の液晶素子に比べると層
面のくいちがいによる配向欠陥が発生し易く、−旦この
ような配向欠陥が発生すると元の配向状態に復帰するの
が困難であるという問題がある。このような配向欠陥は
、配向膜表面の異物の存在や配向処理方法のむらなどに
よっても発生するが、主に液晶セルが外力により変形を
受けてセルギャップが変化し、セル内で液晶の流動が生
ずることに起因して発生ずるものであり、表示コントラ
ストの低下やしきい電圧の変化などを招くなど、表示特
性に悪影響をもたらすものである。
、通常用いられているＴ Ｎ型の液晶素子に比べると層
面のくいちがいによる配向欠陥が発生し易く、−旦この
ような配向欠陥が発生すると元の配向状態に復帰するの
が困難であるという問題がある。このような配向欠陥は
、配向膜表面の異物の存在や配向処理方法のむらなどに
よっても発生するが、主に液晶セルが外力により変形を
受けてセルギャップが変化し、セル内で液晶の流動が生
ずることに起因して発生ずるものであり、表示コントラ
ストの低下やしきい電圧の変化などを招くなど、表示特
性に悪影響をもたらすものである。
また、この強誘電性液晶型の液晶素子では、液晶分子の
複屈折効果を利用して表示を行うことから、基板間の間
隔（以下セルギャップと呼称する）を均一にするのはも
とより、強誘電性液晶の双安定駆動特性の確保などのた
め、セルギャップを２μｍ程度の狭隙とする必要がある
。そして、２μｍ程度の狭隙を形成するための手段とし
て、例えば基板間に直径２μｍ程度の酸化アルミニウム
、二酸化ケイ素などの無機粒子をスペーサとして散布し
、さらに粒径５〜ＩＯμｍ程度のエポキシ等の粒子状接
着剤を分散させ、上下両基板を加熱処。
複屈折効果を利用して表示を行うことから、基板間の間
隔（以下セルギャップと呼称する）を均一にするのはも
とより、強誘電性液晶の双安定駆動特性の確保などのた
め、セルギャップを２μｍ程度の狭隙とする必要がある
。そして、２μｍ程度の狭隙を形成するための手段とし
て、例えば基板間に直径２μｍ程度の酸化アルミニウム
、二酸化ケイ素などの無機粒子をスペーサとして散布し
、さらに粒径５〜ＩＯμｍ程度のエポキシ等の粒子状接
着剤を分散させ、上下両基板を加熱処。
理して粒子状接着剤を溶融せしめ、これにより両基板を
接着固定するとともに、無機粒子からなるスペーサによ
って部分的なセルギャップの変化を抑えて均一なセルギ
ャップを得るといった方法が考えられる。
接着固定するとともに、無機粒子からなるスペーサによ
って部分的なセルギャップの変化を抑えて均一なセルギ
ャップを得るといった方法が考えられる。
しかしながらこの液晶素子にあっては、両基板を接着固
定するに際し粒子状接着剤の分散が悪いと、複数個の接
着剤が集合密着し、両基板を接着した後に潰れて数十μ
ｍ程度の大きさとなる場合があり、これによって均一な
セルギャップが得られず、表示品位が低下するという問
題がある。また、開口部内で粒子状接着剤が接着固化さ
れた場合、肉眼で観察するデイスプレィでは問題になら
ない程度でも開口部の小さいプリンター用シャッターア
レイ等ではコントラストが低下して不良となる恐れがあ
る。さらに、スペーサとして用いた無機粒子が対向基板
と薄膜トランジスタとの間に挟まった場合、該無機粒子
が薄膜トランジスタのなかに押し込まれて薄膜トランジ
スタを破壊するという恐れがある。
定するに際し粒子状接着剤の分散が悪いと、複数個の接
着剤が集合密着し、両基板を接着した後に潰れて数十μ
ｍ程度の大きさとなる場合があり、これによって均一な
セルギャップが得られず、表示品位が低下するという問
題がある。また、開口部内で粒子状接着剤が接着固化さ
れた場合、肉眼で観察するデイスプレィでは問題になら
ない程度でも開口部の小さいプリンター用シャッターア
レイ等ではコントラストが低下して不良となる恐れがあ
る。さらに、スペーサとして用いた無機粒子が対向基板
と薄膜トランジスタとの間に挟まった場合、該無機粒子
が薄膜トランジスタのなかに押し込まれて薄膜トランジ
スタを破壊するという恐れがある。
この発明は」二記事情に鑑みてなされたもので、強誘電
性液晶の双安定駆動特性を確保し得るセルギャップを備
え、さらに配向欠陥の発生を防止して良好な表示特性を
呈する液晶素子を提供することを目的とするものである
。
性液晶の双安定駆動特性を確保し得るセルギャップを備
え、さらに配向欠陥の発生を防止して良好な表示特性を
呈する液晶素子を提供することを目的とするものである
。
「問題点を解決するための手段」
この発明の液晶素子では、薄膜トランジスタを基板間の
スペーサとするか、あるいはこの薄膜トランジスタを形
成した基板上に該薄膜トランジスタに対応するダミーを
形成してこのダミーを基板間のスペーサとし、該スペー
サと、該スペーサが形成された基板に対向する基板とを
接着剤で接合したことを上記問題点の解決手段とした。
スペーサとするか、あるいはこの薄膜トランジスタを形
成した基板上に該薄膜トランジスタに対応するダミーを
形成してこのダミーを基板間のスペーサとし、該スペー
サと、該スペーサが形成された基板に対向する基板とを
接着剤で接合したことを上記問題点の解決手段とした。
したがって本発明の液晶素子にあっては、スペーサとし
ての薄膜トランジスタの厚さ、あるいはこの薄膜トラン
ジスタに対応するダミーの厚さが精度良く形成されるこ
とから、液晶素子の全域に亙ってセルギャップが均一な
狭隙となり、また該スペーサと、該スペーサが形成され
た基板に対向する基板とを接着剤で接合したので、液晶
セルに不測の外力が加わった場合などにも両基板間のセ
ルギャップの変化が抑制される。
ての薄膜トランジスタの厚さ、あるいはこの薄膜トラン
ジスタに対応するダミーの厚さが精度良く形成されるこ
とから、液晶素子の全域に亙ってセルギャップが均一な
狭隙となり、また該スペーサと、該スペーサが形成され
た基板に対向する基板とを接着剤で接合したので、液晶
セルに不測の外力が加わった場合などにも両基板間のセ
ルギャップの変化が抑制される。
以下、この発明の液晶素子の一興体例をその製遣方法に
Ｊ：り説明する。なお、ここで説明する液晶素子は、画
素電極と薄膜トランジスタとの１組で構成された画素構
成要素がマトリックス状に多数形成されたもので、大容
量のデイスプレィなどに適用されるものである。
Ｊ：り説明する。なお、ここで説明する液晶素子は、画
素電極と薄膜トランジスタとの１組で構成された画素構
成要素がマトリックス状に多数形成されたもので、大容
量のデイスプレィなどに適用されるものである。
まず、第１図に示すように常法によってガラス製基板１
，２の内面にそれぞれＩＴＯ等からなる透明電極３およ
び画素電極４．４・・・を形成する。
，２の内面にそれぞれＩＴＯ等からなる透明電極３およ
び画素電極４．４・・・を形成する。
この場合、画素電極４．４ はマトリックス状に形成配
置されたものである。
置されたものである。
次に、画素電極４．４・・を形成したガラス製基板２の
内面に、該画素電極４．４・・にそれぞれ対応せしめて
薄膜トランジスタ５．５・を形成する。
内面に、該画素電極４．４・・にそれぞれ対応せしめて
薄膜トランジスタ５．５・を形成する。
これら薄膜トランジスタ５．５・・は周知の構成からな
るものであって、それぞれ第２図に示すようにガラス製
基板２七に形成されたゲート電極６と、ガラス製基板２
上にケート電極６を覆って形成された第１の絶縁膜７と
、この第１の絶縁膜７上に形成された半導体膜８と、こ
の半導体膜８」二に形成されたソース電極９およびドレ
イン電極１０と、これらソース電極９およびドレイン電
極ＩＯを覆って形成された第２の絶縁膜１１と、この第
２の絶縁膜ｌｌ上でゲート電極６の直」二の位置に形成
されたライトシールド１２などからなるものである。
るものであって、それぞれ第２図に示すようにガラス製
基板２七に形成されたゲート電極６と、ガラス製基板２
上にケート電極６を覆って形成された第１の絶縁膜７と
、この第１の絶縁膜７上に形成された半導体膜８と、こ
の半導体膜８」二に形成されたソース電極９およびドレ
イン電極１０と、これらソース電極９およびドレイン電
極ＩＯを覆って形成された第２の絶縁膜１１と、この第
２の絶縁膜ｌｌ上でゲート電極６の直」二の位置に形成
されたライトシールド１２などからなるものである。
そして、このような薄膜トランジスタ５を作製するには
、まずモリブデン、クロムなどからなるゲート電極６を
形成し、次にガラス製基板２上に上記ゲート電極６を覆
って窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの第１の絶縁膜７を被
覆形成する。次いで、この第１の絶縁膜７上に水素化ア
モルファスンリコンなどの半導体膜８を被覆形成し、さ
らにこの半導体膜８の上にソース電極９およびドレイン
電極１０を形成する。その後、ソース電極９およびドレ
イン電極１０を覆って窒化ケイ素などの第２の絶縁膜１
１を被覆形成し、さらにゲート電極６の直」二となる位
置にライトシールド１２を形成して薄膜トランジスタ５
を得る。ここで、該薄膜トランジスタ５．５・を構成す
る各要素は、厚さあるいは形状等がそれぞれ精度良く形
成され、したがってこれら各要素を積層してなる薄膜ト
ランジスタ５．５・・は全で均一な厚さを有するものと
なる。また、これら薄膜トランジスタ５．５・・におい
て、例えば第１の絶縁膜７の厚さは３３０ｎｍ程度、半
導体膜８は２５０ ｎｍ程度、ソース電極９およびドレ
イン電極１０は５６０ ｎｍ程度、第２の絶縁膜１１は
５５０ ｎｍ程度などとされ、これにより薄膜トランジ
スタ５全体としては２μｍ程度の所定の厚さとされる。
、まずモリブデン、クロムなどからなるゲート電極６を
形成し、次にガラス製基板２上に上記ゲート電極６を覆
って窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの第１の絶縁膜７を被
覆形成する。次いで、この第１の絶縁膜７上に水素化ア
モルファスンリコンなどの半導体膜８を被覆形成し、さ
らにこの半導体膜８の上にソース電極９およびドレイン
電極１０を形成する。その後、ソース電極９およびドレ
イン電極１０を覆って窒化ケイ素などの第２の絶縁膜１
１を被覆形成し、さらにゲート電極６の直」二となる位
置にライトシールド１２を形成して薄膜トランジスタ５
を得る。ここで、該薄膜トランジスタ５．５・を構成す
る各要素は、厚さあるいは形状等がそれぞれ精度良く形
成され、したがってこれら各要素を積層してなる薄膜ト
ランジスタ５．５・・は全で均一な厚さを有するものと
なる。また、これら薄膜トランジスタ５．５・・におい
て、例えば第１の絶縁膜７の厚さは３３０ｎｍ程度、半
導体膜８は２５０ ｎｍ程度、ソース電極９およびドレ
イン電極１０は５６０ ｎｍ程度、第２の絶縁膜１１は
５５０ ｎｍ程度などとされ、これにより薄膜トランジ
スタ５全体としては２μｍ程度の所定の厚さとされる。
次いで、第３図に示すように薄膜トランジスタ５．５・
・・上に粒子状の接着剤１３．１３・・を塗布し、さら
にガラス製基板１の透明電極３を形成した側の周辺部に
エポキシ系接着剤などからなる図示しない封着材を塗布
する。ここで、接着剤１３としては、例えば「トレパー
ルＥＰ−ＡＤＪ（商品名、東し製）、［真糸球ΔＷＪ（
商品名：触媒化成製）などが用いられる。
・・上に粒子状の接着剤１３．１３・・を塗布し、さら
にガラス製基板１の透明電極３を形成した側の周辺部に
エポキシ系接着剤などからなる図示しない封着材を塗布
する。ここで、接着剤１３としては、例えば「トレパー
ルＥＰ−ＡＤＪ（商品名、東し製）、［真糸球ΔＷＪ（
商品名：触媒化成製）などが用いられる。
次いで、第１図に示すようにガラス製基板１の透明電極
３を形成した側をガラス製基板２に対向させ、上記薄膜
トランジスタ５．５・・をスペーサとして利用し、これ
ら薄膜トランジスタ５．５・・・上の接着剤１３．１３
”・・・の上に上記ガラス製基板１を載置し、接着剤１
３．１３・・および上記封着材を固着せしめて該ガラス
基板１と薄膜トランジスタ５．５・・・、ガラス製基板
ｌとガラス製基板２をそれぞれ接合し、セルとする。こ
の場合、セルギャップ（正確には透明電極３、画素電極
４．４・・・の厚さを差し引いたものとなる）はスペー
サ、すなわち薄膜トランジスタ５の厚さと、固着した接
着剤１３の厚さとによって定まる一定の値を取る。
３を形成した側をガラス製基板２に対向させ、上記薄膜
トランジスタ５．５・・をスペーサとして利用し、これ
ら薄膜トランジスタ５．５・・・上の接着剤１３．１３
”・・・の上に上記ガラス製基板１を載置し、接着剤１
３．１３・・および上記封着材を固着せしめて該ガラス
基板１と薄膜トランジスタ５．５・・・、ガラス製基板
ｌとガラス製基板２をそれぞれ接合し、セルとする。こ
の場合、セルギャップ（正確には透明電極３、画素電極
４．４・・・の厚さを差し引いたものとなる）はスペー
サ、すなわち薄膜トランジスタ５の厚さと、固着した接
着剤１３の厚さとによって定まる一定の値を取る。
その後、上記ガラス製基板１．２からなるセル内にカイ
ラルスメクチックＣ相を呈する強誘電性液晶を注入して
液晶部１４を形成し、さらにこのセルに図示しない偏光
板等を設置づて液晶素子とする。ここで、強誘電性液晶
としては、ＭＢＲ−８、ＭＯＲＡ−８あるいはＣ９−１
０１’４（商品名：ヂッソ（株）製）などが用いられる
。
ラルスメクチックＣ相を呈する強誘電性液晶を注入して
液晶部１４を形成し、さらにこのセルに図示しない偏光
板等を設置づて液晶素子とする。ここで、強誘電性液晶
としては、ＭＢＲ−８、ＭＯＲＡ−８あるいはＣ９−１
０１’４（商品名：ヂッソ（株）製）などが用いられる
。
このようにして得られた液晶素子にあっては、各画素電
極４．４・・・に対応して形成配置される複数の薄膜ト
ランジスタ５．５・・・をスペーサとじているので、各
薄膜トランジスタ５．５ ・の厚さがそれぞれ精度良く
形成されていることから液晶素子の全域に亙ってセルギ
ャップが均一になる。また、薄膜トランジスタ５．５・
・からなるスペーサとガラス製基板１とを接着剤１３．
１３・・で接合したので、液晶セルに不測の外力が加わ
った場合などにも内基板間のセルギャップの変化が抑制
され、よっ゛てこのセルギャップの変化に起因する表示
コントラストの低下やしきい電圧の変化などが防止され
る。さらに、スペーサとして無機粒子を用いないため、
無機粒子がガラス製基板ｌと薄膜トランジスタ５．５・
との間に挟まって薄膜トランジスタを破壊するといった
恐れがなくなる。
極４．４・・・に対応して形成配置される複数の薄膜ト
ランジスタ５．５・・・をスペーサとじているので、各
薄膜トランジスタ５．５ ・の厚さがそれぞれ精度良く
形成されていることから液晶素子の全域に亙ってセルギ
ャップが均一になる。また、薄膜トランジスタ５．５・
・からなるスペーサとガラス製基板１とを接着剤１３．
１３・・で接合したので、液晶セルに不測の外力が加わ
った場合などにも内基板間のセルギャップの変化が抑制
され、よっ゛てこのセルギャップの変化に起因する表示
コントラストの低下やしきい電圧の変化などが防止され
る。さらに、スペーサとして無機粒子を用いないため、
無機粒子がガラス製基板ｌと薄膜トランジスタ５．５・
との間に挟まって薄膜トランジスタを破壊するといった
恐れがなくなる。
なお、上記例では、薄膜トランジスタ５．５・上に塗布
する接着剤に粒子状の接着剤を用いたが、これに限定さ
れることなく、その形状や液状、粉末状等の状態、さら
にはその硬化タイプなどは任意とされる。
する接着剤に粒子状の接着剤を用いたが、これに限定さ
れることなく、その形状や液状、粉末状等の状態、さら
にはその硬化タイプなどは任意とされる。
次に、この発明の液晶素子の他の具体例を説明する。
第４図は液晶素子を示すものである。この液晶素子が第
１図に示した液晶素子と異なるところは、薄膜トランジ
スタ５．５・・に対応してダミー１５．１５を形成し、
これらダミー１５．１５をスペーサとした点である。
１図に示した液晶素子と異なるところは、薄膜トランジ
スタ５．５・・に対応してダミー１５．１５を形成し、
これらダミー１５．１５をスペーサとした点である。
第４図に示した液晶素子において、ガラス製基板２内面
には画素電極４．４・・の側部にそれぞれスイッチング
素子として薄膜トランジスタ５．５・・・が配置されて
おり、これら薄膜トランジスタ５．５・・・の近傍には
ガラス製基板１．２間のスペーサとしてダミー１５．１
５・・が形成されている。これらダミー１５．１５・・
は、それぞれ画素電極４．４・および薄膜トランジスタ
５．５・・に対応して形成されたものであり、画素電極
４．４・・・に対応する偽画素電極（図示せず）、薄膜
トランジスタ５のゲート電極６に対応する偽ゲート電極
（図示せず、以下同様）、第１の絶縁膜７に対応する偽
第１絶縁膜、同様に偽半導体膜、偽ソース−ドレイン電
極、偽第２絶縁膜、偽ライトシールドなどが順次積層さ
れて構成されたものである。また、これらダミー１５．
１５・・は、画素電極４．４・あるいは薄膜トランジス
タ５．５・と短絡することがないよう、いずれもガラス
製基板２」二で島状に孤立して形成配置されたものであ
る。さらに、ダミー１５の各要素は、対応する画素電極
４および薄膜トランジスタ５の各要素とそれぞれ同一の
厚さを有しており、これによってダミー１５は、薄膜ト
ランジスタ５に比して偽画素電極の厚さに相当する分だ
け厚いものとなっている。
には画素電極４．４・・の側部にそれぞれスイッチング
素子として薄膜トランジスタ５．５・・・が配置されて
おり、これら薄膜トランジスタ５．５・・・の近傍には
ガラス製基板１．２間のスペーサとしてダミー１５．１
５・・が形成されている。これらダミー１５．１５・・
は、それぞれ画素電極４．４・および薄膜トランジスタ
５．５・・に対応して形成されたものであり、画素電極
４．４・・・に対応する偽画素電極（図示せず）、薄膜
トランジスタ５のゲート電極６に対応する偽ゲート電極
（図示せず、以下同様）、第１の絶縁膜７に対応する偽
第１絶縁膜、同様に偽半導体膜、偽ソース−ドレイン電
極、偽第２絶縁膜、偽ライトシールドなどが順次積層さ
れて構成されたものである。また、これらダミー１５．
１５・・は、画素電極４．４・あるいは薄膜トランジス
タ５．５・と短絡することがないよう、いずれもガラス
製基板２」二で島状に孤立して形成配置されたものであ
る。さらに、ダミー１５の各要素は、対応する画素電極
４および薄膜トランジスタ５の各要素とそれぞれ同一の
厚さを有しており、これによってダミー１５は、薄膜ト
ランジスタ５に比して偽画素電極の厚さに相当する分だ
け厚いものとなっている。
そして、これらダミー１５．１５・・・上には、接着剤
１３．１３・・が塗布され固着されることにより、ガラ
ス製基板ｌが接合されている。
１３．１３・・が塗布され固着されることにより、ガラ
ス製基板ｌが接合されている。
このような構成のもとにガラス製基板１．２間（正確に
は透明電極３とガラス製基板２との間）には、ダミー１
５．１５・・・がスペーサとして配置され、これにより
セルギャップがダミー１５の厚さと、固着した接着剤１
３の厚さとによって定まる一定の値を取る。
は透明電極３とガラス製基板２との間）には、ダミー１
５．１５・・・がスペーサとして配置され、これにより
セルギャップがダミー１５の厚さと、固着した接着剤１
３の厚さとによって定まる一定の値を取る。
なお、この例おいては、ダミー１５、＋５・をそれぞれ
薄膜トランジスタ５．５・・・の近傍に形成＝１１− 配置したが、これに限定されることなく、ダミー１５．
１５・・・を任意の位置に、さらに任意の個数形成配置
してもよい。 ・ このような液晶素子にあっても、各薄膜トランジスタ５
．５・・・に対応して形成配置された複数のダミー１５
、＋５・・・をスペーサとしているので、各ダミー１５
．１５・・・の厚さがそれぞれ精度良く形成されている
ことから液晶素子の全域に亙ってセルギャップが均一に
なる。また、ダミー１５．１５・・・が薄膜トランジス
タ５．５・・よりやや厚く（上記例では偽画素電極と固
着した接着剤１３に相当する分だけ厚く ）なっている
ため、薄膜トランジスタ５．５・・・がガラス製基板１
に押圧されて破壊され゛るという不都合が防止される。
薄膜トランジスタ５．５・・・の近傍に形成＝１１− 配置したが、これに限定されることなく、ダミー１５．
１５・・・を任意の位置に、さらに任意の個数形成配置
してもよい。 ・ このような液晶素子にあっても、各薄膜トランジスタ５
．５・・・に対応して形成配置された複数のダミー１５
、＋５・・・をスペーサとしているので、各ダミー１５
．１５・・・の厚さがそれぞれ精度良く形成されている
ことから液晶素子の全域に亙ってセルギャップが均一に
なる。また、ダミー１５．１５・・・が薄膜トランジス
タ５．５・・よりやや厚く（上記例では偽画素電極と固
着した接着剤１３に相当する分だけ厚く ）なっている
ため、薄膜トランジスタ５．５・・・がガラス製基板１
に押圧されて破壊され゛るという不都合が防止される。
さらに、先の例の場合と同様にダミー１５．１５・から
なるスペーサとガラス製基板！とを接着剤１３．１３・
・・で接合したので、液晶セルに不測の外力が加わった
場合などにも両系板間のセルギャップの変化が抑制され
、よってこのセルギャップの変化に起因する表示コント
ラストの低下やしきい電圧の変化などが防止される。ま
た、スペーサとして無機粒子を用いないため、無機粒子
がガラス製基板ｌと薄膜トランジスタ５．５・・・との
間に挟まって薄膜トランジスタを破壊するといった恐れ
がなくなる。
なるスペーサとガラス製基板！とを接着剤１３．１３・
・・で接合したので、液晶セルに不測の外力が加わった
場合などにも両系板間のセルギャップの変化が抑制され
、よってこのセルギャップの変化に起因する表示コント
ラストの低下やしきい電圧の変化などが防止される。ま
た、スペーサとして無機粒子を用いないため、無機粒子
がガラス製基板ｌと薄膜トランジスタ５．５・・・との
間に挟まって薄膜トランジスタを破壊するといった恐れ
がなくなる。
「実施例」
以下、この発明の液晶素子の一実施例をその製造方法に
より説明する。なお、ここで説明する実施例は上述した
例のうち、薄膜トランジスタをスペーサとしたものであ
る。
より説明する。なお、ここで説明する実施例は上述した
例のうち、薄膜トランジスタをスペーサとしたものであ
る。
まず、２枚のガラス製基板の表面に透明電極と画素電極
とを形成し、さらにスイッチング素子としてａ−８ｉ薄
膜トランジスタを上記画素電極を形成したガラス製基板
の各画素毎に形成してパターニングした。
とを形成し、さらにスイッチング素子としてａ−８ｉ薄
膜トランジスタを上記画素電極を形成したガラス製基板
の各画素毎に形成してパターニングした。
次に、薄膜トランジスタを形成していないガラス製基板
の周辺部に、紫外線硬化樹脂「ロックタイト３５０Ｊに
ホンロックタイト（株）製）を凸版オフセット機により
約４μｍの厚さとなるように塗布して封着材とし、さら
に薄膜トランジスタを形成したガラス製基板の薄膜トラ
ンジスタ上に、「ロックタイト３５０」を凹版オフセッ
ト印刷により約１μｍの厚さとなるように塗布した。
の周辺部に、紫外線硬化樹脂「ロックタイト３５０Ｊに
ホンロックタイト（株）製）を凸版オフセット機により
約４μｍの厚さとなるように塗布して封着材とし、さら
に薄膜トランジスタを形成したガラス製基板の薄膜トラ
ンジスタ上に、「ロックタイト３５０」を凹版オフセッ
ト印刷により約１μｍの厚さとなるように塗布した。
次いで、薄膜トランジスタ上に樹脂を介してガラス製基
板を載置し、両ガラス製基板を重ね合わせた後、紫外線
照射器にて紫外線を照射し、樹脂を硬化させて薄膜トラ
ンジスタとガラス製基板とを接合させるとともに、両ガ
ラス製基板を封着材により接着してセルとした。
板を載置し、両ガラス製基板を重ね合わせた後、紫外線
照射器にて紫外線を照射し、樹脂を硬化させて薄膜トラ
ンジスタとガラス製基板とを接合させるとともに、両ガ
ラス製基板を封着材により接着してセルとした。
このようにして作製したセルの基板間隔をマイケルソン
干渉計ｒＭＩ−μＳｊ（溝尻光学（株）製）にて測定し
たところ、２．２μｍであった。
干渉計ｒＭＩ−μＳｊ（溝尻光学（株）製）にて測定し
たところ、２．２μｍであった。
次いで、このセル内に強誘電性液晶ｒＣ９−＋０１４ｊ
（チッソ（株）製）を注入して液晶セルとし、注入口を
封止した後、等方性液体相より徐冷して液晶セル全体で
均一な配向が得られるようにした。
（チッソ（株）製）を注入して液晶セルとし、注入口を
封止した後、等方性液体相より徐冷して液晶セル全体で
均一な配向が得られるようにした。
その後、この液晶セルに偏光板等を取り付けて液晶素子
とした。そして、この液晶素子の特性を調べた結果、従
来の液晶素子に比較してセルの強度が増し、その変形に
起因する配向欠陥の発生が少なくなることが確認された
。
とした。そして、この液晶素子の特性を調べた結果、従
来の液晶素子に比較してセルの強度が増し、その変形に
起因する配向欠陥の発生が少なくなることが確認された
。
「発明の効果」
以」二説明したように、この発明の液晶素子は、薄膜ト
ランジスタを基板間のスペーサとするか、あるいはこの
薄膜トランジスタを形成した基板上に該薄膜トランジス
タに対応するダミーを形成してこのダミーを基板間のス
ペーサとし、該スペーサと、該スペーサが形成された基
板に対向する基板とを接着剤で接合したものであるから
、スペーサの厚さが精度良く形成されることにより液晶
素子の全域に亙ってセルギャップを均一で所望する狭隙
とすることができ、これにより強誘電性液晶の双安定駆
動特性を十分確保して良好な表示特性を得ることができ
る。また、スペーサと基板とを接着剤で接合したので、
液晶セルに不測の外力が加わった場合などにも両系板間
のセルギャップの変化を抑制することができ、よってこ
のセルギャップの変化に起因する配向欠陥の発生を防止
して表示コントラストの低下やしきい電圧の変化などの
不都合を防止することができる。
ランジスタを基板間のスペーサとするか、あるいはこの
薄膜トランジスタを形成した基板上に該薄膜トランジス
タに対応するダミーを形成してこのダミーを基板間のス
ペーサとし、該スペーサと、該スペーサが形成された基
板に対向する基板とを接着剤で接合したものであるから
、スペーサの厚さが精度良く形成されることにより液晶
素子の全域に亙ってセルギャップを均一で所望する狭隙
とすることができ、これにより強誘電性液晶の双安定駆
動特性を十分確保して良好な表示特性を得ることができ
る。また、スペーサと基板とを接着剤で接合したので、
液晶セルに不測の外力が加わった場合などにも両系板間
のセルギャップの変化を抑制することができ、よってこ
のセルギャップの変化に起因する配向欠陥の発生を防止
して表示コントラストの低下やしきい電圧の変化などの
不都合を防止することができる。
第１図ないし第３図はこの発明の液晶素子の一興体例を
示すもので、第１図は液晶素子の概略構成図、第２図は
薄膜トランジスタの概略構成図、第３図はこの液晶素子
の製造工程を説明するための要部断面図、第４図はこの
発明の液晶素子の他の具体例を示ず該略断面図である。 ｌ、２・・・・・・ガラス製基板、３・・・・・・透明
電極、４・・・・・・画素電極、５・・・・・・薄膜ト
ランジスタ、１３・・・・・・接着剤、１４・・・・・
・液晶部、１５・・ダミー。
示すもので、第１図は液晶素子の概略構成図、第２図は
薄膜トランジスタの概略構成図、第３図はこの液晶素子
の製造工程を説明するための要部断面図、第４図はこの
発明の液晶素子の他の具体例を示ず該略断面図である。 ｌ、２・・・・・・ガラス製基板、３・・・・・・透明
電極、４・・・・・・画素電極、５・・・・・・薄膜ト
ランジスタ、１３・・・・・・接着剤、１４・・・・・
・液晶部、１５・・ダミー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対向する一対の基板間の空隙に強誘電性液晶が注入され
、上記基板の少なくとも一方に薄膜トランジスタが形成
された液晶素子において、 上記薄膜トランジスタを基板間のスペーサとするか、あ
るいはこの薄膜トランジスタを形成した基板上に該薄膜
トランジスタに対応するダミーを形成してこのダミーを
基板間のスペーサとし、該スペーサと、該スペーサが形
成された基板に対向する基板とを接着剤で接合したこと
を特徴とする液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186134A JPH01271725A (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 | 液晶素子 |
| US07/180,299 US4842377A (en) | 1987-07-25 | 1988-04-12 | Liquid crystal device having "dummy" thin-film transistors as spacers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186134A JPH01271725A (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01271725A true JPH01271725A (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=16182966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62186134A Pending JPH01271725A (ja) | 1987-07-25 | 1987-07-25 | 液晶素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842377A (ja) |
| JP (1) | JPH01271725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003519392A (ja) * | 1998-12-19 | 2003-06-17 | キネテイツク・リミテツド | 離間して対向する基板を有するセル用スペーサ |
| JP2006338011A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示パネルとその製造方法 |
| WO2017215395A1 (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置、显示面板的制造方法及显示装置的制造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2618587B1 (fr) * | 1987-07-20 | 1992-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a cristal liquide, a electrodes opacifiees dans la zone non commutable de l'ecran et procedes d'obtention d'espaceurs et de traitement de cet ecran |
| KR940004290B1 (ko) * | 1991-11-27 | 1994-05-19 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 어드레스 방식의 액정표시소자와 그 제조 방법 |
| US5268782A (en) * | 1992-01-16 | 1993-12-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Micro-ridged, polymeric liquid crystal display substrate and display device |
| JPH0651250A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ |
| EP0603420B1 (en) * | 1992-07-15 | 2001-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display |
| TW373094B (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-01 | Hitachi Device Engineering Corp | Liquid crystal display device having a uniform liquid crystal layer thickness |
| JPH09127516A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| US5831710A (en) * | 1997-02-06 | 1998-11-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4448491A (en) * | 1979-08-08 | 1984-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
| US4561726A (en) * | 1983-07-29 | 1985-12-31 | At&T Bell Laboratories | Alignment of ferroelectric LCDs |
-
1987
- 1987-07-25 JP JP62186134A patent/JPH01271725A/ja active Pending
-
1988
- 1988-04-12 US US07/180,299 patent/US4842377A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003519392A (ja) * | 1998-12-19 | 2003-06-17 | キネテイツク・リミテツド | 離間して対向する基板を有するセル用スペーサ |
| JP4754072B2 (ja) * | 1998-12-19 | 2011-08-24 | キネテイツク・リミテツド | 離間して対向する基板を有するセル用スペーサ |
| JP2006338011A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示パネルとその製造方法 |
| US8040484B2 (en) | 2005-06-01 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having a constant cell gap and method of making the same |
| WO2017215395A1 (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置、显示面板的制造方法及显示装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4842377A (en) | 1989-06-27 |
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