CN115244673A - 用于衬底容器的歧管 - Google Patents

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CN115244673A CN202180018717.7A CN202180018717A CN115244673A CN 115244673 A CN115244673 A CN 115244673A CN 202180018717 A CN202180018717 A CN 202180018717A CN 115244673 A CN115244673 A CN 115244673A
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Abstract

本发明揭示一种衬底容器，其包含界定内部空间的壳体及具有进口及气体分配表面的歧管。所述壳体包含前开口、底壁及后壁。所述歧管附接到所述底壁且更靠近所述前开口而非所述后壁。所述气体分配表面经配置以将净化气体分配到所述内部空间中。一种净化开口衬底容器的方法包含将净化气体的第一流供应到歧管及将净化气体的第二流供应到所述衬底容器的内部空间。所述方法还包含所述歧管将所述第一流的所述净化气体分配于所述衬底容器的所述内部空间内。

Description

用于衬底容器的歧管
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2020年3月6日申请的第62/986,142号美国临时申请案的权利及优先权，所述申请案的全文出于全部目的以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及一种具有前开口的衬底容器。更具体来说，本公开涉及将净化气体供应到容器的内部。
背景技术
呈晶片形式的衬底可经处理以形成半导体装置。晶片衬底(或简称衬底)经历一系列工艺步骤。示范性工艺步骤可包含(但不限于)衬底的材料层沉积、掺杂、蚀刻或(若干)材料化学或物理反应。衬底容器用于存储及运送制造设施内工艺步骤之间的工艺中晶片。在一些工艺步骤期间，衬底在无尘环境(例如无尘室)内由处理设备处理。衬底可从衬底容器通过设备前端模块(EFEM)转移到处理工具。EFEM一般包含用于接收衬底容器的装载端口、转移单元、框架或“迷你环境”及用于在EFEM内产生气流的风扇过滤单元。
在使用中，使衬底容器对接于装载端口上，且打开EFEM 18的门。接着，使门从衬底容器脱离以允许收容于EFEM内的转移单元接取容纳于衬底容器内的衬底用于处理。由风扇过滤单元引入的气流“气体”沿从EFEM的顶部到EFEM的底部的方向流动通过EFEM。当衬底容器的前开口与EFEM的装载端口开口介接时，流动通过EFEM且横穿装载端口开口的一些气体可能意外导引到容器的内部中以可能通过暂时引起衬底容器的微环境内的相对湿度及/或氧含量增大来干扰衬底容器的净化能力，这不是我们期望的。
发明内容
在实施例中，一种净化打开前开口衬底容器的方法包含：将净化气体的第一流供应到所述衬底容器内的歧管的进口，所述歧管将所述净化气体分配于内部空间内；及将净化气体的第二流供应到所述内部空间。所述第一流经由更靠近所述前开口而非所述衬底容器的后壁的前进口端口来供应。所述第二流经由更靠近所述后壁而非所述衬底容器的后进口端口来供应。
在实施例中，一种衬底容器包含壳体及歧管。所述壳体界定内部空间且包含前开口、第一侧壁、第二侧壁、后壁及底壁。所述底壁具有沿所述壳体的所述前开口延伸于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的前边缘。所述歧管可附接到所述底壁、顶壁或侧壁或其某一组合中的任一者。在一个实施例中，所述歧管附接到所述底壁且更靠近所述前开口而非所述后壁。所述歧管包含用于接收净化气体的进口及经配置以将所述净化气体分配于所述内部空间内的气体分配表面。所述气体分配表面包含沿一个方向延伸于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的第一气体分配部分。在另一实施例中，所述歧管包含用于排放净化气体的出口。
附图说明
将通过以下图式来更好理解衬底容器及净化衬底容器的方法的所描述及其它特征、方面及优点。
图1是衬底容器的实施例的前透视图。
图2A是根据实施例的图1中的衬底容器在打开时的前透视图。
图2B是根据实施例的图2A中的衬底容器在附接到设备前端模块时的横截面图。
图3是根据实施例的图1中的衬底容器的仰视图。
图4是衬底容器的歧管的实施例的前透视图。
图5A是衬底容器的歧管的实施例的前透视图。
图5B是图5A中的歧管的分解图。
图6A是衬底容器的实施例的前透视图。
图6B是根据实施例的图6A中的衬底容器的歧管的分解图。
图7A是衬底容器的实施例的前透视图。
图7B是根据实施例的图7A中的衬底容器的歧管的前透视图。
图8A是衬底容器的实施例的前透视图。
图8B是根据实施例的图8A的衬底容器的横截面图。
图9A是衬底容器的实施例的前透视图。
图9B是图9A的衬底容器的仰视透视图。
图10是净化衬底容器的方法的实施例的框图。
尽管本公开可接受各种修改及替代形式，但其具体细节已依举例方式展示于图式中且将被详细描述。然而，应了解，我们不希望使本公开的方面受限于所描述的特定说明性实施例。相反地，希望涵盖落于本公开的精神及范围内的所有修改、等效物及替代物。
具体实施方式
如本说明书及所附权利要求书中所使用，除非本文另外明确指示，否则单数形式“一”及“所述”包含多个指涉物。如本说明书及所附权利要求书中所使用，除非本文另外明确指示，否则术语“或”一般用于意在包含“及/或”。
术语“约”一般是指被视为等效于所列值(例如具有相同功能或结果)的数值范围。在许多例子中，术语“约”可包含舍入到最近有效数字的数值。
应参考图式来解读以下详细描述，其中不同图式中的类似元件编号相同。详细描述及式(其未必按比例绘制)描绘说明性实施例且不希望限制本发明的范围。所描绘的说明性实施例仅意在例示。除非明确相反说明，否则任何说明性实施例的选定特征可并入到额外实施例中。
本公开大体上涉及一种用于衬底容器的前歧管，衬底容器具有用于进入衬底容器的内部空间的前开口。衬底容器用于(例如)在半导体制造期间载送衬底。更具体来说，本公开涉及一种歧管，其经配置以将净化气体分配于内部空间内以防止气体在打开时进入衬底容器的前开口。在一些实施例中，歧管可配置为出口以促进净化气体在衬底容器关闭时从衬底容器排放。
呈晶片形式的衬底可经处理以形成半导体装置。衬底容器是用于在处理期间载送衬底的容器。衬底可在不同工艺步骤之前及不同工艺步骤期间存储于衬底容器内。通过衬底容器的前开口来进入衬底容器。衬底容器可为(例如)前开式晶片传送盒(FOUP)。
图1到3展示根据本公开的实施例的衬底容器1。图1及2A各自是衬底容器1的前透视图。图2B是衬底容器1在附接到设备前端模块3时的横截面图。图3是衬底容器1的仰视图。图中提供虚线来指示遮蔽特征(例如边缘、开口等等)。如图1中所展示，衬底容器1包含前门4及壳体6。前门4接收于壳体6的前开口12内且形成封闭内部空间8。下文将更详细讨论内部空间8。
图2A说明其中移除(例如打开)前门4的衬底容器1。如图2A中所展示，壳体6界定衬底容器1的内部空间8。衬底(例如图8A中的衬底590)存储于衬底容器1的内部空间8中。壳体6包含前开口12。门4接收于壳体6的前开口12内以封阻前开口12。衬底容器1可通过移动(例如打开、移除)门4来进入。例如，图1中的门4通过将门4***到壳体6中来接收于壳体6中。在实施例中，门4及壳体6中的一或多者可包含用于防止意外移除门4的锁定机构(图中未展示)。
如图2A中所展示，壳体6包含前开口12、第一侧壁14、第二侧壁16、后壁18及顶壁20及底壁22。第一侧壁14与第二侧壁16相对，且顶壁20与底壁22相对。第一侧壁14可指称左侧，而第二侧壁16可指称右侧。顶壁20及底壁22各自延伸于第一侧壁14与第二侧壁16之间。壳体6包含延伸于相对壁之间的前边缘。底壁22包含沿前开口12延伸的前边缘24A。前边缘24A还延伸于壳体6的第一侧壁14与第二侧壁16之间。第一侧壁14包含沿前开口12延伸的前边缘24B。第一侧壁14的前边缘24B还延伸于壳体6的顶壁20与底壁22之间。如图2A中所展示，在实施例中，前边缘24A、24B各自直接相邻于前开口12。
衬底容器1可在壳体6的顶壁20上包含设备挂钩26。在实施例中，设备挂钩26允许用于移动衬底容器1的标准自动附件(图中未展示)(例如(但不限于)自动臂)连接到衬底容器1。例如，自动臂可用于在不同处理设备之间移动衬底容器1。在实施例中，衬底容器1可包含允许用户(例如技术人员等等)手动移动衬底容器1的一或多个手把(图中未展示)。
衬底容器1可包含用于使衬底(图中未展示)保持于内部空间8中的多个层架28。第二侧壁16上的层架28的部分在图2A中被遮蔽，其可具有类似于第一侧壁14上的层架28上的部分的配置(例如图7A的衬底容器中的插槽)。层架28经设置大小以各自使衬底(图中未展示)保持于内部空间8内。例如，在实施例中，层架28经设置大小以保持特定大小的衬底(例如150mm晶片、200mm晶片等等)。
当衬底容器1打开时，可将净化气体供应到内部空间8以减少外部环境(例如气体、粒子、湿气等等)通过前开口12进入衬底容器1中。例如，所供应的净化气体经配置以从内部空间8通过前开口12流出，其有助于最小化任何向内流通过前开口12进入内部空间8。净化气体可为大体上惰性气体。净化气体可包含(例如但不限于)氮气、清洁干燥空气(CDA)及超清洁干燥空气(xCDA)中的一或多者。
相反地，当门4接收于前开口12内且衬底容器1关闭时，净化气体可继续供应到衬底容器1的内部空间8。净化气体可通过一或多个歧管排放到衬底容器1的外部(例如本文中根据各种实施例所描述)，歧管可充当进口及出口两者或仅充当出口，这取决于配置及所要应用。内部空间8内的净化气体的正压产生扩散梯度以促进净化气体从内部空间流动通过一或多个出口而到衬底容器外。在一些实施例中，(若干)歧管可包含允许空气引入到内部空间8中及/或允许空气从内部空间排出(其取决于空气的定向流动)的止回阀。
衬底容器1包含用于将净化气体供应到内部空间8中的多个进口端口34A、34B、36A、36B。例如，衬底容器1经配置以通过第一进口端口34A被供应净化气体的第一流f1、通过第二进口端口34B被供应净化气体的第二流f2。净化气体的另一流f3供应到后进口端口36A。衬底容器1包含将净化气体的第一流f1分配到内部空间8中的前歧管40。图2A中的前歧管40还分配净化气体的第二流f2。
图2B是衬底容器1在附接到设备前端模块3时的横截面图。当衬底容器1附接到设备前端模块3时，前开口12沿设备前端模块的内部定位。气流f4(例如xCDA或氮气)经持续导引通过设备前端模块3的内部以减少设备前端模块3内的污染物。气流f4流动通过前开口12(例如沿方向D1)。前歧管40经配置以沿前开口12分配净化气体以抵制通过前开口12进入内部空间8的气体紊流。流动通过设备前端模块的气体的进入可暂时引起衬底容器的微环境内的相对湿度及/或氧含量增大，这不是我们期望的。下文将更详细讨论前歧管40。
如图3中所展示，底壁22包含进口端口34A、34B、36A、36B。壳体6具有外表面30。例如，底壁22形成外表面30的部分。进口端口34A、34B、36A、36B各自从内部空间8(如图2A中所展示)延伸穿过底壁22而到壳体6的外表面30。衬底容器1包含四个进口端口34A、34B、36A、36B。然而，在实施例中，衬底容器1可包含不同数目个进口端口34A、34B、36A、36B。在实施例中，衬底容器1可包含一或多个进口端口34A、34B、36A、36B。在实施例中，衬底容器1可包含一或多个前进口端口34A、34B及一或多个后进口端口36A、36B。在实施例中，衬底容器1可包含用于后进口端口36A、36B中的每一者的分配结构(图中未展示)。在实施例中，前端口34A、34B中的一者可为将内部空间8中的气体放出到衬底容器1外的出口端口。
如图2A中所展示，前歧管40包含第一进口42A、第二进口42B、框架44及气体分配表面46。歧管40的第一进口42A附接到第一进口端口34A。歧管40的第二进口42B附接到第二进口端口34B。在图2A中，前歧管40连接到两个进口端口34A、34B。然而，在实施例中，前歧管40可连接到一或多个进口端口34A。在实施例中，前歧管40可连接到单个进口端口34A。在此实施例中，前歧管40可具有连接到单个进口端口34A的单个进口42A。
在图2A中，气体分配表面46包绕框架44。如图2中所展示，框架44具有大体上圆柱形形状。框架44具有沿气体分配表面46的长度L1安置的多个开口45。例如，开口45安置于大体上圆柱形框架的横向表面中。框架44内的净化气流通过(若干)开口45离开框架，流动通过覆盖(若干)开口45的分配表面46的(若干)部分，且分配到内部空间8中。
在实施例中，气体分配表面46由多孔材料制成。在实施例中，气体分配表面46由多孔材料制成。多孔材料是包含由微小开孔形成的通道的材料。多孔材料可包含(例如但不限于)非编织聚合物、烧结聚合物材料及聚合物薄膜。例如，烧结聚合物材料是通过至少将聚合物粒子烧结在一起来形成。聚合物是适合用于处置半导体晶片的聚合物，例如(但不限于)聚四氟乙烯(PTFE)、不饱和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。
流入到歧管40中的净化气体由气体分配表面46分配。气体分配表面46经配置以将流入到歧管40中的净化气体(例如净化气体的第一流f1、净化气体的第二流f2)分配到内部空间8中。在实施例中，气体分配表面46经配置以沿朝向前开口12的方向D2将净化气体的部分分配到内部空间8中。在实施例中，歧管40可包含用于导引净化气体沿方向D2从气体分配表面46流动的导流器(图中未展示)。在此实施例中，导流器可为通过卡扣到框架44上来附接的导流器上的卡扣。
如图2A中所展示，气体分配表面46具有沿方向DS延伸于壳体6的第一侧壁14与第二侧壁16之间的第一气体分配部分48A。第一气体分配部分48A还沿壳体6的底壁22的前边缘24A延伸。第一气体分配部分48A具有沿第一侧壁14与第二侧壁16之间的大部分距离d1延伸的长度L1。
如图2B中所展示，气体分配表面46的第一气体分配部分48A沿相对于壳体6的底壁22成角度α的方向D2将净化气体的部分分配到内部空间8中。图2B中的角度α相对于底壁22成30°。在实施例中，第一气体分配部分48A以相对于底壁22的从0°到180°的角度α(0≤α≤180)从1升/分钟(LPM)到50LPM分配。在实施例中，第一气体分配部分依相对于底壁22成90°或小于90°且大于0°的角度α(0<α≤90)分配净化气体的部分。在实施例中，第一表面分配表面部分48A经配置以从3LPM到300LPM分配净化气体。在实施例中，第一分配表面经配置以沿方向D2从3LPM到300LPM分配净化气体。
图4是根据本公开的另一实施例的前歧管140的前透视图。除下文将描述之外，歧管140以类似于图2的前歧管40的方式附接到衬底容器的内部空间内。歧管140经配置以沿其衬底容器的前开口将净化气体分散到内部空间中，如图2中针对歧管40所类似讨论。
歧管140包含进口142、框架144及分配表面146。进口142附接到衬底容器的壳体的底壁中的前进口端口(例如前进口端口34A、前进口端口34B)。进口142经配置以接收通过前进口端口的净化气体的流(例如净化气体的第一流f1、净化气体的第二流f2)。在图4中，歧管140包含单个进口142。然而，在实施例中，歧管140可包含多个进口142。例如，在实施例中，歧管140可包含类似于图2中的歧管40的两个进口。
分配表面146可包含第一气体分配部分148A、第二气体分配部分148B、第三气体分配部分148C及第四气体分配部分148D。表面分配部分148A到148D中的每一者定位成相邻于且在一些情况中附接到相邻于前开口的衬底容器的内部空间的不同壁(例如第一侧壁14、第二侧壁16、顶壁20、底壁22)。第一气体分配部分148A具有类似于图2A中的第一气体分配部分48A的位置。第二气体分配部分148B经配置以沿衬底容器的壳体的第二侧壁(例如壳体6的第一侧壁14)延伸。
第二气体分配部分148B延伸于壳体的顶壁与底壁之间(例如壳体6的顶壁20与底壁22之间)。第二气体分配部分148B还沿壳体的第一侧壁的前边缘(例如沿壳体6的第一侧壁14的前边缘24B)延伸。第二气体分配部分148B具有沿壳体的顶壁与底壁之间的大部分距离(例如沿壳体6的顶壁20与底壁22之间的大部分距离)延伸的长度L2。
第三气体分配部分148C以类似于上文相对于第二气体分配部分148B及壳体的第一侧壁所讨论的方式的方式沿壳体的第二侧壁(例如壳体6的第二侧壁16)定位。第四气体分配部分148D以类似于上文相对于第二气体分配部分148B及壳体的第一侧壁所讨论的方式的方式沿壳体的顶壁(例如壳体6的顶壁20)定位。
在一些实施例中，如图4中所描绘，气体分配表面146以类似于上文相对于图2中的气体分配表面46及框架44所讨论的方式的方式包绕框架144。框架144包含类似于图2中的开口45的(若干)开口145。开口145沿气体分配表面146的每一部分的长度定位。例如，框架144包含沿表面分配部分148A到148D中的每一者的(若干)开口145。在其它实施例中，气体分配部分148A到148D可类似于下文将参考图6A及6B展示及描述的气体分配部分那样配置且可包含由框架包围的薄膜或多孔材料。
在实施例中，表面分配部分148A到148D中的一或多者经配置以沿朝向壳体的前开口(例如朝向壳体6的前开口12)的方向D3将净化气体的部分分配到内部空间中。在实施例中，表面分配部分148A到148D中的每一者经配置以沿朝向壳体的前开口的方向D3将净化气体的部分分配到内部空间中。
图5A及5B展示根据本公开的另一实施例的前歧管240。图5A是前歧管240的前透视图。图5B是前歧管240的分解图。除下文将描述之外，歧管240以类似于图2A的前歧管40的方式附接于衬底容器的内部空间内。歧管240经配置以沿其衬底容器的前开口将净化气体分散到内部空间中，如图2A中针对歧管40所类似讨论。
歧管240包含两个进口242A、242B、框架244及薄膜247。薄膜247包含气体分配表面246。进口242A、242B附接到衬底容器的壳体的底壁中的第一前进口端口及第二前进口端口(例如第一前进口端口34A、第二前进口端口34B)。进口242A、242B各自经配置以接收通过其相应前进口端口的净化气体的相应流(例如净化气体的第一流f1、净化气体的第二流f2)。图5A及5B中的歧管240包含两个进口242A、242B。然而，在实施例中，歧管240可包含不同数目个进口242A、242B。例如，在实施例中，歧管240可包含类似于图4中的歧管140的单个进口242A、242B。
气体分配表面246包含第一气体分配部分248A、第二气体分配部分248B、第三气体分配部分248C及第四气体分配部分248D。表面分配部分248A到248D中的每一者沿相邻于前开口的衬底容器的内部空间的不同壁(例如第一侧壁14、第二侧壁16、顶壁20、底壁22)延伸。例如，第一气体分配部分248A具有类似于图2中的第一气体分配部分48A的位置。例如，第二气体分配部分248B、第三气体分配部分248C及第四气体分配部分248D各自具有类似于上文针对图4中的歧管140的第二气体分配部分148B、第三气体分配部分148C及第四气体分配部分148D所讨论的位置的位置。
图5B说明与框架244分离时的薄膜247。在实施例中，薄膜247可附接到框架244。薄膜247可通过(例如但不限于)热接合来附接到框架244。在实施例中，薄膜247可为裸片切割薄膜或薄膜片。薄膜是多孔材料的实例。在实施例中，多孔材料可为非编织聚合物、烧结聚合物材料及聚合物薄膜中的一者(例如薄膜247)。薄膜247包含一或多个聚合物。薄膜247的(若干)聚合物是适合用于处置半导体晶片的聚合物，例如(但不限于)聚四氟乙烯(PTFE)、不饱和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。在实施例中，烧结材料或非编织聚合物可用于代替薄膜247。
框架244包含通道249。薄膜247沿通道249定位。来自进口242A、242B的净化气体流动通过通道249，接着通过薄膜247而离开歧管240。薄膜247将净化气体分配到内部空间中。更具体来说，薄膜247的分配表面246将净化气体分配到内部空间中。
前歧管240经配置使得气体分配表面246沿朝向衬底容器的壳体的前开口(例如前开口12)的方向D4分配净化气体的至少部分。在实施例中，框架244可经配置以使气体分配表面246分配净化气体的方向D4成角度。
在图5A及5B中，歧管240经配置以沿衬底容器的前开口的整个***延伸。然而，在实施例中，歧管240可经配置以沿衬底容器的一或多个壁延伸。例如，在实施例中，歧管240可仅沿衬底容器的底壁(例如壳体6的底壁22)延伸，类似于图2中的歧管40。
图6A是衬底容器300的实施例的前透视图。图6A中移除衬底容器300的前门(例如，衬底容器300打开)。衬底容器300由类似于图1中的前门4的前门关闭。衬底容器300包含壳体306及前歧管340。除相对于前歧管340之外，衬底容器300可具有类似于图1到3中的衬底容器1的结构及配置。例如，衬底容器300包含内部空间308、前开口312、第一侧壁314及第二侧壁316、具有前边缘324A的底壁322及壳体306的底壁322中的端口334A、334B、336A、336B，类似于图1到3中的衬底容器1。在实施例中，衬底容器300及其壳体306可具有上文相对于图1到3中的衬底容器1所类似讨论的特征(例如额外进口、单个后进口、插槽等等)。
如图6A中所展示，净化气体的第一流f1可通过壳体306的底壁322中的第一进口端口334A供应到衬底容器300。前歧管340经配置以将净化气体分配到内部空间308中。第一进口端口334A可附接到进口端口342。歧管340包含气体分配表面346。流入到歧管340中的净化气体由气体分配表面346分配。净化气体的部分从气体分配表面346沿向上方向D5导引。
气体分配表面346包含沿壳体306的底壁322的前边缘324A延伸于壳体306的第一侧壁314与第二侧壁316之间的第一气体分配部分348A。例如，第一气体分配部分348A可具有类似于上文所讨论的图2A的第一气体分配部分48A的配置(例如长度、相对于前开口312的位置、内部空间中或沿内部空间的相对位置等等)。
图6B是歧管340的分解图。歧管340包含进口342A、框架344、薄膜347、通道349及盖350。进口342A附接到壳体306的底壁322中的第一前端口334A。薄膜347保持于盖350与框架344之间的适当位置中。在各种实施例中，薄膜347可以不同于盖350的方式附接到框架344。例如，在实施例中，薄膜347可通过超声波焊接、在曲折路径中机械捕捉(例如使用盖350)或通过激光焊接来附接到框架344。
薄膜347可为(例如)多孔材料。在实施例中，多孔材料可为非编织聚合物、烧结聚合物材料或聚合物薄膜中的一者。薄膜347包含一或多个聚合物。薄膜347的(若干)聚合物是适合用于处置半导体晶片的聚合物，例如(但不限于)聚四氟乙烯(PTFE)、不饱和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。在实施例中，烧结材料或非编织聚合物可用于代替薄膜347。
通道349流体连接到第一进口342A且安置于薄膜347下方。通过第一进口342A进入的净化气体流入到通道349中且接着离开歧管340，通过薄膜347且接着从歧管340流动通过薄膜347的气体分配表面346。
框架344在衬底容器300内附接到壳体306的底壁322。例如，框架344可至少部分安置于壳体306的底壁322中，如图6A所展示。在实施例中，框架344可与壳体306一体成型。在此实施例中，框架344可形成为壳体306的底壁322的组成部分(例如，壳体306经模制以包含框架344)。
衬底容器300包含安置于壳体306的底壁322中的第二前端口334B。歧管340的第二进口342B附接到第二前端口334B。如图6A中所展示，第二前端口334B在壳体306的底壁322中安置于进口342A与第二侧壁316之间。在实施例中，第二前端口334B配置为用于从内部空间308放出气体的出口端口。在此实施例中，净化气体通过经由一或多个后端口336A、336B供应净化气体且从封闭内部空间308经由歧管340及第二前端口334B放出净化气体来循环通过封闭内部空间308(例如当前门4关闭时)。在一些情况中，后端口336A、336B可与净化气体歧管或净化塔(例如(例如)图7中所展示)配合以促进净化气体供应到内部空间308中。
在一些情况中，阀(例如(例如)止回阀)可并入到第二前端口334B中，其将在从衬底容器的内部空间308内施加正压之后打开以促进净化气体通过第二前端口334B排放。在其它实施例中，第一前端口334A及第二前端口334B中的每一者可经配置使得其可取决于应用而操作为进口端口及/或出口端口两者。在一个实例中，第一前端口334A及/或第二前端口334B中的每一者可包含阀(例如(例如)伞式阀)，其取决于气流通过阀的方向而沿第一方向或第二方向打开。
在各种实施例中，图1到3的衬底容器1中的第二前端口34B可类似配置为出口端口。
图7A是衬底容器400的实施例的前透视图。图7中移除衬底容器400的前门(例如，衬底容器400打开)。衬底容器400由类似于图1中的前门4的前门关闭。
衬底容器400包含壳体406及前歧管440。除相对于前歧管440之外，衬底容器400可具有类似于图1到3中的衬底容器1的结构及配置。例如，衬底容器400包含内部空间408、前开口412、底壁422及壳体406的底壁422中的端口434A、434B、436A、436B，类似于图1到3中的衬底容器1。在实施例中，壳体406可具有上文相对于图1到3中的衬底容器1所类似讨论的特征(例如额外进口、单个后进口、插槽等等)。如图7A中所展示，后端口436A、436B可各自具有气体分配歧管438A、438B，其有助于增加沿内部空间408的高度供应到相应后端口436A、436B的净化气体的分配。
歧管440包含框架444及薄膜447。薄膜447包含气体分配表面446。以类似于上文相对于图6A中的衬底容器300所讨论的方式的方式，净化气体的流通过第一前端口434A供应到衬底容器400且由歧管440的气体分配表面446分配到内部空间408中。净化气体流动通过薄膜447且从气体分配表面446分配到内部空间408中。气体分配表面446包含以类似于上文针对图6A中的第一分配表面部分348A所讨论的方式的方式沿前开口412延伸的第一分配表面部分448A。
衬底容器400包含壳体406的底壁422中的第二前端口434B。第二前端口434B是用于从内部空间408放出气体(例如净化气体)，如上文相对于图6A的衬底容器300中的第二前端口334B所类似讨论。框架444包含支撑第二前端口434B的唇缘435的凸缘452。歧管440不覆盖第二前端口434B。例如，内部空间408中的气体可流入且通过第二前端口434B而不通过薄膜447或气体分配表面446。
图7B展示前歧管440的前透视图。歧管包含进口442、框架444及薄膜447。进口442附接到壳体406中的第一前端口434A。凸缘452包含开口454。当安装到衬底容器400中时，第二前端口434B的唇缘435配合到由凸缘452形成的开口中，其将框架444固定于适当位置中且有助于防止前歧管440意外拆离或移动。在实施例中，薄膜447可通过超声波焊接、在曲折路径中机械捕捉(例如使用盖350)或激光焊接中的一者来附接到框架444。
薄膜447是多孔材料的实例。在实施例中，多孔材料可为非编织聚合物、烧结聚合物材料及聚合物薄膜中的一者(例如薄膜447)。薄膜447包含一或多个聚合物。薄膜447的(若干)聚合物是适合用于处置半导体晶片的聚合物，例如(但不限于)聚四氟乙烯(PTFE)、不饱和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。在实施例中，烧结材料或非编织聚合物可用于代替薄膜447。
图8A是衬底容器500的实施例的前透视图。图8B是根据实施例的衬底容器500的横截面图。图8A及8B中移除衬底容器500的前门(例如，衬底容器500打开)。例如，衬底容器500可由类似于图1中的前门4的前门(图中未展示)关闭。
如图8A中所展示，衬底容器500包含壳体506、第一前歧管540A及第二前歧管540B。除相对于前歧管540A、540B之外，衬底容器500可大体上具有类似于图1到3中的衬底容器1的结构及配置。例如，衬底容器500包含内部空间508、前开口512、第一壁514、第二壁516、具有前边缘524B的顶部520、具有前边缘524A的底壁522及壳体506的底壁522中的端口534A、536，类似于图1到3中的衬底容器1。在实施例中，壳体506可具有上文相对于图1到3中的衬底容器1所类似讨论的特征(例如额外进口、单个后进口、插槽等等)。如图8A中所展示，后端口536可具有有助于分配供应到后端口536的净化气体的气体分配歧管538。
如图8A中所展示，第一歧管540A附接到底壁522且第二歧管540B附接到顶壁520。第一歧管540A及第二歧管540B各自包含沿方向DS延伸于第一侧壁514与第二侧壁516之间的气体分配表面546A、546B。第一歧管540A的气体分配表面546A还沿底壁522的前边缘524A延伸，且第二歧管540B的气体分配表面546B还沿顶壁520的前边缘524B延伸。
第一歧管540A的气体分配表面546A具有第一气体分配部分548A，其具有用于分配净化气体的至少一个狭缝。狭缝541可沿第一气体分配部分548A的长度L3延伸。狭缝541经配置以高速(例如大于0.3m/s的空气速度)排出净化气体的喷流，其可挟带及导引周围空气且导引周围空气的流动。在一些实施例中，第一气体分配部分548A可包含沿第一气体分配表面的长度分布的多个狭缝541。
如图8B中所展示，衬底容器500包含用于将净化气体供应到内部空间508中的多个进口端口534A、536。例如，衬底容器500经配置以通过第一进口端口534A被供应净化气体的第一流f1。净化气体的另一流f3还供应到后进口端口536(一个后进口端口在图8A中被遮蔽)。
歧管540A经配置以分配通过第一前进口端口534A供应的净化气体。歧管540A的进口542A经由第一进口端口534A来接收净化气体且歧管540A的分配表面546A将净化气体分配到内部空间508中。净化气体的喷流沿向前方向D6从分配表面546A的狭缝541高速(例如大于0.3m/s的空气速度)排出到内部空间508中。例如，净化气体可从分配表面546A的第一气体分配部分548A分散。在实施例中，净化气体的喷流可以某一角度排出。
除附接到壳体506的顶壁520之外，第二歧管540B可具有类似于第一歧管540A的配置。在实施例中，壳体506中的内部通道580可将净化气体的第一流f1的净化气体的部分供应到第二歧管540B的进口542B。替代地，净化气体的流可通过壳体506的顶壁520中的进口端口534C供应。
图9A及9B展示根据本公开的又一实施例的衬底容器600的不同视图。图9A及9B中移除衬底容器600的前门(例如，衬底容器600打开)。例如，衬底容器600可由类似于图1中的前门4的前门(图中未展示)关闭。
如图9A中所展示，衬底容器600包含壳体606、第一歧管640A及第二歧管640B。除相对于前歧管640A、640B之外，衬底容器600可大体上具有类似于图1到3中的衬底容器1的结构及配置。例如，衬底容器600包含内部空间608、前开口612、第一壁614、第二壁616、具有前边缘624B的顶壁620、具有前边缘624A的底壁622及壳体606的底壁622中的端口634A、634B、636A、636B，类似于图1到3中的衬底容器1。在实施例中，壳体606可具有上文相对于图1到3中的衬底容器1所类似讨论的特征(例如额外进口、单个后进口、插槽等等)。端口634A、634B、636A、636B可用于将净化气体供应到内部空间608中且在一些实施例中从内部空间608排放气体。后端口中的至少一者636A(如图9A中最佳所见)可具有有助于分配供应到后端口636A的净化气体的气体分配歧管638。
如图9A中所展示，第一歧管640A附接到底壁622且第二歧管640B附接到顶壁620。第一歧管640A及第二歧管640B各自包含沿一个方向延伸于第一侧壁614与第二侧壁616之间的气体分配表面646A、646B。第一歧管640A的气体分配表面646A还沿底壁622的前边缘624A延伸，且第二歧管640B的气体分配表面646B还沿顶壁620的前边缘624B延伸。
第一歧管640A的气体分配表面646A具有气体分配部分648A，其具有用于分配净化气体的多个狭缝641。狭缝641沿第一气体分配部分648A的长度提供。每一狭缝641经配置以高速排出净化气体的喷流，其可挟带及导引周围空气且导引周围空气的流动。歧管640A的气体分配部分648A经由第一进口端口634A来接收净化气体且歧管640A的分配表面646A将净化气体分配到内部空间608中。净化气体的喷流沿向前方向D6从分配表面646A的狭缝641高速排出到内部空间608中。在一个实施例中，净化气体可从气体分配表面646A的第一气体分配部分648A分散。在另一实施例中，净化气体的喷流可以某个角度排出。
在实施例中，歧管640A还可包含气体扩散部分650A，其经配置以促进净化气体在容器关闭时从内部606通过歧管640A及端口634B排放。气体扩散部分650A可包含可为多孔的气体扩散表面654A。例如，在一个实施例中，气体扩散表面654A可包含多孔薄膜，例如本文中所描述。在另一实施例中，气体扩散表面654A可包含多孔陶瓷或烧结多孔材料。衬底容器600的内部606内的正压产生衬底容器600的内部606与外部之间的压力梯度，其引起净化气体通过扩散部分650A的扩散表面654A进入歧管640A且离开容器。
除附接到壳体606的顶壁620之外，第二歧管640B可具有类似于第一歧管640A的配置。在实施例中，壳体606中的内部通道680可将净化气体的第一流的净化气体的部分供应到第二歧管640B的进口。替代地，净化气体的流可通过壳体606的顶壁620中的进口端口(图中未展示)来供应。
另外，在实施例中，歧管640B还可包含气体扩散部分650B，其经配置以促进净化气体在容器关闭时从内部606通过歧管640B及顶壁620中的出口端口排放。气体扩散部分650B可包含可为多孔的气体扩散表面654B。例如，在一个实施例中，气体扩散表面654B可包含多孔薄膜，例如本文中所描述。在另一实施例中，气体扩散表面654B可包含多孔陶瓷或烧结多孔材料。衬底容器600的内部606内的正压产生衬底容器600的内部606与外部之间的压力梯度，其引起净化气体通过扩散部分650B的扩散表面654B进入歧管640B且离开容器。
图10是在打开时净化前开式衬底容器(例如图2A中所展示的衬底容器1或衬底容器300、400、500中的任一者)的方法800的实施例的框图。例如，当前门(例如前门4)已从衬底容器的前开口(例如前开口12、312、412、512)移除时，衬底容器打开。方法开始于810。
在810中，将净化气体的第一流(例如净化气体的第一流f1)供应到衬底容器内的歧管(例如歧管40、140、240、340、440、540A、540B)的进口。净化气体的第一流经由衬底容器的壁(例如底壁22、顶壁520)中的第一进口端口(例如进口端口34A、34B)供应到歧管的进口(例如进口42A)。歧管安置成更靠近前开口而非衬底容器的后壁(例如后壁18)。接着，方法进行到820。
在820中，歧管将第一流的净化气体分配于衬底容器的内部空间(例如内部空间108)内。在实施例中，820可包含歧管沿朝向衬底容器的前开口的方向(例如方向D2)分配净化气体的部分。接着，方法进行到830。
在830中，经由安置于衬底容器的壁(例如底壁22)中的第二进口端口将净化气体的第二流(例如净化气体的第二流f2)供应到衬底容器的内部空间。第二进口端口安置成更靠近衬底容器的后壁(例如后壁18)而非衬底容器的前开口。在实施例中，第一进口端口及第二进口端口可安置于衬底容器的相同壁中。
方法可任选地在830之后包含840，如图10中所展示。净化气体的第一流及第二流的流速可经调整使得内部空间具有小于预定湿度浓度。衬底容器的内部空间期望小于预定湿度量。此预定量可基于(例如)衬底的材料。衬底容器内部空间内的湿度可能不是我们期望的。
在实施例中，方法800可基于图1到8B中所公开及上文所描述的衬底容器及歧管中的一或多者来修改。
在其中歧管中的至少一者配置为用于从衬底容器排放净化气体的出口的实施例中，方法可包含将净化气体的一或多个流引入到衬底容器的内部中。净化气体可由包含进口、气体分配表面的一或多个歧管引入到衬底容器中。替代地或另外，净化气体可由净化气体进口或净化气体塔引入到衬底容器中。接着，净化气体从衬底容器的内部经由配置为出口歧管的至少一个歧管排放，如本文中根据各种实施例所描述。在一些实施例中，歧管包含连接到衬底容器的端口的出口及气体扩散表面。当衬底容器的门用于密封内部时，衬底容器的内部内的净化气体可实现正压。当正压达到预定阈值时，净化气体通过歧管的气体扩散表面扩散且从容器经由连接到衬底容器壁中的端口的出口端口排放。
方面
方面1到15中的任一者可与方面16及17中的任一者组合。
方面1.一种衬底容器，其包括：壳体，其界定内部空间，所述壳体包含前开口，第一侧壁、第二侧壁、后壁及底壁，所述底壁包含沿所述壳体的所述前开口延伸于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的前边缘；及歧管，其附接到所述底壁，更靠近所述壳体的所述前开口而非所述后壁，所述歧管包含：进口，其经配置以接收净化气体的第一流；及气体分配表面，其经配置以将净化气体的所述第一流分配到所述内部空间中，所述气体分配表面包含沿所述底壁的所述前边缘沿一个方向延伸于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的第一气体分配部分。
方面2.根据方面1的衬底容器，其中所述歧管的所述进口附接到所述壳体的所述底壁中的进口端口。
方面3.根据方面1或2中任一方面的衬底容器，其中所述第一气体分配部分具有沿所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的距离的大部分延伸的长度。
方面4.根据方面1到3中任一方面的衬底容器，其中所述第一气体分配部分经配置以沿朝向所述壳体的所述前开口的方向分配所述净化气体的至少部分。
方面5.根据方面1到4中任一方面的衬底容器，其中所述气体分配表面包括多孔材料。
方面6.根据方面1到5中任一方面的衬底容器，其中所述气体分配表面包含在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间沿所述气体分配表面的长度布置的多个开口。
方面7.根据方面1到6中任一方面的衬底容器，其进一步包括用于支撑多个衬底的多个层架，所述多个层架经配置以保持衬底，所述歧管更靠近所述前开口而非所述层架。
方面8.根据方面1到7中任一方面的衬底容器，其中所述底壁具有面向所述内部空间的内表面，且所述歧管经配置以按相对于所述底壁的所述内表面的角度从所述气体分配表面分配所述净化气体。
方面9.根据方面1到8中任一方面的衬底容器，其中所述气体分配表面包含沿所述第一侧壁的前边缘或所述第二侧壁的前边缘中的一者延伸的第二气体分配部分。
方面10.根据方面1到9中任一方面的衬底容器，其中所述气体分配表面至少部分安置于所述内部空间内。
方面11.根据方面1到10中任一方面的衬底容器，其中所述歧管包含支撑所述气体分配表面的框架。
方面12.根据方面1到11中任一方面的衬底容器，其进一步包括：用于从所述内部空间放出气体的出口端口，所述出口端口安置于第一进口与所述第二侧壁之间的所述底壁中，且所述第一气体分配部分延伸于所述进口与所述出口端口之间。
方面13.根据方面12的衬底容器，其中所述歧管包含附接到所述出口端口的第二进口。
方面14.根据方面1到13中任一方面的衬底容器，其中所述壳体包含与所述前开口相对的后壁，且所述底壁包含用于将净化气体的第二流引入到所述内部空间中的后进口端口，所述后进口端口安置成靠近所述后壁而非所述前开口。
方面15.根据方面1到14中任一方面的衬底容器，其进一步包括经配置以接收于由所述壳体界定的所述前开口内以封闭所述内部空间的门。
方面16.一种在具有打开的前开口时净化衬底容器的方法，其包括：经由安置于所述衬底容器的壁中的前进口端口将净化气体的第一流供应到安置于所述衬底容器内的歧管的进口，所述歧管安置成更靠近所述前开口而非所述衬底容器的后壁；经由所述歧管将所述第一流的所述净化气体分配于所述衬底容器的内部空间内；及经由所述衬底容器的壁中的第二进口端口将净化气体的第二流供应到所述衬底容器的所述内部空间，所述第二进口端口安置成更靠近所述衬底容器的所述后壁而非所述衬底容器的所述前开口。
方面17.根据方面16的方法，其中将所述净化气体分配于所述衬底容器的内部空间内包含：所述歧管沿朝向所述衬底容器的所述前开口的方向导引所述净化气体的部分。
因此，尽管已描述本公开的若干说明性实施例，但所属领域的技术人员应易于了解，可在所附权利要求书的范围内制造及使用其它实施例。已在以上描述中阐述由本文献涵盖的本公开的许多优点。然而，应理解，本公开在许多方面仅供说明。可在不超出本发明的范围的情况下对细节(尤其关于部件的形状、大小及布置)作出改变。当然，本发明的范围以表述所附权利要求书的语言界定。

Claims (20)

1.一种衬底容器，其包括：
壳体，其界定内部空间，所述壳体包含前开口、第一侧壁、第二侧壁、后壁、底壁及沿所述壳体的所述前开口延伸于相对壁之间的前边缘；及
歧管，其附接到所述底壁、顶壁、所述第一侧壁及/或所述第二侧壁，更靠近所述壳体的所述前开口而非所述后壁，所述歧管包含：
进口，其经配置以接收净化气体的流；及
气体分配部分，其包含经配置以将净化气体的所述流分配到所述内部空间中的气体分配表面，所述气体分配部分包含沿所述壳体的前边缘沿一个方向延伸于相对壁之间的所述气体分配表面。
2.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述歧管的所述进口附接到所述壳体的所述底壁中的进口端口。
3.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述气体分配部分具有沿所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的距离的大部分延伸的长度。
4.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述气体分配表面经配置以沿朝向所述壳体的所述前开口的方向分配所述净化气体的至少部分。
5.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述气体分配表面包括多孔材料。
6.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述气体分配表面包含在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间沿所述气体分配表面的长度布置的多个开口。
7.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述歧管包含经配置以促进所述净化气体从所述衬底容器的所述内部空间排放的出口。
8.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述底壁、所述顶壁、所述第一侧壁或所述第二侧壁中的每一者具有面向所述内部空间的内表面，且所述歧管经配置以按相对于其附接的相应底壁、顶壁、第一侧壁或第二侧壁的所述内表面的角度从所述气体分配表面分配所述净化气体。
9.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述歧管至少包含具有沿所述第一侧壁的所述前边缘延伸的气体分配表面的第一气体分配部分及具有沿所述壳体的所述第二侧壁的前边缘中的一者延伸的气体分配表面的第二气体分配部分，其中所述壳体的所述第一侧壁与所述第二侧壁相对。
10.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述歧管包含支撑包含所述气体分配表面的所述气体分配部分的框架。
11.根据权利要求1所述的衬底容器，其进一步包括：
出口端口，其用于从所述内部空间放出气体，其中所述气体分配部分延伸于所述进口与所述出口端口之间。
12.根据权利要求11所述的衬底容器，其中所述歧管包含附接到所述出口端口的额外进口。
13.根据权利要求12所述的衬底容器，其中包含所述气体分配表面的所述气体分配部分经配置以允许净化气体在所述容器的所述内部空间中的正压下通过所述气体分配表面扩散且经由所述出口端口从所述容器排放。
14.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述歧管进一步包括连接到用于从所述内部空间放出气体的出口端口的气体扩散部分。
15.根据权利要求1所述的衬底容器，其进一步包括附接到所述容器的所述顶壁的额外歧管。
16.根据权利要求1所述的衬底容器，其中
所述壳体包含与所述前开口相对的后壁，且
所述底壁包含用于将净化气体的额外流引入到所述内部空间中的后进口端口，所述后进口端口安置成靠近所述后壁而非所述前开口。
17.根据权利要求1所述的衬底容器，其进一步包括：
门，其经配置以接收于由所述壳体界定的所述前开口内以封闭所述内部空间。
18.一种衬底容器，其包括：
壳体，其界定内部空间，所述壳体包含前开口、第一侧壁、第二侧壁、后壁、顶壁、底壁且包含沿所述壳体的所述前开口延伸于相对壁之间的前边缘及所述壳体的所述底壁及/或所述顶壁中的端口；及
歧管，其在所述前开口附近附接到所述壳体，所述歧管包含：
气体扩散部分，其包含经配置以允许净化气体的流从所述内部空间扩散到所述歧管中的气体扩散表面，所述气体扩散部分包含沿一个方向延伸于所述壳体的所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的所述气体扩散表面；及
出口，其联接到所述壳体中的至少一个端口，所述出口经配置以经由所述壳体中的所述至少一个端口将所述净化气体从所述歧管排放到所述衬底容器的外部。
19.根据权利要求18所述的衬底容器，其中所述歧管附接到所述壳体的所述底壁或所述顶壁中的所述端口。
20.一种在具有打开的前开口时净化衬底容器的方法，其包括：
经由安置于所述衬底容器的壁中的前进口端口将净化气体的第一流供应到安置于所述衬底容器内的歧管的进口，所述歧管安置成更靠近所述前开口而非所述衬底容器的后壁；
经由所述歧管将所述第一流的所述净化气体分配于所述衬底容器的内部空间内；及
经由所述衬底容器的壁中的第二进口端口将净化气体的第二流供应到所述衬底容器的所述内部空间，所述第二进口端口安置成更靠近所述衬底容器的所述后壁而非所述衬底容器的所述前开口。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230128154A1 (en) * 2021-10-27 2023-04-27 Entegris, Inc. Purge flow distribution system for a substrate container and method for performing the same
WO2023076156A1 (en) * 2021-10-27 2023-05-04 Entegris, Inc. Method and device to regulate purge into a container
WO2024145403A1 (en) * 2022-12-30 2024-07-04 Entegris, Inc. Substrate container with purge gas diffuser

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277579A (en) * 1991-03-15 1994-01-11 Tokyo Electron Sagami Limited Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus provided with a wafers transferring system
US6899145B2 (en) * 2003-03-20 2005-05-31 Asm America, Inc. Front opening unified pod
JP5041348B2 (ja) * 2010-02-26 2012-10-03 Ｔｄｋ株式会社 清浄ガスの置換機能を備えた基板収納ポッド
JP5547576B2 (ja) * 2010-07-30 2014-07-16 近藤工業株式会社 Ｎ２ガスパージ用ブリージングフィルターユニットおよび該フィルターユニットを搭載した半導体ウエハ収納容器をｎ２ガスパージするパージ装置
KR101147192B1 (ko) * 2011-11-11 2012-05-25 주식회사 엘에스테크 웨이퍼 표면상의 증착 이물 제거 장치
TWI645492B (zh) * 2013-06-18 2018-12-21 恩特葛瑞斯股份有限公司 具有重量壓載器的前開式晶圓容置盒
KR101366135B1 (ko) * 2013-10-10 2014-02-25 주식회사 엘에스테크 포스트 퍼지 장치
JP6217977B2 (ja) * 2014-02-27 2017-10-25 Tdk株式会社 ポッド、及び該ポッドを用いたパージシステム
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
KR101756743B1 (ko) * 2016-12-30 2017-07-12 김태훈 웨이퍼 가공 설비용 버퍼 챔버 유닛
US11139188B2 (en) * 2017-04-28 2021-10-05 Sinfonia Technology Co., Ltd. Gas supply device, method for controlling gas supply device, load port, and semiconductor manufacturing apparatus
US10903103B2 (en) * 2018-01-22 2021-01-26 Nanya Technology Corporation Front opening unified pod
KR102113275B1 (ko) * 2018-04-19 2020-05-20 주식회사 저스템 버퍼 챔버용 웨이퍼 퍼지 장치
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
KR20200022682A (ko) * 2018-08-23 2020-03-04 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
US11610795B2 (en) * 2018-08-28 2023-03-21 Entegris, Inc. Membrane diffuser for a substrate container
KR102172073B1 (ko) * 2018-09-28 2020-10-30 세메스 주식회사 기판 수납 장치 및 상기 기판 수납 장치를 이용한 기판 처리 장치
KR102123275B1 (ko) * 2019-01-30 2020-06-16 주식회사 에이케이테크 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
US11723152B2 (en) * 2020-01-24 2023-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Oxygen and humidity control in storage device

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